ディスク表面検査方法及びその装置
【課題】 ガラス素材のような透明なディスク基板において、両面に加工された微小な凹
凸であるテクスチャの有無、均一性の判断を検査する装置を提供する。
【解決手段】 ガラス素材のディスク基板の両面に形成された、円周方向のテクスチャに
対し、レーザ光を照射して、該ディスク基板の表面粗さを測定する方法・装置において、
上記レーザ光を集束し、ディスク基板の表面に入射するレーザ光の光軸と、テクスチャの
角度を直角とし、ディスク基板表面からの散乱光とディスク基板裏面からの散乱光をセン
サ上に受光し、受光信号から散乱光強度出力を算出し、散乱光強度出力を表示するように
した。
凸であるテクスチャの有無、均一性の判断を検査する装置を提供する。
【解決手段】 ガラス素材のディスク基板の両面に形成された、円周方向のテクスチャに
対し、レーザ光を照射して、該ディスク基板の表面粗さを測定する方法・装置において、
上記レーザ光を集束し、ディスク基板の表面に入射するレーザ光の光軸と、テクスチャの
角度を直角とし、ディスク基板表面からの散乱光とディスク基板裏面からの散乱光をセン
サ上に受光し、受光信号から散乱光強度出力を算出し、散乱光強度出力を表示するように
した。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスク基板の表面粗さを検出する検査装置に係り、特にハードディスク装
置用の記録媒体であるディスク基板の表面粗さを検査するディスク表面検査方法及びその
装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置に用いる磁気記録用媒体には、磁性体を蒸着したディスク基板が使
用される。このディスク基板に磁気ヘッドで磁化して磁気的にデータを記録、再生をする
。このディスク基板の両面には、磁気ヘッドの吸着防止及び、磁気特性改善のためテクス
チャと呼ばれる微細な凹凸が加工される。このテクスチャは、磁性体などを蒸着する前に
加工される。ハードディスク装置の製造において、このディスク基板にテクスチャの無い
もの、粗さむらが生じたものを用いた場合、磁気ヘッドの吸着によるディスク基板の破損
や、ヘッドの浮上障害による信号不良などの致命的な不良が発生することになる。磁性体
などを蒸着した状態で不良が発生するとコスト面で不利となるため、テクスチャ加工直後
に不良品を排除することが重要である。
【０００３】
従来のテクスチャの計測方法は、AFM（Atomic Force Microscope）を用いた表面粗さの
測定が一般に使用されている。AFMによる測定では、スループットが著しく遅く、ディス
ク基板の全面検査を容易に行うことが出来ない。また、測定プローブが消耗品であること
、プローブの消耗による測定再現性が変動するなどの問題があった。
【０００４】
そのため、量産工程においては、ディスク基板の安定製造のためには、スループットが
高く全数検査が可能で、微細な凹凸が計測可能なディスク表面検査装置が望まれている。
ディスク基板の表面粗さを測定する方法として、現在、特許文献１（特表2003-528413号
公報）に示されるように、薄膜を蒸着したディスク基板の表面に光を照射し、その散乱光
をスキャトロメータで集光し、得られた信号強度分布から表面に形成した薄膜の厚み、劣
化、磨耗などを検出するものがある。この方法によると、ディスク基板上の深い、もしく
は異常なテクスチャの検出は可能であるとしている。これは、深いもしくは異常なテクス
チャには、炭素が少ない、または、汚染物を有しているため、照明光の偏光の比率を変え
ることによって、屈折率の変化を検出することで可能となる。
【０００５】
しかしながら、この方法であると、異常の有無は検出可能であるが、一様に加工された
テクスチャの検出は屈折率の変化が発生しないため、テクスチャが全面に加工されていな
い不良や、均一に加工されているかの識別が出来ないなどの問題がある。
【０００６】
また、半導体の異物検査装置では非特許文献１（Jpn. J. Appl. Phys. Vol.32(1993)pp
.352-357）に示されるように、CCDカメラを用いた装置が開示されている。この装置は、L
SIウェハ上に付着した数十ナノメートル程度の微小異物の検出が可能である。しかし、LS
Iは、一般的にXY方向に配列して作成されているため、これをディスク基板のテクスチャ
の検査に用いると、測定位置を移動した際に、入射したレーザ光の光軸とディスク基板の
表面の円周方向に形成されたテクスチャの筋がなす角度が、基板の水平面内および垂直面
内で一定の方向に変動するため、散乱光の強度も変動する。当然ながら、測定アルゴリズ
ムが異物の有無を判定するためのものであるため、テクスチャの表面粗さを測定すること
ができない。
【０００７】
このように、従来の検査方法を用いたディスク基板あるいはウェハ表面の検査技術では
、テクスチャの有無や、一様に加工されているがその表面荒さの大きさが判別することが
できないため、ディスク基板の不良品の発生が避けられず、ディスク基板の製造歩留まり
が低下する。
【０００８】
【特許文献１】特表2003-528413号公報
【非特許文献１】Fine Particle Inspection Down to 38nm Bare Wafer with Micro Roughness by Side-Sccttering Light Detection(Jpn. J. Appl. Phys. Vol.32)1993）ｐｐ。352-357）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
面記録密度の向上や、ハードディスク装置の小型化によって、ディスク基板の表面粗さ
はより小さくなる傾向がある。また、ディスク基板の材質も従来のアルミ合金から剛性の
高いガラス素材に移行しつつある。そのため、ガラス素材のような透明なディスク基板を
、非破壊で、高精度、高速かつ再現性のよい測定方法が必要である。
【００１０】
さらに、半導体ウェハの異物検査装置では、測定の横分解能は高いが、LSIは、一般的
にXY方向に配列して作成されているため、これをディスク基板のテクスチャの検査に用い
ると、測定位置を移動した際に、入射したレーザ光の光軸とディスク基板の表面の円周方
向に形成されたテクスチャの筋がなす角度が、基板の水平面内および垂直面内で一定の方
向に変動するため、散乱光の強度も変動するため、高精度に測定できない。
【００１１】
従って、本発明が解決しようとする課題は、ガラス素材のような透明なディスク基板に
おいて、両面に加工された微小な凹凸であるテクスチャの有無、均一性の判断を検査する
装置を提供することにある。また、本発明が解決しようとする更なる課題は、上記検査方
法及び検査装置により、ディスク基板のテクスチャの不良を選別し、不良品のディスク基
板の発生を低減可能なディスク基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明において、ガラス素材のディスク基板の両面に形成さ
れた、円周方向のテクスチャに対し、レーザ光を照射して、該ディスク基板の表面粗さを
測定する方法・装置において、上記レーザ光を集束し、ディスク基板の表面に入射するレ
ーザ光の光軸と、テクスチャの角度を直角とし、ディスク基板表面からの散乱光とディス
ク基板裏面からの散乱光をセンサ上に受光し、受光信号から散乱光強度出力を算出し、散
乱光強度出力を表示するようにした。
【００１３】
また、上記センサには光電変換可能なセンサを用いるようにした。さらに、ディスク基
板の表面に入射するレーザ光の上記入射角度は20度から30度とした。磁気ディスク基板の
製造方法において、上記方法・装置により、ディスク基板のテクスチャが加工されていな
い、分布が均一でないと判定されたディスク基板を製造工程から排出するようにした。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ガラス素材のディスク基板に加工されたテクスチャからの散乱光を両
面同時に検出することで、両面検査の可否の判断が可能となり、さらに測定時間を短縮す
ることが可能で、測定値の信頼性が高いディスク基板の表面粗さの検査が可能との効果を
奏する。また、片面のみの加工不良を簡単に判別可能であるため、一度の検査で不良品を
排出する効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００１６】
本発明に係るディスク表面検査方法及びその装置の実施例を図１に示す。本装置および
方法は、磁性体などを成膜する前におけるガラス素材のディスク基板を対象とする。ディ
スク基板１は、回転ステージ２に図示しない方法で固定される。固定する機構部は、ディ
スク基板１の表面に出ない構造とする。回転ステージ２は紙面に対して水平方向に移動可
能な水平ステージ３に固定される。レーザ光源４には、例えば波長532nmのYAG２倍波のレ
ーザ、もしくは波長400〜410nmのレーザダイオードの可視光レーザ、あるいは波長350nm
程度の紫外光レーザ、または、波長266nm程度の遠紫外光レーザを使用する。レーザ光は
、光束を遮断可能なレーザシャッタ５を通過し、レーザ光をある大きさに拡大可能なビー
ムエキスパンダ６を透過し、光量調整フィルタ７により照射する光量を調整可能である。
拡大されたレーザ光は、集光レンズ８により絞り込まれ、斜方ミラー９によりディスク基
板１の表面に斜めから光束１０によって照射される。絞り込まれる光束は、レーザ光の波
長、ビーム径、集光レンズの焦点距離によって決まる。本実施例においては、約１００ミ
クロンに設定した。対物レンズ１１は、照明する位置の上部に設置する。対物レンズ１１
及び結像レンズ１２によって、センサ部１３にディスク基板１の表面を結像する。コンピ
ュータ１４は、回転ステージ２、水平ステージ３、レーザシャッタ５、光量調整フィルタ
７、センサ部１３を制御可能であり、センサ部１３の出力結果を蓄積し、解析可能な処理
装置も有する。さらに、回転ステージ２、水平ステージ３の位置情報も記憶可能である。
入力手段１５により各種検査パラメータなどを入力可能である。表示手段１６は、検出結
果の表示、入力画面などを表示可能である。
【００１７】
図２にディスク基板１と照明光束１０の関係を示す。ディスク基板１には微小な凹凸部
であるテクスチャ５０が円周上に全面に加工されている。テクスチャはピッチが50nm以下
で算術的平均表面粗さ(Ra)が1nm以下の凹凸である。照明光束１０は、図１で示した集光
レンズ８と斜方ミラー９によってディスク基板１上でスポット１７を形成する。照明光束
１０とテクスチャ５０は、直角方向になるように設定する。
【００１８】
図３に検出概念を示す。光束１０は斜めからディスク基板１のテクスチャ５０に照明す
る。照明光束１０は、ディスク基板１が透明なガラス素材の場合、一部の光が反対側に透
過光１８として透過し、一部の光が反射光１９として反射する。テクスチャ５０の凹凸は
、照明光束１０と直角に配置することにより、表面の凹凸部で回折し、散乱光２０が発生
する。この散乱光２０の上方に発生する光を対物レンズ１１で捕捉する。対物レンズ１１
で捕捉した光は、結像レンズ１２によってセンサ部１３に集光され、センサ部１３で光電
変換することにより、ディスク基板１の表面情報を検出することが出来る。
【００１９】
図４にシミュレーションで求めた照明光束１０の角度変化による散乱強度を示す。横軸
は入射角度である。入射角度は、ディスク基板１に対して水平方向に入射した場合を０度
とし、対物レンズ側を９０度とする。縦軸は、散乱強度を示し、相対値である。同図にお
いて、入射角度が20〜30度において散乱強度が最高となり、かつ大きな変化がないことが
わかる。よって、この付近の角度で照明すれば散乱光は効率よく発生することが可能であ
る。本実施例においては、入射角度を、20〜30度になるように設定した。
【００２０】
図５ａ及び図５ｂに本実施例によるセンサ１３での検出画像の例を示す。それぞれ、セ
ンサ１３にCCDカメラを用いた場合の画像の例である。図５aは、テクスチャが加工されて
いないディスク基板を検出した結果である。検出画像と断面A-Aの波形を示し、横軸に画
素、縦軸に輝度を示す。回折光が発生しないため、全体的に輝度が低い。図５ｂは、テク
スチャが加工されたディスク基板を検出した結果である。同様に検出画像と断面A-Aの波
形を示す。検出画像には、規則的に並んだテクスチャ５０の縦ラインが検出されており、
輝度の変化が検出されている。このように、テクスチャの有無によって、検出光量が変化
することが分かる。
【００２１】
図６に本実施例によるセンサ１３に光電変換センサを用いた場合の例を示す。ディスク
基板１は静止状態である。横軸はサンプリング時間、縦軸はセンサ出力を示す。波形２１
は図５aに示した、ディスク基板１にテクスチャが加工されていない状態を検出したとき
の波形である。波形２２は図５bに示したテクスチャが加工された状態である。
【００２２】
図７にテクスチャの表面粗さが異なる場合のセンサ出力を示す。横軸はテクスチャの表
面粗さ(Ra)、縦軸はセンサ出力を示す。図６と同様に、波形２４は、テクスチャが加工さ
れていない場合は、センサ出力が0付近となり、表面粗さ(Ra)が粗くなるとセンサ出力が
大きくなり、表面粗さ(Ra)とセンサ出力に相関があることがわかる。例えば、図７の例で
表面粗さ(Ra)が変化する場合において、しきい値２５を設定すると、そのしきい値２５以
下の表面粗さ(Ra)0.3nm以下は不良品として排除可能となる。
【００２３】
図８にガラス素材のディスク基板における光軸の変化を示す。ディスク基板１の表面に
テクスチャ５０が、裏面にテクスチャ５１が加工されている状態を示す。斜めから照明光
束１０がディスク基板１に照射されると、表面で反射する光束１９と、ガラス内部に入射
する光束２６に分離される。光束２６は、裏面で外に出る光束１８と、裏面で反射する光
束２７に分離される。光束２７は表面で外に出る光束２８と再度内部に反射する光に分離
される。この反射を繰り返しながら光束は進んで行く。表面のテクスチャ５０では、最初
の光束１０によって散乱光２０が発生する。光束２６によって裏面のテクスチャ５１でデ
ィスク基板１の内部に散乱光２９が発生する。さらに、光束２７によって表面のテクスチ
ャ５０で再度、散乱光３０が発生する。ディスク基板１を表面上部から観察すると、最初
の散乱光２０は、スポット３１となり、裏面での散乱光２９は、ガラスが透明であるため
、スポット３２のように観察される。さらに再度表面で発生した散乱光３０は、スポット
３３となる。このスポットの間隔Pは、波長、入射角度、厚さ、材質で計算される。裏面
からのスポット３２はこのピッチPの1/2となる。散乱光３０は、反射、屈折を繰り返した
光束での散乱のため、かなり光量は低減する。
【００２４】
図９に対物レンズ１１の検出範囲を示す。対物レンズ１１の検出視野３４は、ディスク
基板１上では、スポット３１と３２を同時に検出可能に設定する。
【００２５】
図１におけるセンサ部１３の実施例を図１０から図１６で説明する。
【００２６】
図１０にセンサ部１３の一実施例を示す。ディスク基板１での散乱光の発生状態は、図
８と同じであるため、説明は割愛する。ミラー１００は中心にスポット３１が透過可能な
ピンホール１０１を施す。ピンホール１０１を透過した光は、光電子倍増管１０２に入射
する。光電子倍増管１０２は高圧電源１０３により駆動し、電流電圧変換回路１０４によ
り、光電子倍増管１０２によって得られた電流を電圧に変換して出力される。また、スポ
ット３２の光束はミラー１００で反射する。同様に、光電子倍増管１０５は高圧電源１０
６により駆動し、電流電圧変換回路１０７により、光電子倍増管１０５によって得られた
電流を電圧に変換して出力される。よって、光電子倍増管１０２ではスポット３１の検出
が、光電子倍増管１０５ではスポット３２の検出がそれぞれ可能となる。図８で説明した
、スポット３２は図９で説明した検出視野から外れるため、センサ部１３には光束が到達
しない。
【００２７】
この構成において動作を説明する。図１１に電流電圧変換回路１０４、１０７の出力の
一例を示す。テクスチャなしの状態での波形を２００とする。例えば、両面にテクスチャ
が加工された場合ついて説明を行う。電流電圧変換回路１０４の出力を波形２０１とする
。表面にテクスチャ５０が加工されているため、表面で散乱光が発生し、センサ出力が増
加する。電流電圧変換回路１０５の出力を波形２０２とする。裏面にもテクスチャ５１が
加工されているため、裏面で散乱光が発生し、同様にセンサ出力が増加する。例えば、表
面のみテクスチャが加工されている場合は、電流電圧変換回路１０４の出力は波形２０１
となるが、電流電圧変換回路１０７の出力は、散乱光が発生しないため、波形２００とな
る。同様に、裏面のみテクスチャが加工されている場合は、電流電圧変換回路１０４の出
力が波形２００となる。これにより、表面、裏面あるいは両面にテクスチャ加工が施され
ているかの判定が可能となる。
【００２８】
図１３にセンサ部１３の別の実施例を示す。ディスク基板１での散乱光の発生状態は、
図８と同じであるため、説明は割愛する。遮光板１０８は、スポット３１が透過可能なピ
ンホール１０９と、スポット３２が透過可能なピンホール１１０を施す。シャッタ１１１
は、図示しない方法によって、ピンホール１１０の上部に移動し、スポット３２の光束を
遮断することが可能である。ピンホール１０９，１１０を透過した光束は、光電子倍増管
１０２に入射する。光電子倍増管１０２は高圧電源１０３により駆動し、電流電圧変換回
路１０４により、光電子倍増管１０２によって得られた電子を電圧に変換して出力される
。
【００２９】
この構成において動作を説明する。図１４に電流電圧変換回路１０４の出力の一例を示
す。まず、ピンホール１１０が開放の状態で波形を取得する。次に、シャッタ１１１を駆
動させ、ピンホール１１０を遮断した状態での波形を取得する。この条件において、テク
スチャなしの状態でのセンサ出力の波形は２０３となる。ピンホール１１０が開放の状態
で、両面にテクスチャが加工された場合のセンサ出力は波形２０４となる。ピンホール１
１０を遮断した場合のセンサ出力は波形２０５となり、ピンホール１１０を遮断するとセ
ンサ出力が低下する。例えば、表面のみテクスチャが加工されている場合は、ピンホール
１１０が開放の状態では、センサ出力の波形２０５となる。ピンホール１１０を遮断した
場合でもセンサ出力は波形２０５となる。同様に、裏面のみテクスチャが加工されている
場合は、ピンホール１１０が開放の状態でのセンサ出力は、波形２０５となり、ピンホー
ル１１０を遮断した場合のセンサ出力は波形２０３となる。これにより、表面、裏面ある
いは両面にテクスチャ加工が施されているかの判定が可能となる。
【００３０】
図１４にセンサ部１３の別の実施例を示す。ディスク基板１での散乱光の発生状態は、
図８と同じであるため、説明は割愛する。スポット３１とスポット３２が同時に検出可能
に、ラインセンサ１１２を設置する。ラインセンサ１１２の出力はA/D変換器１１３によ
って光電変換される。
【００３１】
この構成において動作を説明する。図１５にテクスチャなしでのA/D変換器１１３の出
力の一例を示す。横軸に画素を、縦軸にセンサ出力を示す。散乱光を検出しないため、セ
ンサ出力は一定となり波形２０６となる。次に、図１６にテクスチャ検出時のA/D変換器
１１３の出力の一例を示す。両面にテクスチャが加工された場合のセンサ出力は、波形２
０７となり、表面でのテクスチャ５０では、ピーク２０８が検出され、裏面でのテクスチ
ャ５１ではピーク２０９が検出される。例えば、表面のみテクスチャが加工されている場
合は、ピーク２０９は検出されず、裏面のみテクスチャが加工されている場合は、ピーク
２０８が検出されない。画素を２つの範囲に分割し、範囲２１０，２１１でピークを検出
すれば、表面、裏面あるいは両面にテクスチャ加工が施されているかの判定が可能となる
。
【００３２】
図１７に本実施例における検査方法の一実施例を示す。高速検査を行うため、ディスク
基板１を回転しながら、1回転後にスポット１７の距離分だけ移動するように水平移動さ
せ、螺旋状２１１に検査を行うスパイラル方式とする。
【００３３】
以上の構成において、動作を説明する。
【００３４】
図１８に本実施例における検査のフローチャートを示す。検査するディスク基板１を回
転ステージ２にセットする。水平ステージ３を検査開始位置まで移動し、ディスク基板１
を回転させる。レーザシャッタ５を開放し、ディスク基板１にレーザ光を照射する。セン
サ部１３の出力を判断して、両面にテクスチャが加工されているかの判定を行う。両面加
工されていない場合、片面のみ加工されている場合は、不良品として排除する。両面加工
されている場合は、水平ステージ３と回転ステージ２を同期させながら全面検査を行い、
検査終了後、レーザシャッタ５を閉じ、ディスク基板１を取り外す。
【００３５】
図１９に検査結果の一例を示す。横軸に検査位置、縦軸にセンサ出力を示す。ディスク
基板１の表面は波形２１２のような光量変化が検出される。この結果を判定するため、し
きい値２１３を波形２１２に設定する。このしきい値２１３より波形２１２が上であるか
下であるかを判定する。下の場合は、所望のテクスチャが加工されていないと判断し、不
良品とする。上の場合は、良品として判断し、波形２１２の各位置における輝度方向の変
化を求める。これらは、コンピュータ１４によって高速に処理する。
【００３６】
図２０に表示部１６の一例を示す。ディスク全体マップ、検査条件、検査結果などを表
示するものである。ディスク全体マップは、図１９で求めた波形２１２の各位置における
輝度方向の変化をマッピングしたものである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明のディスク表面検査装置の概略構成を示す正面図である。
【図２】本発明の実施例における照明とテクスチャの方向を示した図である。
【図３】本発明の実施例における検出の概念図である。
【図４】本発明の実施例における入射角度と散乱強度の関係を示した図である。
【図５ａ】本発明の実施例におけるＣＣＤによる検出画像の一例を示し、断面Ａ−Ａを示した図である。
【図５ｂ】本発明の実施例におけるCCDによる検出画像の一例を示し、断面B-Bを示した図である
【図６】本発明の実施例における光電変換センサによる検出の一例を示した図である。
【図７】本発明の実施例によるAFM平均表面粗さとセンサ出力の関係を示した図である。
【図８】本発明の実施例による照明光の光路を説明した図である。
【図９】本発明の実施例における対物レンズの視野を示す図である。
【図１０】本発明におけるセンサ部の一実施例である。
【図１１】図１０で検出されるセンサの出力例を示す図である。
【図１２】本発明におけるセンサ部の一実施例である。
【図１３】図１２で検出されるセンサの出力例を示す図である。
【図１４】本発明におけるセンサ部の一実施例である。
【図１５】図１４で検出されるセンサの出力例を示す図である。
【図１６】図１４で検出されるセンサの出力例を示す図である。
【図１７】本発明における検査方法の例を示した図である。
【図１８】本発明における検査のフローチャートを示した図である。
【図１９】本発明における検査結果の波形を示した図である。
【図２０】本発明における表示の一例を示した図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…ディスク基板、２…回転ステージ、３…水平ステージ、４…レーザ光源、５…レー
ザシャッタ、６…ビームエキスパンダ、７…光量調整フィルタ、８…結像レンズ、９…斜
方ミラー、１１…対物レンズ、１２…結像レンズ、１３…センサ部、１４…コンピュータ
、５０，５１…テクスチャ、１０２，１０５…光電子倍増管。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスク基板の表面粗さを検出する検査装置に係り、特にハードディスク装
置用の記録媒体であるディスク基板の表面粗さを検査するディスク表面検査方法及びその
装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置に用いる磁気記録用媒体には、磁性体を蒸着したディスク基板が使
用される。このディスク基板に磁気ヘッドで磁化して磁気的にデータを記録、再生をする
。このディスク基板の両面には、磁気ヘッドの吸着防止及び、磁気特性改善のためテクス
チャと呼ばれる微細な凹凸が加工される。このテクスチャは、磁性体などを蒸着する前に
加工される。ハードディスク装置の製造において、このディスク基板にテクスチャの無い
もの、粗さむらが生じたものを用いた場合、磁気ヘッドの吸着によるディスク基板の破損
や、ヘッドの浮上障害による信号不良などの致命的な不良が発生することになる。磁性体
などを蒸着した状態で不良が発生するとコスト面で不利となるため、テクスチャ加工直後
に不良品を排除することが重要である。
【０００３】
従来のテクスチャの計測方法は、AFM（Atomic Force Microscope）を用いた表面粗さの
測定が一般に使用されている。AFMによる測定では、スループットが著しく遅く、ディス
ク基板の全面検査を容易に行うことが出来ない。また、測定プローブが消耗品であること
、プローブの消耗による測定再現性が変動するなどの問題があった。
【０００４】
そのため、量産工程においては、ディスク基板の安定製造のためには、スループットが
高く全数検査が可能で、微細な凹凸が計測可能なディスク表面検査装置が望まれている。
ディスク基板の表面粗さを測定する方法として、現在、特許文献１（特表2003-528413号
公報）に示されるように、薄膜を蒸着したディスク基板の表面に光を照射し、その散乱光
をスキャトロメータで集光し、得られた信号強度分布から表面に形成した薄膜の厚み、劣
化、磨耗などを検出するものがある。この方法によると、ディスク基板上の深い、もしく
は異常なテクスチャの検出は可能であるとしている。これは、深いもしくは異常なテクス
チャには、炭素が少ない、または、汚染物を有しているため、照明光の偏光の比率を変え
ることによって、屈折率の変化を検出することで可能となる。
【０００５】
しかしながら、この方法であると、異常の有無は検出可能であるが、一様に加工された
テクスチャの検出は屈折率の変化が発生しないため、テクスチャが全面に加工されていな
い不良や、均一に加工されているかの識別が出来ないなどの問題がある。
【０００６】
また、半導体の異物検査装置では非特許文献１（Jpn. J. Appl. Phys. Vol.32(1993)pp
.352-357）に示されるように、CCDカメラを用いた装置が開示されている。この装置は、L
SIウェハ上に付着した数十ナノメートル程度の微小異物の検出が可能である。しかし、LS
Iは、一般的にXY方向に配列して作成されているため、これをディスク基板のテクスチャ
の検査に用いると、測定位置を移動した際に、入射したレーザ光の光軸とディスク基板の
表面の円周方向に形成されたテクスチャの筋がなす角度が、基板の水平面内および垂直面
内で一定の方向に変動するため、散乱光の強度も変動する。当然ながら、測定アルゴリズ
ムが異物の有無を判定するためのものであるため、テクスチャの表面粗さを測定すること
ができない。
【０００７】
このように、従来の検査方法を用いたディスク基板あるいはウェハ表面の検査技術では
、テクスチャの有無や、一様に加工されているがその表面荒さの大きさが判別することが
できないため、ディスク基板の不良品の発生が避けられず、ディスク基板の製造歩留まり
が低下する。
【０００８】
【特許文献１】特表2003-528413号公報
【非特許文献１】Fine Particle Inspection Down to 38nm Bare Wafer with Micro Roughness by Side-Sccttering Light Detection(Jpn. J. Appl. Phys. Vol.32)1993）ｐｐ。352-357）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
面記録密度の向上や、ハードディスク装置の小型化によって、ディスク基板の表面粗さ
はより小さくなる傾向がある。また、ディスク基板の材質も従来のアルミ合金から剛性の
高いガラス素材に移行しつつある。そのため、ガラス素材のような透明なディスク基板を
、非破壊で、高精度、高速かつ再現性のよい測定方法が必要である。
【００１０】
さらに、半導体ウェハの異物検査装置では、測定の横分解能は高いが、LSIは、一般的
にXY方向に配列して作成されているため、これをディスク基板のテクスチャの検査に用い
ると、測定位置を移動した際に、入射したレーザ光の光軸とディスク基板の表面の円周方
向に形成されたテクスチャの筋がなす角度が、基板の水平面内および垂直面内で一定の方
向に変動するため、散乱光の強度も変動するため、高精度に測定できない。
【００１１】
従って、本発明が解決しようとする課題は、ガラス素材のような透明なディスク基板に
おいて、両面に加工された微小な凹凸であるテクスチャの有無、均一性の判断を検査する
装置を提供することにある。また、本発明が解決しようとする更なる課題は、上記検査方
法及び検査装置により、ディスク基板のテクスチャの不良を選別し、不良品のディスク基
板の発生を低減可能なディスク基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明において、ガラス素材のディスク基板の両面に形成さ
れた、円周方向のテクスチャに対し、レーザ光を照射して、該ディスク基板の表面粗さを
測定する方法・装置において、上記レーザ光を集束し、ディスク基板の表面に入射するレ
ーザ光の光軸と、テクスチャの角度を直角とし、ディスク基板表面からの散乱光とディス
ク基板裏面からの散乱光をセンサ上に受光し、受光信号から散乱光強度出力を算出し、散
乱光強度出力を表示するようにした。
【００１３】
また、上記センサには光電変換可能なセンサを用いるようにした。さらに、ディスク基
板の表面に入射するレーザ光の上記入射角度は20度から30度とした。磁気ディスク基板の
製造方法において、上記方法・装置により、ディスク基板のテクスチャが加工されていな
い、分布が均一でないと判定されたディスク基板を製造工程から排出するようにした。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ガラス素材のディスク基板に加工されたテクスチャからの散乱光を両
面同時に検出することで、両面検査の可否の判断が可能となり、さらに測定時間を短縮す
ることが可能で、測定値の信頼性が高いディスク基板の表面粗さの検査が可能との効果を
奏する。また、片面のみの加工不良を簡単に判別可能であるため、一度の検査で不良品を
排出する効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００１６】
本発明に係るディスク表面検査方法及びその装置の実施例を図１に示す。本装置および
方法は、磁性体などを成膜する前におけるガラス素材のディスク基板を対象とする。ディ
スク基板１は、回転ステージ２に図示しない方法で固定される。固定する機構部は、ディ
スク基板１の表面に出ない構造とする。回転ステージ２は紙面に対して水平方向に移動可
能な水平ステージ３に固定される。レーザ光源４には、例えば波長532nmのYAG２倍波のレ
ーザ、もしくは波長400〜410nmのレーザダイオードの可視光レーザ、あるいは波長350nm
程度の紫外光レーザ、または、波長266nm程度の遠紫外光レーザを使用する。レーザ光は
、光束を遮断可能なレーザシャッタ５を通過し、レーザ光をある大きさに拡大可能なビー
ムエキスパンダ６を透過し、光量調整フィルタ７により照射する光量を調整可能である。
拡大されたレーザ光は、集光レンズ８により絞り込まれ、斜方ミラー９によりディスク基
板１の表面に斜めから光束１０によって照射される。絞り込まれる光束は、レーザ光の波
長、ビーム径、集光レンズの焦点距離によって決まる。本実施例においては、約１００ミ
クロンに設定した。対物レンズ１１は、照明する位置の上部に設置する。対物レンズ１１
及び結像レンズ１２によって、センサ部１３にディスク基板１の表面を結像する。コンピ
ュータ１４は、回転ステージ２、水平ステージ３、レーザシャッタ５、光量調整フィルタ
７、センサ部１３を制御可能であり、センサ部１３の出力結果を蓄積し、解析可能な処理
装置も有する。さらに、回転ステージ２、水平ステージ３の位置情報も記憶可能である。
入力手段１５により各種検査パラメータなどを入力可能である。表示手段１６は、検出結
果の表示、入力画面などを表示可能である。
【００１７】
図２にディスク基板１と照明光束１０の関係を示す。ディスク基板１には微小な凹凸部
であるテクスチャ５０が円周上に全面に加工されている。テクスチャはピッチが50nm以下
で算術的平均表面粗さ(Ra)が1nm以下の凹凸である。照明光束１０は、図１で示した集光
レンズ８と斜方ミラー９によってディスク基板１上でスポット１７を形成する。照明光束
１０とテクスチャ５０は、直角方向になるように設定する。
【００１８】
図３に検出概念を示す。光束１０は斜めからディスク基板１のテクスチャ５０に照明す
る。照明光束１０は、ディスク基板１が透明なガラス素材の場合、一部の光が反対側に透
過光１８として透過し、一部の光が反射光１９として反射する。テクスチャ５０の凹凸は
、照明光束１０と直角に配置することにより、表面の凹凸部で回折し、散乱光２０が発生
する。この散乱光２０の上方に発生する光を対物レンズ１１で捕捉する。対物レンズ１１
で捕捉した光は、結像レンズ１２によってセンサ部１３に集光され、センサ部１３で光電
変換することにより、ディスク基板１の表面情報を検出することが出来る。
【００１９】
図４にシミュレーションで求めた照明光束１０の角度変化による散乱強度を示す。横軸
は入射角度である。入射角度は、ディスク基板１に対して水平方向に入射した場合を０度
とし、対物レンズ側を９０度とする。縦軸は、散乱強度を示し、相対値である。同図にお
いて、入射角度が20〜30度において散乱強度が最高となり、かつ大きな変化がないことが
わかる。よって、この付近の角度で照明すれば散乱光は効率よく発生することが可能であ
る。本実施例においては、入射角度を、20〜30度になるように設定した。
【００２０】
図５ａ及び図５ｂに本実施例によるセンサ１３での検出画像の例を示す。それぞれ、セ
ンサ１３にCCDカメラを用いた場合の画像の例である。図５aは、テクスチャが加工されて
いないディスク基板を検出した結果である。検出画像と断面A-Aの波形を示し、横軸に画
素、縦軸に輝度を示す。回折光が発生しないため、全体的に輝度が低い。図５ｂは、テク
スチャが加工されたディスク基板を検出した結果である。同様に検出画像と断面A-Aの波
形を示す。検出画像には、規則的に並んだテクスチャ５０の縦ラインが検出されており、
輝度の変化が検出されている。このように、テクスチャの有無によって、検出光量が変化
することが分かる。
【００２１】
図６に本実施例によるセンサ１３に光電変換センサを用いた場合の例を示す。ディスク
基板１は静止状態である。横軸はサンプリング時間、縦軸はセンサ出力を示す。波形２１
は図５aに示した、ディスク基板１にテクスチャが加工されていない状態を検出したとき
の波形である。波形２２は図５bに示したテクスチャが加工された状態である。
【００２２】
図７にテクスチャの表面粗さが異なる場合のセンサ出力を示す。横軸はテクスチャの表
面粗さ(Ra)、縦軸はセンサ出力を示す。図６と同様に、波形２４は、テクスチャが加工さ
れていない場合は、センサ出力が0付近となり、表面粗さ(Ra)が粗くなるとセンサ出力が
大きくなり、表面粗さ(Ra)とセンサ出力に相関があることがわかる。例えば、図７の例で
表面粗さ(Ra)が変化する場合において、しきい値２５を設定すると、そのしきい値２５以
下の表面粗さ(Ra)0.3nm以下は不良品として排除可能となる。
【００２３】
図８にガラス素材のディスク基板における光軸の変化を示す。ディスク基板１の表面に
テクスチャ５０が、裏面にテクスチャ５１が加工されている状態を示す。斜めから照明光
束１０がディスク基板１に照射されると、表面で反射する光束１９と、ガラス内部に入射
する光束２６に分離される。光束２６は、裏面で外に出る光束１８と、裏面で反射する光
束２７に分離される。光束２７は表面で外に出る光束２８と再度内部に反射する光に分離
される。この反射を繰り返しながら光束は進んで行く。表面のテクスチャ５０では、最初
の光束１０によって散乱光２０が発生する。光束２６によって裏面のテクスチャ５１でデ
ィスク基板１の内部に散乱光２９が発生する。さらに、光束２７によって表面のテクスチ
ャ５０で再度、散乱光３０が発生する。ディスク基板１を表面上部から観察すると、最初
の散乱光２０は、スポット３１となり、裏面での散乱光２９は、ガラスが透明であるため
、スポット３２のように観察される。さらに再度表面で発生した散乱光３０は、スポット
３３となる。このスポットの間隔Pは、波長、入射角度、厚さ、材質で計算される。裏面
からのスポット３２はこのピッチPの1/2となる。散乱光３０は、反射、屈折を繰り返した
光束での散乱のため、かなり光量は低減する。
【００２４】
図９に対物レンズ１１の検出範囲を示す。対物レンズ１１の検出視野３４は、ディスク
基板１上では、スポット３１と３２を同時に検出可能に設定する。
【００２５】
図１におけるセンサ部１３の実施例を図１０から図１６で説明する。
【００２６】
図１０にセンサ部１３の一実施例を示す。ディスク基板１での散乱光の発生状態は、図
８と同じであるため、説明は割愛する。ミラー１００は中心にスポット３１が透過可能な
ピンホール１０１を施す。ピンホール１０１を透過した光は、光電子倍増管１０２に入射
する。光電子倍増管１０２は高圧電源１０３により駆動し、電流電圧変換回路１０４によ
り、光電子倍増管１０２によって得られた電流を電圧に変換して出力される。また、スポ
ット３２の光束はミラー１００で反射する。同様に、光電子倍増管１０５は高圧電源１０
６により駆動し、電流電圧変換回路１０７により、光電子倍増管１０５によって得られた
電流を電圧に変換して出力される。よって、光電子倍増管１０２ではスポット３１の検出
が、光電子倍増管１０５ではスポット３２の検出がそれぞれ可能となる。図８で説明した
、スポット３２は図９で説明した検出視野から外れるため、センサ部１３には光束が到達
しない。
【００２７】
この構成において動作を説明する。図１１に電流電圧変換回路１０４、１０７の出力の
一例を示す。テクスチャなしの状態での波形を２００とする。例えば、両面にテクスチャ
が加工された場合ついて説明を行う。電流電圧変換回路１０４の出力を波形２０１とする
。表面にテクスチャ５０が加工されているため、表面で散乱光が発生し、センサ出力が増
加する。電流電圧変換回路１０５の出力を波形２０２とする。裏面にもテクスチャ５１が
加工されているため、裏面で散乱光が発生し、同様にセンサ出力が増加する。例えば、表
面のみテクスチャが加工されている場合は、電流電圧変換回路１０４の出力は波形２０１
となるが、電流電圧変換回路１０７の出力は、散乱光が発生しないため、波形２００とな
る。同様に、裏面のみテクスチャが加工されている場合は、電流電圧変換回路１０４の出
力が波形２００となる。これにより、表面、裏面あるいは両面にテクスチャ加工が施され
ているかの判定が可能となる。
【００２８】
図１３にセンサ部１３の別の実施例を示す。ディスク基板１での散乱光の発生状態は、
図８と同じであるため、説明は割愛する。遮光板１０８は、スポット３１が透過可能なピ
ンホール１０９と、スポット３２が透過可能なピンホール１１０を施す。シャッタ１１１
は、図示しない方法によって、ピンホール１１０の上部に移動し、スポット３２の光束を
遮断することが可能である。ピンホール１０９，１１０を透過した光束は、光電子倍増管
１０２に入射する。光電子倍増管１０２は高圧電源１０３により駆動し、電流電圧変換回
路１０４により、光電子倍増管１０２によって得られた電子を電圧に変換して出力される
。
【００２９】
この構成において動作を説明する。図１４に電流電圧変換回路１０４の出力の一例を示
す。まず、ピンホール１１０が開放の状態で波形を取得する。次に、シャッタ１１１を駆
動させ、ピンホール１１０を遮断した状態での波形を取得する。この条件において、テク
スチャなしの状態でのセンサ出力の波形は２０３となる。ピンホール１１０が開放の状態
で、両面にテクスチャが加工された場合のセンサ出力は波形２０４となる。ピンホール１
１０を遮断した場合のセンサ出力は波形２０５となり、ピンホール１１０を遮断するとセ
ンサ出力が低下する。例えば、表面のみテクスチャが加工されている場合は、ピンホール
１１０が開放の状態では、センサ出力の波形２０５となる。ピンホール１１０を遮断した
場合でもセンサ出力は波形２０５となる。同様に、裏面のみテクスチャが加工されている
場合は、ピンホール１１０が開放の状態でのセンサ出力は、波形２０５となり、ピンホー
ル１１０を遮断した場合のセンサ出力は波形２０３となる。これにより、表面、裏面ある
いは両面にテクスチャ加工が施されているかの判定が可能となる。
【００３０】
図１４にセンサ部１３の別の実施例を示す。ディスク基板１での散乱光の発生状態は、
図８と同じであるため、説明は割愛する。スポット３１とスポット３２が同時に検出可能
に、ラインセンサ１１２を設置する。ラインセンサ１１２の出力はA/D変換器１１３によ
って光電変換される。
【００３１】
この構成において動作を説明する。図１５にテクスチャなしでのA/D変換器１１３の出
力の一例を示す。横軸に画素を、縦軸にセンサ出力を示す。散乱光を検出しないため、セ
ンサ出力は一定となり波形２０６となる。次に、図１６にテクスチャ検出時のA/D変換器
１１３の出力の一例を示す。両面にテクスチャが加工された場合のセンサ出力は、波形２
０７となり、表面でのテクスチャ５０では、ピーク２０８が検出され、裏面でのテクスチ
ャ５１ではピーク２０９が検出される。例えば、表面のみテクスチャが加工されている場
合は、ピーク２０９は検出されず、裏面のみテクスチャが加工されている場合は、ピーク
２０８が検出されない。画素を２つの範囲に分割し、範囲２１０，２１１でピークを検出
すれば、表面、裏面あるいは両面にテクスチャ加工が施されているかの判定が可能となる
。
【００３２】
図１７に本実施例における検査方法の一実施例を示す。高速検査を行うため、ディスク
基板１を回転しながら、1回転後にスポット１７の距離分だけ移動するように水平移動さ
せ、螺旋状２１１に検査を行うスパイラル方式とする。
【００３３】
以上の構成において、動作を説明する。
【００３４】
図１８に本実施例における検査のフローチャートを示す。検査するディスク基板１を回
転ステージ２にセットする。水平ステージ３を検査開始位置まで移動し、ディスク基板１
を回転させる。レーザシャッタ５を開放し、ディスク基板１にレーザ光を照射する。セン
サ部１３の出力を判断して、両面にテクスチャが加工されているかの判定を行う。両面加
工されていない場合、片面のみ加工されている場合は、不良品として排除する。両面加工
されている場合は、水平ステージ３と回転ステージ２を同期させながら全面検査を行い、
検査終了後、レーザシャッタ５を閉じ、ディスク基板１を取り外す。
【００３５】
図１９に検査結果の一例を示す。横軸に検査位置、縦軸にセンサ出力を示す。ディスク
基板１の表面は波形２１２のような光量変化が検出される。この結果を判定するため、し
きい値２１３を波形２１２に設定する。このしきい値２１３より波形２１２が上であるか
下であるかを判定する。下の場合は、所望のテクスチャが加工されていないと判断し、不
良品とする。上の場合は、良品として判断し、波形２１２の各位置における輝度方向の変
化を求める。これらは、コンピュータ１４によって高速に処理する。
【００３６】
図２０に表示部１６の一例を示す。ディスク全体マップ、検査条件、検査結果などを表
示するものである。ディスク全体マップは、図１９で求めた波形２１２の各位置における
輝度方向の変化をマッピングしたものである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明のディスク表面検査装置の概略構成を示す正面図である。
【図２】本発明の実施例における照明とテクスチャの方向を示した図である。
【図３】本発明の実施例における検出の概念図である。
【図４】本発明の実施例における入射角度と散乱強度の関係を示した図である。
【図５ａ】本発明の実施例におけるＣＣＤによる検出画像の一例を示し、断面Ａ−Ａを示した図である。
【図５ｂ】本発明の実施例におけるCCDによる検出画像の一例を示し、断面B-Bを示した図である
【図６】本発明の実施例における光電変換センサによる検出の一例を示した図である。
【図７】本発明の実施例によるAFM平均表面粗さとセンサ出力の関係を示した図である。
【図８】本発明の実施例による照明光の光路を説明した図である。
【図９】本発明の実施例における対物レンズの視野を示す図である。
【図１０】本発明におけるセンサ部の一実施例である。
【図１１】図１０で検出されるセンサの出力例を示す図である。
【図１２】本発明におけるセンサ部の一実施例である。
【図１３】図１２で検出されるセンサの出力例を示す図である。
【図１４】本発明におけるセンサ部の一実施例である。
【図１５】図１４で検出されるセンサの出力例を示す図である。
【図１６】図１４で検出されるセンサの出力例を示す図である。
【図１７】本発明における検査方法の例を示した図である。
【図１８】本発明における検査のフローチャートを示した図である。
【図１９】本発明における検査結果の波形を示した図である。
【図２０】本発明における表示の一例を示した図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…ディスク基板、２…回転ステージ、３…水平ステージ、４…レーザ光源、５…レー
ザシャッタ、６…ビームエキスパンダ、７…光量調整フィルタ、８…結像レンズ、９…斜
方ミラー、１１…対物レンズ、１２…結像レンズ、１３…センサ部、１４…コンピュータ
、５０，５１…テクスチャ、１０２，１０５…光電子倍増管。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明なガラスディスク基板の表面にレーザ光を照射して、該ガラスディスク基板の両面
に円周方向に形成されたテクスチャの粗さを測定する方法にあって、
該レーザをガラスディスク基板に集束する手段と、前記集束したレーザ光をテクスチャ
と直角に照射する手段と、照射したレーザ光の表面散乱光を検出する手段と、ガラスディ
スク基板内で透過したレーザ光により裏面で発生する散乱光を検出する手段と、前期、両
面の散乱光を光電変換器に集光する手段と、光電変換器からの出力を蓄積する手段と、蓄
積した手段のデータを表面粗さに換算する手段と、換算した手段からの結果で良品、不良
品を判定する手段を有することを特徴とするディスク表面検査方法。
【請求項２】
上記レーザ光源は、可視光あるいは紫外光もしくは遠紫外光とすることを特徴とした請
求項１に記載のディスク表面検査方法。
【請求項３】
上記、両面の散乱光を光電変換器に集光する手段は、同時に検出可能であることを特徴
とした請求項１に記載のディスク表面検査方法。
【請求項４】
透明なガラスディスク基板の表面にレーザ光を照射して、該ガラスディスク基板の表面
と裏面に円周方向に形成されたテクスチャの粗さを測定する装置にあって、
該レーザをガラスディスク基板に集束する手段と、前記集束したレーザ光をテクスチャ
と直角に照射する手段と、照射したレーザ光の表面散乱光を検出する手段と、ガラスディ
スク基板内で透過したレーザ光の裏面散乱光を検出する手段と、前期表面及び裏面からの
散乱光を光電変換器に集光する手段と、光電変換器からの出力を蓄積する手段と、蓄積し
た手段のデータを表面粗さに換算する手段と、換算した手段からの結果で良品、不良品を
判定する手段を有することを特徴とするディスク表面検査装置。
【請求項５】
上記レーザ光源は、可視光あるいは紫外光もしくは遠紫外光とすることを特徴とした請
求項１に記載のディスク表面検査装置。
【請求項６】
上記、両面の散乱光を光電変換器に集光する手段は、同時に検出可能であることを特徴
とした請求項１に記載のディスク表面検査装置。
【請求項１】
透明なガラスディスク基板の表面にレーザ光を照射して、該ガラスディスク基板の両面
に円周方向に形成されたテクスチャの粗さを測定する方法にあって、
該レーザをガラスディスク基板に集束する手段と、前記集束したレーザ光をテクスチャ
と直角に照射する手段と、照射したレーザ光の表面散乱光を検出する手段と、ガラスディ
スク基板内で透過したレーザ光により裏面で発生する散乱光を検出する手段と、前期、両
面の散乱光を光電変換器に集光する手段と、光電変換器からの出力を蓄積する手段と、蓄
積した手段のデータを表面粗さに換算する手段と、換算した手段からの結果で良品、不良
品を判定する手段を有することを特徴とするディスク表面検査方法。
【請求項２】
上記レーザ光源は、可視光あるいは紫外光もしくは遠紫外光とすることを特徴とした請
求項１に記載のディスク表面検査方法。
【請求項３】
上記、両面の散乱光を光電変換器に集光する手段は、同時に検出可能であることを特徴
とした請求項１に記載のディスク表面検査方法。
【請求項４】
透明なガラスディスク基板の表面にレーザ光を照射して、該ガラスディスク基板の表面
と裏面に円周方向に形成されたテクスチャの粗さを測定する装置にあって、
該レーザをガラスディスク基板に集束する手段と、前記集束したレーザ光をテクスチャ
と直角に照射する手段と、照射したレーザ光の表面散乱光を検出する手段と、ガラスディ
スク基板内で透過したレーザ光の裏面散乱光を検出する手段と、前期表面及び裏面からの
散乱光を光電変換器に集光する手段と、光電変換器からの出力を蓄積する手段と、蓄積し
た手段のデータを表面粗さに換算する手段と、換算した手段からの結果で良品、不良品を
判定する手段を有することを特徴とするディスク表面検査装置。
【請求項５】
上記レーザ光源は、可視光あるいは紫外光もしくは遠紫外光とすることを特徴とした請
求項１に記載のディスク表面検査装置。
【請求項６】
上記、両面の散乱光を光電変換器に集光する手段は、同時に検出可能であることを特徴
とした請求項１に記載のディスク表面検査装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開２００６−１３８７５４（Ｐ２００６−１３８７５４Ａ）
【公開日】平成１８年６月１日（２００６．６．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３２８９２２（Ｐ２００４−３２８９２２）
【出願日】平成１６年１１月１２日（２００４．１１．１２）
【出願人】（０００２３３４８０）日立ハイテク電子エンジニアリング株式会社 (34)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月１日（２００６．６．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１１月１２日（２００４．１１．１２）
【出願人】（０００２３３４８０）日立ハイテク電子エンジニアリング株式会社 (34)
【Ｆターム（参考）】
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