半導体装置の製造方法
【課題】ヒ素(As)を高濃度にドーピングした状態でエクステンション領域のエピタキシャル成長膜表面に凹凸を発生させることなく、平滑な面に形成することを可能とする。
【解決手段】半導体基板11上にゲート絶縁膜12を介してゲート電極13を備え、前記ゲート電極13の両側の前記半導体基板11上に形成された不純物を含有してなるエクステンション領域17、18を備えた半導体装置1であって、前記エクステンション領域17、18は、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなり、このエピタキシャル成長膜は、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを前記半導体基板11上に選択的にエピタキシャル成長させて形成される。
【解決手段】半導体基板11上にゲート絶縁膜12を介してゲート電極13を備え、前記ゲート電極13の両側の前記半導体基板11上に形成された不純物を含有してなるエクステンション領域17、18を備えた半導体装置1であって、前記エクステンション領域17、18は、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなり、このエピタキシャル成長膜は、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを前記半導体基板11上に選択的にエピタキシャル成長させて形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、シリコンゲルマニウムを用いたソース・ドレイン・エクステンションもしくはソース・ドレインを有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
トランジスタの高集積化、高速化は、スケーリング則基づき、トランジスタの微細化によって実現してきている。近年、微細化に伴う短チャネル効果がロールオフ(Roll-off)特性の劣化等デバイス特性に悪影響を与えている。短チャネル効果の抑制には不純物の拡散深さ(Xj)を浅くする必要があるが、従来のMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)構造では寄生抵抗の増大が課題となっていた。そこで、ソース・ドレインのエクステンション領域を選択エピタキシャル成長によって積み上げるように形成するRaised Source Drain Extension構造(以下、RSDE構造という)が提案されている。このRSDE構造は、Xjを浅く抑えることができ、かつ寄生抵抗の増大も抑制できるため、短チャネル効果の抑制に必要な構造として検討されている。
【0003】
RSDE構造の形成には、Xj深さ抑制するため、従来の選択シリコンエピタキシャル成長による成膜、イオンインプラおよびRTAを用いたプロセスに代わって、In−situ ドープトシリコン選択エピタキシャル成長が検討されている。例えば、ジクロロシラン(Si2H2Cl2)、塩化水素(HCl)、アルシン(AsH3)を用いた選択エピタキシャル成膜技術が検討されてきた(例えば、非特許文献1参照。)。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0004】
【非特許文献1】生田、宮波、藤田、岩元著 24a−W−1 「大気圧 In−situ As doped Si 選択エピタキシャル成長プロセスにおける高活性化検討」 第53回応用物理学関係連合講演会 講演予講集 p.903 2006年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
解決しようとする問題点は、In−situ ドープトシリコン選択エピタキシャル成長技術を用いた場合に、ヒ素(As)の濃度を高くすると、エクステンション領域に表面に凹凸が発生するため、ヒ素(As)濃度を高くすることができない点である。
【0006】
本発明は、ヒ素(As)を高濃度にドーピングした状態でエクステンション領域のエピタキシャル成長膜表面に凹凸を発生させることなく、平滑な面に形成することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の半導体装置(第1半導体装置)は、半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備え、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に形成された不純物を含有してなるエクステンション領域を備えた半導体装置であって、前記エクステンション領域は、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなることを特徴とする。
【0008】
本発明の半導体装置(第1半導体装置)では、エクステンション領域が、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長された膜からなることから、このエピタキシャル成長膜は、成長表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019atoms/cm3程度もしくはそれ以上のヒ素(As)を含むことができる。
【0009】
本発明の半導体装置(第2半導体装置)は、半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備え、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に形成された不純物を含有してなるソース・ドレイン領域を備えた半導体装置であって、前記ソース・ドレイン領域は、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなることを特徴とする。
【0010】
本発明の半導体装置(第2半導体装置)では、ソース・ドレイン領域が、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長された膜からなることから、このエピタキシャル成長膜は、成長表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019atoms/cm3程度もしくはそれ以上のヒ素(As)を含むことができる。
【0011】
本発明の半導体装置の製造方法(第1製造方法)は、半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に不純物を含有してなるエクステンション領域を選択エピタキシャル成長によって形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記選択エピタキシャル成長は、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを前記半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させることを特徴とする。
【0012】
本発明の半導体装置の製造方法(第1製造方法)では、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させてエクステンション領域を形成することから、エクステンション領域表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019atoms/cm3程度もしくはそれ以上濃度のヒ素(As)を、エピタキシャル成長により形成されたシリコンゲルマニウム層に含むことができる。これは、シリコンゲルマニウムの格子内部にヒ素が取り込まれるため、ドーピングされたヒ素による凹凸の発生が抑制されるためと考えられる。
【0013】
本発明の半導体装置の製造方法(第2製造方法)は、半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に不純物を含有してなるソース・ドレイン領域を選択エピタキシャル成長によって形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記選択エピタキシャル成長は、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを前記半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させることを特徴とする。
【0014】
本発明の半導体装置の製造方法(第2製造方法)では、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させてソース・ドレイン領域を形成することから、ソース・ドレイン領域表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019atoms/cm3程度もしくはそれ以上濃度のヒ素(As)を、エピタキシャル成長により形成されたシリコンゲルマニウム層に含むことができる。これは、シリコンゲルマニウムの格子内部にヒ素が取り込まれるため、ドーピングされたヒ素による凹凸の発生が抑制されるためと考えられる。
【発明の効果】
【0015】
本発明の半導体装置(第1半導体装置)によれば、エクステンション領域を形成するエピタキシャル成長膜にシリコンゲルマニウムを用いたことから、高濃度のヒ素を含ませても、エクステンション領域の表面が凹凸になることが無くなるという利点がある。
【0016】
本発明の半導体装置(第2半導体装置)によれば、ソース・ドレイン領域を形成するエピタキシャル成長膜にシリコンゲルマニウムを用いたことから、高濃度のヒ素を含ませても、ソース・ドレイン領域の表面が凹凸になることが無くなるという利点がある。
【0017】
本発明の半導体装置の製造方法(第1製造方法)によれば、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させてエクステンション領域を形成するため、表面が凹凸に形成されることなく、エクステンション領域表面を平滑な面にエピタキシャル成長できるという利点がある。
【0018】
本発明の半導体装置の製造方法(第2製造方法)によれば、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させてソース・ドレイン領域を形成するため、表面が凹凸に形成されることなく、ソース・ドレイン領域表面を平滑な面にエピタキシャル成長できるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本発明の半導体装置に係る一実施の形態(第1実施例)を示した概略構成断面図である。
【図2】本発明の半導体装置に係る一実施の形態(第2実施例)を示した概略構成断面図である。
【図3】本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態(第1実施例)を示した製造工程断面図である。
【図4】本発明に係わる選択エピタキシャル成長におけるヒ素濃度およびゲルマニウム濃度とゲルマン流量との関係を示した図である。
【図5】本発明に係わる選択エピタキシャル成長における比抵抗および成長速度とゲルマン流量との関係を示した図である。
【図6】本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態(第2実施例)を示した製造工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
本発明の半導体装置の一実施の形態(第1実施例)を、図1の概略構成断面図によって説明する。
【0021】
図1に示すように、半導体基板11上にゲート絶縁膜12を介してゲート電極13が形成されている。このゲート電極13上には絶縁膜14が形成されている。この絶縁膜14は、例えば酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜で形成されている。さらに、ゲート電極13の両側には、サイドウォール絶縁膜15、16が形成されている。このサイドウォール絶縁膜15、16は、例えば酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜で形成されている。また、上記半導体基板11には、トランジスタ領域を分離する素子分離領域31が形成されている。この素子分離領域31は、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)構造をなす。
【0022】
上記ゲート電極13の両側の半導体基板11上には、選択エピタキシャル成長によって形成された、ヒ素(As)をドーピングしたシリコンゲルマニウム層からなるソース・ドレインのエクステンション領域17、18が形成されている。このエクステンション領域17、18の構造は、Raised Source Drain Extension構造(RSDE構造)もしくはエレベーテッド・ソース・ドレイン・エクステンション構造と呼ばれるものである。
【0023】
上記半導体装置1によれば、ソース・ドレインのエクステンション領域17、18がシリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなることから、エクステンション領域17、18表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019atoms/cm3程度もしくはそれ以上のヒ素(As)を含むことができるという利点がある。
【0024】
本発明の半導体装置の一実施の形態(第2実施例)を、図2の概略構成断面図によって説明する。
【0025】
図2に示すように、半導体基板11上にゲート絶縁膜12を介してゲート電極13が形成されている。このゲート電極13上には絶縁膜14が形成されている。この絶縁膜14は、例えば酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜で形成されている。また、ゲート電極13の両側の半導体基板11上にはエクステンション領域17、18が形成されている。このエクステンション領域は、前記第1実施例と同様にエピタキシャル成長によって形成することができる。さらに、ゲート電極13の両側におけるエクステンション領域17、18上には、サイドウォール絶縁膜15、16が形成されている。このサイドウォール絶縁膜15、16は、例えば酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜で形成されている。また、上記半導体基板11には、トランジスタ領域を分離する素子分離領域(図示せず)が形成されている。この素子分離領域は、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)構造をなす。
【0026】
上記ゲート電極13の両側で上記サイドウォール絶縁膜15、16を介したエクステンション領域17、18上には、選択エピタキシャル成長によって形成された、ヒ素(As)をドーピングしたシリコンゲルマニウム層からなるソース・ドレイン領域19、20が形成されている。このソース・ドレイン領域19、20の構造は、Raised Source Drain構造(RSD構造)もしくはエレベーテッド・ソース・ドレイン構造と呼ばれるものである。
【0027】
上記半導体装置2によれば、ソース・ドレイン領域19、20がシリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなることから、ソース・ドレイン領域19、20表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019atoms/cm3程度もしくはそれ以上のヒ素(As)を含むことができるという利点がある。
【0028】
次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態(製造方法の第1実施例)を、図3の製造工程断面図によって説明する。
【0029】
図3(1)に示すように、半導体基板(例えば、シリコン基板)11に素子形成領域(トランジスタ形成領域)を分離する素子分離領域31が、例えば酸化シリコン系絶縁膜で形成されている。この素子形成領域の半導体基板11上にはゲート絶縁膜12を介してゲート電極13が形成されている。このゲート電極13上には絶縁膜14が形成され、同ゲート電極13の側壁にはサイドウォール15、16が形成されている。上記絶縁膜14、サイドウォール15、16は、後の工程でソース・ドレイン領域上に選択エピタキシャル成長によってヒ素を高濃度にドーピングしたシリコンゲルマニウムエピタキシャル成長層を形成するため、エピタキシャル成長のマスクとなるような材料、例えば、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)等の材料で形成されている。また上記素子分離領域31は、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)構造で形成することができる。
【0030】
次に、図3(2)に示すように、選択エピタキシャル成長技術によって、半導体基板11上にヒ素(As)をドーピングしたシリコンゲルマニウム層を選択的に形成する。このシリコンゲルマニウム層がエクステンション領域17、18となる。この選択エピタキシャル成長では、絶縁膜14、サイドウォール絶縁膜15、16、素子分離領域31等がマスクとなり、半導体基板11上のみにヒ素(As)をドーピングしたシリコンゲルマニウム層を選択的にエピタキシャル成長させることができる。このエクステンション領域17、18の構造は、Raised Source Drain Extension構造(RSDE構造)もしくはエレベーテッド・ソース・ドレイン・エクステンション構造と呼ばれるもので、半導体基板11上に選択的にエピタキシャル層を形成することで形成される。
【0031】
具体的には、常圧エピタキシャル気相成長装置(図示せず)を用い、チャンバの容積が一例として5L−20Lの場合、エピタキシャル成長雰囲気の圧力を大気圧(ここでいう大気圧は通常の地上での大気圧とする。例えば1気圧=1013hPaとする。)、成長温度(例えば基板温度)を750℃、原料ガスに、一例として、シリコン原料ガスとしてジクロロシラン(SiH2Cl2)、ゲルマニウム原料ガスとしてゲルマン(GeH4)、ドーピング原料ガスとしてアルシン(AsH3)(例えば1体積%に水素(H2)で希釈)、選択成長させるためのガスとして塩化水素(HCl)、ドーピング物質を均一分布させるためのガスとして水素(H2)を用いる。
【0032】
そして、各ガスの流量は、ジクロロシラン(SiH2Cl2)を50cm3/min、ゲルマン(GeH4)を5cm3/min−200cm3/min、アルシン(AsH3)(1体積%に水素(H2)で希釈)を10cm3/min、塩化水素(HCl)を25cm3/min、水素(H2)を20L/min−30L/minに設定する。このような条件でエピタキシャル成長させることで、ソース・ドレイン領域に選択エピタキシャル成長が可能になる。
【0033】
上記基板温度は650℃−750℃の範囲で適宜決定することができる。また、上記原料ガスの供給量は、ジクロロシラン(SiH2Cl2)を50cm3/min−500cm3/min、アルシン(AsH3)(1体積%に水素(H2)で希釈)を5cm3/min−200cm3/min、塩化水素(HCl)を15cm3/min−200cm3/min、ゲルマン(GeH4)を5cm3/min−200cm3/min、水素(H2)を10L/min−30L/minの範囲で適宜決定することができる。
【0034】
また、GeH4の供給流量を増加させることにより、ヒ素(As)濃度およびゲルマニウム濃度を高くすることができる。それを図4によって説明する。図4は、HClを25cm3/min、AsH3を10cm3/min、H2を20L/minにて供給し、GeH4の流量を変えた場合のヒ素(As)のドーピング濃度およびゲルマニウム濃度を示したものである。図4に示すように、GeH4流量の増加に伴いAs濃度およびゲルマニウム濃度が増加することが判る。
【0035】
また、GeH4の供給流量を増加させることにより、成膜レートを高くすることができ、膜の比抵抗を低くすることができる。それを図5によって説明する。図5は、GeH4の流量を変えた場合の比抵抗および成長速度を示したものである。図5に示すように、GeH4流量の増加に伴いエピタキシャル成長の成長速度が増加することが判る。また、GeH4流量の増加に伴い、比抵抗が減少することが判る。
【0036】
上記実施例では、原料ガスの一つにジクロロシランを用いたが、このかわりにトリクロロシラントリクロロシラン(SiHCl3)を用いることもできる。また、ジクロロシランのかわりにモノシラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)もしくはトリシラン(Si3H8)を用いることもできる。この場合には、塩素の供給源として併せて塩化水素ガスもしくは塩素ガスを用いる。またエピタキシャル成長の選択性を高めるために塩素ガスを添加することも好ましい。
【0037】
上記第1実施例の製造方法では、ヒ素をドーピングしながらシリコンゲルマニウムを半導体基板11上に選択的にエピタキシャル成長させることから、エクステンション領域17、18表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019/cm3程度もしくはそれ以上濃度のヒ素(As)を、エピタキシャル成長により形成されたシリコンゲルマニウム層に含むことができる。これは、シリコンゲルマニウムの格子内部にヒ素が取り込まれるため、ドーピングされたヒ素による凹凸の発生が抑制されるためと考えられる。よって、エクステンション領域17、18表面が平滑な面となるように、高濃度のヒ素を含んだシリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長できるという利点がある。
【0038】
上記第1実施例の製造方法では、ドーピング物質にヒ素(As)を用いたが、p型のエクステンション領域を形成する場合には、ドーピング物質にジボラン(B2H6)を用い、上記同様の選択エピタキシャル成長法によって、ホウ素(B)を含むシリコンゲルマニウムからなるエクステンション領域を形成することができる。また、n型のエピタキシャル領域を形成する場合には、ドーピング物質にホスフィン(PH3)を用い、上記同様の選択エピタキシャル成長法によって、リン(P)を含むシリコンゲルマニウムからなるエクステンション領域を形成することができる。
【0039】
次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態(製造方法の第2実施例)を、図6の製造工程断面図によって説明する。
【0040】
図6(1)に示すように、半導体基板(例えば、シリコン基板)11に素子形成領域(トランジスタ形成領域)を分離する素子分離領域(図示せず)を、例えば酸化シリコン系絶縁膜で形成する。この素子形成領域の半導体基板11上にはゲート絶縁膜12を介してゲート電極13を形成する。このゲート電極13上には絶縁膜14が形成されてもよい。また、ゲート電極13の両側の半導体基板11上にはエクステンション領域17、18を形成する。このエクステンション領域17、18は、前記第1実施例と同様にエピタキシャル成長によって形成することができる。さらに、ゲート電極13の両側におけるエクステンション領域17、18上には、サイドウォール絶縁膜15、16を形成する。上記絶縁膜14、サイドウォール15、16は、後の工程でエクステンション領域17、18上に選択エピタキシャル成長によってヒ素を高濃度にドーピングしたシリコンゲルマニウムエピタキシャル成長層を形成するため、エピタキシャル成長のマスクとなるような材料、例えば、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)等の材料で形成されている。また上記素子分離領域(図示せず)は、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)構造で形成することができる。
【0041】
次に、図6(2)に示すように、選択エピタキシャル成長技術によって、上記エクステンション領域17、18上にヒ素(As)をドーピングしたシリコンゲルマニウム層を選択的に形成する。このシリコンゲルマニウム層がソース・ドレイン領域19、20となる。この選択エピタキシャル成長では、絶縁膜14、サイドウォール絶縁膜15、16、素子分離領域(図示せず)等がマスクとなり、上記エクステンション領域17、18上のみにヒ素(As)をドーピングしたシリコンゲルマニウム層を選択的にエピタキシャル成長させることができる。このソース・ドレイン領域19、20の構造は、Raised Source Drain構造(RSD構造)もしくはエレベーテッド・ソース・ドレイン構造と呼ばれるもので、選択的にエピタキシャル層を形成することで形成される。
【0042】
具体的には、常圧エピタキシャル気相成長装置(図示せず)を用い、チャンバの容積が一例として5L−20Lの場合、エピタキシャル成長雰囲気の圧力を大気圧(ここでいう大気圧は通常の地上での大気圧とする。例えば1気圧=1013hPaとする。)、成長温度(例えば基板温度)を750℃、原料ガスに、一例として、シリコン原料ガスとしてジクロロシラン(SiH2Cl2)、ゲルマニウム原料ガスとしてゲルマン(GeH4)、ドーピング原料ガスとしてアルシン(AsH3)(例えば1体積%に水素(H2)で希釈)、選択成長させるためのガスとして塩化水素(HCl)、ドーピング物質を均一分布させるためのガスとして水素(H2)を用いる。
【0043】
そして、各ガスの流量は、ジクロロシラン(SiH2Cl2)を50cm3/min、ゲルマン(GeH4)を5cm3/min−200cm3/min、アルシン(AsH3)(1体積%に水素(H2)で希釈)を10cm3/min、塩化水素(HCl)を25cm3/min、水素(H2)を20L/min−30L/minに設定する。このような条件でエピタキシャル成長させることで、ソース・ドレインの形成領域に選択エピタキシャル成長が可能になる。
【0044】
上記基板温度は650℃−750℃の範囲で適宜決定することができる。また、上記原料ガスの供給量は、ジクロロシラン(SiH2Cl2)を50cm3/min−500cm3/min、アルシン(AsH3)(1体積%に水素(H2)で希釈)を5cm3/min−200cm3/min、塩化水素(HCl)を15cm3/min−200cm3/min、ゲルマン(GeH4)を5cm3/min−200cm3/min、水素(H2)を10L/min−30L/minの範囲で適宜決定することができる。
【0045】
また、前記図4によって説明したように、GeH4流量の増加に伴いAs濃度およびゲルマニウム濃度が増加することが判る。さらに、前記図5によって説明したように、GeH4流量の増加に伴いエピタキシャル成長の成長速度が増加することが判る。また、GeH4流量の増加に伴い、比抵抗が減少することが判る。
【0046】
上記実施例では、原料ガスの一つにジクロロシランを用いたが、このかわりにトリクロロシラントリクロロシラン(SiHCl3)を用いることもできる。また、ジクロロシランのかわりにモノシラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)もしくはトリシラン(Si3H8)を用いることもできる。この場合には、塩素の供給源として併せて塩化水素ガスもしくは塩素ガスを用いる。またエピタキシャル成長の選択性を高めるために塩素ガスを添加することも好ましい。
【0047】
上記第2実施例の製造方法では、ヒ素をドーピングしながらシリコンゲルマニウムを選択的にエピタキシャル成長させることから、ソース・ドレイン領域19、20表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019/cm3程度もしくはそれ以上濃度のヒ素(As)を、エピタキシャル成長により形成されたシリコンゲルマニウム層に含むことができる。これは、シリコンゲルマニウムの格子内部にヒ素が取り込まれるため、ドーピングされたヒ素による凹凸の発生が抑制されるためと考えられる。よって、ソース・ドレイン領域19、20表面が平滑な面となるように、高濃度のヒ素を含んだシリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長できるという利点がある。
【0048】
上記第2実施例の製造方法では、ドーピング物質にヒ素(As)を用いたが、p型のエクステンション領域を形成する場合には、ドーピング物質にジボラン(B2H6)を用い、上記同様の選択エピタキシャル成長法によって、ホウ素(B)を含むシリコンゲルマニウムからなるソース・ドレイン領域を形成することができる。また、n型のエピタキシャル領域を形成する場合には、ドーピング物質にホスフィン(PH3)を用い、上記同様の選択エピタキシャル成長法によって、リン(P)を含むシリコンゲルマニウムからなるソース・ドレイン領域を形成することができる。
【符号の説明】
【0049】
1、2…半導体装置、11…半導体基板、12…ゲート絶縁膜、13…ゲート電極、17,18…エクステンション領域、19,20…ソース・ドレイン領域
【技術分野】
【0001】
本発明は、シリコンゲルマニウムを用いたソース・ドレイン・エクステンションもしくはソース・ドレインを有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
トランジスタの高集積化、高速化は、スケーリング則基づき、トランジスタの微細化によって実現してきている。近年、微細化に伴う短チャネル効果がロールオフ(Roll-off)特性の劣化等デバイス特性に悪影響を与えている。短チャネル効果の抑制には不純物の拡散深さ(Xj)を浅くする必要があるが、従来のMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)構造では寄生抵抗の増大が課題となっていた。そこで、ソース・ドレインのエクステンション領域を選択エピタキシャル成長によって積み上げるように形成するRaised Source Drain Extension構造(以下、RSDE構造という)が提案されている。このRSDE構造は、Xjを浅く抑えることができ、かつ寄生抵抗の増大も抑制できるため、短チャネル効果の抑制に必要な構造として検討されている。
【0003】
RSDE構造の形成には、Xj深さ抑制するため、従来の選択シリコンエピタキシャル成長による成膜、イオンインプラおよびRTAを用いたプロセスに代わって、In−situ ドープトシリコン選択エピタキシャル成長が検討されている。例えば、ジクロロシラン(Si2H2Cl2)、塩化水素(HCl)、アルシン(AsH3)を用いた選択エピタキシャル成膜技術が検討されてきた(例えば、非特許文献1参照。)。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0004】
【非特許文献1】生田、宮波、藤田、岩元著 24a−W−1 「大気圧 In−situ As doped Si 選択エピタキシャル成長プロセスにおける高活性化検討」 第53回応用物理学関係連合講演会 講演予講集 p.903 2006年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
解決しようとする問題点は、In−situ ドープトシリコン選択エピタキシャル成長技術を用いた場合に、ヒ素(As)の濃度を高くすると、エクステンション領域に表面に凹凸が発生するため、ヒ素(As)濃度を高くすることができない点である。
【0006】
本発明は、ヒ素(As)を高濃度にドーピングした状態でエクステンション領域のエピタキシャル成長膜表面に凹凸を発生させることなく、平滑な面に形成することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の半導体装置(第1半導体装置)は、半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備え、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に形成された不純物を含有してなるエクステンション領域を備えた半導体装置であって、前記エクステンション領域は、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなることを特徴とする。
【0008】
本発明の半導体装置(第1半導体装置)では、エクステンション領域が、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長された膜からなることから、このエピタキシャル成長膜は、成長表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019atoms/cm3程度もしくはそれ以上のヒ素(As)を含むことができる。
【0009】
本発明の半導体装置(第2半導体装置)は、半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備え、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に形成された不純物を含有してなるソース・ドレイン領域を備えた半導体装置であって、前記ソース・ドレイン領域は、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなることを特徴とする。
【0010】
本発明の半導体装置(第2半導体装置)では、ソース・ドレイン領域が、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長された膜からなることから、このエピタキシャル成長膜は、成長表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019atoms/cm3程度もしくはそれ以上のヒ素(As)を含むことができる。
【0011】
本発明の半導体装置の製造方法(第1製造方法)は、半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に不純物を含有してなるエクステンション領域を選択エピタキシャル成長によって形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記選択エピタキシャル成長は、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを前記半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させることを特徴とする。
【0012】
本発明の半導体装置の製造方法(第1製造方法)では、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させてエクステンション領域を形成することから、エクステンション領域表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019atoms/cm3程度もしくはそれ以上濃度のヒ素(As)を、エピタキシャル成長により形成されたシリコンゲルマニウム層に含むことができる。これは、シリコンゲルマニウムの格子内部にヒ素が取り込まれるため、ドーピングされたヒ素による凹凸の発生が抑制されるためと考えられる。
【0013】
本発明の半導体装置の製造方法(第2製造方法)は、半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に不純物を含有してなるソース・ドレイン領域を選択エピタキシャル成長によって形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記選択エピタキシャル成長は、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを前記半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させることを特徴とする。
【0014】
本発明の半導体装置の製造方法(第2製造方法)では、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させてソース・ドレイン領域を形成することから、ソース・ドレイン領域表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019atoms/cm3程度もしくはそれ以上濃度のヒ素(As)を、エピタキシャル成長により形成されたシリコンゲルマニウム層に含むことができる。これは、シリコンゲルマニウムの格子内部にヒ素が取り込まれるため、ドーピングされたヒ素による凹凸の発生が抑制されるためと考えられる。
【発明の効果】
【0015】
本発明の半導体装置(第1半導体装置)によれば、エクステンション領域を形成するエピタキシャル成長膜にシリコンゲルマニウムを用いたことから、高濃度のヒ素を含ませても、エクステンション領域の表面が凹凸になることが無くなるという利点がある。
【0016】
本発明の半導体装置(第2半導体装置)によれば、ソース・ドレイン領域を形成するエピタキシャル成長膜にシリコンゲルマニウムを用いたことから、高濃度のヒ素を含ませても、ソース・ドレイン領域の表面が凹凸になることが無くなるという利点がある。
【0017】
本発明の半導体装置の製造方法(第1製造方法)によれば、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させてエクステンション領域を形成するため、表面が凹凸に形成されることなく、エクステンション領域表面を平滑な面にエピタキシャル成長できるという利点がある。
【0018】
本発明の半導体装置の製造方法(第2製造方法)によれば、ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させてソース・ドレイン領域を形成するため、表面が凹凸に形成されることなく、ソース・ドレイン領域表面を平滑な面にエピタキシャル成長できるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本発明の半導体装置に係る一実施の形態(第1実施例)を示した概略構成断面図である。
【図2】本発明の半導体装置に係る一実施の形態(第2実施例)を示した概略構成断面図である。
【図3】本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態(第1実施例)を示した製造工程断面図である。
【図4】本発明に係わる選択エピタキシャル成長におけるヒ素濃度およびゲルマニウム濃度とゲルマン流量との関係を示した図である。
【図5】本発明に係わる選択エピタキシャル成長における比抵抗および成長速度とゲルマン流量との関係を示した図である。
【図6】本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態(第2実施例)を示した製造工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
本発明の半導体装置の一実施の形態(第1実施例)を、図1の概略構成断面図によって説明する。
【0021】
図1に示すように、半導体基板11上にゲート絶縁膜12を介してゲート電極13が形成されている。このゲート電極13上には絶縁膜14が形成されている。この絶縁膜14は、例えば酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜で形成されている。さらに、ゲート電極13の両側には、サイドウォール絶縁膜15、16が形成されている。このサイドウォール絶縁膜15、16は、例えば酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜で形成されている。また、上記半導体基板11には、トランジスタ領域を分離する素子分離領域31が形成されている。この素子分離領域31は、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)構造をなす。
【0022】
上記ゲート電極13の両側の半導体基板11上には、選択エピタキシャル成長によって形成された、ヒ素(As)をドーピングしたシリコンゲルマニウム層からなるソース・ドレインのエクステンション領域17、18が形成されている。このエクステンション領域17、18の構造は、Raised Source Drain Extension構造(RSDE構造)もしくはエレベーテッド・ソース・ドレイン・エクステンション構造と呼ばれるものである。
【0023】
上記半導体装置1によれば、ソース・ドレインのエクステンション領域17、18がシリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなることから、エクステンション領域17、18表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019atoms/cm3程度もしくはそれ以上のヒ素(As)を含むことができるという利点がある。
【0024】
本発明の半導体装置の一実施の形態(第2実施例)を、図2の概略構成断面図によって説明する。
【0025】
図2に示すように、半導体基板11上にゲート絶縁膜12を介してゲート電極13が形成されている。このゲート電極13上には絶縁膜14が形成されている。この絶縁膜14は、例えば酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜で形成されている。また、ゲート電極13の両側の半導体基板11上にはエクステンション領域17、18が形成されている。このエクステンション領域は、前記第1実施例と同様にエピタキシャル成長によって形成することができる。さらに、ゲート電極13の両側におけるエクステンション領域17、18上には、サイドウォール絶縁膜15、16が形成されている。このサイドウォール絶縁膜15、16は、例えば酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜で形成されている。また、上記半導体基板11には、トランジスタ領域を分離する素子分離領域(図示せず)が形成されている。この素子分離領域は、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)構造をなす。
【0026】
上記ゲート電極13の両側で上記サイドウォール絶縁膜15、16を介したエクステンション領域17、18上には、選択エピタキシャル成長によって形成された、ヒ素(As)をドーピングしたシリコンゲルマニウム層からなるソース・ドレイン領域19、20が形成されている。このソース・ドレイン領域19、20の構造は、Raised Source Drain構造(RSD構造)もしくはエレベーテッド・ソース・ドレイン構造と呼ばれるものである。
【0027】
上記半導体装置2によれば、ソース・ドレイン領域19、20がシリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなることから、ソース・ドレイン領域19、20表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019atoms/cm3程度もしくはそれ以上のヒ素(As)を含むことができるという利点がある。
【0028】
次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態(製造方法の第1実施例)を、図3の製造工程断面図によって説明する。
【0029】
図3(1)に示すように、半導体基板(例えば、シリコン基板)11に素子形成領域(トランジスタ形成領域)を分離する素子分離領域31が、例えば酸化シリコン系絶縁膜で形成されている。この素子形成領域の半導体基板11上にはゲート絶縁膜12を介してゲート電極13が形成されている。このゲート電極13上には絶縁膜14が形成され、同ゲート電極13の側壁にはサイドウォール15、16が形成されている。上記絶縁膜14、サイドウォール15、16は、後の工程でソース・ドレイン領域上に選択エピタキシャル成長によってヒ素を高濃度にドーピングしたシリコンゲルマニウムエピタキシャル成長層を形成するため、エピタキシャル成長のマスクとなるような材料、例えば、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)等の材料で形成されている。また上記素子分離領域31は、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)構造で形成することができる。
【0030】
次に、図3(2)に示すように、選択エピタキシャル成長技術によって、半導体基板11上にヒ素(As)をドーピングしたシリコンゲルマニウム層を選択的に形成する。このシリコンゲルマニウム層がエクステンション領域17、18となる。この選択エピタキシャル成長では、絶縁膜14、サイドウォール絶縁膜15、16、素子分離領域31等がマスクとなり、半導体基板11上のみにヒ素(As)をドーピングしたシリコンゲルマニウム層を選択的にエピタキシャル成長させることができる。このエクステンション領域17、18の構造は、Raised Source Drain Extension構造(RSDE構造)もしくはエレベーテッド・ソース・ドレイン・エクステンション構造と呼ばれるもので、半導体基板11上に選択的にエピタキシャル層を形成することで形成される。
【0031】
具体的には、常圧エピタキシャル気相成長装置(図示せず)を用い、チャンバの容積が一例として5L−20Lの場合、エピタキシャル成長雰囲気の圧力を大気圧(ここでいう大気圧は通常の地上での大気圧とする。例えば1気圧=1013hPaとする。)、成長温度(例えば基板温度)を750℃、原料ガスに、一例として、シリコン原料ガスとしてジクロロシラン(SiH2Cl2)、ゲルマニウム原料ガスとしてゲルマン(GeH4)、ドーピング原料ガスとしてアルシン(AsH3)(例えば1体積%に水素(H2)で希釈)、選択成長させるためのガスとして塩化水素(HCl)、ドーピング物質を均一分布させるためのガスとして水素(H2)を用いる。
【0032】
そして、各ガスの流量は、ジクロロシラン(SiH2Cl2)を50cm3/min、ゲルマン(GeH4)を5cm3/min−200cm3/min、アルシン(AsH3)(1体積%に水素(H2)で希釈)を10cm3/min、塩化水素(HCl)を25cm3/min、水素(H2)を20L/min−30L/minに設定する。このような条件でエピタキシャル成長させることで、ソース・ドレイン領域に選択エピタキシャル成長が可能になる。
【0033】
上記基板温度は650℃−750℃の範囲で適宜決定することができる。また、上記原料ガスの供給量は、ジクロロシラン(SiH2Cl2)を50cm3/min−500cm3/min、アルシン(AsH3)(1体積%に水素(H2)で希釈)を5cm3/min−200cm3/min、塩化水素(HCl)を15cm3/min−200cm3/min、ゲルマン(GeH4)を5cm3/min−200cm3/min、水素(H2)を10L/min−30L/minの範囲で適宜決定することができる。
【0034】
また、GeH4の供給流量を増加させることにより、ヒ素(As)濃度およびゲルマニウム濃度を高くすることができる。それを図4によって説明する。図4は、HClを25cm3/min、AsH3を10cm3/min、H2を20L/minにて供給し、GeH4の流量を変えた場合のヒ素(As)のドーピング濃度およびゲルマニウム濃度を示したものである。図4に示すように、GeH4流量の増加に伴いAs濃度およびゲルマニウム濃度が増加することが判る。
【0035】
また、GeH4の供給流量を増加させることにより、成膜レートを高くすることができ、膜の比抵抗を低くすることができる。それを図5によって説明する。図5は、GeH4の流量を変えた場合の比抵抗および成長速度を示したものである。図5に示すように、GeH4流量の増加に伴いエピタキシャル成長の成長速度が増加することが判る。また、GeH4流量の増加に伴い、比抵抗が減少することが判る。
【0036】
上記実施例では、原料ガスの一つにジクロロシランを用いたが、このかわりにトリクロロシラントリクロロシラン(SiHCl3)を用いることもできる。また、ジクロロシランのかわりにモノシラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)もしくはトリシラン(Si3H8)を用いることもできる。この場合には、塩素の供給源として併せて塩化水素ガスもしくは塩素ガスを用いる。またエピタキシャル成長の選択性を高めるために塩素ガスを添加することも好ましい。
【0037】
上記第1実施例の製造方法では、ヒ素をドーピングしながらシリコンゲルマニウムを半導体基板11上に選択的にエピタキシャル成長させることから、エクステンション領域17、18表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019/cm3程度もしくはそれ以上濃度のヒ素(As)を、エピタキシャル成長により形成されたシリコンゲルマニウム層に含むことができる。これは、シリコンゲルマニウムの格子内部にヒ素が取り込まれるため、ドーピングされたヒ素による凹凸の発生が抑制されるためと考えられる。よって、エクステンション領域17、18表面が平滑な面となるように、高濃度のヒ素を含んだシリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長できるという利点がある。
【0038】
上記第1実施例の製造方法では、ドーピング物質にヒ素(As)を用いたが、p型のエクステンション領域を形成する場合には、ドーピング物質にジボラン(B2H6)を用い、上記同様の選択エピタキシャル成長法によって、ホウ素(B)を含むシリコンゲルマニウムからなるエクステンション領域を形成することができる。また、n型のエピタキシャル領域を形成する場合には、ドーピング物質にホスフィン(PH3)を用い、上記同様の選択エピタキシャル成長法によって、リン(P)を含むシリコンゲルマニウムからなるエクステンション領域を形成することができる。
【0039】
次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態(製造方法の第2実施例)を、図6の製造工程断面図によって説明する。
【0040】
図6(1)に示すように、半導体基板(例えば、シリコン基板)11に素子形成領域(トランジスタ形成領域)を分離する素子分離領域(図示せず)を、例えば酸化シリコン系絶縁膜で形成する。この素子形成領域の半導体基板11上にはゲート絶縁膜12を介してゲート電極13を形成する。このゲート電極13上には絶縁膜14が形成されてもよい。また、ゲート電極13の両側の半導体基板11上にはエクステンション領域17、18を形成する。このエクステンション領域17、18は、前記第1実施例と同様にエピタキシャル成長によって形成することができる。さらに、ゲート電極13の両側におけるエクステンション領域17、18上には、サイドウォール絶縁膜15、16を形成する。上記絶縁膜14、サイドウォール15、16は、後の工程でエクステンション領域17、18上に選択エピタキシャル成長によってヒ素を高濃度にドーピングしたシリコンゲルマニウムエピタキシャル成長層を形成するため、エピタキシャル成長のマスクとなるような材料、例えば、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)等の材料で形成されている。また上記素子分離領域(図示せず)は、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)構造で形成することができる。
【0041】
次に、図6(2)に示すように、選択エピタキシャル成長技術によって、上記エクステンション領域17、18上にヒ素(As)をドーピングしたシリコンゲルマニウム層を選択的に形成する。このシリコンゲルマニウム層がソース・ドレイン領域19、20となる。この選択エピタキシャル成長では、絶縁膜14、サイドウォール絶縁膜15、16、素子分離領域(図示せず)等がマスクとなり、上記エクステンション領域17、18上のみにヒ素(As)をドーピングしたシリコンゲルマニウム層を選択的にエピタキシャル成長させることができる。このソース・ドレイン領域19、20の構造は、Raised Source Drain構造(RSD構造)もしくはエレベーテッド・ソース・ドレイン構造と呼ばれるもので、選択的にエピタキシャル層を形成することで形成される。
【0042】
具体的には、常圧エピタキシャル気相成長装置(図示せず)を用い、チャンバの容積が一例として5L−20Lの場合、エピタキシャル成長雰囲気の圧力を大気圧(ここでいう大気圧は通常の地上での大気圧とする。例えば1気圧=1013hPaとする。)、成長温度(例えば基板温度)を750℃、原料ガスに、一例として、シリコン原料ガスとしてジクロロシラン(SiH2Cl2)、ゲルマニウム原料ガスとしてゲルマン(GeH4)、ドーピング原料ガスとしてアルシン(AsH3)(例えば1体積%に水素(H2)で希釈)、選択成長させるためのガスとして塩化水素(HCl)、ドーピング物質を均一分布させるためのガスとして水素(H2)を用いる。
【0043】
そして、各ガスの流量は、ジクロロシラン(SiH2Cl2)を50cm3/min、ゲルマン(GeH4)を5cm3/min−200cm3/min、アルシン(AsH3)(1体積%に水素(H2)で希釈)を10cm3/min、塩化水素(HCl)を25cm3/min、水素(H2)を20L/min−30L/minに設定する。このような条件でエピタキシャル成長させることで、ソース・ドレインの形成領域に選択エピタキシャル成長が可能になる。
【0044】
上記基板温度は650℃−750℃の範囲で適宜決定することができる。また、上記原料ガスの供給量は、ジクロロシラン(SiH2Cl2)を50cm3/min−500cm3/min、アルシン(AsH3)(1体積%に水素(H2)で希釈)を5cm3/min−200cm3/min、塩化水素(HCl)を15cm3/min−200cm3/min、ゲルマン(GeH4)を5cm3/min−200cm3/min、水素(H2)を10L/min−30L/minの範囲で適宜決定することができる。
【0045】
また、前記図4によって説明したように、GeH4流量の増加に伴いAs濃度およびゲルマニウム濃度が増加することが判る。さらに、前記図5によって説明したように、GeH4流量の増加に伴いエピタキシャル成長の成長速度が増加することが判る。また、GeH4流量の増加に伴い、比抵抗が減少することが判る。
【0046】
上記実施例では、原料ガスの一つにジクロロシランを用いたが、このかわりにトリクロロシラントリクロロシラン(SiHCl3)を用いることもできる。また、ジクロロシランのかわりにモノシラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)もしくはトリシラン(Si3H8)を用いることもできる。この場合には、塩素の供給源として併せて塩化水素ガスもしくは塩素ガスを用いる。またエピタキシャル成長の選択性を高めるために塩素ガスを添加することも好ましい。
【0047】
上記第2実施例の製造方法では、ヒ素をドーピングしながらシリコンゲルマニウムを選択的にエピタキシャル成長させることから、ソース・ドレイン領域19、20表面に凹凸を生じることなく、従来のシリコンエピタキシャル成長膜よりも高い濃度、例えば5×1019/cm3程度もしくはそれ以上濃度のヒ素(As)を、エピタキシャル成長により形成されたシリコンゲルマニウム層に含むことができる。これは、シリコンゲルマニウムの格子内部にヒ素が取り込まれるため、ドーピングされたヒ素による凹凸の発生が抑制されるためと考えられる。よって、ソース・ドレイン領域19、20表面が平滑な面となるように、高濃度のヒ素を含んだシリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長できるという利点がある。
【0048】
上記第2実施例の製造方法では、ドーピング物質にヒ素(As)を用いたが、p型のエクステンション領域を形成する場合には、ドーピング物質にジボラン(B2H6)を用い、上記同様の選択エピタキシャル成長法によって、ホウ素(B)を含むシリコンゲルマニウムからなるソース・ドレイン領域を形成することができる。また、n型のエピタキシャル領域を形成する場合には、ドーピング物質にホスフィン(PH3)を用い、上記同様の選択エピタキシャル成長法によって、リン(P)を含むシリコンゲルマニウムからなるソース・ドレイン領域を形成することができる。
【符号の説明】
【0049】
1、2…半導体装置、11…半導体基板、12…ゲート絶縁膜、13…ゲート電極、17,18…エクステンション領域、19,20…ソース・ドレイン領域
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備え、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に形成された不純物を含有してなるエクステンション領域を備えた半導体装置であって、
前記エクステンション領域は、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
前記半導体基板はシリコン基板からなり、
前記エピタキシャル成長膜は前記半導体基板に対して歪みを有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
【請求項3】
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備え、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に形成された不純物を含有してなるソース・ドレイン領域を備えた半導体装置であって、
前記ソース・ドレイン領域は、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
前記半導体基板はシリコン基板からなり、
前記エピタキシャル成長膜は前記半導体基板に対して歪みを有する
ことを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
【請求項5】
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に不純物を含有してなるエクステンション領域を選択エピタキシャル成長によって形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記選択エピタキシャル成長は、
ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを前記半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記選択エピタキシャル成長は、
前記ゲート電極の周囲を絶縁膜で被覆した後に行う
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
前記選択エピタキシャル成長では、
シリコン原料にシリコンと水素と塩素とを含むガスを用い、
ゲルマニウム原料にゲルマニウムと水素とからなるガスを用い、
ヒ素原料にヒ素と水素とからなるガスを用いる
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
前記選択エピタキシャル成長では、
エピタキシャル成長雰囲気に塩素ガスおよび塩化水素ガスの少なくとも一方を添加する
ことを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。
【請求項9】
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に不純物を含有してなるソース・ドレイン領域を選択エピタキシャル成長によって形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記選択エピタキシャル成長は、
ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを前記半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項10】
前記選択エピタキシャル成長は、
前記ゲート電極の周囲を絶縁膜で被覆した後に行う
ことを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
【請求項11】
前記選択エピタキシャル成長では、
シリコン原料にシリコンと水素と塩素とを含むガスを用い、
ゲルマニウム原料にゲルマニウムと水素とからなるガスを用い、
ヒ素原料にヒ素と水素とからなるガスを用いる
ことを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
【請求項12】
前記選択エピタキシャル成長では、
エピタキシャル成長雰囲気に塩素ガスおよび塩化水素ガスの少なくとも一方を添加する
ことを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
【請求項1】
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備え、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に形成された不純物を含有してなるエクステンション領域を備えた半導体装置であって、
前記エクステンション領域は、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
前記半導体基板はシリコン基板からなり、
前記エピタキシャル成長膜は前記半導体基板に対して歪みを有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
【請求項3】
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備え、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に形成された不純物を含有してなるソース・ドレイン領域を備えた半導体装置であって、
前記ソース・ドレイン領域は、シリコンゲルマニウムにヒ素を含む状態でエピタキシャル成長されたエピタキシャル成長膜からなる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
前記半導体基板はシリコン基板からなり、
前記エピタキシャル成長膜は前記半導体基板に対して歪みを有する
ことを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
【請求項5】
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に不純物を含有してなるエクステンション領域を選択エピタキシャル成長によって形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記選択エピタキシャル成長は、
ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを前記半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記選択エピタキシャル成長は、
前記ゲート電極の周囲を絶縁膜で被覆した後に行う
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
前記選択エピタキシャル成長では、
シリコン原料にシリコンと水素と塩素とを含むガスを用い、
ゲルマニウム原料にゲルマニウムと水素とからなるガスを用い、
ヒ素原料にヒ素と水素とからなるガスを用いる
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
前記選択エピタキシャル成長では、
エピタキシャル成長雰囲気に塩素ガスおよび塩化水素ガスの少なくとも一方を添加する
ことを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。
【請求項9】
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上に不純物を含有してなるソース・ドレイン領域を選択エピタキシャル成長によって形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記選択エピタキシャル成長は、
ヒ素をドーピングしながらシリコンとゲルマニウムとを前記半導体基板上に選択的にエピタキシャル成長させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項10】
前記選択エピタキシャル成長は、
前記ゲート電極の周囲を絶縁膜で被覆した後に行う
ことを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
【請求項11】
前記選択エピタキシャル成長では、
シリコン原料にシリコンと水素と塩素とを含むガスを用い、
ゲルマニウム原料にゲルマニウムと水素とからなるガスを用い、
ヒ素原料にヒ素と水素とからなるガスを用いる
ことを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
【請求項12】
前記選択エピタキシャル成長では、
エピタキシャル成長雰囲気に塩素ガスおよび塩化水素ガスの少なくとも一方を添加する
ことを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【公開番号】特開2013−62524(P2013−62524A)
【公開日】平成25年4月4日(2013.4.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−250729(P2012−250729)
【出願日】平成24年11月14日(2012.11.14)
【分割の表示】特願2006−184015(P2006−184015)の分割
【原出願日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【出願人】(000002185)ソニー株式会社 (34,172)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年4月4日(2013.4.4)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年11月14日(2012.11.14)
【分割の表示】特願2006−184015(P2006−184015)の分割
【原出願日】平成18年7月4日(2006.7.4)
【出願人】(000002185)ソニー株式会社 (34,172)
【Fターム(参考)】
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