乾燥剤を備えたディスプレイ装置
乾燥剤が集積されたＭＥＭＳ装置を提供するためのシステム及び方法が提供される。一実施形態では、乾燥剤を備えたドライ組成物が、ＭＥＭＳ装置のバックプレート又は基板上にインパクトスプレーされて、基板と融合する。他の実施形態では、乾燥剤は、その乾燥剤がインパクトスプレーされる表面に接着するようにインパクトスプレーされる。更に他の実施形態では、インパクトスプレーされた表面は、乾燥剤で含浸される。更に他の実施形態では、乾燥剤は、適切な無機バインダと組み合わせられて、その後、その乾燥剤がインパクトスプレーされる表面に接着するようにインパクトスプレーされる。更に他の実施形態では、乾燥剤は、所望の粒径の粉末に微粒化又は粉砕されて、その後、表面上にインパクトスプレーされる。従って、乾燥剤の粒子又は粉末は、インパクトスプレープロセスを介してターゲット表面上に融合する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ，ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ）及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ，ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）装置に係り、特に、ＭＥＭＳ及びＯＬＥＤ装置をパッケージングするための方法及びシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微小機械素子、アクチュエータ、及び、電子機器を含む。微小機械素子は、堆積、エッチング、及び／又は、他の微小機械加工プロセス（基板及び／又は堆積させた物質層の一部をエッチングしたり、電気的及び電気機械的装置を形成するための層を追加したりする）を用いて、形成され得る。ＭＥＭＳ装置の一種類は、干渉変調器と呼ばれる。本願において、干渉変調器、干渉光変調器という用語は、光干渉原理を用いて光を選択的に吸収及び／又は反射する装置を指称する。特定の実施形態において、干渉変調器は、一対の導電性板を備える。その一対の導電性板の一方又は両方は、その全体または一部が透明及び／又は反射性であり、適切な電気信号の印加に対して相対的に動くことができる。特定の実施形態において、一方の板は、基板上に堆積させた静止層を備え、他方の板は、空隙によって静止層から離隔された金属膜を備え得る。本願において詳述されるように、他方の板に対する一方の板の位置によって、干渉変調器に入射する光の光学干渉を変化させることができる。このような装置は広範な応用を有し、こうした種類の装置の特性を利用及び／又は変更する分野において有用であり、その特徴を、既存の製品を改善し、また、未だ開発されていない新規製品を創作するのに活かすことができる。
【０００３】
乾燥剤が、ＭＥＭＳ及びＯＬＥＤ装置では一般的に使用されて、ディスプレイ装置の内部環境を、その装置の動作寿命の間乾燥させておく。乾燥剤は、多様な形態、形状、及びサイズのものであり得る。例えば、ＣａＯ及びゼオライト等の物質は、装置パッケージ内部の湿気を吸収するために薄いパッチや薄い硬化ペースト状で使用され得る。その物質は、例えば、感圧接着剤でバックプレート等のディスプレイ装置の表面に取り付け可能である。パッチ及びペーストは、典型的には８０〜２００マイクロメートルの厚さで適用される。従って、ディスプレイ装置パッケージ内部の乾燥剤及び可動素子の両方に対して十分な空間を提供しなければならないので、パッチ及びペーストが、装置の最小厚さを制限する。ディスプレイパッケージの厚さを実質的に増大させることなくパッチ又はペーストの乾燥剤用の空間を設けるために、追加の製造ステップを採用し得る。例えば、キャビティをディスプレイ基板内に化学的にエッチングして、その設けられたキャビティ内に乾燥剤を堆積させることができる。
【０００４】
また、パッチ及びペーストの乾燥剤の有効性は、そうした乾燥剤がマトリクス状のバインダと共に提供されることによっても、制限されて、例えば、テフロン（登録商標）バインダは、１５から２０％の埋め込み乾燥剤を含む。しかしながら、表面に乾燥剤を適用するためにバインダや溶媒を用いることは、敏感なＭＥＭＳの構成要素の存在下にあっては最適なものではない。何故ならば、バインダや溶媒は、蒸発するとディスプレイパッケージ内に汚染物質を放出し得るからである。また、乾燥剤を適用するための溶液処理を用いると、ディスプレイパッケージ内に汚染物質のガスを放出することにもつながる。
【０００５】
更に、パッチ及びペーストの乾燥剤の有効性は、ディスプレイ装置パッケージの全表面にわたって均一に適用されないことによって、更に制限される。そうした乾燥剤は、典型的には、ディスプレイ装置の表面の一つの領域を覆い他の領域を覆わないように取り付けられる。一部領域に乾燥剤が存在して他の領域に乾燥剤が存在しないこと、及び、敏感な干渉変調器の構成要素に対する乾燥剤の近接性は、変調器の電気機械的振る舞いを損ない、装置の性能を低下させ得る。
【０００６】
ディスプレイ装置の寸法の絶え間ない減少は、ディスプレイ装置パッケージ内部の環境を管理するのに利用可能な方法を制限する。何故ならば、パッケージ構造内部に乾燥剤を配置するための領域が少なくなるからである。水蒸気の流入に対して敏感なパッケージング構造の領域は、パッケージ構造のサイズが減少しても、同じであるか僅かにしか減少しないものであり得るが、対照的に、乾燥剤用に利用可能な領域は劇的に減少する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／１９１５６８号明細書
【特許文献２】米国特許第７３１５１１５号明細書
【特許文献３】独国特許出願公開第１０２２４７８０号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施形態は、電子装置パッケージである。パッケージは、電子装置を有する第一の基板と、第一の基板とバックプレートカバーとの間においてパッケージ内部に電子装置を封止するバックプレートカバーと、バックプレートカバー又は第一の基板の少なくとも一部の上に融合した乾燥剤とを含む。一実施形態では、乾燥剤は、実質的にドライなゼオライト物質である。他の実施形態では、ゼオライト物質は、略３オングストローム、又は代わりに略３から１０オングストロームの間の細孔径を有する。更に他の実施形態では、バックプレートカバー又は第一の基板は、略０．５から５．０マイクロメートルの間の厚さの乾燥剤の層を含む。
【０００９】
他の実施形態は、電子装置の製造方法である。本方法は、電子装置を有する第一の基板を提供するステップと、バックプレートカバーを提供するステップと、バックプレートカバー又は第一の基板の一部の上に乾燥剤を融合させるステップと、バックプレートカバーを第一の基板に結合させて電子装置を形成するステップとを含む。一実施形態では、乾燥剤を融合させるステップは、乾燥剤をインパクトスプレーするステップを含む。他の実施形態では、本方法は、バックプレートカバーの一部に選択的に乾燥剤をインパクトスプレーするためにバックプレートカバー上にマスクを提供するステップを含む。更に他の実施形態では、乾燥剤を融合させるステップは、乾燥剤をプラズマスプレーするステップを含む。
【００１０】
更に他の実施形態は、ディスプレイ装置を支持するための支持手段と、ディスプレイ装置を覆いパッケージを形成するための被覆手段と、パッケージを乾燥させるための乾燥手段とを含む電子ディスプレイであり、乾燥手段は、被覆手段上に融合した乾燥剤を有する。
【００１１】
更に他の実施形態は、パッケージであり、そのパッケージは、第二の表面に対して封止された第一の表面と、パッケージ内部の表面の少なくとも一部の上に融合した乾燥剤とを含む。他の実施形態は、表面に乾燥剤を接着させる方法である。本方法は、表面上に乾燥剤をインパクトスプレーして、乾燥剤が表面に融合されるようにするステップを含む。更に他の実施形態では、融合乾燥剤を備えた表面が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一番目の干渉変調器の可動反射層が緩和位置にあり、二番目の干渉変調器の可動反射層が作動位置にある干渉変調器ディスプレイの一実施形態の一部を示す等角図である。
【図２】３×３干渉変調器ディスプレイを組み込む電子装置の一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図３】図１の干渉変調器の実施形態の一例に対する可動ミラーの位置対印加電圧の図である。
【図４】干渉変調器ディスプレイを駆動するために使用可能な行及び列の電圧の組の図である。
【図５Ａ】図２の３×３干渉変調器ディスプレイの表示データのフレームを描くために使用可能な行及び列の信号用のタイミング図の一例を示す。
【図５Ｂ】図２の３×３干渉変調器ディスプレイの表示データのフレームを描くために使用可能な行及び列の信号用のタイミング図の一例を示す。
【図６Ａ】複数の干渉変調器を備えた画像表示装置の一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図６Ｂ】複数の干渉変調器を備えた画像表示装置の一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図７Ａ】図１の装置の断面図である。
【図７Ｂ】干渉変調器の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｃ】干渉変調器の他の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｄ】干渉変調器の更に他の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｅ】干渉変調器の更なる代替実施形態の断面図である。
【図８】バックプレートカバーと融合した乾燥剤を備えた干渉変調器の一実施形態の断面図である。
【図８Ａ】バックプレートカバーの凹部内に融合した乾燥剤を備えた干渉変調器の一実施形態の断面図である。
【図９】基板に融合した乾燥剤を示す走査型顕微鏡写真である。
【図１０】バックプレートカバーに乾燥剤を融合させる方法の一実施形態の側面図である。
【図１１】バックプレートカバーに乾燥剤を融合させる方法の一実施形態を示す等角図である。
【図１２】基板に乾燥剤を融合させる方法の他の実施形態を示す等角図である。
【図１３】バックプレートカバーと融合した乾燥剤を示す走査型顕微鏡写真である。
【図１４】ガラス上にインパクトスプレーされた乾燥剤の水分吸収を示す線グラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下の詳細な記載は、特定の実施形態に対するものである。しかしながら、本願の教示は、多種多様な方法で応用可能である。本説明においては、全体にわたり同様の部分には同様の参照符号を付した図面を参照する。動的な画像（例えば、ビデオ）又は静的な画像（例えば、静止画）や、文字又は図表の画像を表示するように設計されているあらゆる装置において、本実施形態を実装可能である。更に、携帯電話、無線装置、ＰＤＡ、携帯型コンピュータ、ＧＰＳ受信機／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、置時計、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、自動車用ディスプレイ（例えば、走行距離計等）、コックピット制御機器及び／又はディスプレイ、カメラビューのディスプレイ（例えば、自動車の後方ビューカメラのディスプレイ）、電子写真、電光掲示板または電光サイン、プロジェクタ、建築物、パッケージング、審美的構造（例えば、宝石に対する画像表示）等の多種多様な電子機器において又はこれらに関連して、本実施形態を実施可能であるが、これらに限定されるものではない。本願で説明されるものと同様の構造のＭＥＭＳ装置を、電子スイッチ装置等のディスプレイ以外の応用においても使用可能である。
【００１４】
本実施形態は、乾燥剤が集積されたＭＥＭＳ装置を提供するためのシステム及び方法に関する。一実施形態では、乾燥剤を備えたドライ組成物は、ＭＥＭＳ装置のバックプレート又は基板上にインパクトスプレー（衝撃スプレー）される。この実施形態では、乾燥剤は、基板に融合され得る。一実施形態では、乾燥剤は、その乾燥剤がインパクトスプレーされる表面に接着するように、インパクトスプレーされる。他の実施形態では、インパクトスプレーされた表面は、乾燥剤で含浸される。更に他の実施形態では、乾燥剤は、適切な無機バインダと組み合わせられて、その後、その乾燥剤がインパクトスプレーされる表面に接着するようにインパクトスプレーされる。更に他の実施形態では、乾燥剤は、所望の粒径の粉末に微粒化又は粉砕されて、その後、表面上にインパクトスプレーされる。従って、乾燥剤の粒子又は粉末は、インパクトスプレープロセスを介してターゲット表面上に融合する。特定の理論に縛られるものではないが、速度又は圧力下における比較的ドライな乾燥剤組成物の接触は、乾燥剤の融解及びターゲット表面への融合をもたらすと考えられる。これは、比較的ウェットな乾燥剤を積層させて、乾燥剤が層へと乾燥するのを待つこと等の他の方法とは異なる。この乾燥プロセスは、表面の頂部の上の乾燥剤の層を生じさせるが、その層は極めて除去され易い。一方、表面に融合した乾燥剤は、後述のように非常に薄い層とされ得る。
【００１５】
一部実施形態では、乾燥剤を融合させることは、フラットコーティングで単に積層された乾燥剤と比較して、より大きな表面積を有する乾燥剤層を生成する。更に、後述のように乾燥剤を表面上にインパクトスプレーすることに含まれる力に起因して、より精製された形の乾燥剤を、本願で説明される実施形態において使用することができる。従って、インパクトスプレーされた乾燥剤の乾燥性能は、インパクトスプレーされていない乾燥剤と比較して、平方ミリメートル当たりで大きくなり得る。
【００１６】
干渉ＭＥＭＳディスプレイ素子を備えた干渉変調器ディスプレイの一実施形態を、図１に示す。この装置において、画素は、明状態または暗状態のどちらかである。明（“緩和”、“オープン”）状態において、ディスプレイ素子は、入射可視光の大部分を使用者に反射する。暗（“作動”、“クローズ”）状態において、ディスプレイ素子は、入射可視光の僅かしか使用者に反射しない。実施形態に応じて、“オン”及び“オフ”状態の光の反射性を逆にしてもよい。ＭＥＭＳ画素は、選択された色を主に反射するように構成可能であり、白黒に加えてカラーディスプレイが可能である。
【００１７】
図１は、画像ディスプレイの一続きの画素の内の二つの隣接する画素を示す等角図である。ここで、各画素は、ＭＥＭＳ干渉変調器を備えている。一部実施形態では、干渉変調器ディスプレイは、これら干渉変調器の行列のアレイを備える。各干渉変調器は、互いに可変で制御可能な距離に配置された一対の反射層を含み、少なくとも一つの可変寸法を備えた共鳴光学ギャップを形成する。一実施形態において、反射層の一方は、二つの位置の間を移動し得る。第一の位置（緩和位置と称する）では、可動反射層は、固定された部分反射層から比較的離れた位置に在る。第二位置（作動位置と称する）では、可動反射層は、部分反射層により近づいて隣接する位置に在る。これら二つの層から反射される入射光は、可動反射層の位置に応じて、建設的にまたは破壊的に干渉して、各画素に対して全体的な反射状態または非反射状態のどちらかがもたらされる。
【００１８】
図１に示される画素アレイの一部は、二つの隣接する干渉変調器１２ａ及び１２ｂを含む。左側の干渉変調器１２ａでは、可動反射層１４ａが、光学積層体１６ａ（部分反射層を含む）から所定の距離離れた緩和位置で示されている。右側の干渉変調器１２ｂでは、可動反射層１４ｂが、光学積層体１６ｂに隣接した作動位置で示されている。
【００１９】
本願において、光学積層体１６ａ及び１６ｂ（まとめて光学積層体１６と称する）は典型的に複数の多重層を備え、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ，ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）等の電極層、クロム等の部分反射層、及び、透明誘電体を含み得る。従って、光学積層体１６は、導電性であり、部分的には透明で部分的には反射性であり、例えば、透明基板２０上に上述の層を一層以上堆積させることによって、製造可能である。部分反射層は、多様な金属、半導体、誘電体等の部分反射性である多様な物質から形成可能である。部分反射層は一層以上の物質層で形成可能であり、各層は単一の物質または複数の物質の組み合わせで形成可能である。
【００２０】
一部実施形態では、光学積層体１６の層が平行なストリップにパターニングされて、以下で説明するようなディスプレイ装置の行電極を形成し得る。可動反射層１４ａ、１４ｂは、ポスト１８の上面と、ポスト１８間に堆積させた介在犠牲物質の上面とに堆積させた列を形成する堆積金属層（一層または複数層）の一続きの平行なストリップ（１６ａ及び１６ｂの行電極に直交する）として形成され得る。犠牲物質がエッチングされると、画定されたギャップ１９によって、可動反射層１４ａ、１４ｂが光学積層体１６ａ、１６ｂから離隔される。反射層１４用には、アルミニウム等の高導電性及び反射性物質を使用可能であり、そのストリップが、ディスプレイ装置の列電極を形成し得る。図１は縮尺どおりではない点に留意されたい。一部実施形態では、ポスト１８間の間隔が１０〜１００μｍのオーダとなり得る一方で、ギャップ１９が１０００オングストローム未満のオーダとなり得る。
【００２１】
電圧が印加されていないと、図１の画素１２ａに示されるように、可動反射層１４ａと光学積層体１６ａとの間にギャップ１９が残ったままであり、可動反射層１４ａは、機械的に緩和状態にある。一方で、選択された行と列に電位（電圧）の差が印加されると、対応する画素の行電極と列電極の交差する部分に形成されるキャパシタが帯電して、静電力が電極を互いに引き寄せる。電圧が十分に高いと、可動反射層１４が変形して、光学積層体１６に押し付けられる。光学積層体１６内の誘電体層（図１に示さず）は、短絡を防止して、図１の右側の作動画素１２ｂに示されるように、層１４と層１６との間の間隔を制御することができる。印加される電位差の極性に関わり無く、挙動は同じである。
【００２２】
図２から図５は、ディスプレイ応用における干渉変調器のアレイを用いるためのプロセス及びシステムの一例を示す。
【００２３】
図２は、干渉変調器を組み込み得る電子装置の一実施形態を示すシステムブロック図である。電子装置はプロセッサ２１を含み、そのプロセッサ２１は、ＡＲＭ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）等の汎用のシングルチップまたはマルチチップのマイクロプロセッサであり、又は、デジタル信号プロセッサや、マイクロコントローラやプログラマブルゲートアレイ等の専用マイクロプロセッサであり得る。従来技術のように、プロセッサ２１は、一つ以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成され得る。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサは、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、ｅメールプログラムや、他のソフトウェアアプリケーション等の一つ以上のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成され得る。
【００２４】
一実施形態では、プロセッサ２１は、アレイドライバ２２と通信するようにも構成されている。一実施形態では、アレイドライバ２２は、ディスプレイアレイ又はパネル３０に信号を提供する行ドライバ回路２４及び列ドライバ回路２６を含む。図１に示されるアレイの断面図は、図２の線１‐１に沿って示されている。図２には明確性のため、干渉変調器の３×３のアレイが示されているが、ディスプレイアレイ３０は多数の干渉変調器を含み得て、また、列と行とで異なる数の干渉変調器を含み得る（例えば行毎に１３０画素で、列毎に１９０画素）ことには留意されたい。
【００２５】
図３は、図１の干渉変調器の例示的な実施形態に対する可動ミラー位置対印加電圧のダイアグラムを示す。ＭＥＭＳ干渉変調器に対しては、行／列の作動プロトコルは、図３に示されるような装置のヒステリシス特性を利用し得る。干渉変調器は、例えば、可動層を緩和状態から作動状態に変形させるのに、１０ボルトの電位差を必要とし得る。一方で、この値よりも電圧が減少すると、電圧が１０ボルト未満に下がっても、可動層がその状態を維持する。図３の例示的な実施形態では、可動層は、電圧が２ボルト未満に下がるまで完全には緩和しない。従って、電圧範囲（図３に示される例では略３から７Ｖ）が存在し、装置が緩和状態又は作動状態のどちらかで安定している印加電圧のウィンドウが存在する。これを本願では、“ヒステリシスウィンドウ”または“安定ウィンドウ”と称する。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイに対しては、行／列の作動プロトコルを以下のように構成可能である。即ち、行のストローブ中には、作動されるべきストローブ行の画素が略１０ボルトの電圧の差に晒されて、緩和されるべき画素がゼロボルトに近い電圧の差に晒されるように構成可能である。ストローブ後には、画素が略５ボルトの安定状態又はバイアス電圧の差に晒されて、画素が、行のストローブによって与えられた状態を保つ。描かれた後には、各画素は、本実施例では３〜７ボルトの“安定ウィンドウ”内の電位差を見る。この特徴は、図１に示される画素構造を、同一の印加電圧条件の下において、作動または緩和の既存状態のどちらかで安定させる。干渉変調器の各画素（作動又は緩和状態）は本質的に、固定反射層及び可動反射層によって形成されたキャパシタであるので、ほぼ電力消費無く、ヒステリシスウィンドウ内の電圧において、この安定状態を保持することができる。印加電位が固定されていれば、本質的に電流は画素内に流れない。
【００２６】
後述のように、典型的な応用では、画像のフレームは、第１番目の行の作動画素の所望の組に従った列電極の組にわたるデータ信号（それぞれ特定の電圧レベルを有する）の組を送信することによって、生成され得る。その後、行パルスが第１番目の行の電極に印加されて、データ信号の組に対応する画素を作動させる。その後、第２番目の行の作動画素の所望の組に対応するために、データ信号の組を変更する。その後、パルスが第２番目の行の電極に印加されて、データ信号に従って第２番目の行の適切な画素を作動させる。第１番目の行の画素は、第２番目の行のパルスによって影響されず、第１番目の行のパルスの間に設定された状態のままである。このことが、一続きの行全体に対して逐次的に反復されて、フレームを生成する。一般的に、秒毎の所望のフレーム数でこのプロセスを連続的に反復することによって、フレームがリフレッシュされ及び／又は新しい画像に更新される。画像のフレームを生成するための画素アレイの行電極及び列電極を駆動する多種多様なプロトコルが使用可能である。
【００２７】
図４及び図５は、図２の３×３アレイ上に表示フレームを生成する作動プロトコルとして考えられるものの一つを示す。図４は、図３のヒステリシス曲線を示す画素に対して使用され得る列及び行の電圧レベルの組として考えられるものの一つを示す。図４の実施形態において、画素を作動させることには、適切な列を−Ｖバイアスに設定し、適切な行を＋ΔＶに設定することが含まれ、それぞれ−５ボルトと＋５ボルトに対応し得る。画素の緩和は、適切な列を＋Ｖバイアスに設定し、適切な行を同じ＋ΔＶに設定して、画素に対する電位差をゼロボルトにすることによって、達成される。行の電圧がゼロボルトに保たれている行においては、列が＋Ｖバイアスであるか−Ｖバイアスであるかに関わらず、画素は元々の状態で安定である。また、図４に示されるように、上述のものとは逆極性の電圧も使用可能である。例えば、画素を作動させることは、適切な列を＋Ｖバイアスに設定し、適切な行を−ΔＶに設定することを含むことができる。この実施形態では、画素の緩和は、適切な列を−Ｖバイアスに設定し、適切な行を同じ−ΔＶに設定して、画素に対して電位差をゼロボルトにすることによって、達成される。
【００２８】
図５Ｂは、図２の３×３アレイに印加される一続きの行及び列の信号を示すタイミング図であり、図５Ａに示される表示配置がもたらされる。ここで、作動画素は非反射性である。図５Ａに示されるフレームを描く前においては、画素はいずれの状態であってもよく、この例では、全ての行は最初０ボルトであり、全ての列は＋５ボルトである。これらの印加電圧に対しては、全ての画素は、作動又は緩和のその時点での状態で安定である。
【００２９】
図５Ａのフレームでは、画素（１，１）、（１，２）、（２，２）、（３，２）、（３，３）が作動している。これを達成するためには、行１に対する“ライン時間”中に、列１及び列２は−５ボルトに設定され、列３は＋５ボルトに設定される。全ての画素が３〜７ボルトの安定ウィンドウ内のままであるので、これによっては、いずれの画素の状態も変化しない。その後、行１が、０から５ボルトに上がりゼロに戻るパルスで、ストローブされる。これによって、（１，１）及び（１，２）の画素を作動させて、（１，３）の画素を緩和する。アレイの他の画素は影響を受けない。要求どおりに行２を設定するため、列２を−５ボルトに設定し、列１及び列３を＋５ボルトに設定する。その後、行２に印加される同じストローブによって、画素（２，２）を作動させて、画素（２，１）及び（２，３）を緩和する。ここでも、アレイの他の画素は影響を受けない。同様に、列２及び列３を−５ボルトに設定して、列１を＋５ボルトに設定することによって、行３を設定する。行３のストローブは、行３の画素を図５Ａに示されるように設定する。フレームを描いた後において、行の電位はゼロであり、列の電位は＋５又は−５ボルトのどちらかを保つことができ、そうして、ディスプレイは図５Ａの配置で安定である。同じ手順を、数十又は数百の行列のアレイに対して用いることができる。また、行及び列の作動を実施するために用いられるタイミング、シーケンス及び電圧レベルは、上述の基本原理内において多様に変更可能であり、上述の例は単に例示的なものであり、何らかの作動電圧方法を本願のシステム及び方法で使用可能である。
【００３０】
図６Ａ及び図６Ｂは、ディスプレイ装置４０の一実施形態を示すシステムブロック図である。ディスプレイ装置４０は例えば携帯電話である。しかしながら、ディスプレイ装置４０の同一の構成要素又はその僅かな変形体は、テレビや携帯型メディアプレーヤー等の多種多様なディスプレイ装置の実例にもなる。
【００３１】
ディスプレイ装置４０は、ハウジング４１と、ディスプレイ３０と、アンテナ４３と、スピーカー４５と、入力装置４８と、マイク４６とを含む。ハウジング４１は、多種多様な製造方法のいずれかによって一般的には形成され、射出成形、真空成形が挙げられる。また、ハウジング４１は、多種多様な物質のいずれかから形成可能であり、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、セラミック、それらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。一実施形態では、ハウジング４１は、取り外し可能部（図示せず）を含む。該取り外し可能部は、色の異なる又は異なるロゴや画像やシンボルを含む他の取り外し可能部と交換可能である。
【００３２】
例示的なディスプレイ装置４０のディスプレイ３０は、多種多様なディスプレイのいずれかであり得て、本願で説明されるような双安定性（ｂｉ−ｓｔａｂｌｅ）ディスプレイが含まれる。他の実施形態では、ディスプレイ３０は、当業者に周知なように、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ ＬＣＤ、ＴＦＴ ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイや、ＣＲＴや他のチューブデバイス等の非フラットパネルディスプレイを含む。しかしながら、本願の実施形態を説明するために、ディスプレイ３０は、本願で説明されるような干渉変調器ディスプレイを含む。
【００３３】
図６Ｂに、例示的なディスプレイ装置４０の一実施形態の構成要素を概略的に示す。図示されている例示的なディスプレイ装置４０は、ハウジング４１を含み、また、それに少なくとも部分的に封入される追加の構成要素を含むことができる。例えば、一実施形態では、例示的なディスプレイ装置４０は、送受信機４７に結合されているアンテナ４３を含むネットワークインターフェイス２７を備える。送受信機４７はプロセッサ２１に接続されていて、プロセッサ２１は調整ハードウェア５２に接続されている。調整ハードウェア５２は、信号を調整する（例えば信号をフィルタリングする）ように構成可能である。調整ハードウェア５２は、スピーカー４５及びマイク４６に接続されている。また、プロセッサ２１は、入力装置４８及びドライバ制御装置２９にも接続されている。ドライバ制御装置２９は、フレームバッファ２８及びアレイドライバ２２に結合されている。アレイドライバ２２は、ディスプレイアレイ３０に結合されている。電源５０は、この特定の例示的なディスプレイ装置４０の構成に必要とされるような全ての構成要素に電力を供給する。
【００３４】
ネットワークインターフェイス２７は、アンテナ４３及び送受信機４７を含み、例示的なディスプレイ装置４０が、ネットワーク上の一つ以上の装置と通信できるようになっている。一実施形態では、ネットワークインターフェイス２７は、プロセッサ２１の要求を軽減するためにある程度の処理能力を有し得る。アンテナ４３は、信号の送受信用として当業者に知られているアンテナのいずれかである。一実施形態では、アンテナは、ＩＥＥＥ８０２．１１規格（ＩＥＥＥ８０２．１１（ａ）、（ｂ）又は（ｇ）を含む）に準拠したＲＦ信号を送受信する。他の実施形態では、アンテナは、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ規格に準拠したＲＦ信号を送受信する。携帯電話の場合には、ＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳ、Ｗ‐ＣＤＭＡ等の無線携帯電話ネットワーク内で通信するために用いられる周知の信号を受信するようにアンテナが設計されている。送受信機４７は、アンテナ４３から受信した信号を前処理して、その後、信号がプロセッサ２１によって受信されて、更に処理されるようにし得る。また、送受信機４７は、プロセッサ２１から受信した信号も処理して、その後、信号が、アンテナ４３を介して例示的なディスプレイ装置４０から送信されるようにし得る。
【００３５】
代替的な一実施形態では、送受信機４７が、受信機に交換可能である。更に他の代替的な実施形態では、ネットワークインターフェイス２７が、プロセッサ２１に送信されるべき画像データを記憶すること又は発生させることが可能な画像ソースに交換可能である。例えば、画像ソースは、画像データを含むＤＶＤやハードディスクドライブや、画像データを発生するソフトウェアモジュールであり得る。
【００３６】
プロセッサ２１は一般的に、例示的なディスプレイ装置４０の動作全体を制御する。プロセッサ２１は、データ（ネットワークインターフェイス２７や画像ソースからの圧縮画像データ等）を受信し、そのデータを生の画像データに処理するか、又は、生の画像データに容易に処理されるフォーマットに処理する。その後、プロセッサ２１は、記憶用のフレームバッファ２８に又はドライバ制御装置２９に処理されたデータを送信する。生データは典型的に、画像内の各位置において画像特性を識別する情報を称する。例えば、このような画像特性は、色、彩度、グレイスケールレベルを含み得る。
【００３７】
一実施形態では、プロセッサ２１は、例示的なディスプレイ装置４０の動作を制御するマイクロ制御装置、ＣＰＵ、又は、論理ユニットを含む。調整ハードウェア５２は一般的に、スピーカー４５に信号を送信するための、また、マイク４６から信号を受信するためのアンプ及びフィルタを含む。調整ハードウェア５２は、例示的なディスプレイ装置４０内の個別の構成要素であってもよく、プロセッサ２１や他の構成要素に組み込まれたものであってもよい。
【００３８】
ドライバ制御装置２９は、プロセッサ２１が発生させた生の画像データを、プロセッサから直接、又は、フレームバッファ２８から受信し、アレイドライバ２２に対する高速送信用に適切な生の画像データに再フォーマットする。特に、ドライバ制御装置２９は、生の画像データを、ラスタ状フォーマットを有するデータフローに再フォーマットして、データフローが、ディスプレイアレイ３０にわたる走査に適した時間オーダを有するようになる。その後、ドライバ制御装置２９は、フォーマットされた情報をアレイドライバ２２に送信する。ＬＣＤ制御装置等のドライバ制御装置２９は、独立型の集積回路（ＩＣ，ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）としてシステムプロセッサ２１に附随していることが多いが、このような制御装置は多種多様な方法で実装可能である。このような制御装置は、ハードウェアとしてプロセッサ２１内に組み込み可能であるし、ソフトウェアとしてプロセッサ２１内に組み込み可能であるし、アレイドライバ２２と共にハードウェア内に完全に集積可能でもある。
【００３９】
典型的には、アレイドライバ２２は、ドライバ制御装置２９からフォーマットされた情報を受信し、ビデオデータを、波形の並列的な組に再フォーマットする。この波形の並列的な組は、ディスプレイの画素のｘ‐ｙマトリクスによってもたらされる数百の（数千のこともある）リードに対して、一秒間に何度も印加される。
【００４０】
一実施形態では、ドライバ制御装置２９、アレイドライバ２２及びディスプレイアレイ３０は、本願で説明されるあらゆる種類のディスプレイに対しても適合するものである。例えば、一実施形態では、ドライバ制御装置２９は、従来のディスプレイ制御装置、又は、双安定性ディスプレイ制御装置（例えば、干渉変調器制御装置）である。他の実施形態では、アレイドライバ２２は、従来のドライバ、又は、双安定性ディスプレイドライバ（例えば、干渉変調器ディスプレイ）である。一実施形態では、ドライバ制御装置２９は、アレイドライバ２２と集積される。このような実施形態は、携帯電話、腕時計、他の小型ディスプレイ等の高集積システムにおいて一般的である。更に他の実施形態では、ディスプレイアレイ３０は、典型的なディスプレイアレイ、または、双安定性ディスプレイアレイ（例えば、干渉変調器のアレイを含むディスプレイ）である。
【００４１】
入力装置４８によって、使用者が例示的なディスプレイ装置４０の動作を制御することが可能になる。一実施形態では、入力装置４８は、キーパッド（ＱＷＥＲＴＹキーボードや電話のキーパッド等）、ボタン、スイッチ、タッチスクリーン、感圧又は感熱膜を含む。一実施形態では、マイク４６が、例示的なディスプレイ装置４０用の入力装置になる。マイク４６を用いて装置にデータを入力する場合には、例示的なディスプレイ装置４０の動作を制御するために、使用者によって音声命令が提供され得る。
【００４２】
電源５０は、当該分野で周知の多種多様なエネルギー貯蔵装置を含むことができる。例えば、一実施形態では、電源５０は、ニッケル・カドミウム電池やリチウムイオン電池等の充電可能な電池である。他の実施形態では、電源５０は、再生可能エネルギー源、キャパシタ、又は、太陽電池であり、プラスチック太陽電池や太陽電池ペイントが挙げられる。他の実施形態では、電源５０は、壁コンセントから電力を供給されるように構成されている。
【００４３】
一部実施形態では、上述のように、電子ディスプレイシステム内の複数の位置に配置可能なドライバ制御装置に、制御プログラム可能性が備わっている。場合によっては、制御プログラム可能性は、アレイドライバ２２に備わっている。上述の最適化は、如何なる数のハードウェア及び／又はソフトウェア構成要素においても、また、多種多様な構成においても実施可能である。
【００４４】
上述の原理に従って動作する干渉変調器の構造の詳細は、多種多様なものであり得る。例えば、図７Ａ〜図７Ｅは、可動反射層１４とその支持構造体の五つの異なる実施形態を示す。図７Ａは、図１の実施形態の断面図であり、金属物質のストリップ１４が、直交して延伸する支持体１８の上に堆積されている。図７Ｂでは、各干渉変調器の可動反射層１４が、正方形又は矩形の形状であり、テザー３２に対して、角でのみ支持体に取り付けられている。図７Ｃでは、可動反射層１４が、正方形又は矩形の形状であり、フレキシブル金属を含み得る変形可能層３４から懸架されている。変形可能層３４は、該変形可能層３４の周囲において、基板２０に直接的又は間接的に接続する。この接続は、本願において、支持ポストと称される。図７Ｄに示される実施形態は、支持ポストプラグ４２を有する。この支持ポストプラグの上に、変形可能層３４が横たわる。図７Ａ〜７Ｃのように、可動反射層１４はギャップ上に懸架されている。しかしながら、変形可能層３４と光学積層体１６との間のホールを充填することによって、変形可能層３４が支持ポストを形成してはいない。むしろ、支持ポストは、支持ポストプラグ４２を形成するために用いられる平坦化物質から形成される。図７Ｅに示される実施形態は、図７Ｄに示される実施形態をベースにしたものであるが、図７Ａ〜図７Ｃに示される実施形態、並びに、図示されていない追加の実施形態のいずれにおいても機能し得るものである。図７Ｅに示される実施形態では、金属又は他の導電性物質の追加的な層が用いられて、バス構造４４を形成している。これによって、信号が、干渉変調器の背面に沿ってルーティングすることが可能になり、基板２０上に形成しなければならなかった多数の電極を省略することが可能になる。
【００４５】
図７に示されるような実施形態では、干渉変調器は、直視型装置として機能し、画像は透明基板２０の前面から視られ、その反対側に変調器が配置されている。こうした実施形態では、反射層１４は、変形可能層３４を含む基板２０に対向する反射層の側において、干渉変調器の一部を光学的に遮蔽する。これによって、遮蔽された領域を、画像の質に悪影響を与えずに、構成及び動作させることが可能になる。例えば、このような遮蔽によって、変調器の光学的特性を変調器の電気機械的特性（アドレシングや該アドレシングの結果による移動等）から分離する性能を提供する図７Ｅのバス構造４４が可能になる。この分離可能な変調器の設計によって、変調器の電気機械的側面及び光学的側面用に用いられる構造設計及び物質が、互いに独立に選択され、また、機能することが可能になる。更に、図７Ｃ〜図７Ｅに示される実施形態は、反射層１４の光学的特性をその機械的特性から切り離すこと（このことは、変形可能層３４によって達成される）に因る追加的な利点を有する。これによって、光学的特性に関して、反射層１４に用いられる構造設計及び物質を最適化することが可能になり、また、所望の機械的特性に関して、変形可能層３４に用いられる構造設計及び物質を最適化することが可能になる。
【００４６】
〈パッケージ内への乾燥剤の配置〉
集積乾燥剤を有するＭＥＭＳ装置用の基本的なパッケージ構造の概略が図８Ａに示されている。図８Ａに示されるように、基本的なパッケージ構造７０は、基板７２と、バックプレートカバー又は“キャップ”７４とを含み、干渉変調器アレイ７６が、基板７２上に形成されている。このキャップ７４は、“バックプレート”とも称される。
【００４７】
基板７２及びバックプレート７４は、封止剤７８によって結合されて、パッケージ構造７０を形成し、干渉変調器アレイ７６が基板７２、バックプレート７４及び封止剤７８によって密閉される。これは、バックプレート７４と基７２との間にキャビティ７９を形成する。封止剤７８は、従来のエポキシベース接着剤等の非気密性封止剤であり得る。他の実施形態では、封止剤７８は、一日で略０．２〜４．７ｇ ｍｍ／ｍ２ｋＰａの水蒸気の浸透率の範囲を有し得る封止剤の中で特に、ポリイソブチレン（ブチルゴムやＰＩＢとも称される）、Ｏリング、ポリウレタン、薄膜金属溶接部、液体スピンオンガラス、はんだ、ポリマー、プラスチックであり得る。
【００４８】
一般的に、パッケージ構造７０内への水蒸気の浸透を最小化して、パッケージ構造内部の環境を制御することが望ましい。例えば、パッケージを気密的に封止することは、環境が装置の寿命にわたって一定であることを保証することができる。パッケージ内部の湿度が、湿気からの表面張力が干渉変調器の可動素子（図示せず）の復元力よりも高くなるレベルを超えると、可動素子は、永久的に表面にくっ付き得る。このような可動膜のくっ付きは装置を動作不能にする。ＯＬＥＤ装置の場合、湿気は、金属電極の腐食を生じさせ得て、装置を動作不能にする。
【００４９】
図８Ａに示される実施形態では、パッケージ構造７０は、キャビティ７９内部の湿気を低下させるように構成されたインパクトスプレー乾燥剤８０を含む。図８Ｂに示される実施形態では、パッケージ構造７０は変更されたバックプレート７４を含む。バックプレート７４は、サンドブラストされて又は化学的にエッチングされて、バックプレートキャビティ７５が形成される。そして、後述の方法を用いて、乾燥剤８０を、バックプレートキャビティ７５内に選択的にインパクトスプレーして、パッケージキャビティ７９内の湿気を低下させることができる。当業者は、乾燥剤が気密的に封止されたパッケージに対しては必要でないものであり得るが、パッケージ内部の残留する湿気を制御するのに望ましいものであることを理解されたい。
【００５０】
基板７２は、半透明又は透明物質であり、その上に構築された薄膜ＭＥＭＳ装置を有することができるものであり得る。このような透明物質として、ガラス、プラスチック、透明ポリマーが挙げられるが、これらに限定されるものではない。干渉変調器アレイ７６は、複数の膜変調器、又は分離可能型の複数の変調器を備え得る。当業者は、バックプレート７４が、ガラス、金属箔、ポリマー、プラスチック、セラミック、半導体（例えばシリコン）等の適切な物質製であり得ることを理解されたい。
【００５１】
パッケージ構造７０の一部実施形態では、封止剤７８は接着剤を含む。接着剤成分単独では適切な環境障壁として機能しないことがあり得る。何故ならば、接着剤成分は、最終的には、水蒸気及び／又は汚染物質をパッケージ構造７０のキャビティ７９内に浸透させるからである。従って、パッケージ構造７０の特定の実施形態は、パッケージ構造７０の内側のゲッタ、又は封止剤７８中に取り込まれたゲッタを含む。ゲッタは、干渉変調器アレイ７６又はパッケージ構造７０組み立て後のパッケージング構成要素から放出される汚染物質ガス（接着剤が硬化する間に封止剤７８中の接着剤からキャビティ７９内に放出又は蒸発した物質等）をゲッタ機能で除去するように構成され得る。ゲッタは、特定の物質と化学反応するように構成された化学反応ゲッタであり得る。一部実施形態では、ゲッタは、環境中から封止剤７８内に浸透した汚染物質、製造又は組み立て中に封止剤７８から放出された物質、及び製造又は組み立て時に存在しているパッケージ構造７０のキャビティ７９内部の物質をゲッタ機能で除去するように構成される。
【００５２】
後述の他の実施形態では、化学反応ゲッタ及び乾燥剤が両方ともパッケージ構造７０内部に提供されて、水蒸気及び汚染物質ガスをゲッタ機能で除去する。化学反応ゲッタは、例えば酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、アルミ錯体を含み得る。特定の実施形態では、パッケージ構造７０の一以上の構成要素（基板７２、バックプレート７４、封止剤７８等）は、製造又は組み立て中に封止剤成分から放出される実質的に全ての物質（硬化中に接着剤から放出される物質等）をゲッタ機能で除去する又は捕捉するのに十分な量のゲッタを含む。
【００５３】
当業者は、多様な方法で水蒸気及び汚染物質を捕捉する多様な物質を理解するものである。例えば、ＣａＯ等の物質は、化学吸着によって不可逆的に湿気を捕捉することができて、ＣａＯは、水酸化カルシウムに変換される。他方、ゼオライト物質は、物理吸着によってその微細孔内に可逆的に湿気を捕捉することができる。ゼオライト物質は、パッケージ構造７０に提供された後に加熱可能であり、その細孔内の湿気を放出して、再活性化して、水分子を再び吸収することができる。また、ゼオライト物質は、多様なタイプの汚染物質ガスを吸収するのにも使用可能である。例えば、特定の細孔径のゼオライト物質は、特定の汚染物質を捕捉するように選択可能である。略３オングストロームの細孔径のゼオライト物質を用いて、パッケージ構造内の水を捕捉可能である一方、４から５オングストロームのゼオライト物質は、メタン、窒素、及び／又は二酸化炭素を捕捉可能である。略１０オングストロームの細孔径のゼオライト材料を、より長い鎖のより複雑な分子を捕捉するために選択可能である。
【００５４】
当業者は、パッケージングされた装置に必要な乾燥剤物質の量が、パッケージングされた装置内の初期水分含量、パッケージ構成要素のガス放出可能性、装置のサイズ及び寿命、並びに装置内に湿気が侵入する速度に依存することを理解されたい。乾燥剤用に十分な空間を提供しなければならないので、パッケージングされた装置内部に必要な乾燥剤の量は、装置の最小厚さも制限する。
【００５５】
図９は、バックプレート７４の表面上に融合したインパクトスプレー乾燥剤８０を備えたバックプレート７４の断面の走査型電子顕微鏡像を提供する。他の実施形態では、乾燥剤８０は、基板７２上にインパクトスプレーされて、基板７２と融合する。更に他の実施形態では、インパクトスプレーされた表面は乾燥剤８０で含浸される。
【００５６】
乾燥剤は、気密封止剤又は非気密封止剤を有するパッケージ用に使用され得る。気密封止剤を有するパッケージでは、乾燥剤は典型的に、パッケージの内部に残留する湿気を制御するのに用いられる。非気密封止剤を有するパッケージでは、乾燥剤は、環境からパッケージ内に移動する湿気を制御するのに使用可能である。一般的に、湿気を閉じ込めることができるが、干渉変調器アレイの光学特性に干渉しない物質が、乾燥剤８０として使用可能である。適切な乾燥剤物質として、ゼオライト、分子篩、表面吸着剤、バルク吸着剤、化学反応体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５７】
更に、固体状であることの代わりに、乾燥剤８０は粉末状でもあり得る。粉末は、マトリクス状に適用される接着剤又はバインダと混合され得て、又は、後述のように、実質的に純粋な形でパッケージ内に直接取り込まれ得る。一部実施形態では、乾燥剤８０のビーズ又はペレットは、適切な無機バインダを含む。このような乾燥剤の一例がゼオライトである。適切な無機バインダとして、ベントナイト、層状シリケート、ＭｇＯベースの物質、低炭素含有量の他の無機クレイが挙げられる。低炭素含有量のバインダは、パッケージ内部へ有害な有機化合物を一般的には放出しないという利点を提供することができる。本願で説明される実施形態では、乾燥剤８０のビーズは、略１０％から６０％の間の無機バインダを含む。このような無機バインダは、溶媒及び界面活性剤フリーなものであり得る。ビーズは、２０から３０マイクロメートル等の所望の粒径に微粒化又は粉砕され得る。このドライ組成物乾燥剤は、インパクトスプレーによって、エチレングリコールや水等の溶媒、湿潤剤又はスラリー剤を用いずに、実質的に純粋な形でパッケージ内に直接取り込まれ得る。ウェット乾燥剤スラリーの粘度を制御するために一般的に使用されるエチレングリコールは、ＭＥＭＳ構成要素の望ましくないくっ付きを生じさせ得る。
【００５８】
当業者は、乾燥剤８０が、表面内に融合するために多様な方法を適用することができる。図９に示されるように、乾燥剤８０がバックプレート７４上にインパクトスプレーされる場合、乾燥剤は、バックプレート７４に融合及び接着する薄くて均一なドライ組成物層を形成する。一部実施形態では、乾燥剤８０は、バックプレート７４にわたる粗面を生成するのに十分な力でインパクトスプレーされる。この粗面は、乾燥剤のより大きな表面積を提供するので、より多くの乾燥剤８０がパッケージ環境内の湿気と接触することを可能にする。更に、実質的に純粋な乾燥剤が、バックプレート７４にインパクトスプレーされて接着可能であるので、水を取り除く乾燥剤の性能が、乾燥剤を表面に付着させるのに用いられるバインダ又は他の化合物で希釈化された乾燥剤と比較して、高くなる。また、当業者は、乾燥剤８０がパッケージ７０内の異なる複数の表面に適用可能であり、表面の異なる複数の部分に適用可能であることも理解されたい。例えば、図８Ａに示される実施形態では、まず、キャビティがバックプレート７４に形成されて、その後、乾燥剤８０がバックプレートのキャビティ内にインパクトスプレーされる。更に、乾燥剤は、ＭＥＭＳ装置の透明基板又は他の構成要素上にインパクトスプレーされ得る。
【００５９】
これから、乾燥剤の性質を提供するようにＭＥＭＳ装置の表面を変更する方法について詳述する。図１０に示される一実施形態では、乾燥剤８０をバックプレート７４上にインパクトスプレーすることによって、乾燥剤８０をバックプレート７４と融合させる。乾燥剤８０は、加圧スプレーノズル１０２から放出されて、バックプレート７４に物理的に衝突して、乾燥剤８０の薄層がバックプレート７４上に堆積され融合される。バックプレート７４は、ガラス、金属、セラミック、液晶ポリマー（ＬＣＰ，ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｐｏｌｙｍｅｒ）や透明ポリマー等のプラスチック等の物質製であり得るが、これらに限定されるものではない。乾燥剤８０は、パッケージ構造７０内の他の表面（基板７２等）上にもインパクトスプレーされ得る。
【００６０】
“サンドブラスト”は、物質表面を物理的に変更及び除去するために用いられる一般的な方法である。従来のサンドブラストでは、ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等の粉末を用いて、高圧ジェットノズルで固体物質をブラスト又は磨耗させる。これらの硬い粉末物質は、ターゲット表面に大きな衝撃力を与えて、表面をエッチングして物質を除去する。本願で説明されるインパクトスプレーは、従来のサンドブラストと特性を共有するが、バックプレート７４の強度を妥協したりバックプレートを壊れ易くしたりするように過度に表面を磨耗させることがない。例えば、乾燥剤８０は一般的に従来のサンドブラスト物質程は硬くなく、ターゲット表面に対する損傷が少ない。従って、バックプレート７４上へ乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、乾燥剤をより少ない磨耗力でバックプレート７４に衝突させて、バックプレート７４上の薄層９０に堆積させる。インパクトスプレーは、ドライ組成物乾燥剤物質のこの堆積した薄層を、バックプレート７４上に融合させるか、又は結合させる。一部実施形態では、バックプレート７４上にドライ乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、バックプレート７４上に乾燥剤８０の薄層９０を構築することに加えて、基板物質の表面の一部エッチング又は除去を生じさせる。
【００６１】
図９及び図１０に示される例示的な実施形態では、バックプレート７４上に乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、薄層９０をバックプレート７４に融合させる。このバックプレート７４内への乾燥剤８０の融合又は浸透は、バックプレート７４を物理的に変更して、バックプレート７４が、パッケージ構造７０内部で乾燥剤物質として機能するようにする。
【００６２】
図１１に示される一実施形態では、マスク９２がバックプレート７４の一部の上に配置される。その後、乾燥剤８０が、バックプレート７４上にインパクトスプレーされて、マスク９２によって覆われていないバックプレート７４の部分上に乾燥剤８０が融合される。図１２に示される他の実施形態では、マスク９２は、基板７２の一部の上に配置される。マスク９２によって覆われた部分は、例えば、封止剤７８の外側に存在する基板７２の領域１０４を備え得る。マスク９２によって覆われた部分は、その上にＭＥＭＳ装置が構築された基板７２の領域１０６を追加的に備え得る。その後、乾燥剤８０が基板７２上にインパクトスプレーされて、乾燥剤８０が、マスク９２によって覆われていない基板７２の部分上に融合される。結果として、基板７２の部分１０８は、ドライ組成物乾燥剤８０の薄層でコーティングされて、パッケージ構造７０内部の乾燥剤物質として機能する。
【００６３】
更に他の実施形態では、バックプレート７４は、マスク９２を用いずに、乾燥剤８０でインパクトスプレーされる。パッケージ構造７０内に密閉された全ての又は実質的に全てのバックプレート７４が、乾燥剤８０でインパクトスプレー可能であるので、乾燥剤の存在に起因するＩＭＯＤの電気機械的性質の変化は、最小化されるか排除され得る。全ての又は実質的に全てのバックプレート表面の物理的性質を、乾燥剤として機能するように変更可能であるので、干渉変調器アレイ７６は、一部領域における乾燥剤の存在と、他の領域における乾燥剤の不存在とを感知しない。従って、干渉変調器アレイ７６の挙動は、乾燥剤の存在によって制御及び最適化可能である。
【００６４】
乾燥剤８０は、純粋な又は実質的に純粋な形でバックプレート７４上に有利にインパクトスプレーされて、顕著な湿気吸収性能をもたらすことができる。１５から２０％の乾燥剤及び８０から８５％のバインダをマトリクス状で提供するパッチ又はペーストの乾燥剤とは異なり、バックプレート７４上に純粋な又は実質的に純粋な形で乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、乾燥剤物質の湿気吸収性能を希釈化しない。一実施形態では、乾燥剤８０は１００％ゼオライト物質であり、バインダを有さない。他の例示的な実施形態では、ゼオライト物質の均一で薄いコーティングが、接着剤又はバインダを用いずにバックプレート７４に適用される。他の実施形態では、６０から９９％のゼオライト物質を備えた乾燥剤８０が、バックプレート７４上にインパクトスプレーされる。
【００６５】
更に他の実施形態では、ゼオライト物質及び適切な無機バインダを含むビーズ又はペレットが、まず所望の粒径に粉砕されて、その後、粉砕された乾燥剤のドライ組成物が、バックプレート７４上にインパクトスプレーされる。一部実施形態では、ビーズ又はペレットは、略４０パーセントから９０パーセントの間のゼオライト物質と、略１０パーセントから６０パーセントの間の適切な無機バインダを含む。
【００６６】
当業者は、乾燥剤８０がゼオライト物質に限定されるものではなく、湿気を閉じ込めることができるが干渉変調器アレイの光学特性に干渉しない物質であれば乾燥剤８０として利用可能であることを理解されたい。また、当業者は、バックプレート７４が、６０％以下のゼオライト又は他の湿気吸収物質を備えた乾燥剤８０でインパクトスプレー可能であり、それでも、パッケージ構造７０内部の乾燥剤物質として機能することも理解されたい。
【００６７】
図１３に示されるように、バックプレート７４上に乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、バックプレート７４と融合した乾燥剤の薄くて均一な層を生成し、バックプレート７４の表面の領域９４内との融合を含む。バックプレート７４の表面が領域９４を元々含む場合、このような領域は、乾燥剤８０がインパクトスプレーされる表面積を増大させることができるので、パッケージ構造７０内に与えられる乾燥剤８０の量を増やすことができる。他の実施形態では、まず、バックプレート７４の表面をエッチングして領域９４のような領域をより多く生成し、その後、乾燥剤８０でインパクトスプレーして、パッケージ構造７０内に提供される乾燥剤８０の量を更に増やす。
【００６８】
当業者は、薄層９０の厚さ、従ってパッケージングされた装置内の乾燥剤物質の量が、パッケージングされた装置内の初期水分含量、装置のサイズ及び寿命、及び湿気が装置内に侵入する速度に基づいて選択可能であることを理解されたい。バックプレート７４の全表面を乾燥剤８０でインパクトブラストする性能、純粋な又は純粋な形で乾燥剤８０を提供すること、及びバックプレート７４を粗面化して薄層９０の表面積を増大させることの効果の全ては、個別に又は組み合わさって、乾燥剤８０の湿気吸収性能の増大をもたらす。この湿気吸収性能の増大は、ディスプレイ装置の動作寿命にわたって湿気を吸収するのに必要な薄層９０の厚さを最小化することができる。例えば、バックプレート７４上に１から５マイクロメートルの厚さで乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、バックプレート７４に４０〜２００マイクロメートルの厚さのパッチ又はペーストの乾燥剤を接着させるのと同じ湿気吸収性能をもたらすことができる。一実施形態では、乾燥剤８０は、バックプレート７４上に０．５から５マイクロメートルの厚さでインパクトスプレーされる。
【００６９】
図１４に示されるグラフは、乾燥剤８０の一実施形態の湿気吸収性能を示す。略３オングストロームの細孔径を有する合成ゼオライト物質を備えた乾燥剤８０は、略１マイクロメートルの厚さでガラス表面上にインパクトスプレーされる。その後、乾燥剤８０は、二時間にわたって２８０℃でドライ窒素雰囲気で活性化される。図１４に示されるグラフは、略１マイクロメートルの厚さの乾燥剤８０の層によって吸収された水の量をミリグラム単位で示す。
【００７０】
乾燥剤８０の必要とされる厚さの顕著な減少によって、パッケージ構造７０の全体的な厚さを顕著に減少させることが可能になる。また、バックプレート７４上に乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、パッチ又はペーストの乾燥剤用の十分な空間を提供するためにバックプレート７４内にキャビティをエッチングすることに伴う追加的な製造ステップ及び化学的汚染物質を排除することもできる。
【００７１】
例示的な実施形態では、異なる細孔径の複数のゼオライト物質を、湿気及びガス汚染物質の両方を捕捉するために選択して、バックプレート７４上にインパクトスプレーする。一実施形態では、略三オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質を提供して、パッケージ構造内の水分子等の三オングストローム以下の直径を有する汚染物質を捕捉する。同実施形態では、三オングストローム以上の細孔径を有するゼオライト物質も提供されて、メタン、窒素、及び／又は二酸化炭素を捕捉する。代替実施形態では、異なる細孔径の複数のゼオライト物質が選択されて、水分子及び汚染物質分子（１０オングストローム以下の臨界寸法を有する溶媒及び炭化水素を含む）の両方を吸収する。
【００７２】
一実施形態では、乾燥剤８０の８０％以上が、湿気を吸収する細孔径を有するゼオライト物質である。他の実施形態では、乾燥剤８０の８０％以上が、略２から３オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質である。更に他の実施形態では、乾燥剤８０の８０％以上が、略３オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質である。乾燥剤８０の残りの２０％は、湿気以外の物質（汚染物質ガス等）を吸収するように構成された細孔径を有するゼオライト物質を含み得る。他の実施形態では、乾燥剤８０の９０％以上が、略２から３オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質である。他の例示的な実施形態では、乾燥剤８０の２から３％が、パッケージ構造７０内部の接着剤及び／又はバインダによって放出される汚染物質ガスを捕捉するために５から１０オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質を含む。他の例示的な実施形態では、乾燥剤８０は、湿気を捕捉するためのゼオライト物質と、汚染物質ガスを捕捉するためのゼオライトではない化学ゲッタを含む。当業者は、本願で説明されるように、ゼオライト物質が無機バインダを含んでも含まなくてもよいことを理解されたい。
【００７３】
一実施形態では、バックプレート７４は、合成ゼオライト物質でインパクトスプレーされる。他の実施形態では、バックプレート７４は、天然ゼオライト物質でインパクトスプレーされる。例示的な実施形態では、合成又は天然ゼオライト物質の８０から９０％が、略２から３オングストロームの細孔径を有し、そのゼオライト物質の１０から２０％が３オングストローム以上の細孔径を有する。他の例示的な実施形態では、乾燥剤８０は、合成及び天然のゼオライト物質の両方を含む。
【００７４】
当業者は、乾燥剤８０をインパクトスプレーする特定の条件及びパラメータを変更及び最適化して、特定の厚さの薄層９０を生成することができることを理解されたい。例えば、バックプレート７４を乾燥剤８０でインパクトスプレーする時間の長さは、層９０の厚さに影響する。バックプレート７４からのノズル１０２の高さは、バックプレート７４上の乾燥剤８０の厚さ及び薄層９０の均一性に影響する。乾燥剤８０をバックプレート７４に印加する圧力は、乾燥剤８０がバックプレート７４に物理的に衝突して融合する程度、及び層９０の厚さに影響し得る。バックプレート７４の温度を上昇させることも、表面に対する乾燥剤粒子の接着を補助し得る。乾燥剤の形態も、層９０の生成及び厚さに影響を与え得る。例えば、１０マイクロメートルのサイズの粒子から実質的に構成された乾燥剤８０でバックプレート７４をインパクトスプレーすることは、バックプレート７４上への乾燥剤８０のインパクト（衝撃）、又は領域９４が生成される程度を減じ得る。従って、一実施形態では、乾燥剤８０がバックプレート７４と融合する程度は、乾燥剤８０がバックプレート７４に衝突する力に直接関係する。
【００７５】
また、乾燥剤８０及び関連する無機バインダ物質の組成も、層９０の形成及び厚さに影響を与え得る。乾燥剤８０は、例えば適切な無機バインダを含み得る。適切なバインダとして、ベントナイト、層状シリケート、ＭｇＯベース物質、炭素汚染の傾向の低い他の無機クレイ等のクレイが挙げられる。表１は、インパクトスプレーされたゼオライト乾燥剤表面の一例のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ，Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）からのデータを示す。下記に示されるように、乾燥剤の炭素含有量は非常に低くて、略３％である。
【００７６】
【表１】
【００７７】
当業者は、パッケージ構造７０内部の蒸気又は汚染物質の放出が、パッケージ内部の可動部のくっ付きをもたらして、装置を動作不能にし得ることを理解されたい。一部実施形態では、乾燥剤８０は、適切な無機バインダと組み合わされた後に、表面上にインパクトスプレーされる。他の実施形態では、適切な無機バインダを既に含んでいる市販の乾燥剤のペレット又はビーズを、所望の粒径の粉末に微粒化又は粉砕した後に、表面上にインパクトスプレーする。適切な粒径は、一部実施形態では２０から３０マイクロメートルである。適切な無機バインダを備えた乾燥剤を使用する例示的な実施形態では、乾燥剤及びバインダの組み合わせが表面上にインパクトスプレーされてパッケージ構造７０が封止された後に、観測可能な汚染物質の放出は生じない。一部実施形態では、有機放出蒸気の減少又は排除は、パッケージ構造７０内の可動膜上に蒸気が堆積することを防止又は低減する。
【００７８】
また、当業者は、ディスプレイ装置のサイズが増大すると、バックプレート７４の表面積も増大し、乾燥剤８０でインパクトスプレー可能であるより大きな表面積が提供されることも理解されたい。この乾燥剤８０が提供されるバックプレート７４の表面積の増大は、乾燥剤８０をより薄い層９０で適用することを可能にする。ノズル１０２の高さ、乾燥剤がブラストされる圧力、及び乾燥剤８０の形態は、層９０の厚さを減少させるように変更可能である。例示的な一実施形態では、ディスプレイ装置のサイズ及びバックプレート７４の表面積が増大すると、層９０の必要な厚さが減少する。
【００７９】
一実施形態では、乾燥剤８０は、実質的に平坦なバックプレート７４（平滑なガラス等）上にインパクトスプレーされる。このようなインパクトスプレーは、バックプレート７４上に融合した乾燥剤８０の薄くて均一な層の堆積に加えて、バックプレート７４からの一部物質の僅かなエッチング又は除去をもたらし得る。他の実施形態では、乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、バックプレート７４のエッチング、又はバックプレート７４からの物質の除去をもたらさない。他の例示的な実施形態では、まずバックプレート７４の表面が、従来のサンドブラスト法を用いた低インパクトスプレーで粗面化されて、その後、乾燥剤８０でインパクトスプレーされる。
【００８０】
他の実施形態では、ディスプレイを製造する方法は、乾燥剤８０を所望の粒径の粉末に微粒化又は粉砕するステップと、表面（バックプレートカバー等が挙げられるがこれに限られない）を、粉砕された乾燥剤微粒子の流れに晒して、乾燥剤をその表面上に融合させるステップを含む。一部実施形態では、乾燥剤８０は、２０から３０マイクロメートルの間の粒径に粉砕される。他の実施形態では、ビーズ又はペレットの乾燥剤８０は適切な無機バインダを含む。ビーズは、略２０から３０マイクロメートルの間の粒径に粉々にされて又は粉砕されて、その後、表面上にインパクトスプレーされる。例示的な実施形態では、乾燥剤８０は、略１０パーセントから６０パーセントの間のバインダを含む。
【００８１】
また、当業者は、関係する接触表面が適切なはり付き防止剤で処理されると、特定のＭＥＭＳ装置が最良に動作することを理解されたい。粒径１０オングストローム以上のゼオライト物質を略２０パーセントから４０パーセントの間で有する乾燥剤８０の一実施形態は、適切なはり付き防止剤（フッ素化界面活性剤、シラン、クロロシラン、官能化炭化水素等が挙げられるがこれらに限定されない）を提供する制御可能手段を提供する。一実施形態では、乾燥剤８０は、略２から３オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質を６０パーセントから８０パーセント備え、且つ略１０オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質を２０パーセントから４０パーセント備える。
【００８２】
また、当業者は、表面に対して乾燥剤を融合させる方法が、本願で説明される特定の実施形態に限定されるものではないことを理解されたい。一部実施形態では、例えば、乾燥剤８０をバックプレート７４上に融合させるのに、熱スプレーとしても知られるプラズマスプレーが使用され得る。本願で説明される粉末化されたドライ乾燥剤は、プラズマトーチから発する高温プラズマジェット内に導入可能である。プラズマジェットは、１００００Ｋのオーダの温度に達し得る。乾燥剤８０は、プラズマジェット内に融解して、バックプレート７４に向けて伝えられる。衝突時には、乾燥剤の融解した小滴が、平らになり、急速に凝固して、堆積物を形成する。インパクトスプレーによって生成される乾燥剤の薄くて均一なコーティングと同様に、プラズマスプレーによって生成される堆積物は、バックプレート７４と融合して接着する。インパクトスプレーと同様に、複数の因子が、バックプレート７４上に堆積した乾燥剤層の厚さに影響する。このような因子として、乾燥剤８０の形態及び組成、プラズマガスの組成及び流速、バックプレート７４からプラズマトーチまでの距離が挙げられる。
【００８３】
〈実験１〉
従来のパッチ又はペーストの乾燥剤の湿気吸収性能を、本願で説明される乾燥剤処理されたバックプレートの湿気吸収性能と比較した。例えば、１５０マイクロメートルの厚さの乾燥剤パッチを含むパッケージ構造は、ディスプレイ装置の動作寿命中に３ミリグラムの水を吸収した。次に、バックプレートを、実質的に純粋な３オングストロームのゼオライト物質でインパクトスプレーして、厚さ１マイクロメートルの純粋なゼオライト物質の薄層を生成した。インパクトスプレーされた表面を水及び他の洗浄剤で洗浄して、ドライ環境で焼成して、残留水分を除去した。そして、乾燥剤処理されたバックプレートを、干渉変調器パッケージ構造に組み込んだ。結果物のガラスバックプレートは、ＭＥＭＳ装置内においてｉｎ−ｓｉｔｕ乾燥剤のように機能して、その装置の動作寿命中に略２．５ミリグラムの水を吸収した。
【００８４】
〈実験２〉
バックプレートにマスクを適用して、その後、バックプレートを粉末状の純粋なゼオライト物質の乾燥剤でインパクトスプレーした。インパクトスプレー後に、バックプレートを温水で洗浄してマスクを除去した。そして、バックプレートを試験して、乾燥剤がバックプレートに対して融合している程度を求めた。その試験により、従来のパッチ又はペーストの乾燥剤を用いたパッケージ構造に対して汚染物質粒子の数の増大がないことが明らかになった。更なる試験により、パックプレートが硬い表面のままであるような程度で乾燥剤がバックプレートに融合していることが明らかになった。乾燥剤は、バックプレートから洗い落ちず、又は、ディスプレイ装置の動作寿命中にキャビティ内に粉末粒子を放出しなかった。
【００８５】
当業者は、本願で説明されるインパクトスプレー法がＭＥＭ装置に限定されるものではないことを理解されたい。本願で説明される乾燥剤処理された表面は、ＯＬＥＤやＬＣＤ装置等の湿気又はバインダ又は溶媒のガス放出に敏感なディスプレイ装置において使用可能である。更に、当業者は、本願で説明される乾燥剤処理が、ガラス表面に限定されるものではなく、セラミック、ポリマー、金属等の物質（これらに限定されるものではない）に対して採用可能であることを理解されたい。更に、インパクトスプレーは、バックプレートに限定されるものではなく、ディスプレイパッケージの何らかの表面を、ディスプレイパッケージの乾燥剤として機能するように変更可能であることを理解されたい。例えば、基板７２又は封止剤７８が、乾燥剤物質でインパクトスプレーされ得る。
【００８６】
当業者は、本願で開示される実施形態に関して説明される多様な例示的な論理ブロック、モジュール、回路、及びアルゴリズムステップが、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、又はこれらの組み合わせとして実現されることを理解されたい。多様な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路、及びステップについて、それらの機能性に関しては一般的に説明してきた。その機能性がハードウェアとして又はソフトウェアとして実現されるかどうかは、特定の応用、及びシステム全体に課される設計制限に依存する。当業者は、そうした状況下におけるハードウェアとソフトウェアとの可換性、各特定の応用に対する機能性を如何にして最善に実現するのかという点を認識されたい。例えば、本願で開示される実施形態に関して説明される多様な例示的な論理ブロック、モジュール、回路、及びアルゴリズムステップは、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ，ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、特定用途集積回路（ＡＳＩＣ，ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ，ｆｉｅｌｄ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｇａｔｅ ａｒｒａｙ）、他のプログラマブル論理装置、離散ゲート又はトランジスタロジック、離散ハードウェア構成要素（例えば、レジスタ及びＦＩＦＯ等）、一組のファームウェア命令を実行するプロセッサ、従来のプログラマブルソフトウェアモジュール、プロセッサ、又はこれらの組み合わせと共に、実現又は実施され得る。
【００８７】
プロセッサはマイクロプロセッサであり得るが、その代わりに、プロセッサは、従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、又は状態機械でもよい。ソフトウェアモジュールは、ＲＡＭメモリ、フラッシュメモリ、ＲＯＭメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ‐ＲＯＭ、又は当該分野において既知の他の形式の記憶媒体内に存在し得る。更に、当業者は、上記説明全体にわたって参照可能なデータ、指示、命令、情報、信号、ビット、シンボル、及びチップが、電圧、電流、電磁波、磁場若しくは磁性粒子、光場若しくは光学的粒子、又はこれらの組み合わせによって表されることを理解されたい。
【００８８】
好ましい実施形態についての上記説明は、当業者が開示される実施形態を作製又は使用することを可能にするために提供されるものである。当業者には、これらの実施形態に対する多様な変更が容易に理解されるものであり、本願で説明される一般的な原理は、発明力がなくても、他の実施形態に適用可能である。従って、開示される実施形態は、本願で示される実施形態に限定されることを意図したものではなく、本願で開示される原理及び新規特徴と矛盾しない最大限の範囲で認められるものである。
【符号の説明】
【００８９】
７０ パッケージ構造
７２ 基板
７４ バックプレート、キャップ
７６ 干渉変調器アレイ
７８ 封止剤
７０ キャビティ
８０ 乾燥剤
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ，ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ）及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ，ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）装置に係り、特に、ＭＥＭＳ及びＯＬＥＤ装置をパッケージングするための方法及びシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微小機械素子、アクチュエータ、及び、電子機器を含む。微小機械素子は、堆積、エッチング、及び／又は、他の微小機械加工プロセス（基板及び／又は堆積させた物質層の一部をエッチングしたり、電気的及び電気機械的装置を形成するための層を追加したりする）を用いて、形成され得る。ＭＥＭＳ装置の一種類は、干渉変調器と呼ばれる。本願において、干渉変調器、干渉光変調器という用語は、光干渉原理を用いて光を選択的に吸収及び／又は反射する装置を指称する。特定の実施形態において、干渉変調器は、一対の導電性板を備える。その一対の導電性板の一方又は両方は、その全体または一部が透明及び／又は反射性であり、適切な電気信号の印加に対して相対的に動くことができる。特定の実施形態において、一方の板は、基板上に堆積させた静止層を備え、他方の板は、空隙によって静止層から離隔された金属膜を備え得る。本願において詳述されるように、他方の板に対する一方の板の位置によって、干渉変調器に入射する光の光学干渉を変化させることができる。このような装置は広範な応用を有し、こうした種類の装置の特性を利用及び／又は変更する分野において有用であり、その特徴を、既存の製品を改善し、また、未だ開発されていない新規製品を創作するのに活かすことができる。
【０００３】
乾燥剤が、ＭＥＭＳ及びＯＬＥＤ装置では一般的に使用されて、ディスプレイ装置の内部環境を、その装置の動作寿命の間乾燥させておく。乾燥剤は、多様な形態、形状、及びサイズのものであり得る。例えば、ＣａＯ及びゼオライト等の物質は、装置パッケージ内部の湿気を吸収するために薄いパッチや薄い硬化ペースト状で使用され得る。その物質は、例えば、感圧接着剤でバックプレート等のディスプレイ装置の表面に取り付け可能である。パッチ及びペーストは、典型的には８０〜２００マイクロメートルの厚さで適用される。従って、ディスプレイ装置パッケージ内部の乾燥剤及び可動素子の両方に対して十分な空間を提供しなければならないので、パッチ及びペーストが、装置の最小厚さを制限する。ディスプレイパッケージの厚さを実質的に増大させることなくパッチ又はペーストの乾燥剤用の空間を設けるために、追加の製造ステップを採用し得る。例えば、キャビティをディスプレイ基板内に化学的にエッチングして、その設けられたキャビティ内に乾燥剤を堆積させることができる。
【０００４】
また、パッチ及びペーストの乾燥剤の有効性は、そうした乾燥剤がマトリクス状のバインダと共に提供されることによっても、制限されて、例えば、テフロン（登録商標）バインダは、１５から２０％の埋め込み乾燥剤を含む。しかしながら、表面に乾燥剤を適用するためにバインダや溶媒を用いることは、敏感なＭＥＭＳの構成要素の存在下にあっては最適なものではない。何故ならば、バインダや溶媒は、蒸発するとディスプレイパッケージ内に汚染物質を放出し得るからである。また、乾燥剤を適用するための溶液処理を用いると、ディスプレイパッケージ内に汚染物質のガスを放出することにもつながる。
【０００５】
更に、パッチ及びペーストの乾燥剤の有効性は、ディスプレイ装置パッケージの全表面にわたって均一に適用されないことによって、更に制限される。そうした乾燥剤は、典型的には、ディスプレイ装置の表面の一つの領域を覆い他の領域を覆わないように取り付けられる。一部領域に乾燥剤が存在して他の領域に乾燥剤が存在しないこと、及び、敏感な干渉変調器の構成要素に対する乾燥剤の近接性は、変調器の電気機械的振る舞いを損ない、装置の性能を低下させ得る。
【０００６】
ディスプレイ装置の寸法の絶え間ない減少は、ディスプレイ装置パッケージ内部の環境を管理するのに利用可能な方法を制限する。何故ならば、パッケージ構造内部に乾燥剤を配置するための領域が少なくなるからである。水蒸気の流入に対して敏感なパッケージング構造の領域は、パッケージ構造のサイズが減少しても、同じであるか僅かにしか減少しないものであり得るが、対照的に、乾燥剤用に利用可能な領域は劇的に減少する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／１９１５６８号明細書
【特許文献２】米国特許第７３１５１１５号明細書
【特許文献３】独国特許出願公開第１０２２４７８０号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施形態は、電子装置パッケージである。パッケージは、電子装置を有する第一の基板と、第一の基板とバックプレートカバーとの間においてパッケージ内部に電子装置を封止するバックプレートカバーと、バックプレートカバー又は第一の基板の少なくとも一部の上に融合した乾燥剤とを含む。一実施形態では、乾燥剤は、実質的にドライなゼオライト物質である。他の実施形態では、ゼオライト物質は、略３オングストローム、又は代わりに略３から１０オングストロームの間の細孔径を有する。更に他の実施形態では、バックプレートカバー又は第一の基板は、略０．５から５．０マイクロメートルの間の厚さの乾燥剤の層を含む。
【０００９】
他の実施形態は、電子装置の製造方法である。本方法は、電子装置を有する第一の基板を提供するステップと、バックプレートカバーを提供するステップと、バックプレートカバー又は第一の基板の一部の上に乾燥剤を融合させるステップと、バックプレートカバーを第一の基板に結合させて電子装置を形成するステップとを含む。一実施形態では、乾燥剤を融合させるステップは、乾燥剤をインパクトスプレーするステップを含む。他の実施形態では、本方法は、バックプレートカバーの一部に選択的に乾燥剤をインパクトスプレーするためにバックプレートカバー上にマスクを提供するステップを含む。更に他の実施形態では、乾燥剤を融合させるステップは、乾燥剤をプラズマスプレーするステップを含む。
【００１０】
更に他の実施形態は、ディスプレイ装置を支持するための支持手段と、ディスプレイ装置を覆いパッケージを形成するための被覆手段と、パッケージを乾燥させるための乾燥手段とを含む電子ディスプレイであり、乾燥手段は、被覆手段上に融合した乾燥剤を有する。
【００１１】
更に他の実施形態は、パッケージであり、そのパッケージは、第二の表面に対して封止された第一の表面と、パッケージ内部の表面の少なくとも一部の上に融合した乾燥剤とを含む。他の実施形態は、表面に乾燥剤を接着させる方法である。本方法は、表面上に乾燥剤をインパクトスプレーして、乾燥剤が表面に融合されるようにするステップを含む。更に他の実施形態では、融合乾燥剤を備えた表面が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一番目の干渉変調器の可動反射層が緩和位置にあり、二番目の干渉変調器の可動反射層が作動位置にある干渉変調器ディスプレイの一実施形態の一部を示す等角図である。
【図２】３×３干渉変調器ディスプレイを組み込む電子装置の一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図３】図１の干渉変調器の実施形態の一例に対する可動ミラーの位置対印加電圧の図である。
【図４】干渉変調器ディスプレイを駆動するために使用可能な行及び列の電圧の組の図である。
【図５Ａ】図２の３×３干渉変調器ディスプレイの表示データのフレームを描くために使用可能な行及び列の信号用のタイミング図の一例を示す。
【図５Ｂ】図２の３×３干渉変調器ディスプレイの表示データのフレームを描くために使用可能な行及び列の信号用のタイミング図の一例を示す。
【図６Ａ】複数の干渉変調器を備えた画像表示装置の一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図６Ｂ】複数の干渉変調器を備えた画像表示装置の一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図７Ａ】図１の装置の断面図である。
【図７Ｂ】干渉変調器の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｃ】干渉変調器の他の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｄ】干渉変調器の更に他の代替実施形態の断面図である。
【図７Ｅ】干渉変調器の更なる代替実施形態の断面図である。
【図８】バックプレートカバーと融合した乾燥剤を備えた干渉変調器の一実施形態の断面図である。
【図８Ａ】バックプレートカバーの凹部内に融合した乾燥剤を備えた干渉変調器の一実施形態の断面図である。
【図９】基板に融合した乾燥剤を示す走査型顕微鏡写真である。
【図１０】バックプレートカバーに乾燥剤を融合させる方法の一実施形態の側面図である。
【図１１】バックプレートカバーに乾燥剤を融合させる方法の一実施形態を示す等角図である。
【図１２】基板に乾燥剤を融合させる方法の他の実施形態を示す等角図である。
【図１３】バックプレートカバーと融合した乾燥剤を示す走査型顕微鏡写真である。
【図１４】ガラス上にインパクトスプレーされた乾燥剤の水分吸収を示す線グラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下の詳細な記載は、特定の実施形態に対するものである。しかしながら、本願の教示は、多種多様な方法で応用可能である。本説明においては、全体にわたり同様の部分には同様の参照符号を付した図面を参照する。動的な画像（例えば、ビデオ）又は静的な画像（例えば、静止画）や、文字又は図表の画像を表示するように設計されているあらゆる装置において、本実施形態を実装可能である。更に、携帯電話、無線装置、ＰＤＡ、携帯型コンピュータ、ＧＰＳ受信機／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、置時計、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、自動車用ディスプレイ（例えば、走行距離計等）、コックピット制御機器及び／又はディスプレイ、カメラビューのディスプレイ（例えば、自動車の後方ビューカメラのディスプレイ）、電子写真、電光掲示板または電光サイン、プロジェクタ、建築物、パッケージング、審美的構造（例えば、宝石に対する画像表示）等の多種多様な電子機器において又はこれらに関連して、本実施形態を実施可能であるが、これらに限定されるものではない。本願で説明されるものと同様の構造のＭＥＭＳ装置を、電子スイッチ装置等のディスプレイ以外の応用においても使用可能である。
【００１４】
本実施形態は、乾燥剤が集積されたＭＥＭＳ装置を提供するためのシステム及び方法に関する。一実施形態では、乾燥剤を備えたドライ組成物は、ＭＥＭＳ装置のバックプレート又は基板上にインパクトスプレー（衝撃スプレー）される。この実施形態では、乾燥剤は、基板に融合され得る。一実施形態では、乾燥剤は、その乾燥剤がインパクトスプレーされる表面に接着するように、インパクトスプレーされる。他の実施形態では、インパクトスプレーされた表面は、乾燥剤で含浸される。更に他の実施形態では、乾燥剤は、適切な無機バインダと組み合わせられて、その後、その乾燥剤がインパクトスプレーされる表面に接着するようにインパクトスプレーされる。更に他の実施形態では、乾燥剤は、所望の粒径の粉末に微粒化又は粉砕されて、その後、表面上にインパクトスプレーされる。従って、乾燥剤の粒子又は粉末は、インパクトスプレープロセスを介してターゲット表面上に融合する。特定の理論に縛られるものではないが、速度又は圧力下における比較的ドライな乾燥剤組成物の接触は、乾燥剤の融解及びターゲット表面への融合をもたらすと考えられる。これは、比較的ウェットな乾燥剤を積層させて、乾燥剤が層へと乾燥するのを待つこと等の他の方法とは異なる。この乾燥プロセスは、表面の頂部の上の乾燥剤の層を生じさせるが、その層は極めて除去され易い。一方、表面に融合した乾燥剤は、後述のように非常に薄い層とされ得る。
【００１５】
一部実施形態では、乾燥剤を融合させることは、フラットコーティングで単に積層された乾燥剤と比較して、より大きな表面積を有する乾燥剤層を生成する。更に、後述のように乾燥剤を表面上にインパクトスプレーすることに含まれる力に起因して、より精製された形の乾燥剤を、本願で説明される実施形態において使用することができる。従って、インパクトスプレーされた乾燥剤の乾燥性能は、インパクトスプレーされていない乾燥剤と比較して、平方ミリメートル当たりで大きくなり得る。
【００１６】
干渉ＭＥＭＳディスプレイ素子を備えた干渉変調器ディスプレイの一実施形態を、図１に示す。この装置において、画素は、明状態または暗状態のどちらかである。明（“緩和”、“オープン”）状態において、ディスプレイ素子は、入射可視光の大部分を使用者に反射する。暗（“作動”、“クローズ”）状態において、ディスプレイ素子は、入射可視光の僅かしか使用者に反射しない。実施形態に応じて、“オン”及び“オフ”状態の光の反射性を逆にしてもよい。ＭＥＭＳ画素は、選択された色を主に反射するように構成可能であり、白黒に加えてカラーディスプレイが可能である。
【００１７】
図１は、画像ディスプレイの一続きの画素の内の二つの隣接する画素を示す等角図である。ここで、各画素は、ＭＥＭＳ干渉変調器を備えている。一部実施形態では、干渉変調器ディスプレイは、これら干渉変調器の行列のアレイを備える。各干渉変調器は、互いに可変で制御可能な距離に配置された一対の反射層を含み、少なくとも一つの可変寸法を備えた共鳴光学ギャップを形成する。一実施形態において、反射層の一方は、二つの位置の間を移動し得る。第一の位置（緩和位置と称する）では、可動反射層は、固定された部分反射層から比較的離れた位置に在る。第二位置（作動位置と称する）では、可動反射層は、部分反射層により近づいて隣接する位置に在る。これら二つの層から反射される入射光は、可動反射層の位置に応じて、建設的にまたは破壊的に干渉して、各画素に対して全体的な反射状態または非反射状態のどちらかがもたらされる。
【００１８】
図１に示される画素アレイの一部は、二つの隣接する干渉変調器１２ａ及び１２ｂを含む。左側の干渉変調器１２ａでは、可動反射層１４ａが、光学積層体１６ａ（部分反射層を含む）から所定の距離離れた緩和位置で示されている。右側の干渉変調器１２ｂでは、可動反射層１４ｂが、光学積層体１６ｂに隣接した作動位置で示されている。
【００１９】
本願において、光学積層体１６ａ及び１６ｂ（まとめて光学積層体１６と称する）は典型的に複数の多重層を備え、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ，ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）等の電極層、クロム等の部分反射層、及び、透明誘電体を含み得る。従って、光学積層体１６は、導電性であり、部分的には透明で部分的には反射性であり、例えば、透明基板２０上に上述の層を一層以上堆積させることによって、製造可能である。部分反射層は、多様な金属、半導体、誘電体等の部分反射性である多様な物質から形成可能である。部分反射層は一層以上の物質層で形成可能であり、各層は単一の物質または複数の物質の組み合わせで形成可能である。
【００２０】
一部実施形態では、光学積層体１６の層が平行なストリップにパターニングされて、以下で説明するようなディスプレイ装置の行電極を形成し得る。可動反射層１４ａ、１４ｂは、ポスト１８の上面と、ポスト１８間に堆積させた介在犠牲物質の上面とに堆積させた列を形成する堆積金属層（一層または複数層）の一続きの平行なストリップ（１６ａ及び１６ｂの行電極に直交する）として形成され得る。犠牲物質がエッチングされると、画定されたギャップ１９によって、可動反射層１４ａ、１４ｂが光学積層体１６ａ、１６ｂから離隔される。反射層１４用には、アルミニウム等の高導電性及び反射性物質を使用可能であり、そのストリップが、ディスプレイ装置の列電極を形成し得る。図１は縮尺どおりではない点に留意されたい。一部実施形態では、ポスト１８間の間隔が１０〜１００μｍのオーダとなり得る一方で、ギャップ１９が１０００オングストローム未満のオーダとなり得る。
【００２１】
電圧が印加されていないと、図１の画素１２ａに示されるように、可動反射層１４ａと光学積層体１６ａとの間にギャップ１９が残ったままであり、可動反射層１４ａは、機械的に緩和状態にある。一方で、選択された行と列に電位（電圧）の差が印加されると、対応する画素の行電極と列電極の交差する部分に形成されるキャパシタが帯電して、静電力が電極を互いに引き寄せる。電圧が十分に高いと、可動反射層１４が変形して、光学積層体１６に押し付けられる。光学積層体１６内の誘電体層（図１に示さず）は、短絡を防止して、図１の右側の作動画素１２ｂに示されるように、層１４と層１６との間の間隔を制御することができる。印加される電位差の極性に関わり無く、挙動は同じである。
【００２２】
図２から図５は、ディスプレイ応用における干渉変調器のアレイを用いるためのプロセス及びシステムの一例を示す。
【００２３】
図２は、干渉変調器を組み込み得る電子装置の一実施形態を示すシステムブロック図である。電子装置はプロセッサ２１を含み、そのプロセッサ２１は、ＡＲＭ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）等の汎用のシングルチップまたはマルチチップのマイクロプロセッサであり、又は、デジタル信号プロセッサや、マイクロコントローラやプログラマブルゲートアレイ等の専用マイクロプロセッサであり得る。従来技術のように、プロセッサ２１は、一つ以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成され得る。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサは、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、ｅメールプログラムや、他のソフトウェアアプリケーション等の一つ以上のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成され得る。
【００２４】
一実施形態では、プロセッサ２１は、アレイドライバ２２と通信するようにも構成されている。一実施形態では、アレイドライバ２２は、ディスプレイアレイ又はパネル３０に信号を提供する行ドライバ回路２４及び列ドライバ回路２６を含む。図１に示されるアレイの断面図は、図２の線１‐１に沿って示されている。図２には明確性のため、干渉変調器の３×３のアレイが示されているが、ディスプレイアレイ３０は多数の干渉変調器を含み得て、また、列と行とで異なる数の干渉変調器を含み得る（例えば行毎に１３０画素で、列毎に１９０画素）ことには留意されたい。
【００２５】
図３は、図１の干渉変調器の例示的な実施形態に対する可動ミラー位置対印加電圧のダイアグラムを示す。ＭＥＭＳ干渉変調器に対しては、行／列の作動プロトコルは、図３に示されるような装置のヒステリシス特性を利用し得る。干渉変調器は、例えば、可動層を緩和状態から作動状態に変形させるのに、１０ボルトの電位差を必要とし得る。一方で、この値よりも電圧が減少すると、電圧が１０ボルト未満に下がっても、可動層がその状態を維持する。図３の例示的な実施形態では、可動層は、電圧が２ボルト未満に下がるまで完全には緩和しない。従って、電圧範囲（図３に示される例では略３から７Ｖ）が存在し、装置が緩和状態又は作動状態のどちらかで安定している印加電圧のウィンドウが存在する。これを本願では、“ヒステリシスウィンドウ”または“安定ウィンドウ”と称する。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイに対しては、行／列の作動プロトコルを以下のように構成可能である。即ち、行のストローブ中には、作動されるべきストローブ行の画素が略１０ボルトの電圧の差に晒されて、緩和されるべき画素がゼロボルトに近い電圧の差に晒されるように構成可能である。ストローブ後には、画素が略５ボルトの安定状態又はバイアス電圧の差に晒されて、画素が、行のストローブによって与えられた状態を保つ。描かれた後には、各画素は、本実施例では３〜７ボルトの“安定ウィンドウ”内の電位差を見る。この特徴は、図１に示される画素構造を、同一の印加電圧条件の下において、作動または緩和の既存状態のどちらかで安定させる。干渉変調器の各画素（作動又は緩和状態）は本質的に、固定反射層及び可動反射層によって形成されたキャパシタであるので、ほぼ電力消費無く、ヒステリシスウィンドウ内の電圧において、この安定状態を保持することができる。印加電位が固定されていれば、本質的に電流は画素内に流れない。
【００２６】
後述のように、典型的な応用では、画像のフレームは、第１番目の行の作動画素の所望の組に従った列電極の組にわたるデータ信号（それぞれ特定の電圧レベルを有する）の組を送信することによって、生成され得る。その後、行パルスが第１番目の行の電極に印加されて、データ信号の組に対応する画素を作動させる。その後、第２番目の行の作動画素の所望の組に対応するために、データ信号の組を変更する。その後、パルスが第２番目の行の電極に印加されて、データ信号に従って第２番目の行の適切な画素を作動させる。第１番目の行の画素は、第２番目の行のパルスによって影響されず、第１番目の行のパルスの間に設定された状態のままである。このことが、一続きの行全体に対して逐次的に反復されて、フレームを生成する。一般的に、秒毎の所望のフレーム数でこのプロセスを連続的に反復することによって、フレームがリフレッシュされ及び／又は新しい画像に更新される。画像のフレームを生成するための画素アレイの行電極及び列電極を駆動する多種多様なプロトコルが使用可能である。
【００２７】
図４及び図５は、図２の３×３アレイ上に表示フレームを生成する作動プロトコルとして考えられるものの一つを示す。図４は、図３のヒステリシス曲線を示す画素に対して使用され得る列及び行の電圧レベルの組として考えられるものの一つを示す。図４の実施形態において、画素を作動させることには、適切な列を−Ｖバイアスに設定し、適切な行を＋ΔＶに設定することが含まれ、それぞれ−５ボルトと＋５ボルトに対応し得る。画素の緩和は、適切な列を＋Ｖバイアスに設定し、適切な行を同じ＋ΔＶに設定して、画素に対する電位差をゼロボルトにすることによって、達成される。行の電圧がゼロボルトに保たれている行においては、列が＋Ｖバイアスであるか−Ｖバイアスであるかに関わらず、画素は元々の状態で安定である。また、図４に示されるように、上述のものとは逆極性の電圧も使用可能である。例えば、画素を作動させることは、適切な列を＋Ｖバイアスに設定し、適切な行を−ΔＶに設定することを含むことができる。この実施形態では、画素の緩和は、適切な列を−Ｖバイアスに設定し、適切な行を同じ−ΔＶに設定して、画素に対して電位差をゼロボルトにすることによって、達成される。
【００２８】
図５Ｂは、図２の３×３アレイに印加される一続きの行及び列の信号を示すタイミング図であり、図５Ａに示される表示配置がもたらされる。ここで、作動画素は非反射性である。図５Ａに示されるフレームを描く前においては、画素はいずれの状態であってもよく、この例では、全ての行は最初０ボルトであり、全ての列は＋５ボルトである。これらの印加電圧に対しては、全ての画素は、作動又は緩和のその時点での状態で安定である。
【００２９】
図５Ａのフレームでは、画素（１，１）、（１，２）、（２，２）、（３，２）、（３，３）が作動している。これを達成するためには、行１に対する“ライン時間”中に、列１及び列２は−５ボルトに設定され、列３は＋５ボルトに設定される。全ての画素が３〜７ボルトの安定ウィンドウ内のままであるので、これによっては、いずれの画素の状態も変化しない。その後、行１が、０から５ボルトに上がりゼロに戻るパルスで、ストローブされる。これによって、（１，１）及び（１，２）の画素を作動させて、（１，３）の画素を緩和する。アレイの他の画素は影響を受けない。要求どおりに行２を設定するため、列２を−５ボルトに設定し、列１及び列３を＋５ボルトに設定する。その後、行２に印加される同じストローブによって、画素（２，２）を作動させて、画素（２，１）及び（２，３）を緩和する。ここでも、アレイの他の画素は影響を受けない。同様に、列２及び列３を−５ボルトに設定して、列１を＋５ボルトに設定することによって、行３を設定する。行３のストローブは、行３の画素を図５Ａに示されるように設定する。フレームを描いた後において、行の電位はゼロであり、列の電位は＋５又は−５ボルトのどちらかを保つことができ、そうして、ディスプレイは図５Ａの配置で安定である。同じ手順を、数十又は数百の行列のアレイに対して用いることができる。また、行及び列の作動を実施するために用いられるタイミング、シーケンス及び電圧レベルは、上述の基本原理内において多様に変更可能であり、上述の例は単に例示的なものであり、何らかの作動電圧方法を本願のシステム及び方法で使用可能である。
【００３０】
図６Ａ及び図６Ｂは、ディスプレイ装置４０の一実施形態を示すシステムブロック図である。ディスプレイ装置４０は例えば携帯電話である。しかしながら、ディスプレイ装置４０の同一の構成要素又はその僅かな変形体は、テレビや携帯型メディアプレーヤー等の多種多様なディスプレイ装置の実例にもなる。
【００３１】
ディスプレイ装置４０は、ハウジング４１と、ディスプレイ３０と、アンテナ４３と、スピーカー４５と、入力装置４８と、マイク４６とを含む。ハウジング４１は、多種多様な製造方法のいずれかによって一般的には形成され、射出成形、真空成形が挙げられる。また、ハウジング４１は、多種多様な物質のいずれかから形成可能であり、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、セラミック、それらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。一実施形態では、ハウジング４１は、取り外し可能部（図示せず）を含む。該取り外し可能部は、色の異なる又は異なるロゴや画像やシンボルを含む他の取り外し可能部と交換可能である。
【００３２】
例示的なディスプレイ装置４０のディスプレイ３０は、多種多様なディスプレイのいずれかであり得て、本願で説明されるような双安定性（ｂｉ−ｓｔａｂｌｅ）ディスプレイが含まれる。他の実施形態では、ディスプレイ３０は、当業者に周知なように、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ ＬＣＤ、ＴＦＴ ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイや、ＣＲＴや他のチューブデバイス等の非フラットパネルディスプレイを含む。しかしながら、本願の実施形態を説明するために、ディスプレイ３０は、本願で説明されるような干渉変調器ディスプレイを含む。
【００３３】
図６Ｂに、例示的なディスプレイ装置４０の一実施形態の構成要素を概略的に示す。図示されている例示的なディスプレイ装置４０は、ハウジング４１を含み、また、それに少なくとも部分的に封入される追加の構成要素を含むことができる。例えば、一実施形態では、例示的なディスプレイ装置４０は、送受信機４７に結合されているアンテナ４３を含むネットワークインターフェイス２７を備える。送受信機４７はプロセッサ２１に接続されていて、プロセッサ２１は調整ハードウェア５２に接続されている。調整ハードウェア５２は、信号を調整する（例えば信号をフィルタリングする）ように構成可能である。調整ハードウェア５２は、スピーカー４５及びマイク４６に接続されている。また、プロセッサ２１は、入力装置４８及びドライバ制御装置２９にも接続されている。ドライバ制御装置２９は、フレームバッファ２８及びアレイドライバ２２に結合されている。アレイドライバ２２は、ディスプレイアレイ３０に結合されている。電源５０は、この特定の例示的なディスプレイ装置４０の構成に必要とされるような全ての構成要素に電力を供給する。
【００３４】
ネットワークインターフェイス２７は、アンテナ４３及び送受信機４７を含み、例示的なディスプレイ装置４０が、ネットワーク上の一つ以上の装置と通信できるようになっている。一実施形態では、ネットワークインターフェイス２７は、プロセッサ２１の要求を軽減するためにある程度の処理能力を有し得る。アンテナ４３は、信号の送受信用として当業者に知られているアンテナのいずれかである。一実施形態では、アンテナは、ＩＥＥＥ８０２．１１規格（ＩＥＥＥ８０２．１１（ａ）、（ｂ）又は（ｇ）を含む）に準拠したＲＦ信号を送受信する。他の実施形態では、アンテナは、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ規格に準拠したＲＦ信号を送受信する。携帯電話の場合には、ＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳ、Ｗ‐ＣＤＭＡ等の無線携帯電話ネットワーク内で通信するために用いられる周知の信号を受信するようにアンテナが設計されている。送受信機４７は、アンテナ４３から受信した信号を前処理して、その後、信号がプロセッサ２１によって受信されて、更に処理されるようにし得る。また、送受信機４７は、プロセッサ２１から受信した信号も処理して、その後、信号が、アンテナ４３を介して例示的なディスプレイ装置４０から送信されるようにし得る。
【００３５】
代替的な一実施形態では、送受信機４７が、受信機に交換可能である。更に他の代替的な実施形態では、ネットワークインターフェイス２７が、プロセッサ２１に送信されるべき画像データを記憶すること又は発生させることが可能な画像ソースに交換可能である。例えば、画像ソースは、画像データを含むＤＶＤやハードディスクドライブや、画像データを発生するソフトウェアモジュールであり得る。
【００３６】
プロセッサ２１は一般的に、例示的なディスプレイ装置４０の動作全体を制御する。プロセッサ２１は、データ（ネットワークインターフェイス２７や画像ソースからの圧縮画像データ等）を受信し、そのデータを生の画像データに処理するか、又は、生の画像データに容易に処理されるフォーマットに処理する。その後、プロセッサ２１は、記憶用のフレームバッファ２８に又はドライバ制御装置２９に処理されたデータを送信する。生データは典型的に、画像内の各位置において画像特性を識別する情報を称する。例えば、このような画像特性は、色、彩度、グレイスケールレベルを含み得る。
【００３７】
一実施形態では、プロセッサ２１は、例示的なディスプレイ装置４０の動作を制御するマイクロ制御装置、ＣＰＵ、又は、論理ユニットを含む。調整ハードウェア５２は一般的に、スピーカー４５に信号を送信するための、また、マイク４６から信号を受信するためのアンプ及びフィルタを含む。調整ハードウェア５２は、例示的なディスプレイ装置４０内の個別の構成要素であってもよく、プロセッサ２１や他の構成要素に組み込まれたものであってもよい。
【００３８】
ドライバ制御装置２９は、プロセッサ２１が発生させた生の画像データを、プロセッサから直接、又は、フレームバッファ２８から受信し、アレイドライバ２２に対する高速送信用に適切な生の画像データに再フォーマットする。特に、ドライバ制御装置２９は、生の画像データを、ラスタ状フォーマットを有するデータフローに再フォーマットして、データフローが、ディスプレイアレイ３０にわたる走査に適した時間オーダを有するようになる。その後、ドライバ制御装置２９は、フォーマットされた情報をアレイドライバ２２に送信する。ＬＣＤ制御装置等のドライバ制御装置２９は、独立型の集積回路（ＩＣ，ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）としてシステムプロセッサ２１に附随していることが多いが、このような制御装置は多種多様な方法で実装可能である。このような制御装置は、ハードウェアとしてプロセッサ２１内に組み込み可能であるし、ソフトウェアとしてプロセッサ２１内に組み込み可能であるし、アレイドライバ２２と共にハードウェア内に完全に集積可能でもある。
【００３９】
典型的には、アレイドライバ２２は、ドライバ制御装置２９からフォーマットされた情報を受信し、ビデオデータを、波形の並列的な組に再フォーマットする。この波形の並列的な組は、ディスプレイの画素のｘ‐ｙマトリクスによってもたらされる数百の（数千のこともある）リードに対して、一秒間に何度も印加される。
【００４０】
一実施形態では、ドライバ制御装置２９、アレイドライバ２２及びディスプレイアレイ３０は、本願で説明されるあらゆる種類のディスプレイに対しても適合するものである。例えば、一実施形態では、ドライバ制御装置２９は、従来のディスプレイ制御装置、又は、双安定性ディスプレイ制御装置（例えば、干渉変調器制御装置）である。他の実施形態では、アレイドライバ２２は、従来のドライバ、又は、双安定性ディスプレイドライバ（例えば、干渉変調器ディスプレイ）である。一実施形態では、ドライバ制御装置２９は、アレイドライバ２２と集積される。このような実施形態は、携帯電話、腕時計、他の小型ディスプレイ等の高集積システムにおいて一般的である。更に他の実施形態では、ディスプレイアレイ３０は、典型的なディスプレイアレイ、または、双安定性ディスプレイアレイ（例えば、干渉変調器のアレイを含むディスプレイ）である。
【００４１】
入力装置４８によって、使用者が例示的なディスプレイ装置４０の動作を制御することが可能になる。一実施形態では、入力装置４８は、キーパッド（ＱＷＥＲＴＹキーボードや電話のキーパッド等）、ボタン、スイッチ、タッチスクリーン、感圧又は感熱膜を含む。一実施形態では、マイク４６が、例示的なディスプレイ装置４０用の入力装置になる。マイク４６を用いて装置にデータを入力する場合には、例示的なディスプレイ装置４０の動作を制御するために、使用者によって音声命令が提供され得る。
【００４２】
電源５０は、当該分野で周知の多種多様なエネルギー貯蔵装置を含むことができる。例えば、一実施形態では、電源５０は、ニッケル・カドミウム電池やリチウムイオン電池等の充電可能な電池である。他の実施形態では、電源５０は、再生可能エネルギー源、キャパシタ、又は、太陽電池であり、プラスチック太陽電池や太陽電池ペイントが挙げられる。他の実施形態では、電源５０は、壁コンセントから電力を供給されるように構成されている。
【００４３】
一部実施形態では、上述のように、電子ディスプレイシステム内の複数の位置に配置可能なドライバ制御装置に、制御プログラム可能性が備わっている。場合によっては、制御プログラム可能性は、アレイドライバ２２に備わっている。上述の最適化は、如何なる数のハードウェア及び／又はソフトウェア構成要素においても、また、多種多様な構成においても実施可能である。
【００４４】
上述の原理に従って動作する干渉変調器の構造の詳細は、多種多様なものであり得る。例えば、図７Ａ〜図７Ｅは、可動反射層１４とその支持構造体の五つの異なる実施形態を示す。図７Ａは、図１の実施形態の断面図であり、金属物質のストリップ１４が、直交して延伸する支持体１８の上に堆積されている。図７Ｂでは、各干渉変調器の可動反射層１４が、正方形又は矩形の形状であり、テザー３２に対して、角でのみ支持体に取り付けられている。図７Ｃでは、可動反射層１４が、正方形又は矩形の形状であり、フレキシブル金属を含み得る変形可能層３４から懸架されている。変形可能層３４は、該変形可能層３４の周囲において、基板２０に直接的又は間接的に接続する。この接続は、本願において、支持ポストと称される。図７Ｄに示される実施形態は、支持ポストプラグ４２を有する。この支持ポストプラグの上に、変形可能層３４が横たわる。図７Ａ〜７Ｃのように、可動反射層１４はギャップ上に懸架されている。しかしながら、変形可能層３４と光学積層体１６との間のホールを充填することによって、変形可能層３４が支持ポストを形成してはいない。むしろ、支持ポストは、支持ポストプラグ４２を形成するために用いられる平坦化物質から形成される。図７Ｅに示される実施形態は、図７Ｄに示される実施形態をベースにしたものであるが、図７Ａ〜図７Ｃに示される実施形態、並びに、図示されていない追加の実施形態のいずれにおいても機能し得るものである。図７Ｅに示される実施形態では、金属又は他の導電性物質の追加的な層が用いられて、バス構造４４を形成している。これによって、信号が、干渉変調器の背面に沿ってルーティングすることが可能になり、基板２０上に形成しなければならなかった多数の電極を省略することが可能になる。
【００４５】
図７に示されるような実施形態では、干渉変調器は、直視型装置として機能し、画像は透明基板２０の前面から視られ、その反対側に変調器が配置されている。こうした実施形態では、反射層１４は、変形可能層３４を含む基板２０に対向する反射層の側において、干渉変調器の一部を光学的に遮蔽する。これによって、遮蔽された領域を、画像の質に悪影響を与えずに、構成及び動作させることが可能になる。例えば、このような遮蔽によって、変調器の光学的特性を変調器の電気機械的特性（アドレシングや該アドレシングの結果による移動等）から分離する性能を提供する図７Ｅのバス構造４４が可能になる。この分離可能な変調器の設計によって、変調器の電気機械的側面及び光学的側面用に用いられる構造設計及び物質が、互いに独立に選択され、また、機能することが可能になる。更に、図７Ｃ〜図７Ｅに示される実施形態は、反射層１４の光学的特性をその機械的特性から切り離すこと（このことは、変形可能層３４によって達成される）に因る追加的な利点を有する。これによって、光学的特性に関して、反射層１４に用いられる構造設計及び物質を最適化することが可能になり、また、所望の機械的特性に関して、変形可能層３４に用いられる構造設計及び物質を最適化することが可能になる。
【００４６】
〈パッケージ内への乾燥剤の配置〉
集積乾燥剤を有するＭＥＭＳ装置用の基本的なパッケージ構造の概略が図８Ａに示されている。図８Ａに示されるように、基本的なパッケージ構造７０は、基板７２と、バックプレートカバー又は“キャップ”７４とを含み、干渉変調器アレイ７６が、基板７２上に形成されている。このキャップ７４は、“バックプレート”とも称される。
【００４７】
基板７２及びバックプレート７４は、封止剤７８によって結合されて、パッケージ構造７０を形成し、干渉変調器アレイ７６が基板７２、バックプレート７４及び封止剤７８によって密閉される。これは、バックプレート７４と基７２との間にキャビティ７９を形成する。封止剤７８は、従来のエポキシベース接着剤等の非気密性封止剤であり得る。他の実施形態では、封止剤７８は、一日で略０．２〜４．７ｇ ｍｍ／ｍ２ｋＰａの水蒸気の浸透率の範囲を有し得る封止剤の中で特に、ポリイソブチレン（ブチルゴムやＰＩＢとも称される）、Ｏリング、ポリウレタン、薄膜金属溶接部、液体スピンオンガラス、はんだ、ポリマー、プラスチックであり得る。
【００４８】
一般的に、パッケージ構造７０内への水蒸気の浸透を最小化して、パッケージ構造内部の環境を制御することが望ましい。例えば、パッケージを気密的に封止することは、環境が装置の寿命にわたって一定であることを保証することができる。パッケージ内部の湿度が、湿気からの表面張力が干渉変調器の可動素子（図示せず）の復元力よりも高くなるレベルを超えると、可動素子は、永久的に表面にくっ付き得る。このような可動膜のくっ付きは装置を動作不能にする。ＯＬＥＤ装置の場合、湿気は、金属電極の腐食を生じさせ得て、装置を動作不能にする。
【００４９】
図８Ａに示される実施形態では、パッケージ構造７０は、キャビティ７９内部の湿気を低下させるように構成されたインパクトスプレー乾燥剤８０を含む。図８Ｂに示される実施形態では、パッケージ構造７０は変更されたバックプレート７４を含む。バックプレート７４は、サンドブラストされて又は化学的にエッチングされて、バックプレートキャビティ７５が形成される。そして、後述の方法を用いて、乾燥剤８０を、バックプレートキャビティ７５内に選択的にインパクトスプレーして、パッケージキャビティ７９内の湿気を低下させることができる。当業者は、乾燥剤が気密的に封止されたパッケージに対しては必要でないものであり得るが、パッケージ内部の残留する湿気を制御するのに望ましいものであることを理解されたい。
【００５０】
基板７２は、半透明又は透明物質であり、その上に構築された薄膜ＭＥＭＳ装置を有することができるものであり得る。このような透明物質として、ガラス、プラスチック、透明ポリマーが挙げられるが、これらに限定されるものではない。干渉変調器アレイ７６は、複数の膜変調器、又は分離可能型の複数の変調器を備え得る。当業者は、バックプレート７４が、ガラス、金属箔、ポリマー、プラスチック、セラミック、半導体（例えばシリコン）等の適切な物質製であり得ることを理解されたい。
【００５１】
パッケージ構造７０の一部実施形態では、封止剤７８は接着剤を含む。接着剤成分単独では適切な環境障壁として機能しないことがあり得る。何故ならば、接着剤成分は、最終的には、水蒸気及び／又は汚染物質をパッケージ構造７０のキャビティ７９内に浸透させるからである。従って、パッケージ構造７０の特定の実施形態は、パッケージ構造７０の内側のゲッタ、又は封止剤７８中に取り込まれたゲッタを含む。ゲッタは、干渉変調器アレイ７６又はパッケージ構造７０組み立て後のパッケージング構成要素から放出される汚染物質ガス（接着剤が硬化する間に封止剤７８中の接着剤からキャビティ７９内に放出又は蒸発した物質等）をゲッタ機能で除去するように構成され得る。ゲッタは、特定の物質と化学反応するように構成された化学反応ゲッタであり得る。一部実施形態では、ゲッタは、環境中から封止剤７８内に浸透した汚染物質、製造又は組み立て中に封止剤７８から放出された物質、及び製造又は組み立て時に存在しているパッケージ構造７０のキャビティ７９内部の物質をゲッタ機能で除去するように構成される。
【００５２】
後述の他の実施形態では、化学反応ゲッタ及び乾燥剤が両方ともパッケージ構造７０内部に提供されて、水蒸気及び汚染物質ガスをゲッタ機能で除去する。化学反応ゲッタは、例えば酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、アルミ錯体を含み得る。特定の実施形態では、パッケージ構造７０の一以上の構成要素（基板７２、バックプレート７４、封止剤７８等）は、製造又は組み立て中に封止剤成分から放出される実質的に全ての物質（硬化中に接着剤から放出される物質等）をゲッタ機能で除去する又は捕捉するのに十分な量のゲッタを含む。
【００５３】
当業者は、多様な方法で水蒸気及び汚染物質を捕捉する多様な物質を理解するものである。例えば、ＣａＯ等の物質は、化学吸着によって不可逆的に湿気を捕捉することができて、ＣａＯは、水酸化カルシウムに変換される。他方、ゼオライト物質は、物理吸着によってその微細孔内に可逆的に湿気を捕捉することができる。ゼオライト物質は、パッケージ構造７０に提供された後に加熱可能であり、その細孔内の湿気を放出して、再活性化して、水分子を再び吸収することができる。また、ゼオライト物質は、多様なタイプの汚染物質ガスを吸収するのにも使用可能である。例えば、特定の細孔径のゼオライト物質は、特定の汚染物質を捕捉するように選択可能である。略３オングストロームの細孔径のゼオライト物質を用いて、パッケージ構造内の水を捕捉可能である一方、４から５オングストロームのゼオライト物質は、メタン、窒素、及び／又は二酸化炭素を捕捉可能である。略１０オングストロームの細孔径のゼオライト材料を、より長い鎖のより複雑な分子を捕捉するために選択可能である。
【００５４】
当業者は、パッケージングされた装置に必要な乾燥剤物質の量が、パッケージングされた装置内の初期水分含量、パッケージ構成要素のガス放出可能性、装置のサイズ及び寿命、並びに装置内に湿気が侵入する速度に依存することを理解されたい。乾燥剤用に十分な空間を提供しなければならないので、パッケージングされた装置内部に必要な乾燥剤の量は、装置の最小厚さも制限する。
【００５５】
図９は、バックプレート７４の表面上に融合したインパクトスプレー乾燥剤８０を備えたバックプレート７４の断面の走査型電子顕微鏡像を提供する。他の実施形態では、乾燥剤８０は、基板７２上にインパクトスプレーされて、基板７２と融合する。更に他の実施形態では、インパクトスプレーされた表面は乾燥剤８０で含浸される。
【００５６】
乾燥剤は、気密封止剤又は非気密封止剤を有するパッケージ用に使用され得る。気密封止剤を有するパッケージでは、乾燥剤は典型的に、パッケージの内部に残留する湿気を制御するのに用いられる。非気密封止剤を有するパッケージでは、乾燥剤は、環境からパッケージ内に移動する湿気を制御するのに使用可能である。一般的に、湿気を閉じ込めることができるが、干渉変調器アレイの光学特性に干渉しない物質が、乾燥剤８０として使用可能である。適切な乾燥剤物質として、ゼオライト、分子篩、表面吸着剤、バルク吸着剤、化学反応体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５７】
更に、固体状であることの代わりに、乾燥剤８０は粉末状でもあり得る。粉末は、マトリクス状に適用される接着剤又はバインダと混合され得て、又は、後述のように、実質的に純粋な形でパッケージ内に直接取り込まれ得る。一部実施形態では、乾燥剤８０のビーズ又はペレットは、適切な無機バインダを含む。このような乾燥剤の一例がゼオライトである。適切な無機バインダとして、ベントナイト、層状シリケート、ＭｇＯベースの物質、低炭素含有量の他の無機クレイが挙げられる。低炭素含有量のバインダは、パッケージ内部へ有害な有機化合物を一般的には放出しないという利点を提供することができる。本願で説明される実施形態では、乾燥剤８０のビーズは、略１０％から６０％の間の無機バインダを含む。このような無機バインダは、溶媒及び界面活性剤フリーなものであり得る。ビーズは、２０から３０マイクロメートル等の所望の粒径に微粒化又は粉砕され得る。このドライ組成物乾燥剤は、インパクトスプレーによって、エチレングリコールや水等の溶媒、湿潤剤又はスラリー剤を用いずに、実質的に純粋な形でパッケージ内に直接取り込まれ得る。ウェット乾燥剤スラリーの粘度を制御するために一般的に使用されるエチレングリコールは、ＭＥＭＳ構成要素の望ましくないくっ付きを生じさせ得る。
【００５８】
当業者は、乾燥剤８０が、表面内に融合するために多様な方法を適用することができる。図９に示されるように、乾燥剤８０がバックプレート７４上にインパクトスプレーされる場合、乾燥剤は、バックプレート７４に融合及び接着する薄くて均一なドライ組成物層を形成する。一部実施形態では、乾燥剤８０は、バックプレート７４にわたる粗面を生成するのに十分な力でインパクトスプレーされる。この粗面は、乾燥剤のより大きな表面積を提供するので、より多くの乾燥剤８０がパッケージ環境内の湿気と接触することを可能にする。更に、実質的に純粋な乾燥剤が、バックプレート７４にインパクトスプレーされて接着可能であるので、水を取り除く乾燥剤の性能が、乾燥剤を表面に付着させるのに用いられるバインダ又は他の化合物で希釈化された乾燥剤と比較して、高くなる。また、当業者は、乾燥剤８０がパッケージ７０内の異なる複数の表面に適用可能であり、表面の異なる複数の部分に適用可能であることも理解されたい。例えば、図８Ａに示される実施形態では、まず、キャビティがバックプレート７４に形成されて、その後、乾燥剤８０がバックプレートのキャビティ内にインパクトスプレーされる。更に、乾燥剤は、ＭＥＭＳ装置の透明基板又は他の構成要素上にインパクトスプレーされ得る。
【００５９】
これから、乾燥剤の性質を提供するようにＭＥＭＳ装置の表面を変更する方法について詳述する。図１０に示される一実施形態では、乾燥剤８０をバックプレート７４上にインパクトスプレーすることによって、乾燥剤８０をバックプレート７４と融合させる。乾燥剤８０は、加圧スプレーノズル１０２から放出されて、バックプレート７４に物理的に衝突して、乾燥剤８０の薄層がバックプレート７４上に堆積され融合される。バックプレート７４は、ガラス、金属、セラミック、液晶ポリマー（ＬＣＰ，ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｐｏｌｙｍｅｒ）や透明ポリマー等のプラスチック等の物質製であり得るが、これらに限定されるものではない。乾燥剤８０は、パッケージ構造７０内の他の表面（基板７２等）上にもインパクトスプレーされ得る。
【００６０】
“サンドブラスト”は、物質表面を物理的に変更及び除去するために用いられる一般的な方法である。従来のサンドブラストでは、ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等の粉末を用いて、高圧ジェットノズルで固体物質をブラスト又は磨耗させる。これらの硬い粉末物質は、ターゲット表面に大きな衝撃力を与えて、表面をエッチングして物質を除去する。本願で説明されるインパクトスプレーは、従来のサンドブラストと特性を共有するが、バックプレート７４の強度を妥協したりバックプレートを壊れ易くしたりするように過度に表面を磨耗させることがない。例えば、乾燥剤８０は一般的に従来のサンドブラスト物質程は硬くなく、ターゲット表面に対する損傷が少ない。従って、バックプレート７４上へ乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、乾燥剤をより少ない磨耗力でバックプレート７４に衝突させて、バックプレート７４上の薄層９０に堆積させる。インパクトスプレーは、ドライ組成物乾燥剤物質のこの堆積した薄層を、バックプレート７４上に融合させるか、又は結合させる。一部実施形態では、バックプレート７４上にドライ乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、バックプレート７４上に乾燥剤８０の薄層９０を構築することに加えて、基板物質の表面の一部エッチング又は除去を生じさせる。
【００６１】
図９及び図１０に示される例示的な実施形態では、バックプレート７４上に乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、薄層９０をバックプレート７４に融合させる。このバックプレート７４内への乾燥剤８０の融合又は浸透は、バックプレート７４を物理的に変更して、バックプレート７４が、パッケージ構造７０内部で乾燥剤物質として機能するようにする。
【００６２】
図１１に示される一実施形態では、マスク９２がバックプレート７４の一部の上に配置される。その後、乾燥剤８０が、バックプレート７４上にインパクトスプレーされて、マスク９２によって覆われていないバックプレート７４の部分上に乾燥剤８０が融合される。図１２に示される他の実施形態では、マスク９２は、基板７２の一部の上に配置される。マスク９２によって覆われた部分は、例えば、封止剤７８の外側に存在する基板７２の領域１０４を備え得る。マスク９２によって覆われた部分は、その上にＭＥＭＳ装置が構築された基板７２の領域１０６を追加的に備え得る。その後、乾燥剤８０が基板７２上にインパクトスプレーされて、乾燥剤８０が、マスク９２によって覆われていない基板７２の部分上に融合される。結果として、基板７２の部分１０８は、ドライ組成物乾燥剤８０の薄層でコーティングされて、パッケージ構造７０内部の乾燥剤物質として機能する。
【００６３】
更に他の実施形態では、バックプレート７４は、マスク９２を用いずに、乾燥剤８０でインパクトスプレーされる。パッケージ構造７０内に密閉された全ての又は実質的に全てのバックプレート７４が、乾燥剤８０でインパクトスプレー可能であるので、乾燥剤の存在に起因するＩＭＯＤの電気機械的性質の変化は、最小化されるか排除され得る。全ての又は実質的に全てのバックプレート表面の物理的性質を、乾燥剤として機能するように変更可能であるので、干渉変調器アレイ７６は、一部領域における乾燥剤の存在と、他の領域における乾燥剤の不存在とを感知しない。従って、干渉変調器アレイ７６の挙動は、乾燥剤の存在によって制御及び最適化可能である。
【００６４】
乾燥剤８０は、純粋な又は実質的に純粋な形でバックプレート７４上に有利にインパクトスプレーされて、顕著な湿気吸収性能をもたらすことができる。１５から２０％の乾燥剤及び８０から８５％のバインダをマトリクス状で提供するパッチ又はペーストの乾燥剤とは異なり、バックプレート７４上に純粋な又は実質的に純粋な形で乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、乾燥剤物質の湿気吸収性能を希釈化しない。一実施形態では、乾燥剤８０は１００％ゼオライト物質であり、バインダを有さない。他の例示的な実施形態では、ゼオライト物質の均一で薄いコーティングが、接着剤又はバインダを用いずにバックプレート７４に適用される。他の実施形態では、６０から９９％のゼオライト物質を備えた乾燥剤８０が、バックプレート７４上にインパクトスプレーされる。
【００６５】
更に他の実施形態では、ゼオライト物質及び適切な無機バインダを含むビーズ又はペレットが、まず所望の粒径に粉砕されて、その後、粉砕された乾燥剤のドライ組成物が、バックプレート７４上にインパクトスプレーされる。一部実施形態では、ビーズ又はペレットは、略４０パーセントから９０パーセントの間のゼオライト物質と、略１０パーセントから６０パーセントの間の適切な無機バインダを含む。
【００６６】
当業者は、乾燥剤８０がゼオライト物質に限定されるものではなく、湿気を閉じ込めることができるが干渉変調器アレイの光学特性に干渉しない物質であれば乾燥剤８０として利用可能であることを理解されたい。また、当業者は、バックプレート７４が、６０％以下のゼオライト又は他の湿気吸収物質を備えた乾燥剤８０でインパクトスプレー可能であり、それでも、パッケージ構造７０内部の乾燥剤物質として機能することも理解されたい。
【００６７】
図１３に示されるように、バックプレート７４上に乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、バックプレート７４と融合した乾燥剤の薄くて均一な層を生成し、バックプレート７４の表面の領域９４内との融合を含む。バックプレート７４の表面が領域９４を元々含む場合、このような領域は、乾燥剤８０がインパクトスプレーされる表面積を増大させることができるので、パッケージ構造７０内に与えられる乾燥剤８０の量を増やすことができる。他の実施形態では、まず、バックプレート７４の表面をエッチングして領域９４のような領域をより多く生成し、その後、乾燥剤８０でインパクトスプレーして、パッケージ構造７０内に提供される乾燥剤８０の量を更に増やす。
【００６８】
当業者は、薄層９０の厚さ、従ってパッケージングされた装置内の乾燥剤物質の量が、パッケージングされた装置内の初期水分含量、装置のサイズ及び寿命、及び湿気が装置内に侵入する速度に基づいて選択可能であることを理解されたい。バックプレート７４の全表面を乾燥剤８０でインパクトブラストする性能、純粋な又は純粋な形で乾燥剤８０を提供すること、及びバックプレート７４を粗面化して薄層９０の表面積を増大させることの効果の全ては、個別に又は組み合わさって、乾燥剤８０の湿気吸収性能の増大をもたらす。この湿気吸収性能の増大は、ディスプレイ装置の動作寿命にわたって湿気を吸収するのに必要な薄層９０の厚さを最小化することができる。例えば、バックプレート７４上に１から５マイクロメートルの厚さで乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、バックプレート７４に４０〜２００マイクロメートルの厚さのパッチ又はペーストの乾燥剤を接着させるのと同じ湿気吸収性能をもたらすことができる。一実施形態では、乾燥剤８０は、バックプレート７４上に０．５から５マイクロメートルの厚さでインパクトスプレーされる。
【００６９】
図１４に示されるグラフは、乾燥剤８０の一実施形態の湿気吸収性能を示す。略３オングストロームの細孔径を有する合成ゼオライト物質を備えた乾燥剤８０は、略１マイクロメートルの厚さでガラス表面上にインパクトスプレーされる。その後、乾燥剤８０は、二時間にわたって２８０℃でドライ窒素雰囲気で活性化される。図１４に示されるグラフは、略１マイクロメートルの厚さの乾燥剤８０の層によって吸収された水の量をミリグラム単位で示す。
【００７０】
乾燥剤８０の必要とされる厚さの顕著な減少によって、パッケージ構造７０の全体的な厚さを顕著に減少させることが可能になる。また、バックプレート７４上に乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、パッチ又はペーストの乾燥剤用の十分な空間を提供するためにバックプレート７４内にキャビティをエッチングすることに伴う追加的な製造ステップ及び化学的汚染物質を排除することもできる。
【００７１】
例示的な実施形態では、異なる細孔径の複数のゼオライト物質を、湿気及びガス汚染物質の両方を捕捉するために選択して、バックプレート７４上にインパクトスプレーする。一実施形態では、略三オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質を提供して、パッケージ構造内の水分子等の三オングストローム以下の直径を有する汚染物質を捕捉する。同実施形態では、三オングストローム以上の細孔径を有するゼオライト物質も提供されて、メタン、窒素、及び／又は二酸化炭素を捕捉する。代替実施形態では、異なる細孔径の複数のゼオライト物質が選択されて、水分子及び汚染物質分子（１０オングストローム以下の臨界寸法を有する溶媒及び炭化水素を含む）の両方を吸収する。
【００７２】
一実施形態では、乾燥剤８０の８０％以上が、湿気を吸収する細孔径を有するゼオライト物質である。他の実施形態では、乾燥剤８０の８０％以上が、略２から３オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質である。更に他の実施形態では、乾燥剤８０の８０％以上が、略３オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質である。乾燥剤８０の残りの２０％は、湿気以外の物質（汚染物質ガス等）を吸収するように構成された細孔径を有するゼオライト物質を含み得る。他の実施形態では、乾燥剤８０の９０％以上が、略２から３オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質である。他の例示的な実施形態では、乾燥剤８０の２から３％が、パッケージ構造７０内部の接着剤及び／又はバインダによって放出される汚染物質ガスを捕捉するために５から１０オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質を含む。他の例示的な実施形態では、乾燥剤８０は、湿気を捕捉するためのゼオライト物質と、汚染物質ガスを捕捉するためのゼオライトではない化学ゲッタを含む。当業者は、本願で説明されるように、ゼオライト物質が無機バインダを含んでも含まなくてもよいことを理解されたい。
【００７３】
一実施形態では、バックプレート７４は、合成ゼオライト物質でインパクトスプレーされる。他の実施形態では、バックプレート７４は、天然ゼオライト物質でインパクトスプレーされる。例示的な実施形態では、合成又は天然ゼオライト物質の８０から９０％が、略２から３オングストロームの細孔径を有し、そのゼオライト物質の１０から２０％が３オングストローム以上の細孔径を有する。他の例示的な実施形態では、乾燥剤８０は、合成及び天然のゼオライト物質の両方を含む。
【００７４】
当業者は、乾燥剤８０をインパクトスプレーする特定の条件及びパラメータを変更及び最適化して、特定の厚さの薄層９０を生成することができることを理解されたい。例えば、バックプレート７４を乾燥剤８０でインパクトスプレーする時間の長さは、層９０の厚さに影響する。バックプレート７４からのノズル１０２の高さは、バックプレート７４上の乾燥剤８０の厚さ及び薄層９０の均一性に影響する。乾燥剤８０をバックプレート７４に印加する圧力は、乾燥剤８０がバックプレート７４に物理的に衝突して融合する程度、及び層９０の厚さに影響し得る。バックプレート７４の温度を上昇させることも、表面に対する乾燥剤粒子の接着を補助し得る。乾燥剤の形態も、層９０の生成及び厚さに影響を与え得る。例えば、１０マイクロメートルのサイズの粒子から実質的に構成された乾燥剤８０でバックプレート７４をインパクトスプレーすることは、バックプレート７４上への乾燥剤８０のインパクト（衝撃）、又は領域９４が生成される程度を減じ得る。従って、一実施形態では、乾燥剤８０がバックプレート７４と融合する程度は、乾燥剤８０がバックプレート７４に衝突する力に直接関係する。
【００７５】
また、乾燥剤８０及び関連する無機バインダ物質の組成も、層９０の形成及び厚さに影響を与え得る。乾燥剤８０は、例えば適切な無機バインダを含み得る。適切なバインダとして、ベントナイト、層状シリケート、ＭｇＯベース物質、炭素汚染の傾向の低い他の無機クレイ等のクレイが挙げられる。表１は、インパクトスプレーされたゼオライト乾燥剤表面の一例のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ，Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）からのデータを示す。下記に示されるように、乾燥剤の炭素含有量は非常に低くて、略３％である。
【００７６】
【表１】
【００７７】
当業者は、パッケージ構造７０内部の蒸気又は汚染物質の放出が、パッケージ内部の可動部のくっ付きをもたらして、装置を動作不能にし得ることを理解されたい。一部実施形態では、乾燥剤８０は、適切な無機バインダと組み合わされた後に、表面上にインパクトスプレーされる。他の実施形態では、適切な無機バインダを既に含んでいる市販の乾燥剤のペレット又はビーズを、所望の粒径の粉末に微粒化又は粉砕した後に、表面上にインパクトスプレーする。適切な粒径は、一部実施形態では２０から３０マイクロメートルである。適切な無機バインダを備えた乾燥剤を使用する例示的な実施形態では、乾燥剤及びバインダの組み合わせが表面上にインパクトスプレーされてパッケージ構造７０が封止された後に、観測可能な汚染物質の放出は生じない。一部実施形態では、有機放出蒸気の減少又は排除は、パッケージ構造７０内の可動膜上に蒸気が堆積することを防止又は低減する。
【００７８】
また、当業者は、ディスプレイ装置のサイズが増大すると、バックプレート７４の表面積も増大し、乾燥剤８０でインパクトスプレー可能であるより大きな表面積が提供されることも理解されたい。この乾燥剤８０が提供されるバックプレート７４の表面積の増大は、乾燥剤８０をより薄い層９０で適用することを可能にする。ノズル１０２の高さ、乾燥剤がブラストされる圧力、及び乾燥剤８０の形態は、層９０の厚さを減少させるように変更可能である。例示的な一実施形態では、ディスプレイ装置のサイズ及びバックプレート７４の表面積が増大すると、層９０の必要な厚さが減少する。
【００７９】
一実施形態では、乾燥剤８０は、実質的に平坦なバックプレート７４（平滑なガラス等）上にインパクトスプレーされる。このようなインパクトスプレーは、バックプレート７４上に融合した乾燥剤８０の薄くて均一な層の堆積に加えて、バックプレート７４からの一部物質の僅かなエッチング又は除去をもたらし得る。他の実施形態では、乾燥剤８０をインパクトスプレーすることは、バックプレート７４のエッチング、又はバックプレート７４からの物質の除去をもたらさない。他の例示的な実施形態では、まずバックプレート７４の表面が、従来のサンドブラスト法を用いた低インパクトスプレーで粗面化されて、その後、乾燥剤８０でインパクトスプレーされる。
【００８０】
他の実施形態では、ディスプレイを製造する方法は、乾燥剤８０を所望の粒径の粉末に微粒化又は粉砕するステップと、表面（バックプレートカバー等が挙げられるがこれに限られない）を、粉砕された乾燥剤微粒子の流れに晒して、乾燥剤をその表面上に融合させるステップを含む。一部実施形態では、乾燥剤８０は、２０から３０マイクロメートルの間の粒径に粉砕される。他の実施形態では、ビーズ又はペレットの乾燥剤８０は適切な無機バインダを含む。ビーズは、略２０から３０マイクロメートルの間の粒径に粉々にされて又は粉砕されて、その後、表面上にインパクトスプレーされる。例示的な実施形態では、乾燥剤８０は、略１０パーセントから６０パーセントの間のバインダを含む。
【００８１】
また、当業者は、関係する接触表面が適切なはり付き防止剤で処理されると、特定のＭＥＭＳ装置が最良に動作することを理解されたい。粒径１０オングストローム以上のゼオライト物質を略２０パーセントから４０パーセントの間で有する乾燥剤８０の一実施形態は、適切なはり付き防止剤（フッ素化界面活性剤、シラン、クロロシラン、官能化炭化水素等が挙げられるがこれらに限定されない）を提供する制御可能手段を提供する。一実施形態では、乾燥剤８０は、略２から３オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質を６０パーセントから８０パーセント備え、且つ略１０オングストロームの細孔径を有するゼオライト物質を２０パーセントから４０パーセント備える。
【００８２】
また、当業者は、表面に対して乾燥剤を融合させる方法が、本願で説明される特定の実施形態に限定されるものではないことを理解されたい。一部実施形態では、例えば、乾燥剤８０をバックプレート７４上に融合させるのに、熱スプレーとしても知られるプラズマスプレーが使用され得る。本願で説明される粉末化されたドライ乾燥剤は、プラズマトーチから発する高温プラズマジェット内に導入可能である。プラズマジェットは、１００００Ｋのオーダの温度に達し得る。乾燥剤８０は、プラズマジェット内に融解して、バックプレート７４に向けて伝えられる。衝突時には、乾燥剤の融解した小滴が、平らになり、急速に凝固して、堆積物を形成する。インパクトスプレーによって生成される乾燥剤の薄くて均一なコーティングと同様に、プラズマスプレーによって生成される堆積物は、バックプレート７４と融合して接着する。インパクトスプレーと同様に、複数の因子が、バックプレート７４上に堆積した乾燥剤層の厚さに影響する。このような因子として、乾燥剤８０の形態及び組成、プラズマガスの組成及び流速、バックプレート７４からプラズマトーチまでの距離が挙げられる。
【００８３】
〈実験１〉
従来のパッチ又はペーストの乾燥剤の湿気吸収性能を、本願で説明される乾燥剤処理されたバックプレートの湿気吸収性能と比較した。例えば、１５０マイクロメートルの厚さの乾燥剤パッチを含むパッケージ構造は、ディスプレイ装置の動作寿命中に３ミリグラムの水を吸収した。次に、バックプレートを、実質的に純粋な３オングストロームのゼオライト物質でインパクトスプレーして、厚さ１マイクロメートルの純粋なゼオライト物質の薄層を生成した。インパクトスプレーされた表面を水及び他の洗浄剤で洗浄して、ドライ環境で焼成して、残留水分を除去した。そして、乾燥剤処理されたバックプレートを、干渉変調器パッケージ構造に組み込んだ。結果物のガラスバックプレートは、ＭＥＭＳ装置内においてｉｎ−ｓｉｔｕ乾燥剤のように機能して、その装置の動作寿命中に略２．５ミリグラムの水を吸収した。
【００８４】
〈実験２〉
バックプレートにマスクを適用して、その後、バックプレートを粉末状の純粋なゼオライト物質の乾燥剤でインパクトスプレーした。インパクトスプレー後に、バックプレートを温水で洗浄してマスクを除去した。そして、バックプレートを試験して、乾燥剤がバックプレートに対して融合している程度を求めた。その試験により、従来のパッチ又はペーストの乾燥剤を用いたパッケージ構造に対して汚染物質粒子の数の増大がないことが明らかになった。更なる試験により、パックプレートが硬い表面のままであるような程度で乾燥剤がバックプレートに融合していることが明らかになった。乾燥剤は、バックプレートから洗い落ちず、又は、ディスプレイ装置の動作寿命中にキャビティ内に粉末粒子を放出しなかった。
【００８５】
当業者は、本願で説明されるインパクトスプレー法がＭＥＭ装置に限定されるものではないことを理解されたい。本願で説明される乾燥剤処理された表面は、ＯＬＥＤやＬＣＤ装置等の湿気又はバインダ又は溶媒のガス放出に敏感なディスプレイ装置において使用可能である。更に、当業者は、本願で説明される乾燥剤処理が、ガラス表面に限定されるものではなく、セラミック、ポリマー、金属等の物質（これらに限定されるものではない）に対して採用可能であることを理解されたい。更に、インパクトスプレーは、バックプレートに限定されるものではなく、ディスプレイパッケージの何らかの表面を、ディスプレイパッケージの乾燥剤として機能するように変更可能であることを理解されたい。例えば、基板７２又は封止剤７８が、乾燥剤物質でインパクトスプレーされ得る。
【００８６】
当業者は、本願で開示される実施形態に関して説明される多様な例示的な論理ブロック、モジュール、回路、及びアルゴリズムステップが、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、又はこれらの組み合わせとして実現されることを理解されたい。多様な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路、及びステップについて、それらの機能性に関しては一般的に説明してきた。その機能性がハードウェアとして又はソフトウェアとして実現されるかどうかは、特定の応用、及びシステム全体に課される設計制限に依存する。当業者は、そうした状況下におけるハードウェアとソフトウェアとの可換性、各特定の応用に対する機能性を如何にして最善に実現するのかという点を認識されたい。例えば、本願で開示される実施形態に関して説明される多様な例示的な論理ブロック、モジュール、回路、及びアルゴリズムステップは、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ，ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、特定用途集積回路（ＡＳＩＣ，ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ，ｆｉｅｌｄ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｇａｔｅ ａｒｒａｙ）、他のプログラマブル論理装置、離散ゲート又はトランジスタロジック、離散ハードウェア構成要素（例えば、レジスタ及びＦＩＦＯ等）、一組のファームウェア命令を実行するプロセッサ、従来のプログラマブルソフトウェアモジュール、プロセッサ、又はこれらの組み合わせと共に、実現又は実施され得る。
【００８７】
プロセッサはマイクロプロセッサであり得るが、その代わりに、プロセッサは、従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、又は状態機械でもよい。ソフトウェアモジュールは、ＲＡＭメモリ、フラッシュメモリ、ＲＯＭメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ‐ＲＯＭ、又は当該分野において既知の他の形式の記憶媒体内に存在し得る。更に、当業者は、上記説明全体にわたって参照可能なデータ、指示、命令、情報、信号、ビット、シンボル、及びチップが、電圧、電流、電磁波、磁場若しくは磁性粒子、光場若しくは光学的粒子、又はこれらの組み合わせによって表されることを理解されたい。
【００８８】
好ましい実施形態についての上記説明は、当業者が開示される実施形態を作製又は使用することを可能にするために提供されるものである。当業者には、これらの実施形態に対する多様な変更が容易に理解されるものであり、本願で説明される一般的な原理は、発明力がなくても、他の実施形態に適用可能である。従って、開示される実施形態は、本願で示される実施形態に限定されることを意図したものではなく、本願で開示される原理及び新規特徴と矛盾しない最大限の範囲で認められるものである。
【符号の説明】
【００８９】
７０ パッケージ構造
７２ 基板
７４ バックプレート、キャップ
７６ 干渉変調器アレイ
７８ 封止剤
７０ キャビティ
８０ 乾燥剤
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置を備えた第一の基板と、
バックプレートカバーであって、前記第一の基板と該バックプレートカバーとの間においてパッケージ内部に前記電子装置を封止するバックプレートカバーと、
前記バックプレートカバー又は前記第一の基板の少なくとも一部の上に融合している乾燥剤とを備えた電子装置パッケージ。
【請求項２】
前記乾燥剤が実質的にドライなゼオライト物質を備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項３】
前記ゼオライト物質が略３オングストロームの細孔径を有する、請求項２に記載の電子装置パッケージ。
【請求項４】
前記ゼオライト物質が略３から１０オングストロームの間の細孔径を有する、請求項２に記載の電子装置パッケージ。
【請求項５】
前記バックプレートカバー又は前記第一の基板が、略０．５から５．０マイクロメートルの間の厚さの乾燥剤の層を備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項６】
前記乾燥剤が、略３オングストロームの細孔径を有する第一のゼオライト物質と、略３から１０オングストロームの間の細孔径を有する第二のゼオライト物質とを備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項７】
前記乾燥剤の略６０パーセント以上が、前記第一のゼオライト物質を備える、請求項６に記載の電子装置パッケージ。
【請求項８】
前記乾燥剤が、前記第二のゼオライト物質を略１０パーセントから４０パーセントの間で備える、請求項６に記載の電子装置パッケージ。
【請求項９】
前記乾燥剤の略６０パーセントから８０パーセントが前記第一のゼオライト物質を備え、前記乾燥剤の略２０パーセントから４０パーセントが前記第二のゼオライト物質を備え、前記第二のゼオライト物質が略１０オングストロームの細孔径を有する、請求項６に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１０】
前記第二のゼオライト物質が、フッ素化界面活性剤、シラン、クロロシラン、又は官能化炭化水素を備える、請求項９に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１１】
前記乾燥剤が、略４０パーセントから９０パーセントの間のドライなゼオライト物質と、略１０パーセントから６０パーセントの間のドライな無機バインダとを備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１２】
前記無機バインダが、ベントナイト、シリケート、酸化マグネシウム、及び無機クレイのうち一つを備える、請求項１１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１３】
前記乾燥剤が、ゼオライト、分子篩、表面吸着剤、バルク吸着剤、及び化学反応体のうち少なくとも一つを備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１４】
前記乾燥剤が、無機酸化物、金属、及び蛍光体のうち一つを備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１５】
前記電子装置がディスプレイ装置を備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１６】
前記電子装置がＭＥＭＳ装置を備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１７】
前記ディスプレイ装置が有機発光ダイオード装置を備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１８】
前記ディスプレイ装置が干渉変調器ディスプレイ装置を備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１９】
前記電子装置と通信して、画像データを処理するように構成されたプロセッサと、
前記プロセッサと通信するように構成されたメモリ装置とを更に備えた請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項２０】
前記電子装置に少なくとも一つの信号を送信するように構成されたドライバ回路を更に備えた請求項１９に記載の電子装置パッケージ。
【請求項２１】
前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部を送信するように構成された制御装置を更に備えた請求項２０に記載の電子装置パッケージ。
【請求項２２】
前記プロセッサに前記画像データを送信するように構成された画像ソースモジュールを更に備えた請求項１９に記載の電子装置パッケージ。
【請求項２３】
前記画像ソースモジュールが、受信機、送受信機、及び送信機のうち少なくとも一つを備える、請求項２２に記載の電子装置パッケージ。
【請求項２４】
入力データを受信して、前記プロセッサと前記入力データを通信するように構成された入力装置を更に備えた請求項１９に記載の電子装置パッケージ。
【請求項２５】
電子装置を備えた第一の基板を提供するステップと、
バックプレートカバーを提供するステップと、
前記バックプレートカバー又は前記第一の基板の少なくとも一部の上に乾燥剤を融合させるステップと、
前記バックプレートカバーを前記第一の基板に結合させて、電子装置を形成するステップとを備えた電子装置の製造方法。
【請求項２６】
前記乾燥剤を融合させるステップが、前記乾燥剤をインパクトスプレーするステップを備える、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項２７】
前記バックプレートカバーの一部を前記乾燥剤で選択的にインパクトスプレーするために、前記バックプレートカバーの上にマスクを提供するステップを更に備えた請求項２５に記載の製造方法。
【請求項２８】
前記乾燥剤を融合させるステップが、前記乾燥剤をプラズマスプレーするステップを備える、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項２９】
前記電子装置がＭＥＭＳ装置を備える、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項３０】
前記電子装置が干渉変調器アレイを備える、請求項２９に記載の製造方法。
【請求項３１】
前記電子装置が有機発光ダイオード装置を備える、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項３２】
前記電子装置が携帯電話を備える、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項３３】
前記電子装置がディスプレイ装置を備える、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項３４】
ディスプレイ装置を支持するための支持手段と、
前記ディスプレイ装置を覆いパッケージを形成するための被覆手段と、
前記パッケージを乾燥させるための乾燥手段とを備えた電子ディスプレイであって、
前記乾燥手段が、前記被覆手段上に融合した乾燥剤を備える、電子ディスプレイ。
【請求項３５】
前記支持手段が透明基板を備える、請求項３４に記載の電子ディスプレイ。
【請求項３６】
前記被覆手段がバックプレートを備える、請求項３４に記載の電子ディスプレイ。
【請求項３７】
前記乾燥手段が、インパクトスプレーされた乾燥剤を備える、請求項３４に記載の電子ディスプレイ。
【請求項３８】
前記インパクトスプレーされた乾燥剤がゼオライトを備える、請求項３７に記載の電子ディスプレイ。
【請求項３９】
融合された乾燥剤を備えた表面。
【請求項４０】
前記表面が第二の表面に対して封止されてパッケージを形成し、前記乾燥剤が前記パッケージ内部に融合している、請求項３９に記載の表面。
【請求項４１】
前記乾燥剤がゼオライトである、請求項３９に記載の表面。
【請求項４２】
前記表面がガラス表面を備える、請求項３９に記載の表面。
【請求項４３】
表面に乾燥剤を融合させる方法であって、
表面を提供するステップと、
前記表面上に乾燥剤をインパクトスプレーするステップとを備え、前記乾燥剤が前記表面に融合する、方法。
【請求項４４】
前記表面がガラスである、請求項４３に記載の方法。
【請求項１】
電子装置を備えた第一の基板と、
バックプレートカバーであって、前記第一の基板と該バックプレートカバーとの間においてパッケージ内部に前記電子装置を封止するバックプレートカバーと、
前記バックプレートカバー又は前記第一の基板の少なくとも一部の上に融合している乾燥剤とを備えた電子装置パッケージ。
【請求項２】
前記乾燥剤が実質的にドライなゼオライト物質を備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項３】
前記ゼオライト物質が略３オングストロームの細孔径を有する、請求項２に記載の電子装置パッケージ。
【請求項４】
前記ゼオライト物質が略３から１０オングストロームの間の細孔径を有する、請求項２に記載の電子装置パッケージ。
【請求項５】
前記バックプレートカバー又は前記第一の基板が、略０．５から５．０マイクロメートルの間の厚さの乾燥剤の層を備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項６】
前記乾燥剤が、略３オングストロームの細孔径を有する第一のゼオライト物質と、略３から１０オングストロームの間の細孔径を有する第二のゼオライト物質とを備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項７】
前記乾燥剤の略６０パーセント以上が、前記第一のゼオライト物質を備える、請求項６に記載の電子装置パッケージ。
【請求項８】
前記乾燥剤が、前記第二のゼオライト物質を略１０パーセントから４０パーセントの間で備える、請求項６に記載の電子装置パッケージ。
【請求項９】
前記乾燥剤の略６０パーセントから８０パーセントが前記第一のゼオライト物質を備え、前記乾燥剤の略２０パーセントから４０パーセントが前記第二のゼオライト物質を備え、前記第二のゼオライト物質が略１０オングストロームの細孔径を有する、請求項６に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１０】
前記第二のゼオライト物質が、フッ素化界面活性剤、シラン、クロロシラン、又は官能化炭化水素を備える、請求項９に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１１】
前記乾燥剤が、略４０パーセントから９０パーセントの間のドライなゼオライト物質と、略１０パーセントから６０パーセントの間のドライな無機バインダとを備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１２】
前記無機バインダが、ベントナイト、シリケート、酸化マグネシウム、及び無機クレイのうち一つを備える、請求項１１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１３】
前記乾燥剤が、ゼオライト、分子篩、表面吸着剤、バルク吸着剤、及び化学反応体のうち少なくとも一つを備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１４】
前記乾燥剤が、無機酸化物、金属、及び蛍光体のうち一つを備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１５】
前記電子装置がディスプレイ装置を備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１６】
前記電子装置がＭＥＭＳ装置を備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１７】
前記ディスプレイ装置が有機発光ダイオード装置を備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１８】
前記ディスプレイ装置が干渉変調器ディスプレイ装置を備える、請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項１９】
前記電子装置と通信して、画像データを処理するように構成されたプロセッサと、
前記プロセッサと通信するように構成されたメモリ装置とを更に備えた請求項１に記載の電子装置パッケージ。
【請求項２０】
前記電子装置に少なくとも一つの信号を送信するように構成されたドライバ回路を更に備えた請求項１９に記載の電子装置パッケージ。
【請求項２１】
前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部を送信するように構成された制御装置を更に備えた請求項２０に記載の電子装置パッケージ。
【請求項２２】
前記プロセッサに前記画像データを送信するように構成された画像ソースモジュールを更に備えた請求項１９に記載の電子装置パッケージ。
【請求項２３】
前記画像ソースモジュールが、受信機、送受信機、及び送信機のうち少なくとも一つを備える、請求項２２に記載の電子装置パッケージ。
【請求項２４】
入力データを受信して、前記プロセッサと前記入力データを通信するように構成された入力装置を更に備えた請求項１９に記載の電子装置パッケージ。
【請求項２５】
電子装置を備えた第一の基板を提供するステップと、
バックプレートカバーを提供するステップと、
前記バックプレートカバー又は前記第一の基板の少なくとも一部の上に乾燥剤を融合させるステップと、
前記バックプレートカバーを前記第一の基板に結合させて、電子装置を形成するステップとを備えた電子装置の製造方法。
【請求項２６】
前記乾燥剤を融合させるステップが、前記乾燥剤をインパクトスプレーするステップを備える、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項２７】
前記バックプレートカバーの一部を前記乾燥剤で選択的にインパクトスプレーするために、前記バックプレートカバーの上にマスクを提供するステップを更に備えた請求項２５に記載の製造方法。
【請求項２８】
前記乾燥剤を融合させるステップが、前記乾燥剤をプラズマスプレーするステップを備える、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項２９】
前記電子装置がＭＥＭＳ装置を備える、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項３０】
前記電子装置が干渉変調器アレイを備える、請求項２９に記載の製造方法。
【請求項３１】
前記電子装置が有機発光ダイオード装置を備える、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項３２】
前記電子装置が携帯電話を備える、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項３３】
前記電子装置がディスプレイ装置を備える、請求項２５に記載の製造方法。
【請求項３４】
ディスプレイ装置を支持するための支持手段と、
前記ディスプレイ装置を覆いパッケージを形成するための被覆手段と、
前記パッケージを乾燥させるための乾燥手段とを備えた電子ディスプレイであって、
前記乾燥手段が、前記被覆手段上に融合した乾燥剤を備える、電子ディスプレイ。
【請求項３５】
前記支持手段が透明基板を備える、請求項３４に記載の電子ディスプレイ。
【請求項３６】
前記被覆手段がバックプレートを備える、請求項３４に記載の電子ディスプレイ。
【請求項３７】
前記乾燥手段が、インパクトスプレーされた乾燥剤を備える、請求項３４に記載の電子ディスプレイ。
【請求項３８】
前記インパクトスプレーされた乾燥剤がゼオライトを備える、請求項３７に記載の電子ディスプレイ。
【請求項３９】
融合された乾燥剤を備えた表面。
【請求項４０】
前記表面が第二の表面に対して封止されてパッケージを形成し、前記乾燥剤が前記パッケージ内部に融合している、請求項３９に記載の表面。
【請求項４１】
前記乾燥剤がゼオライトである、請求項３９に記載の表面。
【請求項４２】
前記表面がガラス表面を備える、請求項３９に記載の表面。
【請求項４３】
表面に乾燥剤を融合させる方法であって、
表面を提供するステップと、
前記表面上に乾燥剤をインパクトスプレーするステップとを備え、前記乾燥剤が前記表面に融合する、方法。
【請求項４４】
前記表面がガラスである、請求項４３に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図８】
【図８Ａ】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図８】
【図８Ａ】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図９】
【公表番号】特表２０１２−５１８２７７（Ｐ２０１２−５１８２７７Ａ）
【公表日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５５０１５１（Ｐ２０１１−５５０１５１）
【出願日】平成２２年１月２７日（２０１０．１．２７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０２２２８１
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／０９３５２２
【国際公開日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ
２．ＧＳＭ
【出願人】（５０８０９５３３７）クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド (133)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月２７日（２０１０．１．２７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０２２２８１
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／０９３５２２
【国際公開日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ
２．ＧＳＭ
【出願人】（５０８０９５３３７）クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド (133)
【Ｆターム（参考）】
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