回路基板、これを用いた電子機器及び回路基板の製造方法
【課題】半導体チップに封止樹脂を塗布する際に、周囲に封止樹脂が流れ出ないようにするために、印刷によりダムを形成していたが、製造工程が増加してコスト高となった。また、封止樹脂の粘性を高くすると作業性が低下し、量産性が低下した。
【解決手段】絶縁基板１の表面に、配線１５を構成する銅箔９と、表面保護用のレジスト膜７と、部品名等の表示用の印刷膜８が形成されている回路基板１０において、半導体チップ３や電極端子２に塗布する封止樹脂６の流れ出し防止用のダム１４を、少なくとも銅箔９を含み、ダム１４の領域以外の領域において使用される部材により構成した。
【解決手段】絶縁基板１の表面に、配線１５を構成する銅箔９と、表面保護用のレジスト膜７と、部品名等の表示用の印刷膜８が形成されている回路基板１０において、半導体チップ３や電極端子２に塗布する封止樹脂６の流れ出し防止用のダム１４を、少なくとも銅箔９を含み、ダム１４の領域以外の領域において使用される部材により構成した。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板上に半導体チップ等を実装するための回路基板、この回路基板を用いた電子機器及び回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ等の電子部品を高密度に実装できる回路基板が要求されている。半導体のベアーチップを実装する場合に、ベアーチップやベアーチップと配線とを接続するためのワイヤー部を保護するために、シール剤を塗布する。シール剤は粘度が低いために絶縁基板上を広がりやすい。そのため、半導体チップの周囲を広く確保しなければならず、高密度実装のための省スペース化に難点があった。そこで、半導体チップを実装する領域に、シール剤の流れ出し防止用印刷ダムを形成することが提案されている（特許文献１を参照）。
【０００３】
図９は、シール剤の流れ出し防止用のダムを印刷した回路基板５０の部分断面図である。ガラスが混入されたエポキシ樹脂からなる絶縁基板５１の表面には、銅箔端子５２からなる配線パターンと、スクリーン印刷等により形成した印刷ダム５３と、接着剤５８により接着された半導体チップ５４と、絶縁基板５１の表面保護用のレジスト膜５７と、銅箔端子５２と接続する銅箔配線５９等が形成されている。銅箔端子５２と半導体チップ５４の表面に形成される電極とは金線からなるワイヤー５５によりワイヤーボンディングされている。印刷ダム５３は、半導体チップ５４と銅箔端子５２の周囲を取り囲むように形成されている。そして、印刷ダム５３の内側であって、半導体チップ５４、ワイヤー５５及び銅箔端子５２の領域にはエポキシ樹脂等からなる保護用のシール剤５６により覆われている。即ち、印刷ダム５３は、シール剤５６を塗布する際に、シール剤５６が周囲に流れ出すのを防止するために形成されている。
【特許文献１】特開平６−１６４１１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来例においては、シール剤５６の流れ出し防止用の印刷ダム５３を印刷する必要があるために、製造工程数が増加しコスト高となる課題があった。また、シール剤５６の流れ出しを防止するために、比較的粘度の高いシール剤５６を使用すると、シール剤５６を塗布するためのディスペンサーが目詰まりして、作業スピードが遅くなり、量産性が低下する課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明においては、上記課題を解決するために、以下の構成とした。
【０００６】
（１）絶縁基板の表面に、配線を構成する銅箔と、表面保護用のレジスト膜と、部品名等の表示用の印刷膜が形成されている回路基板において、前記絶縁基板の表面には、半導体チップと、前記半導体チップとワイヤーを介して接続する電極端子と、前記半導体チップを覆う封止樹脂と、前記半導体チップ及び前記電極端子を前記絶縁基板の表面において囲む形状を有し、前記封止樹脂の流れ出し防止用のダムとが形成されており、前記ダムは、少なくとも前記銅箔から構成されていることを特徴とする回路基板とした。
【０００７】
（２）上記（１）の回路基板において、前記ダムは、前記銅箔の上に積層される前記レジスト膜と、前記レジスト膜の上に積層される前記印刷膜を含むようにした。
【０００８】
（３）上記（１）又は（２）の回路基板において、前記電極端子の表面には半田が形成されており、前記ダムは、前記銅箔の上に積層される前記半田を含むようにした。
【０００９】
（４）上記（１）〜（３）のいずれか１の回路基板において、前記絶縁基板には、前記絶縁基板を貫通するスルーホールと、前記スルーホールを介して前記電極端子と電気的に接続する裏面配線が形成されるようにした。
【００１０】
（５）上記（１）〜（４）のいずれか１の回路基板において、前記絶縁基板の表面には、前記ダムの内周に沿って溝が形成されるようにした。
【００１１】
（６）上記（１）〜（５）のいずれか１の回路基板を使用した電子機器とした。
【００１２】
（７）表面に銅箔が形成された絶縁基板を用意する準備工程と、前記銅箔をパターニングして、半導体チップに接続するための電極端子と、封止樹脂の流れ出し防止用のダムを同時に形成する電極形成工程と、前記絶縁基板にレジストを塗布してパターニングするレジスト膜形成工程と、前記レジストの表面に印刷膜を形成する印刷工程と、前記回路基板に半導体チップを接着し、前記半導体チップと前記電極端子とをワイヤーを介して接続し、前記半導体チップと前記ワイヤーとを封止樹脂により封止する実装工程と、を備える回路基板の製造方法とした。
【００１３】
（８）上記（７）の回路基板の製造方法において、前記レジスト形成工程は、前記ダムの表面に前記レジストを残す工程であり、前記印刷工程は、前記ダムを形成する領域の前記レジストの表面に印刷膜を残す工程とした。
【００１４】
（９）上記（７）又は（８）の回路基板の製造方法において、前記レジスト形成工程の後に、前記銅箔からなる前記電極端子と前記ダムの表面に、半田を形成する半田形成工程を含むようにした。
【００１５】
（１０）上記（７）〜（９）のいずれか１の回路基板の製造方法において、前記準備工程は、前記絶縁基板の裏面に銅箔を形成する工程と、前記絶縁基板にスルーホールを形成する工程と、前記表面の銅箔と前記裏面の銅箔とを電気的に接続する工程を含み、前記電極形成工程は、前記裏面に形成された銅箔をパターニングして裏面配線を形成する工程を含むようにした。
【００１６】
（１１）上記（７）〜（１０）のいずれか１の回路基板の製造方法において、前記準備工程は、前記絶縁基板の表面であって前記ダムが形成されるべき領域の内側近傍に溝を形成する工程を含むようにした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明においては、半導体チップを保護するための封止樹脂の流れ出し防止用のダムとして、回路基板を構成する必須の構成要素である銅箔を含めるようにした。これにより、ダム形成のための新たな印刷工程を必要としないで、高密度実装の可能な回路基板を製造コストの上昇を抑えて提供することができる、という利点を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の回路基板においては、絶縁基板の表面に、配線を構成するための銅箔と、表面保護用のレジスト膜と、部品名等を表示するための印刷膜が形成されている。また、絶縁基板の表面には、半導体チップと、この半導体チップの近傍に形成される電極端子と、半導体チップと電極端子を囲む形状を有し、封止樹脂の流れ出し防止用のダムが形成されている。半導体チップの表面に設けた電極と、上記電極端子とはワイヤーにより接続されており、半導体チップ、ワイヤー及び電極端子は封止樹脂により封止されている。ここで、封止樹脂の流れ出し防止用のダムは、少なくとも上記銅箔を含ように構成した。
【００１９】
ダムは、例えば、銅箔の上に他の領域に形成するレジスト膜を積層し、このレジスト膜の上に他の領域に形成する印刷膜を積層する。また、電極端子の表面に半田を形成する場合に、ダムは、銅箔の上に同じ半田を積層する。これにより、新たな工程を必要としないで、封止樹脂の流れ出し防止用のダムを形成することができ、製造コストの上昇を抑えることができる。また、１枚の絶縁基板から多数の回路基板を同時に作成する場合に、絶縁基板の表面に各回路基板を分離するための溝を形成する。この溝を、ダムを形成すべき領域の内周側に予め形成しておく。これにより、新たに余分な工程を必要としないで、封止樹脂の流れ出しを防止する機能を強化することができる。
【００２０】
また、絶縁基板の表面に形成した電極端子と、絶縁基板の裏面に形成した裏面配線とを、絶縁基板の表面から裏面に貫通するスルーホールを介して導通を取るようにした。従って、電極端子から配線を引き出す場合に、周囲に形成したダムを横切る必要がない。そのために、絶縁基板上に形成するダムは、半導体チップと電極端子を隙間なく囲うことができ、半導体チップの領域に塗布する封止樹脂の漏れ出しを完全に防止することができる。
【００２１】
本発明の回路基板の製造方法においては、表面に銅箔が形成された絶縁基板を用意する準備工程と、この銅箔を用いて半導体チップに接続するための電極端子と、この銅箔を用いて封止樹脂の流れ出し防止用のダムを同時にパターニングする電極形成工程と、絶縁基板の保護用にレジストを塗布してパターニングするレジスト膜形成工程と、この形成したレジスト膜の表面に部品名や基板番号の表示をするための印刷膜を形成する印刷工程と、半導体チップを絶縁基板上に接着し、半導体チップと電極端子との間をワイヤーボンディングによって接続し、次に、半導体チップとワイヤーとを封止樹脂により封止する実装工程とを備えている。これにより、新たな工程を必要としないで封止樹脂の流れ出しを防止するためのダムを形成することができる。
【００２２】
また、レジスト膜形成工程においてダムを構成する銅箔の上にレジスト膜を残し、更に、その上に印刷膜を残すことにより、ダムの高さを高くすることができる。また、レジスト膜形成工程の後に、電極端子の上に半田を印刷する場合に、ダムを構成する銅箔の上にも半田を同時に形成する。これにより、封止樹脂の流れ出しをより効果的に防止することができる。
【００２３】
また、絶縁基板の裏面にも銅箔を形成し、電極端子とするべき領域の絶縁基板にスルーホールを形成して、このスルーホールを介して表面の銅箔と裏面の銅箔とを電気的に接続する。更に、スルーホールを介して導通する銅箔をパターニングして裏面配線を形成する。これにより、電極端子から外部に電極を引き出す場合に、同じ表面に形成したダムを横切ることのないようにする。そのために、絶縁基板上に形成するダムは、半導体チップと電極端子を隙間なく囲うことができ、半導体チップの領域に塗布する封止樹脂の漏れ出しをより完全に防止することができる。
【００２４】
また、絶縁基板のカッティング用の溝を形成する工程において、絶縁基板の表面のダムが形成されるべき領域の内側近傍にも溝を形成することができる。これにより、封止樹脂の外部への流れ出しをより効果的に防止することができる。
【００２５】
以下、本発明について、図面を用いて具体的に説明する。
【００２６】
（実施例１）図１は本発明の実施例１に係る回路基板１０の模式的な縦断面図であり、図２は、封止樹脂６、レジスト膜７及び印刷膜８を省略した回路基板１０の模式的な斜視図である。ガラスエポキシ樹脂からなる絶縁基板１の表面には、接着剤５を介して接着された半導体チップ３と、銅箔からなる電極端子２と、銅箔からなり、電極端子２に接続する配線１５と、電極端子２と半導体チップ３の表面に形成した電極パッド１７とを接続するワイヤー４と、半導体チップ３及び電極端子２を囲むように形成したダム１４と、半導体チップ３やワイヤー４を保護するためのエポシキ系樹脂からなる封止樹脂６がモールドされている。
【００２７】
ダム１４と電極端子２は絶縁基板１の同一表面に形成されている。そのため、電極端子２に接続する配線１５とダム１４が交差する部分では、ダム１４が切れている。ダム１４の端部と配線１５との間隙を小さく形成する。また、離間して形成されている配線１５の間隙にも、ダム１４’を形成し、封止樹脂６の流れ出しを防止できるようにする。
【００２８】
ダム１４は、銅箔９、レジスト膜７及び印刷膜８の積層構造を有する。ダム１４の銅箔９は、電極端子２や配線１５を形成するときに同時に形成する。ダム１４のレジスト膜７は、配線１５や絶縁基板１の表面保護用として他の領域に形成するときに同時に形成する。ダム１４の印刷膜８は、シルク印刷により他の領域に形成するときに同時に形成する。塗布した封止樹脂６はダム１４によりせき止められてダム１４の外側に流れ出さない。
【００２９】
（実施例２）図３は本発明の実施例２に係る回路基板１０の模式的な縦断面図であり、図４は封止樹脂６、レジスト膜７及び印刷膜８を省略した回路基板１０の模式的な斜視図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付した。
【００３０】
絶縁基板１の表面には、接着剤５を介して接着された半導体チップ３と、銅箔からなる電極端子２と、電極端子２と半導体チップ３上の電極パッド１７とを接続するワイヤー４と、半導体チップ３及び電極端子２を囲むダム１４と、半導体チップ３やワイヤー４を保護するための封止樹脂６がモールドされている。ダム１４は、銅箔９と、レジスト膜７及び印刷膜８の積層構造を有する。ダム１４の銅箔９は、電極端子２や配線１５を形成するときに同時に形成する。ダム１４のレジスト膜７は、絶縁基板の表面保護用として他の領域に形成するときに同時に形成する。ダム１４の印刷膜８は、シルク印刷により他の領域に形成するときに同時に形成する。
【００３１】
更に、絶縁基板１にはスルーホール１１が形成され、絶縁基板１の裏面には銅箔からなる裏面配線１６が形成されている。スルーホール１１には導電体が形成され、この導電体により表面の電極端子２と裏面の裏面配線１６とを電気的に接続する。図４に示すように、ダム１４は半導体チップ３及び電極端子２を隙間無く囲むように形成されている。ダム１４の内側に位置する電極端子２と外側に位置する配線１５とはスルーホール１１及び裏面配線１６を介して電気的に接続される。即ち、ダム１４の下側を回り込むように接続される。その結果、ダム１４は隙間をなくした囲みとすることができるので、封止樹脂６のダム１４の外側への流れ出しをより効果的に防止することができる。
【００３２】
（実施例３）図５は、本発明の実施例３に係る回路基板１０の模式的な縦断面図である。実施例１と異なる部分は、ダム１４が銅箔９と半田１２の積層構造を有する点であり、その他は実施例１と同様なので説明を省略する。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００３３】
ダム１４を構成する半田１２は、電極端子２の表面にも半田バンプとして印刷法により同時に形成する。電極端子２上の半田１２’はワイヤー４のボンディングの際に溶融するのでダム１４上の半田１２と形状が異なる。ダム１４に半田１２を積層することにより、ダム１４を高く形成することができる。そのため、封止樹脂６がダム１４の外側へ流れ出すことをより効果的に防止することができる。なお、この場合も、実施例２において説明したように、絶縁基板１にスルーホール１１を、また絶縁基板１の裏面に裏面配線１６を形成して、電極端子２に接続する配線をダム１４の下部を通すことができる。
【００３４】
（実施例４）図６は、本発明の実施例４に係る回路基板１０の模式的な縦断面図である。実施例１と異なる部分は、ダム１４の内側近傍に溝１３が形成されている点であり、その他は実施例１と同様なので説明を省略する。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００３５】
ダム１４の内周側近傍にはＶ字状の溝１３が形成されている。このような溝１３を形成することにより、封止樹脂６が一旦溝１３に溜まるので、封止樹脂６がダム１４の外側へ流れ出すことをより効果的に防止することができる。なお、溝１３は、絶縁基板１の上にカッティング溝を形成する工程において、形成することができるので、製造コストの上昇を抑えることができる。この場合も、実施例２において説明したように、絶縁基板１にスルーホール１１を、また絶縁基板１の裏面に裏面配線１６を形成して、電極端子２に接続する配線をダム１４の下部を通すことができる。また、実施例３において説明したように、ダム１４を銅箔９と半田１２の２層構造とすることができる。
【００３６】
（実施例５）図７は、本発明の実施例５に係る回路基板１０の製造方法を表すフロー図であり、各図は図２に示す回路基板１０のＡＡ’部分の模式的な縦断面図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００３７】
図７（ａ）は、絶縁基板１の表面に銅箔９を形成した準備工程を表す。絶縁基板１として厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ基板を使用した。銅箔９の厚さは約２０μｍである。図７（ｂ）は、表面の銅箔９をパターニングした電極形成工程を表す。電極端子２、配線１５や銅箔９等のパターンを形成したマスクを用意する。銅箔９の表面にフォトレジストを塗布し、このマスクを用いて露光、現像した後に、銅箔９をエッチング除去し、フォトレジストを除去した。即ち、絶縁基板１の中央の電極端子２と、その周辺のダム１４用の銅箔９と、その外側の配線１５とを同時に形成する。
【００３８】
図７（ｃ）と図７（ｄ）は、レジスト膜形成工程を表す。図７（ｃ）は絶縁基板１の表面にレジスト膜７を塗布した状態を表し、図７（ｄ）はそのレジスト膜７をパターニングした状態を表す。絶縁基板１に配線１５等の保護用のレジスト膜７を塗布し、次に、マスクを用いてレジスト膜７を露光、現像して、電極端子２や他の領域からレジスト膜７を除去する。ダム１４の銅箔９や配線１５の表面にレジスト膜７を残す。レジスト膜７は厚さ約２０μｍである。図７（ｅ）は、電極端子２の表面にＡｕ／Ｎｉ１８をメッキした状態を表す。他の導体との接続を容易にするためである。Ａｕ／Ｎｉ１８は夫々無電界メッキ法により堆積する。
【００３９】
図７（ｆ）は、レジスト膜７の表面に印刷膜８を形成する印刷工程を表す。絶縁基板１上に実装する電子部品の品番等をシルク印刷により印刷する。この際、ダム１４を構成するレジスト膜７上にも印刷する。印刷膜８の厚さは約２０μｍである。
【００４０】
図７（ｇ）〜図７（ｉ）は実装工程を表す。図７（ｇ）は半導体チップ３を絶縁基板１の上に接着剤５により接着した状態であり、図７（ｈ）は半導体チップ３の表面に設けた電極パッド１７と絶縁基板１上の電極端子２とを金線からなるワイヤー４によりワイヤーボンディングを行った状態であり、図７（ｉ）は半導体チップ３、ワイヤー４及び電極端子２を封止樹脂６により封止した状態である。封止樹脂６はエポシキ系樹脂を用いた。封止樹脂６を塗布する際に、ダム１４は封止樹脂６が外部に流れ出ることを防止する機能を有する。
【００４１】
以上のとおり、ダム１４は、銅箔９、レジスト膜７及び印刷膜８から形成されており、いずれの膜も回路基板１０の他の領域において使用する膜であることから、ダム１４を形成するためのみの工程が不要である。その結果、製造コストの上昇を抑えて、封止樹脂の流れ出し防止用のダム１４を形成することができる。
【００４２】
（実施例６）図８は、本発明の実施例６に係る回路基板１０の製造方法を表すフロー図であり、図８における各図は、図４に示す回路基板１０のＢＢ’部分の模式的な縦断面図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００４３】
図８（ａ）と図８（ｂ）は、絶縁基板１を用意する準備工程を表す。図８（ａ）に示すように、まず、絶縁基板１の表面と裏面に夫々銅箔９及び銅箔９’を形成する。次に、絶縁基板１の電極端子２を形成する領域及びこの電極端子２に電気的に接続するための配線１５を形成すべき領域にスルーホール１１を形成する。次に、銅メッキ処理を施して表面の銅箔９と裏面の銅箔９’とを電気的に接続する。図８（ｂ）は、この銅メッキ処理後の状態を表している。銅メッキ処理後の銅箔９は、約５０μｍの厚さを有する。図８（ｃ）は表面の銅箔９と裏面の銅箔９’をパターニングした電極形成工程を表す。銅箔９の表面にフォトレジストを塗布し、配線パターンを形成したマスクを用意し、このマスクを用いて露光、現像した後に、銅箔９をエッチング除去し、フォトレジストを除去した。絶縁基板１の中央の電極端子２と、その周辺のダム１４用の銅箔９と、その外側の配線１５とを同時に形成した。同様に、裏面にフォトレジストを塗布し、裏面配線パターンを形成したマスクを用意し、このマスクを用いて露光、現像した後に、銅箔９’をエッチング除去し、フォトレジストを除去した。
【００４４】
図８（ｄ）と図８（ｅ）は、レジスト膜形成工程を表す。図８（ｄ）は絶縁基板１の表面にレジスト膜７を塗布した状態を表し、図８（ｅ）はそのレジスト膜７をパターニングした状態を表す。絶縁基板１に裏面配線１６の保護用のレジスト膜７を塗布し、次に、マスクを用いてレジスト膜７を露光、現像して、電極端子２や他の領域からレジスト膜７を除去する。ダム１４の銅箔９及び配線１５の表面にレジスト膜７を残す。レジスト膜７は厚さ約２０μｍである。図８（ｆ）は、電極端子２及び裏面配線１６の表面にＡｕ／Ｎｉ１８をメッキした状態を表す。他の導体との接続を容易にするためである。Ａｕ／Ｎｉ１８は夫々無電界メッキ法により堆積する。
【００４５】
図８（ｇ）は、レジスト膜７の表面に印刷膜８を形成する印刷工程を表す。絶縁基板１上に実装する電子部品の品番等をシルク印刷により印刷する。この際、ダム１４を構成するレジスト膜７上にも印刷する。これにより、ダム１４は銅箔９、レジスト膜７及び印刷膜８の積層構造となる。そして、電極端子２は裏面配線１６を介して配線１５に接続するので、ダム１４は半導体チップ３が接着される領域を隙間無く囲むように形成することができる。印刷膜８の厚さは約２０μｍである。
【００４６】
図８（ｈ）及び図８（ｉ）は実装工程を表す。図８（ｈ）は半導体チップ３を絶縁基板１の上に接着剤５により接着し、半導体チップ３の表面に設けた電極パッド１７と絶縁基板１上の電極端子２とを金線からなるワイヤー４によりワイヤーボンディングを行った状態である。図８（ｉ）は半導体チップ３、ワイヤー４及び電極端子２を封止樹脂６により封止した状態である。封止樹脂６はエポシキ系樹脂を用いた。封止樹脂６を塗布する際に、ダム１４は封止樹脂６が外部に流れ出ることを防止する機能を有する。
【００４７】
以上のとおり、ダム１４は、銅箔９、レジスト膜７及び印刷膜８から形成されており、いずれの膜も回路基板１０の他の領域において使用する膜であることから、ダム１４を形成するためのみの工程が不要である。また、電極端子２と配線１５とを裏面に形成した裏面配線１６を介してダム１４の下方を通したので、ダム１４を隙間無く形成することができ、より効果的に封止樹脂６の外周への流れ出しを防止することができる。
【００４８】
なお、以上の実施例５及び実施例６における準備工程において、ダム１４が形成されるべき領域の内周近傍に溝１３を形成し、封止樹脂６の流れ出しをより効果的に防止するようにしてもよい。この場合も、溝１３の形成は、絶縁基板１の表面に形成するカッティング溝を形成する工程で形成することができる。
【００４９】
以上、本発明に係る回路基板１０は、封止樹脂６が塗布される半導体チップ３の周囲にダム１４を形成して周囲に封止樹脂が流れ出ることが無いので、高密度実装が可能となり、かつ、ダム１４を形成するためのみの工程を無くしたので、製造コストの上昇を抑えることができ、携帯電話、パーソナルコンピュータ、その他の電子機器に広く使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施例に係る回路基板の模式的な縦断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る回路基板の模式的な斜視図である。
【図３】本発明の実施例に係る回路基板の模式的な縦断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る回路基板の模式的な斜視図である。
【図５】本発明の実施例に係る回路基板の模式的な縦断面図である。
【図６】本発明の実施例に係る回路基板の模式的な縦断面図である。
【図７】本発明の実施例に係る回路基板の製造方法を現すフロー図である。
【図８】本発明の実施例に係る回路基板の製造方法を現すフロー図である。
【図９】従来から公知の回路基板の縦断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１ 絶縁基板
２ 電極端子
３ 半導体チップ
４ ワイヤー
５ 接着剤
６ 封止樹脂
７ レジスト膜
８ 印刷膜
９ 銅箔
１０ 回路基板
１４ ダム
１５ 配線
１７ 電極パッド
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板上に半導体チップ等を実装するための回路基板、この回路基板を用いた電子機器及び回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ等の電子部品を高密度に実装できる回路基板が要求されている。半導体のベアーチップを実装する場合に、ベアーチップやベアーチップと配線とを接続するためのワイヤー部を保護するために、シール剤を塗布する。シール剤は粘度が低いために絶縁基板上を広がりやすい。そのため、半導体チップの周囲を広く確保しなければならず、高密度実装のための省スペース化に難点があった。そこで、半導体チップを実装する領域に、シール剤の流れ出し防止用印刷ダムを形成することが提案されている（特許文献１を参照）。
【０００３】
図９は、シール剤の流れ出し防止用のダムを印刷した回路基板５０の部分断面図である。ガラスが混入されたエポキシ樹脂からなる絶縁基板５１の表面には、銅箔端子５２からなる配線パターンと、スクリーン印刷等により形成した印刷ダム５３と、接着剤５８により接着された半導体チップ５４と、絶縁基板５１の表面保護用のレジスト膜５７と、銅箔端子５２と接続する銅箔配線５９等が形成されている。銅箔端子５２と半導体チップ５４の表面に形成される電極とは金線からなるワイヤー５５によりワイヤーボンディングされている。印刷ダム５３は、半導体チップ５４と銅箔端子５２の周囲を取り囲むように形成されている。そして、印刷ダム５３の内側であって、半導体チップ５４、ワイヤー５５及び銅箔端子５２の領域にはエポキシ樹脂等からなる保護用のシール剤５６により覆われている。即ち、印刷ダム５３は、シール剤５６を塗布する際に、シール剤５６が周囲に流れ出すのを防止するために形成されている。
【特許文献１】特開平６−１６４１１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来例においては、シール剤５６の流れ出し防止用の印刷ダム５３を印刷する必要があるために、製造工程数が増加しコスト高となる課題があった。また、シール剤５６の流れ出しを防止するために、比較的粘度の高いシール剤５６を使用すると、シール剤５６を塗布するためのディスペンサーが目詰まりして、作業スピードが遅くなり、量産性が低下する課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明においては、上記課題を解決するために、以下の構成とした。
【０００６】
（１）絶縁基板の表面に、配線を構成する銅箔と、表面保護用のレジスト膜と、部品名等の表示用の印刷膜が形成されている回路基板において、前記絶縁基板の表面には、半導体チップと、前記半導体チップとワイヤーを介して接続する電極端子と、前記半導体チップを覆う封止樹脂と、前記半導体チップ及び前記電極端子を前記絶縁基板の表面において囲む形状を有し、前記封止樹脂の流れ出し防止用のダムとが形成されており、前記ダムは、少なくとも前記銅箔から構成されていることを特徴とする回路基板とした。
【０００７】
（２）上記（１）の回路基板において、前記ダムは、前記銅箔の上に積層される前記レジスト膜と、前記レジスト膜の上に積層される前記印刷膜を含むようにした。
【０００８】
（３）上記（１）又は（２）の回路基板において、前記電極端子の表面には半田が形成されており、前記ダムは、前記銅箔の上に積層される前記半田を含むようにした。
【０００９】
（４）上記（１）〜（３）のいずれか１の回路基板において、前記絶縁基板には、前記絶縁基板を貫通するスルーホールと、前記スルーホールを介して前記電極端子と電気的に接続する裏面配線が形成されるようにした。
【００１０】
（５）上記（１）〜（４）のいずれか１の回路基板において、前記絶縁基板の表面には、前記ダムの内周に沿って溝が形成されるようにした。
【００１１】
（６）上記（１）〜（５）のいずれか１の回路基板を使用した電子機器とした。
【００１２】
（７）表面に銅箔が形成された絶縁基板を用意する準備工程と、前記銅箔をパターニングして、半導体チップに接続するための電極端子と、封止樹脂の流れ出し防止用のダムを同時に形成する電極形成工程と、前記絶縁基板にレジストを塗布してパターニングするレジスト膜形成工程と、前記レジストの表面に印刷膜を形成する印刷工程と、前記回路基板に半導体チップを接着し、前記半導体チップと前記電極端子とをワイヤーを介して接続し、前記半導体チップと前記ワイヤーとを封止樹脂により封止する実装工程と、を備える回路基板の製造方法とした。
【００１３】
（８）上記（７）の回路基板の製造方法において、前記レジスト形成工程は、前記ダムの表面に前記レジストを残す工程であり、前記印刷工程は、前記ダムを形成する領域の前記レジストの表面に印刷膜を残す工程とした。
【００１４】
（９）上記（７）又は（８）の回路基板の製造方法において、前記レジスト形成工程の後に、前記銅箔からなる前記電極端子と前記ダムの表面に、半田を形成する半田形成工程を含むようにした。
【００１５】
（１０）上記（７）〜（９）のいずれか１の回路基板の製造方法において、前記準備工程は、前記絶縁基板の裏面に銅箔を形成する工程と、前記絶縁基板にスルーホールを形成する工程と、前記表面の銅箔と前記裏面の銅箔とを電気的に接続する工程を含み、前記電極形成工程は、前記裏面に形成された銅箔をパターニングして裏面配線を形成する工程を含むようにした。
【００１６】
（１１）上記（７）〜（１０）のいずれか１の回路基板の製造方法において、前記準備工程は、前記絶縁基板の表面であって前記ダムが形成されるべき領域の内側近傍に溝を形成する工程を含むようにした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明においては、半導体チップを保護するための封止樹脂の流れ出し防止用のダムとして、回路基板を構成する必須の構成要素である銅箔を含めるようにした。これにより、ダム形成のための新たな印刷工程を必要としないで、高密度実装の可能な回路基板を製造コストの上昇を抑えて提供することができる、という利点を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の回路基板においては、絶縁基板の表面に、配線を構成するための銅箔と、表面保護用のレジスト膜と、部品名等を表示するための印刷膜が形成されている。また、絶縁基板の表面には、半導体チップと、この半導体チップの近傍に形成される電極端子と、半導体チップと電極端子を囲む形状を有し、封止樹脂の流れ出し防止用のダムが形成されている。半導体チップの表面に設けた電極と、上記電極端子とはワイヤーにより接続されており、半導体チップ、ワイヤー及び電極端子は封止樹脂により封止されている。ここで、封止樹脂の流れ出し防止用のダムは、少なくとも上記銅箔を含ように構成した。
【００１９】
ダムは、例えば、銅箔の上に他の領域に形成するレジスト膜を積層し、このレジスト膜の上に他の領域に形成する印刷膜を積層する。また、電極端子の表面に半田を形成する場合に、ダムは、銅箔の上に同じ半田を積層する。これにより、新たな工程を必要としないで、封止樹脂の流れ出し防止用のダムを形成することができ、製造コストの上昇を抑えることができる。また、１枚の絶縁基板から多数の回路基板を同時に作成する場合に、絶縁基板の表面に各回路基板を分離するための溝を形成する。この溝を、ダムを形成すべき領域の内周側に予め形成しておく。これにより、新たに余分な工程を必要としないで、封止樹脂の流れ出しを防止する機能を強化することができる。
【００２０】
また、絶縁基板の表面に形成した電極端子と、絶縁基板の裏面に形成した裏面配線とを、絶縁基板の表面から裏面に貫通するスルーホールを介して導通を取るようにした。従って、電極端子から配線を引き出す場合に、周囲に形成したダムを横切る必要がない。そのために、絶縁基板上に形成するダムは、半導体チップと電極端子を隙間なく囲うことができ、半導体チップの領域に塗布する封止樹脂の漏れ出しを完全に防止することができる。
【００２１】
本発明の回路基板の製造方法においては、表面に銅箔が形成された絶縁基板を用意する準備工程と、この銅箔を用いて半導体チップに接続するための電極端子と、この銅箔を用いて封止樹脂の流れ出し防止用のダムを同時にパターニングする電極形成工程と、絶縁基板の保護用にレジストを塗布してパターニングするレジスト膜形成工程と、この形成したレジスト膜の表面に部品名や基板番号の表示をするための印刷膜を形成する印刷工程と、半導体チップを絶縁基板上に接着し、半導体チップと電極端子との間をワイヤーボンディングによって接続し、次に、半導体チップとワイヤーとを封止樹脂により封止する実装工程とを備えている。これにより、新たな工程を必要としないで封止樹脂の流れ出しを防止するためのダムを形成することができる。
【００２２】
また、レジスト膜形成工程においてダムを構成する銅箔の上にレジスト膜を残し、更に、その上に印刷膜を残すことにより、ダムの高さを高くすることができる。また、レジスト膜形成工程の後に、電極端子の上に半田を印刷する場合に、ダムを構成する銅箔の上にも半田を同時に形成する。これにより、封止樹脂の流れ出しをより効果的に防止することができる。
【００２３】
また、絶縁基板の裏面にも銅箔を形成し、電極端子とするべき領域の絶縁基板にスルーホールを形成して、このスルーホールを介して表面の銅箔と裏面の銅箔とを電気的に接続する。更に、スルーホールを介して導通する銅箔をパターニングして裏面配線を形成する。これにより、電極端子から外部に電極を引き出す場合に、同じ表面に形成したダムを横切ることのないようにする。そのために、絶縁基板上に形成するダムは、半導体チップと電極端子を隙間なく囲うことができ、半導体チップの領域に塗布する封止樹脂の漏れ出しをより完全に防止することができる。
【００２４】
また、絶縁基板のカッティング用の溝を形成する工程において、絶縁基板の表面のダムが形成されるべき領域の内側近傍にも溝を形成することができる。これにより、封止樹脂の外部への流れ出しをより効果的に防止することができる。
【００２５】
以下、本発明について、図面を用いて具体的に説明する。
【００２６】
（実施例１）図１は本発明の実施例１に係る回路基板１０の模式的な縦断面図であり、図２は、封止樹脂６、レジスト膜７及び印刷膜８を省略した回路基板１０の模式的な斜視図である。ガラスエポキシ樹脂からなる絶縁基板１の表面には、接着剤５を介して接着された半導体チップ３と、銅箔からなる電極端子２と、銅箔からなり、電極端子２に接続する配線１５と、電極端子２と半導体チップ３の表面に形成した電極パッド１７とを接続するワイヤー４と、半導体チップ３及び電極端子２を囲むように形成したダム１４と、半導体チップ３やワイヤー４を保護するためのエポシキ系樹脂からなる封止樹脂６がモールドされている。
【００２７】
ダム１４と電極端子２は絶縁基板１の同一表面に形成されている。そのため、電極端子２に接続する配線１５とダム１４が交差する部分では、ダム１４が切れている。ダム１４の端部と配線１５との間隙を小さく形成する。また、離間して形成されている配線１５の間隙にも、ダム１４’を形成し、封止樹脂６の流れ出しを防止できるようにする。
【００２８】
ダム１４は、銅箔９、レジスト膜７及び印刷膜８の積層構造を有する。ダム１４の銅箔９は、電極端子２や配線１５を形成するときに同時に形成する。ダム１４のレジスト膜７は、配線１５や絶縁基板１の表面保護用として他の領域に形成するときに同時に形成する。ダム１４の印刷膜８は、シルク印刷により他の領域に形成するときに同時に形成する。塗布した封止樹脂６はダム１４によりせき止められてダム１４の外側に流れ出さない。
【００２９】
（実施例２）図３は本発明の実施例２に係る回路基板１０の模式的な縦断面図であり、図４は封止樹脂６、レジスト膜７及び印刷膜８を省略した回路基板１０の模式的な斜視図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付した。
【００３０】
絶縁基板１の表面には、接着剤５を介して接着された半導体チップ３と、銅箔からなる電極端子２と、電極端子２と半導体チップ３上の電極パッド１７とを接続するワイヤー４と、半導体チップ３及び電極端子２を囲むダム１４と、半導体チップ３やワイヤー４を保護するための封止樹脂６がモールドされている。ダム１４は、銅箔９と、レジスト膜７及び印刷膜８の積層構造を有する。ダム１４の銅箔９は、電極端子２や配線１５を形成するときに同時に形成する。ダム１４のレジスト膜７は、絶縁基板の表面保護用として他の領域に形成するときに同時に形成する。ダム１４の印刷膜８は、シルク印刷により他の領域に形成するときに同時に形成する。
【００３１】
更に、絶縁基板１にはスルーホール１１が形成され、絶縁基板１の裏面には銅箔からなる裏面配線１６が形成されている。スルーホール１１には導電体が形成され、この導電体により表面の電極端子２と裏面の裏面配線１６とを電気的に接続する。図４に示すように、ダム１４は半導体チップ３及び電極端子２を隙間無く囲むように形成されている。ダム１４の内側に位置する電極端子２と外側に位置する配線１５とはスルーホール１１及び裏面配線１６を介して電気的に接続される。即ち、ダム１４の下側を回り込むように接続される。その結果、ダム１４は隙間をなくした囲みとすることができるので、封止樹脂６のダム１４の外側への流れ出しをより効果的に防止することができる。
【００３２】
（実施例３）図５は、本発明の実施例３に係る回路基板１０の模式的な縦断面図である。実施例１と異なる部分は、ダム１４が銅箔９と半田１２の積層構造を有する点であり、その他は実施例１と同様なので説明を省略する。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００３３】
ダム１４を構成する半田１２は、電極端子２の表面にも半田バンプとして印刷法により同時に形成する。電極端子２上の半田１２’はワイヤー４のボンディングの際に溶融するのでダム１４上の半田１２と形状が異なる。ダム１４に半田１２を積層することにより、ダム１４を高く形成することができる。そのため、封止樹脂６がダム１４の外側へ流れ出すことをより効果的に防止することができる。なお、この場合も、実施例２において説明したように、絶縁基板１にスルーホール１１を、また絶縁基板１の裏面に裏面配線１６を形成して、電極端子２に接続する配線をダム１４の下部を通すことができる。
【００３４】
（実施例４）図６は、本発明の実施例４に係る回路基板１０の模式的な縦断面図である。実施例１と異なる部分は、ダム１４の内側近傍に溝１３が形成されている点であり、その他は実施例１と同様なので説明を省略する。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００３５】
ダム１４の内周側近傍にはＶ字状の溝１３が形成されている。このような溝１３を形成することにより、封止樹脂６が一旦溝１３に溜まるので、封止樹脂６がダム１４の外側へ流れ出すことをより効果的に防止することができる。なお、溝１３は、絶縁基板１の上にカッティング溝を形成する工程において、形成することができるので、製造コストの上昇を抑えることができる。この場合も、実施例２において説明したように、絶縁基板１にスルーホール１１を、また絶縁基板１の裏面に裏面配線１６を形成して、電極端子２に接続する配線をダム１４の下部を通すことができる。また、実施例３において説明したように、ダム１４を銅箔９と半田１２の２層構造とすることができる。
【００３６】
（実施例５）図７は、本発明の実施例５に係る回路基板１０の製造方法を表すフロー図であり、各図は図２に示す回路基板１０のＡＡ’部分の模式的な縦断面図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００３７】
図７（ａ）は、絶縁基板１の表面に銅箔９を形成した準備工程を表す。絶縁基板１として厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ基板を使用した。銅箔９の厚さは約２０μｍである。図７（ｂ）は、表面の銅箔９をパターニングした電極形成工程を表す。電極端子２、配線１５や銅箔９等のパターンを形成したマスクを用意する。銅箔９の表面にフォトレジストを塗布し、このマスクを用いて露光、現像した後に、銅箔９をエッチング除去し、フォトレジストを除去した。即ち、絶縁基板１の中央の電極端子２と、その周辺のダム１４用の銅箔９と、その外側の配線１５とを同時に形成する。
【００３８】
図７（ｃ）と図７（ｄ）は、レジスト膜形成工程を表す。図７（ｃ）は絶縁基板１の表面にレジスト膜７を塗布した状態を表し、図７（ｄ）はそのレジスト膜７をパターニングした状態を表す。絶縁基板１に配線１５等の保護用のレジスト膜７を塗布し、次に、マスクを用いてレジスト膜７を露光、現像して、電極端子２や他の領域からレジスト膜７を除去する。ダム１４の銅箔９や配線１５の表面にレジスト膜７を残す。レジスト膜７は厚さ約２０μｍである。図７（ｅ）は、電極端子２の表面にＡｕ／Ｎｉ１８をメッキした状態を表す。他の導体との接続を容易にするためである。Ａｕ／Ｎｉ１８は夫々無電界メッキ法により堆積する。
【００３９】
図７（ｆ）は、レジスト膜７の表面に印刷膜８を形成する印刷工程を表す。絶縁基板１上に実装する電子部品の品番等をシルク印刷により印刷する。この際、ダム１４を構成するレジスト膜７上にも印刷する。印刷膜８の厚さは約２０μｍである。
【００４０】
図７（ｇ）〜図７（ｉ）は実装工程を表す。図７（ｇ）は半導体チップ３を絶縁基板１の上に接着剤５により接着した状態であり、図７（ｈ）は半導体チップ３の表面に設けた電極パッド１７と絶縁基板１上の電極端子２とを金線からなるワイヤー４によりワイヤーボンディングを行った状態であり、図７（ｉ）は半導体チップ３、ワイヤー４及び電極端子２を封止樹脂６により封止した状態である。封止樹脂６はエポシキ系樹脂を用いた。封止樹脂６を塗布する際に、ダム１４は封止樹脂６が外部に流れ出ることを防止する機能を有する。
【００４１】
以上のとおり、ダム１４は、銅箔９、レジスト膜７及び印刷膜８から形成されており、いずれの膜も回路基板１０の他の領域において使用する膜であることから、ダム１４を形成するためのみの工程が不要である。その結果、製造コストの上昇を抑えて、封止樹脂の流れ出し防止用のダム１４を形成することができる。
【００４２】
（実施例６）図８は、本発明の実施例６に係る回路基板１０の製造方法を表すフロー図であり、図８における各図は、図４に示す回路基板１０のＢＢ’部分の模式的な縦断面図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００４３】
図８（ａ）と図８（ｂ）は、絶縁基板１を用意する準備工程を表す。図８（ａ）に示すように、まず、絶縁基板１の表面と裏面に夫々銅箔９及び銅箔９’を形成する。次に、絶縁基板１の電極端子２を形成する領域及びこの電極端子２に電気的に接続するための配線１５を形成すべき領域にスルーホール１１を形成する。次に、銅メッキ処理を施して表面の銅箔９と裏面の銅箔９’とを電気的に接続する。図８（ｂ）は、この銅メッキ処理後の状態を表している。銅メッキ処理後の銅箔９は、約５０μｍの厚さを有する。図８（ｃ）は表面の銅箔９と裏面の銅箔９’をパターニングした電極形成工程を表す。銅箔９の表面にフォトレジストを塗布し、配線パターンを形成したマスクを用意し、このマスクを用いて露光、現像した後に、銅箔９をエッチング除去し、フォトレジストを除去した。絶縁基板１の中央の電極端子２と、その周辺のダム１４用の銅箔９と、その外側の配線１５とを同時に形成した。同様に、裏面にフォトレジストを塗布し、裏面配線パターンを形成したマスクを用意し、このマスクを用いて露光、現像した後に、銅箔９’をエッチング除去し、フォトレジストを除去した。
【００４４】
図８（ｄ）と図８（ｅ）は、レジスト膜形成工程を表す。図８（ｄ）は絶縁基板１の表面にレジスト膜７を塗布した状態を表し、図８（ｅ）はそのレジスト膜７をパターニングした状態を表す。絶縁基板１に裏面配線１６の保護用のレジスト膜７を塗布し、次に、マスクを用いてレジスト膜７を露光、現像して、電極端子２や他の領域からレジスト膜７を除去する。ダム１４の銅箔９及び配線１５の表面にレジスト膜７を残す。レジスト膜７は厚さ約２０μｍである。図８（ｆ）は、電極端子２及び裏面配線１６の表面にＡｕ／Ｎｉ１８をメッキした状態を表す。他の導体との接続を容易にするためである。Ａｕ／Ｎｉ１８は夫々無電界メッキ法により堆積する。
【００４５】
図８（ｇ）は、レジスト膜７の表面に印刷膜８を形成する印刷工程を表す。絶縁基板１上に実装する電子部品の品番等をシルク印刷により印刷する。この際、ダム１４を構成するレジスト膜７上にも印刷する。これにより、ダム１４は銅箔９、レジスト膜７及び印刷膜８の積層構造となる。そして、電極端子２は裏面配線１６を介して配線１５に接続するので、ダム１４は半導体チップ３が接着される領域を隙間無く囲むように形成することができる。印刷膜８の厚さは約２０μｍである。
【００４６】
図８（ｈ）及び図８（ｉ）は実装工程を表す。図８（ｈ）は半導体チップ３を絶縁基板１の上に接着剤５により接着し、半導体チップ３の表面に設けた電極パッド１７と絶縁基板１上の電極端子２とを金線からなるワイヤー４によりワイヤーボンディングを行った状態である。図８（ｉ）は半導体チップ３、ワイヤー４及び電極端子２を封止樹脂６により封止した状態である。封止樹脂６はエポシキ系樹脂を用いた。封止樹脂６を塗布する際に、ダム１４は封止樹脂６が外部に流れ出ることを防止する機能を有する。
【００４７】
以上のとおり、ダム１４は、銅箔９、レジスト膜７及び印刷膜８から形成されており、いずれの膜も回路基板１０の他の領域において使用する膜であることから、ダム１４を形成するためのみの工程が不要である。また、電極端子２と配線１５とを裏面に形成した裏面配線１６を介してダム１４の下方を通したので、ダム１４を隙間無く形成することができ、より効果的に封止樹脂６の外周への流れ出しを防止することができる。
【００４８】
なお、以上の実施例５及び実施例６における準備工程において、ダム１４が形成されるべき領域の内周近傍に溝１３を形成し、封止樹脂６の流れ出しをより効果的に防止するようにしてもよい。この場合も、溝１３の形成は、絶縁基板１の表面に形成するカッティング溝を形成する工程で形成することができる。
【００４９】
以上、本発明に係る回路基板１０は、封止樹脂６が塗布される半導体チップ３の周囲にダム１４を形成して周囲に封止樹脂が流れ出ることが無いので、高密度実装が可能となり、かつ、ダム１４を形成するためのみの工程を無くしたので、製造コストの上昇を抑えることができ、携帯電話、パーソナルコンピュータ、その他の電子機器に広く使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施例に係る回路基板の模式的な縦断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る回路基板の模式的な斜視図である。
【図３】本発明の実施例に係る回路基板の模式的な縦断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る回路基板の模式的な斜視図である。
【図５】本発明の実施例に係る回路基板の模式的な縦断面図である。
【図６】本発明の実施例に係る回路基板の模式的な縦断面図である。
【図７】本発明の実施例に係る回路基板の製造方法を現すフロー図である。
【図８】本発明の実施例に係る回路基板の製造方法を現すフロー図である。
【図９】従来から公知の回路基板の縦断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１ 絶縁基板
２ 電極端子
３ 半導体チップ
４ ワイヤー
５ 接着剤
６ 封止樹脂
７ レジスト膜
８ 印刷膜
９ 銅箔
１０ 回路基板
１４ ダム
１５ 配線
１７ 電極パッド
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面に、配線を構成する銅箔と、表面保護用のレジスト膜と、部品名等の表示用の印刷膜が形成されている回路基板において、
前記絶縁基板の表面には、半導体チップと、前記半導体チップとワイヤーを介して接続する電極端子と、前記半導体チップを覆う封止樹脂と、前記半導体チップ及び前記電極端子を前記絶縁基板の表面において囲む形状を有し、前記封止樹脂の流れ出し防止用のダムとが形成されており、
前記ダムは、少なくとも前記銅箔から構成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記ダムは、前記銅箔の上に積層される前記レジスト膜と、前記レジスト膜の上に積層される前記印刷膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記電極端子の表面には半田が形成されており、前記ダムは、前記銅箔の上に積層される前記半田を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記絶縁基板には、前記絶縁基板を貫通するスルーホールと、前記スルーホールを介して前記電極端子と電気的に接続する裏面配線が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記絶縁基板の表面には、前記ダムの内周に沿って溝が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の回路基板を使用した電子機器。
【請求項７】
表面に銅箔が形成された絶縁基板を用意する準備工程と、
前記銅箔をパターニングして、半導体チップに接続するための電極端子と、封止樹脂の流れ出し防止用のダムを同時に形成する電極形成工程と、
前記絶縁基板にレジストを塗布してパターニングするレジスト膜形成工程と、
前記レジストの表面に印刷膜を形成する印刷工程と、
前記回路基板に半導体チップを接着し、前記半導体チップと前記電極端子とをワイヤーを介して接続し、前記半導体チップと前記ワイヤーとを封止樹脂により封止する実装工程と、を備える回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記レジスト形成工程は、前記ダムの表面に前記レジストを残す工程であり、
前記印刷工程は、前記ダムを形成する領域の前記レジストの表面に印刷膜を残す工程であることを特徴とする請求項７に記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記レジスト形成工程の後に、前記銅箔からなる前記電極端子と前記ダムの表面に、半田を形成する半田形成工程を含むことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記準備工程は、前記絶縁基板の裏面に銅箔を形成する工程と、前記絶縁基板にスルーホールを形成する工程と、前記表面の銅箔と前記裏面の銅箔とを電気的に接続する工程を含み、
前記電極形成工程は、前記裏面に形成された銅箔をパターニングして裏面配線を形成する工程を含むことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記準備工程は、前記絶縁基板の表面であって前記ダムが形成されるべき領域の内側近傍に溝を形成する工程を含むことを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１】
絶縁基板の表面に、配線を構成する銅箔と、表面保護用のレジスト膜と、部品名等の表示用の印刷膜が形成されている回路基板において、
前記絶縁基板の表面には、半導体チップと、前記半導体チップとワイヤーを介して接続する電極端子と、前記半導体チップを覆う封止樹脂と、前記半導体チップ及び前記電極端子を前記絶縁基板の表面において囲む形状を有し、前記封止樹脂の流れ出し防止用のダムとが形成されており、
前記ダムは、少なくとも前記銅箔から構成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記ダムは、前記銅箔の上に積層される前記レジスト膜と、前記レジスト膜の上に積層される前記印刷膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記電極端子の表面には半田が形成されており、前記ダムは、前記銅箔の上に積層される前記半田を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記絶縁基板には、前記絶縁基板を貫通するスルーホールと、前記スルーホールを介して前記電極端子と電気的に接続する裏面配線が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記絶縁基板の表面には、前記ダムの内周に沿って溝が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の回路基板を使用した電子機器。
【請求項７】
表面に銅箔が形成された絶縁基板を用意する準備工程と、
前記銅箔をパターニングして、半導体チップに接続するための電極端子と、封止樹脂の流れ出し防止用のダムを同時に形成する電極形成工程と、
前記絶縁基板にレジストを塗布してパターニングするレジスト膜形成工程と、
前記レジストの表面に印刷膜を形成する印刷工程と、
前記回路基板に半導体チップを接着し、前記半導体チップと前記電極端子とをワイヤーを介して接続し、前記半導体チップと前記ワイヤーとを封止樹脂により封止する実装工程と、を備える回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記レジスト形成工程は、前記ダムの表面に前記レジストを残す工程であり、
前記印刷工程は、前記ダムを形成する領域の前記レジストの表面に印刷膜を残す工程であることを特徴とする請求項７に記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記レジスト形成工程の後に、前記銅箔からなる前記電極端子と前記ダムの表面に、半田を形成する半田形成工程を含むことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記準備工程は、前記絶縁基板の裏面に銅箔を形成する工程と、前記絶縁基板にスルーホールを形成する工程と、前記表面の銅箔と前記裏面の銅箔とを電気的に接続する工程を含み、
前記電極形成工程は、前記裏面に形成された銅箔をパターニングして裏面配線を形成する工程を含むことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記準備工程は、前記絶縁基板の表面であって前記ダムが形成されるべき領域の内側近傍に溝を形成する工程を含むことを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−１８８０８６（Ｐ２００９−１８８０８６Ａ）
【公開日】平成２１年８月２０日（２００９．８．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２４９０５（Ｐ２００８−２４９０５）
【出願日】平成２０年２月５日（２００８．２．５）
【出願人】（０００００２３２５）セイコーインスツル株式会社 (3,629)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年８月２０日（２００９．８．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月５日（２００８．２．５）
【出願人】（０００００２３２５）セイコーインスツル株式会社 (3,629)
【Ｆターム（参考）】
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