【課題】良品歩留まりの高い状態でミラー基板が形成できるようにする。
【解決手段】ミラー基板２３００では、基部２３０１，連結部２３３２ａ，連結部２３３２ｂ，可動枠２３０３，ミラー連結部２３３４ａ，ミラー連結部２３３４ｂ，及びミラー２３３５の各間隙に、充填された状態で保護層２３０７ａを備えている。これにより、上述した構造体が回動などの動作を抑制された状態となり、外部からの機械的振動による破損や損傷から保護されるようになる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部とこの上の埋め込み絶縁層とこの上のシリコン層とから構成されたＳＯＩ基板を用意する第１工程と、
前記シリコン層の表面に可動部形成マスクパターンを形成し、この可動部形成マスクパターンをマスクとしたエッチングにより前記シリコン層を加工し、基部及びこの基部に一対の連結部を介して連結する板状のミラー構造体が、前記埋め込み絶縁層の上のミラー形成領域に形成された状態とする第２工程と、
前記基部，連結部，及びミラー構造体の間に充填して形成された保護層が形成された状態とする第３工程と、
前記基板部の表面にミラー形成領域が開口した枠形成マスクパターンを形成し、この枠形成マスクパターンをマスクとして前記基板部及び前記埋め込み絶縁層をエッチング除去し、前記ミラー形成領域における前記シリコン層の前記基板部側が露出された状態とし、前記ミラー形成領域の外側に枠部が形成された状態とする第４工程と
を少なくとも備えることを特徴とするミラー基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のミラー基板の製造方法において、
前記枠部が形成された側の前記ミラー構造体の表面に金属膜が形成された状態とする第５工程
を備えることを特徴とするミラー基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のミラー基板の製造方法において、
少なくとも前記枠部が形成された後、前記保護層が除去された状態とする工程を備えることを特徴とするミラー基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載のミラー基板の形成方法により形成されたミラー基板に、電極が形成された電極基板が貼り合わされ、前記ミラー構造体に対向して前記電極が配置されたミラー装置が形成された状態とする工程を少なくとも備え、
前記ミラー装置は、パッケージに収容されて固定され、前記パッケージの端子と前記電極基板の端子とが、ワイヤーボンディングされるものである
ことを特徴とするミラー装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載のミラー装置の製造方法において、
前記電極基板とミラー基板とが貼り合わされる前に、前記枠部が形成された側の前記ミラー構造体の表面に金属膜が形成された状態とする工程と、
前記電極基板とミラー基板とが貼り合わされた後に、前記保護層が除去された状態とする工程と
を備えることを特徴とするミラー装置の製造方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６Ａ】

【図１６Ｂ】

【図１７Ａ】

【図１７Ｂ】

【図１７Ｃ】

【図１７Ｄ】

【図１８Ａ】

【図１８Ｂ】

【図１８Ｃ】

【図１９Ａ】

【図１９Ｂ】

【図１９Ｃ】

【図２０Ａ】

【図２０Ｂ】

【図２０Ｃ】

【図２０Ｄ】

【図２０Ｅ】

【図２０Ｆ】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５Ａ】

【図２５Ｂ】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３Ａ】

【図３３Ｂ】

【図３４Ａ】

【図３４Ｂ】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９Ａ】

【図３９Ｂ】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４９】

【図５０】

【図５１】

【図５２】

【図５３】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【図５９】

【図６０】

【図６１】

【図６２】

【図６３】

【図６４】

【図６５】

【図６６】

【図６７】

【図６８】

【図６９】

【図７０】

【図７１】

【図７２】

【図７３】

【図７４】

【図７５】

【図７６Ａ】

【図７６Ｂ】

【図７６Ｃ】

【図７６Ｄ】

【図７６Ｅ】

【図７６Ｆ】

【図７６Ｇ】

【図７６Ｈ】

【図７６Ｉ】

【図７６Ｊ】

【図７６Ｋ】

【図７６Ｌ】

【図７７】

【図７８】

【図７９】

【図８０】

【図８１】

【図８２】

【図８３】

【図８４Ａ】

【図８４Ｂ】

【図８４Ｃ】

【図８４Ｄ】

【図８４Ｅ】

【図８５Ａ】

【図８５Ｂ】

【図８５Ｃ】

【図８５Ｄ】

【図８５Ｅ】

【図８６】

【図８７】

【図８８】

【図８９】

【図９０】

【図９１】

【図９２】

【図９３】

【図９４】

【図９５】

【図９６】

【図９７】

【図９８】

【図９９】

【図１００Ａ】

【図１００Ｂ】

【図１００Ｃ】

【図１０１Ａ】

【図１０１Ｂ】

【図１０２Ａ】

【図１０２Ｂ】

【図１０２Ｃ】

【図１０３Ａ】

【図１０３Ｂ】

【図１０３Ｃ】

【図１０３Ｄ】

【図１０３Ｅ】

【図１０４Ａ】

【図１０４Ｂ】

【図１０４Ｃ】

【図１０５Ａ】

【図１０５Ｂ】

【図１０５Ｃ】

【図１０５Ｄ】

【図１０５Ｅ】

【図１０５Ｆ】

【図１０５Ｇ】

【図１０５Ｈ】

【図１０５Ｉ】

【図１０５Ｊ】

【図１０５Ｋ】

【図１０６】

【図１０７】

【図１０８】

【公開番号】特開２０１０−３９５００（Ｐ２０１０−３９５００Ａ）
【公開日】平成２２年２月１８日（２０１０．２．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２５２４８３（Ｐ２００９−２５２４８３）
【出願日】平成２１年１１月２日（２００９．１１．２）
【分割の表示】特願２００６−５２０４２６（Ｐ２００６−５２０４２６）の分割
【原出願日】平成１７年１２月２８日（２００５．１２．２８）
【出願人】（０００００４２２６）日本電信電話株式会社 (13,992)
【Ｆターム（参考）】