昇圧回路
【課題】 基板バイアス効果を低減し、3重ウェル構造におけるPN順方向バイアスによる昇圧電圧の電圧損失を回避可能な高効率の昇圧回路を提供する。
【解決手段】 第1N型MOSFET10〜12と、第1N型MOSFETのソース側に接続するクロック信号により駆動される昇圧用キャパシタC2,C4,C6を少なくとも備えてなるポンプセルを、第1N型MOSFETのソースを次段の第1N型MOSFETのドレインに接続して複数段備え、2段目以降のポンプセルの第1N型MOSFET11,12が3重ウェル構造のN型MOSFETであり、そのNウェルがドレインと各別に接続し、そのPウェルが、ゲートとドレインが接続した第2N型MOSFET14,15を各別に介して、前段の第1N型MOSFET10,11のドレインと接続する。
【解決手段】 第1N型MOSFET10〜12と、第1N型MOSFETのソース側に接続するクロック信号により駆動される昇圧用キャパシタC2,C4,C6を少なくとも備えてなるポンプセルを、第1N型MOSFETのソースを次段の第1N型MOSFETのドレインに接続して複数段備え、2段目以降のポンプセルの第1N型MOSFET11,12が3重ウェル構造のN型MOSFETであり、そのNウェルがドレインと各別に接続し、そのPウェルが、ゲートとドレインが接続した第2N型MOSFET14,15を各別に介して、前段の第1N型MOSFET10,11のドレインと接続する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体集積回路装置に使用されるチャージポンプ型の昇圧回路に関する。
【背景技術】
【0002】
フラッシュEERPOMに代表される不揮発性半導体記憶装置の多くは、データの書き込み・消去を実行する際に電源電圧より高い電圧を必要とする。高電圧を得る方法として、外部より高電圧を供給する手法とチップ内部で昇圧電圧を発生させて高電圧を得る方法がある。近年では、不揮発性半導体記憶装置の単一電源化により、後者のチップ内部で昇圧電圧を発生させる手法が主流となっている。昇圧電圧を発生させるための昇圧回路としては、キャパシタを並列に接続して順次昇圧していくディクソンタイプのチャージポンプ回路が知られている。ディクソンタイプのチャージポンプ回路については、下記の非特許文献1に、詳細な解説がある。
【0003】
図2に、ディクソンタイプの一般的なチャージポンプ回路を示す。図2に示すように、チャージポンプ回路200は、4つのN型MOSFET10〜13と3つのキャパシタC2,C4,C6からなる3段階の昇圧構成を有するチャージポンプ回路である。具体的には、N型MOSFET10のドレインとゲートが電源電圧Vccに接続し、N型MOSFET10のソースがキャパシタC2に接続してノードN1を形成している。N型MOSFET10とキャパシタC2からなる構成を1ユニットとし、チャージポンプ回路の1段目ポンプセルを構成している。
【0004】
2段目ポンプセルは、N型MOSFET11のゲートとドレインが1段目ポンプセルのノードN1に接続し、N型MOSFET11のソースがキャパシタC4に接続してノードN2を形成して構成される。3段目ポンプセルについても同様に、N型MOSFET12のゲートとドレインが2段目ポンプセルのノードN2に接続し、N型MOSFET12のソースがキャパシタC6に接続してノードN3を形成して構成される。N型MOSFET13のゲートとドレインは、3段目ポンプセルのノードN3に接続している。N型MOSFET10〜13は夫々、ゲートとドレインが接続された構成であることから、逆流防止用のダイオード機能を有し、ドレイン側からソース側への一方向のみ電流を流す。
【0005】
更に、キャパシタC2、C6には、クロック信号CLK2が入力信号として接続されており、キャパシタC4には、クロック信号CLK4が接続されている。図3に、クロック信号CLK2とクロック信号CLK4の各タイミング波形を示す。
【0006】
クロック信号CLK2,CLK4は電源電圧Vccを振幅としており、クロック信号CLK2とクロック信号CLK4との出力タイミングは、クロック信号CLK2が電源電圧Vccのとき、クロック信号CLK4は0Vで、クロック信号CLK2が0Vのとき、クロック信号CLK4は電源電圧Vccとなるように、お互いに逆相関係のクロック信号となっている。
【0007】
チャージポンプ回路200の理想状態での動作を説明する。先ず、クロック信号CLK2が0Vの時、電源電圧VccからN型MOSFET10の閾値電圧Vth分だけ低い電圧(Vcc−Vth)が、N型MOSFET10を介してノードN1に充電される。次に、クロック信号CLK2が0Vから電源電圧Vccに上昇することにより、ノードN1の電圧がVcc分だけ昇圧され、(2Vcc―Vth)となる。ノードN1の電圧は、N型MOSFET11を介してノードN2へ転送される。このとき、ノードN2の電圧は、N型MOSFET11の閾値電圧Vthだけの電圧降下により、(2Vcc―2Vth)となる。クロック信号CLK4が0Vから電源電圧Vccに上昇すると、ノードN2の電圧は、Vcc分だけ昇圧され、(3Vcc―2Vth)となる。ノードN3についても同様に変化し、最終的には、出力電圧Voutは、(4Vcc―4Vth)となる。
【0008】
N型MOSFETの閾値電圧Vthは、約0.6Vであることから、閾値電圧による出力電圧の低下(電圧損失)は、2.4Vにもなる。例えば1.8Vの電源電圧を考えたときには、閾値電圧を無視した時にチャージポンプ回路が発生し得る電圧は、7.2V(4Vcc)であるが、実際には、閾値電圧により2.4Vを失うため、閾値電圧による出力電圧の低下分は33%にも及ぶ。
【0009】
この問題を解決するために、N型MOSFETの閾値電圧分の電圧損失を抑えたチャージポンプ回路が知られている。図4に、当該チャージポンプ回路の一構成例を示す。
【0010】
図4に示すように、当該チャージポンプ回路400は、図2に示すチャージポンプ回路200の1段目のポンプセルに対して、N型MOSFET17とキャパシタC1を、2段目のポンプセルに対して、N型MOSFET18とキャパシタC3を、3段目のポンプセルに対して、N型MOSFET19とキャパシタC5を、夫々追加した構成となっている。
【0011】
1段目ポンプセルでは、N型MOSFET10のドレインとN型MOSFET17の各ドレインが電源電圧Vccに接続し、N型MOSFET10のソースがN型MOSFET17のゲートとキャパシタC2に接続してノードN1を形成し、N型MOSFET17のソースが、N型MOSFET10のゲート及びキャパシタC1に接続しノードN4を形成している。
【0012】
2段目ポンプセルでは、N型MOSFET11のドレインとN型MOSFET18の各ドレインが1段目ポンプセルのノードN1に接続し、N型MOSFET11のソースがN型MOSFET18のゲートとキャパシタC4に接続してノードN2を形成し、N型MOSFET18のソースが、N型MOSFET11のゲート及びキャパシタC3に接続しノードN5を形成している。
【0013】
3段目ポンプセルでは、N型MOSFET12のドレインとN型MOSFET19の各ドレインが2段目ポンプセルのノードN2に接続し、N型MOSFET12のソースがN型MOSFET19のゲートとキャパシタC6に接続してノードN3を形成し、N型MOSFET19のソースが、N型MOSFET12のゲート及びキャパシタC5に接続しノードN6を形成している。N型MOSFET13のゲートとドレインは、3段目ポンプセルのノードN3に接続している。
【0014】
このようにポンプセルの繰り返し構成により昇圧回路は構成されており、必要とする出力電圧に応じたポンプセル段数を決定し、最終段のポンプセルの出力には、逆流防止用のダイオードとしてドレインとゲートを接続したN型MOSFETを接続する。
【0015】
次に、図4に示す構成のチャージポンプ回路における昇圧電圧を得る動作について説明する。図5に、クロック発生回路500より生成されたクロック信号CLK1〜4のタイミング波形を示す。先ず、クロック信号CLK3を立ち下げることにより、N型MOSFET11をオフ状態にする。次に、クロック信号CLK4を立ち上げることにより、N型MOSFET18のゲート電圧を昇圧し、N型MOSFET11のゲートに電荷を供給する。次に、クロック信号CLK2を立ち下げることにより、N型MOSFET17をオフ状態にし、クロック信号CLK1を立ち上げることで、N型MOSFET10のゲート電圧を(Vcc+Vth)以上に昇圧し、N型MOSFET10を介してノードN1に電源電圧Vccを供給する。更に、クロック信号CLK1を立ち下げることにより、N型MOSFET10をオフ状態にし、クロック信号CLK2を立ち上げることで、ノードN1を昇圧する。
【0016】
その後、クロック信号CLK4を立ち下げ、クロック信号CLK3を立ち上げることで、ノードN1の昇圧電圧が、次段のノードN2へ閾値電圧による電圧降下なしに伝達される。以上の動作が繰り返されることにより、最終段のポンプセルにおいて所望の電圧を得ることが可能である。理想状態おいては、1段目ポンプセルでノードN1の電圧をN型MOSFETの閾値電圧分の電圧降下を伴わずに、電源電圧Vccの2倍の電圧(2Vcc)へ昇圧する。更に、2段目ポンプセルでノードN2の電圧を電源電圧Vccの3倍の電圧(3Vcc)、3段目ポンプセルでノードN3の電圧を電源電圧Vccの4倍の(4Vcc)へと順に昇圧させていく。
【0017】
以上の説明において、N型MOSFETの閾値電圧は、約0.6V程度で一定であることを前提にしたが、実際のN型MOSFETの閾値電圧は、ソースと基板間の電圧(基板バイアス)によって変動する。これは、基板バイアスが増大すると基板の空乏層が広がりイオン化したドナーが増大し、同一のチャネル電荷を誘起するのに余分なゲート電界が必要となるため、ゲート閾値電圧が増大する現象であり、基板バイアス効果として周知である。
【0018】
図6に、基板バイアスとN型MOSFETの閾値電圧の関係をグラフで表示する。尚、閾値電圧は、ゲート酸化膜厚やシリコン基板濃度等によっても変化するため、図6に示す関係はその一例である。図6において、横軸は基板バイアスVbsの1/2乗であり、縦軸は閾値電圧Vthである。図6より、基板バイアスVbsの増加に伴って、閾値電圧Vthの上昇することが分かる。
【0019】
ところで、不揮発性半導体記憶装置の動作において、10V前後の昇圧電圧を利用する場合がある。チャージポンプ回路が10Vの電圧を出力する場合を考えると、基板バイアス効果によるN型MOSFETの閾値電圧変動は、図6より2V以上となることが分かる。
【0020】
基板バイアス効果の影響を低減するために、3重ウェル構造を有するチャージポンプ回路が、下記の特許文献1において提案されている。当該チャージポンプ回路700を図7に示す。ここで、図4で示すチャージポンプ回路400との違いは、N型MOSFET10〜13,17〜19を夫々3重ウェル構造のN型MOSFETに変更している点である。3重ウェル構造を有したN型MOSFETのPウェルとNウェルは、ともに同じN型MOSFETのドレインに接続されているため、ドレインに接続されるノードが昇圧された場合、PウェルとNウェルの電圧も同時に昇圧され、Pウェルとソース間の基板バイアス電圧が緩和される構造となっている。
【0021】
【特許文献1】特開平11−283392号公報
【非特許文献1】Jieh−Tsorng,“MOS Charge Pumps for Low−Voltage Operation” IEEE JOURNAL OF SOLID−STATE CIRCUITS,VOL.33,NO.4,pp.592−597,1998年4月
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0022】
しかしながら、図7に示す3重ウェル構造を有するチャージポンプ回路では、N型MOSFETのドレイン、Pウェル及びNウェルが同一ノードに接続されているために、昇圧されにくい可能性がある。当該可能性につき図8を参照して説明する。図8では、説明の簡単のために、N型MOSFET11を例に、3重ウェル構造のN型MOSFET800の素子断面構造を示している。3重ウェル構造は、N+拡散領域21,22、Pウェル23、Nウェル24、P基板25からなるが、B0で示すPNPバイポーラトランジスタや、B1で示すNPNバイポーラトランジスタといった寄生素子が、同一基板上に副次的に形成される。
【0023】
ドレイン(N+拡散領域)22、Pウェル23、Nウェル24は、夫々同一ノードN1に接続されているが、実際には、Pウェル23、Nウェル24は、N+拡散領域に比べて面積(体積)が大きく寄生抵抗が発生する。例えば、Pウェルの寄生抵抗が、Nウェルの寄生抵抗より大きい場合、ノードN1はキャパシタにより昇圧され、Vcc〜2Vccの間で電圧変化を繰り返しているが、ノードN1の電圧が2VccからVccに下がる時に、Pウェルの寄生抵抗の影響により当該電圧低下がPウェル全体に伝達するのが遅延し、Nウェルの電圧が先に低下する。このときに、(Pウェル電圧>Nウェル電圧)のPN順方向バイアスとなり、更に高い昇圧電圧で電圧変化しているノードN2と接続しているソース(N+拡散領域)21との間で、NPNバイポーラアクションが生じ、寄生NPNバイポーラトランジスタB1がオンして、ノードN2が前段のノードN1と導通する。これにより昇圧されたノードN2の電圧が低下するという問題があった。
【0024】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板バイアス効果を低減し、3重ウェル構造におけるPN順方向バイアスによる昇圧電圧の電圧損失を回避可能な高効率の昇圧回路を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【0025】
上記目的を達成するための本発明に係る昇圧回路は、ドレイン側からソース側に電流供給する第1N型MOSFETと、前記第1N型MOSFETのソース側に接続するクロック信号により駆動される昇圧用キャパシタと、を少なくとも備えてなるポンプセルを、前記第1N型MOSFETのソースを次段の前記第1N型MOSFETのドレインに接続して複数段備え、初段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETのドレインに入力した正電圧を、前記複数段のポンプセルにより昇圧して出力する昇圧回路であって、2段目以降の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETが、ドレイン及びソースが独立したPウェル内に各別に形成されるとともに、前記独立したPウェルが独立したNウェル内に各別に形成される3重ウェル構造のN型MOSFETであり、2段目以降の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETの前記Nウェルが、前記第1N型MOSFETのドレインと各別に接続し、2段目以降の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETの前記Pウェルが、ゲートとドレインが接続した第2N型MOSFETを各別に介して、前段の前記第1N型MOSFETのドレインと接続していることを特徴とする。
【0026】
上記特徴によれば、前段のポンプセルの昇圧された電圧が、第2N型MOSFETの閾値電圧分だけ電圧降下して第1N型MOSFETのPウェルに供給されるため、第1N型MOSFETの基板バイアス効果を抑制できるとともに、3重ウェル構造の第1N型MOSFETのPウェルとNウェル間で順方向バイアスとなることが回避できるため、高効率な昇圧動作が可能な昇圧回路が実現できる。
【0027】
本発明に係る昇圧回路は、更に、最終段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETのソースが、ゲートとドレインが接続した第3N型MOSFETのドレインに接続し、前記第3N型MOSFETが、独立したPウェル内に形成されるとともに、前記独立したPウェルが独立したNウェル内に形成される3重ウェル構造を有し、前記第3N型MOSFETの前記Nウェルが、前記第3N型MOSFETのドレインと接続し、前記第3N型MOSFETの前記Pウェルが、ゲートとドレインが接続した第4N型MOSFETを介して、最終段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETのドレインと接続していることを特徴とする。
【0028】
上記特徴によれば、最終段の前記ポンプセルの昇圧電圧を、逆流防止機能を有する第3N型MOSFETを介して出力する際に、第3N型MOSFETの基板バイアス効果を抑制できるとともに、3重ウェル構造の第3N型MOSFETのPウェルとNウェル間で順方向バイアスとなることが回避できるため、第3N型MOSFETに起因する出力電圧の電圧損失を回避できる。
【0029】
本発明に係る昇圧回路は、更に、前記第2N型MOSFETが独立したNウェルを備えない素子構造であること、前記第4N型MOSFETが独立したNウェルを備えない素子構造であること、或いは、初段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETが独立したNウェルを備えない素子構造であることを特徴とする。
【0030】
上記特徴により、基板バイアス効果の少ないN型MOSFETの素子構造を簡略化することで、昇圧回路全体の構成を簡素化でき、回路面積の削減が可能となる。
【0031】
本発明に係る昇圧回路は、更に、前記ポンプセルが、ドレインが前記第1N型MOSFETのドレインと接続し、ソースが前記第1N型MOSFETのゲートと接続し、ゲートが前記第1N型MOSFETのソースと接続する第5N型MOSFETと、前記第1N型MOSFETのゲートと接続し、前記昇圧用キャパシタとは別のクロック信号により駆動される第2の昇圧用キャパシタと、を各別に備えることを特徴とする。
【0032】
上記特徴により、第1N型MOSFETの基板バイアス効果が更に抑制でき、高効率な昇圧動作が可能な昇圧回路が実現できる。
【0033】
本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルの情報を書き換えるために負電圧を必要とし、前記負電圧を伝達するために3重ウェル構造のN型MOSFETを備えた回路を有し、上記何れかの特徴の本発明に係る昇圧回路を備えることを特徴とする。
【0034】
更に、本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、前記メモリセルが、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に配置され、前記チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、前記ゲート電極の少なくとも一方側に形成された電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなることを特徴とする。
【発明の効果】
【0035】
以上説明したように、本発明によれば、基板バイアス効果の影響を低減し、3重ウェル構造のN型MOSFETの使用に伴うPN順方向バイアスによる電圧損失をなくすことで、従来のチャージポンプ型の昇圧回路と比べて、より高い電圧を効率的に発生させることが可能となる。
【0036】
更に、より高電圧を効率的に発生させることにより、従来の昇圧回路に比べてポンプセルの構成段数を減少させることが可能となるため、回路面積の削減に繋がり、コストダウンを実現できる。また、ポンプセルの段数を減らすことは駆動するキャパシタの数が低減されるので、キャパシタの駆動に必要であったクロック信号の充放電電流の低減でき、昇圧回路の消費電流の低減が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0037】
以下、本発明に係る昇圧回路(以下、適宜「本発明回路」と略称する)の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、本発明回路の説明に使用する図面において、従来の昇圧回路と共通或いは対応する構成要素には共通の符号を付して説明する。
【0038】
図1に、本発明回路100の一実施形態における回路構成を示す。本発明回路100は、図4に示す従来のチャージポンプ型の昇圧回路と同様に、3段のポンプセルと出力段の逆流防止用のN型MOSFET13(第3N型MOSFETに相当)を備えた構成となっている。尚、ポンプセルの段数は、3段に限定されるものではなく、入力電圧と出力電圧の関係で適宜変更可能である。
【0039】
図1に示すように、本発明回路100の1段目ポンプセルにおいて、N型MOSFET10(第1N型MOSFETに相当)のドレインとN型MOSFET17(第5N型MOSFETに相当)の各ドレインが電源電圧Vccに接続し、N型MOSFET10のソースがN型MOSFET17のゲートとキャパシタC2の一方端に接続してノードN1を形成し、N型MOSFET17のソースが、N型MOSFET10のゲート及びキャパシタC1の一方端に接続しノードN4を形成している。2段目ポンプセルにおいて、N型MOSFET11(第1N型MOSFETに相当)のドレインとN型MOSFET18(第5N型MOSFETに相当)の各ドレインが1段目ポンプセルのノードN1に接続し、N型MOSFET11のソースがN型MOSFET18のゲートとキャパシタC4の一方端に接続してノードN2を形成し、N型MOSFET18のソースが、N型MOSFET11のゲート及びキャパシタC3の一方端に接続しノードN5を形成している。3段目ポンプセルでは、N型MOSFET12(第1N型MOSFETに相当)のドレインとN型MOSFET19(第5N型MOSFETに相当)の各ドレインが2段目ポンプセルのノードN2に接続し、N型MOSFET12のソースがN型MOSFET19のゲートとキャパシタC6の一方端に接続してノードN3を形成し、N型MOSFET19のソースが、N型MOSFET12のゲート及びキャパシタC5の一方端に接続しノードN6を形成している。更に、出力段のN型MOSFET13のゲートとドレインは、3段目ポンプセルのノードN3に接続している。N型MOSFET13のソースは出力端子Voutに接続している。以上の3段のポンプセルと出力段のN型MOSFET13の接続関係は、図4に示す従来のチャージポンプ型の昇圧回路と同じである。
【0040】
本実施形態では、2段目と3段目のポンプセルのN型MOSFET11,12と出力段のN型MOSFET13が、3重ウェル構造のN型MOSFETであることを特徴とする。つまり、N型MOSFET11〜13のソース及びドレインのN+拡散領域は、夫々独立したPウェル内に形成され、更に、その独立したPウェルが独立したNウェル内に形成された構造となっている。3重ウェル構造のN型MOSFET11〜13の各Nウェルは、夫々のドレインと各別に接続している。
【0041】
更に、本実施形態では、3重ウェル構造のN型MOSFET11〜13のPウェルに各別に所定の電圧を供給するためのN型MOSFET14,15(第2N型MOSFETに相当)及びN型MOSFET16(第4N型MOSFETに相当)を備えることを特徴とする。N型MOSFET14〜16は、夫々ドレインとゲートが接続し、ドレイン側からソース側に電流供給するダイオードとして機能する。N型MOSFET14のドレインとゲートが電源電圧Vccに接続し、N型MOSFET14のソースがノードN7を介してN型MOSFET11のPウェルに接続している。N型MOSFET15のドレインとゲートが1段目のポンプセルのノードN1に接続し、N型MOSFET15のソースがノードN8を介してN型MOSFET12のPウェルに接続している。N型MOSFET16のドレインとゲートが2段目のポンプセルのノードN2に接続し、N型MOSFET16のソースがノードN9を介してN型MOSFET13のPウェルに接続している。本実施形態では、ダイオード接続したN型MOSFET14〜16を介して、前段からの電圧がN型MOSFETの閾値電圧分低下して、3重ウェル構造のN型MOSFET11〜13の各Pウェルに供給されることが重要で、これにより、N型MOSFET11〜13の各PウェルとNウェル間で一時的にもPN順方向バイアス状態となるのを回避できる。
【0042】
尚、1段目のポンプセルのN型MOSFET10に関しては、3重ウェル構造である必要はなく、回路面積削減の観点より、P基板とN+拡散からなる通常のN型MOSFETである方が望ましい。また、同様の理由から、N型MOSFET14〜16、及び、各段のポンプセルのN型MOSFET17〜19についても、独立したPウェルとNウェルを各別に備えた3重ウェル構造のN型MOSFETである必要はなく、P基板とN+拡散からなる通常のN型MOSFETである方が望ましい。或いは、N型MOSFET11〜13以外の1段目のポンプセルのN型MOSFET10、N型MOSFET14〜16、及び、各段のポンプセルのN型MOSFET17〜19を3重ウェル構造のN型MOSFETとした場合において、各N型MOSFET10,14〜19のPウェル及びNウェルを共通にすることでも回路面積削減が図れる。
【0043】
次に、本実施形態における3重ウェル構造を有するN型MOSFET900について、N型MOSFET11を例に、図9の素子断面図を参照して説明する。P基板25上にNウェル24が形成され、Nウェル24内にPウェル23が形成されており、更に、Pウェル23内にドレイン及びソースとなるN+拡散領域21,22が形成されている。N型MOSFET11のドレインであるN+拡散領域22とNウェル24はノードN1を介して接続され、N型MOSFET11のソースであるN+拡散領域21はノードN2に接続される。また、N型MOSFET11のゲートはキャパシタC3にノードN5を介して結線され、Pウェル23はノードN7に接続される。ソースとなるN+拡散領域21とPウェル23間の電位差が、N型MOSFET11に対する基板バイアスとなる。つまり、Pウェル23をグランドレベル(0V)に接地した時が最大の基板バイアスとなり、N型MOSFET11の閾値電圧が上がってしまう。
【0044】
次に、図1に示す構成の本発明回路100において、入力電圧である電源電圧Vccから昇圧電圧Voutを得る動作について説明する。本発明回路100では、図4に示す従来のチャージポンプ型の昇圧回路と同様に、クロック発生回路500で生成される4種類のクロック信号CLK1〜4(図5参照)を使用する。ここで、クロック信号CLK1は、1段目と3段目のポンプセルのキャパシタC1,C5の他方端に入力し、クロック信号CLK2は、1段目と3段目のポンプセルのキャパシタC2,C6の他方端に入力し、クロック信号CLK3は、2段目のポンプセルのキャパシタC3の他方端に入力し、クロック信号CLK4は、2段目のポンプセルのキャパシタC4の他方端に入力する。
【0045】
先ず、クロック信号CLK3を立ち下げることにより、N型MOSFET11をオフ状態にする。次に、クロック信号CLK4を立ち上げることにより、N型MOSFET18のゲート電圧を昇圧し、N型MOSFET11のゲートに電荷を供給する。次に、クロック信号CLK2を下げることにより、N型MOSFET17をオフ状態にし、クロック信号CLK1を立ち上げることで、N型MOSFET10のゲート電圧を(Vcc+Vth)以上に昇圧し、N型MOSFET10を介してノードN1に電源電圧Vccを供給する。更に、クロック信号CLK1を立ち下げることにより、N型MOSFET10をオフ状態にし、クロック信号CLK2を立ち上げることで、ノードN1を昇圧する。その後、クロック信号CLK4を立ち下げ、クロック信号CLK3を立ち上げることで、ノードN1の昇圧電圧が、次段のノードN2へ閾値電圧による電圧降下なしに伝達される。以上の動作が繰り返されることにより、ポンプセル毎に理想状態で電源電圧Vcc分の昇圧動作が行われる。
【0046】
ここで、理想状態で電源電圧Vccの2倍の電圧(2Vcc)まで昇圧されたノードN1の電圧を、N型MOSFET11を介してノードN2へ伝達するが、このとき、N型MOSFET11に掛かる基板バイアスの影響を受ける。本実施形態では、N型MOSFET11のPウェルの電圧を、N型MOSFET14を介して電源電圧Vccから供給することにより、Pウェル・ソース間の基板バイアスを緩和させる。具体的には、N型MOSFET14は、ゲートとドレインが接続されたことにより、ダイオードの機能を発揮することから、電源電圧VccからN型MOSFET14の閾値電圧分低下した電圧である(Vcc−Vth)がノードN7に供給される。これにより、N型MOSFET11の基板バイアスが(Vcc+Vth)以下となるため、基板バイアス効果による閾値電圧の上昇を低減できる。同様に、ノードN3には、理想状態で電源電圧Vccの3倍の電圧(3Vcc)まで昇圧されたノードN2の電圧が伝達され、このときのN型MOSFET12も基板バイアスの影響を受けるが、本実施形態では、N型MOSFET12のPウェルの電圧の電圧に、ノードN2より前段の昇圧電圧であるノードN1の電圧を、N型MOSFET15を介して供給することにより、N型MOSFET12の基板バイアスを(Vcc+Vth)以下にすることで基板バイアス効果を緩和させる。また、本発明回路100の最終段に配置され、逆流防止用のダイオードとして機能するN型MOSFET13についても、ノードN3より前段の昇圧電圧であるノードN2を、N型MOSFET16を介してN型MOSFET13のPウェルに供給することにより、N型MOSFET13の基板バイアスを緩和させる。
【0047】
本実施形態において、3重ウェル構造のN型MOSFET11〜13の各Pウェルに、N型MOSFET14〜16を介して前段の昇圧電圧を供給する理由は、N+拡散領域とPウェル間の電圧がPN順方向バイアスになることを防止するためである。N型MOSFET11を例に説明すると、N型MOSFET11のドレインとNウェルに接続されるノード1の電圧振幅は、Vcc〜2Vccである。Pウェル電圧の設定としては、PN順方向バイアスにならないために、Nウェルの電圧より低い電圧である必要がある。Nウェルの電圧振幅もVcc〜2Vccであるのに対し、Pウェルの電圧は上記で説明したように(Vcc−Vth)であることから、PウェルやNウェルの寄生抵抗の有無に拘わらず常にPウェルとNウェル間を逆バイアス状態とする条件を満たすことが可能となる。仮にPウェルをドレインと接続した場合には、図7に示す3重ウェル構造を有するチャージポンプ回路の説明で述べたように、Pウェルの寄生抵抗によりPN順方向バイアスになり昇圧されない可能性がある。また、N型MOSFET11のドレインからダイオードを介してPウェルに電圧供給した場合、つまり、N型MOSFET14のゲートとドレインをノードN1に接続した場合には、Pウェルの電圧は、(2Vcc−Vth)となりNウェル電圧より高くなる可能性があり問題である。当該理由は、他の3重ウェル構造のN型MOSFET12,13についても同様である。
【0048】
N型MOSFET12,13に関しては、前段のポンプセルからの昇圧電圧に限らず、前々段のポンプセルからの昇圧電圧または電源電圧をPウェルへ供給することも可能であるが、基板バイアスが大きくなるため基板バイアス効果の影響を低減する効果は低下する。
【0049】
図10に、本発明回路の昇圧動作における過渡特性と、図4に示す従来のチャージポンプ型の昇圧回路の昇圧動作における過渡特性を、比較して表示する。図10に示す過渡特性は、両回路を同じ条件で回路シミュレーション(過渡解析)した結果を示している。図10より、本発明回路の方が、到達できる最大の昇圧電圧、及び、同じ昇圧電圧に至る昇圧時間の何れも改善されていることが明らかであり、昇圧効率が向上していることが分かる。また、上記説明の通り、3重ウェル構造においてPN順方向バイアスの発生が巧みに回避されており高効率での昇圧が可能となる。
【0050】
本発明回路では、N型MOSFET、特に、昇圧電圧をドレイン側からソース側に伝達するN型MOSFET11〜13に3重ウェル構造のN型MOSFETを使用することから、3重ウェル構造のプロセス開発が必要となる。しかしながら、不揮発性半導体記憶装置の中には、メモリセルの消去動作等に負電圧を必要とするものもあり、負電圧を効率よく伝達するために3重ウェル構造を採用している。例えば、当該不揮発性半導体記憶装置として、サイドウォールメモリがある。サイドウォールメモリは、図11に示すように、半導体層30上にゲート絶縁膜31を介して形成されたゲート電極32と、ゲート電極32下に配置されたチャネル領域33と、チャネル領域33の両側に配置され、チャネル領域33と逆導電型を有する拡散領域34,35と、ゲート電極32の両側または一方側に形成された電荷を保持する機能を有するメモリ機能体36,37からなるメモリセル38を備えた不揮発性半導体記憶装置である。サイドウォールメモリは、そのメモリ機能体のデータ消去時に負電圧を必要とし、負電圧を効率よく伝えるために3重ウェル構造を有するN型MOSFETを採用している。従って、本発明回路をサイドウォールメモリに搭載するには、新たに3重ウェル構造のプロセル開発をする必要もなく都合がよい。
【産業上の利用可能性】
【0051】
本発明に係る昇圧回路は、半導体集積回路装置に使用可能であり、半導体集積回路装置内で使用される高電圧の生成に使用する。特に、3重ウェルを使用する半導体記憶装置に搭載可能である。
【図面の簡単な説明】
【0052】
【図1】本発明に係る昇圧回路の一実施の形態の回路構成を示す回路図
【図2】従来の一般的なチャージポンプ型の昇圧回路の回路構成例を示す回路図
【図3】図2に示す従来の昇圧回路に用いられる入力クロック波形を示す波形図
【図4】従来の一般的なチャージポンプ型の昇圧回路の回路構成例を示す回路図
【図5】図4に示す従来の昇圧回路に用いられる入力クロック波形を示す波形図
【図6】基板バイアスとN型MOSFETの閾値電圧の関係の一例を示す図
【図7】従来の一般的なチャージポンプ型の昇圧回路の回路構成例を示す回路図
【図8】図7に示す従来の昇圧回路に使用される3重ウェル構造を有するN型MOSFETの断面構造及び寄生バイポーラトランジスタを示す素子断面図
【図9】本発明に係る昇圧回路に使用される3重ウェル構造を有するN型MOSFETの断面構造と結線状態を示す素子断面図
【図10】本発明に係る昇圧回路の昇圧動作における過渡特性と、図4に示す従来の昇圧回路の昇圧動作における過渡特性を、比較して表示する特性図
【図11】サイドウォールメモリのメモリセル構造を示す素子断面図
【符号の説明】
【0053】
10〜12: N型MOSFET(第1N型MOSFETに相当)
13: N型MOSFET(第3N型MOSFETに相当)
14,15: N型MOSFET(第2N型MOSFETに相当)
16: N型MOSFET(第4N型MOSFETに相当)
17〜19: N型MOSFET(第5N型MOSFETに相当)
21: N+拡散領域(ソース)
22: N+拡散領域(ドレイン)
23: Pウェル
24: Nウェル
25: P基板
30: 半導体層
31: ゲート絶縁膜
32: ゲート電極
33: チャネル領域
34,35: 拡散領域
36,37: メモリ機能体
38: サイドウォールメモリのメモリセル
100: 本発明に係る昇圧回路
200: 従来のチャージポンプ型の昇圧回路
400: 従来のチャージポンプ型の昇圧回路
500: クロック発生回路
700: 従来のチャージポンプ型の昇圧回路
800: 3重ウェル構造のN型MOSFET
900: 3重ウェル構造のN型MOSFET
B0〜B2: 寄生バイポーラトランジスタ
C1〜C6: キャパシタ
CLK1〜CLK4: クロック信号
N1〜N9: ノード
Vcc: 電源電圧
Vout: 出力電圧(出力端子)
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体集積回路装置に使用されるチャージポンプ型の昇圧回路に関する。
【背景技術】
【0002】
フラッシュEERPOMに代表される不揮発性半導体記憶装置の多くは、データの書き込み・消去を実行する際に電源電圧より高い電圧を必要とする。高電圧を得る方法として、外部より高電圧を供給する手法とチップ内部で昇圧電圧を発生させて高電圧を得る方法がある。近年では、不揮発性半導体記憶装置の単一電源化により、後者のチップ内部で昇圧電圧を発生させる手法が主流となっている。昇圧電圧を発生させるための昇圧回路としては、キャパシタを並列に接続して順次昇圧していくディクソンタイプのチャージポンプ回路が知られている。ディクソンタイプのチャージポンプ回路については、下記の非特許文献1に、詳細な解説がある。
【0003】
図2に、ディクソンタイプの一般的なチャージポンプ回路を示す。図2に示すように、チャージポンプ回路200は、4つのN型MOSFET10〜13と3つのキャパシタC2,C4,C6からなる3段階の昇圧構成を有するチャージポンプ回路である。具体的には、N型MOSFET10のドレインとゲートが電源電圧Vccに接続し、N型MOSFET10のソースがキャパシタC2に接続してノードN1を形成している。N型MOSFET10とキャパシタC2からなる構成を1ユニットとし、チャージポンプ回路の1段目ポンプセルを構成している。
【0004】
2段目ポンプセルは、N型MOSFET11のゲートとドレインが1段目ポンプセルのノードN1に接続し、N型MOSFET11のソースがキャパシタC4に接続してノードN2を形成して構成される。3段目ポンプセルについても同様に、N型MOSFET12のゲートとドレインが2段目ポンプセルのノードN2に接続し、N型MOSFET12のソースがキャパシタC6に接続してノードN3を形成して構成される。N型MOSFET13のゲートとドレインは、3段目ポンプセルのノードN3に接続している。N型MOSFET10〜13は夫々、ゲートとドレインが接続された構成であることから、逆流防止用のダイオード機能を有し、ドレイン側からソース側への一方向のみ電流を流す。
【0005】
更に、キャパシタC2、C6には、クロック信号CLK2が入力信号として接続されており、キャパシタC4には、クロック信号CLK4が接続されている。図3に、クロック信号CLK2とクロック信号CLK4の各タイミング波形を示す。
【0006】
クロック信号CLK2,CLK4は電源電圧Vccを振幅としており、クロック信号CLK2とクロック信号CLK4との出力タイミングは、クロック信号CLK2が電源電圧Vccのとき、クロック信号CLK4は0Vで、クロック信号CLK2が0Vのとき、クロック信号CLK4は電源電圧Vccとなるように、お互いに逆相関係のクロック信号となっている。
【0007】
チャージポンプ回路200の理想状態での動作を説明する。先ず、クロック信号CLK2が0Vの時、電源電圧VccからN型MOSFET10の閾値電圧Vth分だけ低い電圧(Vcc−Vth)が、N型MOSFET10を介してノードN1に充電される。次に、クロック信号CLK2が0Vから電源電圧Vccに上昇することにより、ノードN1の電圧がVcc分だけ昇圧され、(2Vcc―Vth)となる。ノードN1の電圧は、N型MOSFET11を介してノードN2へ転送される。このとき、ノードN2の電圧は、N型MOSFET11の閾値電圧Vthだけの電圧降下により、(2Vcc―2Vth)となる。クロック信号CLK4が0Vから電源電圧Vccに上昇すると、ノードN2の電圧は、Vcc分だけ昇圧され、(3Vcc―2Vth)となる。ノードN3についても同様に変化し、最終的には、出力電圧Voutは、(4Vcc―4Vth)となる。
【0008】
N型MOSFETの閾値電圧Vthは、約0.6Vであることから、閾値電圧による出力電圧の低下(電圧損失)は、2.4Vにもなる。例えば1.8Vの電源電圧を考えたときには、閾値電圧を無視した時にチャージポンプ回路が発生し得る電圧は、7.2V(4Vcc)であるが、実際には、閾値電圧により2.4Vを失うため、閾値電圧による出力電圧の低下分は33%にも及ぶ。
【0009】
この問題を解決するために、N型MOSFETの閾値電圧分の電圧損失を抑えたチャージポンプ回路が知られている。図4に、当該チャージポンプ回路の一構成例を示す。
【0010】
図4に示すように、当該チャージポンプ回路400は、図2に示すチャージポンプ回路200の1段目のポンプセルに対して、N型MOSFET17とキャパシタC1を、2段目のポンプセルに対して、N型MOSFET18とキャパシタC3を、3段目のポンプセルに対して、N型MOSFET19とキャパシタC5を、夫々追加した構成となっている。
【0011】
1段目ポンプセルでは、N型MOSFET10のドレインとN型MOSFET17の各ドレインが電源電圧Vccに接続し、N型MOSFET10のソースがN型MOSFET17のゲートとキャパシタC2に接続してノードN1を形成し、N型MOSFET17のソースが、N型MOSFET10のゲート及びキャパシタC1に接続しノードN4を形成している。
【0012】
2段目ポンプセルでは、N型MOSFET11のドレインとN型MOSFET18の各ドレインが1段目ポンプセルのノードN1に接続し、N型MOSFET11のソースがN型MOSFET18のゲートとキャパシタC4に接続してノードN2を形成し、N型MOSFET18のソースが、N型MOSFET11のゲート及びキャパシタC3に接続しノードN5を形成している。
【0013】
3段目ポンプセルでは、N型MOSFET12のドレインとN型MOSFET19の各ドレインが2段目ポンプセルのノードN2に接続し、N型MOSFET12のソースがN型MOSFET19のゲートとキャパシタC6に接続してノードN3を形成し、N型MOSFET19のソースが、N型MOSFET12のゲート及びキャパシタC5に接続しノードN6を形成している。N型MOSFET13のゲートとドレインは、3段目ポンプセルのノードN3に接続している。
【0014】
このようにポンプセルの繰り返し構成により昇圧回路は構成されており、必要とする出力電圧に応じたポンプセル段数を決定し、最終段のポンプセルの出力には、逆流防止用のダイオードとしてドレインとゲートを接続したN型MOSFETを接続する。
【0015】
次に、図4に示す構成のチャージポンプ回路における昇圧電圧を得る動作について説明する。図5に、クロック発生回路500より生成されたクロック信号CLK1〜4のタイミング波形を示す。先ず、クロック信号CLK3を立ち下げることにより、N型MOSFET11をオフ状態にする。次に、クロック信号CLK4を立ち上げることにより、N型MOSFET18のゲート電圧を昇圧し、N型MOSFET11のゲートに電荷を供給する。次に、クロック信号CLK2を立ち下げることにより、N型MOSFET17をオフ状態にし、クロック信号CLK1を立ち上げることで、N型MOSFET10のゲート電圧を(Vcc+Vth)以上に昇圧し、N型MOSFET10を介してノードN1に電源電圧Vccを供給する。更に、クロック信号CLK1を立ち下げることにより、N型MOSFET10をオフ状態にし、クロック信号CLK2を立ち上げることで、ノードN1を昇圧する。
【0016】
その後、クロック信号CLK4を立ち下げ、クロック信号CLK3を立ち上げることで、ノードN1の昇圧電圧が、次段のノードN2へ閾値電圧による電圧降下なしに伝達される。以上の動作が繰り返されることにより、最終段のポンプセルにおいて所望の電圧を得ることが可能である。理想状態おいては、1段目ポンプセルでノードN1の電圧をN型MOSFETの閾値電圧分の電圧降下を伴わずに、電源電圧Vccの2倍の電圧(2Vcc)へ昇圧する。更に、2段目ポンプセルでノードN2の電圧を電源電圧Vccの3倍の電圧(3Vcc)、3段目ポンプセルでノードN3の電圧を電源電圧Vccの4倍の(4Vcc)へと順に昇圧させていく。
【0017】
以上の説明において、N型MOSFETの閾値電圧は、約0.6V程度で一定であることを前提にしたが、実際のN型MOSFETの閾値電圧は、ソースと基板間の電圧(基板バイアス)によって変動する。これは、基板バイアスが増大すると基板の空乏層が広がりイオン化したドナーが増大し、同一のチャネル電荷を誘起するのに余分なゲート電界が必要となるため、ゲート閾値電圧が増大する現象であり、基板バイアス効果として周知である。
【0018】
図6に、基板バイアスとN型MOSFETの閾値電圧の関係をグラフで表示する。尚、閾値電圧は、ゲート酸化膜厚やシリコン基板濃度等によっても変化するため、図6に示す関係はその一例である。図6において、横軸は基板バイアスVbsの1/2乗であり、縦軸は閾値電圧Vthである。図6より、基板バイアスVbsの増加に伴って、閾値電圧Vthの上昇することが分かる。
【0019】
ところで、不揮発性半導体記憶装置の動作において、10V前後の昇圧電圧を利用する場合がある。チャージポンプ回路が10Vの電圧を出力する場合を考えると、基板バイアス効果によるN型MOSFETの閾値電圧変動は、図6より2V以上となることが分かる。
【0020】
基板バイアス効果の影響を低減するために、3重ウェル構造を有するチャージポンプ回路が、下記の特許文献1において提案されている。当該チャージポンプ回路700を図7に示す。ここで、図4で示すチャージポンプ回路400との違いは、N型MOSFET10〜13,17〜19を夫々3重ウェル構造のN型MOSFETに変更している点である。3重ウェル構造を有したN型MOSFETのPウェルとNウェルは、ともに同じN型MOSFETのドレインに接続されているため、ドレインに接続されるノードが昇圧された場合、PウェルとNウェルの電圧も同時に昇圧され、Pウェルとソース間の基板バイアス電圧が緩和される構造となっている。
【0021】
【特許文献1】特開平11−283392号公報
【非特許文献1】Jieh−Tsorng,“MOS Charge Pumps for Low−Voltage Operation” IEEE JOURNAL OF SOLID−STATE CIRCUITS,VOL.33,NO.4,pp.592−597,1998年4月
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0022】
しかしながら、図7に示す3重ウェル構造を有するチャージポンプ回路では、N型MOSFETのドレイン、Pウェル及びNウェルが同一ノードに接続されているために、昇圧されにくい可能性がある。当該可能性につき図8を参照して説明する。図8では、説明の簡単のために、N型MOSFET11を例に、3重ウェル構造のN型MOSFET800の素子断面構造を示している。3重ウェル構造は、N+拡散領域21,22、Pウェル23、Nウェル24、P基板25からなるが、B0で示すPNPバイポーラトランジスタや、B1で示すNPNバイポーラトランジスタといった寄生素子が、同一基板上に副次的に形成される。
【0023】
ドレイン(N+拡散領域)22、Pウェル23、Nウェル24は、夫々同一ノードN1に接続されているが、実際には、Pウェル23、Nウェル24は、N+拡散領域に比べて面積(体積)が大きく寄生抵抗が発生する。例えば、Pウェルの寄生抵抗が、Nウェルの寄生抵抗より大きい場合、ノードN1はキャパシタにより昇圧され、Vcc〜2Vccの間で電圧変化を繰り返しているが、ノードN1の電圧が2VccからVccに下がる時に、Pウェルの寄生抵抗の影響により当該電圧低下がPウェル全体に伝達するのが遅延し、Nウェルの電圧が先に低下する。このときに、(Pウェル電圧>Nウェル電圧)のPN順方向バイアスとなり、更に高い昇圧電圧で電圧変化しているノードN2と接続しているソース(N+拡散領域)21との間で、NPNバイポーラアクションが生じ、寄生NPNバイポーラトランジスタB1がオンして、ノードN2が前段のノードN1と導通する。これにより昇圧されたノードN2の電圧が低下するという問題があった。
【0024】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板バイアス効果を低減し、3重ウェル構造におけるPN順方向バイアスによる昇圧電圧の電圧損失を回避可能な高効率の昇圧回路を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【0025】
上記目的を達成するための本発明に係る昇圧回路は、ドレイン側からソース側に電流供給する第1N型MOSFETと、前記第1N型MOSFETのソース側に接続するクロック信号により駆動される昇圧用キャパシタと、を少なくとも備えてなるポンプセルを、前記第1N型MOSFETのソースを次段の前記第1N型MOSFETのドレインに接続して複数段備え、初段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETのドレインに入力した正電圧を、前記複数段のポンプセルにより昇圧して出力する昇圧回路であって、2段目以降の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETが、ドレイン及びソースが独立したPウェル内に各別に形成されるとともに、前記独立したPウェルが独立したNウェル内に各別に形成される3重ウェル構造のN型MOSFETであり、2段目以降の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETの前記Nウェルが、前記第1N型MOSFETのドレインと各別に接続し、2段目以降の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETの前記Pウェルが、ゲートとドレインが接続した第2N型MOSFETを各別に介して、前段の前記第1N型MOSFETのドレインと接続していることを特徴とする。
【0026】
上記特徴によれば、前段のポンプセルの昇圧された電圧が、第2N型MOSFETの閾値電圧分だけ電圧降下して第1N型MOSFETのPウェルに供給されるため、第1N型MOSFETの基板バイアス効果を抑制できるとともに、3重ウェル構造の第1N型MOSFETのPウェルとNウェル間で順方向バイアスとなることが回避できるため、高効率な昇圧動作が可能な昇圧回路が実現できる。
【0027】
本発明に係る昇圧回路は、更に、最終段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETのソースが、ゲートとドレインが接続した第3N型MOSFETのドレインに接続し、前記第3N型MOSFETが、独立したPウェル内に形成されるとともに、前記独立したPウェルが独立したNウェル内に形成される3重ウェル構造を有し、前記第3N型MOSFETの前記Nウェルが、前記第3N型MOSFETのドレインと接続し、前記第3N型MOSFETの前記Pウェルが、ゲートとドレインが接続した第4N型MOSFETを介して、最終段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETのドレインと接続していることを特徴とする。
【0028】
上記特徴によれば、最終段の前記ポンプセルの昇圧電圧を、逆流防止機能を有する第3N型MOSFETを介して出力する際に、第3N型MOSFETの基板バイアス効果を抑制できるとともに、3重ウェル構造の第3N型MOSFETのPウェルとNウェル間で順方向バイアスとなることが回避できるため、第3N型MOSFETに起因する出力電圧の電圧損失を回避できる。
【0029】
本発明に係る昇圧回路は、更に、前記第2N型MOSFETが独立したNウェルを備えない素子構造であること、前記第4N型MOSFETが独立したNウェルを備えない素子構造であること、或いは、初段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETが独立したNウェルを備えない素子構造であることを特徴とする。
【0030】
上記特徴により、基板バイアス効果の少ないN型MOSFETの素子構造を簡略化することで、昇圧回路全体の構成を簡素化でき、回路面積の削減が可能となる。
【0031】
本発明に係る昇圧回路は、更に、前記ポンプセルが、ドレインが前記第1N型MOSFETのドレインと接続し、ソースが前記第1N型MOSFETのゲートと接続し、ゲートが前記第1N型MOSFETのソースと接続する第5N型MOSFETと、前記第1N型MOSFETのゲートと接続し、前記昇圧用キャパシタとは別のクロック信号により駆動される第2の昇圧用キャパシタと、を各別に備えることを特徴とする。
【0032】
上記特徴により、第1N型MOSFETの基板バイアス効果が更に抑制でき、高効率な昇圧動作が可能な昇圧回路が実現できる。
【0033】
本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルの情報を書き換えるために負電圧を必要とし、前記負電圧を伝達するために3重ウェル構造のN型MOSFETを備えた回路を有し、上記何れかの特徴の本発明に係る昇圧回路を備えることを特徴とする。
【0034】
更に、本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、前記メモリセルが、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に配置され、前記チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、前記ゲート電極の少なくとも一方側に形成された電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなることを特徴とする。
【発明の効果】
【0035】
以上説明したように、本発明によれば、基板バイアス効果の影響を低減し、3重ウェル構造のN型MOSFETの使用に伴うPN順方向バイアスによる電圧損失をなくすことで、従来のチャージポンプ型の昇圧回路と比べて、より高い電圧を効率的に発生させることが可能となる。
【0036】
更に、より高電圧を効率的に発生させることにより、従来の昇圧回路に比べてポンプセルの構成段数を減少させることが可能となるため、回路面積の削減に繋がり、コストダウンを実現できる。また、ポンプセルの段数を減らすことは駆動するキャパシタの数が低減されるので、キャパシタの駆動に必要であったクロック信号の充放電電流の低減でき、昇圧回路の消費電流の低減が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0037】
以下、本発明に係る昇圧回路(以下、適宜「本発明回路」と略称する)の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、本発明回路の説明に使用する図面において、従来の昇圧回路と共通或いは対応する構成要素には共通の符号を付して説明する。
【0038】
図1に、本発明回路100の一実施形態における回路構成を示す。本発明回路100は、図4に示す従来のチャージポンプ型の昇圧回路と同様に、3段のポンプセルと出力段の逆流防止用のN型MOSFET13(第3N型MOSFETに相当)を備えた構成となっている。尚、ポンプセルの段数は、3段に限定されるものではなく、入力電圧と出力電圧の関係で適宜変更可能である。
【0039】
図1に示すように、本発明回路100の1段目ポンプセルにおいて、N型MOSFET10(第1N型MOSFETに相当)のドレインとN型MOSFET17(第5N型MOSFETに相当)の各ドレインが電源電圧Vccに接続し、N型MOSFET10のソースがN型MOSFET17のゲートとキャパシタC2の一方端に接続してノードN1を形成し、N型MOSFET17のソースが、N型MOSFET10のゲート及びキャパシタC1の一方端に接続しノードN4を形成している。2段目ポンプセルにおいて、N型MOSFET11(第1N型MOSFETに相当)のドレインとN型MOSFET18(第5N型MOSFETに相当)の各ドレインが1段目ポンプセルのノードN1に接続し、N型MOSFET11のソースがN型MOSFET18のゲートとキャパシタC4の一方端に接続してノードN2を形成し、N型MOSFET18のソースが、N型MOSFET11のゲート及びキャパシタC3の一方端に接続しノードN5を形成している。3段目ポンプセルでは、N型MOSFET12(第1N型MOSFETに相当)のドレインとN型MOSFET19(第5N型MOSFETに相当)の各ドレインが2段目ポンプセルのノードN2に接続し、N型MOSFET12のソースがN型MOSFET19のゲートとキャパシタC6の一方端に接続してノードN3を形成し、N型MOSFET19のソースが、N型MOSFET12のゲート及びキャパシタC5の一方端に接続しノードN6を形成している。更に、出力段のN型MOSFET13のゲートとドレインは、3段目ポンプセルのノードN3に接続している。N型MOSFET13のソースは出力端子Voutに接続している。以上の3段のポンプセルと出力段のN型MOSFET13の接続関係は、図4に示す従来のチャージポンプ型の昇圧回路と同じである。
【0040】
本実施形態では、2段目と3段目のポンプセルのN型MOSFET11,12と出力段のN型MOSFET13が、3重ウェル構造のN型MOSFETであることを特徴とする。つまり、N型MOSFET11〜13のソース及びドレインのN+拡散領域は、夫々独立したPウェル内に形成され、更に、その独立したPウェルが独立したNウェル内に形成された構造となっている。3重ウェル構造のN型MOSFET11〜13の各Nウェルは、夫々のドレインと各別に接続している。
【0041】
更に、本実施形態では、3重ウェル構造のN型MOSFET11〜13のPウェルに各別に所定の電圧を供給するためのN型MOSFET14,15(第2N型MOSFETに相当)及びN型MOSFET16(第4N型MOSFETに相当)を備えることを特徴とする。N型MOSFET14〜16は、夫々ドレインとゲートが接続し、ドレイン側からソース側に電流供給するダイオードとして機能する。N型MOSFET14のドレインとゲートが電源電圧Vccに接続し、N型MOSFET14のソースがノードN7を介してN型MOSFET11のPウェルに接続している。N型MOSFET15のドレインとゲートが1段目のポンプセルのノードN1に接続し、N型MOSFET15のソースがノードN8を介してN型MOSFET12のPウェルに接続している。N型MOSFET16のドレインとゲートが2段目のポンプセルのノードN2に接続し、N型MOSFET16のソースがノードN9を介してN型MOSFET13のPウェルに接続している。本実施形態では、ダイオード接続したN型MOSFET14〜16を介して、前段からの電圧がN型MOSFETの閾値電圧分低下して、3重ウェル構造のN型MOSFET11〜13の各Pウェルに供給されることが重要で、これにより、N型MOSFET11〜13の各PウェルとNウェル間で一時的にもPN順方向バイアス状態となるのを回避できる。
【0042】
尚、1段目のポンプセルのN型MOSFET10に関しては、3重ウェル構造である必要はなく、回路面積削減の観点より、P基板とN+拡散からなる通常のN型MOSFETである方が望ましい。また、同様の理由から、N型MOSFET14〜16、及び、各段のポンプセルのN型MOSFET17〜19についても、独立したPウェルとNウェルを各別に備えた3重ウェル構造のN型MOSFETである必要はなく、P基板とN+拡散からなる通常のN型MOSFETである方が望ましい。或いは、N型MOSFET11〜13以外の1段目のポンプセルのN型MOSFET10、N型MOSFET14〜16、及び、各段のポンプセルのN型MOSFET17〜19を3重ウェル構造のN型MOSFETとした場合において、各N型MOSFET10,14〜19のPウェル及びNウェルを共通にすることでも回路面積削減が図れる。
【0043】
次に、本実施形態における3重ウェル構造を有するN型MOSFET900について、N型MOSFET11を例に、図9の素子断面図を参照して説明する。P基板25上にNウェル24が形成され、Nウェル24内にPウェル23が形成されており、更に、Pウェル23内にドレイン及びソースとなるN+拡散領域21,22が形成されている。N型MOSFET11のドレインであるN+拡散領域22とNウェル24はノードN1を介して接続され、N型MOSFET11のソースであるN+拡散領域21はノードN2に接続される。また、N型MOSFET11のゲートはキャパシタC3にノードN5を介して結線され、Pウェル23はノードN7に接続される。ソースとなるN+拡散領域21とPウェル23間の電位差が、N型MOSFET11に対する基板バイアスとなる。つまり、Pウェル23をグランドレベル(0V)に接地した時が最大の基板バイアスとなり、N型MOSFET11の閾値電圧が上がってしまう。
【0044】
次に、図1に示す構成の本発明回路100において、入力電圧である電源電圧Vccから昇圧電圧Voutを得る動作について説明する。本発明回路100では、図4に示す従来のチャージポンプ型の昇圧回路と同様に、クロック発生回路500で生成される4種類のクロック信号CLK1〜4(図5参照)を使用する。ここで、クロック信号CLK1は、1段目と3段目のポンプセルのキャパシタC1,C5の他方端に入力し、クロック信号CLK2は、1段目と3段目のポンプセルのキャパシタC2,C6の他方端に入力し、クロック信号CLK3は、2段目のポンプセルのキャパシタC3の他方端に入力し、クロック信号CLK4は、2段目のポンプセルのキャパシタC4の他方端に入力する。
【0045】
先ず、クロック信号CLK3を立ち下げることにより、N型MOSFET11をオフ状態にする。次に、クロック信号CLK4を立ち上げることにより、N型MOSFET18のゲート電圧を昇圧し、N型MOSFET11のゲートに電荷を供給する。次に、クロック信号CLK2を下げることにより、N型MOSFET17をオフ状態にし、クロック信号CLK1を立ち上げることで、N型MOSFET10のゲート電圧を(Vcc+Vth)以上に昇圧し、N型MOSFET10を介してノードN1に電源電圧Vccを供給する。更に、クロック信号CLK1を立ち下げることにより、N型MOSFET10をオフ状態にし、クロック信号CLK2を立ち上げることで、ノードN1を昇圧する。その後、クロック信号CLK4を立ち下げ、クロック信号CLK3を立ち上げることで、ノードN1の昇圧電圧が、次段のノードN2へ閾値電圧による電圧降下なしに伝達される。以上の動作が繰り返されることにより、ポンプセル毎に理想状態で電源電圧Vcc分の昇圧動作が行われる。
【0046】
ここで、理想状態で電源電圧Vccの2倍の電圧(2Vcc)まで昇圧されたノードN1の電圧を、N型MOSFET11を介してノードN2へ伝達するが、このとき、N型MOSFET11に掛かる基板バイアスの影響を受ける。本実施形態では、N型MOSFET11のPウェルの電圧を、N型MOSFET14を介して電源電圧Vccから供給することにより、Pウェル・ソース間の基板バイアスを緩和させる。具体的には、N型MOSFET14は、ゲートとドレインが接続されたことにより、ダイオードの機能を発揮することから、電源電圧VccからN型MOSFET14の閾値電圧分低下した電圧である(Vcc−Vth)がノードN7に供給される。これにより、N型MOSFET11の基板バイアスが(Vcc+Vth)以下となるため、基板バイアス効果による閾値電圧の上昇を低減できる。同様に、ノードN3には、理想状態で電源電圧Vccの3倍の電圧(3Vcc)まで昇圧されたノードN2の電圧が伝達され、このときのN型MOSFET12も基板バイアスの影響を受けるが、本実施形態では、N型MOSFET12のPウェルの電圧の電圧に、ノードN2より前段の昇圧電圧であるノードN1の電圧を、N型MOSFET15を介して供給することにより、N型MOSFET12の基板バイアスを(Vcc+Vth)以下にすることで基板バイアス効果を緩和させる。また、本発明回路100の最終段に配置され、逆流防止用のダイオードとして機能するN型MOSFET13についても、ノードN3より前段の昇圧電圧であるノードN2を、N型MOSFET16を介してN型MOSFET13のPウェルに供給することにより、N型MOSFET13の基板バイアスを緩和させる。
【0047】
本実施形態において、3重ウェル構造のN型MOSFET11〜13の各Pウェルに、N型MOSFET14〜16を介して前段の昇圧電圧を供給する理由は、N+拡散領域とPウェル間の電圧がPN順方向バイアスになることを防止するためである。N型MOSFET11を例に説明すると、N型MOSFET11のドレインとNウェルに接続されるノード1の電圧振幅は、Vcc〜2Vccである。Pウェル電圧の設定としては、PN順方向バイアスにならないために、Nウェルの電圧より低い電圧である必要がある。Nウェルの電圧振幅もVcc〜2Vccであるのに対し、Pウェルの電圧は上記で説明したように(Vcc−Vth)であることから、PウェルやNウェルの寄生抵抗の有無に拘わらず常にPウェルとNウェル間を逆バイアス状態とする条件を満たすことが可能となる。仮にPウェルをドレインと接続した場合には、図7に示す3重ウェル構造を有するチャージポンプ回路の説明で述べたように、Pウェルの寄生抵抗によりPN順方向バイアスになり昇圧されない可能性がある。また、N型MOSFET11のドレインからダイオードを介してPウェルに電圧供給した場合、つまり、N型MOSFET14のゲートとドレインをノードN1に接続した場合には、Pウェルの電圧は、(2Vcc−Vth)となりNウェル電圧より高くなる可能性があり問題である。当該理由は、他の3重ウェル構造のN型MOSFET12,13についても同様である。
【0048】
N型MOSFET12,13に関しては、前段のポンプセルからの昇圧電圧に限らず、前々段のポンプセルからの昇圧電圧または電源電圧をPウェルへ供給することも可能であるが、基板バイアスが大きくなるため基板バイアス効果の影響を低減する効果は低下する。
【0049】
図10に、本発明回路の昇圧動作における過渡特性と、図4に示す従来のチャージポンプ型の昇圧回路の昇圧動作における過渡特性を、比較して表示する。図10に示す過渡特性は、両回路を同じ条件で回路シミュレーション(過渡解析)した結果を示している。図10より、本発明回路の方が、到達できる最大の昇圧電圧、及び、同じ昇圧電圧に至る昇圧時間の何れも改善されていることが明らかであり、昇圧効率が向上していることが分かる。また、上記説明の通り、3重ウェル構造においてPN順方向バイアスの発生が巧みに回避されており高効率での昇圧が可能となる。
【0050】
本発明回路では、N型MOSFET、特に、昇圧電圧をドレイン側からソース側に伝達するN型MOSFET11〜13に3重ウェル構造のN型MOSFETを使用することから、3重ウェル構造のプロセス開発が必要となる。しかしながら、不揮発性半導体記憶装置の中には、メモリセルの消去動作等に負電圧を必要とするものもあり、負電圧を効率よく伝達するために3重ウェル構造を採用している。例えば、当該不揮発性半導体記憶装置として、サイドウォールメモリがある。サイドウォールメモリは、図11に示すように、半導体層30上にゲート絶縁膜31を介して形成されたゲート電極32と、ゲート電極32下に配置されたチャネル領域33と、チャネル領域33の両側に配置され、チャネル領域33と逆導電型を有する拡散領域34,35と、ゲート電極32の両側または一方側に形成された電荷を保持する機能を有するメモリ機能体36,37からなるメモリセル38を備えた不揮発性半導体記憶装置である。サイドウォールメモリは、そのメモリ機能体のデータ消去時に負電圧を必要とし、負電圧を効率よく伝えるために3重ウェル構造を有するN型MOSFETを採用している。従って、本発明回路をサイドウォールメモリに搭載するには、新たに3重ウェル構造のプロセル開発をする必要もなく都合がよい。
【産業上の利用可能性】
【0051】
本発明に係る昇圧回路は、半導体集積回路装置に使用可能であり、半導体集積回路装置内で使用される高電圧の生成に使用する。特に、3重ウェルを使用する半導体記憶装置に搭載可能である。
【図面の簡単な説明】
【0052】
【図1】本発明に係る昇圧回路の一実施の形態の回路構成を示す回路図
【図2】従来の一般的なチャージポンプ型の昇圧回路の回路構成例を示す回路図
【図3】図2に示す従来の昇圧回路に用いられる入力クロック波形を示す波形図
【図4】従来の一般的なチャージポンプ型の昇圧回路の回路構成例を示す回路図
【図5】図4に示す従来の昇圧回路に用いられる入力クロック波形を示す波形図
【図6】基板バイアスとN型MOSFETの閾値電圧の関係の一例を示す図
【図7】従来の一般的なチャージポンプ型の昇圧回路の回路構成例を示す回路図
【図8】図7に示す従来の昇圧回路に使用される3重ウェル構造を有するN型MOSFETの断面構造及び寄生バイポーラトランジスタを示す素子断面図
【図9】本発明に係る昇圧回路に使用される3重ウェル構造を有するN型MOSFETの断面構造と結線状態を示す素子断面図
【図10】本発明に係る昇圧回路の昇圧動作における過渡特性と、図4に示す従来の昇圧回路の昇圧動作における過渡特性を、比較して表示する特性図
【図11】サイドウォールメモリのメモリセル構造を示す素子断面図
【符号の説明】
【0053】
10〜12: N型MOSFET(第1N型MOSFETに相当)
13: N型MOSFET(第3N型MOSFETに相当)
14,15: N型MOSFET(第2N型MOSFETに相当)
16: N型MOSFET(第4N型MOSFETに相当)
17〜19: N型MOSFET(第5N型MOSFETに相当)
21: N+拡散領域(ソース)
22: N+拡散領域(ドレイン)
23: Pウェル
24: Nウェル
25: P基板
30: 半導体層
31: ゲート絶縁膜
32: ゲート電極
33: チャネル領域
34,35: 拡散領域
36,37: メモリ機能体
38: サイドウォールメモリのメモリセル
100: 本発明に係る昇圧回路
200: 従来のチャージポンプ型の昇圧回路
400: 従来のチャージポンプ型の昇圧回路
500: クロック発生回路
700: 従来のチャージポンプ型の昇圧回路
800: 3重ウェル構造のN型MOSFET
900: 3重ウェル構造のN型MOSFET
B0〜B2: 寄生バイポーラトランジスタ
C1〜C6: キャパシタ
CLK1〜CLK4: クロック信号
N1〜N9: ノード
Vcc: 電源電圧
Vout: 出力電圧(出力端子)
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ドレイン側からソース側に電流供給する第1N型MOSFETと、前記第1N型MOSFETのソース側に接続するクロック信号により駆動される昇圧用キャパシタと、を少なくとも備えてなるポンプセルを、前記第1N型MOSFETのソースを次段の前記第1N型MOSFETのドレインに接続して複数段備え、初段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETのドレインに入力した正電圧を、前記複数段のポンプセルにより昇圧して出力する昇圧回路であって、
2段目以降の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETが、ドレイン及びソースが独立したPウェル内に各別に形成されるとともに、前記独立したPウェルが独立したNウェル内に各別に形成される3重ウェル構造のN型MOSFETであり、
2段目以降の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETの前記Nウェルが、前記第1N型MOSFETのドレインと各別に接続し、
2段目以降の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETの前記Pウェルが、ゲートとドレインが接続した第2N型MOSFETを各別に介して、前段の前記第1N型MOSFETのドレインと接続していることを特徴とする昇圧回路。
【請求項2】
前記第2N型MOSFETは、独立したNウェルを備えない素子構造であることを特徴とする請求項1に記載の昇圧回路。
【請求項3】
最終段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETのソースが、ゲートとドレインが接続した第3N型MOSFETのドレインに接続し、
前記第3N型MOSFETが、独立したPウェル内に形成されるとともに、前記独立したPウェルが独立したNウェル内に形成される3重ウェル構造を有し、
前記第3N型MOSFETの前記Nウェルが、前記第3N型MOSFETのドレインと接続し、
前記第3N型MOSFETの前記Pウェルが、ゲートとドレインが接続した第4N型MOSFETを介して、最終段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETのドレインと接続していることを特徴とする請求項1または2に記載の昇圧回路。
【請求項4】
前記第4N型MOSFETは、独立したNウェルを備えない素子構造であることを特徴とする請求項3に記載の昇圧回路。
【請求項5】
初段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETは、独立したNウェルを備えない素子構造であることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の昇圧回路。
【請求項6】
前記ポンプセルは、ドレインが前記第1N型MOSFETのドレインと接続し、ソースが前記第1N型MOSFETのゲートと接続し、ゲートが前記第1N型MOSFETのソースと接続する第5N型MOSFETと、前記第1N型MOSFETのゲートと接続し、前記昇圧用キャパシタとは別のクロック信号により駆動される第2の昇圧用キャパシタと、を各別に備えることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の昇圧回路。
【請求項7】
メモリセルの情報を書き換えるために負電圧を必要とし、前記負電圧を伝達するために3重ウェル構造のN型MOSFETを備えた回路を有する不揮発性半導体記憶装置であって、
請求項1〜6の何れか1項に記載の昇圧回路を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項8】
前記メモリセルが、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に配置され、前記チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、前記ゲート電極の少なくとも一方側に形成された電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項1】
ドレイン側からソース側に電流供給する第1N型MOSFETと、前記第1N型MOSFETのソース側に接続するクロック信号により駆動される昇圧用キャパシタと、を少なくとも備えてなるポンプセルを、前記第1N型MOSFETのソースを次段の前記第1N型MOSFETのドレインに接続して複数段備え、初段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETのドレインに入力した正電圧を、前記複数段のポンプセルにより昇圧して出力する昇圧回路であって、
2段目以降の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETが、ドレイン及びソースが独立したPウェル内に各別に形成されるとともに、前記独立したPウェルが独立したNウェル内に各別に形成される3重ウェル構造のN型MOSFETであり、
2段目以降の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETの前記Nウェルが、前記第1N型MOSFETのドレインと各別に接続し、
2段目以降の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETの前記Pウェルが、ゲートとドレインが接続した第2N型MOSFETを各別に介して、前段の前記第1N型MOSFETのドレインと接続していることを特徴とする昇圧回路。
【請求項2】
前記第2N型MOSFETは、独立したNウェルを備えない素子構造であることを特徴とする請求項1に記載の昇圧回路。
【請求項3】
最終段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETのソースが、ゲートとドレインが接続した第3N型MOSFETのドレインに接続し、
前記第3N型MOSFETが、独立したPウェル内に形成されるとともに、前記独立したPウェルが独立したNウェル内に形成される3重ウェル構造を有し、
前記第3N型MOSFETの前記Nウェルが、前記第3N型MOSFETのドレインと接続し、
前記第3N型MOSFETの前記Pウェルが、ゲートとドレインが接続した第4N型MOSFETを介して、最終段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETのドレインと接続していることを特徴とする請求項1または2に記載の昇圧回路。
【請求項4】
前記第4N型MOSFETは、独立したNウェルを備えない素子構造であることを特徴とする請求項3に記載の昇圧回路。
【請求項5】
初段の前記ポンプセルの前記第1N型MOSFETは、独立したNウェルを備えない素子構造であることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の昇圧回路。
【請求項6】
前記ポンプセルは、ドレインが前記第1N型MOSFETのドレインと接続し、ソースが前記第1N型MOSFETのゲートと接続し、ゲートが前記第1N型MOSFETのソースと接続する第5N型MOSFETと、前記第1N型MOSFETのゲートと接続し、前記昇圧用キャパシタとは別のクロック信号により駆動される第2の昇圧用キャパシタと、を各別に備えることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の昇圧回路。
【請求項7】
メモリセルの情報を書き換えるために負電圧を必要とし、前記負電圧を伝達するために3重ウェル構造のN型MOSFETを備えた回路を有する不揮発性半導体記憶装置であって、
請求項1〜6の何れか1項に記載の昇圧回路を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項8】
前記メモリセルが、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に配置され、前記チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、前記ゲート電極の少なくとも一方側に形成された電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2006−319056(P2006−319056A)
【公開日】平成18年11月24日(2006.11.24)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−138783(P2005−138783)
【出願日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【出願人】(000005049)シャープ株式会社 (33,933)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年11月24日(2006.11.24)
【国際特許分類】
【出願日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【出願人】(000005049)シャープ株式会社 (33,933)
【Fターム(参考)】
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