塗布方法及び塗布装置
【課題】塗布膜の膜厚制御、特に塗布膜の周縁部の膜厚均一化を容易に行うこと。
【解決手段】この面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０では、ステージ８０の上に基板Ｇを載置して、レジスト液供給機構８６およびノズル移動機構８８を動作させると、長尺ノズル８２の塗布走査により基板Ｇ上に基板の一端から他端に向ってレジスト液の面状塗布膜１００が形成されていく。その際、面状レジスト塗布膜１００が基板Ｇの外側へ向って広がる過程でライン状レジスト塗布膜７６と接触ないし一体化し、ライン状レジスト塗布膜７６によって面状レジスト塗布膜１００の外縁の位置が規定されると同時に膜厚も制御される。
【解決手段】この面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０では、ステージ８０の上に基板Ｇを載置して、レジスト液供給機構８６およびノズル移動機構８８を動作させると、長尺ノズル８２の塗布走査により基板Ｇ上に基板の一端から他端に向ってレジスト液の面状塗布膜１００が形成されていく。その際、面状レジスト塗布膜１００が基板Ｇの外側へ向って広がる過程でライン状レジスト塗布膜７６と接触ないし一体化し、ライン状レジスト塗布膜７６によって面状レジスト塗布膜１００の外縁の位置が規定されると同時に膜厚も制御される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板上に液を塗布する技術に係り、特にスピンレス方式で基板上に塗布膜を形成する塗布方法および塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、被処理基板（たとえばガラス基板）の大型化に有利なレジスト塗布法として、長尺型のレジストノズルをそのスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出させながら基板に対して相対的に移動または走査させることにより、回転運動を要することなく基板上に所望の膜厚でレジスト液を塗布するようにしたスピンレス方式（たとえば特許文献１参照）が普及している。
【０００３】
スピンレス方式（スリット式とも称される）を採用するレジストプロセスにおいても、その前処理として洗浄処理およびアドヒージョン処理が行われ、洗浄処理では基板表面の粒子や有機物等の汚れが除去される。アドヒージョン処理では基板とレジスト膜との密着性を向上させるために蒸気状のＨＭＤＳが基板上に塗布される。そして、レジスト塗布処理は、アドヒージョン処理後の無地の基板上に対して行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１５６２５５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のスピンレス方式は、基板上に形成するレジスト塗布膜の膜厚制御に改善の余地を残しており、特に面内均一性の向上が課題となっている。具体的には、塗布開始部では塗布膜の膜厚が落ち込む一方で、塗布中間部では塗布膜の膜厚が左右両端部で制御不能となり、塗布終端部では塗布膜が顕わに盛り上がりやすいという問題がある。
【０００６】
より詳細には、従来のスピンレス方式によると、図２２に示すような平面視のパターンで基板Ｇ上にレジスト液の塗布膜２００が形成される。ここで、塗布開始部Ａでは、図２３の（Ａ）に示すように、長尺型のレジストノズル２０２が基板ＧとのギャップＤAを狭くしてレジスト液の前置吐出または着液を行うのであるが、レジストノズル２０２のスリット状吐出口２０２ａより出たレジスト液が基板Ｇ上で外側（特にノズル長手方向外側）へ過分に広がりやすい。この結果、図２４に示すように、塗布開始部Ａ（特にその左右角隅部）でレジスト塗布膜２００の膜厚が外側へ向って垂れるように落ち込む。
【０００７】
塗布走査中は、図２３の（Ｂ）に示すように、レジストノズル２０２が基板ＧとのギャップＤBを塗布開始時よりも大きくしてその背面下端部にメニスカスを形成しながら基板Ｇ上方を移動し、基板Ｇ上に吐出された直後のレジスト液がノズル２０２に引きずられるため、図２５に示すように、塗布中間部Ｂの左右両端部でレジスト液が内側へ寄って盛り上がり２０４を形成しやすい。この盛り上がり２０４は、走査速度を大きくするほど、あるいはギャップＤBを大きくするほど、点線２０４'で示すように大きくなる傾向がある。
【０００８】
そして、レジストノズル２０２がレジスト液の吐出を終了する際には上方へ移動して退避することにより、そのスリット状吐出口２０２ａの両端からレジスト液の液切りが始まるため、塗布終端部Ｃ（特にその左右角隅部）ではレジスト液の内側への寄りがさらに強まり、一層大きな盛り上がりを形成しやすい。
【０００９】
上記のようなレジスト塗布膜の膜厚変動または不均一性は、レジストプロセスの仕様や条件に応じてレジストノズル２０２の吐出構造を最適化することにより、ある程度まで解消できる。しかしながら、この手法は汎用性がなく、仕様（たとえば膜厚）や条件（たとえばレジストの種類）を変更する度毎にレジストノズルのハードウェア的な交換を必要とし、コストや運用の面で実用上の不利点が大きい。
【００１０】
さらに、従来のスピンレス方式では、図２６に示すように、塗布開始位置Ａにおける前置吐出に際してレジストノズル２０２と基板Ｇとの間のギャップＤがレジスト液で完全に満たされずに隙間（着液不良箇所）２０６が発生することが多々あった。このような着液不良箇所２０６のある状態で塗布走査を開始すると、図２７に示すように、レジストノズル２０２の背面下部に形成されるメニスカスの頂上ライン（ウエットライン）が着液不良箇所２０６で落ち込み、その位置に対応するレジスト塗布膜２００上の位置で走査方向に筋状の塗布ムラ２０８が生じやすい。
【００１１】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、塗布膜の膜厚制御、特に塗布膜の周縁部の膜厚均一化を容易に行えるスピンレス方式の塗布方法および塗布装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の観点における塗布方法は、被処理基板上に設定された塗布領域についてその周縁部の一部または全部に処理液を塗布してライン状の塗布膜を形成するライン状塗布工程と、前記基板上の前記塗布領域に処理液を塗布して面状の塗布膜を形成する面状塗布工程とを有し、前記面状塗布工程において前記基板上に塗布された処理液が前記ライン状の塗布膜との付着による引力によって前記塗布領域の周辺側へ広がるように、前記ライン状塗布工程において前記ライン状塗布膜のプロファイルが選定される。
【００１３】
また、本発明の第１の観点における塗布装置は、被処理基板上に設定された塗布領域についてその周縁部の一部または全部に処理液を塗布してライン状の塗布膜を形成するライン状塗布部と、前記基板上の前記塗布領域に処理液を塗布して面状の塗布膜を形成する面状塗布部とを有し、前記面状塗布部により前記基板上に塗布された処理液が前記ライン状塗布部により形成された前記ライン状の塗布膜との付着による引力によって前記塗布領域の周辺側へ広がるように、前記ライン状塗布部により前記ライン状塗布膜のプロファイルが制御される。
【００１４】
本発明の上記第１の観点における塗布方法または塗布装置によれば、基板上の塗布領域一面に処理液を塗布する面状塗布部による面状塗布工程に先行して、ライン状塗布部によるライン状塗布工程において該塗布領域の周縁部の一部または全部に処理液を塗布し、所定のプロファイル（塗布位置、膜厚、幅等）でライン状の塗布膜を形成しておく。そして、面状塗布部による面状塗布工程において基板上に面状に塗布された処理液は、塗布領域の周辺側へ向かって広がる過程でライン状塗布膜と付着して一体化する。これにより、ライン状塗布膜によって面状塗布膜の外縁の位置が規定されると同時に膜厚も制御される。
【００１５】
本発明の第２の観点における塗布方法は、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の面状塗布膜を形成する塗布方法であって、前記基板上の前記塗布走査が終了する位置付近に、前記塗布走査に先立って前記処理液からなる先行の塗布膜を所望のパターンで形成し、前記塗布走査によって前記基板上に形成される面状塗布膜の終端に前記先行塗布膜が合わさって、前記先行塗布膜が前記面状塗布膜の拡張部分となるようにする。
【００１６】
また、本発明の第２の観点における塗布装置は、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の面状塗布膜を形成する面状塗布処理部と、前記基板上の前記塗布走査が終了する位置付近に、前記面状塗布処理部の前記塗布走査に先立って前記処理液からなる先行の塗布膜を所望のパターンで形成する先行塗布膜形成部とを有し、前記面状塗布処理部の塗布走査により前記基板上に形成される面状塗布膜の終端に前記先行塗布膜が合わさって、前記先行塗布膜が前記面状塗布膜の拡張部分となるようにする。
【００１７】
本発明の上記第２の観点における塗布方法または塗布装置によれば、面状塗布処理の際に塗布走査の終了位置付近で面状塗布膜が先行塗布膜に合わさって（一体化して）、先行塗布膜が面状塗布膜の拡張部分となるので、塗布終端部における面状塗布膜のアウトラインを任意に調整することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の塗布方法または塗布装置によれば、上記のような構成および作用により、スピンレス方式の塗布処理において塗布膜の膜厚制御、特に塗布膜の周縁部の膜厚均一化を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】実施形態の塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフローチャートである。
【図３】実施形態の塗布現像処理システムに含まれるライン状塗布ユニット内の要部の構成を示す斜視図である。
【図４】実施形態において基板上に形成されるライン状レジスト塗布膜の平面視パターンを模式的に示す平面図である。
【図５】実施形態において基板上に形成されるライン状レジスト塗布膜の塗布位置および断面形状を模式的に示す断面図である。
【図６】実施形態の塗布現像処理システムに含まれる面状塗布ユニット内の要部の構成を示す斜視図である。
【図７】実施形態の面状塗布ユニット内の作用を示す斜視図である。
【図８】実施形態において基板上に形成される面状レジスト塗布膜の平面視パターンを模式的に示す平面図である。
【図９】実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。
【図１０】実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。
【図１１】実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。
【図１２】実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。
【図１３】実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。
【図１４】実施形態において面状塗布処理装置にライン状塗布処理装置を組み込む一変形例の構成を示す斜視図である。
【図１５】図１４の構成例による塗布処理の作用を模式的に示す平面図である。
【図１６】図１４の構成例に加熱乾燥装置を組み込む構成例を示す略側面図である。
【図１７】実施形態における先行レジスト塗布膜のパターンの一例を示す平面図である。
【図１８】実施形態における先行塗布膜の作用を示す平面図である。
【図１９】実施形態における先行塗布膜の別のパターン例を示す平面図である。
【図２０】実施形態における先行塗布膜の別のパターン例を示す平面図である。
【図２１】実施形態における先行塗布膜の別のパターン例を示す平面図である。
【図２２】従来技術のスピンレス塗布処理により基板上に得られるレジスト塗布膜の平面視パターンを模式的に示す平面図である。
【図２３】従来技術のスピンレス塗布処理の作用を模式的に示す正面図である。
【図２４】従来技術における問題点を模式的に示す部分断面図である。
【図２５】従来技術における問題点を模式的に示す部分断面図である。
【図２６】従来技術における問題点を模式的に示す正面図である。
【図２７】従来技術における問題点を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図１〜図２１を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２１】
図１に、本発明の塗布方法および塗布装置の適用可能な構成例として塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用のガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベークの各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置（図示せず）で行われる。
【００２２】
この塗布現像処理システムは、大きく分けて、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２と、インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４とで構成される。
【００２３】
システムの一端部に設置されるカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを所定数たとえば４個まで載置可能なカセットステージ１６と、このカセットステージ１６上の側方でかつカセットＣの配列方向と平行に設けられた搬送路１７と、この搬送路１７上で移動自在でステージ１６上のカセットＣについて基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２０とを備えている。この搬送機構２０は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アームを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、後述するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２側の搬送装置３８と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００２４】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２は、上記カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０側から順に洗浄プロセス部２２と、塗布プロセス部２４と、現像プロセス部２６とを基板中継部２３、薬液供給ユニット２５およびスペース２７を介して（挟んで）横一列に設けている。
【００２５】
洗浄プロセス部２２は、２つのスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８と、上下２段の紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０と、加熱ユニット（ＨＰ）３２と、冷却ユニット（ＣＯＬ）３４とを含んでいる。
【００２６】
塗布プロセス部２４は、スピンレス方式の面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０と、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２と、ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４と、上下２段型アドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６と、上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８と、加熱ユニット（ＨＰ）５０とを含んでいる。
【００２７】
現像プロセス部２６は、３つの現像ユニット（ＤＥＶ）５２と、２つの上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５３と、加熱ユニット（ＨＰ）５５とを含んでいる。
【００２８】
各プロセス部２２，２４，２６の中央部には長手方向に搬送路３６，４７，５８が設けられ、搬送装置３８，５４，６０がそれぞれ搬送路３６，４７，５８に沿って移動して各プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Ｇの搬入／搬出または搬送を行うようになっている。なお、このシステムでは、各プロセス部２２，２４，２６において、搬送路３６，４７，５８の一方の側に液処理系のユニット（ＳＣＲ，ＣＴ，ＤＥＶ等）が配置され、他方の側に熱処理系のユニット（ＨＰ，ＣＯＬ等）が配置されている。
【００２９】
システムの他端部に設置されるインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４は、プロセスステーション１２と隣接する側にイクステンション（基板受け渡し部）５６およびバッファステージ５７を設け、露光装置と隣接する側に搬送機構５９を設けている。この搬送機構５９は、Ｙ方向に延在する搬送路１９上で移動自在であり、バッファステージ５７に対して基板Ｇの出し入れを行なうほか、イクステンション（基板受け渡し部）５６や隣の露光装置と基板Ｇの受け渡しを行うようになっている。
【００３０】
図２に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０において、搬送機構２０が、ステージ１２上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の洗浄プロセス部２２の搬送装置３８に渡す（ステップＳ1）。
【００３１】
洗浄プロセス部２２において、基板Ｇは、先ず紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０に順次搬入され、最初の紫外線照射ユニット（ＵＶ）では紫外線照射による乾式洗浄を施され、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）で所定温度まで冷却される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。
【００３２】
次に、基板Ｇはスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８の１つでスクラビング洗浄処理を受け、基板表面から粒子状の汚れが除去される（ステップＳ3）。スクラビング洗浄の後、基板Ｇは、加熱ユニット（ＨＰ）３２で加熱による脱水ベーク処理を受け（ステップＳ4）、次いで冷却ユニット（ＣＯＬ）３４で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。これで洗浄プロセス部２２における前処理が終了し、基板Ｇは、搬送装置３８により基板受け渡し部２３を介して塗布プロセス部２４へ搬送される。
【００３３】
塗布プロセス部２４において、基板Ｇは、最初にライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４へ搬入され、そこで後述するように基板Ｇ上に設定された塗布領域の外周または周縁部にレジスト液をライン状に塗布される（ステップＳ6）。こうして基板Ｇ上に形成されたライン状のレジスト塗布膜は、直後に加熱ユニット（ＨＰ）５０において加熱処理により乾かされる（ステップＳ7）。次に、基板Ｇはアドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット（ＡＤ）では疎水化処理（ＨＭＤＳ）を受け（ステップＳ8）、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ9）。なお、加熱乾燥工程（ＨＰ）と疎水化工程（ＨＭＤＳ）との間に冷却処理（ＣＯＬ）を入れてもよい。
【００３４】
その後、基板Ｇは、面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０でスピンレス法により塗布領域一面にレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２で減圧による乾燥処理を受ける（ステップＳ10）。
【００３５】
次に、基板Ｇは、加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８に順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）では塗布後のベーキング（プリベーク）が行われ（ステップＳ11）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ12）。なお、この塗布後のベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５０を用いることもできる。
【００３６】
上記塗布処理の後、基板Ｇは、塗布プロセス部２４の搬送装置５４と現像プロセス部２６の搬送装置６０とによってインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４へ搬送され、そこから露光装置に渡される（ステップＳ13）。露光装置では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置からインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４に戻される。インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４の搬送機構５９は、露光装置から受け取った基板Ｇをイクステンション５６を介してプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の現像プロセス部２６に渡す（ステップＳ13）。
【００３７】
現像プロセス部２６において、基板Ｇは、現像ユニット（ＤＥＶ）５２のいずれか１つで現像処理を受け（ステップＳ14）、次いで加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５３の１つに順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）ではポストベーキングが行われ（ステップＳ15）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ16）。このポストベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５５を用いることもできる。
【００３８】
現像プロセス部２６で一連の処理が済んだ基板Ｇは、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）２４の搬送装置６０，５４，３８によりカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０まで戻され、そこで搬送機構２０によりいずれか１つのカセットＣに収容される（ステップＳ1）。
【００３９】
この塗布現像処理システムにおいては、塗布プロセス部２４、特にライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４および面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０に本発明を適用することができる。以下、図３〜図１４につき、本発明の一実施形態におけるライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４および面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０の構成および作用を詳細に説明する。
【００４０】
図３に、この実施形態におけるライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４内の要部の構成を示す。このライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４は、基板Ｇを水平に載置して保持するためのステージ６２と、このステージ６２上の基板Ｇに対してレジスト液をドット状または糸状に吐出するインクジェット式のレジストノズル（以下、「インクジェットノズル」と称する。）６４をＸＹ方向で移動させるノズル走査機構６６と、各部を制御するコントローラ（図示せず）とを有している。
【００４１】
ノズル走査機構６６においては、Ｙ方向に延びる一対のＹガイドレール６８，６８がステージ６２の左右両側に配置され、ステージ６２上方を横断してＸ方向に延びる１本のＸガイドレール７０がたとえば電気モータを有するＹ方向駆動部７２によりＹガイドレール６８，６８上でＹ方向に移動可能となっている。さらに、Ｘガイドレール７０にはＸ方向にたとえば自走式または外部駆動式で移動できるキャリッジ（搬送体）７４が搭載されており、このキャリッジ７４にインクジェットノズル６４が取り付けられている。Ｙ方向駆動部７２によるＹ方向の移動とキャリッジ７４によるＸ方向の移動との組み合わせにより、ステージ６２上方のＸＹ面上でインクジェットノズル６４を任意の２点間で、あるいは任意の直線または曲線ルートで移動させることができる。
【００４２】
インクジェットノズル６４は、その吐出口の内奥に噴射手段としてたとえばピエゾ素子を内蔵しており、上記コントローラからの電気的な駆動信号で該ピエゾ素子を収縮動作させ、その収縮圧力によりノズル内のレジスト液を加圧し、液滴として吐出口よりジェット噴射するように構成されている。なお、レジスト液供給部（図示せず）がタンクとして直接に、あるいは配管（図示せず）を介してインクジェットノズル６４に接続されている。
【００４３】
このライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４では、上記のような構成により、基板Ｇ上の予め設定された塗布領域についてその周縁部の一部または全部に処理液を塗布してライン状のレジスト塗布膜を形成することができる。たとえば、図４に示すように、インクジェットノズル６４をノズル走査機構６６により基板Ｇの４辺に沿って(1)→(2)→(3)→(4)のルートで移動させ、このルート上の各点にインクジェットノズル６４より所望量のレジスト液を滴下することにより、塗布領域ＲＥの周縁部に長方形のライン状レジスト塗布膜７６を形成することができる。ここで、塗布領域ＲＥは、後述する面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０においてレジスト液がスピンレス法で面状に塗布される基板Ｇ上の領域である。通常、塗布領域ＲＥの外縁位置は基板Ｇの端から幾分（たとえば１０ｍｍ）内側に設定される。
【００４４】
ライン状レジスト塗布膜７６の平面視パターンの形状は、基板Ｇに合わせた形状（四角形）を標準とするが、後工程の面状レジスト塗布（ＡＣＴ）における要求仕様や処理条件に合わせて任意のバリエーションをもたせることができる。たとえば、図２２〜図２７について述べたような従来技術におけるレジスト塗布膜２００のエッジ部の膜厚変動または不均一性をより効果的に低減するために、後工程の面状レジスト塗布（ＡＣＴ）で塗布開始位置ＡとなるＸ方向の基板一端部側でライン状レジスト塗布膜７６の角部７６Ａを図８中の円内部分拡大図ＬＡで示すように丸めて内側に寄せるパターンや、塗布終端位置ＣとなるＸ方向の基板他端部側でライン状レジスト塗布膜７６の角部７６Ｃを図８中の円内部分拡大図ＬＣで示すように鋭角に尖らせて外側へ広げるパターンなどが好適である。
【００４５】
また、図５に示すように、ライン状レジスト塗布膜７６の断面形状やサイズ（特に幅Ｗや高さＨ等）も一定の制限内で任意に選択できる。図中、点線Ｊは基板Ｇ上の製品領域と非製品領域との境界を示す。通常、塗布領域ＲＥの外周位置は境界Ｊの外側に設定されるので、ライン状レジスト塗布膜７６も境界Ｊの外側に形成されてよい。
【００４６】
上記のように、ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４で基板Ｇ上に形成されたライン状レジスト塗布膜７６は、直後に加熱ユニット（ＨＰ）５０において加熱処理により乾かされる（ステップＳ7）。この加熱乾燥は、ライン状レジスト塗布膜７６に残留している溶剤を蒸発させて基板Ｇとの密着性を高めるために行われるものであるが、プリベーク（ステップＳ11）ほどの乾きである必要はなく、半乾きでもよい。
【００４７】
図６に、面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０内の要部の構成を示す。この面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０は、基板Ｇを水平に載置して保持するためのステージ８０と、このステージ８０上に載置される基板Ｇの上面（正確には塗布領域ＲＥ）に長尺型のレジストノズル（以下、「長尺ノズル」と称する。）８２を用いてスピンレス法でレジスト液を面状に塗布するための塗布処理部８４とを有している。
【００４８】
塗布処理部８４は、長尺ノズル８２を含むレジスト液供給機構８６と、塗布処理時に長尺ノズル８２をステージ８０上方でＸ方向に水平移動させるノズル移動機構８８とを有する。レジスト液供給機構８６において、長尺ノズル８２は、ステージ８０上の基板Ｇを一端から他端までカバーできる長さでＹ方向に延びるスリット状の吐出口を有しており、レジスト液供給源（図示せず）からのレジスト液供給管９０に接続されている。ノズル移動機構８８は、長尺ノズル８２を水平に支持する逆さコ字状または門形のノズル支持体９２と、このノズル支持体９２をＸ方向で双方向に直進移動させる直進駆動部９４とを有する。この直進駆動部９４は、たとえばガイド付きのリニアモータ機構またはボールねじ機構で構成されてよい。また、長尺ノズル８２の高さ位置を変更または調節するためのガイド付きの昇降機構９６が、たとえばノズル支持体９２と長尺ノズル８２とを接続するジョイント部９８に設けられている。昇降機構９６が長尺ノズル８２の高さ位置を調節または可変することで、長尺ノズル８２の下端または吐出口とステージ８０上の基板Ｇの上面（被処理面）との間の距離間隔つまりギャップの大きさを任意に調整または可変することができる。
【００４９】
長尺ノズル８２は、たとえばステンレス鋼等の対錆性と加工性に優れた金属からなり、下端のスリット状吐出口に向って先細りのテーパ面を有している。長尺ノズル８２のスリット状吐出口の全長は、基板Ｇの幅サイズもしくは後述する対向するライン状レジスト塗布膜間の幅（距離間隔）に対応している。これにより、長尺ノズル８２の吐出口の両端が基板Ｇ上の塗布領域ＲＥの左右両端のほぼ真上をＸ方向に移動するようになっている。
【００５０】
この面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０においては、ステージ８０上に基板Ｇを載置し、コントローラ（図示せず）の制御の下でレジスト液供給機構８６およびノズル移動機構８８等を所定のシーケンスで動作させることにより、図８に示すように、基板Ｇ上の塗布領域ＲＥに、つまりライン状レジスト塗布膜７６の矩形枠または堤で囲まれた領域内に、面状のレジスト塗布膜１００を所望の膜厚で形成することができる。
【００５１】
より詳細には、図６に示すように、ステージ８０の上方を所定の高さでＸ方向に縦断または走査するように長尺ノズル８２をノズル移動機構８８により一定速度で移動させながら、レジスト液供給機構８６において長尺ノズル８２のスリット状吐出口よりＹ方向に広がる帯状の吐出流でレジスト液をステージ８０上の基板Ｇの塗布領域ＲＥに供給する。このような長尺ノズル８２の塗布走査により、図７に示すように、基板Ｇ上には長尺ノズル８２の後を追うようにして基板の一端から他端に向ってレジスト液の面状塗布膜１００が形成されていく。その際、面状レジスト塗布膜１００が基板Ｇの外側（特に左右外側）へ向って広がる過程でライン状レジスト塗布膜７６と接触ないし一体化し、ライン状レジスト塗布膜７６によって面状レジスト塗布膜１００の外縁の位置が規定されると同時に膜厚も制御される。
【００５２】
すなわち、塗布開始位置Ａでは、長尺ノズル８２が基板Ｇとのギャップを狭くしてレジスト液の前置吐出または着液を行うために、長尺ノズル８２のスリット状吐出口より出たレジスト液が基板Ｇ上で外側（特にノズル長手方向外側）へ過分に広がりやすい。しかしながら、この実施形態においては、塗布領域ＲＥの外縁部に前以てライン状レジスト塗布膜７６が形成されている。これにより、図９に示すように、面状レジスト塗布膜１００の外縁がライン状レジスト塗布膜７６の堤部によって規制されるため、それよりも外側へ広がることはなく（バンク効果）、仮想線１００'で示すような膜厚の先細り（落ち込み）が阻止される。とりわけ、図８中の円内部分拡大図ＬＡに示すように、塗布開始位置Ａ側でライン状レジスト塗布膜７６の角部（コーナー部）を丸めるパターンにおいては、上記のようなバンク効果ないし膜厚落ち込み防止の効果を一層高めることができる。
【００５３】
一方、塗布走査中は、図７に示すように、長尺ノズル８２がその背面下端部にメニスカスを形成した状態で基板Ｇ上方をＸ方向に移動することにより、基板Ｇ上に吐出された直後のレジスト液が長尺ノズル８２に引きずられるため、塗布中間部Ｂの左右両端部ではレジスト液が内側へ寄せられるような力を受ける。しかしながら、この実施形態においては、塗布領域ＲＥの外縁部に前以てライン状レジスト塗布膜７６が形成されているので、図１０に示すように、面状レジスト塗布膜１００の外縁部がライン状レジスト塗布膜７６との付着（ぬれ）による引力で所定の外周位置に留まるため、内側へ寄せられることがなく、仮想線１００'で示すような膜厚の盛り上がりが抑制される。
【００５４】
また、塗布終了部Ｃでは、基板Ｇ上に吐出された直後のレジスト液が塗布中間部Ｂよりも一層大きな内向きの力を長尺ノズル８２側から受けるものの、やはりライン状レジスト塗布膜７６との付着（ぬれ）による引力で所定の外周位置に留まって、内側へ寄せられることがなく、膜厚の盛り上がりが防止される。とりわけ、図８中の円内部分拡大図ＬＣに示すように、塗布終了位置Ｃ側でライン状レジスト塗布膜７６の角部７６Ｃを鋭角にして外側へ拡げるパターンにおいては、塗布終了の間際に長尺ノズル８２より吐出された過分量のレジスト液をその領域拡張部分に導いてライン状レジスト塗布膜７６にぬれの付着力でしっかり保持させることができ、それによって上記のような膜厚盛り上がり防止の効果を一層高めることができる。
【００５５】
さらに、この実施形態では、塗布走査の開始直前または開始時に塗布開始位置Ａで長尺ノズル８２と基板Ｇとの間のギャップをレジスト液で塞ぐための着液を再現性よく良好に行うことができる。すなわち、図１２に示すように、塗布開始位置ＡまたはそのＸ方向外側近傍に前以てライン状レジスト塗布膜７６が形成されているので、長尺ノズル８２のスリット状吐出口８２ａより吐出された着液用のレジスト液Ｒはライン状レジスト塗布膜７６に上から重なるように付着ないし一体化してノズル長手方向（Ｙ方向）に広がることにより、ギャップ内にレジスト液Ｒを隙間なく満たして完全に塞ぐことができる。
【００５６】
このように、長尺ノズル８２と基板Ｇとのギャップをレジスト液で完全に満たした状態で塗布走査を開始することにより、図７に示すように、長尺ノズル８２の背面下部に形成されるメニスカスの頂上ライン（ウエットライン）ＷＬが水平一直線に安定し、基板Ｇ上に塗布ムラのない平坦面のレジスト塗布膜１００を形成することができる。
【００５７】
この実施形態においては、レジストプロセスの様々な仕様や条件に対して、長尺ノズル８２のハードウェア的な変更または交換を要することなく、ライン状レジスト塗布膜７６のプロファイル（塗布位置、膜厚Ｈ、幅Ｗ等）を適宜選択することにより、上記のような均一化の膜厚制御を容易に実現することができる。
【００５８】
たとえば、走査速度やレジスト特性等の塗布条件を変えずに面状レジスト塗布膜１００の膜厚設定値をＴaからたとえば略２倍のＴbに変更すると、塗布走査中間部Ｂでは長尺ノズル８２によって内側に寄せられる力よりも基板とのぬれで外側へ広がろうとするレジスト液の量的な力が勝り、左右両端部で膜厚が盛り上がるどころか外に向って垂れ（落ち込み）やすくなる。
【００５９】
この場合は、図１１に示すように、ライン状レジスト塗布膜７６の塗布位置を基板内側（製品領域側）へ寄せることで、ライン状レジスト塗布膜７６に面状レジスト塗布膜１００の外縁部の広がりを阻止するバンク効果の機能を持たせることができる。これによって、仮想線（一点鎖線）１００'で示すような面状レジスト塗布膜１００における膜厚の垂れまたは落ち込みをなくし、膜厚の均一化を図ることができる。
【００６０】
上記したように、この実施形態によれば、スピンレス方式のレジスト塗布において、基板Ｇ上に設定される塗布領域ＲＥの外周に前以てライン状のレジスト塗布膜７８を形成することにより、正規のスピンレス塗布処理において面状レジスト塗布膜１００の膜厚制御、特に周縁部の膜厚均一化制御を容易に行うことができる。さらに、塗布開始時または直前の着液動作で長尺ノズル８２と基板Ｇとの間のギャップをレジスト液で再現性よく確実に塞ぐことが可能であり、これによって塗布走査で筋状の塗布ムラが発生するのを防止し、平坦面の良質なレジスト膜を得ることができる。
【００６１】
上記の実施形態では、基板Ｇ上にライン状のレジスト塗布膜７８を形成する処理を専用のライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４で行う構成としている。しかし、ライン状塗布処理を行う装置を面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０内に併設または組み込む構成も可能である。
【００６２】
たとえば、図１４に示すように、面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０において、ノズル移動機構８８のノズル支持体９２に、上記ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）５１内のライン状塗布処理装置（図３）を構成したのと同様のＸガイドレール７０、キャリッジ７４を介してインクジェットノズル６４を搭載することも可能である。この場合は、ノズル移動機構８８によりステージ８０上方で長尺ノズル８２を所定方向（Ｘ方向）に移動させる塗布走査において、インクジェットノズル６４は長尺ノズル８２の前方位置でステージ６０上方を移動することができ、長尺ノズル８２による面状塗布走査に先行してインクジェットノズル６４によるライン状塗布走査を実行させることができる。
【００６３】
このように面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０内にライン状塗布処理装置を設ける場合は、基板Ｇ上に形成された直後のライン状レジスト塗布膜７６を乾かす手段もユニット（ＡＣＴ）４０内に設けるのが好ましい。たとえば、図１６に示すように、インクジェットノズル６４の背後で温風ヒータ１０２を走査させる構成も可能である。この温風ヒータ１０２は、たとえば抵抗発熱手段からなる発熱部１０４を有し、ガス管１０６を介してエアまたは窒素ガスを引き込んで、ヒータ１０２より基板Ｇ上のライン状レジスト塗布膜７６に向けて乾燥用の温風を吹き付ける。あるいは、ライン状レジスト塗布膜７６の作用効果をある程度低下させることにはなるが、ライン状塗布処理の後に特別の乾燥処理を行わずに面状塗布処理を行うことも可能である。
【００６４】
上記実施形態では、基板Ｇ上を一周するように塗布領域ＲＥの外縁の全部にライン状レジスト塗布膜７６を形成した。しかし、塗布領域ＲＥの外周の一部だけに、たとえば塗布開始位置付近だけに、あるいは塗布走査中間部だけに、あるいは塗布終端部だけに、あるいは角部だけに局所的なライン状レジスト塗布膜７６を形成することも可能である。また、図８の拡大図ＬＣに示す塗布パターンの一変形例として、角部（コーナー部）のライン状レジスト膜７６を結合させずに隙間を空けて形成してもよく、その構成によっても上記と同様の効果を得ることが可能である。
【００６５】
上記実施形態における塗布走査は、ステージ８０上で基板Ｇを固定し、その上方でインクジェットノズル６４あるいは長尺ノズル８２を所定方向またはルートで移動させる方式であった。しかし、ノズル６４，８２を固定して基板Ｇを所定方向に移動する方式、あるいはノズル６４，８２と基板Ｇの双方を同時に移動させる方式も可能である。塗布走査中に基板Ｇを空中に浮上させて移動させる浮上搬送式も可能である。
【００６６】
上記実施形態においては、塗布開始時の着液に際して、長尺ノズル８２より基板Ｇとの狭ギャップに微量のレジスト液を吐出するようしているが、別の方法としてプライミング処理法による着液も可能である。プライミング処理法によれば、ステージ８０の近くに設けたプライミング処理部で長尺ノズル８２の吐出口付近にレジスト液を下塗りしてから、長尺ノズル８２をステージ８０上方へ移動させて基板Ｇと所定の狭ギャップを形成する高さまで降ろして、基板Ｇの下端に付着しているレジスト液の液膜を基板Ｇの塗布開始位置に着ける。本発明によれば、塗布開始位置の近傍に前以てライン状のレジスト塗布膜を形成しているので、プライミング処理法による着液も再現性よく良好に行うことができる。
【００６７】
なお、長尺ノズル８２から吐出されたレジスト液が初めてライン状レジスト塗布膜７６に接液するまでは、長尺ノズル８２を静止または移動停止させておくのが好ましい。いったんレジストがライン状レジスト塗布膜７６に接液してしまうと、後は長尺ノズル８２を移動させてもライン状レジスト塗布膜７６に吸い寄せられ、ライン状レジスト塗布膜７６との間に隙間なくレジストを供給することができる。レジストを吐出して長尺ノズル８２が移動を開始するまでの時間は、予め実験等で求めておけばよい。
【００６８】
また、長尺ノズル８２からレジストを吐出して、早くライン状レジスト膜７６に接液するように、初期段階ではレジストを所定量より多く吐出し、吐出したレジストがライン状レジスト塗布膜７６に接液した後に余剰量のレジストを長尺ノズル８２内に吸引するようにしてもよい。レジストの吐出から吸引開始までの時間も、予め実験等で求めておいてよい。
【００６９】
また、図示省略するが、ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４において、基板の各辺にそれぞれ対応する複数（たとえば４個）のノズル６４を備え、基板の各辺に沿って同時にライン状レジスト塗布膜７６を形成する装置構成としてもよい。この場合、より短い時間で基板上に所望のライン状レジスト塗布膜７６を形成することができる。
【００７０】
本発明に用いるライン状塗布用のノズルおよび面状塗布用のノズルの構成も種々の変形が可能である。たとえば、インクジェットノズル６４の代わりに微細孔の吐出口を有する電磁弁オン／オフ式のノズルも使用可能である。また、長尺ノズル８２の吐出口はスリットタイプに限るものでなく、多数の微細孔吐出口を一列に配列したものも可能である。
【００７１】
また、ライン状塗布工程において、ライン状レジスト塗布膜７６の形状をライン以外の任意のパターンに変形することも可能である。特に、スピンレス法の面状塗布においては、上記のようにレジスト液膜が基板Ｇ上の塗布終端部（特に左右角隅部）で内側（塗布走査方向と直交する方向において基板中心側）へ大きく寄りやすい。本発明によれば、基板Ｇ上の面状レジスト塗布膜の終端付近（特に左右角隅部）に、前以て（たとえば上記ライン状塗布工程と同様の先行塗布工程において）面状レジスト塗布膜のアウトライン、特に左右角隅部のアウトラインを拡張するための先行レジスト塗布膜を所望のパターンで形成することができる。
【００７２】
たとえば、図１７に示すように、基板Ｇ上の面状塗布後端側の左右角隅部に略直角の¬形または』形のパターンで先行レジスト塗布膜１１０を形成してよい。この場合、面状塗布工程においては、基板Ｇ上に形成される面状レジスト塗布膜１１２が塗布走査終端部で内側に寄っても、図１８に示すように（特に円内部分拡大図ＬＤに示すように）、基板Ｇ上の左右角隅部で面状レジスト塗布膜１１２が先行レジスト塗布膜１１０に一部重なるようにして合わさり（一体化し）、先行レジスト塗布膜１１０が面状レジスト塗布膜１１２の拡張部分として角部の形状（直角形状）を規定するような合成レジスト塗布膜１１４が得られる。
【００７３】
他にも、本発明において先行レジスト塗布膜１１０のパターンまたはレイアウトを任意に変形することができる。たとえば、図１９に示すような円形のパターン、図２０に示すような面状塗布走査方向に延びる短冊状または矩形のパターン、図２１に示すような面状塗布走査方向と直交する方向に延びる短冊状または矩形のパターンなどが可能である。これらの場合にも、やはり面状塗布走査の終端で面状レジスト塗布膜１１２が先行レジスト塗布膜１１０に合わさり（一体化し）、先行レジスト塗布膜１１０が面状レジスト塗布膜１１２の延長部分として角部の形状を規定するような合成レジスト塗布膜１１４が得られる。
【００７４】
また、本発明における先行塗布膜をレジスト液の代わりに溶剤たとえばシンナーを用いて上記と同様のパターンまたはレイアウトで形成することも可能である。この場合、図示省略するが、面状塗布工程において面状レジスト塗布膜が先行シンナー塗布膜に合わさると、面状レジスト塗布膜のレジスト液が先行シンナー塗布膜の上をぬれで拡散し、結果として面状レジスト塗布膜のアウトラインが先行シンナー塗布膜のアウトラインまで拡張または延長する。これにより、面状レジスト塗布膜が塗布走査終端部で内側に寄っても、左右角部の塗布膜アウトラインを所望の形状（たとえば直角形状）にすることができる。
【００７５】
上記した実施形態はＬＣＤ製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を供給する任意の処理装置やアプリケーションに適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【符号の説明】
【００７６】
４０ 面状塗布ユニット（ＡＣＴ）
５１ ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）
６２ ステージ
６４ インクジェット式レジストノズル（インクジェットノズル）
６８ Ｙガイドレール
７０ Ｘガイドレール
７２ Ｙ方向駆動部
７４ キャリッジ
７６ ライン状レジスト塗布膜
８０ ステージ
８２ 長尺型レジストノズル（長尺ノズル）
８４ 塗布処理部
８６ レジスト液供給機構
８８ ノズル移動機構
１００ 面状レジスト塗布膜
１０２ 温風ヒータ
１１０ 先行レジスト塗布膜
１１２ 面状レジスト塗布膜
１１４ 合成レジスト塗布膜
Ｇ ガラス基板（被処理基板）
ＲＥ 塗布領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板上に液を塗布する技術に係り、特にスピンレス方式で基板上に塗布膜を形成する塗布方法および塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、被処理基板（たとえばガラス基板）の大型化に有利なレジスト塗布法として、長尺型のレジストノズルをそのスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出させながら基板に対して相対的に移動または走査させることにより、回転運動を要することなく基板上に所望の膜厚でレジスト液を塗布するようにしたスピンレス方式（たとえば特許文献１参照）が普及している。
【０００３】
スピンレス方式（スリット式とも称される）を採用するレジストプロセスにおいても、その前処理として洗浄処理およびアドヒージョン処理が行われ、洗浄処理では基板表面の粒子や有機物等の汚れが除去される。アドヒージョン処理では基板とレジスト膜との密着性を向上させるために蒸気状のＨＭＤＳが基板上に塗布される。そして、レジスト塗布処理は、アドヒージョン処理後の無地の基板上に対して行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１５６２５５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のスピンレス方式は、基板上に形成するレジスト塗布膜の膜厚制御に改善の余地を残しており、特に面内均一性の向上が課題となっている。具体的には、塗布開始部では塗布膜の膜厚が落ち込む一方で、塗布中間部では塗布膜の膜厚が左右両端部で制御不能となり、塗布終端部では塗布膜が顕わに盛り上がりやすいという問題がある。
【０００６】
より詳細には、従来のスピンレス方式によると、図２２に示すような平面視のパターンで基板Ｇ上にレジスト液の塗布膜２００が形成される。ここで、塗布開始部Ａでは、図２３の（Ａ）に示すように、長尺型のレジストノズル２０２が基板ＧとのギャップＤAを狭くしてレジスト液の前置吐出または着液を行うのであるが、レジストノズル２０２のスリット状吐出口２０２ａより出たレジスト液が基板Ｇ上で外側（特にノズル長手方向外側）へ過分に広がりやすい。この結果、図２４に示すように、塗布開始部Ａ（特にその左右角隅部）でレジスト塗布膜２００の膜厚が外側へ向って垂れるように落ち込む。
【０００７】
塗布走査中は、図２３の（Ｂ）に示すように、レジストノズル２０２が基板ＧとのギャップＤBを塗布開始時よりも大きくしてその背面下端部にメニスカスを形成しながら基板Ｇ上方を移動し、基板Ｇ上に吐出された直後のレジスト液がノズル２０２に引きずられるため、図２５に示すように、塗布中間部Ｂの左右両端部でレジスト液が内側へ寄って盛り上がり２０４を形成しやすい。この盛り上がり２０４は、走査速度を大きくするほど、あるいはギャップＤBを大きくするほど、点線２０４'で示すように大きくなる傾向がある。
【０００８】
そして、レジストノズル２０２がレジスト液の吐出を終了する際には上方へ移動して退避することにより、そのスリット状吐出口２０２ａの両端からレジスト液の液切りが始まるため、塗布終端部Ｃ（特にその左右角隅部）ではレジスト液の内側への寄りがさらに強まり、一層大きな盛り上がりを形成しやすい。
【０００９】
上記のようなレジスト塗布膜の膜厚変動または不均一性は、レジストプロセスの仕様や条件に応じてレジストノズル２０２の吐出構造を最適化することにより、ある程度まで解消できる。しかしながら、この手法は汎用性がなく、仕様（たとえば膜厚）や条件（たとえばレジストの種類）を変更する度毎にレジストノズルのハードウェア的な交換を必要とし、コストや運用の面で実用上の不利点が大きい。
【００１０】
さらに、従来のスピンレス方式では、図２６に示すように、塗布開始位置Ａにおける前置吐出に際してレジストノズル２０２と基板Ｇとの間のギャップＤがレジスト液で完全に満たされずに隙間（着液不良箇所）２０６が発生することが多々あった。このような着液不良箇所２０６のある状態で塗布走査を開始すると、図２７に示すように、レジストノズル２０２の背面下部に形成されるメニスカスの頂上ライン（ウエットライン）が着液不良箇所２０６で落ち込み、その位置に対応するレジスト塗布膜２００上の位置で走査方向に筋状の塗布ムラ２０８が生じやすい。
【００１１】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、塗布膜の膜厚制御、特に塗布膜の周縁部の膜厚均一化を容易に行えるスピンレス方式の塗布方法および塗布装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の観点における塗布方法は、被処理基板上に設定された塗布領域についてその周縁部の一部または全部に処理液を塗布してライン状の塗布膜を形成するライン状塗布工程と、前記基板上の前記塗布領域に処理液を塗布して面状の塗布膜を形成する面状塗布工程とを有し、前記面状塗布工程において前記基板上に塗布された処理液が前記ライン状の塗布膜との付着による引力によって前記塗布領域の周辺側へ広がるように、前記ライン状塗布工程において前記ライン状塗布膜のプロファイルが選定される。
【００１３】
また、本発明の第１の観点における塗布装置は、被処理基板上に設定された塗布領域についてその周縁部の一部または全部に処理液を塗布してライン状の塗布膜を形成するライン状塗布部と、前記基板上の前記塗布領域に処理液を塗布して面状の塗布膜を形成する面状塗布部とを有し、前記面状塗布部により前記基板上に塗布された処理液が前記ライン状塗布部により形成された前記ライン状の塗布膜との付着による引力によって前記塗布領域の周辺側へ広がるように、前記ライン状塗布部により前記ライン状塗布膜のプロファイルが制御される。
【００１４】
本発明の上記第１の観点における塗布方法または塗布装置によれば、基板上の塗布領域一面に処理液を塗布する面状塗布部による面状塗布工程に先行して、ライン状塗布部によるライン状塗布工程において該塗布領域の周縁部の一部または全部に処理液を塗布し、所定のプロファイル（塗布位置、膜厚、幅等）でライン状の塗布膜を形成しておく。そして、面状塗布部による面状塗布工程において基板上に面状に塗布された処理液は、塗布領域の周辺側へ向かって広がる過程でライン状塗布膜と付着して一体化する。これにより、ライン状塗布膜によって面状塗布膜の外縁の位置が規定されると同時に膜厚も制御される。
【００１５】
本発明の第２の観点における塗布方法は、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の面状塗布膜を形成する塗布方法であって、前記基板上の前記塗布走査が終了する位置付近に、前記塗布走査に先立って前記処理液からなる先行の塗布膜を所望のパターンで形成し、前記塗布走査によって前記基板上に形成される面状塗布膜の終端に前記先行塗布膜が合わさって、前記先行塗布膜が前記面状塗布膜の拡張部分となるようにする。
【００１６】
また、本発明の第２の観点における塗布装置は、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の面状塗布膜を形成する面状塗布処理部と、前記基板上の前記塗布走査が終了する位置付近に、前記面状塗布処理部の前記塗布走査に先立って前記処理液からなる先行の塗布膜を所望のパターンで形成する先行塗布膜形成部とを有し、前記面状塗布処理部の塗布走査により前記基板上に形成される面状塗布膜の終端に前記先行塗布膜が合わさって、前記先行塗布膜が前記面状塗布膜の拡張部分となるようにする。
【００１７】
本発明の上記第２の観点における塗布方法または塗布装置によれば、面状塗布処理の際に塗布走査の終了位置付近で面状塗布膜が先行塗布膜に合わさって（一体化して）、先行塗布膜が面状塗布膜の拡張部分となるので、塗布終端部における面状塗布膜のアウトラインを任意に調整することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の塗布方法または塗布装置によれば、上記のような構成および作用により、スピンレス方式の塗布処理において塗布膜の膜厚制御、特に塗布膜の周縁部の膜厚均一化を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】実施形態の塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフローチャートである。
【図３】実施形態の塗布現像処理システムに含まれるライン状塗布ユニット内の要部の構成を示す斜視図である。
【図４】実施形態において基板上に形成されるライン状レジスト塗布膜の平面視パターンを模式的に示す平面図である。
【図５】実施形態において基板上に形成されるライン状レジスト塗布膜の塗布位置および断面形状を模式的に示す断面図である。
【図６】実施形態の塗布現像処理システムに含まれる面状塗布ユニット内の要部の構成を示す斜視図である。
【図７】実施形態の面状塗布ユニット内の作用を示す斜視図である。
【図８】実施形態において基板上に形成される面状レジスト塗布膜の平面視パターンを模式的に示す平面図である。
【図９】実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。
【図１０】実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。
【図１１】実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。
【図１２】実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。
【図１３】実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。
【図１４】実施形態において面状塗布処理装置にライン状塗布処理装置を組み込む一変形例の構成を示す斜視図である。
【図１５】図１４の構成例による塗布処理の作用を模式的に示す平面図である。
【図１６】図１４の構成例に加熱乾燥装置を組み込む構成例を示す略側面図である。
【図１７】実施形態における先行レジスト塗布膜のパターンの一例を示す平面図である。
【図１８】実施形態における先行塗布膜の作用を示す平面図である。
【図１９】実施形態における先行塗布膜の別のパターン例を示す平面図である。
【図２０】実施形態における先行塗布膜の別のパターン例を示す平面図である。
【図２１】実施形態における先行塗布膜の別のパターン例を示す平面図である。
【図２２】従来技術のスピンレス塗布処理により基板上に得られるレジスト塗布膜の平面視パターンを模式的に示す平面図である。
【図２３】従来技術のスピンレス塗布処理の作用を模式的に示す正面図である。
【図２４】従来技術における問題点を模式的に示す部分断面図である。
【図２５】従来技術における問題点を模式的に示す部分断面図である。
【図２６】従来技術における問題点を模式的に示す正面図である。
【図２７】従来技術における問題点を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図１〜図２１を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２１】
図１に、本発明の塗布方法および塗布装置の適用可能な構成例として塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用のガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベークの各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置（図示せず）で行われる。
【００２２】
この塗布現像処理システムは、大きく分けて、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２と、インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４とで構成される。
【００２３】
システムの一端部に設置されるカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを所定数たとえば４個まで載置可能なカセットステージ１６と、このカセットステージ１６上の側方でかつカセットＣの配列方向と平行に設けられた搬送路１７と、この搬送路１７上で移動自在でステージ１６上のカセットＣについて基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２０とを備えている。この搬送機構２０は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アームを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、後述するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２側の搬送装置３８と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００２４】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２は、上記カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０側から順に洗浄プロセス部２２と、塗布プロセス部２４と、現像プロセス部２６とを基板中継部２３、薬液供給ユニット２５およびスペース２７を介して（挟んで）横一列に設けている。
【００２５】
洗浄プロセス部２２は、２つのスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８と、上下２段の紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０と、加熱ユニット（ＨＰ）３２と、冷却ユニット（ＣＯＬ）３４とを含んでいる。
【００２６】
塗布プロセス部２４は、スピンレス方式の面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０と、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２と、ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４と、上下２段型アドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６と、上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８と、加熱ユニット（ＨＰ）５０とを含んでいる。
【００２７】
現像プロセス部２６は、３つの現像ユニット（ＤＥＶ）５２と、２つの上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５３と、加熱ユニット（ＨＰ）５５とを含んでいる。
【００２８】
各プロセス部２２，２４，２６の中央部には長手方向に搬送路３６，４７，５８が設けられ、搬送装置３８，５４，６０がそれぞれ搬送路３６，４７，５８に沿って移動して各プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Ｇの搬入／搬出または搬送を行うようになっている。なお、このシステムでは、各プロセス部２２，２４，２６において、搬送路３６，４７，５８の一方の側に液処理系のユニット（ＳＣＲ，ＣＴ，ＤＥＶ等）が配置され、他方の側に熱処理系のユニット（ＨＰ，ＣＯＬ等）が配置されている。
【００２９】
システムの他端部に設置されるインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４は、プロセスステーション１２と隣接する側にイクステンション（基板受け渡し部）５６およびバッファステージ５７を設け、露光装置と隣接する側に搬送機構５９を設けている。この搬送機構５９は、Ｙ方向に延在する搬送路１９上で移動自在であり、バッファステージ５７に対して基板Ｇの出し入れを行なうほか、イクステンション（基板受け渡し部）５６や隣の露光装置と基板Ｇの受け渡しを行うようになっている。
【００３０】
図２に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０において、搬送機構２０が、ステージ１２上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の洗浄プロセス部２２の搬送装置３８に渡す（ステップＳ1）。
【００３１】
洗浄プロセス部２２において、基板Ｇは、先ず紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０に順次搬入され、最初の紫外線照射ユニット（ＵＶ）では紫外線照射による乾式洗浄を施され、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）で所定温度まで冷却される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。
【００３２】
次に、基板Ｇはスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８の１つでスクラビング洗浄処理を受け、基板表面から粒子状の汚れが除去される（ステップＳ3）。スクラビング洗浄の後、基板Ｇは、加熱ユニット（ＨＰ）３２で加熱による脱水ベーク処理を受け（ステップＳ4）、次いで冷却ユニット（ＣＯＬ）３４で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。これで洗浄プロセス部２２における前処理が終了し、基板Ｇは、搬送装置３８により基板受け渡し部２３を介して塗布プロセス部２４へ搬送される。
【００３３】
塗布プロセス部２４において、基板Ｇは、最初にライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４へ搬入され、そこで後述するように基板Ｇ上に設定された塗布領域の外周または周縁部にレジスト液をライン状に塗布される（ステップＳ6）。こうして基板Ｇ上に形成されたライン状のレジスト塗布膜は、直後に加熱ユニット（ＨＰ）５０において加熱処理により乾かされる（ステップＳ7）。次に、基板Ｇはアドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット（ＡＤ）では疎水化処理（ＨＭＤＳ）を受け（ステップＳ8）、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ9）。なお、加熱乾燥工程（ＨＰ）と疎水化工程（ＨＭＤＳ）との間に冷却処理（ＣＯＬ）を入れてもよい。
【００３４】
その後、基板Ｇは、面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０でスピンレス法により塗布領域一面にレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２で減圧による乾燥処理を受ける（ステップＳ10）。
【００３５】
次に、基板Ｇは、加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８に順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）では塗布後のベーキング（プリベーク）が行われ（ステップＳ11）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ12）。なお、この塗布後のベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５０を用いることもできる。
【００３６】
上記塗布処理の後、基板Ｇは、塗布プロセス部２４の搬送装置５４と現像プロセス部２６の搬送装置６０とによってインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４へ搬送され、そこから露光装置に渡される（ステップＳ13）。露光装置では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置からインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４に戻される。インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４の搬送機構５９は、露光装置から受け取った基板Ｇをイクステンション５６を介してプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の現像プロセス部２６に渡す（ステップＳ13）。
【００３７】
現像プロセス部２６において、基板Ｇは、現像ユニット（ＤＥＶ）５２のいずれか１つで現像処理を受け（ステップＳ14）、次いで加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５３の１つに順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）ではポストベーキングが行われ（ステップＳ15）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ16）。このポストベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５５を用いることもできる。
【００３８】
現像プロセス部２６で一連の処理が済んだ基板Ｇは、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）２４の搬送装置６０，５４，３８によりカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０まで戻され、そこで搬送機構２０によりいずれか１つのカセットＣに収容される（ステップＳ1）。
【００３９】
この塗布現像処理システムにおいては、塗布プロセス部２４、特にライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４および面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０に本発明を適用することができる。以下、図３〜図１４につき、本発明の一実施形態におけるライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４および面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０の構成および作用を詳細に説明する。
【００４０】
図３に、この実施形態におけるライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４内の要部の構成を示す。このライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４は、基板Ｇを水平に載置して保持するためのステージ６２と、このステージ６２上の基板Ｇに対してレジスト液をドット状または糸状に吐出するインクジェット式のレジストノズル（以下、「インクジェットノズル」と称する。）６４をＸＹ方向で移動させるノズル走査機構６６と、各部を制御するコントローラ（図示せず）とを有している。
【００４１】
ノズル走査機構６６においては、Ｙ方向に延びる一対のＹガイドレール６８，６８がステージ６２の左右両側に配置され、ステージ６２上方を横断してＸ方向に延びる１本のＸガイドレール７０がたとえば電気モータを有するＹ方向駆動部７２によりＹガイドレール６８，６８上でＹ方向に移動可能となっている。さらに、Ｘガイドレール７０にはＸ方向にたとえば自走式または外部駆動式で移動できるキャリッジ（搬送体）７４が搭載されており、このキャリッジ７４にインクジェットノズル６４が取り付けられている。Ｙ方向駆動部７２によるＹ方向の移動とキャリッジ７４によるＸ方向の移動との組み合わせにより、ステージ６２上方のＸＹ面上でインクジェットノズル６４を任意の２点間で、あるいは任意の直線または曲線ルートで移動させることができる。
【００４２】
インクジェットノズル６４は、その吐出口の内奥に噴射手段としてたとえばピエゾ素子を内蔵しており、上記コントローラからの電気的な駆動信号で該ピエゾ素子を収縮動作させ、その収縮圧力によりノズル内のレジスト液を加圧し、液滴として吐出口よりジェット噴射するように構成されている。なお、レジスト液供給部（図示せず）がタンクとして直接に、あるいは配管（図示せず）を介してインクジェットノズル６４に接続されている。
【００４３】
このライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４では、上記のような構成により、基板Ｇ上の予め設定された塗布領域についてその周縁部の一部または全部に処理液を塗布してライン状のレジスト塗布膜を形成することができる。たとえば、図４に示すように、インクジェットノズル６４をノズル走査機構６６により基板Ｇの４辺に沿って(1)→(2)→(3)→(4)のルートで移動させ、このルート上の各点にインクジェットノズル６４より所望量のレジスト液を滴下することにより、塗布領域ＲＥの周縁部に長方形のライン状レジスト塗布膜７６を形成することができる。ここで、塗布領域ＲＥは、後述する面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０においてレジスト液がスピンレス法で面状に塗布される基板Ｇ上の領域である。通常、塗布領域ＲＥの外縁位置は基板Ｇの端から幾分（たとえば１０ｍｍ）内側に設定される。
【００４４】
ライン状レジスト塗布膜７６の平面視パターンの形状は、基板Ｇに合わせた形状（四角形）を標準とするが、後工程の面状レジスト塗布（ＡＣＴ）における要求仕様や処理条件に合わせて任意のバリエーションをもたせることができる。たとえば、図２２〜図２７について述べたような従来技術におけるレジスト塗布膜２００のエッジ部の膜厚変動または不均一性をより効果的に低減するために、後工程の面状レジスト塗布（ＡＣＴ）で塗布開始位置ＡとなるＸ方向の基板一端部側でライン状レジスト塗布膜７６の角部７６Ａを図８中の円内部分拡大図ＬＡで示すように丸めて内側に寄せるパターンや、塗布終端位置ＣとなるＸ方向の基板他端部側でライン状レジスト塗布膜７６の角部７６Ｃを図８中の円内部分拡大図ＬＣで示すように鋭角に尖らせて外側へ広げるパターンなどが好適である。
【００４５】
また、図５に示すように、ライン状レジスト塗布膜７６の断面形状やサイズ（特に幅Ｗや高さＨ等）も一定の制限内で任意に選択できる。図中、点線Ｊは基板Ｇ上の製品領域と非製品領域との境界を示す。通常、塗布領域ＲＥの外周位置は境界Ｊの外側に設定されるので、ライン状レジスト塗布膜７６も境界Ｊの外側に形成されてよい。
【００４６】
上記のように、ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４で基板Ｇ上に形成されたライン状レジスト塗布膜７６は、直後に加熱ユニット（ＨＰ）５０において加熱処理により乾かされる（ステップＳ7）。この加熱乾燥は、ライン状レジスト塗布膜７６に残留している溶剤を蒸発させて基板Ｇとの密着性を高めるために行われるものであるが、プリベーク（ステップＳ11）ほどの乾きである必要はなく、半乾きでもよい。
【００４７】
図６に、面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０内の要部の構成を示す。この面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０は、基板Ｇを水平に載置して保持するためのステージ８０と、このステージ８０上に載置される基板Ｇの上面（正確には塗布領域ＲＥ）に長尺型のレジストノズル（以下、「長尺ノズル」と称する。）８２を用いてスピンレス法でレジスト液を面状に塗布するための塗布処理部８４とを有している。
【００４８】
塗布処理部８４は、長尺ノズル８２を含むレジスト液供給機構８６と、塗布処理時に長尺ノズル８２をステージ８０上方でＸ方向に水平移動させるノズル移動機構８８とを有する。レジスト液供給機構８６において、長尺ノズル８２は、ステージ８０上の基板Ｇを一端から他端までカバーできる長さでＹ方向に延びるスリット状の吐出口を有しており、レジスト液供給源（図示せず）からのレジスト液供給管９０に接続されている。ノズル移動機構８８は、長尺ノズル８２を水平に支持する逆さコ字状または門形のノズル支持体９２と、このノズル支持体９２をＸ方向で双方向に直進移動させる直進駆動部９４とを有する。この直進駆動部９４は、たとえばガイド付きのリニアモータ機構またはボールねじ機構で構成されてよい。また、長尺ノズル８２の高さ位置を変更または調節するためのガイド付きの昇降機構９６が、たとえばノズル支持体９２と長尺ノズル８２とを接続するジョイント部９８に設けられている。昇降機構９６が長尺ノズル８２の高さ位置を調節または可変することで、長尺ノズル８２の下端または吐出口とステージ８０上の基板Ｇの上面（被処理面）との間の距離間隔つまりギャップの大きさを任意に調整または可変することができる。
【００４９】
長尺ノズル８２は、たとえばステンレス鋼等の対錆性と加工性に優れた金属からなり、下端のスリット状吐出口に向って先細りのテーパ面を有している。長尺ノズル８２のスリット状吐出口の全長は、基板Ｇの幅サイズもしくは後述する対向するライン状レジスト塗布膜間の幅（距離間隔）に対応している。これにより、長尺ノズル８２の吐出口の両端が基板Ｇ上の塗布領域ＲＥの左右両端のほぼ真上をＸ方向に移動するようになっている。
【００５０】
この面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０においては、ステージ８０上に基板Ｇを載置し、コントローラ（図示せず）の制御の下でレジスト液供給機構８６およびノズル移動機構８８等を所定のシーケンスで動作させることにより、図８に示すように、基板Ｇ上の塗布領域ＲＥに、つまりライン状レジスト塗布膜７６の矩形枠または堤で囲まれた領域内に、面状のレジスト塗布膜１００を所望の膜厚で形成することができる。
【００５１】
より詳細には、図６に示すように、ステージ８０の上方を所定の高さでＸ方向に縦断または走査するように長尺ノズル８２をノズル移動機構８８により一定速度で移動させながら、レジスト液供給機構８６において長尺ノズル８２のスリット状吐出口よりＹ方向に広がる帯状の吐出流でレジスト液をステージ８０上の基板Ｇの塗布領域ＲＥに供給する。このような長尺ノズル８２の塗布走査により、図７に示すように、基板Ｇ上には長尺ノズル８２の後を追うようにして基板の一端から他端に向ってレジスト液の面状塗布膜１００が形成されていく。その際、面状レジスト塗布膜１００が基板Ｇの外側（特に左右外側）へ向って広がる過程でライン状レジスト塗布膜７６と接触ないし一体化し、ライン状レジスト塗布膜７６によって面状レジスト塗布膜１００の外縁の位置が規定されると同時に膜厚も制御される。
【００５２】
すなわち、塗布開始位置Ａでは、長尺ノズル８２が基板Ｇとのギャップを狭くしてレジスト液の前置吐出または着液を行うために、長尺ノズル８２のスリット状吐出口より出たレジスト液が基板Ｇ上で外側（特にノズル長手方向外側）へ過分に広がりやすい。しかしながら、この実施形態においては、塗布領域ＲＥの外縁部に前以てライン状レジスト塗布膜７６が形成されている。これにより、図９に示すように、面状レジスト塗布膜１００の外縁がライン状レジスト塗布膜７６の堤部によって規制されるため、それよりも外側へ広がることはなく（バンク効果）、仮想線１００'で示すような膜厚の先細り（落ち込み）が阻止される。とりわけ、図８中の円内部分拡大図ＬＡに示すように、塗布開始位置Ａ側でライン状レジスト塗布膜７６の角部（コーナー部）を丸めるパターンにおいては、上記のようなバンク効果ないし膜厚落ち込み防止の効果を一層高めることができる。
【００５３】
一方、塗布走査中は、図７に示すように、長尺ノズル８２がその背面下端部にメニスカスを形成した状態で基板Ｇ上方をＸ方向に移動することにより、基板Ｇ上に吐出された直後のレジスト液が長尺ノズル８２に引きずられるため、塗布中間部Ｂの左右両端部ではレジスト液が内側へ寄せられるような力を受ける。しかしながら、この実施形態においては、塗布領域ＲＥの外縁部に前以てライン状レジスト塗布膜７６が形成されているので、図１０に示すように、面状レジスト塗布膜１００の外縁部がライン状レジスト塗布膜７６との付着（ぬれ）による引力で所定の外周位置に留まるため、内側へ寄せられることがなく、仮想線１００'で示すような膜厚の盛り上がりが抑制される。
【００５４】
また、塗布終了部Ｃでは、基板Ｇ上に吐出された直後のレジスト液が塗布中間部Ｂよりも一層大きな内向きの力を長尺ノズル８２側から受けるものの、やはりライン状レジスト塗布膜７６との付着（ぬれ）による引力で所定の外周位置に留まって、内側へ寄せられることがなく、膜厚の盛り上がりが防止される。とりわけ、図８中の円内部分拡大図ＬＣに示すように、塗布終了位置Ｃ側でライン状レジスト塗布膜７６の角部７６Ｃを鋭角にして外側へ拡げるパターンにおいては、塗布終了の間際に長尺ノズル８２より吐出された過分量のレジスト液をその領域拡張部分に導いてライン状レジスト塗布膜７６にぬれの付着力でしっかり保持させることができ、それによって上記のような膜厚盛り上がり防止の効果を一層高めることができる。
【００５５】
さらに、この実施形態では、塗布走査の開始直前または開始時に塗布開始位置Ａで長尺ノズル８２と基板Ｇとの間のギャップをレジスト液で塞ぐための着液を再現性よく良好に行うことができる。すなわち、図１２に示すように、塗布開始位置ＡまたはそのＸ方向外側近傍に前以てライン状レジスト塗布膜７６が形成されているので、長尺ノズル８２のスリット状吐出口８２ａより吐出された着液用のレジスト液Ｒはライン状レジスト塗布膜７６に上から重なるように付着ないし一体化してノズル長手方向（Ｙ方向）に広がることにより、ギャップ内にレジスト液Ｒを隙間なく満たして完全に塞ぐことができる。
【００５６】
このように、長尺ノズル８２と基板Ｇとのギャップをレジスト液で完全に満たした状態で塗布走査を開始することにより、図７に示すように、長尺ノズル８２の背面下部に形成されるメニスカスの頂上ライン（ウエットライン）ＷＬが水平一直線に安定し、基板Ｇ上に塗布ムラのない平坦面のレジスト塗布膜１００を形成することができる。
【００５７】
この実施形態においては、レジストプロセスの様々な仕様や条件に対して、長尺ノズル８２のハードウェア的な変更または交換を要することなく、ライン状レジスト塗布膜７６のプロファイル（塗布位置、膜厚Ｈ、幅Ｗ等）を適宜選択することにより、上記のような均一化の膜厚制御を容易に実現することができる。
【００５８】
たとえば、走査速度やレジスト特性等の塗布条件を変えずに面状レジスト塗布膜１００の膜厚設定値をＴaからたとえば略２倍のＴbに変更すると、塗布走査中間部Ｂでは長尺ノズル８２によって内側に寄せられる力よりも基板とのぬれで外側へ広がろうとするレジスト液の量的な力が勝り、左右両端部で膜厚が盛り上がるどころか外に向って垂れ（落ち込み）やすくなる。
【００５９】
この場合は、図１１に示すように、ライン状レジスト塗布膜７６の塗布位置を基板内側（製品領域側）へ寄せることで、ライン状レジスト塗布膜７６に面状レジスト塗布膜１００の外縁部の広がりを阻止するバンク効果の機能を持たせることができる。これによって、仮想線（一点鎖線）１００'で示すような面状レジスト塗布膜１００における膜厚の垂れまたは落ち込みをなくし、膜厚の均一化を図ることができる。
【００６０】
上記したように、この実施形態によれば、スピンレス方式のレジスト塗布において、基板Ｇ上に設定される塗布領域ＲＥの外周に前以てライン状のレジスト塗布膜７８を形成することにより、正規のスピンレス塗布処理において面状レジスト塗布膜１００の膜厚制御、特に周縁部の膜厚均一化制御を容易に行うことができる。さらに、塗布開始時または直前の着液動作で長尺ノズル８２と基板Ｇとの間のギャップをレジスト液で再現性よく確実に塞ぐことが可能であり、これによって塗布走査で筋状の塗布ムラが発生するのを防止し、平坦面の良質なレジスト膜を得ることができる。
【００６１】
上記の実施形態では、基板Ｇ上にライン状のレジスト塗布膜７８を形成する処理を専用のライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４で行う構成としている。しかし、ライン状塗布処理を行う装置を面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０内に併設または組み込む構成も可能である。
【００６２】
たとえば、図１４に示すように、面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０において、ノズル移動機構８８のノズル支持体９２に、上記ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）５１内のライン状塗布処理装置（図３）を構成したのと同様のＸガイドレール７０、キャリッジ７４を介してインクジェットノズル６４を搭載することも可能である。この場合は、ノズル移動機構８８によりステージ８０上方で長尺ノズル８２を所定方向（Ｘ方向）に移動させる塗布走査において、インクジェットノズル６４は長尺ノズル８２の前方位置でステージ６０上方を移動することができ、長尺ノズル８２による面状塗布走査に先行してインクジェットノズル６４によるライン状塗布走査を実行させることができる。
【００６３】
このように面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０内にライン状塗布処理装置を設ける場合は、基板Ｇ上に形成された直後のライン状レジスト塗布膜７６を乾かす手段もユニット（ＡＣＴ）４０内に設けるのが好ましい。たとえば、図１６に示すように、インクジェットノズル６４の背後で温風ヒータ１０２を走査させる構成も可能である。この温風ヒータ１０２は、たとえば抵抗発熱手段からなる発熱部１０４を有し、ガス管１０６を介してエアまたは窒素ガスを引き込んで、ヒータ１０２より基板Ｇ上のライン状レジスト塗布膜７６に向けて乾燥用の温風を吹き付ける。あるいは、ライン状レジスト塗布膜７６の作用効果をある程度低下させることにはなるが、ライン状塗布処理の後に特別の乾燥処理を行わずに面状塗布処理を行うことも可能である。
【００６４】
上記実施形態では、基板Ｇ上を一周するように塗布領域ＲＥの外縁の全部にライン状レジスト塗布膜７６を形成した。しかし、塗布領域ＲＥの外周の一部だけに、たとえば塗布開始位置付近だけに、あるいは塗布走査中間部だけに、あるいは塗布終端部だけに、あるいは角部だけに局所的なライン状レジスト塗布膜７６を形成することも可能である。また、図８の拡大図ＬＣに示す塗布パターンの一変形例として、角部（コーナー部）のライン状レジスト膜７６を結合させずに隙間を空けて形成してもよく、その構成によっても上記と同様の効果を得ることが可能である。
【００６５】
上記実施形態における塗布走査は、ステージ８０上で基板Ｇを固定し、その上方でインクジェットノズル６４あるいは長尺ノズル８２を所定方向またはルートで移動させる方式であった。しかし、ノズル６４，８２を固定して基板Ｇを所定方向に移動する方式、あるいはノズル６４，８２と基板Ｇの双方を同時に移動させる方式も可能である。塗布走査中に基板Ｇを空中に浮上させて移動させる浮上搬送式も可能である。
【００６６】
上記実施形態においては、塗布開始時の着液に際して、長尺ノズル８２より基板Ｇとの狭ギャップに微量のレジスト液を吐出するようしているが、別の方法としてプライミング処理法による着液も可能である。プライミング処理法によれば、ステージ８０の近くに設けたプライミング処理部で長尺ノズル８２の吐出口付近にレジスト液を下塗りしてから、長尺ノズル８２をステージ８０上方へ移動させて基板Ｇと所定の狭ギャップを形成する高さまで降ろして、基板Ｇの下端に付着しているレジスト液の液膜を基板Ｇの塗布開始位置に着ける。本発明によれば、塗布開始位置の近傍に前以てライン状のレジスト塗布膜を形成しているので、プライミング処理法による着液も再現性よく良好に行うことができる。
【００６７】
なお、長尺ノズル８２から吐出されたレジスト液が初めてライン状レジスト塗布膜７６に接液するまでは、長尺ノズル８２を静止または移動停止させておくのが好ましい。いったんレジストがライン状レジスト塗布膜７６に接液してしまうと、後は長尺ノズル８２を移動させてもライン状レジスト塗布膜７６に吸い寄せられ、ライン状レジスト塗布膜７６との間に隙間なくレジストを供給することができる。レジストを吐出して長尺ノズル８２が移動を開始するまでの時間は、予め実験等で求めておけばよい。
【００６８】
また、長尺ノズル８２からレジストを吐出して、早くライン状レジスト膜７６に接液するように、初期段階ではレジストを所定量より多く吐出し、吐出したレジストがライン状レジスト塗布膜７６に接液した後に余剰量のレジストを長尺ノズル８２内に吸引するようにしてもよい。レジストの吐出から吸引開始までの時間も、予め実験等で求めておいてよい。
【００６９】
また、図示省略するが、ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４において、基板の各辺にそれぞれ対応する複数（たとえば４個）のノズル６４を備え、基板の各辺に沿って同時にライン状レジスト塗布膜７６を形成する装置構成としてもよい。この場合、より短い時間で基板上に所望のライン状レジスト塗布膜７６を形成することができる。
【００７０】
本発明に用いるライン状塗布用のノズルおよび面状塗布用のノズルの構成も種々の変形が可能である。たとえば、インクジェットノズル６４の代わりに微細孔の吐出口を有する電磁弁オン／オフ式のノズルも使用可能である。また、長尺ノズル８２の吐出口はスリットタイプに限るものでなく、多数の微細孔吐出口を一列に配列したものも可能である。
【００７１】
また、ライン状塗布工程において、ライン状レジスト塗布膜７６の形状をライン以外の任意のパターンに変形することも可能である。特に、スピンレス法の面状塗布においては、上記のようにレジスト液膜が基板Ｇ上の塗布終端部（特に左右角隅部）で内側（塗布走査方向と直交する方向において基板中心側）へ大きく寄りやすい。本発明によれば、基板Ｇ上の面状レジスト塗布膜の終端付近（特に左右角隅部）に、前以て（たとえば上記ライン状塗布工程と同様の先行塗布工程において）面状レジスト塗布膜のアウトライン、特に左右角隅部のアウトラインを拡張するための先行レジスト塗布膜を所望のパターンで形成することができる。
【００７２】
たとえば、図１７に示すように、基板Ｇ上の面状塗布後端側の左右角隅部に略直角の¬形または』形のパターンで先行レジスト塗布膜１１０を形成してよい。この場合、面状塗布工程においては、基板Ｇ上に形成される面状レジスト塗布膜１１２が塗布走査終端部で内側に寄っても、図１８に示すように（特に円内部分拡大図ＬＤに示すように）、基板Ｇ上の左右角隅部で面状レジスト塗布膜１１２が先行レジスト塗布膜１１０に一部重なるようにして合わさり（一体化し）、先行レジスト塗布膜１１０が面状レジスト塗布膜１１２の拡張部分として角部の形状（直角形状）を規定するような合成レジスト塗布膜１１４が得られる。
【００７３】
他にも、本発明において先行レジスト塗布膜１１０のパターンまたはレイアウトを任意に変形することができる。たとえば、図１９に示すような円形のパターン、図２０に示すような面状塗布走査方向に延びる短冊状または矩形のパターン、図２１に示すような面状塗布走査方向と直交する方向に延びる短冊状または矩形のパターンなどが可能である。これらの場合にも、やはり面状塗布走査の終端で面状レジスト塗布膜１１２が先行レジスト塗布膜１１０に合わさり（一体化し）、先行レジスト塗布膜１１０が面状レジスト塗布膜１１２の延長部分として角部の形状を規定するような合成レジスト塗布膜１１４が得られる。
【００７４】
また、本発明における先行塗布膜をレジスト液の代わりに溶剤たとえばシンナーを用いて上記と同様のパターンまたはレイアウトで形成することも可能である。この場合、図示省略するが、面状塗布工程において面状レジスト塗布膜が先行シンナー塗布膜に合わさると、面状レジスト塗布膜のレジスト液が先行シンナー塗布膜の上をぬれで拡散し、結果として面状レジスト塗布膜のアウトラインが先行シンナー塗布膜のアウトラインまで拡張または延長する。これにより、面状レジスト塗布膜が塗布走査終端部で内側に寄っても、左右角部の塗布膜アウトラインを所望の形状（たとえば直角形状）にすることができる。
【００７５】
上記した実施形態はＬＣＤ製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を供給する任意の処理装置やアプリケーションに適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【符号の説明】
【００７６】
４０ 面状塗布ユニット（ＡＣＴ）
５１ ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）
６２ ステージ
６４ インクジェット式レジストノズル（インクジェットノズル）
６８ Ｙガイドレール
７０ Ｘガイドレール
７２ Ｙ方向駆動部
７４ キャリッジ
７６ ライン状レジスト塗布膜
８０ ステージ
８２ 長尺型レジストノズル（長尺ノズル）
８４ 塗布処理部
８６ レジスト液供給機構
８８ ノズル移動機構
１００ 面状レジスト塗布膜
１０２ 温風ヒータ
１１０ 先行レジスト塗布膜
１１２ 面状レジスト塗布膜
１１４ 合成レジスト塗布膜
Ｇ ガラス基板（被処理基板）
ＲＥ 塗布領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板上に設定された塗布領域についてその周縁部の一部または全部に処理液を塗布してライン状の塗布膜を形成するライン状塗布工程と、
前記基板上の前記塗布領域に処理液を塗布して面状の塗布膜を形成する面状塗布工程と
を有し、
前記面状塗布工程において前記基板上に塗布された処理液が前記ライン状の塗布膜との付着による引力によって前記塗布領域の周辺側へ広がるように、前記ライン状塗布工程において前記ライン状塗布膜のプロファイルが選定される、
塗布方法。
【請求項２】
前記ライン状塗布工程が、処理液を線状に吐出する第１のノズルを前記基板に対して相対的に移動させる工程を含む、請求項１に記載の塗布方法。
【請求項３】
前記面状塗布工程が、処理液を帯状に吐出する第２のノズルを前記基板に対して相対的に移動させる工程を含む、請求項１または請求項２に記載の塗布方法。
【請求項４】
前記第２のノズルがスリット状の吐出口を有する長尺型のノズルであり、前記面状塗布工程において前記長尺型ノズルを前記基板と平行でかつノズル長手方向と直交する方向に相対移動させる、請求項３に記載の塗布方法。
【請求項５】
前記面状塗布工程の開始時に前記第２のノズルより前記基板上に着液された処理液が前記ライン状の塗布膜と一体化して前記第２のノズルと前記基板との間のギャップを塞ぐように、前記ライン状塗布膜のプロファイルが選定される、請求項４に記載の塗布方法。
【請求項６】
前記ライン状塗布膜のプロファイルは、その塗布膜の膜厚、ライン幅および基板上の位置の中の少なくとも１つを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の塗布方法。
【請求項７】
被処理基板上に設定された塗布領域についてその周縁部の一部または全部に処理液を塗布してライン状の塗布膜を形成するライン状塗布部と、
前記基板上の前記塗布領域に処理液を塗布して面状の塗布膜を形成する面状塗布部と
を有し、
前記面状塗布部により前記基板上に塗布された処理液が前記ライン状塗布部により形成された前記ライン状の塗布膜との付着による引力によって前記塗布領域の周辺側へ広がるように、前記ライン状塗布部により前記ライン状塗布膜のプロファイルが制御される、
塗布装置。
【請求項８】
被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の面状塗布膜を形成する塗布方法であって、
前記基板上の前記塗布走査が終了する位置付近に、前記塗布走査に先立って前記処理液からなる先行の塗布膜を所望のパターンで形成し、
前記塗布走査によって前記基板上に形成される面状塗布膜の終端に前記先行塗布膜が合わさって、前記先行塗布膜が前記面状塗布膜の拡張部分となるようにする塗布方法。
【請求項９】
前記基板は矩形であり、前記先行塗布膜は前記基板上の塗布走査が終了する側の角隅部に形成される、請求項８に記載の塗布方法。
【請求項１０】
被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の面状塗布膜を形成する面状塗布処理部と、
前記基板上の前記塗布走査が終了する位置付近に、前記面状塗布処理部の前記塗布走査に先立って前記処理液からなる先行の塗布膜を所望のパターンで形成する先行塗布膜形成部と
を有し、前記面状塗布処理部の塗布走査により前記基板上に形成される面状塗布膜の終端に前記先行塗布膜が合わさって、前記先行塗布膜が前記面状塗布膜の拡張部分となるようにする塗布装置。
【請求項１】
被処理基板上に設定された塗布領域についてその周縁部の一部または全部に処理液を塗布してライン状の塗布膜を形成するライン状塗布工程と、
前記基板上の前記塗布領域に処理液を塗布して面状の塗布膜を形成する面状塗布工程と
を有し、
前記面状塗布工程において前記基板上に塗布された処理液が前記ライン状の塗布膜との付着による引力によって前記塗布領域の周辺側へ広がるように、前記ライン状塗布工程において前記ライン状塗布膜のプロファイルが選定される、
塗布方法。
【請求項２】
前記ライン状塗布工程が、処理液を線状に吐出する第１のノズルを前記基板に対して相対的に移動させる工程を含む、請求項１に記載の塗布方法。
【請求項３】
前記面状塗布工程が、処理液を帯状に吐出する第２のノズルを前記基板に対して相対的に移動させる工程を含む、請求項１または請求項２に記載の塗布方法。
【請求項４】
前記第２のノズルがスリット状の吐出口を有する長尺型のノズルであり、前記面状塗布工程において前記長尺型ノズルを前記基板と平行でかつノズル長手方向と直交する方向に相対移動させる、請求項３に記載の塗布方法。
【請求項５】
前記面状塗布工程の開始時に前記第２のノズルより前記基板上に着液された処理液が前記ライン状の塗布膜と一体化して前記第２のノズルと前記基板との間のギャップを塞ぐように、前記ライン状塗布膜のプロファイルが選定される、請求項４に記載の塗布方法。
【請求項６】
前記ライン状塗布膜のプロファイルは、その塗布膜の膜厚、ライン幅および基板上の位置の中の少なくとも１つを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の塗布方法。
【請求項７】
被処理基板上に設定された塗布領域についてその周縁部の一部または全部に処理液を塗布してライン状の塗布膜を形成するライン状塗布部と、
前記基板上の前記塗布領域に処理液を塗布して面状の塗布膜を形成する面状塗布部と
を有し、
前記面状塗布部により前記基板上に塗布された処理液が前記ライン状塗布部により形成された前記ライン状の塗布膜との付着による引力によって前記塗布領域の周辺側へ広がるように、前記ライン状塗布部により前記ライン状塗布膜のプロファイルが制御される、
塗布装置。
【請求項８】
被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の面状塗布膜を形成する塗布方法であって、
前記基板上の前記塗布走査が終了する位置付近に、前記塗布走査に先立って前記処理液からなる先行の塗布膜を所望のパターンで形成し、
前記塗布走査によって前記基板上に形成される面状塗布膜の終端に前記先行塗布膜が合わさって、前記先行塗布膜が前記面状塗布膜の拡張部分となるようにする塗布方法。
【請求項９】
前記基板は矩形であり、前記先行塗布膜は前記基板上の塗布走査が終了する側の角隅部に形成される、請求項８に記載の塗布方法。
【請求項１０】
被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の面状塗布膜を形成する面状塗布処理部と、
前記基板上の前記塗布走査が終了する位置付近に、前記面状塗布処理部の前記塗布走査に先立って前記処理液からなる先行の塗布膜を所望のパターンで形成する先行塗布膜形成部と
を有し、前記面状塗布処理部の塗布走査により前記基板上に形成される面状塗布膜の終端に前記先行塗布膜が合わさって、前記先行塗布膜が前記面状塗布膜の拡張部分となるようにする塗布装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【公開番号】特開２０１２−１６０７３５（Ｐ２０１２−１６０７３５Ａ）
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５０５６７（Ｐ２０１２−５０５６７）
【出願日】平成２４年３月７日（２０１２．３．７）
【分割の表示】特願２００６−１２１５５６（Ｐ２００６−１２１５５６）の分割
【原出願日】平成１８年４月２６日（２００６．４．２６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年３月７日（２０１２．３．７）
【分割の表示】特願２００６−１２１５５６（Ｐ２００６−１２１５５６）の分割
【原出願日】平成１８年４月２６日（２００６．４．２６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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