パターン形成材料、パターン形成方法、及びプリント基板
【課題】感度が高く、良好なレジストパターン形状が得られ、かつ、絶縁信頼性に優れ、高精細なパターンを形成可能なパターン形成材料、前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法、及び前記パターン形成方法により永久パターンが形成されるプリント基板の提供。
【解決手段】バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤、を少なくとも含む感光性組成物を用いて形成された感光層を有し、該感光層を、基板の表面に積層した後、該感光層に対して露光を少なくとも行うことにより形成されたパターンの膜厚1μm当たりの810cm−1の吸収が、0.02未満であるパターン形成材料である。また、該パターン形成材料を用いるパターン形成方法、及び前記パターン形成方法により永久パターンが形成されるプリント基板である。
【解決手段】バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤、を少なくとも含む感光性組成物を用いて形成された感光層を有し、該感光層を、基板の表面に積層した後、該感光層に対して露光を少なくとも行うことにより形成されたパターンの膜厚1μm当たりの810cm−1の吸収が、0.02未満であるパターン形成材料である。また、該パターン形成材料を用いるパターン形成方法、及び前記パターン形成方法により永久パターンが形成されるプリント基板である。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
バインダー、重合性化合物、光重合開始剤、及び熱架橋剤、を少なくとも含む感光性組成物を用いて形成された感光層を有し、該感光層を、基板の表面に積層した後、該感光層に対して露光を少なくとも行うことにより形成されたパターンの膜厚1μm当たりの810cm−1のスペクトル吸収が、0.02未満であることを特徴とするパターン形成材料。
【請求項2】
露光が、350〜415nmの波長のレーザ光を用いて行われる請求項1に記載のパターン形成材料。
【請求項3】
バインダーが、エポキシアクリレート化合物の少なくとも1種と、側鎖に(メタ)アクリロイル基、及び酸性基を有するビニル共重合体の少なくとも1種とから選択される少なくとも1種を含む請求項1から2のいずれかに記載のパターン形成材料。
【請求項4】
重合性化合物が、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマーを含む請求項1から3のいずれかに記載のパターン形成材料。
【請求項5】
光重合開始剤が、ハロゲン化炭化水素誘導体、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、メタロセン類、及びアシルホスフィンオキシド化合物から選択される少なくとも1種を含む請求項1から4のいずれかに記載のパターン形成材料。
【請求項6】
熱架橋剤が、エポキシ化合物、オキセタン化合物、ポリイソシアネート化合物、ポリイソシアネート化合物にブロック剤を反応させて得られる化合物、及びメラミン誘導体から選択される少なくとも1種である請求項1から5のいずれかに記載のパターン形成材料。
【請求項7】
支持体と、該支持体上に形成された感光層とを少なくとも有する請求項1から6のいずれかに記載のパターン形成材料。
【請求項8】
支持体上に、熱可塑性樹脂層と感光層とをこの順に有する請求項7に記載のパターン形成材料。
【請求項9】
請求項1から8のいずれかに記載のパターン形成材料における感光層を、加熱及び加圧の少なくともいずれかの下において基材の表面に積層した後、該感光層に対して露光を行う工程を少なくとも含み、該工程により形成されたパターンの膜厚1μm当たりの810cm−1のスペクトル吸収が、0.02未満であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項10】
露光が、350〜415nmの波長のレーザ光を用いて行われる請求項9に記載のパターン形成方法。
【請求項11】
露光に用いる光の最小エネルギーが、0.1〜100mJ/cm2である請求項9から10のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項12】
露光が、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、
前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、N重露光(ただし、Nは2以上の自然数)に使用する前記描素部を指定し、
前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行い、
前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて行われる請求項9から11のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項13】
露光が行われた後、感光層の現像を行い、該現像が行われた後、再露光を行う請求項9から12のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項14】
再露光時の露光エネルギー量が、30〜2,000mJ/cm2である請求項13に記載のパターン形成方法。
【請求項15】
露光が行われた後、感光層の現像を行い、該現像が行われた後、140℃以上で30分間以上加熱を行う請求項9から14のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項16】
現像が行われた後、永久パターンの形成を行う請求項13から15のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項17】
保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかを形成する請求項16に記載のパターン形成方法。
【請求項18】
請求項9から17のいずれかに記載のパターン形成方法により、永久パターンが形成されることを特徴とするプリント基板。
【請求項1】
バインダー、重合性化合物、光重合開始剤、及び熱架橋剤、を少なくとも含む感光性組成物を用いて形成された感光層を有し、該感光層を、基板の表面に積層した後、該感光層に対して露光を少なくとも行うことにより形成されたパターンの膜厚1μm当たりの810cm−1のスペクトル吸収が、0.02未満であることを特徴とするパターン形成材料。
【請求項2】
露光が、350〜415nmの波長のレーザ光を用いて行われる請求項1に記載のパターン形成材料。
【請求項3】
バインダーが、エポキシアクリレート化合物の少なくとも1種と、側鎖に(メタ)アクリロイル基、及び酸性基を有するビニル共重合体の少なくとも1種とから選択される少なくとも1種を含む請求項1から2のいずれかに記載のパターン形成材料。
【請求項4】
重合性化合物が、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマーを含む請求項1から3のいずれかに記載のパターン形成材料。
【請求項5】
光重合開始剤が、ハロゲン化炭化水素誘導体、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、メタロセン類、及びアシルホスフィンオキシド化合物から選択される少なくとも1種を含む請求項1から4のいずれかに記載のパターン形成材料。
【請求項6】
熱架橋剤が、エポキシ化合物、オキセタン化合物、ポリイソシアネート化合物、ポリイソシアネート化合物にブロック剤を反応させて得られる化合物、及びメラミン誘導体から選択される少なくとも1種である請求項1から5のいずれかに記載のパターン形成材料。
【請求項7】
支持体と、該支持体上に形成された感光層とを少なくとも有する請求項1から6のいずれかに記載のパターン形成材料。
【請求項8】
支持体上に、熱可塑性樹脂層と感光層とをこの順に有する請求項7に記載のパターン形成材料。
【請求項9】
請求項1から8のいずれかに記載のパターン形成材料における感光層を、加熱及び加圧の少なくともいずれかの下において基材の表面に積層した後、該感光層に対して露光を行う工程を少なくとも含み、該工程により形成されたパターンの膜厚1μm当たりの810cm−1のスペクトル吸収が、0.02未満であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項10】
露光が、350〜415nmの波長のレーザ光を用いて行われる請求項9に記載のパターン形成方法。
【請求項11】
露光に用いる光の最小エネルギーが、0.1〜100mJ/cm2である請求項9から10のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項12】
露光が、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、
前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、N重露光(ただし、Nは2以上の自然数)に使用する前記描素部を指定し、
前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行い、
前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて行われる請求項9から11のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項13】
露光が行われた後、感光層の現像を行い、該現像が行われた後、再露光を行う請求項9から12のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項14】
再露光時の露光エネルギー量が、30〜2,000mJ/cm2である請求項13に記載のパターン形成方法。
【請求項15】
露光が行われた後、感光層の現像を行い、該現像が行われた後、140℃以上で30分間以上加熱を行う請求項9から14のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項16】
現像が行われた後、永久パターンの形成を行う請求項13から15のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項17】
保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかを形成する請求項16に記載のパターン形成方法。
【請求項18】
請求項9から17のいずれかに記載のパターン形成方法により、永久パターンが形成されることを特徴とするプリント基板。
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図32】
【図33】
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20A】
【図20B】
【図21A】
【図21B】
【図22】
【図23A】
【図23B】
【図24】
【図31A】
【図31B】
【図34A】
【図34B】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図32】
【図33】
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20A】
【図20B】
【図21A】
【図21B】
【図22】
【図23A】
【図23B】
【図24】
【図31A】
【図31B】
【図34A】
【図34B】
【公開番号】特開2007−256855(P2007−256855A)
【公開日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−84200(P2006−84200)
【出願日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【国際特許分類】
【出願日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】
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