基板カートリッジ、基板処理装置、基板処理システム、制御装置及び表示素子の製造方法
【課題】基板に異物が付着するのを防ぐことができる基板カートリッジ、基板処理装置、基板処理システム、制御装置及び表示素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板が出し入れされる開口部を有し、前記開口部を介した前記基板を収容するカートリッジ本体と、前記カートリッジ本体に設けられ、外部接続部に対して着脱可能に接続されるマウント部とを備え、前記開口部は、前記マウント部と前記外部接続部との間の接続状態に応じて、前記基板によって閉塞可能に設けられている。
【解決手段】基板が出し入れされる開口部を有し、前記開口部を介した前記基板を収容するカートリッジ本体と、前記カートリッジ本体に設けられ、外部接続部に対して着脱可能に接続されるマウント部とを備え、前記開口部は、前記マウント部と前記外部接続部との間の接続状態に応じて、前記基板によって閉塞可能に設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板カートリッジ、基板処理装置、基板処理システム、制御装置及び表示素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ装置などの表示装置を構成する表示素子として、例えば有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子が知られている。有機ＥＬ素子は、基板上に陽極及び陰極を有すると共に、これら陽極と陰極との間に挟まれた有機発光層を有する構成となっている。有機ＥＬ素子は、陽極から有機発光層へ正孔を注入して有機発光層において正孔と電子とを結合させ、当該結合時の発光光によって表示光が得られるようになっている。有機ＥＬ素子は、基板上に例えば陽極及び陰極に接続される電気回路などが形成されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子を作製する手法の１つとして、例えばロール・トゥー・ロール方式（以下、単に「ロール方式」と表記する）と呼ばれる手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。ロール方式は、基板供給側のローラに巻かれた１枚のシート状の基板を送り出すと共に送り出された基板を基板回収側のローラで巻き取りながら基板を搬送し、基板が送り出されてから巻き取られるまでの間に、有機ＥＬ素子を構成する発光層や陽極、陰極、電気回路などを基板上に順次形成する手法である。
【０００４】
特許文献１に記載の構成では、例えば基板送り出し用のローラ及び基板巻き取り用のローラが製造ラインに対して取り外し可能な構成になっている。取り外したローラは、例えば別の製造ラインに搬送され、当該別の製造ラインに取り付けて用いられることができるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００６／１００８６８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の構成では、ローラに巻かれた基板が剥き出しの状態のまま製造ラインの外部環境下に置かれることになるため、埃などの異物が基板に付着する虞がある。
上記のような事情に鑑み、本発明は、基板に異物が付着するのを防ぐことができる基板カートリッジ、基板処理装置及び基板処理システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る基板カートリッジは、基板が出し入れされる開口部を有し、前記開口部を介した前記基板を収容するカートリッジ本体と、前記カートリッジ本体に設けられ、外部接続部に対して着脱可能に接続されるマウント部とを備え、前記開口部は、前記マウント部と前記外部接続部との間の接続状態に応じて、前記基板によって閉塞可能に設けられている。
【０００８】
本発明に係る基板処理装置は、基板を処理する基板処理部と、上記基板カートリッジと、前記基板処理部に設けられ、前記基板カートリッジに接続される基板処理側接続部とを備える。
【０００９】
本発明に係る基板処理システムは、基板に第１処理を行う第１処理装置と、前記第１処理後の前記基板に第２処理を行う第２処理装置と、前記第１処理装置から前記基板を回収し、回収した前記基板を前記第２処理装置へ供給する基板中継装置とを備え、前記基板中継装置として、上記の基板カートリッジを用いる。
【００１０】
本発明に係る制御装置は、基板を処理する基板処理装置、及び、前記基板処理装置に接続される上記基板カートリッジを制御する主制御部を備える。
【００１１】
本発明に係る表示素子の製造方法は、基板処理部において基板を処理する工程と、上記基板カートリッジを用いて前記基板処理部に前記基板を供給する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板に異物が付着するのを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成図。
【図２】本実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図。
【図３】本実施形態に係る基板処理部の構成を示す図。
【図４】本実施形態に係る液滴塗布装置の構成を示す図。
【図５】本実施形態に係る基板カートリッジの構成を示す斜視図。
【図６】本実施形態に係る基板カートリッジの構成を示す断面図。
【図７】本実施形態に係る基板カートリッジの断面を拡大して示す図。
【図８】本実施形態に係る基板カートリッジの一部の構成を示す側面図。
【図９】本実施形態に係る基板カートリッジの一部の構成を示す側面図。
【図１０】本実施形態に係る基板カートリッジの収容動作を示す図。
【図１１】本実施形態に係る基板カートリッジの収容動作を示す図。
【図１２】本実施形態に係る基板カートリッジの接続動作を示す図。
【図１３】本実施形態に係る基板カートリッジの接続動作を示す図。
【図１４】本実施形態に係る基板処理部の隔壁形成の工程を示す図。
【図１５】本実施形態に係るシート基板に形成される隔壁の形状及び配置を示す図。
【図１６】本実施形態に係るシート基板に形成される隔壁の断面図。
【図１７】本実施形態に係る液滴の塗布動作を示す図。
【図１８】本実施形態に係る隔壁間に形成される薄膜の構成を示す図。
【図１９】本実施形態に係るシート基板にゲート絶縁層を形成する工程を示す図。
【図２０】本実施形態に係るシート基板の配線を切断する工程を示す図。
【図２１】本実施形態に係るソースドレイン形成領域に薄膜を形成する工程を示す図。
【図２２】本実施形態に係る有機半導体層を形成する工程を示す図。
【図２３】本実施形態に係るアライメントの一例を示す図。
【図２４】本実施形態に係る基板カートリッジの取り外し動作を示す図。
【図２５】本発明の第２実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図。
【図２６】本発明の第３実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図。
【図２７】本実施形態に係るシート基板ＦＢの回収動作を説明する図。
【図２８】本実施形態に係るシート基板ＦＢの回収動作を説明する図。
【図２９】本実施形態に係るシート基板ＦＢの回収動作を説明する図。
【図３０】本実施形態に係る基板処理システムの他の構成を示す図。
【図３１】本発明の第４実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図。
【図３２】本発明の第５実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図。
【図３３】本発明の第６実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図。
【図３４】本発明の第７実施形態に係る基板処理装置のローラの構成を示す図。
【図３５】本実施形態に係る他の基板処理装置の閉塞部の構成を示す図。
【図３６】本実施形態に係る他の有機ＥＬ素子の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［第１実施形態］
以下、図面を参照して、本発明の第１実施形態を説明する。
（有機ＥＬ素子）
図１（ａ）は、有機ＥＬ素子の構成を示す平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるｂ−ｂ断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）におけるｃ−ｃ断面図である。
【００１５】
図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、有機ＥＬ素子５０は、シート基板ＦＢにゲート電極Ｇ及びゲート絶縁層Ｉが形成され、さらにソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐが形成された後、有機半導体層ＯＳが形成されたボトムコンタクト型である。
【００１６】
図１（ｂ）に示すように、ゲート電極Ｇ上にゲート絶縁層Ｉが形成されている。ゲート絶縁層Ｉ上にはソースバスラインＳＢＬのソース電極Ｓが形成されると共に、画素電極Ｐと接続したドレイン電極Ｄが形成されている。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間には有機半導体層ＯＳが形成されている。これで電界効果型トランジスタが完成することになる。また、画素電極Ｐの上には、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すように、発光層ＩＲが形成され、その発光層ＩＲには透明電極ＩＴＯが形成される。
【００１７】
図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示されるように、例えば、シート基板ＦＢには隔壁ＢＡ（バンク層）が形成されている。そして図１（ｃ）に示すようにソースバスラインＳＢＬが隔壁ＢＡ間に形成されている。このように、隔壁ＢＡが存在することにより、ソースバスラインＳＢＬが高精度に形成されると共に、画素電極Ｐ及び発光層ＩＲも正確に形成されている。なお、図１（ｂ）及び図１（ｃ）では示されていないが、ゲートバスラインＧＢＬもソースバスラインＳＢＬと同様に隔壁ＢＡ間に形成されている。
【００１８】
この有機ＥＬ素子５０は、例えばディスプレイ装置などの表示装置をはじめ、電子機器の表示部などにも好適に用いられる。この場合、例えば有機ＥＬ素子５０をパネル状に形成したものが用いられる。このような有機ＥＬ素子５０の製造においては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、画素電極が形成された基板を形成する必要がある。その基板上の画素電極上に発光層を含む１以上の有機化合物層（発光素子層）を精度良く形成するために、画素電極の境界領域に隔壁ＢＡ（バンク層）を容易に精度良く形成することが望ましい。
【００１９】
（基板処理装置）
図２は、可撓性を有するシート基板ＦＢを用いて処理を行う基板処理装置１００の構成を示す概略図である。
基板処理装置１００は、帯状のシート基板ＦＢを用いて図１に示す有機ＥＬ素子５０を形成する装置である。図２に示すように、基板処理装置１００は、基板供給部１０１、基板処理部１０２、基板回収部１０３及び制御部１０４を有している。シート基板ＦＢは、基板供給部１０１から基板処理部１０２を経て基板回収部１０３へと搬送されるようになっている。制御部１０４は、基板処理装置１００の動作を統括的に制御する。
【００２０】
以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内のうちシート基板ＦＢの搬送方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００２１】
シート基板ＦＢとしては、例えば耐熱性の樹脂フィルム、ステンレス鋼などを用いることができる。具体的には、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂、などの材料を用いることができる。シート基板ＦＢのＹ方向の寸法は例えば５０ｃｍ〜２ｍ程度に形成されており、Ｘ方向の寸法は例えば１０ｍ以上に形成されている。勿論、この寸法は一例に過ぎず、これに限られることは無い。例えばシート基板ＦＢのＹ方向の寸法が５０ｃｍ以下であっても構わないし、２ｍ以上であっても構わない。また、シート基板ＦＢのＸ方向の寸法が１０ｍ以下であっても構わない。なお、本実施形態における可撓性とは、例えば基板に少なくとも自重程度の所定の力を加えても線断や破断することがなく、該基板を撓めることが可能な性質をいう。また、上記可撓性は、該基板の材質、大きさ、厚さ、又は温度などの環境、等に応じて変わる。
【００２２】
シート基板ＦＢは、例えば２００℃程度の熱を受けても寸法が変わらないように熱膨張係数が小さい方が好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくすることができる。無機フィラーの例としては、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素などが挙げられる。
【００２３】
基板供給部１０１は、基板処理部１０２に設けられる供給側接続部１０２Ａに接続されている。基板供給部１０１は、例えばロール状に巻かれたシート基板ＦＢを基板処理部１０２へ供給する。基板回収部１０３は、基板処理部１０２において処理された後のシート基板ＦＢを回収する。
【００２４】
図３は、基板処理部１０２の構成を示す図である。
図３に示すように、基板処理部１０２は、搬送部１０５、素子形成部１０６、アライメント部１０７及び基板切断部１０８を有している。基板処理部１０２は、基板供給部１０１から供給されるシート基板ＦＢを搬送しつつ、当該シート基板ＦＢに上記の有機ＥＬ素子５０の各構成要素を形成し、有機ＥＬ素子５０が形成されたシート基板ＦＢを基板回収部１０３へと送り出す部分である。
【００２５】
搬送部１０５は、Ｘ方向に沿った位置に配置される複数のローラＲＲを有している。ローラＲＲが回転することによっても、シート基板ＦＢがＸ軸方向に搬送されるようになっている。ローラＲＲはシート基板ＦＢを両面から挟み込むゴムローラであってもよいし、シート基板ＦＢがパーフォレーションを有するものであればラチェット付きのローラＲＲであってもよい。複数のローラＲＲのうち一部のローラＲＲは搬送方向と直交するＹ軸方向に移動可能である。
【００２６】
素子形成部１０６は、隔壁形成部９１、電極形成部９２及び発光層形成部９３を有している。隔壁形成部９１、電極形成部９２及び発光層形成部９３は、シート基板ＦＢの搬送方向の上流側から下流側にかけて、隔壁形成部９１、電極形成部９２及び発光層形成部９３の順に配置されている。以下、素子形成部１０６の各構成を説明する。
【００２７】
隔壁形成部９１は、インプリントローラ１１０及び熱転写ローラ１１５を有している。隔壁形成部９１は、基板供給部１０１から送り出されたシート基板ＦＢに対して隔壁ＢＡを形成する。隔壁形成部９１では、インプリントローラ１１０でシート基板ＦＢを押圧するとともに、押圧した隔壁ＢＡが形状を保つように熱転写ローラ１１５でシート基板ＦＢをガラス転移点以上に熱する。このため、インプリントローラ１１０のローラ表面に形成された型形状がシート基板ＦＢに転写されるようになっている。シート基板ＦＢは、熱転写ローラ１１５によって例えば２００℃程度に加熱されるようになっている。
【００２８】
インプリントローラ１１０のローラ表面は鏡面仕上げされており、そのローラ表面にＳｉＣ、Ｔａなどの材料で構成された微細インプリント用モールド１１１が取り付けられている。微細インプリント用モールド１１１は、薄膜トランジスタの配線用のスタンパー及びカラーフィルタ用のスタンパーを形成している。
【００２９】
インプリントローラ１１０は、微細インプリント用モールド１１１を用いて、シート基板ＦＢにアライメントマークＡＭを形成する。シート基板ＦＢの幅方向であるＹ軸方向の両側にアライメントマークＡＭを形成するため、微細インプリント用モールド１１１は、アライメントマークＡＭ用のスタンパーを有している。
【００３０】
電極形成部９２は、隔壁形成部９１の＋Ｘ側に設けられており、例えば有機半導体を用いた薄膜トランジスタを形成する。具体的には、図１で示すようなゲート電極Ｇ、ゲート絶縁層Ｉ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐを形成した後、有機半導体層ＯＳを形成する。
【００３１】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としては、無機半導体系のものでも有機半導体を用いたものでも良い。無機半導体の薄膜トランジスタは、アモルファスシリコン系のものが知られているが、有機半導体を用いた薄膜トランジスタであってもよい。この有機半導体を用いて薄膜トランジスタを構成すれば、印刷技術や液滴塗布法技術を活用して薄膜トランジスタを形成できる。また、有機半導体を用いた薄膜トランジスタの内、図１で示したような電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）が特に好ましい。
【００３２】
電極形成部９２は、液滴塗布装置１２０や熱処理装置ＢＫ、切断装置１３０などを有している。
本実施形態では、液滴塗布装置１２０として、例えばゲート電極Ｇを形成する際に用いられる液滴塗布装置１２０Ｇ、ゲート絶縁層Ｉを形成する際に用いられる液滴塗布装置１２０Ｉ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐを形成する際に用いられる液滴塗布装置１２０ＳＤ、有機半導体ＯＳを形成する際に用いられる液滴塗布装置１２０ＯＳなどが用いられている。
【００３３】
図４は、液滴塗布装置１２０の構成を示す平面図である。図４では、液滴塗布装置１２０を＋Ｚ側から見たときの構成を示している。液滴塗布装置１２０は、Ｙ軸方向に長く形成されている。液滴塗布装置１２０には不図示の駆動装置が設けられている。液滴塗布装置１２０は、当該駆動装置により、例えばＸ方向、Ｙ方向及びθＺ方向に移動可能になっている。
【００３４】
液滴塗布装置１２０には、複数のノズル１２２が形成されている。ノズル１２２は、液滴塗布装置１２０のうちシート基板ＦＢとの対向面に設けられている。ノズル１２２は、例えばＹ軸方向に沿って配列されており、当該ノズル１２２の列（ノズル列）が例えば２列形成されている。制御部１０４は、全ノズル１２２に一括して液滴を塗布させることもできるし、各ノズル１２２について液滴を塗布させるタイミングを個別に調整することもできるようになっている。
【００３５】
液滴塗布装置１２０としては、例えばインクジェット方式やディスペンサー方式などを採用することができる。インクジェット方式としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。液滴塗布法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できる。なお、液滴塗布法により塗布されるメタルインクの一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３６】
図２に戻って、液滴塗布装置１２０Ｇは、ゲートバスラインＧＢＬの隔壁ＢＡ内にメタルインクを塗布する。液滴塗布装置１２０Ｉは、スイッチング部にポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂の電気絶縁性インクを塗布する。液滴塗布装置１２０ＳＤは、ソースバスラインＳＢＬの隔壁ＢＡ内及び画素電極Ｐの隔壁ＢＡ内にメタルインクを塗布する。液滴塗布装置１２０ＯＳは、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間のスイッチング部に有機半導体インクを塗布する。
【００３７】
メタルインクは、粒子径が約５ｎｍほどの導電体が室温の溶媒中で安定して分散をする液体であり、導電体として、カーボン、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）などが用いられる。有機半導体インクを形成する化合物は、単結晶材科でもアモルファス材料でもよく、低分子でも高分子でもよい。有機半導体インクを形成する化合物のうち特に好ましいものとしては、ペンタセンやトリフェニレン、アントラセン等に代表される縮環系芳香族炭化水素化合物の単結晶又はπ共役系高分子などが挙げられる。
【００３８】
熱処理装置ＢＫは、各液滴塗布装置１２０の＋Ｘ側（基板搬送方向下流側）にそれぞれ配置されている。熱処理装置ＢＫは、シート基板ＦＢに対して例えば熱風や遠赤外線などを放射可能になっている。熱処理装置ＢＫは、これらの放射熱を用いて、シート基板ＦＢに塗布された液滴を乾燥又は焼成（ベーキング）し硬化させる。
【００３９】
切断装置１３０は、液滴塗布装置１２０ＳＤの＋Ｘ側であって液滴塗布装置１２０ＯＳの上流側に設けられている。切断装置１３０は、例えばレーザ光などを用いて、液滴塗布装置１２０ＳＤによって形成されるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとを切断する。切断装置１３０は、不図示の光源と、当該光源からのレーザ光をシート基板ＦＢ上に照射させるガルバノミラー１３１とを有している。
【００４０】
レーザ光の種類としては、切断する金属膜に対し、吸収する波長のレーザが好ましく、波長変換レーザで、ＹＡＧなどの２，３，４倍高調波がよい。またパルス型レーザを用いることで熱拡散を防止し、切断部以外の損傷を低減することができる。材料がアルミの場合、７６０ｎｍ波長のフェムト秒レーザが好ましい。
【００４１】
本実施形態では、例えば光源としてチタンサファイアレーザを使ったフェムト秒レーザ照射部を用いている。当該フェムト秒レーザ照射部は、レーザ光ＬＬを例えば１０ＫＨｚから４０ＫＨｚのパルスで照射するようになっている。
【００４２】
本実施形態ではフェムト秒レーザを使用するため、サブミクロンオーダの加工が可能であり、電界効果型トランジスタの性能を決めるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄと間隔を正確に切断することができるようになっている。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄと間隔は、例えば３μｍ程度から３０μｍ程度である。
【００４３】
上述したフェムト秒レーザ以外にも、例えば炭酸ガスレーザ又はグリーンレーザなどを使用することも可能である。また、レーザ以外にもダイシングソーなどで機械的に切断する構成としてもよい。
【００４４】
ガルバノミラー１３１は、レーザ光ＬＬの光路に配置されている。ガルバノミラー１３１は、光源からのレーザ光ＬＬをシート基板ＦＢ上に反射させる。ガルバノミラー１３１は、例えばθＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向に回転可能に設けられている。ガルバノミラー１３１が回転することにより、レーザ光ＬＬの照射位置が変化するようになっている。
【００４５】
上記の隔壁形成部９１及び電極形成部９２の両方を用いることにより、いわゆるフォトリソグラフィ工程を使用しなくても、印刷技術や液滴塗布法技術を活用して薄膜トランジスタ等を形成できるようになっている。例えば印刷技術や液滴塗布法技術などが用いられる電極形成部９２のみを用いた場合、インクのにじみや広がりのため精度よく薄膜トランジスタ等ができない場合がある。
【００４６】
これに対して、隔壁形成部９１を用いることで隔壁ＢＡが形成されるため、インクのにじみや広がりが防止されるようになっている。また薄膜トランジスタの性能を決めるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隔は、レーザ加工又は機械加工により形成されるようになっている。
【００４７】
発光層形成部９３は、電極形成部９２の＋Ｘ側に配置されている。発光層形成部９３は、電極が形成されたシート基板ＦＢ上に、例えば有機ＥＬ装置の構成要素である発光層ＩＲや画素電極ＩＴＯなどを形成する。発光層形成部９３は、液滴塗布装置１４０及び熱処理装置ＢＫを有している。
【００４８】
発光層形成部９３で形成される発光層ＩＲは、ホスト化合物とリン光性化合物（リン光発光性化合物ともいう）が含有される。ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物である。リン光性化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温においてリン光発光する。
【００４９】
本実施形態では、液滴塗布装置１４０として、例えば赤色発光層を形成する液滴塗布装置１４０Ｒｅ、緑色発光層を形成する液滴塗布装置１４０Ｇｒ、青色発光層を形成する液滴塗布装置１４０Ｂｌ、絶縁層を形成する液滴塗布装置１４０Ｉ及び画素電極ＩＴＯを形成する液滴塗布装置１４０ＩＴなどが用いられている。
【００５０】
液滴塗布装置１４０としては、上記の液滴塗布装置１２０と同様、インクジェット方式又はディスペンサー方式を採用することができる。有機ＥＬ素子５０の構成要素として例えば正孔輸送層及び電子輸送層などを設ける場合には、これらの層を形成する装置（例えば、液滴塗布装置など）を別途設けるようにする。
【００５１】
液滴塗布装置１４０Ｒｅは、Ｒ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。液滴塗布装置１４０Ｒｅは、乾燥後の膜厚が１００ｎｍになるようにＲ溶液の吐出量が調整されるようになっている。Ｒ溶液としては、例えばホスト材のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に赤ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液が用いられる。
【００５２】
液滴塗布装置１４０Ｇｒは、Ｇ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。Ｇ溶液としては、例えばホスト材ＰＶＫに緑ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液が用いられる。
【００５３】
液滴塗布装置１４０Ｂｌは、Ｂ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。Ｂ溶液としては、例えばホスト材ＰＶＫに青ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液が用いられる。
【００５４】
液滴塗布装置１２０Ｉは、ゲートバスラインＧＢＬ又はソースバスラインＳＢＬの一部に電気絶縁性インクを塗布する。電気絶縁性インクとしては、例えばポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂のインクが用いられる。
【００５５】
液滴塗布装置１２０ＩＴは、赤色、緑色及び青色発光層の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）インクを塗布する。ＩＴＯインクとしては、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）に数％の酸化スズ（ＳｎＯ２）を添加した化合物などが用いられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。透明導電膜は、透過率が９０％以上であることが好ましい。
【００５６】
熱処理装置ＢＫは、各液滴塗布装置１４０の＋Ｘ側（基板搬送方向下流側）にそれぞれ配置されている。熱処理装置ＢＫは、電極形成部９２で用いられる熱処理装置ＢＫと同様、シート基板ＦＢに対して例えば熱風や遠赤外線などを放射可能になっている。熱処理装置ＢＫは、これらの放射熱を用いて、シート基板ＦＢに塗布された液滴を乾燥又は焼成（ベーキング）し硬化させる。
【００５７】
アライメント部１０７は、Ｘ方向に沿って設けられた複数のアライメントカメラＣＡ（ＣＡ１〜ＣＡ８）を有している。アライメントカメラＣＡは、可視光照明下でＣＣＤ又はＣＭＯＳで撮像し、その撮像画像を処理してアライメントマークＡＭの位置を検出してもよいし、レーザ光をアライメントマークＡＭに照射して、その散乱光を受光してもアライメントマークＡＭの位置を検出しても良い。
【００５８】
アライメントカメラＣＡ１は、熱転写ローラ１１５の＋Ｘ側に配置されている。アライメントカメラＣＡ１は、シート基板ＦＢ上に熱転写ローラ１１５によって形成されるアライメントマークＡＭの位置を検出する。アライメントカメラＣＡ２〜ＣＡ８は、それぞれ熱処理装置ＢＫの＋Ｘ側に配置されている。アライメントカメラＣＡ２〜ＣＡ８は、熱処理装置ＢＫを経たシート基板ＦＢのアライメントマークＡＭの位置を検出する。
【００５９】
熱転写ローラ１１５及び熱処理装置ＢＫを経ることにより、シート基板ＦＢがＸ軸方向及びＹ軸方向に伸縮したりする場合がある。このように熱処理を行う熱転写ローラ１１５の＋Ｘ側や、熱処理装置ＢＫの＋Ｘ側にアライメントカメラＣＡを配置することにより、熱変形などによるシート基板ＦＢの位置ずれを検出することができるようになっている。
【００６０】
アライメントカメラＣＡ１〜ＣＡ８による検出結果は、制御部１０４に送信されるようになっている。制御部１０４は、アライメントカメラＣＡ１〜ＣＡ８の検出結果に基づいて、例えば液滴塗布装置１２０や液滴塗布装置１４０のインクの塗布位置とタイミングの調整、基板供給部１０１からのシート基板ＦＢの供給速度やローラＲＲの搬送速度の調整、ローラＲＲによるＹ方向への移動の調整、切断装置１３０の切断位置やタイミングなどの調整が行われるようになっている。
【００６１】
（基板カートリッジ）
本実施形態では、基板供給部１０１及び基板回収部１０３として、基板カートリッジ１が用いられている。以下の説明においては、説明の便宜上、図２と共通のＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。以下のＸＹＺ直交座標系は、基板供給部１０１が基板処理部１０２に接続されている状態において基板カートリッジ１が当該基板供給部１０１として用いられる場合を例に挙げて説明する。
【００６２】
図５は、基板カートリッジ１の構成を示す斜視図である。また、図６は、図５におけるＡ−Ａ´断面に沿った構成を示す図である。図５及び図６に示すように、基板カートリッジ１は、カートリッジ本体２及びマウント部３を有している。
【００６３】
カートリッジ本体２は、シート基板ＦＢを収容する部分である。カートリッジ本体２は、収容部２０、搬送部（搬送機構）２１、基板案内部２２、第２基板搬送部３６及び第２基板案内部３７を有している。また、上記のマウント部３は、カートリッジ本体２に設けられている。また、例えば、カートリッジ本体２は、アルミニウム製又はジュラルミン製、等である。
【００６４】
収容部２０は、シート基板ＦＢを収容する部分である。収容部２０は、例えばロール状に巻き取られたシート基板ＦＢを収容できるように円筒状に形成されており、一部が＋Ｘ側に突出するように設けられている（突出部２３）。本実施形態では、図中Ｙ方向に延在する状態で配置されている。収容部２０は、蓋部２５及び基板駆動機構２４を有している。
【００６５】
蓋部２５は、収容部２０の＋Ｙ側端部あるいは−Ｙ側端部に設けられている。蓋部２５は収容部２０に対して着脱可能に設けられている。蓋部２５を収容部２０に対して着脱させることにより、収容部２０の内部に直接アクセスできるようになっている。蓋部２５の開閉機構としては、例えば蓋部２５及び収容部２０に互いに係合するネジ山が設けられている構成であっても構わないし、蓋部２５と収容部２０とをヒンジ機構によって接続する構成としても構わない。蓋部２５は、窓部２８及び表示部２９を有している。
【００６６】
窓部２８は、例えば可視光を透過可能な材料、例えばガラスやプラスチックなどによって形成されている。窓部２８を介して、収容部２０の内部が観察可能になっている。表示部２９は、シート基板ＦＢの状態などの情報を表示させる部分である。表示部２９には、例えば、収容部２０に収容されているシート基板ＦＢの長さ寸法やシート基板ＦＢの残長などが表示されるようになっている。
【００６７】
基板駆動機構２４は、シート基板ＦＢを巻き取る動作及びシート基板ＦＢを送り出す動作を行う部分である。基板駆動機構２４は、収容部２０の内部に設けられている。基板駆動機構２４は、ローラ部（軸部）２６及びガイド部２７を有している。ローラ部２６は、図６に示すように、回転軸部材２６ａ、拡径部２６ｂ及び接着部２６ｃを有している。
【００６８】
回転軸部材２６ａは、例えばアルミなどの剛性の高い金属によって形成された円柱状部材である。回転軸部材２６ａは、例えば蓋部２５の中央部に設けられた開口部２５ａ及びベアリング部材２５ｂを介して回転可能に支持されている。この場合、回転軸部材２６ａの中心軸は例えばＹ方向に平行な状態となり、回転軸部材２６ａはθＹ方向に回転することになる。
【００６９】
回転軸部材２６ａは、不図示の回転駆動機構に接続されている。回転駆動機構の駆動制御により、回転軸部材２６ａが中心軸を中心として回転するようになっている。回転駆動機構は、図６に示すように、回転軸部材２６ａを例えば＋θＹ方向及び−θＹ方向のいずれの方向にも回転させることができるようになっている。
【００７０】
拡径部２６ｂは、回転軸部材２６ａの表面に均一な厚さで形成されている。拡径部２６ｂは、回転軸部材２６ａと一体的に回転するように形成されている。接着部２６ｃは、断面視で拡径部２６ｂの表面に均一な厚さで形成されている。接着部２６ｃは、シート基板ＦＢを接着させる程度の粘着性を有する材料を用いて形成されている。
【００７１】
ガイド部２７は、回動部材（第１案内部材）２７ａ及び先端部材（第１案内部材）２７ｂを有している。回動部材２７ａは、例えば一端が軸部２７ｃを介して収容部２０に取り付けられており、当該軸部２７ｃを中心にθＹ方向に回動可能に設けられている。回動部材２７ａは、不図示の回転駆動機構に接続されている。
【００７２】
先端部材２７ｂは、断面視において回動部材２７ａの他端に接続されている。例えば、先端部材２７ｂは、断面視で円弧状の曲面を有するように形成されている。シート基板ＦＢは、先端部材２７ｂに設けられた当該断面視円弧状の＋Ｚ側の曲面を介してローラ部２６へと案内されるようになっている。先端部材２７ｂは、回動部材２７ａと一体的に回動するようになっている。例えば回動部材２７ａがローラ部２６から遠ざかる方向（ローラ部２６の径方向の外側方向）に回動する場合、収容部２０の内周に沿って当接するようになっている。このため、先端部材２７ｂとローラ部２６に巻き取られたシート基板ＦＢとの間の接触が回避されるようになっている。
【００７３】
マウント部３は、基板処理部１０２に接続される部分である。マウント部３は、例えば収容部２０に設けられる突出部２３の＋Ｘ側端部に設けられている。マウント部３は、基板処理部１０２との接続のための挿入部３ａを有している。基板カートリッジ１が基板供給部１０１として用いられる場合、マウント部３は基板処理部１０２の供給側接続部１０２Ａに接続される。基板カートリッジ１が基板回収部１０３として用いられる場合、マウント部３は基板処理部１０２の回収側接続部１０２Ｂに接続される。マウント部３は、基板処理部１０２の基板供給部１０１及び基板回収部１０３のいずれに接続される場合においても、着脱可能に接続されるようになっている。
【００７４】
マウント部３には、開口部３４及び第２開口部３５が設けられている。開口部３４は、＋Ｚ側に設けられた開口部であり、カートリッジ本体２との間でシート基板ＦＢが出し入れされる部分である。カートリッジ本体２には、当該開口部３４を介したシート基板ＦＢが収容されるようになっている。カートリッジ本体２に収容されるシート基板ＦＢは、当該開口部３４を介してカートリッジ本体２外部に送り出されるようになっている。
【００７５】
第２開口部３５は、−Ｚ側に設けられた開口部であり、カートリッジ本体２との間でシート基板ＦＢとは異なる帯状の第２基板ＳＢが出し入れされる部分である。このような第２基板ＳＢとしては、例えばシート基板ＦＢの素子形成面を保護する保護基板などが挙げられる。保護基板としては、例えば合紙などを用いることができる。第２開口部３５は、例えば開口部３４に対して間隔を空けて配置されている。第２開口部３５は、例えば開口部３４と同一の寸法及び形状に形成されている。また、本実施形態における第２基板ＳＢとしては、ステンレス鋼の薄板（例、厚さが０．１ｍｍ以下等）などの導電性を有する材質を用いてもよい。この場合、第２基板ＳＢがカートリッジ本体２にシート基板ＦＢとともに収容された際に、第２基板ＳＢがカートリッジ本体２に電気的に接続されるようにすると、シート基板ＦＢの帯電防止ができる。
【００７６】
突出部２３の＋Ｘ側端部には、ガス供給ポート（切替機構）４が設けられている。ガス供給ポート４は、外部のガス供給源に接続される供給口４１が設けられている。ガス供給ポート４は、例えばＹ方向の中央部に設けられている。図５ではガス供給ポート４が１つのみ設けられた構成となっているが、複数設けられている構成であっても構わない。
【００７７】
搬送部２１、基板案内部２２、第２基板搬送部３６及び第２基板案内部３７は、例えば突出部２３の内部に設けられている。図７は、図６における突出部２３周辺の構成を拡大して示す断面図である。図７においては、図示を判別しやすくするため、一部の構成を省略して示している。
【００７８】
基板案内部２２は、開口部３４と搬送部２１との間に設けられている。基板案内部２２は、開口部３４と搬送部２１との間でシート基板ＦＢを案内する部分である。基板案内部２２は、基板用案内部材２２ａ及び２２ｂを有している。基板用案内部材２２ａ及び２２ｂは、Ｚ方向に隙間２２ｃを空けるように対向配置されており、対向面がそれぞれＸＹ平面にほぼ平行となるように設けられている。当該隙間２２ｃは開口部３４に接続されており、シート基板ＦＢは開口部３４及び隙間２２ｃを移動するようになっている。
【００７９】
第２基板案内部３７は、マウント部３と搬送部２１との間で第２基板ＳＢを案内する部分である。第２基板案内部３７は、第２基板用案内部材３７ａ、３７ｂ及び３７ｃを有している。第２基板用案内部材３７ａ及び３７ｂは、Ｚ方向に隙間３７ｄを空けるように対向配置されており、対向面がそれぞれＸＹ平面にほぼ平行となるように設けられている。第２基板用案内部材３７ｃは、第２基板ＳＢが＋Ｚ側へ案内されるように傾いて配置されている。具体的には、第２基板用案内部材３７ｃの−Ｘ側端部が＋Ｘ側端部に対して＋Ｚ側に傾いた状態で配置されている。
【００８０】
第２基板搬送部３６は、マウント部３と搬送部２１との間で第２基板ＳＢを搬送する。第２基板搬送部３６は、第２基板用案内部材３７ａ及び３７ｂと、第２基板用案内部材３７ｃとの間に配置されている。第２基板搬送部３６は、主動ローラ３６ａ及び従動ローラ３６ｂを有している。主動ローラ３６ａは、例えばθＹ方向に回転可能に設けられており、不図示の回転駆動機構に接続されている。従動ローラ３６ｂは、主動ローラ３６ａとの間で第２基板ＳＢが挟持されるように主動ローラ３６ａとの間に隙間を空けて配置されている。
【００８１】
搬送部２１は、マウント部３と収容部２０との間でシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢを搬送する。搬送部２１は、テンションローラ（テンション機構）２１ａ及び測定ローラ（測定部）２１ｂを有している。テンションローラ２１ａは、ローラ部２６との間でシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢに張力を与えるローラである。テンションローラ２１ａは、θＹ方向に回転可能に設けられている。テンションローラ２１ａには、例えば不図示の回転駆動機構が接続されている。なお、テンションローラ２１ａ及び測定ローラ２１ｂは、図７におけるＺ方向にそれぞれ移動可能に設けられてもよい。
【００８２】
測定ローラ２１ｂは、テンションローラ２１ａよりも小さい径を有するローラである。測定ローラ２１ｂは、テンションローラ２１ａとの間でシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢを挟持できるようにテンションローラ２１ａとの間に所定の隙間を空けて配置されている。シート基板ＦＢのみを挟持する場合とシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢを併せて挟持するように、測定ローラ２１ｂとテンションローラ２１ａとの間の隙間の大きさを調整可能とする構成であっても構わない。測定ローラ２１ｂは、テンションローラ２１ａの回転に伴って回転する従動ローラである。
【００８３】
テンションローラ２１ａと測定ローラ２１ｂとの間でシート基板ＦＢを挟んだ状態でテンションローラ２１ａを回転させることにより、シート基板ＦＢに張力を与えつつ、当該シート基板ＦＢの巻き取り方向及び送り出し方向にそれぞれシート基板ＦＢを搬送可能になっている。
【００８４】
搬送部２１は、例えば測定ローラ２１ｂの回転数や回転角度を検出する検出部２１ｃを有している。当該検出部２１ｃとしては、例えばエンコーダなどが用いられる。当該検出部２１ｃにより、例えば測定ローラ２１ｂを介したシート基板ＦＢの搬送距離などを計測することができるようになっている。
【００８５】
カートリッジ本体２には、情報処理部ＩＣが設けられている（図５参照）。情報処理部ＩＣは、例えばＩＣチップなどから構成されており、例えばカートリッジ本体２に埋め込まれている。情報処理部ＩＣには、基板処理装置１００及び基板カートリッジ１の処理情報を記憶する記憶部ＭＲや、例えば制御部１０４との間で処理情報を通信する通信部ＣＲなどが設けられている。
【００８６】
これらの処理情報としては、例えば基板処理装置１００のタクト、スループットといった情報や、基板カートリッジ１の搬送速度、ローラ部２６の巻き取り・送り出し速度といった情報、シート基板ＦＢに関する情報などが挙げられる。「タクト」については、単位処理領域（例えば上記の液滴塗布装置１２０、１４０などが１度に処理できる領域、又は有機ＥＬ素子５０のパネル１枚あたりの画面領域、パネル全面領域）あたりの処理時間を指す。「スループット」については、単位時間あたりに処理可能なシート基板ＦＢの分量（例えば長さ、パネル枚数、基板カートリッジ１の個数など）を指す。
【００８７】
例えば開口部３４を介してシート基板ＦＢが挿入され、第２開口部３５を介して第２基板ＳＢが挿入される場合、シート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢは、それぞれ基板案内部２２及び第２基板案内部３７で案内されることにより、合流部３９において合流するようになっている。合流部３９で合流したシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢは、合流した状態で搬送部２１によって搬送される。このとき、搬送部２１は、シート基板ＦＢと第２基板ＳＢとを押圧して密着させる。このため、搬送部２１は、第２基板ＳＢをシート基板ＦＢへ押圧する押圧機構を兼ねることになる。
【００８８】
図８及び図９は、突出部２３の＋Ｘ側端部の構成を拡大して示す図であり、ガス供給ポート４に接続される流路機構を示す図である。
図８及び図９に示すように、ガス供給ポート４の供給口４１は、突出部２３の内部に形成された流路４２に接続されている。当該流路４２は、第１流路４２ａ及び第２流路４２ｂに分岐されている。基板用案内部材２２ａは内部に流路４３ａが形成されており、第１流路４２ａは接続部４２ｃを介して当該流路４３ａに接続されている。基板用案内部材２２ａの−Ｚ側の面には複数のガス噴出口４４ａが形成されており、流路４３ａはこれらのガス噴出口４４ａにそれぞれ接続されている。このように、基板用案内部材２２ａは、−Ｚ側の面からガスを噴出するエアパッド状に形成されている。
【００８９】
一方、図８及び図９に示すように、基板用案内部材２２ｂの内部にも流路４３ｂが形成されている。第２流路４２ｂは接続部４２ｄを介して当該流路４３ｂに接続されている。基板用案内部材２２ｂの＋Ｚ側の面には複数のガス噴出口４４ｂが形成されており、流路４３ｂはこれらのガス噴出口４４ｂにそれぞれ接続されている。このように、基板用案内部材２２ｂは、＋Ｚ側の面からガスを噴出するエアパッド状に形成されている。
【００９０】
基板用案内部材２２ｂの−Ｚ側の面には、シール部材４７の一端部が接続されている。シール部材４７の他端部は、例えばマウント部３の−Ｚ側の面に接続されている。シール部材４７により、基板用案内部材２２ｂと開口部３４との間が封止された状態になっている。基板用案内部材２２ｂの−Ｚ側の面は押圧機構４５によって押圧されている。押圧機構４５の−Ｚ側の端部は、例えば突出部２３の内面に支持された支持部４６に固定されている。
【００９１】
図８に示すように、ガス供給ポート４の供給口４１にガス供給源が接続されていない状態においては、流路機構にはガスが流れず、基板用案内部材２２ａ及び基板用案内部材２２ｂからはガスが噴射しないため、基板用案内部材２２ｂは押圧機構４５によって＋Ｚ側に押圧され、基板用案内部材２２ａとの間で協働してシート基板ＦＢを挟みこむようになっている。
【００９２】
これに対して、図９に示すように、例えば外部のガス供給部ＧＳを供給口４１に差し込んでガスを供給することにより、基板用案内部材２２ａ側については当該ガスが流路４２、流路４２ａ、接続部４２ｃ及び流路４３ａを介してガス噴出口４４ａから−Ｚ方向に噴射されるようになっている。また、基板用案内部材２２ｂ側については、当該ガスが流路４２から流路４２ｂ、接続部４２ｄ及び流路４３ｂを介してガス噴出口４４ｂから＋Ｚ方向に噴射されるようになっている。
【００９３】
シート基板ＦＢを挟んだＺ方向の両側からガスが噴射されることにより、シート基板ＦＢとガス噴出口４４ａとの間、シート基板ＦＢとガス噴出口４４ｂとの間に、それぞれガス層（エアベアリング）が形成されるようになっている。シート基板ＦＢの＋Ｚ側の面及び−Ｚ側の面にガス層を形成することで基板用案内部材２２ａは＋Ｚ側に移動し、基板用案内部材２２ｂは−Ｚ側に移動するようになっており、基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとで挟持された状態からシート基板ＦＢを解放させることができるようになっている。
また、例えば、基板用案内部材２２ａ及び基板用案内部材２２bから噴射させるガスは、イオナイザーを通した気体とすることで、シート基板ＦＢの帯電を防止する又は除電することができる。
【００９４】
（基板カートリッジへのシート基板の収容動作）
次に、上記のように構成された基板カートリッジ１にシート基板ＦＢを収容する収容動作を説明する。図１０及び図１１は、収容動作時の基板カートリッジ１の状態を示す図である。図１０及び図１１においては、図を判別しやすくするため、基板カートリッジ１の外形を破線で示している。
【００９５】
図１０及び図１１に示すように、基板カートリッジ１にシート基板ＦＢを収容する際には、基板カートリッジ１をホルダＨＤに保持した状態とする。その後、例えばガス供給ポート４の供給口４１からガスを供給し、基板用案内部材２２ａ及び２２ｂからガスを噴射させる。ガスの噴射により、基板用案内部材２２ａ及び２２ｂは、押圧機構４５によって閉ざされた状態から互いの噴射による作用を受け、基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間が広がる。この状態で、シート基板ＦＢを開口部３４から挿入する。シート基板ＦＢを挿入する際には、テンションローラ２１ａ及び回転軸部材２６ａ（ローラ部２６）を回転させた状態としておく。
【００９６】
開口部３４を介して挿入されたシート基板ＦＢは、＋Ｚ側及び−Ｚ側の両側からガスの噴射を受け、それぞれの面にガス層が形成される。シート基板ＦＢは、このガス層の間を滑るように基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間を移動する。搬送部２１では、シート基板ＦＢがテンションローラ２１ａと測定ローラ２１ｂとの間に挟まれて収容部２０側へ搬送される。測定ローラ２１ｂの回転と共に、例えば検出部２１ｃにおいて、シート基板ＦＢの搬送長さを検出する。
【００９７】
搬送部２１を収容部２０側に通過したシート基板ＦＢは、図１０に示すように、自重によって−Ｚ方向に撓みながら案内される。本実施形態では、シート基板ＦＢの−Ｚ側にガイド部２７が設けられているため、シート基板ＦＢはガイド部２７の回動部材２７ａ及び先端部材２７ｂに沿ってローラ部２６へと案内されることになる。
【００９８】
シート基板ＦＢの先端がローラ部２６の接着部２６ｃに到達すると、当該シート基板ＦＢの先端と接着部２６ｃとが接着される。この状態でローラ部２６が回転すると、シート基板ＦＢが徐々に接着部２６ｃに接着され、シート基板ＦＢがローラ部２６に巻き取られていく。シート基板ＦＢが接着部２６ｃに接着された後は、ローラ部２６と搬送部２１との間でシート基板ＦＢが撓まないように、例えばテンションローラ２１ａの回転速度と回転軸部材２６ａの回転速度とを調整しながらシート基板ＦＢを搬送する。
【００９９】
シート基板ＦＢがローラ部２６に対して例えば１回転分巻き取られた後、図１１に示すように、ガイド部２７を退避させる。この状態でローラ部２６を回転させることにより、シート基板ＦＢが徐々にローラ部２６に巻き取られていく。巻き取られたシート基板ＦＢの厚さは次第に厚くなっていくが、ガイド部２７が既に退避されているため、シート基板ＦＢとガイド部２７とが接触することは無い。
【０１００】
所望の長さのシート基板ＦＢを巻き取った後、例えばシート基板ＦＢのうち開口部３４の外側の部分を切断し、供給口４１へのガスの供給を停止させ、基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間をシート基板ＦＢを挟んで閉じた状態にする。このようにして、基板カートリッジ１にシート基板ＦＢを収容する。シート基板ＦＢの収容動作中、検出部２１ｃにおいて測定したシート基板ＦＢの測定長さを基に、例えば基板カートリッジ１内に収容されているシート基板ＦＢの全長を算出させても構わない。また、算出結果を表示部２９に表示させるようにしても構わないし、記憶部ＭＲに記憶させたり、通信部ＣＲを用いて通信させたりしても構わない。
【０１０１】
また、例えば作業者が窓部２８から収容部２０の内部を観察しながらシート基板ＦＢの巻き取りを行っても構わない。この場合、例えばシート基板ＦＢが折れ曲がった状態で巻き取られているか否か、シート基板ＦＢの巻き取られた形状（ロール形状）が歪んだ状態となっているか否かを確認しながら巻き取り作業を行わせることができ、異常が発生した場合には即座に巻き取りを停止させることができる。
【０１０２】
（基板処理装置の動作）
次に、上記のように構成された基板処理装置１００の動作を説明する。
本実施形態では、シート基板ＦＢを収容した基板カートリッジ１を基板供給部１０１として供給側接続部１０２Ａに接続する接続動作、基板供給部１０１による基板カートリッジ１によるシート基板ＦＢの供給動作、基板処理部１０２による素子形成動作、基板カートリッジ１の取り外し動作、を順に行う。
【０１０３】
まず、基板カートリッジ１の接続動作を説明する。図１２は、基板カートリッジ１の接続動作を示す図である。
図１２に示すように、供給側接続部１０２Ａについては、マウント部３に対応する形状に挿入口を形成しておくと共に、ガス供給ポート４の供給口４１に挿入される位置にガス供給部ＧＳを形成しておく。
【０１０４】
接続動作では、基板カートリッジ１をホルダ（例えば図１０に示すホルダＨＤと同様の構成）に保持させた状態で、マウント部３と供給側接続部１０２Ａとの位置合わせを行う。位置合わせの後、マウント部３を＋Ｘ側へ移動させて基板処理部１０２に挿入する。このとき、ガス供給ポート４の供給口４１にガス供給部ＧＳが差し込まれることになる。このため、マウント部３が基板処理部１０２に接続される際には、基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間が開いた状態となる。
【０１０５】
次に、供給動作を説明する。基板処理部１０２にシート基板ＦＢを供給する際には、例えば基板カートリッジ１の回転軸部材２６ａ（ローラ部２６）及びテンションローラ２１ａを収容動作のときとは逆向きに回転させ、図１３に示すように、開口部３４を介してシート基板ＦＢを送り出すようにする。
【０１０６】
次に、素子形成動作を説明する。素子形成動作では、図２に示すように、基板供給部１０１から基板処理部１０２に対してシート基板ＦＢを供給しつつ、基板処理部１０２において当該シート基板ＦＢ上に素子を形成していく。基板処理部１０２では、図３に示すように、ローラＲＲによってシート基板ＦＢを搬送する。
【０１０７】
制御部１０４は、例えば基板カートリッジ１との間で処理情報の通信を行い、当該処理情報に基づいて基板処理部１０２の動作を制御するようにしても構わない。具体的には、基板カートリッジ１からのシート基板ＦＢの供給速度に合わせて、基板処理部１０２内の各ローラＲＲの回転速度を調整することなどが挙げられる。また、制御部１０４は、ローラＲＲがＹ軸方向にずれているか否かを検出し、ずれている場合にはローラＲＲを移動させて位置を補正する。また、制御部１０４は、シート基板ＦＢの位置補正を併せて行わせる。
【０１０８】
基板供給部１０１から基板処理部１０２に供給されたシート基板ＦＢは、まず隔壁形成部９１に搬送される。隔壁形成部９１では、シート基板ＦＢがインプリントローラ１１０と熱転写ローラ１１５で挟まれて押圧され、熱転写によってシート基板に隔壁ＢＡ及びアライメントマークＡＭが形成される。
【０１０９】
図１４は、シート基板ＦＢに隔壁ＢＡ及びアライメントマークＡＭが形成された状態を示す図である。図１５は、図１４の一部を拡大して示した図である。図１６は、図１５におけるＤ−Ｄ断面に沿った構成を示す図である。図１４及び図１５は、シート基板ＦＢを＋Ｚ側から見たときの様子を示している。
【０１１０】
図１４に示すように、隔壁ＢＡは、シート基板ＦＢのＹ方向中央部の素子形成領域６０に形成される。図１５に示すように、隔壁ＢＡを形成することにより、素子形成領域６０には、ゲートバスラインＧＢＬ及びゲート電極Ｇを形成する領域（ゲート形成領域５２）とソースバスラインＳＢＬ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び陽極Ｐを形成する領域（ソースドレイン形成領域５３）とが区画されることになる。図１６に示すように、ゲート形成領域５２は、断面視で台形状に形成されている。図示を省略するが、ソースドレイン形成領域５３についても同様の形状となっている。隔壁ＢＡ内の幅Ｗ（μｍ）は、ゲートバスラインＧＢＬの線幅となる。この幅Ｗとしては、液滴塗布装置１２０Ｇから塗布される液滴直径ｄ（μｍ）に対して２倍〜４倍程度とすることが好ましい。
【０１１１】
なお、ゲート形成領域５２及びソースドレイン形成領域５３の断面形状は、微細インプリント用モールド１１がシート基板ＦＢを押圧した後にシート基板ＦＢが剥離しやすいように、断面視でＶ字形状又はＵ字形状とすること好ましい。この他の形状として、例えば断面視で矩形形状としても構わない。
【０１１２】
一方、図１４に示すように、アライメントマークＡＭは、シート基板ＦＢのＹ方向両端部の縁領域６１に一対形成される。隔壁ＢＡ及びアライメントマークＡＭは、相互の位置関係が重要であるため同時に形成される。図１５に示すように、Ｙ軸方向には、アライメントマークＡＭとゲート形成領域５２との間の所定距離ＰＹが規定されており、Ｘ軸方向には、アライメントマークＡＭとソースドレイン形成領域５３との間の所定距離ＰＸが規定されている。このため、一対のアライメントマークＡＭの位置に基づいて、シート基板ＦＢのＸ軸方向のずれ、Ｙ軸方向のずれ及びθ回転が検出可能となる。
【０１１３】
図１４及び図１５では、アライメントマークＡＭが、Ｘ軸方向の複数行の隔壁ＢＡごとに一対設けられているが、これに限られることは無く、例えば隔壁ＢＡ１行ごとにアライメントマークＡＭを設けるようにしても良い。また、スペースがあれば、シート基板ＦＢの縁領域６１だけでなく素子形成領域６０にアライメントマークＡＭを設けても良い。また、図１４及び図１５では、アライメントマークＡＭは十字形状を示したが、円形マーク、斜めの直線マークなど他のマーク形状であってもよい。
【０１１４】
続いてシート基板ＦＢは、搬送ローラＲＲによって電極形成部９２に搬送される。電極形成部９２では、各液滴塗布装置１２０による液滴の塗布が行われ、シート基板ＦＢ上に電極が形成される。
【０１１５】
シート基板ＦＢ上には、まず液滴塗布装置１２０ＧによってゲートバスラインＧＢＬ及びゲート電極Ｇが形成される。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、液滴塗布装置１２０Ｇによって液滴塗布が行われるシート基板ＦＢの様子を示す図である。
【０１１６】
図１７（ａ）に示すように、液滴塗布装置１２０Ｇは、隔壁ＢＡが形成されたシート基板ＦＢのゲート形成領域５２に例えば１〜９の順序でメタルインクを塗布する。この順序は、例えばメタルインク同士の張力で直線状に塗布される順序である。図１７（ｂ）は、例えば１滴のメタルインクが塗布された状態を示す図である。図１７（ｂ）に示すように、隔壁ＢＡが設けられているため、ゲート形成領域５２に塗布されたメタルインクは拡散せずに保持されることになる。このようにして、ゲート形成領域５２の全体にメタルインクを塗布する。
【０１１７】
ゲート形成領域５２にメタルインクが塗布された後、シート基板ＦＢは当該メタルインクの塗布された部分が熱処理装置ＢＫの−Ｚ側に位置するように搬送される。熱処理装置ＢＫは、シート基板ＦＢ上に塗布されたメタルインクに熱処理を行い、当該メタルインク乾燥させる。図１８（ａ）は、メタルインクを乾燥させた後のゲート形成領域５２の状態を示す図である。図１８（ａ）に示すように、メタルインクを乾燥させることにより、メタルインクに含まれる導電体が薄膜状に積層されることになる。このような薄膜状の導電体がゲート形成領域５２の全体に形成され、図１８（ｂ）に示すように、シート基板ＦＢ上にゲートバスラインＧＢＬ及びゲート電極Ｇが形成されることになる。
【０１１８】
次に、シート基板ＦＢは、液滴塗布装置１２０Ｉの−Ｚ側に搬送される。液滴塗布装置１２０Ｉではシート基板ＦＢに電気絶縁性インクが塗布される。液滴塗布装置１２０Ｉでは、例えば図１９に示すように、ソースドレイン形成領域５３を通過するゲートバスラインＧＢＬ上及びゲート電極Ｇ上に電気絶縁性インクが塗布される。
【０１１９】
電気絶縁性インクが塗布された後、シート基板ＦＢは熱処理装置ＢＫの−Ｚ側に搬送され、熱処理装置ＢＫによって当該電気絶縁性インクに熱処理が施される。この熱処理によって電気絶縁性インクが乾燥し、ゲート絶縁層Ｉが形成される。図１９では、ゲート絶縁層Ｉが隔壁ＢＡ上に跨るように円形状に形成された状態を示しているが、特に隔壁ＢＡを越えて形成する必要は無い。
【０１２０】
ゲート絶縁層Ｉが形成された後、シート基板ＦＢは液滴塗布装置１２０ＳＤの−Ｚ側に搬送される。液滴塗布装置１２０ＳＤでは、シート基板ＦＢのソースドレイン形成領域５３にメタルインクが塗布される。ソースドレイン形成領域５３のうちゲート絶縁層Ｉを跨ぐ部分については、例えば図２０に示す１〜９の順序でメタルインクが吐出される。
【０１２１】
メタルインクの吐出後、シート基板ＦＢは熱処理装置ＢＫの−Ｚ側に搬送され、メタルインクの乾燥処理が行われる。当該乾燥処理後、メタルインクに含まれる導電体が薄膜状に積層され、ソースバスラインＳＢＬ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び陽極Ｐが形成される。ただし、この段階では、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間が接続された状態になっている。
【０１２２】
次に、シート基板ＦＢは、切断装置１３０の−Ｚ側に搬送される。シート基板ＦＢは、切断装置１３０において、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間が切断される。図２１は、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隔を切断装置１３０で切断した状態を示す図である。切断装置１３０では、ガルバノミラー１３１を用いてレーザ光ＬＬのシート基板ＦＢへの照射位置を調整しながら切断を行う。
【０１２３】
ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間が切断された後、シート基板ＦＢは、液滴塗布装置１２０ＯＳの−Ｚ側に搬送される。液滴塗布装置ＯＳでは、シート基板ＦＢ上に有機半導体層ＯＳが形成される。シート基板ＦＢ上のうちゲート電極Ｇに重なる領域には、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに跨るように有機半導体インクが吐出される。
【０１２４】
有機半導体インクの吐出後、シート基板ＦＢは熱処理装置ＢＫの−Ｚ側に搬送され、有機半導体インクの乾燥処理が行われる。当該乾燥処理後、有機半導体インクに含まれる半導体が薄膜状に積層され、図２２に示すように、有機半導体ＯＳが形成される。以上の工程により、シート基板ＦＢ上に電界効果型トランジスタ及び接続配線が形成されることになる。
【０１２５】
続いてシート基板ＦＢは、搬送ローラＲＲによって発光層形成部９３に搬送される（図３参照）。発光層形成部９３では、液滴塗布装置１４０Ｒｅ、液滴塗布装置１４０Ｇｒ、液滴塗布装置１４０Ｂｌ及び熱処理装置ＢＫによって赤色、緑色、青色の発光層ＩＲがそれぞれ形成される。シート基板ＦＢ上には隔壁ＢＡが形成されているため、赤色、緑色及び青色の発光層ＩＲを熱処理装置ＢＫで熱処理することなく続けて塗布する場合であっても、隣接する画素領域へ溶液が溢れることにより、混色が生じることがない。
【０１２６】
発光層ＩＲの形成後、シート基板ＦＢは液滴塗布装置１４０Ｉ及び熱処理装置ＢＫを経て絶縁層Ｉが形成され、液滴塗布装置１４０ＩＴ及び熱処理装置ＢＫを経て透明電極ＩＴが形成される。このような工程を経て、シート基板ＦＢ上には図１で示した有機ＥＬ素子５０が形成される。
【０１２７】
素子形成動作では、上記のようにシート基板ＦＢを搬送させながら有機ＥＬ素子５０を形成する過程で、シート基板ＦＢがＸ方向、Ｙ方向及びθＺ方向にずれてしまうのを防ぐため、アライメント動作を行っている。以下、図２３を参照して、アライメント動作を説明する。
【０１２８】
アライメント動作においては、各部に設けられた複数のアライメントカメラＣＡ（ＣＡ１〜ＣＡ８）が適宜シート基板ＦＢに形成されたアライメントマークＡＭを検出し、制御部１０４に検出結果を送信する。制御部１０４では、送信された検出結果に基づいて、アライメント動作を行わせる。
【０１２９】
例えば、制御部１０４は、アライメントカメラＣＡ（ＣＡ１〜ＣＡ８）が検出するアライメントマークＡＭの撮像間隔などに基づいてシート基板ＦＢの送り速度を検出し、ローラＲＲが例えば所定速度で回転しているか否かを判断する。ローラＲＲが所定速度で回転していないと判断した場合、制御部１０４は、ローラＲＲの回転速度の調整の指令を出しフィードバックをかける。
【０１３０】
また、例えば制御部１０４は、アライメントマークＡＭの撮像結果に基づき、アライメントマークＡＭのＹ軸方向の位置がずれているか否かを検出し、シート基板ＦＢのＹ軸方向の位置ずれの有無を検出する。位置ずれが検出された場合、制御部１０４は、シート基板ＦＢを搬送させた状態で位置ずれがどの程度の時間継続しているかを検出する。
【０１３１】
位置ずれの時間が短時間であれば、液滴塗布装置１２０の複数のノズル１２２のうち液滴を塗布するノズル１２２を切り替えることによって対応する。シート基板ＦＢのＹ軸方向のずれが長時間続くようであれば、ローラＲＲの移動によってシート基板ＦＢのＹ軸方向の位置補正を行う。
【０１３２】
また、例えば制御部１０４は、アライメントカメラＣＡが検出するアライメントマークＡＭのＸ軸及びＹ軸方向の位置に基づき、シート基板ＦＢがθＺ方向にずれているか否かを検出する。位置ずれが検出された場合、制御部１０４は、Ｙ軸方向の位置ずれの検出時と同様、シート基板ＦＢを搬送させた状態で位置ずれがどの程度の時間継続しているかを検出する
位置ずれの時間が短時間であれば、液滴塗布装置１２０の複数のノズル１２２のうち液滴を塗布するノズル１２２を切り替えることによって対応する。ずれが長時間続くようであれば、当該ズレを検出したアライメントカメラＣＡを挟む位置に設けられる２つのローラＲＲをＸ方向又はＹ方向に移動させ、シート基板ＦＢのθＺ方向の位置補正を行う。
【０１３３】
次に、取り外し動作を説明する。例えばシート基板ＦＢに有機ＥＬ素子５０を形成し、シート基板ＦＢを回収した後、基板供給部１０１として用いられる基板カートリッジ１を基板処理部１０２から取り外す。
【０１３４】
図２４は、基板カートリッジ１の取り外し動作を示す図である。
取り外し動作では、マウント部３を−Ｘ方向に移動させて供給側接続部１０２Ａから外す。マウント部３を外すことにより、ガス供給ポート４の供給口４１からガス供給部ＧＳが引き抜かれるため、基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間がシート基板ＦＢを挟んで再び閉じた状態となる。
【０１３５】
このように、マウント部３と基板処理部１０２とが接続されている状態では基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間が開くため、開口部３４が開いた状態となる。マウント部３と基板処理部１０２とが接続されていない状態では、基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間がシート基板ＦＢを挟んで閉じるため、開口部３４がシート基板ＦＢによって閉ざされた状態となる。
【０１３６】
以上のように、本実施形態によれば、可撓性を有するシート基板ＦＢが出し入れされる開口部３４を有し当該開口部３４を介したシート基板ＦＢを収容するカートリッジ本体２と、当該カートリッジ本体２に設けられ、供給側接続部１０２Ａ及び回収側接続部１０２Ｂに対して着脱可能に接続されるマウント部３と、当該マウント部３と供給側接続部１０２Ａ及び回収側接続部１０２Ｂとの間の接続状態に応じて、シート基板ＦＢによって開口部３４が閉塞可能に設けられているため、開口部３４から埃などの異物の侵入を防ぐことができる。これにより、シート基板ＦＢに異物が付着するのを防ぐことができる。
また、本実施形態によれば、基板カートリッジ１を対象物（例、基板処理部１０２）に対して容易に着脱させることが可能となる。
【０１３７】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態を説明する。本実施形態では、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略あるいは簡略化する。
図２５は、本実施形態に係る基板処理システムＳＹＳの構成を示す図である。
図２５に示すように、基板処理システムＳＹＳは、基板製造装置（第１処理装置）２０１、基板処理装置２０２（第２処理装置）及び中継装置（基板中継装置）２０３を有している。基板製造装置２０１と基板処理装置２０２とは、例えば、別々の生産ライン、別々の敷地、別々の工場などに設置されている。
【０１３８】
基板製造装置２０１は、第１処理として、例えば上記実施形態で説明した可撓性を有する帯状のシート基板ＦＢを製造する装置である。基板製造部２１１及び制御部２１２を有している。制御部２１２の制御によって基板製造部２１１においてシート基板ＦＢが製造されるようになっている。
【０１３９】
基板処理装置２０２は、第２処理として、シート基板ＦＢに第１実施形態で説明した有機ＥＬ素子５０（図３等参照）を形成する装置である。基板処理装置２０２は、基板処理部２２２、基板回収部２２３及び制御部２２４を有している。基板処理部２２２、基板回収部２２３及び制御部２２４は、第１実施形態における基板処理部１０２、基板回収部１０３及び制御部１０４と同一の構成となっている。
【０１４０】
中継装置２０３は、基板製造装置２０１及び基板処理装置２０２の両方に着脱可能に接続するように形成されている。具体的には、中継装置２０３は、基板製造装置２０１の基板製造部２１１に設けられた接続部２１１Ａ、及び、基板処理装置２０２の基板処理部２２２に設けられた接続部２２２Ａに対してマウント部３を介して接続されるようになっている。なお、接続部２１１Ａ及び接続部２２２Ａの構成は、第１実施形態に記載の供給側接続部１０２Ａと同一の構成になっている。
【０１４１】
中継装置２０３は、基板製造装置２０１で製造されたシート基板ＦＢを回収し、基板処理装置２０２へと供給する装置である。中継装置２０３としては、例えば第１実施形態で説明した基板カートリッジ１が用いられている。中継装置２０３の詳細な構成については説明を省略する。
【０１４２】
上記のように構成された基板処理システムＳＹＳでは、まず基板製造装置２０１の接続部２１１Ａに中継装置２０３を接続させる。中継装置２０３を接続部２１１Ａに接続後、基板製造部２１１からシート基板ＦＢを中継装置２０３に供給する。中継装置２０３は、第１実施形態で説明した動作と同様の動作によってシート基板ＦＢを巻き取って回収する。
【０１４３】
このとき、例えば制御部２１２から中継装置２０３の情報処理部ＩＣ（図５参照）には、例えば基板製造装置２０１のタクト、スループットといった情報や、中継装置２０３の搬送速度、ローラ部２６の巻き取り・送り出し速度といった情報、全工程や処理済の工程などを示す工程情報、シート基板ＦＢの残長や全長などのシート基板ＦＢに関する情報、などの処理情報が送信される。
【０１４４】
情報処理部ＩＣに送信された上記処理情報は、情報処理部ＩＣの通信部ＣＲによって受信され、記憶部ＭＲに記憶されたり、表示部２９に表示されたりする。加えて、情報処理部ＩＣには、中継装置２０３の検出部２１ｃによって検出されたシート基板ＦＢの長さに関する情報についても送信される。
【０１４５】
次に、シート基板ＦＢを回収した中継装置２０３をトラックなどの搬送系ＴＲによって基板処理装置２０２へと搬送する。基板処理装置２０２に中継装置２０３を搬送後、中継装置２０３を第１実施形態で説明した手順で基板処理装置２０２の接続部２２２Ａに接続し、中継装置２０３からシート基板ＦＢを供給しながら基板処理部２２２においてシート基板ＦＢ上に有機ＥＬ素子５０を形成する。
【０１４６】
このとき、例えば制御部２２４は、中継装置２０３の情報処理部ＩＣとの間で通信を行い、情報処理部ＩＣに記憶されている処理情報を受信する。制御部２２４は、受信した処理情報を基にして、例えばシート基板ＦＢの搬送速度や、熱転写ローラ１１５及び熱処理装置ＢＫによる加熱時間や加熱温度など、受信した処理情報と関連する動作を調整しながら有機ＥＬ素子５０を形成する各工程を行わせる。有機ＥＬ素子５０の形成されたシート基板ＦＢは、例えばパネル状に切断され、基板回収部２２３によって回収される。
【０１４７】
このように、本実施形態によれば、第１処理として可撓性を有するシート基板ＦＢを製造する処理を行う基板製造装置２０１と、シート基板ＦＢの製造後に当該シート基板ＦＢに第２処理として有機ＥＬ素子５０を形成する処理を行う基板処理装置２０２と、基板製造装置２０１からシート基板ＦＢを回収し、回収したシート基板ＦＢを基板処理装置２０２へ供給する中継装置２０３とを備え、中継装置２０３として、上記の基板カートリッジ１を用いることとしたので、基板製造装置２０１と基板処理装置２０２との間においてシート基板ＦＢに埃などが付着するのを回避することができる。また、中継装置２０３に設けられた情報処理部ＩＣを用いて基板製造装置２０１の処理情報を基板処理装置２０２に供給し、当該処理情報を用いて基板処理装置２０２において処理を行うことができるため、基板処理装置２０２における処理効率が向上することとなる。また、本実施形態では、中継装置２０３として上記の基板カートリッジ１を用いることとしたので、シート基板ＦＢの長さや残長を容易に把握することができる。また、本実施形態では、中継装置２０３として上記の基板カートリッジ１を用いることとしたので、例えば第１処理や第２処理のように、複数の工程を容易に細分化することができる。
【０１４８】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態を説明する。本実施形態では、上記実施形態と同一又は同等の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略あるいは簡略化する。
図２６は、本実施形態に係る基板処理システムＳＹＳ２の構成を示す図である。
図２６に示すように、基板処理システムＳＹＳ２は、第１基板処理装置（第１処理装置）３００、第２基板処理装置（第２処理装置）３１０、３２０及び中継装置（基板中継装置）３０３を有している。第１基板処理装置３００及び第２基板処理装置３１０、３２０は、例えば同一の敷地内や、同一の工場内に設置されている。
【０１４９】
第１基板処理装置３００は、例えば、シート基板ＦＢに有機ＥＬ素子５０の隔壁ＢＡを形成する装置である。第２基板処理装置３１０、３２０は、例えば、シート基板ＦＢに電極（ゲート電極Ｇなど）や有機ＥＬ素子５０の発光層ＩＲ、透明電極ＩＴＯを形成する装置である。第２基板処理装置３１０、３２０は、同一の構成となっている。以下、第２基板処理装置の構成や動作などを説明するにあたっては原則として第２基板処理装置３１０を代表させて説明するが、第２基板処理装置３２０についても同様の説明が可能である。
【０１５０】
このように基板処理システムＳＹＳ２は、有機ＥＬ素子５０を形成する装置が第１基板処理装置３００と第２基板処理装置３１０、３２０との２つの種類の装置に分かれた構成となっている。中継装置３０３は、第１基板処理装置３００から第２基板処理装置３１０、３２０へシート基板ＦＢを受け渡す（中継する）装置である。本実施形態では、中継装置３０３として、第１実施形態と同一の構成を有する基板カートリッジ１が用いられている。
【０１５１】
第１基板処理装置３００は、基板供給部３０１、基板処理部３０２、第１制御部３０４、第２制御部３０５及び保護基板供給部３０６を有している。基板供給部３０１は、例えば第１実施形態における基板供給部１０１と同一の構成となっている。基板処理部３０２は、第１実施形態の基板処理装置１００における隔壁形成部９１と同一の構成をそれぞれ有しており、基板供給部３０１との接続部分には供給側接続部３０２Ａが設けられている。供給側接続部３０２Ａの構成は、第１実施形態における供給側接続部１０２Ａと同一の構成となっている。このように第１基板処理装置３００は、第１実施形態における基板処理装置１００の基板供給部１０１から基板処理部１０２の隔壁形成部９１までの構成と同一の構成を有している。
【０１５２】
基板処理部３０２の＋Ｘ側端部には、中継装置３０３のマウント部３に接続される回収側接続部３０２Ｂが設けられている。回収側接続部３０２Ｂは、供給側接続部３０２Ａと同一の構成となっている。第１制御部３０４は、基板供給部３０１の情報処理部ＩＣに記憶された処理情報を受信し、当該処理情報に基づいて基板処理部３０２の動作（例えば、処理や工程に関する動作）を制御する。第２制御部３０５は、基板供給部３０１、基板処理部３０２、シート基板ＦＢなどの処理情報を中継装置３０３の情報処理部ＩＣに送信する。処理情報としては、例えば第１実施形態に記載の処理情報と同様の内容の情報が挙げられる。第１基板処理装置３００が不図示の制御装置を有し、当該制御装置が第１制御部３０４及び第２制御部３０５を統括して制御及び管理する構成としても構わない。保護基板供給部３０６は、例えば基板処理部３０２の＋Ｘ側端部に設けられている。
【０１５３】
第２基板処理装置３１０は、基板処理部３１１、基板回収部３１２、第１制御部３１４及び第２制御部３１５を有している。基板処理部３１１は、第１実施形態の基板処理装置１００における電極形成部９２及び発光層形成部９３と同一の構成を有している。基板処理部３１１は、−Ｘ側端部に供給側接続部３１１Ａを有しており、＋Ｘ側端部に回収側接続部３１１Ｂを有している。供給側接続部３１１Ａ及び回収側接続部３１１Ｂは、上記の供給側接続部３０２Ａ及び回収側接続部３０２Ｂとそれぞれ同一の構成となっている。
【０１５４】
供給側接続部３１１Ａには、上記の中継装置３０３が着脱可能に接続されるようになっている。第１制御部３１４は、中継装置３０３の情報処理部ＩＣに記憶された処理情報を受信し、当該処理情報に基づいて基板処理部３１１の動作（例えば、処理や工程に関する動作）を制御する。第２制御部３１５は、中継装置３０３、基板処理部３１１、シート基板ＦＢなどの処理情報を基板回収部３１２の情報処理部ＩＣに送信する。処理情報としては、例えば第１実施形態に記載の処理情報と同様の内容の情報が挙げられる。
【０１５５】
次に、上記のように構成された基板処理システムＳＹＳ２では、まず基板カートリッジ１にシート基板ＦＢを収容し、第１基板処理装置３００において基板処理部３０２の供給側接続部３０２Ａに当該基板カートリッジ１を基板供給部１０１として接続させる。この基板カートリッジ１は、基板供給部３０１として用いる。また、空の基板カートリッジ１を基板処理部３０２の回収側接続部３０２Ｂに中継装置３０３として接続させる。
【０１５６】
次に、基板供給部３０１からシート基板ＦＢを基板処理部３０２に供給させ、基板処理部３０２において隔壁ＢＡを形成する。このとき、制御部３０４及び制御部３０５は、基板供給部３０１の情報処理部ＩＣ及び中継装置３０３の情報処理部ＩＣとの間で通信を行い、情報処理部ＩＣに記憶されている情報を受信する。制御部３０４及び３０５は、受信した情報を基にして、例えばシート基板ＦＢの搬送速度や、熱転写ローラ１１５による加熱時間や加熱温度など、受信した処理情報と関連する動作を調整しながら隔壁ＢＡを形成する。
【０１５７】
隔壁ＢＡの形成されたシート基板ＦＢは、基板処理部３０２から中継装置３０３へと送り出され、中継装置３０３によってロール状に巻き取られて回収される。中継装置３０３では、シート基板ＦＢのうち隔壁ＢＡが形成された面に保護基板ＰＢが配置されるようにシート基板ＦＢを回収する。
【０１５８】
図２７〜図２９は、基板回収部１０３でのシート基板ＦＢの回収の様子を示す図である。図２７〜図２９では、図を判別しやすくするため、一部の構成を省略した状態で示している。
回収動作では、図２７に示すように、基板カートリッジ１の開口部３４にシート基板ＦＢを挿入すると同時に、第２開口部３５から保護基板ＰＢを挿入する。図２６及び図２７に示すように、保護基板ＰＢは、例えば上記の保護基板供給部３０６から供給される。
【０１５９】
挿入されたシート基板ＦＢ及び保護基板ＰＢは、図２８に示すように、それぞれ基板案内部２２及び第２基板案内部３７で案内され、合流部３９において合流する。合流部３９で合流したシート基板ＦＢ及び保護基板ＰＢは、図２９に示すように、合流した状態で搬送部２１によって搬送され、テンションローラ２１ａと測定ローラ２１ｂとに押圧されて密着する。シート基板ＦＢ及び保護基板ＰＢは、密着した状態でローラ部２６によって巻き取られて回収される。
【０１６０】
次に、保護基板ＰＢを密着させたシート基板ＦＢを回収した中継装置３０３をフォークリフトなどの搬送系ＴＲ２によって第２基板処理装置３１０へと搬送する。搬送後、中継装置３０３を第１実施形態で説明した手順で第２基板処理装置３１０の供給側接続部３１１Ａに接続させると共に、空の基板カートリッジ１を回収側接続部３１１Ｂに基板回収部３１２として接続させる。基板回収部３１２を回収側接続部３１１Ｂに接続後、中継装置３０３からシート基板ＦＢを供給しながら基板処理部３１１においてシート基板ＦＢ上に電極、発光層ＩＲ及び透明電極ＩＴＯを形成する。
【０１６１】
このとき、例えば制御部３１４及び３１５は、中継装置３０３の情報処理部ＩＣ及び基板回収部３１２の情報処理部ＩＣとの間で通信を行い、それぞれの情報処理部ＩＣに記憶されている処理情報を受信する。制御部３１４及び３１５は、受信した処理情報を基にして、例えばシート基板ＦＢの搬送速度や、熱処理装置ＢＫによる加熱時間や加熱温度など、受信した処理情報と関連する動作を調整しながら電極、発光層ＩＲ及び透明電極ＩＴＯを形成する。
【０１６２】
また、第１基板処理装置３００の処理速度と第２基板処理装置３１０の処理速度とが例えば２：１である場合など、第１基板処理装置３００が第２基板処理装置３１０に比べて処理速度が大きい（タクトが小さい）場合には、中継装置３０３の中継先を増加させるようにしても構わない。本実施形態では、中継装置３０３の中継先として、例えば第２基板処理装置３２０を加えるようにする。この結果、第１基板処理装置３００で処理されたシート基板ＦＢは、第２基板処理装置３１０及び３２０の２箇所で並列に処理されることになり、処理速度の小さい（タクトが大きい）方のラインが増加することになる。
上記のようにシート基板ＦＢは第１基板処理装置３００による処理と第２基板処理装置３１０による処理とを経て処理完了となるため、第１基板処理装置３００と第２基板処理装置３１０とを１台ずつ用いた場合（あるいは処理を連続して行う場合）、基板処理システムＳＹＳ２全体としての処理速度は、第１基板処理装置３００及び第２基板処理装置３１０のうち処理速度の小さい方の装置の処理速度となってしまう。
これに対して、本実施形態では、処理速度の小さい方の第２基板処理装置３１０を２台（第２基板処理装置３１０、３２０）用いてライン数を増加させるため、処理速度の差が補われることになり、第１基板処理装置３００の処理速度を活かすことができる。これにより、基板処理システムＳＹＳ２全体の処理効率が低減するのが回避されることになる。
【０１６３】
隔壁ＢＡ及び電極が形成されたシート基板ＦＢに発光層ＩＲ及び透明電極ＩＴＯを形成することにより、シート基板ＦＢ上に有機ＥＬ素子５０が形成されることになる。有機ＥＬ素子５０の形成されたシート基板ＦＢは、図２７〜図２９に示す動作手順と同様に、例えば基板回収部３１２によって巻き取られて回収される。
【０１６４】
以上のように、本実施形態によれば、シート基板ＦＢに第１処理として隔壁ＢＡ及び電極形成処理を行う第１基板処理装置３００と、隔壁ＢＡ及び電極形成処理後のシート基板ＦＢに第２処理として発光層ＩＲ及び透明電極ＩＴＯの形成処理を行う第２基板処理装置３１０と、第１基板処理装置３００からシート基板ＦＢを回収し、回収したシート基板ＦＢを第２基板処理装置３１０へ供給する中継装置３０３とを備え、中継装置３０３として、本発明に係る基板カートリッジ１を用いることとしたので、同一の敷地内や工場内に設置される第１基板処理装置３００と第２基板処理装置３１０との間においてシート基板ＦＢに埃などが付着するのを回避することができる。また、基板カートリッジ１に設けられた情報処理部ＩＣを用いて処理情報を通信し、当該処理情報を用いて基板処理部３０２及び３１１において処理を行うことができるため、基板処理システムＳＹＳ２の全体的な処理効率が向上することとなる。
【０１６５】
なお、上記基板処理システムＳＹＳ２は、第１基板処理装置３００の処理速度よりも第２基板処理装置３１０の処理速度の方が高くなるように構成しても構わない。このような構成として、例えば第１基板処理装置３００が隔壁形成部９１及び電極形成部９２を有し、第２基板処理装置３１０が発光層形成部９３を有する構成が挙げられる。この場合、本実施形態と同様の考え方で、例えば第１基板処理装置３００の台数を第２基板処理装置３１０の台数よりも多くすることにより、処理速度の差を補うことができる。
【０１６６】
例えば図３０（ａ）では、第１基板処理装置３００が２台設けられており、第２基板処理装置３１０が１台設けられた基板処理システムＳＹＳ２’の構成を示している。処理速度の小さい第１基板処理装置３００による処理のライン数が多くなるため、処理速度の差が補われることになる。この場合において、例えば２台の第１基板処理装置３００における処理のタイミングを制御し、中継装置３０３が第２基板処理装置３１０に対して交互に接続されるようにすることが好ましい。これにより、中継装置３０３の待ち時間を極力少なくし、効率的に処理を行うことができる。
【０１６７】
また、この基板処理システムＳＹＳ２’は、例えば図３０（ｂ）に示すように、第１基板処理装置３００を、隔壁形成装置３４０と電極形成装置３５０とに更に分割させる構成（基板処理システムＳＹＳ２”）としても構わない。なお、隔壁形成装置３４０は第１実施形態に記載の隔壁形成部９１に相当する構成を有し、電極形成装置３５０は第１実施形態に記載の電極形成部９２に相当する構成を有している。第２基板処理装置３１０は、基板処理システムＳＹＳ２’と同様に発光層形成部９３を有している。
【０１６８】
隔壁形成処理、電極形成処理及び発光層形成処理の３種類の処理うち、電極形成処理は高いアライメント精度が特に必要とされるため、最も処理速度が小さくなる。このため、図３０（ｂ）に示すように、処理速度が小さい電極形成装置３５０を２台配置してライン数を増加させ、隔壁形成装置３４０及び第２処理装置３１０（発光層形成部９３を有する）を１台ずつ配置することにより、処理速度の差を補うことができる。
【０１６９】
この場合、隔壁形成装置３４０から電極形成装置３５０への中継装置３０３は上記実施形態の基板処理システムＳＹＳ２の中継装置３０３と同様の働きをすることになり、電極形成装置３５０から第２処理装置３１０への中継装置３０３は上記基板処理システムＳＹＳ’の中継装置３０３と同様の働きをすることになる。なお、この基板処理システムＳＹＳ２”について、例えば電極形成装置３５０を、ゲート電極Ｇを形成するゲート形成装置と、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを形成するソースドレイン形成装置とに分割する構成としても構わない。この場合、ソースドレイン形成装置の方がゲート形成装置よりも処理速度が小さくなるため、ソースドレイン形成装置を複数ライン設けるようにすることが好ましい。このように、処理速度の小さい装置を分割し、分割した装置のライン数を増加させることにより、ライン数増加に対するコストを低減することができる。
【０１７０】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態を説明する。
図３１は、本実施形態に係る基板処理システムＳＹＳ３を示す図である。なお、本実施形態に係る基板処理システムＳＹＳ３は、第３実施形態に記載の基板処理システムＳＹＳ２と一部の構成が異なっており、他の構成は同一となっている。以下、第３実施形態との相違点を中心に説明する。以下の説明においては、第３実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略あるいは簡略化する。
【０１７１】
図３１に示すように、基板処理システムＳＹＳ３は、第１基板処理装置（第１処理装置）３００、第２基板処理装置（第２処理装置）３１０、３２０及び中継装置（基板中継装置）３０３を有している。本実施形態に係る基板処理システムＳＹＳ３は、第３実施形態における制御装置３０４、３０５及び制御装置３１４、３１５が設けられていない点、また、主制御装置ＣＯＮＴが設けられている点で、第３実施形態とは異なっている。他の構成については、第３実施形態と同様である。
【０１７２】
主制御装置ＣＯＮＴは、例えば第１実施形態に記載の処理情報（基板処理装置のタクト、スループット、搬送速度、巻き取り速度・送り出し速度、シート基板ＦＢに関する情報など）に基づいて、第１基板処理装置３００、第２基板処理装置３１０、３２０及び中継装置３０３を統括的に制御する。例えば、シート基板ＦＢの搬送速度や巻き取り速度・送り出し速度に基づいて中継装置３０３の中継先を第２基板処理装置３１０及び３２０のいずれにするかを判断することもできる。
【０１７３】
このように、本実施形態では、主制御装置ＣＯＮＴによって第１基板処理装置３００、第２基板処理装置３１０、３２０及び中継装置３０３を統括的に制御することとしたので、シート基板ＦＢに対する一連の処理を能率的に行うことができる。
【０１７４】
［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態を説明する。
図３２は、可撓性の基板に、画素電極及び発光層などを有する表示素子（例えば、有機ＥＬ素子）を製造する製造装置４１０の構成を示した概略図で、図２の基板処理部１０２の別例である。但し、基板処理部１０２が有する同じ部材又は装置には同じ符号を付している。
【０１７５】
図３２に示す製造装置４１０は、隔壁形成部９１を２箇所有する点で、上記基板処理部１０２と異なる。一方の隔壁形成工程は、インプリントローラ１１０を用いて、薄膜トランジスタの配線用の隔壁ＢＡを形成し、シート基板ＦＢの幅方向であるＹ軸方向の両側にアライメントマークＡＭを形成する。また、他方の隔壁形成工程では、印刷ローラ４４０を使用する。
【０１７６】
印刷ローラ４４０は、その表面がスクリーン印刷できるようにメタルマスクが形成されている。また、印刷ローラ４４０内部に紫外線硬化樹脂を保有している。紫外線硬化樹脂は、スキージ４４１によりメタルマスクを介してシート基板ＦＢに塗布される。これにより、紫外線硬化樹脂の隔壁ＢＡが形成される。この隔壁の高さは１０数μｍ以下である。シート基板ＦＢに形成された紫外線硬化樹脂の隔壁ＢＡは、水銀ランプなどの紫外線ランプ４４４によって硬化される。
【０１７７】
表示素子に、発光層、正孔輸送層及び電子輸送層を形成する場合には、隔壁ＢＡを高くする必要がある。インプリントローラ１１０による熱転写では、シート基板ＦＢから押し出した隔壁ＢＡをあまり高くすることができない。そのため、インプリントローラ１１０とは別に印刷ローラ４４０を設けている。
【０１７８】
印刷ローラ４４０の上流側には、アライメントカメラＣＡ６を配置して、制御部１０４は、印刷ローラ４４０手前のシート基板ＦＢの位置を把握している。そして、制御部１０４は、印刷ローラ４４０の回転制御を行い、シート基板ＦＢに形成された薄膜トランジスタの位置に合わせて紫外線硬化樹脂を印刷する。
【０１７９】
紫外線硬化樹脂層とは紫外線照射により架橋反応等を経て硬化する樹脂を主たる成分と
する層をいう。紫外線硬化樹脂としては、エチレン性不飽和二重結合を有するモノマーを含む成分が好ましく用いられ、紫外線を照射することによって硬化させて紫外線硬化樹脂層が形成される。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型ウレタンアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、または紫外線硬化型エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。中でも紫外線硬化型アクリレート系樹脂が好ましい。なお、発光層の隔壁ＢＡ用であれば、ブラックマトリックスであることが好ましいこのため、紫外線硬化型アクリレート系樹脂にクロム等の金属や酸化物を導入しても良い。
【０１８０】
紫外線硬化樹脂の隔壁ＢＡは、インプリントローラ１１０によってシート基板に形成された隔壁ＢＡの上に重ねて形成しても良いし、インプリントローラ１１０では隔壁ＢＡが形成されなかった領域に形成しても良い。その後の発光層形成工程は、実施例１で説明した工程と同じような構成で足りる。
【０１８１】
［第６実施形態］
次に、本発明の第６実施形態を説明する。
本実施形態では、液晶表示素子の製造装置及び製造方法について説明する。液晶表示素子は、一般に偏向フィルタ、薄膜トランジスタを有するシート基板ＦＢ、液晶層、カラーフィルタ及び偏向フィルタから構成されている。このうち、薄膜トランジスタを有するシート基板ＦＢは、図１の上段に描かれた基板処理部１０２又は図３２の上段に描かれた製造装置４１０で製造することができることを説明した。
【０１８２】
本実施形態では、液晶の供給及びカラーフィルタＣＦの貼り合わせについて説明する。液晶表示素子には、液晶を供給する必要があり、液晶の封止壁を形成する必要がある。このため、図３２の下段に描かれた印刷ローラ４４０は、本実施形態では、発光層用の隔壁ＢＡではなく、液晶の封止壁用に使用される。
【０１８３】
図３３は、液晶の供給及びカラーフィルタの貼り合わせを行う供給貼り合わせ装置４２０を示したものである。
【０１８４】
供給貼り合わせ装置４２０は、上流側低真空チャンバ８２と下流側低真空チャンバ８３とが設けられ、上流側低真空チャンバ８２と下流側低真空チャンバ８３との間に高真空チャンバ８４が設けられている。これら低真空チャンバ８２、８３及び高真空チャンバ８４は、ロータリーポンプ又はターボ分子ポンプ８９で真空引きされる。
【０１８５】
上流側低真空チャンバ８２には、カラーフィルタＣＦが供給されるようになっており、また、図３２で示した印刷ローラ４０を経て、液晶の封止壁が形成されたシート基板ＦＢが供給される。なお、カラーフィルタＣＦのＹ軸方向の両側にもアライメントマークが形成されている。
【０１８６】
液晶の封止壁が形成されたシート基板ＦＢは、まず、カラーフィルタＣＦと接着するための熱硬化性接着剤が接着剤ディスペンサー７２から塗布される。そして、シート基板ＦＢは上流側低真空チャンバ８２を経て高真空チャンバ８４に送られる。高真空チャンバ８４では、液晶ディスペンサー７４から液晶が塗布される。そして、カラーフィルタＣＦとシート基板ＦＢとが熱転写ローラ７６で接着される。
【０１８７】
シート基板ＦＢのアライメントマークＡＭは、アライメントカメラＣＡ１１で撮像され、カラーフィルタＣＦのアライメントマークＡＭは、アライメントカメラＣＡ１２で撮像される。アライメントカメラＣＡ１１及びＣＡ１２で撮像された結果は、制御部１０４に送られ、Ｘ軸方向のずれ、Ｙ軸方向のずれ及びθ回転が把握される。熱転写ローラ７６は、制御部１０４から送られてくる位置信号に応じて回転速度を変えて、カラーフィルタＣＦとシート基板ＦＢとの位置合わせを行いながら接着する。
【０１８８】
接着された液晶表示素子シートＣＦＢは、下流低真空チャンバ８３を経て、外部に送られる。なお、接着剤は熱硬化性接着剤で説明したが、紫外線硬化性の接着剤を使用してもよい。この場合には熱転写ローラ７６ではなく紫外線ランプなどを使用する。
【０１８９】
［第７実施形態］
次に、本発明の第７実施形態を説明する。
図３４は、印刷ローラ４０によるＹ軸方向のアライメントのための機構を説明した図である。印刷ローラの表面にメタルマスクが形成されている。制御部１０４からの信号により、Ｘ軸方向の位置合わせは、印刷ローラの回転速度で調整することができる。Ｙ軸方向の位置合わせは、次の示す方法がある。
【０１９０】
図３４（ａ）は、空圧又は油圧制御方式でローラ中央が膨らんだりへこんだりする印刷ローラ４４０ｐである。速度＆アライメント制御部９０からの信号で、空気又は油が供給されることにより、ローラ中央部と周辺部とのＹ軸方向の位置を変えることができる。
【０１９１】
図３４（ｂ）は、熱変形制御方式でローラ全体が拡大したり縮小したりする印刷ローラ４４０ｑである。速度＆アライメント制御部９０からの信号で、加熱又は冷却されることにより、ローラ全体のＹ軸方向の位置及びＸ軸方向の位置を変えることができる。
【０１９２】
図３４（ｃ）は、曲げ変形制御方式でローラ全体が曲がる印刷ローラ４４０ｒである。印刷ローラ４４０ｒは、小さな力で曲がるように円周方向にスリットが入っていることが好ましい。
【０１９３】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態では、基板用案内部材２２ａ及び２２ｂのみをエアパッド状に形成し、ガス供給ポート４の供給口４１を開口部３４側の基板用案内部材２２ａ及び２２ｂにのみ接続させる構成としたが、これに限られることは無く、例えば第２開口部３５側の第２基板用案内部材３７ａ及び３７ｂについても同様の構成とすることができる。
【０１９４】
例えば図３５に示すように、供給口４１から第２基板用案内部材３７ａ及び３７ｂに対しての流路４９を設けて、当該流路４９を第２基板用案内部材３７ａに接続される第１流路４９ａと、第２基板用案内部材３７ｂに接続される第２流路４９ｂとに分岐させるようにすることができる。この場合、流路４２に電磁バルブＶ１を設けると共に流路４９に電磁バルブＶ２を設けて、開口部３４と第２開口部３５とで独立して開閉制御を行うことができるようにしても構わない。電磁バルブＶ１及びＶ２の制御は、例えば制御部１０４や情報処理部ＩＣなどに行わせることができる。
【０１９５】
このように開口部３４と第２開口部３５とが独立して開閉されることにより、使用しない開口部が開いてしまうのを防ぐことができる。これにより、開口部からの埃などの異物の侵入を防ぐことができる。
【０１９６】
また、例えば、上述の基板処理装置や基板処理システムの一部にトラブルが発生した場合、当該トラブルの発生箇所を除去するようにシート基板ＦＢを切断するようにしても構わない。これにより、シート基板ＦＢの歩留まりの低下を防ぐことができる。また、本実施形態における基板カートリッジや基板処理システムでは、欠陥等によりシート基板ＦＢを切断した場合でも、停電などによるラインダウン時の場合でも、シート基板ＦＢの残長が分かるので、再稼動後の処理をすぐに行える。従って、本実施形態によれば、処理効率の向上や安全性の向上にもつながる。
【０１９７】
また、上記実施形態では、図１に示した電界効果型トランジスタを例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。図３６（ａ）及び図３６（ｂ）は、上記実施形態とは異なる電界効果型トランジスタを示した断面図である。図１に示した電界効果型トランジスタ以外にも、例えば図３６（ａ）に示す電界効果型トランジスタとしてボトムゲート型を製造することも可能である。シート基板ＦＢ上にゲート電極Ｇ、ゲート絶縁層Ｉ、有機半導体層ＯＳを形成した後、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄを形成したものである。
【０１９８】
図３６（ｂ）は、トップゲート型の電界効果型トランジスタであり、シート基板ＦＢ上にソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを形成した後、有機半導体層ＯＳを形成し、更にその上にゲート絶縁層Ｉ、ゲート電極Ｇを形成したものである。
これらいずれの電界効果型トランジスタであっても、メタルインクなどの順番を変えた基板処理部１０２を使って対応することができる。
【０１９９】
また、上記実施形態では、開口部３４及び第２開口部３５がマウント部３の＋Ｘ側端部に設けられた構成としたが、これに限られることは無く、例えばマウント部３とは異なる位置に設けられている構成としても構わない。また、第２開口部３５を設けない構成としても構わない。
【０２００】
また、上記実施形態では、基板カートリッジ１として、基板駆動機構２４を備える構成とし、シート基板ＦＢを巻き取って収容する構成としたが、これに限られることは無く、他の方法で収容する構成としても構わない。
【０２０１】
また、上記実施形態では、基板駆動機構２４のローラ部２６の表面に接着部２６ｃを設ける構成としたが、これに限られることは無く、シート基板ＦＢを保持可能な構成であれば、他の機構を用いても構わない。また、接着部２６ｃはローラ部２６の表面全体に設ける必要は無く、ローラ部２６の表面の一部に設ける構成としても構わない。
【０２０２】
また、収容部２０の内部に配置される搬送部２１やガイド部２７については、上記実施形態において例示した形態に限られず、他の配置としても構わない。
【０２０３】
また、上記実施形態においては、基板カートリッジ１の接続先である外部接続部が各基板処理部について１つだけ設けられている構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えばＺ方向に複数の外部接続部を有する構成であっても構わない。この構成により、例えば基板カートリッジ１をＺ方向に反転させた状態で取り付けることが可能となる。
【０２０４】
また、上記実施形態においては、当該外部接続部はＺ方向に移動可能に設けられている構成であっても構わない。この場合、例えば基板カートリッジ１をＺ方向に反転させた状態で取り付ける際に外部接続部をＺ方向に移動させれば良いことになる。
【０２０５】
また、上記実施形態においては、開口部３４の開閉を行う際にシート基板ＦＢを挟みこむクランプ機構として、基板用案内部材２２ａ及び２２ｂを兼用させる構成としたが、これに限られることは無く、当該クランプ機構を基板用案内部材２２ａ及び２２ｂとは別に設ける構成としても構わない。
【符号の説明】
【０２０６】
ＦＢ…シート基板 ＰＢ…保護基板 ＳＹＳ、ＳＹＳ２…基板処理システム １…基板カートリッジ ２…カートリッジ本体 ３…マウント部 ４…ガス供給ポート ２０…収容部 ２１…搬送部 ２１ａ…テンションローラ ２１ｂ…測定ローラ ２１ｃ…検出部 ２２…基板案内部 ２２ａ、２２ｂ…基板用案内部材（クランプ機構）２３…突出部 ２４…基板駆動機構 ２５…蓋部 ２６…ローラ部 ２６ｃ…接着部 ２７…ガイド部 ２８…窓部 ２９…表示部 ３４…開口部 ３５…第２開口部 ３６…基板搬送部 ３７…基板案内部 ４１…供給口 ４２、４３…流路 ４４ａ、４４ｂ…ガス噴出口 ４５…押圧部材 ５０…有機ＥＬ素子 ５１…係合部 １００、２０２、３００、３１０、３２０…基板処理装置 １０２Ａ、３０２Ａ、３１１Ａ…供給側接続部 １０２Ｂ、３０２Ｂ、３１１Ｂ…回収側接続部 １０３、２２３、３１２…基板回収部 ２０１…基板製造装置 ２０３、３０３…中継装置 ２１１…基板製造部 ２１１Ａ、２２２Ａ…接続部 ２２２、３０２、３１１、３２１…基板処理部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板カートリッジ、基板処理装置、基板処理システム、制御装置及び表示素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ装置などの表示装置を構成する表示素子として、例えば有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子が知られている。有機ＥＬ素子は、基板上に陽極及び陰極を有すると共に、これら陽極と陰極との間に挟まれた有機発光層を有する構成となっている。有機ＥＬ素子は、陽極から有機発光層へ正孔を注入して有機発光層において正孔と電子とを結合させ、当該結合時の発光光によって表示光が得られるようになっている。有機ＥＬ素子は、基板上に例えば陽極及び陰極に接続される電気回路などが形成されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子を作製する手法の１つとして、例えばロール・トゥー・ロール方式（以下、単に「ロール方式」と表記する）と呼ばれる手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。ロール方式は、基板供給側のローラに巻かれた１枚のシート状の基板を送り出すと共に送り出された基板を基板回収側のローラで巻き取りながら基板を搬送し、基板が送り出されてから巻き取られるまでの間に、有機ＥＬ素子を構成する発光層や陽極、陰極、電気回路などを基板上に順次形成する手法である。
【０００４】
特許文献１に記載の構成では、例えば基板送り出し用のローラ及び基板巻き取り用のローラが製造ラインに対して取り外し可能な構成になっている。取り外したローラは、例えば別の製造ラインに搬送され、当該別の製造ラインに取り付けて用いられることができるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００６／１００８６８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の構成では、ローラに巻かれた基板が剥き出しの状態のまま製造ラインの外部環境下に置かれることになるため、埃などの異物が基板に付着する虞がある。
上記のような事情に鑑み、本発明は、基板に異物が付着するのを防ぐことができる基板カートリッジ、基板処理装置及び基板処理システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る基板カートリッジは、基板が出し入れされる開口部を有し、前記開口部を介した前記基板を収容するカートリッジ本体と、前記カートリッジ本体に設けられ、外部接続部に対して着脱可能に接続されるマウント部とを備え、前記開口部は、前記マウント部と前記外部接続部との間の接続状態に応じて、前記基板によって閉塞可能に設けられている。
【０００８】
本発明に係る基板処理装置は、基板を処理する基板処理部と、上記基板カートリッジと、前記基板処理部に設けられ、前記基板カートリッジに接続される基板処理側接続部とを備える。
【０００９】
本発明に係る基板処理システムは、基板に第１処理を行う第１処理装置と、前記第１処理後の前記基板に第２処理を行う第２処理装置と、前記第１処理装置から前記基板を回収し、回収した前記基板を前記第２処理装置へ供給する基板中継装置とを備え、前記基板中継装置として、上記の基板カートリッジを用いる。
【００１０】
本発明に係る制御装置は、基板を処理する基板処理装置、及び、前記基板処理装置に接続される上記基板カートリッジを制御する主制御部を備える。
【００１１】
本発明に係る表示素子の製造方法は、基板処理部において基板を処理する工程と、上記基板カートリッジを用いて前記基板処理部に前記基板を供給する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板に異物が付着するのを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成図。
【図２】本実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図。
【図３】本実施形態に係る基板処理部の構成を示す図。
【図４】本実施形態に係る液滴塗布装置の構成を示す図。
【図５】本実施形態に係る基板カートリッジの構成を示す斜視図。
【図６】本実施形態に係る基板カートリッジの構成を示す断面図。
【図７】本実施形態に係る基板カートリッジの断面を拡大して示す図。
【図８】本実施形態に係る基板カートリッジの一部の構成を示す側面図。
【図９】本実施形態に係る基板カートリッジの一部の構成を示す側面図。
【図１０】本実施形態に係る基板カートリッジの収容動作を示す図。
【図１１】本実施形態に係る基板カートリッジの収容動作を示す図。
【図１２】本実施形態に係る基板カートリッジの接続動作を示す図。
【図１３】本実施形態に係る基板カートリッジの接続動作を示す図。
【図１４】本実施形態に係る基板処理部の隔壁形成の工程を示す図。
【図１５】本実施形態に係るシート基板に形成される隔壁の形状及び配置を示す図。
【図１６】本実施形態に係るシート基板に形成される隔壁の断面図。
【図１７】本実施形態に係る液滴の塗布動作を示す図。
【図１８】本実施形態に係る隔壁間に形成される薄膜の構成を示す図。
【図１９】本実施形態に係るシート基板にゲート絶縁層を形成する工程を示す図。
【図２０】本実施形態に係るシート基板の配線を切断する工程を示す図。
【図２１】本実施形態に係るソースドレイン形成領域に薄膜を形成する工程を示す図。
【図２２】本実施形態に係る有機半導体層を形成する工程を示す図。
【図２３】本実施形態に係るアライメントの一例を示す図。
【図２４】本実施形態に係る基板カートリッジの取り外し動作を示す図。
【図２５】本発明の第２実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図。
【図２６】本発明の第３実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図。
【図２７】本実施形態に係るシート基板ＦＢの回収動作を説明する図。
【図２８】本実施形態に係るシート基板ＦＢの回収動作を説明する図。
【図２９】本実施形態に係るシート基板ＦＢの回収動作を説明する図。
【図３０】本実施形態に係る基板処理システムの他の構成を示す図。
【図３１】本発明の第４実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図。
【図３２】本発明の第５実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図。
【図３３】本発明の第６実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図。
【図３４】本発明の第７実施形態に係る基板処理装置のローラの構成を示す図。
【図３５】本実施形態に係る他の基板処理装置の閉塞部の構成を示す図。
【図３６】本実施形態に係る他の有機ＥＬ素子の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［第１実施形態］
以下、図面を参照して、本発明の第１実施形態を説明する。
（有機ＥＬ素子）
図１（ａ）は、有機ＥＬ素子の構成を示す平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるｂ−ｂ断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）におけるｃ−ｃ断面図である。
【００１５】
図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、有機ＥＬ素子５０は、シート基板ＦＢにゲート電極Ｇ及びゲート絶縁層Ｉが形成され、さらにソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐが形成された後、有機半導体層ＯＳが形成されたボトムコンタクト型である。
【００１６】
図１（ｂ）に示すように、ゲート電極Ｇ上にゲート絶縁層Ｉが形成されている。ゲート絶縁層Ｉ上にはソースバスラインＳＢＬのソース電極Ｓが形成されると共に、画素電極Ｐと接続したドレイン電極Ｄが形成されている。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間には有機半導体層ＯＳが形成されている。これで電界効果型トランジスタが完成することになる。また、画素電極Ｐの上には、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すように、発光層ＩＲが形成され、その発光層ＩＲには透明電極ＩＴＯが形成される。
【００１７】
図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示されるように、例えば、シート基板ＦＢには隔壁ＢＡ（バンク層）が形成されている。そして図１（ｃ）に示すようにソースバスラインＳＢＬが隔壁ＢＡ間に形成されている。このように、隔壁ＢＡが存在することにより、ソースバスラインＳＢＬが高精度に形成されると共に、画素電極Ｐ及び発光層ＩＲも正確に形成されている。なお、図１（ｂ）及び図１（ｃ）では示されていないが、ゲートバスラインＧＢＬもソースバスラインＳＢＬと同様に隔壁ＢＡ間に形成されている。
【００１８】
この有機ＥＬ素子５０は、例えばディスプレイ装置などの表示装置をはじめ、電子機器の表示部などにも好適に用いられる。この場合、例えば有機ＥＬ素子５０をパネル状に形成したものが用いられる。このような有機ＥＬ素子５０の製造においては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、画素電極が形成された基板を形成する必要がある。その基板上の画素電極上に発光層を含む１以上の有機化合物層（発光素子層）を精度良く形成するために、画素電極の境界領域に隔壁ＢＡ（バンク層）を容易に精度良く形成することが望ましい。
【００１９】
（基板処理装置）
図２は、可撓性を有するシート基板ＦＢを用いて処理を行う基板処理装置１００の構成を示す概略図である。
基板処理装置１００は、帯状のシート基板ＦＢを用いて図１に示す有機ＥＬ素子５０を形成する装置である。図２に示すように、基板処理装置１００は、基板供給部１０１、基板処理部１０２、基板回収部１０３及び制御部１０４を有している。シート基板ＦＢは、基板供給部１０１から基板処理部１０２を経て基板回収部１０３へと搬送されるようになっている。制御部１０４は、基板処理装置１００の動作を統括的に制御する。
【００２０】
以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内のうちシート基板ＦＢの搬送方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００２１】
シート基板ＦＢとしては、例えば耐熱性の樹脂フィルム、ステンレス鋼などを用いることができる。具体的には、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂、などの材料を用いることができる。シート基板ＦＢのＹ方向の寸法は例えば５０ｃｍ〜２ｍ程度に形成されており、Ｘ方向の寸法は例えば１０ｍ以上に形成されている。勿論、この寸法は一例に過ぎず、これに限られることは無い。例えばシート基板ＦＢのＹ方向の寸法が５０ｃｍ以下であっても構わないし、２ｍ以上であっても構わない。また、シート基板ＦＢのＸ方向の寸法が１０ｍ以下であっても構わない。なお、本実施形態における可撓性とは、例えば基板に少なくとも自重程度の所定の力を加えても線断や破断することがなく、該基板を撓めることが可能な性質をいう。また、上記可撓性は、該基板の材質、大きさ、厚さ、又は温度などの環境、等に応じて変わる。
【００２２】
シート基板ＦＢは、例えば２００℃程度の熱を受けても寸法が変わらないように熱膨張係数が小さい方が好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくすることができる。無機フィラーの例としては、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素などが挙げられる。
【００２３】
基板供給部１０１は、基板処理部１０２に設けられる供給側接続部１０２Ａに接続されている。基板供給部１０１は、例えばロール状に巻かれたシート基板ＦＢを基板処理部１０２へ供給する。基板回収部１０３は、基板処理部１０２において処理された後のシート基板ＦＢを回収する。
【００２４】
図３は、基板処理部１０２の構成を示す図である。
図３に示すように、基板処理部１０２は、搬送部１０５、素子形成部１０６、アライメント部１０７及び基板切断部１０８を有している。基板処理部１０２は、基板供給部１０１から供給されるシート基板ＦＢを搬送しつつ、当該シート基板ＦＢに上記の有機ＥＬ素子５０の各構成要素を形成し、有機ＥＬ素子５０が形成されたシート基板ＦＢを基板回収部１０３へと送り出す部分である。
【００２５】
搬送部１０５は、Ｘ方向に沿った位置に配置される複数のローラＲＲを有している。ローラＲＲが回転することによっても、シート基板ＦＢがＸ軸方向に搬送されるようになっている。ローラＲＲはシート基板ＦＢを両面から挟み込むゴムローラであってもよいし、シート基板ＦＢがパーフォレーションを有するものであればラチェット付きのローラＲＲであってもよい。複数のローラＲＲのうち一部のローラＲＲは搬送方向と直交するＹ軸方向に移動可能である。
【００２６】
素子形成部１０６は、隔壁形成部９１、電極形成部９２及び発光層形成部９３を有している。隔壁形成部９１、電極形成部９２及び発光層形成部９３は、シート基板ＦＢの搬送方向の上流側から下流側にかけて、隔壁形成部９１、電極形成部９２及び発光層形成部９３の順に配置されている。以下、素子形成部１０６の各構成を説明する。
【００２７】
隔壁形成部９１は、インプリントローラ１１０及び熱転写ローラ１１５を有している。隔壁形成部９１は、基板供給部１０１から送り出されたシート基板ＦＢに対して隔壁ＢＡを形成する。隔壁形成部９１では、インプリントローラ１１０でシート基板ＦＢを押圧するとともに、押圧した隔壁ＢＡが形状を保つように熱転写ローラ１１５でシート基板ＦＢをガラス転移点以上に熱する。このため、インプリントローラ１１０のローラ表面に形成された型形状がシート基板ＦＢに転写されるようになっている。シート基板ＦＢは、熱転写ローラ１１５によって例えば２００℃程度に加熱されるようになっている。
【００２８】
インプリントローラ１１０のローラ表面は鏡面仕上げされており、そのローラ表面にＳｉＣ、Ｔａなどの材料で構成された微細インプリント用モールド１１１が取り付けられている。微細インプリント用モールド１１１は、薄膜トランジスタの配線用のスタンパー及びカラーフィルタ用のスタンパーを形成している。
【００２９】
インプリントローラ１１０は、微細インプリント用モールド１１１を用いて、シート基板ＦＢにアライメントマークＡＭを形成する。シート基板ＦＢの幅方向であるＹ軸方向の両側にアライメントマークＡＭを形成するため、微細インプリント用モールド１１１は、アライメントマークＡＭ用のスタンパーを有している。
【００３０】
電極形成部９２は、隔壁形成部９１の＋Ｘ側に設けられており、例えば有機半導体を用いた薄膜トランジスタを形成する。具体的には、図１で示すようなゲート電極Ｇ、ゲート絶縁層Ｉ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐを形成した後、有機半導体層ＯＳを形成する。
【００３１】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としては、無機半導体系のものでも有機半導体を用いたものでも良い。無機半導体の薄膜トランジスタは、アモルファスシリコン系のものが知られているが、有機半導体を用いた薄膜トランジスタであってもよい。この有機半導体を用いて薄膜トランジスタを構成すれば、印刷技術や液滴塗布法技術を活用して薄膜トランジスタを形成できる。また、有機半導体を用いた薄膜トランジスタの内、図１で示したような電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）が特に好ましい。
【００３２】
電極形成部９２は、液滴塗布装置１２０や熱処理装置ＢＫ、切断装置１３０などを有している。
本実施形態では、液滴塗布装置１２０として、例えばゲート電極Ｇを形成する際に用いられる液滴塗布装置１２０Ｇ、ゲート絶縁層Ｉを形成する際に用いられる液滴塗布装置１２０Ｉ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐを形成する際に用いられる液滴塗布装置１２０ＳＤ、有機半導体ＯＳを形成する際に用いられる液滴塗布装置１２０ＯＳなどが用いられている。
【００３３】
図４は、液滴塗布装置１２０の構成を示す平面図である。図４では、液滴塗布装置１２０を＋Ｚ側から見たときの構成を示している。液滴塗布装置１２０は、Ｙ軸方向に長く形成されている。液滴塗布装置１２０には不図示の駆動装置が設けられている。液滴塗布装置１２０は、当該駆動装置により、例えばＸ方向、Ｙ方向及びθＺ方向に移動可能になっている。
【００３４】
液滴塗布装置１２０には、複数のノズル１２２が形成されている。ノズル１２２は、液滴塗布装置１２０のうちシート基板ＦＢとの対向面に設けられている。ノズル１２２は、例えばＹ軸方向に沿って配列されており、当該ノズル１２２の列（ノズル列）が例えば２列形成されている。制御部１０４は、全ノズル１２２に一括して液滴を塗布させることもできるし、各ノズル１２２について液滴を塗布させるタイミングを個別に調整することもできるようになっている。
【００３５】
液滴塗布装置１２０としては、例えばインクジェット方式やディスペンサー方式などを採用することができる。インクジェット方式としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。液滴塗布法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できる。なお、液滴塗布法により塗布されるメタルインクの一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３６】
図２に戻って、液滴塗布装置１２０Ｇは、ゲートバスラインＧＢＬの隔壁ＢＡ内にメタルインクを塗布する。液滴塗布装置１２０Ｉは、スイッチング部にポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂の電気絶縁性インクを塗布する。液滴塗布装置１２０ＳＤは、ソースバスラインＳＢＬの隔壁ＢＡ内及び画素電極Ｐの隔壁ＢＡ内にメタルインクを塗布する。液滴塗布装置１２０ＯＳは、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間のスイッチング部に有機半導体インクを塗布する。
【００３７】
メタルインクは、粒子径が約５ｎｍほどの導電体が室温の溶媒中で安定して分散をする液体であり、導電体として、カーボン、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）などが用いられる。有機半導体インクを形成する化合物は、単結晶材科でもアモルファス材料でもよく、低分子でも高分子でもよい。有機半導体インクを形成する化合物のうち特に好ましいものとしては、ペンタセンやトリフェニレン、アントラセン等に代表される縮環系芳香族炭化水素化合物の単結晶又はπ共役系高分子などが挙げられる。
【００３８】
熱処理装置ＢＫは、各液滴塗布装置１２０の＋Ｘ側（基板搬送方向下流側）にそれぞれ配置されている。熱処理装置ＢＫは、シート基板ＦＢに対して例えば熱風や遠赤外線などを放射可能になっている。熱処理装置ＢＫは、これらの放射熱を用いて、シート基板ＦＢに塗布された液滴を乾燥又は焼成（ベーキング）し硬化させる。
【００３９】
切断装置１３０は、液滴塗布装置１２０ＳＤの＋Ｘ側であって液滴塗布装置１２０ＯＳの上流側に設けられている。切断装置１３０は、例えばレーザ光などを用いて、液滴塗布装置１２０ＳＤによって形成されるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとを切断する。切断装置１３０は、不図示の光源と、当該光源からのレーザ光をシート基板ＦＢ上に照射させるガルバノミラー１３１とを有している。
【００４０】
レーザ光の種類としては、切断する金属膜に対し、吸収する波長のレーザが好ましく、波長変換レーザで、ＹＡＧなどの２，３，４倍高調波がよい。またパルス型レーザを用いることで熱拡散を防止し、切断部以外の損傷を低減することができる。材料がアルミの場合、７６０ｎｍ波長のフェムト秒レーザが好ましい。
【００４１】
本実施形態では、例えば光源としてチタンサファイアレーザを使ったフェムト秒レーザ照射部を用いている。当該フェムト秒レーザ照射部は、レーザ光ＬＬを例えば１０ＫＨｚから４０ＫＨｚのパルスで照射するようになっている。
【００４２】
本実施形態ではフェムト秒レーザを使用するため、サブミクロンオーダの加工が可能であり、電界効果型トランジスタの性能を決めるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄと間隔を正確に切断することができるようになっている。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄと間隔は、例えば３μｍ程度から３０μｍ程度である。
【００４３】
上述したフェムト秒レーザ以外にも、例えば炭酸ガスレーザ又はグリーンレーザなどを使用することも可能である。また、レーザ以外にもダイシングソーなどで機械的に切断する構成としてもよい。
【００４４】
ガルバノミラー１３１は、レーザ光ＬＬの光路に配置されている。ガルバノミラー１３１は、光源からのレーザ光ＬＬをシート基板ＦＢ上に反射させる。ガルバノミラー１３１は、例えばθＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向に回転可能に設けられている。ガルバノミラー１３１が回転することにより、レーザ光ＬＬの照射位置が変化するようになっている。
【００４５】
上記の隔壁形成部９１及び電極形成部９２の両方を用いることにより、いわゆるフォトリソグラフィ工程を使用しなくても、印刷技術や液滴塗布法技術を活用して薄膜トランジスタ等を形成できるようになっている。例えば印刷技術や液滴塗布法技術などが用いられる電極形成部９２のみを用いた場合、インクのにじみや広がりのため精度よく薄膜トランジスタ等ができない場合がある。
【００４６】
これに対して、隔壁形成部９１を用いることで隔壁ＢＡが形成されるため、インクのにじみや広がりが防止されるようになっている。また薄膜トランジスタの性能を決めるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隔は、レーザ加工又は機械加工により形成されるようになっている。
【００４７】
発光層形成部９３は、電極形成部９２の＋Ｘ側に配置されている。発光層形成部９３は、電極が形成されたシート基板ＦＢ上に、例えば有機ＥＬ装置の構成要素である発光層ＩＲや画素電極ＩＴＯなどを形成する。発光層形成部９３は、液滴塗布装置１４０及び熱処理装置ＢＫを有している。
【００４８】
発光層形成部９３で形成される発光層ＩＲは、ホスト化合物とリン光性化合物（リン光発光性化合物ともいう）が含有される。ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物である。リン光性化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温においてリン光発光する。
【００４９】
本実施形態では、液滴塗布装置１４０として、例えば赤色発光層を形成する液滴塗布装置１４０Ｒｅ、緑色発光層を形成する液滴塗布装置１４０Ｇｒ、青色発光層を形成する液滴塗布装置１４０Ｂｌ、絶縁層を形成する液滴塗布装置１４０Ｉ及び画素電極ＩＴＯを形成する液滴塗布装置１４０ＩＴなどが用いられている。
【００５０】
液滴塗布装置１４０としては、上記の液滴塗布装置１２０と同様、インクジェット方式又はディスペンサー方式を採用することができる。有機ＥＬ素子５０の構成要素として例えば正孔輸送層及び電子輸送層などを設ける場合には、これらの層を形成する装置（例えば、液滴塗布装置など）を別途設けるようにする。
【００５１】
液滴塗布装置１４０Ｒｅは、Ｒ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。液滴塗布装置１４０Ｒｅは、乾燥後の膜厚が１００ｎｍになるようにＲ溶液の吐出量が調整されるようになっている。Ｒ溶液としては、例えばホスト材のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に赤ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液が用いられる。
【００５２】
液滴塗布装置１４０Ｇｒは、Ｇ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。Ｇ溶液としては、例えばホスト材ＰＶＫに緑ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液が用いられる。
【００５３】
液滴塗布装置１４０Ｂｌは、Ｂ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。Ｂ溶液としては、例えばホスト材ＰＶＫに青ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液が用いられる。
【００５４】
液滴塗布装置１２０Ｉは、ゲートバスラインＧＢＬ又はソースバスラインＳＢＬの一部に電気絶縁性インクを塗布する。電気絶縁性インクとしては、例えばポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂のインクが用いられる。
【００５５】
液滴塗布装置１２０ＩＴは、赤色、緑色及び青色発光層の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）インクを塗布する。ＩＴＯインクとしては、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）に数％の酸化スズ（ＳｎＯ２）を添加した化合物などが用いられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。透明導電膜は、透過率が９０％以上であることが好ましい。
【００５６】
熱処理装置ＢＫは、各液滴塗布装置１４０の＋Ｘ側（基板搬送方向下流側）にそれぞれ配置されている。熱処理装置ＢＫは、電極形成部９２で用いられる熱処理装置ＢＫと同様、シート基板ＦＢに対して例えば熱風や遠赤外線などを放射可能になっている。熱処理装置ＢＫは、これらの放射熱を用いて、シート基板ＦＢに塗布された液滴を乾燥又は焼成（ベーキング）し硬化させる。
【００５７】
アライメント部１０７は、Ｘ方向に沿って設けられた複数のアライメントカメラＣＡ（ＣＡ１〜ＣＡ８）を有している。アライメントカメラＣＡは、可視光照明下でＣＣＤ又はＣＭＯＳで撮像し、その撮像画像を処理してアライメントマークＡＭの位置を検出してもよいし、レーザ光をアライメントマークＡＭに照射して、その散乱光を受光してもアライメントマークＡＭの位置を検出しても良い。
【００５８】
アライメントカメラＣＡ１は、熱転写ローラ１１５の＋Ｘ側に配置されている。アライメントカメラＣＡ１は、シート基板ＦＢ上に熱転写ローラ１１５によって形成されるアライメントマークＡＭの位置を検出する。アライメントカメラＣＡ２〜ＣＡ８は、それぞれ熱処理装置ＢＫの＋Ｘ側に配置されている。アライメントカメラＣＡ２〜ＣＡ８は、熱処理装置ＢＫを経たシート基板ＦＢのアライメントマークＡＭの位置を検出する。
【００５９】
熱転写ローラ１１５及び熱処理装置ＢＫを経ることにより、シート基板ＦＢがＸ軸方向及びＹ軸方向に伸縮したりする場合がある。このように熱処理を行う熱転写ローラ１１５の＋Ｘ側や、熱処理装置ＢＫの＋Ｘ側にアライメントカメラＣＡを配置することにより、熱変形などによるシート基板ＦＢの位置ずれを検出することができるようになっている。
【００６０】
アライメントカメラＣＡ１〜ＣＡ８による検出結果は、制御部１０４に送信されるようになっている。制御部１０４は、アライメントカメラＣＡ１〜ＣＡ８の検出結果に基づいて、例えば液滴塗布装置１２０や液滴塗布装置１４０のインクの塗布位置とタイミングの調整、基板供給部１０１からのシート基板ＦＢの供給速度やローラＲＲの搬送速度の調整、ローラＲＲによるＹ方向への移動の調整、切断装置１３０の切断位置やタイミングなどの調整が行われるようになっている。
【００６１】
（基板カートリッジ）
本実施形態では、基板供給部１０１及び基板回収部１０３として、基板カートリッジ１が用いられている。以下の説明においては、説明の便宜上、図２と共通のＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。以下のＸＹＺ直交座標系は、基板供給部１０１が基板処理部１０２に接続されている状態において基板カートリッジ１が当該基板供給部１０１として用いられる場合を例に挙げて説明する。
【００６２】
図５は、基板カートリッジ１の構成を示す斜視図である。また、図６は、図５におけるＡ−Ａ´断面に沿った構成を示す図である。図５及び図６に示すように、基板カートリッジ１は、カートリッジ本体２及びマウント部３を有している。
【００６３】
カートリッジ本体２は、シート基板ＦＢを収容する部分である。カートリッジ本体２は、収容部２０、搬送部（搬送機構）２１、基板案内部２２、第２基板搬送部３６及び第２基板案内部３７を有している。また、上記のマウント部３は、カートリッジ本体２に設けられている。また、例えば、カートリッジ本体２は、アルミニウム製又はジュラルミン製、等である。
【００６４】
収容部２０は、シート基板ＦＢを収容する部分である。収容部２０は、例えばロール状に巻き取られたシート基板ＦＢを収容できるように円筒状に形成されており、一部が＋Ｘ側に突出するように設けられている（突出部２３）。本実施形態では、図中Ｙ方向に延在する状態で配置されている。収容部２０は、蓋部２５及び基板駆動機構２４を有している。
【００６５】
蓋部２５は、収容部２０の＋Ｙ側端部あるいは−Ｙ側端部に設けられている。蓋部２５は収容部２０に対して着脱可能に設けられている。蓋部２５を収容部２０に対して着脱させることにより、収容部２０の内部に直接アクセスできるようになっている。蓋部２５の開閉機構としては、例えば蓋部２５及び収容部２０に互いに係合するネジ山が設けられている構成であっても構わないし、蓋部２５と収容部２０とをヒンジ機構によって接続する構成としても構わない。蓋部２５は、窓部２８及び表示部２９を有している。
【００６６】
窓部２８は、例えば可視光を透過可能な材料、例えばガラスやプラスチックなどによって形成されている。窓部２８を介して、収容部２０の内部が観察可能になっている。表示部２９は、シート基板ＦＢの状態などの情報を表示させる部分である。表示部２９には、例えば、収容部２０に収容されているシート基板ＦＢの長さ寸法やシート基板ＦＢの残長などが表示されるようになっている。
【００６７】
基板駆動機構２４は、シート基板ＦＢを巻き取る動作及びシート基板ＦＢを送り出す動作を行う部分である。基板駆動機構２４は、収容部２０の内部に設けられている。基板駆動機構２４は、ローラ部（軸部）２６及びガイド部２７を有している。ローラ部２６は、図６に示すように、回転軸部材２６ａ、拡径部２６ｂ及び接着部２６ｃを有している。
【００６８】
回転軸部材２６ａは、例えばアルミなどの剛性の高い金属によって形成された円柱状部材である。回転軸部材２６ａは、例えば蓋部２５の中央部に設けられた開口部２５ａ及びベアリング部材２５ｂを介して回転可能に支持されている。この場合、回転軸部材２６ａの中心軸は例えばＹ方向に平行な状態となり、回転軸部材２６ａはθＹ方向に回転することになる。
【００６９】
回転軸部材２６ａは、不図示の回転駆動機構に接続されている。回転駆動機構の駆動制御により、回転軸部材２６ａが中心軸を中心として回転するようになっている。回転駆動機構は、図６に示すように、回転軸部材２６ａを例えば＋θＹ方向及び−θＹ方向のいずれの方向にも回転させることができるようになっている。
【００７０】
拡径部２６ｂは、回転軸部材２６ａの表面に均一な厚さで形成されている。拡径部２６ｂは、回転軸部材２６ａと一体的に回転するように形成されている。接着部２６ｃは、断面視で拡径部２６ｂの表面に均一な厚さで形成されている。接着部２６ｃは、シート基板ＦＢを接着させる程度の粘着性を有する材料を用いて形成されている。
【００７１】
ガイド部２７は、回動部材（第１案内部材）２７ａ及び先端部材（第１案内部材）２７ｂを有している。回動部材２７ａは、例えば一端が軸部２７ｃを介して収容部２０に取り付けられており、当該軸部２７ｃを中心にθＹ方向に回動可能に設けられている。回動部材２７ａは、不図示の回転駆動機構に接続されている。
【００７２】
先端部材２７ｂは、断面視において回動部材２７ａの他端に接続されている。例えば、先端部材２７ｂは、断面視で円弧状の曲面を有するように形成されている。シート基板ＦＢは、先端部材２７ｂに設けられた当該断面視円弧状の＋Ｚ側の曲面を介してローラ部２６へと案内されるようになっている。先端部材２７ｂは、回動部材２７ａと一体的に回動するようになっている。例えば回動部材２７ａがローラ部２６から遠ざかる方向（ローラ部２６の径方向の外側方向）に回動する場合、収容部２０の内周に沿って当接するようになっている。このため、先端部材２７ｂとローラ部２６に巻き取られたシート基板ＦＢとの間の接触が回避されるようになっている。
【００７３】
マウント部３は、基板処理部１０２に接続される部分である。マウント部３は、例えば収容部２０に設けられる突出部２３の＋Ｘ側端部に設けられている。マウント部３は、基板処理部１０２との接続のための挿入部３ａを有している。基板カートリッジ１が基板供給部１０１として用いられる場合、マウント部３は基板処理部１０２の供給側接続部１０２Ａに接続される。基板カートリッジ１が基板回収部１０３として用いられる場合、マウント部３は基板処理部１０２の回収側接続部１０２Ｂに接続される。マウント部３は、基板処理部１０２の基板供給部１０１及び基板回収部１０３のいずれに接続される場合においても、着脱可能に接続されるようになっている。
【００７４】
マウント部３には、開口部３４及び第２開口部３５が設けられている。開口部３４は、＋Ｚ側に設けられた開口部であり、カートリッジ本体２との間でシート基板ＦＢが出し入れされる部分である。カートリッジ本体２には、当該開口部３４を介したシート基板ＦＢが収容されるようになっている。カートリッジ本体２に収容されるシート基板ＦＢは、当該開口部３４を介してカートリッジ本体２外部に送り出されるようになっている。
【００７５】
第２開口部３５は、−Ｚ側に設けられた開口部であり、カートリッジ本体２との間でシート基板ＦＢとは異なる帯状の第２基板ＳＢが出し入れされる部分である。このような第２基板ＳＢとしては、例えばシート基板ＦＢの素子形成面を保護する保護基板などが挙げられる。保護基板としては、例えば合紙などを用いることができる。第２開口部３５は、例えば開口部３４に対して間隔を空けて配置されている。第２開口部３５は、例えば開口部３４と同一の寸法及び形状に形成されている。また、本実施形態における第２基板ＳＢとしては、ステンレス鋼の薄板（例、厚さが０．１ｍｍ以下等）などの導電性を有する材質を用いてもよい。この場合、第２基板ＳＢがカートリッジ本体２にシート基板ＦＢとともに収容された際に、第２基板ＳＢがカートリッジ本体２に電気的に接続されるようにすると、シート基板ＦＢの帯電防止ができる。
【００７６】
突出部２３の＋Ｘ側端部には、ガス供給ポート（切替機構）４が設けられている。ガス供給ポート４は、外部のガス供給源に接続される供給口４１が設けられている。ガス供給ポート４は、例えばＹ方向の中央部に設けられている。図５ではガス供給ポート４が１つのみ設けられた構成となっているが、複数設けられている構成であっても構わない。
【００７７】
搬送部２１、基板案内部２２、第２基板搬送部３６及び第２基板案内部３７は、例えば突出部２３の内部に設けられている。図７は、図６における突出部２３周辺の構成を拡大して示す断面図である。図７においては、図示を判別しやすくするため、一部の構成を省略して示している。
【００７８】
基板案内部２２は、開口部３４と搬送部２１との間に設けられている。基板案内部２２は、開口部３４と搬送部２１との間でシート基板ＦＢを案内する部分である。基板案内部２２は、基板用案内部材２２ａ及び２２ｂを有している。基板用案内部材２２ａ及び２２ｂは、Ｚ方向に隙間２２ｃを空けるように対向配置されており、対向面がそれぞれＸＹ平面にほぼ平行となるように設けられている。当該隙間２２ｃは開口部３４に接続されており、シート基板ＦＢは開口部３４及び隙間２２ｃを移動するようになっている。
【００７９】
第２基板案内部３７は、マウント部３と搬送部２１との間で第２基板ＳＢを案内する部分である。第２基板案内部３７は、第２基板用案内部材３７ａ、３７ｂ及び３７ｃを有している。第２基板用案内部材３７ａ及び３７ｂは、Ｚ方向に隙間３７ｄを空けるように対向配置されており、対向面がそれぞれＸＹ平面にほぼ平行となるように設けられている。第２基板用案内部材３７ｃは、第２基板ＳＢが＋Ｚ側へ案内されるように傾いて配置されている。具体的には、第２基板用案内部材３７ｃの−Ｘ側端部が＋Ｘ側端部に対して＋Ｚ側に傾いた状態で配置されている。
【００８０】
第２基板搬送部３６は、マウント部３と搬送部２１との間で第２基板ＳＢを搬送する。第２基板搬送部３６は、第２基板用案内部材３７ａ及び３７ｂと、第２基板用案内部材３７ｃとの間に配置されている。第２基板搬送部３６は、主動ローラ３６ａ及び従動ローラ３６ｂを有している。主動ローラ３６ａは、例えばθＹ方向に回転可能に設けられており、不図示の回転駆動機構に接続されている。従動ローラ３６ｂは、主動ローラ３６ａとの間で第２基板ＳＢが挟持されるように主動ローラ３６ａとの間に隙間を空けて配置されている。
【００８１】
搬送部２１は、マウント部３と収容部２０との間でシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢを搬送する。搬送部２１は、テンションローラ（テンション機構）２１ａ及び測定ローラ（測定部）２１ｂを有している。テンションローラ２１ａは、ローラ部２６との間でシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢに張力を与えるローラである。テンションローラ２１ａは、θＹ方向に回転可能に設けられている。テンションローラ２１ａには、例えば不図示の回転駆動機構が接続されている。なお、テンションローラ２１ａ及び測定ローラ２１ｂは、図７におけるＺ方向にそれぞれ移動可能に設けられてもよい。
【００８２】
測定ローラ２１ｂは、テンションローラ２１ａよりも小さい径を有するローラである。測定ローラ２１ｂは、テンションローラ２１ａとの間でシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢを挟持できるようにテンションローラ２１ａとの間に所定の隙間を空けて配置されている。シート基板ＦＢのみを挟持する場合とシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢを併せて挟持するように、測定ローラ２１ｂとテンションローラ２１ａとの間の隙間の大きさを調整可能とする構成であっても構わない。測定ローラ２１ｂは、テンションローラ２１ａの回転に伴って回転する従動ローラである。
【００８３】
テンションローラ２１ａと測定ローラ２１ｂとの間でシート基板ＦＢを挟んだ状態でテンションローラ２１ａを回転させることにより、シート基板ＦＢに張力を与えつつ、当該シート基板ＦＢの巻き取り方向及び送り出し方向にそれぞれシート基板ＦＢを搬送可能になっている。
【００８４】
搬送部２１は、例えば測定ローラ２１ｂの回転数や回転角度を検出する検出部２１ｃを有している。当該検出部２１ｃとしては、例えばエンコーダなどが用いられる。当該検出部２１ｃにより、例えば測定ローラ２１ｂを介したシート基板ＦＢの搬送距離などを計測することができるようになっている。
【００８５】
カートリッジ本体２には、情報処理部ＩＣが設けられている（図５参照）。情報処理部ＩＣは、例えばＩＣチップなどから構成されており、例えばカートリッジ本体２に埋め込まれている。情報処理部ＩＣには、基板処理装置１００及び基板カートリッジ１の処理情報を記憶する記憶部ＭＲや、例えば制御部１０４との間で処理情報を通信する通信部ＣＲなどが設けられている。
【００８６】
これらの処理情報としては、例えば基板処理装置１００のタクト、スループットといった情報や、基板カートリッジ１の搬送速度、ローラ部２６の巻き取り・送り出し速度といった情報、シート基板ＦＢに関する情報などが挙げられる。「タクト」については、単位処理領域（例えば上記の液滴塗布装置１２０、１４０などが１度に処理できる領域、又は有機ＥＬ素子５０のパネル１枚あたりの画面領域、パネル全面領域）あたりの処理時間を指す。「スループット」については、単位時間あたりに処理可能なシート基板ＦＢの分量（例えば長さ、パネル枚数、基板カートリッジ１の個数など）を指す。
【００８７】
例えば開口部３４を介してシート基板ＦＢが挿入され、第２開口部３５を介して第２基板ＳＢが挿入される場合、シート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢは、それぞれ基板案内部２２及び第２基板案内部３７で案内されることにより、合流部３９において合流するようになっている。合流部３９で合流したシート基板ＦＢ及び第２基板ＳＢは、合流した状態で搬送部２１によって搬送される。このとき、搬送部２１は、シート基板ＦＢと第２基板ＳＢとを押圧して密着させる。このため、搬送部２１は、第２基板ＳＢをシート基板ＦＢへ押圧する押圧機構を兼ねることになる。
【００８８】
図８及び図９は、突出部２３の＋Ｘ側端部の構成を拡大して示す図であり、ガス供給ポート４に接続される流路機構を示す図である。
図８及び図９に示すように、ガス供給ポート４の供給口４１は、突出部２３の内部に形成された流路４２に接続されている。当該流路４２は、第１流路４２ａ及び第２流路４２ｂに分岐されている。基板用案内部材２２ａは内部に流路４３ａが形成されており、第１流路４２ａは接続部４２ｃを介して当該流路４３ａに接続されている。基板用案内部材２２ａの−Ｚ側の面には複数のガス噴出口４４ａが形成されており、流路４３ａはこれらのガス噴出口４４ａにそれぞれ接続されている。このように、基板用案内部材２２ａは、−Ｚ側の面からガスを噴出するエアパッド状に形成されている。
【００８９】
一方、図８及び図９に示すように、基板用案内部材２２ｂの内部にも流路４３ｂが形成されている。第２流路４２ｂは接続部４２ｄを介して当該流路４３ｂに接続されている。基板用案内部材２２ｂの＋Ｚ側の面には複数のガス噴出口４４ｂが形成されており、流路４３ｂはこれらのガス噴出口４４ｂにそれぞれ接続されている。このように、基板用案内部材２２ｂは、＋Ｚ側の面からガスを噴出するエアパッド状に形成されている。
【００９０】
基板用案内部材２２ｂの−Ｚ側の面には、シール部材４７の一端部が接続されている。シール部材４７の他端部は、例えばマウント部３の−Ｚ側の面に接続されている。シール部材４７により、基板用案内部材２２ｂと開口部３４との間が封止された状態になっている。基板用案内部材２２ｂの−Ｚ側の面は押圧機構４５によって押圧されている。押圧機構４５の−Ｚ側の端部は、例えば突出部２３の内面に支持された支持部４６に固定されている。
【００９１】
図８に示すように、ガス供給ポート４の供給口４１にガス供給源が接続されていない状態においては、流路機構にはガスが流れず、基板用案内部材２２ａ及び基板用案内部材２２ｂからはガスが噴射しないため、基板用案内部材２２ｂは押圧機構４５によって＋Ｚ側に押圧され、基板用案内部材２２ａとの間で協働してシート基板ＦＢを挟みこむようになっている。
【００９２】
これに対して、図９に示すように、例えば外部のガス供給部ＧＳを供給口４１に差し込んでガスを供給することにより、基板用案内部材２２ａ側については当該ガスが流路４２、流路４２ａ、接続部４２ｃ及び流路４３ａを介してガス噴出口４４ａから−Ｚ方向に噴射されるようになっている。また、基板用案内部材２２ｂ側については、当該ガスが流路４２から流路４２ｂ、接続部４２ｄ及び流路４３ｂを介してガス噴出口４４ｂから＋Ｚ方向に噴射されるようになっている。
【００９３】
シート基板ＦＢを挟んだＺ方向の両側からガスが噴射されることにより、シート基板ＦＢとガス噴出口４４ａとの間、シート基板ＦＢとガス噴出口４４ｂとの間に、それぞれガス層（エアベアリング）が形成されるようになっている。シート基板ＦＢの＋Ｚ側の面及び−Ｚ側の面にガス層を形成することで基板用案内部材２２ａは＋Ｚ側に移動し、基板用案内部材２２ｂは−Ｚ側に移動するようになっており、基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとで挟持された状態からシート基板ＦＢを解放させることができるようになっている。
また、例えば、基板用案内部材２２ａ及び基板用案内部材２２bから噴射させるガスは、イオナイザーを通した気体とすることで、シート基板ＦＢの帯電を防止する又は除電することができる。
【００９４】
（基板カートリッジへのシート基板の収容動作）
次に、上記のように構成された基板カートリッジ１にシート基板ＦＢを収容する収容動作を説明する。図１０及び図１１は、収容動作時の基板カートリッジ１の状態を示す図である。図１０及び図１１においては、図を判別しやすくするため、基板カートリッジ１の外形を破線で示している。
【００９５】
図１０及び図１１に示すように、基板カートリッジ１にシート基板ＦＢを収容する際には、基板カートリッジ１をホルダＨＤに保持した状態とする。その後、例えばガス供給ポート４の供給口４１からガスを供給し、基板用案内部材２２ａ及び２２ｂからガスを噴射させる。ガスの噴射により、基板用案内部材２２ａ及び２２ｂは、押圧機構４５によって閉ざされた状態から互いの噴射による作用を受け、基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間が広がる。この状態で、シート基板ＦＢを開口部３４から挿入する。シート基板ＦＢを挿入する際には、テンションローラ２１ａ及び回転軸部材２６ａ（ローラ部２６）を回転させた状態としておく。
【００９６】
開口部３４を介して挿入されたシート基板ＦＢは、＋Ｚ側及び−Ｚ側の両側からガスの噴射を受け、それぞれの面にガス層が形成される。シート基板ＦＢは、このガス層の間を滑るように基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間を移動する。搬送部２１では、シート基板ＦＢがテンションローラ２１ａと測定ローラ２１ｂとの間に挟まれて収容部２０側へ搬送される。測定ローラ２１ｂの回転と共に、例えば検出部２１ｃにおいて、シート基板ＦＢの搬送長さを検出する。
【００９７】
搬送部２１を収容部２０側に通過したシート基板ＦＢは、図１０に示すように、自重によって−Ｚ方向に撓みながら案内される。本実施形態では、シート基板ＦＢの−Ｚ側にガイド部２７が設けられているため、シート基板ＦＢはガイド部２７の回動部材２７ａ及び先端部材２７ｂに沿ってローラ部２６へと案内されることになる。
【００９８】
シート基板ＦＢの先端がローラ部２６の接着部２６ｃに到達すると、当該シート基板ＦＢの先端と接着部２６ｃとが接着される。この状態でローラ部２６が回転すると、シート基板ＦＢが徐々に接着部２６ｃに接着され、シート基板ＦＢがローラ部２６に巻き取られていく。シート基板ＦＢが接着部２６ｃに接着された後は、ローラ部２６と搬送部２１との間でシート基板ＦＢが撓まないように、例えばテンションローラ２１ａの回転速度と回転軸部材２６ａの回転速度とを調整しながらシート基板ＦＢを搬送する。
【００９９】
シート基板ＦＢがローラ部２６に対して例えば１回転分巻き取られた後、図１１に示すように、ガイド部２７を退避させる。この状態でローラ部２６を回転させることにより、シート基板ＦＢが徐々にローラ部２６に巻き取られていく。巻き取られたシート基板ＦＢの厚さは次第に厚くなっていくが、ガイド部２７が既に退避されているため、シート基板ＦＢとガイド部２７とが接触することは無い。
【０１００】
所望の長さのシート基板ＦＢを巻き取った後、例えばシート基板ＦＢのうち開口部３４の外側の部分を切断し、供給口４１へのガスの供給を停止させ、基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間をシート基板ＦＢを挟んで閉じた状態にする。このようにして、基板カートリッジ１にシート基板ＦＢを収容する。シート基板ＦＢの収容動作中、検出部２１ｃにおいて測定したシート基板ＦＢの測定長さを基に、例えば基板カートリッジ１内に収容されているシート基板ＦＢの全長を算出させても構わない。また、算出結果を表示部２９に表示させるようにしても構わないし、記憶部ＭＲに記憶させたり、通信部ＣＲを用いて通信させたりしても構わない。
【０１０１】
また、例えば作業者が窓部２８から収容部２０の内部を観察しながらシート基板ＦＢの巻き取りを行っても構わない。この場合、例えばシート基板ＦＢが折れ曲がった状態で巻き取られているか否か、シート基板ＦＢの巻き取られた形状（ロール形状）が歪んだ状態となっているか否かを確認しながら巻き取り作業を行わせることができ、異常が発生した場合には即座に巻き取りを停止させることができる。
【０１０２】
（基板処理装置の動作）
次に、上記のように構成された基板処理装置１００の動作を説明する。
本実施形態では、シート基板ＦＢを収容した基板カートリッジ１を基板供給部１０１として供給側接続部１０２Ａに接続する接続動作、基板供給部１０１による基板カートリッジ１によるシート基板ＦＢの供給動作、基板処理部１０２による素子形成動作、基板カートリッジ１の取り外し動作、を順に行う。
【０１０３】
まず、基板カートリッジ１の接続動作を説明する。図１２は、基板カートリッジ１の接続動作を示す図である。
図１２に示すように、供給側接続部１０２Ａについては、マウント部３に対応する形状に挿入口を形成しておくと共に、ガス供給ポート４の供給口４１に挿入される位置にガス供給部ＧＳを形成しておく。
【０１０４】
接続動作では、基板カートリッジ１をホルダ（例えば図１０に示すホルダＨＤと同様の構成）に保持させた状態で、マウント部３と供給側接続部１０２Ａとの位置合わせを行う。位置合わせの後、マウント部３を＋Ｘ側へ移動させて基板処理部１０２に挿入する。このとき、ガス供給ポート４の供給口４１にガス供給部ＧＳが差し込まれることになる。このため、マウント部３が基板処理部１０２に接続される際には、基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間が開いた状態となる。
【０１０５】
次に、供給動作を説明する。基板処理部１０２にシート基板ＦＢを供給する際には、例えば基板カートリッジ１の回転軸部材２６ａ（ローラ部２６）及びテンションローラ２１ａを収容動作のときとは逆向きに回転させ、図１３に示すように、開口部３４を介してシート基板ＦＢを送り出すようにする。
【０１０６】
次に、素子形成動作を説明する。素子形成動作では、図２に示すように、基板供給部１０１から基板処理部１０２に対してシート基板ＦＢを供給しつつ、基板処理部１０２において当該シート基板ＦＢ上に素子を形成していく。基板処理部１０２では、図３に示すように、ローラＲＲによってシート基板ＦＢを搬送する。
【０１０７】
制御部１０４は、例えば基板カートリッジ１との間で処理情報の通信を行い、当該処理情報に基づいて基板処理部１０２の動作を制御するようにしても構わない。具体的には、基板カートリッジ１からのシート基板ＦＢの供給速度に合わせて、基板処理部１０２内の各ローラＲＲの回転速度を調整することなどが挙げられる。また、制御部１０４は、ローラＲＲがＹ軸方向にずれているか否かを検出し、ずれている場合にはローラＲＲを移動させて位置を補正する。また、制御部１０４は、シート基板ＦＢの位置補正を併せて行わせる。
【０１０８】
基板供給部１０１から基板処理部１０２に供給されたシート基板ＦＢは、まず隔壁形成部９１に搬送される。隔壁形成部９１では、シート基板ＦＢがインプリントローラ１１０と熱転写ローラ１１５で挟まれて押圧され、熱転写によってシート基板に隔壁ＢＡ及びアライメントマークＡＭが形成される。
【０１０９】
図１４は、シート基板ＦＢに隔壁ＢＡ及びアライメントマークＡＭが形成された状態を示す図である。図１５は、図１４の一部を拡大して示した図である。図１６は、図１５におけるＤ−Ｄ断面に沿った構成を示す図である。図１４及び図１５は、シート基板ＦＢを＋Ｚ側から見たときの様子を示している。
【０１１０】
図１４に示すように、隔壁ＢＡは、シート基板ＦＢのＹ方向中央部の素子形成領域６０に形成される。図１５に示すように、隔壁ＢＡを形成することにより、素子形成領域６０には、ゲートバスラインＧＢＬ及びゲート電極Ｇを形成する領域（ゲート形成領域５２）とソースバスラインＳＢＬ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び陽極Ｐを形成する領域（ソースドレイン形成領域５３）とが区画されることになる。図１６に示すように、ゲート形成領域５２は、断面視で台形状に形成されている。図示を省略するが、ソースドレイン形成領域５３についても同様の形状となっている。隔壁ＢＡ内の幅Ｗ（μｍ）は、ゲートバスラインＧＢＬの線幅となる。この幅Ｗとしては、液滴塗布装置１２０Ｇから塗布される液滴直径ｄ（μｍ）に対して２倍〜４倍程度とすることが好ましい。
【０１１１】
なお、ゲート形成領域５２及びソースドレイン形成領域５３の断面形状は、微細インプリント用モールド１１がシート基板ＦＢを押圧した後にシート基板ＦＢが剥離しやすいように、断面視でＶ字形状又はＵ字形状とすること好ましい。この他の形状として、例えば断面視で矩形形状としても構わない。
【０１１２】
一方、図１４に示すように、アライメントマークＡＭは、シート基板ＦＢのＹ方向両端部の縁領域６１に一対形成される。隔壁ＢＡ及びアライメントマークＡＭは、相互の位置関係が重要であるため同時に形成される。図１５に示すように、Ｙ軸方向には、アライメントマークＡＭとゲート形成領域５２との間の所定距離ＰＹが規定されており、Ｘ軸方向には、アライメントマークＡＭとソースドレイン形成領域５３との間の所定距離ＰＸが規定されている。このため、一対のアライメントマークＡＭの位置に基づいて、シート基板ＦＢのＸ軸方向のずれ、Ｙ軸方向のずれ及びθ回転が検出可能となる。
【０１１３】
図１４及び図１５では、アライメントマークＡＭが、Ｘ軸方向の複数行の隔壁ＢＡごとに一対設けられているが、これに限られることは無く、例えば隔壁ＢＡ１行ごとにアライメントマークＡＭを設けるようにしても良い。また、スペースがあれば、シート基板ＦＢの縁領域６１だけでなく素子形成領域６０にアライメントマークＡＭを設けても良い。また、図１４及び図１５では、アライメントマークＡＭは十字形状を示したが、円形マーク、斜めの直線マークなど他のマーク形状であってもよい。
【０１１４】
続いてシート基板ＦＢは、搬送ローラＲＲによって電極形成部９２に搬送される。電極形成部９２では、各液滴塗布装置１２０による液滴の塗布が行われ、シート基板ＦＢ上に電極が形成される。
【０１１５】
シート基板ＦＢ上には、まず液滴塗布装置１２０ＧによってゲートバスラインＧＢＬ及びゲート電極Ｇが形成される。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、液滴塗布装置１２０Ｇによって液滴塗布が行われるシート基板ＦＢの様子を示す図である。
【０１１６】
図１７（ａ）に示すように、液滴塗布装置１２０Ｇは、隔壁ＢＡが形成されたシート基板ＦＢのゲート形成領域５２に例えば１〜９の順序でメタルインクを塗布する。この順序は、例えばメタルインク同士の張力で直線状に塗布される順序である。図１７（ｂ）は、例えば１滴のメタルインクが塗布された状態を示す図である。図１７（ｂ）に示すように、隔壁ＢＡが設けられているため、ゲート形成領域５２に塗布されたメタルインクは拡散せずに保持されることになる。このようにして、ゲート形成領域５２の全体にメタルインクを塗布する。
【０１１７】
ゲート形成領域５２にメタルインクが塗布された後、シート基板ＦＢは当該メタルインクの塗布された部分が熱処理装置ＢＫの−Ｚ側に位置するように搬送される。熱処理装置ＢＫは、シート基板ＦＢ上に塗布されたメタルインクに熱処理を行い、当該メタルインク乾燥させる。図１８（ａ）は、メタルインクを乾燥させた後のゲート形成領域５２の状態を示す図である。図１８（ａ）に示すように、メタルインクを乾燥させることにより、メタルインクに含まれる導電体が薄膜状に積層されることになる。このような薄膜状の導電体がゲート形成領域５２の全体に形成され、図１８（ｂ）に示すように、シート基板ＦＢ上にゲートバスラインＧＢＬ及びゲート電極Ｇが形成されることになる。
【０１１８】
次に、シート基板ＦＢは、液滴塗布装置１２０Ｉの−Ｚ側に搬送される。液滴塗布装置１２０Ｉではシート基板ＦＢに電気絶縁性インクが塗布される。液滴塗布装置１２０Ｉでは、例えば図１９に示すように、ソースドレイン形成領域５３を通過するゲートバスラインＧＢＬ上及びゲート電極Ｇ上に電気絶縁性インクが塗布される。
【０１１９】
電気絶縁性インクが塗布された後、シート基板ＦＢは熱処理装置ＢＫの−Ｚ側に搬送され、熱処理装置ＢＫによって当該電気絶縁性インクに熱処理が施される。この熱処理によって電気絶縁性インクが乾燥し、ゲート絶縁層Ｉが形成される。図１９では、ゲート絶縁層Ｉが隔壁ＢＡ上に跨るように円形状に形成された状態を示しているが、特に隔壁ＢＡを越えて形成する必要は無い。
【０１２０】
ゲート絶縁層Ｉが形成された後、シート基板ＦＢは液滴塗布装置１２０ＳＤの−Ｚ側に搬送される。液滴塗布装置１２０ＳＤでは、シート基板ＦＢのソースドレイン形成領域５３にメタルインクが塗布される。ソースドレイン形成領域５３のうちゲート絶縁層Ｉを跨ぐ部分については、例えば図２０に示す１〜９の順序でメタルインクが吐出される。
【０１２１】
メタルインクの吐出後、シート基板ＦＢは熱処理装置ＢＫの−Ｚ側に搬送され、メタルインクの乾燥処理が行われる。当該乾燥処理後、メタルインクに含まれる導電体が薄膜状に積層され、ソースバスラインＳＢＬ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び陽極Ｐが形成される。ただし、この段階では、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間が接続された状態になっている。
【０１２２】
次に、シート基板ＦＢは、切断装置１３０の−Ｚ側に搬送される。シート基板ＦＢは、切断装置１３０において、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間が切断される。図２１は、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隔を切断装置１３０で切断した状態を示す図である。切断装置１３０では、ガルバノミラー１３１を用いてレーザ光ＬＬのシート基板ＦＢへの照射位置を調整しながら切断を行う。
【０１２３】
ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間が切断された後、シート基板ＦＢは、液滴塗布装置１２０ＯＳの−Ｚ側に搬送される。液滴塗布装置ＯＳでは、シート基板ＦＢ上に有機半導体層ＯＳが形成される。シート基板ＦＢ上のうちゲート電極Ｇに重なる領域には、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに跨るように有機半導体インクが吐出される。
【０１２４】
有機半導体インクの吐出後、シート基板ＦＢは熱処理装置ＢＫの−Ｚ側に搬送され、有機半導体インクの乾燥処理が行われる。当該乾燥処理後、有機半導体インクに含まれる半導体が薄膜状に積層され、図２２に示すように、有機半導体ＯＳが形成される。以上の工程により、シート基板ＦＢ上に電界効果型トランジスタ及び接続配線が形成されることになる。
【０１２５】
続いてシート基板ＦＢは、搬送ローラＲＲによって発光層形成部９３に搬送される（図３参照）。発光層形成部９３では、液滴塗布装置１４０Ｒｅ、液滴塗布装置１４０Ｇｒ、液滴塗布装置１４０Ｂｌ及び熱処理装置ＢＫによって赤色、緑色、青色の発光層ＩＲがそれぞれ形成される。シート基板ＦＢ上には隔壁ＢＡが形成されているため、赤色、緑色及び青色の発光層ＩＲを熱処理装置ＢＫで熱処理することなく続けて塗布する場合であっても、隣接する画素領域へ溶液が溢れることにより、混色が生じることがない。
【０１２６】
発光層ＩＲの形成後、シート基板ＦＢは液滴塗布装置１４０Ｉ及び熱処理装置ＢＫを経て絶縁層Ｉが形成され、液滴塗布装置１４０ＩＴ及び熱処理装置ＢＫを経て透明電極ＩＴが形成される。このような工程を経て、シート基板ＦＢ上には図１で示した有機ＥＬ素子５０が形成される。
【０１２７】
素子形成動作では、上記のようにシート基板ＦＢを搬送させながら有機ＥＬ素子５０を形成する過程で、シート基板ＦＢがＸ方向、Ｙ方向及びθＺ方向にずれてしまうのを防ぐため、アライメント動作を行っている。以下、図２３を参照して、アライメント動作を説明する。
【０１２８】
アライメント動作においては、各部に設けられた複数のアライメントカメラＣＡ（ＣＡ１〜ＣＡ８）が適宜シート基板ＦＢに形成されたアライメントマークＡＭを検出し、制御部１０４に検出結果を送信する。制御部１０４では、送信された検出結果に基づいて、アライメント動作を行わせる。
【０１２９】
例えば、制御部１０４は、アライメントカメラＣＡ（ＣＡ１〜ＣＡ８）が検出するアライメントマークＡＭの撮像間隔などに基づいてシート基板ＦＢの送り速度を検出し、ローラＲＲが例えば所定速度で回転しているか否かを判断する。ローラＲＲが所定速度で回転していないと判断した場合、制御部１０４は、ローラＲＲの回転速度の調整の指令を出しフィードバックをかける。
【０１３０】
また、例えば制御部１０４は、アライメントマークＡＭの撮像結果に基づき、アライメントマークＡＭのＹ軸方向の位置がずれているか否かを検出し、シート基板ＦＢのＹ軸方向の位置ずれの有無を検出する。位置ずれが検出された場合、制御部１０４は、シート基板ＦＢを搬送させた状態で位置ずれがどの程度の時間継続しているかを検出する。
【０１３１】
位置ずれの時間が短時間であれば、液滴塗布装置１２０の複数のノズル１２２のうち液滴を塗布するノズル１２２を切り替えることによって対応する。シート基板ＦＢのＹ軸方向のずれが長時間続くようであれば、ローラＲＲの移動によってシート基板ＦＢのＹ軸方向の位置補正を行う。
【０１３２】
また、例えば制御部１０４は、アライメントカメラＣＡが検出するアライメントマークＡＭのＸ軸及びＹ軸方向の位置に基づき、シート基板ＦＢがθＺ方向にずれているか否かを検出する。位置ずれが検出された場合、制御部１０４は、Ｙ軸方向の位置ずれの検出時と同様、シート基板ＦＢを搬送させた状態で位置ずれがどの程度の時間継続しているかを検出する
位置ずれの時間が短時間であれば、液滴塗布装置１２０の複数のノズル１２２のうち液滴を塗布するノズル１２２を切り替えることによって対応する。ずれが長時間続くようであれば、当該ズレを検出したアライメントカメラＣＡを挟む位置に設けられる２つのローラＲＲをＸ方向又はＹ方向に移動させ、シート基板ＦＢのθＺ方向の位置補正を行う。
【０１３３】
次に、取り外し動作を説明する。例えばシート基板ＦＢに有機ＥＬ素子５０を形成し、シート基板ＦＢを回収した後、基板供給部１０１として用いられる基板カートリッジ１を基板処理部１０２から取り外す。
【０１３４】
図２４は、基板カートリッジ１の取り外し動作を示す図である。
取り外し動作では、マウント部３を−Ｘ方向に移動させて供給側接続部１０２Ａから外す。マウント部３を外すことにより、ガス供給ポート４の供給口４１からガス供給部ＧＳが引き抜かれるため、基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間がシート基板ＦＢを挟んで再び閉じた状態となる。
【０１３５】
このように、マウント部３と基板処理部１０２とが接続されている状態では基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間が開くため、開口部３４が開いた状態となる。マウント部３と基板処理部１０２とが接続されていない状態では、基板用案内部材２２ａと基板用案内部材２２ｂとの間がシート基板ＦＢを挟んで閉じるため、開口部３４がシート基板ＦＢによって閉ざされた状態となる。
【０１３６】
以上のように、本実施形態によれば、可撓性を有するシート基板ＦＢが出し入れされる開口部３４を有し当該開口部３４を介したシート基板ＦＢを収容するカートリッジ本体２と、当該カートリッジ本体２に設けられ、供給側接続部１０２Ａ及び回収側接続部１０２Ｂに対して着脱可能に接続されるマウント部３と、当該マウント部３と供給側接続部１０２Ａ及び回収側接続部１０２Ｂとの間の接続状態に応じて、シート基板ＦＢによって開口部３４が閉塞可能に設けられているため、開口部３４から埃などの異物の侵入を防ぐことができる。これにより、シート基板ＦＢに異物が付着するのを防ぐことができる。
また、本実施形態によれば、基板カートリッジ１を対象物（例、基板処理部１０２）に対して容易に着脱させることが可能となる。
【０１３７】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態を説明する。本実施形態では、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略あるいは簡略化する。
図２５は、本実施形態に係る基板処理システムＳＹＳの構成を示す図である。
図２５に示すように、基板処理システムＳＹＳは、基板製造装置（第１処理装置）２０１、基板処理装置２０２（第２処理装置）及び中継装置（基板中継装置）２０３を有している。基板製造装置２０１と基板処理装置２０２とは、例えば、別々の生産ライン、別々の敷地、別々の工場などに設置されている。
【０１３８】
基板製造装置２０１は、第１処理として、例えば上記実施形態で説明した可撓性を有する帯状のシート基板ＦＢを製造する装置である。基板製造部２１１及び制御部２１２を有している。制御部２１２の制御によって基板製造部２１１においてシート基板ＦＢが製造されるようになっている。
【０１３９】
基板処理装置２０２は、第２処理として、シート基板ＦＢに第１実施形態で説明した有機ＥＬ素子５０（図３等参照）を形成する装置である。基板処理装置２０２は、基板処理部２２２、基板回収部２２３及び制御部２２４を有している。基板処理部２２２、基板回収部２２３及び制御部２２４は、第１実施形態における基板処理部１０２、基板回収部１０３及び制御部１０４と同一の構成となっている。
【０１４０】
中継装置２０３は、基板製造装置２０１及び基板処理装置２０２の両方に着脱可能に接続するように形成されている。具体的には、中継装置２０３は、基板製造装置２０１の基板製造部２１１に設けられた接続部２１１Ａ、及び、基板処理装置２０２の基板処理部２２２に設けられた接続部２２２Ａに対してマウント部３を介して接続されるようになっている。なお、接続部２１１Ａ及び接続部２２２Ａの構成は、第１実施形態に記載の供給側接続部１０２Ａと同一の構成になっている。
【０１４１】
中継装置２０３は、基板製造装置２０１で製造されたシート基板ＦＢを回収し、基板処理装置２０２へと供給する装置である。中継装置２０３としては、例えば第１実施形態で説明した基板カートリッジ１が用いられている。中継装置２０３の詳細な構成については説明を省略する。
【０１４２】
上記のように構成された基板処理システムＳＹＳでは、まず基板製造装置２０１の接続部２１１Ａに中継装置２０３を接続させる。中継装置２０３を接続部２１１Ａに接続後、基板製造部２１１からシート基板ＦＢを中継装置２０３に供給する。中継装置２０３は、第１実施形態で説明した動作と同様の動作によってシート基板ＦＢを巻き取って回収する。
【０１４３】
このとき、例えば制御部２１２から中継装置２０３の情報処理部ＩＣ（図５参照）には、例えば基板製造装置２０１のタクト、スループットといった情報や、中継装置２０３の搬送速度、ローラ部２６の巻き取り・送り出し速度といった情報、全工程や処理済の工程などを示す工程情報、シート基板ＦＢの残長や全長などのシート基板ＦＢに関する情報、などの処理情報が送信される。
【０１４４】
情報処理部ＩＣに送信された上記処理情報は、情報処理部ＩＣの通信部ＣＲによって受信され、記憶部ＭＲに記憶されたり、表示部２９に表示されたりする。加えて、情報処理部ＩＣには、中継装置２０３の検出部２１ｃによって検出されたシート基板ＦＢの長さに関する情報についても送信される。
【０１４５】
次に、シート基板ＦＢを回収した中継装置２０３をトラックなどの搬送系ＴＲによって基板処理装置２０２へと搬送する。基板処理装置２０２に中継装置２０３を搬送後、中継装置２０３を第１実施形態で説明した手順で基板処理装置２０２の接続部２２２Ａに接続し、中継装置２０３からシート基板ＦＢを供給しながら基板処理部２２２においてシート基板ＦＢ上に有機ＥＬ素子５０を形成する。
【０１４６】
このとき、例えば制御部２２４は、中継装置２０３の情報処理部ＩＣとの間で通信を行い、情報処理部ＩＣに記憶されている処理情報を受信する。制御部２２４は、受信した処理情報を基にして、例えばシート基板ＦＢの搬送速度や、熱転写ローラ１１５及び熱処理装置ＢＫによる加熱時間や加熱温度など、受信した処理情報と関連する動作を調整しながら有機ＥＬ素子５０を形成する各工程を行わせる。有機ＥＬ素子５０の形成されたシート基板ＦＢは、例えばパネル状に切断され、基板回収部２２３によって回収される。
【０１４７】
このように、本実施形態によれば、第１処理として可撓性を有するシート基板ＦＢを製造する処理を行う基板製造装置２０１と、シート基板ＦＢの製造後に当該シート基板ＦＢに第２処理として有機ＥＬ素子５０を形成する処理を行う基板処理装置２０２と、基板製造装置２０１からシート基板ＦＢを回収し、回収したシート基板ＦＢを基板処理装置２０２へ供給する中継装置２０３とを備え、中継装置２０３として、上記の基板カートリッジ１を用いることとしたので、基板製造装置２０１と基板処理装置２０２との間においてシート基板ＦＢに埃などが付着するのを回避することができる。また、中継装置２０３に設けられた情報処理部ＩＣを用いて基板製造装置２０１の処理情報を基板処理装置２０２に供給し、当該処理情報を用いて基板処理装置２０２において処理を行うことができるため、基板処理装置２０２における処理効率が向上することとなる。また、本実施形態では、中継装置２０３として上記の基板カートリッジ１を用いることとしたので、シート基板ＦＢの長さや残長を容易に把握することができる。また、本実施形態では、中継装置２０３として上記の基板カートリッジ１を用いることとしたので、例えば第１処理や第２処理のように、複数の工程を容易に細分化することができる。
【０１４８】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態を説明する。本実施形態では、上記実施形態と同一又は同等の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略あるいは簡略化する。
図２６は、本実施形態に係る基板処理システムＳＹＳ２の構成を示す図である。
図２６に示すように、基板処理システムＳＹＳ２は、第１基板処理装置（第１処理装置）３００、第２基板処理装置（第２処理装置）３１０、３２０及び中継装置（基板中継装置）３０３を有している。第１基板処理装置３００及び第２基板処理装置３１０、３２０は、例えば同一の敷地内や、同一の工場内に設置されている。
【０１４９】
第１基板処理装置３００は、例えば、シート基板ＦＢに有機ＥＬ素子５０の隔壁ＢＡを形成する装置である。第２基板処理装置３１０、３２０は、例えば、シート基板ＦＢに電極（ゲート電極Ｇなど）や有機ＥＬ素子５０の発光層ＩＲ、透明電極ＩＴＯを形成する装置である。第２基板処理装置３１０、３２０は、同一の構成となっている。以下、第２基板処理装置の構成や動作などを説明するにあたっては原則として第２基板処理装置３１０を代表させて説明するが、第２基板処理装置３２０についても同様の説明が可能である。
【０１５０】
このように基板処理システムＳＹＳ２は、有機ＥＬ素子５０を形成する装置が第１基板処理装置３００と第２基板処理装置３１０、３２０との２つの種類の装置に分かれた構成となっている。中継装置３０３は、第１基板処理装置３００から第２基板処理装置３１０、３２０へシート基板ＦＢを受け渡す（中継する）装置である。本実施形態では、中継装置３０３として、第１実施形態と同一の構成を有する基板カートリッジ１が用いられている。
【０１５１】
第１基板処理装置３００は、基板供給部３０１、基板処理部３０２、第１制御部３０４、第２制御部３０５及び保護基板供給部３０６を有している。基板供給部３０１は、例えば第１実施形態における基板供給部１０１と同一の構成となっている。基板処理部３０２は、第１実施形態の基板処理装置１００における隔壁形成部９１と同一の構成をそれぞれ有しており、基板供給部３０１との接続部分には供給側接続部３０２Ａが設けられている。供給側接続部３０２Ａの構成は、第１実施形態における供給側接続部１０２Ａと同一の構成となっている。このように第１基板処理装置３００は、第１実施形態における基板処理装置１００の基板供給部１０１から基板処理部１０２の隔壁形成部９１までの構成と同一の構成を有している。
【０１５２】
基板処理部３０２の＋Ｘ側端部には、中継装置３０３のマウント部３に接続される回収側接続部３０２Ｂが設けられている。回収側接続部３０２Ｂは、供給側接続部３０２Ａと同一の構成となっている。第１制御部３０４は、基板供給部３０１の情報処理部ＩＣに記憶された処理情報を受信し、当該処理情報に基づいて基板処理部３０２の動作（例えば、処理や工程に関する動作）を制御する。第２制御部３０５は、基板供給部３０１、基板処理部３０２、シート基板ＦＢなどの処理情報を中継装置３０３の情報処理部ＩＣに送信する。処理情報としては、例えば第１実施形態に記載の処理情報と同様の内容の情報が挙げられる。第１基板処理装置３００が不図示の制御装置を有し、当該制御装置が第１制御部３０４及び第２制御部３０５を統括して制御及び管理する構成としても構わない。保護基板供給部３０６は、例えば基板処理部３０２の＋Ｘ側端部に設けられている。
【０１５３】
第２基板処理装置３１０は、基板処理部３１１、基板回収部３１２、第１制御部３１４及び第２制御部３１５を有している。基板処理部３１１は、第１実施形態の基板処理装置１００における電極形成部９２及び発光層形成部９３と同一の構成を有している。基板処理部３１１は、−Ｘ側端部に供給側接続部３１１Ａを有しており、＋Ｘ側端部に回収側接続部３１１Ｂを有している。供給側接続部３１１Ａ及び回収側接続部３１１Ｂは、上記の供給側接続部３０２Ａ及び回収側接続部３０２Ｂとそれぞれ同一の構成となっている。
【０１５４】
供給側接続部３１１Ａには、上記の中継装置３０３が着脱可能に接続されるようになっている。第１制御部３１４は、中継装置３０３の情報処理部ＩＣに記憶された処理情報を受信し、当該処理情報に基づいて基板処理部３１１の動作（例えば、処理や工程に関する動作）を制御する。第２制御部３１５は、中継装置３０３、基板処理部３１１、シート基板ＦＢなどの処理情報を基板回収部３１２の情報処理部ＩＣに送信する。処理情報としては、例えば第１実施形態に記載の処理情報と同様の内容の情報が挙げられる。
【０１５５】
次に、上記のように構成された基板処理システムＳＹＳ２では、まず基板カートリッジ１にシート基板ＦＢを収容し、第１基板処理装置３００において基板処理部３０２の供給側接続部３０２Ａに当該基板カートリッジ１を基板供給部１０１として接続させる。この基板カートリッジ１は、基板供給部３０１として用いる。また、空の基板カートリッジ１を基板処理部３０２の回収側接続部３０２Ｂに中継装置３０３として接続させる。
【０１５６】
次に、基板供給部３０１からシート基板ＦＢを基板処理部３０２に供給させ、基板処理部３０２において隔壁ＢＡを形成する。このとき、制御部３０４及び制御部３０５は、基板供給部３０１の情報処理部ＩＣ及び中継装置３０３の情報処理部ＩＣとの間で通信を行い、情報処理部ＩＣに記憶されている情報を受信する。制御部３０４及び３０５は、受信した情報を基にして、例えばシート基板ＦＢの搬送速度や、熱転写ローラ１１５による加熱時間や加熱温度など、受信した処理情報と関連する動作を調整しながら隔壁ＢＡを形成する。
【０１５７】
隔壁ＢＡの形成されたシート基板ＦＢは、基板処理部３０２から中継装置３０３へと送り出され、中継装置３０３によってロール状に巻き取られて回収される。中継装置３０３では、シート基板ＦＢのうち隔壁ＢＡが形成された面に保護基板ＰＢが配置されるようにシート基板ＦＢを回収する。
【０１５８】
図２７〜図２９は、基板回収部１０３でのシート基板ＦＢの回収の様子を示す図である。図２７〜図２９では、図を判別しやすくするため、一部の構成を省略した状態で示している。
回収動作では、図２７に示すように、基板カートリッジ１の開口部３４にシート基板ＦＢを挿入すると同時に、第２開口部３５から保護基板ＰＢを挿入する。図２６及び図２７に示すように、保護基板ＰＢは、例えば上記の保護基板供給部３０６から供給される。
【０１５９】
挿入されたシート基板ＦＢ及び保護基板ＰＢは、図２８に示すように、それぞれ基板案内部２２及び第２基板案内部３７で案内され、合流部３９において合流する。合流部３９で合流したシート基板ＦＢ及び保護基板ＰＢは、図２９に示すように、合流した状態で搬送部２１によって搬送され、テンションローラ２１ａと測定ローラ２１ｂとに押圧されて密着する。シート基板ＦＢ及び保護基板ＰＢは、密着した状態でローラ部２６によって巻き取られて回収される。
【０１６０】
次に、保護基板ＰＢを密着させたシート基板ＦＢを回収した中継装置３０３をフォークリフトなどの搬送系ＴＲ２によって第２基板処理装置３１０へと搬送する。搬送後、中継装置３０３を第１実施形態で説明した手順で第２基板処理装置３１０の供給側接続部３１１Ａに接続させると共に、空の基板カートリッジ１を回収側接続部３１１Ｂに基板回収部３１２として接続させる。基板回収部３１２を回収側接続部３１１Ｂに接続後、中継装置３０３からシート基板ＦＢを供給しながら基板処理部３１１においてシート基板ＦＢ上に電極、発光層ＩＲ及び透明電極ＩＴＯを形成する。
【０１６１】
このとき、例えば制御部３１４及び３１５は、中継装置３０３の情報処理部ＩＣ及び基板回収部３１２の情報処理部ＩＣとの間で通信を行い、それぞれの情報処理部ＩＣに記憶されている処理情報を受信する。制御部３１４及び３１５は、受信した処理情報を基にして、例えばシート基板ＦＢの搬送速度や、熱処理装置ＢＫによる加熱時間や加熱温度など、受信した処理情報と関連する動作を調整しながら電極、発光層ＩＲ及び透明電極ＩＴＯを形成する。
【０１６２】
また、第１基板処理装置３００の処理速度と第２基板処理装置３１０の処理速度とが例えば２：１である場合など、第１基板処理装置３００が第２基板処理装置３１０に比べて処理速度が大きい（タクトが小さい）場合には、中継装置３０３の中継先を増加させるようにしても構わない。本実施形態では、中継装置３０３の中継先として、例えば第２基板処理装置３２０を加えるようにする。この結果、第１基板処理装置３００で処理されたシート基板ＦＢは、第２基板処理装置３１０及び３２０の２箇所で並列に処理されることになり、処理速度の小さい（タクトが大きい）方のラインが増加することになる。
上記のようにシート基板ＦＢは第１基板処理装置３００による処理と第２基板処理装置３１０による処理とを経て処理完了となるため、第１基板処理装置３００と第２基板処理装置３１０とを１台ずつ用いた場合（あるいは処理を連続して行う場合）、基板処理システムＳＹＳ２全体としての処理速度は、第１基板処理装置３００及び第２基板処理装置３１０のうち処理速度の小さい方の装置の処理速度となってしまう。
これに対して、本実施形態では、処理速度の小さい方の第２基板処理装置３１０を２台（第２基板処理装置３１０、３２０）用いてライン数を増加させるため、処理速度の差が補われることになり、第１基板処理装置３００の処理速度を活かすことができる。これにより、基板処理システムＳＹＳ２全体の処理効率が低減するのが回避されることになる。
【０１６３】
隔壁ＢＡ及び電極が形成されたシート基板ＦＢに発光層ＩＲ及び透明電極ＩＴＯを形成することにより、シート基板ＦＢ上に有機ＥＬ素子５０が形成されることになる。有機ＥＬ素子５０の形成されたシート基板ＦＢは、図２７〜図２９に示す動作手順と同様に、例えば基板回収部３１２によって巻き取られて回収される。
【０１６４】
以上のように、本実施形態によれば、シート基板ＦＢに第１処理として隔壁ＢＡ及び電極形成処理を行う第１基板処理装置３００と、隔壁ＢＡ及び電極形成処理後のシート基板ＦＢに第２処理として発光層ＩＲ及び透明電極ＩＴＯの形成処理を行う第２基板処理装置３１０と、第１基板処理装置３００からシート基板ＦＢを回収し、回収したシート基板ＦＢを第２基板処理装置３１０へ供給する中継装置３０３とを備え、中継装置３０３として、本発明に係る基板カートリッジ１を用いることとしたので、同一の敷地内や工場内に設置される第１基板処理装置３００と第２基板処理装置３１０との間においてシート基板ＦＢに埃などが付着するのを回避することができる。また、基板カートリッジ１に設けられた情報処理部ＩＣを用いて処理情報を通信し、当該処理情報を用いて基板処理部３０２及び３１１において処理を行うことができるため、基板処理システムＳＹＳ２の全体的な処理効率が向上することとなる。
【０１６５】
なお、上記基板処理システムＳＹＳ２は、第１基板処理装置３００の処理速度よりも第２基板処理装置３１０の処理速度の方が高くなるように構成しても構わない。このような構成として、例えば第１基板処理装置３００が隔壁形成部９１及び電極形成部９２を有し、第２基板処理装置３１０が発光層形成部９３を有する構成が挙げられる。この場合、本実施形態と同様の考え方で、例えば第１基板処理装置３００の台数を第２基板処理装置３１０の台数よりも多くすることにより、処理速度の差を補うことができる。
【０１６６】
例えば図３０（ａ）では、第１基板処理装置３００が２台設けられており、第２基板処理装置３１０が１台設けられた基板処理システムＳＹＳ２’の構成を示している。処理速度の小さい第１基板処理装置３００による処理のライン数が多くなるため、処理速度の差が補われることになる。この場合において、例えば２台の第１基板処理装置３００における処理のタイミングを制御し、中継装置３０３が第２基板処理装置３１０に対して交互に接続されるようにすることが好ましい。これにより、中継装置３０３の待ち時間を極力少なくし、効率的に処理を行うことができる。
【０１６７】
また、この基板処理システムＳＹＳ２’は、例えば図３０（ｂ）に示すように、第１基板処理装置３００を、隔壁形成装置３４０と電極形成装置３５０とに更に分割させる構成（基板処理システムＳＹＳ２”）としても構わない。なお、隔壁形成装置３４０は第１実施形態に記載の隔壁形成部９１に相当する構成を有し、電極形成装置３５０は第１実施形態に記載の電極形成部９２に相当する構成を有している。第２基板処理装置３１０は、基板処理システムＳＹＳ２’と同様に発光層形成部９３を有している。
【０１６８】
隔壁形成処理、電極形成処理及び発光層形成処理の３種類の処理うち、電極形成処理は高いアライメント精度が特に必要とされるため、最も処理速度が小さくなる。このため、図３０（ｂ）に示すように、処理速度が小さい電極形成装置３５０を２台配置してライン数を増加させ、隔壁形成装置３４０及び第２処理装置３１０（発光層形成部９３を有する）を１台ずつ配置することにより、処理速度の差を補うことができる。
【０１６９】
この場合、隔壁形成装置３４０から電極形成装置３５０への中継装置３０３は上記実施形態の基板処理システムＳＹＳ２の中継装置３０３と同様の働きをすることになり、電極形成装置３５０から第２処理装置３１０への中継装置３０３は上記基板処理システムＳＹＳ’の中継装置３０３と同様の働きをすることになる。なお、この基板処理システムＳＹＳ２”について、例えば電極形成装置３５０を、ゲート電極Ｇを形成するゲート形成装置と、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを形成するソースドレイン形成装置とに分割する構成としても構わない。この場合、ソースドレイン形成装置の方がゲート形成装置よりも処理速度が小さくなるため、ソースドレイン形成装置を複数ライン設けるようにすることが好ましい。このように、処理速度の小さい装置を分割し、分割した装置のライン数を増加させることにより、ライン数増加に対するコストを低減することができる。
【０１７０】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態を説明する。
図３１は、本実施形態に係る基板処理システムＳＹＳ３を示す図である。なお、本実施形態に係る基板処理システムＳＹＳ３は、第３実施形態に記載の基板処理システムＳＹＳ２と一部の構成が異なっており、他の構成は同一となっている。以下、第３実施形態との相違点を中心に説明する。以下の説明においては、第３実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略あるいは簡略化する。
【０１７１】
図３１に示すように、基板処理システムＳＹＳ３は、第１基板処理装置（第１処理装置）３００、第２基板処理装置（第２処理装置）３１０、３２０及び中継装置（基板中継装置）３０３を有している。本実施形態に係る基板処理システムＳＹＳ３は、第３実施形態における制御装置３０４、３０５及び制御装置３１４、３１５が設けられていない点、また、主制御装置ＣＯＮＴが設けられている点で、第３実施形態とは異なっている。他の構成については、第３実施形態と同様である。
【０１７２】
主制御装置ＣＯＮＴは、例えば第１実施形態に記載の処理情報（基板処理装置のタクト、スループット、搬送速度、巻き取り速度・送り出し速度、シート基板ＦＢに関する情報など）に基づいて、第１基板処理装置３００、第２基板処理装置３１０、３２０及び中継装置３０３を統括的に制御する。例えば、シート基板ＦＢの搬送速度や巻き取り速度・送り出し速度に基づいて中継装置３０３の中継先を第２基板処理装置３１０及び３２０のいずれにするかを判断することもできる。
【０１７３】
このように、本実施形態では、主制御装置ＣＯＮＴによって第１基板処理装置３００、第２基板処理装置３１０、３２０及び中継装置３０３を統括的に制御することとしたので、シート基板ＦＢに対する一連の処理を能率的に行うことができる。
【０１７４】
［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態を説明する。
図３２は、可撓性の基板に、画素電極及び発光層などを有する表示素子（例えば、有機ＥＬ素子）を製造する製造装置４１０の構成を示した概略図で、図２の基板処理部１０２の別例である。但し、基板処理部１０２が有する同じ部材又は装置には同じ符号を付している。
【０１７５】
図３２に示す製造装置４１０は、隔壁形成部９１を２箇所有する点で、上記基板処理部１０２と異なる。一方の隔壁形成工程は、インプリントローラ１１０を用いて、薄膜トランジスタの配線用の隔壁ＢＡを形成し、シート基板ＦＢの幅方向であるＹ軸方向の両側にアライメントマークＡＭを形成する。また、他方の隔壁形成工程では、印刷ローラ４４０を使用する。
【０１７６】
印刷ローラ４４０は、その表面がスクリーン印刷できるようにメタルマスクが形成されている。また、印刷ローラ４４０内部に紫外線硬化樹脂を保有している。紫外線硬化樹脂は、スキージ４４１によりメタルマスクを介してシート基板ＦＢに塗布される。これにより、紫外線硬化樹脂の隔壁ＢＡが形成される。この隔壁の高さは１０数μｍ以下である。シート基板ＦＢに形成された紫外線硬化樹脂の隔壁ＢＡは、水銀ランプなどの紫外線ランプ４４４によって硬化される。
【０１７７】
表示素子に、発光層、正孔輸送層及び電子輸送層を形成する場合には、隔壁ＢＡを高くする必要がある。インプリントローラ１１０による熱転写では、シート基板ＦＢから押し出した隔壁ＢＡをあまり高くすることができない。そのため、インプリントローラ１１０とは別に印刷ローラ４４０を設けている。
【０１７８】
印刷ローラ４４０の上流側には、アライメントカメラＣＡ６を配置して、制御部１０４は、印刷ローラ４４０手前のシート基板ＦＢの位置を把握している。そして、制御部１０４は、印刷ローラ４４０の回転制御を行い、シート基板ＦＢに形成された薄膜トランジスタの位置に合わせて紫外線硬化樹脂を印刷する。
【０１７９】
紫外線硬化樹脂層とは紫外線照射により架橋反応等を経て硬化する樹脂を主たる成分と
する層をいう。紫外線硬化樹脂としては、エチレン性不飽和二重結合を有するモノマーを含む成分が好ましく用いられ、紫外線を照射することによって硬化させて紫外線硬化樹脂層が形成される。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型ウレタンアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、または紫外線硬化型エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。中でも紫外線硬化型アクリレート系樹脂が好ましい。なお、発光層の隔壁ＢＡ用であれば、ブラックマトリックスであることが好ましいこのため、紫外線硬化型アクリレート系樹脂にクロム等の金属や酸化物を導入しても良い。
【０１８０】
紫外線硬化樹脂の隔壁ＢＡは、インプリントローラ１１０によってシート基板に形成された隔壁ＢＡの上に重ねて形成しても良いし、インプリントローラ１１０では隔壁ＢＡが形成されなかった領域に形成しても良い。その後の発光層形成工程は、実施例１で説明した工程と同じような構成で足りる。
【０１８１】
［第６実施形態］
次に、本発明の第６実施形態を説明する。
本実施形態では、液晶表示素子の製造装置及び製造方法について説明する。液晶表示素子は、一般に偏向フィルタ、薄膜トランジスタを有するシート基板ＦＢ、液晶層、カラーフィルタ及び偏向フィルタから構成されている。このうち、薄膜トランジスタを有するシート基板ＦＢは、図１の上段に描かれた基板処理部１０２又は図３２の上段に描かれた製造装置４１０で製造することができることを説明した。
【０１８２】
本実施形態では、液晶の供給及びカラーフィルタＣＦの貼り合わせについて説明する。液晶表示素子には、液晶を供給する必要があり、液晶の封止壁を形成する必要がある。このため、図３２の下段に描かれた印刷ローラ４４０は、本実施形態では、発光層用の隔壁ＢＡではなく、液晶の封止壁用に使用される。
【０１８３】
図３３は、液晶の供給及びカラーフィルタの貼り合わせを行う供給貼り合わせ装置４２０を示したものである。
【０１８４】
供給貼り合わせ装置４２０は、上流側低真空チャンバ８２と下流側低真空チャンバ８３とが設けられ、上流側低真空チャンバ８２と下流側低真空チャンバ８３との間に高真空チャンバ８４が設けられている。これら低真空チャンバ８２、８３及び高真空チャンバ８４は、ロータリーポンプ又はターボ分子ポンプ８９で真空引きされる。
【０１８５】
上流側低真空チャンバ８２には、カラーフィルタＣＦが供給されるようになっており、また、図３２で示した印刷ローラ４０を経て、液晶の封止壁が形成されたシート基板ＦＢが供給される。なお、カラーフィルタＣＦのＹ軸方向の両側にもアライメントマークが形成されている。
【０１８６】
液晶の封止壁が形成されたシート基板ＦＢは、まず、カラーフィルタＣＦと接着するための熱硬化性接着剤が接着剤ディスペンサー７２から塗布される。そして、シート基板ＦＢは上流側低真空チャンバ８２を経て高真空チャンバ８４に送られる。高真空チャンバ８４では、液晶ディスペンサー７４から液晶が塗布される。そして、カラーフィルタＣＦとシート基板ＦＢとが熱転写ローラ７６で接着される。
【０１８７】
シート基板ＦＢのアライメントマークＡＭは、アライメントカメラＣＡ１１で撮像され、カラーフィルタＣＦのアライメントマークＡＭは、アライメントカメラＣＡ１２で撮像される。アライメントカメラＣＡ１１及びＣＡ１２で撮像された結果は、制御部１０４に送られ、Ｘ軸方向のずれ、Ｙ軸方向のずれ及びθ回転が把握される。熱転写ローラ７６は、制御部１０４から送られてくる位置信号に応じて回転速度を変えて、カラーフィルタＣＦとシート基板ＦＢとの位置合わせを行いながら接着する。
【０１８８】
接着された液晶表示素子シートＣＦＢは、下流低真空チャンバ８３を経て、外部に送られる。なお、接着剤は熱硬化性接着剤で説明したが、紫外線硬化性の接着剤を使用してもよい。この場合には熱転写ローラ７６ではなく紫外線ランプなどを使用する。
【０１８９】
［第７実施形態］
次に、本発明の第７実施形態を説明する。
図３４は、印刷ローラ４０によるＹ軸方向のアライメントのための機構を説明した図である。印刷ローラの表面にメタルマスクが形成されている。制御部１０４からの信号により、Ｘ軸方向の位置合わせは、印刷ローラの回転速度で調整することができる。Ｙ軸方向の位置合わせは、次の示す方法がある。
【０１９０】
図３４（ａ）は、空圧又は油圧制御方式でローラ中央が膨らんだりへこんだりする印刷ローラ４４０ｐである。速度＆アライメント制御部９０からの信号で、空気又は油が供給されることにより、ローラ中央部と周辺部とのＹ軸方向の位置を変えることができる。
【０１９１】
図３４（ｂ）は、熱変形制御方式でローラ全体が拡大したり縮小したりする印刷ローラ４４０ｑである。速度＆アライメント制御部９０からの信号で、加熱又は冷却されることにより、ローラ全体のＹ軸方向の位置及びＸ軸方向の位置を変えることができる。
【０１９２】
図３４（ｃ）は、曲げ変形制御方式でローラ全体が曲がる印刷ローラ４４０ｒである。印刷ローラ４４０ｒは、小さな力で曲がるように円周方向にスリットが入っていることが好ましい。
【０１９３】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態では、基板用案内部材２２ａ及び２２ｂのみをエアパッド状に形成し、ガス供給ポート４の供給口４１を開口部３４側の基板用案内部材２２ａ及び２２ｂにのみ接続させる構成としたが、これに限られることは無く、例えば第２開口部３５側の第２基板用案内部材３７ａ及び３７ｂについても同様の構成とすることができる。
【０１９４】
例えば図３５に示すように、供給口４１から第２基板用案内部材３７ａ及び３７ｂに対しての流路４９を設けて、当該流路４９を第２基板用案内部材３７ａに接続される第１流路４９ａと、第２基板用案内部材３７ｂに接続される第２流路４９ｂとに分岐させるようにすることができる。この場合、流路４２に電磁バルブＶ１を設けると共に流路４９に電磁バルブＶ２を設けて、開口部３４と第２開口部３５とで独立して開閉制御を行うことができるようにしても構わない。電磁バルブＶ１及びＶ２の制御は、例えば制御部１０４や情報処理部ＩＣなどに行わせることができる。
【０１９５】
このように開口部３４と第２開口部３５とが独立して開閉されることにより、使用しない開口部が開いてしまうのを防ぐことができる。これにより、開口部からの埃などの異物の侵入を防ぐことができる。
【０１９６】
また、例えば、上述の基板処理装置や基板処理システムの一部にトラブルが発生した場合、当該トラブルの発生箇所を除去するようにシート基板ＦＢを切断するようにしても構わない。これにより、シート基板ＦＢの歩留まりの低下を防ぐことができる。また、本実施形態における基板カートリッジや基板処理システムでは、欠陥等によりシート基板ＦＢを切断した場合でも、停電などによるラインダウン時の場合でも、シート基板ＦＢの残長が分かるので、再稼動後の処理をすぐに行える。従って、本実施形態によれば、処理効率の向上や安全性の向上にもつながる。
【０１９７】
また、上記実施形態では、図１に示した電界効果型トランジスタを例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。図３６（ａ）及び図３６（ｂ）は、上記実施形態とは異なる電界効果型トランジスタを示した断面図である。図１に示した電界効果型トランジスタ以外にも、例えば図３６（ａ）に示す電界効果型トランジスタとしてボトムゲート型を製造することも可能である。シート基板ＦＢ上にゲート電極Ｇ、ゲート絶縁層Ｉ、有機半導体層ＯＳを形成した後、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄを形成したものである。
【０１９８】
図３６（ｂ）は、トップゲート型の電界効果型トランジスタであり、シート基板ＦＢ上にソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを形成した後、有機半導体層ＯＳを形成し、更にその上にゲート絶縁層Ｉ、ゲート電極Ｇを形成したものである。
これらいずれの電界効果型トランジスタであっても、メタルインクなどの順番を変えた基板処理部１０２を使って対応することができる。
【０１９９】
また、上記実施形態では、開口部３４及び第２開口部３５がマウント部３の＋Ｘ側端部に設けられた構成としたが、これに限られることは無く、例えばマウント部３とは異なる位置に設けられている構成としても構わない。また、第２開口部３５を設けない構成としても構わない。
【０２００】
また、上記実施形態では、基板カートリッジ１として、基板駆動機構２４を備える構成とし、シート基板ＦＢを巻き取って収容する構成としたが、これに限られることは無く、他の方法で収容する構成としても構わない。
【０２０１】
また、上記実施形態では、基板駆動機構２４のローラ部２６の表面に接着部２６ｃを設ける構成としたが、これに限られることは無く、シート基板ＦＢを保持可能な構成であれば、他の機構を用いても構わない。また、接着部２６ｃはローラ部２６の表面全体に設ける必要は無く、ローラ部２６の表面の一部に設ける構成としても構わない。
【０２０２】
また、収容部２０の内部に配置される搬送部２１やガイド部２７については、上記実施形態において例示した形態に限られず、他の配置としても構わない。
【０２０３】
また、上記実施形態においては、基板カートリッジ１の接続先である外部接続部が各基板処理部について１つだけ設けられている構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えばＺ方向に複数の外部接続部を有する構成であっても構わない。この構成により、例えば基板カートリッジ１をＺ方向に反転させた状態で取り付けることが可能となる。
【０２０４】
また、上記実施形態においては、当該外部接続部はＺ方向に移動可能に設けられている構成であっても構わない。この場合、例えば基板カートリッジ１をＺ方向に反転させた状態で取り付ける際に外部接続部をＺ方向に移動させれば良いことになる。
【０２０５】
また、上記実施形態においては、開口部３４の開閉を行う際にシート基板ＦＢを挟みこむクランプ機構として、基板用案内部材２２ａ及び２２ｂを兼用させる構成としたが、これに限られることは無く、当該クランプ機構を基板用案内部材２２ａ及び２２ｂとは別に設ける構成としても構わない。
【符号の説明】
【０２０６】
ＦＢ…シート基板 ＰＢ…保護基板 ＳＹＳ、ＳＹＳ２…基板処理システム １…基板カートリッジ ２…カートリッジ本体 ３…マウント部 ４…ガス供給ポート ２０…収容部 ２１…搬送部 ２１ａ…テンションローラ ２１ｂ…測定ローラ ２１ｃ…検出部 ２２…基板案内部 ２２ａ、２２ｂ…基板用案内部材（クランプ機構）２３…突出部 ２４…基板駆動機構 ２５…蓋部 ２６…ローラ部 ２６ｃ…接着部 ２７…ガイド部 ２８…窓部 ２９…表示部 ３４…開口部 ３５…第２開口部 ３６…基板搬送部 ３７…基板案内部 ４１…供給口 ４２、４３…流路 ４４ａ、４４ｂ…ガス噴出口 ４５…押圧部材 ５０…有機ＥＬ素子 ５１…係合部 １００、２０２、３００、３１０、３２０…基板処理装置 １０２Ａ、３０２Ａ、３１１Ａ…供給側接続部 １０２Ｂ、３０２Ｂ、３１１Ｂ…回収側接続部 １０３、２２３、３１２…基板回収部 ２０１…基板製造装置 ２０３、３０３…中継装置 ２１１…基板製造部 ２１１Ａ、２２２Ａ…接続部 ２２２、３０２、３１１、３２１…基板処理部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が出し入れされる開口部を有し、前記開口部を介した前記基板を収容するカートリッジ本体と、
前記カートリッジ本体に設けられ、外部接続部に対して着脱可能に接続されるマウント部と
を備え、
前記開口部は、前記マウント部と前記外部接続部との間の接続状態に応じて、前記基板によって閉塞可能に設けられている
基板カートリッジ。
【請求項２】
前記カートリッジ本体は、前記基板を挟むクランプ機構を前記開口部内に有し、
前記クランプ機構は、前記基板を挟んだ状態で前記開口部を閉塞する
請求項１に記載の基板カートリッジ。
【請求項３】
前記クランプ機構は、前記基板を挟む部分にガスを供給するガス噴出口を有する
請求項２に記載の基板カートリッジ。
【請求項４】
前記ガス噴出口は、前記クランプ機構と前記基板との間に隙間が生じるように前記ガスを噴出する
請求項３に記載の基板カートリッジ。
【請求項５】
前記カートリッジ本体は、前記マウント部と前記外部接続部との接続状態に応じて前記ガスの噴出及び非噴出を切り替える切替機構を有する
請求項３又は請求項４に記載の基板カートリッジ。
【請求項６】
前記開口部は、前記マウント部に設けられる
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項７】
前記カートリッジ本体は、前記基板を巻き取る又は前記基板を送り出す巻取り送り出し機構を有する
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項８】
前記カートリッジ本体は、前記開口部に接続され前記基板を収容する収容部を有し、
前記巻取り送り出し機構は、前記収容部に設けられる
請求項７に記載の基板カートリッジ。
【請求項９】
前記巻取り送り出し機構は、
回転可能に保持される軸部材と、
前記基板を前記軸部材へ案内する又は前記基板を前記開口部へ案内する第１の案内部材と、を有する
請求項７又は請求項８に記載の基板カートリッジ。
【請求項１０】
前記軸部材は、前記基板を接着させる接着部を有する
請求項９に記載の基板カートリッジ。
【請求項１１】
前記案内部材は、少なくとも前記軸部材の回転の径方向に移動可能に設けられる
請求項９又は請求項１０に記載の基板カートリッジ。
【請求項１２】
前記カートリッジ本体は、前記開口部と前記巻取り送り出し機構との間で前記基板を搬送する搬送機構を有する
請求項７から請求項１１のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１３】
前記搬送機構は、前記基板に張力を与えるテンション機構を有する
請求項１２に記載の基板カートリッジ。
【請求項１４】
前記搬送機構は、前記基板の搬送量を測定する測定部を有する
請求項１２又は請求項１３に記載の基板カートリッジ。
【請求項１５】
前記搬送量に基づくデータを記憶させる記憶部を更に備える
請求項１４に記載の基板カートリッジ。
【請求項１６】
前記搬送量に基づくデータの通信を行う通信部を更に備える
請求項１４又は請求項１５に記載の基板カートリッジ。
【請求項１７】
前記搬送量に基づくデータを表示する表示部を更に備える
請求項１４から請求項１６のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１８】
前記カートリッジ本体は、前記開口部と前記搬送機構との間で前記基板を案内する基板用案内部材を有する
請求項１２から請求項１７のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１９】
前記カートリッジ本体は、開閉可能に設けられた蓋部を有する
請求項１から請求項１８のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項２０】
前記カートリッジ本体は、前記基板の収容状態を観察可能な窓部を有する
請求項１から請求項１９のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項２１】
前記カートリッジ本体は、前記基板の表面を保護する保護基板を出し入れする第２開口部を有する
請求項１から請求項２０のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項２２】
前記カートリッジ本体は、前記保護基板を前記基板に押圧させる押圧機構を有する
請求項２１に記載の基板カートリッジ。
【請求項２３】
前記カートリッジ本体は、前記第２開口部と前記押圧機構との間で前記保護基板を案内する保護基板用案内部材を有する
請求項２２に記載の基板カートリッジ。
【請求項２４】
前記基板は、前記カートリッジ本体に、少なくとも一部が互いに重なるように収容される
請求項１から請求項２３のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項２５】
前記基板は、前記カートリッジ本体に、ロール状に収容される
請求項１から請求項２４のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項２６】
基板を処理する基板処理部と、
請求項１から請求項２５のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジと、
前記基板処理部に設けられ、前記基板カートリッジに接続される基板処理側接続部と
を備える基板処理装置。
【請求項２７】
前記基板処理側接続部は、前記基板処理部における基板搬入側及び基板搬出側のうち少なくとも一方に設けられている
請求項２６に記載の基板処理装置。
【請求項２８】
前記基板処理側接続部は、移動可能に設けられている
請求項２６又は請求項２７に記載の基板処理装置。
【請求項２９】
前記基板処理側接続部は、複数設けられている
請求項２６から請求項２８のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項３０】
前記基板処理部へ前記基板を供給する供給部及び前記基板処理部から前記基板を回収する回収部のうち少なくとも一方として、前記基板カートリッジを用いる
請求項２６から請求項２９のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項３１】
前記基板処理部は、前記基板上に表示素子を形成すること、及び、前記基板を搬送すること、のうち少なくとも一方を含む
請求項２６から請求項３０のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項３２】
基板に第１処理を行う第１処理装置と、
前記第１処理後の前記基板に第２処理を行う第２処理装置と、
前記第１処理装置から前記基板を回収し、回収した前記基板を前記第２処理装置へ供給する基板中継装置と
を備え、
前記基板中継装置として、請求項１から請求項２５のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジを用いる
基板処理システム。
【請求項３３】
前記第１処理は、前記基板に電気回路を形成する処理を含み、
前記第２処理は、前記基板に画素を形成する処理を含む
請求項３２に記載の基板処理システム。
【請求項３４】
前記第１処理装置と前記第２処理装置とのそれぞれの処理情報に応じて、前記基板中継装置を用いる
請求項３２又は請求項３３に記載の基板処理システム。
【請求項３５】
少なくとも前記処理情報を管理するシステム制御部を備える
請求項３４に記載の基板処理システム。
【請求項３６】
基板を処理する基板処理装置、及び、前記基板処理装置に接続される請求項１から請求項２５のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジを制御する主制御部を備える
制御装置。
【請求項３７】
基板処理部において基板を処理する工程と、
請求項１から請求項２５のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジを用いて前記基板処理部に前記基板を供給する工程と、を有する
表示素子の製造方法。
【請求項１】
基板が出し入れされる開口部を有し、前記開口部を介した前記基板を収容するカートリッジ本体と、
前記カートリッジ本体に設けられ、外部接続部に対して着脱可能に接続されるマウント部と
を備え、
前記開口部は、前記マウント部と前記外部接続部との間の接続状態に応じて、前記基板によって閉塞可能に設けられている
基板カートリッジ。
【請求項２】
前記カートリッジ本体は、前記基板を挟むクランプ機構を前記開口部内に有し、
前記クランプ機構は、前記基板を挟んだ状態で前記開口部を閉塞する
請求項１に記載の基板カートリッジ。
【請求項３】
前記クランプ機構は、前記基板を挟む部分にガスを供給するガス噴出口を有する
請求項２に記載の基板カートリッジ。
【請求項４】
前記ガス噴出口は、前記クランプ機構と前記基板との間に隙間が生じるように前記ガスを噴出する
請求項３に記載の基板カートリッジ。
【請求項５】
前記カートリッジ本体は、前記マウント部と前記外部接続部との接続状態に応じて前記ガスの噴出及び非噴出を切り替える切替機構を有する
請求項３又は請求項４に記載の基板カートリッジ。
【請求項６】
前記開口部は、前記マウント部に設けられる
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項７】
前記カートリッジ本体は、前記基板を巻き取る又は前記基板を送り出す巻取り送り出し機構を有する
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項８】
前記カートリッジ本体は、前記開口部に接続され前記基板を収容する収容部を有し、
前記巻取り送り出し機構は、前記収容部に設けられる
請求項７に記載の基板カートリッジ。
【請求項９】
前記巻取り送り出し機構は、
回転可能に保持される軸部材と、
前記基板を前記軸部材へ案内する又は前記基板を前記開口部へ案内する第１の案内部材と、を有する
請求項７又は請求項８に記載の基板カートリッジ。
【請求項１０】
前記軸部材は、前記基板を接着させる接着部を有する
請求項９に記載の基板カートリッジ。
【請求項１１】
前記案内部材は、少なくとも前記軸部材の回転の径方向に移動可能に設けられる
請求項９又は請求項１０に記載の基板カートリッジ。
【請求項１２】
前記カートリッジ本体は、前記開口部と前記巻取り送り出し機構との間で前記基板を搬送する搬送機構を有する
請求項７から請求項１１のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１３】
前記搬送機構は、前記基板に張力を与えるテンション機構を有する
請求項１２に記載の基板カートリッジ。
【請求項１４】
前記搬送機構は、前記基板の搬送量を測定する測定部を有する
請求項１２又は請求項１３に記載の基板カートリッジ。
【請求項１５】
前記搬送量に基づくデータを記憶させる記憶部を更に備える
請求項１４に記載の基板カートリッジ。
【請求項１６】
前記搬送量に基づくデータの通信を行う通信部を更に備える
請求項１４又は請求項１５に記載の基板カートリッジ。
【請求項１７】
前記搬送量に基づくデータを表示する表示部を更に備える
請求項１４から請求項１６のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１８】
前記カートリッジ本体は、前記開口部と前記搬送機構との間で前記基板を案内する基板用案内部材を有する
請求項１２から請求項１７のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項１９】
前記カートリッジ本体は、開閉可能に設けられた蓋部を有する
請求項１から請求項１８のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項２０】
前記カートリッジ本体は、前記基板の収容状態を観察可能な窓部を有する
請求項１から請求項１９のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項２１】
前記カートリッジ本体は、前記基板の表面を保護する保護基板を出し入れする第２開口部を有する
請求項１から請求項２０のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項２２】
前記カートリッジ本体は、前記保護基板を前記基板に押圧させる押圧機構を有する
請求項２１に記載の基板カートリッジ。
【請求項２３】
前記カートリッジ本体は、前記第２開口部と前記押圧機構との間で前記保護基板を案内する保護基板用案内部材を有する
請求項２２に記載の基板カートリッジ。
【請求項２４】
前記基板は、前記カートリッジ本体に、少なくとも一部が互いに重なるように収容される
請求項１から請求項２３のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項２５】
前記基板は、前記カートリッジ本体に、ロール状に収容される
請求項１から請求項２４のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジ。
【請求項２６】
基板を処理する基板処理部と、
請求項１から請求項２５のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジと、
前記基板処理部に設けられ、前記基板カートリッジに接続される基板処理側接続部と
を備える基板処理装置。
【請求項２７】
前記基板処理側接続部は、前記基板処理部における基板搬入側及び基板搬出側のうち少なくとも一方に設けられている
請求項２６に記載の基板処理装置。
【請求項２８】
前記基板処理側接続部は、移動可能に設けられている
請求項２６又は請求項２７に記載の基板処理装置。
【請求項２９】
前記基板処理側接続部は、複数設けられている
請求項２６から請求項２８のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項３０】
前記基板処理部へ前記基板を供給する供給部及び前記基板処理部から前記基板を回収する回収部のうち少なくとも一方として、前記基板カートリッジを用いる
請求項２６から請求項２９のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項３１】
前記基板処理部は、前記基板上に表示素子を形成すること、及び、前記基板を搬送すること、のうち少なくとも一方を含む
請求項２６から請求項３０のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項３２】
基板に第１処理を行う第１処理装置と、
前記第１処理後の前記基板に第２処理を行う第２処理装置と、
前記第１処理装置から前記基板を回収し、回収した前記基板を前記第２処理装置へ供給する基板中継装置と
を備え、
前記基板中継装置として、請求項１から請求項２５のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジを用いる
基板処理システム。
【請求項３３】
前記第１処理は、前記基板に電気回路を形成する処理を含み、
前記第２処理は、前記基板に画素を形成する処理を含む
請求項３２に記載の基板処理システム。
【請求項３４】
前記第１処理装置と前記第２処理装置とのそれぞれの処理情報に応じて、前記基板中継装置を用いる
請求項３２又は請求項３３に記載の基板処理システム。
【請求項３５】
少なくとも前記処理情報を管理するシステム制御部を備える
請求項３４に記載の基板処理システム。
【請求項３６】
基板を処理する基板処理装置、及び、前記基板処理装置に接続される請求項１から請求項２５のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジを制御する主制御部を備える
制御装置。
【請求項３７】
基板処理部において基板を処理する工程と、
請求項１から請求項２５のうちいずれか一項に記載の基板カートリッジを用いて前記基板処理部に前記基板を供給する工程と、を有する
表示素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【公開番号】特開２０１１−８４４０２（Ｐ２０１１−８４４０２Ａ）
【公開日】平成２３年４月２８日（２０１１．４．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１２２７０（Ｐ２０１０−２１２２７０）
【出願日】平成２２年９月２２日（２０１０．９．２２）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月２８日（２０１１．４．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２２日（２０１０．９．２２）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
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