半導体装置の製造装置及び半導体装置の作製方法
【課題】低コストの半導体装置の作製方法及び低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供する。
【解決手段】列置された持着部１０４を有する治具１０３と、列置された持着部１０４の間隔を制御する制御手段１００と、複数の半導体集積回路１０２が設けられる支持手段１０１と、複数の素子１１２を有する基板１１１が設けられる支持手段１１４とを有し、列置された持着部１０４を有する治具１０１により半導体集積回路１０２を素子１１２に実装して半導体装置を作製する半導体装置の製造装置である。一回の工程において、複数の半導体集積回路１０２をピックアップし、複数の素子１１２に複数の半導体集積回路１０２を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストの半導体装置の作製方法を提供することができる。
【解決手段】列置された持着部１０４を有する治具１０３と、列置された持着部１０４の間隔を制御する制御手段１００と、複数の半導体集積回路１０２が設けられる支持手段１０１と、複数の素子１１２を有する基板１１１が設けられる支持手段１１４とを有し、列置された持着部１０４を有する治具１０１により半導体集積回路１０２を素子１１２に実装して半導体装置を作製する半導体装置の製造装置である。一回の工程において、複数の半導体集積回路１０２をピックアップし、複数の素子１１２に複数の半導体集積回路１０２を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストの半導体装置の作製方法を提供することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造装置に関する。また、基板（または可撓性基板）上に設けられた回路（または素子）に半導体集積回路を電気的に接続する半導体装置の作製方法に関する。特に、アンテナを介した無線通信によりデータの入出力を行う半導体装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アンテナと当該アンテナと電気的に接続された半導体集積回路とを有する半導体装置は、ＲＦＩＤタグとして注目されている。ＲＦＩＤタグは、ＩＣタグ、ＩＤタグ、トランスポンダ、ＩＣチップ、ＩＤチップとも呼ばれる。可撓性基板上に複数のアンテナを設け、当該複数のアンテナに対して１つずつ半導体集積回路を電気的に接続するＲＦＩＤタグの作製方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、１枚の基板（以下、素子基板ともいう。）に複数の半導体集積回路を形成し、複数の半導体集積回路を１つずつ取り出し、取り出した半導体集積回路を素子基板とは別の基板上に実装する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−１１５６４６号公報
【特許文献２】特開２０００−２９９５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
コストを低減するため、複数の半導体集積回路は素子基板上に高集積化して形成することが好ましい。一方、アンテナは所定の周波数の電磁波を受信するために所定の形状及び大きさとする必要がある。そのため、素子基板上に形成される複数の半導体集積回路の間隔は、可撓性基板上の複数のアンテナの間隔よりも狭くなる傾向にある。この場合、可撓性基板上の複数のアンテナに、素子基板上に形成された複数の半導体集積回路を同時に電気的に接続することはできなかった。そのため、例えば特許文献２に記載されたような方法を用いて、素子基板上に形成された複数の半導体集積回路のうちの１つを取り出し可撓性基板上の複数のアンテナのうち１つのアンテナと接続する動作を、素子基板上に形成された全ての半導体集積回路に対して繰り返さなければならなかった。それ故、タクトタイムが長く、半導体装置の製造コストを高くしていた。
【０００５】
上記の実情を鑑み、低コストの半導体装置の作製方法及び低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、列置された複数の持着部を有する治具と、列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数の素子を有する基板が設けられる支持手段とを有し、列置された複数の持着部を有する治具により半導体集積回路を素子に実装して半導体装置を作製する半導体装置の製造装置を要旨とする。
【０００７】
本発明は、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、半導体集積回路に対向するような間隔ｘ（０≦ｘ）で列置された複数の持着部を有する治具と、列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、隣接する素子の接続端子の間隔がａである素子を複数有する基板と、基板を支持する支持手段とを有し、制御手段は持着部でピックアップした半導体集積回路、及び素子が対向するように、持着部の間隔ｘを間隔ａ（ａ＞ｘ）にして、治具により半導体集積回路を素子に実装して半導体装置を作製することを特徴とする半導体装置の製造装置を要旨とする。
【０００８】
また、本発明は、列置された複数の持着部を有する治具により、複数の半導体集積回路をピックアップし、列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段により、素子の接続端子と半導体集積回路の接続端子とが対向するように、列置された複数の持着部の間隔を制御し、対向した素子の接続端子及び半導体集積回路の接続端子を接続させる半導体装置の作製方法を要旨とする。
【０００９】
また、本発明は、間隔ｘで列置された複数の持着部を有する治具により、複数の半導体集積回路をピックアップし、列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段により、列置された複数の持着部の間隔を間隔ｘからａへ制御し、隣接する素子の接続端子の間隔がａである素子の接続端子と、半導体集積回路の接続端子とを接続する半導体装置の作製方法を要旨とする。
【００１０】
なお、半導体集積回路は、複数の半導体素子により回路が構成されるものであり、代表的には、複数の半導体素子が形成されるシリコンチップや、薄膜半導体素子を有するチップ等がある。また、素子の代表例としては、アンテナ、半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、または表示装置である。
【００１１】
また、本発明は以下を含む。
【００１２】
本発明の一は、複数の半導体集積回路が設けられる第１の支持手段と、複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、複数の持着部が列置された治具と、複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の素子を有する基板が設けられる第２の支持手段と、を有し、治具は、第１の支持手段に設けられる複数の半導体集積回路を複数の持着部によりピックアップした後、第２の支持手段に設けられる基板上の複数の素子に複数の半導体集積回路を実装することを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００１３】
なお、制御手段は、複数の素子の接続端子と、複数の半導体集積回路の接続端子とが対向するように、列置される複数の持着部を移動させることを特徴とする。
【００１４】
また、第１の支持手段及び第２の支持手段は、ステージ、ベルトコンベヤー、またはロボットアームであってもよい。
【００１５】
また、第１の支持手段はステージ、ベルトコンベヤー、またはロボットアームであり、第２の支持手段は、複数の素子を有する可撓性基板を供給するローラー及び複数の素子を有する可撓性基板を巻き取るローラーであってもよい。
【００１６】
また、複数の持着部は直線状に列置されていてもよい。
【００１７】
本発明の一は、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、複数の持着部が列置される第１のローラーと、複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の素子を有する可撓性基板を供給する第２のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御する第３のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板を巻き取る第４のローラーと、を有し、第１のローラーは、支持手段に設けられる複数の半導体集積回路を複数の持着部によりピックアップした後、第２のローラーを用いて複数の素子に複数の半導体集積回路を実装することを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００１８】
また、本発明の一は、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、複数の持着部が列置される第１のローラーと、複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の素子を有する可撓性基板を供給する第２のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御する第３のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板を切断する手段と、を有し、第１のローラーは、支持手段に設けられる複数の半導体集積回路を複数の持着部によりピックアップした後、第２のローラーを用いて複数の素子に複数の半導体集積回路を実装し、切断する手段は、複数の半導体集積回路が実装された複数の素子を有する可撓性基板を切断することを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００１９】
また、本発明の一は、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、複数の持着部が列置される第１のローラーと、複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の素子を有する第１の可撓性基板を供給する第２のローラーと、複数の素子を有する第１の可撓性基板の移動を制御する第３のローラーと、第２の可撓性基板を供給する第４のローラーと、複数の素子を有する第１の可撓性基板、複数の半導体集積回路、及び第２の可撓性基板を貼り合わせる一対の第５及び第６のローラーと、を有し、第１のローラーは、支持手段に設けられる複数の半導体集積回路を複数の持着部によりピックアップした後、第２のローラーを用いて複数の素子に複数の半導体集積回路を実装し、一対の第５及び第６のローラーは、複数の半導体集積回路が実装された複数の素子を有する第１の可撓性基板に第２の可撓性基板を貼りあわせることを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００２０】
なお、複数の持着部が列置される第１のローラーには、２ｎ組の持着部、または（２ｎ＋１）組の持着部を有する。
【００２１】
また、本発明の一は、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数の半導体集積回路を持着する複数の第１の持着部と、複数の第１の持着部が列置される第１のローラーと、複数の第１の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の第１の持着部から複数の半導体集積回路を持着する複数の第２の持着部と、複数の第２の持着部が列置される第２のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板を供給する第３のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御する第４のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板を巻き取る第５のローラーと、を有し、第２のローラーは、複数の第１の持着部で持着した複数の半導体集積回路を複数の第２の持着部により持着した後、第４のローラーを用いて複数の素子に複数の半導体集積回路を実装することを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００２２】
なお、第１のローラー及び第２のローラーは、それぞれ２ｎ組の第１の持着部及び２ｎ組の第２の持着部を有してもよい。また、第１のローラー、及び第２のローラーは、それぞれ（２ｎ＋１）組の第１の持着部、及び（２ｎ＋１）組の第２の持着部を有してもよい。
【００２３】
また、複数の第１の持着部及び第２の持着部はそれぞれ直線状に列置されていてもよい。
【００２４】
また、本発明の一は、第１の支持手段上に複数の半導体集積回路を設置し、治具に列置された複数の持着部を用いて複数の半導体集積回路をピックアップし、列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段により、第２の支持手段上に設けられた基板上の複数の素子の接続端子に複数の半導体集積回路の接続端子が対向するように複数の持着部の間隔を制御し、複数の半導体集積回路の接続端子及び複数の素子の接続端子を接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２５】
本発明の一は、支持手段上に複数の半導体集積回路を設置し、ローラーに列置された複数の持着部を用いて複数の半導体集積回路をピックアップし、複数の素子を有する可撓性基板を供給するローラー、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御するローラー、及び複数の素子を有する可撓性基板を回収するローラーを回転させて、複数の素子を有する可撓性基板を移動させ、複数の持着部が列置されたローラーを回転させて、複数の半導体集積回路及び素子を有する可撓性基板を対向させ、複数の持着部の間隔を制御する制御手段により、可撓性基板の複数の素子の接続端子に、複数の半導体集積回路の接続端子が対向するように複数の持着部の間隔を制御し、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御するローラー及び複数の持着部が列置されたローラーを用いて、複数の半導体集積回路の接続端子及び複数の素子の接続端子を接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２６】
なお、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御するローラー及び複数の持着部が列置されたローラーを用いて、複数の半導体集積回路の接続端子及び複数の素子の接続端子を接続させた後、切断手段により可撓性基板を切断してもよい。
【００２７】
また、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御するローラー及び持着部が列置されたローラーを用いて、複数の半導体集積回路の接続端子及び複数の素子の接続端子を接続させた後、一対のローラーを用いて複数の半導体集積回路及び複数の素子の表面に可撓性基板を貼り合わせてもよい。
【００２８】
さらには、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御するローラー及び複数の持着部が列置されたローラーを用いて、複数の半導体集積回路の接続端子及び複数の素子の接続端子を接続させた後、一対のローラーを用いて複数の半導体集積回路及び複数の素子の表面に可撓性基板を貼り合せ、切断手段により複数の素子を有する可撓性基板及び可撓性基板を切断してもよい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の半導体装置の作製方法は、複数の半導体集積回路を複数の持着部によりピックアップした後、半導体集積回路の接続端子及び素子の接続端子が対向するように、複数の持着部の間隔を制御し、素子及び半導体集積回路を接続して、半導体装置を作製することができる。このため、隣接する半導体集積回路の接続端子の間隔と、隣接する素子の接続端子の間隔とが異なっていても、素子基板から半導体集積回路をピックアップして素子に対向させる間に、複数の持着部の間隔を制御するのみで、素子に半導体集積回路を貼りあわせることができる。また、一回の工程において、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数の素子に複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストの半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００３０】
本発明の半導体装置の製造装置は、列置された複数の持着部を有する治具と、列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数の素子を有する可撓性基板が設けられる支持手段とを有する。治具は、列置された複数の持着部と、持着部の間隔を制御する制御手段とを有する。このため、隣接する半導体集積回路の接続端子の間隔と、隣接する素子の接続端子の間隔とが異なっていても、素子基板から半導体集積回路をピックアップして素子に対向させる間に、複数の持着部の間隔を制御するのみで、素子に半導体集積回路を貼りあわせることができる。また、一回の工程において、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数の素子に複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更しうることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。
【００３２】
（実施の形態１）
本実施の形態の半導体装置の製造装置及び作製方法について説明する。説明には図１、図１６乃至１８を用いる。
【００３３】
本実施の形態の半導体装置の製造装置は、図１８に一形態を示すように、支持手段１０１から半導体集積回路１０２をピックアップする列置された複数の持着部１０４と、持着部１０４を複数有する治具１０３と、複数の持着部１０４を制御する制御手段１００と、複数の素子を有する基板１１１を搭載する支持手段１１４と有し、列置された持着部１０４によりピックアップされた半導体集積回路１０２を、基板１１１上に形成される素子に実装する。なお、以下の実施の形態においては、素子としてアンテナ１１２を示し、半導体装置としては、アンテナに半導体集積回路が実装されたものを示す。しかしながら、素子はアンテナに限定されるものではない。また、半導体装置は素子に半導体集積回路が実装されたものである。
【００３４】
列置された持着部１０４は、吸着ノズル、コレット、ピンセット、またはツメに代表される把治具を用いることができる。ここでは、持着治具として吸着ノズルを用いる。また、持着部１０４にヒーターを設けてもよい。持着部１０４にヒーターを設けることにより、支持手段１０１上に設けられた半導体集積回路１０２を持着部１０４でピックアップして、アンテナ１１２を有する基板１１１上に移動した後、持着部のヒーターを加熱して、アンテナ１１２上に半導体集積回路１０２を熱圧着して実装することができる。なお、ヒーターとしては、室温から５００℃の加熱が可能なヒーターが好ましい。また、持着部１０４を圧着して半導体集積回路及びアンテナを接続する場合、各持着部は１０ｇ〜１００ｋｇ、好ましくは５０ｇ〜５０ｋｇの荷重が可能であることが好ましい。更には、持着部１０４にモーター等の駆動部を設けることで、半導体集積回路の向き（θ方向）をも回転させることが可能であり、アンテナを有する基板に半導体集積回路を実装する場合の位置合わせが容易となる。
【００３５】
治具１０３は、ロボットアーム、ヘッド、ローラー等の移動装置であり、昇降及び水平移動（ｘｙｚ方向）を自由に行うことが可能である。また、治具１０３は、レールやモーター等の駆動部１０８と接続されていても良い。治具１０３または駆動部１０８により、支持手段１０１上の半導体集積回路１０２を持着部１０４でピックアップした後、支持手段１１４上のアンテナ１１２付近まで移動させて、アンテナ１１２に半導体集積回路１０２を実装することができる。
【００３６】
列置された持着部１０４を制御する制御手段１００は、半導体集積回路１０２を支持手段１０１からピックアップした後、半導体集積回路１０２の接続端子が基板１１１上に形成された各アンテナ１１２の接続端子に対向するように、列置された持着部１０４を移動させるものである。制御手段１００としては、半導体集積回路１０２を列置された持着部１０４でピックアップしたことを検知する検出素子と、列置された持着部１０４がアンテナに対向する位置に移動されたことを検知する検知手段と、列置された持着部１０４の間隔を変更する駆動部とを有する。また、隣接されるアンテナの接続端子の間隔を検出する検出素子を有してもよい。半導体集積回路１０２を列置された持着部１０４でピックアップしたことを検知する検出素子や、隣接されるアンテナの接続端子の間隔を検出する検出素子としては、ＣＣＤカメラ等を用いることが可能であり、検出素子で検出した画像情報を画像処理して、半導体集積回路、アンテナの接続端子やアライメントの位置を検出する。
【００３７】
列置された持着部１０４を制御する制御手段１００に含まれる駆動部の代表例を図１６及び１７を用いて説明する。図１６（Ａ）に示すように、列置された持着部１０４には、レール１０５と、レール１０５内を移動する支持部１０６ａと、持着部１０４に固定された支持部１０６ｂと、隣接する支持部１０６ａ及び１０６ｂに設けられた軸１０７、１０８を有する。また、治具１０３内には、持着部１０４が移動可能なようにレール１０９が設けられている。
【００３８】
支持手段上の半導体集積回路をピックアップする場合は、図１６（Ａ）に示すように、レール１０５内を移動する支持部１０６ａが固定された支持部１０６ｂから離れた位置に位置する。このときの持着部１０４の間隔をｘとする。
【００３９】
アンテナに半導体集積回路を対向させる場合は、図１６（Ｂ）に示すように、レール１０５内を支持部１０６ａが移動し、固定された支持部１０６ｂとの距離が縮まる。このとき、軸１０７、１０８も移動し、持着部１０４の間隔がｘからａへ広げることができる。
【００４０】
また、他の例としては、図１７（Ａ）に示すように、治具１０３内にレール１０９が設けられ、持着部１０４にはレール１０９内を移動するモーター等の動力手段１１０が設けられている。
【００４１】
支持手段上の半導体集積回路をピックアップする場合は、図１７（Ａ）に示すように、持着部１０４の間隔がｘである。
【００４２】
アンテナに半導体集積回路を対向させる場合は、図１７（Ｂ）に示すように、持着部１０４に設けられた動力手段がレール１０９内を移動して、持着部１０４の間隔がｘからａへ広げることができる。
【００４３】
支持手段１０１は複数の半導体集積回路を支持する手段であり、支持手段１１４は、複数のアンテナを有する可撓性基板を支持する手段であり、代表的にはステージ、ベルトコンベヤー、ロボットアーム等を用いることができる。また、ステージは、昇降（ｚ方向）及び水平移動（ｘｙ方向）が可能な移動装置に設けられてもよい。ステージやベルトコンベヤーを支持手段として用いる場合、複数の半導体集積回路はシートや基板上に設置されている。また、ロボットアームを支持手段として用いる場合、複数の半導体集積回路は枠体に固定される粘着性フィルム上に設置されていてもよい。この場合、ロボットアームは枠体を挟持する。粘着性フィルムとしては、紫外線硬化型粘着フィルム（ＵＶフィルム、ＵＶテープ、ＵＶシートともいう。）や、圧力が加わることにより粘着力が変化する感圧フィルム（感圧テープ、感圧シートともいう。）、熱硬化型粘着フィルム（熱硬化型粘着テープ、熱硬化型粘着シートともいう。）等がある。さらには、粘着性フィルムはエキスパンドタイプの伸縮可能なものであってもよい。
【００４４】
半導体集積回路１０２は、複数の半導体素子により回路が構成されるものであり、代表的には、複数の半導体素子が形成されるシリコンチップや、薄膜半導体素子を有するチップ等がある。
【００４５】
複数の半導体素子が形成されるシリコンチップの作製方法の代表例としては、シリコンウエハの表面にＭＯＳトランジスタや、容量、抵抗、ダイオード等を形成する。次に、シリコンウエハの裏面をバックグラインドと呼ばれる研磨処理行い、シリコンウエハの厚さを３０〜２５０μｍ、好ましくは５０〜１００μｍにする。この後、ダイサーで矩形状にシリコンウエハを分割したチップである。
【００４６】
薄膜半導体素子を有するチップの代表例としては、薄膜トランジスタ、容量、抵抗、薄膜ダイオード等を有する層である。薄膜半導体素子を有するチップの作製方法の代表例としては、基板上に、薄膜トランジスタ、容量、抵抗、薄膜ダイオード等を有する層を形成し、当該層を基板から剥離し、矩形状に分断することにより形成される。
【００４７】
アンテナ１１２は、印刷法、導電性薄膜をエッチングする方法、メッキ法等の手法により可撓性基板上に形成された導電層を用いることができる。アンテナ１１２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＢａのいずれか一つ以上の元素を有する導電層で形成することができる。
【００４８】
図１３に本発明に適応可能なアンテナの上面図を示す。アンテナとして機能する導電層の形状は、半導体装置における信号の伝送方式が電磁結合方式または電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する場合には、磁界密度の変化による電磁誘導を利用するため、図１３（Ａ）に示すように、方形コイル状２８１や、円形コイル状（例えば、スパイラルアンテナ）とすることができる。また、図１３（Ｂ）に示すように方形ループ状２８２や円形ループ状とすることができる。
【００４９】
また、マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアンテナとして機能する導電層の長さ等の形状を適宜設定すればよく、図１３（Ｃ）に示すように直線型ダイポール状２８３や曲線型ダイポール状、面状（例えば、パッチアンテナ）とすることができる。
【００５０】
なお、本実施の形態では素子の代表例として、アンテナ１１２を用いて示しているが、これに限定されるものではない。例えば、半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、表示装置等を適宜用いることができる。
【００５１】
基板１１１としては、代表的には、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレン、ポリプロピレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、ポリフタールアミド等からなる基板や繊維質な材料からなる紙と、熱可塑性材料で形成される層として接着性有機樹脂（アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）とが、積層された基板を用いることができる。また、上記の基板において、可撓性を有する可撓性基板を用いてもよい。さらには、ガラス基板、石英基板、金属基板等を用いてもよい。
【００５２】
次に、本実施の形態で示す半導体装置の作製方法について、以下に示す。
【００５３】
図１（Ａ）に示すように、支持手段１０１上に設けられた複数の半導体集積回路１０２を、列置された複数の持着部１０４で持着する。このときの持着部１０４の間隔をｘ（０≦ｘ）とする。
【００５４】
次に、図１（Ｂ）に示すように、支持手段１０１から半導体集積回路１０２をピックアップする。このとき、治具１０３を支持手段１０１から離れる方向へ移動させる。または、支持手段１０１を治具１０３から離れる方向へ移動させる。または、持着部１０４及び支持手段１０１が離れる方向へそれぞれを移動させる。また、持着部１０４の伸縮を制御する手段を有する場合、持着部１０４を縮ませる。これらにより、支持手段１０１から半導体集積回路１０２をピックアップすることができる。
【００５５】
次に、図１（Ｃ）に示すように、支持手段１１４にアンテナ１１２を有する基板１１１を搭載する。次にアンテナ１１２の接続端子（図示せず。）に導電性ペースト１１３を塗布する。なお、導電性ペースト１１３の代わりに、異方性導電接着剤や異方性導電フィルムをアンテナ１１２の接続端子上に設けてもよい。また、アンテナ１１２の接続端子として、アンテナの一部を用いてもよい。
【００５６】
次に、アンテナ１１２を有する基板１１１上に治具１０３を移動させる。このとき、半導体集積回路１０２の接続端子、及びアンテナ１１２の接続端子が対向するように、制御手段により持着部１０４の間隔を広げる。代表的には、隣接するアンテナ１１２の接続端子の間隔がａの場合、制御手段により列置する持着部１０４の間隔をａとする。なお、アンテナ１１２を有する基板１１１上に治具１０３を移動させる代わりに、アンテナ１１２を有する基板１１１を支持する支持手段１１４を治具１０３の下へ移動してもよい。
【００５７】
次に、図１（Ｄ）に示すように、導電性ペースト１１３上に半導体集積回路１０２を搭載する。この後、リフロー工程等を経て、導電性ペースト１１３を介して半導体集積回路１０２及びアンテナ１１２を実装する。
【００５８】
また、ボンディング手段を設けてもよい。この場合、持着部１０４を有する治具１０３によりピックアップした半導体集積回路１０２をアンテナ１１２上に搭載（仮接着）させた後、半導体集積回路１０２及び導電性ペースト１１３を圧着し、半導体集積回路１０２とアンテナ１１２とを実装（本圧着）させることができる。このようなボンディング手段としては、熱圧着法や超音波接合法を用いたものあり、代表的にはヒーターや超音波ホーンを有する治具を用いることができる。
【００５９】
以上の工程により、半導体集積回路及びアンテナで構成される複数の半導体装置を有する基板を作製することができる。この後、半導体集積回路及びアンテナを覆うように、保護層を形成してもよい。また、半導体集積回路及びアンテナを覆うように、基板１１１に別途基板を貼り付けてもよい。このような基板としては、基板１１１で示された可撓性基板と同様のものを適宜用いることができる。
【００６０】
さらには、可撓性基板を切断することにより、半導体集積回路及びアンテナで構成される半導体装置を作製することができる。
【００６１】
本実施の形態の半導体装置の作製方法は、半導体集積回路を持着部によりピックアップした後、隣接する半導体集積回路の接続端子及び隣接するアンテナの接続端子が対向するように、持着部の間隔を制御し、アンテナに半導体集積回路を接続して、半導体装置を作製することができる。このため、隣接する半導体集積回路の接続端子の間隔と、隣接するアンテナの接続端子の間隔とが異なっていても、半導体集積回路をピックアップしてアンテナに対向させる間に、持着部の間隔を制御するのみで、アンテナに半導体集積回路を貼りあわせることができる。また、一回の工程において、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数のアンテナに複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストの半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００６２】
本実施の形態の半導体装置の製造装置は、列置された複数の持着部を有する治具と、列置された持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数のアンテナを有する可撓性基板が設けられる支持手段とを有する。治具は、列置された複数の持着部と、持着部の間隔を制御する制御手段とを有する。このため、隣接する半導体集積回路の接続端子の間隔と、隣接するアンテナの接続端子の間隔とが異なっていても、半導体集積回路をピックアップしてアンテナに対向させる間に、持着部の間隔を制御するのみで、アンテナに半導体集積回路を貼りあわせることができる。また、一回の工程において、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数のアンテナに複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することができる。
【００６３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、ロール ｔｏ ロール方式を用いた半導体装置の製造装置及び作製方法について説明する。説明には図２乃至４、及び図１９を用いる。
【００６４】
図１９に示すように、本実施の形態の半導体装置の製造装置は、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８が巻かれている供給用のローラー２０５と、可撓性基板２０８の移動を制御すると共に、アンテナ２０９上に半導体集積回路２０２を実装するローラー２０６と、アンテナ２０９に半導体集積回路２０２が実装された可撓性基板２０８を巻き取る回収用のローラー２０７とを有する。また、半導体集積回路２０２を支持する支持手段２０１と、半導体集積回路２０２を持着する持着部２０４を有するローラー２０３を有する。なお、持着部２０４はローラー２０３の側面において列置されている。また、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８の表面に、異方性導電フィルムが設けられていてもよい。また、ローラー２０３、２０５〜２０７には、それぞれの回転軸２０３ａ、２０５ａ〜２０７ａを移動させる移動手段を有してもよい。回転軸２０３ａ、２０５ａ〜２０７ａを移動させる移動手段により、ローラー２０３、２０５〜２０７を上昇または下降させて、ローラー２０３、２０５〜２０７の位置を制御することができる。また、持着部２０４には、持着部２０４の伸縮を制御する手段を有してもよい。
【００６５】
本実施の形態の半導体集積回路２０２、持着部２０４、アンテナ２０９、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８は、それぞれ実施の形態１で上記した半導体集積回路１０２、持着部１０４、アンテナ１１２、アンテナ１１２を有する基板１１１を適宜選択して用いることができる。
【００６６】
可撓性基板２０８の移動を制御すると共に、アンテナ２０９上に半導体集積回路２０２を実装するローラー２０６は、供給用のローラー２０５及び回収用のローラー２０７の間に設けられている。また、可撓性基板２０８の移動を制御すると共に、アンテナ２０９上に半導体集積回路２０２を実装するローラー２０６は、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８を間に介して持着部２０４を有するローラー２０３と対向して設けられる。
【００６７】
ローラー２０３、２０５〜２０７は、円筒状の回転体であり、代表的には、表面の磨かれた円筒状の鋳造品等に相当する。ローラー２０３、２０５〜２０７の各々は、所定の速度で回転する。また、ローラー２０５〜２０７は同じ方向に回転し、ローラー２０３は、ローラー２０６と反対方向または同じ方向に回転する。
【００６８】
ここで、ローラー２０３に列置された持着部２０４の構成について説明する。図２（Ａ）は半導体装置の製造装置のｘ軸方向の断面を示し、図２（Ｂ）は図２（Ａ）における半導体装置の製造装置のｙ軸方向の断面を示す。また、図２（Ｃ）は半導体装置の製造装置のｘ軸方向の断面を示し、図２（Ｄ）は図２（Ｃ）における半導体装置の製造装置のｙ軸方向の断面を示す。図２（Ａ）及び（Ｂ）より、持着部２０４は、ローラー２０３のｙ軸方向に複数列置されている。このときの列置された持着部２０４の間隔はｘである。なお、図２において、持着部２０４はｙ軸方向に複数列置された構成を示したが、これに限定されるものではない。即ち、ｘ軸方向に複数の持着部が整列されていてもよい。
【００６９】
次に、半導体装置の作製方法について説明する。
【００７０】
図２（Ａ）、及び（Ｂ）に示すように、ローラー２０５が回転することにより、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８が送り出される。可撓性基板２０８はローラー２０６を経て、ローラー２０７へ流れる。また、ローラー２０５〜２０７が回転することにより、ローラー２０７自体に可撓性基板２０８が巻き付けてられていく。つまり、ローラー２０７により、可撓性基板２０８が回収される。
【００７１】
支持手段２０１の移動方向と反対方向または同じ方向にローラー２０３が回転する。ローラー２０３の圧力、持着部２０４と半導体集積回路２０２との間隔、ローラー２０３の回転速度、支持手段２０１の移動速度を適宜調節することにより、支持手段２０１上に設けられた半導体集積回路２０２をローラー２０３の持着部２０４で持着することができる。
【００７２】
次に、ローラー２０３がローラー２０６と反対方向または同じ方向に回転することにより、支持手段２０１から半導体集積回路２０２を剥離する。
【００７３】
また、上記の手法の代わりに以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路２０２をピックアップしてもよい。ローラー２０３が回転しない状態において、ローラー２０３の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０３を半導体集積回路２０２側に移動させる。次に、持着部２０４により支持手段２０１から半導体集積回路２０２を持着した後、ローラー２０３の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０３をローラー２０６側に移動させて支持手段２０１から半導体集積回路２０２を持着部２０４で持着する。この後、ローラー２０３を回転させる。このようなローラー２０３の移動により、確実に支持手段２０１から半導体集積回路２０２を剥離することができる。
【００７４】
また、上記の手法の代わりに以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路２０２をピックアップしてもよい。ローラー２０３が回転しない状態において、持着部２０４の伸縮を制御する手段により、持着部２０４を半導体集積回路２０２側に伸ばす。次に、持着部２０４により支持手段２０１から半導体集積回路２０２を持着した後、持着部２０４の伸縮を制御する手段により、持着部２０４を縮ませ、支持手段２０１から半導体集積回路２０２を持着部２０４でピックアップする。この後、ローラー２０３を回転させる。このような持着部２０４の伸縮により、確実に支持手段２０１から半導体集積回路２０２を剥離することができる。
【００７５】
次に、図２（Ｃ）、及び（Ｄ）に示すように、ローラー２０３が回転しながら、半導体集積回路２０２の接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２０４の間隔が広げられる。このときの列置された持着部２０４の間隔はａとなる。
【００７６】
次に、ローラー２０６及び持着部２０４によって、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。ローラー２０６及び持着部２０４の間隔、及び一対のローラー２０３、２０６の回転速度を適宜調節することで、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。
【００７７】
また、上記の手法の代わりに以下の手法を用いて、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。ローラー２０３を回転させて、半導体集積回路２０２がアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、ローラー２０３、２０５〜２０７の回転を止める。次に、半導体集積回路２０２の接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２０４の間隔が広げられる。このときの列置された持着部２０４の間隔はａとなる。次に、ローラー２０３の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０３をローラー２０６側に移動させる。次に、ローラー２０６及び持着部２０４によって、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。
【００７８】
次に、ローラー２０３の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０３を支持手段２０１側に移動させて、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。この後、ローラー２０３、２０５〜２０７を回転させる。
【００７９】
また、上記の手法の代わりに以下の手法を用いて、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。ローラー２０３を回転させて、半導体集積回路２０２がアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、ローラー２０３、２０５〜２０７の回転を止める。次に、半導体集積回路２０２の接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２０４の間隔が広げる。このときの列置された持着部２０４の間隔はａとなる。次に、ローラー２０３、２０５〜２０７が回転しない状態において、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０５〜２０７を持着部２０４側に移動させる。次に、持着部２０４及びローラー２０６により可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。
【００８０】
次に、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０６を支持手段２０１から離れさせた後、ローラー２０３、２０５〜２０７を回転させる。
【００８１】
また、上記の手法の代わりに以下の手法を用いて、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。ローラー２０３を回転させて、半導体集積回路２０２がアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、ローラー２０３、２０５〜２０７の回転を止める。次に、半導体集積回路２０２の接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２０４の間隔が広げる。このときの列置された持着部２０４の間隔はａとなる。次に、ローラー２０３、２０５〜２０７が回転しない状態において、持着部２０４の伸縮を制御する手段により、持着部２０４をローラー２０６側に伸ばす。次に、持着部２０４及びローラー２０６により可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。次に、持着部２０４の伸縮を制御する手段により、持着部２０４を縮ませた後、ローラー２０３、２０５〜２０７を回転させる。
【００８２】
なお、本実施の形態の半導体装置の製造装置に、持着部２０４を有するローラー２０３とは別に、ヒーター等の加熱手段を有する一対のローラーを有していてもよい。この場合、持着部２０４を有するローラー２０３によりピックアップした半導体集積回路２０２をアンテナ２０９に搭載（仮接着）させた後、ヒーター等の加熱手段を有する一対のローラーにより半導体集積回路２０２及び異方性導電フィルム２１０を熱圧着し、半導体集積回路２０２とアンテナ２０９とを実装（本圧着）させても良い。
【００８３】
なお、図２においては、ローラー２０６の回転方向と平行な方向（即ち、ｘ軸方向）に、各アンテナの接続部を並べて配置してある。しかしながら、これに限らず、ローラー２０６の回転方向と垂直な方向（即ち、ｙ軸方向）に各アンテナの接続部を並べて配置しても良い。この場合、図２に示す構成と同様にローラー２０６及び持着部２０４がアンテナ及び半導体集積回路を一度挟持するだけで、半導体集積回路をアンテナに実装することができるため、歩留まりを向上させることが可能である。
【００８４】
この後、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８、およびアンテナ２０９に接続された半導体集積回路２０２をローラー２０７で回収する。以上の工程により、アンテナに半導体集積回路が実装された複数の半導体装置を有するシートを形成することができる。
【００８５】
また、貼りあわせられたアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８および、アンテナ２０９に実装された半導体集積回路２０２を巻き取る回収用のローラー２０７の代わりに、図３（Ｃ）に示すように、切断手段２２１を有してもよい。この結果、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８および、アンテナ２０９に接続された半導体集積回路２０２で構成される半導体装置を、個々に分断することができる。切断手段２２１は、ダイシング装置、スクライビング装置、レーザ照射装置等を適宜用いることができる。
【００８６】
また、図２及び３に示す半導体装置を有するシートを可撓性基板を用いて封止することができる。ここでは、図３の変形例について図４を用いて説明する。図４（Ａ）及び（Ｃ）は半導体装置の製造装置のｘ軸方向の断面を示し、図４（Ｂ）及び（Ｄ）はそれぞれ図４（Ａ）及び（Ｃ）における半導体装置の製造装置のｙ軸方向の断面を示す。
【００８７】
図４（Ａ）及び（Ｃ）に示すように、図３に示す半導体装置の製造装置に加え、可撓性基板２３２が巻かれている供給用のローラー２３１と、可撓性基板２３２の移動を制御すると共に、半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８上に可撓性基板２３２を貼り合わせる一対のローラー２３３、２３４とを有してもよい。
【００８８】
図２及び３と同様に、図４（Ａ）、及び（Ｂ）に示すように、ローラー２０３の圧力、持着部２０４と半導体集積回路２０２との間隔、ローラー２０３の回転速度、支持手段２０１の移動速度を適宜調節することにより、支持手段２０１上に設けられた半導体集積回路２０２をローラー２０３に列置された持着部２０４で持着することができる。このときの列置された持着部２０４の間隔をｘとする。
【００８９】
次に、ローラー２０３がローラー２０６と反対方向または同じ方向に回転することにより、支持手段２０１から半導体集積回路２０２を剥離する。次に、図４（Ｃ）、及び（Ｄ）に示すように、半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２０４の間隔が広げられる。ここでは列置される持着部２０４の間隔をｘからａに広げる。
【００９０】
次に、ローラー２０６及び持着部２０４により、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。ローラー２０６及び持着部２０４の間隔、及びローラー２０６及びローラー２０３の回転速度を適宜調節することで、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。
【００９１】
ローラー２３１が回転することにより、可撓性基板２３２が送り出される。可撓性基板２３２はローラー２３３へ流れる。一対のローラー２３３、２３４が互いに反対方向または同じ方向に回転することにより、可撓性基板２３２によって、半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８を封止する。ローラー２３３、２３４の間隔、及び一対のローラー２３３、２３４の回転速度を適宜調節することで、可撓性基板２０８及び可撓性基板２３２によって、半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９を封止することができる。
【００９２】
以上により半導体装置が設けられたシートを作製することができる。
【００９３】
この後、アンテナの間で露出された可撓性基板を切断手段２３５により切断し、半導体集積回路及びアンテナで構成される半導体装置を作製することができる。
【００９４】
本実施の形態の半導体装置の製造装置を用いることにより、複数の工程を連続的に行うことが可能である。また、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数のアンテナに複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することができる。
【００９５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、支持手段２０１に設けられた半導体集積回路において接続端子が形成される面によって、半導体装置の作製方法が異なる形態について図５及び６を用いて説明する。なお、本実施の形態では、図２に示す半導体装置の製造装置を用いて説明するが、図３及び４の半導体装置の製造装置を適宜用いることができる。
【００９６】
図５（Ａ）及び（Ｂ）は、図２（Ａ）及び（Ｃ）と同様に半導体装置の製造装置のｘ軸方向の断面を示す。図示しないが、図５（Ａ）及び（Ｂ）においても図２（Ｂ）及び（Ｄ）と同様に複数の持着部がローラーのｙ軸方向に列置されている。図６（Ａ）乃至（Ｃ）も同様に、半導体装置の製造装置のｘ軸方向の断面を示す。図示しないが、図６（Ａ）乃至（Ｃ）においても同様に複数の持着部がローラーのｙ軸方向に列置されている。
【００９７】
図５（Ａ）の拡大図２６０で示されるように、半導体集積回路２０２の接続端子２６１ａ、２６１ｂは支持手段２０１に面しており、持着部２０４側に露出していない形態について説明する。なお、このように、半導体集積回路２０２の接続端子２６１ａ、２６１ｂが支持手段２０１に面する構成としては、半導体集積回路２０２内部に、半導体素子と接続するスルーホールを形成し、該スルーホールを充填するプラグを接続端子２６１ａ、２６１ｂとしてもよい。また、半導体集積回路の表面に接続端子を形成した後、接続端子が支持手段２０１側に面するように、半導体集積回路を反転させて支持手段２０１に設けてもよい。
【００９８】
図２（Ａ）及び（Ｂ）と同様に、支持手段２０１上に設けられた半導体集積回路２０２をローラー２０３に列置された持着部２０４で持着する。持着部２０４が半導体集積回路２０２を持着する領域の拡大図２６０で示すように、支持手段２０１に対して、半導体集積回路２０２の接続端子２６１ａ、２６１ｂが形成される面が面しており、当該面と反対側の面において、持着部２０４が半導体集積回路２０２を持着する。
【００９９】
次に、ローラー２０３がローラー２０６と反対方向または同じ方向に回転することにより、支持手段２０１から半導体集積回路２０２をピックアップする。次に、図示しないが半導体集積回路２０２の接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により列置された持着部２０４の間隔がｙ軸方向に広げられる。
【０１００】
次に、図５（Ｂ）に示すように、ローラー２０３及び列置された持着部２０４が可撓性基板２０８及びアンテナ２０９と対向したとき、ローラー２０６及び持着部２０４による加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。ローラー２０６及び持着部２０４の間隔、及び一対のローラー２０３、２０６の回転速度を適宜調節することで、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９の接続端子の拡大図２６３で示すように、異方性導電フィルム２１０を介してアンテナ２０９と半導体集積回路２０２が接続される。
【０１０１】
この後、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８および、アンテナ２０９に実装された半導体集積回路２０２をローラー２０７で回収することができる。
【０１０２】
次に、図６（Ａ）の拡大図２７０で示されるように、半導体集積回路２０２の接続端子２７１ａ、２７１ｂが持着部２０４側に面しており、支持手段２０１側に露出していない形態について説明する。
【０１０３】
接続端子２７１ａ、２７１ｂが持着部２０４に面している半導体集積回路は、ローラー２０３の持着部２０４でピックアップし、治具を回転させても、接続端子２７１ａ、２７１ｂはアンテナ２０９に面しない。このため、半導体装置の製造装置は、治具の他に、半導体集積回路２０２をひっくり返すフリップチップ手段を必要とする。ここでは、ローラー２７２及びローラー２７２に設けられた持着部２７３により、フリップチップ手段を構成する。
【０１０４】
フリップチップ手段を構成するローラー２７２は、ローラー２０３、２０５〜２０７と同様のものを用いることができる。持着部２７３は持着部２０４と同様の数の持着部が同様の間隔で列置されたものを用いることが好ましい。この結果、持着部２０４でピックアップした半導体集積回路２０２すべてを持着部２７３に受け渡しすることが可能である。
【０１０５】
ローラー２７２は、ローラー２０３と反対方向または同じ方向に回転する。また、フリップチップ手段のローラー２７２及びローラー２０６は、それぞれの回転軸がアンテナ２０９及び可撓性基板２０８を介して平行に設けられる。この結果、治具であるローラー２０３及びそれに設けられた持着部２０４を用いて、支持手段２０１からピックアップした半導体集積回路２０２を、フリップチップ手段であるローラー２７２及びそれに設けられた持着部２７３に受け渡しする。
【０１０６】
次に、フリップチップ手段であるローラー２７２を回転させて、持着部２７３及びローラー２０６によりアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８及び半導体集積回路２０２を貼りあわせることができる。
【０１０７】
図６を用いて半導体装置の作製方法を説明する。
【０１０８】
図２（Ａ）及び（Ｂ）と同様に、図６（Ａ）に示すように、支持手段２０１上に設けられた半導体集積回路２０２をローラー２０３の持着部２０４でピックアップする。持着部２０４が半導体集積回路２０２を持着する領域の拡大図２７０で示すように、持着部２０４に半導体集積回路２０２の接続端子２７１ａ、２７１ｂが面している。持着部２０４は、接続端子２７１ａ、２７１ｂが形成されない領域において、半導体集積回路２０２を持着する。
【０１０９】
次に、図６（Ｂ）に示すように、ローラー２０３がローラー２７２と反対方向に回転することにより、治具の持着部２０４からフリップチップ手段の持着部２７３へ半導体集積回路２０２を受け渡しする。持着部２０４、２７３が半導体集積回路２０２を持着する領域の拡大図２７４で示すように、半導体集積回路２０２の接続端子２７１ａ、２７１ｂが形成される面の反対側の面において、半導体集積回路２０２は持着部２７３に持着される。
【０１１０】
なお、上記方法の代わりに、ローラー２０３、２７２の一方または両方にそれぞれの回転軸を移動させる移動手段を設けてもよい。この場合、ローラー２０３の持着部２０４及び、ローラー２７２の持着部２７３が半導体集積回路２０２を介して面したとき、ローラー２０３、２７２の回転を停止させる。次に、ローラー２０３、２７２の一方または両方の回転軸を移動させる移動手段を用い、ローラー２０３、２７２の回転軸が近づくようにローラー２０３、２７２の一方または両方を移動させて、持着部２０４から持着部２７３に半導体集積回路２０２を受け渡してもよい。
【０１１１】
次に、図示しないが半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２７３の間隔がｙ軸方向に広げられる。
【０１１２】
次に、図６（Ｃ）に示すように、ローラー２０６がローラー２７２と反対方向または同じ方向に回転することにより、ローラー２０６及び持着部２７３によって、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９の接続端子の拡大図２７５で示すように、異方性導電フィルム２１０を介してアンテナ２０９及び半導体集積回路２０２が接続される。
【０１１３】
また、上記の手法の代わりに以下の手法により、可撓性基板２０８上のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。ローラー２７２を回転させて、半導体集積回路２０２がアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２の接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２７３の間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２７２の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２７２をローラー２０６側に移動させる。次に、持着部２７３及びローラー２０６によって、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。次に、ローラー２７２の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２７２を支持手段２０１側に移動させる。この後、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２を回転させる。
【０１１４】
また、上記の手法の代わりに、以下の手法により、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。ローラー２７２を回転させて、半導体集積回路２０２がアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２７３の間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２が回転しない状態において、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０５〜２０７を持着部２７３側に移動させる。次に、ローラー２０６及び持着部２７３により可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。次に、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０５〜２０７を支持手段２０１の反対側に移動させた後、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２を回転させる。
【０１１５】
また、上記の手法の代わりに、以下の手法により、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。ローラー２７２を回転させて、半導体集積回路２０２がアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２７３の間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２が回転しない状態において、持着部２７３の伸縮を制御する手段により、持着部２７３をローラー２０６側に伸ばさせる。次に、持着部２７３及びローラー２０６により可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。次に、持着部２７３の伸縮を制御する手段により、持着部２７３を縮ませた後、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２を回転させる。
【０１１６】
この後、半導体集積回路２０２が貼り付けられたアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８をローラー２０７で回収する。
【０１１７】
以上の半導体装置の作製方法により、半導体集積回路の接続端子が形成される位置に関わらず、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数のアンテナに複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することができる。
【０１１８】
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態２または３に適用可能な、治具について図７及び８を用いて説明する。
【０１１９】
図７に示す半導体装置の製造装置は、ローラー２４１に２ｎ（ｎは自然数）組の持着部を有する治具を有する形態である。図７においては、２組の持着部２４２ａ、２４２ｂがローラー２４１に設けられた治具を示す。対となる持着部２４２ａ、２４２ｂは、ローラー２４１の回転軸に対して対称的に設けられることが好ましい。この結果、１／２ｎ回転で支持手段２０１上の半導体集積回路を持着すると共に、アンテナを有する可撓性基板２０８に半導体集積回路を貼りあわせることができる。このため、スループットを向上させることが可能である。
【０１２０】
ここでは、ローラー２０６、２４１が反対方向または同じ方向に回転することで、持着部２４２ａにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ａをピックアップすると共に、持着部２４２ｂにより半導体集積回路２０２ｂをアンテナ２０９に実装することができる。
【０１２１】
次に、図７（Ｂ）に示すように、ローラー２０５〜２０７を回転させてアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８を移動させる。また、ローラー２４１を回転させて、支持手段２０１から持着部２４２ａでピックアップした半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に近づけると共に、持着部２４２ｂを支持手段２０１へ近づけさせる。この後、半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に実装すると共に、支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ｃを持着部２４２ｂでピックアップすることができる。
【０１２２】
なお、図示しないが、半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に近づける前に、アンテナ２０９の接続端子に対向するように、持着部２４２ａの間隔をｙ軸方向に広げる。一方、持着部２４２ｂで、半導体集積回路２０２ｃをピックアップする前に、持着部２４２ｂが半導体集積回路２０２ｃの接続端子に対向するように、持着部２４２ｂの間隔をｙ軸方向に縮める。
【０１２３】
また、上記の手法の代わりに以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路をピックアップすると共に、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路を実装することができる。ローラー２４１を回転させて、半導体集積回路２０２ｂがアンテナ２０９に対向し、且つ持着部２４２ａが支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ａに対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２４１の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２ｂ及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２４２ｂの間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、持着部２４２ｂ及びローラー２０６によって、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２ｂを挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２ｂを実装する。
【０１２４】
次に、ローラー２４１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２４１を支持手段２０１側に移動させて、持着部２４２ａにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ａを持着した後、ローラー２４１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２４１をローラー２０６側に移動させて、半導体集積回路２０２ａをピックアップするとともに、持着部２４２ａ、２４２ｂが可撓性基板２０８、アンテナ２０９、及び異方性導電フィルム２１０に接しない位置に、ローラー２４１を移動させる。この後、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２４１の回転を再開する。
【０１２５】
また、以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路をピックアップすると共に、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路を実装することができる。ローラー２４１を回転させて、半導体集積回路２０２ｂがアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２４１の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２ｂ及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２４２ｂの間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２０５〜２０７、２４１が回転しない状態において、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０５〜２０７を持着部２４２ｂ側に移動させる。次に、ローラー２０６及び持着部２４２ｂにより可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２ｂを挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２ｂを実装する。
【０１２６】
次に、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０５〜２０７をローラー２４１から離れさせる。次に、ローラー２４１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２４１を半導体集積回路２０２ａ側に移動させて、持着部２４２ａにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ａを持着する。次に、ローラー２４１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２４１をローラー２０６側に移動させて、半導体集積回路２０２ａをピックアップする。その後、持着部２４２ａ、２４２ｂが可撓性基板２０８、アンテナ２０９、及び異方性導電フィルム２１０に接しない位置に、ローラー２４１を移動させる。この後、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２４１の回転を再開する。
【０１２７】
また、以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路をピックアップすると共に、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路を実装することができる。ローラー２４１を回転させて、半導体集積回路２０２ｂがアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２４１の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２ｂ及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２４２ｂの間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２０５〜２０７、２４１が回転しない状態において、持着部２４２ｂの伸縮を制御する手段により、持着部２４２ｂをローラー２０６側に伸ばす。次に、持着部２４２ｂ及びローラー２０６により可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２ｂを挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２ｂを実装する。次に、持着部２４２ｂの伸縮を制御する手段により、持着部２４２ｂを縮ませる。
【０１２８】
次に、持着部２４２ａの伸縮を制御する手段により、持着部２４２ａを支持手段２０１側に伸ばして、持着部２４２ａにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ａを持着して、半導体集積回路２０２ａをピックアップする。次に、持着部２４２ａの伸縮を制御する手段により、持着部２４２ａを縮ませた後、持着部２４２ａ、２４２ｂが、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、及び異方性導電フィルム２１０に接しない状態とする。この後、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２４１の回転を再開する。
【０１２９】
以上の工程により、ローラー２４１が一回転する間に、半導体集積回路をアンテナに貼りあわせると共に、支持手段上の半導体集積回路を持着部でピックアップすることができる。
【０１３０】
次に、ローラー２５１に２ｎ＋１（ｎは自然数）組の持着部を有する治具を有する半導体装置の製造装置の形態を、図８を用いて示す。図８においては、３組の持着部２５２ａ〜２５２ｃがローラー２５１に設けられた治具を示す。ここでは各組の持着部は、ローラー２５１の回転軸に対して等間隔（３６０／（２ｎ＋１）度）で設けられることが好ましい。この結果、支持手段２０１の半導体集積回路を持着部によりピックアップする工程と、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８に持着部を用いて半導体集積回路を貼り合わせる工程とが、それぞれ別のタイミングで行うことが可能であり、互いの工程の干渉を避けることが可能である。この結果、それぞれの工程を確実に行うことが可能である。ここでは、各持着部は回転軸において１２０°の間隔で配置されている。
【０１３１】
ここでは、ローラー２０６、２５１が反対方向または同じ方向に回転することで、持着部２５２ｃにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ｃをピックアップする。
【０１３２】
次に、図８（Ｂ）に示すように、ローラー２０５〜２０７を回転させてアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８を移動させる。また、ローラー２５１を回転させて、支持手段２０１から持着部２５２ａでピックアップした半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に貼り合わせることができる。
【０１３３】
なお、図示しないが、半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に近づける前に、アンテナ２０９の接続端子に対向するように、持着部２５２ａの間隔をｙ軸方向に広げる。一方、持着部２５２ｃで、半導体集積回路２０２ｃをピックアップする前に、持着部２５２ｃが半導体集積回路２０２ｃの接続端子に対向するように、持着部２５２ｃの間隔をｙ軸方向に縮める。
【０１３４】
また、以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路をピックアップすると共に、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路を実装することができる。ローラー２５１を回転させて、持着部２５２ｃが半導体集積回路２０２ｃに対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を止める。次に、ローラー２５１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２５１を支持手段２０１側に移動させて、持着部２５２ｃにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ｃを持着する。次に、ローラー２５１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２５１をローラー２０６側に移動させて、半導体集積回路２０２ｃをピックアップする。その後、持着部２５２ａ〜２５２ｃが、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、及び異方性導電フィルム２１０に接しない位置にローラー２５１を移動させる。次に、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を再開する。
【０１３５】
次に、図８（Ｂ）に示すように、半導体集積回路２０２ａがアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２ａの接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２５２ａの間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２５１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２５１をローラー２０６側に移動させて、ローラー２０６及び持着部２５２ａにより、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２ａを挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２ａを実装することができる。
【０１３６】
図示しないが、半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に実装した後、持着部２５２ａは間隔をｙ軸方向に縮める。
【０１３７】
また、以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路をピックアップすると共に、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路を実装することができる。ローラー２５１を回転させて、持着部２５２ｃが半導体集積回路２０２ｃに対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を止める。次に、ローラー２５１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２５１を支持手段２０１側に移動させて、持着部２５２ｃにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ｃをピックアップする。次に、ローラー２５１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２５１をローラー２０６側に移動させて、持着部２５２ａ〜２５２ｃが可撓性基板２０８、アンテナ２０９、及び異方性導電フィルム２１０に接しない位置に、ローラー２５１を移動させる。この後、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を再開する。
【０１３８】
次に、図８（Ｂ）に示すように、半導体集積回路２０２ａがアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２ａ及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２５２ａの間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２０５〜２０７、２５１が回転しない状態において、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０５〜２０７を持着部２５２ａ側に移動させる。次に、ローラー２０６及び持着部２５２ａにより可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２ａを挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２ａを実装する。
【０１３９】
次に、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０６をローラー２５１から離れさせる。
【０１４０】
図示しないが、半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に実装した後、持着部２５２ａは間隔をｙ軸方向に縮める。
【０１４１】
また、以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路をピックアップすると共に、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路を実装することができる。ローラー２５１を回転させて、持着部２５２ｃが半導体集積回路２０２ｃに対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を止める。持着部２５２ｃの伸縮を制御する手段により、持着部２５２ｃを支持手段２０１側に伸ばさせて、持着部２５２ｃにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ｃを持着する。次に、持着部２５２ｃの伸縮を制御する手段により、持着部２５２ｃを縮ませて、半導体集積回路２０２ｃをピックアップした後、持着部２５２ａ〜２５２ｃが、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、及び異方性導電フィルム２１０に接しない状態とする。この後、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１それぞれの回転を再開する。
【０１４２】
次に、図８（Ｂ）に示すように、半導体集積回路２０２ａがアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２ａの接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２５２ａの間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２０５〜２０７、２５１が回転しない状態において、持着部２５２ａの伸縮を制御する手段により、持着部２５２ａをローラー２０６側に伸ばさせる。次に、持着部２５２ａ及びローラー２０６により可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、半導体集積回路２０２ａを挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２ａを実装する。次に、持着部２５２ａの伸縮を制御する手段により、持着部２５２ａを縮ませる。
【０１４３】
以上の工程により、ローラー２５１が一回転する間に、半導体集積回路をアンテナに貼りあわせると共に、支持手段上の半導体集積回路を持着部でピックアップすることができる。このため、複数の工程を同時に行うことが可能である。また、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数のアンテナに複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することができる。
【実施例１】
【０１４４】
本実施例では、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の作製工程を、図６、図９〜１２を用いて説明する。また、図９〜１２においては、図６に示す半導体装置のｙ軸方向の断面図を示す。
【０１４５】
図９（Ａ）に示すように、基板１２０１上に剥離層１２０２を形成し、剥離層１２０２上に絶縁層１２０３を形成し、絶縁層１２０３上に薄膜トランジスタ１２０４及び薄膜トランジスタを構成する導電層を絶縁する層間絶縁層１２０５を形成し、薄膜トランジスタの半導体層に接続するソース電極及びドレイン電極１２０６を形成する。次に、薄膜トランジスタ１２０４、層間絶縁層１２０５、ソース電極及びドレイン電極１２０６を覆う絶縁層１２０７を形成し、絶縁層１２０７を介してソース電極またはドレイン電極１２０６に接続する導電層１２０８を形成する。
【０１４６】
基板１２０１としては、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板の一表面に絶縁層を形成したもの、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用いる。上記に挙げた基板１２０１には、大きさや形状に制約がないため、例えば、基板１２０１として、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。この利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。
【０１４７】
剥離層１２０２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。剥離層１２０２が珪素を含む層の場合の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。
【０１４８】
剥離層１２０２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【０１４９】
剥離層１２０２が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化物又は窒化酸化物を形成する。
【０１５０】
剥離層１２０２として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。さらには、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、Ｎ２Ｏプラズマ処理、オゾン水、水素を含む水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。これは、タングステンの窒化物、酸化窒化物及び窒化酸化物を含む層を形成する場合も同様であり、タングステンを含む層を形成後、その上層に窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸化珪素層を形成するとよい。
【０１５１】
タングステンの酸化物は、ＷＯｘで表される。Ｘは、２≦ｘ≦３の範囲内にあり、ｘが２の場合（ＷＯ２）、ｘが２．５の場合（Ｗ２Ｏ５）、ｘが２．７５の場合（Ｗ４Ｏ１１）、ｘが３の場合（ＷＯ３）などがある。
【０１５２】
また、上記の工程によると、基板１２０１に接するように剥離層１２０２を形成しているが、本発明はこの工程に制約されない。基板１２０１に接するように下地となる絶縁層を形成し、その絶縁層に接するように剥離層１２０２を設けてもよい。
【０１５３】
絶縁層１２０３は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、無機化合物を用いて単層又は積層で形成する。無機化合物の代表例としては、珪素酸化物又は珪素窒化物が挙げられる。
【０１５４】
さらには、絶縁層１２０３を積層構造としても良い。例えば、無機化合物を用いて積層してもよく、代表的には、酸化珪素、窒化酸化珪素、及び酸化窒化珪素を積層して形成しても良い。
【０１５５】
薄膜トランジスタ１２０４は、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層、ゲート絶縁層、並びにゲート電極で構成される。
【０１５６】
半導体層は、結晶構造を有する半導体で形成される層であり、非単結晶半導体若しくは単結晶半導体を用いることができる。特に、加熱処理により結晶化させた結晶性半導体、加熱処理とレーザ光の照射を組み合わせて結晶化させた結晶性半導体を適用することが好ましい。加熱処理においては、シリコン半導体の結晶化を助長する作用のあるニッケルなどの金属元素を用いた結晶化法を適用することができる。また、シリコン半導体の結晶化工程における加熱により、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面において、剥離層の表面を酸化して金属酸化物層を形成することが可能である。
【０１５７】
加熱処理に加えてレーザ光を照射して結晶化する場合には、連続発振レーザ光の照射若しくは繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上であって、パルス幅が１ナノ秒以下、好ましくは１乃至１００ピコ秒である超短パルス光を照射することによって、結晶性半導体が溶融した溶融帯を、当該レーザ光の照射方向に連続的に移動させながら結晶化を行うことができる。このような結晶化法により、大粒径であって、結晶粒界が一方向に延びる結晶性半導体を得ることができる。キャリアのドリフト方向を、この結晶粒界が延びる方向に合わせることで、トランジスタにおける電界効果移動度を高めることができる。例えば、４００ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上を実現することができる。
【０１５８】
上記結晶化工程を、ガラス基板の耐熱温度（約６００℃）以下の結晶化プロセスを用いる場合、大面積ガラス基板を用いることが可能である。このため、基板あたり大量の半導体装置を作製することが可能であり、低コスト化が可能である。
【０１５９】
また、ガラス基板の耐熱温度以上の加熱により、結晶化工程を行い、半導体層を形成してもよい。代表的には、絶縁表面を有する基板１２０１に石英基板を用い、非晶質若しくは微結晶質の半導体を７００度以上で加熱して半導体層を形成する。この結果、結晶性の高い半導体を形成することが可能である。このため、応答速度や移動度などの特性が良好で、高速な動作が可能な薄膜トランジスタを提供することができる。
【０１６０】
ゲート絶縁層は、酸化シリコン及び酸化窒化シリコンなどの無機絶縁物で形成する。
【０１６１】
ゲート電極は金属又は一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。また、金属を窒化させた金属窒化物を用いることができる。或いは、当該金属窒化物からなる第１層と当該金属から成る第２層とを積層させた構造としても良い。積層構造とする場合には、第１層の端部が第２層の端部より外側に突き出した形状としても良い。このとき第１層を金属窒化物とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第２層の金属が、ゲート絶縁層やその下層の半導体層に拡散することを防ぐことができる。
【０１６２】
半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極などを組み合わせて構成される薄膜トランジスタは、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。ここでは、シングルドレイン構造の薄膜トランジスタを示す。さらには、同電位のゲート電圧が印加されるトランジスタが直列に接続された形となるマルチゲート構造、半導体層の上下をゲート電極で挟むデュアルゲート構造、絶縁層１２０３上にゲート電極が形成され、ゲート電極上にゲート絶縁層、半導体層が形成される逆スタガ型薄膜トランジスタ等を適用することができる。
【０１６３】
ソース電極及びドレイン電極１２０６は、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層構造、モリブデン（Ｍｏ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層構造など、アルミニウム（Ａｌ）のような低抵抗材料と、チタン（Ｔｉ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属材料を用いたバリアメタルとの組み合わせで形成することが好ましい。
【０１６４】
層間絶縁層１２０５及び絶縁層１２０７は、ポリイミド、アクリル、またはシロキサンポリマーを用いて形成する。
【０１６５】
さらには、薄膜トランジスタ１２０４の代わりにスイッチング素子として機能し得る半導体素子であれば、どのような構成で設けてもよい。スイッチング素子の代表例としては、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）、ダイオード等が挙げられる。
【０１６６】
次に、図９（Ｂ）に示すように、導電層１２０８上に導電層１２１１を形成する。ここでは、印刷法により金属粒子を有する組成物を印刷し、２００℃で３０分加熱して組成物を焼成して導電層１２１１を形成する。
【０１６７】
次に、図９（Ｃ）に示すように、絶縁層１２０７及び導電層１２１１の端部を覆う絶縁層１２１２を形成する。ここでは、エポキシ樹脂をスピンコート法により塗布し、１６０℃で３０分加熱した後、導電層１２１１を覆う部分の絶縁層を除去して、導電層１２１１を露出する。ここでは、絶縁層１２０３から絶縁層１２１２までの積層体を素子形成層１２１０とする。
【０１６８】
次に、図９（Ｄ）に示すように、後の剥離工程を容易に行うために、レーザ光１２１３を絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２に照射して、図９（Ｅ）に示すような開口部１２１４を形成する。開口部１２１４を形成するために照射するレーザ光としては、絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２が吸収する波長を有するレーザ光が好ましい。代表的には、紫外領域、可視領域、又は赤外領域のレーザ光を適宜選択して照射する。
【０１６９】
このようなレーザ光を発振することが可能なレーザ発振器としては、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザ発振器、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ、ＣＯ２等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶、ガラス、ルビー等の固体レーザ発振器、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、固体レーザ発振器においては、基本波〜第５高調波を適宜適用するのが好ましい。この結果、絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２がレーザ光を吸収し溶融して開口部が形成される。
【０１７０】
なお、レーザ光を絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２に照射する工程を省くことで、スループットを向上させることが可能である。
【０１７１】
次に、絶縁層１２１２に粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を貼りあわせる。
【０１７２】
粘着剤１２１５としては、剥離可能な粘着剤であり、代表的には紫外線により剥離する紫外線剥離型粘着剤、熱により剥離する熱剥離型粘着剤、水溶性粘着剤や両面粘着テープなどを用いることができる。ここでは、粘着剤１２１５として熱剥離型粘着剤を用いる。支持体１２１６は、ガラス基板、石英基板、金属基板、プラスチック基板、可撓性基板（ＰＥＴ、ＰＥＳ，ポリカーボネート、繊維質な材料からなる紙等）を適宜用いることができる。ここでは、支持体１２１６として、合成紙を用いる。
【０１７３】
なお、粘着剤１２１５、支持体１２１６、及び素子形成層１２１０との接着強度は、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３との密着強度より高くなるように設定する。
【０１７４】
次に、図１０（Ａ）に示すように、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面に形成される金属酸化物層において、剥離層１２０２を有する基板１２０１及び素子形成層の一部１２２１を物理的手段により剥離する。物理的手段とは、力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機械的エネルギー）を変化させる手段を指している。物理的手段は、代表的には機械的な力を加えること（例えば人間の手や把治具で引き剥がす処理や、ローラーを支点としてローラーを回転させながら分離する処理）である。
【０１７５】
以上の剥離工程は、熱処理で収縮しない層と、熱処理で収縮する層と、その中間の層とを形成し、剥離工程の完了時または剥離工程中に熱処理を行うことにより、過ストレス状態を中間層又はその近傍領域で有せしめ、その後刺激を与えることにより中間層またはその近傍領域で剥離せしめることを特徴とする。
【０１７６】
本実施例において、熱処理で収縮しない層は剥離層１２０２であり、熱処理で収縮する層は絶縁層１２０３または絶縁層１２１２であり、熱処理で収縮しない層と熱処理で収縮する層との中間の層としては、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面に形成される金属酸化物層である。代表例として、剥離層１２０２としてタングステン層を用い、絶縁層１２０３として珪素酸化物又は珪素窒化物を用い、絶縁層１２１２としてエポキシ樹脂を用いると、非晶質珪素膜の結晶化や、不純物の活性化、水素出し等の加熱処理において、剥離層１２０２は収縮しないが、絶縁層１２０３または絶縁層１２１２は収縮し、さらに剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面に酸化タングステン層（ＷＯｘ、２≦ｘ≦３）が形成される。酸化タングステン層は脆いため、上記物理的手段により分離されやすい。この結果、上記物理的手段により素子形成層の一部１２２１を基板１２０１から剥離することができる。
【０１７７】
なお、支持体１２１６が可撓性基板の場合、進行方向の前後に配置された一対のローラーを支持体１２１６の支点とし、素子形成層１２１０上に粘着剤１２１５を介して支持体１２１６を設け、支持体１２１６上を圧着ヘッドで押し付けることで、素子形成層１２１０に粘着剤１２１５を介して支持体１２１６を貼りつけることができる。次に、圧着ヘッドをはずしたのち、前側のローラーを徐々に引き上げ、一対のローラーに高低差を設ける。この結果、支持体１２１６がローラーを支点としているため、支持体１２１６及び素子形成層１２１０を、剥離層から徐々剥離することができる。
【０１７８】
本実施例においては、剥離層と絶縁層の間に金属酸化膜を形成し、当該金属酸化膜において物理的手段により、素子形成層１２１０を剥離する方法を用いたがこれに限られない。基板に透光性を有する基板を用い、剥離層に水素を含む非晶質珪素膜を用い、図９（Ｅ）の工程の後、基板側からのレーザ光を照射して非晶質珪素膜に含まれる水素を気化させて、基板と剥離層との間で剥離する方法を用いることができる。
【０１７９】
また、図９（Ｅ）の工程の後、基板を機械的に研磨し除去する方法や、ＨＦ等の基板を溶解する溶液を用いて基板を除去する方法を用いることができる。この場合、剥離層を形成しなくともよい。
【０１８０】
また、図９（Ｅ）において、粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を絶縁層１２１２に貼りあわせる前に、開口部１２１４にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスを導入し、剥離層をフッ化ハロゲンガスでエッチングし除去した後、絶縁層１２１２に粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を貼りあわせて、基板から素子形成層１２１０を剥離する方法を用いることができる。
【０１８１】
また、図９（Ｅ）において、粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を絶縁層１２１２に貼りあわせる前に、開口部１２１４にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスを導入し、剥離層の一部をフッ化ハロゲンガスでエッチングし除去した後、絶縁層１２１２に粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を貼りあわせて、基板から素子形成層１２１０を物理的手段により剥離する方法を用いることができる。
【０１８２】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、素子形成層の一部１２２１の絶縁層１２０３に、可撓性基板１２２２を貼り付ける。可撓性基板１２２２としては、実施の形態１で列挙した基板１１１を適宜用いることができる。
【０１８３】
絶縁層１２０３に、可撓性基板１２２２を貼り付ける方法としては、接着剤を用いて可撓性基板１２２２を絶縁層１２０３に貼り合わせる方法や、可撓性基板１２２２を加熱して、可撓性基板１２２２の一部を溶融させた後、冷却させて、可撓性基板１２２２を絶縁層１２０３に貼り合わせる方法がある。なお、絶縁層１２０３と可撓性基板１２２２との接着強度は、粘着剤１２１５、支持体１２１６と素子形成層１２１０との接着強度より高くなるように設定する。接着剤を用いて可撓性基板１２２２を絶縁層１２０３に貼り合わせる場合は、接着剤の接着力は、粘着剤１２１５より高い材料を適宜選択する。ここでは、接着剤１２２３を用いて、絶縁層１２０３に可撓性基板１２２２を貼り付ける。次に、粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を素子形成層の一部１２２１から剥す。ここでは、熱を加えて粘着剤１２１５を素子形成層の一部１２２１から剥す。
【０１８４】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、可撓性基板１２２２をダイシングフレーム１２３２のＵＶテープ１２３１に貼り合わせる。ＵＶテープ１２３１は粘着性を有するため、ＵＶテープ１２３１上に可撓性基板１２２２が固定される。この後、導電層１２１１にレーザ光を照射して、導電層１２１１と導電層１２０８の間の密着性を高めてもよい。
【０１８５】
次に、導電層１２１１上に接続端子１２３３を形成する。接続端子１２３３を形成することで、後にアンテナとして機能する導電層との位置合わせ及び接着を容易に行うことが可能である。
【０１８６】
次に、図１０（Ｄ）に示すように、素子形成層の一部１２２１、可撓性基板１２２２、第２の接着剤１２２３を分断する。ここでは、素子形成層の一部１２２１及び可撓性基板１２２２にレーザ光１２３４を照射して、図１０（Ｄ）に示すような溝１２４１を形成して、素子形成層の一部１２２１を複数に分断する。レーザ光１２３４は、レーザ光１２１３に記載のレーザ光を適宜選択して適用することができる。ここでは、絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２及び可撓性基板１２２２が吸収可能なレーザ光を選択することが好ましい。なお、ここでは、レーザカット法を用いて素子形成層の一部を複数に分断したが、この方法の代わりにダイシング法、スクライビング法等を適宜用いることができる。なお、可撓性基板１２２２に繊維質の紙を用いる場合、ダイシング法で素子形成層を分断するときに水を用いず、ガスを切断部に吹きかけて、切断屑を吹き飛ばすことが好ましい。この結果、素子形成層と紙とが剥れることを防止することができる。さらに、湿度の高いガスを切断部に吹きかけながらダイシングを行うことで、素子形成層に静電気が帯電するのを防止することができる。この結果分断された素子形成層を半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂと示す。
【０１８７】
次に、ＵＶテープ１２３１にエキスパンダ枠１２４４を貼り付けた後、ダイシングフレーム１２３２をＵＶテープ１２３１からはずす。このとき、エキスパンダ枠１２４４をＵＶテープ１２３１を伸ばしながら貼り付けることで、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂの間に形成された溝１２４１の幅を拡大することができる。
【０１８８】
次に、エキスパンダ枠１２４４のＵＶテープ１２３１にＵＶ光を照射して、ＵＶシートの粘着力を低下させる。次に、図６に示す半導体装置の製造装置を用いて、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂが搭載されたエキスパンダ枠１２４４を、支持手段であるロボットアームで固定する。次に、ＵＶテープ１２３１から治具の持着部２０４で半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂをピックアップする（図１１（Ａ）参照。）。
【０１８９】
次に、図６に示す半導体装置の製造装置のフリップチップ手段を用いて、持着部２０４から半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂをフリップチップ手段の持着部２７３に持着させる（図１１（Ｂ）参照。）
【０１９０】
次に、図１１（Ｃ）に示すように、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂがアンテナ２０９ａ、２０９ｂごとに対向するように、制御手段を用いてフィリップチップ手段の持着部２７３を移動させる。
【０１９１】
次に、図６に示す半導体装置の製造装置の持着部２７３を有するフリップチップ手段及びローラー２０６を反対方向に回転させて、図１２（Ａ）に示すように、アンテナ２０９ａ、２０９ｂを有する可撓性基板２０８と、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂとを異方性導電フィルム２１０を用いて貼り合わせる。このとき、アンテナ２０９ａ、２０９ｂと半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂの接続端子１２３３とが、異方性導電フィルム２１０に含まれる導電性粒子と接続されるように、貼りあわせる。
【０１９２】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、アンテナ２０９ａ、２０９ｂと、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂとが形成されない領域において、可撓性基板２０８を分断する。分断方法としては、レーザカット法、ダイシング法、スクライビング法等を適宜用いることができる。ここでは、異方性導電フィルム２１０及び可撓性基板２０８にレーザ光１２５１を照射するレーザカット法により分断を行う。
【０１９３】
以上の工程により、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置１２５２ａ、１２５２ｂを作製することができる。
【０１９４】
以上の工程により、薄型化で軽量な半導体装置を歩留まり高く作製することが可能である。
【実施例２】
【０１９５】
実施例では、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の構成について、図１４を参照して説明する。
【０１９６】
本実施例の半導体装置は、大別して、アンテナ部２００１、電源部２００２、ロジック部２００３から構成される。
【０１９７】
アンテナ部２００１は、外部信号の受信とデータの送信を行うためのアンテナ２０１１からなる。また、半導体装置における信号の伝送方式は、電磁結合方式、電磁誘導方式またはマイクロ波方式等を用いることができる。
【０１９８】
電源部２００２は、アンテナ２０１１を介して外部から受信した信号により電源を作る整流回路２０２１と、作りだした電源を保持するための保持容量２０２２と、各回路に供給する一定電圧を作り出す定電圧回路２０２３からなる。
【０１９９】
ロジック部２００３は、受信した信号を復調する復調回路２０３１と、クロック信号を生成するクロック生成・補正回路２０３２と、コード認識及び判定回路２０３３と、メモリからデータを読み出すための信号を受信信号により作り出すメモリコントローラ２０３４と、符号化した信号を受信信号にのせるための変調回路２０３５と、読み出したデータを符号化する符号化回路２０３７と、データを保持するメモリ２０３８からなる。なお、変調回路２０３５は変調用抵抗２０３６を有する。
【０２００】
メモリ２０３８は、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦＥＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（Ｍａｓｋ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ、有機メモリなどを適宜選択する。ここでは、メモリ２０３８として、マスクＲＯＭ２０３９、及び有機メモリで構成される追記メモリ２０４０を示す。
【０２０１】
コード認識及び判定回路２０３３が認識・判定するコードは、フレーム終了信号（ＥＯＦ、ｅｎｄ ｏｆ Ｆｒａｍｅ）、フレーム開始信号（ＳＯＦ、ｓｔａｒｔ ｏｆ Ｆｒａｍｅ）、フラグ、コマンドコード、マスク長（ｍａｓｋ ｌｅｎｇｔｈ）、マスク値（ｍａｓｋ ｖａｌｕｅ）等である。また、各コード認識及び判定回路２０３３は、送信エラーを識別する巡回冗長検査（ＣＲＣ、ｃｙｃｌｉｃ ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ ｃｈｅｃｋ）機能も含む。
【実施例３】
【０２０２】
上記実施例に示される非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図１５（Ａ）参照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１５（Ｃ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等、図１５（Ｂ）参照）、乗物類（自転車等、図１５（Ｄ）参照）、身の回り品（鞄や眼鏡等）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等の商品や荷物の荷札（図１５（Ｅ）、図１５（Ｆ）参照）等の物品に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ）及び携帯電話等を指す。また、植物類、動物類、人体等に用いることが出来る。
【０２０３】
本実施例の半導体装置９２１０は、プリント基板への実装、表面に貼付け、埋め込み等により、物品に固定される。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりして、各物品に固定される。本実施例の半導体装置９２１０は、小型、薄型、軽量を実現するため、物品に固定した後も、その物品自体のデザイン性を損なうことがない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に本実施例の半導体装置９２１０を設けることにより、認証機能を設けることができ、この認証機能を活用すれば、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に本実施例の半導体装置９２１０を設けることにより、検品システム等のシステムの効率化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０２０４】
【図１】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１２】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１３】本発明に適用可能なアンテナの形状を説明する上面図である。
【図１４】本発明の半導体装置を説明する図である。
【図１５】本発明の半導体装置の応用例を説明する図である。
【図１６】本発明の半導体装置の製造装置の制御部の一部を説明する断面図である。
【図１７】本発明の半導体装置の製造装置の制御部の一部を説明する断面図である。
【図１８】本発明の半導体装置の製造装置を説明する斜視図である。
【図１９】本発明の半導体装置の製造装置を説明する斜視図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造装置に関する。また、基板（または可撓性基板）上に設けられた回路（または素子）に半導体集積回路を電気的に接続する半導体装置の作製方法に関する。特に、アンテナを介した無線通信によりデータの入出力を行う半導体装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アンテナと当該アンテナと電気的に接続された半導体集積回路とを有する半導体装置は、ＲＦＩＤタグとして注目されている。ＲＦＩＤタグは、ＩＣタグ、ＩＤタグ、トランスポンダ、ＩＣチップ、ＩＤチップとも呼ばれる。可撓性基板上に複数のアンテナを設け、当該複数のアンテナに対して１つずつ半導体集積回路を電気的に接続するＲＦＩＤタグの作製方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、１枚の基板（以下、素子基板ともいう。）に複数の半導体集積回路を形成し、複数の半導体集積回路を１つずつ取り出し、取り出した半導体集積回路を素子基板とは別の基板上に実装する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−１１５６４６号公報
【特許文献２】特開２０００−２９９５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
コストを低減するため、複数の半導体集積回路は素子基板上に高集積化して形成することが好ましい。一方、アンテナは所定の周波数の電磁波を受信するために所定の形状及び大きさとする必要がある。そのため、素子基板上に形成される複数の半導体集積回路の間隔は、可撓性基板上の複数のアンテナの間隔よりも狭くなる傾向にある。この場合、可撓性基板上の複数のアンテナに、素子基板上に形成された複数の半導体集積回路を同時に電気的に接続することはできなかった。そのため、例えば特許文献２に記載されたような方法を用いて、素子基板上に形成された複数の半導体集積回路のうちの１つを取り出し可撓性基板上の複数のアンテナのうち１つのアンテナと接続する動作を、素子基板上に形成された全ての半導体集積回路に対して繰り返さなければならなかった。それ故、タクトタイムが長く、半導体装置の製造コストを高くしていた。
【０００５】
上記の実情を鑑み、低コストの半導体装置の作製方法及び低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、列置された複数の持着部を有する治具と、列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数の素子を有する基板が設けられる支持手段とを有し、列置された複数の持着部を有する治具により半導体集積回路を素子に実装して半導体装置を作製する半導体装置の製造装置を要旨とする。
【０００７】
本発明は、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、半導体集積回路に対向するような間隔ｘ（０≦ｘ）で列置された複数の持着部を有する治具と、列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、隣接する素子の接続端子の間隔がａである素子を複数有する基板と、基板を支持する支持手段とを有し、制御手段は持着部でピックアップした半導体集積回路、及び素子が対向するように、持着部の間隔ｘを間隔ａ（ａ＞ｘ）にして、治具により半導体集積回路を素子に実装して半導体装置を作製することを特徴とする半導体装置の製造装置を要旨とする。
【０００８】
また、本発明は、列置された複数の持着部を有する治具により、複数の半導体集積回路をピックアップし、列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段により、素子の接続端子と半導体集積回路の接続端子とが対向するように、列置された複数の持着部の間隔を制御し、対向した素子の接続端子及び半導体集積回路の接続端子を接続させる半導体装置の作製方法を要旨とする。
【０００９】
また、本発明は、間隔ｘで列置された複数の持着部を有する治具により、複数の半導体集積回路をピックアップし、列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段により、列置された複数の持着部の間隔を間隔ｘからａへ制御し、隣接する素子の接続端子の間隔がａである素子の接続端子と、半導体集積回路の接続端子とを接続する半導体装置の作製方法を要旨とする。
【００１０】
なお、半導体集積回路は、複数の半導体素子により回路が構成されるものであり、代表的には、複数の半導体素子が形成されるシリコンチップや、薄膜半導体素子を有するチップ等がある。また、素子の代表例としては、アンテナ、半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、または表示装置である。
【００１１】
また、本発明は以下を含む。
【００１２】
本発明の一は、複数の半導体集積回路が設けられる第１の支持手段と、複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、複数の持着部が列置された治具と、複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の素子を有する基板が設けられる第２の支持手段と、を有し、治具は、第１の支持手段に設けられる複数の半導体集積回路を複数の持着部によりピックアップした後、第２の支持手段に設けられる基板上の複数の素子に複数の半導体集積回路を実装することを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００１３】
なお、制御手段は、複数の素子の接続端子と、複数の半導体集積回路の接続端子とが対向するように、列置される複数の持着部を移動させることを特徴とする。
【００１４】
また、第１の支持手段及び第２の支持手段は、ステージ、ベルトコンベヤー、またはロボットアームであってもよい。
【００１５】
また、第１の支持手段はステージ、ベルトコンベヤー、またはロボットアームであり、第２の支持手段は、複数の素子を有する可撓性基板を供給するローラー及び複数の素子を有する可撓性基板を巻き取るローラーであってもよい。
【００１６】
また、複数の持着部は直線状に列置されていてもよい。
【００１７】
本発明の一は、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、複数の持着部が列置される第１のローラーと、複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の素子を有する可撓性基板を供給する第２のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御する第３のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板を巻き取る第４のローラーと、を有し、第１のローラーは、支持手段に設けられる複数の半導体集積回路を複数の持着部によりピックアップした後、第２のローラーを用いて複数の素子に複数の半導体集積回路を実装することを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００１８】
また、本発明の一は、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、複数の持着部が列置される第１のローラーと、複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の素子を有する可撓性基板を供給する第２のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御する第３のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板を切断する手段と、を有し、第１のローラーは、支持手段に設けられる複数の半導体集積回路を複数の持着部によりピックアップした後、第２のローラーを用いて複数の素子に複数の半導体集積回路を実装し、切断する手段は、複数の半導体集積回路が実装された複数の素子を有する可撓性基板を切断することを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００１９】
また、本発明の一は、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、複数の持着部が列置される第１のローラーと、複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の素子を有する第１の可撓性基板を供給する第２のローラーと、複数の素子を有する第１の可撓性基板の移動を制御する第３のローラーと、第２の可撓性基板を供給する第４のローラーと、複数の素子を有する第１の可撓性基板、複数の半導体集積回路、及び第２の可撓性基板を貼り合わせる一対の第５及び第６のローラーと、を有し、第１のローラーは、支持手段に設けられる複数の半導体集積回路を複数の持着部によりピックアップした後、第２のローラーを用いて複数の素子に複数の半導体集積回路を実装し、一対の第５及び第６のローラーは、複数の半導体集積回路が実装された複数の素子を有する第１の可撓性基板に第２の可撓性基板を貼りあわせることを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００２０】
なお、複数の持着部が列置される第１のローラーには、２ｎ組の持着部、または（２ｎ＋１）組の持着部を有する。
【００２１】
また、本発明の一は、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数の半導体集積回路を持着する複数の第１の持着部と、複数の第１の持着部が列置される第１のローラーと、複数の第１の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の第１の持着部から複数の半導体集積回路を持着する複数の第２の持着部と、複数の第２の持着部が列置される第２のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板を供給する第３のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御する第４のローラーと、複数の素子を有する可撓性基板を巻き取る第５のローラーと、を有し、第２のローラーは、複数の第１の持着部で持着した複数の半導体集積回路を複数の第２の持着部により持着した後、第４のローラーを用いて複数の素子に複数の半導体集積回路を実装することを特徴とする半導体装置の製造装置である。
【００２２】
なお、第１のローラー及び第２のローラーは、それぞれ２ｎ組の第１の持着部及び２ｎ組の第２の持着部を有してもよい。また、第１のローラー、及び第２のローラーは、それぞれ（２ｎ＋１）組の第１の持着部、及び（２ｎ＋１）組の第２の持着部を有してもよい。
【００２３】
また、複数の第１の持着部及び第２の持着部はそれぞれ直線状に列置されていてもよい。
【００２４】
また、本発明の一は、第１の支持手段上に複数の半導体集積回路を設置し、治具に列置された複数の持着部を用いて複数の半導体集積回路をピックアップし、列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段により、第２の支持手段上に設けられた基板上の複数の素子の接続端子に複数の半導体集積回路の接続端子が対向するように複数の持着部の間隔を制御し、複数の半導体集積回路の接続端子及び複数の素子の接続端子を接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２５】
本発明の一は、支持手段上に複数の半導体集積回路を設置し、ローラーに列置された複数の持着部を用いて複数の半導体集積回路をピックアップし、複数の素子を有する可撓性基板を供給するローラー、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御するローラー、及び複数の素子を有する可撓性基板を回収するローラーを回転させて、複数の素子を有する可撓性基板を移動させ、複数の持着部が列置されたローラーを回転させて、複数の半導体集積回路及び素子を有する可撓性基板を対向させ、複数の持着部の間隔を制御する制御手段により、可撓性基板の複数の素子の接続端子に、複数の半導体集積回路の接続端子が対向するように複数の持着部の間隔を制御し、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御するローラー及び複数の持着部が列置されたローラーを用いて、複数の半導体集積回路の接続端子及び複数の素子の接続端子を接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２６】
なお、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御するローラー及び複数の持着部が列置されたローラーを用いて、複数の半導体集積回路の接続端子及び複数の素子の接続端子を接続させた後、切断手段により可撓性基板を切断してもよい。
【００２７】
また、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御するローラー及び持着部が列置されたローラーを用いて、複数の半導体集積回路の接続端子及び複数の素子の接続端子を接続させた後、一対のローラーを用いて複数の半導体集積回路及び複数の素子の表面に可撓性基板を貼り合わせてもよい。
【００２８】
さらには、複数の素子を有する可撓性基板の移動を制御するローラー及び複数の持着部が列置されたローラーを用いて、複数の半導体集積回路の接続端子及び複数の素子の接続端子を接続させた後、一対のローラーを用いて複数の半導体集積回路及び複数の素子の表面に可撓性基板を貼り合せ、切断手段により複数の素子を有する可撓性基板及び可撓性基板を切断してもよい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の半導体装置の作製方法は、複数の半導体集積回路を複数の持着部によりピックアップした後、半導体集積回路の接続端子及び素子の接続端子が対向するように、複数の持着部の間隔を制御し、素子及び半導体集積回路を接続して、半導体装置を作製することができる。このため、隣接する半導体集積回路の接続端子の間隔と、隣接する素子の接続端子の間隔とが異なっていても、素子基板から半導体集積回路をピックアップして素子に対向させる間に、複数の持着部の間隔を制御するのみで、素子に半導体集積回路を貼りあわせることができる。また、一回の工程において、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数の素子に複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストの半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００３０】
本発明の半導体装置の製造装置は、列置された複数の持着部を有する治具と、列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数の素子を有する可撓性基板が設けられる支持手段とを有する。治具は、列置された複数の持着部と、持着部の間隔を制御する制御手段とを有する。このため、隣接する半導体集積回路の接続端子の間隔と、隣接する素子の接続端子の間隔とが異なっていても、素子基板から半導体集積回路をピックアップして素子に対向させる間に、複数の持着部の間隔を制御するのみで、素子に半導体集積回路を貼りあわせることができる。また、一回の工程において、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数の素子に複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更しうることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。
【００３２】
（実施の形態１）
本実施の形態の半導体装置の製造装置及び作製方法について説明する。説明には図１、図１６乃至１８を用いる。
【００３３】
本実施の形態の半導体装置の製造装置は、図１８に一形態を示すように、支持手段１０１から半導体集積回路１０２をピックアップする列置された複数の持着部１０４と、持着部１０４を複数有する治具１０３と、複数の持着部１０４を制御する制御手段１００と、複数の素子を有する基板１１１を搭載する支持手段１１４と有し、列置された持着部１０４によりピックアップされた半導体集積回路１０２を、基板１１１上に形成される素子に実装する。なお、以下の実施の形態においては、素子としてアンテナ１１２を示し、半導体装置としては、アンテナに半導体集積回路が実装されたものを示す。しかしながら、素子はアンテナに限定されるものではない。また、半導体装置は素子に半導体集積回路が実装されたものである。
【００３４】
列置された持着部１０４は、吸着ノズル、コレット、ピンセット、またはツメに代表される把治具を用いることができる。ここでは、持着治具として吸着ノズルを用いる。また、持着部１０４にヒーターを設けてもよい。持着部１０４にヒーターを設けることにより、支持手段１０１上に設けられた半導体集積回路１０２を持着部１０４でピックアップして、アンテナ１１２を有する基板１１１上に移動した後、持着部のヒーターを加熱して、アンテナ１１２上に半導体集積回路１０２を熱圧着して実装することができる。なお、ヒーターとしては、室温から５００℃の加熱が可能なヒーターが好ましい。また、持着部１０４を圧着して半導体集積回路及びアンテナを接続する場合、各持着部は１０ｇ〜１００ｋｇ、好ましくは５０ｇ〜５０ｋｇの荷重が可能であることが好ましい。更には、持着部１０４にモーター等の駆動部を設けることで、半導体集積回路の向き（θ方向）をも回転させることが可能であり、アンテナを有する基板に半導体集積回路を実装する場合の位置合わせが容易となる。
【００３５】
治具１０３は、ロボットアーム、ヘッド、ローラー等の移動装置であり、昇降及び水平移動（ｘｙｚ方向）を自由に行うことが可能である。また、治具１０３は、レールやモーター等の駆動部１０８と接続されていても良い。治具１０３または駆動部１０８により、支持手段１０１上の半導体集積回路１０２を持着部１０４でピックアップした後、支持手段１１４上のアンテナ１１２付近まで移動させて、アンテナ１１２に半導体集積回路１０２を実装することができる。
【００３６】
列置された持着部１０４を制御する制御手段１００は、半導体集積回路１０２を支持手段１０１からピックアップした後、半導体集積回路１０２の接続端子が基板１１１上に形成された各アンテナ１１２の接続端子に対向するように、列置された持着部１０４を移動させるものである。制御手段１００としては、半導体集積回路１０２を列置された持着部１０４でピックアップしたことを検知する検出素子と、列置された持着部１０４がアンテナに対向する位置に移動されたことを検知する検知手段と、列置された持着部１０４の間隔を変更する駆動部とを有する。また、隣接されるアンテナの接続端子の間隔を検出する検出素子を有してもよい。半導体集積回路１０２を列置された持着部１０４でピックアップしたことを検知する検出素子や、隣接されるアンテナの接続端子の間隔を検出する検出素子としては、ＣＣＤカメラ等を用いることが可能であり、検出素子で検出した画像情報を画像処理して、半導体集積回路、アンテナの接続端子やアライメントの位置を検出する。
【００３７】
列置された持着部１０４を制御する制御手段１００に含まれる駆動部の代表例を図１６及び１７を用いて説明する。図１６（Ａ）に示すように、列置された持着部１０４には、レール１０５と、レール１０５内を移動する支持部１０６ａと、持着部１０４に固定された支持部１０６ｂと、隣接する支持部１０６ａ及び１０６ｂに設けられた軸１０７、１０８を有する。また、治具１０３内には、持着部１０４が移動可能なようにレール１０９が設けられている。
【００３８】
支持手段上の半導体集積回路をピックアップする場合は、図１６（Ａ）に示すように、レール１０５内を移動する支持部１０６ａが固定された支持部１０６ｂから離れた位置に位置する。このときの持着部１０４の間隔をｘとする。
【００３９】
アンテナに半導体集積回路を対向させる場合は、図１６（Ｂ）に示すように、レール１０５内を支持部１０６ａが移動し、固定された支持部１０６ｂとの距離が縮まる。このとき、軸１０７、１０８も移動し、持着部１０４の間隔がｘからａへ広げることができる。
【００４０】
また、他の例としては、図１７（Ａ）に示すように、治具１０３内にレール１０９が設けられ、持着部１０４にはレール１０９内を移動するモーター等の動力手段１１０が設けられている。
【００４１】
支持手段上の半導体集積回路をピックアップする場合は、図１７（Ａ）に示すように、持着部１０４の間隔がｘである。
【００４２】
アンテナに半導体集積回路を対向させる場合は、図１７（Ｂ）に示すように、持着部１０４に設けられた動力手段がレール１０９内を移動して、持着部１０４の間隔がｘからａへ広げることができる。
【００４３】
支持手段１０１は複数の半導体集積回路を支持する手段であり、支持手段１１４は、複数のアンテナを有する可撓性基板を支持する手段であり、代表的にはステージ、ベルトコンベヤー、ロボットアーム等を用いることができる。また、ステージは、昇降（ｚ方向）及び水平移動（ｘｙ方向）が可能な移動装置に設けられてもよい。ステージやベルトコンベヤーを支持手段として用いる場合、複数の半導体集積回路はシートや基板上に設置されている。また、ロボットアームを支持手段として用いる場合、複数の半導体集積回路は枠体に固定される粘着性フィルム上に設置されていてもよい。この場合、ロボットアームは枠体を挟持する。粘着性フィルムとしては、紫外線硬化型粘着フィルム（ＵＶフィルム、ＵＶテープ、ＵＶシートともいう。）や、圧力が加わることにより粘着力が変化する感圧フィルム（感圧テープ、感圧シートともいう。）、熱硬化型粘着フィルム（熱硬化型粘着テープ、熱硬化型粘着シートともいう。）等がある。さらには、粘着性フィルムはエキスパンドタイプの伸縮可能なものであってもよい。
【００４４】
半導体集積回路１０２は、複数の半導体素子により回路が構成されるものであり、代表的には、複数の半導体素子が形成されるシリコンチップや、薄膜半導体素子を有するチップ等がある。
【００４５】
複数の半導体素子が形成されるシリコンチップの作製方法の代表例としては、シリコンウエハの表面にＭＯＳトランジスタや、容量、抵抗、ダイオード等を形成する。次に、シリコンウエハの裏面をバックグラインドと呼ばれる研磨処理行い、シリコンウエハの厚さを３０〜２５０μｍ、好ましくは５０〜１００μｍにする。この後、ダイサーで矩形状にシリコンウエハを分割したチップである。
【００４６】
薄膜半導体素子を有するチップの代表例としては、薄膜トランジスタ、容量、抵抗、薄膜ダイオード等を有する層である。薄膜半導体素子を有するチップの作製方法の代表例としては、基板上に、薄膜トランジスタ、容量、抵抗、薄膜ダイオード等を有する層を形成し、当該層を基板から剥離し、矩形状に分断することにより形成される。
【００４７】
アンテナ１１２は、印刷法、導電性薄膜をエッチングする方法、メッキ法等の手法により可撓性基板上に形成された導電層を用いることができる。アンテナ１１２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＢａのいずれか一つ以上の元素を有する導電層で形成することができる。
【００４８】
図１３に本発明に適応可能なアンテナの上面図を示す。アンテナとして機能する導電層の形状は、半導体装置における信号の伝送方式が電磁結合方式または電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する場合には、磁界密度の変化による電磁誘導を利用するため、図１３（Ａ）に示すように、方形コイル状２８１や、円形コイル状（例えば、スパイラルアンテナ）とすることができる。また、図１３（Ｂ）に示すように方形ループ状２８２や円形ループ状とすることができる。
【００４９】
また、マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアンテナとして機能する導電層の長さ等の形状を適宜設定すればよく、図１３（Ｃ）に示すように直線型ダイポール状２８３や曲線型ダイポール状、面状（例えば、パッチアンテナ）とすることができる。
【００５０】
なお、本実施の形態では素子の代表例として、アンテナ１１２を用いて示しているが、これに限定されるものではない。例えば、半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、表示装置等を適宜用いることができる。
【００５１】
基板１１１としては、代表的には、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレン、ポリプロピレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、ポリフタールアミド等からなる基板や繊維質な材料からなる紙と、熱可塑性材料で形成される層として接着性有機樹脂（アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）とが、積層された基板を用いることができる。また、上記の基板において、可撓性を有する可撓性基板を用いてもよい。さらには、ガラス基板、石英基板、金属基板等を用いてもよい。
【００５２】
次に、本実施の形態で示す半導体装置の作製方法について、以下に示す。
【００５３】
図１（Ａ）に示すように、支持手段１０１上に設けられた複数の半導体集積回路１０２を、列置された複数の持着部１０４で持着する。このときの持着部１０４の間隔をｘ（０≦ｘ）とする。
【００５４】
次に、図１（Ｂ）に示すように、支持手段１０１から半導体集積回路１０２をピックアップする。このとき、治具１０３を支持手段１０１から離れる方向へ移動させる。または、支持手段１０１を治具１０３から離れる方向へ移動させる。または、持着部１０４及び支持手段１０１が離れる方向へそれぞれを移動させる。また、持着部１０４の伸縮を制御する手段を有する場合、持着部１０４を縮ませる。これらにより、支持手段１０１から半導体集積回路１０２をピックアップすることができる。
【００５５】
次に、図１（Ｃ）に示すように、支持手段１１４にアンテナ１１２を有する基板１１１を搭載する。次にアンテナ１１２の接続端子（図示せず。）に導電性ペースト１１３を塗布する。なお、導電性ペースト１１３の代わりに、異方性導電接着剤や異方性導電フィルムをアンテナ１１２の接続端子上に設けてもよい。また、アンテナ１１２の接続端子として、アンテナの一部を用いてもよい。
【００５６】
次に、アンテナ１１２を有する基板１１１上に治具１０３を移動させる。このとき、半導体集積回路１０２の接続端子、及びアンテナ１１２の接続端子が対向するように、制御手段により持着部１０４の間隔を広げる。代表的には、隣接するアンテナ１１２の接続端子の間隔がａの場合、制御手段により列置する持着部１０４の間隔をａとする。なお、アンテナ１１２を有する基板１１１上に治具１０３を移動させる代わりに、アンテナ１１２を有する基板１１１を支持する支持手段１１４を治具１０３の下へ移動してもよい。
【００５７】
次に、図１（Ｄ）に示すように、導電性ペースト１１３上に半導体集積回路１０２を搭載する。この後、リフロー工程等を経て、導電性ペースト１１３を介して半導体集積回路１０２及びアンテナ１１２を実装する。
【００５８】
また、ボンディング手段を設けてもよい。この場合、持着部１０４を有する治具１０３によりピックアップした半導体集積回路１０２をアンテナ１１２上に搭載（仮接着）させた後、半導体集積回路１０２及び導電性ペースト１１３を圧着し、半導体集積回路１０２とアンテナ１１２とを実装（本圧着）させることができる。このようなボンディング手段としては、熱圧着法や超音波接合法を用いたものあり、代表的にはヒーターや超音波ホーンを有する治具を用いることができる。
【００５９】
以上の工程により、半導体集積回路及びアンテナで構成される複数の半導体装置を有する基板を作製することができる。この後、半導体集積回路及びアンテナを覆うように、保護層を形成してもよい。また、半導体集積回路及びアンテナを覆うように、基板１１１に別途基板を貼り付けてもよい。このような基板としては、基板１１１で示された可撓性基板と同様のものを適宜用いることができる。
【００６０】
さらには、可撓性基板を切断することにより、半導体集積回路及びアンテナで構成される半導体装置を作製することができる。
【００６１】
本実施の形態の半導体装置の作製方法は、半導体集積回路を持着部によりピックアップした後、隣接する半導体集積回路の接続端子及び隣接するアンテナの接続端子が対向するように、持着部の間隔を制御し、アンテナに半導体集積回路を接続して、半導体装置を作製することができる。このため、隣接する半導体集積回路の接続端子の間隔と、隣接するアンテナの接続端子の間隔とが異なっていても、半導体集積回路をピックアップしてアンテナに対向させる間に、持着部の間隔を制御するのみで、アンテナに半導体集積回路を貼りあわせることができる。また、一回の工程において、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数のアンテナに複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストの半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００６２】
本実施の形態の半導体装置の製造装置は、列置された複数の持着部を有する治具と、列置された持着部の間隔を制御する制御手段と、複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、複数のアンテナを有する可撓性基板が設けられる支持手段とを有する。治具は、列置された複数の持着部と、持着部の間隔を制御する制御手段とを有する。このため、隣接する半導体集積回路の接続端子の間隔と、隣接するアンテナの接続端子の間隔とが異なっていても、半導体集積回路をピックアップしてアンテナに対向させる間に、持着部の間隔を制御するのみで、アンテナに半導体集積回路を貼りあわせることができる。また、一回の工程において、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数のアンテナに複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することができる。
【００６３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、ロール ｔｏ ロール方式を用いた半導体装置の製造装置及び作製方法について説明する。説明には図２乃至４、及び図１９を用いる。
【００６４】
図１９に示すように、本実施の形態の半導体装置の製造装置は、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８が巻かれている供給用のローラー２０５と、可撓性基板２０８の移動を制御すると共に、アンテナ２０９上に半導体集積回路２０２を実装するローラー２０６と、アンテナ２０９に半導体集積回路２０２が実装された可撓性基板２０８を巻き取る回収用のローラー２０７とを有する。また、半導体集積回路２０２を支持する支持手段２０１と、半導体集積回路２０２を持着する持着部２０４を有するローラー２０３を有する。なお、持着部２０４はローラー２０３の側面において列置されている。また、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８の表面に、異方性導電フィルムが設けられていてもよい。また、ローラー２０３、２０５〜２０７には、それぞれの回転軸２０３ａ、２０５ａ〜２０７ａを移動させる移動手段を有してもよい。回転軸２０３ａ、２０５ａ〜２０７ａを移動させる移動手段により、ローラー２０３、２０５〜２０７を上昇または下降させて、ローラー２０３、２０５〜２０７の位置を制御することができる。また、持着部２０４には、持着部２０４の伸縮を制御する手段を有してもよい。
【００６５】
本実施の形態の半導体集積回路２０２、持着部２０４、アンテナ２０９、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８は、それぞれ実施の形態１で上記した半導体集積回路１０２、持着部１０４、アンテナ１１２、アンテナ１１２を有する基板１１１を適宜選択して用いることができる。
【００６６】
可撓性基板２０８の移動を制御すると共に、アンテナ２０９上に半導体集積回路２０２を実装するローラー２０６は、供給用のローラー２０５及び回収用のローラー２０７の間に設けられている。また、可撓性基板２０８の移動を制御すると共に、アンテナ２０９上に半導体集積回路２０２を実装するローラー２０６は、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８を間に介して持着部２０４を有するローラー２０３と対向して設けられる。
【００６７】
ローラー２０３、２０５〜２０７は、円筒状の回転体であり、代表的には、表面の磨かれた円筒状の鋳造品等に相当する。ローラー２０３、２０５〜２０７の各々は、所定の速度で回転する。また、ローラー２０５〜２０７は同じ方向に回転し、ローラー２０３は、ローラー２０６と反対方向または同じ方向に回転する。
【００６８】
ここで、ローラー２０３に列置された持着部２０４の構成について説明する。図２（Ａ）は半導体装置の製造装置のｘ軸方向の断面を示し、図２（Ｂ）は図２（Ａ）における半導体装置の製造装置のｙ軸方向の断面を示す。また、図２（Ｃ）は半導体装置の製造装置のｘ軸方向の断面を示し、図２（Ｄ）は図２（Ｃ）における半導体装置の製造装置のｙ軸方向の断面を示す。図２（Ａ）及び（Ｂ）より、持着部２０４は、ローラー２０３のｙ軸方向に複数列置されている。このときの列置された持着部２０４の間隔はｘである。なお、図２において、持着部２０４はｙ軸方向に複数列置された構成を示したが、これに限定されるものではない。即ち、ｘ軸方向に複数の持着部が整列されていてもよい。
【００６９】
次に、半導体装置の作製方法について説明する。
【００７０】
図２（Ａ）、及び（Ｂ）に示すように、ローラー２０５が回転することにより、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８が送り出される。可撓性基板２０８はローラー２０６を経て、ローラー２０７へ流れる。また、ローラー２０５〜２０７が回転することにより、ローラー２０７自体に可撓性基板２０８が巻き付けてられていく。つまり、ローラー２０７により、可撓性基板２０８が回収される。
【００７１】
支持手段２０１の移動方向と反対方向または同じ方向にローラー２０３が回転する。ローラー２０３の圧力、持着部２０４と半導体集積回路２０２との間隔、ローラー２０３の回転速度、支持手段２０１の移動速度を適宜調節することにより、支持手段２０１上に設けられた半導体集積回路２０２をローラー２０３の持着部２０４で持着することができる。
【００７２】
次に、ローラー２０３がローラー２０６と反対方向または同じ方向に回転することにより、支持手段２０１から半導体集積回路２０２を剥離する。
【００７３】
また、上記の手法の代わりに以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路２０２をピックアップしてもよい。ローラー２０３が回転しない状態において、ローラー２０３の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０３を半導体集積回路２０２側に移動させる。次に、持着部２０４により支持手段２０１から半導体集積回路２０２を持着した後、ローラー２０３の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０３をローラー２０６側に移動させて支持手段２０１から半導体集積回路２０２を持着部２０４で持着する。この後、ローラー２０３を回転させる。このようなローラー２０３の移動により、確実に支持手段２０１から半導体集積回路２０２を剥離することができる。
【００７４】
また、上記の手法の代わりに以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路２０２をピックアップしてもよい。ローラー２０３が回転しない状態において、持着部２０４の伸縮を制御する手段により、持着部２０４を半導体集積回路２０２側に伸ばす。次に、持着部２０４により支持手段２０１から半導体集積回路２０２を持着した後、持着部２０４の伸縮を制御する手段により、持着部２０４を縮ませ、支持手段２０１から半導体集積回路２０２を持着部２０４でピックアップする。この後、ローラー２０３を回転させる。このような持着部２０４の伸縮により、確実に支持手段２０１から半導体集積回路２０２を剥離することができる。
【００７５】
次に、図２（Ｃ）、及び（Ｄ）に示すように、ローラー２０３が回転しながら、半導体集積回路２０２の接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２０４の間隔が広げられる。このときの列置された持着部２０４の間隔はａとなる。
【００７６】
次に、ローラー２０６及び持着部２０４によって、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。ローラー２０６及び持着部２０４の間隔、及び一対のローラー２０３、２０６の回転速度を適宜調節することで、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。
【００７７】
また、上記の手法の代わりに以下の手法を用いて、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。ローラー２０３を回転させて、半導体集積回路２０２がアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、ローラー２０３、２０５〜２０７の回転を止める。次に、半導体集積回路２０２の接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２０４の間隔が広げられる。このときの列置された持着部２０４の間隔はａとなる。次に、ローラー２０３の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０３をローラー２０６側に移動させる。次に、ローラー２０６及び持着部２０４によって、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。
【００７８】
次に、ローラー２０３の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０３を支持手段２０１側に移動させて、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。この後、ローラー２０３、２０５〜２０７を回転させる。
【００７９】
また、上記の手法の代わりに以下の手法を用いて、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。ローラー２０３を回転させて、半導体集積回路２０２がアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、ローラー２０３、２０５〜２０７の回転を止める。次に、半導体集積回路２０２の接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２０４の間隔が広げる。このときの列置された持着部２０４の間隔はａとなる。次に、ローラー２０３、２０５〜２０７が回転しない状態において、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０５〜２０７を持着部２０４側に移動させる。次に、持着部２０４及びローラー２０６により可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。
【００８０】
次に、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０６を支持手段２０１から離れさせた後、ローラー２０３、２０５〜２０７を回転させる。
【００８１】
また、上記の手法の代わりに以下の手法を用いて、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。ローラー２０３を回転させて、半導体集積回路２０２がアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、ローラー２０３、２０５〜２０７の回転を止める。次に、半導体集積回路２０２の接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２０４の間隔が広げる。このときの列置された持着部２０４の間隔はａとなる。次に、ローラー２０３、２０５〜２０７が回転しない状態において、持着部２０４の伸縮を制御する手段により、持着部２０４をローラー２０６側に伸ばす。次に、持着部２０４及びローラー２０６により可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。次に、持着部２０４の伸縮を制御する手段により、持着部２０４を縮ませた後、ローラー２０３、２０５〜２０７を回転させる。
【００８２】
なお、本実施の形態の半導体装置の製造装置に、持着部２０４を有するローラー２０３とは別に、ヒーター等の加熱手段を有する一対のローラーを有していてもよい。この場合、持着部２０４を有するローラー２０３によりピックアップした半導体集積回路２０２をアンテナ２０９に搭載（仮接着）させた後、ヒーター等の加熱手段を有する一対のローラーにより半導体集積回路２０２及び異方性導電フィルム２１０を熱圧着し、半導体集積回路２０２とアンテナ２０９とを実装（本圧着）させても良い。
【００８３】
なお、図２においては、ローラー２０６の回転方向と平行な方向（即ち、ｘ軸方向）に、各アンテナの接続部を並べて配置してある。しかしながら、これに限らず、ローラー２０６の回転方向と垂直な方向（即ち、ｙ軸方向）に各アンテナの接続部を並べて配置しても良い。この場合、図２に示す構成と同様にローラー２０６及び持着部２０４がアンテナ及び半導体集積回路を一度挟持するだけで、半導体集積回路をアンテナに実装することができるため、歩留まりを向上させることが可能である。
【００８４】
この後、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８、およびアンテナ２０９に接続された半導体集積回路２０２をローラー２０７で回収する。以上の工程により、アンテナに半導体集積回路が実装された複数の半導体装置を有するシートを形成することができる。
【００８５】
また、貼りあわせられたアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８および、アンテナ２０９に実装された半導体集積回路２０２を巻き取る回収用のローラー２０７の代わりに、図３（Ｃ）に示すように、切断手段２２１を有してもよい。この結果、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８および、アンテナ２０９に接続された半導体集積回路２０２で構成される半導体装置を、個々に分断することができる。切断手段２２１は、ダイシング装置、スクライビング装置、レーザ照射装置等を適宜用いることができる。
【００８６】
また、図２及び３に示す半導体装置を有するシートを可撓性基板を用いて封止することができる。ここでは、図３の変形例について図４を用いて説明する。図４（Ａ）及び（Ｃ）は半導体装置の製造装置のｘ軸方向の断面を示し、図４（Ｂ）及び（Ｄ）はそれぞれ図４（Ａ）及び（Ｃ）における半導体装置の製造装置のｙ軸方向の断面を示す。
【００８７】
図４（Ａ）及び（Ｃ）に示すように、図３に示す半導体装置の製造装置に加え、可撓性基板２３２が巻かれている供給用のローラー２３１と、可撓性基板２３２の移動を制御すると共に、半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８上に可撓性基板２３２を貼り合わせる一対のローラー２３３、２３４とを有してもよい。
【００８８】
図２及び３と同様に、図４（Ａ）、及び（Ｂ）に示すように、ローラー２０３の圧力、持着部２０４と半導体集積回路２０２との間隔、ローラー２０３の回転速度、支持手段２０１の移動速度を適宜調節することにより、支持手段２０１上に設けられた半導体集積回路２０２をローラー２０３に列置された持着部２０４で持着することができる。このときの列置された持着部２０４の間隔をｘとする。
【００８９】
次に、ローラー２０３がローラー２０６と反対方向または同じ方向に回転することにより、支持手段２０１から半導体集積回路２０２を剥離する。次に、図４（Ｃ）、及び（Ｄ）に示すように、半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２０４の間隔が広げられる。ここでは列置される持着部２０４の間隔をｘからａに広げる。
【００９０】
次に、ローラー２０６及び持着部２０４により、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。ローラー２０６及び持着部２０４の間隔、及びローラー２０６及びローラー２０３の回転速度を適宜調節することで、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。
【００９１】
ローラー２３１が回転することにより、可撓性基板２３２が送り出される。可撓性基板２３２はローラー２３３へ流れる。一対のローラー２３３、２３４が互いに反対方向または同じ方向に回転することにより、可撓性基板２３２によって、半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８を封止する。ローラー２３３、２３４の間隔、及び一対のローラー２３３、２３４の回転速度を適宜調節することで、可撓性基板２０８及び可撓性基板２３２によって、半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９を封止することができる。
【００９２】
以上により半導体装置が設けられたシートを作製することができる。
【００９３】
この後、アンテナの間で露出された可撓性基板を切断手段２３５により切断し、半導体集積回路及びアンテナで構成される半導体装置を作製することができる。
【００９４】
本実施の形態の半導体装置の製造装置を用いることにより、複数の工程を連続的に行うことが可能である。また、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数のアンテナに複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することができる。
【００９５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、支持手段２０１に設けられた半導体集積回路において接続端子が形成される面によって、半導体装置の作製方法が異なる形態について図５及び６を用いて説明する。なお、本実施の形態では、図２に示す半導体装置の製造装置を用いて説明するが、図３及び４の半導体装置の製造装置を適宜用いることができる。
【００９６】
図５（Ａ）及び（Ｂ）は、図２（Ａ）及び（Ｃ）と同様に半導体装置の製造装置のｘ軸方向の断面を示す。図示しないが、図５（Ａ）及び（Ｂ）においても図２（Ｂ）及び（Ｄ）と同様に複数の持着部がローラーのｙ軸方向に列置されている。図６（Ａ）乃至（Ｃ）も同様に、半導体装置の製造装置のｘ軸方向の断面を示す。図示しないが、図６（Ａ）乃至（Ｃ）においても同様に複数の持着部がローラーのｙ軸方向に列置されている。
【００９７】
図５（Ａ）の拡大図２６０で示されるように、半導体集積回路２０２の接続端子２６１ａ、２６１ｂは支持手段２０１に面しており、持着部２０４側に露出していない形態について説明する。なお、このように、半導体集積回路２０２の接続端子２６１ａ、２６１ｂが支持手段２０１に面する構成としては、半導体集積回路２０２内部に、半導体素子と接続するスルーホールを形成し、該スルーホールを充填するプラグを接続端子２６１ａ、２６１ｂとしてもよい。また、半導体集積回路の表面に接続端子を形成した後、接続端子が支持手段２０１側に面するように、半導体集積回路を反転させて支持手段２０１に設けてもよい。
【００９８】
図２（Ａ）及び（Ｂ）と同様に、支持手段２０１上に設けられた半導体集積回路２０２をローラー２０３に列置された持着部２０４で持着する。持着部２０４が半導体集積回路２０２を持着する領域の拡大図２６０で示すように、支持手段２０１に対して、半導体集積回路２０２の接続端子２６１ａ、２６１ｂが形成される面が面しており、当該面と反対側の面において、持着部２０４が半導体集積回路２０２を持着する。
【００９９】
次に、ローラー２０３がローラー２０６と反対方向または同じ方向に回転することにより、支持手段２０１から半導体集積回路２０２をピックアップする。次に、図示しないが半導体集積回路２０２の接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により列置された持着部２０４の間隔がｙ軸方向に広げられる。
【０１００】
次に、図５（Ｂ）に示すように、ローラー２０３及び列置された持着部２０４が可撓性基板２０８及びアンテナ２０９と対向したとき、ローラー２０６及び持着部２０４による加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。ローラー２０６及び持着部２０４の間隔、及び一対のローラー２０３、２０６の回転速度を適宜調節することで、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９の接続端子の拡大図２６３で示すように、異方性導電フィルム２１０を介してアンテナ２０９と半導体集積回路２０２が接続される。
【０１０１】
この後、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８および、アンテナ２０９に実装された半導体集積回路２０２をローラー２０７で回収することができる。
【０１０２】
次に、図６（Ａ）の拡大図２７０で示されるように、半導体集積回路２０２の接続端子２７１ａ、２７１ｂが持着部２０４側に面しており、支持手段２０１側に露出していない形態について説明する。
【０１０３】
接続端子２７１ａ、２７１ｂが持着部２０４に面している半導体集積回路は、ローラー２０３の持着部２０４でピックアップし、治具を回転させても、接続端子２７１ａ、２７１ｂはアンテナ２０９に面しない。このため、半導体装置の製造装置は、治具の他に、半導体集積回路２０２をひっくり返すフリップチップ手段を必要とする。ここでは、ローラー２７２及びローラー２７２に設けられた持着部２７３により、フリップチップ手段を構成する。
【０１０４】
フリップチップ手段を構成するローラー２７２は、ローラー２０３、２０５〜２０７と同様のものを用いることができる。持着部２７３は持着部２０４と同様の数の持着部が同様の間隔で列置されたものを用いることが好ましい。この結果、持着部２０４でピックアップした半導体集積回路２０２すべてを持着部２７３に受け渡しすることが可能である。
【０１０５】
ローラー２７２は、ローラー２０３と反対方向または同じ方向に回転する。また、フリップチップ手段のローラー２７２及びローラー２０６は、それぞれの回転軸がアンテナ２０９及び可撓性基板２０８を介して平行に設けられる。この結果、治具であるローラー２０３及びそれに設けられた持着部２０４を用いて、支持手段２０１からピックアップした半導体集積回路２０２を、フリップチップ手段であるローラー２７２及びそれに設けられた持着部２７３に受け渡しする。
【０１０６】
次に、フリップチップ手段であるローラー２７２を回転させて、持着部２７３及びローラー２０６によりアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８及び半導体集積回路２０２を貼りあわせることができる。
【０１０７】
図６を用いて半導体装置の作製方法を説明する。
【０１０８】
図２（Ａ）及び（Ｂ）と同様に、図６（Ａ）に示すように、支持手段２０１上に設けられた半導体集積回路２０２をローラー２０３の持着部２０４でピックアップする。持着部２０４が半導体集積回路２０２を持着する領域の拡大図２７０で示すように、持着部２０４に半導体集積回路２０２の接続端子２７１ａ、２７１ｂが面している。持着部２０４は、接続端子２７１ａ、２７１ｂが形成されない領域において、半導体集積回路２０２を持着する。
【０１０９】
次に、図６（Ｂ）に示すように、ローラー２０３がローラー２７２と反対方向に回転することにより、治具の持着部２０４からフリップチップ手段の持着部２７３へ半導体集積回路２０２を受け渡しする。持着部２０４、２７３が半導体集積回路２０２を持着する領域の拡大図２７４で示すように、半導体集積回路２０２の接続端子２７１ａ、２７１ｂが形成される面の反対側の面において、半導体集積回路２０２は持着部２７３に持着される。
【０１１０】
なお、上記方法の代わりに、ローラー２０３、２７２の一方または両方にそれぞれの回転軸を移動させる移動手段を設けてもよい。この場合、ローラー２０３の持着部２０４及び、ローラー２７２の持着部２７３が半導体集積回路２０２を介して面したとき、ローラー２０３、２７２の回転を停止させる。次に、ローラー２０３、２７２の一方または両方の回転軸を移動させる移動手段を用い、ローラー２０３、２７２の回転軸が近づくようにローラー２０３、２７２の一方または両方を移動させて、持着部２０４から持着部２７３に半導体集積回路２０２を受け渡してもよい。
【０１１１】
次に、図示しないが半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２７３の間隔がｙ軸方向に広げられる。
【０１１２】
次に、図６（Ｃ）に示すように、ローラー２０６がローラー２７２と反対方向または同じ方向に回転することにより、ローラー２０６及び持着部２７３によって、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９の接続端子の拡大図２７５で示すように、異方性導電フィルム２１０を介してアンテナ２０９及び半導体集積回路２０２が接続される。
【０１１３】
また、上記の手法の代わりに以下の手法により、可撓性基板２０８上のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。ローラー２７２を回転させて、半導体集積回路２０２がアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２の接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２７３の間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２７２の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２７２をローラー２０６側に移動させる。次に、持着部２７３及びローラー２０６によって、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。次に、ローラー２７２の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２７２を支持手段２０１側に移動させる。この後、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２を回転させる。
【０１１４】
また、上記の手法の代わりに、以下の手法により、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。ローラー２７２を回転させて、半導体集積回路２０２がアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２７３の間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２が回転しない状態において、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０５〜２０７を持着部２７３側に移動させる。次に、ローラー２０６及び持着部２７３により可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。次に、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０５〜２０７を支持手段２０１の反対側に移動させた後、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２を回転させる。
【０１１５】
また、上記の手法の代わりに、以下の手法により、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装することができる。ローラー２７２を回転させて、半導体集積回路２０２がアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２７３の間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２が回転しない状態において、持着部２７３の伸縮を制御する手段により、持着部２７３をローラー２０６側に伸ばさせる。次に、持着部２７３及びローラー２０６により可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２を挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２を実装する。次に、持着部２７３の伸縮を制御する手段により、持着部２７３を縮ませた後、ローラー２０３、２０５〜２０７、２７２を回転させる。
【０１１６】
この後、半導体集積回路２０２が貼り付けられたアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８をローラー２０７で回収する。
【０１１７】
以上の半導体装置の作製方法により、半導体集積回路の接続端子が形成される位置に関わらず、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数のアンテナに複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することができる。
【０１１８】
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態２または３に適用可能な、治具について図７及び８を用いて説明する。
【０１１９】
図７に示す半導体装置の製造装置は、ローラー２４１に２ｎ（ｎは自然数）組の持着部を有する治具を有する形態である。図７においては、２組の持着部２４２ａ、２４２ｂがローラー２４１に設けられた治具を示す。対となる持着部２４２ａ、２４２ｂは、ローラー２４１の回転軸に対して対称的に設けられることが好ましい。この結果、１／２ｎ回転で支持手段２０１上の半導体集積回路を持着すると共に、アンテナを有する可撓性基板２０８に半導体集積回路を貼りあわせることができる。このため、スループットを向上させることが可能である。
【０１２０】
ここでは、ローラー２０６、２４１が反対方向または同じ方向に回転することで、持着部２４２ａにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ａをピックアップすると共に、持着部２４２ｂにより半導体集積回路２０２ｂをアンテナ２０９に実装することができる。
【０１２１】
次に、図７（Ｂ）に示すように、ローラー２０５〜２０７を回転させてアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８を移動させる。また、ローラー２４１を回転させて、支持手段２０１から持着部２４２ａでピックアップした半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に近づけると共に、持着部２４２ｂを支持手段２０１へ近づけさせる。この後、半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に実装すると共に、支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ｃを持着部２４２ｂでピックアップすることができる。
【０１２２】
なお、図示しないが、半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に近づける前に、アンテナ２０９の接続端子に対向するように、持着部２４２ａの間隔をｙ軸方向に広げる。一方、持着部２４２ｂで、半導体集積回路２０２ｃをピックアップする前に、持着部２４２ｂが半導体集積回路２０２ｃの接続端子に対向するように、持着部２４２ｂの間隔をｙ軸方向に縮める。
【０１２３】
また、上記の手法の代わりに以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路をピックアップすると共に、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路を実装することができる。ローラー２４１を回転させて、半導体集積回路２０２ｂがアンテナ２０９に対向し、且つ持着部２４２ａが支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ａに対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２４１の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２ｂ及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２４２ｂの間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、持着部２４２ｂ及びローラー２０６によって、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２ｂを挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２ｂを実装する。
【０１２４】
次に、ローラー２４１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２４１を支持手段２０１側に移動させて、持着部２４２ａにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ａを持着した後、ローラー２４１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２４１をローラー２０６側に移動させて、半導体集積回路２０２ａをピックアップするとともに、持着部２４２ａ、２４２ｂが可撓性基板２０８、アンテナ２０９、及び異方性導電フィルム２１０に接しない位置に、ローラー２４１を移動させる。この後、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２４１の回転を再開する。
【０１２５】
また、以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路をピックアップすると共に、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路を実装することができる。ローラー２４１を回転させて、半導体集積回路２０２ｂがアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２４１の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２ｂ及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２４２ｂの間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２０５〜２０７、２４１が回転しない状態において、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０５〜２０７を持着部２４２ｂ側に移動させる。次に、ローラー２０６及び持着部２４２ｂにより可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２ｂを挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２ｂを実装する。
【０１２６】
次に、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０５〜２０７をローラー２４１から離れさせる。次に、ローラー２４１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２４１を半導体集積回路２０２ａ側に移動させて、持着部２４２ａにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ａを持着する。次に、ローラー２４１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２４１をローラー２０６側に移動させて、半導体集積回路２０２ａをピックアップする。その後、持着部２４２ａ、２４２ｂが可撓性基板２０８、アンテナ２０９、及び異方性導電フィルム２１０に接しない位置に、ローラー２４１を移動させる。この後、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２４１の回転を再開する。
【０１２７】
また、以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路をピックアップすると共に、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路を実装することができる。ローラー２４１を回転させて、半導体集積回路２０２ｂがアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２４１の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２ｂ及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２４２ｂの間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２０５〜２０７、２４１が回転しない状態において、持着部２４２ｂの伸縮を制御する手段により、持着部２４２ｂをローラー２０６側に伸ばす。次に、持着部２４２ｂ及びローラー２０６により可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２ｂを挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２ｂを実装する。次に、持着部２４２ｂの伸縮を制御する手段により、持着部２４２ｂを縮ませる。
【０１２８】
次に、持着部２４２ａの伸縮を制御する手段により、持着部２４２ａを支持手段２０１側に伸ばして、持着部２４２ａにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ａを持着して、半導体集積回路２０２ａをピックアップする。次に、持着部２４２ａの伸縮を制御する手段により、持着部２４２ａを縮ませた後、持着部２４２ａ、２４２ｂが、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、及び異方性導電フィルム２１０に接しない状態とする。この後、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２４１の回転を再開する。
【０１２９】
以上の工程により、ローラー２４１が一回転する間に、半導体集積回路をアンテナに貼りあわせると共に、支持手段上の半導体集積回路を持着部でピックアップすることができる。
【０１３０】
次に、ローラー２５１に２ｎ＋１（ｎは自然数）組の持着部を有する治具を有する半導体装置の製造装置の形態を、図８を用いて示す。図８においては、３組の持着部２５２ａ〜２５２ｃがローラー２５１に設けられた治具を示す。ここでは各組の持着部は、ローラー２５１の回転軸に対して等間隔（３６０／（２ｎ＋１）度）で設けられることが好ましい。この結果、支持手段２０１の半導体集積回路を持着部によりピックアップする工程と、アンテナ２０９を有する可撓性基板２０８に持着部を用いて半導体集積回路を貼り合わせる工程とが、それぞれ別のタイミングで行うことが可能であり、互いの工程の干渉を避けることが可能である。この結果、それぞれの工程を確実に行うことが可能である。ここでは、各持着部は回転軸において１２０°の間隔で配置されている。
【０１３１】
ここでは、ローラー２０６、２５１が反対方向または同じ方向に回転することで、持着部２５２ｃにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ｃをピックアップする。
【０１３２】
次に、図８（Ｂ）に示すように、ローラー２０５〜２０７を回転させてアンテナ２０９を有する可撓性基板２０８を移動させる。また、ローラー２５１を回転させて、支持手段２０１から持着部２５２ａでピックアップした半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に貼り合わせることができる。
【０１３３】
なお、図示しないが、半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に近づける前に、アンテナ２０９の接続端子に対向するように、持着部２５２ａの間隔をｙ軸方向に広げる。一方、持着部２５２ｃで、半導体集積回路２０２ｃをピックアップする前に、持着部２５２ｃが半導体集積回路２０２ｃの接続端子に対向するように、持着部２５２ｃの間隔をｙ軸方向に縮める。
【０１３４】
また、以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路をピックアップすると共に、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路を実装することができる。ローラー２５１を回転させて、持着部２５２ｃが半導体集積回路２０２ｃに対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を止める。次に、ローラー２５１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２５１を支持手段２０１側に移動させて、持着部２５２ｃにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ｃを持着する。次に、ローラー２５１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２５１をローラー２０６側に移動させて、半導体集積回路２０２ｃをピックアップする。その後、持着部２５２ａ〜２５２ｃが、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、及び異方性導電フィルム２１０に接しない位置にローラー２５１を移動させる。次に、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を再開する。
【０１３５】
次に、図８（Ｂ）に示すように、半導体集積回路２０２ａがアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２ａの接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２５２ａの間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２５１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２５１をローラー２０６側に移動させて、ローラー２０６及び持着部２５２ａにより、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２ａを挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２ａを実装することができる。
【０１３６】
図示しないが、半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に実装した後、持着部２５２ａは間隔をｙ軸方向に縮める。
【０１３７】
また、以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路をピックアップすると共に、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路を実装することができる。ローラー２５１を回転させて、持着部２５２ｃが半導体集積回路２０２ｃに対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を止める。次に、ローラー２５１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２５１を支持手段２０１側に移動させて、持着部２５２ｃにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ｃをピックアップする。次に、ローラー２５１の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２５１をローラー２０６側に移動させて、持着部２５２ａ〜２５２ｃが可撓性基板２０８、アンテナ２０９、及び異方性導電フィルム２１０に接しない位置に、ローラー２５１を移動させる。この後、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を再開する。
【０１３８】
次に、図８（Ｂ）に示すように、半導体集積回路２０２ａがアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２ａ及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２５２ａの間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２０５〜２０７、２５１が回転しない状態において、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０５〜２０７を持着部２５２ａ側に移動させる。次に、ローラー２０６及び持着部２５２ａにより可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、及び半導体集積回路２０２ａを挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２ａを実装する。
【０１３９】
次に、ローラー２０５〜２０７の回転軸を移動させる移動手段により、ローラー２０６をローラー２５１から離れさせる。
【０１４０】
図示しないが、半導体集積回路２０２ａをアンテナ２０９に実装した後、持着部２５２ａは間隔をｙ軸方向に縮める。
【０１４１】
また、以下の手法を用いて、支持手段２０１から半導体集積回路をピックアップすると共に、可撓性基板２０８のアンテナ２０９に半導体集積回路を実装することができる。ローラー２５１を回転させて、持着部２５２ｃが半導体集積回路２０２ｃに対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を止める。持着部２５２ｃの伸縮を制御する手段により、持着部２５２ｃを支持手段２０１側に伸ばさせて、持着部２５２ｃにより支持手段２０１上の半導体集積回路２０２ｃを持着する。次に、持着部２５２ｃの伸縮を制御する手段により、持着部２５２ｃを縮ませて、半導体集積回路２０２ｃをピックアップした後、持着部２５２ａ〜２５２ｃが、可撓性基板２０８、アンテナ２０９、及び異方性導電フィルム２１０に接しない状態とする。この後、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１それぞれの回転を再開する。
【０１４２】
次に、図８（Ｂ）に示すように、半導体集積回路２０２ａがアンテナ２０９に対向する位置まで移動してきたら、支持手段２０１の移動、及びローラー２０５〜２０７、２５１の回転を止める。次に、図示しないが半導体集積回路２０２ａの接続端子及びアンテナ２０９の接続端子が対向するように、制御手段により持着部２５２ａの間隔がｙ軸方向に広げられる。次に、ローラー２０５〜２０７、２５１が回転しない状態において、持着部２５２ａの伸縮を制御する手段により、持着部２５２ａをローラー２０６側に伸ばさせる。次に、持着部２５２ａ及びローラー２０６により可撓性基板２０８、アンテナ２０９、異方性導電フィルム２１０、半導体集積回路２０２ａを挟持しながら、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行ない、可撓性基板２０８に形成されたアンテナ２０９に半導体集積回路２０２ａを実装する。次に、持着部２５２ａの伸縮を制御する手段により、持着部２５２ａを縮ませる。
【０１４３】
以上の工程により、ローラー２５１が一回転する間に、半導体集積回路をアンテナに貼りあわせると共に、支持手段上の半導体集積回路を持着部でピックアップすることができる。このため、複数の工程を同時に行うことが可能である。また、複数の半導体集積回路をピックアップし、複数のアンテナに複数の半導体集積回路を貼りあわせ、複数の半導体装置を作製することができる。このため、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することができる。
【実施例１】
【０１４４】
本実施例では、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の作製工程を、図６、図９〜１２を用いて説明する。また、図９〜１２においては、図６に示す半導体装置のｙ軸方向の断面図を示す。
【０１４５】
図９（Ａ）に示すように、基板１２０１上に剥離層１２０２を形成し、剥離層１２０２上に絶縁層１２０３を形成し、絶縁層１２０３上に薄膜トランジスタ１２０４及び薄膜トランジスタを構成する導電層を絶縁する層間絶縁層１２０５を形成し、薄膜トランジスタの半導体層に接続するソース電極及びドレイン電極１２０６を形成する。次に、薄膜トランジスタ１２０４、層間絶縁層１２０５、ソース電極及びドレイン電極１２０６を覆う絶縁層１２０７を形成し、絶縁層１２０７を介してソース電極またはドレイン電極１２０６に接続する導電層１２０８を形成する。
【０１４６】
基板１２０１としては、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板の一表面に絶縁層を形成したもの、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用いる。上記に挙げた基板１２０１には、大きさや形状に制約がないため、例えば、基板１２０１として、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。この利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。
【０１４７】
剥離層１２０２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。剥離層１２０２が珪素を含む層の場合の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。
【０１４８】
剥離層１２０２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【０１４９】
剥離層１２０２が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化物又は窒化酸化物を形成する。
【０１５０】
剥離層１２０２として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。さらには、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、Ｎ２Ｏプラズマ処理、オゾン水、水素を含む水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。これは、タングステンの窒化物、酸化窒化物及び窒化酸化物を含む層を形成する場合も同様であり、タングステンを含む層を形成後、その上層に窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸化珪素層を形成するとよい。
【０１５１】
タングステンの酸化物は、ＷＯｘで表される。Ｘは、２≦ｘ≦３の範囲内にあり、ｘが２の場合（ＷＯ２）、ｘが２．５の場合（Ｗ２Ｏ５）、ｘが２．７５の場合（Ｗ４Ｏ１１）、ｘが３の場合（ＷＯ３）などがある。
【０１５２】
また、上記の工程によると、基板１２０１に接するように剥離層１２０２を形成しているが、本発明はこの工程に制約されない。基板１２０１に接するように下地となる絶縁層を形成し、その絶縁層に接するように剥離層１２０２を設けてもよい。
【０１５３】
絶縁層１２０３は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、無機化合物を用いて単層又は積層で形成する。無機化合物の代表例としては、珪素酸化物又は珪素窒化物が挙げられる。
【０１５４】
さらには、絶縁層１２０３を積層構造としても良い。例えば、無機化合物を用いて積層してもよく、代表的には、酸化珪素、窒化酸化珪素、及び酸化窒化珪素を積層して形成しても良い。
【０１５５】
薄膜トランジスタ１２０４は、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層、ゲート絶縁層、並びにゲート電極で構成される。
【０１５６】
半導体層は、結晶構造を有する半導体で形成される層であり、非単結晶半導体若しくは単結晶半導体を用いることができる。特に、加熱処理により結晶化させた結晶性半導体、加熱処理とレーザ光の照射を組み合わせて結晶化させた結晶性半導体を適用することが好ましい。加熱処理においては、シリコン半導体の結晶化を助長する作用のあるニッケルなどの金属元素を用いた結晶化法を適用することができる。また、シリコン半導体の結晶化工程における加熱により、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面において、剥離層の表面を酸化して金属酸化物層を形成することが可能である。
【０１５７】
加熱処理に加えてレーザ光を照射して結晶化する場合には、連続発振レーザ光の照射若しくは繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上であって、パルス幅が１ナノ秒以下、好ましくは１乃至１００ピコ秒である超短パルス光を照射することによって、結晶性半導体が溶融した溶融帯を、当該レーザ光の照射方向に連続的に移動させながら結晶化を行うことができる。このような結晶化法により、大粒径であって、結晶粒界が一方向に延びる結晶性半導体を得ることができる。キャリアのドリフト方向を、この結晶粒界が延びる方向に合わせることで、トランジスタにおける電界効果移動度を高めることができる。例えば、４００ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上を実現することができる。
【０１５８】
上記結晶化工程を、ガラス基板の耐熱温度（約６００℃）以下の結晶化プロセスを用いる場合、大面積ガラス基板を用いることが可能である。このため、基板あたり大量の半導体装置を作製することが可能であり、低コスト化が可能である。
【０１５９】
また、ガラス基板の耐熱温度以上の加熱により、結晶化工程を行い、半導体層を形成してもよい。代表的には、絶縁表面を有する基板１２０１に石英基板を用い、非晶質若しくは微結晶質の半導体を７００度以上で加熱して半導体層を形成する。この結果、結晶性の高い半導体を形成することが可能である。このため、応答速度や移動度などの特性が良好で、高速な動作が可能な薄膜トランジスタを提供することができる。
【０１６０】
ゲート絶縁層は、酸化シリコン及び酸化窒化シリコンなどの無機絶縁物で形成する。
【０１６１】
ゲート電極は金属又は一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。また、金属を窒化させた金属窒化物を用いることができる。或いは、当該金属窒化物からなる第１層と当該金属から成る第２層とを積層させた構造としても良い。積層構造とする場合には、第１層の端部が第２層の端部より外側に突き出した形状としても良い。このとき第１層を金属窒化物とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第２層の金属が、ゲート絶縁層やその下層の半導体層に拡散することを防ぐことができる。
【０１６２】
半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極などを組み合わせて構成される薄膜トランジスタは、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。ここでは、シングルドレイン構造の薄膜トランジスタを示す。さらには、同電位のゲート電圧が印加されるトランジスタが直列に接続された形となるマルチゲート構造、半導体層の上下をゲート電極で挟むデュアルゲート構造、絶縁層１２０３上にゲート電極が形成され、ゲート電極上にゲート絶縁層、半導体層が形成される逆スタガ型薄膜トランジスタ等を適用することができる。
【０１６３】
ソース電極及びドレイン電極１２０６は、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層構造、モリブデン（Ｍｏ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層構造など、アルミニウム（Ａｌ）のような低抵抗材料と、チタン（Ｔｉ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属材料を用いたバリアメタルとの組み合わせで形成することが好ましい。
【０１６４】
層間絶縁層１２０５及び絶縁層１２０７は、ポリイミド、アクリル、またはシロキサンポリマーを用いて形成する。
【０１６５】
さらには、薄膜トランジスタ１２０４の代わりにスイッチング素子として機能し得る半導体素子であれば、どのような構成で設けてもよい。スイッチング素子の代表例としては、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）、ダイオード等が挙げられる。
【０１６６】
次に、図９（Ｂ）に示すように、導電層１２０８上に導電層１２１１を形成する。ここでは、印刷法により金属粒子を有する組成物を印刷し、２００℃で３０分加熱して組成物を焼成して導電層１２１１を形成する。
【０１６７】
次に、図９（Ｃ）に示すように、絶縁層１２０７及び導電層１２１１の端部を覆う絶縁層１２１２を形成する。ここでは、エポキシ樹脂をスピンコート法により塗布し、１６０℃で３０分加熱した後、導電層１２１１を覆う部分の絶縁層を除去して、導電層１２１１を露出する。ここでは、絶縁層１２０３から絶縁層１２１２までの積層体を素子形成層１２１０とする。
【０１６８】
次に、図９（Ｄ）に示すように、後の剥離工程を容易に行うために、レーザ光１２１３を絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２に照射して、図９（Ｅ）に示すような開口部１２１４を形成する。開口部１２１４を形成するために照射するレーザ光としては、絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２が吸収する波長を有するレーザ光が好ましい。代表的には、紫外領域、可視領域、又は赤外領域のレーザ光を適宜選択して照射する。
【０１６９】
このようなレーザ光を発振することが可能なレーザ発振器としては、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザ発振器、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ、ＣＯ２等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶、ガラス、ルビー等の固体レーザ発振器、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、固体レーザ発振器においては、基本波〜第５高調波を適宜適用するのが好ましい。この結果、絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２がレーザ光を吸収し溶融して開口部が形成される。
【０１７０】
なお、レーザ光を絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２に照射する工程を省くことで、スループットを向上させることが可能である。
【０１７１】
次に、絶縁層１２１２に粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を貼りあわせる。
【０１７２】
粘着剤１２１５としては、剥離可能な粘着剤であり、代表的には紫外線により剥離する紫外線剥離型粘着剤、熱により剥離する熱剥離型粘着剤、水溶性粘着剤や両面粘着テープなどを用いることができる。ここでは、粘着剤１２１５として熱剥離型粘着剤を用いる。支持体１２１６は、ガラス基板、石英基板、金属基板、プラスチック基板、可撓性基板（ＰＥＴ、ＰＥＳ，ポリカーボネート、繊維質な材料からなる紙等）を適宜用いることができる。ここでは、支持体１２１６として、合成紙を用いる。
【０１７３】
なお、粘着剤１２１５、支持体１２１６、及び素子形成層１２１０との接着強度は、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３との密着強度より高くなるように設定する。
【０１７４】
次に、図１０（Ａ）に示すように、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面に形成される金属酸化物層において、剥離層１２０２を有する基板１２０１及び素子形成層の一部１２２１を物理的手段により剥離する。物理的手段とは、力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機械的エネルギー）を変化させる手段を指している。物理的手段は、代表的には機械的な力を加えること（例えば人間の手や把治具で引き剥がす処理や、ローラーを支点としてローラーを回転させながら分離する処理）である。
【０１７５】
以上の剥離工程は、熱処理で収縮しない層と、熱処理で収縮する層と、その中間の層とを形成し、剥離工程の完了時または剥離工程中に熱処理を行うことにより、過ストレス状態を中間層又はその近傍領域で有せしめ、その後刺激を与えることにより中間層またはその近傍領域で剥離せしめることを特徴とする。
【０１７６】
本実施例において、熱処理で収縮しない層は剥離層１２０２であり、熱処理で収縮する層は絶縁層１２０３または絶縁層１２１２であり、熱処理で収縮しない層と熱処理で収縮する層との中間の層としては、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面に形成される金属酸化物層である。代表例として、剥離層１２０２としてタングステン層を用い、絶縁層１２０３として珪素酸化物又は珪素窒化物を用い、絶縁層１２１２としてエポキシ樹脂を用いると、非晶質珪素膜の結晶化や、不純物の活性化、水素出し等の加熱処理において、剥離層１２０２は収縮しないが、絶縁層１２０３または絶縁層１２１２は収縮し、さらに剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面に酸化タングステン層（ＷＯｘ、２≦ｘ≦３）が形成される。酸化タングステン層は脆いため、上記物理的手段により分離されやすい。この結果、上記物理的手段により素子形成層の一部１２２１を基板１２０１から剥離することができる。
【０１７７】
なお、支持体１２１６が可撓性基板の場合、進行方向の前後に配置された一対のローラーを支持体１２１６の支点とし、素子形成層１２１０上に粘着剤１２１５を介して支持体１２１６を設け、支持体１２１６上を圧着ヘッドで押し付けることで、素子形成層１２１０に粘着剤１２１５を介して支持体１２１６を貼りつけることができる。次に、圧着ヘッドをはずしたのち、前側のローラーを徐々に引き上げ、一対のローラーに高低差を設ける。この結果、支持体１２１６がローラーを支点としているため、支持体１２１６及び素子形成層１２１０を、剥離層から徐々剥離することができる。
【０１７８】
本実施例においては、剥離層と絶縁層の間に金属酸化膜を形成し、当該金属酸化膜において物理的手段により、素子形成層１２１０を剥離する方法を用いたがこれに限られない。基板に透光性を有する基板を用い、剥離層に水素を含む非晶質珪素膜を用い、図９（Ｅ）の工程の後、基板側からのレーザ光を照射して非晶質珪素膜に含まれる水素を気化させて、基板と剥離層との間で剥離する方法を用いることができる。
【０１７９】
また、図９（Ｅ）の工程の後、基板を機械的に研磨し除去する方法や、ＨＦ等の基板を溶解する溶液を用いて基板を除去する方法を用いることができる。この場合、剥離層を形成しなくともよい。
【０１８０】
また、図９（Ｅ）において、粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を絶縁層１２１２に貼りあわせる前に、開口部１２１４にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスを導入し、剥離層をフッ化ハロゲンガスでエッチングし除去した後、絶縁層１２１２に粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を貼りあわせて、基板から素子形成層１２１０を剥離する方法を用いることができる。
【０１８１】
また、図９（Ｅ）において、粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を絶縁層１２１２に貼りあわせる前に、開口部１２１４にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスを導入し、剥離層の一部をフッ化ハロゲンガスでエッチングし除去した後、絶縁層１２１２に粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を貼りあわせて、基板から素子形成層１２１０を物理的手段により剥離する方法を用いることができる。
【０１８２】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、素子形成層の一部１２２１の絶縁層１２０３に、可撓性基板１２２２を貼り付ける。可撓性基板１２２２としては、実施の形態１で列挙した基板１１１を適宜用いることができる。
【０１８３】
絶縁層１２０３に、可撓性基板１２２２を貼り付ける方法としては、接着剤を用いて可撓性基板１２２２を絶縁層１２０３に貼り合わせる方法や、可撓性基板１２２２を加熱して、可撓性基板１２２２の一部を溶融させた後、冷却させて、可撓性基板１２２２を絶縁層１２０３に貼り合わせる方法がある。なお、絶縁層１２０３と可撓性基板１２２２との接着強度は、粘着剤１２１５、支持体１２１６と素子形成層１２１０との接着強度より高くなるように設定する。接着剤を用いて可撓性基板１２２２を絶縁層１２０３に貼り合わせる場合は、接着剤の接着力は、粘着剤１２１５より高い材料を適宜選択する。ここでは、接着剤１２２３を用いて、絶縁層１２０３に可撓性基板１２２２を貼り付ける。次に、粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を素子形成層の一部１２２１から剥す。ここでは、熱を加えて粘着剤１２１５を素子形成層の一部１２２１から剥す。
【０１８４】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、可撓性基板１２２２をダイシングフレーム１２３２のＵＶテープ１２３１に貼り合わせる。ＵＶテープ１２３１は粘着性を有するため、ＵＶテープ１２３１上に可撓性基板１２２２が固定される。この後、導電層１２１１にレーザ光を照射して、導電層１２１１と導電層１２０８の間の密着性を高めてもよい。
【０１８５】
次に、導電層１２１１上に接続端子１２３３を形成する。接続端子１２３３を形成することで、後にアンテナとして機能する導電層との位置合わせ及び接着を容易に行うことが可能である。
【０１８６】
次に、図１０（Ｄ）に示すように、素子形成層の一部１２２１、可撓性基板１２２２、第２の接着剤１２２３を分断する。ここでは、素子形成層の一部１２２１及び可撓性基板１２２２にレーザ光１２３４を照射して、図１０（Ｄ）に示すような溝１２４１を形成して、素子形成層の一部１２２１を複数に分断する。レーザ光１２３４は、レーザ光１２１３に記載のレーザ光を適宜選択して適用することができる。ここでは、絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２及び可撓性基板１２２２が吸収可能なレーザ光を選択することが好ましい。なお、ここでは、レーザカット法を用いて素子形成層の一部を複数に分断したが、この方法の代わりにダイシング法、スクライビング法等を適宜用いることができる。なお、可撓性基板１２２２に繊維質の紙を用いる場合、ダイシング法で素子形成層を分断するときに水を用いず、ガスを切断部に吹きかけて、切断屑を吹き飛ばすことが好ましい。この結果、素子形成層と紙とが剥れることを防止することができる。さらに、湿度の高いガスを切断部に吹きかけながらダイシングを行うことで、素子形成層に静電気が帯電するのを防止することができる。この結果分断された素子形成層を半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂと示す。
【０１８７】
次に、ＵＶテープ１２３１にエキスパンダ枠１２４４を貼り付けた後、ダイシングフレーム１２３２をＵＶテープ１２３１からはずす。このとき、エキスパンダ枠１２４４をＵＶテープ１２３１を伸ばしながら貼り付けることで、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂの間に形成された溝１２４１の幅を拡大することができる。
【０１８８】
次に、エキスパンダ枠１２４４のＵＶテープ１２３１にＵＶ光を照射して、ＵＶシートの粘着力を低下させる。次に、図６に示す半導体装置の製造装置を用いて、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂが搭載されたエキスパンダ枠１２４４を、支持手段であるロボットアームで固定する。次に、ＵＶテープ１２３１から治具の持着部２０４で半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂをピックアップする（図１１（Ａ）参照。）。
【０１８９】
次に、図６に示す半導体装置の製造装置のフリップチップ手段を用いて、持着部２０４から半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂをフリップチップ手段の持着部２７３に持着させる（図１１（Ｂ）参照。）
【０１９０】
次に、図１１（Ｃ）に示すように、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂがアンテナ２０９ａ、２０９ｂごとに対向するように、制御手段を用いてフィリップチップ手段の持着部２７３を移動させる。
【０１９１】
次に、図６に示す半導体装置の製造装置の持着部２７３を有するフリップチップ手段及びローラー２０６を反対方向に回転させて、図１２（Ａ）に示すように、アンテナ２０９ａ、２０９ｂを有する可撓性基板２０８と、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂとを異方性導電フィルム２１０を用いて貼り合わせる。このとき、アンテナ２０９ａ、２０９ｂと半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂの接続端子１２３３とが、異方性導電フィルム２１０に含まれる導電性粒子と接続されるように、貼りあわせる。
【０１９２】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、アンテナ２０９ａ、２０９ｂと、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂとが形成されない領域において、可撓性基板２０８を分断する。分断方法としては、レーザカット法、ダイシング法、スクライビング法等を適宜用いることができる。ここでは、異方性導電フィルム２１０及び可撓性基板２０８にレーザ光１２５１を照射するレーザカット法により分断を行う。
【０１９３】
以上の工程により、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置１２５２ａ、１２５２ｂを作製することができる。
【０１９４】
以上の工程により、薄型化で軽量な半導体装置を歩留まり高く作製することが可能である。
【実施例２】
【０１９５】
実施例では、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の構成について、図１４を参照して説明する。
【０１９６】
本実施例の半導体装置は、大別して、アンテナ部２００１、電源部２００２、ロジック部２００３から構成される。
【０１９７】
アンテナ部２００１は、外部信号の受信とデータの送信を行うためのアンテナ２０１１からなる。また、半導体装置における信号の伝送方式は、電磁結合方式、電磁誘導方式またはマイクロ波方式等を用いることができる。
【０１９８】
電源部２００２は、アンテナ２０１１を介して外部から受信した信号により電源を作る整流回路２０２１と、作りだした電源を保持するための保持容量２０２２と、各回路に供給する一定電圧を作り出す定電圧回路２０２３からなる。
【０１９９】
ロジック部２００３は、受信した信号を復調する復調回路２０３１と、クロック信号を生成するクロック生成・補正回路２０３２と、コード認識及び判定回路２０３３と、メモリからデータを読み出すための信号を受信信号により作り出すメモリコントローラ２０３４と、符号化した信号を受信信号にのせるための変調回路２０３５と、読み出したデータを符号化する符号化回路２０３７と、データを保持するメモリ２０３８からなる。なお、変調回路２０３５は変調用抵抗２０３６を有する。
【０２００】
メモリ２０３８は、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦＥＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（Ｍａｓｋ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ、有機メモリなどを適宜選択する。ここでは、メモリ２０３８として、マスクＲＯＭ２０３９、及び有機メモリで構成される追記メモリ２０４０を示す。
【０２０１】
コード認識及び判定回路２０３３が認識・判定するコードは、フレーム終了信号（ＥＯＦ、ｅｎｄ ｏｆ Ｆｒａｍｅ）、フレーム開始信号（ＳＯＦ、ｓｔａｒｔ ｏｆ Ｆｒａｍｅ）、フラグ、コマンドコード、マスク長（ｍａｓｋ ｌｅｎｇｔｈ）、マスク値（ｍａｓｋ ｖａｌｕｅ）等である。また、各コード認識及び判定回路２０３３は、送信エラーを識別する巡回冗長検査（ＣＲＣ、ｃｙｃｌｉｃ ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ ｃｈｅｃｋ）機能も含む。
【実施例３】
【０２０２】
上記実施例に示される非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図１５（Ａ）参照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１５（Ｃ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等、図１５（Ｂ）参照）、乗物類（自転車等、図１５（Ｄ）参照）、身の回り品（鞄や眼鏡等）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等の商品や荷物の荷札（図１５（Ｅ）、図１５（Ｆ）参照）等の物品に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ）及び携帯電話等を指す。また、植物類、動物類、人体等に用いることが出来る。
【０２０３】
本実施例の半導体装置９２１０は、プリント基板への実装、表面に貼付け、埋め込み等により、物品に固定される。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりして、各物品に固定される。本実施例の半導体装置９２１０は、小型、薄型、軽量を実現するため、物品に固定した後も、その物品自体のデザイン性を損なうことがない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に本実施例の半導体装置９２１０を設けることにより、認証機能を設けることができ、この認証機能を活用すれば、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に本実施例の半導体装置９２１０を設けることにより、検品システム等のシステムの効率化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０２０４】
【図１】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１２】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１３】本発明に適用可能なアンテナの形状を説明する上面図である。
【図１４】本発明の半導体装置を説明する図である。
【図１５】本発明の半導体装置の応用例を説明する図である。
【図１６】本発明の半導体装置の製造装置の制御部の一部を説明する断面図である。
【図１７】本発明の半導体装置の製造装置の制御部の一部を説明する断面図である。
【図１８】本発明の半導体装置の製造装置を説明する斜視図である。
【図１９】本発明の半導体装置の製造装置を説明する斜視図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体集積回路が設けられる第１の支持手段と、
前記複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、
前記複数の持着部が列置された治具と、
前記複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、
複数の素子を有する基板が設けられる第２の支持手段と、を有し、
前記治具は、前記第１の支持手段に設けられる前記複数の半導体集積回路を前記複数の持着部によりピックアップした後、前記第２の支持手段に設けられる基板上の複数の素子に前記複数の半導体集積回路を実装することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
請求項１において、前記制御手段は、前記複数の素子の接続端子と、前記複数の半導体集積回路の接続端子とが対向するように、前記列置される複数の持着部を移動させることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第１の支持手段及び前記第２の支持手段は、ステージ、ベルトコンベヤー、またはロボットアームであることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記第１の支持手段はステージ、ベルトコンベヤー、またはロボットアームであり、前記第２の支持手段は、前記複数の素子を有する可撓性基板を供給するロール及び前記複数の素子を有する前記可撓性基板を巻き取るロールであることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記複数の持着部は直線状に列置されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項６】
複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、
前記複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、
前記複数の持着部が列置される第１のローラーと、
前記複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、
複数の素子を有する可撓性基板を供給する第２のローラーと、前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御する第３のローラーと、前記複数の素子を有する前記可撓性基板を巻き取る第４のローラーと、を有し、
前記第１のローラーは、前記支持手段に設けられる前記複数の半導体集積回路を前記複数の持着部によりピックアップした後、前記第２のローラーを用いて前記複数の素子に前記複数の半導体集積回路を実装することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項７】
複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、
前記複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、
前記複数の持着部が列置される第１のローラーと、
前記複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、
複数の素子を有する可撓性基板を供給する第２のローラーと、
前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御する第３のローラーと、
前記複数の素子を有する前記可撓性基板を切断する手段と、を有し、
前記第１のローラーは、前記支持手段に設けられる前記複数の半導体集積回路を前記複数の持着部によりピックアップした後、前記第２のローラーを用いて複数の前記素子に前記複数の半導体集積回路を実装し、
前記切断する手段は、前記複数の半導体集積回路が実装された前記複数の素子を有する前記可撓性基板を切断することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項８】
複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、
前記複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、
前記複数の持着部が列置される第１のローラーと、
前記複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、
複数の素子を有する第１の可撓性基板を供給する第２のローラーと、
前記複数の素子を有する前記第１の可撓性基板の移動を制御する第３のローラーと、
第２の可撓性基板を供給する第４のローラーと、
前記複数の素子を有する前記第１の可撓性基板、前記複数の半導体集積回路、及び前記第２の可撓性基板を貼り合わせる一対の第５及び第６のローラーと、を有し、
前記第１のローラーは、前記支持手段に設けられる前記複数の半導体集積回路を前記複数の持着部によりピックアップした後、前記第２のローラーを用いて前記複数の素子に前記複数の半導体集積回路を実装し、
前記一対の第５及び第６のローラーは、前記複数の半導体集積回路が実装された前記複数の素子を有する前記第１の可撓性基板に前記第２の可撓性基板を貼りあわせることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記第１のローラーには、２ｎ組の持着部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記第１のローラーには、（２ｎ＋１）組の持着部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
請求項６乃至１０のいずれか一項において、前記複数の持着部は直線状に列置されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、
前記複数の半導体集積回路を持着する複数の第１の持着部と、
前記複数の第１の持着部が列置される第１のローラーと、
前記複数の第１の持着部の間隔を制御する制御手段と、
前記複数の第１の持着部から前記複数の半導体集積回路を持着する複数の第２の持着部と、
前記複数の第２の持着部が列置される第２のローラーと、
複数の素子を有する可撓性基板を供給する第３のローラーと、前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御する第４のローラーと、前記複数の素子を有する前記可撓性基板を巻き取る第５のローラーと、を有し、
前記第２のローラーは、前記複数の第１の持着部で持着した前記複数の半導体集積回路を前記複数の第２の持着部により持着した後、前記第４のローラーを用いて前記複数の前記複数の素子に前記複数の半導体集積回路を実装することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記第１のローラー及び前記第２のローラーは、それぞれ２ｎ組の第１の持着部及び２ｎ組の第２の持着部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１４】
請求項１２において、前記第１のローラー及び前記第２のローラーは、それぞれ（２ｎ＋１）組の第１の持着部、及び（２ｎ＋１）組の第２の持着部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか一項において、前記複数の第１の持着部及び前記第２の持着部はそれぞれ直線状に列置されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項において、前記素子は、アンテナ、半導体集積回路、及びセンサの一つ以上を含むことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１７】
第１の支持手段上に複数の半導体集積回路を設置し、
前記第１の支持手段から治具に列置された複数の持着部を用いて前記複数の半導体集積回路をピックアップし、
前記列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段により、第２の支持手段上に設けられた基板上の複数の素子の接続端子に前記複数の半導体集積回路の接続端子が対向するように前記複数の持着部の間隔を制御し、
前記複数の半導体集積回路の接続端子及び前記複数の素子の接続端子を接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
支持手段上に複数の半導体集積回路を設置し、
ローラーに列置された複数の持着部を用いて前記複数半導体集積回路をピックアップし、
複数の素子を有する可撓性基板を供給するローラー、前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御するローラー、及び前記複数の素子を有する可撓性基板を回収するローラーを回転させて、前記複数の素子を有する前記可撓性基板を移動させ、
前記複数の持着部が列置されたローラーを回転させて、前記複数の半導体集積回路及び前記複数の素子を有する前記可撓性基板を対向させ、
前記複数の持着部の間隔を制御する制御手段により、前記可撓性基板の前記複数の素子の接続端子に、前記複数の半導体集積回路の接続端子が対向するように前記持着部の間隔を制御し、
前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御する前記ローラー及び前記複数の持着部が列置されたローラーを用いて、前記複数の半導体集積回路の接続端子及び前記複数の素子の接続端子を接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１８において、前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御するローラー及び前記複数の持着部が列置されたローラーを用いて、前記複数の半導体集積回路の接続端子及び前記複数の素子の接続端子を接続させた後、切断手段により前記可撓性基板を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１８において、前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御するローラー及び前記複数の持着部が列置されたローラーを用いて、前記複数の半導体集積回路の接続端子及び前記複数の素子の接続端子を接続させた後、一対のローラーを用いて前記複数の半導体集積回路及び複数の素子の表面に可撓性基板を貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１８において、前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御するローラー及び前記複数の持着部が列置されたローラーを用いて、前記複数の半導体集積回路の接続端子及び前記複数の素子の接続端子を接続させた後、一対のローラーを用いて前記複数の半導体集積回路及び複数の素子の表面に可撓性基板を貼り合せ、切断手段により前記素子を有する可撓性基板及び前記可撓性基板を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１７乃至２１のいずれか一項において、前記素子は、アンテナ、半導体集積回路、またはセンサから選ばれる一つ以上を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１】
複数の半導体集積回路が設けられる第１の支持手段と、
前記複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、
前記複数の持着部が列置された治具と、
前記複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、
複数の素子を有する基板が設けられる第２の支持手段と、を有し、
前記治具は、前記第１の支持手段に設けられる前記複数の半導体集積回路を前記複数の持着部によりピックアップした後、前記第２の支持手段に設けられる基板上の複数の素子に前記複数の半導体集積回路を実装することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
請求項１において、前記制御手段は、前記複数の素子の接続端子と、前記複数の半導体集積回路の接続端子とが対向するように、前記列置される複数の持着部を移動させることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第１の支持手段及び前記第２の支持手段は、ステージ、ベルトコンベヤー、またはロボットアームであることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記第１の支持手段はステージ、ベルトコンベヤー、またはロボットアームであり、前記第２の支持手段は、前記複数の素子を有する可撓性基板を供給するロール及び前記複数の素子を有する前記可撓性基板を巻き取るロールであることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記複数の持着部は直線状に列置されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項６】
複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、
前記複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、
前記複数の持着部が列置される第１のローラーと、
前記複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、
複数の素子を有する可撓性基板を供給する第２のローラーと、前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御する第３のローラーと、前記複数の素子を有する前記可撓性基板を巻き取る第４のローラーと、を有し、
前記第１のローラーは、前記支持手段に設けられる前記複数の半導体集積回路を前記複数の持着部によりピックアップした後、前記第２のローラーを用いて前記複数の素子に前記複数の半導体集積回路を実装することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項７】
複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、
前記複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、
前記複数の持着部が列置される第１のローラーと、
前記複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、
複数の素子を有する可撓性基板を供給する第２のローラーと、
前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御する第３のローラーと、
前記複数の素子を有する前記可撓性基板を切断する手段と、を有し、
前記第１のローラーは、前記支持手段に設けられる前記複数の半導体集積回路を前記複数の持着部によりピックアップした後、前記第２のローラーを用いて複数の前記素子に前記複数の半導体集積回路を実装し、
前記切断する手段は、前記複数の半導体集積回路が実装された前記複数の素子を有する前記可撓性基板を切断することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項８】
複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、
前記複数の半導体集積回路を持着する複数の持着部と、
前記複数の持着部が列置される第１のローラーと、
前記複数の持着部の間隔を制御する制御手段と、
複数の素子を有する第１の可撓性基板を供給する第２のローラーと、
前記複数の素子を有する前記第１の可撓性基板の移動を制御する第３のローラーと、
第２の可撓性基板を供給する第４のローラーと、
前記複数の素子を有する前記第１の可撓性基板、前記複数の半導体集積回路、及び前記第２の可撓性基板を貼り合わせる一対の第５及び第６のローラーと、を有し、
前記第１のローラーは、前記支持手段に設けられる前記複数の半導体集積回路を前記複数の持着部によりピックアップした後、前記第２のローラーを用いて前記複数の素子に前記複数の半導体集積回路を実装し、
前記一対の第５及び第６のローラーは、前記複数の半導体集積回路が実装された前記複数の素子を有する前記第１の可撓性基板に前記第２の可撓性基板を貼りあわせることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記第１のローラーには、２ｎ組の持着部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記第１のローラーには、（２ｎ＋１）組の持着部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
請求項６乃至１０のいずれか一項において、前記複数の持着部は直線状に列置されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
複数の半導体集積回路が設けられる支持手段と、
前記複数の半導体集積回路を持着する複数の第１の持着部と、
前記複数の第１の持着部が列置される第１のローラーと、
前記複数の第１の持着部の間隔を制御する制御手段と、
前記複数の第１の持着部から前記複数の半導体集積回路を持着する複数の第２の持着部と、
前記複数の第２の持着部が列置される第２のローラーと、
複数の素子を有する可撓性基板を供給する第３のローラーと、前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御する第４のローラーと、前記複数の素子を有する前記可撓性基板を巻き取る第５のローラーと、を有し、
前記第２のローラーは、前記複数の第１の持着部で持着した前記複数の半導体集積回路を前記複数の第２の持着部により持着した後、前記第４のローラーを用いて前記複数の前記複数の素子に前記複数の半導体集積回路を実装することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記第１のローラー及び前記第２のローラーは、それぞれ２ｎ組の第１の持着部及び２ｎ組の第２の持着部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１４】
請求項１２において、前記第１のローラー及び前記第２のローラーは、それぞれ（２ｎ＋１）組の第１の持着部、及び（２ｎ＋１）組の第２の持着部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか一項において、前記複数の第１の持着部及び前記第２の持着部はそれぞれ直線状に列置されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項において、前記素子は、アンテナ、半導体集積回路、及びセンサの一つ以上を含むことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１７】
第１の支持手段上に複数の半導体集積回路を設置し、
前記第１の支持手段から治具に列置された複数の持着部を用いて前記複数の半導体集積回路をピックアップし、
前記列置された複数の持着部の間隔を制御する制御手段により、第２の支持手段上に設けられた基板上の複数の素子の接続端子に前記複数の半導体集積回路の接続端子が対向するように前記複数の持着部の間隔を制御し、
前記複数の半導体集積回路の接続端子及び前記複数の素子の接続端子を接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
支持手段上に複数の半導体集積回路を設置し、
ローラーに列置された複数の持着部を用いて前記複数半導体集積回路をピックアップし、
複数の素子を有する可撓性基板を供給するローラー、前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御するローラー、及び前記複数の素子を有する可撓性基板を回収するローラーを回転させて、前記複数の素子を有する前記可撓性基板を移動させ、
前記複数の持着部が列置されたローラーを回転させて、前記複数の半導体集積回路及び前記複数の素子を有する前記可撓性基板を対向させ、
前記複数の持着部の間隔を制御する制御手段により、前記可撓性基板の前記複数の素子の接続端子に、前記複数の半導体集積回路の接続端子が対向するように前記持着部の間隔を制御し、
前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御する前記ローラー及び前記複数の持着部が列置されたローラーを用いて、前記複数の半導体集積回路の接続端子及び前記複数の素子の接続端子を接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１８において、前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御するローラー及び前記複数の持着部が列置されたローラーを用いて、前記複数の半導体集積回路の接続端子及び前記複数の素子の接続端子を接続させた後、切断手段により前記可撓性基板を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１８において、前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御するローラー及び前記複数の持着部が列置されたローラーを用いて、前記複数の半導体集積回路の接続端子及び前記複数の素子の接続端子を接続させた後、一対のローラーを用いて前記複数の半導体集積回路及び複数の素子の表面に可撓性基板を貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１８において、前記複数の素子を有する前記可撓性基板の移動を制御するローラー及び前記複数の持着部が列置されたローラーを用いて、前記複数の半導体集積回路の接続端子及び前記複数の素子の接続端子を接続させた後、一対のローラーを用いて前記複数の半導体集積回路及び複数の素子の表面に可撓性基板を貼り合せ、切断手段により前記素子を有する可撓性基板及び前記可撓性基板を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１７乃至２１のいずれか一項において、前記素子は、アンテナ、半導体集積回路、またはセンサから選ばれる一つ以上を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００７−２３５１１４（Ｐ２００７−２３５１１４Ａ）
【公開日】平成１９年９月１３日（２００７．９．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１９１６６（Ｐ２００７−１９１６６）
【出願日】平成１９年１月３０日（２００７．１．３０）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年９月１３日（２００７．９．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１月３０日（２００７．１．３０）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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