塗布装置及び塗布方法
【課題】均一な浮上量で基板を浮上させること。
【解決手段】所定領域に液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、前記所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送部と、少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整部とを備える。
【解決手段】所定領域に液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、前記所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送部と、少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整部とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布装置及び塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイなどの表示パネルを構成するガラス基板上には、配線パターンや電極パターンなどの微細なパターンが形成されている。一般的にこのようなパターンは、例えばフォトリソグラフィなどの手法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、ガラス基板上にレジスト膜を形成する工程、このレジスト膜をパターン露光する工程、その後に当該レジスト膜を現像する工程がそれぞれ行われる。
【０００３】
基板の表面上にレジスト膜を塗布する装置として、スリットノズルを固定し、当該スリットノズルの下を移動するガラス基板にレジストを塗布する塗布装置が知られている。その中でも、基板を浮上させて移動させる塗布装置が知られている。浮上型の塗布装置としては、例えば基板の端部を保持して移動させる構成が知られている。基板上に厚さが均一になるようにレジストを塗布するためには、基板の被処理面とレジストを吐出するノズル先端との間の距離を一定に保つ必要がある。このため、基板を均一な浮上量で浮上させる必要があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−８８２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板のうち例えば端部は、保持力が働いたり、基板の大きさによる撓みが発生したりする場合があるため、当該基板の端部の浮上量が当該基板の他の部分の浮上量とは異なる場合があった。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明は、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能な塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る塗布装置は、所定領域に液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、前記所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送部と、少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整部とを備えることを特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、ノズルから液状体が吐出される所定領域において、基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整部を有するため、基板の端部の浮上量を他の部分の浮上量と等しくなるように調整することができる。これにより、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。
【０００９】
上記の塗布装置は、前記端部の浮上量を検出する検出部と、前記検出部の検出結果に基づいて前記調整部による調整量を制御する調整量制御部とを更に備えることを特徴とする。
このような構成によれば、端部の浮上量を検出し、検出結果に基づいて調整部による調整量を制御することができるため、基板の浮上量を精密に調整することができる。
【００１０】
上記の塗布装置は、前記検出部は、前記ノズルに設けられていることを特徴とする。
このような構成によれば、検出部がノズルに設けられているため、ノズルを基準としたときの検出結果を得ることができる。これにより、基板に対する液状体の吐出位置での浮上量を精密に調整することができる。
【００１１】
上記の塗布装置は、前記検出部は、前記端部に向けて配置されたセンサを有することを特徴とする。
このような構成によれば、端部に向けて配置されたセンサを用いることで、基板の浮上量を精密に検出することができる。
【００１２】
上記の塗布装置は、前記センサは、複数設けられ、複数の前記センサは、前記基板搬送方向に直交する方向の両方の前記端部に対応する位置に配置されていることを特徴とする。
このような構成によれば、複数のセンサが基板搬送方向に直交する方向の両方の端部に対応する位置に配置されているので、基板の浮上量を精密に検出することができる。
【００１３】
上記の塗布装置は、前記基板搬送部は、前記基板を搬送する搬送部を有し、前記搬送部は、前記端部の少なくとも一部を保持する基板保持部を有することを特徴とする。
このような構成によれば、基板保持部によって基板の端部の少なくとも一部を保持される場合であっても、基板の端部の浮上量を他の部分の浮上量と等しくなるように調整することができる。これにより、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。
【００１４】
上記の塗布装置は、前記基板に気体を噴出する気体噴出部を更に備え、前記調整部は、前記端部への前記気体の噴出量を調整する噴出量調整部を有することを特徴とする。
このような構成によれば、調整部が、端部への気体の噴出量を調整することにより、基板の端部の浮上量を精密に調整することができる。
【００１５】
上記の塗布装置は、前記基板搬送部上を吸引する吸引部を更に備え、前記調整部は、前記端部に対応する部分の吸引量を調整する吸引量調整部を有することを特徴とする。
このような構成によれば、調整部が、端部に対応する部分の吸引量を調整することにより、基板の端部の浮上量を精密に調整することができる。
【００１６】
本発明に係る塗布方法は、所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送ステップと、前記所定領域を通過する前記基板に液状体を吐出する塗布ステップと、少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整ステップとを含むことを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、ノズルから液状体が吐出される所定領域において、基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量が調整されるので、基板の端部の浮上量を他の部分の浮上量と等しくなるように調整されることになる。これにより、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。
【００１８】
上記の塗布方法は、前記端部の浮上量を検出する検出ステップと、前記検出ステップでの検出結果に基づいて前記調整ステップにおける調整量を制御する調整量制御ステップとを更に含むことを特徴とする。
このような構成によれば、端部の浮上量を検出し、検出結果に基づいて調整部による調整量を制御することができるため、基板の浮上量を精密に調整することができる。
【００１９】
上記の塗布方法は、前記基板搬送ステップでは、前記端部の少なくとも一部を保持しつつ前記基板を搬送することを特徴とする。
このような構成によれば、基板の端部の少なくとも一部を保持される場合であっても、基板の端部の浮上量を他の部分の浮上量と等しくなるように調整することができる。これにより、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。
【００２０】
上記の塗布方法は、前記基板に気体を噴出する気体噴出ステップを更に含み、前記調整ステップは、前記端部への前記気体の噴出量を調整することを含むことを特徴とする。
このような構成によれば、端部への気体の噴出量を調整することにより、基板の端部の浮上量を精密に調整することができる。
【００２１】
上記の塗布方法は、前記基板搬送部上を吸引する吸引ステップを更に含み、前記調整ステップは、前記端部に対応する部分の吸引量を調整することを含むことを特徴とする。
このような構成によれば、端部に対応する部分の吸引量を調整することにより、基板の端部の浮上量を精密に調整することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す正面図である。
【図３】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す平面図である。
【図４】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す側面図である。
【図５】搬送機の要部構成を示す図である。
【図６】本実施形態に係る塗布装置の処理ステージの構成を示す平面図である。
【図７】本実施形態に係る塗布装置の処理ステージの一部の構成を示す断面図である。
【図８】本実施形態に係る塗布装置の動作を示す図である。
【図９】同、動作図である。
【図１０】同、動作図である。
【図１１】同、動作図である。
【図１２】同、動作図である。
【図１３】同、動作図である。
【図１４】変形例に係る搬送機構の構成を示す図である。
【図１５】変形例に係る搬送機構の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
図１は本実施形態に係る塗布装置１の斜視図である。
図１に示すように、本実施形態に係る塗布装置１は、例えば液晶パネルなどに用いられるガラス基板上にレジストを塗布する塗布装置であり、基板搬送部（基板搬送系）２と、塗布部（塗布系）３と、管理部４と、制御装置ＣＯＮＴとを主要な構成要素としている。この塗布装置１は、基板搬送部（基板搬送系）２によって基板を浮上させて搬送しつつ塗布部（塗布系）３によって当該基板上にレジストが塗布されるようになっており、管理部４によって塗布部３の状態が管理されるようになっている。
【００２５】
図２は塗布装置１の正面図、図３は塗布装置１の平面図、図４は塗布装置１の側面図である。これらの図を参照して、塗布装置１の詳細な構成を説明する。
【００２６】
（基板搬送部）
まず、基板搬送部２の構成を説明する。
基板搬送部２は、基板搬入領域２０と、塗布処理領域２１と、基板搬出領域２２と、搬送機構２３と、これらを支持するフレーム部２４とを有している。この基板搬送部２では、搬送機構２３によって基板Ｓが基板搬入領域２０、塗布処理領域２１及び基板搬出領域２２へと順に搬送されるようになっている。基板搬入領域２０、塗布処理領域２１及び基板搬出領域２２は、基板搬送方向の上流側から下流側へこの順で配列されている。搬送機構２３は、基板搬入領域２０、塗布処理領域２１及び基板搬出領域２２の各部に跨るように当該各部の一側方に設けられている。
【００２７】
以下、塗布装置１の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。基板搬送部２の長手方向であって基板の搬送方向をＸ方向と表記する。平面視でＸ方向（基板搬送方向）に直交する方向をＹ方向と表記する。Ｘ方向軸及びＹ方向軸を含む平面に垂直な方向をＺ方向と表記する。なお、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとする。
【００２８】
基板搬入領域２０は、装置外部から搬送されてきた基板Ｓを搬入する部位であり、搬入側ステージ２５と、リフト機構２６とを有している。
搬入側ステージ２５は、フレーム部２４の上部に設けられており、例えばＳＵＳなどからなる平面視で矩形の板状部材である。この搬入側ステージ２５は、Ｘ方向が長手になっている。搬入側ステージ２５には、エア噴出口２５ａと、昇降ピン出没孔２５ｂとがそれぞれ複数設けられている。これらエア噴出口２５ａ及び昇降ピン出没孔２５ｂは、搬入側ステージ２５を貫通するように設けられている。
【００２９】
エア噴出口２５ａは、搬入側ステージ２５のステージ表面（搬送面）２５ｃ上にエアを噴出する孔であり、例えば搬入側ステージ２５のうち基板Ｓの通過する領域に平面視マトリクス状に配置されている。このエア噴出口２５ａには図示しないエア供給源が接続されている。この搬入側ステージ２５では、エア噴出口２５ａから噴出されるエアによって基板Ｓを＋Ｚ方向に浮上させることができるようになっている。
【００３０】
昇降ピン出没孔２５ｂは、搬入側ステージ２５のうち基板Ｓの搬入される領域に設けられている。当該昇降ピン出没孔２５ｂは、ステージ表面２５ｃに供給されたエアが漏れ出さない構成になっている。
【００３１】
この搬入側ステージ２５のうちＹ方向の両端部には、アライメント装置２５ｄが１つずつ設けられている。アライメント装置２５ｄは、搬入側ステージ２５に搬入された基板Ｓの位置を合わせる装置である。各アライメント装置２５ｄは長孔と当該長孔内に設けられた位置合わせ部材を有しており、搬入側ステージ２５に搬入される基板を両側から機械的に挟持するようになっている。
【００３２】
リフト機構２６は、搬入側ステージ２５の基板搬入位置の裏面側に設けられている。このリフト機構２６は、昇降部材２６ａと、複数の昇降ピン２６ｂとを有している。昇降部材２６ａは、図示しない駆動機構に接続されており、当該駆動機構の駆動によって昇降部材２６ａがＺ方向に移動するようになっている。複数の昇降ピン２６ｂは、昇降部材２６ａの上面から搬入側ステージ２５へ向けて立設されている。各昇降ピン２６ｂは、それぞれ上記の昇降ピン出没孔２５ｂに平面視で重なる位置に配置されている。昇降部材２６ａがＺ方向に移動することで、各昇降ピン２６ｂが昇降ピン出没孔２５ｂからステージ表面２５ｃ上に出没するようになっている。各昇降ピン２６ｂの＋Ｚ方向の端部はそれぞれＺ方向上の位置が揃うように設けられており、装置外部から搬送されてきた基板Ｓを水平な状態で保持することができるようになっている。
【００３３】
塗布処理領域２１は、レジストの塗布が行われる部位であり、基板Ｓを浮上支持する処理ステージ２７が設けられている。
【００３４】
処理ステージ２７は、ステージ表面（搬送面）２７ｃが例えば硬質アルマイトを主成分とする光吸収材料で覆われた平面視で矩形の板状部材であり、搬入側ステージ２５に対して＋Ｘ方向側に設けられている。処理ステージ２７のうち光吸収材料で覆われた部分では、レーザ光などの光の反射が抑制されるようになっている。この処理ステージ２７は、Ｙ方向が長手になっている。処理ステージ２７のＹ方向の寸法は、搬入側ステージ２５のＹ方向の寸法とほぼ同一になっている。処理ステージ２７には、ステージ表面２７ｃ上にエアを噴出する複数のエア噴出口２７ａと、ステージ表面２７ｃ上のエアを吸引する複数のエア吸引口２７ｂとが設けられている。これらエア噴出口２７ａ及びエア吸引口２７ｂは、処理ステージ２７を貫通するように設けられている。また、処理ステージ２７の内部には、エア噴出口２７ａ及びエア吸引口２７ｂを通過する気体の圧力に抵抗を与えるための図示しない溝が複数設けられている。この複数の溝は、ステージ内部においてエア噴出口２７ａ及びエア吸引口２７ｂに接続されている。
【００３５】
処理ステージ２７では、エア噴出口２７ａのピッチが搬入側ステージ２５に設けられるエア噴出口２５ａのピッチよりも狭く、搬入側ステージ２５に比べてエア噴出口２７ａが密に設けられている。また、処理ステージ２７においては、エア噴出口２７ａとともにエア吸引口２７ｂが密に設けられている。これにより、この処理ステージ２７では他のステージに比べて基板の浮上量を高精度で調節できるようになっており、基板の浮上量が例えば１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下となるように制御することが可能になっている。処理ステージ２７には、ステージ表面２７ｃと基板Ｓとの間の距離を検出可能な検出部ＭＳが設けられている。
【００３６】
基板搬出領域２２は、レジストが塗布された基板Ｓを装置外部へ搬出する部位であり、搬出側ステージ２８と、リフト機構２９とを有している。この搬出側ステージ２８は、処理ステージ２７に対して＋Ｘ方向側に設けられており、基板搬入領域２０に設けられた搬入側ステージ２５とほぼ同様の材質、寸法から構成されている。搬出側ステージ２８には、搬入側ステージ２５と同様、エア噴出口２８ａ及び昇降ピン出没孔２８ｂが設けられている。リフト機構２９は、搬出側ステージ２８の基板搬出位置の裏面側に設けられており、例えばフレーム部２４に支持されている。リフト機構２９の昇降部材２９ａ及び昇降ピン２９ｂは、基板搬入領域２０に設けられたリフト機構２６の各部位と同様の構成になっている。このリフト機構２９は、搬出側ステージ２８上の基板Ｓを外部装置へと搬出する際に、基板Ｓの受け渡しのため昇降ピン２９ｂによって基板Ｓを持ち上げることができるようになっている。
【００３７】
搬送機構２３は、図４に示すように、第一搬送機構６０と、第二搬送機構６１とを備えている。なお、図３においては、第一搬送機構６０が基板Ｓを保持した状態を示し、第一搬送機構６０の下方に配置されている第二搬送機構６１の図示を省略している。
【００３８】
第一搬送機構６０は、搬送機（保持部）６０ａと、真空パッド（吸着部）６０ｂと、レール６０ｃと、搬送機６０ａを基板Ｓの搬送面と平行な面上を移動可能とする移動機構（進退機構）６３とを有している。また、第二搬送機構６１は、搬送機（保持部）６１ａと、真空パッド（吸着部）６１ｂと、レール６１ｃと、搬送機６１ａを昇降（上下動作）可能とする昇降機構（進退機構）６２とを有している。レール６０ｃ，６１ｃは、搬入側ステージ２５、処理ステージ２７及び搬出側ステージ２８の側方に各ステージに跨って延在している。
【００３９】
搬送機６０ａ，６１ａは、内部に例えばリニアモータが設けられた構成になっており、当該リニアモータが駆動することによって搬送機６０ａ，６１ａがレール６０ｃ，６１ｃ上を移動することで各ステージに沿って移動できるようになっている。すなわち、搬送機６０ａ，６１ａは、基板Ｓを保持する保持部としての機能と、該保持部を駆動する駆動部としての機能とを備えたものとなっている。搬送機６０ａ，６１ａは、所定の部分６０ｄ、６１ｄが平面視で基板Ｓの−Ｙ方向端部に重なるようになっている。この基板Ｓに重なる部分６０ｄ、６１ｄは、基板Ｓを浮上させたときの基板裏面の高さ位置よりも低い位置に配置されるようになっている。
【００４０】
第二搬送機構６１は、図４に示すように第一搬送機構６０と比べて、フレーム部２４の階段状の段差部２４ａの下段に配置されている。また、平面的に視ると、第二搬送機構６１は、第一搬送機構６０に対してステージ側に配置されている。
【００４１】
図４に示されるように、第二搬送機構６１は、上記昇降機構６２により搬送機６１ａを上昇させることで基板Ｓにアクセス可能（進退可能）となっている。一方、第一搬送機構６０は、上記移動機構６３により搬送機６０ａを基板Ｓの搬送面と平行な面上で水平移動させることで基板Ｓにアクセス可能（進退可能）となっている。第一搬送機構６０の搬送機６０ａと第二搬送機構６１の搬送機６１ａとは、それぞれ独立して移動可能となっている。
【００４２】
また、例えば、第一搬送機構６０が基板Ｓを保持している場合、基板Ｓを保持していない第二搬送機構６１の搬送機６１ａは、昇降機構６２が下降することによって下方に待機し、第一搬送機構６０（搬送機６０ａ）の搬送経路から退避している。また、第二搬送機構６１が基板Ｓを保持している場合、基板Ｓを保持していない第一搬送機構６０の搬送機６０ａは、移動機構６３によって−Ｙ方向に移動し、第二搬送機構６１（搬送機６１ａ）の搬送経路から退避している。
【００４３】
図３に示すように、真空パッド６０ｂは、搬送機６０ａのうち上記基板Ｓに重なる部分６０ｄに基板Ｓの搬送方向に沿って複数（本実施形態では３個）配置されている。この真空パッド６０ｂは、基板Ｓを真空吸着するための吸着面を有しており、当該吸着面が上方を向くように配置されている。真空パッド６０ｂは、吸着面が基板Ｓの裏面端部を吸着することで当該基板Ｓを保持可能になっている。これら真空パッド６０ｂは、基板Ｓの搬送方向前方側の端部から２５０ｍｍ以内を保持するのが好ましく、８０ｍｍ以内とするのが望ましい。具体的に本実施形態では、搬送機６０ａは、基板Ｓの搬送方向前方の端部から真空パッド６０ｂまでの距離Ｗが８０ｍｍ以内となるように基板Ｓを保持している。これにより搬送機６０ａにより基板Ｓが均一に保持されて、基板端部が垂れ下がることが防止され、基板Ｓを均一に浮上させた状態で搬送することができる。したがって、基板Ｓ上に塗布されるレジストを乾燥固化させた膜にムラが生じるのを防止している。
【００４４】
なお、第二搬送機構６１における搬送機６１ａの構造は、図３では図示されていないものの、上記搬送機６０ａと同一構成を有している。すなわち、搬送機６１ａにおける真空パッド６１ｂは、上記基板Ｓに重なる部分に基板Ｓの搬送方向に沿って３個配置されている。
【００４５】
ここで、搬送機６０ａ、６１ａの要部構成について説明する。なお、上述のように搬送機６０ａ、６１ａはそれぞれ同一構成を有するものであることから、本説明では搬送機６０ａを例に挙げ、その構成について図５を参照しつつ説明する。なお、図５（ａ）は搬送機６０ａの要部の平面構成を示す図であり、図５（ｂ）は搬送機６０ａの要部の断面構成を示す図である。
【００４６】
図５（ａ）に示されるように、搬送機６０ａに設けられる真空パッド６０ｂは、基板Ｓとの接触部が平面視略長円状となっている。そして、真空パッド６０ｂの内部には不図示の真空ポンプ等に接続される排気孔６５が設けられている。真空パッド６０ｂは、この排気孔６５を介して真空パッド６０ｂと基板Ｓとの間に生じる密閉空間を排気することで基板Ｓを真空吸着することが可能となっている。
【００４７】
また、図５（ｂ）に示すように、搬送機６０ａ上に設けられた真空パッド６０ｂの側方には、搬送中の基板Ｓの位置を規制するストッパー部材（位置規制部材）６６を備えている。このストッパー部材６６は、基板Ｓの側面Ｓ１に対向するとともに、基板Ｓの下面側に対向する凸部６６ａを備えている。この凸部６６ａは、基板Ｓの下方への撓みを規制するストッパーとして機能する。凸部６６ａは、図５（ａ）に示されるように、真空パッド６０ｂの外周部を枠状に囲んだ状態に設けられている。凸部６６ａの上面は、搬入側ステージ２５の上面に対して−３０〜＋３０μｍの範囲に設定するのが好ましく、−２０μｍ近傍に設定するのが望ましい。また、凸部６６ａと真空パッド６０ｂとの位置関係は、真空パッド６０ｂを０〜１ｍｍ程度上方に設定するのが好ましい。
【００４８】
なお、隣接する真空パッド６０ｂの間に凸部６６ａが配置される構成、すなわち各真空パッド６０ｂの四方を凸部６６ａが囲むようにしてもよい。
【００４９】
本実施形態に係る真空パッド６０ｂは、基板Ｓに対して変位可能となっている。具体的な本実施形態では、真空パッド６０ｂが蛇腹構造からなる蛇腹部６７を有している。これにより、例えば基板Ｓの端部に撓みが生じることで基板Ｓの高さに変動が生じた場合でも、真空パッド６０ｂが基板Ｓの動きに追従することで当該基板Ｓに対する吸着を確実に保持することができる。また、真空パッド６０ｂは、ステージ上における基板Ｓの浮上量を変化させた場合でも、蛇腹部６７が変位することで基板Ｓを良好に吸着することができるようになっている。
【００５０】
（塗布部）
次に、塗布部３の構成を説明する。
塗布部３は、基板Ｓ上にレジストを塗布する部分であり、門型フレーム３１と、ノズル３２とを有している。
【００５１】
門型フレーム３１は、支柱部材３１ａと、架橋部材３１ｂとを有しており、処理ステージ２７をＹ方向に跨ぐように設けられている。支柱部材３１ａは処理ステージ２７のＹ方向側に１つずつ設けられており、各支柱部材３１ａがフレーム部２４のＹ方向側の両側面にそれぞれ支持されている。各支柱部材３１ａは、上端部の高さ位置が揃うように設けられている。架橋部材３１ｂは、各支柱部材３１ａの上端部の間に架橋されており、当該支柱部材３１ａに対して昇降可能となっている。
【００５２】
この門型フレーム３１は移動機構３１ｃに接続されており、Ｘ方向に移動可能になっている。この移動機構３１ｃによって門型フレーム３１が管理部４との間で移動可能になっている。すなわち、門型フレーム３１に設けられたノズル３２が管理部４との間で移動可能になっている。また、この門型フレーム３１は、図示しない移動機構によりＺ方向にも移動可能になっている。
【００５３】
ノズル３２は、一方向が長手の長尺状に構成されており、門型フレーム３１の架橋部材３１ｂの−Ｚ方向側の面に設けられている。このノズル３２のうち−Ｚ方向の先端３２ｃには、自身の長手方向に沿ってスリット状の開口部３２ａが設けられており、当該開口部３２ａからレジストが吐出されるようになっている。ノズル３２は、開口部３２ａの長手方向がＹ方向に平行になると共に、当該開口部３２ａが処理ステージ２７に対向するように配置されている。開口部３２ａの長手方向の寸法は搬送される基板ＳのＹ方向の寸法よりも小さくなっており、基板Ｓの周辺領域にレジストが塗布されないようになっている。ノズル３２の内部にはレジストを開口部３２ａに流通させる図示しない流通路が設けられており、この流通路には図示しないレジスト供給源が接続されている。このレジスト供給源は例えば図示しないポンプを有しており、当該ポンプでレジストを開口部３２ａへと押し出すことで開口部３２ａからレジストが吐出されるようになっている。支柱部材３１ａには不図示の移動機構が設けられており、当該移動機構によって架橋部材３１ｂに保持されたノズル３２がＺ方向に移動可能になっている。ノズル３２には不図示の移動機構が設けられており、当該移動機構によってノズル３２が架橋部材３１ｂに対してＺ方向に移動可能になっている。
【００５４】
門型フレーム３１の架橋部材３１ｂの下面には、ノズル３２の開口部３２ａ、すなわち、ノズル３２の先端３２ｃと当該ノズル先端３２ｃに対向する対向面との間のＺ方向上の距離を測定するセンサ３３が取り付けられている。センサ３３としては、例えば光学式センサが用いられており、例えば不図示の発光部及び受光部を有している。センサ３３は、例えば基板Ｓの端部Ｓｄに向けられている。
【００５５】
センサ３３は、ノズル３２に例えば３つ配置されている。３つのセンサ３３は、例えばＹ方向に等ピッチで並んで配置されている。このうち２つのセンサ３３は、例えば基板Ｓの端部Ｓｄに向けられる位置に配置されている。この２つのセンサ３３によって、例えば基板Ｓの端部Ｓｄにおける上記距離を検出可能となっている。また、他の１つのセンサ３３は、基板Ｓの他の部分Ｓｃ（例えばＹ方向中央部）における上記距離を検出可能となっている。
【００５６】
センサ３３による検出結果は、例えば制御装置ＣＯＮＴに送信されるようになっている。制御装置ＣＯＮＴでは、例えばセンサ３３による検出結果に基づき、基板Ｓの浮上量（Ｄ１）を算出可能である。この場合、制御装置ＣＯＮＴには、処理ステージ２７の表面２７ｃからノズル先端３２ｃのまでの距離（Ｄ２）についてのデータと、基板Ｓの厚さ（Ｄ３）についてのデータとを予め記憶させておき、検出結果（Ｄ４）とこれらのデータとを用いて、以下の式（１）に基づいて、基板Ｓの浮上量（Ｄ１）を算出する。
Ｄ１＝Ｄ２−Ｄ３−Ｄ４…（１）
（管理部）
管理部４の構成を説明する。
管理部４は、基板Ｓに吐出されるレジスト（液状体）の吐出量が一定になるようにノズル３２を管理する部位であり、基板搬送部２のうち塗布部３に対して−Ｘ方向側（基板搬送方向の上流側）に設けられている。この管理部４は、予備吐出機構４１と、ディップ槽４２と、ノズル洗浄装置４３と、これらを収容する収容部４４と、当該収容部を保持する保持部材４５とを有している。保持部材４５は、移動機構４５ａに接続されている。当該移動機構４５ａにより、収容部４４がＸ方向に移動可能になっている。
【００５７】
予備吐出機構４１、ディップ槽４２及びノズル洗浄装置４３は、−Ｘ方向側へこの順で配列されている。これら予備吐出機構４１、ディップ槽４２及びノズル洗浄装置４３のＹ方向の各寸法は上記門型フレーム３１の支柱部材３１ａ間の距離よりも小さくなっており、上記門型フレーム３１が各部位を跨いでアクセスできるようになっている。
【００５８】
予備吐出機構４１は、レジストを予備的に吐出する部分である。当該予備吐出機構４１はノズル３２に最も近くに設けられている。ディップ槽４２は、内部にシンナーなどの溶剤が貯留された液体槽である。ノズル洗浄装置４３は、ノズル３２の開口部３２ａ近傍をリンス洗浄する装置であり、Ｙ方向に移動する図示しない洗浄機構と、当該洗浄機構を移動させる図示しない移動機構とを有している。この移動機構は、洗浄機構よりも−Ｘ方向側に設けられている。ノズル洗浄装置４３は、移動機構が設けられる分、予備吐出機構４１及びディップ槽４２に比べてＸ方向の寸法が大きくなっている。なお、予備吐出機構４１、ディップ槽４２、ノズル洗浄装置４３の配置については、本実施形態の配置に限られず、他の配置であっても構わない。
【００５９】
（エア噴出機構・吸引機構）
図６は、基板搬送部２の搬入側ステージ２５、処理ステージ２７及び搬出側ステージ２８のエア噴出機構・吸引機構の構成を示す図である。同図をもとにして、上記の各ステージのエア噴出及びエア吸引に関する構成を説明する。
【００６０】
搬入側ステージ２５及び搬出側ステージ２８にはエア噴出機構１５０、１５５のみが設けられており、吸引機構は設けられていない。各エア噴出機構１５０、１５５の構成は両ステージにおいて同一の構成になっている。これらのエア噴出機構１５０、１５５は、それぞれブロアー１５１、１５６、温度コントロールユニット１５２、１５７、マニホールド１５３、１５８をそれぞれ有している。
【００６１】
各ブロアー１５１、１５６からは配管１５０ａ、１５５ａによって温度コントロールユニット１５２、１５７にそれぞれ接続されている。この温度コントロールユニット１５２、１５７は、例えば冷媒機構などの冷却機構や電熱線などの加熱機構が設けられており、これら冷却機構及び加熱機構によって、供給されるエアの温度を調節可能に構成されている。温度コントロールユニット１５２と温度コントロールユニット１５７とでは、独立してエアの温度を調節できるようになっている。温度コントロールユニット１５２、１５７は、配管１５０ｂ、１５５ｂによってマニホールド１５３、１５８にそれぞれ接続されている。
【００６２】
マニホールド１５３、１５８には、それぞれ温度センサ１５４、１５９が取り付けられている。
【００６３】
温度センサ１５４、１５９は、マニホールド１５３、１５８内のエアの温度を計測し、計測結果をそれぞれ温度コントロールユニット１５２、１５７に送信するようになっている。温度コントロールユニット１５２、１５７では、この温度センサ１５４、１５９の計測結果をフィードバックさせてエアの温度を調節できるようになっている。このように、温度コントロールユニット１５２、１５７及び温度センサ１５４、１５９は、エアの温度をフィードバックさせて調節する温度調節機構１８１、１８２をそれぞれ構成している。
【００６４】
配管１５０ｂ、１５５ｂには圧力計が取り付けられており、配管１５０ｃ、１５５ｃによって搬入側ステージ２５及び搬出側ステージ２８にそれぞれ接続されている。各配管１５０ａ〜１５０ｃ、１５５ａ〜１５５ｃには、各種バルブが設けられている。また、配管１５０ａ〜１５０ｃ、１５５ａ〜１５５ｃには、気中パーティクル量を測定する気中パーティクル量測定器を設けてもよい。
【００６５】
一方、処理ステージ２７には、エア噴出機構１６０に加えて吸引機構１７０が設けられている。
図７は、処理ステージ２７に設けられたエア噴出機構及び吸引機構の構成を示す図である。同図に示すように、エア噴出機構１６０は、ブロアー１６１、温度コントロールユニット１６２、フィルタ１６３、オートプレッシャーコントローラー（ＡＰＣ）１６４、マニホールド１６５、温度センサ１６６及び噴出量監視ポート１６７を有している。
【００６６】
ブロアー１６１は、エア噴出機構にエアを供給するエア供給源であり、配管１６０ａによって温度コントロールユニット１６２に接続されている。エア供給源として、ブロアー１６１の代わりに工場などのエア供給ラインを接続してもよい。
【００６７】
温度コントロールユニット１６２は、例えば供給されるエアの温度を調節するユニットである。温度コントロールユニット１６２内のエア流通部には、例えば冷媒機構などの冷却機構や電熱線などの加熱機構が設けられている。これらの冷却機構や加熱機構によって、エアの温度を上昇させたり下降させたりすることができるようになっている。温度コントロールユニット１６２では、上記の温度コントロールユニット１５２、１５７に対して独立してエアの温度を調節できるようになっている。温度コントロールユニット１６２は、配管１６０ｂによってＡＰＣ１６４に接続されている。
【００６８】
配管１６０ｂにはフィルタ１６３が設けられている。フィルタ１６３は供給されるエアに混合する異物を除去する部位である。また、配管１６０ｂに不図示の逃がし弁を設ける構成であっても構わない。
【００６９】
ＡＰＣ１６４は、エアの供給量を調節するユニットである。ＡＰＣ１６４は、バタフライバルブ１６４ａとコントローラ１６４ｂとを有している。コントローラ１６４ｂはバタフライバルブ１６４ａの開度を調節できるようになっており、当該バタフライバルブ１６４ａの開度を調節することでエアの供給量を調節可能になっている。ＡＰＣ１６４は、配管１６０ｃを介してマニホールド１６５に接続されている。
【００７０】
配管１６０ｃには、流量計１６９ａ及び圧力計１６９ｂが取り付けられている。これら流量計１６９ａ及び圧力計１６９ｂによって配管１６０ｃ内のエアの流量及び圧力が測定されるようになっている。各測定結果は、例えばＡＰＣ１６４へ送信されるようになっている。
【００７１】
マニホールド１６５は、配管１６０ｃを流通するエアを分岐するユニットである。当該マニホールド１６５において、配管１６０ｃは分岐された複数の配管１６０ｄに接続されている。各配管１６０ｄは、処理ステージ２７のエア噴出口２７ａに接続されている。また、マニホールド１６５には、配管１６０ｆが設けられている。当該配管１６０ｆは、処理ステージ２７のＹ方向の端部に配置されたエア噴出口２７ａに接続されている。
【００７２】
配管１６０ｆには、噴出量調整機構ＧＣＴが設けられている。噴出量調整機構ＧＣＴは、処理ステージ２７のＹ方向の端部に配置されたエア噴出口２７ａから噴出されるエアの噴出量を調整する。このように、ＡＰＣ１６４からのエアは、配管１６０ｃ及び各配管１６０ｄを介してエア噴出口２７ａから噴出されるようになっている。
【００７３】
図７に戻って、温度センサ１６６は、マニホールド１６５内のエアの温度を測定するセンサである。温度センサ１６６によって測定されたエアの温度のデータは、例えば通信回線などを介して温度コントロールユニット１６２へ送信されるようになっている。温度コントロールユニット１６２では、この温度センサ１６６の計測結果をフィードバックさせることでエアの温度を調節できるようになっている。このように、温度コントロールユニット１６２及び温度センサ１６６は、エアの温度をフィードバックさせて調節する温度調節機構１８３を構成している。
【００７４】
噴出量監視ポート１６７は、エアの流量検知用のポートを有する構成になっており、この流量検知用のポートによってステージ直下の気体流量を検出可能になっている。この噴出量監視ポート１６７には流量計１６７ａ及び圧力計１６７ｂが設けられており、エア噴出口２７ａから噴出されるエアの流量及び圧力が測定可能になっている。なお、流量計１６７ａ及び圧力計１６７ｂによる測定結果については、ＡＰＣ１６４内のコントローラ１６４ｂに送信される構成であっても構わない。
【００７５】
また、上記の配管１６０ａ〜１６０ｅには、各種のバルブ等が取り付けられており、各バルブにおいて適宜開度を調節できるようになっている。
【００７６】
吸引機構１７０は、ブロアー１７１と、オートプレッシャーコントローラー（ＡＰＣ）１７２と、トラップタンク１７３と、マニホールド１７４と、吸引量監視ポート１７５とを有している。ブロアー１７１、ＡＰＣ１７２、トラップタンク１７３、マニホールド１７４は、互いに配管１７０ａ〜１７０ｃによって接続されており、各配管１７０ａ〜１７０ｃには各種バルブが取り付けられている。なお、ブロアー１７１の代わりに工場などのエア吸引ラインを使用してもよい。また、マニホールド１７４が設けられない構成であっても構わない。
【００７７】
マニホールド１７４は、分岐された複数の配管１７０ｄに接続されている。各配管１７０ｄは、処理ステージ２７のエア吸引口２７ｂに接続されている。また、マニホールド１７４には、配管１７０ｆが設けられている。当該配管１７０ｆは、例えば処理ステージ２７に接続されている。配管１７０ｆには、吸引量調整機構ＶＣＴが設けられている。当該吸引量調整機構ＶＣＴは、処理ステージ２７のＹ方向の端部に配置されたエア吸引口２７ｂの吸引量を調整する。
【００７８】
図７に戻って、ＡＰＣ１７２は、エアの供給量を調節するバタフライバルブ１７２ａとコントローラ１７２ｂとが設けられている。吸引量監視ポート１７５は、配管１７０ｅによって処理ステージ２７に接続され、当該接続部分にエアの流量検知用のポートが接続された構成になっている。吸引量監視ポート１７５では、この流量検知用のポートによって処理ステージ２７の直下の気体流量を検出可能になっている。また、吸引量監視ポート１７５には流量計１７５ａ及び圧力計１７５ｂが取り付けられており、エア吸引口２７ｂによって吸引されるエアの流量及び圧力を測定可能になっている。なお、流量計１７５ａ及び圧力計１７５ｂによる測定結果については、ＡＰＣ１７２内のコントローラ１７２ｂに送信される構成であっても構わない。
【００７９】
ＡＰＣ１７２とエア吸引口２７ｂとの間に流量計を設けて、測定結果を電線（図中破線で示す）等を介してＡＰＣ１７２内のコントローラ１７２ｂに送信するようにしても良い。配管１６０ｃと配管１７０ｃとの間は接続部１８０によって接続されており、パージ用の洗浄液吸引ラインと真空吸引（エア吸引）ラインとを切り替え可能になっている。
【００８０】
次に、上記のように構成された塗布装置１の動作を説明する。
図８〜図１３は、塗布装置１の動作過程を示す平面図である。各図を参照して、基板Ｓにレジストを塗布する動作を説明する。この動作では、基板Ｓを基板搬入領域２０に搬入し、当該基板Ｓを浮上させて搬送しつつ塗布処理領域２１でレジストを塗布し、当該レジストを塗布した基板Ｓを基板搬出領域２２から搬出する。図９〜図１１には門型フレーム３１及び管理部４の輪郭のみを破線で示し、ノズル３２及び処理ステージ２７の構成を判別しやすくした。以下、各部分における詳細な動作を説明する。
【００８１】
基板搬入領域２０に基板を搬入する前に、塗布装置１をスタンバイさせておく。具体的には、搬入側ステージ２５の基板搬入位置の−Ｙ方向側に第一搬送機構６０の搬送機６０ａを配置させ、真空パッド６０ｂの高さ位置を基板の浮上高さ位置に合わせておくと共に、搬入側ステージ２５のエア噴出口２５ａ、処理ステージ２７のエア噴出口２７ａ、エア吸引口２７ｂ及び搬出側ステージ２８のエア噴出口２８ａからそれぞれエアを噴出又は吸引し、各ステージ表面に基板が浮上する程度にエアが供給された状態にしておく。
【００８２】
この状態で、例えば図示しない搬送アームなどによって外部から図３に示した基板搬入位置に基板Ｓが搬送されてきたら、昇降部材２６ａを＋Ｚ方向に移動させて昇降ピン２６ｂを昇降ピン出没孔２５ｂからステージ表面２５ｃに突出させる。そして、昇降ピン２６ｂによって基板Ｓが持ち上げられ、当該基板Ｓの受け取りが行われる。また、アライメント装置２５ｄの長孔から位置合わせ部材をステージ表面２５ｃに突出させておく。
【００８３】
基板Ｓを受け取った後、昇降部材２６ａを下降させて昇降ピン２６ｂを昇降ピン出没孔２５ｂ内に収容する。このとき、ステージ表面２５ｃにはエアの層が形成されているため、基板Ｓは当該エアによりステージ表面２５ｃに対して浮上した状態で保持される。基板Ｓがエア層の表面に到達した際、アライメント装置２５ｄの位置合わせ部材によって基板Ｓの位置合わせが行われ、基板搬入位置の−Ｙ方向側に配置された第一搬送機構６０の移動機構６３により搬送機６０ａの真空パッド６０ｂを基板Ｓの−Ｙ方向側端部に真空吸着させることができる（図３）。真空パッド６０ｂによって基板Ｓの−Ｙ方向側端部が吸着された後、搬送機６０ａをレール６０ｃに沿って移動させる。基板Ｓが浮上した状態になっているため、搬送機６０ａの駆動力を比較的小さくしても基板Ｓはレール６０ｃに沿ってスムーズに移動する。
【００８４】
基板Ｓの搬送方向の先端が、処理ステージ２７に到達したら、制御装置ＣＯＮＴは、センサ３３を用いて基板Ｓの＋Ｚ側の面とノズル３２の先端３２ｃとの距離を検出させる。制御装置ＣＯＮＴは、センサ３３内の不図示の発光部から検出光を射出させる。当該検出光は、基板Ｓの＋Ｚ側の面で反射され、不図示の受光部によって受光される。受光された検出光は、電気信号として制御装置ＣＯＮＴに送信される。制御装置ＣＯＮＴは、送信された電気信号に基づいて、基板Ｓの＋Ｚ側の面とノズル３２の先端３２ｃとの距離を求める。制御装置ＣＯＮＴは、求めた結果から、上記の式（１）を用いて、基板Ｓの浮上量を算出する。
【００８５】
このとき、例えば図８（ａ）及び図８（ｃ）に示すように、例えば基板ＳのうちＹ方向において第一搬送機構６０及び第二搬送機構６１によって保持された部分とは反対側の端部Ｓｄが撓んだ状態（−Ｚ方向に湾曲した状態）になる場合がある。この場合、当該基板Ｓの端部Ｓｄの浮上量は、当該基板Ｓの他の部分Ｓｃの浮上量とは異なってしまう。このように、センサ３３を用いた検出結果から得られた浮上量が上記のように端部Ｓｄと他の部分Ｓｃとで異なる場合、制御装置ＣＯＮＴは、端部Ｓｄの浮上量を調整させるようにする。
【００８６】
例えば、図８（ｂ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、噴出量調整機構ＧＣＴを介して配管１６０ｆからのエアの流通量を大きくする。この動作により、処理ステージ２７のＹ方向の端部におけるエア噴出口２７ａの噴出量が大きくなる。当該エア噴出口２７ａの噴出量が大きくなることにより、基板Ｓの端部Ｓｄに対して＋Ｚ方向に作用する力（浮上力）が大きくなり、端部Ｓｄの撓みが解消される。このため、基板ＳのＹ方向全体において均一な浮上量となる。
【００８７】
また、例えば図８（ｄ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、吸引量調整機構ＶＣＴを介して配管１７０ｆからのエアの流通量を小さくする。この動作により、処理ステージ２７のＹ方向の端部におけるエア吸引口２７ｂの吸引量が小さくなる。当該エア吸引口２７ｂの吸引量が小さくなることにより、基板Ｓの端部Ｓｄにおいて−Ｚ方向に作用する力（吸引力）が小さくなり、相対的に＋Ｚ方向に作用する力（浮上力）が大きくなるため、端部Ｓｄの撓みが解消される。このため、基板ＳのＹ方向全体において均一な浮上量となる。
【００８８】
このように基板Ｓの端部Ｓｄの浮上量を調整しつつ、基板Ｓの搬送方向先端がノズル３２の開口部３２ａの位置に到達したら、図９に示すように、ノズル３２の開口部３２ａから基板Ｓへ向けてレジストを吐出する。レジストの吐出は、ノズル３２の位置を固定させ搬送機６０ａによって基板Ｓを搬送させながら行う。
【００８９】
本実施形態では、第一搬送機構６０により搬送される基板Ｓに対してレジスト塗布を行っている途中において、例えば図示しない搬送アームなどによって外部から基板搬入位置に他の基板Ｓ´を受け渡すようにしている。基板Ｓ´を受け取った後、昇降部材２６ａを下降させて昇降ピン２６ｂを昇降ピン出没孔２５ｂ内に収容することで、基板Ｓ´はエアによりステージ表面２５ｃに対して浮上した状態で保持される。
【００９０】
基板Ｓ´がエア層の表面に到達した際、アライメント装置２５ｄの位置合わせ部材によって基板Ｓ´の位置合わせが行われ、基板搬入位置の−Ｚ方向側に配置された第二搬送機構６１の昇降機構６２により搬送機６１ａを上昇させ、真空パッド６１ｂを基板Ｓ´の−Ｙ方向側端部に真空吸着させる。制御装置ＣＯＮＴは、当該基板Ｓ´についても、上記の基板Ｓと同様に浮上量の検出を適宜行わせる。
【００９１】
このように本実施形態では、第一搬送機構６０の搬送機６０ａと第二搬送機構６１の搬送機６１ａとがそれぞれ独立して移動可能となっているので、第一搬送機構６０によって搬送される基板Ｓに対するレジスト塗布の処理が終了する前に、第二搬送機構６１により他の基板Ｓ´をステージ上に搬送することができる。よって、片持ち状態で順次搬送する基板Ｓ、Ｓ´上にレジストを良好に塗布することができ、レジスト塗布処理において高いスループットを得ることができる。
【００９２】
基板Ｓの移動に伴い、図１０に示すように基板Ｓ上にレジスト膜Ｒが塗布されていく。基板Ｓがレジストを吐出する開口部３２ａの下を通過することにより、基板Ｓの所定の領域にレジスト膜Ｒが形成される。また、第二搬送機構６１の搬送機６１ａは、基板Ｓ´を開口部３２ａの下方に移動させる。
【００９３】
レジスト膜Ｒの形成された基板Ｓは、搬送機６０ａによって搬出側ステージ２８へと搬送される。搬出側ステージ２８では、ステージ表面２８ｃに対して浮上した状態で、図１１に示す基板搬出位置まで基板Ｓが搬送される。また、搬送機６１ａにより搬送された他の基板Ｓ´が開口部３２ａの下を通過することにより、他の基板Ｓ´の所定の領域にレジスト膜Ｒが形成される。
【００９４】
基板Ｓが基板搬出位置に到達したら、真空パッド６０ｂの吸着を解除し、リフト機構２９の昇降部材２９ａを＋Ｚ方向に移動させる。すると、昇降ピン２９ｂが昇降ピン出没孔２８ｂから基板Ｓの裏面へ突出し、基板Ｓが昇降ピン２９ｂによって持ち上げられる。この状態で、例えば搬出側ステージ２８の＋Ｘ方向側に設けられた外部の搬送アームが搬出側ステージ２８にアクセスし、基板Ｓを受け取る。基板Ｓを搬送アームに渡した後、第一搬送機構６０は、移動機構６３により搬送機６０ａ（真空パッド６０ｂ）を基板Ｓの下方から退避し、他の基板Ｓ´を搬送している第二搬送機構６１の搬送経路（移動経路）から退避する。
【００９５】
そして、第一搬送機構６０は、再び搬入側ステージ２５の基板搬入位置まで戻り、次の基板が搬送されるまで待機する。このとき、図１１に示されるように、第二搬送機構６１に搬送される基板Ｓ´に対してレジスト塗布が行われているが、第一搬送機構６０は、上述のように第二搬送機構６１の搬送経路から退避しているので、第二搬送機構６１に接触して他の基板Ｓ´の搬送を妨げることが無く、搬入側ステージ２５の基板搬入位置まで戻ることができる。
【００９６】
また、第二搬送機構６１により搬送された基板Ｓ´が基板搬出位置に到達したら、同様に外部の搬送アームが搬出側ステージ２８にアクセスし、基板Ｓを受け取る。そして、再び搬入側ステージ２５の基板搬入位置まで戻り、次の基板Ｓが搬送されるまで待機する。
【００９７】
次の基板が搬送されてくるまでの間、塗布部３では、ノズル３２の吐出状態を保持するための予備吐出が行われる。図１２に示すように、移動機構３１ｃによって門型フレーム３１を管理部４の位置まで−Ｘ方向へ移動させる。
【００９８】
管理部４の位置まで門型フレーム３１を移動させた後、門型フレーム３１の位置を調整してノズル３２の先端３２ｃをノズル洗浄装置４３にアクセスさせ、当該ノズル洗浄装置４３によってノズル先端３２ｃを洗浄する。
【００９９】
ノズル先端３２ｃの洗浄後、当該ノズル３２を予備吐出機構４１にアクセスさせる。予備吐出機構４１では、開口部３２ａと予備吐出面との間の距離を測定しながらノズル３２の先端３２ｃの開口部３２ａをＺ方向上の所定の位置に移動させ、ノズル３２を−Ｘ方向へ移動させながら開口部３２ａからレジストを予備吐出する。
【０１００】
予備吐出動作を行った後、門型フレーム３１を元の位置に戻す。次の基板Ｓが搬送されてきたら、図１３に示すようにノズル３２をＺ方向上の所定の位置に移動させる。このように、基板Ｓにレジスト膜Ｒを塗布する塗布動作と予備吐出動作とを繰り返し行わせることで、基板Ｓには良質なレジスト膜Ｒが形成されることになる。
【０１０１】
なお、必要に応じて、例えば管理部４に所定の回数アクセスする毎に、当該ノズル３２をディップ槽４２内にアクセスさせても良い。ディップ槽４２では、ノズル３２の開口部３２ａをディップ槽４２に貯留された溶剤（シンナー）の蒸気雰囲気に曝すことでノズル３２の乾燥を防止する。
【０１０２】
以上のように、本実施形態によれば、ノズル３２からレジストＲが吐出される処理ステージ２７において、基板Ｓのうち基板搬送方向（＋Ｘ方向）に直交する方向（Ｙ方向）の端部Ｓｄの浮上量を調整する調整部として噴出量調整機構ＧＣＴ及び吸引量調整機構ＶＣＴを有するため、基板Ｓの端部Ｓｄの浮上量を他の部分Ｓｃの浮上量と等しくなるように調整することができる。これにより、均一な浮上量で基板Ｓを浮上させることが可能となる。
【０１０３】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、第一搬送機構６０及び第二搬送機構６１が、それぞれ搬送機６０ａ、６１ａを一個ずつ備えた構成について説明したが、本発明はこれに限定されることはない。例えば、図１４に示すように、第一搬送機構６０としてレール６０ｃに搬送機６０ａが３個設けられた構成とすることができる。なお、図１４においては、図示を省略するものの、第二搬送機構６１についても搬送機６１ａを３個備えた構成とすることができる。また、本説明では、搬送機６０ａ、６１ａが３個ずつ備える構成について説明するが、本発明はこれに限定されることは無く、搬送機６０ａ、６１ａを２個ずつ、或いは４個以上ずつ備える構成についても適用可能である。
【０１０４】
本説明では、基板Ｓの搬送方向上流側から順に第１の搬送機２６１、第２の搬送機２６２、第３の搬送機２６３と称し、総称して搬送機２６１、２６２、２６３と呼ぶこともある。
【０１０５】
これら搬送機２６１、２６２、２６３は、基板Ｓの搬送時においてはそれぞれが同期した状態でレール６０ｃ上を移動する。また、各搬送機２６１、２６２、２６３は、基板Ｓの非搬送時においては、レール６０ｃ上でそれぞれ独立に移動可能となっている。この構成によれば、搬送する基板Ｓの長さに応じて各搬送機２６１、２６２、２６３における基板Ｓの保持位置を任意に設定することができる。
【０１０６】
搬送機２６１の真空パッド６０ｂは、基板Ｓの搬送方向前方側の端部から２５０ｍｍ以内を保持するのが好ましく、８０ｍｍ以内とするのが望ましい。具体的に搬送機２６１は、基板Ｓの搬送方向前方の端部から真空パッド６０ｂまでの距離Ｗ１が８０ｍｍ以内となるように基板Ｓを保持している。
【０１０７】
また、搬送機２６３の真空パッド６０ｂは、基板Ｓの搬送方向後方側の端部から２５０ｍｍ以内を保持するのが好ましく、８０ｍｍ以内とするのが望ましい。具体的に搬送機２６３は、基板Ｓの搬送方向後方の端部から真空パッド６０ｂまでの距離Ｗ２が８０ｍｍ以内となるように基板Ｓを保持している。
【０１０８】
これら搬送機２６１、２６２、２６３により基板Ｓが均一に保持されて、基板端部が垂れ下がることが防止され、大型の基板Ｓを均一に浮上させた状態で搬送することができる。したがって、大型の基板Ｓ上に塗布されるレジストを乾燥固化させた膜にムラが生じるのを防止できる。
【０１０９】
また、上記実施形態では、基板Ｓの浮上量を検出する検出部として、ノズル３２に設けられたセンサ３３を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、処理ステージ２７側に検出部が設けられた構成であっても構わない。
【０１１０】
図１５（ａ）は、処理ステージ２７の構成を示す平面図である。
図１５（ａ）に示すように、処理ステージ２７は、第一浮上領域ＦＡ、第二浮上領域ＳＡ及び第三浮上領域ＴＡを有している。第一浮上領域ＦＡは、処理ステージ２７のＸ方向の両端に配置されている。第一浮上領域ＦＡは、上記の搬入側ステージ２５及び搬出側ステージ２８よりも浮上量の管理が厳密に行われる領域である。
【０１１１】
第二浮上領域ＳＡは、第一浮上領域ＦＡよりもＸ方向の内側に配置されている。第二浮上領域ＳＡは、第一浮上領域ＦＡよりも浮上量の管理が更に厳密に行われる領域である。第二浮上領域ＳＡにおける基板Ｓの浮上量は、例えば第一浮上領域ＦＡにおける基板の浮上量に対して異なる量に設定されている。
【０１１２】
第三浮上領域ＴＡは、処理ステージ２７のＸ方向のほぼ中央に配置されており、第二浮上領域ＳＡに挟まれた領域である。第三浮上領域ＴＡは、ノズル３２の開口部３２ａに対向する吐出領域ＣＡを含む領域である。第三浮上領域ＴＡでは、基板Ｓの浮上量の管理が第一浮上領域ＦＡ及び第二浮上領域ＳＡよりも厳密に行われる。第三浮上領域ＴＡにおける基板Ｓの浮上量は、第二浮上領域ＳＡにおける基板の浮上量に対して異なる量に設定されている。
【０１１３】
上記の噴出量調整機構ＧＣＴ及び吸引量調整機構ＶＣＴは、当該第三浮上領域ＴＡの端部に接続される配管１６０ｆ、１７０ｆに設けられている。これにより、第三浮上領域ＴＡの端部のエアの噴出量及び吸引量を調整可能となっている。なお、噴出量調整機構ＧＣＴ及び吸引量調整機構ＶＣＴは、第三浮上領域ＴＡに加えて、第一浮上領域ＦＡや第二浮上領域ＳＡの端部におけるエアの噴出量及び吸引量を調整可能に設けられている構成にすると、より好ましい。この場合、噴出量調整機構ＧＣＴ及び吸引量調整機構ＶＣＴを第一浮上領域ＦＡ及び第二浮上領域ＳＡの端部に接続される配管１６０ｆ、１７０ｆに配置させると良い。
【０１１４】
図１５（ａ）に示すように、複数の検出部ＭＳは、それぞれ基板Ｓが通過する領域内に配置されている。例えば、本実施形態では、処理ステージ２７のうちＹ方向の中央部と、Ｙ方向の両端部とにそれぞれ設けられている。このように、基板Ｓの搬送方向と直交する方向に分散して配置することにより、基板Ｓ全体における浮上量を検出可能になっている。
【０１１５】
検出部ＭＳのＸ方向の位置については、例えば図中−Ｘ側の第一浮上領域ＦＡと第二浮上領域ＳＡとの境界部分Ｌ１に３つ（ＭＳ１）配置されており、図中−Ｘ側の第二浮上領域ＳＡと第三浮上領域ＴＡとの境界部分Ｌ２に３つ（ＭＳ２）配置されており、図中＋Ｘ側の第一浮上領域ＦＡと第二浮上領域ＳＡとの境界部分Ｌ３に３つ（ＭＳ３）配置されている。このように、基板Ｓの搬送方向にも分散して配置することにより、基板Ｓの各搬送位置における浮上量を検出可能になっている。本実施形態では、基板Ｓの浮上量が変化する位置に検出部ＭＳが設けられているため、当該基板Ｓの浮上量の管理がより厳密に行われるようになっている。
【０１１６】
上記の配置において、複数の検出部ＭＳは、処理ステージ２７のうちそれぞれ吐出領域ＣＡから外れた位置に設けられている。ノズル３２の開口部３２ａから吐出されるレジストＲが検出部ＭＳに直接掛かりにくいため、検出部ＭＳの検出結果に誤差が生じるのを防ぐことができる構成となっている。
【０１１７】
例えば図中−Ｘ側の第二浮上領域ＳＡと第三浮上領域ＴＡとの境界部分に配置された３つの検出部ＭＳは、吐出領域ＣＡに沿った位置に設けられている。このように、検出部ＭＳが吐出領域ＣＡに沿った位置に設けられるため、吐出領域ＣＡにおける浮上量がより精確に検出されるようになっている。また、この３つの検出部ＭＳは、吐出領域ＣＡに対して基板Ｓの搬送方向の上流側に設けられている。このため、基板Ｓに対してレジストＲを吐出する直前の基板Ｓの浮上量を検出することができるようになっている。
【０１１８】
処理ステージ２７には、検出部ＭＳを収容するための開口部（検出用開口部）２７ｄが形成されている。各検出部ＭＳは、この検出用開口部２７ｄ内に配置されている。検出用開口部２７ｄ（及び検出部ＭＳ）は、エア噴出口２７ａ及びエア吸引口２７ｂから外れた位置にそれぞれ設けられている。このため、各エア噴出口２７ａによる気体の噴出及びエア吸引口２７ｂによる吸引にそれぞれ影響が及ばない構成となっている。
【０１１９】
処理ステージ２７の第一浮上領域ＦＡ、第二浮上領域ＳＡ及び第三浮上領域ＴＡは、例えば上記の搬入側ステージ２５及び搬出側ステージ２８に比べて、基板Ｓの浮上量がより精密に調整される構成となっている。なお、処理ステージ２７のうち、例えば第一浮上領域ＦＡ及び第二浮上領域ＳＡについては、同一の浮上量となるように調整される構成であっても構わない。
【０１２０】
図１５（ｂ）は、処理ステージ２７の一部の構成を示す断面図であり、１つの検出用開口部２７ｄ及び検出部ＭＳの構成を示している。
図１５（ｂ）に示すように、検出用開口部２７ｄは、内部に検出部ＭＳを収容するポートＰＴを有している。検出部ＭＳが当該ポートＰＴに収容されることにより、例えば検出部ＭＳは、上端（＋Ｚ側の端部）がステージ表面２７ｃに対して深さｄｘ（１ｍｍ程度）だけ−Ｚ側に位置するように配置される。
【０１２１】
検出部ＭＳは、＋Ｚ側が球面状に形成されている。当該球面状に形成された部分の内部には、例えば発光部ＬＤ及び受光部ＰＤが設けられている。発光部ＬＤは、基板Ｓの−Ｚ側の面に向けて検出光を照射する。受光部ＰＤは、当該基板Ｓの−Ｚ側の面で反射された検出光を受光する。
【０１２２】
発光部ＬＤとしては、例えばレーザダイオードなどが用いられる。また、受光部ＰＤとしては、例えばフォトダイオードなどが用いられる。発光部ＬＤ及び受光部ＰＤは、例えば上記の制御装置ＣＯＮＴに接続されている。制御装置ＣＯＮＴは、発光部ＬＤにおける検出光の照射のタイミングや照射強度などを制御すると共に、受光部ＰＤによって検出された検出光の解析を行う。
【０１２３】
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示す構成において、基板Ｓの搬送方向の先端が、処理ステージ２７の境界部分Ｌ１に到達したら、制御装置ＣＯＮＴは、当該境界部分Ｌ１に配置された検出部ＭＳ１を用いて基板Ｓの−Ｚ側の面とステージ表面２７ｃとの距離（浮上量）を検出させる。制御装置ＣＯＮＴは、検出部ＭＳ１内の発光部ＬＤから検出光を射出させる。当該検出光は、基板Ｓの−Ｚ側の面で反射され、受光部ＰＤによって受光される。受光された検出光は、電気信号として制御装置ＣＯＮＴに送信される。制御装置ＣＯＮＴは、送信された電気信号に基づいて、基板Ｓの浮上量を求める。
【０１２４】
また、基板Ｓの搬送方向の先端が、処理ステージ２７の境界部分Ｌ２に到達したら、制御装置ＣＯＮＴは、当該境界部分Ｌ２に配置された検出部ＭＳ２を用いて基板Ｓの−Ｚ側の面とステージ表面２７ｃとの距離（浮上量）を検出させる。なお、制御装置ＣＯＮＴは、境界部分Ｌ１に配置された検出部ＭＳ１を同時に用いて基板Ｓの浮上量を検出させても構わない。
【０１２５】
また、検出部ＭＳ１を用いた検出結果から得られた浮上量が上記のように端部Ｓｄ（図８（ａ）〜図８（ｄ）参照）と他の部分Ｓｃ（図８（ａ）〜図８（ｄ）参照）とで異なる場合、制御装置ＣＯＮＴは、噴出量調整機構ＧＣＴ及び吸引量調整機構ＶＣＴを用いて、端部Ｓｄの浮上量を調整させるようにする。この動作により、基板Ｓの端部Ｓｄの撓みが解消され、基板ＳのＹ方向全体において均一な浮上量となる。
【０１２６】
このような検出及び端部Ｓｄの浮上量の調整を行いつつ、基板Ｓの搬送方向先端がノズル３２の開口部３２ａの位置に到達したら、上記実施形態に記載の図９に示すように、ノズル３２の開口部３２ａから基板Ｓへ向けてレジストを吐出する。レジストの吐出は、ノズル３２の位置を固定させ搬送機６０ａによって基板Ｓを搬送させながら行う。
【０１２７】
さらに、基板Ｓの搬送方向の先端が、処理ステージ２７の境界部分Ｌ３に到達したら、制御装置ＣＯＮＴは、当該境界部分Ｌ３に配置された検出部ＭＳ３を用いて基板Ｓの−Ｚ側の面とステージ表面２７ｃとの距離（浮上量）を検出させる。なお、制御装置ＣＯＮＴは、境界部分Ｌ１に配置された検出部ＭＳ１及び境界部分Ｌ２に配置された検出部ＭＳ２を同時に用いて基板Ｓの浮上量を検出させても構わない。
【０１２８】
このように、基板Ｓの浮上量を処理ステージ２７側から検出することにより、基板Ｓの表面状態（レジストＲの有無、パターンの有無など）にかかわらず、より精確な検出結果が得られることとなる。なお、制御装置ＣＯＮＴにおいては、検出部ＭＳ（ＭＳ１〜ＭＳ３）における検出結果に基づいて、基板Ｓの浮上量を調整しても構わない。この場合、例えば制御装置ＣＯＮＴは、エア噴出口２７ａからのエア噴出量や、エア吸引口２７ｂの吸引量を調整することにより、基板Ｓの浮上量を調整可能である。なお、検出部ＭＳ１〜ＭＳ３とセンサ３３との両方を用いて基板Ｓの浮上量を検出し、当該検出結果を用いて基板Ｓの端部Ｓｄの浮上量を調整しても構わない。
【０１２９】
また、上記実施形態においては、例えば図８（ａ）〜図８（ｄ）に示すように、処理ステージ２７のＹ方向の一方の端部（＋Ｙ側端部）において噴出量及び吸引量を調整する構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、勿論第一搬送機構６０及び第二搬送機構６１によって保持される側の端部（−Ｙ側端部）においても、噴出量及び吸引量を調整可能な構成であっても構わない。
【符号の説明】
【０１３０】
ＣＯＮＴ…制御装置 Ｓ…基板 Ｓｄ…端部 Ｓｃ…他の部分 ３３…センサ ＭＳ（ＭＳ１〜ＭＳ３）…検出部 ＧＣＴ…噴出量調整機構 ＶＣＴ…吸引量調整機構 ＣＣＴ…噴出量調整機構 １…塗布装置 ２７…処理ステージ ２７ｃ…ステージ表面 ２７ａ…エア噴出口 ２７ｂ…エア吸引口 ３２…ノズル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布装置及び塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイなどの表示パネルを構成するガラス基板上には、配線パターンや電極パターンなどの微細なパターンが形成されている。一般的にこのようなパターンは、例えばフォトリソグラフィなどの手法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、ガラス基板上にレジスト膜を形成する工程、このレジスト膜をパターン露光する工程、その後に当該レジスト膜を現像する工程がそれぞれ行われる。
【０００３】
基板の表面上にレジスト膜を塗布する装置として、スリットノズルを固定し、当該スリットノズルの下を移動するガラス基板にレジストを塗布する塗布装置が知られている。その中でも、基板を浮上させて移動させる塗布装置が知られている。浮上型の塗布装置としては、例えば基板の端部を保持して移動させる構成が知られている。基板上に厚さが均一になるようにレジストを塗布するためには、基板の被処理面とレジストを吐出するノズル先端との間の距離を一定に保つ必要がある。このため、基板を均一な浮上量で浮上させる必要があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−８８２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板のうち例えば端部は、保持力が働いたり、基板の大きさによる撓みが発生したりする場合があるため、当該基板の端部の浮上量が当該基板の他の部分の浮上量とは異なる場合があった。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明は、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能な塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る塗布装置は、所定領域に液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、前記所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送部と、少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整部とを備えることを特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、ノズルから液状体が吐出される所定領域において、基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整部を有するため、基板の端部の浮上量を他の部分の浮上量と等しくなるように調整することができる。これにより、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。
【０００９】
上記の塗布装置は、前記端部の浮上量を検出する検出部と、前記検出部の検出結果に基づいて前記調整部による調整量を制御する調整量制御部とを更に備えることを特徴とする。
このような構成によれば、端部の浮上量を検出し、検出結果に基づいて調整部による調整量を制御することができるため、基板の浮上量を精密に調整することができる。
【００１０】
上記の塗布装置は、前記検出部は、前記ノズルに設けられていることを特徴とする。
このような構成によれば、検出部がノズルに設けられているため、ノズルを基準としたときの検出結果を得ることができる。これにより、基板に対する液状体の吐出位置での浮上量を精密に調整することができる。
【００１１】
上記の塗布装置は、前記検出部は、前記端部に向けて配置されたセンサを有することを特徴とする。
このような構成によれば、端部に向けて配置されたセンサを用いることで、基板の浮上量を精密に検出することができる。
【００１２】
上記の塗布装置は、前記センサは、複数設けられ、複数の前記センサは、前記基板搬送方向に直交する方向の両方の前記端部に対応する位置に配置されていることを特徴とする。
このような構成によれば、複数のセンサが基板搬送方向に直交する方向の両方の端部に対応する位置に配置されているので、基板の浮上量を精密に検出することができる。
【００１３】
上記の塗布装置は、前記基板搬送部は、前記基板を搬送する搬送部を有し、前記搬送部は、前記端部の少なくとも一部を保持する基板保持部を有することを特徴とする。
このような構成によれば、基板保持部によって基板の端部の少なくとも一部を保持される場合であっても、基板の端部の浮上量を他の部分の浮上量と等しくなるように調整することができる。これにより、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。
【００１４】
上記の塗布装置は、前記基板に気体を噴出する気体噴出部を更に備え、前記調整部は、前記端部への前記気体の噴出量を調整する噴出量調整部を有することを特徴とする。
このような構成によれば、調整部が、端部への気体の噴出量を調整することにより、基板の端部の浮上量を精密に調整することができる。
【００１５】
上記の塗布装置は、前記基板搬送部上を吸引する吸引部を更に備え、前記調整部は、前記端部に対応する部分の吸引量を調整する吸引量調整部を有することを特徴とする。
このような構成によれば、調整部が、端部に対応する部分の吸引量を調整することにより、基板の端部の浮上量を精密に調整することができる。
【００１６】
本発明に係る塗布方法は、所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送ステップと、前記所定領域を通過する前記基板に液状体を吐出する塗布ステップと、少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整ステップとを含むことを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、ノズルから液状体が吐出される所定領域において、基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量が調整されるので、基板の端部の浮上量を他の部分の浮上量と等しくなるように調整されることになる。これにより、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。
【００１８】
上記の塗布方法は、前記端部の浮上量を検出する検出ステップと、前記検出ステップでの検出結果に基づいて前記調整ステップにおける調整量を制御する調整量制御ステップとを更に含むことを特徴とする。
このような構成によれば、端部の浮上量を検出し、検出結果に基づいて調整部による調整量を制御することができるため、基板の浮上量を精密に調整することができる。
【００１９】
上記の塗布方法は、前記基板搬送ステップでは、前記端部の少なくとも一部を保持しつつ前記基板を搬送することを特徴とする。
このような構成によれば、基板の端部の少なくとも一部を保持される場合であっても、基板の端部の浮上量を他の部分の浮上量と等しくなるように調整することができる。これにより、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。
【００２０】
上記の塗布方法は、前記基板に気体を噴出する気体噴出ステップを更に含み、前記調整ステップは、前記端部への前記気体の噴出量を調整することを含むことを特徴とする。
このような構成によれば、端部への気体の噴出量を調整することにより、基板の端部の浮上量を精密に調整することができる。
【００２１】
上記の塗布方法は、前記基板搬送部上を吸引する吸引ステップを更に含み、前記調整ステップは、前記端部に対応する部分の吸引量を調整することを含むことを特徴とする。
このような構成によれば、端部に対応する部分の吸引量を調整することにより、基板の端部の浮上量を精密に調整することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、均一な浮上量で基板を浮上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す正面図である。
【図３】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す平面図である。
【図４】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す側面図である。
【図５】搬送機の要部構成を示す図である。
【図６】本実施形態に係る塗布装置の処理ステージの構成を示す平面図である。
【図７】本実施形態に係る塗布装置の処理ステージの一部の構成を示す断面図である。
【図８】本実施形態に係る塗布装置の動作を示す図である。
【図９】同、動作図である。
【図１０】同、動作図である。
【図１１】同、動作図である。
【図１２】同、動作図である。
【図１３】同、動作図である。
【図１４】変形例に係る搬送機構の構成を示す図である。
【図１５】変形例に係る搬送機構の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
図１は本実施形態に係る塗布装置１の斜視図である。
図１に示すように、本実施形態に係る塗布装置１は、例えば液晶パネルなどに用いられるガラス基板上にレジストを塗布する塗布装置であり、基板搬送部（基板搬送系）２と、塗布部（塗布系）３と、管理部４と、制御装置ＣＯＮＴとを主要な構成要素としている。この塗布装置１は、基板搬送部（基板搬送系）２によって基板を浮上させて搬送しつつ塗布部（塗布系）３によって当該基板上にレジストが塗布されるようになっており、管理部４によって塗布部３の状態が管理されるようになっている。
【００２５】
図２は塗布装置１の正面図、図３は塗布装置１の平面図、図４は塗布装置１の側面図である。これらの図を参照して、塗布装置１の詳細な構成を説明する。
【００２６】
（基板搬送部）
まず、基板搬送部２の構成を説明する。
基板搬送部２は、基板搬入領域２０と、塗布処理領域２１と、基板搬出領域２２と、搬送機構２３と、これらを支持するフレーム部２４とを有している。この基板搬送部２では、搬送機構２３によって基板Ｓが基板搬入領域２０、塗布処理領域２１及び基板搬出領域２２へと順に搬送されるようになっている。基板搬入領域２０、塗布処理領域２１及び基板搬出領域２２は、基板搬送方向の上流側から下流側へこの順で配列されている。搬送機構２３は、基板搬入領域２０、塗布処理領域２１及び基板搬出領域２２の各部に跨るように当該各部の一側方に設けられている。
【００２７】
以下、塗布装置１の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。基板搬送部２の長手方向であって基板の搬送方向をＸ方向と表記する。平面視でＸ方向（基板搬送方向）に直交する方向をＹ方向と表記する。Ｘ方向軸及びＹ方向軸を含む平面に垂直な方向をＺ方向と表記する。なお、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとする。
【００２８】
基板搬入領域２０は、装置外部から搬送されてきた基板Ｓを搬入する部位であり、搬入側ステージ２５と、リフト機構２６とを有している。
搬入側ステージ２５は、フレーム部２４の上部に設けられており、例えばＳＵＳなどからなる平面視で矩形の板状部材である。この搬入側ステージ２５は、Ｘ方向が長手になっている。搬入側ステージ２５には、エア噴出口２５ａと、昇降ピン出没孔２５ｂとがそれぞれ複数設けられている。これらエア噴出口２５ａ及び昇降ピン出没孔２５ｂは、搬入側ステージ２５を貫通するように設けられている。
【００２９】
エア噴出口２５ａは、搬入側ステージ２５のステージ表面（搬送面）２５ｃ上にエアを噴出する孔であり、例えば搬入側ステージ２５のうち基板Ｓの通過する領域に平面視マトリクス状に配置されている。このエア噴出口２５ａには図示しないエア供給源が接続されている。この搬入側ステージ２５では、エア噴出口２５ａから噴出されるエアによって基板Ｓを＋Ｚ方向に浮上させることができるようになっている。
【００３０】
昇降ピン出没孔２５ｂは、搬入側ステージ２５のうち基板Ｓの搬入される領域に設けられている。当該昇降ピン出没孔２５ｂは、ステージ表面２５ｃに供給されたエアが漏れ出さない構成になっている。
【００３１】
この搬入側ステージ２５のうちＹ方向の両端部には、アライメント装置２５ｄが１つずつ設けられている。アライメント装置２５ｄは、搬入側ステージ２５に搬入された基板Ｓの位置を合わせる装置である。各アライメント装置２５ｄは長孔と当該長孔内に設けられた位置合わせ部材を有しており、搬入側ステージ２５に搬入される基板を両側から機械的に挟持するようになっている。
【００３２】
リフト機構２６は、搬入側ステージ２５の基板搬入位置の裏面側に設けられている。このリフト機構２６は、昇降部材２６ａと、複数の昇降ピン２６ｂとを有している。昇降部材２６ａは、図示しない駆動機構に接続されており、当該駆動機構の駆動によって昇降部材２６ａがＺ方向に移動するようになっている。複数の昇降ピン２６ｂは、昇降部材２６ａの上面から搬入側ステージ２５へ向けて立設されている。各昇降ピン２６ｂは、それぞれ上記の昇降ピン出没孔２５ｂに平面視で重なる位置に配置されている。昇降部材２６ａがＺ方向に移動することで、各昇降ピン２６ｂが昇降ピン出没孔２５ｂからステージ表面２５ｃ上に出没するようになっている。各昇降ピン２６ｂの＋Ｚ方向の端部はそれぞれＺ方向上の位置が揃うように設けられており、装置外部から搬送されてきた基板Ｓを水平な状態で保持することができるようになっている。
【００３３】
塗布処理領域２１は、レジストの塗布が行われる部位であり、基板Ｓを浮上支持する処理ステージ２７が設けられている。
【００３４】
処理ステージ２７は、ステージ表面（搬送面）２７ｃが例えば硬質アルマイトを主成分とする光吸収材料で覆われた平面視で矩形の板状部材であり、搬入側ステージ２５に対して＋Ｘ方向側に設けられている。処理ステージ２７のうち光吸収材料で覆われた部分では、レーザ光などの光の反射が抑制されるようになっている。この処理ステージ２７は、Ｙ方向が長手になっている。処理ステージ２７のＹ方向の寸法は、搬入側ステージ２５のＹ方向の寸法とほぼ同一になっている。処理ステージ２７には、ステージ表面２７ｃ上にエアを噴出する複数のエア噴出口２７ａと、ステージ表面２７ｃ上のエアを吸引する複数のエア吸引口２７ｂとが設けられている。これらエア噴出口２７ａ及びエア吸引口２７ｂは、処理ステージ２７を貫通するように設けられている。また、処理ステージ２７の内部には、エア噴出口２７ａ及びエア吸引口２７ｂを通過する気体の圧力に抵抗を与えるための図示しない溝が複数設けられている。この複数の溝は、ステージ内部においてエア噴出口２７ａ及びエア吸引口２７ｂに接続されている。
【００３５】
処理ステージ２７では、エア噴出口２７ａのピッチが搬入側ステージ２５に設けられるエア噴出口２５ａのピッチよりも狭く、搬入側ステージ２５に比べてエア噴出口２７ａが密に設けられている。また、処理ステージ２７においては、エア噴出口２７ａとともにエア吸引口２７ｂが密に設けられている。これにより、この処理ステージ２７では他のステージに比べて基板の浮上量を高精度で調節できるようになっており、基板の浮上量が例えば１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下となるように制御することが可能になっている。処理ステージ２７には、ステージ表面２７ｃと基板Ｓとの間の距離を検出可能な検出部ＭＳが設けられている。
【００３６】
基板搬出領域２２は、レジストが塗布された基板Ｓを装置外部へ搬出する部位であり、搬出側ステージ２８と、リフト機構２９とを有している。この搬出側ステージ２８は、処理ステージ２７に対して＋Ｘ方向側に設けられており、基板搬入領域２０に設けられた搬入側ステージ２５とほぼ同様の材質、寸法から構成されている。搬出側ステージ２８には、搬入側ステージ２５と同様、エア噴出口２８ａ及び昇降ピン出没孔２８ｂが設けられている。リフト機構２９は、搬出側ステージ２８の基板搬出位置の裏面側に設けられており、例えばフレーム部２４に支持されている。リフト機構２９の昇降部材２９ａ及び昇降ピン２９ｂは、基板搬入領域２０に設けられたリフト機構２６の各部位と同様の構成になっている。このリフト機構２９は、搬出側ステージ２８上の基板Ｓを外部装置へと搬出する際に、基板Ｓの受け渡しのため昇降ピン２９ｂによって基板Ｓを持ち上げることができるようになっている。
【００３７】
搬送機構２３は、図４に示すように、第一搬送機構６０と、第二搬送機構６１とを備えている。なお、図３においては、第一搬送機構６０が基板Ｓを保持した状態を示し、第一搬送機構６０の下方に配置されている第二搬送機構６１の図示を省略している。
【００３８】
第一搬送機構６０は、搬送機（保持部）６０ａと、真空パッド（吸着部）６０ｂと、レール６０ｃと、搬送機６０ａを基板Ｓの搬送面と平行な面上を移動可能とする移動機構（進退機構）６３とを有している。また、第二搬送機構６１は、搬送機（保持部）６１ａと、真空パッド（吸着部）６１ｂと、レール６１ｃと、搬送機６１ａを昇降（上下動作）可能とする昇降機構（進退機構）６２とを有している。レール６０ｃ，６１ｃは、搬入側ステージ２５、処理ステージ２７及び搬出側ステージ２８の側方に各ステージに跨って延在している。
【００３９】
搬送機６０ａ，６１ａは、内部に例えばリニアモータが設けられた構成になっており、当該リニアモータが駆動することによって搬送機６０ａ，６１ａがレール６０ｃ，６１ｃ上を移動することで各ステージに沿って移動できるようになっている。すなわち、搬送機６０ａ，６１ａは、基板Ｓを保持する保持部としての機能と、該保持部を駆動する駆動部としての機能とを備えたものとなっている。搬送機６０ａ，６１ａは、所定の部分６０ｄ、６１ｄが平面視で基板Ｓの−Ｙ方向端部に重なるようになっている。この基板Ｓに重なる部分６０ｄ、６１ｄは、基板Ｓを浮上させたときの基板裏面の高さ位置よりも低い位置に配置されるようになっている。
【００４０】
第二搬送機構６１は、図４に示すように第一搬送機構６０と比べて、フレーム部２４の階段状の段差部２４ａの下段に配置されている。また、平面的に視ると、第二搬送機構６１は、第一搬送機構６０に対してステージ側に配置されている。
【００４１】
図４に示されるように、第二搬送機構６１は、上記昇降機構６２により搬送機６１ａを上昇させることで基板Ｓにアクセス可能（進退可能）となっている。一方、第一搬送機構６０は、上記移動機構６３により搬送機６０ａを基板Ｓの搬送面と平行な面上で水平移動させることで基板Ｓにアクセス可能（進退可能）となっている。第一搬送機構６０の搬送機６０ａと第二搬送機構６１の搬送機６１ａとは、それぞれ独立して移動可能となっている。
【００４２】
また、例えば、第一搬送機構６０が基板Ｓを保持している場合、基板Ｓを保持していない第二搬送機構６１の搬送機６１ａは、昇降機構６２が下降することによって下方に待機し、第一搬送機構６０（搬送機６０ａ）の搬送経路から退避している。また、第二搬送機構６１が基板Ｓを保持している場合、基板Ｓを保持していない第一搬送機構６０の搬送機６０ａは、移動機構６３によって−Ｙ方向に移動し、第二搬送機構６１（搬送機６１ａ）の搬送経路から退避している。
【００４３】
図３に示すように、真空パッド６０ｂは、搬送機６０ａのうち上記基板Ｓに重なる部分６０ｄに基板Ｓの搬送方向に沿って複数（本実施形態では３個）配置されている。この真空パッド６０ｂは、基板Ｓを真空吸着するための吸着面を有しており、当該吸着面が上方を向くように配置されている。真空パッド６０ｂは、吸着面が基板Ｓの裏面端部を吸着することで当該基板Ｓを保持可能になっている。これら真空パッド６０ｂは、基板Ｓの搬送方向前方側の端部から２５０ｍｍ以内を保持するのが好ましく、８０ｍｍ以内とするのが望ましい。具体的に本実施形態では、搬送機６０ａは、基板Ｓの搬送方向前方の端部から真空パッド６０ｂまでの距離Ｗが８０ｍｍ以内となるように基板Ｓを保持している。これにより搬送機６０ａにより基板Ｓが均一に保持されて、基板端部が垂れ下がることが防止され、基板Ｓを均一に浮上させた状態で搬送することができる。したがって、基板Ｓ上に塗布されるレジストを乾燥固化させた膜にムラが生じるのを防止している。
【００４４】
なお、第二搬送機構６１における搬送機６１ａの構造は、図３では図示されていないものの、上記搬送機６０ａと同一構成を有している。すなわち、搬送機６１ａにおける真空パッド６１ｂは、上記基板Ｓに重なる部分に基板Ｓの搬送方向に沿って３個配置されている。
【００４５】
ここで、搬送機６０ａ、６１ａの要部構成について説明する。なお、上述のように搬送機６０ａ、６１ａはそれぞれ同一構成を有するものであることから、本説明では搬送機６０ａを例に挙げ、その構成について図５を参照しつつ説明する。なお、図５（ａ）は搬送機６０ａの要部の平面構成を示す図であり、図５（ｂ）は搬送機６０ａの要部の断面構成を示す図である。
【００４６】
図５（ａ）に示されるように、搬送機６０ａに設けられる真空パッド６０ｂは、基板Ｓとの接触部が平面視略長円状となっている。そして、真空パッド６０ｂの内部には不図示の真空ポンプ等に接続される排気孔６５が設けられている。真空パッド６０ｂは、この排気孔６５を介して真空パッド６０ｂと基板Ｓとの間に生じる密閉空間を排気することで基板Ｓを真空吸着することが可能となっている。
【００４７】
また、図５（ｂ）に示すように、搬送機６０ａ上に設けられた真空パッド６０ｂの側方には、搬送中の基板Ｓの位置を規制するストッパー部材（位置規制部材）６６を備えている。このストッパー部材６６は、基板Ｓの側面Ｓ１に対向するとともに、基板Ｓの下面側に対向する凸部６６ａを備えている。この凸部６６ａは、基板Ｓの下方への撓みを規制するストッパーとして機能する。凸部６６ａは、図５（ａ）に示されるように、真空パッド６０ｂの外周部を枠状に囲んだ状態に設けられている。凸部６６ａの上面は、搬入側ステージ２５の上面に対して−３０〜＋３０μｍの範囲に設定するのが好ましく、−２０μｍ近傍に設定するのが望ましい。また、凸部６６ａと真空パッド６０ｂとの位置関係は、真空パッド６０ｂを０〜１ｍｍ程度上方に設定するのが好ましい。
【００４８】
なお、隣接する真空パッド６０ｂの間に凸部６６ａが配置される構成、すなわち各真空パッド６０ｂの四方を凸部６６ａが囲むようにしてもよい。
【００４９】
本実施形態に係る真空パッド６０ｂは、基板Ｓに対して変位可能となっている。具体的な本実施形態では、真空パッド６０ｂが蛇腹構造からなる蛇腹部６７を有している。これにより、例えば基板Ｓの端部に撓みが生じることで基板Ｓの高さに変動が生じた場合でも、真空パッド６０ｂが基板Ｓの動きに追従することで当該基板Ｓに対する吸着を確実に保持することができる。また、真空パッド６０ｂは、ステージ上における基板Ｓの浮上量を変化させた場合でも、蛇腹部６７が変位することで基板Ｓを良好に吸着することができるようになっている。
【００５０】
（塗布部）
次に、塗布部３の構成を説明する。
塗布部３は、基板Ｓ上にレジストを塗布する部分であり、門型フレーム３１と、ノズル３２とを有している。
【００５１】
門型フレーム３１は、支柱部材３１ａと、架橋部材３１ｂとを有しており、処理ステージ２７をＹ方向に跨ぐように設けられている。支柱部材３１ａは処理ステージ２７のＹ方向側に１つずつ設けられており、各支柱部材３１ａがフレーム部２４のＹ方向側の両側面にそれぞれ支持されている。各支柱部材３１ａは、上端部の高さ位置が揃うように設けられている。架橋部材３１ｂは、各支柱部材３１ａの上端部の間に架橋されており、当該支柱部材３１ａに対して昇降可能となっている。
【００５２】
この門型フレーム３１は移動機構３１ｃに接続されており、Ｘ方向に移動可能になっている。この移動機構３１ｃによって門型フレーム３１が管理部４との間で移動可能になっている。すなわち、門型フレーム３１に設けられたノズル３２が管理部４との間で移動可能になっている。また、この門型フレーム３１は、図示しない移動機構によりＺ方向にも移動可能になっている。
【００５３】
ノズル３２は、一方向が長手の長尺状に構成されており、門型フレーム３１の架橋部材３１ｂの−Ｚ方向側の面に設けられている。このノズル３２のうち−Ｚ方向の先端３２ｃには、自身の長手方向に沿ってスリット状の開口部３２ａが設けられており、当該開口部３２ａからレジストが吐出されるようになっている。ノズル３２は、開口部３２ａの長手方向がＹ方向に平行になると共に、当該開口部３２ａが処理ステージ２７に対向するように配置されている。開口部３２ａの長手方向の寸法は搬送される基板ＳのＹ方向の寸法よりも小さくなっており、基板Ｓの周辺領域にレジストが塗布されないようになっている。ノズル３２の内部にはレジストを開口部３２ａに流通させる図示しない流通路が設けられており、この流通路には図示しないレジスト供給源が接続されている。このレジスト供給源は例えば図示しないポンプを有しており、当該ポンプでレジストを開口部３２ａへと押し出すことで開口部３２ａからレジストが吐出されるようになっている。支柱部材３１ａには不図示の移動機構が設けられており、当該移動機構によって架橋部材３１ｂに保持されたノズル３２がＺ方向に移動可能になっている。ノズル３２には不図示の移動機構が設けられており、当該移動機構によってノズル３２が架橋部材３１ｂに対してＺ方向に移動可能になっている。
【００５４】
門型フレーム３１の架橋部材３１ｂの下面には、ノズル３２の開口部３２ａ、すなわち、ノズル３２の先端３２ｃと当該ノズル先端３２ｃに対向する対向面との間のＺ方向上の距離を測定するセンサ３３が取り付けられている。センサ３３としては、例えば光学式センサが用いられており、例えば不図示の発光部及び受光部を有している。センサ３３は、例えば基板Ｓの端部Ｓｄに向けられている。
【００５５】
センサ３３は、ノズル３２に例えば３つ配置されている。３つのセンサ３３は、例えばＹ方向に等ピッチで並んで配置されている。このうち２つのセンサ３３は、例えば基板Ｓの端部Ｓｄに向けられる位置に配置されている。この２つのセンサ３３によって、例えば基板Ｓの端部Ｓｄにおける上記距離を検出可能となっている。また、他の１つのセンサ３３は、基板Ｓの他の部分Ｓｃ（例えばＹ方向中央部）における上記距離を検出可能となっている。
【００５６】
センサ３３による検出結果は、例えば制御装置ＣＯＮＴに送信されるようになっている。制御装置ＣＯＮＴでは、例えばセンサ３３による検出結果に基づき、基板Ｓの浮上量（Ｄ１）を算出可能である。この場合、制御装置ＣＯＮＴには、処理ステージ２７の表面２７ｃからノズル先端３２ｃのまでの距離（Ｄ２）についてのデータと、基板Ｓの厚さ（Ｄ３）についてのデータとを予め記憶させておき、検出結果（Ｄ４）とこれらのデータとを用いて、以下の式（１）に基づいて、基板Ｓの浮上量（Ｄ１）を算出する。
Ｄ１＝Ｄ２−Ｄ３−Ｄ４…（１）
（管理部）
管理部４の構成を説明する。
管理部４は、基板Ｓに吐出されるレジスト（液状体）の吐出量が一定になるようにノズル３２を管理する部位であり、基板搬送部２のうち塗布部３に対して−Ｘ方向側（基板搬送方向の上流側）に設けられている。この管理部４は、予備吐出機構４１と、ディップ槽４２と、ノズル洗浄装置４３と、これらを収容する収容部４４と、当該収容部を保持する保持部材４５とを有している。保持部材４５は、移動機構４５ａに接続されている。当該移動機構４５ａにより、収容部４４がＸ方向に移動可能になっている。
【００５７】
予備吐出機構４１、ディップ槽４２及びノズル洗浄装置４３は、−Ｘ方向側へこの順で配列されている。これら予備吐出機構４１、ディップ槽４２及びノズル洗浄装置４３のＹ方向の各寸法は上記門型フレーム３１の支柱部材３１ａ間の距離よりも小さくなっており、上記門型フレーム３１が各部位を跨いでアクセスできるようになっている。
【００５８】
予備吐出機構４１は、レジストを予備的に吐出する部分である。当該予備吐出機構４１はノズル３２に最も近くに設けられている。ディップ槽４２は、内部にシンナーなどの溶剤が貯留された液体槽である。ノズル洗浄装置４３は、ノズル３２の開口部３２ａ近傍をリンス洗浄する装置であり、Ｙ方向に移動する図示しない洗浄機構と、当該洗浄機構を移動させる図示しない移動機構とを有している。この移動機構は、洗浄機構よりも−Ｘ方向側に設けられている。ノズル洗浄装置４３は、移動機構が設けられる分、予備吐出機構４１及びディップ槽４２に比べてＸ方向の寸法が大きくなっている。なお、予備吐出機構４１、ディップ槽４２、ノズル洗浄装置４３の配置については、本実施形態の配置に限られず、他の配置であっても構わない。
【００５９】
（エア噴出機構・吸引機構）
図６は、基板搬送部２の搬入側ステージ２５、処理ステージ２７及び搬出側ステージ２８のエア噴出機構・吸引機構の構成を示す図である。同図をもとにして、上記の各ステージのエア噴出及びエア吸引に関する構成を説明する。
【００６０】
搬入側ステージ２５及び搬出側ステージ２８にはエア噴出機構１５０、１５５のみが設けられており、吸引機構は設けられていない。各エア噴出機構１５０、１５５の構成は両ステージにおいて同一の構成になっている。これらのエア噴出機構１５０、１５５は、それぞれブロアー１５１、１５６、温度コントロールユニット１５２、１５７、マニホールド１５３、１５８をそれぞれ有している。
【００６１】
各ブロアー１５１、１５６からは配管１５０ａ、１５５ａによって温度コントロールユニット１５２、１５７にそれぞれ接続されている。この温度コントロールユニット１５２、１５７は、例えば冷媒機構などの冷却機構や電熱線などの加熱機構が設けられており、これら冷却機構及び加熱機構によって、供給されるエアの温度を調節可能に構成されている。温度コントロールユニット１５２と温度コントロールユニット１５７とでは、独立してエアの温度を調節できるようになっている。温度コントロールユニット１５２、１５７は、配管１５０ｂ、１５５ｂによってマニホールド１５３、１５８にそれぞれ接続されている。
【００６２】
マニホールド１５３、１５８には、それぞれ温度センサ１５４、１５９が取り付けられている。
【００６３】
温度センサ１５４、１５９は、マニホールド１５３、１５８内のエアの温度を計測し、計測結果をそれぞれ温度コントロールユニット１５２、１５７に送信するようになっている。温度コントロールユニット１５２、１５７では、この温度センサ１５４、１５９の計測結果をフィードバックさせてエアの温度を調節できるようになっている。このように、温度コントロールユニット１５２、１５７及び温度センサ１５４、１５９は、エアの温度をフィードバックさせて調節する温度調節機構１８１、１８２をそれぞれ構成している。
【００６４】
配管１５０ｂ、１５５ｂには圧力計が取り付けられており、配管１５０ｃ、１５５ｃによって搬入側ステージ２５及び搬出側ステージ２８にそれぞれ接続されている。各配管１５０ａ〜１５０ｃ、１５５ａ〜１５５ｃには、各種バルブが設けられている。また、配管１５０ａ〜１５０ｃ、１５５ａ〜１５５ｃには、気中パーティクル量を測定する気中パーティクル量測定器を設けてもよい。
【００６５】
一方、処理ステージ２７には、エア噴出機構１６０に加えて吸引機構１７０が設けられている。
図７は、処理ステージ２７に設けられたエア噴出機構及び吸引機構の構成を示す図である。同図に示すように、エア噴出機構１６０は、ブロアー１６１、温度コントロールユニット１６２、フィルタ１６３、オートプレッシャーコントローラー（ＡＰＣ）１６４、マニホールド１６５、温度センサ１６６及び噴出量監視ポート１６７を有している。
【００６６】
ブロアー１６１は、エア噴出機構にエアを供給するエア供給源であり、配管１６０ａによって温度コントロールユニット１６２に接続されている。エア供給源として、ブロアー１６１の代わりに工場などのエア供給ラインを接続してもよい。
【００６７】
温度コントロールユニット１６２は、例えば供給されるエアの温度を調節するユニットである。温度コントロールユニット１６２内のエア流通部には、例えば冷媒機構などの冷却機構や電熱線などの加熱機構が設けられている。これらの冷却機構や加熱機構によって、エアの温度を上昇させたり下降させたりすることができるようになっている。温度コントロールユニット１６２では、上記の温度コントロールユニット１５２、１５７に対して独立してエアの温度を調節できるようになっている。温度コントロールユニット１６２は、配管１６０ｂによってＡＰＣ１６４に接続されている。
【００６８】
配管１６０ｂにはフィルタ１６３が設けられている。フィルタ１６３は供給されるエアに混合する異物を除去する部位である。また、配管１６０ｂに不図示の逃がし弁を設ける構成であっても構わない。
【００６９】
ＡＰＣ１６４は、エアの供給量を調節するユニットである。ＡＰＣ１６４は、バタフライバルブ１６４ａとコントローラ１６４ｂとを有している。コントローラ１６４ｂはバタフライバルブ１６４ａの開度を調節できるようになっており、当該バタフライバルブ１６４ａの開度を調節することでエアの供給量を調節可能になっている。ＡＰＣ１６４は、配管１６０ｃを介してマニホールド１６５に接続されている。
【００７０】
配管１６０ｃには、流量計１６９ａ及び圧力計１６９ｂが取り付けられている。これら流量計１６９ａ及び圧力計１６９ｂによって配管１６０ｃ内のエアの流量及び圧力が測定されるようになっている。各測定結果は、例えばＡＰＣ１６４へ送信されるようになっている。
【００７１】
マニホールド１６５は、配管１６０ｃを流通するエアを分岐するユニットである。当該マニホールド１６５において、配管１６０ｃは分岐された複数の配管１６０ｄに接続されている。各配管１６０ｄは、処理ステージ２７のエア噴出口２７ａに接続されている。また、マニホールド１６５には、配管１６０ｆが設けられている。当該配管１６０ｆは、処理ステージ２７のＹ方向の端部に配置されたエア噴出口２７ａに接続されている。
【００７２】
配管１６０ｆには、噴出量調整機構ＧＣＴが設けられている。噴出量調整機構ＧＣＴは、処理ステージ２７のＹ方向の端部に配置されたエア噴出口２７ａから噴出されるエアの噴出量を調整する。このように、ＡＰＣ１６４からのエアは、配管１６０ｃ及び各配管１６０ｄを介してエア噴出口２７ａから噴出されるようになっている。
【００７３】
図７に戻って、温度センサ１６６は、マニホールド１６５内のエアの温度を測定するセンサである。温度センサ１６６によって測定されたエアの温度のデータは、例えば通信回線などを介して温度コントロールユニット１６２へ送信されるようになっている。温度コントロールユニット１６２では、この温度センサ１６６の計測結果をフィードバックさせることでエアの温度を調節できるようになっている。このように、温度コントロールユニット１６２及び温度センサ１６６は、エアの温度をフィードバックさせて調節する温度調節機構１８３を構成している。
【００７４】
噴出量監視ポート１６７は、エアの流量検知用のポートを有する構成になっており、この流量検知用のポートによってステージ直下の気体流量を検出可能になっている。この噴出量監視ポート１６７には流量計１６７ａ及び圧力計１６７ｂが設けられており、エア噴出口２７ａから噴出されるエアの流量及び圧力が測定可能になっている。なお、流量計１６７ａ及び圧力計１６７ｂによる測定結果については、ＡＰＣ１６４内のコントローラ１６４ｂに送信される構成であっても構わない。
【００７５】
また、上記の配管１６０ａ〜１６０ｅには、各種のバルブ等が取り付けられており、各バルブにおいて適宜開度を調節できるようになっている。
【００７６】
吸引機構１７０は、ブロアー１７１と、オートプレッシャーコントローラー（ＡＰＣ）１７２と、トラップタンク１７３と、マニホールド１７４と、吸引量監視ポート１７５とを有している。ブロアー１７１、ＡＰＣ１７２、トラップタンク１７３、マニホールド１７４は、互いに配管１７０ａ〜１７０ｃによって接続されており、各配管１７０ａ〜１７０ｃには各種バルブが取り付けられている。なお、ブロアー１７１の代わりに工場などのエア吸引ラインを使用してもよい。また、マニホールド１７４が設けられない構成であっても構わない。
【００７７】
マニホールド１７４は、分岐された複数の配管１７０ｄに接続されている。各配管１７０ｄは、処理ステージ２７のエア吸引口２７ｂに接続されている。また、マニホールド１７４には、配管１７０ｆが設けられている。当該配管１７０ｆは、例えば処理ステージ２７に接続されている。配管１７０ｆには、吸引量調整機構ＶＣＴが設けられている。当該吸引量調整機構ＶＣＴは、処理ステージ２７のＹ方向の端部に配置されたエア吸引口２７ｂの吸引量を調整する。
【００７８】
図７に戻って、ＡＰＣ１７２は、エアの供給量を調節するバタフライバルブ１７２ａとコントローラ１７２ｂとが設けられている。吸引量監視ポート１７５は、配管１７０ｅによって処理ステージ２７に接続され、当該接続部分にエアの流量検知用のポートが接続された構成になっている。吸引量監視ポート１７５では、この流量検知用のポートによって処理ステージ２７の直下の気体流量を検出可能になっている。また、吸引量監視ポート１７５には流量計１７５ａ及び圧力計１７５ｂが取り付けられており、エア吸引口２７ｂによって吸引されるエアの流量及び圧力を測定可能になっている。なお、流量計１７５ａ及び圧力計１７５ｂによる測定結果については、ＡＰＣ１７２内のコントローラ１７２ｂに送信される構成であっても構わない。
【００７９】
ＡＰＣ１７２とエア吸引口２７ｂとの間に流量計を設けて、測定結果を電線（図中破線で示す）等を介してＡＰＣ１７２内のコントローラ１７２ｂに送信するようにしても良い。配管１６０ｃと配管１７０ｃとの間は接続部１８０によって接続されており、パージ用の洗浄液吸引ラインと真空吸引（エア吸引）ラインとを切り替え可能になっている。
【００８０】
次に、上記のように構成された塗布装置１の動作を説明する。
図８〜図１３は、塗布装置１の動作過程を示す平面図である。各図を参照して、基板Ｓにレジストを塗布する動作を説明する。この動作では、基板Ｓを基板搬入領域２０に搬入し、当該基板Ｓを浮上させて搬送しつつ塗布処理領域２１でレジストを塗布し、当該レジストを塗布した基板Ｓを基板搬出領域２２から搬出する。図９〜図１１には門型フレーム３１及び管理部４の輪郭のみを破線で示し、ノズル３２及び処理ステージ２７の構成を判別しやすくした。以下、各部分における詳細な動作を説明する。
【００８１】
基板搬入領域２０に基板を搬入する前に、塗布装置１をスタンバイさせておく。具体的には、搬入側ステージ２５の基板搬入位置の−Ｙ方向側に第一搬送機構６０の搬送機６０ａを配置させ、真空パッド６０ｂの高さ位置を基板の浮上高さ位置に合わせておくと共に、搬入側ステージ２５のエア噴出口２５ａ、処理ステージ２７のエア噴出口２７ａ、エア吸引口２７ｂ及び搬出側ステージ２８のエア噴出口２８ａからそれぞれエアを噴出又は吸引し、各ステージ表面に基板が浮上する程度にエアが供給された状態にしておく。
【００８２】
この状態で、例えば図示しない搬送アームなどによって外部から図３に示した基板搬入位置に基板Ｓが搬送されてきたら、昇降部材２６ａを＋Ｚ方向に移動させて昇降ピン２６ｂを昇降ピン出没孔２５ｂからステージ表面２５ｃに突出させる。そして、昇降ピン２６ｂによって基板Ｓが持ち上げられ、当該基板Ｓの受け取りが行われる。また、アライメント装置２５ｄの長孔から位置合わせ部材をステージ表面２５ｃに突出させておく。
【００８３】
基板Ｓを受け取った後、昇降部材２６ａを下降させて昇降ピン２６ｂを昇降ピン出没孔２５ｂ内に収容する。このとき、ステージ表面２５ｃにはエアの層が形成されているため、基板Ｓは当該エアによりステージ表面２５ｃに対して浮上した状態で保持される。基板Ｓがエア層の表面に到達した際、アライメント装置２５ｄの位置合わせ部材によって基板Ｓの位置合わせが行われ、基板搬入位置の−Ｙ方向側に配置された第一搬送機構６０の移動機構６３により搬送機６０ａの真空パッド６０ｂを基板Ｓの−Ｙ方向側端部に真空吸着させることができる（図３）。真空パッド６０ｂによって基板Ｓの−Ｙ方向側端部が吸着された後、搬送機６０ａをレール６０ｃに沿って移動させる。基板Ｓが浮上した状態になっているため、搬送機６０ａの駆動力を比較的小さくしても基板Ｓはレール６０ｃに沿ってスムーズに移動する。
【００８４】
基板Ｓの搬送方向の先端が、処理ステージ２７に到達したら、制御装置ＣＯＮＴは、センサ３３を用いて基板Ｓの＋Ｚ側の面とノズル３２の先端３２ｃとの距離を検出させる。制御装置ＣＯＮＴは、センサ３３内の不図示の発光部から検出光を射出させる。当該検出光は、基板Ｓの＋Ｚ側の面で反射され、不図示の受光部によって受光される。受光された検出光は、電気信号として制御装置ＣＯＮＴに送信される。制御装置ＣＯＮＴは、送信された電気信号に基づいて、基板Ｓの＋Ｚ側の面とノズル３２の先端３２ｃとの距離を求める。制御装置ＣＯＮＴは、求めた結果から、上記の式（１）を用いて、基板Ｓの浮上量を算出する。
【００８５】
このとき、例えば図８（ａ）及び図８（ｃ）に示すように、例えば基板ＳのうちＹ方向において第一搬送機構６０及び第二搬送機構６１によって保持された部分とは反対側の端部Ｓｄが撓んだ状態（−Ｚ方向に湾曲した状態）になる場合がある。この場合、当該基板Ｓの端部Ｓｄの浮上量は、当該基板Ｓの他の部分Ｓｃの浮上量とは異なってしまう。このように、センサ３３を用いた検出結果から得られた浮上量が上記のように端部Ｓｄと他の部分Ｓｃとで異なる場合、制御装置ＣＯＮＴは、端部Ｓｄの浮上量を調整させるようにする。
【００８６】
例えば、図８（ｂ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、噴出量調整機構ＧＣＴを介して配管１６０ｆからのエアの流通量を大きくする。この動作により、処理ステージ２７のＹ方向の端部におけるエア噴出口２７ａの噴出量が大きくなる。当該エア噴出口２７ａの噴出量が大きくなることにより、基板Ｓの端部Ｓｄに対して＋Ｚ方向に作用する力（浮上力）が大きくなり、端部Ｓｄの撓みが解消される。このため、基板ＳのＹ方向全体において均一な浮上量となる。
【００８７】
また、例えば図８（ｄ）に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、吸引量調整機構ＶＣＴを介して配管１７０ｆからのエアの流通量を小さくする。この動作により、処理ステージ２７のＹ方向の端部におけるエア吸引口２７ｂの吸引量が小さくなる。当該エア吸引口２７ｂの吸引量が小さくなることにより、基板Ｓの端部Ｓｄにおいて−Ｚ方向に作用する力（吸引力）が小さくなり、相対的に＋Ｚ方向に作用する力（浮上力）が大きくなるため、端部Ｓｄの撓みが解消される。このため、基板ＳのＹ方向全体において均一な浮上量となる。
【００８８】
このように基板Ｓの端部Ｓｄの浮上量を調整しつつ、基板Ｓの搬送方向先端がノズル３２の開口部３２ａの位置に到達したら、図９に示すように、ノズル３２の開口部３２ａから基板Ｓへ向けてレジストを吐出する。レジストの吐出は、ノズル３２の位置を固定させ搬送機６０ａによって基板Ｓを搬送させながら行う。
【００８９】
本実施形態では、第一搬送機構６０により搬送される基板Ｓに対してレジスト塗布を行っている途中において、例えば図示しない搬送アームなどによって外部から基板搬入位置に他の基板Ｓ´を受け渡すようにしている。基板Ｓ´を受け取った後、昇降部材２６ａを下降させて昇降ピン２６ｂを昇降ピン出没孔２５ｂ内に収容することで、基板Ｓ´はエアによりステージ表面２５ｃに対して浮上した状態で保持される。
【００９０】
基板Ｓ´がエア層の表面に到達した際、アライメント装置２５ｄの位置合わせ部材によって基板Ｓ´の位置合わせが行われ、基板搬入位置の−Ｚ方向側に配置された第二搬送機構６１の昇降機構６２により搬送機６１ａを上昇させ、真空パッド６１ｂを基板Ｓ´の−Ｙ方向側端部に真空吸着させる。制御装置ＣＯＮＴは、当該基板Ｓ´についても、上記の基板Ｓと同様に浮上量の検出を適宜行わせる。
【００９１】
このように本実施形態では、第一搬送機構６０の搬送機６０ａと第二搬送機構６１の搬送機６１ａとがそれぞれ独立して移動可能となっているので、第一搬送機構６０によって搬送される基板Ｓに対するレジスト塗布の処理が終了する前に、第二搬送機構６１により他の基板Ｓ´をステージ上に搬送することができる。よって、片持ち状態で順次搬送する基板Ｓ、Ｓ´上にレジストを良好に塗布することができ、レジスト塗布処理において高いスループットを得ることができる。
【００９２】
基板Ｓの移動に伴い、図１０に示すように基板Ｓ上にレジスト膜Ｒが塗布されていく。基板Ｓがレジストを吐出する開口部３２ａの下を通過することにより、基板Ｓの所定の領域にレジスト膜Ｒが形成される。また、第二搬送機構６１の搬送機６１ａは、基板Ｓ´を開口部３２ａの下方に移動させる。
【００９３】
レジスト膜Ｒの形成された基板Ｓは、搬送機６０ａによって搬出側ステージ２８へと搬送される。搬出側ステージ２８では、ステージ表面２８ｃに対して浮上した状態で、図１１に示す基板搬出位置まで基板Ｓが搬送される。また、搬送機６１ａにより搬送された他の基板Ｓ´が開口部３２ａの下を通過することにより、他の基板Ｓ´の所定の領域にレジスト膜Ｒが形成される。
【００９４】
基板Ｓが基板搬出位置に到達したら、真空パッド６０ｂの吸着を解除し、リフト機構２９の昇降部材２９ａを＋Ｚ方向に移動させる。すると、昇降ピン２９ｂが昇降ピン出没孔２８ｂから基板Ｓの裏面へ突出し、基板Ｓが昇降ピン２９ｂによって持ち上げられる。この状態で、例えば搬出側ステージ２８の＋Ｘ方向側に設けられた外部の搬送アームが搬出側ステージ２８にアクセスし、基板Ｓを受け取る。基板Ｓを搬送アームに渡した後、第一搬送機構６０は、移動機構６３により搬送機６０ａ（真空パッド６０ｂ）を基板Ｓの下方から退避し、他の基板Ｓ´を搬送している第二搬送機構６１の搬送経路（移動経路）から退避する。
【００９５】
そして、第一搬送機構６０は、再び搬入側ステージ２５の基板搬入位置まで戻り、次の基板が搬送されるまで待機する。このとき、図１１に示されるように、第二搬送機構６１に搬送される基板Ｓ´に対してレジスト塗布が行われているが、第一搬送機構６０は、上述のように第二搬送機構６１の搬送経路から退避しているので、第二搬送機構６１に接触して他の基板Ｓ´の搬送を妨げることが無く、搬入側ステージ２５の基板搬入位置まで戻ることができる。
【００９６】
また、第二搬送機構６１により搬送された基板Ｓ´が基板搬出位置に到達したら、同様に外部の搬送アームが搬出側ステージ２８にアクセスし、基板Ｓを受け取る。そして、再び搬入側ステージ２５の基板搬入位置まで戻り、次の基板Ｓが搬送されるまで待機する。
【００９７】
次の基板が搬送されてくるまでの間、塗布部３では、ノズル３２の吐出状態を保持するための予備吐出が行われる。図１２に示すように、移動機構３１ｃによって門型フレーム３１を管理部４の位置まで−Ｘ方向へ移動させる。
【００９８】
管理部４の位置まで門型フレーム３１を移動させた後、門型フレーム３１の位置を調整してノズル３２の先端３２ｃをノズル洗浄装置４３にアクセスさせ、当該ノズル洗浄装置４３によってノズル先端３２ｃを洗浄する。
【００９９】
ノズル先端３２ｃの洗浄後、当該ノズル３２を予備吐出機構４１にアクセスさせる。予備吐出機構４１では、開口部３２ａと予備吐出面との間の距離を測定しながらノズル３２の先端３２ｃの開口部３２ａをＺ方向上の所定の位置に移動させ、ノズル３２を−Ｘ方向へ移動させながら開口部３２ａからレジストを予備吐出する。
【０１００】
予備吐出動作を行った後、門型フレーム３１を元の位置に戻す。次の基板Ｓが搬送されてきたら、図１３に示すようにノズル３２をＺ方向上の所定の位置に移動させる。このように、基板Ｓにレジスト膜Ｒを塗布する塗布動作と予備吐出動作とを繰り返し行わせることで、基板Ｓには良質なレジスト膜Ｒが形成されることになる。
【０１０１】
なお、必要に応じて、例えば管理部４に所定の回数アクセスする毎に、当該ノズル３２をディップ槽４２内にアクセスさせても良い。ディップ槽４２では、ノズル３２の開口部３２ａをディップ槽４２に貯留された溶剤（シンナー）の蒸気雰囲気に曝すことでノズル３２の乾燥を防止する。
【０１０２】
以上のように、本実施形態によれば、ノズル３２からレジストＲが吐出される処理ステージ２７において、基板Ｓのうち基板搬送方向（＋Ｘ方向）に直交する方向（Ｙ方向）の端部Ｓｄの浮上量を調整する調整部として噴出量調整機構ＧＣＴ及び吸引量調整機構ＶＣＴを有するため、基板Ｓの端部Ｓｄの浮上量を他の部分Ｓｃの浮上量と等しくなるように調整することができる。これにより、均一な浮上量で基板Ｓを浮上させることが可能となる。
【０１０３】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、第一搬送機構６０及び第二搬送機構６１が、それぞれ搬送機６０ａ、６１ａを一個ずつ備えた構成について説明したが、本発明はこれに限定されることはない。例えば、図１４に示すように、第一搬送機構６０としてレール６０ｃに搬送機６０ａが３個設けられた構成とすることができる。なお、図１４においては、図示を省略するものの、第二搬送機構６１についても搬送機６１ａを３個備えた構成とすることができる。また、本説明では、搬送機６０ａ、６１ａが３個ずつ備える構成について説明するが、本発明はこれに限定されることは無く、搬送機６０ａ、６１ａを２個ずつ、或いは４個以上ずつ備える構成についても適用可能である。
【０１０４】
本説明では、基板Ｓの搬送方向上流側から順に第１の搬送機２６１、第２の搬送機２６２、第３の搬送機２６３と称し、総称して搬送機２６１、２６２、２６３と呼ぶこともある。
【０１０５】
これら搬送機２６１、２６２、２６３は、基板Ｓの搬送時においてはそれぞれが同期した状態でレール６０ｃ上を移動する。また、各搬送機２６１、２６２、２６３は、基板Ｓの非搬送時においては、レール６０ｃ上でそれぞれ独立に移動可能となっている。この構成によれば、搬送する基板Ｓの長さに応じて各搬送機２６１、２６２、２６３における基板Ｓの保持位置を任意に設定することができる。
【０１０６】
搬送機２６１の真空パッド６０ｂは、基板Ｓの搬送方向前方側の端部から２５０ｍｍ以内を保持するのが好ましく、８０ｍｍ以内とするのが望ましい。具体的に搬送機２６１は、基板Ｓの搬送方向前方の端部から真空パッド６０ｂまでの距離Ｗ１が８０ｍｍ以内となるように基板Ｓを保持している。
【０１０７】
また、搬送機２６３の真空パッド６０ｂは、基板Ｓの搬送方向後方側の端部から２５０ｍｍ以内を保持するのが好ましく、８０ｍｍ以内とするのが望ましい。具体的に搬送機２６３は、基板Ｓの搬送方向後方の端部から真空パッド６０ｂまでの距離Ｗ２が８０ｍｍ以内となるように基板Ｓを保持している。
【０１０８】
これら搬送機２６１、２６２、２６３により基板Ｓが均一に保持されて、基板端部が垂れ下がることが防止され、大型の基板Ｓを均一に浮上させた状態で搬送することができる。したがって、大型の基板Ｓ上に塗布されるレジストを乾燥固化させた膜にムラが生じるのを防止できる。
【０１０９】
また、上記実施形態では、基板Ｓの浮上量を検出する検出部として、ノズル３２に設けられたセンサ３３を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、処理ステージ２７側に検出部が設けられた構成であっても構わない。
【０１１０】
図１５（ａ）は、処理ステージ２７の構成を示す平面図である。
図１５（ａ）に示すように、処理ステージ２７は、第一浮上領域ＦＡ、第二浮上領域ＳＡ及び第三浮上領域ＴＡを有している。第一浮上領域ＦＡは、処理ステージ２７のＸ方向の両端に配置されている。第一浮上領域ＦＡは、上記の搬入側ステージ２５及び搬出側ステージ２８よりも浮上量の管理が厳密に行われる領域である。
【０１１１】
第二浮上領域ＳＡは、第一浮上領域ＦＡよりもＸ方向の内側に配置されている。第二浮上領域ＳＡは、第一浮上領域ＦＡよりも浮上量の管理が更に厳密に行われる領域である。第二浮上領域ＳＡにおける基板Ｓの浮上量は、例えば第一浮上領域ＦＡにおける基板の浮上量に対して異なる量に設定されている。
【０１１２】
第三浮上領域ＴＡは、処理ステージ２７のＸ方向のほぼ中央に配置されており、第二浮上領域ＳＡに挟まれた領域である。第三浮上領域ＴＡは、ノズル３２の開口部３２ａに対向する吐出領域ＣＡを含む領域である。第三浮上領域ＴＡでは、基板Ｓの浮上量の管理が第一浮上領域ＦＡ及び第二浮上領域ＳＡよりも厳密に行われる。第三浮上領域ＴＡにおける基板Ｓの浮上量は、第二浮上領域ＳＡにおける基板の浮上量に対して異なる量に設定されている。
【０１１３】
上記の噴出量調整機構ＧＣＴ及び吸引量調整機構ＶＣＴは、当該第三浮上領域ＴＡの端部に接続される配管１６０ｆ、１７０ｆに設けられている。これにより、第三浮上領域ＴＡの端部のエアの噴出量及び吸引量を調整可能となっている。なお、噴出量調整機構ＧＣＴ及び吸引量調整機構ＶＣＴは、第三浮上領域ＴＡに加えて、第一浮上領域ＦＡや第二浮上領域ＳＡの端部におけるエアの噴出量及び吸引量を調整可能に設けられている構成にすると、より好ましい。この場合、噴出量調整機構ＧＣＴ及び吸引量調整機構ＶＣＴを第一浮上領域ＦＡ及び第二浮上領域ＳＡの端部に接続される配管１６０ｆ、１７０ｆに配置させると良い。
【０１１４】
図１５（ａ）に示すように、複数の検出部ＭＳは、それぞれ基板Ｓが通過する領域内に配置されている。例えば、本実施形態では、処理ステージ２７のうちＹ方向の中央部と、Ｙ方向の両端部とにそれぞれ設けられている。このように、基板Ｓの搬送方向と直交する方向に分散して配置することにより、基板Ｓ全体における浮上量を検出可能になっている。
【０１１５】
検出部ＭＳのＸ方向の位置については、例えば図中−Ｘ側の第一浮上領域ＦＡと第二浮上領域ＳＡとの境界部分Ｌ１に３つ（ＭＳ１）配置されており、図中−Ｘ側の第二浮上領域ＳＡと第三浮上領域ＴＡとの境界部分Ｌ２に３つ（ＭＳ２）配置されており、図中＋Ｘ側の第一浮上領域ＦＡと第二浮上領域ＳＡとの境界部分Ｌ３に３つ（ＭＳ３）配置されている。このように、基板Ｓの搬送方向にも分散して配置することにより、基板Ｓの各搬送位置における浮上量を検出可能になっている。本実施形態では、基板Ｓの浮上量が変化する位置に検出部ＭＳが設けられているため、当該基板Ｓの浮上量の管理がより厳密に行われるようになっている。
【０１１６】
上記の配置において、複数の検出部ＭＳは、処理ステージ２７のうちそれぞれ吐出領域ＣＡから外れた位置に設けられている。ノズル３２の開口部３２ａから吐出されるレジストＲが検出部ＭＳに直接掛かりにくいため、検出部ＭＳの検出結果に誤差が生じるのを防ぐことができる構成となっている。
【０１１７】
例えば図中−Ｘ側の第二浮上領域ＳＡと第三浮上領域ＴＡとの境界部分に配置された３つの検出部ＭＳは、吐出領域ＣＡに沿った位置に設けられている。このように、検出部ＭＳが吐出領域ＣＡに沿った位置に設けられるため、吐出領域ＣＡにおける浮上量がより精確に検出されるようになっている。また、この３つの検出部ＭＳは、吐出領域ＣＡに対して基板Ｓの搬送方向の上流側に設けられている。このため、基板Ｓに対してレジストＲを吐出する直前の基板Ｓの浮上量を検出することができるようになっている。
【０１１８】
処理ステージ２７には、検出部ＭＳを収容するための開口部（検出用開口部）２７ｄが形成されている。各検出部ＭＳは、この検出用開口部２７ｄ内に配置されている。検出用開口部２７ｄ（及び検出部ＭＳ）は、エア噴出口２７ａ及びエア吸引口２７ｂから外れた位置にそれぞれ設けられている。このため、各エア噴出口２７ａによる気体の噴出及びエア吸引口２７ｂによる吸引にそれぞれ影響が及ばない構成となっている。
【０１１９】
処理ステージ２７の第一浮上領域ＦＡ、第二浮上領域ＳＡ及び第三浮上領域ＴＡは、例えば上記の搬入側ステージ２５及び搬出側ステージ２８に比べて、基板Ｓの浮上量がより精密に調整される構成となっている。なお、処理ステージ２７のうち、例えば第一浮上領域ＦＡ及び第二浮上領域ＳＡについては、同一の浮上量となるように調整される構成であっても構わない。
【０１２０】
図１５（ｂ）は、処理ステージ２７の一部の構成を示す断面図であり、１つの検出用開口部２７ｄ及び検出部ＭＳの構成を示している。
図１５（ｂ）に示すように、検出用開口部２７ｄは、内部に検出部ＭＳを収容するポートＰＴを有している。検出部ＭＳが当該ポートＰＴに収容されることにより、例えば検出部ＭＳは、上端（＋Ｚ側の端部）がステージ表面２７ｃに対して深さｄｘ（１ｍｍ程度）だけ−Ｚ側に位置するように配置される。
【０１２１】
検出部ＭＳは、＋Ｚ側が球面状に形成されている。当該球面状に形成された部分の内部には、例えば発光部ＬＤ及び受光部ＰＤが設けられている。発光部ＬＤは、基板Ｓの−Ｚ側の面に向けて検出光を照射する。受光部ＰＤは、当該基板Ｓの−Ｚ側の面で反射された検出光を受光する。
【０１２２】
発光部ＬＤとしては、例えばレーザダイオードなどが用いられる。また、受光部ＰＤとしては、例えばフォトダイオードなどが用いられる。発光部ＬＤ及び受光部ＰＤは、例えば上記の制御装置ＣＯＮＴに接続されている。制御装置ＣＯＮＴは、発光部ＬＤにおける検出光の照射のタイミングや照射強度などを制御すると共に、受光部ＰＤによって検出された検出光の解析を行う。
【０１２３】
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示す構成において、基板Ｓの搬送方向の先端が、処理ステージ２７の境界部分Ｌ１に到達したら、制御装置ＣＯＮＴは、当該境界部分Ｌ１に配置された検出部ＭＳ１を用いて基板Ｓの−Ｚ側の面とステージ表面２７ｃとの距離（浮上量）を検出させる。制御装置ＣＯＮＴは、検出部ＭＳ１内の発光部ＬＤから検出光を射出させる。当該検出光は、基板Ｓの−Ｚ側の面で反射され、受光部ＰＤによって受光される。受光された検出光は、電気信号として制御装置ＣＯＮＴに送信される。制御装置ＣＯＮＴは、送信された電気信号に基づいて、基板Ｓの浮上量を求める。
【０１２４】
また、基板Ｓの搬送方向の先端が、処理ステージ２７の境界部分Ｌ２に到達したら、制御装置ＣＯＮＴは、当該境界部分Ｌ２に配置された検出部ＭＳ２を用いて基板Ｓの−Ｚ側の面とステージ表面２７ｃとの距離（浮上量）を検出させる。なお、制御装置ＣＯＮＴは、境界部分Ｌ１に配置された検出部ＭＳ１を同時に用いて基板Ｓの浮上量を検出させても構わない。
【０１２５】
また、検出部ＭＳ１を用いた検出結果から得られた浮上量が上記のように端部Ｓｄ（図８（ａ）〜図８（ｄ）参照）と他の部分Ｓｃ（図８（ａ）〜図８（ｄ）参照）とで異なる場合、制御装置ＣＯＮＴは、噴出量調整機構ＧＣＴ及び吸引量調整機構ＶＣＴを用いて、端部Ｓｄの浮上量を調整させるようにする。この動作により、基板Ｓの端部Ｓｄの撓みが解消され、基板ＳのＹ方向全体において均一な浮上量となる。
【０１２６】
このような検出及び端部Ｓｄの浮上量の調整を行いつつ、基板Ｓの搬送方向先端がノズル３２の開口部３２ａの位置に到達したら、上記実施形態に記載の図９に示すように、ノズル３２の開口部３２ａから基板Ｓへ向けてレジストを吐出する。レジストの吐出は、ノズル３２の位置を固定させ搬送機６０ａによって基板Ｓを搬送させながら行う。
【０１２７】
さらに、基板Ｓの搬送方向の先端が、処理ステージ２７の境界部分Ｌ３に到達したら、制御装置ＣＯＮＴは、当該境界部分Ｌ３に配置された検出部ＭＳ３を用いて基板Ｓの−Ｚ側の面とステージ表面２７ｃとの距離（浮上量）を検出させる。なお、制御装置ＣＯＮＴは、境界部分Ｌ１に配置された検出部ＭＳ１及び境界部分Ｌ２に配置された検出部ＭＳ２を同時に用いて基板Ｓの浮上量を検出させても構わない。
【０１２８】
このように、基板Ｓの浮上量を処理ステージ２７側から検出することにより、基板Ｓの表面状態（レジストＲの有無、パターンの有無など）にかかわらず、より精確な検出結果が得られることとなる。なお、制御装置ＣＯＮＴにおいては、検出部ＭＳ（ＭＳ１〜ＭＳ３）における検出結果に基づいて、基板Ｓの浮上量を調整しても構わない。この場合、例えば制御装置ＣＯＮＴは、エア噴出口２７ａからのエア噴出量や、エア吸引口２７ｂの吸引量を調整することにより、基板Ｓの浮上量を調整可能である。なお、検出部ＭＳ１〜ＭＳ３とセンサ３３との両方を用いて基板Ｓの浮上量を検出し、当該検出結果を用いて基板Ｓの端部Ｓｄの浮上量を調整しても構わない。
【０１２９】
また、上記実施形態においては、例えば図８（ａ）〜図８（ｄ）に示すように、処理ステージ２７のＹ方向の一方の端部（＋Ｙ側端部）において噴出量及び吸引量を調整する構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、勿論第一搬送機構６０及び第二搬送機構６１によって保持される側の端部（−Ｙ側端部）においても、噴出量及び吸引量を調整可能な構成であっても構わない。
【符号の説明】
【０１３０】
ＣＯＮＴ…制御装置 Ｓ…基板 Ｓｄ…端部 Ｓｃ…他の部分 ３３…センサ ＭＳ（ＭＳ１〜ＭＳ３）…検出部 ＧＣＴ…噴出量調整機構 ＶＣＴ…吸引量調整機構 ＣＣＴ…噴出量調整機構 １…塗布装置 ２７…処理ステージ ２７ｃ…ステージ表面 ２７ａ…エア噴出口 ２７ｂ…エア吸引口 ３２…ノズル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定領域に液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、
前記所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送部と、
少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整部と
を備える塗布装置。
【請求項２】
前記端部の浮上量を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて前記調整部による調整量を制御する調整量制御部と
を更に備える請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記検出部は、前記ノズルに設けられている
請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記検出部は、前記端部に向けて配置されたセンサを有する
請求項２又は請求項３に記載の塗布装置。
【請求項５】
前記センサは、複数設けられ、
複数の前記センサは、前記基板搬送方向に直交する方向の両方の前記端部に対応する位置に配置されている
請求項４に記載の塗布装置。
【請求項６】
前記基板搬送部は、前記基板を搬送する搬送部を有し、
前記搬送部は、前記端部の少なくとも一部を保持する基板保持部を有する
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項７】
前記基板に気体を噴出する気体噴出部を更に備え、
前記調整部は、前記端部への前記気体の噴出量を調整する噴出量調整部を有する
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項８】
前記基板搬送部上を吸引する吸引部を更に備え、
前記調整部は、前記端部に対応する部分の吸引量を調整する吸引量調整部を有する
請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項９】
所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送ステップと、
前記所定領域を通過する前記基板に液状体を吐出する塗布ステップと、
少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整ステップと
を含む塗布方法。
【請求項１０】
前記端部の浮上量を検出する検出ステップと、
前記検出ステップでの検出結果に基づいて前記調整ステップにおける調整量を制御する調整量制御ステップと
を更に含む請求項９に記載の塗布方法。
【請求項１１】
前記基板搬送ステップでは、前記端部の少なくとも一部を保持しつつ前記基板を搬送する
請求項９又は請求項１０に記載の塗布方法。
【請求項１２】
前記基板に気体を噴出する気体噴出ステップを更に含み、
前記調整ステップは、前記端部への前記気体の噴出量を調整することを含む
請求項９から請求項１１のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
【請求項１３】
前記基板搬送部上を吸引する吸引ステップを更に含み、
前記調整ステップは、前記端部に対応する部分の吸引量を調整することを含む
請求項９から請求項１２のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
【請求項１】
所定領域に液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、
前記所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送部と、
少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整部と
を備える塗布装置。
【請求項２】
前記端部の浮上量を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて前記調整部による調整量を制御する調整量制御部と
を更に備える請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記検出部は、前記ノズルに設けられている
請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記検出部は、前記端部に向けて配置されたセンサを有する
請求項２又は請求項３に記載の塗布装置。
【請求項５】
前記センサは、複数設けられ、
複数の前記センサは、前記基板搬送方向に直交する方向の両方の前記端部に対応する位置に配置されている
請求項４に記載の塗布装置。
【請求項６】
前記基板搬送部は、前記基板を搬送する搬送部を有し、
前記搬送部は、前記端部の少なくとも一部を保持する基板保持部を有する
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項７】
前記基板に気体を噴出する気体噴出部を更に備え、
前記調整部は、前記端部への前記気体の噴出量を調整する噴出量調整部を有する
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項８】
前記基板搬送部上を吸引する吸引部を更に備え、
前記調整部は、前記端部に対応する部分の吸引量を調整する吸引量調整部を有する
請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項９】
所定領域を通過するように基板を浮上させて搬送する基板搬送ステップと、
前記所定領域を通過する前記基板に液状体を吐出する塗布ステップと、
少なくとも前記所定領域において前記基板のうち基板搬送方向に直交する方向の端部の浮上量を調整する調整ステップと
を含む塗布方法。
【請求項１０】
前記端部の浮上量を検出する検出ステップと、
前記検出ステップでの検出結果に基づいて前記調整ステップにおける調整量を制御する調整量制御ステップと
を更に含む請求項９に記載の塗布方法。
【請求項１１】
前記基板搬送ステップでは、前記端部の少なくとも一部を保持しつつ前記基板を搬送する
請求項９又は請求項１０に記載の塗布方法。
【請求項１２】
前記基板に気体を噴出する気体噴出ステップを更に含み、
前記調整ステップは、前記端部への前記気体の噴出量を調整することを含む
請求項９から請求項１１のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
【請求項１３】
前記基板搬送部上を吸引する吸引ステップを更に含み、
前記調整ステップは、前記端部に対応する部分の吸引量を調整することを含む
請求項９から請求項１２のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１２−１３４４１９（Ｐ２０１２−１３４４１９Ａ）
【公開日】平成２４年７月１２日（２０１２．７．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２８７３１５（Ｐ２０１０−２８７３１５）
【出願日】平成２２年１２月２４日（２０１０．１２．２４）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月１２日（２０１２．７．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月２４日（２０１０．１２．２４）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
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