撮像装置
【課題】 電子的観察状態でも広い測光レンジを確保し、かつフラッシュ撮影時のレリーズタイムラグを短縮する。
【解決手段】 撮像装置１００は、光路切換部材１と、撮像素子１４の露光量を制御するシャッタ９と、第１の受光素子１２とを有する。また、光路切換部材を第２の位置に配置してシャッタを開くことにより電子表示素子２８を用いた被写体の電子的観察を可能とし、かつ被写体を照明するフラッシュユニット４００の発光を制御する制御ユニット５０を有する。制御ユニットは、電子的観察状態からのフラッシュ撮像を行う場合において、該フラッシュ撮像の前にシャッタを閉じ動作させ、該シャッタでの反射光を受けた第１の受光素子からの出力に基づいてフラッシュユニットの発光量を設定する。
【解決手段】 撮像装置１００は、光路切換部材１と、撮像素子１４の露光量を制御するシャッタ９と、第１の受光素子１２とを有する。また、光路切換部材を第２の位置に配置してシャッタを開くことにより電子表示素子２８を用いた被写体の電子的観察を可能とし、かつ被写体を照明するフラッシュユニット４００の発光を制御する制御ユニット５０を有する。制御ユニットは、電子的観察状態からのフラッシュ撮像を行う場合において、該フラッシュ撮像の前にシャッタを閉じ動作させ、該シャッタでの反射光を受けた第１の受光素子からの出力に基づいてフラッシュユニットの発光量を設定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一眼レフデジタルカメラ等の撮像装置に関し、さらに詳しくは、フラッシュ撮影が可能な撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１０および図１１には、本出願人が提案している一眼レフデジタルカメラの概略構成を示している（特許文献１参照）。同図において、８０１はカメラボディ、８２０はカメラボディ８０１に対して着脱可能な撮影レンズ（交換レンズ）である。８０２は撮影レンズ８２０からの光束をファインダ光学系に導くダウン位置（図１０）と該光束を撮像素子に向かわせるアップ位置（図１１）とに移動可能な光路切換部材としてのミラーである。
【０００３】
８０３はピント板、８０４はペンタプリズム、８０５はアイピースである。８０６はシャッタ、８０７はＣＣＤセンサ等の撮像素子である。また、８０８は液晶ディスプレイ等の画像表示素子である。
【０００４】
さらに、８１０は測光センサであり、被写体の測光を行う。８０９は測光レンズであり、撮影レンズ８２０によりピント板８０３上に結像された被写体像を、測光センサ８１０上に再結像するためのレンズである。８２１は光量を調節する絞りである。
【０００５】
８３０はカメラボディ８２０に着脱可能な外付けフラッシュユニットである。８３１はキセノン（Ｘｅ）管、８３２，８３３はＸｅ管８３１から発せられた光を集光して、被写体に対して照射する反射笠とフレネルレンズである。
【０００６】
このカメラでは、撮影直前にフラッシュユニット８３０（Ｘｅ管８３１）を所定の光量で予備発光させ、該予備発光による被写体輝度を測光センサ８１０を用いて測光する。そして、その測光結果と設定された絞り値と撮像素子８０７の感度等に応じた適正露光量に対する偏差を求め、その偏差に相当する光量を加算することで、撮影時の本発光量を決定する。
【０００７】
測光センサ８１０は、公知の対数圧縮アンプを介して測光を行うので、２０段程度のレンジを測光することが可能である。これにより、近接した被写体から遠距離の被写体まで正確に測光することが可能である。
【０００８】
このような一眼レフデジタルカメラにおいては、従来ファインダ光学系を介して被写体観察を行うことが一般的であったが、最近では、液晶ディスプレイ等の画像表示素子を介して被写体観察を行う機能（電子ビューファインダ機能）が要求されている。この電子ビューファインダ機能を実現するには、図１２に示す撮影時と同様に、ミラー８０２をアップ位置に配置して、シャッタ８０６を開放し、撮像素子８０７を用いて被写体画像を生成して画像表示素子８０８に表示すればよい。
【特許文献１】特開平９−６１８９８号公報（段落００１３〜００３１、図１等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、ミラー８０３がアップ位置に配置されている状態では、測光センサ８１０に撮影レンズ８２０からの光束を導くことができないので、測光を行うことができない。このため、電子ビューファインダを使用している状態から測光センサ８１０を用いて予備発光時の測光を行うためには、図１１の状態からミラー８０３を一旦ダウン位置に移動させて図１０の状態として予備発光および測光を行う必要がある。そして、予備発光の後は、ミラー８０３を再びアップ位置に移動させて撮像および本発光を行う。したがって、撮像が指示されてから実際の撮像を行うまでの時間（レリーズタイムラグ）が長くなってしまう。
【００１０】
なお、予備発光時の測光を撮像素子８０７を測光センサとして用いて行うことも可能である。しかし、一般的な撮像素子のダイナミックレンジは約８段であり、これを越えた測光を行うことはできない。特に、撮像素子の出力のリニアリティを考慮すると、４〜５段程度のレンジでしか測光できないのが実情である。したがって、撮像素子では近距離から遠距離までの被写体測光をカバーすることができない。このため、外付けフラッシュユニットの特徴である大光量発光の能力を生かすことができない。
【００１１】
また、予備発光時に取得した画像の明るさレベルが撮像素子のダイナミックレンジに入るまで予備発光量を順次変更しながら予備発光と測光を繰り返すことにより、測光レンジを広げることは可能である。しかし、この方法でも、レリーズタイムラグが長くなってしまうという問題がある。
【００１２】
本発明は、電子ビューファインダを使用した状態（電子的観察状態）でも広い測光レンジを確保でき、かつフラッシュ撮影時のレリーズタイムラグを短縮することができるようにした撮像装置を提供することを目的の１つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一側面としての撮像装置は、被写体像の光電変換を行う撮像素子と、該撮像素子を用いて得られた画像を表示する電子表示素子と、ファインダ光学系と、被写体からの光束をファインダ光学系に導く第１の位置および被写体からの光束を撮像素子に向かわせる第２の位置に移動可能な光路切換部材と、撮像素子の露光量を制御するシャッタと、第１の受光素子とを有する。さらに、該撮像装置は、光路切換部材を第２の位置に配置してシャッタを開くことにより電子表示素子を用いた被写体の電子的観察を可能とし、かつ被写体を照明するフラッシュユニットの発光を制御する制御ユニットとを有する。そして、制御ユニットは、電子的観察状態からのフラッシュ撮像を行う場合において、該フラッシュ撮像の前にシャッタを閉じ動作させ、該シャッタでの反射光を受けた第１の受光素子からの出力に基づいてフラッシュユニットの発光量を設定することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の他の側面としての撮像装置は、被写体像の光電変換を行う撮像素子と、該撮像素子を用いて得られた画像を表示する電子表示素子と、ファインダ光学系と、被写体からの光束をファインダ光学系に導く第１の位置および被写体からの光束を撮像素子に向かわせる第２の位置に移動可能な光路切換部材と、被写体から撮像素子への光路上に配置され、電気的に透過率を制御可能な光学電気素子と、第１の受光素子とを有する。さらに、該撮像装置は、光路切換部材を第２の位置に配置して光学電気素子の透過率を第１の透過率に設定することにより電子表示素子を用いた被写体の電子的観察を可能とし、かつ被写体を照明するフラッシュユニットの発光を制御する制御ユニットを有する。そして、制御ユニットは、電子的観察状態からのフラッシュ撮像を行う場合において、該フラッシュ撮像の前に、光学電気素子の透過率を第１の透過率よりも低い第２の透過率に設定し、該光学電気素子での反射光を受けた第１の受光素子からの出力に基づいてフラッシュユニットの発光量を設定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電子的観察状態からフラッシュ撮像を行う場合に、撮像素子とは別の第１の受光素子を用いて測光を行い、該測光結果に基づいてフラッシュ発光量を設定することができる。このため、撮像素子を用いて測光を行う場合に比べて広い測光レンジを確保することができ、近距離被写体から遠距離被写体に対するフラッシュユニットの発光量を適切に設定することができる。
【００１６】
しかも、光路切換部材を第１の位置と第２の位置との間で移動させることなく測光からフラッシュ撮像までを行うことができるので、光路切換部材を移動させる場合に比べて、レリーズタイムラグを短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１には、本発明の実施例１である一眼レフカメラシステムの構成を示している。図１において、１００は撮像装置としての一眼レフデジタルカメラ本体（以下、単にカメラ本体という）であり、３００は該カメラ本体１００に着脱可能な交換式撮影レンズ（以下、単に撮影レンズという）である。
【００１９】
カメラ本体１００において、１は主ミラーであり、光学ファインダ観察状態では撮影光路内に配置され（この位置を以下、ダウン位置という）、電子ファインダ観察状態および撮影状態では撮影光路外に退避する（この位置を以下、アップ位置という）。主ミラー１はハーフミラーによって構成されており、ダウン位置に配置されているときは、撮影レンズ３００からの光束の一部を透過させる。
【００２０】
２はピント板であり、このピント板２には、撮影レンズ３００により形成された被写体像が、撮影光路内に配置された主ミラー１で反射されて投影される。
【００２１】
３はサブミラーであり、光学ファインダ観察状態においては、ダウン位置に配置された主ミラー１の背後に配置され（この位置を以下、ダウン位置という）、電子ファインダ観察状態および撮影状態では、アップ位置に配置された主ミラー１と同様に撮影光路外に退避する（この位置を以下、アップ位置という）。サブミラー３は、光学ファインダ観察状態において、主ミラー１を透過した光束を下方に反射して、後述する焦点検出ユニット８に導く。
【００２２】
４はピント板２からの光束をアイピース５および後述する測光センサ７に導くペンタプリズムである。撮影者はアイピース５からピント板２を観察することで、被写体像を観察することができる。この状態を、以下、光学ファインダモード（ＯＶＦモード：光学的観察状態）と称する。
【００２３】
測光センサ７は、ペンタプリズム４から射出した光束を結像レンズ６を介して受光する。第２の受光素子を含む測光センサ７は、受光強度に応じた信号を出力し、該出力は、ファインダ観察画面内の被写体輝度を測定するために用いられる。測光センサ７は、内部に公知の対数圧縮回路を備えており、その出力は対数圧縮されたものとなる。
【００２４】
焦点検出ユニット８は、サブミラー３からの光束を用いて一対又は複数対の被写体像を不図示のラインセンサ上に形成する。そして、該被写体像間の間隔（位相差）に応じた信号を出力する。これにより、位相差検出方式での焦点検出を行うことができる。
【００２５】
９はフォーカルプレーンシャッタであり、先幕と後幕を走行させて、後述する撮像素子１４に対する露光量を制御する。本実施例では、後述するように、ＥＶＦモードにおいて、先幕のうち被写体側の面（以下、単に先幕面という）に形成された被写体像の測光を行うため、先幕面に入射光束を拡散反射させるための処理を施している。但し、撮像時における先幕面での乱反射によるゴーストの発生を回避するよう配慮されている。
【００２６】
撮像素子１４は、ＣＣＤセンサやＣＭＯＳセンサ等から構成される光電変換素子である。
【００２７】
１１は結像レンズであり、主ミラー１およびサブミラー３がアップ位置に配置された状態でのフラッシュ調光制御時において、フォーカルプレンシャッタ９の先幕面に形成された被写体像（つまりは、先幕面からの反射光）を、第１の受光素子を含む調光センサ１２上に結像させる。調光センサ１２は、測光センサ７と同様に、内部に公知の対数圧縮回路を備えており、その出力は対数圧縮されたものとなる。
【００２８】
１６は撮像素子１４からのアナログ信号出力をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器である。１８は撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６およびＤ／Ａ変換器２６にクロック信号や制御信号を供給するタイミング発生回路であり、メモリ制御回路２２および制御ユニットとしてのシステムコントローラ５０により制御される。
【００２９】
２０は画像処理回路であり、Ａ／Ｄ変換器１６からのデータ又はメモリ制御回路２２からのデータに対して画素補間処理や色変換処理等の所定の処理を施す。画像処理回路２０は、撮像された画像データに対して所定の演算処理を行い、得られた演算結果に基づいて、ＴＴＬ方式のＡＷＢ（オートホワイトバランス）処理も行う。
【００３０】
メモリ制御回路２２は、システムコントローラ５０からの指令に応じて、Ａ／Ｄ変換器１６、タイミング発生回路１８、画像処理回路２０、画像表示メモリ２４、Ｄ／Ａ変換器２６、メモリ３０および圧縮・伸長回路３２を制御する。
【００３１】
Ａ／Ｄ変換器１６からの出力データは、画像処理回路２０およびメモリ制御回路２２を介して画像表示メモリ２４又ははメモリ３０に書き込まれる。なお、Ａ／Ｄ変換器１６からの出力データが、メモリ制御回路２２から画像表示メモリ２４又はメモリ３０に書き込まれるようにしてもよい。
【００３２】
２８はＴＦＴ，ＬＣＤ等から構成される画像表示パネルである。画像表示メモリ２４に書き込まれた表示用の画像データは、Ｄ／Ａ変換器２６を介して画像表示パネル２８に表示される。
【００３３】
主ミラー１およびサブミラー３がアップし、シャッタ９が開いた状態で、撮像素子１４からの出力信号を処理して生成された映像を画像表示パネル２８に表示すれば、電子ファインダ機能を実現することができる。この状態を、以下、電子ファインダモード（ＥＶＦモード：電子的観察状態）と称する。
【００３４】
メモリ３０は生成された静止画像や動画像を格納するためのメモリであり、所定数の静止画像や所定時間の動画像を格納するのに十分な記憶容量を備えている。また、メモリ３０は、システムコントローラ５０の作業領域メモリとしても使用される。
【００３５】
３２は適応離散コサイン変換（ＡＤＣＴ）等により画像データを圧縮伸長する圧縮・伸長回路であり、メモリ３０に格納された画像を読み込んで圧縮処理や伸長処理を行い、処理を終えたデータをメモリ３０に書き込む。
【００３６】
４０はフォーカルプレンシャッタ９を制御するシャッタ制御回路であり、４１は主ミラー１およびサブミラー３をアップ位置とダウン位置との間で移動させるモータとその駆動回路とからなるミラー制御回路である。
【００３７】
システムコントローラ５０は、カメラ本体１００の動作全体を制御する。５２はシステムコントローラ５０の動作用の定数、変数、プログラム等を記憶するメモリである。
【００３８】
５４はシステムコントローラ５０でのプログラムの実行に応じて、文字、画像、音声等を用いて動作状態やメッセージ等を表示する情報表示ユニットであり、動作音や警告音を発する発音素子やスピーカを備えている。この情報表示ユニット５４は、ＬＣＤやＬＥＤ等により構成され、カメラ本体１００の外面うち視認し易い位置に１つ又は複数設置されている。また、情報表示ユニット５４には、ピント板２の下部に所定の情報を表示するものも含まれている。
【００３９】
情報表示ユニット５４のうち、カメラ本体１００の外面に設けられた情報表示ユニットには、シングルショット／連写、セルフタイマー、画像圧縮率、記録画素数、記録枚数、残撮影可能枚数、シャッタスピード、絞り値、露出補正値、フラッシュＯＮ、赤目緩和モード、マクロ撮影、ブザー設定、電池残量、日付け・時刻、等が表示される。
【００４０】
また、ピント板２の下部に設けられた情報表示ユニットには、合焦、手振れ警告、フラッシュ充電、シャッタスピード、絞り値、露出補正値、等が表示される。
【００４１】
５６は電気的に消去・記録可能な不揮発性メモリであり、例えばＥＥＰＲＯＭが用いられる。
【００４２】
６０、６２、６４、６６、６８および７０は、システムコントローラ５０の各種動作の指示を入力するための操作部材であり、スイッチ、ダイアル、タッチパネルを含み、さらに視線検知によるポインティング装置や音声認識装置等も含む。
【００４３】
モードダイアルスイッチ６０は、電源のオン／オフを行ったり、撮影モード、再生モード、消去モードおよびＰＣ接続モード等の各機能モードを設定したりするために操作される操作部材である。
【００４４】
シャッタスイッチ（ＳＷ１）６２は、不図示のシャッタボタンの第１ストローク操作（半押し操作）によってオンとなり、ＡＦ（オートフォーカス）処理、ＡＥ（自動露出）処理等の撮像準備動作の開始を指示するための操作部材である。
【００４５】
シャッタスイッチ（ＳＷ２）６４は、シャッタボタンの第２ストローク操作（全押し操作）でオンとなる。このシャッタスイッチ６４のオンにより、システムコントローラ５０は一連の撮像処理の開始が指示される。撮像処理には、シャッタ制御回路４０やフラッシュユニット４００を動作させて撮像素子１４を露光させる露光処理が含まれる。また、撮像素子１４から読み出された信号をＡ／Ｄ変換器１６およびメモリ制御回路２２を介して画像データとしてメモリ３０に書き込む読み出し処理も含まれる。さらに、画像処理回路２０やメモリ制御回路２２での演算を用いた現像処理や、メモリ３０から画像データを読み出して圧縮・伸長回路３２で圧縮を行って記録媒体２００に画像データを書き込む記録処理も含まれる。
【００４６】
ファインダモード設定スイッチ６６は、撮影時にＯＶＦモードとＥＶＦモードのうち一方を選択するために操作される。この機能を利用して、光学ファインダを用いて撮影を行う際に画像表示パネル２８への電流供給を遮断することにより、省電力を図ることが可能となる。
【００４７】
クイックレビューＯＮ／ＯＦＦスイッチ６８は、撮影直後に、撮影画像データを自動再生するクイックレビュー機能を設定するための操作部材である。
【００４８】
操作部７０は、メニューボタン、セットボタン、マクロボタン、マルチ画面再生改ページボタン、単写／連写／セルフタイマー切換ボタン、メニュー移動ボタン、再生画像移動ボタン、撮影画質選択ボタン、露出補正ボタン、日付／時間設定ボタン等の各種ボタンやタッチパネルを有する。
【００４９】
８０は電源制御回路であり、電池検出回路、ＤＣ−ＤＣコンバータ、通電ブロックを切り換えるスイッチ回路等により構成されている。電源制御回路８０は、電池の装着の有無、電池の種類、電池残量の検出を行い、検出結果およびシステムコントローラ５０からの指示に基づいて、ＤＣ−ＤＣコンバータを制御し、必要な電圧を必要な期間、記録媒体２００を含む各部へ供給する。
【００５０】
８２、８４はコネクタ、８６はアルカリ電池やリチウム電池等の一次電池やＮｉＣｄ電池やＮｉＭＨ電池、Ｌｉ電池等の二次電池、ＡＣアダプタ等からなる電源である。
【００５１】
９０は記録媒体２００とのインタフェース、９２は記録媒体２００と接続を行うコネクタ、９８はコネクタ９２に記録媒体２００が接続されているか否かを検知する記録媒体検知回路である。
【００５２】
１１０は通信回路であり、ＲＳ２３２ＣやＵＳＢ、ＩＥＥＥ１３９４、Ｐ１２８４、ＳＣＳＩ、モデム、ＬＡＮ、無線通信等の各種通信機能を有する。１１２は通信回路１１０によりカメラ本体１００を他の機器と接続するためのコネクタである。また、コネクタに代えて、無線通信を行うためのアンテナとしてもよい。
【００５３】
記録媒体２００は、半導体メモリや磁気ディスク、光ディスク等から構成される記録部２０２と、カメラ本体１００とのインタフェース２０４と、カメラ本体１００と接続を行うコネクタ２０６とを備えている。
【００５４】
３９９は後述する撮影レンズ３００とシステムコントローラ５０との通信を行う通信線であり、４９９は後述する外付けフラッシュユニット４００とシステムコントローラ５０との通信を行う通信線である。
【００５５】
撮影レンズ３００において、３０１は被写体像を撮像素子１４に結像する撮影光学系である。３０２は撮影光学系３０１に含まれるフォーカスレンズを光軸方向に駆動してピントを合わせるためのモータとその駆動回路からなるフォーカス制御回路である。
【００５６】
３０３は撮影光学系３０１に含まれるレンズの位置から被写体距離を検出するエンコーダを含む被写体距離検出回路である。３０４は撮影時の光量を調節する絞りである。３０５は絞り３０４を駆動するモータとその駆動回路からなる絞り制御回路である。
【００５７】
３０６は前述のフォーカス駆動や絞り駆動などを制御するとともに、カメラ本体１００側のシステムコントローラ５０との通信を制御するレンズ制御マイクロコンピュータである。
【００５８】
また、撮影レンズ３００は、レンズマウント３１０を介して、着脱可能にカメラ本体１００に装着される。また、電気的にはシリアル通信線と電源からなるコネクタ３１１でカメラ本体１００に接続される。
【００５９】
４００はフラッシュユニットである。４０１はキセノン（Ｘｅ）管、４０２は反射笠、４０３はＸｅ管４０１の発光を制御するＩＧＢＴ等で構成される発光制御回路である。４０４はＸｅ管４０１に給電する３００Ｖ程度の電圧を発生する充電回路である。４０５は充電回路４０４に給電する電池などの電源である。４０６はフラッシュユニット４００の発光、充電などを制御するとともに、システムコントローラ５０と通信を制御するフラッシュ制御マイクロコンピュータである。
【００６０】
また、フラッシュユニット４００は、ホットシュー４１０を介して着脱可能にカメラ本体１００に装着される。また、フラッシュユニット４００は、シリアル通信線とＸ端子（発光端子）からなるコネクタ４１１により、カメラ本体１００に電気的に接続される。
【００６１】
次に、図２から図７を用いて、本実施例のカメラシステムの動作について説明する。図２および図３には、本実施例のカメラ本体１００に搭載されたシステムコントローラ５０により実行される主ルーチンのフローチャートを示している。なお、以下の文中および図中の「Ｓ」はステップを示す。また、図２および図３において、同じ丸囲み文字が付されたラインは、互いに繋がっていることを示す。
【００６２】
電源オン操作や電池交換等の電源投入によって、システムコントローラ５０は、フラグや制御変数等を初期化し（Ｓ１０１）、画像表示部２８の画像表示をＯＦＦ状態に初期設定する（Ｓ１０２）。
【００６３】
システムコントローラ５０は、モードダイアル６０の設定位置を判断する（Ｓ１０３）。モードダイアル６０が電源ＯＦＦに設定されていたならば、各表示部の表示を終了状態に変更し、フラグや制御変数等を含む必要なパラメータや設定値、設定モードを不揮発性メモリ５６に記録する。そして、電源制御回路８０を通じて、画像表示パネル２８を含むカメラ本体１００の各部の不要な電源を遮断する等の所定の終了処理を行った後（Ｓ１０５）、Ｓ１０３に戻る。
【００６４】
Ｓ１０３において、モードダイアル６０が撮影モードに設定されていたならば、Ｓ１０６に進む。また、モードダイアル６０がその他のモードに設定されていたならば、システムコントローラ５０は、選択されたモードに応じた処理を実行し（Ｓ１０４）、処理を終えたならばＳ１０３に戻る。
【００６５】
システムコントローラ５０は、電源制御回路８０により電源８６の残容量やカメラ本体１００の動作状況に問題があるか否かを判断し（Ｓ１０６）、問題があるならば情報表示ユニット５４を用いて、画像や音声により所定の警告表示を行う（Ｓ１０８）。そして、Ｓ１０３に戻る。
【００６６】
電源８６に問題が無い場合は（Ｓ１０６）、システムコントローラ５０は、記録媒体２００の動作状態が、カメラ本体１００の記録媒体２００に対する画像データの記録再生動作において問題があるか否かを判断する（Ｓ１０７）。問題があるならば、情報表示ユニット５４を用いて、画像や音声により所定の警告表示を行った後（Ｓ１０８）、Ｓ１０３に戻る。
【００６７】
Ｓ１０７において、記録媒体２００の動作状態に問題が無いならば、情報表示ユニット５４を用いて、画像や音声によりカメラ本体１００の各種設定状態の表示を行う（Ｓ１０９）。なお、画像表示パネル２８の画像表示がＯＮであったならば、画像表示パネル２８も用いて、画像や音声によりカメラ本体１００の各種設定状態の表示を行う。
【００６８】
次に、システムコントローラ５０は、クイックレビューＯＮ／ＯＦＦスイッチ６８の設定状態を調べ（Ｓ１１０）、クイックレビューＯＮに設定されていたならばクイックレビューフラグを設定する（Ｓ１１１）。また、クイックレビューＯＦＦに設定されていたならば、クイックレビューフラグを解除する（Ｓ１１２）。なお、クイックレビューフラグは、システムコントローラ５０の内部メモリ或いはメモリ５２に記憶される。
【００６９】
続いて、システムコントローラ５０は、ファインダモード設定スイッチ６６の設定状態を調べ（Ｓ１１３）、画像表示ＯＮに設定されていたならば、ＥＶＦフラグを設定する（Ｓ１１４）。また、画像表示パネル２８の画像表示をＯＮに設定し（Ｓ１１５）、さらに撮像した画像データを逐次表示するスルー表示状態を設定する（Ｓ１１６）。その後、Ｓ１１９に進む。
【００７０】
スルー表示状態では、撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０およびメモリ制御回路２２を介して、画像表示メモリ２４に逐次書き込まれたデータを、メモリ制御回路２２およびＤ／Ａ変換器２６を介して画像表示パネル２８に逐次表示させる。これにより、電子ファインダ機能が実現される。
【００７１】
画像表示ＯＮ／ＯＦＦスイッチ６６が画像表示ＯＦＦに設定されていたならば（Ｓ１１３）、ＥＶＦフラグを解除し（Ｓ１１７）、さらに画像表示パネル２８の画像表示をＯＦＦに設定して（Ｓ１１８）、Ｓ１１９に進む。
【００７２】
画像表示ＯＦＦの場合は、画像表示パネル２８による電子ファインダ機能を使用せず、光学ファインダ１０４を用いて撮像を行う。この場合、電力消費量の大きい画像表示パネル２８やＤ／Ａ変換器２６等での電力消費を削減することが可能となる。なお、ＥＶＦフラグの状態は、システムコントローラ５０の内部メモリ或いはメモリ５２に記憶される。
【００７３】
Ｓ１１９において、シャッタスイッチＳＷ１が押されていないならば、Ｓ１０３に戻る。シャッタスイッチＳＷ１が押されたならば、システムコントローラ５０は、内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたＥＶＦフラグの状態を判断する（Ｓ１２０）。そして、ＥＶＦフラグが設定されていたならば、画像表示パネル２８の表示状態をフリーズ表示状態に設定して（Ｓ１２１）、Ｓ１２２に進む。
【００７４】
フリーズ表示状態においては、撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０およびメモリ制御回路２２を介した画像表示メモリ２４の画像データ書き換えが禁止される。そして、最後に書き込まれた画像データを、メモリ制御回路２２およびＤ／Ａ変換器２６を介して画像表示パネル２８により表示することにより、フリーズした画像を電子ファインダに表示する。
【００７５】
Ｓ１２０において、ＥＶＦフラグが解除されていたならば、Ｓ１２２に進む。
【００７６】
Ｓ１２２において、システムコントローラ５０は、焦点検出を行って撮影光学系３０１の焦点を被写体に合わせ、また測光処理を行って絞り値およびシャッタ時間を決定する（Ｓ１２２）。この測光・焦点検出処理（Ｓ１２２）の詳細については、図４を用いて後述する。
【００７７】
測光・焦点検出処理（Ｓ１２２）を終えると、システムコントローラ５０は、内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたＥＶＦフラグの状態を判断する（Ｓ１２３）。ＥＶＦフラグが設定されていたならば、画像表示パネル２８の表示状態をスルー表示状態に設定し（Ｓ１２４）、Ｓ１２５に進む。なお、Ｓ１２４でのスルー表示は、Ｓ１１６でのスルー表示と同じ動作により行われる。
【００７８】
Ｓ１２５において、シャッタスイッチＳＷ２が押されず、さらにシャッタスイッチＳＷ１の操作も解除されたならば（Ｓ１２６）、Ｓ１０３に戻る。
【００７９】
一方、Ｓ１２５において、シャッタスイッチＳＷ２が押されたならば、システムコントローラ５０は内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたＥＶＦフラグの状態を判断する（Ｓ１２７）。ＥＶＦフラグが設定されていたならば、画像表示パネル２８の表示状態を固定色表示状態に設定して（Ｓ１２８）、Ｓ１２９に進む。
【００８０】
固定色表示状態においては、撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０、メモリ制御回路２２を介して画像表示メモリ２４に書き込まれた撮影画像データを固定色の画像データに差し替える。この固定色の画像データが、メモリ制御回路２２およびＤ／Ａ変換器２６を介して画像表示パネル２８に表示されることにより、固定色の映像が電子ファインダに表示される。
【００８１】
Ｓ１２７において、ＥＶＦフラグが解除されていたならば、Ｓ１２９に進む。Ｓ１２９においては、システムコントローラ５０は、撮像素子１４の露光処理および書き込み処理を実行する。この露光および書き込み処理（Ｓ１２９）の詳細については図５および図６を用いて後述する。
【００８２】
露光処理が終了すると、システムコントローラ５０は、内部メモリ或いはメモリ５２に記憶されたクイックレビューフラグの状態を判断する（Ｓ１３０）。クイックレビューフラグが設定されていたならば、画像表示パネル２８の画像表示をＯＮに設定し（Ｓ１３１）、クイックレビュー表示を行う（Ｓ１３３）。
【００８３】
Ｓ１３０において、クイックレビューフラグが解除されていたならば、Ｓ１３４に進む。
【００８４】
Ｓ１３４において、システムコントローラ５０は、メモリ３０に書き込まれた撮影画像データを読み出して、メモリ制御回路２２および必要に応じて画像処理回路２０を用いて各種画像処理を実行する。また、圧縮・伸長回路３２を用いて、設定されたモードに応じた画像圧縮処理を行った後、記録媒体２００への画像データの書き込み（記録処理）を実行する。この記録処理（Ｓ１３４）の詳細については図７を用いて後述する。
【００８５】
記録処理Ｓ１３４が終了した際に、シャッタスイッチＳＷ２が押された状態であったならば（Ｓ１３５）、システムコントローラ５０は、内部メモリ或いはメモリ５２に記憶された連写フラグの状態を判断する（Ｓ１３６）。連写フラグが設定されていたならば、連続して露光を行うためにＳ１２９に戻り、次の露光を行う。
【００８６】
連写フラグが設定されていないならば（Ｓ１３６）、シャッタスイッチＳＷ２の操作が放されるまで（Ｓ１３５）、現在の処理を繰り返す。
【００８７】
このように、本実施例では、クイックレビュー表示を行う設定がなされている場合において、記録処理Ｓ１３４が終了した際にシャッタスイッチＳＷ２が押された状態であったときは、シャッタスイッチＳＷ２が放されるまでクイックレビュー表示を継続する。これにより、撮影画像の確認を入念に行うことができる。
【００８８】
記録処理Ｓ１３４が終了した際にシャッタスイッチＳＷ２の操作が解除された状態であったならば、所定のミニマムレビュー時間が経過した（Ｓ１３７）後、Ｓ１３８に進む。また、記録処理Ｓ１３４が終了した際にシャッタスイッチＳＷ２が押し続けられ、クイックレビュー表示を継続した後にシャッタスイッチＳＷ２の操作が解除されたときも（Ｓ１３５）、所定のミニマムレビュー時間が経過した（Ｓ１３７）後に、Ｓ１３８に進む。
【００８９】
Ｓ１３８において、システムコントローラ５０は、ＥＶＦフラグが設定されていたならば、画像表示パネル２８の表示状態をスルー表示状態に設定して（Ｓ１３９）、Ｓ１４１に進む。この場合、画像表示パネル２８でのクイックレビュー表示によって撮影画像を確認した後に、次の撮影のために撮像画像データを逐次表示するスルー表示状態にすることができる。
【００９０】
Ｓ１３８において、ＥＶＦフラグが解除されていたならば、画像表示パネル２８の画像表示をＯＦＦ状態に設定して（Ｓ１４０）、Ｓ１４１に進む。この場合、画像表示パネル２８でのクイックレビュー表示によって撮影画像を確認した後は、省電力のために画像表示パネル２８での表示を停止する。これにより、電力消費量の大きい画像表示パネル２８やＤ／Ａ変換器２６等での電力消費を削減することが可能となる。
【００９１】
Ｓ１４１において、シャッタスイッチＳＷ１が押された状態であったならば、システムコントローラ５０は、Ｓ１２５に戻って次の撮影に備える。また、シャッタスイッチＳＷ１の操作が解除された状態であったならば（Ｓ１４１）、システムコントローラ５０は、一連の撮影処理を終えてＳ１０３に戻る。
【００９２】
図４のフローチャートには、図３のＳ１２２における測光・焦点検出処理の詳細な内容を示す。システムコントローラ５０は、Ｓ２００において、ＥＶＦフラグが設定されているか否かを判断する。ＥＶＦフラグが設定されている場合は、撮像素子１４から電荷信号を読み出し、Ａ／Ｄ変換器１６を介して画像処理回路２０に撮影画像データを逐次読み込む（Ｓ２０１）。この逐次読み込まれた画像データを用いて、画像処理回路２０は、ＴＴＬ（スルー・ザ・レンズ）方式のＡＥ（自動露出）処理、ＡＦ（オートフォーカス）処理に用いる所定の演算を行う。
【００９３】
なお、ここでの各処理は、撮影した全画素数のうちの必要に応じた特定の部分を必要個所分切り取って抽出し、演算に用いる。これにより、ＴＴＬ方式のＡＥ、ＡＷＢ、ＡＦの各処理において、中央重点モード、平均モードおよび評価モード毎に最適な演算を行うことが可能となる。
【００９４】
次に、システムコントローラ５０は、画像処理回路２０での演算結果を用いて、露出（ＡＥ）が適正と判断されるまで（Ｓ２０２）、絞り３０４と撮像素子１４の電子シャッタとの組み合わせでＡＥ制御を行う（Ｓ２０３）。なお、撮影レンズ３００への絞り駆動指令は、カメラ本体１００と撮影レンズ３００間の通信ライン３９９を介したシリアル通信にて送信される。
【００９５】
次に、システムコントローラ５０は、このＡＥ制御で得られた露出（ＡＥ）が適正と判断したならば（Ｓ２０２）、測定データおよび設定パラメータのうち少なくとも一方を内部メモリ或いはメモリ５２に記憶する。また、このとき、適正露出での撮像のためにフラッシュ照明が必要と判断した場合は、フラッシュフラグを設定する。フラッシュフラグは、システムコントローラ５０の内部メモリ又はメモリ５２に記憶される。
【００９６】
さらに、システムコントローラ５０は、画像処理回路２０での演算結果およびＡＥ制御で得られた測定データを用いて、ホワイトバランス（ＡＷＢ）が適正と判断されるまで（Ｓ２０６）、ＡＷＢ制御を行う（Ｓ２０７）。ＡＷＢ制御では、画像処理回路２０を用いて色処理のパラメータを調節する。
【００９７】
ホワイトバランス（ＡＷＢ）が適正と判断したならば（Ｓ２０６）、システムコントローラ５０は、測定データおよび設定パラメータのうち少なくとも一方を内部メモリ或いはメモリ５２に記憶する。
【００９８】
続いて、システムコントローラ５０は、焦点状態が合焦と判断されるまで（Ｓ２０８）、通信線３９９を介して撮影レンズ３００にフォーカス駆動指令を送信し、ＡＦ制御を行う（Ｓ２０９）。この際、レンズ制御マイクロコンピュータ３０６は、システムコントローラ５０から指令されたフォーカス駆動量あるいはフォーカス駆動速度に従ってフォーカス制御回路３０２を制御し、撮影光学系３０１のフォーカスレンズを光軸方向に駆動する。
【００９９】
ＡＦ制御には、いわゆるコントラスト検出方式が用いられる。これは、フォーカスレンズを光軸方向に駆動して、画像中の焦点検出領域から最も高い高周波成分が得られたフォーカスレンズ位置を合焦位置とするものである。
【０１００】
合焦判定を行った後（Ｓ２０８）、システムコントローラ５０は、測定データおよび設定パラメータのうち少なくとも一方を内部メモリ或いはメモリ５２に記憶し、測光・焦点検出処理ルーチン（Ｓ１２２）を終了する。
【０１０１】
一方、Ｓ２００にて、ＥＶＦフラグが設定されていない場合、すなわちＯＶＦモードの場合は、Ｓ２００からＳ２１０に進む。Ｓ２１０では、システムコントローラ５０は、測光センサ７による測光結果と、設定されている撮像素子１４の感度とに応じて、露出値を演算する（Ｓ２１１）。
【０１０２】
次に、システムコントローラ５０は、焦点検出ユニット８によりＴＴＬ位相差検出方式で検出されたピントずれ量が所定の合焦範囲内であるか否かを判別する（Ｓ２１２）。合焦範囲内であれば、測光・焦点検出処理を終了する。合焦範囲外であれば（Ｓ２１２）、Ｓ２０９と同様に、フォーカスレンズを駆動してＡＦ制御を行い（Ｓ２１３）、合焦判定を行うためにＳ２１２に戻る。
【０１０３】
図５および図６のフローチャートには、図３のＳ１２９における撮像処理のうち露光処理および書き込み処理の詳細な内容を示している。なお、図５および図６において、同じ丸囲み文字が付されたラインは、互いに繋がっていることを示す。
【０１０４】
システムコントローラ５０は、内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたＥＶＦフラグが設定状態（ＥＶＦモード）であれば、Ｓ３０１に進む。Ｓ３０１では、システムコントローラ５０は、シャッタ制御回路４０を制御して、それまでＥＶＦモードで開いていたシャッタ９の先幕を閉じる。次に、フラッシュユニット４００がホットシュー４１０に装着され、電源４０５がオン状態か否かを判断するとともに、内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたフラッシュフラグが設定状態か否かを判断する（Ｓ３０２）。電源４０５がオン状態で、フラッシュフラグが設定状態である場合はＳ３０３に進む。
【０１０５】
Ｓ３０３では、システムコントローラ５０は、後述する予備発光（以下、プリ発光という）の前に被写体を調光センサ１２を通じて測光する。このとき、撮影光学系３０１によって被写体像がシャッタ９の先幕面上に結像しており、該被写体像からの光束、すなわち先幕面での反射光束は結像レンズ１１を通して調光センサ１２上に像を結ぶ。この像を調光センサ１２で光電変換し、所定時間積分することで、プリ発光前における定常光下での被写体の測光を行う。
【０１０６】
次に、Ｓ３０４では、フラッシュユニット４００にプリ発光を行わせる。ここで、プリ発光とは、撮像（露光処理）の前に所定の発光量でフラッシュユニット４００を発光させ、被写体に照明光を照射することである。プリ発光指令は、フラッシュユニット４００とカメラ本体１００との間に設けられた通信線４９９を介して、シリアル通信で、システムコントローラ５０からフラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６に送信される。フラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６は、このプリ発光指令の前に、電源４０５の電圧を充電回路４０４で昇圧している。このため、プリ発光指令を受けると、発光制御回路４０３を制御し、Ｘｅ管４０１を放電させて所定光量のプリ発光を行う。なお、ここで行われるプリ発光および後述する本発光を含むフラッシュ発光制御に関しては、特許文献１にて開示されている。
【０１０７】
次に、システムコントローラ５０は、プリ発光によって照明された被写体を調光センサ１２を用いて測光する（Ｓ３０５）。プリ発光によって照明された被写体からの反射光束は、閉じ状態のシャッタ９の先幕面で反射し、結像レンズ１１によって調光センサ１２上に像を結ぶ。したがって、この像を調光センサ１２で光電変換し、所定時間積分することで、プリ発光時の被写体測光が行われる。
【０１０８】
次に、システムコントローラ５０は、Ｓ３０５で求めたプリ発光時の測光データから、Ｓ３０３で求めた定常光下での測光データを差し引く。前述したように、調光センサ１２の出力は対数圧縮されているので、演算は加減算にて行うことができる。これにより、プリ発光による被写体からの反射光束の成分のみが抽出される。そして、この反射光束成分と、予めシステムコントローラ５０の不図示のメモリに記憶されている、撮像素子１４の感度に応じた適正光量時の測光データとの差に基づいて本発光量を求める（Ｓ３０６）。
【０１０９】
次に、システムコントローラ５０は、シャッタスイッチＳＷ２が押されたことに応じて、シャッタ制御回路４０を制御し、シャッタ９の先幕を開方向に走行させ（Ｓ３０７）、撮像素子１４の露光を開始する（Ｓ３０８）。
【０１１０】
次に、システムコントローラ５０は、再度フラッシュフラグが設定状態か否かを判別し（Ｓ３０９）、フラッシュフラグが設定状態である場合は、Ｓ３０６で求めた本発光量をフラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６に指令する（Ｓ３１０）。これにより、フラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６は、指令された発光量での本発光を行う。そして、システムコントローラ５０は、設定された露光時間に応じてシャッタ９の後幕を閉じ（Ｓ３１１）、撮像素子１４の電荷蓄積を終了して露光を終了する（Ｓ３１２）。
【０１１１】
一方、Ｓ３０１で、ＥＶＦモードでない場合は、Ｓ３２１に進む。Ｓ３２１では、システムコントローラ５０は、フラッシュフラグが設定状態か否かを判別し、プリ発光前に、ダウン位置にある主ミラー１からの反射光束を用いて測光センサ７で被写体を測光する（Ｓ３２２）。このとき、撮影光学系３０１により被写体像は主ミラー１を介してピント板２上に形成され、その像は結像レンズ６を通して測光センサ７上に結ばれる。この被写体像を測光センサ７で光電変換し、所定時間積分することで、定常光下での被写体測光が行われる。
【０１１２】
次に、Ｓ３０４と同等に、所定の発光量でフラッシュユニット４００をプリ発光させる（Ｓ３２３）。次に、該プリ発光による被写体での反射光束を用いて、Ｓ３０３と同様に測光センサ７で被写体を測光する（Ｓ３０５）。
【０１１３】
さらに、システムコントローラ５０は、Ｓ３２４で求めたプリ発光時の測光データから、Ｓ３２２で求めた定常光下での測光データを差し引くことにより、プリ発光による被写体での反射光束の成分のみが抽出される。前述したように、測光センサ７の出力は対数圧縮されているので、演算は加減算にて行うことができる。そして、この反射光束成分と、予めシステムコントローラ５０の不図示のメモリに記憶されている、撮像素子１４の感度に応じた適正光量時の測光データとの差に基づいて本発光量を求める（Ｓ３２５）。
【０１１４】
次に、システムコントローラ５０は、シャッタスイッチＳＷ２が押されたことに応じて、ミラー制御回路４１を制御して主ミラー１およびサブミラー３をアップ位置に移動させる。また、通信線３９９を介して、レンズ制御マイクロコンピュータ３０６に絞り３０４を所定の絞り値に絞り込む指令を送信する。レンズ制御マイクロコンピュータ３０６は、絞り制御回路３０５を制御して、絞り３０４を所定絞り値に絞りこむ（Ｓ３２６）。
【０１１５】
次に、システムコントローラ５０は、シャッタ制御回路４０を制御して、シャッタ９の先幕を開方向に走行させ（Ｓ３２７）、撮像素子１４の露光を開始する（Ｓ３２８）。
次に、システムコントローラ５０は、再度フラッシュフラグが設定状態か否かを判別し（Ｓ３２９）、フラッシュフラグが設定状態である場合は、Ｓ３２５で求めた本発光量をフラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６に指令する（Ｓ３３０）。これにより、フラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６は、指令された発光量での本発光を行う。そして、システムコントローラ５０は、設定された露光時間に応じてシャッタ９の後幕を閉じ（Ｓ３３１）、撮像素子１４の電荷蓄積を終了して露光を終了する（Ｓ３３２）。また、Ｓ３３３では、システムコントローラ５０は、主ミラー１およびサブミラー３をアップ位置からダウン位置に戻し、さらに絞り３０４を開放状態に駆動する。
【０１１６】
システムコントローラ５０は、撮像素子１４から電荷信号を読み出し、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０およびメモリ制御回路２２を介して、メモリ３０に撮影画像のデータを書き込む（Ｓ３４０）。このとき、Ａ／Ｄ変換器１６からメモリ制御回路２２を介してメモリ３０に撮影画像のデータを書き込むようにしてもよい。
【０１１７】
次に、システムコントローラ５０は、設定された撮影モードに応じて、フレーム処理を行う必要があるか否かを判別する（Ｓ３４１）。必要がある場合は、メモリ制御回路２２および必要に応じて画像処理回路２０を用いて、メモリ３０に書き込まれた画像データを読み出し、垂直加算処理（Ｓ３４２）や色処理（Ｓ３４３）を順次行う。その後、メモリ３０に処理を終えた画像データを書き込む。
【０１１８】
次に、システムコントローラ５０は、メモリ３０から画像データを読み出し、メモリ制御回路２２を介して画像表示メモリ２４に表示画像データの転送を行う（Ｓ３４４）。こうして一連の処理を終えると、露光および書き込み処理ルーチン（Ｓ１２９）を終了する。
【０１１９】
図７のフローチャートには、図３のＳ１３４における記録処理の詳細な内容を示している。
【０１２０】
システムコントローラ５０は、メモリ制御回路２２および必要に応じて画像処理回路２０を用いて、メモリ３０に書き込まれた撮影画像データを読み出し、該画像データに対して縦横画素比率を１：１に補間する画素正方化処理を行う（Ｓ４０１）。そして、メモリ３０に処理を終えた画像データを書き込む。
【０１２１】
次に、システムコントローラ５０は、メモリ３０に書き込まれた画像データを読み出して、設定されたモードに応じた画像圧縮処理を圧縮・伸長回路３２により行う（Ｓ４０２）。そして、インタフェース９０およびコネクタ９２を介して、記録媒体２００へ圧縮した画像データの書き込みを行う（Ｓ４０３）。
【０１２２】
記録媒体２００への書き込みが終わると、システムコントローラ５０は、記録処理ルーチン（Ｓ１３４）を終了する。
【０１２３】
以上説明したように、本実施例では、主ミラー１がアップ位置に配置されたＥＶＦモードにおいて、シャッタ９で反射した光束を用いて、撮像素子１４とは別の調光センサ１２を用いて測光を行うことができる。さらに、調光センサ１２の出力は対数圧縮されて本発光の発光量の設定演算に用いられる。このため、撮像素子１４を用いて測光を行う場合に比べて広い測光レンジを確保することができ、近距離被写体から遠距離被写体に対するフラッシュユニット４００の発光量を適切に設定することができる。
【０１２４】
しかも、ＥＶＦモードにおける撮像時に、主ミラー１をアップ位置から一旦ダウン位置に移動させて測光を行い、再び主ミラー１をアップ位置に戻して撮像（露光処理）を行うという動作が不要になるので、レリーズタイムラグを短縮することができる。
【０１２５】
また、本実施例では、ＯＶＦモードからフラッシュ撮像を行う場合においては、測光センサ７からの出力に基づいて本発光量を設定する。さらに、測光センサ７の出力は対数圧縮されて本発光の発光量の設定演算に用いられる。このため、ＯＶＦモードでもＥＶＦモードでも、フラッシュユニット４００の発光量を適切に設定することが可能な一眼レフカメラを実現することができる。
【実施例２】
【０１２６】
実施例１では、ＥＶＦモードにおいて、閉じ状態のシャッタ９の先幕面で反射した光束を調光センサ１２で受けて被写体測光を行う場合について説明した。これに対し、本実施例では、シャッタ９よりも被写体側に、電気的に透過率を変化させることができる光学電気素子を配置している。この光学電気素子は、通電により入射光束の大部分を拡散（散乱）反射する低透過率状態となり、通電を停止することにより入射光束の大部分を透過させる高透過率状態になる。このような素子としては、例えば、エレクトロクロミック素子がある。
【０１２７】
そして、本実施例では、プリ発光の前に該光学電気素子を低透過率状態とし、この状態で該光学電気素子の被写体側の面に形成された被写体像を用いて測光を行う。これにより、実施例１のようにシャッタ９の先幕面に拡散処理をする必要がなくなり、該先幕面での乱反射によるゴーストの発生の可能性を排除することができる。また、一般に、メカニカルなシャッタ９に比べて、光学電気素子の方が状態切換え動作が速い。このため、ＥＶＦモードにおいて開いていたシャッタ９を閉じる前に、調光センサ１２を用いた測光を行うことが可能になり、レリーズタイムラグをより短縮することができる。
【０１２８】
図８には、本発明の実施例２である一眼レフカメラシステムの構成を示している。実施例１と同じ構成要素には、実施例１と同じ符号を付与して説明に代える。
【０１２９】
同図において、４３は光学電気素子としてのエレクトロクロミック素子である。４２は該エレクトロクロミック素子４３を駆動するエレクトロクロミック制御回路である。
【０１３０】
次に、図９および図６のフローチャートを用いて、本実施例におけるシステムコントローラ５０の動作のうち露光・現像処理での動作について説明する。なお、図９のフローチャートは、実施例１の図５のフローチャートのうちＳ３０３からＳ３０６が、Ｓ５０１かからＳ５０６に置き換わったものに相当する。ここでは、Ｓ５０１からＳ５０６を中心に説明する。また、図６のフローチャートは、実施例１と共通である。
【０１３１】
システムコントローラ５０は、内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたＥＶＦフラグが設定状態（ＥＶＦモード）であれば、Ｓ３０１に進む。Ｓ３０１では、システムコントローラ５０は、シャッタ制御回路４０を制御して、それまでＥＶＦモードで開いていたシャッタ９の先幕を閉じる。次に、フラッシュユニット４００がホットシュー４１０に装着され、電源４０５がオン状態か否かを判断するとともに、内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたフラッシュフラグが設定状態か否かを判断する（Ｓ３０２）。電源４０５がオン状態で、フラッシュフラグが設定状態である場合はＳ５０１に進む。
【０１３２】
Ｓ５０１では、システムコントローラ５０は、エレクトロクロミック制御回路４２を制御して、ＥＶＦモードにおいてそれまで無通電状態（高透過率状態）であったエレクトロクロミック素子４３に所定の通電を行う。これにより、エレクトロクロミック素子４３は低透過率状態になり、入射した光束の大部分を拡散反射する。このときの透過率は、０％に近いほどよい。
【０１３３】
次に。Ｓ５０２では、システムコントローラ５０は、プリ発光の前に被写体を調光センサ１２を通じて測光する。このとき、撮影光学系３０１によって被写体像がエレクトロクロミック素子４３上に形成されており、該被写体像からの光束、すなわちエレクトロクロミック素子４３での反射光束は結像レンズ１１を通して調光センサ１２上に像を結ぶ。この像を調光センサ１２で光電変換し、所定時間積分することで、プリ発光前における定常光下での被写体の測光を行う。
【０１３４】
次に、Ｓ５０３では、フラッシュユニット４００にプリ発光を行わせる。プリ発光指令は、フラッシュユニット４００とカメラ本体１００との間に設けられた通信線４９９を介して、シリアル通信で、システムコントローラ５０からフラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６に送信される。フラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６は、このプリ発光指令の前に、電源４０５の電圧を充電回路４０４で昇圧している。このため、プリ発光指令を受けると、発光制御回路４０３を制御し、Ｘｅ管４０１を放電させて所定光量のプリ発光を行う。なお、ここで行われるプリ発光および後述する本発光を含むフラッシュ発光制御は、実施例１と同じである。
【０１３５】
次に、システムコントローラ５０は、プリ発光によって照明された被写体を調光センサ１２を用いて測光する（Ｓ５０４）。プリ発光によって照明された被写体からの反射光束は、低透過率状態のエレクトロクロミック素子４３で拡散反射し、結像レンズ１１によって調光センサ１２上に像を結ぶ。したがって、この像を調光センサ１２で光電変換し、所定時間積分することで、プリ発光時の被写体測光が行われる。
【０１３６】
次に、システムコントローラ５０は、エレクトロクロミック制御回路４２を制御して、エレクトロクロミック素子４３への通電をオフする（Ｓ５０５）。これにより、エレクトロクロミック素子４３は高透過率状態になり、入射した光束の大部分を透過する。このときの透過率は、１００％に近いほどよい。
【０１３７】
次に、システムコントローラ５０は、Ｓ５０４で求めたプリ発光時の測光データから、Ｓ５０２で求めた定常光下での測光データを差し引く。実施例１と同様に、調光センサ１２の出力は対数圧縮されているので、演算は加減算にて行うことができる。これにより、プリ発光による被写体からの反射光束の成分のみが抽出される。そして、この反射光束成分と、予めシステムコントローラ５０の不図示のメモリに記憶されている、撮像素子１４の感度に応じた適正光量時の測光データとの差に基づいて本発光量を求める（Ｓ５０６）。
【０１３８】
そして、Ｓ３０７に進み、これ以降は実施例１と同様に動作する。また、ＯＶＦモードでは、実施例１と同様に動作する。
【０１３９】
以上説明したように、本実施例では、主ミラー１がアップ位置に配置されたＥＶＦモードにおいて、エレクトロクロミック素子４３で反射した光束を用いて、撮像素子１４とは別の調光センサ１２を用いてプリ発光前およびプリ発光時の測光を行う。さらに、調光センサ１２の出力は対数圧縮されて本発光の発光量の設定演算に用いられる。このため、撮像素子１４を用いて測光を行う場合に比べて広い測光レンジを確保することができ、近距離被写体から遠距離被写体に対するフラッシュユニット４００の発光量を適切に設定することができる。
【０１４０】
しかも、ＥＶＦモードにおける撮像時に、主ミラー１をアップ位置から一旦ダウン位置に移動させて測光を行い、再び主ミラー１をアップ位置に戻して撮像（露光処理）を行うという動作が不要になるので、レリーズタイムラグを短縮することができる。
【０１４１】
また、本実施例でも、実施例１と同様に、ＯＶＦモードからフラッシュ撮像を行う場合においては、測光センサ７からの出力に基づいて本発光量を設定する。さらに、測光センサ７の出力は対数圧縮されて本発光の発光量の設定演算に用いられる。このため、ＯＶＦモードでもＥＶＦモードでも、フラッシュユニット４００の発光量を適切に設定することが可能な一眼レフカメラを実現することができる。
【０１４２】
なお、上記各実施例では、撮像前にプリ発光を行い、撮像時に本発光を行う場合について説明したが、本発明は、プリ発光を行わずに撮像時にフラッシュ発光を行う場合にも適用することができる。
【０１４３】
また、上記各実施例では、撮影光路内のアップ位置と撮影光路外のダウン位置との間で移動可能なミラー（光路切換部材）を有するカメラについて説明したが、本発明はこのような光路切換部材を有する撮像装置に限らず適用することができる。例えば、撮影光路内において撮影光学系からの光束をファインダ光学系に反射する位置と、同じく撮影光学系からの光束を透過させて撮像素子に向かわせる位置と、撮影光路外に退避する位置とに移動可能なミラーを備えた撮像装置にも適用することができる。また、一部に反射膜が形成された透明体を、該反射膜が撮影光路上に配置される位置と、反射膜が形成されていない透光部分が撮影光路上に配置される位置とに移動させる撮像装置にも本発明を適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】本発明の実施例１である一眼レフデジタルカメラシステムの構成を示すブロック図。
【図２】実施例１のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図３】実施例１のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図４】実施例１のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図５】実施例１のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図６】実施例１のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図７】実施例１のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図８】本発明の実施例２である一眼レフデジタルカメラシステムの構成を示すブロック図。
【図９】実施例２のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図１０】従来の一眼レフデジタルカメラ（ミラーダウン状態）の構成を示す断面図。
【図１１】従来の一眼レフデジタルカメラ（ミラーアップ状態）の構成を示す断面図。
【符号の説明】
【０１４５】
１ 主ミラー
３ サブミラー
９ フォーカルプレーンシャッタ
１４ 撮像素子
２８ 画像表示パネル
４３ エレクトロクロミック素子
５０ システムコントローラ
１００ カメラ本体
３００ 撮影レンズ
４００ フラッシュユニット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一眼レフデジタルカメラ等の撮像装置に関し、さらに詳しくは、フラッシュ撮影が可能な撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１０および図１１には、本出願人が提案している一眼レフデジタルカメラの概略構成を示している（特許文献１参照）。同図において、８０１はカメラボディ、８２０はカメラボディ８０１に対して着脱可能な撮影レンズ（交換レンズ）である。８０２は撮影レンズ８２０からの光束をファインダ光学系に導くダウン位置（図１０）と該光束を撮像素子に向かわせるアップ位置（図１１）とに移動可能な光路切換部材としてのミラーである。
【０００３】
８０３はピント板、８０４はペンタプリズム、８０５はアイピースである。８０６はシャッタ、８０７はＣＣＤセンサ等の撮像素子である。また、８０８は液晶ディスプレイ等の画像表示素子である。
【０００４】
さらに、８１０は測光センサであり、被写体の測光を行う。８０９は測光レンズであり、撮影レンズ８２０によりピント板８０３上に結像された被写体像を、測光センサ８１０上に再結像するためのレンズである。８２１は光量を調節する絞りである。
【０００５】
８３０はカメラボディ８２０に着脱可能な外付けフラッシュユニットである。８３１はキセノン（Ｘｅ）管、８３２，８３３はＸｅ管８３１から発せられた光を集光して、被写体に対して照射する反射笠とフレネルレンズである。
【０００６】
このカメラでは、撮影直前にフラッシュユニット８３０（Ｘｅ管８３１）を所定の光量で予備発光させ、該予備発光による被写体輝度を測光センサ８１０を用いて測光する。そして、その測光結果と設定された絞り値と撮像素子８０７の感度等に応じた適正露光量に対する偏差を求め、その偏差に相当する光量を加算することで、撮影時の本発光量を決定する。
【０００７】
測光センサ８１０は、公知の対数圧縮アンプを介して測光を行うので、２０段程度のレンジを測光することが可能である。これにより、近接した被写体から遠距離の被写体まで正確に測光することが可能である。
【０００８】
このような一眼レフデジタルカメラにおいては、従来ファインダ光学系を介して被写体観察を行うことが一般的であったが、最近では、液晶ディスプレイ等の画像表示素子を介して被写体観察を行う機能（電子ビューファインダ機能）が要求されている。この電子ビューファインダ機能を実現するには、図１２に示す撮影時と同様に、ミラー８０２をアップ位置に配置して、シャッタ８０６を開放し、撮像素子８０７を用いて被写体画像を生成して画像表示素子８０８に表示すればよい。
【特許文献１】特開平９−６１８９８号公報（段落００１３〜００３１、図１等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、ミラー８０３がアップ位置に配置されている状態では、測光センサ８１０に撮影レンズ８２０からの光束を導くことができないので、測光を行うことができない。このため、電子ビューファインダを使用している状態から測光センサ８１０を用いて予備発光時の測光を行うためには、図１１の状態からミラー８０３を一旦ダウン位置に移動させて図１０の状態として予備発光および測光を行う必要がある。そして、予備発光の後は、ミラー８０３を再びアップ位置に移動させて撮像および本発光を行う。したがって、撮像が指示されてから実際の撮像を行うまでの時間（レリーズタイムラグ）が長くなってしまう。
【００１０】
なお、予備発光時の測光を撮像素子８０７を測光センサとして用いて行うことも可能である。しかし、一般的な撮像素子のダイナミックレンジは約８段であり、これを越えた測光を行うことはできない。特に、撮像素子の出力のリニアリティを考慮すると、４〜５段程度のレンジでしか測光できないのが実情である。したがって、撮像素子では近距離から遠距離までの被写体測光をカバーすることができない。このため、外付けフラッシュユニットの特徴である大光量発光の能力を生かすことができない。
【００１１】
また、予備発光時に取得した画像の明るさレベルが撮像素子のダイナミックレンジに入るまで予備発光量を順次変更しながら予備発光と測光を繰り返すことにより、測光レンジを広げることは可能である。しかし、この方法でも、レリーズタイムラグが長くなってしまうという問題がある。
【００１２】
本発明は、電子ビューファインダを使用した状態（電子的観察状態）でも広い測光レンジを確保でき、かつフラッシュ撮影時のレリーズタイムラグを短縮することができるようにした撮像装置を提供することを目的の１つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一側面としての撮像装置は、被写体像の光電変換を行う撮像素子と、該撮像素子を用いて得られた画像を表示する電子表示素子と、ファインダ光学系と、被写体からの光束をファインダ光学系に導く第１の位置および被写体からの光束を撮像素子に向かわせる第２の位置に移動可能な光路切換部材と、撮像素子の露光量を制御するシャッタと、第１の受光素子とを有する。さらに、該撮像装置は、光路切換部材を第２の位置に配置してシャッタを開くことにより電子表示素子を用いた被写体の電子的観察を可能とし、かつ被写体を照明するフラッシュユニットの発光を制御する制御ユニットとを有する。そして、制御ユニットは、電子的観察状態からのフラッシュ撮像を行う場合において、該フラッシュ撮像の前にシャッタを閉じ動作させ、該シャッタでの反射光を受けた第１の受光素子からの出力に基づいてフラッシュユニットの発光量を設定することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の他の側面としての撮像装置は、被写体像の光電変換を行う撮像素子と、該撮像素子を用いて得られた画像を表示する電子表示素子と、ファインダ光学系と、被写体からの光束をファインダ光学系に導く第１の位置および被写体からの光束を撮像素子に向かわせる第２の位置に移動可能な光路切換部材と、被写体から撮像素子への光路上に配置され、電気的に透過率を制御可能な光学電気素子と、第１の受光素子とを有する。さらに、該撮像装置は、光路切換部材を第２の位置に配置して光学電気素子の透過率を第１の透過率に設定することにより電子表示素子を用いた被写体の電子的観察を可能とし、かつ被写体を照明するフラッシュユニットの発光を制御する制御ユニットを有する。そして、制御ユニットは、電子的観察状態からのフラッシュ撮像を行う場合において、該フラッシュ撮像の前に、光学電気素子の透過率を第１の透過率よりも低い第２の透過率に設定し、該光学電気素子での反射光を受けた第１の受光素子からの出力に基づいてフラッシュユニットの発光量を設定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電子的観察状態からフラッシュ撮像を行う場合に、撮像素子とは別の第１の受光素子を用いて測光を行い、該測光結果に基づいてフラッシュ発光量を設定することができる。このため、撮像素子を用いて測光を行う場合に比べて広い測光レンジを確保することができ、近距離被写体から遠距離被写体に対するフラッシュユニットの発光量を適切に設定することができる。
【００１６】
しかも、光路切換部材を第１の位置と第２の位置との間で移動させることなく測光からフラッシュ撮像までを行うことができるので、光路切換部材を移動させる場合に比べて、レリーズタイムラグを短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１には、本発明の実施例１である一眼レフカメラシステムの構成を示している。図１において、１００は撮像装置としての一眼レフデジタルカメラ本体（以下、単にカメラ本体という）であり、３００は該カメラ本体１００に着脱可能な交換式撮影レンズ（以下、単に撮影レンズという）である。
【００１９】
カメラ本体１００において、１は主ミラーであり、光学ファインダ観察状態では撮影光路内に配置され（この位置を以下、ダウン位置という）、電子ファインダ観察状態および撮影状態では撮影光路外に退避する（この位置を以下、アップ位置という）。主ミラー１はハーフミラーによって構成されており、ダウン位置に配置されているときは、撮影レンズ３００からの光束の一部を透過させる。
【００２０】
２はピント板であり、このピント板２には、撮影レンズ３００により形成された被写体像が、撮影光路内に配置された主ミラー１で反射されて投影される。
【００２１】
３はサブミラーであり、光学ファインダ観察状態においては、ダウン位置に配置された主ミラー１の背後に配置され（この位置を以下、ダウン位置という）、電子ファインダ観察状態および撮影状態では、アップ位置に配置された主ミラー１と同様に撮影光路外に退避する（この位置を以下、アップ位置という）。サブミラー３は、光学ファインダ観察状態において、主ミラー１を透過した光束を下方に反射して、後述する焦点検出ユニット８に導く。
【００２２】
４はピント板２からの光束をアイピース５および後述する測光センサ７に導くペンタプリズムである。撮影者はアイピース５からピント板２を観察することで、被写体像を観察することができる。この状態を、以下、光学ファインダモード（ＯＶＦモード：光学的観察状態）と称する。
【００２３】
測光センサ７は、ペンタプリズム４から射出した光束を結像レンズ６を介して受光する。第２の受光素子を含む測光センサ７は、受光強度に応じた信号を出力し、該出力は、ファインダ観察画面内の被写体輝度を測定するために用いられる。測光センサ７は、内部に公知の対数圧縮回路を備えており、その出力は対数圧縮されたものとなる。
【００２４】
焦点検出ユニット８は、サブミラー３からの光束を用いて一対又は複数対の被写体像を不図示のラインセンサ上に形成する。そして、該被写体像間の間隔（位相差）に応じた信号を出力する。これにより、位相差検出方式での焦点検出を行うことができる。
【００２５】
９はフォーカルプレーンシャッタであり、先幕と後幕を走行させて、後述する撮像素子１４に対する露光量を制御する。本実施例では、後述するように、ＥＶＦモードにおいて、先幕のうち被写体側の面（以下、単に先幕面という）に形成された被写体像の測光を行うため、先幕面に入射光束を拡散反射させるための処理を施している。但し、撮像時における先幕面での乱反射によるゴーストの発生を回避するよう配慮されている。
【００２６】
撮像素子１４は、ＣＣＤセンサやＣＭＯＳセンサ等から構成される光電変換素子である。
【００２７】
１１は結像レンズであり、主ミラー１およびサブミラー３がアップ位置に配置された状態でのフラッシュ調光制御時において、フォーカルプレンシャッタ９の先幕面に形成された被写体像（つまりは、先幕面からの反射光）を、第１の受光素子を含む調光センサ１２上に結像させる。調光センサ１２は、測光センサ７と同様に、内部に公知の対数圧縮回路を備えており、その出力は対数圧縮されたものとなる。
【００２８】
１６は撮像素子１４からのアナログ信号出力をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器である。１８は撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６およびＤ／Ａ変換器２６にクロック信号や制御信号を供給するタイミング発生回路であり、メモリ制御回路２２および制御ユニットとしてのシステムコントローラ５０により制御される。
【００２９】
２０は画像処理回路であり、Ａ／Ｄ変換器１６からのデータ又はメモリ制御回路２２からのデータに対して画素補間処理や色変換処理等の所定の処理を施す。画像処理回路２０は、撮像された画像データに対して所定の演算処理を行い、得られた演算結果に基づいて、ＴＴＬ方式のＡＷＢ（オートホワイトバランス）処理も行う。
【００３０】
メモリ制御回路２２は、システムコントローラ５０からの指令に応じて、Ａ／Ｄ変換器１６、タイミング発生回路１８、画像処理回路２０、画像表示メモリ２４、Ｄ／Ａ変換器２６、メモリ３０および圧縮・伸長回路３２を制御する。
【００３１】
Ａ／Ｄ変換器１６からの出力データは、画像処理回路２０およびメモリ制御回路２２を介して画像表示メモリ２４又ははメモリ３０に書き込まれる。なお、Ａ／Ｄ変換器１６からの出力データが、メモリ制御回路２２から画像表示メモリ２４又はメモリ３０に書き込まれるようにしてもよい。
【００３２】
２８はＴＦＴ，ＬＣＤ等から構成される画像表示パネルである。画像表示メモリ２４に書き込まれた表示用の画像データは、Ｄ／Ａ変換器２６を介して画像表示パネル２８に表示される。
【００３３】
主ミラー１およびサブミラー３がアップし、シャッタ９が開いた状態で、撮像素子１４からの出力信号を処理して生成された映像を画像表示パネル２８に表示すれば、電子ファインダ機能を実現することができる。この状態を、以下、電子ファインダモード（ＥＶＦモード：電子的観察状態）と称する。
【００３４】
メモリ３０は生成された静止画像や動画像を格納するためのメモリであり、所定数の静止画像や所定時間の動画像を格納するのに十分な記憶容量を備えている。また、メモリ３０は、システムコントローラ５０の作業領域メモリとしても使用される。
【００３５】
３２は適応離散コサイン変換（ＡＤＣＴ）等により画像データを圧縮伸長する圧縮・伸長回路であり、メモリ３０に格納された画像を読み込んで圧縮処理や伸長処理を行い、処理を終えたデータをメモリ３０に書き込む。
【００３６】
４０はフォーカルプレンシャッタ９を制御するシャッタ制御回路であり、４１は主ミラー１およびサブミラー３をアップ位置とダウン位置との間で移動させるモータとその駆動回路とからなるミラー制御回路である。
【００３７】
システムコントローラ５０は、カメラ本体１００の動作全体を制御する。５２はシステムコントローラ５０の動作用の定数、変数、プログラム等を記憶するメモリである。
【００３８】
５４はシステムコントローラ５０でのプログラムの実行に応じて、文字、画像、音声等を用いて動作状態やメッセージ等を表示する情報表示ユニットであり、動作音や警告音を発する発音素子やスピーカを備えている。この情報表示ユニット５４は、ＬＣＤやＬＥＤ等により構成され、カメラ本体１００の外面うち視認し易い位置に１つ又は複数設置されている。また、情報表示ユニット５４には、ピント板２の下部に所定の情報を表示するものも含まれている。
【００３９】
情報表示ユニット５４のうち、カメラ本体１００の外面に設けられた情報表示ユニットには、シングルショット／連写、セルフタイマー、画像圧縮率、記録画素数、記録枚数、残撮影可能枚数、シャッタスピード、絞り値、露出補正値、フラッシュＯＮ、赤目緩和モード、マクロ撮影、ブザー設定、電池残量、日付け・時刻、等が表示される。
【００４０】
また、ピント板２の下部に設けられた情報表示ユニットには、合焦、手振れ警告、フラッシュ充電、シャッタスピード、絞り値、露出補正値、等が表示される。
【００４１】
５６は電気的に消去・記録可能な不揮発性メモリであり、例えばＥＥＰＲＯＭが用いられる。
【００４２】
６０、６２、６４、６６、６８および７０は、システムコントローラ５０の各種動作の指示を入力するための操作部材であり、スイッチ、ダイアル、タッチパネルを含み、さらに視線検知によるポインティング装置や音声認識装置等も含む。
【００４３】
モードダイアルスイッチ６０は、電源のオン／オフを行ったり、撮影モード、再生モード、消去モードおよびＰＣ接続モード等の各機能モードを設定したりするために操作される操作部材である。
【００４４】
シャッタスイッチ（ＳＷ１）６２は、不図示のシャッタボタンの第１ストローク操作（半押し操作）によってオンとなり、ＡＦ（オートフォーカス）処理、ＡＥ（自動露出）処理等の撮像準備動作の開始を指示するための操作部材である。
【００４５】
シャッタスイッチ（ＳＷ２）６４は、シャッタボタンの第２ストローク操作（全押し操作）でオンとなる。このシャッタスイッチ６４のオンにより、システムコントローラ５０は一連の撮像処理の開始が指示される。撮像処理には、シャッタ制御回路４０やフラッシュユニット４００を動作させて撮像素子１４を露光させる露光処理が含まれる。また、撮像素子１４から読み出された信号をＡ／Ｄ変換器１６およびメモリ制御回路２２を介して画像データとしてメモリ３０に書き込む読み出し処理も含まれる。さらに、画像処理回路２０やメモリ制御回路２２での演算を用いた現像処理や、メモリ３０から画像データを読み出して圧縮・伸長回路３２で圧縮を行って記録媒体２００に画像データを書き込む記録処理も含まれる。
【００４６】
ファインダモード設定スイッチ６６は、撮影時にＯＶＦモードとＥＶＦモードのうち一方を選択するために操作される。この機能を利用して、光学ファインダを用いて撮影を行う際に画像表示パネル２８への電流供給を遮断することにより、省電力を図ることが可能となる。
【００４７】
クイックレビューＯＮ／ＯＦＦスイッチ６８は、撮影直後に、撮影画像データを自動再生するクイックレビュー機能を設定するための操作部材である。
【００４８】
操作部７０は、メニューボタン、セットボタン、マクロボタン、マルチ画面再生改ページボタン、単写／連写／セルフタイマー切換ボタン、メニュー移動ボタン、再生画像移動ボタン、撮影画質選択ボタン、露出補正ボタン、日付／時間設定ボタン等の各種ボタンやタッチパネルを有する。
【００４９】
８０は電源制御回路であり、電池検出回路、ＤＣ−ＤＣコンバータ、通電ブロックを切り換えるスイッチ回路等により構成されている。電源制御回路８０は、電池の装着の有無、電池の種類、電池残量の検出を行い、検出結果およびシステムコントローラ５０からの指示に基づいて、ＤＣ−ＤＣコンバータを制御し、必要な電圧を必要な期間、記録媒体２００を含む各部へ供給する。
【００５０】
８２、８４はコネクタ、８６はアルカリ電池やリチウム電池等の一次電池やＮｉＣｄ電池やＮｉＭＨ電池、Ｌｉ電池等の二次電池、ＡＣアダプタ等からなる電源である。
【００５１】
９０は記録媒体２００とのインタフェース、９２は記録媒体２００と接続を行うコネクタ、９８はコネクタ９２に記録媒体２００が接続されているか否かを検知する記録媒体検知回路である。
【００５２】
１１０は通信回路であり、ＲＳ２３２ＣやＵＳＢ、ＩＥＥＥ１３９４、Ｐ１２８４、ＳＣＳＩ、モデム、ＬＡＮ、無線通信等の各種通信機能を有する。１１２は通信回路１１０によりカメラ本体１００を他の機器と接続するためのコネクタである。また、コネクタに代えて、無線通信を行うためのアンテナとしてもよい。
【００５３】
記録媒体２００は、半導体メモリや磁気ディスク、光ディスク等から構成される記録部２０２と、カメラ本体１００とのインタフェース２０４と、カメラ本体１００と接続を行うコネクタ２０６とを備えている。
【００５４】
３９９は後述する撮影レンズ３００とシステムコントローラ５０との通信を行う通信線であり、４９９は後述する外付けフラッシュユニット４００とシステムコントローラ５０との通信を行う通信線である。
【００５５】
撮影レンズ３００において、３０１は被写体像を撮像素子１４に結像する撮影光学系である。３０２は撮影光学系３０１に含まれるフォーカスレンズを光軸方向に駆動してピントを合わせるためのモータとその駆動回路からなるフォーカス制御回路である。
【００５６】
３０３は撮影光学系３０１に含まれるレンズの位置から被写体距離を検出するエンコーダを含む被写体距離検出回路である。３０４は撮影時の光量を調節する絞りである。３０５は絞り３０４を駆動するモータとその駆動回路からなる絞り制御回路である。
【００５７】
３０６は前述のフォーカス駆動や絞り駆動などを制御するとともに、カメラ本体１００側のシステムコントローラ５０との通信を制御するレンズ制御マイクロコンピュータである。
【００５８】
また、撮影レンズ３００は、レンズマウント３１０を介して、着脱可能にカメラ本体１００に装着される。また、電気的にはシリアル通信線と電源からなるコネクタ３１１でカメラ本体１００に接続される。
【００５９】
４００はフラッシュユニットである。４０１はキセノン（Ｘｅ）管、４０２は反射笠、４０３はＸｅ管４０１の発光を制御するＩＧＢＴ等で構成される発光制御回路である。４０４はＸｅ管４０１に給電する３００Ｖ程度の電圧を発生する充電回路である。４０５は充電回路４０４に給電する電池などの電源である。４０６はフラッシュユニット４００の発光、充電などを制御するとともに、システムコントローラ５０と通信を制御するフラッシュ制御マイクロコンピュータである。
【００６０】
また、フラッシュユニット４００は、ホットシュー４１０を介して着脱可能にカメラ本体１００に装着される。また、フラッシュユニット４００は、シリアル通信線とＸ端子（発光端子）からなるコネクタ４１１により、カメラ本体１００に電気的に接続される。
【００６１】
次に、図２から図７を用いて、本実施例のカメラシステムの動作について説明する。図２および図３には、本実施例のカメラ本体１００に搭載されたシステムコントローラ５０により実行される主ルーチンのフローチャートを示している。なお、以下の文中および図中の「Ｓ」はステップを示す。また、図２および図３において、同じ丸囲み文字が付されたラインは、互いに繋がっていることを示す。
【００６２】
電源オン操作や電池交換等の電源投入によって、システムコントローラ５０は、フラグや制御変数等を初期化し（Ｓ１０１）、画像表示部２８の画像表示をＯＦＦ状態に初期設定する（Ｓ１０２）。
【００６３】
システムコントローラ５０は、モードダイアル６０の設定位置を判断する（Ｓ１０３）。モードダイアル６０が電源ＯＦＦに設定されていたならば、各表示部の表示を終了状態に変更し、フラグや制御変数等を含む必要なパラメータや設定値、設定モードを不揮発性メモリ５６に記録する。そして、電源制御回路８０を通じて、画像表示パネル２８を含むカメラ本体１００の各部の不要な電源を遮断する等の所定の終了処理を行った後（Ｓ１０５）、Ｓ１０３に戻る。
【００６４】
Ｓ１０３において、モードダイアル６０が撮影モードに設定されていたならば、Ｓ１０６に進む。また、モードダイアル６０がその他のモードに設定されていたならば、システムコントローラ５０は、選択されたモードに応じた処理を実行し（Ｓ１０４）、処理を終えたならばＳ１０３に戻る。
【００６５】
システムコントローラ５０は、電源制御回路８０により電源８６の残容量やカメラ本体１００の動作状況に問題があるか否かを判断し（Ｓ１０６）、問題があるならば情報表示ユニット５４を用いて、画像や音声により所定の警告表示を行う（Ｓ１０８）。そして、Ｓ１０３に戻る。
【００６６】
電源８６に問題が無い場合は（Ｓ１０６）、システムコントローラ５０は、記録媒体２００の動作状態が、カメラ本体１００の記録媒体２００に対する画像データの記録再生動作において問題があるか否かを判断する（Ｓ１０７）。問題があるならば、情報表示ユニット５４を用いて、画像や音声により所定の警告表示を行った後（Ｓ１０８）、Ｓ１０３に戻る。
【００６７】
Ｓ１０７において、記録媒体２００の動作状態に問題が無いならば、情報表示ユニット５４を用いて、画像や音声によりカメラ本体１００の各種設定状態の表示を行う（Ｓ１０９）。なお、画像表示パネル２８の画像表示がＯＮであったならば、画像表示パネル２８も用いて、画像や音声によりカメラ本体１００の各種設定状態の表示を行う。
【００６８】
次に、システムコントローラ５０は、クイックレビューＯＮ／ＯＦＦスイッチ６８の設定状態を調べ（Ｓ１１０）、クイックレビューＯＮに設定されていたならばクイックレビューフラグを設定する（Ｓ１１１）。また、クイックレビューＯＦＦに設定されていたならば、クイックレビューフラグを解除する（Ｓ１１２）。なお、クイックレビューフラグは、システムコントローラ５０の内部メモリ或いはメモリ５２に記憶される。
【００６９】
続いて、システムコントローラ５０は、ファインダモード設定スイッチ６６の設定状態を調べ（Ｓ１１３）、画像表示ＯＮに設定されていたならば、ＥＶＦフラグを設定する（Ｓ１１４）。また、画像表示パネル２８の画像表示をＯＮに設定し（Ｓ１１５）、さらに撮像した画像データを逐次表示するスルー表示状態を設定する（Ｓ１１６）。その後、Ｓ１１９に進む。
【００７０】
スルー表示状態では、撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０およびメモリ制御回路２２を介して、画像表示メモリ２４に逐次書き込まれたデータを、メモリ制御回路２２およびＤ／Ａ変換器２６を介して画像表示パネル２８に逐次表示させる。これにより、電子ファインダ機能が実現される。
【００７１】
画像表示ＯＮ／ＯＦＦスイッチ６６が画像表示ＯＦＦに設定されていたならば（Ｓ１１３）、ＥＶＦフラグを解除し（Ｓ１１７）、さらに画像表示パネル２８の画像表示をＯＦＦに設定して（Ｓ１１８）、Ｓ１１９に進む。
【００７２】
画像表示ＯＦＦの場合は、画像表示パネル２８による電子ファインダ機能を使用せず、光学ファインダ１０４を用いて撮像を行う。この場合、電力消費量の大きい画像表示パネル２８やＤ／Ａ変換器２６等での電力消費を削減することが可能となる。なお、ＥＶＦフラグの状態は、システムコントローラ５０の内部メモリ或いはメモリ５２に記憶される。
【００７３】
Ｓ１１９において、シャッタスイッチＳＷ１が押されていないならば、Ｓ１０３に戻る。シャッタスイッチＳＷ１が押されたならば、システムコントローラ５０は、内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたＥＶＦフラグの状態を判断する（Ｓ１２０）。そして、ＥＶＦフラグが設定されていたならば、画像表示パネル２８の表示状態をフリーズ表示状態に設定して（Ｓ１２１）、Ｓ１２２に進む。
【００７４】
フリーズ表示状態においては、撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０およびメモリ制御回路２２を介した画像表示メモリ２４の画像データ書き換えが禁止される。そして、最後に書き込まれた画像データを、メモリ制御回路２２およびＤ／Ａ変換器２６を介して画像表示パネル２８により表示することにより、フリーズした画像を電子ファインダに表示する。
【００７５】
Ｓ１２０において、ＥＶＦフラグが解除されていたならば、Ｓ１２２に進む。
【００７６】
Ｓ１２２において、システムコントローラ５０は、焦点検出を行って撮影光学系３０１の焦点を被写体に合わせ、また測光処理を行って絞り値およびシャッタ時間を決定する（Ｓ１２２）。この測光・焦点検出処理（Ｓ１２２）の詳細については、図４を用いて後述する。
【００７７】
測光・焦点検出処理（Ｓ１２２）を終えると、システムコントローラ５０は、内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたＥＶＦフラグの状態を判断する（Ｓ１２３）。ＥＶＦフラグが設定されていたならば、画像表示パネル２８の表示状態をスルー表示状態に設定し（Ｓ１２４）、Ｓ１２５に進む。なお、Ｓ１２４でのスルー表示は、Ｓ１１６でのスルー表示と同じ動作により行われる。
【００７８】
Ｓ１２５において、シャッタスイッチＳＷ２が押されず、さらにシャッタスイッチＳＷ１の操作も解除されたならば（Ｓ１２６）、Ｓ１０３に戻る。
【００７９】
一方、Ｓ１２５において、シャッタスイッチＳＷ２が押されたならば、システムコントローラ５０は内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたＥＶＦフラグの状態を判断する（Ｓ１２７）。ＥＶＦフラグが設定されていたならば、画像表示パネル２８の表示状態を固定色表示状態に設定して（Ｓ１２８）、Ｓ１２９に進む。
【００８０】
固定色表示状態においては、撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０、メモリ制御回路２２を介して画像表示メモリ２４に書き込まれた撮影画像データを固定色の画像データに差し替える。この固定色の画像データが、メモリ制御回路２２およびＤ／Ａ変換器２６を介して画像表示パネル２８に表示されることにより、固定色の映像が電子ファインダに表示される。
【００８１】
Ｓ１２７において、ＥＶＦフラグが解除されていたならば、Ｓ１２９に進む。Ｓ１２９においては、システムコントローラ５０は、撮像素子１４の露光処理および書き込み処理を実行する。この露光および書き込み処理（Ｓ１２９）の詳細については図５および図６を用いて後述する。
【００８２】
露光処理が終了すると、システムコントローラ５０は、内部メモリ或いはメモリ５２に記憶されたクイックレビューフラグの状態を判断する（Ｓ１３０）。クイックレビューフラグが設定されていたならば、画像表示パネル２８の画像表示をＯＮに設定し（Ｓ１３１）、クイックレビュー表示を行う（Ｓ１３３）。
【００８３】
Ｓ１３０において、クイックレビューフラグが解除されていたならば、Ｓ１３４に進む。
【００８４】
Ｓ１３４において、システムコントローラ５０は、メモリ３０に書き込まれた撮影画像データを読み出して、メモリ制御回路２２および必要に応じて画像処理回路２０を用いて各種画像処理を実行する。また、圧縮・伸長回路３２を用いて、設定されたモードに応じた画像圧縮処理を行った後、記録媒体２００への画像データの書き込み（記録処理）を実行する。この記録処理（Ｓ１３４）の詳細については図７を用いて後述する。
【００８５】
記録処理Ｓ１３４が終了した際に、シャッタスイッチＳＷ２が押された状態であったならば（Ｓ１３５）、システムコントローラ５０は、内部メモリ或いはメモリ５２に記憶された連写フラグの状態を判断する（Ｓ１３６）。連写フラグが設定されていたならば、連続して露光を行うためにＳ１２９に戻り、次の露光を行う。
【００８６】
連写フラグが設定されていないならば（Ｓ１３６）、シャッタスイッチＳＷ２の操作が放されるまで（Ｓ１３５）、現在の処理を繰り返す。
【００８７】
このように、本実施例では、クイックレビュー表示を行う設定がなされている場合において、記録処理Ｓ１３４が終了した際にシャッタスイッチＳＷ２が押された状態であったときは、シャッタスイッチＳＷ２が放されるまでクイックレビュー表示を継続する。これにより、撮影画像の確認を入念に行うことができる。
【００８８】
記録処理Ｓ１３４が終了した際にシャッタスイッチＳＷ２の操作が解除された状態であったならば、所定のミニマムレビュー時間が経過した（Ｓ１３７）後、Ｓ１３８に進む。また、記録処理Ｓ１３４が終了した際にシャッタスイッチＳＷ２が押し続けられ、クイックレビュー表示を継続した後にシャッタスイッチＳＷ２の操作が解除されたときも（Ｓ１３５）、所定のミニマムレビュー時間が経過した（Ｓ１３７）後に、Ｓ１３８に進む。
【００８９】
Ｓ１３８において、システムコントローラ５０は、ＥＶＦフラグが設定されていたならば、画像表示パネル２８の表示状態をスルー表示状態に設定して（Ｓ１３９）、Ｓ１４１に進む。この場合、画像表示パネル２８でのクイックレビュー表示によって撮影画像を確認した後に、次の撮影のために撮像画像データを逐次表示するスルー表示状態にすることができる。
【００９０】
Ｓ１３８において、ＥＶＦフラグが解除されていたならば、画像表示パネル２８の画像表示をＯＦＦ状態に設定して（Ｓ１４０）、Ｓ１４１に進む。この場合、画像表示パネル２８でのクイックレビュー表示によって撮影画像を確認した後は、省電力のために画像表示パネル２８での表示を停止する。これにより、電力消費量の大きい画像表示パネル２８やＤ／Ａ変換器２６等での電力消費を削減することが可能となる。
【００９１】
Ｓ１４１において、シャッタスイッチＳＷ１が押された状態であったならば、システムコントローラ５０は、Ｓ１２５に戻って次の撮影に備える。また、シャッタスイッチＳＷ１の操作が解除された状態であったならば（Ｓ１４１）、システムコントローラ５０は、一連の撮影処理を終えてＳ１０３に戻る。
【００９２】
図４のフローチャートには、図３のＳ１２２における測光・焦点検出処理の詳細な内容を示す。システムコントローラ５０は、Ｓ２００において、ＥＶＦフラグが設定されているか否かを判断する。ＥＶＦフラグが設定されている場合は、撮像素子１４から電荷信号を読み出し、Ａ／Ｄ変換器１６を介して画像処理回路２０に撮影画像データを逐次読み込む（Ｓ２０１）。この逐次読み込まれた画像データを用いて、画像処理回路２０は、ＴＴＬ（スルー・ザ・レンズ）方式のＡＥ（自動露出）処理、ＡＦ（オートフォーカス）処理に用いる所定の演算を行う。
【００９３】
なお、ここでの各処理は、撮影した全画素数のうちの必要に応じた特定の部分を必要個所分切り取って抽出し、演算に用いる。これにより、ＴＴＬ方式のＡＥ、ＡＷＢ、ＡＦの各処理において、中央重点モード、平均モードおよび評価モード毎に最適な演算を行うことが可能となる。
【００９４】
次に、システムコントローラ５０は、画像処理回路２０での演算結果を用いて、露出（ＡＥ）が適正と判断されるまで（Ｓ２０２）、絞り３０４と撮像素子１４の電子シャッタとの組み合わせでＡＥ制御を行う（Ｓ２０３）。なお、撮影レンズ３００への絞り駆動指令は、カメラ本体１００と撮影レンズ３００間の通信ライン３９９を介したシリアル通信にて送信される。
【００９５】
次に、システムコントローラ５０は、このＡＥ制御で得られた露出（ＡＥ）が適正と判断したならば（Ｓ２０２）、測定データおよび設定パラメータのうち少なくとも一方を内部メモリ或いはメモリ５２に記憶する。また、このとき、適正露出での撮像のためにフラッシュ照明が必要と判断した場合は、フラッシュフラグを設定する。フラッシュフラグは、システムコントローラ５０の内部メモリ又はメモリ５２に記憶される。
【００９６】
さらに、システムコントローラ５０は、画像処理回路２０での演算結果およびＡＥ制御で得られた測定データを用いて、ホワイトバランス（ＡＷＢ）が適正と判断されるまで（Ｓ２０６）、ＡＷＢ制御を行う（Ｓ２０７）。ＡＷＢ制御では、画像処理回路２０を用いて色処理のパラメータを調節する。
【００９７】
ホワイトバランス（ＡＷＢ）が適正と判断したならば（Ｓ２０６）、システムコントローラ５０は、測定データおよび設定パラメータのうち少なくとも一方を内部メモリ或いはメモリ５２に記憶する。
【００９８】
続いて、システムコントローラ５０は、焦点状態が合焦と判断されるまで（Ｓ２０８）、通信線３９９を介して撮影レンズ３００にフォーカス駆動指令を送信し、ＡＦ制御を行う（Ｓ２０９）。この際、レンズ制御マイクロコンピュータ３０６は、システムコントローラ５０から指令されたフォーカス駆動量あるいはフォーカス駆動速度に従ってフォーカス制御回路３０２を制御し、撮影光学系３０１のフォーカスレンズを光軸方向に駆動する。
【００９９】
ＡＦ制御には、いわゆるコントラスト検出方式が用いられる。これは、フォーカスレンズを光軸方向に駆動して、画像中の焦点検出領域から最も高い高周波成分が得られたフォーカスレンズ位置を合焦位置とするものである。
【０１００】
合焦判定を行った後（Ｓ２０８）、システムコントローラ５０は、測定データおよび設定パラメータのうち少なくとも一方を内部メモリ或いはメモリ５２に記憶し、測光・焦点検出処理ルーチン（Ｓ１２２）を終了する。
【０１０１】
一方、Ｓ２００にて、ＥＶＦフラグが設定されていない場合、すなわちＯＶＦモードの場合は、Ｓ２００からＳ２１０に進む。Ｓ２１０では、システムコントローラ５０は、測光センサ７による測光結果と、設定されている撮像素子１４の感度とに応じて、露出値を演算する（Ｓ２１１）。
【０１０２】
次に、システムコントローラ５０は、焦点検出ユニット８によりＴＴＬ位相差検出方式で検出されたピントずれ量が所定の合焦範囲内であるか否かを判別する（Ｓ２１２）。合焦範囲内であれば、測光・焦点検出処理を終了する。合焦範囲外であれば（Ｓ２１２）、Ｓ２０９と同様に、フォーカスレンズを駆動してＡＦ制御を行い（Ｓ２１３）、合焦判定を行うためにＳ２１２に戻る。
【０１０３】
図５および図６のフローチャートには、図３のＳ１２９における撮像処理のうち露光処理および書き込み処理の詳細な内容を示している。なお、図５および図６において、同じ丸囲み文字が付されたラインは、互いに繋がっていることを示す。
【０１０４】
システムコントローラ５０は、内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたＥＶＦフラグが設定状態（ＥＶＦモード）であれば、Ｓ３０１に進む。Ｓ３０１では、システムコントローラ５０は、シャッタ制御回路４０を制御して、それまでＥＶＦモードで開いていたシャッタ９の先幕を閉じる。次に、フラッシュユニット４００がホットシュー４１０に装着され、電源４０５がオン状態か否かを判断するとともに、内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたフラッシュフラグが設定状態か否かを判断する（Ｓ３０２）。電源４０５がオン状態で、フラッシュフラグが設定状態である場合はＳ３０３に進む。
【０１０５】
Ｓ３０３では、システムコントローラ５０は、後述する予備発光（以下、プリ発光という）の前に被写体を調光センサ１２を通じて測光する。このとき、撮影光学系３０１によって被写体像がシャッタ９の先幕面上に結像しており、該被写体像からの光束、すなわち先幕面での反射光束は結像レンズ１１を通して調光センサ１２上に像を結ぶ。この像を調光センサ１２で光電変換し、所定時間積分することで、プリ発光前における定常光下での被写体の測光を行う。
【０１０６】
次に、Ｓ３０４では、フラッシュユニット４００にプリ発光を行わせる。ここで、プリ発光とは、撮像（露光処理）の前に所定の発光量でフラッシュユニット４００を発光させ、被写体に照明光を照射することである。プリ発光指令は、フラッシュユニット４００とカメラ本体１００との間に設けられた通信線４９９を介して、シリアル通信で、システムコントローラ５０からフラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６に送信される。フラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６は、このプリ発光指令の前に、電源４０５の電圧を充電回路４０４で昇圧している。このため、プリ発光指令を受けると、発光制御回路４０３を制御し、Ｘｅ管４０１を放電させて所定光量のプリ発光を行う。なお、ここで行われるプリ発光および後述する本発光を含むフラッシュ発光制御に関しては、特許文献１にて開示されている。
【０１０７】
次に、システムコントローラ５０は、プリ発光によって照明された被写体を調光センサ１２を用いて測光する（Ｓ３０５）。プリ発光によって照明された被写体からの反射光束は、閉じ状態のシャッタ９の先幕面で反射し、結像レンズ１１によって調光センサ１２上に像を結ぶ。したがって、この像を調光センサ１２で光電変換し、所定時間積分することで、プリ発光時の被写体測光が行われる。
【０１０８】
次に、システムコントローラ５０は、Ｓ３０５で求めたプリ発光時の測光データから、Ｓ３０３で求めた定常光下での測光データを差し引く。前述したように、調光センサ１２の出力は対数圧縮されているので、演算は加減算にて行うことができる。これにより、プリ発光による被写体からの反射光束の成分のみが抽出される。そして、この反射光束成分と、予めシステムコントローラ５０の不図示のメモリに記憶されている、撮像素子１４の感度に応じた適正光量時の測光データとの差に基づいて本発光量を求める（Ｓ３０６）。
【０１０９】
次に、システムコントローラ５０は、シャッタスイッチＳＷ２が押されたことに応じて、シャッタ制御回路４０を制御し、シャッタ９の先幕を開方向に走行させ（Ｓ３０７）、撮像素子１４の露光を開始する（Ｓ３０８）。
【０１１０】
次に、システムコントローラ５０は、再度フラッシュフラグが設定状態か否かを判別し（Ｓ３０９）、フラッシュフラグが設定状態である場合は、Ｓ３０６で求めた本発光量をフラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６に指令する（Ｓ３１０）。これにより、フラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６は、指令された発光量での本発光を行う。そして、システムコントローラ５０は、設定された露光時間に応じてシャッタ９の後幕を閉じ（Ｓ３１１）、撮像素子１４の電荷蓄積を終了して露光を終了する（Ｓ３１２）。
【０１１１】
一方、Ｓ３０１で、ＥＶＦモードでない場合は、Ｓ３２１に進む。Ｓ３２１では、システムコントローラ５０は、フラッシュフラグが設定状態か否かを判別し、プリ発光前に、ダウン位置にある主ミラー１からの反射光束を用いて測光センサ７で被写体を測光する（Ｓ３２２）。このとき、撮影光学系３０１により被写体像は主ミラー１を介してピント板２上に形成され、その像は結像レンズ６を通して測光センサ７上に結ばれる。この被写体像を測光センサ７で光電変換し、所定時間積分することで、定常光下での被写体測光が行われる。
【０１１２】
次に、Ｓ３０４と同等に、所定の発光量でフラッシュユニット４００をプリ発光させる（Ｓ３２３）。次に、該プリ発光による被写体での反射光束を用いて、Ｓ３０３と同様に測光センサ７で被写体を測光する（Ｓ３０５）。
【０１１３】
さらに、システムコントローラ５０は、Ｓ３２４で求めたプリ発光時の測光データから、Ｓ３２２で求めた定常光下での測光データを差し引くことにより、プリ発光による被写体での反射光束の成分のみが抽出される。前述したように、測光センサ７の出力は対数圧縮されているので、演算は加減算にて行うことができる。そして、この反射光束成分と、予めシステムコントローラ５０の不図示のメモリに記憶されている、撮像素子１４の感度に応じた適正光量時の測光データとの差に基づいて本発光量を求める（Ｓ３２５）。
【０１１４】
次に、システムコントローラ５０は、シャッタスイッチＳＷ２が押されたことに応じて、ミラー制御回路４１を制御して主ミラー１およびサブミラー３をアップ位置に移動させる。また、通信線３９９を介して、レンズ制御マイクロコンピュータ３０６に絞り３０４を所定の絞り値に絞り込む指令を送信する。レンズ制御マイクロコンピュータ３０６は、絞り制御回路３０５を制御して、絞り３０４を所定絞り値に絞りこむ（Ｓ３２６）。
【０１１５】
次に、システムコントローラ５０は、シャッタ制御回路４０を制御して、シャッタ９の先幕を開方向に走行させ（Ｓ３２７）、撮像素子１４の露光を開始する（Ｓ３２８）。
次に、システムコントローラ５０は、再度フラッシュフラグが設定状態か否かを判別し（Ｓ３２９）、フラッシュフラグが設定状態である場合は、Ｓ３２５で求めた本発光量をフラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６に指令する（Ｓ３３０）。これにより、フラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６は、指令された発光量での本発光を行う。そして、システムコントローラ５０は、設定された露光時間に応じてシャッタ９の後幕を閉じ（Ｓ３３１）、撮像素子１４の電荷蓄積を終了して露光を終了する（Ｓ３３２）。また、Ｓ３３３では、システムコントローラ５０は、主ミラー１およびサブミラー３をアップ位置からダウン位置に戻し、さらに絞り３０４を開放状態に駆動する。
【０１１６】
システムコントローラ５０は、撮像素子１４から電荷信号を読み出し、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０およびメモリ制御回路２２を介して、メモリ３０に撮影画像のデータを書き込む（Ｓ３４０）。このとき、Ａ／Ｄ変換器１６からメモリ制御回路２２を介してメモリ３０に撮影画像のデータを書き込むようにしてもよい。
【０１１７】
次に、システムコントローラ５０は、設定された撮影モードに応じて、フレーム処理を行う必要があるか否かを判別する（Ｓ３４１）。必要がある場合は、メモリ制御回路２２および必要に応じて画像処理回路２０を用いて、メモリ３０に書き込まれた画像データを読み出し、垂直加算処理（Ｓ３４２）や色処理（Ｓ３４３）を順次行う。その後、メモリ３０に処理を終えた画像データを書き込む。
【０１１８】
次に、システムコントローラ５０は、メモリ３０から画像データを読み出し、メモリ制御回路２２を介して画像表示メモリ２４に表示画像データの転送を行う（Ｓ３４４）。こうして一連の処理を終えると、露光および書き込み処理ルーチン（Ｓ１２９）を終了する。
【０１１９】
図７のフローチャートには、図３のＳ１３４における記録処理の詳細な内容を示している。
【０１２０】
システムコントローラ５０は、メモリ制御回路２２および必要に応じて画像処理回路２０を用いて、メモリ３０に書き込まれた撮影画像データを読み出し、該画像データに対して縦横画素比率を１：１に補間する画素正方化処理を行う（Ｓ４０１）。そして、メモリ３０に処理を終えた画像データを書き込む。
【０１２１】
次に、システムコントローラ５０は、メモリ３０に書き込まれた画像データを読み出して、設定されたモードに応じた画像圧縮処理を圧縮・伸長回路３２により行う（Ｓ４０２）。そして、インタフェース９０およびコネクタ９２を介して、記録媒体２００へ圧縮した画像データの書き込みを行う（Ｓ４０３）。
【０１２２】
記録媒体２００への書き込みが終わると、システムコントローラ５０は、記録処理ルーチン（Ｓ１３４）を終了する。
【０１２３】
以上説明したように、本実施例では、主ミラー１がアップ位置に配置されたＥＶＦモードにおいて、シャッタ９で反射した光束を用いて、撮像素子１４とは別の調光センサ１２を用いて測光を行うことができる。さらに、調光センサ１２の出力は対数圧縮されて本発光の発光量の設定演算に用いられる。このため、撮像素子１４を用いて測光を行う場合に比べて広い測光レンジを確保することができ、近距離被写体から遠距離被写体に対するフラッシュユニット４００の発光量を適切に設定することができる。
【０１２４】
しかも、ＥＶＦモードにおける撮像時に、主ミラー１をアップ位置から一旦ダウン位置に移動させて測光を行い、再び主ミラー１をアップ位置に戻して撮像（露光処理）を行うという動作が不要になるので、レリーズタイムラグを短縮することができる。
【０１２５】
また、本実施例では、ＯＶＦモードからフラッシュ撮像を行う場合においては、測光センサ７からの出力に基づいて本発光量を設定する。さらに、測光センサ７の出力は対数圧縮されて本発光の発光量の設定演算に用いられる。このため、ＯＶＦモードでもＥＶＦモードでも、フラッシュユニット４００の発光量を適切に設定することが可能な一眼レフカメラを実現することができる。
【実施例２】
【０１２６】
実施例１では、ＥＶＦモードにおいて、閉じ状態のシャッタ９の先幕面で反射した光束を調光センサ１２で受けて被写体測光を行う場合について説明した。これに対し、本実施例では、シャッタ９よりも被写体側に、電気的に透過率を変化させることができる光学電気素子を配置している。この光学電気素子は、通電により入射光束の大部分を拡散（散乱）反射する低透過率状態となり、通電を停止することにより入射光束の大部分を透過させる高透過率状態になる。このような素子としては、例えば、エレクトロクロミック素子がある。
【０１２７】
そして、本実施例では、プリ発光の前に該光学電気素子を低透過率状態とし、この状態で該光学電気素子の被写体側の面に形成された被写体像を用いて測光を行う。これにより、実施例１のようにシャッタ９の先幕面に拡散処理をする必要がなくなり、該先幕面での乱反射によるゴーストの発生の可能性を排除することができる。また、一般に、メカニカルなシャッタ９に比べて、光学電気素子の方が状態切換え動作が速い。このため、ＥＶＦモードにおいて開いていたシャッタ９を閉じる前に、調光センサ１２を用いた測光を行うことが可能になり、レリーズタイムラグをより短縮することができる。
【０１２８】
図８には、本発明の実施例２である一眼レフカメラシステムの構成を示している。実施例１と同じ構成要素には、実施例１と同じ符号を付与して説明に代える。
【０１２９】
同図において、４３は光学電気素子としてのエレクトロクロミック素子である。４２は該エレクトロクロミック素子４３を駆動するエレクトロクロミック制御回路である。
【０１３０】
次に、図９および図６のフローチャートを用いて、本実施例におけるシステムコントローラ５０の動作のうち露光・現像処理での動作について説明する。なお、図９のフローチャートは、実施例１の図５のフローチャートのうちＳ３０３からＳ３０６が、Ｓ５０１かからＳ５０６に置き換わったものに相当する。ここでは、Ｓ５０１からＳ５０６を中心に説明する。また、図６のフローチャートは、実施例１と共通である。
【０１３１】
システムコントローラ５０は、内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたＥＶＦフラグが設定状態（ＥＶＦモード）であれば、Ｓ３０１に進む。Ｓ３０１では、システムコントローラ５０は、シャッタ制御回路４０を制御して、それまでＥＶＦモードで開いていたシャッタ９の先幕を閉じる。次に、フラッシュユニット４００がホットシュー４１０に装着され、電源４０５がオン状態か否かを判断するとともに、内部メモリ又はメモリ５２に記憶されたフラッシュフラグが設定状態か否かを判断する（Ｓ３０２）。電源４０５がオン状態で、フラッシュフラグが設定状態である場合はＳ５０１に進む。
【０１３２】
Ｓ５０１では、システムコントローラ５０は、エレクトロクロミック制御回路４２を制御して、ＥＶＦモードにおいてそれまで無通電状態（高透過率状態）であったエレクトロクロミック素子４３に所定の通電を行う。これにより、エレクトロクロミック素子４３は低透過率状態になり、入射した光束の大部分を拡散反射する。このときの透過率は、０％に近いほどよい。
【０１３３】
次に。Ｓ５０２では、システムコントローラ５０は、プリ発光の前に被写体を調光センサ１２を通じて測光する。このとき、撮影光学系３０１によって被写体像がエレクトロクロミック素子４３上に形成されており、該被写体像からの光束、すなわちエレクトロクロミック素子４３での反射光束は結像レンズ１１を通して調光センサ１２上に像を結ぶ。この像を調光センサ１２で光電変換し、所定時間積分することで、プリ発光前における定常光下での被写体の測光を行う。
【０１３４】
次に、Ｓ５０３では、フラッシュユニット４００にプリ発光を行わせる。プリ発光指令は、フラッシュユニット４００とカメラ本体１００との間に設けられた通信線４９９を介して、シリアル通信で、システムコントローラ５０からフラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６に送信される。フラッシュ制御マイクロコンピュータ４０６は、このプリ発光指令の前に、電源４０５の電圧を充電回路４０４で昇圧している。このため、プリ発光指令を受けると、発光制御回路４０３を制御し、Ｘｅ管４０１を放電させて所定光量のプリ発光を行う。なお、ここで行われるプリ発光および後述する本発光を含むフラッシュ発光制御は、実施例１と同じである。
【０１３５】
次に、システムコントローラ５０は、プリ発光によって照明された被写体を調光センサ１２を用いて測光する（Ｓ５０４）。プリ発光によって照明された被写体からの反射光束は、低透過率状態のエレクトロクロミック素子４３で拡散反射し、結像レンズ１１によって調光センサ１２上に像を結ぶ。したがって、この像を調光センサ１２で光電変換し、所定時間積分することで、プリ発光時の被写体測光が行われる。
【０１３６】
次に、システムコントローラ５０は、エレクトロクロミック制御回路４２を制御して、エレクトロクロミック素子４３への通電をオフする（Ｓ５０５）。これにより、エレクトロクロミック素子４３は高透過率状態になり、入射した光束の大部分を透過する。このときの透過率は、１００％に近いほどよい。
【０１３７】
次に、システムコントローラ５０は、Ｓ５０４で求めたプリ発光時の測光データから、Ｓ５０２で求めた定常光下での測光データを差し引く。実施例１と同様に、調光センサ１２の出力は対数圧縮されているので、演算は加減算にて行うことができる。これにより、プリ発光による被写体からの反射光束の成分のみが抽出される。そして、この反射光束成分と、予めシステムコントローラ５０の不図示のメモリに記憶されている、撮像素子１４の感度に応じた適正光量時の測光データとの差に基づいて本発光量を求める（Ｓ５０６）。
【０１３８】
そして、Ｓ３０７に進み、これ以降は実施例１と同様に動作する。また、ＯＶＦモードでは、実施例１と同様に動作する。
【０１３９】
以上説明したように、本実施例では、主ミラー１がアップ位置に配置されたＥＶＦモードにおいて、エレクトロクロミック素子４３で反射した光束を用いて、撮像素子１４とは別の調光センサ１２を用いてプリ発光前およびプリ発光時の測光を行う。さらに、調光センサ１２の出力は対数圧縮されて本発光の発光量の設定演算に用いられる。このため、撮像素子１４を用いて測光を行う場合に比べて広い測光レンジを確保することができ、近距離被写体から遠距離被写体に対するフラッシュユニット４００の発光量を適切に設定することができる。
【０１４０】
しかも、ＥＶＦモードにおける撮像時に、主ミラー１をアップ位置から一旦ダウン位置に移動させて測光を行い、再び主ミラー１をアップ位置に戻して撮像（露光処理）を行うという動作が不要になるので、レリーズタイムラグを短縮することができる。
【０１４１】
また、本実施例でも、実施例１と同様に、ＯＶＦモードからフラッシュ撮像を行う場合においては、測光センサ７からの出力に基づいて本発光量を設定する。さらに、測光センサ７の出力は対数圧縮されて本発光の発光量の設定演算に用いられる。このため、ＯＶＦモードでもＥＶＦモードでも、フラッシュユニット４００の発光量を適切に設定することが可能な一眼レフカメラを実現することができる。
【０１４２】
なお、上記各実施例では、撮像前にプリ発光を行い、撮像時に本発光を行う場合について説明したが、本発明は、プリ発光を行わずに撮像時にフラッシュ発光を行う場合にも適用することができる。
【０１４３】
また、上記各実施例では、撮影光路内のアップ位置と撮影光路外のダウン位置との間で移動可能なミラー（光路切換部材）を有するカメラについて説明したが、本発明はこのような光路切換部材を有する撮像装置に限らず適用することができる。例えば、撮影光路内において撮影光学系からの光束をファインダ光学系に反射する位置と、同じく撮影光学系からの光束を透過させて撮像素子に向かわせる位置と、撮影光路外に退避する位置とに移動可能なミラーを備えた撮像装置にも適用することができる。また、一部に反射膜が形成された透明体を、該反射膜が撮影光路上に配置される位置と、反射膜が形成されていない透光部分が撮影光路上に配置される位置とに移動させる撮像装置にも本発明を適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】本発明の実施例１である一眼レフデジタルカメラシステムの構成を示すブロック図。
【図２】実施例１のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図３】実施例１のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図４】実施例１のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図５】実施例１のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図６】実施例１のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図７】実施例１のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図８】本発明の実施例２である一眼レフデジタルカメラシステムの構成を示すブロック図。
【図９】実施例２のカメラシステムの動作を示すフローチャート。
【図１０】従来の一眼レフデジタルカメラ（ミラーダウン状態）の構成を示す断面図。
【図１１】従来の一眼レフデジタルカメラ（ミラーアップ状態）の構成を示す断面図。
【符号の説明】
【０１４５】
１ 主ミラー
３ サブミラー
９ フォーカルプレーンシャッタ
１４ 撮像素子
２８ 画像表示パネル
４３ エレクトロクロミック素子
５０ システムコントローラ
１００ カメラ本体
３００ 撮影レンズ
４００ フラッシュユニット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像の光電変換を行う撮像素子と、
前記撮像素子を用いて得られた画像を表示する電子表示素子と、
ファインダ光学系と、
被写体からの光束を前記ファインダ光学系に導く第１の位置および被写体からの光束を前記撮像素子に向かわせる第２の位置に移動可能な光路切換部材と、
前記撮像素子の露光量を制御するシャッタと、
第１の受光素子と、
前記光路切換部材を前記第２の位置に配置して前記シャッタを開くことにより前記電子表示素子を用いた被写体の電子的観察を可能とし、かつ被写体を照明するフラッシュユニットの発光を制御する制御ユニットとを有し、
前記制御ユニットは、前記電子的観察状態からのフラッシュ撮像を行う場合において、該フラッシュ撮像の前に前記シャッタを閉じ動作させ、該シャッタでの反射光を受けた前記第１の受光素子からの出力に基づいて前記フラッシュユニットの発光量を設定することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
被写体像の光電変換を行う撮像素子と、
前記撮像素子を用いて得られた画像を表示する電子表示素子と、
ファインダ光学系と、
被写体からの光束を前記ファインダ光学系に導く第１の位置および被写体からの光束を前記撮像素子に向かわせる第２の位置に移動可能な光路切換部材と、
被写体から前記撮像素子への光路上に配置され、電気的に透過率を制御可能な光学電気素子と、
第１の受光素子と、
前記光路切換部材を前記第２の位置に配置して前記光学電気素子の透過率を第１の透過率に設定することにより前記電子表示素子を用いた被写体の電子的観察を可能とし、かつ被写体を照明するフラッシュユニットの発光を制御する制御ユニットとを有し、
前記制御ユニットは、前記電子的観察状態からのフラッシュ撮像を行う場合において、該フラッシュ撮像の前に、前記光学電気素子の透過率を前記第１の透過率よりも低い第２の透過率に設定し、該光学電気素子での反射光を受けた前記第１の受光素子からの出力に基づいて前記フラッシュユニットの発光量を設定することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
前記光学電気素子は、エレクトロクロミック素子であることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御ユニットは、前記フラッシュ撮像の前に前記フラッシュユニットに第１の発光を行わせ、該フラッシュ撮像時に前記フラッシュユニットに第２の発光を行わせる制御を行い、
前記制御ユニットは、前記第１の発光時における前記第１の受光素子からの出力に基づいて、前記第２の発光における発光量を設定することを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第１の受光素子からの出力は、対数圧縮されて前記制御ユニットに入力されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１の位置に配置された前記光路切換部材および前記ファインダ光学系を介した被写体の光学的観察状態からフラッシュ撮像を行う場合において、前記第２の受光素子からの出力に基づいて前記フラッシュユニットの発光量を設定することを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の撮像装置。
【請求項７】
前記フラッシュユニットの着脱が可能であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１つに記載の撮像装置。
【請求項１】
被写体像の光電変換を行う撮像素子と、
前記撮像素子を用いて得られた画像を表示する電子表示素子と、
ファインダ光学系と、
被写体からの光束を前記ファインダ光学系に導く第１の位置および被写体からの光束を前記撮像素子に向かわせる第２の位置に移動可能な光路切換部材と、
前記撮像素子の露光量を制御するシャッタと、
第１の受光素子と、
前記光路切換部材を前記第２の位置に配置して前記シャッタを開くことにより前記電子表示素子を用いた被写体の電子的観察を可能とし、かつ被写体を照明するフラッシュユニットの発光を制御する制御ユニットとを有し、
前記制御ユニットは、前記電子的観察状態からのフラッシュ撮像を行う場合において、該フラッシュ撮像の前に前記シャッタを閉じ動作させ、該シャッタでの反射光を受けた前記第１の受光素子からの出力に基づいて前記フラッシュユニットの発光量を設定することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
被写体像の光電変換を行う撮像素子と、
前記撮像素子を用いて得られた画像を表示する電子表示素子と、
ファインダ光学系と、
被写体からの光束を前記ファインダ光学系に導く第１の位置および被写体からの光束を前記撮像素子に向かわせる第２の位置に移動可能な光路切換部材と、
被写体から前記撮像素子への光路上に配置され、電気的に透過率を制御可能な光学電気素子と、
第１の受光素子と、
前記光路切換部材を前記第２の位置に配置して前記光学電気素子の透過率を第１の透過率に設定することにより前記電子表示素子を用いた被写体の電子的観察を可能とし、かつ被写体を照明するフラッシュユニットの発光を制御する制御ユニットとを有し、
前記制御ユニットは、前記電子的観察状態からのフラッシュ撮像を行う場合において、該フラッシュ撮像の前に、前記光学電気素子の透過率を前記第１の透過率よりも低い第２の透過率に設定し、該光学電気素子での反射光を受けた前記第１の受光素子からの出力に基づいて前記フラッシュユニットの発光量を設定することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
前記光学電気素子は、エレクトロクロミック素子であることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御ユニットは、前記フラッシュ撮像の前に前記フラッシュユニットに第１の発光を行わせ、該フラッシュ撮像時に前記フラッシュユニットに第２の発光を行わせる制御を行い、
前記制御ユニットは、前記第１の発光時における前記第１の受光素子からの出力に基づいて、前記第２の発光における発光量を設定することを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第１の受光素子からの出力は、対数圧縮されて前記制御ユニットに入力されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１の位置に配置された前記光路切換部材および前記ファインダ光学系を介した被写体の光学的観察状態からフラッシュ撮像を行う場合において、前記第２の受光素子からの出力に基づいて前記フラッシュユニットの発光量を設定することを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の撮像装置。
【請求項７】
前記フラッシュユニットの着脱が可能であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１つに記載の撮像装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００７−２０１２５（Ｐ２００７−２０１２５Ａ）
【公開日】平成１９年１月２５日（２００７．１．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２０２３１１（Ｐ２００５−２０２３１１）
【出願日】平成１７年７月１１日（２００５．７．１１）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１月２５日（２００７．１．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年７月１１日（２００５．７．１１）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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