トレンチポリシリコンダイオード
【課題】シリコン内にダイオード構造を位置させた半導体製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法は、N+(P+)型基板上にN−(P−)型エピタキシャル領域を形成すること、エピタキシャル領域内にトレンチを形成すること、さらに、前記トレンチ内に絶縁層を形成し、前記トレンチをポリシリコンで充填する。さらに、P+(N+)型ドーパントをインプラントして、前記トレンチ内に前記ポリシリコンのP+(N+)型領域を、N+(P+)型ドーパントをインプラントして、前記トレンチ内に前記ポリシリコンのN+(P+)型領域を形成しトレンチ内にポリシリコンダイオードを形成することを含み、ダイオードの一部は、トレンチの上面より低い。
【解決手段】トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法は、N+(P+)型基板上にN−(P−)型エピタキシャル領域を形成すること、エピタキシャル領域内にトレンチを形成すること、さらに、前記トレンチ内に絶縁層を形成し、前記トレンチをポリシリコンで充填する。さらに、P+(N+)型ドーパントをインプラントして、前記トレンチ内に前記ポリシリコンのP+(N+)型領域を、N+(P+)型ドーパントをインプラントして、前記トレンチ内に前記ポリシリコンのN+(P+)型領域を形成しトレンチ内にポリシリコンダイオードを形成することを含み、ダイオードの一部は、トレンチの上面より低い。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
金属酸化物半導体(MOS)集積回路(IC)およびディスクリートパワーMOSトランジスタは、MOSトランジスタのゲートを介して入力信号を受ける。ゲート端子に高電圧入力信号が印加されると、ゲート酸化物層は、高電圧に耐えることができずブレークダウンする可能性がある。半導体装置が人間や機械によって運ばれる際に、通常の入力電圧より高い電圧が生じて、装置に破損をもたらす可能性がある。
【0002】
とはいえ、異常に高い電圧の原因は多い。例えば、表面の摩擦によって、あるいは、ICもしくはディスクリートMOSトランジスタがプラスチック包装から出される場合に電荷が生成する可能性がある。静電気は、数百ボルトから数千ボルトに及ぶ可能性がある。そのような高電圧が、ICのピンまたはディスクリートパッケージに印加されると、パッケージ内でトランジスタのゲート酸化物層の電圧ブレークダウンが生じ、トランジスタが動作しなくなることをもたらす場合がある。その結果、IC全体またはディスクリートMOSトランジスタが動作しなくなることもあり得る。
【0003】
MOSトランジスタに対するそのようなダメージを防ぐために、ICのピンまたはディスクリートMOSトランジスタパッケージに保護回路が接続されている。そのような保護回路は、通常、各入力/出力(I/O)パッドと集積回路との間に接続されている。保護回路は、高電圧がI/Oパッドに印加された時に作動するように設計されている。従って、これらの保護回路は、電気路を、例えば、接地にもたらして、高いスパイク電圧によって引き起こされる高いスパイク電流を安全に放電し、MOSトランジスタをゲート酸化膜のダメージから保護する。
【0004】
表面に形成されたポリシリコンツェナーダイオードは、パワートレンチMOSトランジスタにおいてESD(静電放電)保護のために好ましい。しかし、半導体ICおよび装置の特徴寸法が低減されるにつれ、リソグラフィモジュールが小さな特徴をプリントし、それによって、より高いセル密度を達成するために平坦面を有することが重要である。従来の表面に形成されたポリシリコンツェナーダイオードは、表面トポロジーを増加させ、それは、リソグラフィにおける小さな特徴をプリントする能力を制限する。
【発明の開示】
【0005】
本発明の実施形態は、トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法を含む。この方法は、N+(P+)型基板上のN−チャネル(P−チャネル)トレンチMOSFETのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧要件によって決まるN−(P−)型エピタキシャル層を形成すること、N−(P−)型エピタキシャル領域内にトレンチを形成すること、トレンチの内側を覆う厚い酸化物絶縁層を成長させること、を含む。この方法は、さらに、トレンチをポリシリコンで充填すること、ポリシリコンをエッチバックしてトレンチの上面を形成すること、トレンチポリシリコン領域内にダイオードを形成することであって、前記ダイオードの一部が前記トレンチの上面より低い、を含む。
【0006】
本発明の実施形態は、さらに、静電放電保護を備えたトレンチMOSFETを含む。トレンチMOSFETは、N+(P+)型基板上のN−チャンネル(P−チャンネル)トレンチMOSFETのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧要件によって決まるN−(P−)型エピタキシャル領域を含む。トレンチは、N−(P−)型エピタキシャル領域に形成され、ここで、トレンチは上面を含む。トレンチ上にゲート酸化物層を成長させ、ゲートポリシリコンが堆積され、そして、エッチバックされて、トレンチMOSFETのゲートが形成される。トレンチMOSFETは、さらに、N−(P−)型エピタキシャル領域内に形成されたP(N)型ボディ、および、P(N)型ボディに形成されたN+(P+)型ソースを含む。
【0007】
本発明のトレンチポリシリコンダイオードは、シリコン内にポリシリコンツェナーダイオード構造を位置させることにより、シリコン表面のトポロジーを著しく低下させる。従来のポリシリコンツェナーダイオード構造は、シリコンの表面に位置されており、シリコンのトポロジーを増加させて、リソグラフィの特徴寸法を制限するとともに、セル密度を低下させる。本発明の1つの実施形態では、ストライプトレンチソースブロックを変更することで、ポリシリコンツェナーダイオード構造の異なるブレークダウン電圧を指定することができる。本発明の1つの実施形態において、より多くのトレンチポリシリコンツェナーダイオードセルを並列に接続することで、異なるESD定格を指定することができる。本発明の1つの実施形態においては、トレンチポリシリコンダイオードは、保護機能、クランピング機能および温度検出機能に使用することもできる。
【0008】
本発明の実施形態は、トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法を含む。方法は、N+(P+)型基板上にN−(P−)型エピタキシャル領域を形成すること、N−(P−)型エピタキシャル領域内にトレンチを形成することを含む。この方法は、さらに、トレンチ内に絶縁層を形成することと、トレンチをポリシリコンで充填してトレンチの上面を形成することを含む。この方法は、さらに、トレンチにP+(N+)型ドープドポリシリコン領域およびN+(P+)型ドープドポリシリコン領域を形成することと、トレンチ内にダイオードを形成することであって、前記ダイオードの一部が前記トレンチの前記上面より低い、を含む。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本発明による種々の実施形態について以下に詳細に説明し、それらの例を添付図面において説明する。本発明は、これらの実施形態と共に説明されるが、それらは、本発明をこれらの実施形態に限定することを意図しないことが理解される。一方、本発明は、代替、変更および均等物を包含するように意図され、これらは、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の趣旨および範囲内に包含されるであろう。さらに、本発明の以下の詳細な説明では、多くの具体的な詳細を本発明について完全な理解をもたらすために説明する。しかし、本発明は、これらの具体的な詳細事項なしで実施されてもよいことは明らかである。他の例では、周知の方法、手順、構成要素および回路は、本発明の態様を不必要に不明瞭にすることを避けるため、詳細に示されていない。
【0010】
本発明の実施形態は、トレンチポリシリコンダイオードの方法および構造を含む。本発明のトレンチポリシリコンダイオードは、シリコン内にトレンチポリシリコンダイオード構造を配置することにより、シリコン表面のトポロジーを著しく低下させる。従来のポリシリコンダイオード構造は、シリコンの表面に配置され、シリコンのトポロジーを増加させて、セル密度を低下させる。本発明の1つの実施形態では、ダイオードインプランテーションを変更することで、トレンチポリシリコンツェナーダイオード構造の異なるブレークダウン電圧を設定することができる。本発明の1つの実施形態では、一連の連続するダイオード部材の和を変更することで、トレンチポリシリコンツェナーダイオード構造の異なるブレークダウン電圧を設定することができる。本発明の1つの実施形態では、トレンチポリシリコンツェナーダイオードは、ESD保護のために形成される。本発明の1つの実施形態では、ESD定格を設定するために、より多くのトレンチポリシリコンツェナーダイオードセルを並列に接続することができる。本発明の1つの実施形態では、トレンチポリシリコンダイオードは、温度検出機能として使用することができる。本発明の1つの実施形態では、トレンチポリシリコンツェナーダイオードは、ソース−ドレイン過電圧保護機能およびクランピング機能に使用することができる。
【0011】
図1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H、1I、1J、1Kおよび1Lは、本発明の実施形態による縦型トレンチポリシリコンダイオードを製造する例示的な方法で行われる種々のステップの説明図である。
【0012】
図1Aにおいて、従来のN+(P+)型ドープド基板101上に、N−(P−)型ドープドエピタキシャル領域102が形成されている。N−(P−)型エピタキシャル領域102上に酸化物パッド103が形成されている。本発明の1つの実施形態では、酸化物パッドは、厚みがおよそ300Åである。本発明の1つの実施形態では、酸化物パッドは、SiO2を含む。酸化物パッド103上に窒化ケイ素層104が形成されている。本発明の1つの実施形態では、窒化ケイ素層104は、厚みがおよそ2000Åである。
【0013】
フォトレジスト層105を使用して、トレンチ120の位置を覆い隠す。図1Aは、トレンチ形成後の半導体装置の説明図である。本発明の1つの実施形態では、トレンチ120は、静電放電(ESD)トレンチである。本発明の他の実施形態では、トレンチ120は、クランピング機能や温度検出機能に使用されるトレンチダイオードの一部である。
【0014】
図1Bでは、(図1Aの)フォトレジスト層105を取り除き、トレンチ120の内部に絶縁層122を形成する。本発明の1つの実施形態では、絶縁層は、LOCOS(シリコンの局所的酸化)酸化物を含む。本発明の1つの実施形態では、絶縁層は、厚みが3000Åである。本発明の1つの実施形態では、絶縁層122の厚みは、ツェナーダイオードと保護されるデバイスとの間の良好な絶縁のために、保護されるデバイスの所望のドレイン−ソース間ブレークダウン定格によって決まる。例えば、より厚い絶縁層122は、より薄い絶縁層122より高い絶縁定格をもたらす。本発明の1つの実施形態では、3000Åの絶縁層122は、40ボルトより大きいブレークダウン電圧(BV)を備える。本発明の1つの実施形態では、絶縁層122は、窒化ケイ素層104の上面には形成されない。
【0015】
図1Cにおいて、ポリシリコン層140を堆積してトレンチ120を充填する。本発明の1つの実施形態では、ポリシリコン層140は、厚みが1.5ミクロンであり、その厚みは、トレンチ幅によって変更することができる。ポリシリコン層140は、絶縁層122を覆って堆積されている。本発明の1つの実施形態では、ポリシリコン層は、窒化ケイ素層104の表面を覆って堆積されている。本発明の実施形態では、窒化ケイ素層104は、エッチストップとしての機能を果たす。図1Cは、ポリシリコン層140のエッチバック後の説明図である。残ったポリシリコン140は、トレンチ120を充填している。本発明の1つの実施形態では、トレンチは、トレンチの上面が、N−(P−)型エピタキシャル領域の最上層と同じ高さであるように充填されている。
【0016】
図1Dでは、窒化ケイ素層104および酸化物パッド層103を取り除く。本発明の1つの実施形態では、バッファ酸化物エッチまたはHFエッチを使用して、酸化物パッド層103を取り除く。
【0017】
図1Eにおいて、ダイオード(ESD)トレンチ120に隣接して、1つあるいは複数のMOSFETトランジスタトレンチ155を形成する。MOSFETトランジスタトレンチ155に関する位置をトレンチマスク(フォトレジスト)150が覆い隠す。本発明の1つの実施形態では、従来の製造プロセスを使用して、MOSFETトレンチ155を形成する。
【0018】
図1Fにおいて、フォトレジスト155を取り除き、ゲート酸化物層160を形成し、MOSFETトレンチ155の内側を覆う。ダイオード(ESD)トレンチ120を充填するポリシリコン140の上面にもゲート酸化物層160を形成する。ゲート酸化物層160を覆ってゲートポリシリコン層161を堆積する。本発明の1つの実施形態では、ゲートポリシリコン161は、厚みがおよそ1ミクロンである。本発明の1つの実施形態では、このステップでゲートドーピングを行なうことができる。
【0019】
図1Gでは、ゲートポリシリコン161をエッチバックし、ゲートポリシリコン161の残りの部分が、MOSFETトレンチ155を充填する。
【0020】
図1Hでは、マスク170を使用して、ESDインプラント171からMOSFETトレンチ155を保護し、P+(N+)型トレンチポリシリコンダイオードを形成する。ESDインプラントを変更して、本発明のトレンチポリシリコンダイオードの特性を調整することができる。例えば、ダイオードの異なるブレークダウン電圧のために異なるインプラントドーズを使用することができる。
【0021】
図1Iでは、ボディインプラントを行って、P(N)型ボディ領域175を形成する。本発明の1つの実施形態では、ボディブロックマスクを使用して、ボディインプラント領域を形成する。本発明の1つの実施形態では、ボディインプラントは、インプランテーション後に打ち込まれる。
【0022】
図1Jでは、ソースブロックマスクを使用して、ソースインプラント領域を形成し、N+(P+)型シリコン領域180を形成する。同時に、ソースインプラントを使用して、トレンチポリシリコンダイオードのN+(P+)型ポリシリコン領域を形成する。図1Gのブロックされていないポリシリコン領域140は、ここで、N+(P+)型ドープド領域である。
【0023】
図1Kおよび1Lでは、トレンチトランジスタ155を従来のようにして完成する。図1Kでは、LTO(low temperature oxide)+BPSG(boron phosphorous silicate glass)層181を形成し、ソース電極およびゲート電極をパターン形成する。本発明の1つの実施形態では、コンタクトマスクをコンタクトインプラント中に使用して、コンタクトを形成する。コンタクト形成後に、本発明の1つの実施形態では、クランピング機能を望む場合、クランピングインプラントを行なうことができる。
【0024】
図1Lでは、メタライゼーション199を行って、MOSFETトランジスタのソース/ドレイン側189およびESD側190を完成する。
【0025】
図2Aは、本発明の実施形態による単一ストライプ縦型トレンチポリシリコンツェナーダイオードセルのレイアウトの説明図である。1つのツェナーダイオード電極は、金属領域200、N+(P+)型ポリシリコン領域203、ゲートコンタクト204を含む。接地側206は、また、N+(P+)型ポリシリコン領域203、および接地コンタクト214を含む。P+(N+)型ポリシリコン領域201は、N+(P+)型ポリシリコン領域203間にある。
【0026】
NPN(PNP)(例えば、N+(P+)203、P+(N+)201、N+(P+)203)領域は、本発明のトレンチポリシリコンツェナーダイオードを形成する。トレンチポリシリコンの1つの実施形態では、本発明のツェナーダイオードは、ESD保護に使用される。本発明の1つの実施形態において、異なるESD保護定格を達成するために、複数のポリシリコントレンチツェナーダイオードを接続(例えば、並列に)することができる。
【0027】
本発明の他の実施形態では、本発明のトレンチポリシリコンツェナーダイオードを、クランピング機能に使用する。本発明の他の実施形態では、本発明のトレンチポリシリコンダイオードを、温度検出のために使用することができる。図2Aのトレンチポリシリコンツェナーダイオードの断面は、A210〜A’216の線に沿ってツェナーダイオードを二分して断面視することができる(図2Bで説明するように)。
【0028】
図2Bは、(図2Aの)A210〜A’216における図2Aの縦型トレンチポリシリコンダイオードの第1の断面である。NPN(PNP)形成は、図2Bのトレンチポリシリコンツェナーダイオード280に相当する。
【0029】
図2Cは、(図2Aの)B211〜B’217における図2Aの縦型トレンチポリシリコンダイオードの第2の断面である。
【0030】
図3Aは、本発明の実施形態によるダブルストライプ縦型トレンチポリシリコンツェナーダイオードセルのレイアウトの説明図である。ゲート側300は、N+(P+)型ポリシリコン領域303およびゲートコンタクト304を含む。接地側306は、N+(P+)型ポリシリコン領域303および接地コンタクト314を含む。2つのP+(N+)型ポリシリコン領域301は、N+(P+)型ポリシリコン領域203間にある。2つのP+(N+)型ポリシリコン領域301間に、他のN+(P+)型ポリシリコン領域303がある。NPNPN(PNPNP)領域は、本発明の複数のトレンチポリシリコンダイオードを形成する。本発明の1つの実施形態において、複数のトレンチポリシリコンダイオードを接続し、ESD保護に使用する。図3Aのトレンチポリシリコンツェナーダイオードの断面は、C310〜C316(図3Bで説明するように)の線に沿ってツェナーダイオードを二分して断面視することができる。
【0031】
図3Bは、C310〜C’316(図3Aの)における図3Aの縦型トレンチポリシリコンツェナーダイオードの断面である。NPNPN(PNPNP)形成は、共に接続された図3Bの複数のトレンチポリシリコンツェナーダイオード380に相当する。
【0032】
図3Cは、本発明の実施形態による縦型トレンチポリシリコンツェナーダイオード381を含む単一ステージESD保護回路380の概略図である。
【0033】
図3Dは、本発明の実施形態による第1の縦型トレンチポリシリコンツェナーダイオード391、トレンチポリシリコン抵抗、および第2の縦型トレンチポリシリコンツェナーダイオード392を含むデュアルステージESD保護回路390の概略図である。
【0034】
図4は、本発明の実施形態による縦型トレンチポリシリコンダイオードを製造する例示的方法のフローチャートである。本発明の1つの実施形態では、プロセス400の結果得られるトレンチポリシリコンツェナーダイオードをESD保護に使用する。本発明の他の実施形態では、プロセス400の結果得られるトレンチポリシリコンダイオードは、過電圧保護および/またはクランピング機能に使用される。温度検出のために使用することができるトレンチポリシリコンダイオードの製造のために方法400を使用することができることはもちろんである。
【0035】
ステップ402では、プロセス400は、N+(P+)型基板上にN−(P−)型エピタキシャル領域を形成することを含む。
【0036】
ステップ404では、プロセス400は、N−(P−)型エピタキシャル領域内にトレンチを形成し、その上にLOCOS酸化物を成長させることを含む。本発明の1つの実施形態では、ステップ404で形成されたトレンチは、ESDトレンチである。本発明の1つの実施形態では、完成されたダイオード用の所望のブレークダウン電圧を支持するために、LOCOS酸化物の厚みを変更することができる。
【0037】
ステップ406では、プロセス400は、ポリシリコンを堆積し、そして、ポリシリコンをエッチバックすることを含み、残りのポリシリコンは、ステップ404で形成されたトレンチの上面を充填する。
【0038】
ステップ408では、プロセス400は、P+(N+)型ESDインプラントをドーピングすることにより、ステップ406で形成されたトレンチポリシリコン内にP+(N+)型ポリシリコン領域を形成することを含む。本発明の1つの実施形態では、完成したダイオードのための所望のブレークダウン電圧およびESD定格を達成するために、P+(N+)型ESDインプラントドーズを変更することができる。
【0039】
ステップ410では、プロセス400は、N+(P+)型ソースインプラントをドーピングすることにより、ステップ406で形成されたトレンチポリシリコン内にN+(P+)型ポリシリコン領域を形成することを含む。
【0040】
ステップ412では、プロセス400は、ボディ領域にダイオードを形成することを含み、ここにおいて、ダイオードの一部はトレンチの上面より低い。本発明の1つの実施形態では、一連のインプラントを行なうことによって、ダイオードを形成する。第1のESDインプラントを行って、トレンチ内に堆積されたポリシリコンをドーピングし(P+(N+)型ポリシリコン領域を形成する)、第2のソースインプラントを行って、トレンチ内に堆積されたポリシリコンをドーピングする((N+(P+)型ポリシリコン領域を形成する)。
【0041】
図5Aは、本発明の実施形態による温度検出ための概略上面レイアウト図500aである。温度センサ500aは、縦型トレンチポリシリコンダイオード510および520を含む。トレンチポリシリコンダイオード510および520は、アンチパラレルに電気的に接続され、ピン1の502およびピン2の504に電気的に接続されている。
【0042】
トレンチダイオード510は、N+型ポリシリコン領域512と、P+型ポリシリコン領域511の領域とを含む。ダイオード510は、コンタクト513を介してピン1(502)に電気的に接続され、コンタクト514を介してピン2(504)に電気的に接続されている。
【0043】
トレンチダイオード520は、N+型ポリシリコン領域521の領域およびP+型ポリシリコン領域522の領域を含む。ダイオード520は、コンタクト523を介してピン1(502)に電気的に接続され、コンタクト524を介してピン2(504)に電気的に接続されている。
【0044】
ピン1(502)とピン2(504)との間の電圧を測定することにより温度を決定することができる。ルックアップテーブルを使用して、複数の電圧に対応する温度を決定することができる。
【0045】
図5Bは、図5Aの例示的回路500bの説明図である。トレンチポリシリコンダイオード510および520は、ピン1(502)およびピン2(504)に電気的に接続されている。ピン1(502)とピン2(504)との間で電圧を測定することができ、例えば、ルックアップテーブルによって対応する温度を決定することができる。本発明の実施形態によって、所定の電圧用の対応する温度を検索する多くの方法を使用することができることはもちろんである。
【0046】
本発明の実施形態では、縦型トレンチポリシリコンダイオードを説明した。本発明は、特有の実施形態で説明されるとともに、そのような実施形態によって限定されるように解釈されるべきではなく、以下の特許請求の範囲によって解釈されることは当然である。
[付記]
概念1:
縦型トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法であって、
N+(P+)型基板上にN−(P−)型エピタキシャル領域を形成すること;
前記エピタキシャル領域内にトレンチを形成すること;
前記トレンチ内に絶縁層を形成すること;
前記トレンチをポリシリコンで充填して、前記トレンチの上面を形成すること;
P+(N+)型ドーパントをインプラントして、前記トレンチ内に前記ポリシリコンのP+(N+)型領域を形成すること;
N+(P+)型ドーパントをインプラントして、前記トレンチ内に前記ポリシリコンのN+(P+)型領域を形成すること;
前記トレンチ内にポリシリコンダイオードを形成することであって、前記ダイオードの一部は、前記トレンチの前記上面より低い、
を備えた、方法。
概念2:
前記絶縁層は酸化物を含む、概念1に記載の方法。
概念3:
前記トレンチ内の前記絶縁層は、それらの間の良好な絶縁のために、トレンチMOSFETトランジスタのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧より大きなブレークダウン電圧定格を有する、概念1〜2のいずれか1項に記載の方法。
概念4:
前記絶縁層は、厚みが数千Åであり、前記トレンチ内の前記絶縁層の厚みは、ブレークダウン電圧要件によって決まる、概念1〜2のいずれか1項に記載の方法。
概念5:
前記ダイオードの形成は、前記トランジスタのMOSFETトレンチの形成より前である、概念1〜4のいずれか1項に記載の方法。
概念6:
前記ダイオードは、ツェナーダイオードある、概念1〜5のいずれか1項に記載の方法。
概念7:
前記ツェナーダイオードは、静電放電保護に使用される、概念6に記載の方法。
概念8:
前記ツェナーダイオードは、クランピング機能に使用される、概念6に記載の方法。
概念9:
前記ダイオードは、トレンチダイオードであり温度検出に使用される、概念1〜5のいずれか1項に記載の方法。
概念10:
前記トレンチ内の前記N+(P+)型ドープドポリシリコンは、抵抗器として使用される、概念1〜9のいずれか1項に記載の方法。
概念11:
静電放電保護を備えたトレンチポリシリコンダイオードであって、
N+(P+)型基板と;
前記基板上のN−(P−)型エピタキシャル領域と;
前記N−(P−)型エピタキシャル領域内に形成され、上面を備えたトレンチと;
前記トレンチの内側を覆う絶縁層と;
前記トレンチを充填して、前記トレンチの上面を形成するポリシリコンと;
P+(N+)型ESDインプラントによって形成された前記トレンチ内のP+(N+)型ドーピングポリシリコンと;
N+(P+)型ソースインプラントによって形成された前記トレンチ内のN+(P+)型ドーピングポリシリコンと;
ダイオードの一部が前記トレンチの前記上面より下方に形成されるように、前記トレンチ内に形成されたダイオードと、
を含む、トレンチポリシリコンダイオード。
概念12:
前記絶縁層は酸化物を含む、概念11に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念13:
前記トレンチ内の前記絶縁層は、それらの間の良好な絶縁のために、トレンチMOSFETトランジスタのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧より大きなブレークダウン電圧定格を有する、概念11〜12のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念14:
前記絶縁層は、厚みが数千Åであり、前記トレンチ内の前記絶縁層の厚みは、ブレークダウン電圧要件によって決まる、概念11〜12のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念15:
前記ダイオードは、前記トランジスタのMOSFETトレンチの形成より前に形成されている、概念11〜14のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念16:
前記ダイオードは、ツェナーダイオードある、概念11〜15のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念17:
前記ツェナーダイオードは、静電放電保護に使用される、概念16に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念18:
前記ツェナーダイオードは、クランピング機能に使用される、概念16に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念19:
前記ダイオードは、トレンチダイオードであり、温度検出に使用される、概念11〜15のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念20:
前記トレンチ内の前記N+(P+)型ドープドポリシリコンは、抵抗器として使用される、概念11〜19のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念21:
トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法であって、
N+(P+)型基板上のN−(P−)型エピタキシャル領域内にトレンチを形成すること;
前記トレンチ内に絶縁層を形成することであって、前記絶縁層は、前記トレンチの内側を覆い;
前記トレンチ内をポリシリコンで充填し、前記トレンチの上面を形成すること;
前記ボディ領域内にダイオードを形成することであって、前記ダイオードの一部は、前記トレンチの前記上面より低い、
を備えた、方法。
概念22:
概念21に記載の方法であって、
前記N−(P−)型エピタキシャル領域内に複数のツェナーダイオードを形成し、前記複数のツェナーダイオードを並列に接続して、前記トランジスタを静電放電から保護するステップをさらに含む、方法。
概念23:
前記絶縁層は酸化物を含む、概念21〜22のいずれか1項に記載の方法。
概念24:
前記トレンチ内の前記絶縁層は、それらの間の良好な絶縁のために、トレンチMOSFETトランジスタのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧より大きなブレークダウン電圧定格を有する、概念21〜23のいずれか1項に記載の方法。
概念25:
前記絶縁層は、厚みが数千Åであり、前記トレンチ内の絶縁層の厚みは、ブレークダウン電圧要件によって決まる、概念21〜23のいずれか1項に記載の方法。
概念26:
前記ダイオードの形成は、前記トランジスタのMOSFETトレンチの形成より前に行う、概念21〜25のいずれか1項に記載の方法。
概念27:
前記ダイオードはツェナーダイオードある、概念21に記載の方法。
概念28:
前記ツェナーダイオードは静電放電保護に使用される、概念27に記載の方法。
概念29:
前記ツェナーダイオードはクランピング機能に使用される、概念27に記載の方法。
概念30:
前記ダイオードはトレンチダイオードであり温度検出に使用される、概念21〜26のいずれか1項に記載の方法。
概念31:
前記トレンチ内の前記N+(P+)型ドープドポリシリコンは、抵抗器として使用される、概念21〜30のいずれか1項に記載の方法。
概念32:
第1のピンおよび第2のピンに電気的に接続された第1のトレンチポリシリコンダイオードと、
前記第1のピンおよび前記第2のピンに接続された第2のトレンチポリシリコンダイオードと、
を含む温度センサであって、
前記第1のトレンチポリシリコンダイオードの一部は、N−(P−)型エピタキシャル領域の表面の下にあり、
前記第1のトレンチポリシリコンダイオード及び前記第2のトレンチポリシリコンダイオードはアンチパラレルに接続されており、前記第1のピンと前記第2のピンの間で測定された電圧によって温度を決定することができ、前記第2のトレンチポリシリコンダイオードの一部が、前記N−(P−)型エピタキシャル領域の表面の下にある、
温度センサ。
概念33:
前記第1のトレンチダイオードおよび第2のトレンチダイオードは、トレンチポリシリコンダイオードである、概念32に記載の温度センサ。
概念34:
複数の電圧と対応する温度値を含むルックアップテーブルをさらに含む、概念32、33のいずれか1項に記載の温度センサ。
概念35:
前記第1のダイオードおよび第2のダイオードは、P+型ポリシリコン領域およびN+型ポリシリコン領域を含む、概念32〜34のいずれか1項に記載の温度センサ。
【図面の簡単な説明】
【0047】
添付図面は、組み込まれて本明細書の一部を形成しており、本発明の実施形態を説明し、詳細な説明とともに本発明の原理を説明する役目をする。
【図1A】図1Aは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1B】図1Bは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1C】図1Cは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1D】図1Dは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1E】図1Eは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1F】図1Fは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1G】図1Gは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1H】図1Hは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1I】図1Iは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1J】図1Jは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1K】図1Kは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1L】図1Lは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図2A】図2Aは、本発明の実施形態による例示的な単一ストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードセルのレイアウトの説明図である。
【図2B】図2Bは、本発明の実施形態による単一ストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードの第1の断面図の説明図である。
【図2C】本発明の実施形態による単一ストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードの第2の断面図の説明図である。
【図3A】図3Aは、単一ストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードと比較して、トレンチポリシリコンツェナーダイオードのブレークダウン電圧を2倍にするための、本発明の実施形態によるダブルストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードセルのレイアウトの説明図である。トレンチポリシリコンツェナーダイオードのブレークダウン電圧がより高いと、より多くのストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードセルのレイアウトを設計することができる。
【図3B】図3Bは、本発明の実施形態によるダブルストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードの断面図の説明図である。
【図3C】図3Cは、本発明の実施形態によるESD保護用の例示的な単一ステージトレンチポリシリコンツェナーダイオードの概略図である。
【図3D】図3Dは、本発明の実施形態によるESD保護用の例示的なデュアルステージポリシリコンツェナーダイオードの概略図である。
【図4】図4は、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを製造する例示的方法のプロセスフローチャートである。
【図5A】図5Aは、本発明の実施形態による縦型トレンチダイオードを含む、例示的な検出温度の概略上面レイアウト図である。
【図5B】図5Bは、本発明の実施形態による縦型トレンチポリシリコンダイオードを含む温度検出回路の説明図である。
【背景技術】
【0001】
金属酸化物半導体(MOS)集積回路(IC)およびディスクリートパワーMOSトランジスタは、MOSトランジスタのゲートを介して入力信号を受ける。ゲート端子に高電圧入力信号が印加されると、ゲート酸化物層は、高電圧に耐えることができずブレークダウンする可能性がある。半導体装置が人間や機械によって運ばれる際に、通常の入力電圧より高い電圧が生じて、装置に破損をもたらす可能性がある。
【0002】
とはいえ、異常に高い電圧の原因は多い。例えば、表面の摩擦によって、あるいは、ICもしくはディスクリートMOSトランジスタがプラスチック包装から出される場合に電荷が生成する可能性がある。静電気は、数百ボルトから数千ボルトに及ぶ可能性がある。そのような高電圧が、ICのピンまたはディスクリートパッケージに印加されると、パッケージ内でトランジスタのゲート酸化物層の電圧ブレークダウンが生じ、トランジスタが動作しなくなることをもたらす場合がある。その結果、IC全体またはディスクリートMOSトランジスタが動作しなくなることもあり得る。
【0003】
MOSトランジスタに対するそのようなダメージを防ぐために、ICのピンまたはディスクリートMOSトランジスタパッケージに保護回路が接続されている。そのような保護回路は、通常、各入力/出力(I/O)パッドと集積回路との間に接続されている。保護回路は、高電圧がI/Oパッドに印加された時に作動するように設計されている。従って、これらの保護回路は、電気路を、例えば、接地にもたらして、高いスパイク電圧によって引き起こされる高いスパイク電流を安全に放電し、MOSトランジスタをゲート酸化膜のダメージから保護する。
【0004】
表面に形成されたポリシリコンツェナーダイオードは、パワートレンチMOSトランジスタにおいてESD(静電放電)保護のために好ましい。しかし、半導体ICおよび装置の特徴寸法が低減されるにつれ、リソグラフィモジュールが小さな特徴をプリントし、それによって、より高いセル密度を達成するために平坦面を有することが重要である。従来の表面に形成されたポリシリコンツェナーダイオードは、表面トポロジーを増加させ、それは、リソグラフィにおける小さな特徴をプリントする能力を制限する。
【発明の開示】
【0005】
本発明の実施形態は、トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法を含む。この方法は、N+(P+)型基板上のN−チャネル(P−チャネル)トレンチMOSFETのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧要件によって決まるN−(P−)型エピタキシャル層を形成すること、N−(P−)型エピタキシャル領域内にトレンチを形成すること、トレンチの内側を覆う厚い酸化物絶縁層を成長させること、を含む。この方法は、さらに、トレンチをポリシリコンで充填すること、ポリシリコンをエッチバックしてトレンチの上面を形成すること、トレンチポリシリコン領域内にダイオードを形成することであって、前記ダイオードの一部が前記トレンチの上面より低い、を含む。
【0006】
本発明の実施形態は、さらに、静電放電保護を備えたトレンチMOSFETを含む。トレンチMOSFETは、N+(P+)型基板上のN−チャンネル(P−チャンネル)トレンチMOSFETのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧要件によって決まるN−(P−)型エピタキシャル領域を含む。トレンチは、N−(P−)型エピタキシャル領域に形成され、ここで、トレンチは上面を含む。トレンチ上にゲート酸化物層を成長させ、ゲートポリシリコンが堆積され、そして、エッチバックされて、トレンチMOSFETのゲートが形成される。トレンチMOSFETは、さらに、N−(P−)型エピタキシャル領域内に形成されたP(N)型ボディ、および、P(N)型ボディに形成されたN+(P+)型ソースを含む。
【0007】
本発明のトレンチポリシリコンダイオードは、シリコン内にポリシリコンツェナーダイオード構造を位置させることにより、シリコン表面のトポロジーを著しく低下させる。従来のポリシリコンツェナーダイオード構造は、シリコンの表面に位置されており、シリコンのトポロジーを増加させて、リソグラフィの特徴寸法を制限するとともに、セル密度を低下させる。本発明の1つの実施形態では、ストライプトレンチソースブロックを変更することで、ポリシリコンツェナーダイオード構造の異なるブレークダウン電圧を指定することができる。本発明の1つの実施形態において、より多くのトレンチポリシリコンツェナーダイオードセルを並列に接続することで、異なるESD定格を指定することができる。本発明の1つの実施形態においては、トレンチポリシリコンダイオードは、保護機能、クランピング機能および温度検出機能に使用することもできる。
【0008】
本発明の実施形態は、トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法を含む。方法は、N+(P+)型基板上にN−(P−)型エピタキシャル領域を形成すること、N−(P−)型エピタキシャル領域内にトレンチを形成することを含む。この方法は、さらに、トレンチ内に絶縁層を形成することと、トレンチをポリシリコンで充填してトレンチの上面を形成することを含む。この方法は、さらに、トレンチにP+(N+)型ドープドポリシリコン領域およびN+(P+)型ドープドポリシリコン領域を形成することと、トレンチ内にダイオードを形成することであって、前記ダイオードの一部が前記トレンチの前記上面より低い、を含む。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本発明による種々の実施形態について以下に詳細に説明し、それらの例を添付図面において説明する。本発明は、これらの実施形態と共に説明されるが、それらは、本発明をこれらの実施形態に限定することを意図しないことが理解される。一方、本発明は、代替、変更および均等物を包含するように意図され、これらは、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の趣旨および範囲内に包含されるであろう。さらに、本発明の以下の詳細な説明では、多くの具体的な詳細を本発明について完全な理解をもたらすために説明する。しかし、本発明は、これらの具体的な詳細事項なしで実施されてもよいことは明らかである。他の例では、周知の方法、手順、構成要素および回路は、本発明の態様を不必要に不明瞭にすることを避けるため、詳細に示されていない。
【0010】
本発明の実施形態は、トレンチポリシリコンダイオードの方法および構造を含む。本発明のトレンチポリシリコンダイオードは、シリコン内にトレンチポリシリコンダイオード構造を配置することにより、シリコン表面のトポロジーを著しく低下させる。従来のポリシリコンダイオード構造は、シリコンの表面に配置され、シリコンのトポロジーを増加させて、セル密度を低下させる。本発明の1つの実施形態では、ダイオードインプランテーションを変更することで、トレンチポリシリコンツェナーダイオード構造の異なるブレークダウン電圧を設定することができる。本発明の1つの実施形態では、一連の連続するダイオード部材の和を変更することで、トレンチポリシリコンツェナーダイオード構造の異なるブレークダウン電圧を設定することができる。本発明の1つの実施形態では、トレンチポリシリコンツェナーダイオードは、ESD保護のために形成される。本発明の1つの実施形態では、ESD定格を設定するために、より多くのトレンチポリシリコンツェナーダイオードセルを並列に接続することができる。本発明の1つの実施形態では、トレンチポリシリコンダイオードは、温度検出機能として使用することができる。本発明の1つの実施形態では、トレンチポリシリコンツェナーダイオードは、ソース−ドレイン過電圧保護機能およびクランピング機能に使用することができる。
【0011】
図1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H、1I、1J、1Kおよび1Lは、本発明の実施形態による縦型トレンチポリシリコンダイオードを製造する例示的な方法で行われる種々のステップの説明図である。
【0012】
図1Aにおいて、従来のN+(P+)型ドープド基板101上に、N−(P−)型ドープドエピタキシャル領域102が形成されている。N−(P−)型エピタキシャル領域102上に酸化物パッド103が形成されている。本発明の1つの実施形態では、酸化物パッドは、厚みがおよそ300Åである。本発明の1つの実施形態では、酸化物パッドは、SiO2を含む。酸化物パッド103上に窒化ケイ素層104が形成されている。本発明の1つの実施形態では、窒化ケイ素層104は、厚みがおよそ2000Åである。
【0013】
フォトレジスト層105を使用して、トレンチ120の位置を覆い隠す。図1Aは、トレンチ形成後の半導体装置の説明図である。本発明の1つの実施形態では、トレンチ120は、静電放電(ESD)トレンチである。本発明の他の実施形態では、トレンチ120は、クランピング機能や温度検出機能に使用されるトレンチダイオードの一部である。
【0014】
図1Bでは、(図1Aの)フォトレジスト層105を取り除き、トレンチ120の内部に絶縁層122を形成する。本発明の1つの実施形態では、絶縁層は、LOCOS(シリコンの局所的酸化)酸化物を含む。本発明の1つの実施形態では、絶縁層は、厚みが3000Åである。本発明の1つの実施形態では、絶縁層122の厚みは、ツェナーダイオードと保護されるデバイスとの間の良好な絶縁のために、保護されるデバイスの所望のドレイン−ソース間ブレークダウン定格によって決まる。例えば、より厚い絶縁層122は、より薄い絶縁層122より高い絶縁定格をもたらす。本発明の1つの実施形態では、3000Åの絶縁層122は、40ボルトより大きいブレークダウン電圧(BV)を備える。本発明の1つの実施形態では、絶縁層122は、窒化ケイ素層104の上面には形成されない。
【0015】
図1Cにおいて、ポリシリコン層140を堆積してトレンチ120を充填する。本発明の1つの実施形態では、ポリシリコン層140は、厚みが1.5ミクロンであり、その厚みは、トレンチ幅によって変更することができる。ポリシリコン層140は、絶縁層122を覆って堆積されている。本発明の1つの実施形態では、ポリシリコン層は、窒化ケイ素層104の表面を覆って堆積されている。本発明の実施形態では、窒化ケイ素層104は、エッチストップとしての機能を果たす。図1Cは、ポリシリコン層140のエッチバック後の説明図である。残ったポリシリコン140は、トレンチ120を充填している。本発明の1つの実施形態では、トレンチは、トレンチの上面が、N−(P−)型エピタキシャル領域の最上層と同じ高さであるように充填されている。
【0016】
図1Dでは、窒化ケイ素層104および酸化物パッド層103を取り除く。本発明の1つの実施形態では、バッファ酸化物エッチまたはHFエッチを使用して、酸化物パッド層103を取り除く。
【0017】
図1Eにおいて、ダイオード(ESD)トレンチ120に隣接して、1つあるいは複数のMOSFETトランジスタトレンチ155を形成する。MOSFETトランジスタトレンチ155に関する位置をトレンチマスク(フォトレジスト)150が覆い隠す。本発明の1つの実施形態では、従来の製造プロセスを使用して、MOSFETトレンチ155を形成する。
【0018】
図1Fにおいて、フォトレジスト155を取り除き、ゲート酸化物層160を形成し、MOSFETトレンチ155の内側を覆う。ダイオード(ESD)トレンチ120を充填するポリシリコン140の上面にもゲート酸化物層160を形成する。ゲート酸化物層160を覆ってゲートポリシリコン層161を堆積する。本発明の1つの実施形態では、ゲートポリシリコン161は、厚みがおよそ1ミクロンである。本発明の1つの実施形態では、このステップでゲートドーピングを行なうことができる。
【0019】
図1Gでは、ゲートポリシリコン161をエッチバックし、ゲートポリシリコン161の残りの部分が、MOSFETトレンチ155を充填する。
【0020】
図1Hでは、マスク170を使用して、ESDインプラント171からMOSFETトレンチ155を保護し、P+(N+)型トレンチポリシリコンダイオードを形成する。ESDインプラントを変更して、本発明のトレンチポリシリコンダイオードの特性を調整することができる。例えば、ダイオードの異なるブレークダウン電圧のために異なるインプラントドーズを使用することができる。
【0021】
図1Iでは、ボディインプラントを行って、P(N)型ボディ領域175を形成する。本発明の1つの実施形態では、ボディブロックマスクを使用して、ボディインプラント領域を形成する。本発明の1つの実施形態では、ボディインプラントは、インプランテーション後に打ち込まれる。
【0022】
図1Jでは、ソースブロックマスクを使用して、ソースインプラント領域を形成し、N+(P+)型シリコン領域180を形成する。同時に、ソースインプラントを使用して、トレンチポリシリコンダイオードのN+(P+)型ポリシリコン領域を形成する。図1Gのブロックされていないポリシリコン領域140は、ここで、N+(P+)型ドープド領域である。
【0023】
図1Kおよび1Lでは、トレンチトランジスタ155を従来のようにして完成する。図1Kでは、LTO(low temperature oxide)+BPSG(boron phosphorous silicate glass)層181を形成し、ソース電極およびゲート電極をパターン形成する。本発明の1つの実施形態では、コンタクトマスクをコンタクトインプラント中に使用して、コンタクトを形成する。コンタクト形成後に、本発明の1つの実施形態では、クランピング機能を望む場合、クランピングインプラントを行なうことができる。
【0024】
図1Lでは、メタライゼーション199を行って、MOSFETトランジスタのソース/ドレイン側189およびESD側190を完成する。
【0025】
図2Aは、本発明の実施形態による単一ストライプ縦型トレンチポリシリコンツェナーダイオードセルのレイアウトの説明図である。1つのツェナーダイオード電極は、金属領域200、N+(P+)型ポリシリコン領域203、ゲートコンタクト204を含む。接地側206は、また、N+(P+)型ポリシリコン領域203、および接地コンタクト214を含む。P+(N+)型ポリシリコン領域201は、N+(P+)型ポリシリコン領域203間にある。
【0026】
NPN(PNP)(例えば、N+(P+)203、P+(N+)201、N+(P+)203)領域は、本発明のトレンチポリシリコンツェナーダイオードを形成する。トレンチポリシリコンの1つの実施形態では、本発明のツェナーダイオードは、ESD保護に使用される。本発明の1つの実施形態において、異なるESD保護定格を達成するために、複数のポリシリコントレンチツェナーダイオードを接続(例えば、並列に)することができる。
【0027】
本発明の他の実施形態では、本発明のトレンチポリシリコンツェナーダイオードを、クランピング機能に使用する。本発明の他の実施形態では、本発明のトレンチポリシリコンダイオードを、温度検出のために使用することができる。図2Aのトレンチポリシリコンツェナーダイオードの断面は、A210〜A’216の線に沿ってツェナーダイオードを二分して断面視することができる(図2Bで説明するように)。
【0028】
図2Bは、(図2Aの)A210〜A’216における図2Aの縦型トレンチポリシリコンダイオードの第1の断面である。NPN(PNP)形成は、図2Bのトレンチポリシリコンツェナーダイオード280に相当する。
【0029】
図2Cは、(図2Aの)B211〜B’217における図2Aの縦型トレンチポリシリコンダイオードの第2の断面である。
【0030】
図3Aは、本発明の実施形態によるダブルストライプ縦型トレンチポリシリコンツェナーダイオードセルのレイアウトの説明図である。ゲート側300は、N+(P+)型ポリシリコン領域303およびゲートコンタクト304を含む。接地側306は、N+(P+)型ポリシリコン領域303および接地コンタクト314を含む。2つのP+(N+)型ポリシリコン領域301は、N+(P+)型ポリシリコン領域203間にある。2つのP+(N+)型ポリシリコン領域301間に、他のN+(P+)型ポリシリコン領域303がある。NPNPN(PNPNP)領域は、本発明の複数のトレンチポリシリコンダイオードを形成する。本発明の1つの実施形態において、複数のトレンチポリシリコンダイオードを接続し、ESD保護に使用する。図3Aのトレンチポリシリコンツェナーダイオードの断面は、C310〜C316(図3Bで説明するように)の線に沿ってツェナーダイオードを二分して断面視することができる。
【0031】
図3Bは、C310〜C’316(図3Aの)における図3Aの縦型トレンチポリシリコンツェナーダイオードの断面である。NPNPN(PNPNP)形成は、共に接続された図3Bの複数のトレンチポリシリコンツェナーダイオード380に相当する。
【0032】
図3Cは、本発明の実施形態による縦型トレンチポリシリコンツェナーダイオード381を含む単一ステージESD保護回路380の概略図である。
【0033】
図3Dは、本発明の実施形態による第1の縦型トレンチポリシリコンツェナーダイオード391、トレンチポリシリコン抵抗、および第2の縦型トレンチポリシリコンツェナーダイオード392を含むデュアルステージESD保護回路390の概略図である。
【0034】
図4は、本発明の実施形態による縦型トレンチポリシリコンダイオードを製造する例示的方法のフローチャートである。本発明の1つの実施形態では、プロセス400の結果得られるトレンチポリシリコンツェナーダイオードをESD保護に使用する。本発明の他の実施形態では、プロセス400の結果得られるトレンチポリシリコンダイオードは、過電圧保護および/またはクランピング機能に使用される。温度検出のために使用することができるトレンチポリシリコンダイオードの製造のために方法400を使用することができることはもちろんである。
【0035】
ステップ402では、プロセス400は、N+(P+)型基板上にN−(P−)型エピタキシャル領域を形成することを含む。
【0036】
ステップ404では、プロセス400は、N−(P−)型エピタキシャル領域内にトレンチを形成し、その上にLOCOS酸化物を成長させることを含む。本発明の1つの実施形態では、ステップ404で形成されたトレンチは、ESDトレンチである。本発明の1つの実施形態では、完成されたダイオード用の所望のブレークダウン電圧を支持するために、LOCOS酸化物の厚みを変更することができる。
【0037】
ステップ406では、プロセス400は、ポリシリコンを堆積し、そして、ポリシリコンをエッチバックすることを含み、残りのポリシリコンは、ステップ404で形成されたトレンチの上面を充填する。
【0038】
ステップ408では、プロセス400は、P+(N+)型ESDインプラントをドーピングすることにより、ステップ406で形成されたトレンチポリシリコン内にP+(N+)型ポリシリコン領域を形成することを含む。本発明の1つの実施形態では、完成したダイオードのための所望のブレークダウン電圧およびESD定格を達成するために、P+(N+)型ESDインプラントドーズを変更することができる。
【0039】
ステップ410では、プロセス400は、N+(P+)型ソースインプラントをドーピングすることにより、ステップ406で形成されたトレンチポリシリコン内にN+(P+)型ポリシリコン領域を形成することを含む。
【0040】
ステップ412では、プロセス400は、ボディ領域にダイオードを形成することを含み、ここにおいて、ダイオードの一部はトレンチの上面より低い。本発明の1つの実施形態では、一連のインプラントを行なうことによって、ダイオードを形成する。第1のESDインプラントを行って、トレンチ内に堆積されたポリシリコンをドーピングし(P+(N+)型ポリシリコン領域を形成する)、第2のソースインプラントを行って、トレンチ内に堆積されたポリシリコンをドーピングする((N+(P+)型ポリシリコン領域を形成する)。
【0041】
図5Aは、本発明の実施形態による温度検出ための概略上面レイアウト図500aである。温度センサ500aは、縦型トレンチポリシリコンダイオード510および520を含む。トレンチポリシリコンダイオード510および520は、アンチパラレルに電気的に接続され、ピン1の502およびピン2の504に電気的に接続されている。
【0042】
トレンチダイオード510は、N+型ポリシリコン領域512と、P+型ポリシリコン領域511の領域とを含む。ダイオード510は、コンタクト513を介してピン1(502)に電気的に接続され、コンタクト514を介してピン2(504)に電気的に接続されている。
【0043】
トレンチダイオード520は、N+型ポリシリコン領域521の領域およびP+型ポリシリコン領域522の領域を含む。ダイオード520は、コンタクト523を介してピン1(502)に電気的に接続され、コンタクト524を介してピン2(504)に電気的に接続されている。
【0044】
ピン1(502)とピン2(504)との間の電圧を測定することにより温度を決定することができる。ルックアップテーブルを使用して、複数の電圧に対応する温度を決定することができる。
【0045】
図5Bは、図5Aの例示的回路500bの説明図である。トレンチポリシリコンダイオード510および520は、ピン1(502)およびピン2(504)に電気的に接続されている。ピン1(502)とピン2(504)との間で電圧を測定することができ、例えば、ルックアップテーブルによって対応する温度を決定することができる。本発明の実施形態によって、所定の電圧用の対応する温度を検索する多くの方法を使用することができることはもちろんである。
【0046】
本発明の実施形態では、縦型トレンチポリシリコンダイオードを説明した。本発明は、特有の実施形態で説明されるとともに、そのような実施形態によって限定されるように解釈されるべきではなく、以下の特許請求の範囲によって解釈されることは当然である。
[付記]
概念1:
縦型トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法であって、
N+(P+)型基板上にN−(P−)型エピタキシャル領域を形成すること;
前記エピタキシャル領域内にトレンチを形成すること;
前記トレンチ内に絶縁層を形成すること;
前記トレンチをポリシリコンで充填して、前記トレンチの上面を形成すること;
P+(N+)型ドーパントをインプラントして、前記トレンチ内に前記ポリシリコンのP+(N+)型領域を形成すること;
N+(P+)型ドーパントをインプラントして、前記トレンチ内に前記ポリシリコンのN+(P+)型領域を形成すること;
前記トレンチ内にポリシリコンダイオードを形成することであって、前記ダイオードの一部は、前記トレンチの前記上面より低い、
を備えた、方法。
概念2:
前記絶縁層は酸化物を含む、概念1に記載の方法。
概念3:
前記トレンチ内の前記絶縁層は、それらの間の良好な絶縁のために、トレンチMOSFETトランジスタのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧より大きなブレークダウン電圧定格を有する、概念1〜2のいずれか1項に記載の方法。
概念4:
前記絶縁層は、厚みが数千Åであり、前記トレンチ内の前記絶縁層の厚みは、ブレークダウン電圧要件によって決まる、概念1〜2のいずれか1項に記載の方法。
概念5:
前記ダイオードの形成は、前記トランジスタのMOSFETトレンチの形成より前である、概念1〜4のいずれか1項に記載の方法。
概念6:
前記ダイオードは、ツェナーダイオードある、概念1〜5のいずれか1項に記載の方法。
概念7:
前記ツェナーダイオードは、静電放電保護に使用される、概念6に記載の方法。
概念8:
前記ツェナーダイオードは、クランピング機能に使用される、概念6に記載の方法。
概念9:
前記ダイオードは、トレンチダイオードであり温度検出に使用される、概念1〜5のいずれか1項に記載の方法。
概念10:
前記トレンチ内の前記N+(P+)型ドープドポリシリコンは、抵抗器として使用される、概念1〜9のいずれか1項に記載の方法。
概念11:
静電放電保護を備えたトレンチポリシリコンダイオードであって、
N+(P+)型基板と;
前記基板上のN−(P−)型エピタキシャル領域と;
前記N−(P−)型エピタキシャル領域内に形成され、上面を備えたトレンチと;
前記トレンチの内側を覆う絶縁層と;
前記トレンチを充填して、前記トレンチの上面を形成するポリシリコンと;
P+(N+)型ESDインプラントによって形成された前記トレンチ内のP+(N+)型ドーピングポリシリコンと;
N+(P+)型ソースインプラントによって形成された前記トレンチ内のN+(P+)型ドーピングポリシリコンと;
ダイオードの一部が前記トレンチの前記上面より下方に形成されるように、前記トレンチ内に形成されたダイオードと、
を含む、トレンチポリシリコンダイオード。
概念12:
前記絶縁層は酸化物を含む、概念11に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念13:
前記トレンチ内の前記絶縁層は、それらの間の良好な絶縁のために、トレンチMOSFETトランジスタのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧より大きなブレークダウン電圧定格を有する、概念11〜12のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念14:
前記絶縁層は、厚みが数千Åであり、前記トレンチ内の前記絶縁層の厚みは、ブレークダウン電圧要件によって決まる、概念11〜12のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念15:
前記ダイオードは、前記トランジスタのMOSFETトレンチの形成より前に形成されている、概念11〜14のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念16:
前記ダイオードは、ツェナーダイオードある、概念11〜15のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念17:
前記ツェナーダイオードは、静電放電保護に使用される、概念16に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念18:
前記ツェナーダイオードは、クランピング機能に使用される、概念16に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念19:
前記ダイオードは、トレンチダイオードであり、温度検出に使用される、概念11〜15のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念20:
前記トレンチ内の前記N+(P+)型ドープドポリシリコンは、抵抗器として使用される、概念11〜19のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
概念21:
トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法であって、
N+(P+)型基板上のN−(P−)型エピタキシャル領域内にトレンチを形成すること;
前記トレンチ内に絶縁層を形成することであって、前記絶縁層は、前記トレンチの内側を覆い;
前記トレンチ内をポリシリコンで充填し、前記トレンチの上面を形成すること;
前記ボディ領域内にダイオードを形成することであって、前記ダイオードの一部は、前記トレンチの前記上面より低い、
を備えた、方法。
概念22:
概念21に記載の方法であって、
前記N−(P−)型エピタキシャル領域内に複数のツェナーダイオードを形成し、前記複数のツェナーダイオードを並列に接続して、前記トランジスタを静電放電から保護するステップをさらに含む、方法。
概念23:
前記絶縁層は酸化物を含む、概念21〜22のいずれか1項に記載の方法。
概念24:
前記トレンチ内の前記絶縁層は、それらの間の良好な絶縁のために、トレンチMOSFETトランジスタのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧より大きなブレークダウン電圧定格を有する、概念21〜23のいずれか1項に記載の方法。
概念25:
前記絶縁層は、厚みが数千Åであり、前記トレンチ内の絶縁層の厚みは、ブレークダウン電圧要件によって決まる、概念21〜23のいずれか1項に記載の方法。
概念26:
前記ダイオードの形成は、前記トランジスタのMOSFETトレンチの形成より前に行う、概念21〜25のいずれか1項に記載の方法。
概念27:
前記ダイオードはツェナーダイオードある、概念21に記載の方法。
概念28:
前記ツェナーダイオードは静電放電保護に使用される、概念27に記載の方法。
概念29:
前記ツェナーダイオードはクランピング機能に使用される、概念27に記載の方法。
概念30:
前記ダイオードはトレンチダイオードであり温度検出に使用される、概念21〜26のいずれか1項に記載の方法。
概念31:
前記トレンチ内の前記N+(P+)型ドープドポリシリコンは、抵抗器として使用される、概念21〜30のいずれか1項に記載の方法。
概念32:
第1のピンおよび第2のピンに電気的に接続された第1のトレンチポリシリコンダイオードと、
前記第1のピンおよび前記第2のピンに接続された第2のトレンチポリシリコンダイオードと、
を含む温度センサであって、
前記第1のトレンチポリシリコンダイオードの一部は、N−(P−)型エピタキシャル領域の表面の下にあり、
前記第1のトレンチポリシリコンダイオード及び前記第2のトレンチポリシリコンダイオードはアンチパラレルに接続されており、前記第1のピンと前記第2のピンの間で測定された電圧によって温度を決定することができ、前記第2のトレンチポリシリコンダイオードの一部が、前記N−(P−)型エピタキシャル領域の表面の下にある、
温度センサ。
概念33:
前記第1のトレンチダイオードおよび第2のトレンチダイオードは、トレンチポリシリコンダイオードである、概念32に記載の温度センサ。
概念34:
複数の電圧と対応する温度値を含むルックアップテーブルをさらに含む、概念32、33のいずれか1項に記載の温度センサ。
概念35:
前記第1のダイオードおよび第2のダイオードは、P+型ポリシリコン領域およびN+型ポリシリコン領域を含む、概念32〜34のいずれか1項に記載の温度センサ。
【図面の簡単な説明】
【0047】
添付図面は、組み込まれて本明細書の一部を形成しており、本発明の実施形態を説明し、詳細な説明とともに本発明の原理を説明する役目をする。
【図1A】図1Aは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1B】図1Bは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1C】図1Cは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1D】図1Dは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1E】図1Eは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1F】図1Fは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1G】図1Gは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1H】図1Hは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1I】図1Iは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1J】図1Jは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1K】図1Kは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図1L】図1Lは、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを含むトレンチMOSFETを製造する例示的方法で行われるステップの説明図の一つである。
【図2A】図2Aは、本発明の実施形態による例示的な単一ストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードセルのレイアウトの説明図である。
【図2B】図2Bは、本発明の実施形態による単一ストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードの第1の断面図の説明図である。
【図2C】本発明の実施形態による単一ストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードの第2の断面図の説明図である。
【図3A】図3Aは、単一ストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードと比較して、トレンチポリシリコンツェナーダイオードのブレークダウン電圧を2倍にするための、本発明の実施形態によるダブルストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードセルのレイアウトの説明図である。トレンチポリシリコンツェナーダイオードのブレークダウン電圧がより高いと、より多くのストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードセルのレイアウトを設計することができる。
【図3B】図3Bは、本発明の実施形態によるダブルストライプトレンチポリシリコンツェナーダイオードの断面図の説明図である。
【図3C】図3Cは、本発明の実施形態によるESD保護用の例示的な単一ステージトレンチポリシリコンツェナーダイオードの概略図である。
【図3D】図3Dは、本発明の実施形態によるESD保護用の例示的なデュアルステージポリシリコンツェナーダイオードの概略図である。
【図4】図4は、本発明の実施形態によるトレンチポリシリコンダイオードを製造する例示的方法のプロセスフローチャートである。
【図5A】図5Aは、本発明の実施形態による縦型トレンチダイオードを含む、例示的な検出温度の概略上面レイアウト図である。
【図5B】図5Bは、本発明の実施形態による縦型トレンチポリシリコンダイオードを含む温度検出回路の説明図である。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
縦型トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法であって、
N+(P+)型基板上にN−(P−)型エピタキシャル領域を形成すること;
前記エピタキシャル領域内にトレンチを形成すること;
前記トレンチ内に絶縁層を形成すること;
前記トレンチをポリシリコンで充填して、前記トレンチの上面を形成すること;
P+(N+)型ドーパントをインプラントして、前記トレンチ内に前記ポリシリコンのP+(N+)型領域を形成すること;
N+(P+)型ドーパントをインプラントして、前記トレンチ内に前記ポリシリコンのN+(P+)型領域を形成すること;
前記トレンチ内にポリシリコンダイオードを形成することであって、前記ダイオードの一部は、前記トレンチの前記上面より低い、
を備えた、方法。
【請求項2】
前記絶縁層は酸化物を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記トレンチ内の前記絶縁層は、それらの間の良好な絶縁のために、トレンチMOSFETトランジスタのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧より大きなブレークダウン電圧定格を有する、請求項1〜2のいずれか1項に記載の方法。
【請求項4】
前記絶縁層は、厚みが数千Åであり、前記トレンチ内の前記絶縁層の厚みは、ブレークダウン電圧要件によって決まる、請求項1〜2のいずれか1項に記載の方法。
【請求項5】
前記ダイオードの形成は、前記トランジスタのMOSFETトレンチの形成より前である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
【請求項6】
前記ダイオードは、ツェナーダイオードある、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
【請求項7】
前記ツェナーダイオードは、静電放電保護に使用される、請求項6に記載の方法。
【請求項8】
前記ツェナーダイオードは、クランピング機能に使用される、請求項6に記載の方法。
【請求項9】
前記ダイオードは、トレンチダイオードであり温度検出に使用される、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
【請求項10】
前記トレンチ内の前記N+(P+)型ドープドポリシリコンは、抵抗器として使用される、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
【請求項11】
静電放電保護を備えたトレンチポリシリコンダイオードであって、
N+(P+)型基板と;
前記基板上のN−(P−)型エピタキシャル領域と;
前記N−(P−)型エピタキシャル領域内に形成され、上面を備えたトレンチと;
前記トレンチの内側を覆う絶縁層と;
前記トレンチを充填して、前記トレンチの上面を形成するポリシリコンと;
P+(N+)型ESDインプラントによって形成された前記トレンチ内のP+(N+)型ドーピングポリシリコンと;
N+(P+)型ソースインプラントによって形成された前記トレンチ内のN+(P+)型ドーピングポリシリコンと;
ダイオードの一部が前記トレンチの前記上面より下方に形成されるように、前記トレンチ内に形成されたダイオードと、
を含む、トレンチポリシリコンダイオード。
【請求項12】
前記絶縁層は酸化物を含む、請求項11に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項13】
前記トレンチ内の前記絶縁層は、それらの間の良好な絶縁のために、トレンチMOSFETトランジスタのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧より大きなブレークダウン電圧定格を有する、請求項11〜12のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項14】
前記絶縁層は、厚みが数千Åであり、前記トレンチ内の前記絶縁層の厚みは、ブレークダウン電圧要件によって決まる、請求項11〜12のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項15】
前記ダイオードは、前記トランジスタのMOSFETトレンチの形成より前に形成されている、請求項11〜14のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項16】
前記ダイオードは、ツェナーダイオードある、請求項11〜15のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項17】
前記ツェナーダイオードは、静電放電保護に使用される、請求項16に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項18】
前記ツェナーダイオードは、クランピング機能に使用される、請求項16に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項19】
前記ダイオードは、トレンチダイオードであり、温度検出に使用される、請求項11〜15のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項20】
前記トレンチ内の前記N+(P+)型ドープドポリシリコンは、抵抗器として使用される、請求項11〜19のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項21】
トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法であって、
N+(P+)型基板上のN−(P−)型エピタキシャル領域内にトレンチを形成すること;
前記トレンチ内に絶縁層を形成することであって、前記絶縁層は、前記トレンチの内側を覆い;
前記トレンチ内をポリシリコンで充填し、前記トレンチの上面を形成すること;
前記ボディ領域内にダイオードを形成することであって、前記ダイオードの一部は、前記トレンチの前記上面より低い、
を備えた、方法。
【請求項22】
請求項21に記載の方法であって、
前記N−(P−)型エピタキシャル領域内に複数のツェナーダイオードを形成し、前記複数のツェナーダイオードを並列に接続して、前記トランジスタを静電放電から保護するステップをさらに含む、方法。
【請求項23】
前記絶縁層は酸化物を含む、請求項21〜22のいずれか1項に記載の方法。
【請求項24】
前記トレンチ内の前記絶縁層は、それらの間の良好な絶縁のために、トレンチMOSFETトランジスタのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧より大きなブレークダウン電圧定格を有する、請求項21〜23のいずれか1項に記載の方法。
【請求項25】
前記絶縁層は、厚みが数千Åであり、前記トレンチ内の絶縁層の厚みは、ブレークダウン電圧要件によって決まる、請求項21〜23のいずれか1項に記載の方法。
【請求項26】
前記ダイオードの形成は、前記トランジスタのMOSFETトレンチの形成より前に行う、請求項21〜25のいずれか1項に記載の方法。
【請求項27】
前記ダイオードはツェナーダイオードある、請求項21に記載の方法。
【請求項28】
前記ツェナーダイオードは静電放電保護に使用される、請求項27に記載の方法。
【請求項29】
前記ツェナーダイオードはクランピング機能に使用される、請求項27に記載の方法。
【請求項30】
前記ダイオードはトレンチダイオードであり温度検出に使用される、請求項21〜26のいずれか1項に記載の方法。
【請求項31】
前記トレンチ内の前記N+(P+)型ドープドポリシリコンは、抵抗器として使用される、請求項21〜30のいずれか1項に記載の方法。
【請求項32】
第1のピンおよび第2のピンに電気的に接続された第1のトレンチポリシリコンダイオードと、
前記第1のピンおよび前記第2のピンに接続された第2のトレンチポリシリコンダイオードと、
を含む温度センサであって、
前記第1のトレンチポリシリコンダイオードの一部は、N−(P−)型エピタキシャル領域の表面の下にあり、
前記第1のトレンチポリシリコンダイオード及び前記第2のトレンチポリシリコンダイオードはアンチパラレルに接続されており、前記第1のピンと前記第2のピンの間で測定された電圧によって温度を決定することができ、前記第2のトレンチポリシリコンダイオードの一部が、前記N−(P−)型エピタキシャル領域の表面の下にある、
温度センサ。
【請求項33】
前記第1のトレンチダイオードおよび第2のトレンチダイオードは、トレンチポリシリコンダイオードである、請求項32に記載の温度センサ。
【請求項34】
複数の電圧と対応する温度値を含むルックアップテーブルをさらに含む、請求項32、33のいずれか1項に記載の温度センサ。
【請求項35】
前記第1のダイオードおよび第2のダイオードは、P+型ポリシリコン領域およびN+型ポリシリコン領域を含む、請求項32〜34のいずれか1項に記載の温度センサ。
【請求項1】
縦型トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法であって、
N+(P+)型基板上にN−(P−)型エピタキシャル領域を形成すること;
前記エピタキシャル領域内にトレンチを形成すること;
前記トレンチ内に絶縁層を形成すること;
前記トレンチをポリシリコンで充填して、前記トレンチの上面を形成すること;
P+(N+)型ドーパントをインプラントして、前記トレンチ内に前記ポリシリコンのP+(N+)型領域を形成すること;
N+(P+)型ドーパントをインプラントして、前記トレンチ内に前記ポリシリコンのN+(P+)型領域を形成すること;
前記トレンチ内にポリシリコンダイオードを形成することであって、前記ダイオードの一部は、前記トレンチの前記上面より低い、
を備えた、方法。
【請求項2】
前記絶縁層は酸化物を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記トレンチ内の前記絶縁層は、それらの間の良好な絶縁のために、トレンチMOSFETトランジスタのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧より大きなブレークダウン電圧定格を有する、請求項1〜2のいずれか1項に記載の方法。
【請求項4】
前記絶縁層は、厚みが数千Åであり、前記トレンチ内の前記絶縁層の厚みは、ブレークダウン電圧要件によって決まる、請求項1〜2のいずれか1項に記載の方法。
【請求項5】
前記ダイオードの形成は、前記トランジスタのMOSFETトレンチの形成より前である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
【請求項6】
前記ダイオードは、ツェナーダイオードある、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
【請求項7】
前記ツェナーダイオードは、静電放電保護に使用される、請求項6に記載の方法。
【請求項8】
前記ツェナーダイオードは、クランピング機能に使用される、請求項6に記載の方法。
【請求項9】
前記ダイオードは、トレンチダイオードであり温度検出に使用される、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
【請求項10】
前記トレンチ内の前記N+(P+)型ドープドポリシリコンは、抵抗器として使用される、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
【請求項11】
静電放電保護を備えたトレンチポリシリコンダイオードであって、
N+(P+)型基板と;
前記基板上のN−(P−)型エピタキシャル領域と;
前記N−(P−)型エピタキシャル領域内に形成され、上面を備えたトレンチと;
前記トレンチの内側を覆う絶縁層と;
前記トレンチを充填して、前記トレンチの上面を形成するポリシリコンと;
P+(N+)型ESDインプラントによって形成された前記トレンチ内のP+(N+)型ドーピングポリシリコンと;
N+(P+)型ソースインプラントによって形成された前記トレンチ内のN+(P+)型ドーピングポリシリコンと;
ダイオードの一部が前記トレンチの前記上面より下方に形成されるように、前記トレンチ内に形成されたダイオードと、
を含む、トレンチポリシリコンダイオード。
【請求項12】
前記絶縁層は酸化物を含む、請求項11に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項13】
前記トレンチ内の前記絶縁層は、それらの間の良好な絶縁のために、トレンチMOSFETトランジスタのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧より大きなブレークダウン電圧定格を有する、請求項11〜12のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項14】
前記絶縁層は、厚みが数千Åであり、前記トレンチ内の前記絶縁層の厚みは、ブレークダウン電圧要件によって決まる、請求項11〜12のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項15】
前記ダイオードは、前記トランジスタのMOSFETトレンチの形成より前に形成されている、請求項11〜14のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項16】
前記ダイオードは、ツェナーダイオードある、請求項11〜15のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項17】
前記ツェナーダイオードは、静電放電保護に使用される、請求項16に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項18】
前記ツェナーダイオードは、クランピング機能に使用される、請求項16に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項19】
前記ダイオードは、トレンチダイオードであり、温度検出に使用される、請求項11〜15のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項20】
前記トレンチ内の前記N+(P+)型ドープドポリシリコンは、抵抗器として使用される、請求項11〜19のいずれか1項に記載のトレンチポリシリコンダイオード。
【請求項21】
トレンチポリシリコンダイオードを製造する方法であって、
N+(P+)型基板上のN−(P−)型エピタキシャル領域内にトレンチを形成すること;
前記トレンチ内に絶縁層を形成することであって、前記絶縁層は、前記トレンチの内側を覆い;
前記トレンチ内をポリシリコンで充填し、前記トレンチの上面を形成すること;
前記ボディ領域内にダイオードを形成することであって、前記ダイオードの一部は、前記トレンチの前記上面より低い、
を備えた、方法。
【請求項22】
請求項21に記載の方法であって、
前記N−(P−)型エピタキシャル領域内に複数のツェナーダイオードを形成し、前記複数のツェナーダイオードを並列に接続して、前記トランジスタを静電放電から保護するステップをさらに含む、方法。
【請求項23】
前記絶縁層は酸化物を含む、請求項21〜22のいずれか1項に記載の方法。
【請求項24】
前記トレンチ内の前記絶縁層は、それらの間の良好な絶縁のために、トレンチMOSFETトランジスタのドレイン−ソース間ブレークダウン電圧より大きなブレークダウン電圧定格を有する、請求項21〜23のいずれか1項に記載の方法。
【請求項25】
前記絶縁層は、厚みが数千Åであり、前記トレンチ内の絶縁層の厚みは、ブレークダウン電圧要件によって決まる、請求項21〜23のいずれか1項に記載の方法。
【請求項26】
前記ダイオードの形成は、前記トランジスタのMOSFETトレンチの形成より前に行う、請求項21〜25のいずれか1項に記載の方法。
【請求項27】
前記ダイオードはツェナーダイオードある、請求項21に記載の方法。
【請求項28】
前記ツェナーダイオードは静電放電保護に使用される、請求項27に記載の方法。
【請求項29】
前記ツェナーダイオードはクランピング機能に使用される、請求項27に記載の方法。
【請求項30】
前記ダイオードはトレンチダイオードであり温度検出に使用される、請求項21〜26のいずれか1項に記載の方法。
【請求項31】
前記トレンチ内の前記N+(P+)型ドープドポリシリコンは、抵抗器として使用される、請求項21〜30のいずれか1項に記載の方法。
【請求項32】
第1のピンおよび第2のピンに電気的に接続された第1のトレンチポリシリコンダイオードと、
前記第1のピンおよび前記第2のピンに接続された第2のトレンチポリシリコンダイオードと、
を含む温度センサであって、
前記第1のトレンチポリシリコンダイオードの一部は、N−(P−)型エピタキシャル領域の表面の下にあり、
前記第1のトレンチポリシリコンダイオード及び前記第2のトレンチポリシリコンダイオードはアンチパラレルに接続されており、前記第1のピンと前記第2のピンの間で測定された電圧によって温度を決定することができ、前記第2のトレンチポリシリコンダイオードの一部が、前記N−(P−)型エピタキシャル領域の表面の下にある、
温度センサ。
【請求項33】
前記第1のトレンチダイオードおよび第2のトレンチダイオードは、トレンチポリシリコンダイオードである、請求項32に記載の温度センサ。
【請求項34】
複数の電圧と対応する温度値を含むルックアップテーブルをさらに含む、請求項32、33のいずれか1項に記載の温度センサ。
【請求項35】
前記第1のダイオードおよび第2のダイオードは、P+型ポリシリコン領域およびN+型ポリシリコン領域を含む、請求項32〜34のいずれか1項に記載の温度センサ。
【図3C】
【図3D】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図1F】
【図1G】
【図1H】
【図1I】
【図1J】
【図1K】
【図1L】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3A】
【図3B】
【図3D】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図1F】
【図1G】
【図1H】
【図1I】
【図1J】
【図1K】
【図1L】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3A】
【図3B】
【公開番号】特開2013−33970(P2013−33970A)
【公開日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−194777(P2012−194777)
【出願日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【分割の表示】特願2008−548662(P2008−548662)の分割
【原出願日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【出願人】(506173145)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年9月5日(2012.9.5)
【分割の表示】特願2008−548662(P2008−548662)の分割
【原出願日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【出願人】(506173145)
【Fターム(参考)】
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