プラズマディスプレイパネルの製造方法
【課題】ＰＤＰの保護層の膜特性からエージング処理を行う時間を決定することで、適切なエージング処理を実施できるようにする。
【解決手段】間に放電空間を形成するように配置した第１基板および第２基板と、前記第２基板上に形成された複数の表示電極と、前記表示電極を覆うように前記第２基板上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された保護層とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記保護層は複数の層が積層された構造であると仮定して、前記保護層の表層の膜特性を測定するステップと、前記膜特性からエージング時間を決定するステップと、前記エージング時間にわたってエージングを行うステップとを有する。
【解決手段】間に放電空間を形成するように配置した第１基板および第２基板と、前記第２基板上に形成された複数の表示電極と、前記表示電極を覆うように前記第２基板上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された保護層とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記保護層は複数の層が積層された構造であると仮定して、前記保護層の表層の膜特性を測定するステップと、前記膜特性からエージング時間を決定するステップと、前記エージング時間にわたってエージングを行うステップとを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは薄型、大画面の視認性に優れた表示デバイスであり、ＡＣ型で面放電型のＰＤＰが主流を占めるようになっている。このようなＰＤＰは、走査電極および維持電極などを形成した前面基板と、アドレス電極、隔壁および蛍光体層などを形成した背面基板とを対向配置して周囲を封着し、基板間に形成される放電空間に放電ガスを封入して構成されている。ＰＤＰの製造工程では、ＰＤＰの全面を安定に放電させるためにエージング工程が導入されている。エージング工程では、動作駆動時よりも高い電圧を走査電極と維持電極とに交互に印加して放電を発生させるエージングを行うことで、放電特性の安定化が図られている。このようなエージングの終了時点を決定する方法として、例えば特許文献１には、ＰＤＰに印加される電流波形の変化を監視して電流波形の変化によりエージング終了時点を判断することが提案されている。
【特許文献１】特開２００３−２２９０６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に開示されているＰＤＰのエージング処理方法では、パネル全体の電流変化を観測することによりエージング終了時点を判断するものであり、パネル内の特性バラツキを考慮して判定することは困難である。特にこの課題はパネルサイズが大型化するとより顕著に現れる。
【０００４】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、ＰＤＰの保護層の膜特性からエージング処理を行う時間を決定することで、適切なエージング処理を実施できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明は、間に放電空間を形成するように配置した第１基板および第２基板と、前記第２基板上に形成された複数の表示電極と、前記表示電極を覆うように前記第２基板上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された保護層とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記保護層は複数の層が積層された構造であると仮定して、前記保護層の表層の膜特性を測定するステップと、前記膜特性からエージング時間を決定するステップと、前記エージング時間にわたってエージングを行うステップとを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、適切なエージング処理を行うことができ、安定した品質のＰＤＰを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明の一実施の形態について図面を参照しながら説明する。まず、ＰＤＰの構造についてＡＣ（交流）型カラーＰＤＰの一例を示す断面図である図１を用いて説明する。図１（ａ）、図１（ｂ）は互いに直交する面で切ったＰＤＰの断面を示している。
【０００８】
図１に示すように、ガラス基板からなる背面基板１（第１基板）上にはストライプ状のアドレス電極２が形成され、それを覆うように誘電体層３が形成されている。誘電体層３上には、隣り合うアドレス電極２の中間に位置するようにストライプ状の隔壁４が形成され、隣り合う隔壁４の間には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）または青色（Ｂ）に発光する蛍光体層５が形成されている。隔壁４の形状としては格子状でもよい。またガラス基板からなる前面基板（第２基板）６上には、アドレス電極２と直交するように透明電極７とバス電極８からなる表示電極１１が設けられ、表示電極１１を覆うように誘電体層９が形成されている。さらに、誘電体層９上にマグネシウム（Ｍｇ）を主成分とする酸化膜よりなる保護層１０が形成されている。ＰＤＰは、このような背面基板１と前面基板６とを対向配置させて周囲をフリットガラスで封着し、基板間に形成される放電空間１２にネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）などの希ガスを封入して構成されている。
【０００９】
表示を行う最小単位である放電セルは、２本の表示電極１１と１本のアドレス電極２との立体交差部に形成される。放電セル内の２本の表示電極のうち、一方は走査電極であり他方は維持電極である。そして、走査電極に走査パルスを印加するとともにアドレス電極２にアドレスパルスを印加してアドレス放電を発生させることにより、点灯させる放電セルを選択する動作を走査電極毎に順次行った後、走査電極と維持電極に交互に維持パルスを印加することにより維持放電を発生させ、この維持放電によって生じる真空紫外線により、蛍光体層５の蛍光体を励起発光させて前面基板６を透過する光でカラー画像表示を行う。
【００１０】
続いて、ＰＤＰの製造方法について説明する。始めに、表示電極１１やアドレス電極２のような電極を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、メッキ法、スクリーン印刷法、コーティング法、フィルムラミネート法などによってガラス基板上に電極材料の膜を形成し、これをフォトリソグラフィー法によってパターニングする方法と、スクリーン印刷法あるいはオフセット印刷法によりパターニングする方法とがある。
【００１１】
また、誘電体層３、９を形成する方法として、スクリーン印刷法、ロールコーティング法、ダイコーティング法、フィルムラミネート法などが用いられる。また、隔壁４を形成する方法としては、コーティング法やスクリーン印刷法などにより、基板上に隔壁４用の材料で隔壁材料膜を形成し、隔壁材料膜上にフォトリソグラフィー法を用いてサンドブラストに耐性があるパターンをフォトレジスト膜で形成した後に、フォトレジスト膜をマスクとして不要部分を削り取り、隔壁４の部分のみを残すサンドブラスト法がある。隔壁４を形成する他の方法として、基板上に隔壁４用の材料の感光性ペーストをコーティング法により成膜後、フォトリソグラフィー法により直接隔壁４をパターニング形成する方法、隔壁パターンをマスク化したスクリーンを用い、隔壁４用の材料のペーストまたはインクで印刷を複数回繰り返し、乾燥させて隔壁４を形成するスクリーン印刷法などがある。また、蛍光体層５を形成する方法としては、ディスペンサーによる塗布法や、スクリーン印刷法により隔壁４の間に各色の蛍光体ペーストを選択的に充填する方法などがあり、通常蛍光体ペースト塗布後に乾燥工程、焼成工程を経て蛍光体層５が形成される。
【００１２】
誘電体層９上に保護層１０を形成する方法としては、スクリーン印刷法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、有機金属原料を用いた熱ＣＶＤ法（化学的気相成長法）などがある。現在では、Ｍｇを主成分とする金属酸化物ペレットからなる蒸着源に、電子銃を用いて発生させた大電流の電子ビームを照射して蒸着源を加熱蒸発させ、酸素雰囲気中でＭｇを主成分とする金属酸化物であるＭｇＯ薄膜を形成させる電子ビーム蒸着法が最も広く用いられている。
【００１３】
このような方法で成膜したＭｇＯ薄膜は通常の場合、三角柱や四角柱などの柱状構造をしている。蒸着室内の圧力、酸素流量、基板温度などの成膜条件によって前記柱状構造の形状は変化することが知られている。また、柱状構造のために電子ビーム蒸着法で形成したＭｇＯ薄膜の表面は段差が大きく、滑らかではない。さらに結晶成長の程度によっては成膜初期段階と最終段階で結晶粒径も変化し、それにともなって屈折率、消衰係数といったＭｇＯ薄膜の物理的特性、すなわち膜特性が深さ方向（膜の厚み方向）に変化する場合がある。
【００１４】
次に、本発明の一実施の形態におけるＰＤＰの製造方法について、図２に示すＰＤＰの製造フローを示す図を用いて説明する。
【００１５】
前面基板６上に透明電極７、バス電極８を形成する（ステップＡ．１）。次に、透明電極７、バス電極８を覆うように前面基板６上に誘電体層９を形成する（ステップＡ．２）。次に、保護層１０を誘電体層９上に形成する（ステップＡ．３）。その後、保護層１０の表層の膜特性として、空隙率および膜厚を分光エリプソメータにより測定する（ステップＡ．４）。この測定は、例えば図３に示すように、前面基板６において十字状に設定した５つのポイントＰ１〜Ｐ５で行う。
【００１６】
次に測定により得られた保護層１０の表層の膜厚および空隙率から、エージング工程においてＰＤＰの特性が安定化するまでに必要な処理時間（エージング時間）を、図４のデータを用いて内挿法または外挿法により算出する（ステップＡ．５）。ここで図４は、予め実験により得られたデータであり、維持パルスの高さ（印加電圧）を２１０Ｖとしてエージングを行うとき、保護層１０の表層の膜厚とエージング時間との関係を「１００−空隙率」に相当する保護層１０の表層の体積百分率をパラメータとして示している。体積百分率は３０％、５０％、７０％である。
【００１７】
また、背面基板１上にアドレス電極２を形成する（ステップＢ．１）。次に、アドレス電極２を覆うように背面基板１上に誘電体層３を形成する（ステップＢ．２）。次に、誘電体層３上に隔壁４を形成する（ステップＢ．３）。その後、隣り合う隔壁４の間にＢ、Ｒ、Ｇそれぞれの色を発光する蛍光体層５を塗布形成する（ステップＢ．４）。
【００１８】
次に、ステップＢ．１〜ステップＢ．４を行って各構成部材を形成した背面基板１の周囲にガラスフリットを塗布し乾燥させた後、その背面基板１とステップＡ．１〜ステップＡ．４を行って各構成部材を形成した前面基板６とを対向配置して加熱することにより封着する。続いて、基板間に形成された放電空間１２を排気した後、ＸｅガスとＮｅガスとからなる混合ガスを所望の圧力になるまで封入する（ステップＣ．１）。
【００１９】
次に、維持パルスの高さを２１０Ｖとして、ステップＡ．５で求めたエージング時間にわたってエージングを行う（ステップＣ．２）。その後、ＰＤＰの表示品質検査を行う（ステップＣ．３）。なお、ステップＣ．２における維持パルスの高さは図４のデータを得たときの実験条件に合わせて設定すればよい。
【００２０】
以上のように図２に示したステップを経ることにより、ＰＤＰが製造される。
【００２１】
次に、ステップＡ．４における測定について図５〜図７を用いて説明する。図５はこの測定で用いる測定装置の一例を示す概略構成図であり、図６は測定のフローを示す図であり、図７は図６のステップＳ３で設定される初期光学モデルを示す図である。
【００２２】
図５に示すように、本実施の形態において用いる測定装置２１は、測定対象の基板２０を保持するステージ２２と、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸の駆動系を備えることで、基板２０上の任意の位置に移動して測定することが可能な回転補償子型の分光エリプソメータ２３と、解析用ＰＣ（パーソナルコンピュータ）２４と、データ保存用ＰＣ２５とを備えている。なお、基板２０は、前面基板６上に透明電極７、バス電極８、誘電体層９および保護層１０を形成したものである。
【００２３】
分光エリプソメータ２３はＸｅ光源、光ファイバーによるライトガイド、偏光子、回転補償子、検光子、ホログラフィック回折格子およびフォトダイオードアレイから構成されている。Ｘｅ光源には多くの波長の光が含まれるいわゆる白色光であり、さらにランダムに偏光している。この白色光はライトガイドを通り、特定の偏光軸の光のみを透過させる偏光子によって４５°の直線に偏光される。一般に、偏光された光は偏光成分の電界ベクトルがＥｐ（入射面に平行で光軸と垂直に交わる軸（Ｐ軸）の成分）とＥｓ（Ｐ軸に垂直な軸（S軸）の成分）からなっている。そして、次に、回転補償子によってＳ軸またはＰ軸の位相を変えることにより直線偏光、楕円偏光、円偏光、楕円偏光、直線偏光へと連続的に変化する。回転補償子は２０〜２５回転／秒で光軸に沿って回転し、測定値の精度を向上させるために、１００〜５００回転させている。
【００２４】
上述した方法でＭｇＯ薄膜からなる保護膜１０を形成した前面基板６を測定対象の基板２０として、測定装置２１のステージ２２上に載置し、分光エリプソメータ２３の偏光子と回転補償子を通過した位相が連続的に変化する直径約２ｍｍの光束を、基板２０のＭｇＯ薄膜に基板２０の鉛直方向からθ（例えば６０°）の角度で照射する。照射された光束はＭｇＯ薄膜によって再びＳ偏光、Ｐ偏光の位相差とそれらの反射振幅比が変化する。この基板２０によって反射された光を特定の偏光軸の光だけを透過させる検光子を経て、さらにホログラフィック回折格子により、２５０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲にわたって１ｎｍの間隔で分光する。次に、フォトダイオードアレイによって各波長における光の強度を連続的に検出する。ここで、各波長において光強度と補償子回転角度との関係からサンプルによる反射Ｐ偏光、Ｓ偏光の位相差Δ、反射振幅比ψを算出でき、Δ、ψの波長分散波形が得られる。
【００２５】
分光エリプソメータ２３が利用する分光エリプソメトリーでは、多層膜構造におけるΔとψの波長分散波形は、各層の膜厚、屈折率、消衰係数の関数なので、得られたΔ、ψから直接多層膜構造における各層の光学定数、膜厚を求めることはできない。そのために、多層膜構造における各層の膜厚や屈折率、消衰係数の組み合わせモデルである光学モデルを設定し、物質の誘電率の波長依存性を示す式である分散式からフィッティングを行い、解析的に多層膜構造における各層の屈折率、消衰係数、膜厚を算出することになる。すなわち、光学モデルから一義的に計算できるΔとψの波長分散波形と、測定によって得られたΔ、ψの波長分散波形とのフィッティング誤差関数から、誤差が最小になったモデルの膜厚、屈折率、消衰係数を算出する。そして、近赤外から紫外線領域では、分散式における誘電率は材料の構成原子の結合様式から決定されるのであるが、分散式として、調和振動子を基にした計算式、量子力学を基にした計算式、実験的な経験式等が知られており、これらは通常２つ以上のパラメータを含んでいる。
【００２６】
次に、測定装置２１を用いた保護層１０の表層部分の膜特性測定について、図６および図７により数値例を用いて具体的な測定の手順を説明する。
【００２７】
図６に示すように、最初にステージ２２上に設置された基板２０の分光測定を行う（ステップＳ１）。次いで、分光測定により得られた光強度から前述の位相差Δ、反射振幅比ψの波長分散波形を算出する（ステップＳ２）。続いて、光学モデル構築ステップに入り、基板２０の製造プロセス等を考慮して光学モデルを設定する（ステップＳ３）。光学モデル構築ステップで設定される光学モデルの一例を図７に示している。図７の光学モデルにおいて、基板３１は誘電体層９に対応しており、基板３１には誘電体層９の光学定数を設定する必要があるが、これには前面基板６上に誘電体層９のみを形成した状態で、既知の手法により予め光学定数を測定しておくことが望ましく、保護層１０を測定する分光エリプソメータ２３を用いて誘電体層９の光学定数を測定することがより望ましい。なお、図７に示す初期の光学モデルでは、基板３１（誘電体層９）上にＭｇＯ層３２が形成され、その上に混合層３３が形成されている。ＭｇＯ層３２および混合層３３は保護層１０に対応するもので、混合層３３は保護層１０の表層に対応するものである。ここで、ＭｇＯ層３２は誘電率が分散式１となるＭｇＯが９００ｎｍの厚みで形成された層とし、混合層３３は構成材料であるＭｇＯと空気との混合割合を体積百分率で表して、ＭｇＯ５０％と空気５０％とが混合されて５０ｎｍの厚みで形成された層とする。そして、最初に設定する光学モデルでは、光学定数は既知の数値を用い、必要に応じて修正する。
【００２８】
引き続き、光学モデル構築ステップで設定した光学モデルから分散式を用いてΔ、ψの波長分散波形を作成し、実測値との比較を行う（ステップＳ４）。例えば、調和振動子を基にした計算式から分散式を構成する。
【００２９】
また、保護層１０の表層においてはラフネスおよび界面、あるいは膜の不均質や不連続性を実効的な均質膜に置き換えて解析する有効媒質近似を用い、表面ラフネスの誘電関数を計算する。これらの分散式、光学モデルにおいて設定した膜厚、表層におけるＭｇＯと空気との混合割合からΔ、ψの波長分散波形が算出される。このようにして得たシミュレーション波形と実測波形のフィッティング誤差を算出し、評価する（ステップＳ５）。
【００３０】
ここでのフィッティング誤差が大きければ、再度光学モデルを設定し、膜厚、屈折率、消衰係数の設定を変更する（ステップＳ６−１）。変更した光学モデルにおいて、再度、シミュレーション波形と実測値との比較を行う（ステップＳ４）。このようにして、ステップＳ６−１で光学モデルの設定を変更してステップＳ４、ステップＳ５を行うフローを繰り返し行い、フィッティング誤差が小さく、シミュレーション波形と実測波形がよく一致すると判断されると、そのときの光学モデルを採用する（ステップＳ６−２）。
【００３１】
次に、ステップＳ６−２において採用した光学モデルから得られた、保護層１０の表層の膜厚、空隙率のデータから、エージング工程においてＰＤＰの特性が安定化するまでに必要な処理時間（エージング時間）を、図４のデータを用いて内挿法または外挿法により算出する（ステップＳ７）。なお、このステップ７は図２に示したステップＡ．５のステップであり、図６においてステップ７以外のステップＳ１〜Ｓ６−２が図２のステップＡ．４に相当する。
【００３２】
次に、本実施の形態によってＰＤＰを製造するときの実施例について説明する。
【００３３】
前面基板６としての対角５０インチ（１２７０ｍｍ）、厚さ３ｍｍのガラス基板上に透明電極７、バス電極８を形成した後、ダイコート法により膜厚４０μｍの誘電体層９を形成した（ステップＡ．１、ステップＡ．２）。次に、誘電体層９上に保護層１０としての膜厚１μｍのＭｇＯ薄膜を電子ビーム蒸着法により形成した（ステップＡ．３）。
【００３４】
次に、ＭｇＯ薄膜の表層部分の膜特性として空隙率、膜厚を分光エリプソメータ２３により測定した。この測定は、図３に示すように前面基板６において十字状に設定した５つのポイントＰ１〜Ｐ５において行った。ポイントＰ１は前面基板６の中央の位置であり、ポイントＰ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５については、それぞれの基板端部から２０ｍｍだけ内側の位置において測定を行った。この測定結果の一例として、保護層１０の表層の膜特性は、ポイントＰ１では体積百分率４８％、膜厚３７ｎｍであり、ポイントＰ２では体積百分率４６％、膜厚４５ｎｍであり、ポイントＰ３では体積百分率４８％、膜厚３５ｎｍであり、ポイントＰ４では体積百分率４２％、膜厚３２ｎｍであり、ポイントＰ５では体積百分率５１％、膜厚４１ｎｍであった（ステップＡ．４）。ここで、体積百分率はＭｇＯの体積百分率であり「１００−空隙率」に相当する。
【００３５】
次に、測定した表層の膜厚、体積百分率のデータから、図４のデータを用いてエージング時間を算出した。最も長いエージング時間を必要とする箇所はポイントＰ４であり、計算によって求められたエージング時間は３時間であった（ステップＡ．５）。
【００３６】
次に、背面基板１としての対角５０インチ（１２７０ｍｍ）、厚さ３ｍｍのガラス基板上にアドレス電極２、誘電体層３を形成した（ステップＢ．１、ステップＢ．２）。次に、ダイコート法およびリソグラフィ法により幅５０μｍ、高さ１００μｍの隔壁４を形成した（ステップＢ．３）。次に、隣り合う隔壁４間にＢ、Ｒ、Ｇそれぞれに発光する蛍光体層５を塗布形成した（ステップＢ．４）。
【００３７】
次に、ステップＢ．１〜ステップＢ．４を行った背面基板１の周囲にガラスフリットを塗布し乾燥させた後、その背面基板１とステップＡ．１〜ステップＡ．５を行った前面基板６とを対向配置して４５０℃で加熱することにより封着した。続いて、４００℃に加熱して基板間に形成された放電空間１２を４時間にわたって排気した後、１０％のＸｅガスと９０％のＮｅガスとからなる混合ガスを６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の圧力になるまで封入した（ステップＣ．１）。
【００３８】
次に、維持パルスの高さを２１０Ｖとして、ステップＡ．５で求めたエージング時間にわたってエージング処理を行った（ステップＣ．２）。その後、ＰＤＰの表示品質検査を行ったところ、放電電圧の異常、全白表示における色ムラ等の不具合は無く、製品としての品質を満足するものであった（ステップＣ．３）。
【００３９】
なお、上述した説明においては、回転補償子型の分光エリプソメータ２３を例に挙げているが、補償子の代わりに光弾性モジュールを用いた位相変調型あるいは、回転検光子型の分光エリプソメータを用いてもよい。また、分散式には調和振動子に基づく計算式を例に挙げているが、消衰係数が０に近い膜の場合には経験的な式であるＣａｕｃｈｙ計算式などを用いることも可能であり、調和振動子型の分散式に限定されるものではない。
【００４０】
また、上述した実施例の説明においては、白色光の照射角度を基板２０の鉛直方向からの角度θ＝６０°で照射しているが、これに限定されるものではなく、角度θが５０°〜７０°の範囲ならば測定値に大きな差異はなく、この範囲に照射角度を設定しても問題はない。
【００４１】
また、上述した説明においては、分光測定における分光範囲を２５０ｎｍ〜８００ｎｍとしているが、この波長範囲に限るものではない。ただし、光学干渉で発生するピークの間隔は光子エネルギーの逆数に比例するため、短波長側では長波長側よりも多くのピークが観測される。膜厚７００ｎｍ程度のＭｇＯ／誘電体層の積層構造での光学干渉から得られる位相差Δ、反射振幅比ψの波形は２５０ｎｍ〜３７０ｎｍの紫外線領域において４回のピークを示し、３７０ｎｍ〜８００ｎｍにおいては３回のピークを示すために、分光範囲が紫外線領域と可視領域の両方を含んでいることが測定精度の維持という観点から望ましい。また、このような理由から波長が長い近赤外線や赤外線領域を測定に用いることはそれほど有効ではない。
【００４２】
また、上述した説明においては、光学モデルの設定に際し、ＭｇＯと空気との混合層３３、ＭｇＯ層３２、基板３１（誘電体層）の３層構造を例示しているが、ＭｇＯ膜の成膜条件によっては、さらに層の数を増やした光学モデルを用いてフィッティングを行うようにしてもよい。
【００４３】
さらに上述した説明においては、前面基板６において十字状に設定した５つのポイントで保護層１０の表層部分の膜特性を測定しているが、基板サイズ、ＭｇＯ膜の成膜条件、エージング条件によって測定ポイントの位置や数を変えてもよい。
【００４４】
以上説明したように、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法では、初期に設定する光学モデルで保護層が複数の層が積層された構造であると仮定し、保護層の表層の膜特性を測定することにより、エージング工程でＰＤＰの特性が安定化するまでに必要なエージング時間を決定するので、エージング時間を正確に決定することができる。また、膜特性の測定を前面基板６の複数の箇所において行い、その結果に基づいてエージング時間を決定するので、パネル内の特性バラツキを考慮したエージングを行うことができる。このため、適切なエージング処理を行うことができ、パネル全面において安定した品質のＰＤＰを得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明によれば、必要なエージング時間を予め得ることができるため、ＰＤＰの歩留りを高め、性能、品質の安定したＰＤＰの量産に際して有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】（ａ）、（ｂ）はＡＣ型カラーＰＤＰの一例を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造フローを示す図
【図３】本発明の実施の形態における保護層の表層部分の膜特性測定での測定箇所を示す図
【図４】保護層の表層の膜厚とエージング時間との関係を示す図
【図５】本発明の実施の形態における保護層の表層部分の膜特性測定で用いる測定装置の一例を示す概略構成図
【図６】同測定装置を用いた測定のフローを示す図
【図７】図６のステップＳ３で設定される初期光学モデルを示す図
【符号の説明】
【００４７】
１ 背面基板（第１基板）
６ 前面基板（第２基板）
７ 透明電極
８ バス電極
９ 誘電体層
１０ 保護層
１１ 表示電極
２０ 基板
２１ 測定装置
２３ 分光エリプソメータ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは薄型、大画面の視認性に優れた表示デバイスであり、ＡＣ型で面放電型のＰＤＰが主流を占めるようになっている。このようなＰＤＰは、走査電極および維持電極などを形成した前面基板と、アドレス電極、隔壁および蛍光体層などを形成した背面基板とを対向配置して周囲を封着し、基板間に形成される放電空間に放電ガスを封入して構成されている。ＰＤＰの製造工程では、ＰＤＰの全面を安定に放電させるためにエージング工程が導入されている。エージング工程では、動作駆動時よりも高い電圧を走査電極と維持電極とに交互に印加して放電を発生させるエージングを行うことで、放電特性の安定化が図られている。このようなエージングの終了時点を決定する方法として、例えば特許文献１には、ＰＤＰに印加される電流波形の変化を監視して電流波形の変化によりエージング終了時点を判断することが提案されている。
【特許文献１】特開２００３−２２９０６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に開示されているＰＤＰのエージング処理方法では、パネル全体の電流変化を観測することによりエージング終了時点を判断するものであり、パネル内の特性バラツキを考慮して判定することは困難である。特にこの課題はパネルサイズが大型化するとより顕著に現れる。
【０００４】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、ＰＤＰの保護層の膜特性からエージング処理を行う時間を決定することで、適切なエージング処理を実施できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明は、間に放電空間を形成するように配置した第１基板および第２基板と、前記第２基板上に形成された複数の表示電極と、前記表示電極を覆うように前記第２基板上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された保護層とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記保護層は複数の層が積層された構造であると仮定して、前記保護層の表層の膜特性を測定するステップと、前記膜特性からエージング時間を決定するステップと、前記エージング時間にわたってエージングを行うステップとを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、適切なエージング処理を行うことができ、安定した品質のＰＤＰを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明の一実施の形態について図面を参照しながら説明する。まず、ＰＤＰの構造についてＡＣ（交流）型カラーＰＤＰの一例を示す断面図である図１を用いて説明する。図１（ａ）、図１（ｂ）は互いに直交する面で切ったＰＤＰの断面を示している。
【０００８】
図１に示すように、ガラス基板からなる背面基板１（第１基板）上にはストライプ状のアドレス電極２が形成され、それを覆うように誘電体層３が形成されている。誘電体層３上には、隣り合うアドレス電極２の中間に位置するようにストライプ状の隔壁４が形成され、隣り合う隔壁４の間には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）または青色（Ｂ）に発光する蛍光体層５が形成されている。隔壁４の形状としては格子状でもよい。またガラス基板からなる前面基板（第２基板）６上には、アドレス電極２と直交するように透明電極７とバス電極８からなる表示電極１１が設けられ、表示電極１１を覆うように誘電体層９が形成されている。さらに、誘電体層９上にマグネシウム（Ｍｇ）を主成分とする酸化膜よりなる保護層１０が形成されている。ＰＤＰは、このような背面基板１と前面基板６とを対向配置させて周囲をフリットガラスで封着し、基板間に形成される放電空間１２にネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）などの希ガスを封入して構成されている。
【０００９】
表示を行う最小単位である放電セルは、２本の表示電極１１と１本のアドレス電極２との立体交差部に形成される。放電セル内の２本の表示電極のうち、一方は走査電極であり他方は維持電極である。そして、走査電極に走査パルスを印加するとともにアドレス電極２にアドレスパルスを印加してアドレス放電を発生させることにより、点灯させる放電セルを選択する動作を走査電極毎に順次行った後、走査電極と維持電極に交互に維持パルスを印加することにより維持放電を発生させ、この維持放電によって生じる真空紫外線により、蛍光体層５の蛍光体を励起発光させて前面基板６を透過する光でカラー画像表示を行う。
【００１０】
続いて、ＰＤＰの製造方法について説明する。始めに、表示電極１１やアドレス電極２のような電極を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、メッキ法、スクリーン印刷法、コーティング法、フィルムラミネート法などによってガラス基板上に電極材料の膜を形成し、これをフォトリソグラフィー法によってパターニングする方法と、スクリーン印刷法あるいはオフセット印刷法によりパターニングする方法とがある。
【００１１】
また、誘電体層３、９を形成する方法として、スクリーン印刷法、ロールコーティング法、ダイコーティング法、フィルムラミネート法などが用いられる。また、隔壁４を形成する方法としては、コーティング法やスクリーン印刷法などにより、基板上に隔壁４用の材料で隔壁材料膜を形成し、隔壁材料膜上にフォトリソグラフィー法を用いてサンドブラストに耐性があるパターンをフォトレジスト膜で形成した後に、フォトレジスト膜をマスクとして不要部分を削り取り、隔壁４の部分のみを残すサンドブラスト法がある。隔壁４を形成する他の方法として、基板上に隔壁４用の材料の感光性ペーストをコーティング法により成膜後、フォトリソグラフィー法により直接隔壁４をパターニング形成する方法、隔壁パターンをマスク化したスクリーンを用い、隔壁４用の材料のペーストまたはインクで印刷を複数回繰り返し、乾燥させて隔壁４を形成するスクリーン印刷法などがある。また、蛍光体層５を形成する方法としては、ディスペンサーによる塗布法や、スクリーン印刷法により隔壁４の間に各色の蛍光体ペーストを選択的に充填する方法などがあり、通常蛍光体ペースト塗布後に乾燥工程、焼成工程を経て蛍光体層５が形成される。
【００１２】
誘電体層９上に保護層１０を形成する方法としては、スクリーン印刷法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、有機金属原料を用いた熱ＣＶＤ法（化学的気相成長法）などがある。現在では、Ｍｇを主成分とする金属酸化物ペレットからなる蒸着源に、電子銃を用いて発生させた大電流の電子ビームを照射して蒸着源を加熱蒸発させ、酸素雰囲気中でＭｇを主成分とする金属酸化物であるＭｇＯ薄膜を形成させる電子ビーム蒸着法が最も広く用いられている。
【００１３】
このような方法で成膜したＭｇＯ薄膜は通常の場合、三角柱や四角柱などの柱状構造をしている。蒸着室内の圧力、酸素流量、基板温度などの成膜条件によって前記柱状構造の形状は変化することが知られている。また、柱状構造のために電子ビーム蒸着法で形成したＭｇＯ薄膜の表面は段差が大きく、滑らかではない。さらに結晶成長の程度によっては成膜初期段階と最終段階で結晶粒径も変化し、それにともなって屈折率、消衰係数といったＭｇＯ薄膜の物理的特性、すなわち膜特性が深さ方向（膜の厚み方向）に変化する場合がある。
【００１４】
次に、本発明の一実施の形態におけるＰＤＰの製造方法について、図２に示すＰＤＰの製造フローを示す図を用いて説明する。
【００１５】
前面基板６上に透明電極７、バス電極８を形成する（ステップＡ．１）。次に、透明電極７、バス電極８を覆うように前面基板６上に誘電体層９を形成する（ステップＡ．２）。次に、保護層１０を誘電体層９上に形成する（ステップＡ．３）。その後、保護層１０の表層の膜特性として、空隙率および膜厚を分光エリプソメータにより測定する（ステップＡ．４）。この測定は、例えば図３に示すように、前面基板６において十字状に設定した５つのポイントＰ１〜Ｐ５で行う。
【００１６】
次に測定により得られた保護層１０の表層の膜厚および空隙率から、エージング工程においてＰＤＰの特性が安定化するまでに必要な処理時間（エージング時間）を、図４のデータを用いて内挿法または外挿法により算出する（ステップＡ．５）。ここで図４は、予め実験により得られたデータであり、維持パルスの高さ（印加電圧）を２１０Ｖとしてエージングを行うとき、保護層１０の表層の膜厚とエージング時間との関係を「１００−空隙率」に相当する保護層１０の表層の体積百分率をパラメータとして示している。体積百分率は３０％、５０％、７０％である。
【００１７】
また、背面基板１上にアドレス電極２を形成する（ステップＢ．１）。次に、アドレス電極２を覆うように背面基板１上に誘電体層３を形成する（ステップＢ．２）。次に、誘電体層３上に隔壁４を形成する（ステップＢ．３）。その後、隣り合う隔壁４の間にＢ、Ｒ、Ｇそれぞれの色を発光する蛍光体層５を塗布形成する（ステップＢ．４）。
【００１８】
次に、ステップＢ．１〜ステップＢ．４を行って各構成部材を形成した背面基板１の周囲にガラスフリットを塗布し乾燥させた後、その背面基板１とステップＡ．１〜ステップＡ．４を行って各構成部材を形成した前面基板６とを対向配置して加熱することにより封着する。続いて、基板間に形成された放電空間１２を排気した後、ＸｅガスとＮｅガスとからなる混合ガスを所望の圧力になるまで封入する（ステップＣ．１）。
【００１９】
次に、維持パルスの高さを２１０Ｖとして、ステップＡ．５で求めたエージング時間にわたってエージングを行う（ステップＣ．２）。その後、ＰＤＰの表示品質検査を行う（ステップＣ．３）。なお、ステップＣ．２における維持パルスの高さは図４のデータを得たときの実験条件に合わせて設定すればよい。
【００２０】
以上のように図２に示したステップを経ることにより、ＰＤＰが製造される。
【００２１】
次に、ステップＡ．４における測定について図５〜図７を用いて説明する。図５はこの測定で用いる測定装置の一例を示す概略構成図であり、図６は測定のフローを示す図であり、図７は図６のステップＳ３で設定される初期光学モデルを示す図である。
【００２２】
図５に示すように、本実施の形態において用いる測定装置２１は、測定対象の基板２０を保持するステージ２２と、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸の駆動系を備えることで、基板２０上の任意の位置に移動して測定することが可能な回転補償子型の分光エリプソメータ２３と、解析用ＰＣ（パーソナルコンピュータ）２４と、データ保存用ＰＣ２５とを備えている。なお、基板２０は、前面基板６上に透明電極７、バス電極８、誘電体層９および保護層１０を形成したものである。
【００２３】
分光エリプソメータ２３はＸｅ光源、光ファイバーによるライトガイド、偏光子、回転補償子、検光子、ホログラフィック回折格子およびフォトダイオードアレイから構成されている。Ｘｅ光源には多くの波長の光が含まれるいわゆる白色光であり、さらにランダムに偏光している。この白色光はライトガイドを通り、特定の偏光軸の光のみを透過させる偏光子によって４５°の直線に偏光される。一般に、偏光された光は偏光成分の電界ベクトルがＥｐ（入射面に平行で光軸と垂直に交わる軸（Ｐ軸）の成分）とＥｓ（Ｐ軸に垂直な軸（S軸）の成分）からなっている。そして、次に、回転補償子によってＳ軸またはＰ軸の位相を変えることにより直線偏光、楕円偏光、円偏光、楕円偏光、直線偏光へと連続的に変化する。回転補償子は２０〜２５回転／秒で光軸に沿って回転し、測定値の精度を向上させるために、１００〜５００回転させている。
【００２４】
上述した方法でＭｇＯ薄膜からなる保護膜１０を形成した前面基板６を測定対象の基板２０として、測定装置２１のステージ２２上に載置し、分光エリプソメータ２３の偏光子と回転補償子を通過した位相が連続的に変化する直径約２ｍｍの光束を、基板２０のＭｇＯ薄膜に基板２０の鉛直方向からθ（例えば６０°）の角度で照射する。照射された光束はＭｇＯ薄膜によって再びＳ偏光、Ｐ偏光の位相差とそれらの反射振幅比が変化する。この基板２０によって反射された光を特定の偏光軸の光だけを透過させる検光子を経て、さらにホログラフィック回折格子により、２５０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲にわたって１ｎｍの間隔で分光する。次に、フォトダイオードアレイによって各波長における光の強度を連続的に検出する。ここで、各波長において光強度と補償子回転角度との関係からサンプルによる反射Ｐ偏光、Ｓ偏光の位相差Δ、反射振幅比ψを算出でき、Δ、ψの波長分散波形が得られる。
【００２５】
分光エリプソメータ２３が利用する分光エリプソメトリーでは、多層膜構造におけるΔとψの波長分散波形は、各層の膜厚、屈折率、消衰係数の関数なので、得られたΔ、ψから直接多層膜構造における各層の光学定数、膜厚を求めることはできない。そのために、多層膜構造における各層の膜厚や屈折率、消衰係数の組み合わせモデルである光学モデルを設定し、物質の誘電率の波長依存性を示す式である分散式からフィッティングを行い、解析的に多層膜構造における各層の屈折率、消衰係数、膜厚を算出することになる。すなわち、光学モデルから一義的に計算できるΔとψの波長分散波形と、測定によって得られたΔ、ψの波長分散波形とのフィッティング誤差関数から、誤差が最小になったモデルの膜厚、屈折率、消衰係数を算出する。そして、近赤外から紫外線領域では、分散式における誘電率は材料の構成原子の結合様式から決定されるのであるが、分散式として、調和振動子を基にした計算式、量子力学を基にした計算式、実験的な経験式等が知られており、これらは通常２つ以上のパラメータを含んでいる。
【００２６】
次に、測定装置２１を用いた保護層１０の表層部分の膜特性測定について、図６および図７により数値例を用いて具体的な測定の手順を説明する。
【００２７】
図６に示すように、最初にステージ２２上に設置された基板２０の分光測定を行う（ステップＳ１）。次いで、分光測定により得られた光強度から前述の位相差Δ、反射振幅比ψの波長分散波形を算出する（ステップＳ２）。続いて、光学モデル構築ステップに入り、基板２０の製造プロセス等を考慮して光学モデルを設定する（ステップＳ３）。光学モデル構築ステップで設定される光学モデルの一例を図７に示している。図７の光学モデルにおいて、基板３１は誘電体層９に対応しており、基板３１には誘電体層９の光学定数を設定する必要があるが、これには前面基板６上に誘電体層９のみを形成した状態で、既知の手法により予め光学定数を測定しておくことが望ましく、保護層１０を測定する分光エリプソメータ２３を用いて誘電体層９の光学定数を測定することがより望ましい。なお、図７に示す初期の光学モデルでは、基板３１（誘電体層９）上にＭｇＯ層３２が形成され、その上に混合層３３が形成されている。ＭｇＯ層３２および混合層３３は保護層１０に対応するもので、混合層３３は保護層１０の表層に対応するものである。ここで、ＭｇＯ層３２は誘電率が分散式１となるＭｇＯが９００ｎｍの厚みで形成された層とし、混合層３３は構成材料であるＭｇＯと空気との混合割合を体積百分率で表して、ＭｇＯ５０％と空気５０％とが混合されて５０ｎｍの厚みで形成された層とする。そして、最初に設定する光学モデルでは、光学定数は既知の数値を用い、必要に応じて修正する。
【００２８】
引き続き、光学モデル構築ステップで設定した光学モデルから分散式を用いてΔ、ψの波長分散波形を作成し、実測値との比較を行う（ステップＳ４）。例えば、調和振動子を基にした計算式から分散式を構成する。
【００２９】
また、保護層１０の表層においてはラフネスおよび界面、あるいは膜の不均質や不連続性を実効的な均質膜に置き換えて解析する有効媒質近似を用い、表面ラフネスの誘電関数を計算する。これらの分散式、光学モデルにおいて設定した膜厚、表層におけるＭｇＯと空気との混合割合からΔ、ψの波長分散波形が算出される。このようにして得たシミュレーション波形と実測波形のフィッティング誤差を算出し、評価する（ステップＳ５）。
【００３０】
ここでのフィッティング誤差が大きければ、再度光学モデルを設定し、膜厚、屈折率、消衰係数の設定を変更する（ステップＳ６−１）。変更した光学モデルにおいて、再度、シミュレーション波形と実測値との比較を行う（ステップＳ４）。このようにして、ステップＳ６−１で光学モデルの設定を変更してステップＳ４、ステップＳ５を行うフローを繰り返し行い、フィッティング誤差が小さく、シミュレーション波形と実測波形がよく一致すると判断されると、そのときの光学モデルを採用する（ステップＳ６−２）。
【００３１】
次に、ステップＳ６−２において採用した光学モデルから得られた、保護層１０の表層の膜厚、空隙率のデータから、エージング工程においてＰＤＰの特性が安定化するまでに必要な処理時間（エージング時間）を、図４のデータを用いて内挿法または外挿法により算出する（ステップＳ７）。なお、このステップ７は図２に示したステップＡ．５のステップであり、図６においてステップ７以外のステップＳ１〜Ｓ６−２が図２のステップＡ．４に相当する。
【００３２】
次に、本実施の形態によってＰＤＰを製造するときの実施例について説明する。
【００３３】
前面基板６としての対角５０インチ（１２７０ｍｍ）、厚さ３ｍｍのガラス基板上に透明電極７、バス電極８を形成した後、ダイコート法により膜厚４０μｍの誘電体層９を形成した（ステップＡ．１、ステップＡ．２）。次に、誘電体層９上に保護層１０としての膜厚１μｍのＭｇＯ薄膜を電子ビーム蒸着法により形成した（ステップＡ．３）。
【００３４】
次に、ＭｇＯ薄膜の表層部分の膜特性として空隙率、膜厚を分光エリプソメータ２３により測定した。この測定は、図３に示すように前面基板６において十字状に設定した５つのポイントＰ１〜Ｐ５において行った。ポイントＰ１は前面基板６の中央の位置であり、ポイントＰ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５については、それぞれの基板端部から２０ｍｍだけ内側の位置において測定を行った。この測定結果の一例として、保護層１０の表層の膜特性は、ポイントＰ１では体積百分率４８％、膜厚３７ｎｍであり、ポイントＰ２では体積百分率４６％、膜厚４５ｎｍであり、ポイントＰ３では体積百分率４８％、膜厚３５ｎｍであり、ポイントＰ４では体積百分率４２％、膜厚３２ｎｍであり、ポイントＰ５では体積百分率５１％、膜厚４１ｎｍであった（ステップＡ．４）。ここで、体積百分率はＭｇＯの体積百分率であり「１００−空隙率」に相当する。
【００３５】
次に、測定した表層の膜厚、体積百分率のデータから、図４のデータを用いてエージング時間を算出した。最も長いエージング時間を必要とする箇所はポイントＰ４であり、計算によって求められたエージング時間は３時間であった（ステップＡ．５）。
【００３６】
次に、背面基板１としての対角５０インチ（１２７０ｍｍ）、厚さ３ｍｍのガラス基板上にアドレス電極２、誘電体層３を形成した（ステップＢ．１、ステップＢ．２）。次に、ダイコート法およびリソグラフィ法により幅５０μｍ、高さ１００μｍの隔壁４を形成した（ステップＢ．３）。次に、隣り合う隔壁４間にＢ、Ｒ、Ｇそれぞれに発光する蛍光体層５を塗布形成した（ステップＢ．４）。
【００３７】
次に、ステップＢ．１〜ステップＢ．４を行った背面基板１の周囲にガラスフリットを塗布し乾燥させた後、その背面基板１とステップＡ．１〜ステップＡ．５を行った前面基板６とを対向配置して４５０℃で加熱することにより封着した。続いて、４００℃に加熱して基板間に形成された放電空間１２を４時間にわたって排気した後、１０％のＸｅガスと９０％のＮｅガスとからなる混合ガスを６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の圧力になるまで封入した（ステップＣ．１）。
【００３８】
次に、維持パルスの高さを２１０Ｖとして、ステップＡ．５で求めたエージング時間にわたってエージング処理を行った（ステップＣ．２）。その後、ＰＤＰの表示品質検査を行ったところ、放電電圧の異常、全白表示における色ムラ等の不具合は無く、製品としての品質を満足するものであった（ステップＣ．３）。
【００３９】
なお、上述した説明においては、回転補償子型の分光エリプソメータ２３を例に挙げているが、補償子の代わりに光弾性モジュールを用いた位相変調型あるいは、回転検光子型の分光エリプソメータを用いてもよい。また、分散式には調和振動子に基づく計算式を例に挙げているが、消衰係数が０に近い膜の場合には経験的な式であるＣａｕｃｈｙ計算式などを用いることも可能であり、調和振動子型の分散式に限定されるものではない。
【００４０】
また、上述した実施例の説明においては、白色光の照射角度を基板２０の鉛直方向からの角度θ＝６０°で照射しているが、これに限定されるものではなく、角度θが５０°〜７０°の範囲ならば測定値に大きな差異はなく、この範囲に照射角度を設定しても問題はない。
【００４１】
また、上述した説明においては、分光測定における分光範囲を２５０ｎｍ〜８００ｎｍとしているが、この波長範囲に限るものではない。ただし、光学干渉で発生するピークの間隔は光子エネルギーの逆数に比例するため、短波長側では長波長側よりも多くのピークが観測される。膜厚７００ｎｍ程度のＭｇＯ／誘電体層の積層構造での光学干渉から得られる位相差Δ、反射振幅比ψの波形は２５０ｎｍ〜３７０ｎｍの紫外線領域において４回のピークを示し、３７０ｎｍ〜８００ｎｍにおいては３回のピークを示すために、分光範囲が紫外線領域と可視領域の両方を含んでいることが測定精度の維持という観点から望ましい。また、このような理由から波長が長い近赤外線や赤外線領域を測定に用いることはそれほど有効ではない。
【００４２】
また、上述した説明においては、光学モデルの設定に際し、ＭｇＯと空気との混合層３３、ＭｇＯ層３２、基板３１（誘電体層）の３層構造を例示しているが、ＭｇＯ膜の成膜条件によっては、さらに層の数を増やした光学モデルを用いてフィッティングを行うようにしてもよい。
【００４３】
さらに上述した説明においては、前面基板６において十字状に設定した５つのポイントで保護層１０の表層部分の膜特性を測定しているが、基板サイズ、ＭｇＯ膜の成膜条件、エージング条件によって測定ポイントの位置や数を変えてもよい。
【００４４】
以上説明したように、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法では、初期に設定する光学モデルで保護層が複数の層が積層された構造であると仮定し、保護層の表層の膜特性を測定することにより、エージング工程でＰＤＰの特性が安定化するまでに必要なエージング時間を決定するので、エージング時間を正確に決定することができる。また、膜特性の測定を前面基板６の複数の箇所において行い、その結果に基づいてエージング時間を決定するので、パネル内の特性バラツキを考慮したエージングを行うことができる。このため、適切なエージング処理を行うことができ、パネル全面において安定した品質のＰＤＰを得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明によれば、必要なエージング時間を予め得ることができるため、ＰＤＰの歩留りを高め、性能、品質の安定したＰＤＰの量産に際して有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】（ａ）、（ｂ）はＡＣ型カラーＰＤＰの一例を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造フローを示す図
【図３】本発明の実施の形態における保護層の表層部分の膜特性測定での測定箇所を示す図
【図４】保護層の表層の膜厚とエージング時間との関係を示す図
【図５】本発明の実施の形態における保護層の表層部分の膜特性測定で用いる測定装置の一例を示す概略構成図
【図６】同測定装置を用いた測定のフローを示す図
【図７】図６のステップＳ３で設定される初期光学モデルを示す図
【符号の説明】
【００４７】
１ 背面基板（第１基板）
６ 前面基板（第２基板）
７ 透明電極
８ バス電極
９ 誘電体層
１０ 保護層
１１ 表示電極
２０ 基板
２１ 測定装置
２３ 分光エリプソメータ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
間に放電空間を形成するように配置した第１基板および第２基板と、前記第２基板上に形成された複数の表示電極と、前記表示電極を覆うように前記第２基板上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された保護層とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記保護層は複数の層が積層された構造であると仮定して、前記保護層の表層の膜特性を測定するステップと、前記膜特性からエージング時間を決定するステップと、前記エージング時間にわたってエージングを行うステップとを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記保護層の表層の膜特性は、前記表層の構成材料の体積百分率および前記表層の膜厚であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記第２基板の複数の箇所において、前記保護層の表層の膜特性を測定することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
分光エリプソメータを用いて前記保護層の表層の膜特性を測定することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記分光エリプソメータを用いて前記保護層の表層の膜特性を測定するときの分光範囲が可視領域と紫外線領域の両方を含んでいることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１】
間に放電空間を形成するように配置した第１基板および第２基板と、前記第２基板上に形成された複数の表示電極と、前記表示電極を覆うように前記第２基板上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された保護層とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記保護層は複数の層が積層された構造であると仮定して、前記保護層の表層の膜特性を測定するステップと、前記膜特性からエージング時間を決定するステップと、前記エージング時間にわたってエージングを行うステップとを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記保護層の表層の膜特性は、前記表層の構成材料の体積百分率および前記表層の膜厚であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記第２基板の複数の箇所において、前記保護層の表層の膜特性を測定することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
分光エリプソメータを用いて前記保護層の表層の膜特性を測定することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記分光エリプソメータを用いて前記保護層の表層の膜特性を測定するときの分光範囲が可視領域と紫外線領域の両方を含んでいることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００７−３２４０７７（Ｐ２００７−３２４０７７Ａ）
【公開日】平成１９年１２月１３日（２００７．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１５５７６３（Ｐ２００６−１５５７６３）
【出願日】平成１８年６月５日（２００６．６．５）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１２月１３日（２００７．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年６月５日（２００６．６．５）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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