プリント配線板および電子部品
【課題】 誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、高湿環境下での誘電率および誘電正接の増加がしにくく、難燃性が高い材料から構成されたプリント配線板および電子部品を提供する。
【解決手段】 プリント配線板および電子部品は、エポキシ樹脂、分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステル、硬化促進剤および難燃剤を含む有機絶縁材料からなる絶縁層と、この有機絶縁材料に誘電体粉末および表面処理剤をさらに含む誘電体層と、の少なくとも一方から構成された樹脂層と、樹脂層の絶縁層と誘電体層との少なくとも一方に設けられ、キャパシタ素子またはインダクタ素子を構成する、少なくとも１つの導電性素子部と、を備えている。
【解決手段】 プリント配線板および電子部品は、エポキシ樹脂、分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステル、硬化促進剤および難燃剤を含む有機絶縁材料からなる絶縁層と、この有機絶縁材料に誘電体粉末および表面処理剤をさらに含む誘電体層と、の少なくとも一方から構成された樹脂層と、樹脂層の絶縁層と誘電体層との少なくとも一方に設けられ、キャパシタ素子またはインダクタ素子を構成する、少なくとも１つの導電性素子部と、を備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板および電子部品に関し、特に、高周波領域において有用なプリント配線板および電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信情報の急増や機能の付加に伴い、プリント配線板、電子部品等には、種々の特性が一層厳しく要求されるようになっている。例えば、携帯移動通信、衛星通信においては、ギガＨｚ帯のような高周波域の電波が使用されるようになっており、このような高周波域の電波に対応するため、プリント配線板および電子部品においては、伝送損失が低いことが求められている。
【０００３】
伝送損失は、数式１に示すように、誘電損失と導体損失との和で求められる。誘電損失は、数式２に示すように、誘電率及び誘電正接が低いほど低くなる。このため、誘電率及び誘電正接を低くする必要がある。配線やインダクタ素子を形成する材料にはこのような特性の材料が有益である。
【０００４】
（数式１）
（伝送損失）＝（誘電損失）＋（導体損失）
【０００５】
（数式２）
（誘電損失）＝（係数）×（周波数）×（誘電率）１／２×（誘電正接）
【０００６】
また、通信情報の急増や機能の付加に伴い、通信機器において回路の小型化が強く望まれている。回路の小型化を図るためには、回路の多層化に加えキャパシタ素子などの回路を内蔵するに当たり、単位面積あたりの静電容量値をあげて電極面積を小さくする必要がある。
【０００７】
静電容量値は、数式３に示すように、絶縁層の厚みあたりの誘電率と電極面積との積で求められる。このため、静電容量値を高くするには誘電率を高くすることが有効である。キャパシタ素子、共振器などを形成する材料には、このような特性の材料を用いることが有益である。
【０００８】
（数式３）
（静電容量値）＝（誘電率）×（電極面積）／（絶縁層厚み）
【０００９】
このように、プリント配線板および電子部品について、高周波領域における伝送損失を低減するためには、誘電率および誘電正接が低い材料を用いることが望まれ、回路の小型化を達成するためには、誘電率を高くし且つ誘電正接を低くしたバランスの取れた材料が望まれる。
【００１０】
また、環境による電気特性の変化が大きいと、共振器やフィルタに寄与する素子には不向きであるため、このような素子として用いる場合には環境による変化の小さな材料が望まれる。
【００１１】
そこで、プリント配線板および電子部品に要求される基本性能を満足しつつ、誘電体層の高誘電率及び低誘電正接を達成すべく、プリント配線板および電子部品の誘電体層を構成する絶縁材料として、ポリビニルベンジルエーテル化合物に誘電体セラミック粉末を分散したものを用いることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【００１２】
ところで、プリント配線板や電子部品等に用いられる多層基板用絶縁材料としては、電気的特性、機械的特性、接着性などに優れたエポキシ樹脂が用いられている。このエポキシ樹脂の硬化剤としては、アミン化合物、フェノール化合物などの活性水素を有する化合物が使用されている。しかし、これら活性水素を有する硬化剤を使用してエポキシ樹脂を硬化させた場合には、エポキシ基と活性水素との反応によって極性の高いヒドロキシ基が発生してしまい、誘電正接を低くすることが困難である。
【００１３】
このため、極性の高いヒドロキシル基を発生させないように、例えば、カルボン酸と芳香族ヒドロキシ化合物とからなるエステル化合物を、エポキシ樹脂の硬化剤として使用する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この方法では、カルボン酸と芳香族ヒドロキシ化合物とからなるエステル化合物の有するエステル結合がエポキシ基に対して高い反応活性を持つことを利用しており、このエステル化合物を硬化剤としてエポキシ樹脂を硬化させた場合には、極性の高いヒドロキシ基を生じることがないため、得られる硬化物は低い誘電正接を示すことができる。このようなエステル化合物として、フタル酸やトリメリット酸とフェノール類とのエステル化合物、安息香酸類とビスフェノールＡやビスフェノールＳとのエステル化合物、あるいは、安息香酸類とフェノール樹脂とのエステル化合物などが知られている。
【００１４】
しかし、これらエステル化合物は、活性の高いエステル結合が分子または分子鎖の末端にしか存在しないため、得られるエポキシ樹脂硬化物の架橋密度が高くならず、また、硬化物内部で水素結合が形成されることもないので、鉛フリーの半田加工に耐え得る高いガラス転移温度を有するエポキシ樹脂硬化物が得られなかった。このため、鉛フリーのはんだ加工に耐え得るだけの高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有するエポキシ樹脂硬化物を得ることができなかった。なかでも、安息香酸と芳香族ヒドロキシ化合物とのエステルを硬化剤として使用したエポキシ樹脂硬化物は、硬化反応により生成した安息香酸エステル結合が、吸湿によって加水分解したときに、低分子量のカルボン酸である安息香酸が遊離するため、高湿度の環境下で誘電正接が増大するという問題があった。
【００１５】
エポキシ基に対して高い反応活性を持つエステル化合物のなかで、高いガラス転移温度を有するエポキシ樹脂硬化物を与えるエステル化合物としては、分子鎖を形成する全てのエステル結合がエポキシ基に対して反応活性を有する多官能性ポリエステル、例えば、芳香族ジカルボン酸と芳香族ジヒドロキシ化合物とから得られる多官能性ポリエステルが知られている（例えば、特許文献３参照）。このような多官能性ポリエステルを硬化剤として使用してエポキシ樹脂を硬化させた場合には、分子鎖を形成する全てのエステル結合が硬化反応に関与できるので、エポキシ樹脂硬化物の架橋密度が高くなり、ガラス転移温度を高くすることができる。
【００１６】
しかし、このような多官能性ポリエステルの分子鎖の両末端が極性の高いヒドロキシ基、またはカルボキシ基であるため、この多官能性ポリエステルをエポキシ樹脂の硬化剤として用いた場合には、ヒドロキシ基が硬化物中に残存するうえに、カルボキシ基がエポキシ基と反応してヒドロキシ基を生成してしまい、エポキシ樹脂硬化物の誘電正接を低くすることが困難であった。また、未反応のカルボキシ基が硬化物中に残存すると、吸湿による加水分解により、該カルボキシ基を有する低分子量の芳香族ジカルボン酸が遊離し、高湿度の環境下で誘電正接が増大するという問題があった。さらに、芳香族ジカルボン酸や芳香族ジヒドロキシ化合物として、嵩高い構造を持たないフタル酸類やビスフェノール類などを使用した場合には、得られるポリエステルが結晶化しやすく、該ポリエステルを含有した樹脂組成物の溶媒への溶解性が十分に得られないという問題があった。
【００１７】
また、上記多官能性ポリエステルと同様に、分子鎖を形成する全てのエステル結合が硬化反応に関与できるエステル化合物としては、芳香族多価カルボン酸と芳香族多価ヒドロキシ化合物とから得られる、両末端にヒドロキシ基を有するポリエステルの、ヒドロキシ基をモノカルボン酸でエステル化したポリエステルがある（例えば、特許文献４参照）。このようなポリエステルを硬化剤として使用してエポキシ樹脂を硬化させた場合には、ガラス転移温度を高くでき、かつ分子鎖末端のヒドロキシ基をモノカルボン酸でエステル化しているため、エポキシ樹脂を硬化させた際に極性の高いヒドロキシ基を生じることがない。
【００１８】
しかし、このようなポリエステルの分子鎖末端がアルキルカルボニルオキシ基、あるいはアリールカルボニルオキシ基であるため、このポリエステルを硬化剤として用いた場合には、加水分解により容易に低分子量のカルボン酸が遊離してしまい、誘電正接が低くならず、高湿度の環境下では誘電率および誘電正接が増加してしまうという問題があった。
【００１９】
また、エポキシ樹脂硬化物を電気絶縁用材料に使用する場合には、漏電や短絡等によって容易に燃焼しないように難燃性が求められているが、上記したポリエステルでは難燃性に劣るという問題点があった。
【特許文献１】特開２００１−２４７７３３号公報
【特許文献２】特開昭６２−５３３２７号公報
【特許文献３】特開平５−５１５１７号公報
【特許文献４】特開平１０−１０１７７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
このように、従来のエステル化合物を硬化剤として使用した樹脂組成物は、誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、難燃性が高いものではなかった。このため、誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、難燃性が高い等の特性を実現可能な材料から構成されたプリント配線板および電子部品が求められていた。
【００２１】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであり、誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、高湿環境下での誘電率および誘電正接の増加がしにくく、難燃性が高い材料から構成されたプリント配線板および電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかるプリント配線板は、
分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステルと、エポキシ樹脂と、硬化促進剤と、難燃剤とを含む樹脂組成物からなる樹脂層を備える、ことを特徴とする。
【００２３】
前記芳香族多価ヒドロキシ化合物残基は、下記式（１）〜（４）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記芳香族多価カルボン酸残基は、下記式（５）〜（７）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記アリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基中のアリール基は、下記式（８）〜（１０）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種のアリール基である、ことが好ましい。
【００２４】
【化１】
（１）
（式（１）中、ｋは０または１である。）
【００２５】
【化２】
（２）
【００２６】
（式（２）中、Ｙは酸素原子、メチレン基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたメチレン基、フェニル基で置換されたメチレン基、ナフチル基で置換されたメチレン基、ビフェニル基で置換されたメチレン基、９−フルオレニル基で置換されたメチレン基、または該フェニル基、該ナフチル基、あるいは該ビフェニル基に更に炭素数１〜４のアルキル基が核置換したメチレン基を表す。ｎおよびｍは、各々１〜３の整数を表す。）
【００２７】
【化３】
（３）
【００２８】
【化４】
（４）
【００２９】
【化５】
（５）
【００３０】
【化６】
（６）
【００３１】
【化７】
（７）
【００３２】
（式中Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｇは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、またはハロゲン原子を表す。ａ、ｅ、ｇは各々０〜４の整数を示し、ｂ、ｄは各々０〜３の整数を表す。Ｘは単結合、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【００３３】
【化８】
（８）
【００３４】
【化９】
（９）
【００３５】
【化１０】
（１０）
【００３６】
（式中、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｔ、Ｕは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子を表す。ｐ、ｒは０〜５の整数、ｑ、ｔは０〜４の整数、ｕは０〜３の整数を表す。Ｚは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【００３７】
前記樹脂層に設けられ、キャパシタ素子またはインダクタ素子を構成する、少なくとも１つの導電性素子部を備えることが好ましい。
【００３８】
前記難燃剤は、臭素化芳香族系難燃剤であることが好ましい。また、前記難燃剤は、エタン−１，２−ビス（ベンタブロモフェニル）であることが好ましい。前記樹脂組成物は、スチレン系エラストマーとポリブタジエン系ポリマーとの少なくとも一つを含有してもよい。
【００３９】
少なくとも１層に前記樹脂組成物と、前記樹脂組成物よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する樹脂層を備えていてもよい。
【００４０】
前記誘電体セラミック粉末としては、例えば、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７〜１００００あり、Ｑ値が２００〜１０００００である金属酸化物粉末である。
【００４１】
前記誘電体セラミック粉末と前記樹脂組成物との合計を１００体積％としたとき、前記誘電体セラミックス粉末が５〜６５体積％含有することが好ましい。
【００４２】
前記樹脂層は、前記樹脂組成物中に分散される磁性体粉末を更に含んでもよい。前記樹脂層は、強化繊維からなるクロスを更に含んでもよい。前記強化繊維は、Ｅガラスのガラスクロス、Ｄガラスのガラスクロス、ＮＥガラスのガラスクロス、Ｈガラスのガラスクロス、Ｔガラスのガラスクロス、アラミドの多孔質膜、ポリアミドの多孔質膜、及びポリ４弗化エチレンの多孔質膜からなる群から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。
【００４３】
本発明の第２の観点にかかる電子部品は、
分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステルと、エポキシ樹脂と、硬化促進剤と、難燃剤とを含む樹脂組成物からなる樹脂層を備える、ことを特徴とする。
【００４４】
前記芳香族多価ヒドロキシ化合物残基は、下記式（１）〜（４）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記芳香族多価カルボン酸残基は、下記式（５）〜（７）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記アリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基中のアリール基は、下記式（８）〜（１０）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種のアリール基である、ことが好ましい。
【００４５】
【化１１】
（１）
（式（１）中、ｋは０または１である。）
【００４６】
【化１２】
（２）
【００４７】
（式（２）中、Ｙは酸素原子、メチレン基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたメチレン基、フェニル基で置換されたメチレン基、ナフチル基で置換されたメチレン基、ビフェニル基で置換されたメチレン基、９−フルオレニル基で置換されたメチレン基、または該フェニル基、該ナフチル基、あるいは該ビフェニル基に更に炭素数１〜４のアルキル基が核置換したメチレン基を表す。ｎおよびｍは、各々１〜３の整数を表す。）
【００４８】
【化１３】
（３）
【００４９】
【化１４】
（４）
【００５０】
【化１５】
（５）
【００５１】
【化１６】
（６）
【００５２】
【化１７】
（７）
【００５３】
（式中Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｇは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、またはハロゲン原子を表す。ａ、ｅ、ｇは各々０〜４の整数を示し、ｂ、ｄは各々０〜３の整数を表す。Ｘは単結合、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【００５４】
【化１８】
（８）
【００５５】
【化１９】
（９）
【００５６】
【化２０】
（１０）
【００５７】
（式中、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｔ、Ｕは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子を表す。ｐ、ｒは０〜５の整数、ｑ、ｔは０〜４の整数、ｕは０〜３の整数を表す。Ｚは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【００５８】
前記樹脂層に設けられ、キャパシタ素子またはインダクタ素子を構成する、少なくとも１つの導電性素子部を備えることが好ましい。
【００５９】
前記難燃剤は、臭素化芳香族系難燃剤であることが好ましい。また、前記難燃剤は、エタン−１，２−ビス（ベンタブロモフェニル）であることが好ましい。前記樹脂組成物は、スチレン系エラストマーとポリブタジエン系ポリマーとの少なくとも一つを含有してもよい。
【００６０】
少なくとも１層に前記樹脂組成物と、前記樹脂組成物よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する樹脂層を備えていてもよい。
【００６１】
前記誘電体セラミック粉末としては、例えば、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７〜１００００あり、Ｑ値が２００〜１０００００である金属酸化物粉末である。
【００６２】
前記誘電体セラミック粉末と前記樹脂組成物との合計を１００体積％としたとき、前記誘電体セラミックス粉末が５〜６５体積％含有することが好ましい。
【００６３】
前記樹脂層は、前記樹脂組成物中に分散される磁性体粉末を更に含んでもよい。前記樹脂層は、強化繊維からなるクロスを更に含んでもよい。前記強化繊維は、Ｅガラスのガラスクロス、Ｄガラスのガラスクロス、ＮＥガラスのガラスクロス、Ｈガラスのガラスクロス、Ｔガラスのガラスクロス、アラミドの多孔質膜、ポリアミドの多孔質膜、及びポリ４弗化エチレンの多孔質膜からなる群から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。
【発明の効果】
【００６４】
本発明によれば、誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、高湿度下において誘電率および誘電正接の増加がしにくく、難燃性が高い材料から構成されたプリント配線板および電子部品を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６５】
以下、本発明のプリント配線板および電子部品について詳細に説明する。
【００６６】
本発明のプリント配線板および電子部品は、エポキシ樹脂、分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステル（以下、「ポリエステル（Ａ）」と略記する。）、硬化促進剤および難燃剤を含む有機絶縁材料からなる絶縁層と、この有機絶縁材料に誘電体粉末および表面処理剤をさらに含む誘電体層と、の少なくとも一方から構成された樹脂層と、
樹脂層の絶縁層と誘電体層との少なくとも一方に設けられ、キャパシタ素子またはインダクタ素子を構成する、少なくとも１つの導電性素子部と、
を備えている。
【００６７】
まず、絶縁層について説明する。絶縁層は、前述のように、エポキシ樹脂、ポリエステル（Ａ）、硬化促進剤および難燃剤を含む有機絶縁材料からなる。
【００６８】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用される有機絶縁材料に含有するエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限されず、例えば、クレゾールノボラック、フェノールノボラック、α―ナフトールノボラック、β―ナフトールノボラック、ビスフェノールＡノボラック、ビフェニルノボラック、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、テトラブロモビスフェノールＡ、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビスフェノールフルオレン、ジヒドロキシナフタレンなどの多価フェノールのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエニルジフェノールとエピクロルヒドリンとから得られるジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレンジオールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、トリフェニル型エポキシ樹脂、テトラフェニル型エポキシ樹脂、ポリプロピレングリコール、水添ビスフェノールＡなどのアルコール系のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ヘキサヒドロ無水フタル酸やダイマー酸などを原料としたグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタンなどのアミンを原料としたグリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ベンゾピラン型エポキシ樹脂、およびそれらの混合物などが挙げられる。
【００６９】
なかでも、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニル型エポキシ樹脂、テトラフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、および臭素化エポキシ樹脂を使用すると、耐熱性に優れたエポキシ樹脂硬化物が得られる。
【００７０】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用される有機絶縁材料に含有するポリエステル（Ａ）は、分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステルであり、エポキシ樹脂の硬化剤として好適に用いることができる。これは、ポリエステル（Ａ）の有するエステル結合が、エポキシ基に対して高い反応活性を有するためであり、ポリエステル（Ａ）を硬化剤として使用した場合には極性の高いヒドロキシ基を生じることがなく、得られるエポキシ樹脂硬化物は低い誘電正接を示す。更に、誘電率の増加を抑制する。
【００７１】
また、ポリエステル（Ａ）は、エポキシ基に対して反応活性を持つエステル結合を分子鎖内部にも有するため、ポリエステル（Ａ）を硬化剤として使用したエポキシ樹脂硬化物は架橋密度が高く、ガラス転移温度が高い。
【００７２】
ポリエステル（Ａ）の分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基を有する場合には、得られるエポキシ樹脂硬化物の架橋点のエステル結合が吸湿によって加水分解されても、誘電正接を増大させる低分子量のカルボン酸が遊離せず、得られるエポキシ樹脂硬化物は高湿度条件下においても低い誘電正接を示す。更に、誘電率の増加を抑制する。
【００７３】
さらに、芳香族多価ヒドロキシ化合物が式（１）〜（４）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基を残基として与える芳香族ジヒドロキシ化合物である場合には、式（１）〜（４）で表される基はいずれも嵩高い芳香環や脂環式構造を分子内に複数有するため、ポリエステル（Ａ）は分子鎖の結晶化が抑えられ、有機溶媒中への溶解性に優れる。このため、ポリエステル（Ａ）を含有する樹脂組成物を溶媒に溶解させる際や、ワニスを調整する際に、使用する溶媒量が少量でよい。
【００７４】
【化２１】
（１）
（式（１）中、ｋは０または１である。）
【００７５】
【化２２】
（２）
【００７６】
（式（２）中、Ｙは酸素原子、メチレン基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたメチレン基、フェニル基で置換されたメチレン基、ナフチル基で置換されたメチレン基、ビフェニル基で置換されたメチレン基、９−フルオレニル基で置換されたメチレン基、または該フェニル基、該ナフチル基、あるいは該ビフェニル基に更に炭素数１〜４のアルキル基が核置換したメチレン基を表す。ｎおよびｍは、各々１〜３の整数を表す。）
【００７７】
【化２３】
（３）
【００７８】
【化２４】
（４）
【００７９】
また、下記一般式（１１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物残基を有するポリエステル（Ａ）を用いることも好ましい。この場合、ポリエステル（Ａ）は、一般式（１１）で表される、臭素原子を持つ芳香族ジヒドロキシ化合物残基を有するため、このポリエステル（Ａ）を含有するエポキシ樹脂組成物の硬化物は、優れた難燃性を示す。
【００８０】
【化２５】
（１１）
（式（１１）中、Ｊは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−からなる群から選ばれる二価の基を表す。）
【００８１】
本発明のプリント配線板およびプリント基板に使用される有機絶縁材料に含有するポリエステル（Ａ）は、例えば、芳香族多価カルボン酸と芳香族多価ヒドロキシ化合物とを重縮合させ、両末端にカルボキシ基を有するポリエステルを合成しておき、該カルボキシ基を芳香族モノヒドロキシ化合物でエステル化して得られる。該ポリエステル（Ａ）は、上記脱水エステル化反応以外にエステル交換反応やショッテン・バウマン反応によって製造することもできる。
【００８２】
エステル交換反応では、芳香族多価ヒドロキシ化合物と芳香族モノヒドロキシ化合物を無水酢酸によりアセチル化した後、芳香族多価カルボン酸とをアシドリシスさせることによりポリエステル（Ａ）が得られる。
【００８３】
ショッテン・バウマン反応を利用する場合、該反応を界面で行わせる界面重縮合法と、均一溶液中で行わせる溶液重縮合法とがある。界面重縮合法では、芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物を含む有機溶液相と、芳香族多価ヒドロキシ化合物、および芳香族モノヒドロキシ化合物を含む水相とを接触させ、酸捕捉剤の共存下で界面重縮合させることによりポリエステル（Ａ）が得られる。また、溶液重縮合法では、芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物を含む溶液と、芳香族多価ヒドロキシ化合物と芳香族モノヒドロキシ化合物を含む溶液とを、酸捕捉剤の存在下で混合し、脱ハロゲン化水素反応させることでポリエステル（Ａ）が得られる。
【００８４】
ポリエステル（Ａ）は、芳香族多価カルボン酸、芳香族多価ヒドロキシ化合物、および芳香族モノヒドロキシ化合物の脱水エステル化反応によっても得られるが、一般に芳香族ヒドロキシ化合物の反応性は低いので、前記エステル交換反応、あるいはショッテン・バウマン反応を利用するのが好ましい。
【００８５】
以下、ショッテン・バウマン反応を利用する製造方法を例として、本発明に使用するポリエステル（Ａ）について具体的に説明する。ポリエステル（Ａ）の製造に使用する芳香族多価ヒドロキシ化合物としては、芳香族ヒドロキシ基を２個以上有する化合物であればよいが、例えば、上記式（１）〜（４），（１１）で表される基を与える化合物であり、具体的には下記式（１２）〜（１６）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物が挙げられる。
【００８６】
【化２６】
（１２）
（式（１２）中、ｋは０または１である。）
【００８７】
【化２７】
（１３）
【００８８】
（式（１３）中、Ｙは酸素原子、メチレン基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたメチレン基、フェニル基で置換されたメチレン基、ナフチル基で置換されたメチレン基、ビフェニル基で置換されたメチレン基、９−フルオレニル基で置換されたメチレン基、または該フェニル基、該ナフチル基、あるいは該ビフェニル基に更に炭素数１〜４のアルキル基が核置換したメチレン基を表す。ｎおよびｍは、１〜３の整数を表す。）
【００８９】
【化２８】
（１４）
【００９０】
【化２９】
（１５）
【００９１】
【化３０】
（１６）
（式（１６）中、Ｊは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−からなる群から選ばれる二価の基を表す。）
【００９２】
上記式（１２）〜（１６）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物のなかでも、式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物を使用して得られるポリエステル（Ａ）を硬化剤とするエポキシ樹脂硬化物は、構造中に疎水性の脂環式構造を有するため、吸水が少なく、高湿度環境下においても安定な誘電特性を示す。
【００９３】
ただし、式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物のうちｋの平均値が０．２を越えるものは、溶媒に溶解してポリエステルを合成する際にゲル化が生じるおそれがあるため、式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物を使用する場合には、ｋの平均値が０〜０．２の範囲にあるものを使用するか、あるいは、式（１３）〜（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と混合して使用することが好ましい。式（１３）〜（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と共に使用する場合には、式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物の使用量をｋの値に応じて適宜調整する必要があり、例えば、ｋが１の場合には、ポリエステル（Ａ）を合成する際の式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物の使用量は、使用する芳香族多価ヒドロキシ化合物全量に対して２０ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。
【００９４】
一般式（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物を使用して得られるポリエステル（Ａ）を硬化剤としたエポキシ樹脂硬化物は、構造中に臭素原子を有するため、該エポキシ樹脂硬化物が熱分解した際に臭化水素が生じ、臭化水素の酸素遮断効果と、燃焼時の高活性なフリーラジカルを捕捉して燃焼エネルギーを低下させる効果によりエポキシ樹脂硬化物は難燃性を有する。
【００９５】
ただし、ポリエステル（Ａ）を合成する際に、上記一般式（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物のみを使用した場合には、ポリエステル（Ａ）の結晶性が高くなり、該ポリエステル（Ａ）を含有するエポキシ樹脂組成物の溶媒への溶解性が十分得られないことがあるため、上記一般式（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物以外に、十分な溶剤溶解性を与える芳香族多価ヒドロキシ化合物を併用することが好ましい。このときの一般式（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物の使用量は、使用する芳香族多価ヒドロキシ化合物全量に対して、３０〜６０質量％の範囲であることが好ましい。
【００９６】
十分な溶媒溶解性を与える芳香族多価ヒドロキシ化合物としては、上記式（１２）〜（１５）で表される化合物が挙げられる。ただし、式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物を一般式（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と共に用いる場合、式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物は、ｋの平均値が０〜０．２の範囲にあるものを使用するか、あるいは、式（１３）〜（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と混合して使用することが好ましいことなどは上述した通りである。
【００９７】
ショッテン・バウマン反応を利用してポリエステル（Ａ）を製造する場合においては、芳香族多価カルボン酸は酸ハロゲン化物の形で使用する。ここで使用する酸ハロゲン化物のハロゲンとしては、塩素、または臭素を使用するのが一般的である。酸ハロゲン化物の形で使用する芳香族多価カルボン酸としては、カルボキシ基を２個以上有する化合物であればよく、トリメシン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、あるいは、下記一般式（１７）〜（１９）で表される芳香族ジカルボン酸などが挙げられる。
【００９８】
【化３１】
（１７）
【００９９】
【化３２】
（１８）
【０１００】
【化３３】
（１９）
【０１０１】
（一般式（１７）〜（１９）中、Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｇは置換基を表し、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、またはハロゲン原子を表す。ａ、ｅ、ｇは各々０〜４の整数を表し、ｂ、ｄは各々０〜３の整数を示す。Ａ〜Ｇで表される置換基は、それぞれ、すべて同一であっても異なっていてもよい。Ｘは単結合、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【０１０２】
上記芳香族多価カルボン酸のなかでも、一般式（１７）〜（１９）で表される芳香族ジカルボン酸の酸ハロゲン化物から得られるポリエステル（Ａ）は各種溶媒に対して優れた溶解性を示し、また、該ポリエステル（Ａ）を硬化剤として使用したエポキシ樹脂硬化物は、高いガラス転移温度、低い誘電正接を示す。一般式（１７）〜（１９）で表される芳香族ジカルボン酸としては、例えば、イソフタル酸、テレフタル酸、１，４−、２，３−、あるいは２，６−ナフタレンジカルボン酸などが挙げられる。なかでも、イソフタル酸とテレフタル酸の混合物を使用して得られるポリエステル（Ａ）は、特に各種溶媒への溶解性に優れる。
【０１０３】
芳香族モノヒドロキシ化合物としては、下記一般式（２０）〜（２２）で表される芳香族モノヒドロキシ化合物が挙げられる。
【０１０４】
【化３４】
（２０）
【０１０５】
【化３５】
（２１）
【０１０６】
【化３６】
（２２）
【０１０７】
（一般式（２０）〜（２２）中、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｔ、Ｕは置換基を表し、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子を表す。ｐ、ｒは０〜５の整数、ｑ、ｔは０〜４の整数、ｕは０〜３の整数を示す。Ｐ〜Ｕで表される置換基は、それぞれ、すべて同一であっても異なっていてもよい。Ｚは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【０１０８】
一般式（２０）〜（２２）で表される芳香族モノヒドロキシ化合物としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、３、５−キシレノール、ｏ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、２−ベンジルフェノール、４−ベンジルフェノール、４−（α―クミル）フェノール、α―ナフトール、β−ナフトールなどが挙げられる。なかでも、α−ナフトール、β−ナフトール、ｏ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、４−（α―クミル）フェノールを使用したポリエステル（Ａ）を硬化剤とするエポキシ樹脂硬化物は特に低い誘電正接を有する。
【０１０９】
ポリエステル（Ａ）を界面重縮合法により製造する場合の有機溶液相に用いる溶媒としては、芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物を溶解し、酸ハロゲン化物に不活性で、かつ、水と非相溶の溶媒であればよく、例えば、トルエン、ジクロロメタンなどが挙げられる。水相には芳香族多価ヒドロキシ化合物と酸捕捉剤であるアルカリを溶解する。
【０１１０】
溶液重合法により製造する場合に用いる溶媒としては、芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物、芳香族多価ヒドロキシ化合物、および芳香族モノヒドロキシ化合物を溶解し、かつ、酸ハロゲン化物に不活性な溶媒であればよく、トルエン、ジクロロメタンなどが使用できる。また、重縮合反応に使用する酸捕捉剤としては、ピリジンやトリエチルアミンなどを使用することができる。
【０１１１】
得られたポリエステル（Ａ）は、洗浄や再沈殿などの操作によって精製し、不純物含有量を低減することが好ましい。ポリエステル（Ａ）中にモノマー、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、あるいは塩類などの不純物が残存すると、誘電正接を増大させる要因となる。
【０１１２】
ポリエステル（Ａ）のポリスチレン換算の数平均分子量は５５０〜７０００の範囲にあることが好ましい。数平均分子量が５５０未満であると、エポキシ樹脂硬化物の架橋密度が十分に高くならないため、ガラス転移温度に及ぼす効果が不十分となり、７０００を越えると、溶媒へ溶解した際にゲル化が生じる場合がある。
【０１１３】
さらに、本発明では、必須成分ではないが、エポキシ樹脂の硬化剤として、芳香族多価カルボン酸のすべてのカルボキシ基が芳香族モノヒドロキシ化合物でエステル化された芳香族エステル（以下、該芳香族エステルを「芳香族エステル（Ｈ）」と略記する。）を併用することができる。
【０１１４】
芳香族エステル（Ｈ）は、芳香族多価カルボン酸と芳香族モノヒドロキシ化合物とのエステルであり、上記ポリエステル（Ａ）と同様の製造方法により得ることができる。
【０１１５】
芳香族エステル（Ｈ）の製造に使用する芳香族多価カルボン酸としては、例えば、上記ポリエステル（Ａ）の合成に使用した芳香族多価カルボン酸と同様のカルボン酸を使用することができる。なかでも、イソフタル酸、あるいはテレフタル酸を使用した芳香族エステル（Ｈ）は、エポキシ樹脂組成物の溶媒への溶解性が良好である。
【０１１６】
芳香族モノヒドロキシ化合物としては、上記ポリエステル（Ａ）の合成に使用する芳香族モノヒドロキシ化合物を使用することができる。なかでも、α−ナフトール、β−ナフトールを使用した芳香族エステル（Ｈ）は、得られるエポキシ樹脂硬化物の誘電正接を、より低くすることができるため好ましい。
【０１１７】
ポリエステル（Ａ）と芳香族エステル（Ｈ）とを併用する場合、エポキシ樹脂組成物中に含まれる、ポリエステル（Ａ）と芳香族エステル（Ｈ）との比率は、ポリエステル（Ａ）：芳香族エステル（Ｈ）が８５：１５〜５５：４５の範囲の質量比であると、特に優れたガラス転移温度と誘電正接とを兼備できる。
【０１１８】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用される有機絶縁材料に含有する硬化促進剤としては、公知慣用のエポキシ樹脂硬化促進剤を用いることができる。例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合物、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィンなどの有機ホスフィン化合物、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイトなどの有機ホスファイト化合物、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどのホスホニウム塩、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン−７（以下、ＤＢＵと略記する。）などのアミン化合物およびＤＢＵとテレフタル酸や２，６−ナフタレンジカルボン酸との塩、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラプロピルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムブロミド、テトラヘキシルアンモニウムブロミド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリドなどの第４級アンモニウム塩、３−フェニル−１，１−ジメチル尿素、３−（４−メチルフェニル）−１，１−ジメチル尿素、クロロフェニル尿素、３−（４−クロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素、３−（３，４−ジクロルフェニル）−１，１−ジメチル尿素などの尿素化合物、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ、カリウムフェノキシドやカリウムアセテートなどのクラウンエーテルの塩などが挙げられ、これらは単独あるいは複数で用いることができる。これらの中でもイミダゾール化合物が好ましく用いられる。
【０１１９】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用される有機絶縁材料に含有する難燃剤としては、臭素化芳香族系、縮合リン酸エステル系、金属水酸化物系、アンチモン系、リン系などの公知慣用の難燃剤を用いることができる。特に、臭素化芳香族系難燃剤は、構造中に臭素原子を有するため、エポキシ樹脂硬化物が熱分解した際に臭化水素が生じ、臭化水素の酸素遮断効果と、燃焼時の高活性なフリーラジカルを捕捉して燃焼エネルギーを低下させる効果とにより、エポキシ樹脂組成物に優れた難燃性を付与できる。しかも、該エポキシ樹脂組成物の硬化物の伝送損失を悪化させにくいので好ましい。この観点から特に好適な難燃剤は、エタン−１，２−ビス（ベンタブロモフェニル）である。
【０１２０】
ここで難燃性とは、炎や発熱体を近づけて試験片に点火し、再び消火するまでの燃焼に関する特性、すなわち燃えにくさのことを意味する。本発明における優れた難燃性とは、米国ＵＬ規格のうち、機器の部品用プラスチック材料の燃焼性試験に関するＵＬ−９４の、垂直燃焼試験による有焔時間を難燃性の基準とし、該規格のなかの電子材料に関係の深い９４Ｖ−０の規格（有焔時間が１０秒未満）を満たすことをいう。
【０１２１】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用される有機絶縁材料に含有するエポキシ樹脂とポリエステル（Ａ）との配合量は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１ｍｏｌに対して、ポリエステル（Ａ）中のアリールオキシカルボニル基が０．１５〜５ｍｏｌとなる配合量が好ましく、０．５〜２．５ｍｏｌとなる配合量であればさらに好ましい。ポリエステル（Ａ）の配合量が該範囲外であると、ポリエステル（Ａ）によるエポキシ樹脂の硬化反応が十分に進行せず、誘電正接やガラス転移温度に及ぼす効果が不十分になる。
【０１２２】
硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、０．０１〜５質量部の範囲であることが好ましい。硬化促進剤の配合量が０．０１質量部未満であると硬化反応速度が遅くなり、５質量部より多いとエポキシ樹脂の自己重合が生じてポリエステル（Ａ）によるエポキシ樹脂の硬化反応が阻害されることがある。
【０１２３】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用する有機絶縁材料は、ポリエステル（Ａ）、エポキシ樹脂、硬化促進剤、難燃剤、さらに必要に応じて添加される可とう性付与材などの所望の種類および量を含有する。
【０１２４】
可とう性付与材としては、スチレン系エラストマー、およびポリブタジエン系ポリマーの少なくとも一つを添加することができる。
スチレン系エラストマーとしては、スチレンと、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリ（エチレン／ブチレン）、ポリ（エチレン／プロピレン）、ポリ（ビニル／イソプロピレン）、およびポリエチレンから選択される１種または２種以上とのジブロック共重合体またはトリブロック共重合体が挙げられる。
また、ポリブタジエン系ポリマーとしては、１，２―ポリブタジエンまたは１，４−ポリブタジエンの二重結合の一部をエポキシ化した重合体を用いることができる。
【０１２５】
可とう性付与材は絶縁層に靭性を付与することが可能であり、また絶縁層が強化繊維を含むプリプレグである場合、そのハンドリング性が向上する。なお、可とう性付与材は必須のものではなく、プリント配線板および電子部品を製造する上で半硬化物に可とう性が要求されない用途では、特に添加する必要はない。
【０１２６】
可とう性付与材は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、５〜３０質量部添加することが好ましい。可とう性付与材の量が前記以下だと、エポキシ樹脂組成物の改質効果がほとんどなく、脆い物性が改良されない。また、前記以上だとエポキシ樹脂組成物の本来の物性が発揮できなくなり、溶剤中での配合の際に固形分濃度が上げられず、溶液粘度が上がり、吸水率が増加する等の問題が生じるおそれがある。
【０１２７】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用する有機絶縁材料に、ガラスや樹脂で作成されたクロスや不織布、フィラーなどを含有してもよい。例えば、使用されるフィラーとしては、低誘電率で低誘電正接のＳｉＯ２やウイスカーなどがある。この場合、有機絶縁材料の硬化収縮の低減、線膨張係数の低減、強度の強化、材料の低誘電正接化などにより、プリント配線板および電子部品の変形や欠損等が十分に防止され、硬化収縮の低減による製造精度の向上や、熱衝撃等の信頼性の向上、誘電正接の低減、伝送特性の向上が可能となる。
【０１２８】
また、本発明のプリント配線板および電子部品に使用する有機絶縁材料に磁性を持たせてもよい。この場合、フィラーに磁性体粉末を含有することが好ましい。この磁性体粉末により、磁気特性を付加し、線膨張係数を低減させることができる。
【０１２９】
上記磁性体粉末としては、Ｍｎ−ＭｇＺｎ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｍｎ−Ｍｇ、プラナ材等のフェライトもしくはカルボニル鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金、鉄−ニッケル系合金、アモルファス系の強磁性金属が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１３０】
上記磁性体粉末の平均粒径は、０．０１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましく、０．２〜２０μｍの範囲内にあることがさらに好ましい。磁性体粉末の平均粒径が０．０１μｍ未満では、樹脂の混練がしにくくなる傾向があり、１００μｍを超えると、均一な分散を行うことができなくなる傾向がある。
【０１３１】
また、磁性体粉末の含有量は、有機絶縁材料と磁性体粉末との合計を１００体積％としたとき、５〜６５体積％の範囲とすることが好ましく、この範囲内で適切な量を選択すればよい。５体積％未満では、磁性体粉末添加の効果が表れない傾向があり、６５体積％を超えると、流動性が悪くなる。
【０１３２】
また、前記フィラーを含有する場合、表面処理剤を含むことが好ましい。表面処理剤はフィラーと有機絶縁材料との密着性を高め、基板強度が向上し、吸水性を低減するものである。
【０１３３】
このような表面処理剤としては、例えば、クロロシラン系カップリング剤、アルコキシシラン系カップリング剤、有機官能性シラン系カップリング剤、シラザン系シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤などが挙げられる。使用する表面処理剤は、必要とされる特性に応じて単独で、あるいは２種類以上を混合してもよい。
【０１３４】
プリント配線板および電子部品においては、リフロー等の耐熱性が要求されるため、表面処理剤は、有機官能性シラン系カップリング剤、アルコキシシラン系カップリング剤であることが好ましい。
【０１３５】
表面処理剤の添加量は、フィラー１００重量部に対して０．１〜５重量部の範囲内で適宜選択すればよい。添加量の選択は、使用するフィラーの粒径、形状、添加する表面処理剤の種類により決定される。表面処理方法としては、例えば、乾式法、湿式法、スプレー法、インテグラルブレンド法などが挙げられるが、必要に応じて選択すればよい。
【０１３６】
次に、誘電体層について説明する。誘電体層は、有機絶縁材料に誘電体粉末および表面処理剤をさらに含んでいる。
【０１３７】
プリント配線板および電子部品に使用される誘電体層は、主にキャパシタ素子の面積の縮小や共振器の波長短縮を目的とし、回路設計により適宜誘電特性を設定すればよい。例えば、誘電体層の誘電率を高くするためには、０．１ＧＨｚ以上の高周波領域において、上述した有機絶縁材料にそれよりも高い誘電率を持つフィラーを含有すればよい。
【０１３８】
例えば、より誘電率を高くするには、主に、
（１）誘電率が非常に高い誘電体セラミック粉末を含有させる
（２）含有量を多くする
の２つの方法がある。
【０１３９】
また、誘電体層の誘電正接をより小さくするには、
（１）Ｑ値の高いセラミックス粉末を含有させる
（２）含有量を多くする
の２つの方法がある。
【０１４０】
上記誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７以上であり、かつ、Ｑ値が２００以上である金属酸化物粉末であることが好ましく、必要とされる誘電率及び誘電正接に応じて適切なセラミック粉末を選択すればよい。比誘電率とＱ値はトレードオフの関係にあり、比誘電率が非常に高く、Ｑ値も非常に高い誘電体はないのが実情である。例えば、ＢａＴｉＯ３の比誘電率は１５００と有機絶縁体と比較して非常に高いが、Ｑ値は１００も得られない。
【０１４１】
金属酸化物粉末の比誘電率が３．７未満である場合は、樹脂層（誘電体層）の比誘電率を高くすることができず、プリント配線板および電子部品の小型化が困難となる傾向がある。金属酸化物粉末のＱ値が２００未満である場合、Ｑ値が減少傾向になるため、電気特性のよい素子をプリント配線板および電子部品に内蔵することは困難になる。
【０１４２】
誘電体セラミック粉末の具体例としては、下記成分を主成分とするものが挙げられる。なお、上記比誘電率及びＱ値は、ギガＨｚ帯における値であり、本発明において、ギガＨｚ帯とは、０．１〜１０ＧＨｚの周波数帯をいう。
【０１４３】
すなわち、Ｍｇ２ＳｉＯ４［ε＝７、Ｑ＝２００００］、Ａｌ２Ｏ３［ε＝９．８、Ｑ＝４００００］、ＭｇＴｉＯ３［ε＝１７、Ｑ＝２２０００］、ＺｎＴｉＯ３［ε＝２６、Ｑ＝８００］、Ｚｎ２ＴｉＯ４［ε＝１５、Ｑ＝７００］、ＴｉＯ２［ε＝１０４、Ｑ＝１５０００］、ＣａＴｉＯ３［ε＝１７０、Ｑ＝１８００］、ＳｒＴｉＯ３［ε＝２５５、Ｑ＝７００］、ＳｒＺｒＯ３［ε＝３０、Ｑ＝１２００］、ＢａＴｉ２Ｏ５［ε＝４２・Ｑ＝５７００］、ＢａＴｉ４Ｏ９［ε＝３８、Ｑ＝９０００］、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０［ε＝３９、Ｑ＝９０００］、Ｂａ２（Ｔｉ，Ｓｎ）９Ｏ２０［ε＝３７、Ｑ＝５０００］、ＺｒＴｉＯ４［ε＝３９、Ｑ＝７０００］、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ４［ε＝３８、Ｑ＝７０００］、ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４［ε＝８３、Ｑ＝２１００］、ＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ１２［ε＝９２、Ｑ＝１７００］、ＢａＳｍ２ＴｉＯ１４［ε＝７４、Ｑ＝２４００］、ＢａＯ−ＣａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２［ε＝９０、Ｑ＝２２００］、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２［ε＝９０、Ｑ＝１７００］、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３、ＭｇＯ−ＴｉＯ２、ＭｇＯ−ＳｉＯ２［ε＝６．１、Ｑ＝５０００］、ＺｎＯ−ＴｉＯ２［ε＝２６、Ｑ＝８４０］、Ｂｉ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２［ε＝８８、Ｑ＝２０００］、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２［ε＝９０、Ｑ＝５２００］、（Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ）−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２［ε＝１０５、Ｑ＝２５００］、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７［ε＝４４、Ｑ＝４０００］、Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７［ε＝３７、Ｑ＝１１００］、（Ｌｉ，Ｓｍ）ＴｉＯ３［ε＝８１、Ｑ＝２０５０］、Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３［ε＝２５、Ｑ＝３５０００］、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３［ε＝３０、Ｑ＝１４０００］、Ｂａ（Ｚｎ１／３，Ｎｂ２／３）Ｏ３［ε＝４１、Ｑ＝９２００］、Ｓｒ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３［ε＝４０、Ｑ＝４０００］
【０１４４】
上記誘電体セラミック粉末のうち、Ｑ値が高く且つεが樹脂よりも大きいという理由から、ＴｉＯ２、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＢａＯ−ＣａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０、Ｂａ２（Ｔｉ，Ｓｎ）９Ｏ２０、ＭｇＯ−ＴｉＯ２、ＺｎＯ−ＴｉＯ２、ＭｇＯ−ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３の成分を主成分とするものが好ましい。上記成分を主成分とする誘電体セラミック粉末は単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１４５】
誘電体セラミック粉末の含有量は、有機絶縁材料と誘電体セラミックス粉末の合計を１００体積％としたとき、５〜６５体積％の範囲とすることが好ましく、この範囲内で、必要とされる誘電率及び誘電正接に応じて適切な量を選択すればよい。誘電体セラミック粉末の添加量が５体積％未満では、誘電体セラミック粉末により誘電率を増加させることが困難となる傾向があり、６５体積％を超えると、樹脂組成物の流動性の低下を起こし、ボイドの発生や誘電体層の導電性金属に対する密着性が低下、長期間の使用により導電性金属が誘電体層から剥離し、電子部品の性能が変動するおそれがある。
【０１４６】
上記誘電体セラミック粉末の平均粒径は、０．０１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましく、０．２〜２０μｍの範囲内にあることがさらに好ましい。平均粒径が０．０１μｍ未満では、ワニス粘度の増加、樹脂組成物の流動性の低下を起こし、接着性能が発現しなくなるおそれがあり、１００μｍを超えるとプリプレグ作製時に誘電体セラミック粉末が沈降するおそれがある。
【０１４７】
表面処理剤は、誘電体セラミック粉末と有機絶縁材料との密着性を高め、基板強度を高め、吸水性を低減するものである。
【０１４８】
このような表面処理剤としては、例えば、クロロシラン系カップリング剤、アルコキシシラン系カップリング剤、有機官能性シラン系カップリング剤、シラザン系シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤などが挙げられる。使用する表面処理剤は、必要とされる特性に応じて単独で、あるいは２種類以上を混合してもよい。
【０１４９】
プリント配線板および電子部品においては、リフロー等の耐熱性が要求されるため、表面処理剤は、有機官能性シラン系カップリング剤、アルコキシシラン系カップリング剤であることが好ましい。
【０１５０】
表面処理剤の添加量は、誘電体セラミック粉末１００重量部に対して０．１〜５重量部の範囲内で適宜選択すればよい。添加量の選択は、使用する誘電体セラミック粉末の粒径、形状、添加する表面処理剤の種類により決定される。表面処理方法としては、例えば、乾式法、湿式法、スプレー法、インテグラルブレンド法などが挙げられるが、必要に応じて選択すればよい。
【０１５１】
また、誘電体層は、強化繊維からなるクロスを更に含んでもよい。プリント配線板および電子部品の構成により、十分な強度が得られない場合、強化繊維からなるクロスにより誘電体層の機械強度が増強され、プリント配線板および電子部品の欠損又は変形等が十分に防止される。
【０１５２】
強化繊維の材質は、Ｅガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｈガラス、Ｔガラス又はアラミド繊維のいずれかであることが好ましい。これらのうち、ＮＥガラスは低誘電正接であり、Ｈガラスは高誘電率を有し、Ｅガラスは、コストとのバランスが取れる。従って、要求する特性に応じて、適宜使い分ければよい。
【０１５３】
クロスの厚さは、２０〜３００μｍであることが好ましく、必要とする厚さ、特性に応じて適宜使い分ければよい。
【０１５４】
クロスの具体例としては、１０１（厚さ約２０μｍ）、１０６（厚さ約３０μｍ）、１０８０（厚さ約５０μｍ）、２１１６（厚さ約１００μｍ）、７６２８（厚さ約２００μｍ）などが挙げられる。
【０１５５】
またクロスの表面には、必要に応じて開繊、閉塞等の処理を施してもよく、さらにクロス表面に、樹脂との密着力を高めるためにカップリング剤等による表面処理を施しても良い。
【０１５６】
次に、導電性素子部について説明する。
【０１５７】
導電性素子部は、絶縁層と誘電体層との少なくとも一方に設けられている。絶縁層には少なくとも金属導体による配線が設けられ、絶縁層および誘電体層には少なくとも１つの導電性素子部を有している。
【０１５８】
導電性素子部は、キャパシタ素子またはインダクタ素子、共振器素子を構成するものであり、誘電体層において、導電性素子部は１つに限らず、複数あってもよい。誘電体層に複数又は複数種類の導電性素子部を設けることにより、プリント配線板および電子部品に種々の機能を付与することが可能である。具体的には、導電性素子部は、絶縁層および誘電体層に形成される金属導体で構成される。
【０１５９】
金属導体としては、銅、ニッケル、クロム、金、銀、錫、ニッケル−クロム合金等が挙げられるが、安価、入手の容易性という理由から、銅が好ましい。金属導体の厚さは１〜７０μｍであることが好ましい。金属導体の作製方法は、電解、圧延、スパッタ、蒸着のいずれの方法であってもよく、要求される厚さ、特性によって適宜選択すればよい。
【０１６０】
本発明において、プリント配線板および電子部品の基礎となるプリプレグを得るには、所定の配合としたエポキシ樹脂、ポリエステル（Ａ）、硬化促進剤、難燃剤、また目的に応じてこれに誘電体セラミック粉末や磁性体粉末を含む樹脂組成物を溶剤に混練してスラリー化したペーストを塗工し、乾燥すればよい。この際に用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ジメチルアセトアミド、ジオキソラン等の揮発性溶剤が挙げられる。かかる溶剤は、エポキシ樹脂、ポリエステル等を液状化すると共に、ペーストの粘度調整するために用いられる。混練は、ボールミル、攪拌機等の公知の方法により行うことができる。
【０１６１】
プリプレグ及び基板の作製方法としては、下記２つの方法が挙げられる。
【０１６２】
（方式１）
スラリー化したペーストをクロスに含浸塗工した後、乾燥してクロス入りプリプレグを得る。この際に塗工するペーストの厚さは、クロスに対して片側５〜５０μｍとすることが好ましい。５μｍ未満では、プリプレグとしての流動性を確保することが困難となる傾向があり、５０μｍを超えると、ペーストのだれ等が生じやすくなり、厚さ、付着重量等にバラツキが大きくなりやすいためである。乾燥条件は、使用する溶剤、塗工する厚さによって適時条件を定めればよいが、５０℃〜１５０℃程度で１〜６０分程度の範囲から選択すればよく、必要に応じて温度を何段階かに分けるステップ乾燥を行ってもよい。
【０１６３】
基板を得るには、高温真空プレスを用いて加熱加圧することが一般的であり、温度及び加熱時間は、１５０〜２５０℃の間で０．５〜２０時間とすればよい。減圧は必要に応じて行うが、４０００Ｐａ（３０Ｔｏｒｒ）以下で行うことが好ましい。なお、この際に片面又は両面金属箔をつけたい場合は、高温真空プレスの際にプリプレグの上下に金属箔を置いて加熱、加圧プレスすればよい。
【０１６４】
（方式２）
スラリー化したペーストを金属箔若しくはＰＥＴ、ＰＩ、ＰＰＳ、ＬＣＰ等のフィルム上にドクターブレード制御による方式、スプレー方式、カーテンコート方式、スピンコート方式、スクリーン印刷方式など公知の方法のいずれかを用いて塗工すればよく、必要とされる厚さ、精度、材料供給形態（例えば、ロールによる供給か、シートによる供給か）に応じて適時選択すればよい。
【０１６５】
この際に塗工されるペーストの厚さは、乾燥後で５〜１００μｍの範囲内とすればよく、さらに詳しくは、誘電体セラミック粉末などのフィラーを含有する場合、フィラーの最大粒径の２倍以上の厚さとすればよい。フィラーの最大粒径の２倍未満では、塗工の際のペーストの塗工性、平滑性やその硬化物の絶縁性に問題が生じるおそれがあり、厚さが１００μｍを超えると、残存する溶剤を除去する乾燥条件出しが困難となる傾向がある。
【０１６６】
但し、この場合は薄い厚さのペーストを重ね塗りしてもよい。乾燥条件は材料組成、得たい厚み、使用する溶剤によって適時条件を定めればよいが、５０〜１５０℃程度の温度で１〜６０分程度の時間、乾燥させればよく、必要に応じて温度を何段階かに分けて変化させるステップ乾燥を行ってもよい。
【０１６７】
こうして得られた半硬化接着シート（上下に金属箔が必要な場合は金属箔に塗工した半硬化接着シート、上下に金属箔が不要な場合はＰＥＴ、ＰＩ、ＰＰＳ、ＬＣＰ等のフィルム上に塗工した半硬化接着シート）を２つ用い、間にクロスを挟んで高温真空プレスを行う。なお、クロス中への含浸、充填性が心配される場合は、あらかじめクロスに、固形分濃度を薄くしたペーストを含浸、乾燥しておいてもよい。高温真空プレスは、１５０〜２５０℃の温度で０．５〜２０時間の時間で行えばよい。また必要に応じステップキュアを行ってもよい。圧力は１．５〜６．０ＭＰａの間で行えばよく、減圧は必要に応じて行うが、４０００Ｐａ（３０Ｔｏｒｒ）以下で行うのが好ましい。
【０１６８】
なお、上記のような基板には、両面パターンニング基板や多層基板などがある。
【０１６９】
本発明のプリント配線板および電子部品は、上記のようなプリプレグ、銅箔付基板、積層基板等と素子構成パターンを組み合わせることにより得ることができる。
【０１７０】
本発明のプリント配線板および電子部品は、上記のような配線パターン、コンデンサ（キャパシタ）回路、コイル（インダクタ）回路、フィルタ等の回路の他、これらと、これら以外の、増幅素子、機能素子を組み合わせたアンテナ回路や、ＲＦ回路（ＲＦ増幅段）、ＶＣＯ（電圧制御発振回路）回路、パワーアンプ（電力増幅段）回路等の高周波電子回路、光ピックアップなどに用いられる重畳回路等、これらを複数組み合わせた回路であってもよい。
【０１７１】
次に、本発明のプリント配線板および電子部品をさらに具体的に説明する。
【０１７２】
（第１実施形態）
図１は本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図２は本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示した断面図である。
【０１７３】
図１，２に示すように、インダクタ１０は、構成層１０ａ〜１０ｅを積層してなる積層体と、構成層１０ｂ〜１０ｅに設けられる内部導体１３ａ〜１３ｄと、この内部導体１３ａ〜１３ｄを電気的に接続するためのビアホール１４とを有する。また、内部導体１３とビアホール１４とによりコイルパターン（導電性素子部）が構成されている。
【０１７４】
各構成層１０ａ〜１０ｅは、上記絶縁層もしくは誘電体層により構成されている。ビアホール１４はドリル、レーザー加工、エッチング等により形成することができる。
【０１７５】
また、積層体の対向する両側面にはそれぞれ端子電極１２が設けられており、コイルパターンの両端部はそれぞれ、各端子電極１２に接続されている。なお、端子電極１２の両端にはランドパターン１１が設けられている。
【０１７６】
端子電極１２は、貫通ビアの円筒を半分に分割した構造となっている。端子電極１２がこのような構造になるのは、集合積層基板に複数の素子を形成し、最終的に素子ごとに切断する場合に、ダイシング、Ｖカット等により、貫通ビアの中心から切断するためである。
【０１７７】
インダクタ１０を高周波用のチップインダクタとして使用する場合、分布容量をできるだけ減らす必要があることから、各構成層１０ａ〜１０ｅの比誘電率は、２．６〜３．５とすることが好ましい。またインダクタ１０が共振回路を構成するインダクタである場合は、積極的に分布容量を用いる場合があり、このような用途では各構成層１０ａ〜１０ｅの比誘電率を５〜４０とすることが好ましい。
【０１７８】
このインダクタ１０においては、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、インダクタ１０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。また電子部品の小型化、回路への容量素子の取付けの省略を図ることができる。また、これらのインダクタ１０においては、材料の損失をできるだけ抑える必要があるため、各構成層１０ａ〜１０ｅの誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ない、Ｑ値の高いインダクタを得ることができる。また、各構成層１０ａ〜１０ｅは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０１７９】
なお、図１の電子部品の等価回路を図１０（ａ）に示す。図１０（ａ）に示されるように、等価回路ではインダクタ１０は、コイル３１を有する電子部品（インダクタ）として示されている。
【０１８０】
（第２実施形態）
図３は本発明の電子部品の第２実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図４は電子部品の第２実施形態であるインダクタを示した断面図である。
【０１８１】
本実施形態の電子部品は、コイルパターンが、横方向、すなわち対向する端子電極１２を結ぶ方向に巻回されている点で第１実施形態の電子部品と相違する。その他の構成要素は、第１実施形態と同様であり、図３、図４において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１８２】
（第３実施形態）
図５は本発明の電子部品の第３実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図６は本発明の電子部品の第３実施形態であるインダクタを示した断面図である。
【０１８３】
本実施形態の電子部品は、上下面においてそれぞれスパイラル状に形成された内部導体１３がビアホール１４により連結されている点で第１実施形態の電子部品と相違する。その他の構成要素は、第１実施形態と同様であり、図５、図６において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１８４】
（第４実施形態）
図７は本発明の電子部品の第４実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図８は本発明の電子部品の第４実施形態であるインダクタを示した断面図である。
【０１８５】
本実施形態の電子部品は、積層体の両側に設けられる端子電極１２を結ぶ内部導体１３のパターン形状をミアンダ状にしている点で第１実施形態の電子部品と相違する。その他の構成要素は、第１実施形態と同様であり、図７、図８において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１８６】
（第５実施形態）
図９は本発明の電子部品の第５実施形態であるインダクタを示した透視斜視図である。
【０１８７】
本実施形態の電子部品は、積層体にコイルパターンを４連設けている点で、積層体にコイルパターンを１つ設けている第１実施形態の電子部品と相違する。このような構成とすることにより、電子部品を回路基板等に配置する場合に、１つのコイルバターンを有する電子部品を４つ用いる場合に比べて、省スペース化を図ることができる。
【０１８８】
なお、図１０（ｂ）は、本実施形態のインダクタの等価回路図である。図１０（ｂ）に示すように、本実施形態のインダクタは、等価回路ではコイル３１ａ〜３１ｄが４連装されたものとして示されている。
【０１８９】
（第６実施形態）
図１１は本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した透視斜視図、図１２は本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した断面図である。
【０１９０】
図１１、図１２に示すように、キャパシタ２０は、構成層２０ａ〜２０ｇを積層してなる積層体と、構成層２０ｂ〜２０ｇ上に形成されている内部導体２３と、積層体の両側にそれぞれ設けられる端子電極２２と、を備えている。そして、隣り合う内部導体２３は、それぞれ異なる端子電極２２に接続されている。また端子電極２２の両端にはランドパターン２１が設けられている。積層体に設けられる内部導体２３により導電性素子部が構成されている。また各構成層２０ａ〜２０ｇは、上記絶縁層もしくは誘電体層により構成されている。
【０１９１】
また各構成層２０ａ〜２０ｇは、得られる容量の多様性や精度の観点からは２．６〜４０の比誘電率を有し、０．００２５〜０．００７５の誘電正接を有することが好ましい。このキャパシタ２０においては、高周波域においても比誘電率が大きくなるため、内部導体２３の面積を小さくすることができ、ひいてはキャパシタ２０の小型化が可能となる。またキャパシタ２０を高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、キャパシタ２０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。また誘電正接（ｔａｎδ）を０．００７５〜０．０２５とすることにより、材料損失の極めて少ないキャパシタとすることができる。各構成層２０ａ〜２０ｇは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０１９２】
図１４（ａ）は、本実施形態のキャパシタの等価回路図である。図１４（ａ）に示すように、等価回路ではキャパシタ３２を有する電子部品（コンデンサ）が示されている。
【０１９３】
（第７実施形態）
図１３は本発明の電子部品の第７実施形態であるキャパシタを示した透視斜視図である。
【０１９４】
本実施形態の電子部品は、キャパシタ素子を構成する４つの導電性素子部が積層体にアレイ状に設けられている点で、キャパシタ素子を構成する１つの導電性素子部が積層体に設けられている第６実施形態のキャパシタと相違する。またキャパシタ素子の数に合せて端子電極２２及びランドパターン２１が設けられている。さらにキャパシタをアレイ状に形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合がある。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましいといえる。
【０１９５】
その他の構成要素は、第６実施形態と同様であり、図１３において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１９６】
図１４（ｂ）は、本実施形態のキャパシタの等価回路図である。図１４（ｂ）に示すように、等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３２ｄが４連装された電子部品（コンデンサ）が示されている。
【０１９７】
（第８実施形態）
図１５〜図１８は、本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスを示している。ここで図１５は透視斜視図、図１６は断面図、図１７は各構成層の分解平面図、図１８は等価回路図である。
【０１９８】
図１５〜１７に示すように、バルントランス４０は、構成層４０ａ〜４０ｏを積層してなる積層体と、積層体の上下および中間に配置された内部ＧＮＤ導体４５と、この内部ＧＮＤ導体４５間に形成されている内部導体４３とを有する。この内部導体４３は、λｇ／４長のスパイラル状導体であり、図１８の等価回路に示される結合ライン５３ａ〜５３ｄを構成するようにビアホール４４等で連結されている。
【０１９９】
このバルントランス４０の構成層４０ａ〜４０ｏは、比誘電率を２．６〜４０とし、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００７５〜０．０２５とすることが好ましく、各構成層４０ａ〜４０ｏとしては、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。なお、各構成層は同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０２００】
このバルントランス４０によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、バルントランス４０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２０１】
（第９実施形態）
図１９〜図２２は、本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタを示している。ここで図１９は斜視図、図２０は分解斜視図、図２１は等価回路図、図２２は伝達特性図である。
【０２０２】
本実施形態の積層フィルタは、２ポール型の伝達特性を有するように構成されている。図１９〜２１に示すように、積層フィルタ６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体を備えている。ここで、構成層６０ｂは上部構成層群であり、構成層６０ｄは下部構成層群である。積層体のほぼ中央の構成層６０ｃには一対のストリップ線路６８が形成され、これに隣接する下部構成層群６０ｄ上には、一対のコンデンサ導体６７が形成されている。構成層６０ｂ、６０ｅの表面にはそれぞれＧＮＤ導体６５が形成され、これらＧＮＤ導体６５によりストリップ線路６８及びコンデンサ導体６７が挟み込まれるようになっている。ストリップ線路６８、コンデンサ導体６７及びＧＮＤ導体６５はそれぞれ、積層体の端面に形成された端部電極（外部端子）６２に接続されている。また、端部電極６２の両側にはＧＮＤパターン６６が形成され、ＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５に接続されている。
【０２０３】
ストリップ線路６８は、図２１の等価回路図に示されるλｇ／４長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体６７は、入出力結合容量Ｃｉを構成する。またストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。積層型フィルタ６０は、このような等価回路を形成するように構成されているため、図２２に示すような２ポール型の伝達特性を有する。
【０２０４】
積層フィルタ６０の構成層６０ａ〜６０ｅは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、ストリップライン共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましいため、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このような構成層６０ａ〜６０ｅとしては、上記絶縁層または誘電体層を用いられる。なお、各構成層は同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０２０５】
この積層フィルタ６０によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、積層フィルタ６０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２０６】
（第１０実施形態）
図２３〜図２６は、本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタを示している。ここで、図２３は斜視図、図２４は分解斜視図、図２５は等価回路図、図２６は伝達特性図である。
【０２０７】
本実施形態の積層フィルタは、４ポール型の伝達特性を有するように構成されている。図２３〜２５に示すように、積層フィルタ６０は、構成層６０ｃに４本のストリップ線路６８が形成されている点で、構成層６０ｃに２本のストリップ線路６８が形成されている第９実施形態の積層フィルタと相違する。
【０２０８】
本実施形態の積層フィルタにおいては、ストリップ線路６８は、図２５の等価回路図に示されるλｇ／４長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路７４ｃ、７４ｄ、７４ｅ、７４ｆであり、またストリップ線路７４ｃ、７４ｄ間、ストリップ線路７４ｄ、７４ｅ間、及びストリップ線路７４ｅ、７４ｆ間はそれぞれ、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。積層型フィルタ６０は、このような等価回路を形成するように構成されているため、図２６に示すような４ポール型の伝達特性を有する。
【０２０９】
その他の構成要素は、第９実施形態と同様であり、図２３、図２４において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０２１０】
（第１１実施形態）
図２７〜図３１は、本発明の電子部品の第１１実施形態であるカプラを示している。ここで図２７は透視斜視図、図２８は断面図、図２９は各構成層の分解斜視図、図３０は内部結線図、図３１は等価回路図である。
【０２１１】
図２７〜３１に示すように、カプラ１１０は、構成層１１０ａ〜１１０ｃが積層された積層体と、積層体の構成層１１０ｂの上下面に形成された内部ＧＮＤ導体１１５と、この内部ＧＮＤ導体１１５間に形成され、トランスを構成する２つのコイルパターンとを有する。各コイルパターンは、複数の内部導体１１３と、これら内部導体１１３を連結するビアホール１１４とにより構成されており、スパイラル状となっている。また形成された各コイルパターンの端部と内部ＧＮＤ導体１１５とは、図３０に示すように、それぞれ積層体の側面に形成された端子電極１１２に接続されている。なお、端子電極１１２の両端部にはランドパターン１１１が形成されている。
【０２１２】
このように、カプラ１１０においては、図３１の等価回路図で示すように、２つのコイル１２５ａ，１２５ｂが結合したものとなる。
【０２１３】
カプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１０ｃは、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ大きい方がよい。従って、構成層１１０ａ〜１１０ｃを構成する材料として、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層１１０ａ〜１１０ｃの比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、内部インダクタのＱ値を上げるためには、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。これにより、材料損失が極めて少なくなり、Ｑ値の高いインダクタを形成でき、高性能のカプラを得ることができる。上記構成層１１０ａ〜１１０ｃとしては、上記誘電体層が用いられる。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０２１４】
このカプラ１１０によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、カプラ１１０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２１５】
（第１２実施形態）
図３２〜図３４は、本発明の電子部品の第１２実施形態であるアンテナを示した図であり、図３２は透視斜視図、図３３（ａ）は平面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図、図３４は各構成層の分解斜視図である。
【０２１６】
図３２〜図３４に示すように、アンテナ１３０は、構成層１３０ａ〜１３０ｃを積層してなる長尺状の積層体と、この構成層１３０ｂ及び構成層１３０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体１３３と、長尺状の積層体の両端にそれぞれ設けられる端子電極１３２とを有する。
【０２１７】
内部導体１３３はアンテナパターンを構成している。本実施形態では、内部導体１３３は、使用周波数に対し、長さが約λｇ／４となるようなリアクタンス素子として構成され、アンテナパターンは、ミアンダ状に形成されている。
【０２１８】
また内部導体１３３の両端部はそれぞれ、各端子電極１３２に接続されている。広帯域化を実現しようとした場合、このアンテナ１３０の構成層１３０ａ〜１３０ｃの比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ大きい方がよい。従って、構成層１３０ａ〜１３０ｃを構成する材料として、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層１３０ａ〜１３０ｃの比誘電率が２．６〜４０であり、誘電正接が０．００７５〜０．０２５であることが好ましく、構成層１３０ａ〜１３０ｃとしては、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ないアンテナとすることができる。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０２１９】
このアンテナ１３０によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、アンテナ１３０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２２０】
（第１３実施形態）
図３５は、本発明の電子部品の第１３実施形態であるアンテナの透視斜視図、図３６は、本発明の電子部品の第１３実施形態であるアンテナの分解斜視図である。
【０２２１】
図３５、３６に示すように、アンテナ１４０は、構成層１４０ａ〜１４０ｃを積層してなる積層体と、この構成層１４０ｂ及び構成層１４０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体１４３ａ，１４３ｂとを有する。そして、上下の内部導体１４３ａ，１４３ｂはビアホール１４４にて接続され、ヘリカル状のアンテナパターン（インダクタンス素子）を形成するようになっている。なお、積層体の両端にはそれぞれ、第１２実施形態と同様、端子電極が設けられており、アンテナパターンの両端部はそれぞれ各端子電極に接続されている。
【０２２２】
（第１４実施形態）
図３７は本発明の電子部品の第１４実施形態であるパッチアンテナを示した透視斜視図、図３８は、本発明の電子部品の第１４実施形態であるパッチアンテナを示した断面図である。
【０２２３】
図３７、３８に示すように、本実施形態のパッチアンテナ１５０は、構成層１５０ａと、この構成層１５０ａの表面上に形成されている平板状のパッチ導体１５９と、このパッチ導体１５９に対向するように構成層１５０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。ここで、パッチ導体１５９は、アンテナパターンを構成している。また、パッチ導体１５９には給電用のスルー導体１５４が給電部１５３で接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５とは接続されないようにＧＮＤ導体１５５との間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通って給電が行われるようになっている。
【０２２４】
広帯域化を実現しようとした場合、このパッチアンテナ１５０の構成層１５０ａの比誘電率はできるだけ低い方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、構成層１５０ａとしては、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層１５０ａの比誘電率は２．６〜４０であり、誘電正接は０．００７５〜０．０２５であることが好ましく、構成層１５０ａとしては、上記の絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ない放射効率の高いアンテナとすることができる。
【０２２５】
また、数１００ＭＨｚ以下の周波数帯域においては、磁性体も誘電体と同様の波長短縮効果が得られ、さらに、放射素子のインダクタンス値を上げることができる。また、Ｑ値の周波数ピークを合わせることにより、比較的低い周波数においても高いＱ値が得られる。このため、パッチアンテナ１５０を数十〜数１００ＭＨｚの無線機器の用途に使用する場合には透磁率を３〜２０とすることが好ましく、構成層１５０ａとして、磁性体粉末を含有した磁性体層を用いることが好ましい。これにより、数１００ＭＨｚ以下の周波数帯域において高特性化、小型化を実現できる。また各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０２２６】
このパッチアンテナ１５０によれば、条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、パッチアンテナ１５０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２２７】
（第１５実施形態）
図３９は本発明の電子部品の第１５実施形態であるパッチアンテナを示した透視斜視図、図４０は、本発明の電子部品の第１５実施形態であるパッチアンテナを示した断面図である。
【０２２８】
図３９、４０に示すように、パッチアンテナ１６０は構成層１６０ａと、この構成層１６０ａの表面上に形成されているパッチ導体（アンテナパターン）１６９と、このパッチ導体１６９に対向するように構成層１６０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１６５とを有する。また構成層１６０ａの側面であって、パッチ導体１６９の近傍に、これと接触しないように給電用の給電導体１６１が配置され、給電端子１６２から給電導体１６１に給電が行われるようになっている。給電端子１６２は、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により構成されており、メッキ、ターミネート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理法を用いて形成することができる。その他の構成要素は、第１４実施形態と同様であり、その説明を省略する。
【０２２９】
（第１６実施形態）
図４１は、本発明の電子部品の第１６実施形態である多層型パッチアンテナを示した透視斜視図、図４２は本発明の電子部品の第１６実施形態である多層型パッチアンテナを示した断面図である。
【０２３０】
図４１に示すように、本実施形態のパッチアンテナ１７０は、構成層１５０ａ及び構成層１５０ｂを積層してなる積層体と、この構成層１５０ａ、１５０ｂ上にそれぞれ形成されているパッチ導体１５９ａ，１５９ｅと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９ａには給電用のスルー導体１５４が給電部１５３ａで接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとは接続されないようにＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとの間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通ってパッチ導体１５９ａに給電が行われるようになっている。このときパッチ導体１５９ｅには、パッチ導体１５９ａとの容量結合およびスルー導体１５４とのギャップによって形成される容量により給電される。その他の構成要素は第１４実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０２３１】
（第１７実施形態）
図４３は本発明の電子部品の第１７実施形態である多連型パッチアンテナを示した透視斜視図、図４４は、本発明の電子部品の第１７実施形態である多連型パッチアンテナを示した断面図である。
【０２３２】
本実施形態のパッチアンテナ１８０は、積層体にアンテナを構成する４つの導電性素子部が格子状に設けられている点で、積層体に１つの導電性素子部のみが設けられている第１６実施形態のパッチアンテナと相違する。すなわち図４３、図４４に示すように、パッチアンテナ１８０は、構成層１５０ａ、１５０ｂを積層してなる積層体と、構成層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９ａ、１５９ｂ、１５９ｃ、１５９ｄと、構成層１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ｅ、１５９ｆ、１５９ｇ、１５９ｈと、これらのパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。その他の構成要素は第１６実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０２３３】
このように複数の導電性素子部を１つの積層体に格子状に配設することにより、パッチアンテナの小型化と部品点数の削減が可能となる。
【０２３４】
（第１８実施形態）
図４５〜図４７は、本発明の電子部品の第１８実施形態であるＶＣＯ（電圧制御発振器）を示している。ここで、図４５は透視斜視図、図４６は断面図、図４７は等価回路図である。
【０２３５】
図４５〜４７に示すように、ＶＣＯ２１０は、構成層２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体と、積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体素子、レジスタ等の電気素子２６１と、構成層２１０ａ〜２１０ｄ上に形成されている導体パターン及び構成層２１０ｅ〜２１０ｇ上にそれぞれ形成されている導体パターン２６２，２６３，２６４とを有する。ＶＣＯ２１０は、図４７に示すような等価回路を形成するように構成されており、導体パターン２６３は、ストリップラインとなっている。また、ＶＣＯ２１０は、ストリップラインのほか、コンデンサ、信号線、半導体素子、電源ラインなどを有する。このため、構成層は、それぞれの機能に適した材料で形成するのが効果的である。
【０２３６】
より具体的には、上記構成層２１０ｇの表面には、内部導体である導体パターン２６３によりストリップラインが形成され、裏面にはＧＮＤ導体としての導体パターン２６２及び端子導体としての導体パターン２６６が形成されている。また、構成層２１０ｅの表面にはコンデンサ導体としての導体パターン２６４が形成され、構成層２１０ｂの表面上には配線インダクタ導体２６５が形成されている。また、各構成層に形成された内部導体はビアホール２１４により接続され、表面にはマウントされた電子素子２６１が搭載されて、図４７の等価回路に示すようなＶＣＯが形成される。
【０２３７】
例えば、本実施形態のＶＣＯ２１０では、共振器を構成する構成層２１０ｆ，２１０ｇには誘電正接が０．００２５〜０．００７５の絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好まく、コンデンサを構成する構成層２１０ｃ〜２１０ｅには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０となるような誘電体層を用いることが好ましい。配線およびインダクタを構成する構成層２１０ａ，２１０ｂには、誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好ましい。
【０２３８】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した比誘電率、Ｑ値、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このＶＣＯ２１０によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、ＶＣＯ２１０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２３９】
（第１９実施形態）
図４８〜図５０は、本発明の電子部品の第１９実施形態であるパワーアンプ（電力増幅器）を示している。ここで図４８は各構成層の分解平面図、図４９は断面図、図５０は等価回路図である。
【０２４０】
図４８〜５０に示すように、パワーアンプ３００は、構成層３００ａ〜３００ｅを積層してなる積層体と、積層体の上に配設されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子３６１と、この構成層３００ａ〜３００ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン３１３，３１５を有する。このパワーアンプ３００は図５０に示すような等価回路により構成されているため、ストリップラインＬ１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２０、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０２４１】
より具体的には、これらの構成層３００ａ〜３００ｅの表面には、内部導体としての導体パターン３１３、ＧＮＤ導体としての導体パターン３１５等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール３１４により接続され、積層体の表面には、マウントされた電気素子３６１が搭載されて図５０の等価回路に示すようなパワーアンプ３００が形成される。
【０２４２】
本実施形態のパワーアンプ３００では、ストリップラインを構成する構成層３００ｄ，３００ｅには誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が２．６〜４０の絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサを構成する構成層３００ａ〜３００ｃには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０となるような絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好ましい。
【０２４３】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ値、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このパワーアンプ３００によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、パワーアンプ３００の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２４４】
（第２０実施形態）
図５１〜図５３は、本発明の電子部品の第２０実施形態である、光ピックアップなどに使用される重畳モジュールを示している。ここで、図５１は各構成層の分解平面図、図５２は断面図、図５３は等価回路図である。
【０２４５】
図５１〜５３に示すように、重畳モジュール４００は、構成層４００ａ〜４００ｋが積層された積層体と、積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子４６１と、この構成層４００ａ〜４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パターン４１３，４１５等を有する。この重畳モジュール４００は図５３に示すような等価回路により構成されているため、インダクタＬ２１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０２４６】
より具体的には、これらの構成層４００ａ〜４００ｋの表面には、内部導体としての導体パターン４１３、ＧＮＤ導体としての導体パターン４１５等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール４１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電気素子４６１が搭載されて図５３の等価回路に示すような重畳モジュール４００が形成される。
【０２４７】
本実施形態の重畳モジュール４００では、コンデンサを構成する構成層４００ｄ〜４００ｉには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような誘電体層を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成層４００ａ〜４００ｃ，４００ｊ〜４００ｋには誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好ましい。
【０２４８】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ値、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。この重畳モジュール４００によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、重畳モジュール４００の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２４９】
（第２１実施形態）
図５４〜図５７は、本発明の電子部品の第２１実施形態であるＲＦモジュールを示している。ここで、図５４は斜視図、図５５は外装部材を外した状態での斜視図、図５６は各構成層の分解斜視図、図５７は断面図である。
【０２５０】
図５４〜５７に示すように、ＲＦモジュール５００は、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体と、積層体の上に配設されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子５６１と、この構成層５００ａ〜５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パターン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７３とを有する。このＲＦモジュール５００は、上記のようにインダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０２５１】
本実施形態のＲＦモジュール５００では、アンテナ構成、ストリップライン構成および配線層としての構成層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇには、誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層としての構成層５００ｅ、５００ｆには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような誘電体層を用いることが好ましい。電源ライン層としての構成層５００ｈ、５００ｉには、透磁率が３〜２０であり、磁性体粉末を含む磁性体層を用いることが好ましい。
【０２５２】
そして、これらの構成層５００ａ〜５００ｉの表面には、内部導体としての導体パターン５１３、ＧＮＤ導体としての導体パターン５１５、アンテナ導体としてのアンテナパターン５７３等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、積層体の表面にはマウントされた電気素子５６１が搭載されてＲＦモジュール５００が形成される。
【０２５３】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ値、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このＲＦモジュール５００によれば、ＲＦモジュール５００を高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、ＲＦモジュール５００の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２５４】
（第２２実施形態）
図５８、図５９は、本発明の電子部品の第２２実施形態である共振器を示している。ここで、図５８は透視斜視図、図５９は断面図である。
【０２５５】
図５８、５９に示すように、共振器６００は、ベース材６１０と、ベース材６１０を貫通する筒状の同軸導体６４１とを備えている。
【０２５６】
共振器６００は、金型成形により円筒状の貫通孔が形成されたベース材６１０の表面に、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の処理法により表面ＧＮＤ導体６４７及び端部導体６８２を形成し、この表面ＧＮＤ導体６４７と端部導体６８２が接続されるようにベース材６１０の内壁面に同軸導体６４１を形成し、同軸導体６４１と接続されるように共振器用ＨＯＴ端子６８１等を形成する。表面ＧＮＤ導体６４７、端部導体６８２、同軸導体６４１、共振器用ＨＯＴ端子６８１は、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等で形成する。ここで、同軸導体６４１は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路であり、同軸導体６４１を囲むようにベース材６１０に表面ＧＮＤ導体６４７が形成されている。
【０２５７】
この共振器のベース材６１０は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このようなベース材６１０としては、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。この共振器６００によれば、共振器６００を高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、共振器６００の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２５８】
（第２３実施形態）
図６０、図６１は、本発明の電子部品の第２３実施形態であるストリップ共振器を示している。ここで、図６０は透視斜視図、図６１は断面図である。
【０２５９】
図６０、６１に示すように、ストリップ共振器７００は、構成層７１０ａ〜７１０ｄを積層してなる積層体と、構成層７１０ｃ上に形成される長方形のストリップ導体７８４と、構成層７１０ｂ、構成層７１０ｄ上に、ストリップ導体７８４を挟むように形成される矩形状のＧＮＤ導体７８３とを有する。また、積層体の両側にはそれぞれ共振器用ＨＯＴ端子７８１およびＧＮＤ端子７８２が設けられ、ストリップ導体７８４の両端はそれぞれ共振器用ＨＯＴ端子７８１およびＧＮＤ端子７８２に接続されている。ストリップ共振器７００は、第１実施形態のインダクタと同様にして製造すればよい。
【０２６０】
ストリップ共振器７００の構成層７１０ａ〜７１０ｄは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このような構成層７１０ａ〜７１０ｄとしては、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。
【０２６１】
（第２４実施形態）
図６２は、本発明の電子部品の第２４実施形態である共振器を示す透視斜視図である。
【０２６２】
図６２に示すように、共振器８００は、ベース材８１０と、ベース材８１０を貫通する円筒状の同軸型導電体８４１と、ベース材８１０を貫通し同軸型導電体８４１と平行に設けられる同軸型導電体８４２とを備えている。ベース材８１０には、同軸型導電体８４２の一端に端部電極８８２が形成され、他端に接続用電極８８５が形成されている。また、同軸型導電体８４１の一端は接続用電極８８５を介して同軸型導電体８４２と接続され、他端には共振器用ＨＯＴ端子８８１が形成されている。ここで、端部電極８８２と共振器用ＨＯＴ端子８８１とは電気的に絶縁されている。そして、ベース材８１０を囲むように、表面ＧＮＤ導体８４７が形成されている。表面ＧＮＤ導体８４７は、端部電極８８２とは接続されているが、共振器用ＨＯＴ端子８８１とは電気的に絶縁されている。従って、同軸型導電体８４１、８４２は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路として機能する。
【０２６３】
この共振器８００のベース材８１０は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器８００の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このようなベース材８１０として、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。
【０２６４】
（第２５実施形態）
図６３は、本発明の電子部品の第２５実施形態であるストリップ共振器を示す透視斜視図である。
【０２６５】
図６３に示すように、ストリップ共振器８５０は、複数の構成層８１０を積層してなる積層体と、構成層８１０上に形成されるＵ字状のストリップ導体８８４と、ストリップ導体８８４を構成層８１０を介して上下より挟み込むようにして配置された矩形状のＧＮＤ導体８８３とを有する。また積層体の両側にはそれぞれ共振器用ＨＯＴ端子８８１およびＧＮＤ端子８８２が並設され、ストリップ導体８８４の両端部はそれぞれ共振器用ＨＯＴ端子８８１およびＧＮＤ端子８８２に接続されている。ストリップ共振器８５０の製造方法は、第１実施形態のインダクタと同様である。
【０２６６】
このストリップ共振器８５０の構成層８１０は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨから数ＧＨｚの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、ストリップ共振器８５０の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このような構成層８１０としては、上記絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好ましい。
【０２６７】
図６４は、上記第２２〜２５実施形態の共振器の等価回路図を示している。図６４に示すように、共振器用ＨＯＴ端子９８１が同軸路、またはストリップラインから構成される共振器９８４，９４１の一端に接続され、共振器９８４，９４１の他端にはＧＮＤ端子９８２が接続されている。
【０２６８】
（第２６実施形態）
図６５は、本発明の電子部品の第２６実施形態を示すブロック構成図であり、携帯端末機器に本発明の電子部品を使用した例を示している。
【０２６９】
図６５に示す携帯端末器１０００においては、ベースバンドユニット１０１０から送出された送信信号は、ミキサ１００１により混成回路１０２１からのＲＦ信号と混合される。この混成回路１０２１には電圧制御発信回路（ＶＣＯ）１０２０が接続されていて、フェーズロックループ回路（ＰＬＬ）１０１９と共にシンセサイザ回路を構成し、所定の周波数のＲＦ信号が供給されるようになっている。
【０２７０】
ミキサ１００１によりＲＦ変調が行われた送信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１００２を経て、パワーアンプ１００３により増幅される。このパワーアンプ１００３の出力の一部は、カプラ１００４から取り出され、減衰器１００５で所定のレベルに調整された後、再びパワーアンプ１００３に入力され、パワーアンプ１００３の利得が一定になるように調整される。カプラ１００４から送出された送信信号は、逆流防止用のアイソレータ１００６、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）１００７を経てデュプレクサ１００８に入力され、これと接続されているアンテナ１００９から送信される。
【０２７１】
一方、アンテナ１００９に入力された受信信号は、デュプレクサ１００８からアンプ１０１１に入力され、所定のレベルに増幅される。アンプ１０１１から出力された受信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１０１２を経て、ミキサ１０１３に入力される。このミキサ１０１３には、混成回路１０２１からバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１０２２を経てＲＦ信号が入力され、ＲＦ信号成分が除去され、復調される。ミキサ１０１３から出力された受信信号は、ＳＡＷフィルタ１０１４を経てアンプ１０１５で増幅された後、ミキサ１０１６に入力される。ミキサ１０１６には局部発信回路１０１８から所定の周波数の局部発信信号が入力され、前記受信信号は所望の周波数に変換され、アンプ１０１７で所定のレベルに増幅された後、ベースバンドユニット１０１０へ送出される。
【０２７２】
上記携帯端末器１０００は、アンテナ１００９、デュプレクサ１００８、ローパスフィルタ１００７を含むアンテナフロントエンドモジュール（図６５の破線参照）１２００や、アイソレータ１００６、カップラ１００４、減衰器１００５、パワーアンプ１００３を含むアイソレータパワーアンプモジュール（図６５の破線参照）１１００等として、上記のアンテナやパワーアンプを用いることができ、これによりハイブリッドモジュールを構成することができる。また、これら以外の構成要素を含むものをＲＦユニットとして構成できることは既に第２１実施形態で示した通りであり、図６５のＢＰＦ、ＶＣＯ等も、第９〜１１実施形態および第１８実施形態に示すＶＣＯ等を用いることができる。
【０２７３】
上記のようにして携帯端末機器に本実施形態の電子部品を搭載すると、電子部品の小型化により携帯端末器１０００を小型化することができる。また本実施形態の電子部品は曲げ強度に優れるため、電子部品の付け時において、電子部品の欠損ないし変形等を十分に防止することができる。さらに本実施形態の電子部品は、高湿度で使用しても誘電特性の経時変化が十分に防止されるため、携帯端末器１０００を高湿度で使用してもその性能を長期間にわたって維持することができる。
【０２７４】
（第２７実施形態）
図６６〜６８は、本発明の第２７実施形態であるプリント配線板の製造工程を示している。まず、図６６（ａ）に示す複合材料１１０１の上下両面に銅箔１１０２が貼り付けられた両面銅箔付シートを準備し、このシートの銅箔１１０２上にレジストフィルム１１０３を配置し（図６６（ｂ））、さらにマスク１１０４を配置して露光（図６６（ｃ））、現像（図６６（ｄ））、エッチング（図６６（ｅ））した後、レジストを剥離し（図６６（ｆ））、両面パターニング基板を形成する。次に、図６６（ｇ）に示すように、３つのプリプレグ１１０５と２つの両面パターニング基板とを交互に重ね合わせて５層に積層し、加圧加熱して成形する。続いて、例えば、ＮＣ加工により貫通スルーホール１１０６を形成し（図６６（ｈ））、形成した貫通スルーホール１１０６にデスミア無電解メッキを施し、無電解メッキ膜１１０７を形成する（図６６（ｉ））。次に、電解メッキを施し（図６７（ｊ））、研磨した後（図６７（ｋ））、レジストを配置し（図６７（ｌ））、さらに、マスク１１０８を配置して露光（図６７（ｍ））、現像（図６７（ｎ））、エッチング（図６７（ｏ））した後、レジストを剥離する（図６８（ｐ））。続いて、レジストを配置し（図６８（ｑ））、ニッケルメッキ、金メッキすることにより（図６８（ｒ））、プリント配線板が形成される。このように形成されたプリント配線板の複合材料１１０１、プリプレグ１１０５として、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。
【０２７５】
（第２８実施形態）
図６９〜７１は、本発明の第２８実施形態であるプリント配線板の製造工程を示している。第２７実施形態と同様に、図６９（ａ）に示す複合材料１２０１の上下両面に銅箔１２０２が貼り付けられた両面銅箔付シートを準備し、このシートの銅箔１２０２上にレジストフィルム１２０３を配置し（図６９（ｂ））、さらにマスク１２０４を配置して露光（図６９（ｃ））、現像（図６９（ｄ））、エッチング（図６９（ｅ））した後、レジストを剥離し（図６９（ｆ））、両面パターニング基板を形成する。次に、図６９（ｇ）に示すように、両面パターニング基板を挟むように、半硬化シート（ＲＣＣ）１２０５を重ねて加圧加熱して成形する。続いて、レジスト、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を行った後（図６９（ｈ））、レーザー加工を行い、スルーホールを形成する（図６９（ｉ））。次に、スルーホールにデスミア無電解メッキを施し、無電解メッキ膜を形成した後（図６９（ｊ））、電解メッキを施し（図７０（ｋ））、研磨した後（図７０（ｌ））、これを挟むように、半硬化シート（ＲＣＣ）を重ねて加圧加熱して成形する（図７０（ｍ））。続いて、レジスト、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を行った後（図７０（ｎ））、デスミア無電解メッキ、電解メッキ、研磨を施し（図７０（ｏ））、さらに、レジスト、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を行う（図７０（ｐ））。そして、レジストを配置し（図７１（ｑ））、ニッケルメッキ、金メッキすることにより（図７１（ｒ））、プリント配線板が形成される。このように形成されたプリント配線板の複合材料１２０１、ＲＣＣ１２０５として、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。
【０２７６】
本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明のプリント配線板および電子部品は、上記実施形態に記載の回路および電子部品のほか、コイルコア、トロイダルコア、円盤コンデンサ、貫通ンデンサ、クランプフィルタ、コモンモードフィルタ、ＥＭＣフィルタ、電源用フィルタ、パルストランス偏向コイル、チョークコイル、ＤＣ−ＤＣコンバータ、ディレイライン、電波吸収シート、薄型電波吸収体電磁シールド、ダイプレクサ、デュプレクサ、アンテナスイッチ回路、アンテナフロントエンド回路、アイレータ・パワーアンプ回路、ＰＬＬ回路、フロントエンド回路、チューナー回路ユニット、方向性結合器、ブルバランスドミキサー（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配器、トナーセンサ、電流センサ、アクチュエータサウンダ（圧電型音声発生器）、マイク、レシーバ、ブザー、ＰＴＣサーミスタ、温度ヒューズ、フェライト石等であってもよい。
【実施例】
【０２７７】
以下に実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【０２７８】
＜合成例１＞
反応容器に水１０００ｍｌ、および水酸化ナトリウム２０ｇを入れ、窒素気流中で、表１の合成例１の欄に示した量の芳香族モノヒドロキシ化合物と芳香族多価ヒドロキシ化合物とを投入し、ファードラー翼により毎分３００回転で１時間攪拌した。次いで、３０℃に保った反応容器に、塩化メチレン１０００ｍｌ中に表１の合成例１の欄に示した量の芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物を溶解した溶液を１５秒かけて滴下し、４時間攪拌を続けた。得られた混合液を静置分液して水相を除去し、残った塩化メチレン相を０．５％濃度の水酸化ナトリウム水溶液による洗浄、および水相の除去を３回繰り返し、さらに、脱イオン水による洗浄と水相の除去を３回繰り返した。洗浄後の塩化メチレン相を４００ｍｌまで濃縮した後、ヘプタン１０００ｍｌを１５秒かけて滴下し、析出物をメタノールにより洗浄し、ろ過、乾燥してポリエステル（Ａ１）を得た。
【０２７９】
＜合成例２〜３＞
合成例１における、表１の合成例１の欄に示した量の芳香族モノヒドロキシ化合物、芳香族多価ヒドロキシ化合物の代わりに、表１の合成例２、３の欄に示した量の芳香族モノヒドロキシ化合物、芳香族多価ヒドロキシ化合物を使用した以外は合成例１と同様にして、ポリエステル（Ａ２）〜（Ａ３）を得た。
【０２８０】
＜合成例４＞
反応容器に水１０００ｍｌ、および水酸化ナトリウム２０ｇを入れ、窒素気流中で、表１の合成例４の欄に示した量の芳香族モノヒドロキシ化合物を投入し、ファードラー翼により毎分３００回転で１時間攪拌した。次いで、３０℃に保った反応容器に、塩化メチレン１０００ｍｌ中に表１の合成例４の欄に示した量の芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物を溶解した溶液を１５秒かけて滴下し、４時間攪拌を続けた。得られた混合液を静置分液して水相を除去し、残った塩化メチレン相を０．５％濃度の水酸化ナトリウム水溶液による洗浄、および水相の除去を３回繰り返し、さらに、脱イオン水による洗浄と水相の除去を３回繰り返した。洗浄後の塩化メチレン相を４００ｍｌまで濃縮した後、ヘプタン１０００ｍｌを１５秒かけて滴下し、析出物をメタノールにより洗浄し、ろ過、乾燥してエステル（Ｂ１）を得た。
【０２８１】
＜合成例５＞
反応容器に水１０００ｍｌ、および水酸化ナトリウム２０ｇを入れ、窒素気流中で、表１の合成例１の欄に示した量の芳香族モノヒドロキシ化合物と芳香族多価ヒドロキシ化合物とを投入し、ファードラー翼により毎分３００回転で１時間攪拌した。次いで、３０℃に保った反応容器に、塩化メチレン１０００ｍｌ中に表１の合成例５の欄に示した量の芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物を溶解した溶液を１５秒かけて滴下し、４時間攪拌を続けた。得られた混合液を静置分液して水相を除去し、残った塩化メチレン相を０．５％濃度の水酸化ナトリウム水溶液による洗浄、および水相の除去を３回繰り返し、さらに、脱イオン水による洗浄と水相の除去を３回繰り返した。洗浄後の塩化メチレン相を４００ｍｌまで濃縮した後、ヘプタン１０００ｍｌを１５秒かけて滴下し、析出物をメタノールにより洗浄し、ろ過、乾燥してポリエステル（Ａ４）を得た。
【０２８２】
＜合成例６＞
合成例５における、表１の合成例５の欄に示した量の芳香族多価ヒドロキシ化合物、芳香族モノカルボン酸の代わりに、表１の合成例６の欄に示した量の芳香族モノカルボキシル化合物、芳香族モノカルボン酸を使用した以外は合成例５と同様にして、ポリエステル（Ａ５）を得た。
【０２８３】
＜合成例７＞
反応容器にテトラヒドロフラン４００ｍｌを入れ、窒素気流中で、トリエチルアミン１１ｇとレゾルシノール５．１ｇとを溶解させ、氷冷しながらイソフタル酸クロリド５．１ｇをテトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解した溶液を３０分かけて滴下した。４時間撹拌した後、ｐ−アセトキシ安息香酸クロリド１９．９ｇをテトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解した溶液を滴下した。滴下終了後、溶液を５％濃度の炭酸ナトリウム水溶液中に注ぎ、析出物を吸引濾過、水およびメタノールで洗浄し、減圧乾燥して、下記式（２３）で表される、ポリエステル（Ｈ１）（数平均分子量２９００）を得た。
【０２８４】
【化３７】
（２３）
【０２８５】
＜合成例８＞
反応容器に水１０００ｍｌ、および水酸化ナトリウム２０ｇを入れ、窒素気流中で、ビスフェノールＡ４５．７ｇ、およびテトラブチルアンモニウムブロミド１．２ｇを溶解させた。３０℃に保った反応容器に、イソフタル酸クロリド３２．５ｇ、およびテレフタル酸クロリド８．１ｇを溶解させた塩化メチレン溶液１０００ｍｌを３０秒で滴下した。１時間撹拌した後、静置して分液し、水相を取り除いた。残った塩化メチレン相を０．５％濃度の水酸化ナトリウム水溶液による洗浄、水相の除去を３回繰り返し、さらに、脱イオン水による洗浄と水相の除去を３回繰り返した。洗浄後の塩化メチレン相を４００ｍｌまで濃縮した後、ヘプタン１０００ｍｌを１５秒かけて滴下した後、析出物をメタノールにより洗浄し、ろ過、乾燥して、下記式（２４）で表される、ポリエステル（Ｈ２）（数平均分子量８６００）を得た。
【０２８６】
【化３８】
（２４）
【０２８７】
＜合成例９＞
反応容器に、トルエン５００ｇとエチレングリコールモノエチルエーテル２００ｇの混合溶媒にトリメチルヒドロキノン１５２ｇを溶解した溶液を入れ、該溶液にｐ−トルエンスルホン酸４．６ｇを加えた後、ベンズアルデヒド６４ｇを滴下して、水分を留去しながら１２０℃で１５時間撹拌した。次いで、冷却して析出した結晶をろ別し、ろ液が中性になるまで繰り返し水で洗浄して、下記式（２５）で表されるジヒドロキシベンゾピランを得た。
【０２８８】
【化３９】
（２５）
【０２８９】
＜合成例１０＞
反応容器に、上記式（２５）で表されるジヒドロキシベンゾピラン１８７ｇ、エピクロルヒドリン４６３ｇ、ｎ−ブタノール５３ｇ、およびテトラエチルベンジルアンモニウムクロリド２．３ｇを仕込み、窒素気流中で溶解させ、６５℃の温度で共沸する圧力まで減圧した後、４９％水酸化ナトリウム水溶液８２ｇを５時間かけて滴下し、３０分撹拌した。未反応のエピクロルヒドリンを減圧蒸留して留去した後、メチルイソブチルケトン５５０ｇとｎ−ブタノール５５ｇとを加えて得られた溶液に、１０％水酸化ナトリウム水溶液１５ｇを添加して８０℃で２時間反応させ、反応物を水洗して下記式（２６）で表されるベンゾピラン型エポキシ樹脂を得た。
【０２９０】
【化４０】
（２６）
【０２９１】
【表１】
【０２９２】
表１に示す芳香族多価ヒドロキシ化合物は、各々下記を表す。
ＤＨＤＢＰ：ジヒドロキシベンゾピラン（式（１３）におけるＹがフェニル基で置換されたメチレン基であり、ｎ、ｍが共に３である、合成例９で得られた式（２５）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物。ヒドロキシ基当量１８７ｇ／ｅｑ）。
ＤＣＰＤＤＰ：日本石油株式会社製ジシクロペンタジエニルジフェノール「ＤＰＰ―６０８５」（式（１２）においてｋの平均値が０．１６である芳香族ジヒドロキシ化合物。ヒドロキシ基当量１６５ｇ／ｅｑ）。
ＤＨＤＮ：東京化成工業株式会社製ジヒドロキシジナフタレン（式（１４）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物。ヒドロキシ基当量１４３ｇ／ｅｑ）。
【０２９３】
＜実施例１〜５、１４〜１７＞
合成例１〜６で得られたポリエステルＡ１〜Ａ５、エステルＢ１を硬化剤として、これら硬化剤とエポキシ樹脂、硬化促進剤、有機溶剤（溶媒）、難燃剤および必要に応じてスチレン系エラストマーまたはブタジエン系ポリマーを表２に示す組成で２５℃で混合し、ワニスを調製した。
＜実施例６〜１３、１８〜２４＞
表２に示す組成に従い、合成例１〜６で得られたポリエステルＡ１〜Ａ５とエステルＢ１を硬化剤として、これら硬化剤とエポキシ樹脂、硬化促進剤、溶媒、および必要に応じて難燃剤またはスチレン系エラストマーを２５℃で混合し樹脂を溶解させた後、カップリング剤および誘電体粉末を加えて分散させて、ワニスを調製した。
【０２９４】
調製したワニスを公知のドクターブレード法による塗工機にてＰＥＴフィルム上に塗工・乾燥し、厚さ５０μｍの複合誘電体の半硬化物シートを作製した。得られた複合誘電体シートを２０枚重ね合わせ、真空中１５０℃、４ＭＰａの条件で１時間加圧プレスし、次いで、真空乾燥器中、１９０℃で１０時間熱硬化させ、エポキシ樹脂硬化物を得た。
【０２９５】
＜比較例１、７＞
実施例１、１４において、難燃剤を省いた以外は実施例と全く同様にしてワニスを調製した。
【０２９６】
＜比較例２〜５＞
合成例７〜８で得られたポリエステルＨ１およびＨ２、アジピン酸ジ（ニトロフェニル）エステル、およびメチルテトラヒドロ無水フタル酸を硬化剤として用い、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、および有機溶剤を表３に示す組成で混合し、ワニスを調製した。
【０２９７】
＜比較例６、８＞
表３に示す組成に従い、合成例１、５得られたポリエステルＡ１、Ａ４を硬化剤として、これら硬化剤とエポキシ樹脂、硬化促進剤、溶媒、および難燃剤を２５℃で混合し樹脂を溶解させた後、カップリング材および誘電体粉末を加えて分散させて、ワニスを調製した。
【０２９８】
調製したワニスを公知のドクターブレード法による塗工機にてＰＥＴフィルム上に塗工・乾燥し、厚さ５０μｍの複合誘電体の半硬化物シートを作製した。得られた複合誘電体シートを２０枚重ね合わせ、真空中１５０℃、４ＭＰａの条件で１時間加圧プレスし、次いで、真空乾燥器中、１９０℃で１０時間熱硬化させ、エポキシ樹脂硬化物を得た。
【０２９９】
【表２】
【０３００】
【表３】
【０３０１】
表２と表３中に示すエポキシ樹脂、硬化促進剤、難燃剤、スチレン系エラストマー、ブタジエン系ポリマーは、各々下記を表す。また、表２と表３中のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、溶媒、誘電体粉末、シランカップリング剤、難燃剤、スチレン系エラストマー、ブタジエン系ポリマー、及び重合開始剤の欄の数値は質量（ｇ）を表す。
【０３０２】
ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｈ：大日本インキ化学工業株式会社製ジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２８０ｇ／ｅｑ）。
ベンゾピラン型エポキシ樹脂：合成例１０で得られた、式（２６）で表されるベンゾピラン型エポキシ樹脂（エポキシ当量２６５ｇ／ｅｑ）。
ＤＭＡＰ：４−ジメチルアミノピリジン。
ＳＡＹＴＥＸ８０１０：アルベマールコーポレーション製のエタン−１，２−ビス（ペンタブロモフェニル）。
ＫＲＡＴＯＮ Ｇ １７０１：クレイトンポリマー製のスチレン−エチレン−プロピレンのジブロック共重合体。
ＢＦ−１０００：旭電化工業株式会社製の部分エポキシ化した１，２−ポリブタジエン（オキシラン酸素＝８％）。
【０３０３】
実施例１〜２４および比較例１〜８で得られたワニスを用いて、下記の方法により、実施例１〜２４および比較例１〜８の半硬化シート（Ａ）、半硬化シート（Ｂ）、プリプレグ状シート（Ｃ）、硬化物シート（Ｄａ）、両面銅箔付硬化物シート（Ｄｂ）、ガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）、両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆａ）、両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆｂ）を製造した。
【０３０４】
［半硬化シート（Ａ）、半硬化シート（Ｂ）］
上記で得られたワニスを横型塗工機（ヒラノテクシード社製）により、ドクターブレードにてギャップを制御し、塗工を行った。
支持体にはポリエチレンテレフタレートシート（厚み５０μｍ）もしくは、１８μｍ電解銅箔（日鉱マテリアルズ ＪＴＣ箔）を使用し、ギャップは１００〜１５０μｍで速度０．３ｍ／ｍｉｎ，乾燥は１２０℃／５分の熱風乾燥にて行い、ロールｔｏロールにて巻取った。これを１００×１００ｍｍのサイズに裁断し、絶縁層厚み５０μｍの片面ＰＥＴ支持体付半硬化シートＡ（実施例１〜２４）および片面銅箔付半硬化シートＢ（実施例１〜２４）を得た。比較例１〜８についても同様の手順により、片面にＰＥＴ支持体が付いた半硬化シートＡおよび片面に銅箔が付いた半硬化シートＢを作製した。
【０３０５】
［プリプレグ状シート（Ｃ）］
上記で得られたワニスを、含浸塗工装置（市金エンジニアング社製）を用い、ガラスクロス（１０８０タイプ、Ｅガラス、旭シュエーベル社製）に含浸塗工を行った。塗工速度は０．３ｍ／ｍｉｎでギャップは３００μｍ、乾燥条件は８０℃／５分＋１２０℃／５分で行い、ロールｔｏロールで巻き取った。さらに１００×１００ｍｍに裁断し、厚み１００μｍの実施例１〜２４、比較例１〜８に係るプリプレグ状シートＣを得た。
【０３０６】
［硬化物シート（Ｄａ）］
上記実施例１〜２４、比較例１〜８に係る半硬化シートＡを１００℃に加熱したホットプレート上にて貼り付け、支持体除去を１６回繰り返し、厚み０．８ｍｍの厚い半硬化シートを得、さらに高温真空プレス（ＫＶＨＣ型、北川精機株式会社製）を用い、４℃分→１３０℃／６０分キープ→４℃／分→１９０℃／３時間、圧力１ＭＰａの条件にて高温真空プレスを行った。得られた硬化物シート（Ｄａ）の厚みは０．７ｍｍである。
【０３０７】
［両面銅箔付硬化物シート（Ｄｂ）］
上記実施例１〜２４、比較例１〜８に係る銅箔付きの半硬化シート（Ｂ）を、絶縁層（樹脂層）を合わせて重ね合わせ、高温真空プレス（ＫＶＨＣ型、北川精機株式会社製）を用い、４℃／分→１３０℃／６０分キープ→４℃／分→１９０℃／３時間、圧力２ＭＰａの条件にて高温真空プレスを行った。得られた両面銅箔付硬化物シート（Ｄｂ）の厚みは０．１ｍｍであった。
【０３０８】
［ガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）］
実施例１〜２４、比較例１〜８に係るプリプレグ状シート（Ｃ）を８枚重ねあわせ、高温真空プレス（ＫＶＨＣ型、北川精機株式会社製）を用い、４℃／分→１３０℃／６０分キープ→４℃／分→１９０℃／３時間、圧力１ＭＰａの条件にて高温真空プレスを行った。得られたガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）の厚みは０．７ｍｍであった。
【０３０９】
［両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆａ）］
実施例１〜２４，比較例１〜８に係るプリプレグ状シート（Ｃ）の上下両面に、１８μ厚の電解銅箔（日鉱マテリアルズ社製、ＪＴＣ箔）を重ね合わせ、高温真空プレス（ＫＶＨＣ型、北川精機株式会社製）を用い、４℃／分→１３０℃／６０分キープ→４℃／分→１９０℃／３時間、圧力２ＭＰａの条件にて高温真空プレスを行った。得られた両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆａ）の厚みは０．１ｍｍであった。
【０３１０】
［両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆｂ）］
実施例１〜２４、比較例１〜８に係る銅箔付きの半硬化シート（Ｂ）の間にガラスクロス（１０８０タイプ、Ｅガラス、旭シュエーベル社製）をはさみ、高温真空プレス（ＫＶＨＣ型、北川精機株式会社製）を用い、４℃／分→１３０℃／６０分キープ→４℃／分→１９０℃／３時間、圧力２ＭＰａの条件にて高温真空プレスを行った。得られた両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆｂ）の厚みは０．１ｍｍであった。
【０３１１】
以上の方法により製造した半硬化シート、プリプレグ状シート、硬化物シート、ガラスクロス入硬化物シート、両面銅箔付硬化物シート、両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シートの評価を以下の方法によって行った。その結果を表４に示す。
【０３１２】
（誘電特性の測定）
硬化物シート（Ｄａ）およびガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）について、ＴＤＫオリジナル測定方法である摂動法により、絶乾後２３℃、湿度５０％の室内に２４時間保管した後のエポキシ樹脂硬化物、および１２１℃、２時間のプレッシャークッカーテストによる吸湿試験後のエポキシ樹脂硬化物の２ＧＨｚでの誘電率およびＱ値（誘電正接の逆数）を測定した。
誘電率の変化率は下記式で算出した
誘電率の変化率（％）＝（吸湿後の誘電率−初期誘電率）／（初期誘電率）×１００
【０３１３】
（銅箔引き剥がし（ピール強度）試験）
両面銅箔付硬化物シート（Ｄｂ）および両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆａ），（Ｆｂ）について、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に基づき、幅１０ｍｍの箔を５０ｍｍ／分の速さで垂直に引き剥がしたときの強度を測定した。
【０３１４】
（ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定）
硬化物シート（Ｄａ）およびガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）について、セイコー電子工業株式会社製粘弾性スペクトロメータ「ＤＭＳ２００」により、１Ｈｚにおけるｔａｎδのピーク値の温度をガラス転移温度として測定した。
【０３１５】
（ＵＬ―９４難燃性試験）
硬化物シート（Ｄａ）およびガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）について、ＵＬ―９４の規格に準拠した垂直燃焼試験により、合格するものを○、不合格なものを×とした。
【０３１６】
（はんだ耐熱性試験）
硬化物シート（Ｄａ）およびガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）について、ＪＩＳ−Ｃ−６４８１に準拠した方法により、３００℃のはんだ浴に１２０秒間浸漬したエポキシ樹脂硬化物の状態を目視により評価した。目視により、膨れ、割れなどがないものを○、膨れ、割れなどが発生したものを×とした。
【０３１７】
【表４】
【０３１８】
表４に示す結果から明らかなように、本発明のエポキシ樹脂硬化物を用いて製造された実施例１〜２４の各種シートは、低い誘電正接、高い耐熱性、高い体積抵抗率（絶縁性）を示すと共に、難燃性に優れる。さらに、可とう性付与材としてスチレン系またはポリブタジエン系ポリマーを添加したエポキシ樹脂硬化物を用いて製造された実施例２〜４、７〜１３、１５〜１６、１９〜２４の各種シートは、半硬化状態（Ｂステージ）における可とう性が良好であり、ハンドリング性や耐クラック性などが改善されたものとなる。このように、誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、難燃性が高い材料から構成されたプリント配線板および電子部品を提供することができる。
【０３１９】
以上説明したように、本発明のプリント配線板および電子部品においては、分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステル（Ａ）をエポキシ樹脂組成物の硬化剤とすることで、硬化時に極性の高いヒドロキシ基が生成せず、誘電正接の低いエポキシ樹脂硬化物が得られるため、優れた電気特性を得ることが可能になる。該硬化物は吸湿にともなう加水分解により誘電正接を増加させる低分子量のカルボン酸が遊離せず、高湿度条件下においても低い誘電正接を示す。
【０３２０】
また、分子鎖内部にもエポキシ基に対して反応活性を持つエステル結合を有するため、該ポリエステル（Ａ）をエポキシ樹脂の硬化剤として使用すると、エポキシ樹脂硬化物の架橋密度が高くなり、ガラス転移温度が高く、耐熱性に優れたプリント配線板および電子部品が得られる。
【０３２１】
さらに、硬化促進剤を添加することにより、エポキシ樹脂硬化物の硬化速度を促進して生産性を向上することができる。難燃剤を添加することにより、電気絶縁用材料用途に要求される難燃性を付与することができる。有機溶剤を添加することにより、プリント配線板および電子部品の材料の製造に必要な塗工性、含浸性を付与することができる。
【０３２２】
特に、芳香族多価ヒドロキシ化合物残基が式（１）〜（４）で表される、嵩高い芳香環や脂環式構造を分子内に複数有する基である場合、得られるポリエステル（Ａ）の分子鎖の結晶化が抑えられ、該ポリエステル（Ａ）は有機溶剤中への溶解性に優れ、該ポリエステル（Ａ）を含有するエポキシ樹脂組成物を溶媒に溶解させる際や、ワニスを調整する際には、使用する溶媒量が少量でよい。
また、芳香族多価カルボン酸として、一般式（５）〜（７）で表される芳香族多価カルボン酸から得られるポリエステル（Ａ）は、各種溶媒に対し優れた溶解性を示す。また、一般式（８）〜（１０）で表される芳香族モノヒドロキシ化合物を使用したポリエステル（Ａ）を硬化剤としたエポキシ樹脂組成物からは、低い誘電正接を示すエポキシ樹脂硬化物が得られる。
【０３２３】
前記難燃剤として、臭素化芳香族系難燃剤を用いたエポキシ樹脂硬化物は、誘電正接や誘電率等の電気特性に対して悪影響を与えにくく、電気絶縁用材料などの用途に好適である。
【０３２４】
可とう性付与材として、スチレン系エラストマー、およびポリブタジエン系ポリマーの少なくとも一つを添加したエポキシ樹脂硬化物は、半硬化状態でのハンドリング性に優れ、クラックや切断の際の樹脂落ち（粉落ち）等を抑制することができる。
【０３２５】
本発明のプリント配線板および電子部品は、上記エポキシ樹脂硬化物を用いて製造されるものであるので、低い誘電正接、高い耐熱性、および難燃性を備え、特に高湿度の環境下でも誘電率が変化しにくい。これによって高湿度条件下において特性変化の小さなプリント基板および電子部品を得られる。
【図面の簡単な説明】
【０３２６】
【図１】本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図２】本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示す断面図である。
【図３】本発明の電子部品の第２実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図４】本発明の電子部品の第２実施形態であるインダクタを示す断面図である。
【図５】本発明の電子部品の第３実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図６】本発明の電子部品の第３実施形態であるインダクタを示す断面図である。
【図７】本発明の電子部品の第４実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図８】本発明の電子部品の第４実施形態であるインダクタを示す断面図である。
【図９】本発明の電子部品の第５実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図１０】（ａ）は本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示す等価回路図であり、（ｂ）は本発明の電子部品の第５実施形態であるインダクタを示す等価回路図である。
【図１１】本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタを示す透視斜視図である。
【図１２】本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタを示す断面図である。
【図１３】本発明の電子部品の第７実施形態であるキャパシタを示す透視斜視図である。
【図１４】（ａ）は本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタを示す等価回路図であり、（ｂ）は本発明の電子部品の第７実施形態であるキャパシタを示す等価回路図である。
【図１５】本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスを示す透視斜視図である。
【図１６】本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスを示す断面図である。
【図１７】本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスの各構成層の分解平面図である。
【図１８】本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスを示す等価回路図である。
【図１９】本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタを示す斜視図である。
【図２０】本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタを示す分解斜視図である。
【図２１】本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２２】本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタの伝達特性を示すグラフである。
【図２３】本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタを示す斜視図である。
【図２４】本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタを示す分解斜視図である。
【図２５】本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２６】本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタの伝達特性を示すグラフである。
【図２７】本発明の電子部品の第１１実施形態であるカプラを示す透視斜視図である。
【図２８】本発明の電子部品の第１１実施形態であるカプラを示す断面図である。
【図２９】本発明の電子部品の第１１実施形態であるカプラの各構成層の分解斜視図である。
【図３０】本発明の電子部品の第１１実施形態であるカプラの内部結線図である。
【図３１】本発明の電子部品の第１１実施形態であるカプラの等価回路図である。
【図３２】本発明の電子部品の第１２実施形態であるアンテナを示す透視斜視図である。
【図３３】本発明の電子部品の第１２実施形態であるアンテナを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図である。
【図３４】本発明の電子部品の第１２実施形態であるアンテナの各構成層の分解斜視図である。
【図３５】本発明の電子部品の第１３実施形態であるアンテナを示す透視斜視図である。
【図３６】本発明の電子部品の第１３実施形態であるアンテナを示す分解斜視図である。
【図３７】本発明の電子部品の第１４実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図３８】本発明の電子部品の第１４実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。
【図３９】本発明の電子部品の第１５実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図４０】本発明の電子部品の第１５実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。
【図４１】本発明の電子部品の第１６実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図４２】本発明の電子部品の第１６実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。
【図４３】本発明の電子部品の第１７実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図４４】本発明の電子部品の第１７実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。
【図４５】本発明の電子部品の第１８実施形態であるＶＣＯを示す透視斜視図である。
【図４６】本発明の電子部品の第１８実施形態であるＶＣＯを示す断面図である。
【図４７】本発明の電子部品の第１８実施形態であるＶＣＯを示す等価回路図である。
【図４８】本発明の電子部品の第１９実施形態であるパワーアンプの各構成層の分解平面図である。
【図４９】本発明の電子部品の第１９実施形態であるパワーアンプを示す断面図である。
【図５０】本発明の電子部品の第１９実施形態であるパワーアンプを示す等価回路図である。
【図５１】本発明の電子部品の第２０実施形態である重畳モジュールの各構成層の分解平面図である。
【図５２】本発明の電子部品の第２０実施形態である重畳モジュールを示す断面図である。
【図５３】本発明の電子部品の第２０実施形態である重畳モジュールを示す等価回路図である。
【図５４】本発明の電子部品の第２１実施形態であるＲＦモジュールを示す斜視図である。
【図５５】図５４の外装部材を外した状態でのＲＦモジュールの斜視図である。
【図５６】本発明の電子部品の第２１実施形態であるＲＦモジュールの各構成層の分解斜視図である。
【図５７】本発明の電子部品の第２１実施形態であるＲＦモジュールを示す断面図である。
【図５８】本発明の電子部品の第２２実施形態である共振器を示す透視斜視図である。
【図５９】本発明の電子部品の第２２実施形態である共振器を示す断面図である。
【図６０】本発明の電子部品の第２３実施形態であるストリップ共振器を示す透視斜視図である。
【図６１】本発明の電子部品の第２３実施形態であるストリップ共振器を示す断面図である。
【図６２】本発明の電子部品の第２４実施形態である共振器を示す透視斜視図である。
【図６３】本発明の電子部品の第２５実施形態であるストリップ共振器を示す透視斜視図である。
【図６４】本発明の電子部品の第２２〜２５実施形態である共振器の等価回路図である。
【図６５】本発明の電子部品の第２６実施形態である携帯端末器の高周波数部を示すブロック構成図である。
【図６６】本発明の第２７実施形態であるプリント配線板の製造工程を示す図である。
【図６７】本発明の第２７実施形態であるプリント配線板の製造工程を示す図である。
【図６８】本発明の第２７実施形態であるプリント配線板の製造工程を示す図である。
【図６９】本発明の第２８実施形態であるプリント配線板の製造工程を示す図である。
【図７０】本発明の第２８実施形態であるプリント配線板の製造工程を示す図である。
【図７１】本発明の第２８実施形態であるプリント配線板の製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【０３２７】
１０ インダクタ（電子部品）
１０ａ〜１０ｅ 構成層（絶縁層もしくは誘電体層）
１３ 内部導体（導電性素子部）
１４ ビアホール（導電性素子部）
２０ キャパシタ（電子部品）
２０ａ〜２０ｇ 構成層（絶縁層もしくは誘電体層）
２３ 内部導体（導電性素子部）
４０ バルントランス（電子部品）
４０ａ〜４０ｏ 構成層（絶縁層もしくは誘電体層）
４３ 内部導体（導電性素子部）
４５ ＧＮＤ導体（導電性素子部）
６０ 積層フィルタ（電子部品）
１１０ カプラ（電子部品）
１３０、１４０ アンテナ（電子部品）
１５０、１６０、１７０ パッチアンテナ（電子部品）
１４０ａ〜１４０ｃ 構成層（絶縁層もしくは誘電体層）
１４３ａ、１４３ｂ 内部導体（導電性素子部）
１４４ ビアホール（導電性素子部）
１５０ａ 構成層（絶縁層もしくは誘電体層）
１５５ ＧＮＤ導体（導電性素子部）
１５９ パッチ導体（導電性素子部）
１５９ａ、１５９ｅ パッチ導体（導電性素子部）
１６０ パッチアンテナ（電子部品）
１６０ａ…構成層（絶縁層もしくは誘電体層）
１６５…ＧＮＤ導体（導電性素子部）
１６９…パッチ導体（導電性素子部）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板および電子部品に関し、特に、高周波領域において有用なプリント配線板および電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信情報の急増や機能の付加に伴い、プリント配線板、電子部品等には、種々の特性が一層厳しく要求されるようになっている。例えば、携帯移動通信、衛星通信においては、ギガＨｚ帯のような高周波域の電波が使用されるようになっており、このような高周波域の電波に対応するため、プリント配線板および電子部品においては、伝送損失が低いことが求められている。
【０００３】
伝送損失は、数式１に示すように、誘電損失と導体損失との和で求められる。誘電損失は、数式２に示すように、誘電率及び誘電正接が低いほど低くなる。このため、誘電率及び誘電正接を低くする必要がある。配線やインダクタ素子を形成する材料にはこのような特性の材料が有益である。
【０００４】
（数式１）
（伝送損失）＝（誘電損失）＋（導体損失）
【０００５】
（数式２）
（誘電損失）＝（係数）×（周波数）×（誘電率）１／２×（誘電正接）
【０００６】
また、通信情報の急増や機能の付加に伴い、通信機器において回路の小型化が強く望まれている。回路の小型化を図るためには、回路の多層化に加えキャパシタ素子などの回路を内蔵するに当たり、単位面積あたりの静電容量値をあげて電極面積を小さくする必要がある。
【０００７】
静電容量値は、数式３に示すように、絶縁層の厚みあたりの誘電率と電極面積との積で求められる。このため、静電容量値を高くするには誘電率を高くすることが有効である。キャパシタ素子、共振器などを形成する材料には、このような特性の材料を用いることが有益である。
【０００８】
（数式３）
（静電容量値）＝（誘電率）×（電極面積）／（絶縁層厚み）
【０００９】
このように、プリント配線板および電子部品について、高周波領域における伝送損失を低減するためには、誘電率および誘電正接が低い材料を用いることが望まれ、回路の小型化を達成するためには、誘電率を高くし且つ誘電正接を低くしたバランスの取れた材料が望まれる。
【００１０】
また、環境による電気特性の変化が大きいと、共振器やフィルタに寄与する素子には不向きであるため、このような素子として用いる場合には環境による変化の小さな材料が望まれる。
【００１１】
そこで、プリント配線板および電子部品に要求される基本性能を満足しつつ、誘電体層の高誘電率及び低誘電正接を達成すべく、プリント配線板および電子部品の誘電体層を構成する絶縁材料として、ポリビニルベンジルエーテル化合物に誘電体セラミック粉末を分散したものを用いることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【００１２】
ところで、プリント配線板や電子部品等に用いられる多層基板用絶縁材料としては、電気的特性、機械的特性、接着性などに優れたエポキシ樹脂が用いられている。このエポキシ樹脂の硬化剤としては、アミン化合物、フェノール化合物などの活性水素を有する化合物が使用されている。しかし、これら活性水素を有する硬化剤を使用してエポキシ樹脂を硬化させた場合には、エポキシ基と活性水素との反応によって極性の高いヒドロキシ基が発生してしまい、誘電正接を低くすることが困難である。
【００１３】
このため、極性の高いヒドロキシル基を発生させないように、例えば、カルボン酸と芳香族ヒドロキシ化合物とからなるエステル化合物を、エポキシ樹脂の硬化剤として使用する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この方法では、カルボン酸と芳香族ヒドロキシ化合物とからなるエステル化合物の有するエステル結合がエポキシ基に対して高い反応活性を持つことを利用しており、このエステル化合物を硬化剤としてエポキシ樹脂を硬化させた場合には、極性の高いヒドロキシ基を生じることがないため、得られる硬化物は低い誘電正接を示すことができる。このようなエステル化合物として、フタル酸やトリメリット酸とフェノール類とのエステル化合物、安息香酸類とビスフェノールＡやビスフェノールＳとのエステル化合物、あるいは、安息香酸類とフェノール樹脂とのエステル化合物などが知られている。
【００１４】
しかし、これらエステル化合物は、活性の高いエステル結合が分子または分子鎖の末端にしか存在しないため、得られるエポキシ樹脂硬化物の架橋密度が高くならず、また、硬化物内部で水素結合が形成されることもないので、鉛フリーの半田加工に耐え得る高いガラス転移温度を有するエポキシ樹脂硬化物が得られなかった。このため、鉛フリーのはんだ加工に耐え得るだけの高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有するエポキシ樹脂硬化物を得ることができなかった。なかでも、安息香酸と芳香族ヒドロキシ化合物とのエステルを硬化剤として使用したエポキシ樹脂硬化物は、硬化反応により生成した安息香酸エステル結合が、吸湿によって加水分解したときに、低分子量のカルボン酸である安息香酸が遊離するため、高湿度の環境下で誘電正接が増大するという問題があった。
【００１５】
エポキシ基に対して高い反応活性を持つエステル化合物のなかで、高いガラス転移温度を有するエポキシ樹脂硬化物を与えるエステル化合物としては、分子鎖を形成する全てのエステル結合がエポキシ基に対して反応活性を有する多官能性ポリエステル、例えば、芳香族ジカルボン酸と芳香族ジヒドロキシ化合物とから得られる多官能性ポリエステルが知られている（例えば、特許文献３参照）。このような多官能性ポリエステルを硬化剤として使用してエポキシ樹脂を硬化させた場合には、分子鎖を形成する全てのエステル結合が硬化反応に関与できるので、エポキシ樹脂硬化物の架橋密度が高くなり、ガラス転移温度を高くすることができる。
【００１６】
しかし、このような多官能性ポリエステルの分子鎖の両末端が極性の高いヒドロキシ基、またはカルボキシ基であるため、この多官能性ポリエステルをエポキシ樹脂の硬化剤として用いた場合には、ヒドロキシ基が硬化物中に残存するうえに、カルボキシ基がエポキシ基と反応してヒドロキシ基を生成してしまい、エポキシ樹脂硬化物の誘電正接を低くすることが困難であった。また、未反応のカルボキシ基が硬化物中に残存すると、吸湿による加水分解により、該カルボキシ基を有する低分子量の芳香族ジカルボン酸が遊離し、高湿度の環境下で誘電正接が増大するという問題があった。さらに、芳香族ジカルボン酸や芳香族ジヒドロキシ化合物として、嵩高い構造を持たないフタル酸類やビスフェノール類などを使用した場合には、得られるポリエステルが結晶化しやすく、該ポリエステルを含有した樹脂組成物の溶媒への溶解性が十分に得られないという問題があった。
【００１７】
また、上記多官能性ポリエステルと同様に、分子鎖を形成する全てのエステル結合が硬化反応に関与できるエステル化合物としては、芳香族多価カルボン酸と芳香族多価ヒドロキシ化合物とから得られる、両末端にヒドロキシ基を有するポリエステルの、ヒドロキシ基をモノカルボン酸でエステル化したポリエステルがある（例えば、特許文献４参照）。このようなポリエステルを硬化剤として使用してエポキシ樹脂を硬化させた場合には、ガラス転移温度を高くでき、かつ分子鎖末端のヒドロキシ基をモノカルボン酸でエステル化しているため、エポキシ樹脂を硬化させた際に極性の高いヒドロキシ基を生じることがない。
【００１８】
しかし、このようなポリエステルの分子鎖末端がアルキルカルボニルオキシ基、あるいはアリールカルボニルオキシ基であるため、このポリエステルを硬化剤として用いた場合には、加水分解により容易に低分子量のカルボン酸が遊離してしまい、誘電正接が低くならず、高湿度の環境下では誘電率および誘電正接が増加してしまうという問題があった。
【００１９】
また、エポキシ樹脂硬化物を電気絶縁用材料に使用する場合には、漏電や短絡等によって容易に燃焼しないように難燃性が求められているが、上記したポリエステルでは難燃性に劣るという問題点があった。
【特許文献１】特開２００１−２４７７３３号公報
【特許文献２】特開昭６２−５３３２７号公報
【特許文献３】特開平５−５１５１７号公報
【特許文献４】特開平１０−１０１７７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
このように、従来のエステル化合物を硬化剤として使用した樹脂組成物は、誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、難燃性が高いものではなかった。このため、誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、難燃性が高い等の特性を実現可能な材料から構成されたプリント配線板および電子部品が求められていた。
【００２１】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであり、誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、高湿環境下での誘電率および誘電正接の増加がしにくく、難燃性が高い材料から構成されたプリント配線板および電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかるプリント配線板は、
分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステルと、エポキシ樹脂と、硬化促進剤と、難燃剤とを含む樹脂組成物からなる樹脂層を備える、ことを特徴とする。
【００２３】
前記芳香族多価ヒドロキシ化合物残基は、下記式（１）〜（４）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記芳香族多価カルボン酸残基は、下記式（５）〜（７）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記アリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基中のアリール基は、下記式（８）〜（１０）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種のアリール基である、ことが好ましい。
【００２４】
【化１】
（１）
（式（１）中、ｋは０または１である。）
【００２５】
【化２】
（２）
【００２６】
（式（２）中、Ｙは酸素原子、メチレン基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたメチレン基、フェニル基で置換されたメチレン基、ナフチル基で置換されたメチレン基、ビフェニル基で置換されたメチレン基、９−フルオレニル基で置換されたメチレン基、または該フェニル基、該ナフチル基、あるいは該ビフェニル基に更に炭素数１〜４のアルキル基が核置換したメチレン基を表す。ｎおよびｍは、各々１〜３の整数を表す。）
【００２７】
【化３】
（３）
【００２８】
【化４】
（４）
【００２９】
【化５】
（５）
【００３０】
【化６】
（６）
【００３１】
【化７】
（７）
【００３２】
（式中Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｇは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、またはハロゲン原子を表す。ａ、ｅ、ｇは各々０〜４の整数を示し、ｂ、ｄは各々０〜３の整数を表す。Ｘは単結合、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【００３３】
【化８】
（８）
【００３４】
【化９】
（９）
【００３５】
【化１０】
（１０）
【００３６】
（式中、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｔ、Ｕは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子を表す。ｐ、ｒは０〜５の整数、ｑ、ｔは０〜４の整数、ｕは０〜３の整数を表す。Ｚは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【００３７】
前記樹脂層に設けられ、キャパシタ素子またはインダクタ素子を構成する、少なくとも１つの導電性素子部を備えることが好ましい。
【００３８】
前記難燃剤は、臭素化芳香族系難燃剤であることが好ましい。また、前記難燃剤は、エタン−１，２−ビス（ベンタブロモフェニル）であることが好ましい。前記樹脂組成物は、スチレン系エラストマーとポリブタジエン系ポリマーとの少なくとも一つを含有してもよい。
【００３９】
少なくとも１層に前記樹脂組成物と、前記樹脂組成物よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する樹脂層を備えていてもよい。
【００４０】
前記誘電体セラミック粉末としては、例えば、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７〜１００００あり、Ｑ値が２００〜１０００００である金属酸化物粉末である。
【００４１】
前記誘電体セラミック粉末と前記樹脂組成物との合計を１００体積％としたとき、前記誘電体セラミックス粉末が５〜６５体積％含有することが好ましい。
【００４２】
前記樹脂層は、前記樹脂組成物中に分散される磁性体粉末を更に含んでもよい。前記樹脂層は、強化繊維からなるクロスを更に含んでもよい。前記強化繊維は、Ｅガラスのガラスクロス、Ｄガラスのガラスクロス、ＮＥガラスのガラスクロス、Ｈガラスのガラスクロス、Ｔガラスのガラスクロス、アラミドの多孔質膜、ポリアミドの多孔質膜、及びポリ４弗化エチレンの多孔質膜からなる群から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。
【００４３】
本発明の第２の観点にかかる電子部品は、
分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステルと、エポキシ樹脂と、硬化促進剤と、難燃剤とを含む樹脂組成物からなる樹脂層を備える、ことを特徴とする。
【００４４】
前記芳香族多価ヒドロキシ化合物残基は、下記式（１）〜（４）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記芳香族多価カルボン酸残基は、下記式（５）〜（７）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記アリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基中のアリール基は、下記式（８）〜（１０）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種のアリール基である、ことが好ましい。
【００４５】
【化１１】
（１）
（式（１）中、ｋは０または１である。）
【００４６】
【化１２】
（２）
【００４７】
（式（２）中、Ｙは酸素原子、メチレン基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたメチレン基、フェニル基で置換されたメチレン基、ナフチル基で置換されたメチレン基、ビフェニル基で置換されたメチレン基、９−フルオレニル基で置換されたメチレン基、または該フェニル基、該ナフチル基、あるいは該ビフェニル基に更に炭素数１〜４のアルキル基が核置換したメチレン基を表す。ｎおよびｍは、各々１〜３の整数を表す。）
【００４８】
【化１３】
（３）
【００４９】
【化１４】
（４）
【００５０】
【化１５】
（５）
【００５１】
【化１６】
（６）
【００５２】
【化１７】
（７）
【００５３】
（式中Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｇは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、またはハロゲン原子を表す。ａ、ｅ、ｇは各々０〜４の整数を示し、ｂ、ｄは各々０〜３の整数を表す。Ｘは単結合、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【００５４】
【化１８】
（８）
【００５５】
【化１９】
（９）
【００５６】
【化２０】
（１０）
【００５７】
（式中、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｔ、Ｕは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子を表す。ｐ、ｒは０〜５の整数、ｑ、ｔは０〜４の整数、ｕは０〜３の整数を表す。Ｚは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【００５８】
前記樹脂層に設けられ、キャパシタ素子またはインダクタ素子を構成する、少なくとも１つの導電性素子部を備えることが好ましい。
【００５９】
前記難燃剤は、臭素化芳香族系難燃剤であることが好ましい。また、前記難燃剤は、エタン−１，２−ビス（ベンタブロモフェニル）であることが好ましい。前記樹脂組成物は、スチレン系エラストマーとポリブタジエン系ポリマーとの少なくとも一つを含有してもよい。
【００６０】
少なくとも１層に前記樹脂組成物と、前記樹脂組成物よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する樹脂層を備えていてもよい。
【００６１】
前記誘電体セラミック粉末としては、例えば、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７〜１００００あり、Ｑ値が２００〜１０００００である金属酸化物粉末である。
【００６２】
前記誘電体セラミック粉末と前記樹脂組成物との合計を１００体積％としたとき、前記誘電体セラミックス粉末が５〜６５体積％含有することが好ましい。
【００６３】
前記樹脂層は、前記樹脂組成物中に分散される磁性体粉末を更に含んでもよい。前記樹脂層は、強化繊維からなるクロスを更に含んでもよい。前記強化繊維は、Ｅガラスのガラスクロス、Ｄガラスのガラスクロス、ＮＥガラスのガラスクロス、Ｈガラスのガラスクロス、Ｔガラスのガラスクロス、アラミドの多孔質膜、ポリアミドの多孔質膜、及びポリ４弗化エチレンの多孔質膜からなる群から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。
【発明の効果】
【００６４】
本発明によれば、誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、高湿度下において誘電率および誘電正接の増加がしにくく、難燃性が高い材料から構成されたプリント配線板および電子部品を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６５】
以下、本発明のプリント配線板および電子部品について詳細に説明する。
【００６６】
本発明のプリント配線板および電子部品は、エポキシ樹脂、分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステル（以下、「ポリエステル（Ａ）」と略記する。）、硬化促進剤および難燃剤を含む有機絶縁材料からなる絶縁層と、この有機絶縁材料に誘電体粉末および表面処理剤をさらに含む誘電体層と、の少なくとも一方から構成された樹脂層と、
樹脂層の絶縁層と誘電体層との少なくとも一方に設けられ、キャパシタ素子またはインダクタ素子を構成する、少なくとも１つの導電性素子部と、
を備えている。
【００６７】
まず、絶縁層について説明する。絶縁層は、前述のように、エポキシ樹脂、ポリエステル（Ａ）、硬化促進剤および難燃剤を含む有機絶縁材料からなる。
【００６８】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用される有機絶縁材料に含有するエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限されず、例えば、クレゾールノボラック、フェノールノボラック、α―ナフトールノボラック、β―ナフトールノボラック、ビスフェノールＡノボラック、ビフェニルノボラック、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、テトラブロモビスフェノールＡ、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビスフェノールフルオレン、ジヒドロキシナフタレンなどの多価フェノールのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエニルジフェノールとエピクロルヒドリンとから得られるジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレンジオールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、トリフェニル型エポキシ樹脂、テトラフェニル型エポキシ樹脂、ポリプロピレングリコール、水添ビスフェノールＡなどのアルコール系のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ヘキサヒドロ無水フタル酸やダイマー酸などを原料としたグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタンなどのアミンを原料としたグリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ベンゾピラン型エポキシ樹脂、およびそれらの混合物などが挙げられる。
【００６９】
なかでも、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニル型エポキシ樹脂、テトラフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、および臭素化エポキシ樹脂を使用すると、耐熱性に優れたエポキシ樹脂硬化物が得られる。
【００７０】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用される有機絶縁材料に含有するポリエステル（Ａ）は、分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステルであり、エポキシ樹脂の硬化剤として好適に用いることができる。これは、ポリエステル（Ａ）の有するエステル結合が、エポキシ基に対して高い反応活性を有するためであり、ポリエステル（Ａ）を硬化剤として使用した場合には極性の高いヒドロキシ基を生じることがなく、得られるエポキシ樹脂硬化物は低い誘電正接を示す。更に、誘電率の増加を抑制する。
【００７１】
また、ポリエステル（Ａ）は、エポキシ基に対して反応活性を持つエステル結合を分子鎖内部にも有するため、ポリエステル（Ａ）を硬化剤として使用したエポキシ樹脂硬化物は架橋密度が高く、ガラス転移温度が高い。
【００７２】
ポリエステル（Ａ）の分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基を有する場合には、得られるエポキシ樹脂硬化物の架橋点のエステル結合が吸湿によって加水分解されても、誘電正接を増大させる低分子量のカルボン酸が遊離せず、得られるエポキシ樹脂硬化物は高湿度条件下においても低い誘電正接を示す。更に、誘電率の増加を抑制する。
【００７３】
さらに、芳香族多価ヒドロキシ化合物が式（１）〜（４）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基を残基として与える芳香族ジヒドロキシ化合物である場合には、式（１）〜（４）で表される基はいずれも嵩高い芳香環や脂環式構造を分子内に複数有するため、ポリエステル（Ａ）は分子鎖の結晶化が抑えられ、有機溶媒中への溶解性に優れる。このため、ポリエステル（Ａ）を含有する樹脂組成物を溶媒に溶解させる際や、ワニスを調整する際に、使用する溶媒量が少量でよい。
【００７４】
【化２１】
（１）
（式（１）中、ｋは０または１である。）
【００７５】
【化２２】
（２）
【００７６】
（式（２）中、Ｙは酸素原子、メチレン基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたメチレン基、フェニル基で置換されたメチレン基、ナフチル基で置換されたメチレン基、ビフェニル基で置換されたメチレン基、９−フルオレニル基で置換されたメチレン基、または該フェニル基、該ナフチル基、あるいは該ビフェニル基に更に炭素数１〜４のアルキル基が核置換したメチレン基を表す。ｎおよびｍは、各々１〜３の整数を表す。）
【００７７】
【化２３】
（３）
【００７８】
【化２４】
（４）
【００７９】
また、下記一般式（１１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物残基を有するポリエステル（Ａ）を用いることも好ましい。この場合、ポリエステル（Ａ）は、一般式（１１）で表される、臭素原子を持つ芳香族ジヒドロキシ化合物残基を有するため、このポリエステル（Ａ）を含有するエポキシ樹脂組成物の硬化物は、優れた難燃性を示す。
【００８０】
【化２５】
（１１）
（式（１１）中、Ｊは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−からなる群から選ばれる二価の基を表す。）
【００８１】
本発明のプリント配線板およびプリント基板に使用される有機絶縁材料に含有するポリエステル（Ａ）は、例えば、芳香族多価カルボン酸と芳香族多価ヒドロキシ化合物とを重縮合させ、両末端にカルボキシ基を有するポリエステルを合成しておき、該カルボキシ基を芳香族モノヒドロキシ化合物でエステル化して得られる。該ポリエステル（Ａ）は、上記脱水エステル化反応以外にエステル交換反応やショッテン・バウマン反応によって製造することもできる。
【００８２】
エステル交換反応では、芳香族多価ヒドロキシ化合物と芳香族モノヒドロキシ化合物を無水酢酸によりアセチル化した後、芳香族多価カルボン酸とをアシドリシスさせることによりポリエステル（Ａ）が得られる。
【００８３】
ショッテン・バウマン反応を利用する場合、該反応を界面で行わせる界面重縮合法と、均一溶液中で行わせる溶液重縮合法とがある。界面重縮合法では、芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物を含む有機溶液相と、芳香族多価ヒドロキシ化合物、および芳香族モノヒドロキシ化合物を含む水相とを接触させ、酸捕捉剤の共存下で界面重縮合させることによりポリエステル（Ａ）が得られる。また、溶液重縮合法では、芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物を含む溶液と、芳香族多価ヒドロキシ化合物と芳香族モノヒドロキシ化合物を含む溶液とを、酸捕捉剤の存在下で混合し、脱ハロゲン化水素反応させることでポリエステル（Ａ）が得られる。
【００８４】
ポリエステル（Ａ）は、芳香族多価カルボン酸、芳香族多価ヒドロキシ化合物、および芳香族モノヒドロキシ化合物の脱水エステル化反応によっても得られるが、一般に芳香族ヒドロキシ化合物の反応性は低いので、前記エステル交換反応、あるいはショッテン・バウマン反応を利用するのが好ましい。
【００８５】
以下、ショッテン・バウマン反応を利用する製造方法を例として、本発明に使用するポリエステル（Ａ）について具体的に説明する。ポリエステル（Ａ）の製造に使用する芳香族多価ヒドロキシ化合物としては、芳香族ヒドロキシ基を２個以上有する化合物であればよいが、例えば、上記式（１）〜（４），（１１）で表される基を与える化合物であり、具体的には下記式（１２）〜（１６）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物が挙げられる。
【００８６】
【化２６】
（１２）
（式（１２）中、ｋは０または１である。）
【００８７】
【化２７】
（１３）
【００８８】
（式（１３）中、Ｙは酸素原子、メチレン基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたメチレン基、フェニル基で置換されたメチレン基、ナフチル基で置換されたメチレン基、ビフェニル基で置換されたメチレン基、９−フルオレニル基で置換されたメチレン基、または該フェニル基、該ナフチル基、あるいは該ビフェニル基に更に炭素数１〜４のアルキル基が核置換したメチレン基を表す。ｎおよびｍは、１〜３の整数を表す。）
【００８９】
【化２８】
（１４）
【００９０】
【化２９】
（１５）
【００９１】
【化３０】
（１６）
（式（１６）中、Ｊは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−からなる群から選ばれる二価の基を表す。）
【００９２】
上記式（１２）〜（１６）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物のなかでも、式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物を使用して得られるポリエステル（Ａ）を硬化剤とするエポキシ樹脂硬化物は、構造中に疎水性の脂環式構造を有するため、吸水が少なく、高湿度環境下においても安定な誘電特性を示す。
【００９３】
ただし、式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物のうちｋの平均値が０．２を越えるものは、溶媒に溶解してポリエステルを合成する際にゲル化が生じるおそれがあるため、式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物を使用する場合には、ｋの平均値が０〜０．２の範囲にあるものを使用するか、あるいは、式（１３）〜（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と混合して使用することが好ましい。式（１３）〜（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と共に使用する場合には、式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物の使用量をｋの値に応じて適宜調整する必要があり、例えば、ｋが１の場合には、ポリエステル（Ａ）を合成する際の式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物の使用量は、使用する芳香族多価ヒドロキシ化合物全量に対して２０ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。
【００９４】
一般式（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物を使用して得られるポリエステル（Ａ）を硬化剤としたエポキシ樹脂硬化物は、構造中に臭素原子を有するため、該エポキシ樹脂硬化物が熱分解した際に臭化水素が生じ、臭化水素の酸素遮断効果と、燃焼時の高活性なフリーラジカルを捕捉して燃焼エネルギーを低下させる効果によりエポキシ樹脂硬化物は難燃性を有する。
【００９５】
ただし、ポリエステル（Ａ）を合成する際に、上記一般式（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物のみを使用した場合には、ポリエステル（Ａ）の結晶性が高くなり、該ポリエステル（Ａ）を含有するエポキシ樹脂組成物の溶媒への溶解性が十分得られないことがあるため、上記一般式（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物以外に、十分な溶剤溶解性を与える芳香族多価ヒドロキシ化合物を併用することが好ましい。このときの一般式（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物の使用量は、使用する芳香族多価ヒドロキシ化合物全量に対して、３０〜６０質量％の範囲であることが好ましい。
【００９６】
十分な溶媒溶解性を与える芳香族多価ヒドロキシ化合物としては、上記式（１２）〜（１５）で表される化合物が挙げられる。ただし、式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物を一般式（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と共に用いる場合、式（１２）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物は、ｋの平均値が０〜０．２の範囲にあるものを使用するか、あるいは、式（１３）〜（１６）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と混合して使用することが好ましいことなどは上述した通りである。
【００９７】
ショッテン・バウマン反応を利用してポリエステル（Ａ）を製造する場合においては、芳香族多価カルボン酸は酸ハロゲン化物の形で使用する。ここで使用する酸ハロゲン化物のハロゲンとしては、塩素、または臭素を使用するのが一般的である。酸ハロゲン化物の形で使用する芳香族多価カルボン酸としては、カルボキシ基を２個以上有する化合物であればよく、トリメシン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、あるいは、下記一般式（１７）〜（１９）で表される芳香族ジカルボン酸などが挙げられる。
【００９８】
【化３１】
（１７）
【００９９】
【化３２】
（１８）
【０１００】
【化３３】
（１９）
【０１０１】
（一般式（１７）〜（１９）中、Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｇは置換基を表し、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、またはハロゲン原子を表す。ａ、ｅ、ｇは各々０〜４の整数を表し、ｂ、ｄは各々０〜３の整数を示す。Ａ〜Ｇで表される置換基は、それぞれ、すべて同一であっても異なっていてもよい。Ｘは単結合、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【０１０２】
上記芳香族多価カルボン酸のなかでも、一般式（１７）〜（１９）で表される芳香族ジカルボン酸の酸ハロゲン化物から得られるポリエステル（Ａ）は各種溶媒に対して優れた溶解性を示し、また、該ポリエステル（Ａ）を硬化剤として使用したエポキシ樹脂硬化物は、高いガラス転移温度、低い誘電正接を示す。一般式（１７）〜（１９）で表される芳香族ジカルボン酸としては、例えば、イソフタル酸、テレフタル酸、１，４−、２，３−、あるいは２，６−ナフタレンジカルボン酸などが挙げられる。なかでも、イソフタル酸とテレフタル酸の混合物を使用して得られるポリエステル（Ａ）は、特に各種溶媒への溶解性に優れる。
【０１０３】
芳香族モノヒドロキシ化合物としては、下記一般式（２０）〜（２２）で表される芳香族モノヒドロキシ化合物が挙げられる。
【０１０４】
【化３４】
（２０）
【０１０５】
【化３５】
（２１）
【０１０６】
【化３６】
（２２）
【０１０７】
（一般式（２０）〜（２２）中、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｔ、Ｕは置換基を表し、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子を表す。ｐ、ｒは０〜５の整数、ｑ、ｔは０〜４の整数、ｕは０〜３の整数を示す。Ｐ〜Ｕで表される置換基は、それぞれ、すべて同一であっても異なっていてもよい。Ｚは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【０１０８】
一般式（２０）〜（２２）で表される芳香族モノヒドロキシ化合物としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、３、５−キシレノール、ｏ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、２−ベンジルフェノール、４−ベンジルフェノール、４−（α―クミル）フェノール、α―ナフトール、β−ナフトールなどが挙げられる。なかでも、α−ナフトール、β−ナフトール、ｏ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、４−（α―クミル）フェノールを使用したポリエステル（Ａ）を硬化剤とするエポキシ樹脂硬化物は特に低い誘電正接を有する。
【０１０９】
ポリエステル（Ａ）を界面重縮合法により製造する場合の有機溶液相に用いる溶媒としては、芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物を溶解し、酸ハロゲン化物に不活性で、かつ、水と非相溶の溶媒であればよく、例えば、トルエン、ジクロロメタンなどが挙げられる。水相には芳香族多価ヒドロキシ化合物と酸捕捉剤であるアルカリを溶解する。
【０１１０】
溶液重合法により製造する場合に用いる溶媒としては、芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物、芳香族多価ヒドロキシ化合物、および芳香族モノヒドロキシ化合物を溶解し、かつ、酸ハロゲン化物に不活性な溶媒であればよく、トルエン、ジクロロメタンなどが使用できる。また、重縮合反応に使用する酸捕捉剤としては、ピリジンやトリエチルアミンなどを使用することができる。
【０１１１】
得られたポリエステル（Ａ）は、洗浄や再沈殿などの操作によって精製し、不純物含有量を低減することが好ましい。ポリエステル（Ａ）中にモノマー、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、あるいは塩類などの不純物が残存すると、誘電正接を増大させる要因となる。
【０１１２】
ポリエステル（Ａ）のポリスチレン換算の数平均分子量は５５０〜７０００の範囲にあることが好ましい。数平均分子量が５５０未満であると、エポキシ樹脂硬化物の架橋密度が十分に高くならないため、ガラス転移温度に及ぼす効果が不十分となり、７０００を越えると、溶媒へ溶解した際にゲル化が生じる場合がある。
【０１１３】
さらに、本発明では、必須成分ではないが、エポキシ樹脂の硬化剤として、芳香族多価カルボン酸のすべてのカルボキシ基が芳香族モノヒドロキシ化合物でエステル化された芳香族エステル（以下、該芳香族エステルを「芳香族エステル（Ｈ）」と略記する。）を併用することができる。
【０１１４】
芳香族エステル（Ｈ）は、芳香族多価カルボン酸と芳香族モノヒドロキシ化合物とのエステルであり、上記ポリエステル（Ａ）と同様の製造方法により得ることができる。
【０１１５】
芳香族エステル（Ｈ）の製造に使用する芳香族多価カルボン酸としては、例えば、上記ポリエステル（Ａ）の合成に使用した芳香族多価カルボン酸と同様のカルボン酸を使用することができる。なかでも、イソフタル酸、あるいはテレフタル酸を使用した芳香族エステル（Ｈ）は、エポキシ樹脂組成物の溶媒への溶解性が良好である。
【０１１６】
芳香族モノヒドロキシ化合物としては、上記ポリエステル（Ａ）の合成に使用する芳香族モノヒドロキシ化合物を使用することができる。なかでも、α−ナフトール、β−ナフトールを使用した芳香族エステル（Ｈ）は、得られるエポキシ樹脂硬化物の誘電正接を、より低くすることができるため好ましい。
【０１１７】
ポリエステル（Ａ）と芳香族エステル（Ｈ）とを併用する場合、エポキシ樹脂組成物中に含まれる、ポリエステル（Ａ）と芳香族エステル（Ｈ）との比率は、ポリエステル（Ａ）：芳香族エステル（Ｈ）が８５：１５〜５５：４５の範囲の質量比であると、特に優れたガラス転移温度と誘電正接とを兼備できる。
【０１１８】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用される有機絶縁材料に含有する硬化促進剤としては、公知慣用のエポキシ樹脂硬化促進剤を用いることができる。例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合物、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィンなどの有機ホスフィン化合物、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイトなどの有機ホスファイト化合物、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどのホスホニウム塩、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン−７（以下、ＤＢＵと略記する。）などのアミン化合物およびＤＢＵとテレフタル酸や２，６−ナフタレンジカルボン酸との塩、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラプロピルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムブロミド、テトラヘキシルアンモニウムブロミド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリドなどの第４級アンモニウム塩、３−フェニル−１，１−ジメチル尿素、３−（４−メチルフェニル）−１，１−ジメチル尿素、クロロフェニル尿素、３−（４−クロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素、３−（３，４−ジクロルフェニル）−１，１−ジメチル尿素などの尿素化合物、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ、カリウムフェノキシドやカリウムアセテートなどのクラウンエーテルの塩などが挙げられ、これらは単独あるいは複数で用いることができる。これらの中でもイミダゾール化合物が好ましく用いられる。
【０１１９】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用される有機絶縁材料に含有する難燃剤としては、臭素化芳香族系、縮合リン酸エステル系、金属水酸化物系、アンチモン系、リン系などの公知慣用の難燃剤を用いることができる。特に、臭素化芳香族系難燃剤は、構造中に臭素原子を有するため、エポキシ樹脂硬化物が熱分解した際に臭化水素が生じ、臭化水素の酸素遮断効果と、燃焼時の高活性なフリーラジカルを捕捉して燃焼エネルギーを低下させる効果とにより、エポキシ樹脂組成物に優れた難燃性を付与できる。しかも、該エポキシ樹脂組成物の硬化物の伝送損失を悪化させにくいので好ましい。この観点から特に好適な難燃剤は、エタン−１，２−ビス（ベンタブロモフェニル）である。
【０１２０】
ここで難燃性とは、炎や発熱体を近づけて試験片に点火し、再び消火するまでの燃焼に関する特性、すなわち燃えにくさのことを意味する。本発明における優れた難燃性とは、米国ＵＬ規格のうち、機器の部品用プラスチック材料の燃焼性試験に関するＵＬ−９４の、垂直燃焼試験による有焔時間を難燃性の基準とし、該規格のなかの電子材料に関係の深い９４Ｖ−０の規格（有焔時間が１０秒未満）を満たすことをいう。
【０１２１】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用される有機絶縁材料に含有するエポキシ樹脂とポリエステル（Ａ）との配合量は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１ｍｏｌに対して、ポリエステル（Ａ）中のアリールオキシカルボニル基が０．１５〜５ｍｏｌとなる配合量が好ましく、０．５〜２．５ｍｏｌとなる配合量であればさらに好ましい。ポリエステル（Ａ）の配合量が該範囲外であると、ポリエステル（Ａ）によるエポキシ樹脂の硬化反応が十分に進行せず、誘電正接やガラス転移温度に及ぼす効果が不十分になる。
【０１２２】
硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、０．０１〜５質量部の範囲であることが好ましい。硬化促進剤の配合量が０．０１質量部未満であると硬化反応速度が遅くなり、５質量部より多いとエポキシ樹脂の自己重合が生じてポリエステル（Ａ）によるエポキシ樹脂の硬化反応が阻害されることがある。
【０１２３】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用する有機絶縁材料は、ポリエステル（Ａ）、エポキシ樹脂、硬化促進剤、難燃剤、さらに必要に応じて添加される可とう性付与材などの所望の種類および量を含有する。
【０１２４】
可とう性付与材としては、スチレン系エラストマー、およびポリブタジエン系ポリマーの少なくとも一つを添加することができる。
スチレン系エラストマーとしては、スチレンと、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリ（エチレン／ブチレン）、ポリ（エチレン／プロピレン）、ポリ（ビニル／イソプロピレン）、およびポリエチレンから選択される１種または２種以上とのジブロック共重合体またはトリブロック共重合体が挙げられる。
また、ポリブタジエン系ポリマーとしては、１，２―ポリブタジエンまたは１，４−ポリブタジエンの二重結合の一部をエポキシ化した重合体を用いることができる。
【０１２５】
可とう性付与材は絶縁層に靭性を付与することが可能であり、また絶縁層が強化繊維を含むプリプレグである場合、そのハンドリング性が向上する。なお、可とう性付与材は必須のものではなく、プリント配線板および電子部品を製造する上で半硬化物に可とう性が要求されない用途では、特に添加する必要はない。
【０１２６】
可とう性付与材は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、５〜３０質量部添加することが好ましい。可とう性付与材の量が前記以下だと、エポキシ樹脂組成物の改質効果がほとんどなく、脆い物性が改良されない。また、前記以上だとエポキシ樹脂組成物の本来の物性が発揮できなくなり、溶剤中での配合の際に固形分濃度が上げられず、溶液粘度が上がり、吸水率が増加する等の問題が生じるおそれがある。
【０１２７】
本発明のプリント配線板および電子部品に使用する有機絶縁材料に、ガラスや樹脂で作成されたクロスや不織布、フィラーなどを含有してもよい。例えば、使用されるフィラーとしては、低誘電率で低誘電正接のＳｉＯ２やウイスカーなどがある。この場合、有機絶縁材料の硬化収縮の低減、線膨張係数の低減、強度の強化、材料の低誘電正接化などにより、プリント配線板および電子部品の変形や欠損等が十分に防止され、硬化収縮の低減による製造精度の向上や、熱衝撃等の信頼性の向上、誘電正接の低減、伝送特性の向上が可能となる。
【０１２８】
また、本発明のプリント配線板および電子部品に使用する有機絶縁材料に磁性を持たせてもよい。この場合、フィラーに磁性体粉末を含有することが好ましい。この磁性体粉末により、磁気特性を付加し、線膨張係数を低減させることができる。
【０１２９】
上記磁性体粉末としては、Ｍｎ−ＭｇＺｎ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｍｎ−Ｍｇ、プラナ材等のフェライトもしくはカルボニル鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金、鉄−ニッケル系合金、アモルファス系の強磁性金属が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１３０】
上記磁性体粉末の平均粒径は、０．０１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましく、０．２〜２０μｍの範囲内にあることがさらに好ましい。磁性体粉末の平均粒径が０．０１μｍ未満では、樹脂の混練がしにくくなる傾向があり、１００μｍを超えると、均一な分散を行うことができなくなる傾向がある。
【０１３１】
また、磁性体粉末の含有量は、有機絶縁材料と磁性体粉末との合計を１００体積％としたとき、５〜６５体積％の範囲とすることが好ましく、この範囲内で適切な量を選択すればよい。５体積％未満では、磁性体粉末添加の効果が表れない傾向があり、６５体積％を超えると、流動性が悪くなる。
【０１３２】
また、前記フィラーを含有する場合、表面処理剤を含むことが好ましい。表面処理剤はフィラーと有機絶縁材料との密着性を高め、基板強度が向上し、吸水性を低減するものである。
【０１３３】
このような表面処理剤としては、例えば、クロロシラン系カップリング剤、アルコキシシラン系カップリング剤、有機官能性シラン系カップリング剤、シラザン系シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤などが挙げられる。使用する表面処理剤は、必要とされる特性に応じて単独で、あるいは２種類以上を混合してもよい。
【０１３４】
プリント配線板および電子部品においては、リフロー等の耐熱性が要求されるため、表面処理剤は、有機官能性シラン系カップリング剤、アルコキシシラン系カップリング剤であることが好ましい。
【０１３５】
表面処理剤の添加量は、フィラー１００重量部に対して０．１〜５重量部の範囲内で適宜選択すればよい。添加量の選択は、使用するフィラーの粒径、形状、添加する表面処理剤の種類により決定される。表面処理方法としては、例えば、乾式法、湿式法、スプレー法、インテグラルブレンド法などが挙げられるが、必要に応じて選択すればよい。
【０１３６】
次に、誘電体層について説明する。誘電体層は、有機絶縁材料に誘電体粉末および表面処理剤をさらに含んでいる。
【０１３７】
プリント配線板および電子部品に使用される誘電体層は、主にキャパシタ素子の面積の縮小や共振器の波長短縮を目的とし、回路設計により適宜誘電特性を設定すればよい。例えば、誘電体層の誘電率を高くするためには、０．１ＧＨｚ以上の高周波領域において、上述した有機絶縁材料にそれよりも高い誘電率を持つフィラーを含有すればよい。
【０１３８】
例えば、より誘電率を高くするには、主に、
（１）誘電率が非常に高い誘電体セラミック粉末を含有させる
（２）含有量を多くする
の２つの方法がある。
【０１３９】
また、誘電体層の誘電正接をより小さくするには、
（１）Ｑ値の高いセラミックス粉末を含有させる
（２）含有量を多くする
の２つの方法がある。
【０１４０】
上記誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７以上であり、かつ、Ｑ値が２００以上である金属酸化物粉末であることが好ましく、必要とされる誘電率及び誘電正接に応じて適切なセラミック粉末を選択すればよい。比誘電率とＱ値はトレードオフの関係にあり、比誘電率が非常に高く、Ｑ値も非常に高い誘電体はないのが実情である。例えば、ＢａＴｉＯ３の比誘電率は１５００と有機絶縁体と比較して非常に高いが、Ｑ値は１００も得られない。
【０１４１】
金属酸化物粉末の比誘電率が３．７未満である場合は、樹脂層（誘電体層）の比誘電率を高くすることができず、プリント配線板および電子部品の小型化が困難となる傾向がある。金属酸化物粉末のＱ値が２００未満である場合、Ｑ値が減少傾向になるため、電気特性のよい素子をプリント配線板および電子部品に内蔵することは困難になる。
【０１４２】
誘電体セラミック粉末の具体例としては、下記成分を主成分とするものが挙げられる。なお、上記比誘電率及びＱ値は、ギガＨｚ帯における値であり、本発明において、ギガＨｚ帯とは、０．１〜１０ＧＨｚの周波数帯をいう。
【０１４３】
すなわち、Ｍｇ２ＳｉＯ４［ε＝７、Ｑ＝２００００］、Ａｌ２Ｏ３［ε＝９．８、Ｑ＝４００００］、ＭｇＴｉＯ３［ε＝１７、Ｑ＝２２０００］、ＺｎＴｉＯ３［ε＝２６、Ｑ＝８００］、Ｚｎ２ＴｉＯ４［ε＝１５、Ｑ＝７００］、ＴｉＯ２［ε＝１０４、Ｑ＝１５０００］、ＣａＴｉＯ３［ε＝１７０、Ｑ＝１８００］、ＳｒＴｉＯ３［ε＝２５５、Ｑ＝７００］、ＳｒＺｒＯ３［ε＝３０、Ｑ＝１２００］、ＢａＴｉ２Ｏ５［ε＝４２・Ｑ＝５７００］、ＢａＴｉ４Ｏ９［ε＝３８、Ｑ＝９０００］、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０［ε＝３９、Ｑ＝９０００］、Ｂａ２（Ｔｉ，Ｓｎ）９Ｏ２０［ε＝３７、Ｑ＝５０００］、ＺｒＴｉＯ４［ε＝３９、Ｑ＝７０００］、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ４［ε＝３８、Ｑ＝７０００］、ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４［ε＝８３、Ｑ＝２１００］、ＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ１２［ε＝９２、Ｑ＝１７００］、ＢａＳｍ２ＴｉＯ１４［ε＝７４、Ｑ＝２４００］、ＢａＯ−ＣａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２［ε＝９０、Ｑ＝２２００］、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２［ε＝９０、Ｑ＝１７００］、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３、ＭｇＯ−ＴｉＯ２、ＭｇＯ−ＳｉＯ２［ε＝６．１、Ｑ＝５０００］、ＺｎＯ−ＴｉＯ２［ε＝２６、Ｑ＝８４０］、Ｂｉ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２［ε＝８８、Ｑ＝２０００］、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２［ε＝９０、Ｑ＝５２００］、（Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ）−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２［ε＝１０５、Ｑ＝２５００］、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７［ε＝４４、Ｑ＝４０００］、Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７［ε＝３７、Ｑ＝１１００］、（Ｌｉ，Ｓｍ）ＴｉＯ３［ε＝８１、Ｑ＝２０５０］、Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３［ε＝２５、Ｑ＝３５０００］、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３［ε＝３０、Ｑ＝１４０００］、Ｂａ（Ｚｎ１／３，Ｎｂ２／３）Ｏ３［ε＝４１、Ｑ＝９２００］、Ｓｒ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３［ε＝４０、Ｑ＝４０００］
【０１４４】
上記誘電体セラミック粉末のうち、Ｑ値が高く且つεが樹脂よりも大きいという理由から、ＴｉＯ２、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＢａＯ−ＣａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０、Ｂａ２（Ｔｉ，Ｓｎ）９Ｏ２０、ＭｇＯ−ＴｉＯ２、ＺｎＯ−ＴｉＯ２、ＭｇＯ−ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３の成分を主成分とするものが好ましい。上記成分を主成分とする誘電体セラミック粉末は単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１４５】
誘電体セラミック粉末の含有量は、有機絶縁材料と誘電体セラミックス粉末の合計を１００体積％としたとき、５〜６５体積％の範囲とすることが好ましく、この範囲内で、必要とされる誘電率及び誘電正接に応じて適切な量を選択すればよい。誘電体セラミック粉末の添加量が５体積％未満では、誘電体セラミック粉末により誘電率を増加させることが困難となる傾向があり、６５体積％を超えると、樹脂組成物の流動性の低下を起こし、ボイドの発生や誘電体層の導電性金属に対する密着性が低下、長期間の使用により導電性金属が誘電体層から剥離し、電子部品の性能が変動するおそれがある。
【０１４６】
上記誘電体セラミック粉末の平均粒径は、０．０１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましく、０．２〜２０μｍの範囲内にあることがさらに好ましい。平均粒径が０．０１μｍ未満では、ワニス粘度の増加、樹脂組成物の流動性の低下を起こし、接着性能が発現しなくなるおそれがあり、１００μｍを超えるとプリプレグ作製時に誘電体セラミック粉末が沈降するおそれがある。
【０１４７】
表面処理剤は、誘電体セラミック粉末と有機絶縁材料との密着性を高め、基板強度を高め、吸水性を低減するものである。
【０１４８】
このような表面処理剤としては、例えば、クロロシラン系カップリング剤、アルコキシシラン系カップリング剤、有機官能性シラン系カップリング剤、シラザン系シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤などが挙げられる。使用する表面処理剤は、必要とされる特性に応じて単独で、あるいは２種類以上を混合してもよい。
【０１４９】
プリント配線板および電子部品においては、リフロー等の耐熱性が要求されるため、表面処理剤は、有機官能性シラン系カップリング剤、アルコキシシラン系カップリング剤であることが好ましい。
【０１５０】
表面処理剤の添加量は、誘電体セラミック粉末１００重量部に対して０．１〜５重量部の範囲内で適宜選択すればよい。添加量の選択は、使用する誘電体セラミック粉末の粒径、形状、添加する表面処理剤の種類により決定される。表面処理方法としては、例えば、乾式法、湿式法、スプレー法、インテグラルブレンド法などが挙げられるが、必要に応じて選択すればよい。
【０１５１】
また、誘電体層は、強化繊維からなるクロスを更に含んでもよい。プリント配線板および電子部品の構成により、十分な強度が得られない場合、強化繊維からなるクロスにより誘電体層の機械強度が増強され、プリント配線板および電子部品の欠損又は変形等が十分に防止される。
【０１５２】
強化繊維の材質は、Ｅガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｈガラス、Ｔガラス又はアラミド繊維のいずれかであることが好ましい。これらのうち、ＮＥガラスは低誘電正接であり、Ｈガラスは高誘電率を有し、Ｅガラスは、コストとのバランスが取れる。従って、要求する特性に応じて、適宜使い分ければよい。
【０１５３】
クロスの厚さは、２０〜３００μｍであることが好ましく、必要とする厚さ、特性に応じて適宜使い分ければよい。
【０１５４】
クロスの具体例としては、１０１（厚さ約２０μｍ）、１０６（厚さ約３０μｍ）、１０８０（厚さ約５０μｍ）、２１１６（厚さ約１００μｍ）、７６２８（厚さ約２００μｍ）などが挙げられる。
【０１５５】
またクロスの表面には、必要に応じて開繊、閉塞等の処理を施してもよく、さらにクロス表面に、樹脂との密着力を高めるためにカップリング剤等による表面処理を施しても良い。
【０１５６】
次に、導電性素子部について説明する。
【０１５７】
導電性素子部は、絶縁層と誘電体層との少なくとも一方に設けられている。絶縁層には少なくとも金属導体による配線が設けられ、絶縁層および誘電体層には少なくとも１つの導電性素子部を有している。
【０１５８】
導電性素子部は、キャパシタ素子またはインダクタ素子、共振器素子を構成するものであり、誘電体層において、導電性素子部は１つに限らず、複数あってもよい。誘電体層に複数又は複数種類の導電性素子部を設けることにより、プリント配線板および電子部品に種々の機能を付与することが可能である。具体的には、導電性素子部は、絶縁層および誘電体層に形成される金属導体で構成される。
【０１５９】
金属導体としては、銅、ニッケル、クロム、金、銀、錫、ニッケル−クロム合金等が挙げられるが、安価、入手の容易性という理由から、銅が好ましい。金属導体の厚さは１〜７０μｍであることが好ましい。金属導体の作製方法は、電解、圧延、スパッタ、蒸着のいずれの方法であってもよく、要求される厚さ、特性によって適宜選択すればよい。
【０１６０】
本発明において、プリント配線板および電子部品の基礎となるプリプレグを得るには、所定の配合としたエポキシ樹脂、ポリエステル（Ａ）、硬化促進剤、難燃剤、また目的に応じてこれに誘電体セラミック粉末や磁性体粉末を含む樹脂組成物を溶剤に混練してスラリー化したペーストを塗工し、乾燥すればよい。この際に用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ジメチルアセトアミド、ジオキソラン等の揮発性溶剤が挙げられる。かかる溶剤は、エポキシ樹脂、ポリエステル等を液状化すると共に、ペーストの粘度調整するために用いられる。混練は、ボールミル、攪拌機等の公知の方法により行うことができる。
【０１６１】
プリプレグ及び基板の作製方法としては、下記２つの方法が挙げられる。
【０１６２】
（方式１）
スラリー化したペーストをクロスに含浸塗工した後、乾燥してクロス入りプリプレグを得る。この際に塗工するペーストの厚さは、クロスに対して片側５〜５０μｍとすることが好ましい。５μｍ未満では、プリプレグとしての流動性を確保することが困難となる傾向があり、５０μｍを超えると、ペーストのだれ等が生じやすくなり、厚さ、付着重量等にバラツキが大きくなりやすいためである。乾燥条件は、使用する溶剤、塗工する厚さによって適時条件を定めればよいが、５０℃〜１５０℃程度で１〜６０分程度の範囲から選択すればよく、必要に応じて温度を何段階かに分けるステップ乾燥を行ってもよい。
【０１６３】
基板を得るには、高温真空プレスを用いて加熱加圧することが一般的であり、温度及び加熱時間は、１５０〜２５０℃の間で０．５〜２０時間とすればよい。減圧は必要に応じて行うが、４０００Ｐａ（３０Ｔｏｒｒ）以下で行うことが好ましい。なお、この際に片面又は両面金属箔をつけたい場合は、高温真空プレスの際にプリプレグの上下に金属箔を置いて加熱、加圧プレスすればよい。
【０１６４】
（方式２）
スラリー化したペーストを金属箔若しくはＰＥＴ、ＰＩ、ＰＰＳ、ＬＣＰ等のフィルム上にドクターブレード制御による方式、スプレー方式、カーテンコート方式、スピンコート方式、スクリーン印刷方式など公知の方法のいずれかを用いて塗工すればよく、必要とされる厚さ、精度、材料供給形態（例えば、ロールによる供給か、シートによる供給か）に応じて適時選択すればよい。
【０１６５】
この際に塗工されるペーストの厚さは、乾燥後で５〜１００μｍの範囲内とすればよく、さらに詳しくは、誘電体セラミック粉末などのフィラーを含有する場合、フィラーの最大粒径の２倍以上の厚さとすればよい。フィラーの最大粒径の２倍未満では、塗工の際のペーストの塗工性、平滑性やその硬化物の絶縁性に問題が生じるおそれがあり、厚さが１００μｍを超えると、残存する溶剤を除去する乾燥条件出しが困難となる傾向がある。
【０１６６】
但し、この場合は薄い厚さのペーストを重ね塗りしてもよい。乾燥条件は材料組成、得たい厚み、使用する溶剤によって適時条件を定めればよいが、５０〜１５０℃程度の温度で１〜６０分程度の時間、乾燥させればよく、必要に応じて温度を何段階かに分けて変化させるステップ乾燥を行ってもよい。
【０１６７】
こうして得られた半硬化接着シート（上下に金属箔が必要な場合は金属箔に塗工した半硬化接着シート、上下に金属箔が不要な場合はＰＥＴ、ＰＩ、ＰＰＳ、ＬＣＰ等のフィルム上に塗工した半硬化接着シート）を２つ用い、間にクロスを挟んで高温真空プレスを行う。なお、クロス中への含浸、充填性が心配される場合は、あらかじめクロスに、固形分濃度を薄くしたペーストを含浸、乾燥しておいてもよい。高温真空プレスは、１５０〜２５０℃の温度で０．５〜２０時間の時間で行えばよい。また必要に応じステップキュアを行ってもよい。圧力は１．５〜６．０ＭＰａの間で行えばよく、減圧は必要に応じて行うが、４０００Ｐａ（３０Ｔｏｒｒ）以下で行うのが好ましい。
【０１６８】
なお、上記のような基板には、両面パターンニング基板や多層基板などがある。
【０１６９】
本発明のプリント配線板および電子部品は、上記のようなプリプレグ、銅箔付基板、積層基板等と素子構成パターンを組み合わせることにより得ることができる。
【０１７０】
本発明のプリント配線板および電子部品は、上記のような配線パターン、コンデンサ（キャパシタ）回路、コイル（インダクタ）回路、フィルタ等の回路の他、これらと、これら以外の、増幅素子、機能素子を組み合わせたアンテナ回路や、ＲＦ回路（ＲＦ増幅段）、ＶＣＯ（電圧制御発振回路）回路、パワーアンプ（電力増幅段）回路等の高周波電子回路、光ピックアップなどに用いられる重畳回路等、これらを複数組み合わせた回路であってもよい。
【０１７１】
次に、本発明のプリント配線板および電子部品をさらに具体的に説明する。
【０１７２】
（第１実施形態）
図１は本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図２は本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示した断面図である。
【０１７３】
図１，２に示すように、インダクタ１０は、構成層１０ａ〜１０ｅを積層してなる積層体と、構成層１０ｂ〜１０ｅに設けられる内部導体１３ａ〜１３ｄと、この内部導体１３ａ〜１３ｄを電気的に接続するためのビアホール１４とを有する。また、内部導体１３とビアホール１４とによりコイルパターン（導電性素子部）が構成されている。
【０１７４】
各構成層１０ａ〜１０ｅは、上記絶縁層もしくは誘電体層により構成されている。ビアホール１４はドリル、レーザー加工、エッチング等により形成することができる。
【０１７５】
また、積層体の対向する両側面にはそれぞれ端子電極１２が設けられており、コイルパターンの両端部はそれぞれ、各端子電極１２に接続されている。なお、端子電極１２の両端にはランドパターン１１が設けられている。
【０１７６】
端子電極１２は、貫通ビアの円筒を半分に分割した構造となっている。端子電極１２がこのような構造になるのは、集合積層基板に複数の素子を形成し、最終的に素子ごとに切断する場合に、ダイシング、Ｖカット等により、貫通ビアの中心から切断するためである。
【０１７７】
インダクタ１０を高周波用のチップインダクタとして使用する場合、分布容量をできるだけ減らす必要があることから、各構成層１０ａ〜１０ｅの比誘電率は、２．６〜３．５とすることが好ましい。またインダクタ１０が共振回路を構成するインダクタである場合は、積極的に分布容量を用いる場合があり、このような用途では各構成層１０ａ〜１０ｅの比誘電率を５〜４０とすることが好ましい。
【０１７８】
このインダクタ１０においては、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、インダクタ１０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。また電子部品の小型化、回路への容量素子の取付けの省略を図ることができる。また、これらのインダクタ１０においては、材料の損失をできるだけ抑える必要があるため、各構成層１０ａ〜１０ｅの誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ない、Ｑ値の高いインダクタを得ることができる。また、各構成層１０ａ〜１０ｅは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０１７９】
なお、図１の電子部品の等価回路を図１０（ａ）に示す。図１０（ａ）に示されるように、等価回路ではインダクタ１０は、コイル３１を有する電子部品（インダクタ）として示されている。
【０１８０】
（第２実施形態）
図３は本発明の電子部品の第２実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図４は電子部品の第２実施形態であるインダクタを示した断面図である。
【０１８１】
本実施形態の電子部品は、コイルパターンが、横方向、すなわち対向する端子電極１２を結ぶ方向に巻回されている点で第１実施形態の電子部品と相違する。その他の構成要素は、第１実施形態と同様であり、図３、図４において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１８２】
（第３実施形態）
図５は本発明の電子部品の第３実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図６は本発明の電子部品の第３実施形態であるインダクタを示した断面図である。
【０１８３】
本実施形態の電子部品は、上下面においてそれぞれスパイラル状に形成された内部導体１３がビアホール１４により連結されている点で第１実施形態の電子部品と相違する。その他の構成要素は、第１実施形態と同様であり、図５、図６において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１８４】
（第４実施形態）
図７は本発明の電子部品の第４実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図８は本発明の電子部品の第４実施形態であるインダクタを示した断面図である。
【０１８５】
本実施形態の電子部品は、積層体の両側に設けられる端子電極１２を結ぶ内部導体１３のパターン形状をミアンダ状にしている点で第１実施形態の電子部品と相違する。その他の構成要素は、第１実施形態と同様であり、図７、図８において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１８６】
（第５実施形態）
図９は本発明の電子部品の第５実施形態であるインダクタを示した透視斜視図である。
【０１８７】
本実施形態の電子部品は、積層体にコイルパターンを４連設けている点で、積層体にコイルパターンを１つ設けている第１実施形態の電子部品と相違する。このような構成とすることにより、電子部品を回路基板等に配置する場合に、１つのコイルバターンを有する電子部品を４つ用いる場合に比べて、省スペース化を図ることができる。
【０１８８】
なお、図１０（ｂ）は、本実施形態のインダクタの等価回路図である。図１０（ｂ）に示すように、本実施形態のインダクタは、等価回路ではコイル３１ａ〜３１ｄが４連装されたものとして示されている。
【０１８９】
（第６実施形態）
図１１は本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した透視斜視図、図１２は本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した断面図である。
【０１９０】
図１１、図１２に示すように、キャパシタ２０は、構成層２０ａ〜２０ｇを積層してなる積層体と、構成層２０ｂ〜２０ｇ上に形成されている内部導体２３と、積層体の両側にそれぞれ設けられる端子電極２２と、を備えている。そして、隣り合う内部導体２３は、それぞれ異なる端子電極２２に接続されている。また端子電極２２の両端にはランドパターン２１が設けられている。積層体に設けられる内部導体２３により導電性素子部が構成されている。また各構成層２０ａ〜２０ｇは、上記絶縁層もしくは誘電体層により構成されている。
【０１９１】
また各構成層２０ａ〜２０ｇは、得られる容量の多様性や精度の観点からは２．６〜４０の比誘電率を有し、０．００２５〜０．００７５の誘電正接を有することが好ましい。このキャパシタ２０においては、高周波域においても比誘電率が大きくなるため、内部導体２３の面積を小さくすることができ、ひいてはキャパシタ２０の小型化が可能となる。またキャパシタ２０を高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、キャパシタ２０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。また誘電正接（ｔａｎδ）を０．００７５〜０．０２５とすることにより、材料損失の極めて少ないキャパシタとすることができる。各構成層２０ａ〜２０ｇは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０１９２】
図１４（ａ）は、本実施形態のキャパシタの等価回路図である。図１４（ａ）に示すように、等価回路ではキャパシタ３２を有する電子部品（コンデンサ）が示されている。
【０１９３】
（第７実施形態）
図１３は本発明の電子部品の第７実施形態であるキャパシタを示した透視斜視図である。
【０１９４】
本実施形態の電子部品は、キャパシタ素子を構成する４つの導電性素子部が積層体にアレイ状に設けられている点で、キャパシタ素子を構成する１つの導電性素子部が積層体に設けられている第６実施形態のキャパシタと相違する。またキャパシタ素子の数に合せて端子電極２２及びランドパターン２１が設けられている。さらにキャパシタをアレイ状に形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合がある。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましいといえる。
【０１９５】
その他の構成要素は、第６実施形態と同様であり、図１３において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１９６】
図１４（ｂ）は、本実施形態のキャパシタの等価回路図である。図１４（ｂ）に示すように、等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３２ｄが４連装された電子部品（コンデンサ）が示されている。
【０１９７】
（第８実施形態）
図１５〜図１８は、本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスを示している。ここで図１５は透視斜視図、図１６は断面図、図１７は各構成層の分解平面図、図１８は等価回路図である。
【０１９８】
図１５〜１７に示すように、バルントランス４０は、構成層４０ａ〜４０ｏを積層してなる積層体と、積層体の上下および中間に配置された内部ＧＮＤ導体４５と、この内部ＧＮＤ導体４５間に形成されている内部導体４３とを有する。この内部導体４３は、λｇ／４長のスパイラル状導体であり、図１８の等価回路に示される結合ライン５３ａ〜５３ｄを構成するようにビアホール４４等で連結されている。
【０１９９】
このバルントランス４０の構成層４０ａ〜４０ｏは、比誘電率を２．６〜４０とし、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００７５〜０．０２５とすることが好ましく、各構成層４０ａ〜４０ｏとしては、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。なお、各構成層は同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０２００】
このバルントランス４０によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、バルントランス４０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２０１】
（第９実施形態）
図１９〜図２２は、本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタを示している。ここで図１９は斜視図、図２０は分解斜視図、図２１は等価回路図、図２２は伝達特性図である。
【０２０２】
本実施形態の積層フィルタは、２ポール型の伝達特性を有するように構成されている。図１９〜２１に示すように、積層フィルタ６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体を備えている。ここで、構成層６０ｂは上部構成層群であり、構成層６０ｄは下部構成層群である。積層体のほぼ中央の構成層６０ｃには一対のストリップ線路６８が形成され、これに隣接する下部構成層群６０ｄ上には、一対のコンデンサ導体６７が形成されている。構成層６０ｂ、６０ｅの表面にはそれぞれＧＮＤ導体６５が形成され、これらＧＮＤ導体６５によりストリップ線路６８及びコンデンサ導体６７が挟み込まれるようになっている。ストリップ線路６８、コンデンサ導体６７及びＧＮＤ導体６５はそれぞれ、積層体の端面に形成された端部電極（外部端子）６２に接続されている。また、端部電極６２の両側にはＧＮＤパターン６６が形成され、ＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５に接続されている。
【０２０３】
ストリップ線路６８は、図２１の等価回路図に示されるλｇ／４長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体６７は、入出力結合容量Ｃｉを構成する。またストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。積層型フィルタ６０は、このような等価回路を形成するように構成されているため、図２２に示すような２ポール型の伝達特性を有する。
【０２０４】
積層フィルタ６０の構成層６０ａ〜６０ｅは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、ストリップライン共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましいため、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このような構成層６０ａ〜６０ｅとしては、上記絶縁層または誘電体層を用いられる。なお、各構成層は同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０２０５】
この積層フィルタ６０によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、積層フィルタ６０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２０６】
（第１０実施形態）
図２３〜図２６は、本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタを示している。ここで、図２３は斜視図、図２４は分解斜視図、図２５は等価回路図、図２６は伝達特性図である。
【０２０７】
本実施形態の積層フィルタは、４ポール型の伝達特性を有するように構成されている。図２３〜２５に示すように、積層フィルタ６０は、構成層６０ｃに４本のストリップ線路６８が形成されている点で、構成層６０ｃに２本のストリップ線路６８が形成されている第９実施形態の積層フィルタと相違する。
【０２０８】
本実施形態の積層フィルタにおいては、ストリップ線路６８は、図２５の等価回路図に示されるλｇ／４長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路７４ｃ、７４ｄ、７４ｅ、７４ｆであり、またストリップ線路７４ｃ、７４ｄ間、ストリップ線路７４ｄ、７４ｅ間、及びストリップ線路７４ｅ、７４ｆ間はそれぞれ、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。積層型フィルタ６０は、このような等価回路を形成するように構成されているため、図２６に示すような４ポール型の伝達特性を有する。
【０２０９】
その他の構成要素は、第９実施形態と同様であり、図２３、図２４において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０２１０】
（第１１実施形態）
図２７〜図３１は、本発明の電子部品の第１１実施形態であるカプラを示している。ここで図２７は透視斜視図、図２８は断面図、図２９は各構成層の分解斜視図、図３０は内部結線図、図３１は等価回路図である。
【０２１１】
図２７〜３１に示すように、カプラ１１０は、構成層１１０ａ〜１１０ｃが積層された積層体と、積層体の構成層１１０ｂの上下面に形成された内部ＧＮＤ導体１１５と、この内部ＧＮＤ導体１１５間に形成され、トランスを構成する２つのコイルパターンとを有する。各コイルパターンは、複数の内部導体１１３と、これら内部導体１１３を連結するビアホール１１４とにより構成されており、スパイラル状となっている。また形成された各コイルパターンの端部と内部ＧＮＤ導体１１５とは、図３０に示すように、それぞれ積層体の側面に形成された端子電極１１２に接続されている。なお、端子電極１１２の両端部にはランドパターン１１１が形成されている。
【０２１２】
このように、カプラ１１０においては、図３１の等価回路図で示すように、２つのコイル１２５ａ，１２５ｂが結合したものとなる。
【０２１３】
カプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１０ｃは、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ大きい方がよい。従って、構成層１１０ａ〜１１０ｃを構成する材料として、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層１１０ａ〜１１０ｃの比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、内部インダクタのＱ値を上げるためには、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。これにより、材料損失が極めて少なくなり、Ｑ値の高いインダクタを形成でき、高性能のカプラを得ることができる。上記構成層１１０ａ〜１１０ｃとしては、上記誘電体層が用いられる。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０２１４】
このカプラ１１０によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、カプラ１１０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２１５】
（第１２実施形態）
図３２〜図３４は、本発明の電子部品の第１２実施形態であるアンテナを示した図であり、図３２は透視斜視図、図３３（ａ）は平面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図、図３４は各構成層の分解斜視図である。
【０２１６】
図３２〜図３４に示すように、アンテナ１３０は、構成層１３０ａ〜１３０ｃを積層してなる長尺状の積層体と、この構成層１３０ｂ及び構成層１３０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体１３３と、長尺状の積層体の両端にそれぞれ設けられる端子電極１３２とを有する。
【０２１７】
内部導体１３３はアンテナパターンを構成している。本実施形態では、内部導体１３３は、使用周波数に対し、長さが約λｇ／４となるようなリアクタンス素子として構成され、アンテナパターンは、ミアンダ状に形成されている。
【０２１８】
また内部導体１３３の両端部はそれぞれ、各端子電極１３２に接続されている。広帯域化を実現しようとした場合、このアンテナ１３０の構成層１３０ａ〜１３０ｃの比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ大きい方がよい。従って、構成層１３０ａ〜１３０ｃを構成する材料として、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層１３０ａ〜１３０ｃの比誘電率が２．６〜４０であり、誘電正接が０．００７５〜０．０２５であることが好ましく、構成層１３０ａ〜１３０ｃとしては、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ないアンテナとすることができる。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０２１９】
このアンテナ１３０によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、アンテナ１３０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２２０】
（第１３実施形態）
図３５は、本発明の電子部品の第１３実施形態であるアンテナの透視斜視図、図３６は、本発明の電子部品の第１３実施形態であるアンテナの分解斜視図である。
【０２２１】
図３５、３６に示すように、アンテナ１４０は、構成層１４０ａ〜１４０ｃを積層してなる積層体と、この構成層１４０ｂ及び構成層１４０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体１４３ａ，１４３ｂとを有する。そして、上下の内部導体１４３ａ，１４３ｂはビアホール１４４にて接続され、ヘリカル状のアンテナパターン（インダクタンス素子）を形成するようになっている。なお、積層体の両端にはそれぞれ、第１２実施形態と同様、端子電極が設けられており、アンテナパターンの両端部はそれぞれ各端子電極に接続されている。
【０２２２】
（第１４実施形態）
図３７は本発明の電子部品の第１４実施形態であるパッチアンテナを示した透視斜視図、図３８は、本発明の電子部品の第１４実施形態であるパッチアンテナを示した断面図である。
【０２２３】
図３７、３８に示すように、本実施形態のパッチアンテナ１５０は、構成層１５０ａと、この構成層１５０ａの表面上に形成されている平板状のパッチ導体１５９と、このパッチ導体１５９に対向するように構成層１５０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。ここで、パッチ導体１５９は、アンテナパターンを構成している。また、パッチ導体１５９には給電用のスルー導体１５４が給電部１５３で接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５とは接続されないようにＧＮＤ導体１５５との間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通って給電が行われるようになっている。
【０２２４】
広帯域化を実現しようとした場合、このパッチアンテナ１５０の構成層１５０ａの比誘電率はできるだけ低い方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、構成層１５０ａとしては、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層１５０ａの比誘電率は２．６〜４０であり、誘電正接は０．００７５〜０．０２５であることが好ましく、構成層１５０ａとしては、上記の絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ない放射効率の高いアンテナとすることができる。
【０２２５】
また、数１００ＭＨｚ以下の周波数帯域においては、磁性体も誘電体と同様の波長短縮効果が得られ、さらに、放射素子のインダクタンス値を上げることができる。また、Ｑ値の周波数ピークを合わせることにより、比較的低い周波数においても高いＱ値が得られる。このため、パッチアンテナ１５０を数十〜数１００ＭＨｚの無線機器の用途に使用する場合には透磁率を３〜２０とすることが好ましく、構成層１５０ａとして、磁性体粉末を含有した磁性体層を用いることが好ましい。これにより、数１００ＭＨｚ以下の周波数帯域において高特性化、小型化を実現できる。また各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０２２６】
このパッチアンテナ１５０によれば、条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、パッチアンテナ１５０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２２７】
（第１５実施形態）
図３９は本発明の電子部品の第１５実施形態であるパッチアンテナを示した透視斜視図、図４０は、本発明の電子部品の第１５実施形態であるパッチアンテナを示した断面図である。
【０２２８】
図３９、４０に示すように、パッチアンテナ１６０は構成層１６０ａと、この構成層１６０ａの表面上に形成されているパッチ導体（アンテナパターン）１６９と、このパッチ導体１６９に対向するように構成層１６０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１６５とを有する。また構成層１６０ａの側面であって、パッチ導体１６９の近傍に、これと接触しないように給電用の給電導体１６１が配置され、給電端子１６２から給電導体１６１に給電が行われるようになっている。給電端子１６２は、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により構成されており、メッキ、ターミネート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理法を用いて形成することができる。その他の構成要素は、第１４実施形態と同様であり、その説明を省略する。
【０２２９】
（第１６実施形態）
図４１は、本発明の電子部品の第１６実施形態である多層型パッチアンテナを示した透視斜視図、図４２は本発明の電子部品の第１６実施形態である多層型パッチアンテナを示した断面図である。
【０２３０】
図４１に示すように、本実施形態のパッチアンテナ１７０は、構成層１５０ａ及び構成層１５０ｂを積層してなる積層体と、この構成層１５０ａ、１５０ｂ上にそれぞれ形成されているパッチ導体１５９ａ，１５９ｅと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９ａには給電用のスルー導体１５４が給電部１５３ａで接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとは接続されないようにＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとの間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通ってパッチ導体１５９ａに給電が行われるようになっている。このときパッチ導体１５９ｅには、パッチ導体１５９ａとの容量結合およびスルー導体１５４とのギャップによって形成される容量により給電される。その他の構成要素は第１４実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０２３１】
（第１７実施形態）
図４３は本発明の電子部品の第１７実施形態である多連型パッチアンテナを示した透視斜視図、図４４は、本発明の電子部品の第１７実施形態である多連型パッチアンテナを示した断面図である。
【０２３２】
本実施形態のパッチアンテナ１８０は、積層体にアンテナを構成する４つの導電性素子部が格子状に設けられている点で、積層体に１つの導電性素子部のみが設けられている第１６実施形態のパッチアンテナと相違する。すなわち図４３、図４４に示すように、パッチアンテナ１８０は、構成層１５０ａ、１５０ｂを積層してなる積層体と、構成層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９ａ、１５９ｂ、１５９ｃ、１５９ｄと、構成層１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ｅ、１５９ｆ、１５９ｇ、１５９ｈと、これらのパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。その他の構成要素は第１６実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０２３３】
このように複数の導電性素子部を１つの積層体に格子状に配設することにより、パッチアンテナの小型化と部品点数の削減が可能となる。
【０２３４】
（第１８実施形態）
図４５〜図４７は、本発明の電子部品の第１８実施形態であるＶＣＯ（電圧制御発振器）を示している。ここで、図４５は透視斜視図、図４６は断面図、図４７は等価回路図である。
【０２３５】
図４５〜４７に示すように、ＶＣＯ２１０は、構成層２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体と、積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体素子、レジスタ等の電気素子２６１と、構成層２１０ａ〜２１０ｄ上に形成されている導体パターン及び構成層２１０ｅ〜２１０ｇ上にそれぞれ形成されている導体パターン２６２，２６３，２６４とを有する。ＶＣＯ２１０は、図４７に示すような等価回路を形成するように構成されており、導体パターン２６３は、ストリップラインとなっている。また、ＶＣＯ２１０は、ストリップラインのほか、コンデンサ、信号線、半導体素子、電源ラインなどを有する。このため、構成層は、それぞれの機能に適した材料で形成するのが効果的である。
【０２３６】
より具体的には、上記構成層２１０ｇの表面には、内部導体である導体パターン２６３によりストリップラインが形成され、裏面にはＧＮＤ導体としての導体パターン２６２及び端子導体としての導体パターン２６６が形成されている。また、構成層２１０ｅの表面にはコンデンサ導体としての導体パターン２６４が形成され、構成層２１０ｂの表面上には配線インダクタ導体２６５が形成されている。また、各構成層に形成された内部導体はビアホール２１４により接続され、表面にはマウントされた電子素子２６１が搭載されて、図４７の等価回路に示すようなＶＣＯが形成される。
【０２３７】
例えば、本実施形態のＶＣＯ２１０では、共振器を構成する構成層２１０ｆ，２１０ｇには誘電正接が０．００２５〜０．００７５の絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好まく、コンデンサを構成する構成層２１０ｃ〜２１０ｅには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０となるような誘電体層を用いることが好ましい。配線およびインダクタを構成する構成層２１０ａ，２１０ｂには、誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好ましい。
【０２３８】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した比誘電率、Ｑ値、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このＶＣＯ２１０によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、ＶＣＯ２１０の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２３９】
（第１９実施形態）
図４８〜図５０は、本発明の電子部品の第１９実施形態であるパワーアンプ（電力増幅器）を示している。ここで図４８は各構成層の分解平面図、図４９は断面図、図５０は等価回路図である。
【０２４０】
図４８〜５０に示すように、パワーアンプ３００は、構成層３００ａ〜３００ｅを積層してなる積層体と、積層体の上に配設されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子３６１と、この構成層３００ａ〜３００ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン３１３，３１５を有する。このパワーアンプ３００は図５０に示すような等価回路により構成されているため、ストリップラインＬ１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２０、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０２４１】
より具体的には、これらの構成層３００ａ〜３００ｅの表面には、内部導体としての導体パターン３１３、ＧＮＤ導体としての導体パターン３１５等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール３１４により接続され、積層体の表面には、マウントされた電気素子３６１が搭載されて図５０の等価回路に示すようなパワーアンプ３００が形成される。
【０２４２】
本実施形態のパワーアンプ３００では、ストリップラインを構成する構成層３００ｄ，３００ｅには誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が２．６〜４０の絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサを構成する構成層３００ａ〜３００ｃには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０となるような絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好ましい。
【０２４３】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ値、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このパワーアンプ３００によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、パワーアンプ３００の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２４４】
（第２０実施形態）
図５１〜図５３は、本発明の電子部品の第２０実施形態である、光ピックアップなどに使用される重畳モジュールを示している。ここで、図５１は各構成層の分解平面図、図５２は断面図、図５３は等価回路図である。
【０２４５】
図５１〜５３に示すように、重畳モジュール４００は、構成層４００ａ〜４００ｋが積層された積層体と、積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子４６１と、この構成層４００ａ〜４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パターン４１３，４１５等を有する。この重畳モジュール４００は図５３に示すような等価回路により構成されているため、インダクタＬ２１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０２４６】
より具体的には、これらの構成層４００ａ〜４００ｋの表面には、内部導体としての導体パターン４１３、ＧＮＤ導体としての導体パターン４１５等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール４１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電気素子４６１が搭載されて図５３の等価回路に示すような重畳モジュール４００が形成される。
【０２４７】
本実施形態の重畳モジュール４００では、コンデンサを構成する構成層４００ｄ〜４００ｉには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような誘電体層を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成層４００ａ〜４００ｃ，４００ｊ〜４００ｋには誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好ましい。
【０２４８】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ値、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。この重畳モジュール４００によれば、高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、重畳モジュール４００の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２４９】
（第２１実施形態）
図５４〜図５７は、本発明の電子部品の第２１実施形態であるＲＦモジュールを示している。ここで、図５４は斜視図、図５５は外装部材を外した状態での斜視図、図５６は各構成層の分解斜視図、図５７は断面図である。
【０２５０】
図５４〜５７に示すように、ＲＦモジュール５００は、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体と、積層体の上に配設されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子５６１と、この構成層５００ａ〜５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パターン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７３とを有する。このＲＦモジュール５００は、上記のようにインダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０２５１】
本実施形態のＲＦモジュール５００では、アンテナ構成、ストリップライン構成および配線層としての構成層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇには、誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層としての構成層５００ｅ、５００ｆには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような誘電体層を用いることが好ましい。電源ライン層としての構成層５００ｈ、５００ｉには、透磁率が３〜２０であり、磁性体粉末を含む磁性体層を用いることが好ましい。
【０２５２】
そして、これらの構成層５００ａ〜５００ｉの表面には、内部導体としての導体パターン５１３、ＧＮＤ導体としての導体パターン５１５、アンテナ導体としてのアンテナパターン５７３等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、積層体の表面にはマウントされた電気素子５６１が搭載されてＲＦモジュール５００が形成される。
【０２５３】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ値、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このＲＦモジュール５００によれば、ＲＦモジュール５００を高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、ＲＦモジュール５００の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２５４】
（第２２実施形態）
図５８、図５９は、本発明の電子部品の第２２実施形態である共振器を示している。ここで、図５８は透視斜視図、図５９は断面図である。
【０２５５】
図５８、５９に示すように、共振器６００は、ベース材６１０と、ベース材６１０を貫通する筒状の同軸導体６４１とを備えている。
【０２５６】
共振器６００は、金型成形により円筒状の貫通孔が形成されたベース材６１０の表面に、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の処理法により表面ＧＮＤ導体６４７及び端部導体６８２を形成し、この表面ＧＮＤ導体６４７と端部導体６８２が接続されるようにベース材６１０の内壁面に同軸導体６４１を形成し、同軸導体６４１と接続されるように共振器用ＨＯＴ端子６８１等を形成する。表面ＧＮＤ導体６４７、端部導体６８２、同軸導体６４１、共振器用ＨＯＴ端子６８１は、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等で形成する。ここで、同軸導体６４１は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路であり、同軸導体６４１を囲むようにベース材６１０に表面ＧＮＤ導体６４７が形成されている。
【０２５７】
この共振器のベース材６１０は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このようなベース材６１０としては、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。この共振器６００によれば、共振器６００を高湿度条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、共振器６００の高湿度環境下での信頼性が高くなる。
【０２５８】
（第２３実施形態）
図６０、図６１は、本発明の電子部品の第２３実施形態であるストリップ共振器を示している。ここで、図６０は透視斜視図、図６１は断面図である。
【０２５９】
図６０、６１に示すように、ストリップ共振器７００は、構成層７１０ａ〜７１０ｄを積層してなる積層体と、構成層７１０ｃ上に形成される長方形のストリップ導体７８４と、構成層７１０ｂ、構成層７１０ｄ上に、ストリップ導体７８４を挟むように形成される矩形状のＧＮＤ導体７８３とを有する。また、積層体の両側にはそれぞれ共振器用ＨＯＴ端子７８１およびＧＮＤ端子７８２が設けられ、ストリップ導体７８４の両端はそれぞれ共振器用ＨＯＴ端子７８１およびＧＮＤ端子７８２に接続されている。ストリップ共振器７００は、第１実施形態のインダクタと同様にして製造すればよい。
【０２６０】
ストリップ共振器７００の構成層７１０ａ〜７１０ｄは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このような構成層７１０ａ〜７１０ｄとしては、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。
【０２６１】
（第２４実施形態）
図６２は、本発明の電子部品の第２４実施形態である共振器を示す透視斜視図である。
【０２６２】
図６２に示すように、共振器８００は、ベース材８１０と、ベース材８１０を貫通する円筒状の同軸型導電体８４１と、ベース材８１０を貫通し同軸型導電体８４１と平行に設けられる同軸型導電体８４２とを備えている。ベース材８１０には、同軸型導電体８４２の一端に端部電極８８２が形成され、他端に接続用電極８８５が形成されている。また、同軸型導電体８４１の一端は接続用電極８８５を介して同軸型導電体８４２と接続され、他端には共振器用ＨＯＴ端子８８１が形成されている。ここで、端部電極８８２と共振器用ＨＯＴ端子８８１とは電気的に絶縁されている。そして、ベース材８１０を囲むように、表面ＧＮＤ導体８４７が形成されている。表面ＧＮＤ導体８４７は、端部電極８８２とは接続されているが、共振器用ＨＯＴ端子８８１とは電気的に絶縁されている。従って、同軸型導電体８４１、８４２は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路として機能する。
【０２６３】
この共振器８００のベース材８１０は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器８００の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このようなベース材８１０として、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。
【０２６４】
（第２５実施形態）
図６３は、本発明の電子部品の第２５実施形態であるストリップ共振器を示す透視斜視図である。
【０２６５】
図６３に示すように、ストリップ共振器８５０は、複数の構成層８１０を積層してなる積層体と、構成層８１０上に形成されるＵ字状のストリップ導体８８４と、ストリップ導体８８４を構成層８１０を介して上下より挟み込むようにして配置された矩形状のＧＮＤ導体８８３とを有する。また積層体の両側にはそれぞれ共振器用ＨＯＴ端子８８１およびＧＮＤ端子８８２が並設され、ストリップ導体８８４の両端部はそれぞれ共振器用ＨＯＴ端子８８１およびＧＮＤ端子８８２に接続されている。ストリップ共振器８５０の製造方法は、第１実施形態のインダクタと同様である。
【０２６６】
このストリップ共振器８５０の構成層８１０は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨから数ＧＨｚの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、ストリップ共振器８５０の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このような構成層８１０としては、上記絶縁層もしくは誘電体層を用いることが好ましい。
【０２６７】
図６４は、上記第２２〜２５実施形態の共振器の等価回路図を示している。図６４に示すように、共振器用ＨＯＴ端子９８１が同軸路、またはストリップラインから構成される共振器９８４，９４１の一端に接続され、共振器９８４，９４１の他端にはＧＮＤ端子９８２が接続されている。
【０２６８】
（第２６実施形態）
図６５は、本発明の電子部品の第２６実施形態を示すブロック構成図であり、携帯端末機器に本発明の電子部品を使用した例を示している。
【０２６９】
図６５に示す携帯端末器１０００においては、ベースバンドユニット１０１０から送出された送信信号は、ミキサ１００１により混成回路１０２１からのＲＦ信号と混合される。この混成回路１０２１には電圧制御発信回路（ＶＣＯ）１０２０が接続されていて、フェーズロックループ回路（ＰＬＬ）１０１９と共にシンセサイザ回路を構成し、所定の周波数のＲＦ信号が供給されるようになっている。
【０２７０】
ミキサ１００１によりＲＦ変調が行われた送信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１００２を経て、パワーアンプ１００３により増幅される。このパワーアンプ１００３の出力の一部は、カプラ１００４から取り出され、減衰器１００５で所定のレベルに調整された後、再びパワーアンプ１００３に入力され、パワーアンプ１００３の利得が一定になるように調整される。カプラ１００４から送出された送信信号は、逆流防止用のアイソレータ１００６、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）１００７を経てデュプレクサ１００８に入力され、これと接続されているアンテナ１００９から送信される。
【０２７１】
一方、アンテナ１００９に入力された受信信号は、デュプレクサ１００８からアンプ１０１１に入力され、所定のレベルに増幅される。アンプ１０１１から出力された受信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１０１２を経て、ミキサ１０１３に入力される。このミキサ１０１３には、混成回路１０２１からバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１０２２を経てＲＦ信号が入力され、ＲＦ信号成分が除去され、復調される。ミキサ１０１３から出力された受信信号は、ＳＡＷフィルタ１０１４を経てアンプ１０１５で増幅された後、ミキサ１０１６に入力される。ミキサ１０１６には局部発信回路１０１８から所定の周波数の局部発信信号が入力され、前記受信信号は所望の周波数に変換され、アンプ１０１７で所定のレベルに増幅された後、ベースバンドユニット１０１０へ送出される。
【０２７２】
上記携帯端末器１０００は、アンテナ１００９、デュプレクサ１００８、ローパスフィルタ１００７を含むアンテナフロントエンドモジュール（図６５の破線参照）１２００や、アイソレータ１００６、カップラ１００４、減衰器１００５、パワーアンプ１００３を含むアイソレータパワーアンプモジュール（図６５の破線参照）１１００等として、上記のアンテナやパワーアンプを用いることができ、これによりハイブリッドモジュールを構成することができる。また、これら以外の構成要素を含むものをＲＦユニットとして構成できることは既に第２１実施形態で示した通りであり、図６５のＢＰＦ、ＶＣＯ等も、第９〜１１実施形態および第１８実施形態に示すＶＣＯ等を用いることができる。
【０２７３】
上記のようにして携帯端末機器に本実施形態の電子部品を搭載すると、電子部品の小型化により携帯端末器１０００を小型化することができる。また本実施形態の電子部品は曲げ強度に優れるため、電子部品の付け時において、電子部品の欠損ないし変形等を十分に防止することができる。さらに本実施形態の電子部品は、高湿度で使用しても誘電特性の経時変化が十分に防止されるため、携帯端末器１０００を高湿度で使用してもその性能を長期間にわたって維持することができる。
【０２７４】
（第２７実施形態）
図６６〜６８は、本発明の第２７実施形態であるプリント配線板の製造工程を示している。まず、図６６（ａ）に示す複合材料１１０１の上下両面に銅箔１１０２が貼り付けられた両面銅箔付シートを準備し、このシートの銅箔１１０２上にレジストフィルム１１０３を配置し（図６６（ｂ））、さらにマスク１１０４を配置して露光（図６６（ｃ））、現像（図６６（ｄ））、エッチング（図６６（ｅ））した後、レジストを剥離し（図６６（ｆ））、両面パターニング基板を形成する。次に、図６６（ｇ）に示すように、３つのプリプレグ１１０５と２つの両面パターニング基板とを交互に重ね合わせて５層に積層し、加圧加熱して成形する。続いて、例えば、ＮＣ加工により貫通スルーホール１１０６を形成し（図６６（ｈ））、形成した貫通スルーホール１１０６にデスミア無電解メッキを施し、無電解メッキ膜１１０７を形成する（図６６（ｉ））。次に、電解メッキを施し（図６７（ｊ））、研磨した後（図６７（ｋ））、レジストを配置し（図６７（ｌ））、さらに、マスク１１０８を配置して露光（図６７（ｍ））、現像（図６７（ｎ））、エッチング（図６７（ｏ））した後、レジストを剥離する（図６８（ｐ））。続いて、レジストを配置し（図６８（ｑ））、ニッケルメッキ、金メッキすることにより（図６８（ｒ））、プリント配線板が形成される。このように形成されたプリント配線板の複合材料１１０１、プリプレグ１１０５として、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。
【０２７５】
（第２８実施形態）
図６９〜７１は、本発明の第２８実施形態であるプリント配線板の製造工程を示している。第２７実施形態と同様に、図６９（ａ）に示す複合材料１２０１の上下両面に銅箔１２０２が貼り付けられた両面銅箔付シートを準備し、このシートの銅箔１２０２上にレジストフィルム１２０３を配置し（図６９（ｂ））、さらにマスク１２０４を配置して露光（図６９（ｃ））、現像（図６９（ｄ））、エッチング（図６９（ｅ））した後、レジストを剥離し（図６９（ｆ））、両面パターニング基板を形成する。次に、図６９（ｇ）に示すように、両面パターニング基板を挟むように、半硬化シート（ＲＣＣ）１２０５を重ねて加圧加熱して成形する。続いて、レジスト、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を行った後（図６９（ｈ））、レーザー加工を行い、スルーホールを形成する（図６９（ｉ））。次に、スルーホールにデスミア無電解メッキを施し、無電解メッキ膜を形成した後（図６９（ｊ））、電解メッキを施し（図７０（ｋ））、研磨した後（図７０（ｌ））、これを挟むように、半硬化シート（ＲＣＣ）を重ねて加圧加熱して成形する（図７０（ｍ））。続いて、レジスト、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を行った後（図７０（ｎ））、デスミア無電解メッキ、電解メッキ、研磨を施し（図７０（ｏ））、さらに、レジスト、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を行う（図７０（ｐ））。そして、レジストを配置し（図７１（ｑ））、ニッケルメッキ、金メッキすることにより（図７１（ｒ））、プリント配線板が形成される。このように形成されたプリント配線板の複合材料１２０１、ＲＣＣ１２０５として、上記絶縁層もしくは誘電体層が用いられる。
【０２７６】
本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明のプリント配線板および電子部品は、上記実施形態に記載の回路および電子部品のほか、コイルコア、トロイダルコア、円盤コンデンサ、貫通ンデンサ、クランプフィルタ、コモンモードフィルタ、ＥＭＣフィルタ、電源用フィルタ、パルストランス偏向コイル、チョークコイル、ＤＣ−ＤＣコンバータ、ディレイライン、電波吸収シート、薄型電波吸収体電磁シールド、ダイプレクサ、デュプレクサ、アンテナスイッチ回路、アンテナフロントエンド回路、アイレータ・パワーアンプ回路、ＰＬＬ回路、フロントエンド回路、チューナー回路ユニット、方向性結合器、ブルバランスドミキサー（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配器、トナーセンサ、電流センサ、アクチュエータサウンダ（圧電型音声発生器）、マイク、レシーバ、ブザー、ＰＴＣサーミスタ、温度ヒューズ、フェライト石等であってもよい。
【実施例】
【０２７７】
以下に実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【０２７８】
＜合成例１＞
反応容器に水１０００ｍｌ、および水酸化ナトリウム２０ｇを入れ、窒素気流中で、表１の合成例１の欄に示した量の芳香族モノヒドロキシ化合物と芳香族多価ヒドロキシ化合物とを投入し、ファードラー翼により毎分３００回転で１時間攪拌した。次いで、３０℃に保った反応容器に、塩化メチレン１０００ｍｌ中に表１の合成例１の欄に示した量の芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物を溶解した溶液を１５秒かけて滴下し、４時間攪拌を続けた。得られた混合液を静置分液して水相を除去し、残った塩化メチレン相を０．５％濃度の水酸化ナトリウム水溶液による洗浄、および水相の除去を３回繰り返し、さらに、脱イオン水による洗浄と水相の除去を３回繰り返した。洗浄後の塩化メチレン相を４００ｍｌまで濃縮した後、ヘプタン１０００ｍｌを１５秒かけて滴下し、析出物をメタノールにより洗浄し、ろ過、乾燥してポリエステル（Ａ１）を得た。
【０２７９】
＜合成例２〜３＞
合成例１における、表１の合成例１の欄に示した量の芳香族モノヒドロキシ化合物、芳香族多価ヒドロキシ化合物の代わりに、表１の合成例２、３の欄に示した量の芳香族モノヒドロキシ化合物、芳香族多価ヒドロキシ化合物を使用した以外は合成例１と同様にして、ポリエステル（Ａ２）〜（Ａ３）を得た。
【０２８０】
＜合成例４＞
反応容器に水１０００ｍｌ、および水酸化ナトリウム２０ｇを入れ、窒素気流中で、表１の合成例４の欄に示した量の芳香族モノヒドロキシ化合物を投入し、ファードラー翼により毎分３００回転で１時間攪拌した。次いで、３０℃に保った反応容器に、塩化メチレン１０００ｍｌ中に表１の合成例４の欄に示した量の芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物を溶解した溶液を１５秒かけて滴下し、４時間攪拌を続けた。得られた混合液を静置分液して水相を除去し、残った塩化メチレン相を０．５％濃度の水酸化ナトリウム水溶液による洗浄、および水相の除去を３回繰り返し、さらに、脱イオン水による洗浄と水相の除去を３回繰り返した。洗浄後の塩化メチレン相を４００ｍｌまで濃縮した後、ヘプタン１０００ｍｌを１５秒かけて滴下し、析出物をメタノールにより洗浄し、ろ過、乾燥してエステル（Ｂ１）を得た。
【０２８１】
＜合成例５＞
反応容器に水１０００ｍｌ、および水酸化ナトリウム２０ｇを入れ、窒素気流中で、表１の合成例１の欄に示した量の芳香族モノヒドロキシ化合物と芳香族多価ヒドロキシ化合物とを投入し、ファードラー翼により毎分３００回転で１時間攪拌した。次いで、３０℃に保った反応容器に、塩化メチレン１０００ｍｌ中に表１の合成例５の欄に示した量の芳香族多価カルボン酸の酸ハロゲン化物を溶解した溶液を１５秒かけて滴下し、４時間攪拌を続けた。得られた混合液を静置分液して水相を除去し、残った塩化メチレン相を０．５％濃度の水酸化ナトリウム水溶液による洗浄、および水相の除去を３回繰り返し、さらに、脱イオン水による洗浄と水相の除去を３回繰り返した。洗浄後の塩化メチレン相を４００ｍｌまで濃縮した後、ヘプタン１０００ｍｌを１５秒かけて滴下し、析出物をメタノールにより洗浄し、ろ過、乾燥してポリエステル（Ａ４）を得た。
【０２８２】
＜合成例６＞
合成例５における、表１の合成例５の欄に示した量の芳香族多価ヒドロキシ化合物、芳香族モノカルボン酸の代わりに、表１の合成例６の欄に示した量の芳香族モノカルボキシル化合物、芳香族モノカルボン酸を使用した以外は合成例５と同様にして、ポリエステル（Ａ５）を得た。
【０２８３】
＜合成例７＞
反応容器にテトラヒドロフラン４００ｍｌを入れ、窒素気流中で、トリエチルアミン１１ｇとレゾルシノール５．１ｇとを溶解させ、氷冷しながらイソフタル酸クロリド５．１ｇをテトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解した溶液を３０分かけて滴下した。４時間撹拌した後、ｐ−アセトキシ安息香酸クロリド１９．９ｇをテトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解した溶液を滴下した。滴下終了後、溶液を５％濃度の炭酸ナトリウム水溶液中に注ぎ、析出物を吸引濾過、水およびメタノールで洗浄し、減圧乾燥して、下記式（２３）で表される、ポリエステル（Ｈ１）（数平均分子量２９００）を得た。
【０２８４】
【化３７】
（２３）
【０２８５】
＜合成例８＞
反応容器に水１０００ｍｌ、および水酸化ナトリウム２０ｇを入れ、窒素気流中で、ビスフェノールＡ４５．７ｇ、およびテトラブチルアンモニウムブロミド１．２ｇを溶解させた。３０℃に保った反応容器に、イソフタル酸クロリド３２．５ｇ、およびテレフタル酸クロリド８．１ｇを溶解させた塩化メチレン溶液１０００ｍｌを３０秒で滴下した。１時間撹拌した後、静置して分液し、水相を取り除いた。残った塩化メチレン相を０．５％濃度の水酸化ナトリウム水溶液による洗浄、水相の除去を３回繰り返し、さらに、脱イオン水による洗浄と水相の除去を３回繰り返した。洗浄後の塩化メチレン相を４００ｍｌまで濃縮した後、ヘプタン１０００ｍｌを１５秒かけて滴下した後、析出物をメタノールにより洗浄し、ろ過、乾燥して、下記式（２４）で表される、ポリエステル（Ｈ２）（数平均分子量８６００）を得た。
【０２８６】
【化３８】
（２４）
【０２８７】
＜合成例９＞
反応容器に、トルエン５００ｇとエチレングリコールモノエチルエーテル２００ｇの混合溶媒にトリメチルヒドロキノン１５２ｇを溶解した溶液を入れ、該溶液にｐ−トルエンスルホン酸４．６ｇを加えた後、ベンズアルデヒド６４ｇを滴下して、水分を留去しながら１２０℃で１５時間撹拌した。次いで、冷却して析出した結晶をろ別し、ろ液が中性になるまで繰り返し水で洗浄して、下記式（２５）で表されるジヒドロキシベンゾピランを得た。
【０２８８】
【化３９】
（２５）
【０２８９】
＜合成例１０＞
反応容器に、上記式（２５）で表されるジヒドロキシベンゾピラン１８７ｇ、エピクロルヒドリン４６３ｇ、ｎ−ブタノール５３ｇ、およびテトラエチルベンジルアンモニウムクロリド２．３ｇを仕込み、窒素気流中で溶解させ、６５℃の温度で共沸する圧力まで減圧した後、４９％水酸化ナトリウム水溶液８２ｇを５時間かけて滴下し、３０分撹拌した。未反応のエピクロルヒドリンを減圧蒸留して留去した後、メチルイソブチルケトン５５０ｇとｎ−ブタノール５５ｇとを加えて得られた溶液に、１０％水酸化ナトリウム水溶液１５ｇを添加して８０℃で２時間反応させ、反応物を水洗して下記式（２６）で表されるベンゾピラン型エポキシ樹脂を得た。
【０２９０】
【化４０】
（２６）
【０２９１】
【表１】
【０２９２】
表１に示す芳香族多価ヒドロキシ化合物は、各々下記を表す。
ＤＨＤＢＰ：ジヒドロキシベンゾピラン（式（１３）におけるＹがフェニル基で置換されたメチレン基であり、ｎ、ｍが共に３である、合成例９で得られた式（２５）で表される芳香族多価ヒドロキシ化合物。ヒドロキシ基当量１８７ｇ／ｅｑ）。
ＤＣＰＤＤＰ：日本石油株式会社製ジシクロペンタジエニルジフェノール「ＤＰＰ―６０８５」（式（１２）においてｋの平均値が０．１６である芳香族ジヒドロキシ化合物。ヒドロキシ基当量１６５ｇ／ｅｑ）。
ＤＨＤＮ：東京化成工業株式会社製ジヒドロキシジナフタレン（式（１４）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物。ヒドロキシ基当量１４３ｇ／ｅｑ）。
【０２９３】
＜実施例１〜５、１４〜１７＞
合成例１〜６で得られたポリエステルＡ１〜Ａ５、エステルＢ１を硬化剤として、これら硬化剤とエポキシ樹脂、硬化促進剤、有機溶剤（溶媒）、難燃剤および必要に応じてスチレン系エラストマーまたはブタジエン系ポリマーを表２に示す組成で２５℃で混合し、ワニスを調製した。
＜実施例６〜１３、１８〜２４＞
表２に示す組成に従い、合成例１〜６で得られたポリエステルＡ１〜Ａ５とエステルＢ１を硬化剤として、これら硬化剤とエポキシ樹脂、硬化促進剤、溶媒、および必要に応じて難燃剤またはスチレン系エラストマーを２５℃で混合し樹脂を溶解させた後、カップリング剤および誘電体粉末を加えて分散させて、ワニスを調製した。
【０２９４】
調製したワニスを公知のドクターブレード法による塗工機にてＰＥＴフィルム上に塗工・乾燥し、厚さ５０μｍの複合誘電体の半硬化物シートを作製した。得られた複合誘電体シートを２０枚重ね合わせ、真空中１５０℃、４ＭＰａの条件で１時間加圧プレスし、次いで、真空乾燥器中、１９０℃で１０時間熱硬化させ、エポキシ樹脂硬化物を得た。
【０２９５】
＜比較例１、７＞
実施例１、１４において、難燃剤を省いた以外は実施例と全く同様にしてワニスを調製した。
【０２９６】
＜比較例２〜５＞
合成例７〜８で得られたポリエステルＨ１およびＨ２、アジピン酸ジ（ニトロフェニル）エステル、およびメチルテトラヒドロ無水フタル酸を硬化剤として用い、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、および有機溶剤を表３に示す組成で混合し、ワニスを調製した。
【０２９７】
＜比較例６、８＞
表３に示す組成に従い、合成例１、５得られたポリエステルＡ１、Ａ４を硬化剤として、これら硬化剤とエポキシ樹脂、硬化促進剤、溶媒、および難燃剤を２５℃で混合し樹脂を溶解させた後、カップリング材および誘電体粉末を加えて分散させて、ワニスを調製した。
【０２９８】
調製したワニスを公知のドクターブレード法による塗工機にてＰＥＴフィルム上に塗工・乾燥し、厚さ５０μｍの複合誘電体の半硬化物シートを作製した。得られた複合誘電体シートを２０枚重ね合わせ、真空中１５０℃、４ＭＰａの条件で１時間加圧プレスし、次いで、真空乾燥器中、１９０℃で１０時間熱硬化させ、エポキシ樹脂硬化物を得た。
【０２９９】
【表２】
【０３００】
【表３】
【０３０１】
表２と表３中に示すエポキシ樹脂、硬化促進剤、難燃剤、スチレン系エラストマー、ブタジエン系ポリマーは、各々下記を表す。また、表２と表３中のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、溶媒、誘電体粉末、シランカップリング剤、難燃剤、スチレン系エラストマー、ブタジエン系ポリマー、及び重合開始剤の欄の数値は質量（ｇ）を表す。
【０３０２】
ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｈ：大日本インキ化学工業株式会社製ジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２８０ｇ／ｅｑ）。
ベンゾピラン型エポキシ樹脂：合成例１０で得られた、式（２６）で表されるベンゾピラン型エポキシ樹脂（エポキシ当量２６５ｇ／ｅｑ）。
ＤＭＡＰ：４−ジメチルアミノピリジン。
ＳＡＹＴＥＸ８０１０：アルベマールコーポレーション製のエタン−１，２−ビス（ペンタブロモフェニル）。
ＫＲＡＴＯＮ Ｇ １７０１：クレイトンポリマー製のスチレン−エチレン−プロピレンのジブロック共重合体。
ＢＦ−１０００：旭電化工業株式会社製の部分エポキシ化した１，２−ポリブタジエン（オキシラン酸素＝８％）。
【０３０３】
実施例１〜２４および比較例１〜８で得られたワニスを用いて、下記の方法により、実施例１〜２４および比較例１〜８の半硬化シート（Ａ）、半硬化シート（Ｂ）、プリプレグ状シート（Ｃ）、硬化物シート（Ｄａ）、両面銅箔付硬化物シート（Ｄｂ）、ガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）、両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆａ）、両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆｂ）を製造した。
【０３０４】
［半硬化シート（Ａ）、半硬化シート（Ｂ）］
上記で得られたワニスを横型塗工機（ヒラノテクシード社製）により、ドクターブレードにてギャップを制御し、塗工を行った。
支持体にはポリエチレンテレフタレートシート（厚み５０μｍ）もしくは、１８μｍ電解銅箔（日鉱マテリアルズ ＪＴＣ箔）を使用し、ギャップは１００〜１５０μｍで速度０．３ｍ／ｍｉｎ，乾燥は１２０℃／５分の熱風乾燥にて行い、ロールｔｏロールにて巻取った。これを１００×１００ｍｍのサイズに裁断し、絶縁層厚み５０μｍの片面ＰＥＴ支持体付半硬化シートＡ（実施例１〜２４）および片面銅箔付半硬化シートＢ（実施例１〜２４）を得た。比較例１〜８についても同様の手順により、片面にＰＥＴ支持体が付いた半硬化シートＡおよび片面に銅箔が付いた半硬化シートＢを作製した。
【０３０５】
［プリプレグ状シート（Ｃ）］
上記で得られたワニスを、含浸塗工装置（市金エンジニアング社製）を用い、ガラスクロス（１０８０タイプ、Ｅガラス、旭シュエーベル社製）に含浸塗工を行った。塗工速度は０．３ｍ／ｍｉｎでギャップは３００μｍ、乾燥条件は８０℃／５分＋１２０℃／５分で行い、ロールｔｏロールで巻き取った。さらに１００×１００ｍｍに裁断し、厚み１００μｍの実施例１〜２４、比較例１〜８に係るプリプレグ状シートＣを得た。
【０３０６】
［硬化物シート（Ｄａ）］
上記実施例１〜２４、比較例１〜８に係る半硬化シートＡを１００℃に加熱したホットプレート上にて貼り付け、支持体除去を１６回繰り返し、厚み０．８ｍｍの厚い半硬化シートを得、さらに高温真空プレス（ＫＶＨＣ型、北川精機株式会社製）を用い、４℃分→１３０℃／６０分キープ→４℃／分→１９０℃／３時間、圧力１ＭＰａの条件にて高温真空プレスを行った。得られた硬化物シート（Ｄａ）の厚みは０．７ｍｍである。
【０３０７】
［両面銅箔付硬化物シート（Ｄｂ）］
上記実施例１〜２４、比較例１〜８に係る銅箔付きの半硬化シート（Ｂ）を、絶縁層（樹脂層）を合わせて重ね合わせ、高温真空プレス（ＫＶＨＣ型、北川精機株式会社製）を用い、４℃／分→１３０℃／６０分キープ→４℃／分→１９０℃／３時間、圧力２ＭＰａの条件にて高温真空プレスを行った。得られた両面銅箔付硬化物シート（Ｄｂ）の厚みは０．１ｍｍであった。
【０３０８】
［ガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）］
実施例１〜２４、比較例１〜８に係るプリプレグ状シート（Ｃ）を８枚重ねあわせ、高温真空プレス（ＫＶＨＣ型、北川精機株式会社製）を用い、４℃／分→１３０℃／６０分キープ→４℃／分→１９０℃／３時間、圧力１ＭＰａの条件にて高温真空プレスを行った。得られたガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）の厚みは０．７ｍｍであった。
【０３０９】
［両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆａ）］
実施例１〜２４，比較例１〜８に係るプリプレグ状シート（Ｃ）の上下両面に、１８μ厚の電解銅箔（日鉱マテリアルズ社製、ＪＴＣ箔）を重ね合わせ、高温真空プレス（ＫＶＨＣ型、北川精機株式会社製）を用い、４℃／分→１３０℃／６０分キープ→４℃／分→１９０℃／３時間、圧力２ＭＰａの条件にて高温真空プレスを行った。得られた両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆａ）の厚みは０．１ｍｍであった。
【０３１０】
［両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆｂ）］
実施例１〜２４、比較例１〜８に係る銅箔付きの半硬化シート（Ｂ）の間にガラスクロス（１０８０タイプ、Ｅガラス、旭シュエーベル社製）をはさみ、高温真空プレス（ＫＶＨＣ型、北川精機株式会社製）を用い、４℃／分→１３０℃／６０分キープ→４℃／分→１９０℃／３時間、圧力２ＭＰａの条件にて高温真空プレスを行った。得られた両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆｂ）の厚みは０．１ｍｍであった。
【０３１１】
以上の方法により製造した半硬化シート、プリプレグ状シート、硬化物シート、ガラスクロス入硬化物シート、両面銅箔付硬化物シート、両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シートの評価を以下の方法によって行った。その結果を表４に示す。
【０３１２】
（誘電特性の測定）
硬化物シート（Ｄａ）およびガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）について、ＴＤＫオリジナル測定方法である摂動法により、絶乾後２３℃、湿度５０％の室内に２４時間保管した後のエポキシ樹脂硬化物、および１２１℃、２時間のプレッシャークッカーテストによる吸湿試験後のエポキシ樹脂硬化物の２ＧＨｚでの誘電率およびＱ値（誘電正接の逆数）を測定した。
誘電率の変化率は下記式で算出した
誘電率の変化率（％）＝（吸湿後の誘電率−初期誘電率）／（初期誘電率）×１００
【０３１３】
（銅箔引き剥がし（ピール強度）試験）
両面銅箔付硬化物シート（Ｄｂ）および両面銅箔付ガラスクロス入硬化物シート（Ｆａ），（Ｆｂ）について、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に基づき、幅１０ｍｍの箔を５０ｍｍ／分の速さで垂直に引き剥がしたときの強度を測定した。
【０３１４】
（ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定）
硬化物シート（Ｄａ）およびガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）について、セイコー電子工業株式会社製粘弾性スペクトロメータ「ＤＭＳ２００」により、１Ｈｚにおけるｔａｎδのピーク値の温度をガラス転移温度として測定した。
【０３１５】
（ＵＬ―９４難燃性試験）
硬化物シート（Ｄａ）およびガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）について、ＵＬ―９４の規格に準拠した垂直燃焼試験により、合格するものを○、不合格なものを×とした。
【０３１６】
（はんだ耐熱性試験）
硬化物シート（Ｄａ）およびガラスクロス入硬化物シート（Ｅ）について、ＪＩＳ−Ｃ−６４８１に準拠した方法により、３００℃のはんだ浴に１２０秒間浸漬したエポキシ樹脂硬化物の状態を目視により評価した。目視により、膨れ、割れなどがないものを○、膨れ、割れなどが発生したものを×とした。
【０３１７】
【表４】
【０３１８】
表４に示す結果から明らかなように、本発明のエポキシ樹脂硬化物を用いて製造された実施例１〜２４の各種シートは、低い誘電正接、高い耐熱性、高い体積抵抗率（絶縁性）を示すと共に、難燃性に優れる。さらに、可とう性付与材としてスチレン系またはポリブタジエン系ポリマーを添加したエポキシ樹脂硬化物を用いて製造された実施例２〜４、７〜１３、１５〜１６、１９〜２４の各種シートは、半硬化状態（Ｂステージ）における可とう性が良好であり、ハンドリング性や耐クラック性などが改善されたものとなる。このように、誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、難燃性が高い材料から構成されたプリント配線板および電子部品を提供することができる。
【０３１９】
以上説明したように、本発明のプリント配線板および電子部品においては、分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステル（Ａ）をエポキシ樹脂組成物の硬化剤とすることで、硬化時に極性の高いヒドロキシ基が生成せず、誘電正接の低いエポキシ樹脂硬化物が得られるため、優れた電気特性を得ることが可能になる。該硬化物は吸湿にともなう加水分解により誘電正接を増加させる低分子量のカルボン酸が遊離せず、高湿度条件下においても低い誘電正接を示す。
【０３２０】
また、分子鎖内部にもエポキシ基に対して反応活性を持つエステル結合を有するため、該ポリエステル（Ａ）をエポキシ樹脂の硬化剤として使用すると、エポキシ樹脂硬化物の架橋密度が高くなり、ガラス転移温度が高く、耐熱性に優れたプリント配線板および電子部品が得られる。
【０３２１】
さらに、硬化促進剤を添加することにより、エポキシ樹脂硬化物の硬化速度を促進して生産性を向上することができる。難燃剤を添加することにより、電気絶縁用材料用途に要求される難燃性を付与することができる。有機溶剤を添加することにより、プリント配線板および電子部品の材料の製造に必要な塗工性、含浸性を付与することができる。
【０３２２】
特に、芳香族多価ヒドロキシ化合物残基が式（１）〜（４）で表される、嵩高い芳香環や脂環式構造を分子内に複数有する基である場合、得られるポリエステル（Ａ）の分子鎖の結晶化が抑えられ、該ポリエステル（Ａ）は有機溶剤中への溶解性に優れ、該ポリエステル（Ａ）を含有するエポキシ樹脂組成物を溶媒に溶解させる際や、ワニスを調整する際には、使用する溶媒量が少量でよい。
また、芳香族多価カルボン酸として、一般式（５）〜（７）で表される芳香族多価カルボン酸から得られるポリエステル（Ａ）は、各種溶媒に対し優れた溶解性を示す。また、一般式（８）〜（１０）で表される芳香族モノヒドロキシ化合物を使用したポリエステル（Ａ）を硬化剤としたエポキシ樹脂組成物からは、低い誘電正接を示すエポキシ樹脂硬化物が得られる。
【０３２３】
前記難燃剤として、臭素化芳香族系難燃剤を用いたエポキシ樹脂硬化物は、誘電正接や誘電率等の電気特性に対して悪影響を与えにくく、電気絶縁用材料などの用途に好適である。
【０３２４】
可とう性付与材として、スチレン系エラストマー、およびポリブタジエン系ポリマーの少なくとも一つを添加したエポキシ樹脂硬化物は、半硬化状態でのハンドリング性に優れ、クラックや切断の際の樹脂落ち（粉落ち）等を抑制することができる。
【０３２５】
本発明のプリント配線板および電子部品は、上記エポキシ樹脂硬化物を用いて製造されるものであるので、低い誘電正接、高い耐熱性、および難燃性を備え、特に高湿度の環境下でも誘電率が変化しにくい。これによって高湿度条件下において特性変化の小さなプリント基板および電子部品を得られる。
【図面の簡単な説明】
【０３２６】
【図１】本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図２】本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示す断面図である。
【図３】本発明の電子部品の第２実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図４】本発明の電子部品の第２実施形態であるインダクタを示す断面図である。
【図５】本発明の電子部品の第３実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図６】本発明の電子部品の第３実施形態であるインダクタを示す断面図である。
【図７】本発明の電子部品の第４実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図８】本発明の電子部品の第４実施形態であるインダクタを示す断面図である。
【図９】本発明の電子部品の第５実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図１０】（ａ）は本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示す等価回路図であり、（ｂ）は本発明の電子部品の第５実施形態であるインダクタを示す等価回路図である。
【図１１】本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタを示す透視斜視図である。
【図１２】本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタを示す断面図である。
【図１３】本発明の電子部品の第７実施形態であるキャパシタを示す透視斜視図である。
【図１４】（ａ）は本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタを示す等価回路図であり、（ｂ）は本発明の電子部品の第７実施形態であるキャパシタを示す等価回路図である。
【図１５】本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスを示す透視斜視図である。
【図１６】本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスを示す断面図である。
【図１７】本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスの各構成層の分解平面図である。
【図１８】本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスを示す等価回路図である。
【図１９】本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタを示す斜視図である。
【図２０】本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタを示す分解斜視図である。
【図２１】本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２２】本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタの伝達特性を示すグラフである。
【図２３】本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタを示す斜視図である。
【図２４】本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタを示す分解斜視図である。
【図２５】本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２６】本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタの伝達特性を示すグラフである。
【図２７】本発明の電子部品の第１１実施形態であるカプラを示す透視斜視図である。
【図２８】本発明の電子部品の第１１実施形態であるカプラを示す断面図である。
【図２９】本発明の電子部品の第１１実施形態であるカプラの各構成層の分解斜視図である。
【図３０】本発明の電子部品の第１１実施形態であるカプラの内部結線図である。
【図３１】本発明の電子部品の第１１実施形態であるカプラの等価回路図である。
【図３２】本発明の電子部品の第１２実施形態であるアンテナを示す透視斜視図である。
【図３３】本発明の電子部品の第１２実施形態であるアンテナを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図である。
【図３４】本発明の電子部品の第１２実施形態であるアンテナの各構成層の分解斜視図である。
【図３５】本発明の電子部品の第１３実施形態であるアンテナを示す透視斜視図である。
【図３６】本発明の電子部品の第１３実施形態であるアンテナを示す分解斜視図である。
【図３７】本発明の電子部品の第１４実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図３８】本発明の電子部品の第１４実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。
【図３９】本発明の電子部品の第１５実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図４０】本発明の電子部品の第１５実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。
【図４１】本発明の電子部品の第１６実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図４２】本発明の電子部品の第１６実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。
【図４３】本発明の電子部品の第１７実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図４４】本発明の電子部品の第１７実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。
【図４５】本発明の電子部品の第１８実施形態であるＶＣＯを示す透視斜視図である。
【図４６】本発明の電子部品の第１８実施形態であるＶＣＯを示す断面図である。
【図４７】本発明の電子部品の第１８実施形態であるＶＣＯを示す等価回路図である。
【図４８】本発明の電子部品の第１９実施形態であるパワーアンプの各構成層の分解平面図である。
【図４９】本発明の電子部品の第１９実施形態であるパワーアンプを示す断面図である。
【図５０】本発明の電子部品の第１９実施形態であるパワーアンプを示す等価回路図である。
【図５１】本発明の電子部品の第２０実施形態である重畳モジュールの各構成層の分解平面図である。
【図５２】本発明の電子部品の第２０実施形態である重畳モジュールを示す断面図である。
【図５３】本発明の電子部品の第２０実施形態である重畳モジュールを示す等価回路図である。
【図５４】本発明の電子部品の第２１実施形態であるＲＦモジュールを示す斜視図である。
【図５５】図５４の外装部材を外した状態でのＲＦモジュールの斜視図である。
【図５６】本発明の電子部品の第２１実施形態であるＲＦモジュールの各構成層の分解斜視図である。
【図５７】本発明の電子部品の第２１実施形態であるＲＦモジュールを示す断面図である。
【図５８】本発明の電子部品の第２２実施形態である共振器を示す透視斜視図である。
【図５９】本発明の電子部品の第２２実施形態である共振器を示す断面図である。
【図６０】本発明の電子部品の第２３実施形態であるストリップ共振器を示す透視斜視図である。
【図６１】本発明の電子部品の第２３実施形態であるストリップ共振器を示す断面図である。
【図６２】本発明の電子部品の第２４実施形態である共振器を示す透視斜視図である。
【図６３】本発明の電子部品の第２５実施形態であるストリップ共振器を示す透視斜視図である。
【図６４】本発明の電子部品の第２２〜２５実施形態である共振器の等価回路図である。
【図６５】本発明の電子部品の第２６実施形態である携帯端末器の高周波数部を示すブロック構成図である。
【図６６】本発明の第２７実施形態であるプリント配線板の製造工程を示す図である。
【図６７】本発明の第２７実施形態であるプリント配線板の製造工程を示す図である。
【図６８】本発明の第２７実施形態であるプリント配線板の製造工程を示す図である。
【図６９】本発明の第２８実施形態であるプリント配線板の製造工程を示す図である。
【図７０】本発明の第２８実施形態であるプリント配線板の製造工程を示す図である。
【図７１】本発明の第２８実施形態であるプリント配線板の製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【０３２７】
１０ インダクタ（電子部品）
１０ａ〜１０ｅ 構成層（絶縁層もしくは誘電体層）
１３ 内部導体（導電性素子部）
１４ ビアホール（導電性素子部）
２０ キャパシタ（電子部品）
２０ａ〜２０ｇ 構成層（絶縁層もしくは誘電体層）
２３ 内部導体（導電性素子部）
４０ バルントランス（電子部品）
４０ａ〜４０ｏ 構成層（絶縁層もしくは誘電体層）
４３ 内部導体（導電性素子部）
４５ ＧＮＤ導体（導電性素子部）
６０ 積層フィルタ（電子部品）
１１０ カプラ（電子部品）
１３０、１４０ アンテナ（電子部品）
１５０、１６０、１７０ パッチアンテナ（電子部品）
１４０ａ〜１４０ｃ 構成層（絶縁層もしくは誘電体層）
１４３ａ、１４３ｂ 内部導体（導電性素子部）
１４４ ビアホール（導電性素子部）
１５０ａ 構成層（絶縁層もしくは誘電体層）
１５５ ＧＮＤ導体（導電性素子部）
１５９ パッチ導体（導電性素子部）
１５９ａ、１５９ｅ パッチ導体（導電性素子部）
１６０ パッチアンテナ（電子部品）
１６０ａ…構成層（絶縁層もしくは誘電体層）
１６５…ＧＮＤ導体（導電性素子部）
１６９…パッチ導体（導電性素子部）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステルと、エポキシ樹脂と、硬化促進剤と、難燃剤とを含む樹脂組成物からなる樹脂層を備える、ことを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
前記芳香族多価ヒドロキシ化合物残基は、下記式（１）〜（４）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記芳香族多価カルボン酸残基は、下記式（５）〜（７）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記アリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基中のアリール基は、下記式（８）〜（１０）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種のアリール基である、ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【化１】
（１）
（式（１）中、ｋは０または１である。）
【化２】
（２）
（式（２）中、Ｙは酸素原子、メチレン基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたメチレン基、フェニル基で置換されたメチレン基、ナフチル基で置換されたメチレン基、ビフェニル基で置換されたメチレン基、９−フルオレニル基で置換されたメチレン基、または該フェニル基、該ナフチル基、あるいは該ビフェニル基に更に炭素数１〜４のアルキル基が核置換したメチレン基を表す。ｎおよびｍは、各々１〜３の整数を表す。）
【化３】
（３）
【化４】
（４）
【化５】
（５）
【化６】
（６）
【化７】
（７）
（式中Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｇは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、またはハロゲン原子を表す。ａ、ｅ、ｇは各々０〜４の整数を示し、ｂ、ｄは各々０〜３の整数を表す。Ｘは単結合、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【化８】
（８）
【化９】
（９）
【化１０】
（１０）
（式中、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｔ、Ｕは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子を表す。ｐ、ｒは０〜５の整数、ｑ、ｔは０〜４の整数、ｕは０〜３の整数を表す。Ｚは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【請求項３】
前記樹脂層に設けられ、キャパシタ素子またはインダクタ素子を構成する、少なくとも１つの導電性素子部を備える、ことを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記難燃剤は、臭素化芳香族系難燃剤である、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記難燃剤は、エタン−１，２−ビス（ベンタブロモフェニル）である、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項６】
前記樹脂組成物は、スチレン系エラストマーとポリブタジエン系ポリマーとの少なくとも一つを含有する、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項７】
少なくとも１層に前記樹脂組成物と、前記樹脂組成物よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する樹脂層を備える、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項８】
前記誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７〜１００００あり、Ｑ値が２００〜１０００００である金属酸化物粉末である、ことを特徴とする請求項７に記載のプリント配線板。
【請求項９】
前記誘電体セラミック粉末と前記樹脂組成物との合計を１００体積％としたとき、前記誘電体セラミックス粉末が５〜６５体積％含有する、ことを特徴とする請求項７または８に記載のプリント配線板。
【請求項１０】
前記樹脂層は、前記樹脂組成物中に分散される磁性体粉末を更に含む、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項１１】
前記樹脂層は、強化繊維からなるクロスを更に含む、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項１２】
前記強化繊維は、Ｅガラスのガラスクロス、Ｄガラスのガラスクロス、ＮＥガラスのガラスクロス、Ｈガラスのガラスクロス、Ｔガラスのガラスクロス、アラミドの多孔質膜、ポリアミドの多孔質膜、及びポリ４弗化エチレンの多孔質膜からなる群から選ばれる少なくとも１つである、ことを特徴とする請求項１１に記載のプリント配線板。
【請求項１３】
分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステルと、エポキシ樹脂と、硬化促進剤と、難燃剤とを含む樹脂組成物からなる樹脂層を備える、ことを特徴とする電子部品。
【請求項１４】
前記芳香族多価ヒドロキシ化合物残基は、下記式（１）〜（４）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記芳香族多価カルボン酸残基は、下記式（５）〜（７）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記アリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基中のアリール基は、下記式（８）〜（１０）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種のアリール基である、ことを特徴とする請求項１３に記載の電子部品。
【化１１】
（１）
（式（１）中、ｋは０または１である。）
【化１２】
（２）
（式（２）中、Ｙは酸素原子、メチレン基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたメチレン基、フェニル基で置換されたメチレン基、ナフチル基で置換されたメチレン基、ビフェニル基で置換されたメチレン基、９−フルオレニル基で置換されたメチレン基、または該フェニル基、該ナフチル基、あるいは該ビフェニル基に更に炭素数１〜４のアルキル基が核置換したメチレン基を表す。ｎおよびｍは、各々１〜３の整数を表す。）
【化１３】
（３）
【化１４】
（４）
【化１５】
（５）
【化１６】
（６）
【化１７】
（７）
（式中Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｇは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、またはハロゲン原子を表す。ａ、ｅ、ｇは各々０〜４の整数を示し、ｂ、ｄは各々０〜３の整数を表す。Ｘは単結合、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【化１８】
（８）
【化１９】
（９）
【化２０】
（１０）
（式中、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｔ、Ｕは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子を表す。ｐ、ｒは０〜５の整数、ｑ、ｔは０〜４の整数、ｕは０〜３の整数を表す。Ｚは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【請求項１５】
前記樹脂層に設けられ、キャパシタ素子またはインダクタ素子を構成する、少なくとも１つの導電性素子部を備える、ことを特徴とする請求項１３または１４に記載の電子部品。
【請求項１６】
前記難燃剤は、臭素化芳香族系難燃剤である、ことを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１７】
前記難燃剤は、エタン−１，２−ビス（ベンタブロモフェニル）である、ことを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１８】
前記樹脂組成物は、スチレン系エラストマーとポリブタジエン系ポリマーとの少なくとも一つを含有する、ことを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１９】
少なくとも１層に前記樹脂組成物と、前記樹脂組成物よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する樹脂層を備える、ことを特徴とする請求項１３乃至１８のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項２０】
前記誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７〜１００００あり、Ｑ値が２００〜１０００００である金属酸化物粉末である、ことを特徴とする請求項１９に記載の電子部品。
【請求項２１】
前記誘電体セラミック粉末と前記樹脂組成物との合計を１００体積％としたとき、前記誘電体セラミックス粉末が５〜６５体積％含有する、ことを特徴とする請求項１９または２０に記載の電子部品。
【請求項２２】
前記樹脂層は、前記樹脂組成物中に分散される磁性体粉末を更に含む、ことを特徴とする請求項１３乃至２１のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項２３】
前記樹脂層は、強化繊維からなるクロスを更に含む、ことを特徴とする請求項１３乃至２２のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項２４】
前記強化繊維は、Ｅガラスのガラスクロス、Ｄガラスのガラスクロス、ＮＥガラスのガラスクロス、Ｈガラスのガラスクロス、Ｔガラスのガラスクロス、アラミドの多孔質膜、ポリアミドの多孔質膜、及びポリ４弗化エチレンの多孔質膜からなる群から選ばれる少なくとも１つである、ことを特徴とする請求項２３に記載の電子部品。
【請求項１】
分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステルと、エポキシ樹脂と、硬化促進剤と、難燃剤とを含む樹脂組成物からなる樹脂層を備える、ことを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
前記芳香族多価ヒドロキシ化合物残基は、下記式（１）〜（４）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記芳香族多価カルボン酸残基は、下記式（５）〜（７）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記アリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基中のアリール基は、下記式（８）〜（１０）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種のアリール基である、ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【化１】
（１）
（式（１）中、ｋは０または１である。）
【化２】
（２）
（式（２）中、Ｙは酸素原子、メチレン基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたメチレン基、フェニル基で置換されたメチレン基、ナフチル基で置換されたメチレン基、ビフェニル基で置換されたメチレン基、９−フルオレニル基で置換されたメチレン基、または該フェニル基、該ナフチル基、あるいは該ビフェニル基に更に炭素数１〜４のアルキル基が核置換したメチレン基を表す。ｎおよびｍは、各々１〜３の整数を表す。）
【化３】
（３）
【化４】
（４）
【化５】
（５）
【化６】
（６）
【化７】
（７）
（式中Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｇは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、またはハロゲン原子を表す。ａ、ｅ、ｇは各々０〜４の整数を示し、ｂ、ｄは各々０〜３の整数を表す。Ｘは単結合、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【化８】
（８）
【化９】
（９）
【化１０】
（１０）
（式中、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｔ、Ｕは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子を表す。ｐ、ｒは０〜５の整数、ｑ、ｔは０〜４の整数、ｕは０〜３の整数を表す。Ｚは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【請求項３】
前記樹脂層に設けられ、キャパシタ素子またはインダクタ素子を構成する、少なくとも１つの導電性素子部を備える、ことを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記難燃剤は、臭素化芳香族系難燃剤である、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記難燃剤は、エタン−１，２−ビス（ベンタブロモフェニル）である、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項６】
前記樹脂組成物は、スチレン系エラストマーとポリブタジエン系ポリマーとの少なくとも一つを含有する、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項７】
少なくとも１層に前記樹脂組成物と、前記樹脂組成物よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する樹脂層を備える、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項８】
前記誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７〜１００００あり、Ｑ値が２００〜１０００００である金属酸化物粉末である、ことを特徴とする請求項７に記載のプリント配線板。
【請求項９】
前記誘電体セラミック粉末と前記樹脂組成物との合計を１００体積％としたとき、前記誘電体セラミックス粉末が５〜６５体積％含有する、ことを特徴とする請求項７または８に記載のプリント配線板。
【請求項１０】
前記樹脂層は、前記樹脂組成物中に分散される磁性体粉末を更に含む、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項１１】
前記樹脂層は、強化繊維からなるクロスを更に含む、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項１２】
前記強化繊維は、Ｅガラスのガラスクロス、Ｄガラスのガラスクロス、ＮＥガラスのガラスクロス、Ｈガラスのガラスクロス、Ｔガラスのガラスクロス、アラミドの多孔質膜、ポリアミドの多孔質膜、及びポリ４弗化エチレンの多孔質膜からなる群から選ばれる少なくとも１つである、ことを特徴とする請求項１１に記載のプリント配線板。
【請求項１３】
分子鎖末端にアリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基を有する、芳香族多価カルボン酸残基と芳香族多価ヒドロキシ化合物残基とからなるポリエステルと、エポキシ樹脂と、硬化促進剤と、難燃剤とを含む樹脂組成物からなる樹脂層を備える、ことを特徴とする電子部品。
【請求項１４】
前記芳香族多価ヒドロキシ化合物残基は、下記式（１）〜（４）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記芳香族多価カルボン酸残基は、下記式（５）〜（７）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記アリールオキシカルボニル基もしくはアリールカルボニルオキシ基中のアリール基は、下記式（８）〜（１０）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種のアリール基である、ことを特徴とする請求項１３に記載の電子部品。
【化１１】
（１）
（式（１）中、ｋは０または１である。）
【化１２】
（２）
（式（２）中、Ｙは酸素原子、メチレン基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたメチレン基、フェニル基で置換されたメチレン基、ナフチル基で置換されたメチレン基、ビフェニル基で置換されたメチレン基、９−フルオレニル基で置換されたメチレン基、または該フェニル基、該ナフチル基、あるいは該ビフェニル基に更に炭素数１〜４のアルキル基が核置換したメチレン基を表す。ｎおよびｍは、各々１〜３の整数を表す。）
【化１３】
（３）
【化１４】
（４）
【化１５】
（５）
【化１６】
（６）
【化１７】
（７）
（式中Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｇは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、またはハロゲン原子を表す。ａ、ｅ、ｇは各々０〜４の整数を示し、ｂ、ｄは各々０〜３の整数を表す。Ｘは単結合、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【化１８】
（８）
【化１９】
（９）
【化２０】
（１０）
（式中、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｔ、Ｕは置換基であり、各々炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子を表す。ｐ、ｒは０〜５の整数、ｑ、ｔは０〜４の整数、ｕは０〜３の整数を表す。Ｚは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、または−ＳＯ２−を表す。）
【請求項１５】
前記樹脂層に設けられ、キャパシタ素子またはインダクタ素子を構成する、少なくとも１つの導電性素子部を備える、ことを特徴とする請求項１３または１４に記載の電子部品。
【請求項１６】
前記難燃剤は、臭素化芳香族系難燃剤である、ことを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１７】
前記難燃剤は、エタン−１，２−ビス（ベンタブロモフェニル）である、ことを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１８】
前記樹脂組成物は、スチレン系エラストマーとポリブタジエン系ポリマーとの少なくとも一つを含有する、ことを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１９】
少なくとも１層に前記樹脂組成物と、前記樹脂組成物よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する樹脂層を備える、ことを特徴とする請求項１３乃至１８のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項２０】
前記誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７〜１００００あり、Ｑ値が２００〜１０００００である金属酸化物粉末である、ことを特徴とする請求項１９に記載の電子部品。
【請求項２１】
前記誘電体セラミック粉末と前記樹脂組成物との合計を１００体積％としたとき、前記誘電体セラミックス粉末が５〜６５体積％含有する、ことを特徴とする請求項１９または２０に記載の電子部品。
【請求項２２】
前記樹脂層は、前記樹脂組成物中に分散される磁性体粉末を更に含む、ことを特徴とする請求項１３乃至２１のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項２３】
前記樹脂層は、強化繊維からなるクロスを更に含む、ことを特徴とする請求項１３乃至２２のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項２４】
前記強化繊維は、Ｅガラスのガラスクロス、Ｄガラスのガラスクロス、ＮＥガラスのガラスクロス、Ｈガラスのガラスクロス、Ｔガラスのガラスクロス、アラミドの多孔質膜、ポリアミドの多孔質膜、及びポリ４弗化エチレンの多孔質膜からなる群から選ばれる少なくとも１つである、ことを特徴とする請求項２３に記載の電子部品。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図５１】
【図５２】
【図５３】
【図５４】
【図５５】
【図５６】
【図５７】
【図５８】
【図５９】
【図６０】
【図６１】
【図６２】
【図６３】
【図６４】
【図６５】
【図６６】
【図６７】
【図６８】
【図６９】
【図７０】
【図７１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図５１】
【図５２】
【図５３】
【図５４】
【図５５】
【図５６】
【図５７】
【図５８】
【図５９】
【図６０】
【図６１】
【図６２】
【図６３】
【図６４】
【図６５】
【図６６】
【図６７】
【図６８】
【図６９】
【図７０】
【図７１】
【公開番号】特開２００６−５９９９９（Ｐ２００６−５９９９９Ａ）
【公開日】平成１８年３月２日（２００６．３．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２３９９６６（Ｐ２００４−２３９９６６）
【出願日】平成１６年８月１９日（２００４．８．１９）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月２日（２００６．３．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年８月１９日（２００４．８．１９）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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