修正構造および能動素子アレイ基板
【課題】修正構造および能動素子アレイ基板を提供する。
【解決手段】修正構造３００であって、基板１１０と、少なくとも１つの第１導体ライン３１０と、第１絶縁層３２０と、少なくとも１つの第２導体ライン３３０と、修正接続層３５０とを備える修正構造３００を提供する。少なくとも１つの第１導体ライン３１０は基板１１０上に設けられている。第１絶縁層３２０は、第１導体ライン３１０を被覆するように基板１１０の上に設けられている。第２導体ライン３３０は第１絶縁層３２０の上に設けられている。第２絶縁層３４０は第２導体ライン３３０と第１絶縁層３２０を被覆する。修正接続層３５０は第２絶縁層３４０上に設けられている。具体的に言うと、修正接続層３５０は第１導体ライン３１０と電気的に接続されている。修正接続層３５０は第２導体ライン３３０と重複しているが、第２導体ライン３３０とは電気的に絶縁されている。
【解決手段】修正構造３００であって、基板１１０と、少なくとも１つの第１導体ライン３１０と、第１絶縁層３２０と、少なくとも１つの第２導体ライン３３０と、修正接続層３５０とを備える修正構造３００を提供する。少なくとも１つの第１導体ライン３１０は基板１１０上に設けられている。第１絶縁層３２０は、第１導体ライン３１０を被覆するように基板１１０の上に設けられている。第２導体ライン３３０は第１絶縁層３２０の上に設けられている。第２絶縁層３４０は第２導体ライン３３０と第１絶縁層３２０を被覆する。修正接続層３５０は第２絶縁層３４０上に設けられている。具体的に言うと、修正接続層３５０は第１導体ライン３１０と電気的に接続されている。修正接続層３５０は第２導体ライン３３０と重複しているが、第２導体ライン３３０とは電気的に絶縁されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は修正構造および能動素子アレイ基板に関する。特に本発明は、修正歩留まりを向上させることができる修正構造および修正歩留まりが高い能動素子アレイ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造技術は非常に高い水準に達しているが、ＬＣＤパネル製造工程では頻繁に不具合が発生する。ＬＣＤの不具合は多くの場合、画像表示を行った場合にユーザが感じる不快感の原因となってしまう。このように欠陥を持つＬＣＤパネルをすべてそのまま廃棄すると、ＬＣＤパネルの製造コストが大きく跳ね上がってしまう。概して、製造技術の改善だけに頼って欠陥率ゼロを達成するのは非常に難しい。このため、ＬＣＤパネルの不具合を修正する技術が重要となっている。従来技術によると、ＬＣＤパネルの不具合は、レーザ溶接またはレーザ切断によって修正される。
【０００３】
普通のＬＣＤは主な構成要素として、ＬＣＤパネルとバックライトモジュールを備える。ＬＣＤパネルは主に、薄膜トランジスタアレイ基板とカラーフィルタ基板を有する。薄膜トランジスタアレイ基板製造工程において、ラインが破損するという不具合が頻繁に生じる。ライン破損という不具合はアレイ試験によって検出することができ、レーザ化学気相成長法（レーザＣＶＤ）を実施する修正工程において修正が可能である。しかし、レーザＣＶＤ工程に基づく修正が、すべてのライン破損に対して適切なわけではない。例を挙げると、液晶セルのアセンブル後にライン破損が発見された場合には、この方法で修正することができない。
【０００４】
また、薄膜トランジスタアレイ基板とカラーフィルタ基板（不図示）がアセンブルされ液晶（不図示）が注入された後にライン破損が発見された場合にも、ライン破損が生じている薄膜トランジスタアレイ全体が既に液晶セル内に封入されているので、破損したラインの修正はレーザＣＶＤ法を用いて行うことができない。ＬＣＤパネル（不図示）上に輝線が形成されないようにするべく、例えば薄膜トランジスタアレイ基板の修正ラインといった上記以外の修正方法を用いてＬＣＤパネルを修正する必要がある。
【０００５】
図１Ａは、従来の薄膜トランジスタアレイ基板の構造を示す上面図である。図１Ｂは、図１ＡのラインＡ−Ａ´に沿った概略断面図である。図１Ａに示すように、薄膜トランジスタアレイ基板１００は、基板１１０、複数のスキャンライン１２０、複数のデータライン１３０、複数のピクセルユニット１４０および修正ライン１５０を備える。スキャンライン１２０、データライン１３０、ピクセルユニット１４０および修正ライン１５０は、基板１１０の上に配設されている。各ピクセルユニット１４０は、薄膜トランジスタ１４２および透明導電性電極、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）電極１４４を有する。薄膜トランジスタ１４２は、スキャンライン１２０およびデータライン１３０それぞれのうち対応する１本と電気接続されている。ＩＴＯ電極１４４は、薄膜トランジスタ１４２のうち対応する１つと電気接続されている。
【０００６】
薄膜トランジスタアレイ基板１００とカラーフィルタ基板をアセンブルして両基板間の空間に液晶を注入して、ＬＣＤパネルを形成する。しかし、薄膜トランジスタアレイ基板１００上でライン破損が検出されると、修正ライン１５０に基づき修正を行う。例えば、薄膜トランジスタアレイ基板１００上でデータライン１３０の破損が検出された場合、レーザを用いてコンタクト１５０ａおよび１５０ｂを溶解し、修正ライン１５０と問題のデータライン１３０を接続する。このようにすることによって、修正ライン１５０を利用して、破損したデータライン１３０の機能をほぼ再構成することができる。
【０００７】
ここで図１Ｂに示すように、データライン１３０と修正ライン１５０の間には、絶縁層１６２、アモルファスシリコン層１６４およびドープアモルファスシリコン層１６６がある。また、データライン１３０を被覆するように保護層１６８が設けられている。絶縁層１６２、アモルファスシリコン層１６４およびドープアモルファスシリコン層１６６の厚みは、約３５００オングストローム（Å）から８５００Åの範囲内にある。レーザを用いてデータライン１３０と修正ライン１５０を溶解して接続する場合、データライン１３０と修正ライン１５０との間の複数の層の厚みの合計が大きいので、レーザによる焼却が修正ライン１５０まで達しない。このため、データライン１３０と修正ライン１５０が形成する電気接続は弱いものにすぎなかったり、データライン１３０と修正ライン１５０を結合できないことがある。従って、修正歩留まりが低下してしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記より、本発明は修正歩留まりを向上させることができる修正構造を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明はさらに、高い修正歩留まりを実現する能動素子アレイ基板を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述およびそれ以外の目的を達成するべく、本発明の目的に従って、本明細書において説明する実施形態が示すように、本発明は修正構造を提供する。当該修正構造は、基板と、少なくとも１つの第１導体ラインと、第１絶縁層と、少なくとも１つの第２導体ラインと、第２絶縁層と、修正接続層とを備える。少なくとも１つの第１導体ラインは基板上に設けられている。第１絶縁層は第１導体ラインを被覆するように基板の上に設けられている。第２導体ラインは第１絶縁層の上に設けられている。第２絶縁層は第２導体ラインと第１絶縁層を被覆する。修正接続層は第２絶縁層上に設けられている。該修正接続層は第１導体ラインと電気的に接続されている。該修正接続層は、第２導体ラインと重複しているが、第２導体ラインとは電気的に絶縁されている。
【００１１】
本発明の一実施形態に係る上記の修正構造によると、第２絶縁層の厚みは約１５００Åと５０００Åの間である。
【００１２】
本発明の一実施形態によると、上記の修正構造はさらに少なくとも１つの接続開口部を備える。該接続開口部は、第１絶縁層および第２絶縁層を貫通し、該接続開口部を介して、修正接続層の一部が第１導体ラインと電気的に接続されている。
【００１３】
本発明の一実施形態によると、上記の修正構造はさらに、第１絶縁層と第２導体ラインの間に設けられた半導体層を備える。
【００１４】
本発明の一実施形態に係る上記の修正構造によると、第２導体ラインの一部分は第１導体ラインを被覆する。
【００１５】
本発明の一実施形態に係る上記の修正構造によると、修正接続層を構成している材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金属、合金またはＩＴＯ、ＩＺＯ、金属および合金の組み合わせを含む。
【００１６】
本発明はさらに能動素子アレイ基板を提供する。当該能動素子アレイ基板は、基板と、ピクセルアレイと、修正構造とを備える。基板は表示領域および周辺回路領域を有する。ピクセルアレイは基板の表示領域に設けられている。修正構造は基板の周辺回路領域に設けられている。該修正構造は、ピクセルアレイと電気的に接続されている。当該修正構造は、少なくとも１つの第１導体ラインと、第１絶縁層と、少なくとも１つの第２導体ラインと、第２絶縁層と、修正接続層を有する。第１絶縁層は第１導体ラインを被覆する。第２導体ラインは第１絶縁層の上に設けられている。第２絶縁層は第２導体ラインと第１絶縁層を被覆する。修正接続層は第２絶縁層上に設けられている。該修正接続層は第１導体ラインと電気的に接続されている。該修正接続層は第２導体ラインと重複しているが、第２導体ラインとは電気的に絶縁されている。
【００１７】
本発明の一実施形態に係る上記の能動素子アレイ基板によると、第２絶縁層の厚みは、約１５００Åと５０００Åの間である。
【００１８】
本発明の一実施形態によると、上記の能動素子アレイ基板はさらに少なくとも１つの接続開口部を有する。該接続開口部は、第１絶縁層および第２絶縁層を貫通し、該接続開口部を介して、修正接続層の一部が第１導体ラインと電気的に接続されている。
【００１９】
本発明の一実施形態に係る上記の能動素子アレイ基板によると、ピクセルアレイは、複数のスキャンラインと、複数のデータラインと、複数の能動素子と、複数のピクセル電極とを有する。修正構造はさらに、複数の第２導体ラインを有する。また、各データラインは修正構造の第２導体ラインのうち対応する１つと電気的に接続され、各能動素子はスキャンラインのうち対応する１つおよびデータラインのうち対応する１つと電気的に接続され、各ピクセル電極は能動素子のうち対応する１つと電気的に接続されている。
【００２０】
本発明の一実施形態に係る上記の能動素子アレイ基板によると、修正構造はさらに、第１絶縁層と第２導体ラインの間に設けられた半導体層を有する。
【００２１】
本発明の一実施形態に係る上記の能動素子アレイ基板によると、第２導体ラインの一部分は第１導体ラインを被覆する。
【００２２】
本発明の一実施形態に係る上記の能動素子アレイ基板によると、修正接続層を構成している材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金属、合金またはＩＴＯ、ＩＺＯ、金属および合金の組み合わせを含む。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る修正構造によると、修正接続層と第２導体ラインの間に設けられているのは第２絶縁層の１層だけである。レーザによる修正プロセスが実行されると、レーザは容易に第２絶縁層を貫通するように焼却することができるので、修正接続層と第２導体ラインを結合することができる。このため、レーザ修正プロセス後に未修正箇所が発生することはほとんどなくなり、第２導体ラインと第１導体ラインを電気接続することができる。つまり、上述の修正構造は修正歩留まりを向上させることができる。また、本発明に係る能動素子アレイ基板は上記の修正構造を備えるので、高い修正歩留まりを実現できる。
【００２４】
上述した一般的な説明および以下の詳細な説明はともに例示が目的に過ぎず、必要に応じて本発明をさらに説明するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
添付の図面は本発明をさらに説明するためのものであり、本明細書に組み込まれるとともにその一部とする。添付図面は本発明の実施形態を説明するものであって、図面の説明と併せて、本発明の原則を説明する。
【００２６】
【図１Ａ】従来の薄膜トランジスタアレイ基板の構造を示す上面図である。
【００２７】
【図１Ｂ】図１ＡのラインＡ−Ａ´に沿った概略断面図である。
【００２８】
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係る修正構造を示す上面図である。
【００２９】
【図２Ｂ】図２Ａに示した修正構造のラインＢ−Ｂ´に沿った概略断面図である。
【００３０】
【図２Ｃ】ある実施形態に係る修正構造を示す構造図である。
【図２Ｄ】ある実施形態に係る修正構造を示す構造図である。
【図２Ｅ】ある実施形態に係る修正構造を示す構造図である。
【００３１】
【図３Ａ】本発明の一実施形態に係る能動素子アレイ基板を示す上面図である。
【００３２】
【図３Ｂ】図３Ａに示した能動素子アレイ基板のラインＣ−Ｃ´に沿った概略断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下に本発明の実施形態を詳細に説明する。実施形態の例を添付の図面に図示する。可能であれば、同一もしくは類似の構成要素については、図面および明細書において同じ参照番号を利用する。
【００３４】
図２Ａは、本発明の一実施形態に係る修正構造を示す上面図である。図２Ｂは、図２Ａに示した修正構造のラインＢ−Ｂ´に沿った概略断面図である。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、修正構造３００は基板１１０の上に製造される。修正構造３００は、基板１１０、少なくとも１つの第１導体ライン３１０、第１絶縁層３２０、少なくとも１つの第２導体ライン３３０、第２絶縁層３４０および修正接続層３５０を備える。少なくとも１つの第１導体ライン３１０は基板１１０上に設けられている。第１絶縁層３２０は、第１導体ライン３１０を被覆するように基板１１０の上に設けられている。第２導体ライン３３０は第１絶縁層３２０の上に設けられる。第２絶縁層３４０は、第２導体ライン３３０と第１絶縁層３２０を被覆する。修正接続層３５０は第２絶縁層３４０上に設けられる。一実施形態によると、修正接続層３５０の一部は、第１導体ライン３１０および第２導体ライン３３０を被覆する。修正接続層３５０は第１導体ラインと電気的に接続されている。また、修正接続層３５０は第２導体ライン３３０と重複しているが、第２導体ライン３３０とは電気的に絶縁されている（つまり、修正接続層３５０と第２導体ライン３３０は電気的に互いから絶縁されている）。
【００３５】
本実施形態に係る修正構造はさらに、少なくとも１つの接続開口部Ｈと半導体層３６０を備える。接続開口部Ｈは、第１絶縁層３２０および第２絶縁層３４０を貫通している。修正接続層３５０の一部分は、接続開口部Ｈを介して第１導体ライン３１０と電気的に接続されている。半導体層３６０は、第１絶縁層３２０と第２導体ライン３３０の間に設けられている。
【００３６】
第１導体ライン３１０の構成材料は例えば、アルミニウム、アルミニウム合金またはそれ以外の適切な導体材料を含む。第１絶縁層３２０の構成材料は例えば、窒化シリコンまたはそれ以外の適切な材料を含む。第２導体ライン３３０の構成材料は例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、チタンまたはそれ以外の適切な導体材料を含む。第２絶縁層３４０の構成材料は例えば、窒化シリコンまたはそれ以外の適切な材料を含む。第２絶縁層３４０の厚みは例えば、１５００Åから５０００Åの範囲内にある。修正接続層３５０は例えば、導体材料またはそれ以外の適切な材料を用いて製造される。修正接続層３５０の構成材料は例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金属、合金、またはＩＴＯ、ＩＺＯ、金属および合金の組み合わせ、といった適切な導体材料を含む。半導体層３６０は例えば、アモルファスシリコン層およびドープアモルファスシリコン層を含む。
【００３７】
本実施形態に係る修正構造３００は、多くの種類の不具合を修正するために用いることができるが、例を挙げると、ＬＣＤパネルにおけるラインの破損を修正することができる。修正方法は、溶解コンタクト３５０ａでレーザ結合プロセスを実行して、修正接続層３５０と第２導体ライン３３０を結合し、第２導体ライン３３０に電気接続された大半のラインの機能を再構成することを含む。ここで、データライン１３０と修正ライン１５０の間に絶縁層１６２、アモルファスシリコン層１６４およびドープアモルファスシリコン層１６６を有する従来技術と比べて、本発明の実施形態によると、修正接続層３５０と第２導体ライン３３０の間に第２絶縁層３４０の１層だけしか設けられていない。レーザによる修正プロセスが実行されると、レーザは容易に第２絶縁層３４０を貫通するように焼却することができ、修正接続層３５０と第２導体ライン３３０を結合することができる。このため、レーザ修正プロセス後に未修正の箇所が残ることはほとんどない。修正後、第２導体ライン３３０は、修正接続層３５０を介して、第１導体ライン３１０と電気的に接続される。このため、第２導体ライン３３０と電気的に接続された大半のラインの機能が再構成される。結果として、本発明に係る修正構造３００は真に修正歩留まりを向上させることができる。
【００３８】
本実施形態に係る修正構造３００では、第１導体ライン３１０、第２導体ライン３３０および修正接続層３５０が図２Ａに示すように構成されている。しかし図２Ａに示した構造は一例に過ぎない。図２Ｃから図２Ｅは、別の実施形態に係る修正構造を示す構造図である。図２Ｃから図２Ｅに示す修正構造４００、５００および６００の第１導体ライン３１０、第２導体ライン３３０および修正接続層３５０は、上記とは並べ方が異なる。ここで、上述した修正構造３００、４００、５００および６００では、第２導体ライン３３０と第１導体ライン３１０は重複していないが、ほかの実施形態によると、第２導体ライン３３０の一部分が第１導体ライン３１０と重複していてもよい。
【００３９】
本発明に係る修正構造を用いてＬＣＤパネルまたは能動素子アレイ基板のライン破損の修正が可能であることを説明するべく、能動素子アレイ基板の修正について詳細に説明する。
【００４０】
図３Ａは、本発明の一実施形態に係る能動素子アレイ基板を示す上面図である。図３Ｂは、図３Ａに示した能動素子アレイ基板のラインＣ−Ｃ´に沿った概略断面図である。図３Ａおよび図３Ｂに示すように、能動素子アレイ基板７００は基板７１０、ピクセルアレイ７２０および修正構造７３０を備える。基板７１０は、表示領域７１０ａおよび周辺回路領域７１０ｂを有する。ピクセルアレイ７２０は、基板７１０の表示領域７１０ａに設けられている。修正構造７３０は、基板７１０の周辺回路領域７１０ｂに設けられており、ピクセルアレイ７２０と電気的に接続されている。修正構造７３０は、少なくとも１つの第１導体ライン７３１、第１絶縁層３２０、少なくとも１つの第２導体ライン３３０、第２絶縁層３４０および修正接続層３５０を有する。第１導体ライン７３１、第１絶縁層３２０、第２導体ライン３３０、第２絶縁層３４０および修正接続層３５０の相対的な配置は、上述の修正構造３００の構成要素の配置と同じである。具体的に言うと、第２導体ライン３３０は、ピクセルアレイ７２０と電気的に接続されている。
【００４１】
修正構造３００と同様に、能動素子アレイ基板７００が備える修正構造７３０はさらに、少なくとも１つの接続開口部Ｈおよび半導体層３６０を有する。接続開口部Ｈは、第１絶縁層３２０と第２絶縁層３４０を貫通し、修正接続層３５０の一部分は接続開口部Ｈを介して第１導体ライン７３１と電気的に接続されている。半導体層３６０は、第１絶縁層３２０と第２導体ライン３３０の間に設けられている。また、ピクセルアレイ７２０は、複数のスキャンライン７２２、複数のデータライン７２４、複数の能動素子７２６、複数のピクセル電極７２８を有する。修正構造７３０はさらに、複数の第２導体ライン３３０を有する。各データライン７２４は、修正構造７３０の第２導体ライン３３０のうち対応する１本と電気的に接続され、各能動素子７２６は、スキャンライン７２２およびデータライン７２４それぞれのうち対応する１本と電気的に接続されている。また、各ピクセル電極７２８は、能動素子７２６のうち対応する１つと電気的に接続されている。
【００４２】
より具体的に説明すると、基板７１０は例えば、ガラス基板、石英基板またはそれ以外の材料を用いて製造された基板である。スキャンライン７２２の構成材料は例えば、アルミニウム、アルミニウム合金またはそれ以外の適切な導体材料を含む。データライン７２４の構成材料は例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、チタンまたはそれ以外の適切な導体材料を含む。能動素子７２６は例えば、薄膜トランジスタ、三端子スイッチング素子またはそれ以外の適切な素子である。ピクセル電極７２８は例えば、透明電極、反射性電極または半透過型電極である。ピクセル電極７２８の構成材料は例えば、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物またはそれ以外の透明性または非透明性導体材料を含む。第１導体ライン７３１およびスキャンライン７２２は同一の材料を用いて製造するのが好ましく、例えば同時に形成することができる。第１絶縁層３２０の構成材料は例えば、前述の実施形態で用いられたものと同一である。第２導体ライン３３０およびデータライン７２４は同一の材料を用いて製造するのが好ましく、例えば同時に形成することができる。第２絶縁層３４０の構成材料および厚みは、前述の実施形態のものと同じである。修正接続層３５０とピクセル電極７２８は例えば、同じ構成材料を利用し、同時に形成することができる。半導体層３６０は例えば、アモルファスシリコン層およびドープアモルファスシリコン層を含む。
【００４３】
上述の能動素子アレイ基板７００の製造工程または能動素子アレイ基板７００を用いてＬＣＤパネルをアセンブルする工程において、不具合を完全になくすことはできない。能動素子アレイ基板７００上で破損したデータライン７２４が検出された場合、修正構造７３０に基づき修正プロセスを実行することができる。より具体的には、能動素子アレイ基板７００上のデータライン７２４でライン破損という不具合が生じた場合には、溶解コンタクト７３０ａおよび７３０ｂに対してレーザ結合プロセスが実行され、修正接続層３５０と、破損したデータライン７２４に対応して電気接続された第２導体ライン３３０が接続される。この結果、破損したデータライン７２４の機能の大半は、第２導体ライン３３０、修正接続層３５０および第１導体ライン７３１に基づき、再構成される。
【００４４】
修正接続層３５０と第２導体ライン３３０を電気的に接続するべくレーザ結合プロセスを実行する時の条件は、上記の修正構造３００の場合に類似している。レーザは容易に第２絶縁層３４０を貫通するように焼却することができるので、修正接続層３５０および第２導体ライン３３０を結合することができる。このため、未修正の箇所が残ることはほとんどない。レーザ修正プロセスが完了すると、データライン７２４の機能の大半が第２導体ライン３３０、修正接続層３５０および第１導体ライン７３１に基づき再構成される。つまり、能動素子アレイ基板７００は、より高い修正歩留まりを実現できる。
【００４５】
要約すると、上述した修正構造および能動素子アレイ基板は少なくとも以下の効果を奏する。
１．本発明に関する修正構造によると、修正接続層と第２導体ラインの間に存在するのが第２絶縁層１層だけである。レーザ修正プロセスが実行されると、レーザは容易に第２絶縁層を貫通するように焼却することができ、修正接続層と第２導体ラインを結合することができる。このため、レーザ修正プロセス後に未修正の箇所が残ることはほとんどない。つまり、上記の修正構造は修正歩留まりを向上させることができる。
２．能動素子アレイ基板上には本発明に係る修正構造を製造することによって、該能動素子アレイ基板の修正歩留まりが高くなる。
３．本発明に係る修正構造および能動素子アレイ基板の製造方法は、既存のプロセスとの間で互換性を有する。このため、変更する必要があるフォトマスクはほとんどなく、別の装置を用意する必要がない。
４．本発明に係る修正構造は、ディスプレイパネルおよび／またはディスプレイモジュールに応用することができる。
【００４６】
本発明の構造を、本発明の範囲または目的から離れることなく、さまざまに変形および変更することができるのは、当業者には明らかである。前述の内容に基づき、本願請求項およびそれに類するものの範囲にある限り、本発明の変形および変更も本発明に含めるものとする。
【技術分野】
【０００１】
本発明は修正構造および能動素子アレイ基板に関する。特に本発明は、修正歩留まりを向上させることができる修正構造および修正歩留まりが高い能動素子アレイ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）製造技術は非常に高い水準に達しているが、ＬＣＤパネル製造工程では頻繁に不具合が発生する。ＬＣＤの不具合は多くの場合、画像表示を行った場合にユーザが感じる不快感の原因となってしまう。このように欠陥を持つＬＣＤパネルをすべてそのまま廃棄すると、ＬＣＤパネルの製造コストが大きく跳ね上がってしまう。概して、製造技術の改善だけに頼って欠陥率ゼロを達成するのは非常に難しい。このため、ＬＣＤパネルの不具合を修正する技術が重要となっている。従来技術によると、ＬＣＤパネルの不具合は、レーザ溶接またはレーザ切断によって修正される。
【０００３】
普通のＬＣＤは主な構成要素として、ＬＣＤパネルとバックライトモジュールを備える。ＬＣＤパネルは主に、薄膜トランジスタアレイ基板とカラーフィルタ基板を有する。薄膜トランジスタアレイ基板製造工程において、ラインが破損するという不具合が頻繁に生じる。ライン破損という不具合はアレイ試験によって検出することができ、レーザ化学気相成長法（レーザＣＶＤ）を実施する修正工程において修正が可能である。しかし、レーザＣＶＤ工程に基づく修正が、すべてのライン破損に対して適切なわけではない。例を挙げると、液晶セルのアセンブル後にライン破損が発見された場合には、この方法で修正することができない。
【０００４】
また、薄膜トランジスタアレイ基板とカラーフィルタ基板（不図示）がアセンブルされ液晶（不図示）が注入された後にライン破損が発見された場合にも、ライン破損が生じている薄膜トランジスタアレイ全体が既に液晶セル内に封入されているので、破損したラインの修正はレーザＣＶＤ法を用いて行うことができない。ＬＣＤパネル（不図示）上に輝線が形成されないようにするべく、例えば薄膜トランジスタアレイ基板の修正ラインといった上記以外の修正方法を用いてＬＣＤパネルを修正する必要がある。
【０００５】
図１Ａは、従来の薄膜トランジスタアレイ基板の構造を示す上面図である。図１Ｂは、図１ＡのラインＡ−Ａ´に沿った概略断面図である。図１Ａに示すように、薄膜トランジスタアレイ基板１００は、基板１１０、複数のスキャンライン１２０、複数のデータライン１３０、複数のピクセルユニット１４０および修正ライン１５０を備える。スキャンライン１２０、データライン１３０、ピクセルユニット１４０および修正ライン１５０は、基板１１０の上に配設されている。各ピクセルユニット１４０は、薄膜トランジスタ１４２および透明導電性電極、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）電極１４４を有する。薄膜トランジスタ１４２は、スキャンライン１２０およびデータライン１３０それぞれのうち対応する１本と電気接続されている。ＩＴＯ電極１４４は、薄膜トランジスタ１４２のうち対応する１つと電気接続されている。
【０００６】
薄膜トランジスタアレイ基板１００とカラーフィルタ基板をアセンブルして両基板間の空間に液晶を注入して、ＬＣＤパネルを形成する。しかし、薄膜トランジスタアレイ基板１００上でライン破損が検出されると、修正ライン１５０に基づき修正を行う。例えば、薄膜トランジスタアレイ基板１００上でデータライン１３０の破損が検出された場合、レーザを用いてコンタクト１５０ａおよび１５０ｂを溶解し、修正ライン１５０と問題のデータライン１３０を接続する。このようにすることによって、修正ライン１５０を利用して、破損したデータライン１３０の機能をほぼ再構成することができる。
【０００７】
ここで図１Ｂに示すように、データライン１３０と修正ライン１５０の間には、絶縁層１６２、アモルファスシリコン層１６４およびドープアモルファスシリコン層１６６がある。また、データライン１３０を被覆するように保護層１６８が設けられている。絶縁層１６２、アモルファスシリコン層１６４およびドープアモルファスシリコン層１６６の厚みは、約３５００オングストローム（Å）から８５００Åの範囲内にある。レーザを用いてデータライン１３０と修正ライン１５０を溶解して接続する場合、データライン１３０と修正ライン１５０との間の複数の層の厚みの合計が大きいので、レーザによる焼却が修正ライン１５０まで達しない。このため、データライン１３０と修正ライン１５０が形成する電気接続は弱いものにすぎなかったり、データライン１３０と修正ライン１５０を結合できないことがある。従って、修正歩留まりが低下してしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記より、本発明は修正歩留まりを向上させることができる修正構造を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明はさらに、高い修正歩留まりを実現する能動素子アレイ基板を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述およびそれ以外の目的を達成するべく、本発明の目的に従って、本明細書において説明する実施形態が示すように、本発明は修正構造を提供する。当該修正構造は、基板と、少なくとも１つの第１導体ラインと、第１絶縁層と、少なくとも１つの第２導体ラインと、第２絶縁層と、修正接続層とを備える。少なくとも１つの第１導体ラインは基板上に設けられている。第１絶縁層は第１導体ラインを被覆するように基板の上に設けられている。第２導体ラインは第１絶縁層の上に設けられている。第２絶縁層は第２導体ラインと第１絶縁層を被覆する。修正接続層は第２絶縁層上に設けられている。該修正接続層は第１導体ラインと電気的に接続されている。該修正接続層は、第２導体ラインと重複しているが、第２導体ラインとは電気的に絶縁されている。
【００１１】
本発明の一実施形態に係る上記の修正構造によると、第２絶縁層の厚みは約１５００Åと５０００Åの間である。
【００１２】
本発明の一実施形態によると、上記の修正構造はさらに少なくとも１つの接続開口部を備える。該接続開口部は、第１絶縁層および第２絶縁層を貫通し、該接続開口部を介して、修正接続層の一部が第１導体ラインと電気的に接続されている。
【００１３】
本発明の一実施形態によると、上記の修正構造はさらに、第１絶縁層と第２導体ラインの間に設けられた半導体層を備える。
【００１４】
本発明の一実施形態に係る上記の修正構造によると、第２導体ラインの一部分は第１導体ラインを被覆する。
【００１５】
本発明の一実施形態に係る上記の修正構造によると、修正接続層を構成している材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金属、合金またはＩＴＯ、ＩＺＯ、金属および合金の組み合わせを含む。
【００１６】
本発明はさらに能動素子アレイ基板を提供する。当該能動素子アレイ基板は、基板と、ピクセルアレイと、修正構造とを備える。基板は表示領域および周辺回路領域を有する。ピクセルアレイは基板の表示領域に設けられている。修正構造は基板の周辺回路領域に設けられている。該修正構造は、ピクセルアレイと電気的に接続されている。当該修正構造は、少なくとも１つの第１導体ラインと、第１絶縁層と、少なくとも１つの第２導体ラインと、第２絶縁層と、修正接続層を有する。第１絶縁層は第１導体ラインを被覆する。第２導体ラインは第１絶縁層の上に設けられている。第２絶縁層は第２導体ラインと第１絶縁層を被覆する。修正接続層は第２絶縁層上に設けられている。該修正接続層は第１導体ラインと電気的に接続されている。該修正接続層は第２導体ラインと重複しているが、第２導体ラインとは電気的に絶縁されている。
【００１７】
本発明の一実施形態に係る上記の能動素子アレイ基板によると、第２絶縁層の厚みは、約１５００Åと５０００Åの間である。
【００１８】
本発明の一実施形態によると、上記の能動素子アレイ基板はさらに少なくとも１つの接続開口部を有する。該接続開口部は、第１絶縁層および第２絶縁層を貫通し、該接続開口部を介して、修正接続層の一部が第１導体ラインと電気的に接続されている。
【００１９】
本発明の一実施形態に係る上記の能動素子アレイ基板によると、ピクセルアレイは、複数のスキャンラインと、複数のデータラインと、複数の能動素子と、複数のピクセル電極とを有する。修正構造はさらに、複数の第２導体ラインを有する。また、各データラインは修正構造の第２導体ラインのうち対応する１つと電気的に接続され、各能動素子はスキャンラインのうち対応する１つおよびデータラインのうち対応する１つと電気的に接続され、各ピクセル電極は能動素子のうち対応する１つと電気的に接続されている。
【００２０】
本発明の一実施形態に係る上記の能動素子アレイ基板によると、修正構造はさらに、第１絶縁層と第２導体ラインの間に設けられた半導体層を有する。
【００２１】
本発明の一実施形態に係る上記の能動素子アレイ基板によると、第２導体ラインの一部分は第１導体ラインを被覆する。
【００２２】
本発明の一実施形態に係る上記の能動素子アレイ基板によると、修正接続層を構成している材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金属、合金またはＩＴＯ、ＩＺＯ、金属および合金の組み合わせを含む。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る修正構造によると、修正接続層と第２導体ラインの間に設けられているのは第２絶縁層の１層だけである。レーザによる修正プロセスが実行されると、レーザは容易に第２絶縁層を貫通するように焼却することができるので、修正接続層と第２導体ラインを結合することができる。このため、レーザ修正プロセス後に未修正箇所が発生することはほとんどなくなり、第２導体ラインと第１導体ラインを電気接続することができる。つまり、上述の修正構造は修正歩留まりを向上させることができる。また、本発明に係る能動素子アレイ基板は上記の修正構造を備えるので、高い修正歩留まりを実現できる。
【００２４】
上述した一般的な説明および以下の詳細な説明はともに例示が目的に過ぎず、必要に応じて本発明をさらに説明するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
添付の図面は本発明をさらに説明するためのものであり、本明細書に組み込まれるとともにその一部とする。添付図面は本発明の実施形態を説明するものであって、図面の説明と併せて、本発明の原則を説明する。
【００２６】
【図１Ａ】従来の薄膜トランジスタアレイ基板の構造を示す上面図である。
【００２７】
【図１Ｂ】図１ＡのラインＡ−Ａ´に沿った概略断面図である。
【００２８】
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係る修正構造を示す上面図である。
【００２９】
【図２Ｂ】図２Ａに示した修正構造のラインＢ−Ｂ´に沿った概略断面図である。
【００３０】
【図２Ｃ】ある実施形態に係る修正構造を示す構造図である。
【図２Ｄ】ある実施形態に係る修正構造を示す構造図である。
【図２Ｅ】ある実施形態に係る修正構造を示す構造図である。
【００３１】
【図３Ａ】本発明の一実施形態に係る能動素子アレイ基板を示す上面図である。
【００３２】
【図３Ｂ】図３Ａに示した能動素子アレイ基板のラインＣ−Ｃ´に沿った概略断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下に本発明の実施形態を詳細に説明する。実施形態の例を添付の図面に図示する。可能であれば、同一もしくは類似の構成要素については、図面および明細書において同じ参照番号を利用する。
【００３４】
図２Ａは、本発明の一実施形態に係る修正構造を示す上面図である。図２Ｂは、図２Ａに示した修正構造のラインＢ−Ｂ´に沿った概略断面図である。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、修正構造３００は基板１１０の上に製造される。修正構造３００は、基板１１０、少なくとも１つの第１導体ライン３１０、第１絶縁層３２０、少なくとも１つの第２導体ライン３３０、第２絶縁層３４０および修正接続層３５０を備える。少なくとも１つの第１導体ライン３１０は基板１１０上に設けられている。第１絶縁層３２０は、第１導体ライン３１０を被覆するように基板１１０の上に設けられている。第２導体ライン３３０は第１絶縁層３２０の上に設けられる。第２絶縁層３４０は、第２導体ライン３３０と第１絶縁層３２０を被覆する。修正接続層３５０は第２絶縁層３４０上に設けられる。一実施形態によると、修正接続層３５０の一部は、第１導体ライン３１０および第２導体ライン３３０を被覆する。修正接続層３５０は第１導体ラインと電気的に接続されている。また、修正接続層３５０は第２導体ライン３３０と重複しているが、第２導体ライン３３０とは電気的に絶縁されている（つまり、修正接続層３５０と第２導体ライン３３０は電気的に互いから絶縁されている）。
【００３５】
本実施形態に係る修正構造はさらに、少なくとも１つの接続開口部Ｈと半導体層３６０を備える。接続開口部Ｈは、第１絶縁層３２０および第２絶縁層３４０を貫通している。修正接続層３５０の一部分は、接続開口部Ｈを介して第１導体ライン３１０と電気的に接続されている。半導体層３６０は、第１絶縁層３２０と第２導体ライン３３０の間に設けられている。
【００３６】
第１導体ライン３１０の構成材料は例えば、アルミニウム、アルミニウム合金またはそれ以外の適切な導体材料を含む。第１絶縁層３２０の構成材料は例えば、窒化シリコンまたはそれ以外の適切な材料を含む。第２導体ライン３３０の構成材料は例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、チタンまたはそれ以外の適切な導体材料を含む。第２絶縁層３４０の構成材料は例えば、窒化シリコンまたはそれ以外の適切な材料を含む。第２絶縁層３４０の厚みは例えば、１５００Åから５０００Åの範囲内にある。修正接続層３５０は例えば、導体材料またはそれ以外の適切な材料を用いて製造される。修正接続層３５０の構成材料は例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金属、合金、またはＩＴＯ、ＩＺＯ、金属および合金の組み合わせ、といった適切な導体材料を含む。半導体層３６０は例えば、アモルファスシリコン層およびドープアモルファスシリコン層を含む。
【００３７】
本実施形態に係る修正構造３００は、多くの種類の不具合を修正するために用いることができるが、例を挙げると、ＬＣＤパネルにおけるラインの破損を修正することができる。修正方法は、溶解コンタクト３５０ａでレーザ結合プロセスを実行して、修正接続層３５０と第２導体ライン３３０を結合し、第２導体ライン３３０に電気接続された大半のラインの機能を再構成することを含む。ここで、データライン１３０と修正ライン１５０の間に絶縁層１６２、アモルファスシリコン層１６４およびドープアモルファスシリコン層１６６を有する従来技術と比べて、本発明の実施形態によると、修正接続層３５０と第２導体ライン３３０の間に第２絶縁層３４０の１層だけしか設けられていない。レーザによる修正プロセスが実行されると、レーザは容易に第２絶縁層３４０を貫通するように焼却することができ、修正接続層３５０と第２導体ライン３３０を結合することができる。このため、レーザ修正プロセス後に未修正の箇所が残ることはほとんどない。修正後、第２導体ライン３３０は、修正接続層３５０を介して、第１導体ライン３１０と電気的に接続される。このため、第２導体ライン３３０と電気的に接続された大半のラインの機能が再構成される。結果として、本発明に係る修正構造３００は真に修正歩留まりを向上させることができる。
【００３８】
本実施形態に係る修正構造３００では、第１導体ライン３１０、第２導体ライン３３０および修正接続層３５０が図２Ａに示すように構成されている。しかし図２Ａに示した構造は一例に過ぎない。図２Ｃから図２Ｅは、別の実施形態に係る修正構造を示す構造図である。図２Ｃから図２Ｅに示す修正構造４００、５００および６００の第１導体ライン３１０、第２導体ライン３３０および修正接続層３５０は、上記とは並べ方が異なる。ここで、上述した修正構造３００、４００、５００および６００では、第２導体ライン３３０と第１導体ライン３１０は重複していないが、ほかの実施形態によると、第２導体ライン３３０の一部分が第１導体ライン３１０と重複していてもよい。
【００３９】
本発明に係る修正構造を用いてＬＣＤパネルまたは能動素子アレイ基板のライン破損の修正が可能であることを説明するべく、能動素子アレイ基板の修正について詳細に説明する。
【００４０】
図３Ａは、本発明の一実施形態に係る能動素子アレイ基板を示す上面図である。図３Ｂは、図３Ａに示した能動素子アレイ基板のラインＣ−Ｃ´に沿った概略断面図である。図３Ａおよび図３Ｂに示すように、能動素子アレイ基板７００は基板７１０、ピクセルアレイ７２０および修正構造７３０を備える。基板７１０は、表示領域７１０ａおよび周辺回路領域７１０ｂを有する。ピクセルアレイ７２０は、基板７１０の表示領域７１０ａに設けられている。修正構造７３０は、基板７１０の周辺回路領域７１０ｂに設けられており、ピクセルアレイ７２０と電気的に接続されている。修正構造７３０は、少なくとも１つの第１導体ライン７３１、第１絶縁層３２０、少なくとも１つの第２導体ライン３３０、第２絶縁層３４０および修正接続層３５０を有する。第１導体ライン７３１、第１絶縁層３２０、第２導体ライン３３０、第２絶縁層３４０および修正接続層３５０の相対的な配置は、上述の修正構造３００の構成要素の配置と同じである。具体的に言うと、第２導体ライン３３０は、ピクセルアレイ７２０と電気的に接続されている。
【００４１】
修正構造３００と同様に、能動素子アレイ基板７００が備える修正構造７３０はさらに、少なくとも１つの接続開口部Ｈおよび半導体層３６０を有する。接続開口部Ｈは、第１絶縁層３２０と第２絶縁層３４０を貫通し、修正接続層３５０の一部分は接続開口部Ｈを介して第１導体ライン７３１と電気的に接続されている。半導体層３６０は、第１絶縁層３２０と第２導体ライン３３０の間に設けられている。また、ピクセルアレイ７２０は、複数のスキャンライン７２２、複数のデータライン７２４、複数の能動素子７２６、複数のピクセル電極７２８を有する。修正構造７３０はさらに、複数の第２導体ライン３３０を有する。各データライン７２４は、修正構造７３０の第２導体ライン３３０のうち対応する１本と電気的に接続され、各能動素子７２６は、スキャンライン７２２およびデータライン７２４それぞれのうち対応する１本と電気的に接続されている。また、各ピクセル電極７２８は、能動素子７２６のうち対応する１つと電気的に接続されている。
【００４２】
より具体的に説明すると、基板７１０は例えば、ガラス基板、石英基板またはそれ以外の材料を用いて製造された基板である。スキャンライン７２２の構成材料は例えば、アルミニウム、アルミニウム合金またはそれ以外の適切な導体材料を含む。データライン７２４の構成材料は例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、チタンまたはそれ以外の適切な導体材料を含む。能動素子７２６は例えば、薄膜トランジスタ、三端子スイッチング素子またはそれ以外の適切な素子である。ピクセル電極７２８は例えば、透明電極、反射性電極または半透過型電極である。ピクセル電極７２８の構成材料は例えば、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物またはそれ以外の透明性または非透明性導体材料を含む。第１導体ライン７３１およびスキャンライン７２２は同一の材料を用いて製造するのが好ましく、例えば同時に形成することができる。第１絶縁層３２０の構成材料は例えば、前述の実施形態で用いられたものと同一である。第２導体ライン３３０およびデータライン７２４は同一の材料を用いて製造するのが好ましく、例えば同時に形成することができる。第２絶縁層３４０の構成材料および厚みは、前述の実施形態のものと同じである。修正接続層３５０とピクセル電極７２８は例えば、同じ構成材料を利用し、同時に形成することができる。半導体層３６０は例えば、アモルファスシリコン層およびドープアモルファスシリコン層を含む。
【００４３】
上述の能動素子アレイ基板７００の製造工程または能動素子アレイ基板７００を用いてＬＣＤパネルをアセンブルする工程において、不具合を完全になくすことはできない。能動素子アレイ基板７００上で破損したデータライン７２４が検出された場合、修正構造７３０に基づき修正プロセスを実行することができる。より具体的には、能動素子アレイ基板７００上のデータライン７２４でライン破損という不具合が生じた場合には、溶解コンタクト７３０ａおよび７３０ｂに対してレーザ結合プロセスが実行され、修正接続層３５０と、破損したデータライン７２４に対応して電気接続された第２導体ライン３３０が接続される。この結果、破損したデータライン７２４の機能の大半は、第２導体ライン３３０、修正接続層３５０および第１導体ライン７３１に基づき、再構成される。
【００４４】
修正接続層３５０と第２導体ライン３３０を電気的に接続するべくレーザ結合プロセスを実行する時の条件は、上記の修正構造３００の場合に類似している。レーザは容易に第２絶縁層３４０を貫通するように焼却することができるので、修正接続層３５０および第２導体ライン３３０を結合することができる。このため、未修正の箇所が残ることはほとんどない。レーザ修正プロセスが完了すると、データライン７２４の機能の大半が第２導体ライン３３０、修正接続層３５０および第１導体ライン７３１に基づき再構成される。つまり、能動素子アレイ基板７００は、より高い修正歩留まりを実現できる。
【００４５】
要約すると、上述した修正構造および能動素子アレイ基板は少なくとも以下の効果を奏する。
１．本発明に関する修正構造によると、修正接続層と第２導体ラインの間に存在するのが第２絶縁層１層だけである。レーザ修正プロセスが実行されると、レーザは容易に第２絶縁層を貫通するように焼却することができ、修正接続層と第２導体ラインを結合することができる。このため、レーザ修正プロセス後に未修正の箇所が残ることはほとんどない。つまり、上記の修正構造は修正歩留まりを向上させることができる。
２．能動素子アレイ基板上には本発明に係る修正構造を製造することによって、該能動素子アレイ基板の修正歩留まりが高くなる。
３．本発明に係る修正構造および能動素子アレイ基板の製造方法は、既存のプロセスとの間で互換性を有する。このため、変更する必要があるフォトマスクはほとんどなく、別の装置を用意する必要がない。
４．本発明に係る修正構造は、ディスプレイパネルおよび／またはディスプレイモジュールに応用することができる。
【００４６】
本発明の構造を、本発明の範囲または目的から離れることなく、さまざまに変形および変更することができるのは、当業者には明らかである。前述の内容に基づき、本願請求項およびそれに類するものの範囲にある限り、本発明の変形および変更も本発明に含めるものとする。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
修正構造であって、
基板と、
前記基板上に設けられた少なくとも１つの第１導体ラインと、
前記第１導体ラインを被覆するように前記基板の上に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に設けられた少なくとも１つの第２導体ラインと、
前記第２導体ラインと前記第１絶縁層を被覆する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に設けられた修正接続層であって、前記第１導体ラインと電気的に接続され且つ前記第２導体ラインと重複し、前記第２導体ラインとは電気的に絶縁されている修正接続層とを
備える修正構造。
【請求項２】
前記第２絶縁層の厚みは、約１５００Åと５０００Åの間である
請求項１に記載の修正構造。
【請求項３】
前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を貫通する、少なくとも１つの接続開口部をさらに備え、当該少なくとも１つの接続開口部を介して、前記修正接続層の一部が前記第１導体ラインと電気的に接続されている
請求項１に記載の修正構造。
【請求項４】
前記第１絶縁層と前記第２導体ラインの間に設けられた半導体層
をさらに備える請求項１に記載の修正構造。
【請求項５】
前記第２導体ラインの一部分は前記第１導体ラインを被覆する
請求項１に記載の修正構造。
【請求項６】
前記修正接続層を構成している材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金属、合金またはＩＴＯ、ＩＺＯ、金属および合金の組み合わせを含む
請求項１に記載の修正構造。
【請求項７】
能動素子アレイ基板であって、
表示領域および周辺回路領域を有する基板と、
前記基板の前記表示領域に設けられたピクセルアレイと、
前記基板の前記周辺回路領域に設けられた修正構造であって、前記ピクセルアレイと電気的に接続された修正構造とを備え、
当該修正構造は、
少なくとも１つの第１導体ラインと、
前記第１導体ラインを被覆する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に設けられた少なくとも１つの第２導体ラインと、
前記第２導体ラインと前記第１絶縁層を被覆する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に設けられた修正接続層であって、前記第１導体ラインと電気的に接続され且つ前記第２導体ラインと重複し、前記第２導体ラインとは電気的に絶縁されている修正接続層とを有する
能動素子アレイ基板。
【請求項８】
前記第２絶縁層の厚みは、約１５００Åと５０００Åの間である
請求項７に記載の能動素子アレイ基板。
【請求項９】
前記修正構造は、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を貫通する、少なくとも１つの接続開口部をさらに有し、当該少なくとも１つの接続開口部を介して、前記修正接続層の一部が前記第１導体ラインと電気的に接続されている
請求項７に記載の能動素子アレイ基板。
【請求項１０】
前記ピクセルアレイは、複数のスキャンラインと、複数のデータラインと、複数の能動素子と、複数のピクセル電極とを有し、前記修正構造は複数の第２導体ラインを有し、各データラインは前記修正構造の前記第２導体ラインのうち対応する１つと電気的に接続され、各能動素子は前記スキャンラインのうち対応する１つおよび前記データラインのうち対応する１つと電気的に接続され、各ピクセル電極は前記能動素子のうち対応する１つと電気的に接続されている
請求項７に記載の能動素子アレイ基板。
【請求項１１】
前記修正構造はさらに、前記第１絶縁層と前記第２導体ラインの間に設けられた半導体層を有する
請求項７に記載の能動素子アレイ基板。
【請求項１２】
前記第２導体ラインの一部分は前記第１導体ラインを被覆する
請求項７に記載の能動素子アレイ基板。
【請求項１３】
前記修正接続層を構成している材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金属、合金またはＩＴＯ、ＩＺＯ、金属および合金の組み合わせを含む
請求項１２に記載の能動素子アレイ基板。
【請求項１】
修正構造であって、
基板と、
前記基板上に設けられた少なくとも１つの第１導体ラインと、
前記第１導体ラインを被覆するように前記基板の上に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に設けられた少なくとも１つの第２導体ラインと、
前記第２導体ラインと前記第１絶縁層を被覆する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に設けられた修正接続層であって、前記第１導体ラインと電気的に接続され且つ前記第２導体ラインと重複し、前記第２導体ラインとは電気的に絶縁されている修正接続層とを
備える修正構造。
【請求項２】
前記第２絶縁層の厚みは、約１５００Åと５０００Åの間である
請求項１に記載の修正構造。
【請求項３】
前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を貫通する、少なくとも１つの接続開口部をさらに備え、当該少なくとも１つの接続開口部を介して、前記修正接続層の一部が前記第１導体ラインと電気的に接続されている
請求項１に記載の修正構造。
【請求項４】
前記第１絶縁層と前記第２導体ラインの間に設けられた半導体層
をさらに備える請求項１に記載の修正構造。
【請求項５】
前記第２導体ラインの一部分は前記第１導体ラインを被覆する
請求項１に記載の修正構造。
【請求項６】
前記修正接続層を構成している材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金属、合金またはＩＴＯ、ＩＺＯ、金属および合金の組み合わせを含む
請求項１に記載の修正構造。
【請求項７】
能動素子アレイ基板であって、
表示領域および周辺回路領域を有する基板と、
前記基板の前記表示領域に設けられたピクセルアレイと、
前記基板の前記周辺回路領域に設けられた修正構造であって、前記ピクセルアレイと電気的に接続された修正構造とを備え、
当該修正構造は、
少なくとも１つの第１導体ラインと、
前記第１導体ラインを被覆する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に設けられた少なくとも１つの第２導体ラインと、
前記第２導体ラインと前記第１絶縁層を被覆する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に設けられた修正接続層であって、前記第１導体ラインと電気的に接続され且つ前記第２導体ラインと重複し、前記第２導体ラインとは電気的に絶縁されている修正接続層とを有する
能動素子アレイ基板。
【請求項８】
前記第２絶縁層の厚みは、約１５００Åと５０００Åの間である
請求項７に記載の能動素子アレイ基板。
【請求項９】
前記修正構造は、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を貫通する、少なくとも１つの接続開口部をさらに有し、当該少なくとも１つの接続開口部を介して、前記修正接続層の一部が前記第１導体ラインと電気的に接続されている
請求項７に記載の能動素子アレイ基板。
【請求項１０】
前記ピクセルアレイは、複数のスキャンラインと、複数のデータラインと、複数の能動素子と、複数のピクセル電極とを有し、前記修正構造は複数の第２導体ラインを有し、各データラインは前記修正構造の前記第２導体ラインのうち対応する１つと電気的に接続され、各能動素子は前記スキャンラインのうち対応する１つおよび前記データラインのうち対応する１つと電気的に接続され、各ピクセル電極は前記能動素子のうち対応する１つと電気的に接続されている
請求項７に記載の能動素子アレイ基板。
【請求項１１】
前記修正構造はさらに、前記第１絶縁層と前記第２導体ラインの間に設けられた半導体層を有する
請求項７に記載の能動素子アレイ基板。
【請求項１２】
前記第２導体ラインの一部分は前記第１導体ラインを被覆する
請求項７に記載の能動素子アレイ基板。
【請求項１３】
前記修正接続層を構成している材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金属、合金またはＩＴＯ、ＩＺＯ、金属および合金の組み合わせを含む
請求項１２に記載の能動素子アレイ基板。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図１Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【公開番号】特開２００７−３３４２９３（Ｐ２００７−３３４２９３Ａ）
【公開日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−４２９２６（Ｐ２００７−４２９２６）
【出願日】平成１９年２月２２日（２００７．２．２２）
【出願人】（５９９０１０１６３）友▲達▼光電股▲ふん▼有限公司 (13)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月２２日（２００７．２．２２）
【出願人】（５９９０１０１６３）友▲達▼光電股▲ふん▼有限公司 (13)
【Ｆターム（参考）】
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