パターン修正装置
【課題】 作業操作性の良いパターン修正装置を提供する。
【解決手段】 このパターン修正装置では、洗浄液４５の入った洗浄タンク４６を洗浄エリアに設け、塗布ノズル３０が詰まったときは、たとえばステージ１０，１２を駆動させて塗布ノズル３０を洗浄液４５中に浸漬させ、超音波振動子４７により超音波を印加して塗布ノズル３０を洗浄する。したがって、塗布ノズル３０を堆積装置５から取り外すことなく洗浄液４５で洗浄して、修正作業を再開することができる。
【解決手段】 このパターン修正装置では、洗浄液４５の入った洗浄タンク４６を洗浄エリアに設け、塗布ノズル３０が詰まったときは、たとえばステージ１０，１２を駆動させて塗布ノズル３０を洗浄液４５中に浸漬させ、超音波振動子４７により超音波を印加して塗布ノズル３０を洗浄する。したがって、塗布ノズル３０を堆積装置５から取り外すことなく洗浄液４５で洗浄して、修正作業を再開することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥、プラズマディスプレイのリブ（隔壁）欠損などを修正するパターン修正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上の電極やリブなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
たとえば、プラズマディスプレイの背面ガラス基板上には、高さが１５０μｍ程度で幅が６０〜１００μｍ程度のリブが数百μｍピッチで形成されている。このリブの一部が欠けている場合、塗布針に修正用ペーストを付着させて欠損部に塗布し、修正用ペーストが垂れないように修正用ペーストを焼成しながら積層し、リブ幅方向にはみ出た部分はレーザカットとスクラッチ針によって削り取り、リブの正常な高さよりも高く盛り上がった部分はスキージ機能により平らにならしてリブを修正する（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
また、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性ペーストを断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する（たとえば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−２９９０５９号公報
【特許文献２】特開平８−２９２４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、リブを修正する方法では、塗布針がリブの欠損部とペーストタンクとの間を何度も往復してリブ欠損部を修正用ペーストで埋めるので、欠損部が大きいほど塗布時間が長くなるという問題がある。また、リブ幅からはみ出した修正用ペーストを除去するカット用レーザ部とスクラッチ機構、これにより生じる異物を吸引する機構、正常部より盛り上がった修正部をスキージ機構により再整形する機構などが必要となり装置構成が複雑になる。
【０００６】
また、電極を修正する方法では、電極の断線部とペーストタンクとの間を何度も往復させて塗布針に導電性ペーストを補充しながら塗布するので、断線部が長いほど修正にかかる時間が長くなる。また、円形の塗布部を１列に配置した形状にペーストが塗布されるので、電極の幅からはみ出た部分は塗布後にレーザカット処理する必要があった。
【０００７】
そこで、本願発明者は、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱した状態で、塗布ノズルを介して霧状の修正液を欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて修正するパターン修正装置を提案した（たとえば特願２００５−５０７６６号参照）。このパターン修正装置では、修正液を補充しながら噴出することができるので、塗布針が欠陥部とペーストタンクとの間を何度も往復していた従来に比べ、欠陥部を迅速に修正することができる。また、欠陥部を加熱して修正液を乾燥させながら堆積層を形成するので、一定の形状に堆積層を形成することができる。したがって、従来のように余分な修正ペーストを除去する機構を設ける必要がないので、装置構成の簡単化を図ることができる。
【０００８】
しかし、このパターン修正装置では、塗布ノズルを介して霧状の修正液を欠陥部に噴射するので、修正液で塗布ノズルが詰まってしまうことも想定される。しかし、塗布ノズルが詰まるたびに塗布ノズルを取り外して洗浄していたのでは、作業操作性が悪くなる。
【０００９】
それゆえに、この発明の主たる目的は、作業操作性の良いパターン修正装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱する加熱装置と、塗布ノズルを介して霧状の修正液を欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて欠陥部を修正する堆積装置と、塗布ノズルを洗浄液で洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする。
【００１１】
好ましくは、洗浄手段は、塗布ノズルが浸漬された洗浄液に超音波振動を印加して塗布ノズルを洗浄する。
【００１２】
また好ましくは、洗浄手段は、塗布ノズルの先端を洗浄液中に挿入し、塗布ノズル内に洗浄液を吸引および吐出して塗布ノズルを洗浄する。
【００１３】
また好ましくは、洗浄手段は、塗布ノズルの先端を洗浄液の液面から予め定められられた深さまで挿入し、洗浄液の液面から予め定められた深さまでの洗浄液を塗布ノズル内に吸引および吐出する。
【００１４】
また好ましくは、洗浄手段は、塗布ノズルを介して洗浄液を噴射して塗布ノズルを洗浄する。
【００１５】
また好ましくは、洗浄手段は、霧状の修正液の代わりに所定量の洗浄液を塗布ノズルに供給する洗浄液供給装置と、塗布ノズルに圧縮ガスを供給し、塗布ノズルを介して洗浄液を噴射させる圧縮ガス供給装置とを含む。
【発明の効果】
【００１６】
この発明に係るパターン修正装置では、塗布ノズルを洗浄液で洗浄する洗浄手段を設けたので、塗布ノズルを取り外さずに洗浄して修正作業を再開することができ、作業操作性が高くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施の形態について説明する前に、まず、この発明が適用されるパターン修正装置の基本構成およびその動作について説明する。
【００１８】
図１は、この発明が適用されるパターン修正装置の全体構成を示す図である。図１において、パターン修正装置１は、基板の表面を観察する観察光学系２と、観察された画像を映し出すモニタ３と、観察光学系２を介してレーザ光を照射し不要部をカットするカット用レーザ部４と、欠陥修正用の修正材料を数μｍ以下の微粒子にして溶媒中に分散させた修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、微粒子を欠陥部に堆積させる微粒子堆積装置５と、欠陥部を加熱して霧状の修正液中の溶媒を気化させる基板加熱部６と、欠陥部を認識する画像処理部７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とを備える。さらに、その他に欠陥部を持つ基板をＸＹ方向（水平方向）に移動させるＸＹステージ１０と、ＸＹステージ１０上で基板を保持するチャック部１１と、観察光学系２や微粒子堆積装置５をＺ方向（垂直方向）に移動させるＺステージ１２などが設けられている。
【００１９】
図２は、図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。修正する欠陥としては、電極のオープン欠陥部、プラズマディスプレイのリブ欠損部、カラーフィルタの白抜け欠陥などが挙げられる。たとえば、オープン欠陥部１３ａがある電極１３が表面に形成された基板１４は、チャック部１１に固定され、そのチャック部１１はＸＹステージ１０によりＸＹ方向に移動される。なお、基板１４全体を加熱するヒータをチャック部１１に内蔵して、基板１４の上側から欠陥部１３ａを含む範囲を部分加熱可能な基板加熱部６と併用することも可能である。基板１４が大型になる場合には、チャック部１１内にヒータを内蔵して基板１４全体を加熱することは大掛かりになるため、このような場合には基板加熱部６のみの構成にする方が好ましい。基板加熱部６としては、ＬＤ光源やＣＯ２レーザなどを用いることが可能である。
【００２０】
微粒子堆積装置５は、修正に用いる修正材料を数μｍ以下の微粒子にし、それを溶媒中に均一に分散して液状化した修正液を霧状にする噴霧部１５と、霧状にされた修正液の流れの圧力を減じる減圧部１６と、減圧された霧状の修正液を加熱する加熱部１７と、加熱された霧状の修正液を収束して欠陥部１３ａに噴出し、欠陥部１３ａに微粒子を堆積するヘッド部１８とを含む。
【００２１】
噴霧部１５の容器１９内には修正液２０が注入されている。電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する場合には、修正液２０として、銀ペースト、金ペースト、あるいは透明電極材料の微粒子を溶媒中に分散したものが使用される。また、修正液２０として、中心金属の周りにイオンや分子が結合した化合物を含む金属錯体溶液を用いてもよい。また、プラズマディスプレイのリブ欠け欠陥を修正する場合には、修正液２０として、リブの材料であるガラスの粉末を溶媒中に均一に分散させたものが使用される。
【００２２】
容器１９の中央には噴霧ノズル２１が設けられている。噴霧ノズル２１の下部は修正液２０に浸けられている。容器１９の外部から噴霧ノズル２１にアトマイズガス（たとえば窒素ガス）を供給すると、噴霧ノズル２１上部の噴出口２１ａにおけるアトマイズガスの流速が速くなって周囲よりも気圧が下がるため、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｂから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ａから噴出するときに修正液２０も噴出口２１ａの周囲に飛び散り霧化される。この原理は普通の霧吹きの原理と同じでありベルヌーイの原理を応用したものである。大きな霧粒子は容器１９内に落下、あるいは、容器１９の内壁面に衝突して容器１９内に留まり、微細な霧粒子だけが減圧部１６に送られる。
【００２３】
なお、アトマイズガスとしては、修正液２０が酸化しないように窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましいが、酸化しない修正液２０であれば空気でも構わない。また、修正液２０を霧状にするためにアトマイズガスを用いたが、修正液２０中の修正材料がサブミクロンのような超微粒子であれば、超音波振動子による霧化装置を用いても構わない。超音波振動子による霧化装置を用いる場合、減圧部１６は省略され、霧粒子をヘッド部１８に流すための微量のガスが霧化装置に供給されて、霧化装置で発生した霧粒子がヘッド部１８に直接供給される。
【００２４】
また、修正液２０中の修正材料の微粒子が時間の経過により沈殿し易い場合には、撹拌子を容器１９内に入れ、容器１９の底にマグネチックスターラを設置して修正液２０を常時撹拌しても良い。
【００２５】
減圧部１６は、一般的に知られているバーチャルインパクタと同じものであり、修正液２０の霧粒子を分級するものである。小さな霧粒子はここで除去され、霧粒子の流れの圧力が減じられる。減圧部１６は、ノズル部２２と集気部２３と排気管２４と外管２５から構成される。ノズル部２２と集気部２３とは一定の隙間２６を保って対峙している。ノズル部２２から噴出された霧粒子のうちの流速が速い霧粒子や重い霧粒子は集気部２３を介して次段に供給されるが、流速が遅い霧粒子や軽い霧粒子などは排気管２４を介して排気ポンプ（図示せず）により排出される。
【００２６】
加熱部１７は、集気部２３と次段を結ぶパイプ２７を含む。パイプ２７の外周部にはヒータ２８と温度センサ２９が取り付けられ、パイプ２７が設定温度になるように制御され、霧粒子を加熱する機能を持つ。霧粒子を加熱することで、欠陥部１３ａに霧粒子が付着した時の流れや飛散を抑制する。なお、ヒータ２８の周りは断熱部材（図示せず）で覆われている。また、修正液２０によっては、図３に示すように、加熱部１７を省略することも可能である。
【００２７】
図２に戻って、ヘッド部１８は、霧粒子の周りをシースガス（たとえば窒素ガス）で覆いこみ、霧粒子の流れを収束させてヘッド部１８下端の塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに向けて霧粒子を噴出する。塗布ノズル３０の噴出口の内径は１００〜２００μｍ程度であり、シースガスによって噴出口の内径の１／１０程度まで霧粒子の流れを収束させることが可能である。
【００２８】
シャッタ３１は、欠陥修正を行う前に基板１４上に霧粒子が噴出されないように塗布ノズル３０から噴出される霧粒子を受けるものである。修正開始時にシャッタ３１を開放して欠陥修正を行ない、修正完了と同時にシャッタ３１を塗布ノズル３０の先端と基板１４の間に移動させ、シャッタ３１で霧粒子を受ける。なお、シャッタ３１に、塗布ノズル３０から噴出された霧粒子を吸引する機能を持たせてもよい。
【００２９】
次に、このパターン修正装置の使用方法について説明する。図４（ａ）は、基板１４の表面に形成された電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する途中経過を示す図である。ＸＹステージ１０を駆動させて塗布ノズル３０と基板１４を相対的に移動させ、欠陥部１３ａの一方端から他方端に向けて修正材料の微粒子を堆積させていく。このとき、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔を一定の距離（５ｍｍ前後）に保って非接触で修正することができる。
【００３０】
微粒子の堆積層の線幅を一定に保つためには、欠陥部１３ａを含む範囲で基板１４の一部分または基板１４全体を最適な温度に保つとともに、噴霧部１５に供給するアトマイズガスの流量、減圧部１６の排気流量、ヘッド部１８のシースガスの流量などを最適値に管理する必要がある。なお、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔が微粒子の堆積層の線幅に及ぼす影響は小さい。
【００３１】
図４（ｂ）は、欠陥部１３ａの修理が完了した状態を示す図である。微粒子の堆積層からなる修正部３２は基板加熱部６によりさらに本焼成しても良いし、基板１４全体を別工程の炉で再焼成しても構わない。なお、修正膜厚が不足する場合は、複数の微粒子層を積層すれば良い。また、修正部３２の線幅が電極１３の線幅よりも太くなったり、修正部３２以外の部分に微粒子が付着した場合は、レーザ部４を用いて不要部をレーザカットしてもよい。
【００３２】
また、図５（ａ）に示すように、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に形成されているリブ３５の一部が欠落したリブ欠け欠陥部３５ａを修正することも可能である。すなわち図５（ｂ）に示すように、基板加熱部６を用いて欠陥部３５ａを加熱しながら塗布ノズル３０から欠陥部３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、かつＸＹステージ１０を移動させて欠陥部３５ａに微粒子の堆積層３６＿１を形成する。引き続き、ＸＹステージ１０を往復移動させて複数の堆積層３６＿２〜３６＿ｎを積層し、最終的には図５（ｃ）に示すようにリブ３５の正常高さまで積層する。積層の終了後、修正部を基板加熱部６を用いて本焼成しても良いし、基板１４を炉で再焼成しても構わない。
【００３３】
この例では、堆積層３６＿１〜３６＿ｎを基板加熱部６で加熱してある程度乾燥させながら積層することができるので、積層幅は均一で崩れることがない。したがって、積層後のリブ幅再整形工程を省略することも可能である。
【００３４】
また、１回の堆積膜厚は、修正材料や各流量設定にもよるが１μｍ前後であり、修正部の高さを測定器で測定しながら堆積層３６＿２〜３６＿ｎを積層すれば、修正部のトップ面をリブ３５の正常なトップ面とほぼ同じ高さにすることができるので、従来のスキージ機構を省略することも可能である。
【００３５】
以上のように、このパターン修正装置では、加熱した欠陥部１３ａ，３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、欠陥部１３ａ，３５ａに修正材料の微粒子を堆積させ、堆積層を欠陥部１３ａ，３５ａに描画するので、塗布針を用いていた従来に比べ、修正時間の短縮化を図ることができる。
【００３６】
また、従来技術で必要であった修正用ペースト塗布後におけるパターン整形手順およびその機構が不要となって、装置の簡略化が可能となる。
【００３７】
なお、このパターン修正装置では、ＸＹステージ１０により基板１４を移動させて堆積層を描画したが、基板１４を動かさずに微粒子堆積装置５を移動するようにして堆積層を描画してもよい。
【００３８】
また、ＸＹステージ１０としては、一軸ステージをＸＹ方向に重ねたものや、基板を固定してＸ軸とＹ軸とを分離して駆動するガントリー方式など多種ステージ形式が考えられ、ここに示したステージには限定されない。
【００３９】
さて、このようなパターン修正装置では、微粒子堆積装置５の噴霧部１５、減圧部１６、加熱部１７、ヘッド部１８内を霧状の修正液２０が通過するので、装置の使用時間が長くなると、その内部に修正液が付着して溜まる。特にヘッド部１８の先端に固定される塗布ノズル３０内部に修正液２０の塊（滴）が付着して詰まった場合には霧粒子が収束せずに飛散し、描画線が太くなったり、最終的には描画不能になる。
【００４０】
図６は、ヘッド部１８の詳細を示す断面図であって、塗布ノズル３０の先端が詰まった状態を示す図である。図６において、ヘッド部１８の上端部の穴にパイプ２７の下端が嵌め込まれ、パイプ２７の外周部とヘッド部１８の間にはシール部材４０が設けられている。また、塗布ノズル３０の基端部はテーパシール４１および固定ナット４２によりヘッド部１８本体の下端部に固定されている。図６では、塗布ノズル３０の先端が修正液２０からなる付着物４３により詰まった状態が示されている。このような状態になると、微粒子堆積装置５をパターン修正装置１から取り外して分解洗浄するか、あるいは、塗布ノズル３０を外して洗浄する必要があるが、取り外して再度取り付けるには手間がかかり、作業操作性が悪いという問題がある。以下の実施の形態では、この問題の解決が図られる。
【００４１】
[実施の形態１]
図７は、この発明の実施の形態１によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。図７において、このパターン修正装置では、その一角に設けた洗浄エリアに、洗浄液４５の入った洗浄タンク４６を配置し、塗布ノズル３０の洗浄が必要になった際には、たとえばステージ１０，１２を駆動させて塗布ノズル３０を洗浄タンク４６の洗浄液４５中に浸漬させる。洗浄液４５としては、揮発性の高いアルコール系の溶液、たとえば、メチルアルコールを用いる。塗布ノズル３０を洗浄液４５に漬ける前から一定量のシースガスを噴霧しておけば、塗布ノズル３０の先端から気泡が出て塗布ノズル３０の外面に付いた付着物４３を除去できる。
【００４２】
また、洗浄タンク４６に超音波振動子４７（たとえば、ランジバン型振動子）が設けられ、超音波洗浄器が構成されている。塗布ノズル３０が浸漬された洗浄液４５に超音波を印加することにより、塗布ノズル３０の内外の付着物４３をきれいに除去することができる。洗浄が完了した時点で塗布ノズル３０を洗浄タンク４６から引き上げ、エアパージによって、塗布ノズル３０の表面に付いた洗浄液４５を吹き飛ばして、塗布ノズル３０の表面を乾燥させる。なお、塗布ノズル３０を洗浄液４５から引き上げた後、シースガスなどのガスを流すと、塗布ノズル３０の内側に浸入した洗浄液４５の吐出が可能となり、その後も連続してシースガスなどのガスを流せば、塗布ノズル３０の内側も乾燥され、再使用可能となる。
【００４３】
この実施の形態１では、塗布ノズル３０を堆積装置５から取り外すことなく洗浄液４５で洗浄して、再度微細線の描画が可能となるので作業操作性が向上する。また、微粒子堆積装置５の分解洗浄までのメンテナンス期間を延長することができる。
【００４４】
[実施の形態２]
図８は、この発明の実施の形態２によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。図８において、このパターン修正装置では、アトマイズガスのガス供給源と噴霧ノズル２１の間のガス配管に電磁バルブ（Ｖ）５０、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）５１および圧力センサ（Ｓ）５２が順に介挿されている。ガス供給源は、ガスを所定の圧力に調整して電磁バルブ５０に与える。電磁バルブ５０は、噴霧部１５で修正液２０の霧粒子を生成する噴霧期間に開けられてガスを通過させ、それ以外の期間は閉じられてガスを遮断する。マスフローコントローラ５１は、ガス流量を制御する装置であり、噴霧期間に所定流量のアトマイズガスを流す。圧力センサ５２は、噴霧期間にガス配管内のアトマイズガスの圧力を検出する。噴霧ノズル２１が詰まってくるとガス配管内のアトマイズガスの圧力が上昇するので、圧力センサ５２の検出結果に基づいて噴霧ノズル２１の詰まり具合を検出することができる。
【００４５】
また、噴霧部１５の容器１９の上部に圧力検出孔が開口され、その孔にはフィルタ５３、圧力センサ５４および電磁バルブ５５がガス配管を介して順に接続されている。フィルタ５３は、修正液２０の霧粒子を遮断し、容器１９内のガスを通過させる。圧力センサ５４は、噴霧期間に容器１９内の圧力を検出する。電磁バルブ５５は、通常は閉じられ、容器１９内のガスを排気する場合に開けられる。塗布ノズル３０が詰まってくると容器１９内のガスの圧力が上昇するので、圧力センサ５４の検出結果に基づいて塗布ノズル３０の詰まり具合を検出することができる。
【００４６】
また、減圧部１６の排気管２４の下流には、フィルタ５６、圧力センサ５７、マスフローコントローラ５８および吸引ポンプ（Ｐ）５９がガス配管を介して順に接続されている。フィルタ５６は、修正液２０の霧粒子を遮断し、ガスを通過させる。圧力センサ５７は、噴霧期間に排気管２４内の圧力すなわち減圧部１６の外管２５内の圧力を検出する。マスフローコントローラ５８は、ガス流量を制御する装置であり、噴霧期間に所定流量のガスを流す。吸引ポンプ５９は、減圧部１６からガスを排気する。吸引ポンプ５９としては、一般的なポンプ以外に真空発生源を用いても良い。塗布ノズル３０が詰まってくると外管２５内のアトマイズガスの圧力が上昇するので、圧力センサ５７の検出結果に基づいて塗布ノズル３０の詰まり具合を検出することができる。
【００４７】
また、シースガスのガス供給源とヘッド部１８の間のガス配管に電磁バルブ６０、マスフローコントローラ６１および圧力センサ６２が順に介挿されている。ガス供給源は、ガスを所定の圧力に調整して電磁バルブ６０に与える。電磁バルブ６０は、噴霧期間に開けられてガスを通過させ、それ以外の期間は閉じられてガスを遮断する。マスフローコントローラ６１は、ガス流量を制御する装置であり、噴霧期間に所定流量のシースガスを流す。圧力センサ６２は、噴霧期間にガス配管内のシースガスの圧力を検出する。塗布ノズル３０が詰まってくるとガス配管内のシースガスの圧力が上昇するので、圧力センサ６２の検出結果に基づいて塗布ノズル３０の詰まり具合を検出することができる。
【００４８】
また、圧力センサ５４で検出する噴霧部１５の容器１９内の圧力や、圧力センサ５７で検出する減圧部１６の内圧もシースガスと同様の時刻変化を示し、圧力値もほぼ同じであるので、容器１９内の圧力や減圧部１６の内圧に基づいて塗布ノズル３０の詰まり具合を検出することができる。
【００４９】
また、このパターン修正装置では、実施の形態１と同様に、その一角に設けた洗浄エリアに、洗浄液４５の入った洗浄タンク４６が配置されている。圧力センサ５２，５４，５７，６２の検出結果に基づいて塗布ノズル３０の洗浄が必要と判断した場合は、以下の洗浄工程に入る。
【００５０】
図９は、塗布ノズル３０の洗浄工程を示すタイムチャートである。図９において、塗布ノズル３０の洗浄工程は、５つの期間Ｔ１〜Ｔ５に分けられる。堆積装置５内が正圧になった状態で塗布ノズル３０を洗浄液４５に浸漬すると、正圧が無くなるまで塗布ノズル３０の先端から気泡が出る。逆に、堆積装置５内が負圧になった状態で塗布ノズル３０を洗浄液４５に浸漬すると、洗浄液４５が塗布ノズル３０から吸い込まれ、堆積装置５の減圧部１６まで洗浄液４５が逆流し、場合によっては噴霧部１５まで逆流して修正液２０を使用できない状態になる恐れがある。そのため期間Ｔ１では、アトマイズガス流量、シースガス流量、排気流量をゼロにし、堆積装置５の内圧を除去する目的で一度電磁バルブ５５を開いて堆積装置５の内圧をゼロにした後、再度電磁バルブ５５を閉じる。
【００５１】
次に期間Ｔ２では、図８に示すように塗布ノズル３０を洗浄液４５に浸漬し、微量のシースガス（たとえば、２０ｃｃ／分）を流すようにマスフローコントローラ６１に指令を出す。この時点で塗布ノズル３０の先端からは気泡が出る。その後、シースガス流量よりわずかに多い排気流量のガスを流すようにマスフローコントローラ５８に指令を出す。マスフローコントローラ５８，６１の流量は、それらの中にある流量センサ出力をサンプリングすることで把握される。図９中のＡ点でシースガス流量と排気流量が同じになる。
【００５２】
次いで期間Ｔ３では、シースガス流量よりも排気流量の方が大きくなる。排気流量がある閾値を超えると（図９中のＢ点）、堆積装置５の内部がわずかに負圧になり、塗布ノズル３０の先端から洗浄液４５が内部にゆっくり吸い込まれ、一定時間経過したＣ点まで吸引動作を行う。なお、Ｂ点とＣ点の間に吸引される洗浄液４５の量は微量であり、かつ、洗浄液４５が減圧部１６まで到達しないような範囲でＣ点は設定される。
【００５３】
次に期間Ｔ４では、排気流量をゼロにすると同時にシースガス流量が最大流量になるようマスフローコントローラ５８，６１を設定する。また、場合によっては、アトマイズガス流量が、噴霧部１５で霧化が行なわれない程度の流量、つまり噴霧ノズル２１の噴霧可能最低限流量よりも小さい流量になるようにマスフローコントローラ５１を設定する。このようにして塗布ノズル３０よりも上方からガスを流すことで、堆積装置５内の内圧が高まり、塗布ノズル３０からガス排出と共に吸い込んだ洗浄液４５が吐出され、塗布ノズル３０内に詰まっていた修正液４５も洗浄タンク４６の洗浄液４５内に吐き出される。
【００５４】
以上の期間Ｔ１〜Ｓ４を１サイクルとして、このサイクルを数回行なった後に、シースガス流量またはアトマイズガス流量がゼロになるようにマスフローコントローラ６１または５１を設定し、その後、塗布ノズル３０を洗浄液４５から上方に抜き出す。その際、塗布ノズル３０の外面にエアパージを施して塗布ノズル３０の表面を乾燥させる（区間Ｄ）。
【００５５】
最後に期間Ｔ５では、所定流量のシースガス、あるいは噴霧可能最低限流量よりも少ない流量のアトマイズガス、あるいはシースガスとアトマイズガスの両方を流して、塗布ノズル３０の内側を乾燥させる。これにより、塗布ノズル３０は再使用可能となる。期間Ｔ５が終了した時点でアトマイズガス流量をゼロに設定する。シースガスはそのまま流し続けてもよいし、シースガス流量を減らしてもよいし、シースガス流量をゼロに設定してもよい。
【００５６】
この実施の形態２でも、実施の形態１と同じ効果が得られる。また、洗浄タンク４６に超音波振動子４７を取付けて超音波洗浄器を構成すれば、洗浄能力が一層高くなる。
【００５７】
なお、吸引洗浄１サイクルが終了するごとに洗浄タンク４６内の洗浄液４５を洗浄液交換手段（図示せず）により新しい洗浄液４５と取り替えてもよい。
【００５８】
また、図１０に示すように、期間Ｔ２，Ｓ３においてシースガス流量をゼロにした状態で排気流量を設定し、塗布ノズル３０の先端から洗浄液４５を吸込んでもよい。
【００５９】
図１１は、実施の形態２の変更例を示す断面図である。このパターン修正装置は、図９の期間Ｔ３で洗浄液４５を吸引する際、余分に洗浄液４５を吸引しないようにしたものである。図８では、塗布ノズル３０を洗浄液４５内に深く浸漬させたのに対し、この変更例では、塗布ノズル３０の先端を洗浄液４５にわずかに浸漬させる。
【００６０】
すなわち図１１において、補充タンク６５の洗浄液４５は、バルブ６６の開閉によって洗浄タンク４６に供給されるが、洗浄タンク４６の液面が一定の高さＨになるように、余分な洗浄液４５は洗浄タンク４６の上側面にあるフロー管４６ａから廃液タンク（図示せず）へ導かれる。塗布ノズル３０の先端位置はＺステージ１２により位置決めされるが、前もって洗浄タンク４６に挿入する際のＺ軸位置を設定して記憶しておき、洗浄時には前もって記憶しておいた座標に移動すれば良い。
【００６１】
このように塗布ノズル３０の先端がわずかに洗浄液４５に浸漬された状態であるため、塗布ノズル３０から吸引される量は、洗浄タンク４６の断面積Ｓと洗浄液４５に漬かった高さｈの積Ｓ×ｈに制限されるため、余分な洗浄液４５を吸引しないで済む。洗浄により洗浄タンク４６内の洗浄液４５が汚れた場合には、洗浄タンク４６の底のバルブ６７を開放して、洗浄タンク４６内を空にし、その後バルブ６７を閉じてからバルブ６６を開放して補充タンク６５から洗浄タンク４０に新しい洗浄液４５を供給する。
【００６２】
図１２は、実施の形態２の他の変更例を示す断面図である。このパターン修正装置が図１１のパターン修正装置と異なる点は、洗浄タンク４６の外側に２重タンク６８が設けられている点である。洗浄タンク４６の上側面にはフロー孔４６ｂが開口され、フロー孔４６ｂから漏れた洗浄液４５は２重タンク６８に集められた後、廃液ドレン６８ａから廃液タンク（図示せず）に導かれる。また洗浄タンク４６の下側面にはバルブ付孔４６ｃが設けられている。洗浄タンク４６内の洗浄液４５を交換する際は、バルブ付孔４６ｃを開放して２重タンク６８内に廃液を流し、廃液ドレン６８ａから一括して廃液を流す。
【００６３】
[実施の形態３]
図１３は、この発明の実施の形態３によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。図１３において、このパターン修正装置は、図８のパターン修正装置に洗浄液注入装置７０を追加したものである。洗浄液注入装置７０は、ヘッド部１８のテーパ面１８ａにシースガスと平行して洗浄液４５を注入する装置であり、洗浄液４５を一定量注入するための注入部７１と、圧縮ガス（たとえば窒素ガス）を供給する電磁バルブ７２とを含む。注入部７１は、洗浄液４５を入れるタンク部７１ａと、洗浄液４５を一定量注入するための電動シリンダ部７１ｂからなる。洗浄液４５としては、実施の形態１と同様、たとえばメチルアルコールを用いる。
【００６４】
シースガスを一定流量流した状態で、塗布ノズル３０は洗浄タンク４６に浸漬される。この時、アトマイズガスを噴霧可能最低限流量よりも低い流量に設定してもよい。塗布ノズル３０の先端からは気泡が出た状態であり、この状態で注入部７１から洗浄液４５を少量注入する。洗浄液４５の注入量は塗布ノズル３０とヘッド部１８のテーパ面１８ａを満たす程度で十分であり、たとえば０．５ｃｃ程度の洗浄液４５が注入される。注入された洗浄液４５はヘッド部１８のテーパ面１８ａを通って塗布ノズル３０の先端から吐き出される。塗布ノズル３０の上部内径は１ｍｍ以下、その先端内径は２００μｍと細いため、注入した洗浄液４５が塗布ノズル３０の先端からうまく吐き出されない場合があり、この時は電磁バルブ７２を短時間（数秒）だけ開いてヘッド部１８のテーパ面１８ａに圧縮ガスを注入する。この圧縮ガスの圧力により、洗浄液４５は塗布ノズル３０を介して洗浄タンク４６内に吐き出される。圧縮ガスの注入を数回繰り返すことで、注入された洗浄液４５をすべて排出する。
【００６５】
上記洗浄工程を数回繰り返せば、塗布ノズル３０の内部に溜まった修正液２０は外部に排出される。また、塗布ノズル３０の先端表面に付着した修正液２０も上記工程で除去されるが、少し残るようであれば、超音波振動子４７を駆動して超音波洗浄を併用しても良い。
【００６６】
洗浄液４５を注入する方法で塗布ノズル３０を洗浄した後、エアパージしながら塗布ノズル３０を洗浄タンク４６から上方に引き上げる。その後、塗布ノズル３０の内部、および、シースガスが流れる部分の乾燥を行うため、シースガスをしばらくの間流し続けて乾燥を促進させる。
【００６７】
この実施の形態３でも、実施の形態２と同じ効果が得られる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】この発明が適用されるパターン修正装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図３】図１に示したパターン修正装置の変更例を示す断面図である。
【図４】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。
【図５】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す他の図である。
【図６】図１に示したパターン修正装置の問題点を説明するための断面図である。
【図７】この発明の実施の形態１によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図８】この発明の実施の形態２によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図９】図８に示したパターン修正装置の動作を示すタイムチャートである。
【図１０】実施の形態２の変更例を示すタイムチャートである。
【図１１】実施の形態２の他の変更例を示す断面図である。
【図１２】実施の形態２のさらに他の変更例を示す断面図である。
【図１３】この発明の実施の形態３によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１ パターン修正装置、２ 観察光学系、３ モニタ、４ カット用レーザ部、５ 微粒子堆積装置、６ 基板加熱部、７ 画像処理部、８ ホストコンピュータ、９ 制御用コンピュータ、１０ ＸＹステージ、１１ チャック部、１２ Ｚステージ、１３ 電極、１３ａ オープン欠陥部、１４ 基板、１５ 噴霧部、１６ 減圧部、１７ 加熱部、１８ ヘッド部、１８ａ テーパ面、１９ 容器、２０ 修正液、２１ 噴霧ノズル、２１ａ 噴出口、２１ｂ 吸入口、２２ ノズル部、２３ 集気部、２４ 排気管、２５ 外管、２６ 隙間、２７ パイプ、２８ ヒータ、２９ 温度センサ、３０ 塗布ノズル、３１ シャッタ、３２ 修正部、３４ 背面ガラス基板、３５ リブ、３５ａ リブ欠け欠陥部、３６＿１〜３６＿ｎ 堆積層、４０ シール部材、４１ テーパ状シール、４２ ナット、４３ 付着物、４５ 洗浄液、４６ 洗浄タンク、４６ａ フロー管、４６ｂ フロー孔、４６ｃ バルブ付孔、４７ 超音波発振子、５０，５５，６０，６６，７２ 電磁バルブ、５１，５８，６１ マスフローコントローラ、５２，５４，５７，６２ 圧力センサ、５３，５６ フィルタ、６５ 補充タンク、６６，６７ バルブ、７０ 洗浄液注入装置、７１ 注入部、７１ａ タンク部、７１ｂ 電動シリンダ部。
【技術分野】
【０００１】
この発明はパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥、プラズマディスプレイのリブ（隔壁）欠損などを修正するパターン修正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上の電極やリブなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
たとえば、プラズマディスプレイの背面ガラス基板上には、高さが１５０μｍ程度で幅が６０〜１００μｍ程度のリブが数百μｍピッチで形成されている。このリブの一部が欠けている場合、塗布針に修正用ペーストを付着させて欠損部に塗布し、修正用ペーストが垂れないように修正用ペーストを焼成しながら積層し、リブ幅方向にはみ出た部分はレーザカットとスクラッチ針によって削り取り、リブの正常な高さよりも高く盛り上がった部分はスキージ機能により平らにならしてリブを修正する（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
また、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性ペーストを断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する（たとえば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−２９９０５９号公報
【特許文献２】特開平８−２９２４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、リブを修正する方法では、塗布針がリブの欠損部とペーストタンクとの間を何度も往復してリブ欠損部を修正用ペーストで埋めるので、欠損部が大きいほど塗布時間が長くなるという問題がある。また、リブ幅からはみ出した修正用ペーストを除去するカット用レーザ部とスクラッチ機構、これにより生じる異物を吸引する機構、正常部より盛り上がった修正部をスキージ機構により再整形する機構などが必要となり装置構成が複雑になる。
【０００６】
また、電極を修正する方法では、電極の断線部とペーストタンクとの間を何度も往復させて塗布針に導電性ペーストを補充しながら塗布するので、断線部が長いほど修正にかかる時間が長くなる。また、円形の塗布部を１列に配置した形状にペーストが塗布されるので、電極の幅からはみ出た部分は塗布後にレーザカット処理する必要があった。
【０００７】
そこで、本願発明者は、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱した状態で、塗布ノズルを介して霧状の修正液を欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて修正するパターン修正装置を提案した（たとえば特願２００５−５０７６６号参照）。このパターン修正装置では、修正液を補充しながら噴出することができるので、塗布針が欠陥部とペーストタンクとの間を何度も往復していた従来に比べ、欠陥部を迅速に修正することができる。また、欠陥部を加熱して修正液を乾燥させながら堆積層を形成するので、一定の形状に堆積層を形成することができる。したがって、従来のように余分な修正ペーストを除去する機構を設ける必要がないので、装置構成の簡単化を図ることができる。
【０００８】
しかし、このパターン修正装置では、塗布ノズルを介して霧状の修正液を欠陥部に噴射するので、修正液で塗布ノズルが詰まってしまうことも想定される。しかし、塗布ノズルが詰まるたびに塗布ノズルを取り外して洗浄していたのでは、作業操作性が悪くなる。
【０００９】
それゆえに、この発明の主たる目的は、作業操作性の良いパターン修正装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱する加熱装置と、塗布ノズルを介して霧状の修正液を欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に堆積させて欠陥部を修正する堆積装置と、塗布ノズルを洗浄液で洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする。
【００１１】
好ましくは、洗浄手段は、塗布ノズルが浸漬された洗浄液に超音波振動を印加して塗布ノズルを洗浄する。
【００１２】
また好ましくは、洗浄手段は、塗布ノズルの先端を洗浄液中に挿入し、塗布ノズル内に洗浄液を吸引および吐出して塗布ノズルを洗浄する。
【００１３】
また好ましくは、洗浄手段は、塗布ノズルの先端を洗浄液の液面から予め定められられた深さまで挿入し、洗浄液の液面から予め定められた深さまでの洗浄液を塗布ノズル内に吸引および吐出する。
【００１４】
また好ましくは、洗浄手段は、塗布ノズルを介して洗浄液を噴射して塗布ノズルを洗浄する。
【００１５】
また好ましくは、洗浄手段は、霧状の修正液の代わりに所定量の洗浄液を塗布ノズルに供給する洗浄液供給装置と、塗布ノズルに圧縮ガスを供給し、塗布ノズルを介して洗浄液を噴射させる圧縮ガス供給装置とを含む。
【発明の効果】
【００１６】
この発明に係るパターン修正装置では、塗布ノズルを洗浄液で洗浄する洗浄手段を設けたので、塗布ノズルを取り外さずに洗浄して修正作業を再開することができ、作業操作性が高くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施の形態について説明する前に、まず、この発明が適用されるパターン修正装置の基本構成およびその動作について説明する。
【００１８】
図１は、この発明が適用されるパターン修正装置の全体構成を示す図である。図１において、パターン修正装置１は、基板の表面を観察する観察光学系２と、観察された画像を映し出すモニタ３と、観察光学系２を介してレーザ光を照射し不要部をカットするカット用レーザ部４と、欠陥修正用の修正材料を数μｍ以下の微粒子にして溶媒中に分散させた修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、微粒子を欠陥部に堆積させる微粒子堆積装置５と、欠陥部を加熱して霧状の修正液中の溶媒を気化させる基板加熱部６と、欠陥部を認識する画像処理部７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とを備える。さらに、その他に欠陥部を持つ基板をＸＹ方向（水平方向）に移動させるＸＹステージ１０と、ＸＹステージ１０上で基板を保持するチャック部１１と、観察光学系２や微粒子堆積装置５をＺ方向（垂直方向）に移動させるＺステージ１２などが設けられている。
【００１９】
図２は、図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。修正する欠陥としては、電極のオープン欠陥部、プラズマディスプレイのリブ欠損部、カラーフィルタの白抜け欠陥などが挙げられる。たとえば、オープン欠陥部１３ａがある電極１３が表面に形成された基板１４は、チャック部１１に固定され、そのチャック部１１はＸＹステージ１０によりＸＹ方向に移動される。なお、基板１４全体を加熱するヒータをチャック部１１に内蔵して、基板１４の上側から欠陥部１３ａを含む範囲を部分加熱可能な基板加熱部６と併用することも可能である。基板１４が大型になる場合には、チャック部１１内にヒータを内蔵して基板１４全体を加熱することは大掛かりになるため、このような場合には基板加熱部６のみの構成にする方が好ましい。基板加熱部６としては、ＬＤ光源やＣＯ２レーザなどを用いることが可能である。
【００２０】
微粒子堆積装置５は、修正に用いる修正材料を数μｍ以下の微粒子にし、それを溶媒中に均一に分散して液状化した修正液を霧状にする噴霧部１５と、霧状にされた修正液の流れの圧力を減じる減圧部１６と、減圧された霧状の修正液を加熱する加熱部１７と、加熱された霧状の修正液を収束して欠陥部１３ａに噴出し、欠陥部１３ａに微粒子を堆積するヘッド部１８とを含む。
【００２１】
噴霧部１５の容器１９内には修正液２０が注入されている。電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する場合には、修正液２０として、銀ペースト、金ペースト、あるいは透明電極材料の微粒子を溶媒中に分散したものが使用される。また、修正液２０として、中心金属の周りにイオンや分子が結合した化合物を含む金属錯体溶液を用いてもよい。また、プラズマディスプレイのリブ欠け欠陥を修正する場合には、修正液２０として、リブの材料であるガラスの粉末を溶媒中に均一に分散させたものが使用される。
【００２２】
容器１９の中央には噴霧ノズル２１が設けられている。噴霧ノズル２１の下部は修正液２０に浸けられている。容器１９の外部から噴霧ノズル２１にアトマイズガス（たとえば窒素ガス）を供給すると、噴霧ノズル２１上部の噴出口２１ａにおけるアトマイズガスの流速が速くなって周囲よりも気圧が下がるため、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｂから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ａから噴出するときに修正液２０も噴出口２１ａの周囲に飛び散り霧化される。この原理は普通の霧吹きの原理と同じでありベルヌーイの原理を応用したものである。大きな霧粒子は容器１９内に落下、あるいは、容器１９の内壁面に衝突して容器１９内に留まり、微細な霧粒子だけが減圧部１６に送られる。
【００２３】
なお、アトマイズガスとしては、修正液２０が酸化しないように窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましいが、酸化しない修正液２０であれば空気でも構わない。また、修正液２０を霧状にするためにアトマイズガスを用いたが、修正液２０中の修正材料がサブミクロンのような超微粒子であれば、超音波振動子による霧化装置を用いても構わない。超音波振動子による霧化装置を用いる場合、減圧部１６は省略され、霧粒子をヘッド部１８に流すための微量のガスが霧化装置に供給されて、霧化装置で発生した霧粒子がヘッド部１８に直接供給される。
【００２４】
また、修正液２０中の修正材料の微粒子が時間の経過により沈殿し易い場合には、撹拌子を容器１９内に入れ、容器１９の底にマグネチックスターラを設置して修正液２０を常時撹拌しても良い。
【００２５】
減圧部１６は、一般的に知られているバーチャルインパクタと同じものであり、修正液２０の霧粒子を分級するものである。小さな霧粒子はここで除去され、霧粒子の流れの圧力が減じられる。減圧部１６は、ノズル部２２と集気部２３と排気管２４と外管２５から構成される。ノズル部２２と集気部２３とは一定の隙間２６を保って対峙している。ノズル部２２から噴出された霧粒子のうちの流速が速い霧粒子や重い霧粒子は集気部２３を介して次段に供給されるが、流速が遅い霧粒子や軽い霧粒子などは排気管２４を介して排気ポンプ（図示せず）により排出される。
【００２６】
加熱部１７は、集気部２３と次段を結ぶパイプ２７を含む。パイプ２７の外周部にはヒータ２８と温度センサ２９が取り付けられ、パイプ２７が設定温度になるように制御され、霧粒子を加熱する機能を持つ。霧粒子を加熱することで、欠陥部１３ａに霧粒子が付着した時の流れや飛散を抑制する。なお、ヒータ２８の周りは断熱部材（図示せず）で覆われている。また、修正液２０によっては、図３に示すように、加熱部１７を省略することも可能である。
【００２７】
図２に戻って、ヘッド部１８は、霧粒子の周りをシースガス（たとえば窒素ガス）で覆いこみ、霧粒子の流れを収束させてヘッド部１８下端の塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに向けて霧粒子を噴出する。塗布ノズル３０の噴出口の内径は１００〜２００μｍ程度であり、シースガスによって噴出口の内径の１／１０程度まで霧粒子の流れを収束させることが可能である。
【００２８】
シャッタ３１は、欠陥修正を行う前に基板１４上に霧粒子が噴出されないように塗布ノズル３０から噴出される霧粒子を受けるものである。修正開始時にシャッタ３１を開放して欠陥修正を行ない、修正完了と同時にシャッタ３１を塗布ノズル３０の先端と基板１４の間に移動させ、シャッタ３１で霧粒子を受ける。なお、シャッタ３１に、塗布ノズル３０から噴出された霧粒子を吸引する機能を持たせてもよい。
【００２９】
次に、このパターン修正装置の使用方法について説明する。図４（ａ）は、基板１４の表面に形成された電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する途中経過を示す図である。ＸＹステージ１０を駆動させて塗布ノズル３０と基板１４を相対的に移動させ、欠陥部１３ａの一方端から他方端に向けて修正材料の微粒子を堆積させていく。このとき、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔を一定の距離（５ｍｍ前後）に保って非接触で修正することができる。
【００３０】
微粒子の堆積層の線幅を一定に保つためには、欠陥部１３ａを含む範囲で基板１４の一部分または基板１４全体を最適な温度に保つとともに、噴霧部１５に供給するアトマイズガスの流量、減圧部１６の排気流量、ヘッド部１８のシースガスの流量などを最適値に管理する必要がある。なお、塗布ノズル３０の先端と基板１４の表面の間隔が微粒子の堆積層の線幅に及ぼす影響は小さい。
【００３１】
図４（ｂ）は、欠陥部１３ａの修理が完了した状態を示す図である。微粒子の堆積層からなる修正部３２は基板加熱部６によりさらに本焼成しても良いし、基板１４全体を別工程の炉で再焼成しても構わない。なお、修正膜厚が不足する場合は、複数の微粒子層を積層すれば良い。また、修正部３２の線幅が電極１３の線幅よりも太くなったり、修正部３２以外の部分に微粒子が付着した場合は、レーザ部４を用いて不要部をレーザカットしてもよい。
【００３２】
また、図５（ａ）に示すように、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に形成されているリブ３５の一部が欠落したリブ欠け欠陥部３５ａを修正することも可能である。すなわち図５（ｂ）に示すように、基板加熱部６を用いて欠陥部３５ａを加熱しながら塗布ノズル３０から欠陥部３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、かつＸＹステージ１０を移動させて欠陥部３５ａに微粒子の堆積層３６＿１を形成する。引き続き、ＸＹステージ１０を往復移動させて複数の堆積層３６＿２〜３６＿ｎを積層し、最終的には図５（ｃ）に示すようにリブ３５の正常高さまで積層する。積層の終了後、修正部を基板加熱部６を用いて本焼成しても良いし、基板１４を炉で再焼成しても構わない。
【００３３】
この例では、堆積層３６＿１〜３６＿ｎを基板加熱部６で加熱してある程度乾燥させながら積層することができるので、積層幅は均一で崩れることがない。したがって、積層後のリブ幅再整形工程を省略することも可能である。
【００３４】
また、１回の堆積膜厚は、修正材料や各流量設定にもよるが１μｍ前後であり、修正部の高さを測定器で測定しながら堆積層３６＿２〜３６＿ｎを積層すれば、修正部のトップ面をリブ３５の正常なトップ面とほぼ同じ高さにすることができるので、従来のスキージ機構を省略することも可能である。
【００３５】
以上のように、このパターン修正装置では、加熱した欠陥部１３ａ，３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、欠陥部１３ａ，３５ａに修正材料の微粒子を堆積させ、堆積層を欠陥部１３ａ，３５ａに描画するので、塗布針を用いていた従来に比べ、修正時間の短縮化を図ることができる。
【００３６】
また、従来技術で必要であった修正用ペースト塗布後におけるパターン整形手順およびその機構が不要となって、装置の簡略化が可能となる。
【００３７】
なお、このパターン修正装置では、ＸＹステージ１０により基板１４を移動させて堆積層を描画したが、基板１４を動かさずに微粒子堆積装置５を移動するようにして堆積層を描画してもよい。
【００３８】
また、ＸＹステージ１０としては、一軸ステージをＸＹ方向に重ねたものや、基板を固定してＸ軸とＹ軸とを分離して駆動するガントリー方式など多種ステージ形式が考えられ、ここに示したステージには限定されない。
【００３９】
さて、このようなパターン修正装置では、微粒子堆積装置５の噴霧部１５、減圧部１６、加熱部１７、ヘッド部１８内を霧状の修正液２０が通過するので、装置の使用時間が長くなると、その内部に修正液が付着して溜まる。特にヘッド部１８の先端に固定される塗布ノズル３０内部に修正液２０の塊（滴）が付着して詰まった場合には霧粒子が収束せずに飛散し、描画線が太くなったり、最終的には描画不能になる。
【００４０】
図６は、ヘッド部１８の詳細を示す断面図であって、塗布ノズル３０の先端が詰まった状態を示す図である。図６において、ヘッド部１８の上端部の穴にパイプ２７の下端が嵌め込まれ、パイプ２７の外周部とヘッド部１８の間にはシール部材４０が設けられている。また、塗布ノズル３０の基端部はテーパシール４１および固定ナット４２によりヘッド部１８本体の下端部に固定されている。図６では、塗布ノズル３０の先端が修正液２０からなる付着物４３により詰まった状態が示されている。このような状態になると、微粒子堆積装置５をパターン修正装置１から取り外して分解洗浄するか、あるいは、塗布ノズル３０を外して洗浄する必要があるが、取り外して再度取り付けるには手間がかかり、作業操作性が悪いという問題がある。以下の実施の形態では、この問題の解決が図られる。
【００４１】
[実施の形態１]
図７は、この発明の実施の形態１によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。図７において、このパターン修正装置では、その一角に設けた洗浄エリアに、洗浄液４５の入った洗浄タンク４６を配置し、塗布ノズル３０の洗浄が必要になった際には、たとえばステージ１０，１２を駆動させて塗布ノズル３０を洗浄タンク４６の洗浄液４５中に浸漬させる。洗浄液４５としては、揮発性の高いアルコール系の溶液、たとえば、メチルアルコールを用いる。塗布ノズル３０を洗浄液４５に漬ける前から一定量のシースガスを噴霧しておけば、塗布ノズル３０の先端から気泡が出て塗布ノズル３０の外面に付いた付着物４３を除去できる。
【００４２】
また、洗浄タンク４６に超音波振動子４７（たとえば、ランジバン型振動子）が設けられ、超音波洗浄器が構成されている。塗布ノズル３０が浸漬された洗浄液４５に超音波を印加することにより、塗布ノズル３０の内外の付着物４３をきれいに除去することができる。洗浄が完了した時点で塗布ノズル３０を洗浄タンク４６から引き上げ、エアパージによって、塗布ノズル３０の表面に付いた洗浄液４５を吹き飛ばして、塗布ノズル３０の表面を乾燥させる。なお、塗布ノズル３０を洗浄液４５から引き上げた後、シースガスなどのガスを流すと、塗布ノズル３０の内側に浸入した洗浄液４５の吐出が可能となり、その後も連続してシースガスなどのガスを流せば、塗布ノズル３０の内側も乾燥され、再使用可能となる。
【００４３】
この実施の形態１では、塗布ノズル３０を堆積装置５から取り外すことなく洗浄液４５で洗浄して、再度微細線の描画が可能となるので作業操作性が向上する。また、微粒子堆積装置５の分解洗浄までのメンテナンス期間を延長することができる。
【００４４】
[実施の形態２]
図８は、この発明の実施の形態２によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。図８において、このパターン修正装置では、アトマイズガスのガス供給源と噴霧ノズル２１の間のガス配管に電磁バルブ（Ｖ）５０、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）５１および圧力センサ（Ｓ）５２が順に介挿されている。ガス供給源は、ガスを所定の圧力に調整して電磁バルブ５０に与える。電磁バルブ５０は、噴霧部１５で修正液２０の霧粒子を生成する噴霧期間に開けられてガスを通過させ、それ以外の期間は閉じられてガスを遮断する。マスフローコントローラ５１は、ガス流量を制御する装置であり、噴霧期間に所定流量のアトマイズガスを流す。圧力センサ５２は、噴霧期間にガス配管内のアトマイズガスの圧力を検出する。噴霧ノズル２１が詰まってくるとガス配管内のアトマイズガスの圧力が上昇するので、圧力センサ５２の検出結果に基づいて噴霧ノズル２１の詰まり具合を検出することができる。
【００４５】
また、噴霧部１５の容器１９の上部に圧力検出孔が開口され、その孔にはフィルタ５３、圧力センサ５４および電磁バルブ５５がガス配管を介して順に接続されている。フィルタ５３は、修正液２０の霧粒子を遮断し、容器１９内のガスを通過させる。圧力センサ５４は、噴霧期間に容器１９内の圧力を検出する。電磁バルブ５５は、通常は閉じられ、容器１９内のガスを排気する場合に開けられる。塗布ノズル３０が詰まってくると容器１９内のガスの圧力が上昇するので、圧力センサ５４の検出結果に基づいて塗布ノズル３０の詰まり具合を検出することができる。
【００４６】
また、減圧部１６の排気管２４の下流には、フィルタ５６、圧力センサ５７、マスフローコントローラ５８および吸引ポンプ（Ｐ）５９がガス配管を介して順に接続されている。フィルタ５６は、修正液２０の霧粒子を遮断し、ガスを通過させる。圧力センサ５７は、噴霧期間に排気管２４内の圧力すなわち減圧部１６の外管２５内の圧力を検出する。マスフローコントローラ５８は、ガス流量を制御する装置であり、噴霧期間に所定流量のガスを流す。吸引ポンプ５９は、減圧部１６からガスを排気する。吸引ポンプ５９としては、一般的なポンプ以外に真空発生源を用いても良い。塗布ノズル３０が詰まってくると外管２５内のアトマイズガスの圧力が上昇するので、圧力センサ５７の検出結果に基づいて塗布ノズル３０の詰まり具合を検出することができる。
【００４７】
また、シースガスのガス供給源とヘッド部１８の間のガス配管に電磁バルブ６０、マスフローコントローラ６１および圧力センサ６２が順に介挿されている。ガス供給源は、ガスを所定の圧力に調整して電磁バルブ６０に与える。電磁バルブ６０は、噴霧期間に開けられてガスを通過させ、それ以外の期間は閉じられてガスを遮断する。マスフローコントローラ６１は、ガス流量を制御する装置であり、噴霧期間に所定流量のシースガスを流す。圧力センサ６２は、噴霧期間にガス配管内のシースガスの圧力を検出する。塗布ノズル３０が詰まってくるとガス配管内のシースガスの圧力が上昇するので、圧力センサ６２の検出結果に基づいて塗布ノズル３０の詰まり具合を検出することができる。
【００４８】
また、圧力センサ５４で検出する噴霧部１５の容器１９内の圧力や、圧力センサ５７で検出する減圧部１６の内圧もシースガスと同様の時刻変化を示し、圧力値もほぼ同じであるので、容器１９内の圧力や減圧部１６の内圧に基づいて塗布ノズル３０の詰まり具合を検出することができる。
【００４９】
また、このパターン修正装置では、実施の形態１と同様に、その一角に設けた洗浄エリアに、洗浄液４５の入った洗浄タンク４６が配置されている。圧力センサ５２，５４，５７，６２の検出結果に基づいて塗布ノズル３０の洗浄が必要と判断した場合は、以下の洗浄工程に入る。
【００５０】
図９は、塗布ノズル３０の洗浄工程を示すタイムチャートである。図９において、塗布ノズル３０の洗浄工程は、５つの期間Ｔ１〜Ｔ５に分けられる。堆積装置５内が正圧になった状態で塗布ノズル３０を洗浄液４５に浸漬すると、正圧が無くなるまで塗布ノズル３０の先端から気泡が出る。逆に、堆積装置５内が負圧になった状態で塗布ノズル３０を洗浄液４５に浸漬すると、洗浄液４５が塗布ノズル３０から吸い込まれ、堆積装置５の減圧部１６まで洗浄液４５が逆流し、場合によっては噴霧部１５まで逆流して修正液２０を使用できない状態になる恐れがある。そのため期間Ｔ１では、アトマイズガス流量、シースガス流量、排気流量をゼロにし、堆積装置５の内圧を除去する目的で一度電磁バルブ５５を開いて堆積装置５の内圧をゼロにした後、再度電磁バルブ５５を閉じる。
【００５１】
次に期間Ｔ２では、図８に示すように塗布ノズル３０を洗浄液４５に浸漬し、微量のシースガス（たとえば、２０ｃｃ／分）を流すようにマスフローコントローラ６１に指令を出す。この時点で塗布ノズル３０の先端からは気泡が出る。その後、シースガス流量よりわずかに多い排気流量のガスを流すようにマスフローコントローラ５８に指令を出す。マスフローコントローラ５８，６１の流量は、それらの中にある流量センサ出力をサンプリングすることで把握される。図９中のＡ点でシースガス流量と排気流量が同じになる。
【００５２】
次いで期間Ｔ３では、シースガス流量よりも排気流量の方が大きくなる。排気流量がある閾値を超えると（図９中のＢ点）、堆積装置５の内部がわずかに負圧になり、塗布ノズル３０の先端から洗浄液４５が内部にゆっくり吸い込まれ、一定時間経過したＣ点まで吸引動作を行う。なお、Ｂ点とＣ点の間に吸引される洗浄液４５の量は微量であり、かつ、洗浄液４５が減圧部１６まで到達しないような範囲でＣ点は設定される。
【００５３】
次に期間Ｔ４では、排気流量をゼロにすると同時にシースガス流量が最大流量になるようマスフローコントローラ５８，６１を設定する。また、場合によっては、アトマイズガス流量が、噴霧部１５で霧化が行なわれない程度の流量、つまり噴霧ノズル２１の噴霧可能最低限流量よりも小さい流量になるようにマスフローコントローラ５１を設定する。このようにして塗布ノズル３０よりも上方からガスを流すことで、堆積装置５内の内圧が高まり、塗布ノズル３０からガス排出と共に吸い込んだ洗浄液４５が吐出され、塗布ノズル３０内に詰まっていた修正液４５も洗浄タンク４６の洗浄液４５内に吐き出される。
【００５４】
以上の期間Ｔ１〜Ｓ４を１サイクルとして、このサイクルを数回行なった後に、シースガス流量またはアトマイズガス流量がゼロになるようにマスフローコントローラ６１または５１を設定し、その後、塗布ノズル３０を洗浄液４５から上方に抜き出す。その際、塗布ノズル３０の外面にエアパージを施して塗布ノズル３０の表面を乾燥させる（区間Ｄ）。
【００５５】
最後に期間Ｔ５では、所定流量のシースガス、あるいは噴霧可能最低限流量よりも少ない流量のアトマイズガス、あるいはシースガスとアトマイズガスの両方を流して、塗布ノズル３０の内側を乾燥させる。これにより、塗布ノズル３０は再使用可能となる。期間Ｔ５が終了した時点でアトマイズガス流量をゼロに設定する。シースガスはそのまま流し続けてもよいし、シースガス流量を減らしてもよいし、シースガス流量をゼロに設定してもよい。
【００５６】
この実施の形態２でも、実施の形態１と同じ効果が得られる。また、洗浄タンク４６に超音波振動子４７を取付けて超音波洗浄器を構成すれば、洗浄能力が一層高くなる。
【００５７】
なお、吸引洗浄１サイクルが終了するごとに洗浄タンク４６内の洗浄液４５を洗浄液交換手段（図示せず）により新しい洗浄液４５と取り替えてもよい。
【００５８】
また、図１０に示すように、期間Ｔ２，Ｓ３においてシースガス流量をゼロにした状態で排気流量を設定し、塗布ノズル３０の先端から洗浄液４５を吸込んでもよい。
【００５９】
図１１は、実施の形態２の変更例を示す断面図である。このパターン修正装置は、図９の期間Ｔ３で洗浄液４５を吸引する際、余分に洗浄液４５を吸引しないようにしたものである。図８では、塗布ノズル３０を洗浄液４５内に深く浸漬させたのに対し、この変更例では、塗布ノズル３０の先端を洗浄液４５にわずかに浸漬させる。
【００６０】
すなわち図１１において、補充タンク６５の洗浄液４５は、バルブ６６の開閉によって洗浄タンク４６に供給されるが、洗浄タンク４６の液面が一定の高さＨになるように、余分な洗浄液４５は洗浄タンク４６の上側面にあるフロー管４６ａから廃液タンク（図示せず）へ導かれる。塗布ノズル３０の先端位置はＺステージ１２により位置決めされるが、前もって洗浄タンク４６に挿入する際のＺ軸位置を設定して記憶しておき、洗浄時には前もって記憶しておいた座標に移動すれば良い。
【００６１】
このように塗布ノズル３０の先端がわずかに洗浄液４５に浸漬された状態であるため、塗布ノズル３０から吸引される量は、洗浄タンク４６の断面積Ｓと洗浄液４５に漬かった高さｈの積Ｓ×ｈに制限されるため、余分な洗浄液４５を吸引しないで済む。洗浄により洗浄タンク４６内の洗浄液４５が汚れた場合には、洗浄タンク４６の底のバルブ６７を開放して、洗浄タンク４６内を空にし、その後バルブ６７を閉じてからバルブ６６を開放して補充タンク６５から洗浄タンク４０に新しい洗浄液４５を供給する。
【００６２】
図１２は、実施の形態２の他の変更例を示す断面図である。このパターン修正装置が図１１のパターン修正装置と異なる点は、洗浄タンク４６の外側に２重タンク６８が設けられている点である。洗浄タンク４６の上側面にはフロー孔４６ｂが開口され、フロー孔４６ｂから漏れた洗浄液４５は２重タンク６８に集められた後、廃液ドレン６８ａから廃液タンク（図示せず）に導かれる。また洗浄タンク４６の下側面にはバルブ付孔４６ｃが設けられている。洗浄タンク４６内の洗浄液４５を交換する際は、バルブ付孔４６ｃを開放して２重タンク６８内に廃液を流し、廃液ドレン６８ａから一括して廃液を流す。
【００６３】
[実施の形態３]
図１３は、この発明の実施の形態３によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。図１３において、このパターン修正装置は、図８のパターン修正装置に洗浄液注入装置７０を追加したものである。洗浄液注入装置７０は、ヘッド部１８のテーパ面１８ａにシースガスと平行して洗浄液４５を注入する装置であり、洗浄液４５を一定量注入するための注入部７１と、圧縮ガス（たとえば窒素ガス）を供給する電磁バルブ７２とを含む。注入部７１は、洗浄液４５を入れるタンク部７１ａと、洗浄液４５を一定量注入するための電動シリンダ部７１ｂからなる。洗浄液４５としては、実施の形態１と同様、たとえばメチルアルコールを用いる。
【００６４】
シースガスを一定流量流した状態で、塗布ノズル３０は洗浄タンク４６に浸漬される。この時、アトマイズガスを噴霧可能最低限流量よりも低い流量に設定してもよい。塗布ノズル３０の先端からは気泡が出た状態であり、この状態で注入部７１から洗浄液４５を少量注入する。洗浄液４５の注入量は塗布ノズル３０とヘッド部１８のテーパ面１８ａを満たす程度で十分であり、たとえば０．５ｃｃ程度の洗浄液４５が注入される。注入された洗浄液４５はヘッド部１８のテーパ面１８ａを通って塗布ノズル３０の先端から吐き出される。塗布ノズル３０の上部内径は１ｍｍ以下、その先端内径は２００μｍと細いため、注入した洗浄液４５が塗布ノズル３０の先端からうまく吐き出されない場合があり、この時は電磁バルブ７２を短時間（数秒）だけ開いてヘッド部１８のテーパ面１８ａに圧縮ガスを注入する。この圧縮ガスの圧力により、洗浄液４５は塗布ノズル３０を介して洗浄タンク４６内に吐き出される。圧縮ガスの注入を数回繰り返すことで、注入された洗浄液４５をすべて排出する。
【００６５】
上記洗浄工程を数回繰り返せば、塗布ノズル３０の内部に溜まった修正液２０は外部に排出される。また、塗布ノズル３０の先端表面に付着した修正液２０も上記工程で除去されるが、少し残るようであれば、超音波振動子４７を駆動して超音波洗浄を併用しても良い。
【００６６】
洗浄液４５を注入する方法で塗布ノズル３０を洗浄した後、エアパージしながら塗布ノズル３０を洗浄タンク４６から上方に引き上げる。その後、塗布ノズル３０の内部、および、シースガスが流れる部分の乾燥を行うため、シースガスをしばらくの間流し続けて乾燥を促進させる。
【００６７】
この実施の形態３でも、実施の形態２と同じ効果が得られる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】この発明が適用されるパターン修正装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図３】図１に示したパターン修正装置の変更例を示す断面図である。
【図４】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。
【図５】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す他の図である。
【図６】図１に示したパターン修正装置の問題点を説明するための断面図である。
【図７】この発明の実施の形態１によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図８】この発明の実施の形態２によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図９】図８に示したパターン修正装置の動作を示すタイムチャートである。
【図１０】実施の形態２の変更例を示すタイムチャートである。
【図１１】実施の形態２の他の変更例を示す断面図である。
【図１２】実施の形態２のさらに他の変更例を示す断面図である。
【図１３】この発明の実施の形態３によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１ パターン修正装置、２ 観察光学系、３ モニタ、４ カット用レーザ部、５ 微粒子堆積装置、６ 基板加熱部、７ 画像処理部、８ ホストコンピュータ、９ 制御用コンピュータ、１０ ＸＹステージ、１１ チャック部、１２ Ｚステージ、１３ 電極、１３ａ オープン欠陥部、１４ 基板、１５ 噴霧部、１６ 減圧部、１７ 加熱部、１８ ヘッド部、１８ａ テーパ面、１９ 容器、２０ 修正液、２１ 噴霧ノズル、２１ａ 噴出口、２１ｂ 吸入口、２２ ノズル部、２３ 集気部、２４ 排気管、２５ 外管、２６ 隙間、２７ パイプ、２８ ヒータ、２９ 温度センサ、３０ 塗布ノズル、３１ シャッタ、３２ 修正部、３４ 背面ガラス基板、３５ リブ、３５ａ リブ欠け欠陥部、３６＿１〜３６＿ｎ 堆積層、４０ シール部材、４１ テーパ状シール、４２ ナット、４３ 付着物、４５ 洗浄液、４６ 洗浄タンク、４６ａ フロー管、４６ｂ フロー孔、４６ｃ バルブ付孔、４７ 超音波発振子、５０，５５，６０，６６，７２ 電磁バルブ、５１，５８，６１ マスフローコントローラ、５２，５４，５７，６２ 圧力センサ、５３，５６ フィルタ、６５ 補充タンク、６６，６７ バルブ、７０ 洗浄液注入装置、７１ 注入部、７１ａ タンク部、７１ｂ 電動シリンダ部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
少なくとも前記欠陥部を含む範囲で前記基板を加熱する加熱装置と、
塗布ノズルを介して霧状の修正液を前記欠陥部に噴射し、前記修正液を前記欠陥部に堆積させて前記欠陥部を修正する堆積装置と、
前記塗布ノズルを洗浄液で洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする、パターン修正装置。
【請求項２】
前記洗浄手段は、前記塗布ノズルが浸漬された前記洗浄液に超音波振動を印加して前記塗布ノズルを洗浄することを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正装置。
【請求項３】
前記洗浄手段は、前記塗布ノズルの先端を前記洗浄液中に挿入し、前記塗布ノズル内に前記洗浄液を吸引および吐出して前記塗布ノズルを洗浄することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のパターン修正装置。
【請求項４】
前記洗浄手段は、前記塗布ノズルの先端を前記洗浄液の液面から予め定められられた深さまで挿入し、前記洗浄液の液面から前記予め定められた深さまでの前記洗浄液を前記塗布ノズル内に吸引および吐出することを特徴とする、請求項３に記載のパターン修正装置。
【請求項５】
前記洗浄手段は、前記塗布ノズルを介して前記洗浄液を噴射して前記塗布ノズルを洗浄することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のパターン修正装置。
【請求項６】
前記洗浄手段は、
前記霧状の修正液の代わりに所定量の前記洗浄液を前記塗布ノズルに供給する洗浄液供給装置と、
前記塗布ノズルに圧縮ガスを供給し、前記塗布ノズルを介して前記洗浄液を噴射させる圧縮ガス供給装置とを含むことを特徴とする、請求項５に記載のパターン修正装置。
【請求項１】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
少なくとも前記欠陥部を含む範囲で前記基板を加熱する加熱装置と、
塗布ノズルを介して霧状の修正液を前記欠陥部に噴射し、前記修正液を前記欠陥部に堆積させて前記欠陥部を修正する堆積装置と、
前記塗布ノズルを洗浄液で洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする、パターン修正装置。
【請求項２】
前記洗浄手段は、前記塗布ノズルが浸漬された前記洗浄液に超音波振動を印加して前記塗布ノズルを洗浄することを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正装置。
【請求項３】
前記洗浄手段は、前記塗布ノズルの先端を前記洗浄液中に挿入し、前記塗布ノズル内に前記洗浄液を吸引および吐出して前記塗布ノズルを洗浄することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のパターン修正装置。
【請求項４】
前記洗浄手段は、前記塗布ノズルの先端を前記洗浄液の液面から予め定められられた深さまで挿入し、前記洗浄液の液面から前記予め定められた深さまでの前記洗浄液を前記塗布ノズル内に吸引および吐出することを特徴とする、請求項３に記載のパターン修正装置。
【請求項５】
前記洗浄手段は、前記塗布ノズルを介して前記洗浄液を噴射して前記塗布ノズルを洗浄することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のパターン修正装置。
【請求項６】
前記洗浄手段は、
前記霧状の修正液の代わりに所定量の前記洗浄液を前記塗布ノズルに供給する洗浄液供給装置と、
前記塗布ノズルに圧縮ガスを供給し、前記塗布ノズルを介して前記洗浄液を噴射させる圧縮ガス供給装置とを含むことを特徴とする、請求項５に記載のパターン修正装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００７−６６７９９（Ｐ２００７−６６７９９Ａ）
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２５３６１４（Ｐ２００５−２５３６１４）
【出願日】平成１７年９月１日（２００５．９．１）
【出願人】（０００１０２６９２）ＮＴＮ株式会社 (9,006)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月１日（２００５．９．１）
【出願人】（０００１０２６９２）ＮＴＮ株式会社 (9,006)
【Ｆターム（参考）】
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