欠陥検査方法及びその装置
【課題】
複数の方向に配置した複数の検出器からの信号を基板の高さ変動の影響を受けることなく処理して基板上のより微細な欠陥を検出することを可能にする。
【解決手段】
第１の集光検出手段と第２の集光検出手段とにそれぞれ複数列の光センサアレイを有する光電変換器を備え、処理手段は第１及び第２の集光検出手段のそれぞれの複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて試料の表面に対する第１及び第２の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、この求めた第１及び第２の集光検出手段のそれぞれの焦点位置のずれに応じて第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の集光検出手段から出力された検出信号とを補正し、この補正した第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の集光検出手段から出力された検出信号とを統合して試料上の欠陥を検出するようにした。
複数の方向に配置した複数の検出器からの信号を基板の高さ変動の影響を受けることなく処理して基板上のより微細な欠陥を検出することを可能にする。
【解決手段】
第１の集光検出手段と第２の集光検出手段とにそれぞれ複数列の光センサアレイを有する光電変換器を備え、処理手段は第１及び第２の集光検出手段のそれぞれの複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて試料の表面に対する第１及び第２の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、この求めた第１及び第２の集光検出手段のそれぞれの焦点位置のずれに応じて第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の集光検出手段から出力された検出信号とを補正し、この補正した第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の集光検出手段から出力された検出信号とを統合して試料上の欠陥を検出するようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料に発生した微細な欠陥を検出する方法及びその装置に係り、特に、表面に微細なパターンが形成された半導体ウェハ上に発生した微細な欠陥を検出するのに適した欠陥検査方法及びその装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハは回路の高集積化に伴って、ウェハ上に形成されるパターン形状はより微細化すると共に多層構造となり、その生産工程の数は増加の一途をたどっている。この微細なパターンをウェハ上に確実に形成して信頼性の高い高集積回路を安定して生産するためには、パターンが形成されたウェハを検査して微細なパターンが確実に形成されていること、異物などの欠陥が発生していないことを確認することが重要になる。
【０００３】
パターンが形成されたウェハを検査する手段として、例えば、明視野による光学式のパターン検査装置(明視野パターン検査装置)や暗視野による光学式の欠陥検査装置（暗視野欠陥検査装置）などがある。
【０００４】
明視野パターン検査装置と暗視野欠陥検査装置とは一般にその用途が異なるが、暗視野欠陥検査装置は明視野パターン検査装置と比べて検査のスループットが高いという特徴を持っている。
【０００５】
このような暗視野欠陥検査装置においては、ウェハ上に形成されたパターンからの散乱光の影響を受けずに如何により微細な欠陥をより高速に検出できるようにするかということが課題のひとつになっている。
【０００６】
この課題を解決する手段として、特許文献１及び特許文献２には、一方向に細く絞った線状の照明光をウェハに斜方から照射し、ウェハを線状の照明光の長手方向と直行する方向に連続的に移動させながら線状の照明光によりウェハの表面から散乱した光をウェハの上方の検出系とその両側に配置した検出系とで検出し、それぞれの検出信号を用いてウェハ状の欠陥を検出することについて記載されている。
【０００７】
また、特許文献３には検出系にＴＤＩ(Tiｍe Delay Integration：時間遅延積分) センサを用い、ＴＤＩセンサのラインレートとステージスキャン速度を非同期で制御し、非検査物を細く絞った線状の光で照明してＴＤＩセンサの任意の画素ラインのみに被検査物からの散乱光を受光させるように構成し、ＴＤＩセンサのラインレートとステージスキャン速度の速度比によって検出画素サイズの縦横比を制御できるようにすることにより、ＴＤＩセンサのラインレート以上のスキャン速度で監査をできるようにすることが記載されている。
【０００８】
更に、特許文献４には、一方向に細く絞った線状の照明光をウェハに斜方から照射し、ウェハを線状の照明光の長手方向と直行する方向に連続的に移動させながら線状の照明光によりウェハの表面から上方に散乱した光を集光して偏光の状態に応じて分岐し、アレイ状の空間フィルタで正常パターンからの回折光や散乱光をフィルタリングして空間フィルタを透過した光を検出することにより欠陥散乱光の偏光特性に依存されずに欠陥を検出することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−１０５２０３号公報
【特許文献２】特表２００１−５１２２３７号公報
【特許文献３】特開２０１０−２５６３４０号公報
【特許文献４】特開２０１０−１９０７２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
より微細な欠陥を効率よく検出して、この検出した欠陥の種類を分類できるようにするためには、欠陥の種類によって異なる散乱特性を利用し、散乱方位を分離して検出する方法が考えられる。即ち、検出器を複数の箇所に配置してそれぞれの箇所で検出した信号を処理して統合することにより、一方向からに検出ではノイズに埋もれてしまうような微細な欠陥からの散乱光を検出した信号を顕在化することができると共に、検出した欠陥の種類をより細かく分類することができるようになる。
【００１１】
このように検出器を複数の方向に配置して欠陥からの散乱光を検出することについては、特許文献１および２に記載されている。この特許文献１の図２５および特許文献２の図２に記載されている検査装置の構成では、複数の検出器を基板の法線方向に対して斜めの方向にそれぞれ配置している。
【００１２】
特許文献１および２に記載されている構成においては、基板に線状の照明光を照射し、基板を搭載したステージを線状の照明の長手方向と直角に方向に一定の速度で移動させながら基板からの散乱光を検出する。このステージが一定の速度で移動するときに、テーブルにはピッチング(上下方向の変動)やヨーイング(左右方向の変動)といった位置の変動が発生することが知られている。このうち、ピッチングにより基板の高さが変動することにより、異なる方位角方向に配置した検出器で検出する基板表面上の位置にずれが発生してしまい、基板表面に形成された同一のパターンをそれぞれの検出器で検出した信号に互いに位置のずれが生じてしまう。これは、数１０ｎｍ程度又はそれ以下のより微小な欠陥を検出する場合に顕著になる。
【００１３】
しかし、特許文献１および２に記載された発明においては、この基板の高さ変動に伴い発生する複数の検出器間の検出信号の位置ずれに対しては配慮されていない。
【００１４】
また、特許文献３及び４においては、複数の検出器を異なる方位角方向に配置して基板上の欠陥を検出することについては記載されていない。
【００１５】
本発明の目的は、複数の方向に配置した複数の検出器からの信号を基板の高さ変動の影響を受けることなく処理して基板上のより微細な欠陥を検出することを可能にする欠陥検査方法及びその装置を提供することに有る。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明では、試料を載置して少なくとも一方向に移動可能なステージ手段と、このステージ手段に載置した試料にステージの試料を載置する面の法線方向に対して傾斜した方向から線状に成形した光を照射する光照射手段と、この光照射手段により線状に成形した光が照射された試料から第１の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第１の集光検出手段と、光照射手段により線状に成形した光が照射された試料から第２の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第２の集光検出手段と、第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の光検出手段から出力された検出信号とを処理して試料状の欠陥を検出する処理手段と、ステージ手段と光照射手段と第１の光検出手段と第２の光検出手段と処理手段とを制御する制御手段とを備えた検査装置において、第１の集光検出手段と第２の集光検出手段とはそれぞれ複数列の光センサアレイを備えた光電変換器を有し、処理手段は第１の集光検出手段の複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて試料の表面に対する第１の集光検出手段の焦点位置のずれを求めると共に第２の集光検出手段の複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて試料の表面に対する第２の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、この求めた第１の集光検出手段の焦点位置のずれ及び第２の集光検出手段の焦点位置のずれに応じて第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の集光検出手段から出力された検出信号とを補正し、この補正した第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の集光検出手段から出力された検出信号とを統合して試料上の欠陥を検出するようにした。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本発明では、試料を載置して少なくとも一方向に移動可能なステージ手段と、このステージ手段に載置した試料にステージの試料を載置する面の法線方向に対して傾斜した方向から線状に成形した光を照射する光照射手段と、この光照射手段により線状に成形した光が照射された試料から第１の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第１の集光検出手段と、光照射手段により線状に成形した光が照射された試料から第２の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第２の集光検出手段と、第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の光検出手段から出力された検出信号とを処理して試料状の欠陥を検出する処理手段と、ステージ手段と光照射手段と第１の光検出手段と第２の光検出手段と処理手段とを制御する制御手段とを備えた検査装置において、第１の集光検出手段と第２の集光検出手段とはそれぞれ複数列の光センサアレイを備えた光電変換器を有し、制御手段はステージ手段を制御してこのステージ手段を一方向に連続的に移動させると共に第１の集光検出手段の光電変換器と第２の集光検出手段の光電変換器とを制御して光照射手段により線状に成形した光が照射された試料からの反射散乱光をステージ手段の移動と同期させて検出し、制御手段は更に処理手段を制御して第１の集光検出手段の光電変換器と第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号をステージ手段の移動との動機とは異なるタイミングで処理し、この同期とは異なるタイミングで処理した前記第１の集光検出手段の光電変換器と第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号を統合して試料状の欠陥を検出するようにした。
更に、上記課題を解決するために、本発明では、欠陥検査方法を、試料を載置したステージを一方向に移動させながら試料の表面の法線方向に対して傾斜した方向からステージが移動する一方向に直角な方向に長い線状に成形した光を試料の表面に照射し、この線状に成形した光が照射された試料の表面から第１の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを備えた第１の集光検出手段で検出し、線状に成形した光が照射された試料の表面から第２の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを備えた第２の集光検出手段で検出し、第１の集光検出手段から出力された複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて試料の表面に対する第１の集光検出手段の焦点位置のずれを求めると共に第２の集光検出手段から出力された複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて試料の表面に対する第２の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、この求めた第１の集光検出手段の焦点位置のずれ及び第２の集光検出手段の焦点位置のずれに応じて第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の集光検出手段から出力された検出信号とを補正し、この補正した第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の集光検出手段から出力された検出信号とを統合して試料上の欠陥を検出するようにした。
【００１８】
更にまた、上記課題を解決するために、本発明では、欠陥検査方法を、試料を載置したステージを一方向に移動させながら試料の表面の法線方向に対して傾斜した方向からステージが移動する一方向に直角な方向に長い線状に成形した光を試料の表面に照射し、この線状に成形した光が照射された試料の表面から第１の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを有する光電変換器を備えた第１の集光検出手段でステージの前記一方向への移動と同期して検出し、線状に成形した光が照射された試料の表面から第２の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを有する光電変換器を備えた第２の集光検出手段でステージの前記一方向への移動と同期して検出し、第１の集光検出手段の光電変換器と第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号をステージの移動との同期とは異なるタイミングで処理し、この同期とは異なるタイミングで処理した第１の集光検出手段の光電変換器と第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号を統合して試料上の欠陥を検出するようにした。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、検査中の基板の高さ方向の変動の影響を受けずに複数の検出器の検出信号を統合して処理することができるようになり、より微細な欠陥を検出することができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例１の原理を説明するブロック図である。
【図２】本発明の実施例１の光学系の概略の構成を示す平面図である。
【図３Ａ】本発明の実施例１の光学系の概略の構成を示す正面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施例１の照明光学系の概略の構成を示す正面図である。
【図３Ｃ】本発明の実施例１の検出光学系の概略の構成を示す正面図である。
【図４】ＡＦずれによるセンサ上の検出位置のずれを説明する検出光学系のブロック図である。
【図５】本発明の実施例１に係る画像処理手段の構成を示すブロック図である。
【図６】ウェハの平面図と、このウェハ上に形成されたチップの拡大図である。
【図７】本発明の実施例１の３つの検出光学系で検出されて欠陥候補の信号特徴量を３次元空間にプロットした例を示すグラフである。
【図８】照明のプロファイルと画素サイズを無限小としたときの検出系のＰＳＦ（Point Spread Factor: 点分布関数）を示すグラフである。
【図９Ａ】斜方に配置したセンサ上でＡＦずれにより発生する検出位置のずれを説明する検出光学系のブロック図である。
【図９Ｂ】線状照明光のビームプロファイルと画素サイズを考慮したときの検出系のＰＳＦを示すグラフである。
【図１０】パターンが形成された半導体ウェハの断面図である。
【図１１Ａ】本発明の実施例１における斜方に配置したセンサと資料からの反射・散乱光の関係を示す検出光学系のブロック図である。
【図１１Ｂ】本発明の実施例１における線状照明光のビームプロファイルと照明系のＰＳＦの関係を示すグラフである。
【図１１Ｃ】本発明の実施例１における線状照明光のビームプロファイルと照明系のセンターからのずれ量を補正したシステムとしてのＰＳＦの関係を示すグラフである。
【図１２】線状照明系だけの解像度と本発明の実施例１における照明系の解像度との関係を示すグラフである。
【図１３Ａ】本発明の実施例１においてＡＦずれが有る場合に試料上の繰り返しパターンからの反射・散乱光を検出したときのセンサ出力を示すグラフである。
【図１３Ｂ】従来のＴＤＩセンサ検出したときのＡＦずれが有る場合に試料上の繰り返しパターンからの反射・散乱光を検出したときのセンサ出力を示すグラフである。
【図１４Ａ】本発明の実施例１において２段センサを用いたときにＡＦずれが発生した場合の格段のセンサの出力波形を示すグラフである。
【図１４Ｂ】本発明の実施例１においてＡＦずれが有る場合に試料上の繰り返しパターンからの反射・散乱光を検出したときのセンサ出力を示すグラフである。
【図１５】本発明の実施例１における高さずれ情報算出部の構成を示すブロック図である。
【図１６】本発明の実施例２の原理を説明するブロック図である。
【図１７Ａ】本発明の実施例２における線状照明光のビームプロファイルとＴＤＩセンサの各画素列ごとのＰＳＦを示すグラフである。
【図１７Ｂ】本発明の実施例２における線状照明光のビームプロファイルとＴＤＩセンサの格段の画素の出力を所定の量ずらして足し合わせたシステムとしてのＰＳＦを示すグラフである。
【図１８】本発明の実施例２においてＡＦずれが有る場合に試料上の繰り返しパターンからの反射・散乱光を検出したときのＴＤＩセンサの出力を示すグラフである。
【図１９】本発明の実施例２に係る画像処理手段の構成を示すブロック図である。
【図２０】本発明の実施例２に係る画像処理手段におけるＴＤＩセンサの出力のＡＦずれ量を補正する方法を説明するＴＤＩセンサの出力から欠陥候補の配置をプロットした図である。
【図２１】本発明の実施例３の原理を説明するブロック図である。
【図２２】本発明の実施例３における高さずれ情報算出部の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本発明の実施例を、図を用いて説明する。
【実施例１】
【００２２】
本発明の第１の実施例を、図１乃至２２を用いて説明する。
【００２３】
図１は本実施例の原理を説明する図である。本実施例では、照明光１１６をレンズ部１０１で一方向に絞ってそれと直角な方向には平行光となるように整形して微細なパターンが形成されている試料１５０の表面に斜め方向から照射する。検査時には、試料１５０は後述するステージ手段により、矢印の方向に一定の速度で移動する。
【００２４】
１０２は検出光学系で、線状に成形された照明光１１６が照射された試料１５０からの反射・散乱光のうち、検出光学系１０２の方向に反射・散乱した光を集光して検出器１１５の検出素子列１０４，１０５上に試料１５０の線状に照射された領域の像を結像する。
【００２５】
検出器１１５は、検出素子列１０４，１０５とを持ち、それぞれに信号を読み出すためのリードアウトレジスタ１０６と１０７とを備えた２段センサ（二次元ＣＣＤ又は、Dual Line Sensor）１０３と、試料１５０の移動方向に応じて２段センサ１０３のリードアウトレジスタ１０６と１０７とからの出力を切り替えるスイッチ１０８と１０９、リードアウトレジスタ１０６と１０７とから同時に出力されたアナログ信号をデジタル信号に切り替えるＡ/Ｄ変換部１０９と１１０、Ａ/Ｄ変換器１１０から出力されたデジタル信号を１次記憶して、Ａ/Ｄ変換器１０９から出力されたデジタル信号とタイミングを合わせて出力するＦＩＦＯ（First In First Out）メモリ１１１、ＦＩＦＯメモリ１１１からの出力信号とＡ/Ｄ変換器１０９からの出力信号とを足し合わせて出力する加算器１１３、１１２はＡ/Ｄ変換器１０９からの出力信号とＡ/Ｄ変換器１１０からの出力信号と用いて試料１５０の高さのずれの情報を求める高さずれ情報算出部である。１１４は画像処理部で、検出器１１５からの出力信号を受けて試料１５０上の欠陥を検出する。
【００２６】
図２は、本実施例に係る欠陥検査装置の光学系の構成を示す平面図である。本実施例に係る欠陥検査装置の光学系には、照明光学系側に光源２０６、光源２０６から出射した照明光１１６を線状にビームに成形するレンズ部１０１を備えている。光源２０６は、ＵＶ光やＤＵＶ光などの紫外レーザを発射する。一方、検出光学系１０２は、第１の斜方検出光学系１０２Ａと第１の検出器１１５Ａ，上方検出光学系１０２Ｂと上方検出器１１５Ｂ，第２の斜方検出光学系１０２Ｃと第２の検出器１１５Ｃ、とを備えて構成されている。第１の検出器１１５Ａと上方検出器１１５Ｂと第２の検出器１１５Ｃとからの出力信号は画像処理部１１４に入力され、処理される。
【００２７】
また、本実施例に係る欠陥検査装置は、試料１５０の表面の高さを検出する高さ検出部を備えている。高さ検出部は、複数の線状の光パターン２０７を発射する光源部２０１と、光源部２０１から発射された線状の光パターン２０７を試料１５０の法線方向に対して傾いた方向から試料１５０の表面に集光して照射する集光レンズ２０２、複数の線状の光パターン２０７が照射された試料１５０からの反射光(正反射光)を集光する集光レンズ２０３及び集光された反射光を検出する光検出器２０４、光検出器で試料１５０からの反射光を検出した信号を受けて処理することにより試料１５０の高さ情報を抽出する高さ検出部２０５で構成されている。
【００２８】
図３Ａは、本実施例に係る欠陥検査装置の検査光学系１００の構成を示す正面図である。３０３は高さ方向に移動可能なＺステージ、３０４はＸ方向に移動可能なＸステージ、３０５は紙面と垂直なＹ方向に移動可能なＹステージであり、それぞれステージ制御手段３０２により動きを制御される。試料１５０は、Ｚステージ３０３上に載置されている。図３に示した構成において、第１の斜方検出光学系１０２Ａと上方検出光学系１０２Ｂと第２の斜方検出光学系１０２Ｃとはそれぞれ図３Ｃに示すように、対物レンズ１０２１、空間フィルタ１０２２、フォーカシングレンズ１０２３、偏光フィルタ１０２４、結像レンズ１０２５を備え、試料１０５上の微細な繰り返しパタンに光を照射することにより発生する回折光による回折光パターンを空間フィルタ１０２２で遮光し、空間フィルタ１０２２を透過した反射・散乱光を結像レンズ１０２５で検出器１１５の検出面上に結像する。図３Ｃに示した構成は、第１の斜方検出光学系１０２Ａと上方検出光学系１０２Ｂと第２の斜方検出光学系１０２Ｃとに共通するので、各構成部品の最後のＡ，Ｂ，Ｃの表記を照尺した。
【００２９】
また、図３Ｂに照明光学系側の構成を示す。照明光学系は、レーザビームを発射する光源２０６とレンズ部１０１を備えている。レンズ部１０１は、光源２０６から発射されたレーザビームの径を拡大するためのビームエキスパンダ１０１１、径を拡大したレーザを平行光とするためのコリメータレンズ１０１２、レーザの偏光の状態を調整する偏光板１０１３、光量を調整するための光量調整部１０１４、集光レンズ１０１５、径を拡大されたレーザビームを一方向に集光させてそれと直角な方向には平行な状態を保った線状の光に成形するシリンドリカルレンズ１０１６を備えている。
【００３０】
３０１は全体制御部で、照明側の光源２０６、高さ検出部の光源部２０１、ステージ制御手段３０２を制御すると共に、画像処理部１１４と高さ検出部２０５の出力を受けて試料１５０を検査した結果を出力する。
【００３１】
図２及び図３に示した構成において、検査時にテージ制御手段３０２によりＸステージ３０４が制御されて一方向に一定の速度で移動し、Ｘステージ３０４の移動と同期して第１の検出器１１５Ａと上方検出器１１５Ｂと第２の検出器１１５Ｃから検出信号が出力される。Ｘステージ３０４が移動して試料１５０上の端まで検査が終わるとテージ制御手段３０２によりＹステージが制御されて試料１５０の検査領域を隣の検査領域に移動させる。次にテージ制御手段３０２によりＸステージ３０４を制御して、全回路逆の方向（−Ｘ方向）に一定の速度で移動させる。これを繰返すことにより、試料１５０の全面の検査を行うことができる。
【００３２】
このように、Ｘステージ３０４を駆動して試料１５０をＸ方向、又は−Ｘ方向に一定の速度で移動させるときに、Ｘステージ３０４にはピッチングと呼ばれる上下方向の高さの変動が発生する。また，これ以外に試料の二次元的な歪によっても上下方向の高さの変動が発生する。検査中にＸステージ３０４にこのような高さの変動が発生すると、図４に示すように、第１の斜方検出光学系１０２Ａと第２の斜方検出光学系１０２Ｃとに入射する試料１５０の表面からの反射・散乱光の入射角度が変化して、第１の検出器１１５Ａと第２の検出器１１５Ｃとのそれぞれの受光面上で試料１５０の表面からの反射・散乱光を受光する位置にずれが発生する。一方、上方検出器１１５Ｂに入射する試料１５０の表面からの反射・散乱光の受光位置には、ずれが生じない。
【００３３】
実際には、図２又は３に示した光源部２０１から高さ検出部２０５で構成される高さ検出部で検出した試料１５０の表面の高さ情報に基づいて、全体制御部３０１によりテージ制御手段３０２が制御されてＺステージ３０３のＺ軸方向に位置(高さ)が調整されるが、調整のオフセットや時間遅れなどの原因により高さ方向のずれ（ＡＦ（Auto Focus：自動焦点）ずれ）が発生してしまう。このＡＦずれが発生したままの状態でそれぞれの検出器からの信号を統合して処理をすると、ＡＦずれ分だけ画像がぼけてしまい、その結果、欠陥検出の精度を劣化させてしまうことになる。
【００３４】
このＡＦずれを低減する方法として、試料１５０に照射する線状の照明光の線幅を狭める方法がある。しかし、後述するように、照明光の線幅を狭めただけではＡＦずれの影響を十分に低減することができず、検出精度に対するＡＦずれの影響を十分に取りきれないで残ってしまうことになる。
【００３５】
図５は、画像処理手段１１４の構成を示すブロック図である。
Ｘステージ３０４のＸ方向への移動と同期して第１の検出器１１５Ａから出力のうち、加算器１１３から出力された２つの検出素子列１０４と１０５との出力を加算した信号５０９Ａは２つに分岐されてその一方が５０１Ａのバッファメモリに入力される。５０１ＡはＦＩＦＯ型のバッファメモリであり、ダイの整数倍ずれた画像を出力する。なお、この中で、複数ダイずれた画像を重ね合わせると、ノイズの低減を図ることができる。５１１Ａは第1の位置あわせ処理部であり、ダイの整数倍ずれた画像間の位置ずれを検出して、分岐した２つの画像の位置ずれがないようにして出力し、差分器５０２Ａに入力する。バッファメモリ５０１Ａに先に入力していた試料１５０上の同一の形状のパターンを検出した信号または試料１５０上の隣接するダイの同じ領域のパターンを検出した信号を参照信号として、この参照信号との差分が算出され(セル比較又はダイ比較)、算出された差分画像信号５０３Ａは第2の位置合せ回路部５０４Ａに入力される。また、第１の検出器１１５Ａからの出力のうち、高さずれ情報算出部１１２からの出力信号５１０Ａも位置合せ回路部５０４Ａに入力されて、別途入力された差分画像信号５０３Ａに対して高さずれ分の補正を行い、欠陥候補の画像が抽出される。
【００３６】
同様にして、上方検出器１１５Ｂ及び第２の検出器１１５ＣからもＸステージ３０４のＸ方向への移動と同期して出力されたそれぞれの信号が処理されて位置合せ回路部５０４Ｂ及び５０４Ｃで高さずれ分が補正された差画像５０５Ｂ、５０５Ｃ(欠陥候補の画像)が抽出され、それらが統合判定部５０６に入力される。統合判定部５０６では、高さずれ分が補正された差画像５０５Ａ〜５０５Ｃ(欠陥候補の画像)を統合して一つの画像を生成する。この統合判定部５０６で生成された画像はしきい値判定部５０７でしきい値と比較され、比較の結果抽出された欠陥信号５０８は全体制御部３０１へ出力される。
【００３７】
図６には、差分器５０２Ａ乃至５０２Ｃで実行するダイ比較を可視的に表したものである。試料１５０である半導体ウェハ上には、ダイ (チップ)６００が複数形成されており、それぞれのダイの対応する場所には同一の形状のパターン６０１〜６０５が形成されている。差分器５０２Ａ乃至５０２Ｃでは、例えばダイパターン６０３の画像を、ダイパターン６０３が形成されたチップに隣接するチップに形成されているダイパターン６０４の画像を参照画像として両画像間の差画像を算出する。
【００３８】
図７には、各位置合せ回路部５０４Ａ乃至５０４Ｃから出力されたそれぞれの差画像から統合判定部５０６で実行する各位置合せ回路部５０４Ａ乃至５０４Ｃから出力されたそれぞれの欠陥候補の画像から抽出された画像特徴量を３次元空間にプロットした例を示す。欠陥候補の画像特徴量をこのように３次元空間にプロットしたとき、真の欠陥ではない部分の画像の特徴量は中央に固まって分布するが、欠陥を含む画像の特徴量は、正常な部分の画像から算出した差画像の分布から離れた部分に存在する。従って、各検出器から得られる欠陥候補の画像を統合して図７に示すような多次元空間にプロットして外れ値を抽出することにより、真の欠陥を検出することができる。
【００３９】
しかし、各検出器から得られる欠陥候補の画像を統合して図７に示すような多次元空間にプロットして精度良く欠陥を検出するためには、各検出器から得られる欠陥候補の位置ずれが補正されていること、すなわち、各検出器から得られる欠陥候補のアライメントが合っていることが必要になる。しかし、一般に行われる画像のマッチング技術を用いて、たとえば１１５Ａ乃至１１５Ｃの画像のアライメントを行うことは極めて困難である。それぞれの画像が異なる検出条件になるため、それぞれの画像に表れるパターンが異なるためである。
【００４０】
図８は、ステージ走査方向に対する照明のプロファイル８０１と検出系のプロファイル８０２をプロットしたグラフである。ここで、照明のプロファイル８０１の計算においては、ビームの幅が１．８μｍとし、照明は斜方照明で、照明の強度はガウス分布をしていると仮定している。また、検出系のプロファイル８０２の計算においては、検出器の画素のサイズを無限小として試料の法線方向に対して４５°傾いた方向に設置して、ＮＡ（Nuｍerical Aperture: 開口数）が０．５の光学系を介して検出するとした場合を例にとり、試料１５０上のパターンからはフラウンホーファ回折による散乱光が発生していると仮定して、検出系の点分布関数（Point Spread Function: ＰＳＦ）d(x)を（数１）によって求めた。
【００４１】
【数１】
【００４２】
図８のグラフからは、検出系のＰＳＦと比較したときに斜方照明系の照明は相対的に拡がっており、ステージ走査方向に対して照明系のみでは十分な画像の解像度が得られないことを示している。装置全体での解像度の向上を図るには、検出系の解像度を改善することが有効である。
【００４３】
図８に示したグラフにおいては、検出器の画素サイズを無限小として計算した場合を示したが、実際には検出器の画素は有限の大きさを持っている。そこで、図９Ａに示すような、検出器１１５Ｃの画素サイズを以下に述べる理由により２．５μｍとして、それ以外の条件を図８の場合と同じにして計算した場合、その結果は図９Ｂに示したグラフのようになる。
【００４４】
ここで、試料１５０がＸ方向に連続的に移動して試料１５０の表面の高さが変動することにより、図９Ａに示すようなＡＦずれとして±０．５μｍのずれが発生したと仮定すると、ビーム幅が１．８μｍの光を照射したときに、この±０．５μｍのＡＦずれを許容するために必要な検出器１１５Ｃの画素のサイズは、ウェハ上で１．８＋１．０/sqrt(２)＝２．５μｍ 必要になる。
【００４５】
このときの検出系のＰＳＦは、(数２)で表されるように画素サイズと（数１）で表される検出系のＰＳＦの畳み込み積分で求められ、図９Ｂに示すような特性となる。
【００４６】
【数２】
【００４７】
この図９Ｂに示したグラフにおいては、図８に示したグラフと異なり、検出系の解像度が照明形のそれに比べて悪くなっている。すなわち、図９Ｂのグラフから、有限の画素サイズを持つ検出器を図９Ａに示したような単純な構成で用いた場合には、照明光のビームの線幅方向（ステージの移動方向）の解像度は照明系の解像度で決まってしまうことが判る。
【００４８】
図１０には、試料１５０として、下層に微細なパターン１００４が形成され、その上に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜又は窒化シリコン(ＳｉＮ)膜などの光学的に透明な薄膜１００２が形成され、表面にパターン１００７が形成された例を示す。このような断面構造を有する試料１５０に１００１のようなビームプロファイルを有する照明光を照射した場合、照明光は光学的に透明な膜１００２を透過して下層の微細なパターン１００４で反射散乱して１００３に示すようなビームプロファイルを有する光になって光学的に透明な膜１００２を透過し、これと入射光が緩衝して１００８に示すような分布特性となってしまう。
【００４９】
このように、試料１５０が下地パターンからの反射光の影響を無視できないような構造である場合、照明系の解像度が見かけ上、低下してしまうことが起こる。
【００５０】
このような現象の発生を防ぐためには、検出系の解像度を向上させることが必要になる。この検出系の解像度を向上させるためには、図８と図９Ｂとを比較すると明らかなように、検出系の画素サイズを小さくすることが有効であることがわかる。
図１１Ａには、図９Ａに示した構成と同じで、画素を１０４と１０５の２つ配置してそれらのサイズを図９Ａの場合の半分の１．２５μｍとした状態を示す。試料１５０に照射したビームの中心が２つの画素１０４と１０５との中間に投影されるように試料１５０上の照明光の照射領域と検出系の画素の位置が調整されている状態を示している。
【００５１】
このような図１１Ａに示した構成における照明光のビームプロファイルと各画素１０４と１０５とで検出される反射・散乱光の分布を図１１Ｂに示す。
【００５２】
このとき、照明のプロファイル１１０１は、（数３）によって表される。
【００５３】
【数３】
【００５４】
一方、検出系の画素サイズを無限小とした場合のＰＳＦは、（数４）で表される。
【００５５】
【数４】
【００５６】
しかし、実際には検出系の画素は有限の大きさを持っており、これを考慮すると、検出系のＰＳＦは、（数５）で表される。
【００５７】
【数５】
【００５８】
ｐ: ステージ移動方向の画素のサイズ
α: ｐ／２
ここで、多段のラインセンサを有する検出系の１ライン分の画像取得と同期したステージの移動量を２Ｓとすると、数３で求められるi（ｘ）がほぼコンスタントの場合には通常の多段のラインセンサ(例えばＴＤＩセンサ（Tiｍe Delay Integration sensor：時間遅延積分センサ）で検出する場合と同じくシフト量を画素サイズの１/２にすればよいが、照明光の幅を寄り細く絞ってビームプロファイル１１０１をより急峻にすると、シフト量は画素のサイズでは決まらず、照明光のビームプロファイルと検出系の解像度で決まり、（数６）のように表される。
【００５９】
【数６】
【００６０】
一般に用いられるＴＤＩセンサーでは、このｓであらわされるシフト量が画素サイズの１／２であるのに対し、本発明の構成をとる場合には、sは画素サイズの１／２よりも小さくなる。これはシステムとしての画素サイズが小さくなることとほぼ等価であり、大きな画素サイズを用いた場合であっても、高い解像度を得ることが可能になる。この状態において、移動量を一般のＴＤＩセンサーを利用する場合と同様に、試料上での画素サイズと等しい量だけ移動させた場合には画像の解像度が劣化する。
【００６１】
図１１Ｃに、各画素１０４と１０５とで検出される反射・散乱光の分布を、（数６）に基づいて求めたセンタからのシフト量だけずらして（全体制御部３０１で制御して、Ｘステージ３０４のＸ方向への移動と同期させて多段のラインセンサ１０３試料１５０からの反射・散乱光を検出するための同期信号に対して時間遅れを持たせて）加算した結果のシステムとしてのＰＳＦを、照明光のビームプロファイルとかさねて表したグラフを示す。この結果から、検出系の解像度が図９Ｂに示した場合と比べて大幅に改善されていることがわかる。
【００６２】
図１２に、照明光を細線化することにより達成される解像度の特性と、細線化した照明光に本実施例により２段のラインセンサを用いて検出系の解像度を向上させた場合の解像度の特性とを重ねて表示したグラフを示す。
本実施例による２段のラインセンサを用いて検出系を採用することにより、解像度が向上していることがわかる。
【００６３】
図１３Ａには、２段のラインセンサを用いて図１１Ａに示したような光学系を組んでテストパターンを細線照明したときに、ＡＦずれが発生した場合と発生しない場合とのセンサ出力をシミュレーションにより求めた結果を示す。ＡＦずれが無い場合のセンサ出力１３０２と、−０．５μｍのＡＦずれが発生した場合のセンサ出力１３０１、及び＋０．５μｍのＡＦずれが発生した場合のセンサ出力を、シミュレーションにより求めた結果を示す。ＡＦずれが発生することにより、検出信号が大きくばらつくことがわかる。この信号のばらつき幅δは、図１１Ａに示したような２段のセンサで従来のように画像のシフト量を画素サイズの半分にして加算した場合には±０．５/sqrt(2)＝±０．３５（μｍ）であるのに対して、本実施例のように２段のセンサの画像のシフト量を（数５）を用いて算出した値に設定した場合（照明の線幅：１．５μｍ、画素サイズ：１．２５μｍ）、ばらつく幅δを０．１８μｍにまで低減できる。
【００６４】
これに対して図１３Ｂには、図９Ａに示したような従来の画素サイズが２．５μｍの検出系を用いたたきに図１３Ａの場合と同じＡＦずれが発生した場合のセンサ出力をシミュレーションにより求めた結果を示す。この場合、画素のサイズがＡＦずれによるビーム位置の変動量をカバーできる大きさなので、ＡＦずれが発生しても検出されるパターンの位置に変化は生じない。ただし、図１３Ｂの場合には画素サイズが大きいので、図１３Ａの場合と比べて欠陥検出の感度が低くなってしまう。
【００６５】
図１４Ａに、ＡＦずれが発生した場合の２段センサ１０３の画素列１０４と１０５からの出力波形を示す。図１１Ａで説明したように、ＡＦずれが無い状態で試料１５０に照射したビームの中心が２つの画素１０４と１０５との中間に投影されるように試料１５０上の照明光の照射領域と検出系の画素の位置が調整されている。このように調整された検出系に対してＡＦずれが発生するとセンサ面におけるビームの中心位置がずれるために、２段センサ１０３の画素列１０４から出力される信号１４０１の出力レベルと画素列１０５から出力される信号１４０２のレベルが変化する。この信号レベルの変化は、ＡＦずれ量に対応する。
【００６６】
図１４Ｂには、ＡＦずれが発生した状態でＸステージ３０４を走査させたときに、試料１５０に形成された繰り返しパターンからの反射・散乱光を２段センサ１０３で検出したときの画素列１０４からの出力波形１４０３と画素列１０５からの出力波形１４０４を示す。このように、出力波形１４０３と出力波形１４０４との信号レベルに一定の差が生じているので、画素列１０４からの出力信号と画素列１０５からの出力信号とをＸステージ３０４のある走査範囲にわたって加算することにより、ＡＦずれ量を推定することが可能になる。この画素列１０４からの出力信号と画素列１０５からの出力信号とをＸステージ３０４のある走査範囲にわたって加算することを図１に示した高さずれ情報算出部１１２で実行する。
【００６７】
図１５に、高さずれ情報算出部１１２の構成を示す。１５０３と１５０４とはそれぞれ信号加算器で、Ｘステージ３０４が一方向に一定の速度で移動しているときにＡ/Ｄ変換器１０９から出力された信号１５０１を信号加算器１５０３で加算し、Ａ/Ｄ変換器１１０から出力された信号１５０２を信号加算器１５０４で加算する。信号加算器１５０３および信号加算器１５０４から出力された加算信号はそれぞれ処理部１５０５に入力され、信号加算器１５０３からの信号値を信号加算器１５０４からの信号値で割り算をするなどしてノルマライズされる。処理部１５０５でノルマライズされた結果は比較部１５０６において、予め設定しておいたＡＦずれ量とノルマライズされて値との関係を記録したルックアップテーブル（ＬＵＴ）のデータと比較することによりＡＦずれ量が求められる。
【００６８】
図５に示したように、高さずれ情報算出部１１２で求められたＡＦずれ量の情報５１０Ａ〜５１０Ｃは画像処理部１１４に送られ、位置合せ部５０４Ａ〜５０４Ｃにおいて、差分器５０２Ａ〜５０２Ｃから出力された差画像５０３Ａ〜５０３Ｃに対してそれぞれＡＦずれ量の情報を用いて高さずれ分の補正が行われる。なお、１０２Ａおよび１０２Ｃが対称的に配置されていた場合、５１０Ａおよび５１０Ｃで検出する高さずれは原理的に一致する。そこで、５１０Ａと５１０Ｃで検出する高さずれ量の平均を算出し、５０４Ａと５０４Ｃに入力し、これを用いるようにすれば、さらに安定したＡＦずれ量の算出が可能になる。また、ＡＦずれ量が短時間で大きく変動しない性質を考慮して、５１０Ａおよび５１０Ｃの信号に時間的な平均化処理をかけるとさらに安定したＡＦずれ量算出が可能になる。また、１０２Ｂが傾きを持たずに配置されていた場合には、ＡＦずれが発生した場合においても画像のずれは発生しない。そこで、図５より５１０Ｂおよび５０４Ｂを省いても良い。
【００６９】
この高さずれ分の補正が行われた差画像５０５Ａ〜５０５Ｃは統合判定部５０６に送られて、統合されて３次元ベクトル画像を生成する。この統合判定部５０６で生成された画像はしきい値判定部５０７に送られて、各欠陥候補について画像特徴量が抽出され、図７で説明したような三次元空間にプロットされた欠陥候補の特徴量のうち欠陥候補が密集している特徴量領域から予め設定したしきい値以上離れている孤立した欠陥候補が抽出され、この抽出された欠陥信号５０８は全体制御部３０１へ出力される。
【００７０】
このように、本実施例によれば、異なる方向から撮像して得た画像に対してＡＦ高さずれ分の補正を行ってから合成処理することが可能になり、より高感度に欠陥を検出することができると共に、検出した欠陥の分類精度を向上させることが可能になる。
【実施例２】
【００７１】
実施例１においては、検出器１１５に２段センサ１０３を採用した例を示したが、本実施例においては、２段センサ１０３の換わりに３段のＴＤＩセンサ１６０４を用いた例を説明する。本実施例における欠陥検査装置の構成は、基本的には図２及び３に示した構成と同じであり、検出器１１５Ａ乃至１１５Ｃの構成、及び画像処理部１１４、全体制御部３０１の一部が実施例１で説明した構成股が動作と異なっている。
【００７２】
図１６は実施例２の原理を説明する図である。試料１５０上には図示していない光源から発射された照明光１１６がレンズ１０１で一方向(図１６の場合はＸ方向)に絞られてそれと直角な方向には平行光となるように成形されて斜め方向から照射される。このとき試料１５０はＸステージ３０４によりＸ方向に一定の速度で移動している。照明光１１６が照射された試料１５０からの反射・散乱光のうち検出光学系１０２の方向に向かった光は検出光学系１０２で集光されて検出器１６１５のＴＤＩセンサ１６１０の受光面に配置された画素列１６０１，１６０２，１６０３上に結像される。画素列１６０１，１６０２，１６０３で検出された信号は下流側のリードアウトレジスタ１６０４又は１６０５から出力されて切替スイッチ１６１１でＡ/Ｄ変換器１６１２に入力される。
【００７３】
Ａ/Ｄ変換器１６１２でアナログ信号からデジタル信号に変換されたＴＤＩセンサ１６１０からの出力信号は画像処理部１６１４に入力して処理され試料１５０上の欠陥が検出される。
【００７４】
ＴＤＩセンサ１６１０からは、各画素列１６０１，１６０２，１６０３で検出した信号が順次積算されてリードアウトレジスタ１６０４又は１６０５から出力されるため、出力信号はＡＦずれの影響を等しく受けているので、実施例１における検出器１１５の高さずれ情報算出部１１２に相当する回路を必要としない。
【００７５】
図１７Ａには、線状に成形した照明光１１６の線幅方向の断面のプロファイル１１０１と、この照明光１１６で照明された試料１５０からの反射・散乱光をＡＦずれが無い状態でＴＤＩセンサ１６１０で検出したときの各画素列１６０１，１６０２，１６０３ごとにＰＳＦを算出した結果を波形１７０１，１７０２，１７０３として照明光の断面のプロファイル１１０１と重ねて表示したものである。なお、ＴＤＩセンサ１６１０の各画素列１６０１，１６０２，１６０３の走査Ｘステージ走査方向の画素サイズを０．８３３μｍとて計算した。
【００７６】
ＴＤＩセンサ１６１０の段数を３段とすることにより、画素列１６０１と画素列１６０２とで検出した画像のシフト量と、画素列１６０２と画素列１６０３とで検出した画像のシフト量とを同じ量に設定することにより、ＴＤＩセンサ１６１０からの出力を連続的に処理することができる。また、３段のＴＤＩセンサーを用いた場合のｓ、すなわち、検出系の１ライン分の画像取得と同期したステージの移動量の１／２は、（数６）のαをステージ移動方向の画素サイズｐとおくことによって計算することができる。この場合においても、ｓは画素サイズの１／２よりも小さな値になる。実施例１の場合と同様、この状態において、一般のＴＤＩセンサーを利用する場合と同様に、１ライン分の画像取得と同期したステージの移動量を試料上でのステージ移動方向の画素サイズと等しくすると画像の解像度が劣化してしまう。
【００７７】
本実施低では、ＴＤＩセンサ１６１０の画素列の段数を３段の場合について説明したが、 画素列を４段以上にすると、隣接する画素列間の画像シフト量が中央部分と周辺部分とで異なってしまうために、ＴＤＩセンサ１６１０からの出力を連続的に処理することができなくなってしまう。従って、ＴＤＩセンサ１６１０の段数は、２段又は３段が適している。
【００７８】
図１７Ｂは、ＴＤＩセンサ１６１０の各画素列１６０１，１６０２，１６０３ごとのＰＳＦ波形を、（数５）に基づいて求めたシフト量だけずらして加算した結果のシステムとしてのＰＳＦ１７０４を、照明光のビームプロファイル１１０１とかさねて表したグラフを示す。この結果から、検出系のＰＳＦが照明光のプロファイルと比べて改善されていることがわかる。
【００７９】
図１８には、３段のＴＤＩセンサ１６１０を用いて図１１Ａに示したものと同様な光学系を組んでテストパターンを細線照明したときに、ＡＦずれが発生した場合と発生しない場合とのＴＤＩセンサ１６１０の出力をシミュレーションにより求めた結果を示す。ＡＦずれが無い場合のセンサ出力１８０２と、−０．５μｍのＡＦずれが発生した場合のセンサ出力１８０１、及び＋０．５μｍのＡＦずれが発生した場合のセンサ出力１８０３を、シミュレーションにより求めた結果を示す。ＡＦずれが発生することにより、検出信号が大きくばらつくことがわかる。この信号のばらつき幅δは、本実施例のようにＴＤＩセンサの画像のシフト量を（数５）を用いて算出した値に設定した場合（照明の線幅：１．５μｍ、画素サイズ：１．２５μｍ）、ばらつく幅δを±０．２１μｍにまで低減できる。この値は、実施例１に場合と比べるとやや大きいが、照明の線幅が広い従来の方式と比較すると大幅に改善されている。
【００８０】
実施例２における欠陥検査装置の画像処理部１６１４の構成を図１９に示す。図５で説明した実施例１における構成と類似しているが、図５で説明した高さずれ情報算出部１１２からの出力信号５１０Ａ〜５１０Ｃに相当する信号の入力がない。
【００８１】
図１９に示した構成において、第１の検出器１６１５Ａからの出力１６１３Ａから分岐された一方の信号はバッファメモリ５０１Ａに入力し、第1の位置あわせ処理部５１１Ａにて図５にて説明したように位置あわせが行われる。分岐した他方の信号は差分器５０２Ａに入力し、バッファメモリ５０１Ａに先に入力していた試料１５０上の同一の形状のパターンを検出した信号または試料１５０上の隣接するダイの同じ領域のパターンを検出した信号を参照信号として、この参照信号との差分が算出され(セル比較又はダイ比較)、算出された差画像１９０１Ａは仮欠陥判定部１９０２Ａにおいて予め設定された第１のしきい値信号レベルと比較されて差画像１９０１Ａの中から擬似欠陥が除去される。この擬似欠陥信号が除去された信号１９０３ＡはＡＦずれ算出部１９０４に入力される。
第２の検出器１６１５Ｂからの出力１６１３Ｂ及び第３の検出器１６１５Ｃからの出力１６１３Ｃも同様に処理されて、仮欠陥判定部１９０２Ｂ及び１９０２Ｃにおいて予め設定された第１のしきい値信号レベルと比較されて擬似欠陥信号が除去された信号１９０３Ｂ及び１９０３ＣはＡＦずれ算出部１９０４に入力される。
【００８２】
ＡＦずれ算出部１９０４においてＡＦずれ量を求める方法について、図２０を用いて説明する。図２０において、２００１と２００６とは第１の検出器１６１５Ａで検出された欠陥候補の位置を表し、２００２と２００４とは第２の検出器１６１５Ｂで検出された欠陥候補の位置を表し、２００３と２００７とは第３の検出器１６１５Ｃで検出された欠陥候補の位置を表わす。比較的近距離に有る欠陥候補は同一のＡＦずれ量であると仮定して対応関係が最もよく取れる欠陥候補(図２０の場合には、２００１と２００２及び２００３)の座標情報からＡＦずれ量を推定し、この推定したＡＦずれ量の情報を用いて擬似欠陥信号が除去された信号１９０３Ａ乃至１９０３Ｃの高さずれを補正する。ＡＦずれ算出部１９０４において高さずれが補正された信号１９０５Ａ乃至１９０５Ｃは、統合判定部１９０６に入力されて、３次元のベクトル差分画像に統合され、しきい値判定部１９０８で予め設定したしきい値と比較して欠陥が抽出され、この抽出された欠陥の情報１９０９は全体制御部３０１へ出力される。
【００８３】
本実施例によれば、異なる方向から撮像して得た画像に対してＡＦ高さずれ分の補正を行ってから合成処理することが可能になり、より高感度に欠陥を検出することができると共に、検出した欠陥の分類精度を向上させることが可能になる。
【実施例３】
【００８４】
本実施例においては、検出するパターンに基づきＡＦずれを判定する方式を図２１と本実施例における欠陥検査装置の構成は、基本的には実施例１において図２及び３に示した構成と同じであり、検出器１１５Ａ乃至１１５Ｃの構成の一部のみが実施例１で説明した構成及び動作と異なっている。実施例１においては、検出器１１５に２段センサ１０３を採用し、ＡＦずれによる検出位置のずれを高さずれ情報算出部１１２で算出していた。高さずれ情報算出部１１２は、図１５に示すように、Ａ/Ｄ変換器１０９から出力された信号とＡ/Ｄ変換器１１０から出力された信号から算出される明度の比率をＬＵＴ１５０６で評価して高さを算出していた。
【００８５】
これに対して、本実施例では図２１に示すように、高さずれ情報算出部１１２の代替として高さずれ情報算出部２１０１を用いてＡＦずれを算出する。図２１に示した構成で、２段センサ１０３は実施例１に老いて図１を用いて説明したものと同じである。また、スイッチ２１０８及び２１０９は、試料１５０の移動方向に応じて２段センサ１０３のリードアウトレジスタ１０６と１０７とからの出力を切り替える。高さずれ情報算出部２１０１には、Ａ/Ｄ変換器２１０９から出力された信号２１０２およびＡ/Ｄ変換器２１１０でから出力された信号２１０３さらに、加算記２１１３で加算して合成された信号２１０４を入力する。
【００８６】
高さずれ情報算出部２１０１の処理を図２２で説明する。２２０１はローパスフィルタであり、加算記２１１３で加算して合成された信号２１０４の信号に対して、図２１の矢印で示したステージ走査方向の高空間周波数を抑制し信号２２０４を出力する。２２０３は加算器であり、Ａ/Ｄ変換器２１０９から出力された信号２１０２とＡ/Ｄ変換器２１１０でから出力された信号２１０３とを加算し、信号２２０５を出力する。この信号２２０５は加算記２１１３で加算して合成された信号２１０４に対してステージ走査方向に解像度が悪くなっている画像であるため、信号２２０４と信号２２０５は極めて類似した画像になる。そこで、パターンマッチング部２２０２で信号２２０４と信号２２０５をパターンマッチングにより、ずれ量を算出する。信号２２０５はＡＦずれにより、ほとんどパターンの位置が変化しないのに対し、信号２２０４はＡＦずれによって、パターンの位置が変化する。そこで、信号２２０５を基準として信号２２０４のずれ量を求めることにより、ＡＦずれを算出することが可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１００・・・検査光学系 １０１・・・レンズ １０２、１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｄ・・・検出光学系 １０３・・・２段センサ １１２・・・高さずれ情報算出部 １１３・・・加算器 １１４・・・画像処理部 １１５，１１５Ａ，１１５Ｂ，１１５Ｃ・・・検出器 ２０１・・・光源部 ２０２・・・集光レンズ ２０３・・・集光レンズ ２０４・・・光検出器 ２０５・・・高さ検出部 ３０１・・・全体制御部 ３０２・・・ステージ制御手段 ３０３・・・Ｚステージ ３０４・・・Ｘステージ ３０５・・・Ｙステージ ５０１Ａ，５０１Ｂ，５０１Ｃ・・・バッファメモリ ５０２Ａ，５０２Ｂ，５０２Ｃ・・・差分器 ５０４Ａ，５０４Ｂ，５０４Ｃ・・・位置合せ回路部 ５０６・・・統合判定部 ５０７・・・しきい値判定部 １６１０・・・ＴＤＩセンサ １６１４・・・画像処理部 １６１５・・・検出器 １９０２Ａ，１９０２Ｂ，１９０２Ｃ・・・仮欠陥判定部 １９０４・・・ＡＦずれ算出部 １９０６・・・統合判定部 １９０８・・・しきい値判定部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料に発生した微細な欠陥を検出する方法及びその装置に係り、特に、表面に微細なパターンが形成された半導体ウェハ上に発生した微細な欠陥を検出するのに適した欠陥検査方法及びその装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハは回路の高集積化に伴って、ウェハ上に形成されるパターン形状はより微細化すると共に多層構造となり、その生産工程の数は増加の一途をたどっている。この微細なパターンをウェハ上に確実に形成して信頼性の高い高集積回路を安定して生産するためには、パターンが形成されたウェハを検査して微細なパターンが確実に形成されていること、異物などの欠陥が発生していないことを確認することが重要になる。
【０００３】
パターンが形成されたウェハを検査する手段として、例えば、明視野による光学式のパターン検査装置(明視野パターン検査装置)や暗視野による光学式の欠陥検査装置（暗視野欠陥検査装置）などがある。
【０００４】
明視野パターン検査装置と暗視野欠陥検査装置とは一般にその用途が異なるが、暗視野欠陥検査装置は明視野パターン検査装置と比べて検査のスループットが高いという特徴を持っている。
【０００５】
このような暗視野欠陥検査装置においては、ウェハ上に形成されたパターンからの散乱光の影響を受けずに如何により微細な欠陥をより高速に検出できるようにするかということが課題のひとつになっている。
【０００６】
この課題を解決する手段として、特許文献１及び特許文献２には、一方向に細く絞った線状の照明光をウェハに斜方から照射し、ウェハを線状の照明光の長手方向と直行する方向に連続的に移動させながら線状の照明光によりウェハの表面から散乱した光をウェハの上方の検出系とその両側に配置した検出系とで検出し、それぞれの検出信号を用いてウェハ状の欠陥を検出することについて記載されている。
【０００７】
また、特許文献３には検出系にＴＤＩ(Tiｍe Delay Integration：時間遅延積分) センサを用い、ＴＤＩセンサのラインレートとステージスキャン速度を非同期で制御し、非検査物を細く絞った線状の光で照明してＴＤＩセンサの任意の画素ラインのみに被検査物からの散乱光を受光させるように構成し、ＴＤＩセンサのラインレートとステージスキャン速度の速度比によって検出画素サイズの縦横比を制御できるようにすることにより、ＴＤＩセンサのラインレート以上のスキャン速度で監査をできるようにすることが記載されている。
【０００８】
更に、特許文献４には、一方向に細く絞った線状の照明光をウェハに斜方から照射し、ウェハを線状の照明光の長手方向と直行する方向に連続的に移動させながら線状の照明光によりウェハの表面から上方に散乱した光を集光して偏光の状態に応じて分岐し、アレイ状の空間フィルタで正常パターンからの回折光や散乱光をフィルタリングして空間フィルタを透過した光を検出することにより欠陥散乱光の偏光特性に依存されずに欠陥を検出することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−１０５２０３号公報
【特許文献２】特表２００１−５１２２３７号公報
【特許文献３】特開２０１０−２５６３４０号公報
【特許文献４】特開２０１０−１９０７２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
より微細な欠陥を効率よく検出して、この検出した欠陥の種類を分類できるようにするためには、欠陥の種類によって異なる散乱特性を利用し、散乱方位を分離して検出する方法が考えられる。即ち、検出器を複数の箇所に配置してそれぞれの箇所で検出した信号を処理して統合することにより、一方向からに検出ではノイズに埋もれてしまうような微細な欠陥からの散乱光を検出した信号を顕在化することができると共に、検出した欠陥の種類をより細かく分類することができるようになる。
【００１１】
このように検出器を複数の方向に配置して欠陥からの散乱光を検出することについては、特許文献１および２に記載されている。この特許文献１の図２５および特許文献２の図２に記載されている検査装置の構成では、複数の検出器を基板の法線方向に対して斜めの方向にそれぞれ配置している。
【００１２】
特許文献１および２に記載されている構成においては、基板に線状の照明光を照射し、基板を搭載したステージを線状の照明の長手方向と直角に方向に一定の速度で移動させながら基板からの散乱光を検出する。このステージが一定の速度で移動するときに、テーブルにはピッチング(上下方向の変動)やヨーイング(左右方向の変動)といった位置の変動が発生することが知られている。このうち、ピッチングにより基板の高さが変動することにより、異なる方位角方向に配置した検出器で検出する基板表面上の位置にずれが発生してしまい、基板表面に形成された同一のパターンをそれぞれの検出器で検出した信号に互いに位置のずれが生じてしまう。これは、数１０ｎｍ程度又はそれ以下のより微小な欠陥を検出する場合に顕著になる。
【００１３】
しかし、特許文献１および２に記載された発明においては、この基板の高さ変動に伴い発生する複数の検出器間の検出信号の位置ずれに対しては配慮されていない。
【００１４】
また、特許文献３及び４においては、複数の検出器を異なる方位角方向に配置して基板上の欠陥を検出することについては記載されていない。
【００１５】
本発明の目的は、複数の方向に配置した複数の検出器からの信号を基板の高さ変動の影響を受けることなく処理して基板上のより微細な欠陥を検出することを可能にする欠陥検査方法及びその装置を提供することに有る。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明では、試料を載置して少なくとも一方向に移動可能なステージ手段と、このステージ手段に載置した試料にステージの試料を載置する面の法線方向に対して傾斜した方向から線状に成形した光を照射する光照射手段と、この光照射手段により線状に成形した光が照射された試料から第１の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第１の集光検出手段と、光照射手段により線状に成形した光が照射された試料から第２の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第２の集光検出手段と、第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の光検出手段から出力された検出信号とを処理して試料状の欠陥を検出する処理手段と、ステージ手段と光照射手段と第１の光検出手段と第２の光検出手段と処理手段とを制御する制御手段とを備えた検査装置において、第１の集光検出手段と第２の集光検出手段とはそれぞれ複数列の光センサアレイを備えた光電変換器を有し、処理手段は第１の集光検出手段の複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて試料の表面に対する第１の集光検出手段の焦点位置のずれを求めると共に第２の集光検出手段の複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて試料の表面に対する第２の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、この求めた第１の集光検出手段の焦点位置のずれ及び第２の集光検出手段の焦点位置のずれに応じて第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の集光検出手段から出力された検出信号とを補正し、この補正した第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の集光検出手段から出力された検出信号とを統合して試料上の欠陥を検出するようにした。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本発明では、試料を載置して少なくとも一方向に移動可能なステージ手段と、このステージ手段に載置した試料にステージの試料を載置する面の法線方向に対して傾斜した方向から線状に成形した光を照射する光照射手段と、この光照射手段により線状に成形した光が照射された試料から第１の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第１の集光検出手段と、光照射手段により線状に成形した光が照射された試料から第２の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第２の集光検出手段と、第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の光検出手段から出力された検出信号とを処理して試料状の欠陥を検出する処理手段と、ステージ手段と光照射手段と第１の光検出手段と第２の光検出手段と処理手段とを制御する制御手段とを備えた検査装置において、第１の集光検出手段と第２の集光検出手段とはそれぞれ複数列の光センサアレイを備えた光電変換器を有し、制御手段はステージ手段を制御してこのステージ手段を一方向に連続的に移動させると共に第１の集光検出手段の光電変換器と第２の集光検出手段の光電変換器とを制御して光照射手段により線状に成形した光が照射された試料からの反射散乱光をステージ手段の移動と同期させて検出し、制御手段は更に処理手段を制御して第１の集光検出手段の光電変換器と第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号をステージ手段の移動との動機とは異なるタイミングで処理し、この同期とは異なるタイミングで処理した前記第１の集光検出手段の光電変換器と第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号を統合して試料状の欠陥を検出するようにした。
更に、上記課題を解決するために、本発明では、欠陥検査方法を、試料を載置したステージを一方向に移動させながら試料の表面の法線方向に対して傾斜した方向からステージが移動する一方向に直角な方向に長い線状に成形した光を試料の表面に照射し、この線状に成形した光が照射された試料の表面から第１の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを備えた第１の集光検出手段で検出し、線状に成形した光が照射された試料の表面から第２の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを備えた第２の集光検出手段で検出し、第１の集光検出手段から出力された複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて試料の表面に対する第１の集光検出手段の焦点位置のずれを求めると共に第２の集光検出手段から出力された複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて試料の表面に対する第２の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、この求めた第１の集光検出手段の焦点位置のずれ及び第２の集光検出手段の焦点位置のずれに応じて第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の集光検出手段から出力された検出信号とを補正し、この補正した第１の集光検出手段から出力された検出信号と第２の集光検出手段から出力された検出信号とを統合して試料上の欠陥を検出するようにした。
【００１８】
更にまた、上記課題を解決するために、本発明では、欠陥検査方法を、試料を載置したステージを一方向に移動させながら試料の表面の法線方向に対して傾斜した方向からステージが移動する一方向に直角な方向に長い線状に成形した光を試料の表面に照射し、この線状に成形した光が照射された試料の表面から第１の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを有する光電変換器を備えた第１の集光検出手段でステージの前記一方向への移動と同期して検出し、線状に成形した光が照射された試料の表面から第２の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを有する光電変換器を備えた第２の集光検出手段でステージの前記一方向への移動と同期して検出し、第１の集光検出手段の光電変換器と第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号をステージの移動との同期とは異なるタイミングで処理し、この同期とは異なるタイミングで処理した第１の集光検出手段の光電変換器と第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号を統合して試料上の欠陥を検出するようにした。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、検査中の基板の高さ方向の変動の影響を受けずに複数の検出器の検出信号を統合して処理することができるようになり、より微細な欠陥を検出することができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例１の原理を説明するブロック図である。
【図２】本発明の実施例１の光学系の概略の構成を示す平面図である。
【図３Ａ】本発明の実施例１の光学系の概略の構成を示す正面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施例１の照明光学系の概略の構成を示す正面図である。
【図３Ｃ】本発明の実施例１の検出光学系の概略の構成を示す正面図である。
【図４】ＡＦずれによるセンサ上の検出位置のずれを説明する検出光学系のブロック図である。
【図５】本発明の実施例１に係る画像処理手段の構成を示すブロック図である。
【図６】ウェハの平面図と、このウェハ上に形成されたチップの拡大図である。
【図７】本発明の実施例１の３つの検出光学系で検出されて欠陥候補の信号特徴量を３次元空間にプロットした例を示すグラフである。
【図８】照明のプロファイルと画素サイズを無限小としたときの検出系のＰＳＦ（Point Spread Factor: 点分布関数）を示すグラフである。
【図９Ａ】斜方に配置したセンサ上でＡＦずれにより発生する検出位置のずれを説明する検出光学系のブロック図である。
【図９Ｂ】線状照明光のビームプロファイルと画素サイズを考慮したときの検出系のＰＳＦを示すグラフである。
【図１０】パターンが形成された半導体ウェハの断面図である。
【図１１Ａ】本発明の実施例１における斜方に配置したセンサと資料からの反射・散乱光の関係を示す検出光学系のブロック図である。
【図１１Ｂ】本発明の実施例１における線状照明光のビームプロファイルと照明系のＰＳＦの関係を示すグラフである。
【図１１Ｃ】本発明の実施例１における線状照明光のビームプロファイルと照明系のセンターからのずれ量を補正したシステムとしてのＰＳＦの関係を示すグラフである。
【図１２】線状照明系だけの解像度と本発明の実施例１における照明系の解像度との関係を示すグラフである。
【図１３Ａ】本発明の実施例１においてＡＦずれが有る場合に試料上の繰り返しパターンからの反射・散乱光を検出したときのセンサ出力を示すグラフである。
【図１３Ｂ】従来のＴＤＩセンサ検出したときのＡＦずれが有る場合に試料上の繰り返しパターンからの反射・散乱光を検出したときのセンサ出力を示すグラフである。
【図１４Ａ】本発明の実施例１において２段センサを用いたときにＡＦずれが発生した場合の格段のセンサの出力波形を示すグラフである。
【図１４Ｂ】本発明の実施例１においてＡＦずれが有る場合に試料上の繰り返しパターンからの反射・散乱光を検出したときのセンサ出力を示すグラフである。
【図１５】本発明の実施例１における高さずれ情報算出部の構成を示すブロック図である。
【図１６】本発明の実施例２の原理を説明するブロック図である。
【図１７Ａ】本発明の実施例２における線状照明光のビームプロファイルとＴＤＩセンサの各画素列ごとのＰＳＦを示すグラフである。
【図１７Ｂ】本発明の実施例２における線状照明光のビームプロファイルとＴＤＩセンサの格段の画素の出力を所定の量ずらして足し合わせたシステムとしてのＰＳＦを示すグラフである。
【図１８】本発明の実施例２においてＡＦずれが有る場合に試料上の繰り返しパターンからの反射・散乱光を検出したときのＴＤＩセンサの出力を示すグラフである。
【図１９】本発明の実施例２に係る画像処理手段の構成を示すブロック図である。
【図２０】本発明の実施例２に係る画像処理手段におけるＴＤＩセンサの出力のＡＦずれ量を補正する方法を説明するＴＤＩセンサの出力から欠陥候補の配置をプロットした図である。
【図２１】本発明の実施例３の原理を説明するブロック図である。
【図２２】本発明の実施例３における高さずれ情報算出部の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本発明の実施例を、図を用いて説明する。
【実施例１】
【００２２】
本発明の第１の実施例を、図１乃至２２を用いて説明する。
【００２３】
図１は本実施例の原理を説明する図である。本実施例では、照明光１１６をレンズ部１０１で一方向に絞ってそれと直角な方向には平行光となるように整形して微細なパターンが形成されている試料１５０の表面に斜め方向から照射する。検査時には、試料１５０は後述するステージ手段により、矢印の方向に一定の速度で移動する。
【００２４】
１０２は検出光学系で、線状に成形された照明光１１６が照射された試料１５０からの反射・散乱光のうち、検出光学系１０２の方向に反射・散乱した光を集光して検出器１１５の検出素子列１０４，１０５上に試料１５０の線状に照射された領域の像を結像する。
【００２５】
検出器１１５は、検出素子列１０４，１０５とを持ち、それぞれに信号を読み出すためのリードアウトレジスタ１０６と１０７とを備えた２段センサ（二次元ＣＣＤ又は、Dual Line Sensor）１０３と、試料１５０の移動方向に応じて２段センサ１０３のリードアウトレジスタ１０６と１０７とからの出力を切り替えるスイッチ１０８と１０９、リードアウトレジスタ１０６と１０７とから同時に出力されたアナログ信号をデジタル信号に切り替えるＡ/Ｄ変換部１０９と１１０、Ａ/Ｄ変換器１１０から出力されたデジタル信号を１次記憶して、Ａ/Ｄ変換器１０９から出力されたデジタル信号とタイミングを合わせて出力するＦＩＦＯ（First In First Out）メモリ１１１、ＦＩＦＯメモリ１１１からの出力信号とＡ/Ｄ変換器１０９からの出力信号とを足し合わせて出力する加算器１１３、１１２はＡ/Ｄ変換器１０９からの出力信号とＡ/Ｄ変換器１１０からの出力信号と用いて試料１５０の高さのずれの情報を求める高さずれ情報算出部である。１１４は画像処理部で、検出器１１５からの出力信号を受けて試料１５０上の欠陥を検出する。
【００２６】
図２は、本実施例に係る欠陥検査装置の光学系の構成を示す平面図である。本実施例に係る欠陥検査装置の光学系には、照明光学系側に光源２０６、光源２０６から出射した照明光１１６を線状にビームに成形するレンズ部１０１を備えている。光源２０６は、ＵＶ光やＤＵＶ光などの紫外レーザを発射する。一方、検出光学系１０２は、第１の斜方検出光学系１０２Ａと第１の検出器１１５Ａ，上方検出光学系１０２Ｂと上方検出器１１５Ｂ，第２の斜方検出光学系１０２Ｃと第２の検出器１１５Ｃ、とを備えて構成されている。第１の検出器１１５Ａと上方検出器１１５Ｂと第２の検出器１１５Ｃとからの出力信号は画像処理部１１４に入力され、処理される。
【００２７】
また、本実施例に係る欠陥検査装置は、試料１５０の表面の高さを検出する高さ検出部を備えている。高さ検出部は、複数の線状の光パターン２０７を発射する光源部２０１と、光源部２０１から発射された線状の光パターン２０７を試料１５０の法線方向に対して傾いた方向から試料１５０の表面に集光して照射する集光レンズ２０２、複数の線状の光パターン２０７が照射された試料１５０からの反射光(正反射光)を集光する集光レンズ２０３及び集光された反射光を検出する光検出器２０４、光検出器で試料１５０からの反射光を検出した信号を受けて処理することにより試料１５０の高さ情報を抽出する高さ検出部２０５で構成されている。
【００２８】
図３Ａは、本実施例に係る欠陥検査装置の検査光学系１００の構成を示す正面図である。３０３は高さ方向に移動可能なＺステージ、３０４はＸ方向に移動可能なＸステージ、３０５は紙面と垂直なＹ方向に移動可能なＹステージであり、それぞれステージ制御手段３０２により動きを制御される。試料１５０は、Ｚステージ３０３上に載置されている。図３に示した構成において、第１の斜方検出光学系１０２Ａと上方検出光学系１０２Ｂと第２の斜方検出光学系１０２Ｃとはそれぞれ図３Ｃに示すように、対物レンズ１０２１、空間フィルタ１０２２、フォーカシングレンズ１０２３、偏光フィルタ１０２４、結像レンズ１０２５を備え、試料１０５上の微細な繰り返しパタンに光を照射することにより発生する回折光による回折光パターンを空間フィルタ１０２２で遮光し、空間フィルタ１０２２を透過した反射・散乱光を結像レンズ１０２５で検出器１１５の検出面上に結像する。図３Ｃに示した構成は、第１の斜方検出光学系１０２Ａと上方検出光学系１０２Ｂと第２の斜方検出光学系１０２Ｃとに共通するので、各構成部品の最後のＡ，Ｂ，Ｃの表記を照尺した。
【００２９】
また、図３Ｂに照明光学系側の構成を示す。照明光学系は、レーザビームを発射する光源２０６とレンズ部１０１を備えている。レンズ部１０１は、光源２０６から発射されたレーザビームの径を拡大するためのビームエキスパンダ１０１１、径を拡大したレーザを平行光とするためのコリメータレンズ１０１２、レーザの偏光の状態を調整する偏光板１０１３、光量を調整するための光量調整部１０１４、集光レンズ１０１５、径を拡大されたレーザビームを一方向に集光させてそれと直角な方向には平行な状態を保った線状の光に成形するシリンドリカルレンズ１０１６を備えている。
【００３０】
３０１は全体制御部で、照明側の光源２０６、高さ検出部の光源部２０１、ステージ制御手段３０２を制御すると共に、画像処理部１１４と高さ検出部２０５の出力を受けて試料１５０を検査した結果を出力する。
【００３１】
図２及び図３に示した構成において、検査時にテージ制御手段３０２によりＸステージ３０４が制御されて一方向に一定の速度で移動し、Ｘステージ３０４の移動と同期して第１の検出器１１５Ａと上方検出器１１５Ｂと第２の検出器１１５Ｃから検出信号が出力される。Ｘステージ３０４が移動して試料１５０上の端まで検査が終わるとテージ制御手段３０２によりＹステージが制御されて試料１５０の検査領域を隣の検査領域に移動させる。次にテージ制御手段３０２によりＸステージ３０４を制御して、全回路逆の方向（−Ｘ方向）に一定の速度で移動させる。これを繰返すことにより、試料１５０の全面の検査を行うことができる。
【００３２】
このように、Ｘステージ３０４を駆動して試料１５０をＸ方向、又は−Ｘ方向に一定の速度で移動させるときに、Ｘステージ３０４にはピッチングと呼ばれる上下方向の高さの変動が発生する。また，これ以外に試料の二次元的な歪によっても上下方向の高さの変動が発生する。検査中にＸステージ３０４にこのような高さの変動が発生すると、図４に示すように、第１の斜方検出光学系１０２Ａと第２の斜方検出光学系１０２Ｃとに入射する試料１５０の表面からの反射・散乱光の入射角度が変化して、第１の検出器１１５Ａと第２の検出器１１５Ｃとのそれぞれの受光面上で試料１５０の表面からの反射・散乱光を受光する位置にずれが発生する。一方、上方検出器１１５Ｂに入射する試料１５０の表面からの反射・散乱光の受光位置には、ずれが生じない。
【００３３】
実際には、図２又は３に示した光源部２０１から高さ検出部２０５で構成される高さ検出部で検出した試料１５０の表面の高さ情報に基づいて、全体制御部３０１によりテージ制御手段３０２が制御されてＺステージ３０３のＺ軸方向に位置(高さ)が調整されるが、調整のオフセットや時間遅れなどの原因により高さ方向のずれ（ＡＦ（Auto Focus：自動焦点）ずれ）が発生してしまう。このＡＦずれが発生したままの状態でそれぞれの検出器からの信号を統合して処理をすると、ＡＦずれ分だけ画像がぼけてしまい、その結果、欠陥検出の精度を劣化させてしまうことになる。
【００３４】
このＡＦずれを低減する方法として、試料１５０に照射する線状の照明光の線幅を狭める方法がある。しかし、後述するように、照明光の線幅を狭めただけではＡＦずれの影響を十分に低減することができず、検出精度に対するＡＦずれの影響を十分に取りきれないで残ってしまうことになる。
【００３５】
図５は、画像処理手段１１４の構成を示すブロック図である。
Ｘステージ３０４のＸ方向への移動と同期して第１の検出器１１５Ａから出力のうち、加算器１１３から出力された２つの検出素子列１０４と１０５との出力を加算した信号５０９Ａは２つに分岐されてその一方が５０１Ａのバッファメモリに入力される。５０１ＡはＦＩＦＯ型のバッファメモリであり、ダイの整数倍ずれた画像を出力する。なお、この中で、複数ダイずれた画像を重ね合わせると、ノイズの低減を図ることができる。５１１Ａは第1の位置あわせ処理部であり、ダイの整数倍ずれた画像間の位置ずれを検出して、分岐した２つの画像の位置ずれがないようにして出力し、差分器５０２Ａに入力する。バッファメモリ５０１Ａに先に入力していた試料１５０上の同一の形状のパターンを検出した信号または試料１５０上の隣接するダイの同じ領域のパターンを検出した信号を参照信号として、この参照信号との差分が算出され(セル比較又はダイ比較)、算出された差分画像信号５０３Ａは第2の位置合せ回路部５０４Ａに入力される。また、第１の検出器１１５Ａからの出力のうち、高さずれ情報算出部１１２からの出力信号５１０Ａも位置合せ回路部５０４Ａに入力されて、別途入力された差分画像信号５０３Ａに対して高さずれ分の補正を行い、欠陥候補の画像が抽出される。
【００３６】
同様にして、上方検出器１１５Ｂ及び第２の検出器１１５ＣからもＸステージ３０４のＸ方向への移動と同期して出力されたそれぞれの信号が処理されて位置合せ回路部５０４Ｂ及び５０４Ｃで高さずれ分が補正された差画像５０５Ｂ、５０５Ｃ(欠陥候補の画像)が抽出され、それらが統合判定部５０６に入力される。統合判定部５０６では、高さずれ分が補正された差画像５０５Ａ〜５０５Ｃ(欠陥候補の画像)を統合して一つの画像を生成する。この統合判定部５０６で生成された画像はしきい値判定部５０７でしきい値と比較され、比較の結果抽出された欠陥信号５０８は全体制御部３０１へ出力される。
【００３７】
図６には、差分器５０２Ａ乃至５０２Ｃで実行するダイ比較を可視的に表したものである。試料１５０である半導体ウェハ上には、ダイ (チップ)６００が複数形成されており、それぞれのダイの対応する場所には同一の形状のパターン６０１〜６０５が形成されている。差分器５０２Ａ乃至５０２Ｃでは、例えばダイパターン６０３の画像を、ダイパターン６０３が形成されたチップに隣接するチップに形成されているダイパターン６０４の画像を参照画像として両画像間の差画像を算出する。
【００３８】
図７には、各位置合せ回路部５０４Ａ乃至５０４Ｃから出力されたそれぞれの差画像から統合判定部５０６で実行する各位置合せ回路部５０４Ａ乃至５０４Ｃから出力されたそれぞれの欠陥候補の画像から抽出された画像特徴量を３次元空間にプロットした例を示す。欠陥候補の画像特徴量をこのように３次元空間にプロットしたとき、真の欠陥ではない部分の画像の特徴量は中央に固まって分布するが、欠陥を含む画像の特徴量は、正常な部分の画像から算出した差画像の分布から離れた部分に存在する。従って、各検出器から得られる欠陥候補の画像を統合して図７に示すような多次元空間にプロットして外れ値を抽出することにより、真の欠陥を検出することができる。
【００３９】
しかし、各検出器から得られる欠陥候補の画像を統合して図７に示すような多次元空間にプロットして精度良く欠陥を検出するためには、各検出器から得られる欠陥候補の位置ずれが補正されていること、すなわち、各検出器から得られる欠陥候補のアライメントが合っていることが必要になる。しかし、一般に行われる画像のマッチング技術を用いて、たとえば１１５Ａ乃至１１５Ｃの画像のアライメントを行うことは極めて困難である。それぞれの画像が異なる検出条件になるため、それぞれの画像に表れるパターンが異なるためである。
【００４０】
図８は、ステージ走査方向に対する照明のプロファイル８０１と検出系のプロファイル８０２をプロットしたグラフである。ここで、照明のプロファイル８０１の計算においては、ビームの幅が１．８μｍとし、照明は斜方照明で、照明の強度はガウス分布をしていると仮定している。また、検出系のプロファイル８０２の計算においては、検出器の画素のサイズを無限小として試料の法線方向に対して４５°傾いた方向に設置して、ＮＡ（Nuｍerical Aperture: 開口数）が０．５の光学系を介して検出するとした場合を例にとり、試料１５０上のパターンからはフラウンホーファ回折による散乱光が発生していると仮定して、検出系の点分布関数（Point Spread Function: ＰＳＦ）d(x)を（数１）によって求めた。
【００４１】
【数１】
【００４２】
図８のグラフからは、検出系のＰＳＦと比較したときに斜方照明系の照明は相対的に拡がっており、ステージ走査方向に対して照明系のみでは十分な画像の解像度が得られないことを示している。装置全体での解像度の向上を図るには、検出系の解像度を改善することが有効である。
【００４３】
図８に示したグラフにおいては、検出器の画素サイズを無限小として計算した場合を示したが、実際には検出器の画素は有限の大きさを持っている。そこで、図９Ａに示すような、検出器１１５Ｃの画素サイズを以下に述べる理由により２．５μｍとして、それ以外の条件を図８の場合と同じにして計算した場合、その結果は図９Ｂに示したグラフのようになる。
【００４４】
ここで、試料１５０がＸ方向に連続的に移動して試料１５０の表面の高さが変動することにより、図９Ａに示すようなＡＦずれとして±０．５μｍのずれが発生したと仮定すると、ビーム幅が１．８μｍの光を照射したときに、この±０．５μｍのＡＦずれを許容するために必要な検出器１１５Ｃの画素のサイズは、ウェハ上で１．８＋１．０/sqrt(２)＝２．５μｍ 必要になる。
【００４５】
このときの検出系のＰＳＦは、(数２)で表されるように画素サイズと（数１）で表される検出系のＰＳＦの畳み込み積分で求められ、図９Ｂに示すような特性となる。
【００４６】
【数２】
【００４７】
この図９Ｂに示したグラフにおいては、図８に示したグラフと異なり、検出系の解像度が照明形のそれに比べて悪くなっている。すなわち、図９Ｂのグラフから、有限の画素サイズを持つ検出器を図９Ａに示したような単純な構成で用いた場合には、照明光のビームの線幅方向（ステージの移動方向）の解像度は照明系の解像度で決まってしまうことが判る。
【００４８】
図１０には、試料１５０として、下層に微細なパターン１００４が形成され、その上に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜又は窒化シリコン(ＳｉＮ)膜などの光学的に透明な薄膜１００２が形成され、表面にパターン１００７が形成された例を示す。このような断面構造を有する試料１５０に１００１のようなビームプロファイルを有する照明光を照射した場合、照明光は光学的に透明な膜１００２を透過して下層の微細なパターン１００４で反射散乱して１００３に示すようなビームプロファイルを有する光になって光学的に透明な膜１００２を透過し、これと入射光が緩衝して１００８に示すような分布特性となってしまう。
【００４９】
このように、試料１５０が下地パターンからの反射光の影響を無視できないような構造である場合、照明系の解像度が見かけ上、低下してしまうことが起こる。
【００５０】
このような現象の発生を防ぐためには、検出系の解像度を向上させることが必要になる。この検出系の解像度を向上させるためには、図８と図９Ｂとを比較すると明らかなように、検出系の画素サイズを小さくすることが有効であることがわかる。
図１１Ａには、図９Ａに示した構成と同じで、画素を１０４と１０５の２つ配置してそれらのサイズを図９Ａの場合の半分の１．２５μｍとした状態を示す。試料１５０に照射したビームの中心が２つの画素１０４と１０５との中間に投影されるように試料１５０上の照明光の照射領域と検出系の画素の位置が調整されている状態を示している。
【００５１】
このような図１１Ａに示した構成における照明光のビームプロファイルと各画素１０４と１０５とで検出される反射・散乱光の分布を図１１Ｂに示す。
【００５２】
このとき、照明のプロファイル１１０１は、（数３）によって表される。
【００５３】
【数３】
【００５４】
一方、検出系の画素サイズを無限小とした場合のＰＳＦは、（数４）で表される。
【００５５】
【数４】
【００５６】
しかし、実際には検出系の画素は有限の大きさを持っており、これを考慮すると、検出系のＰＳＦは、（数５）で表される。
【００５７】
【数５】
【００５８】
ｐ: ステージ移動方向の画素のサイズ
α: ｐ／２
ここで、多段のラインセンサを有する検出系の１ライン分の画像取得と同期したステージの移動量を２Ｓとすると、数３で求められるi（ｘ）がほぼコンスタントの場合には通常の多段のラインセンサ(例えばＴＤＩセンサ（Tiｍe Delay Integration sensor：時間遅延積分センサ）で検出する場合と同じくシフト量を画素サイズの１/２にすればよいが、照明光の幅を寄り細く絞ってビームプロファイル１１０１をより急峻にすると、シフト量は画素のサイズでは決まらず、照明光のビームプロファイルと検出系の解像度で決まり、（数６）のように表される。
【００５９】
【数６】
【００６０】
一般に用いられるＴＤＩセンサーでは、このｓであらわされるシフト量が画素サイズの１／２であるのに対し、本発明の構成をとる場合には、sは画素サイズの１／２よりも小さくなる。これはシステムとしての画素サイズが小さくなることとほぼ等価であり、大きな画素サイズを用いた場合であっても、高い解像度を得ることが可能になる。この状態において、移動量を一般のＴＤＩセンサーを利用する場合と同様に、試料上での画素サイズと等しい量だけ移動させた場合には画像の解像度が劣化する。
【００６１】
図１１Ｃに、各画素１０４と１０５とで検出される反射・散乱光の分布を、（数６）に基づいて求めたセンタからのシフト量だけずらして（全体制御部３０１で制御して、Ｘステージ３０４のＸ方向への移動と同期させて多段のラインセンサ１０３試料１５０からの反射・散乱光を検出するための同期信号に対して時間遅れを持たせて）加算した結果のシステムとしてのＰＳＦを、照明光のビームプロファイルとかさねて表したグラフを示す。この結果から、検出系の解像度が図９Ｂに示した場合と比べて大幅に改善されていることがわかる。
【００６２】
図１２に、照明光を細線化することにより達成される解像度の特性と、細線化した照明光に本実施例により２段のラインセンサを用いて検出系の解像度を向上させた場合の解像度の特性とを重ねて表示したグラフを示す。
本実施例による２段のラインセンサを用いて検出系を採用することにより、解像度が向上していることがわかる。
【００６３】
図１３Ａには、２段のラインセンサを用いて図１１Ａに示したような光学系を組んでテストパターンを細線照明したときに、ＡＦずれが発生した場合と発生しない場合とのセンサ出力をシミュレーションにより求めた結果を示す。ＡＦずれが無い場合のセンサ出力１３０２と、−０．５μｍのＡＦずれが発生した場合のセンサ出力１３０１、及び＋０．５μｍのＡＦずれが発生した場合のセンサ出力を、シミュレーションにより求めた結果を示す。ＡＦずれが発生することにより、検出信号が大きくばらつくことがわかる。この信号のばらつき幅δは、図１１Ａに示したような２段のセンサで従来のように画像のシフト量を画素サイズの半分にして加算した場合には±０．５/sqrt(2)＝±０．３５（μｍ）であるのに対して、本実施例のように２段のセンサの画像のシフト量を（数５）を用いて算出した値に設定した場合（照明の線幅：１．５μｍ、画素サイズ：１．２５μｍ）、ばらつく幅δを０．１８μｍにまで低減できる。
【００６４】
これに対して図１３Ｂには、図９Ａに示したような従来の画素サイズが２．５μｍの検出系を用いたたきに図１３Ａの場合と同じＡＦずれが発生した場合のセンサ出力をシミュレーションにより求めた結果を示す。この場合、画素のサイズがＡＦずれによるビーム位置の変動量をカバーできる大きさなので、ＡＦずれが発生しても検出されるパターンの位置に変化は生じない。ただし、図１３Ｂの場合には画素サイズが大きいので、図１３Ａの場合と比べて欠陥検出の感度が低くなってしまう。
【００６５】
図１４Ａに、ＡＦずれが発生した場合の２段センサ１０３の画素列１０４と１０５からの出力波形を示す。図１１Ａで説明したように、ＡＦずれが無い状態で試料１５０に照射したビームの中心が２つの画素１０４と１０５との中間に投影されるように試料１５０上の照明光の照射領域と検出系の画素の位置が調整されている。このように調整された検出系に対してＡＦずれが発生するとセンサ面におけるビームの中心位置がずれるために、２段センサ１０３の画素列１０４から出力される信号１４０１の出力レベルと画素列１０５から出力される信号１４０２のレベルが変化する。この信号レベルの変化は、ＡＦずれ量に対応する。
【００６６】
図１４Ｂには、ＡＦずれが発生した状態でＸステージ３０４を走査させたときに、試料１５０に形成された繰り返しパターンからの反射・散乱光を２段センサ１０３で検出したときの画素列１０４からの出力波形１４０３と画素列１０５からの出力波形１４０４を示す。このように、出力波形１４０３と出力波形１４０４との信号レベルに一定の差が生じているので、画素列１０４からの出力信号と画素列１０５からの出力信号とをＸステージ３０４のある走査範囲にわたって加算することにより、ＡＦずれ量を推定することが可能になる。この画素列１０４からの出力信号と画素列１０５からの出力信号とをＸステージ３０４のある走査範囲にわたって加算することを図１に示した高さずれ情報算出部１１２で実行する。
【００６７】
図１５に、高さずれ情報算出部１１２の構成を示す。１５０３と１５０４とはそれぞれ信号加算器で、Ｘステージ３０４が一方向に一定の速度で移動しているときにＡ/Ｄ変換器１０９から出力された信号１５０１を信号加算器１５０３で加算し、Ａ/Ｄ変換器１１０から出力された信号１５０２を信号加算器１５０４で加算する。信号加算器１５０３および信号加算器１５０４から出力された加算信号はそれぞれ処理部１５０５に入力され、信号加算器１５０３からの信号値を信号加算器１５０４からの信号値で割り算をするなどしてノルマライズされる。処理部１５０５でノルマライズされた結果は比較部１５０６において、予め設定しておいたＡＦずれ量とノルマライズされて値との関係を記録したルックアップテーブル（ＬＵＴ）のデータと比較することによりＡＦずれ量が求められる。
【００６８】
図５に示したように、高さずれ情報算出部１１２で求められたＡＦずれ量の情報５１０Ａ〜５１０Ｃは画像処理部１１４に送られ、位置合せ部５０４Ａ〜５０４Ｃにおいて、差分器５０２Ａ〜５０２Ｃから出力された差画像５０３Ａ〜５０３Ｃに対してそれぞれＡＦずれ量の情報を用いて高さずれ分の補正が行われる。なお、１０２Ａおよび１０２Ｃが対称的に配置されていた場合、５１０Ａおよび５１０Ｃで検出する高さずれは原理的に一致する。そこで、５１０Ａと５１０Ｃで検出する高さずれ量の平均を算出し、５０４Ａと５０４Ｃに入力し、これを用いるようにすれば、さらに安定したＡＦずれ量の算出が可能になる。また、ＡＦずれ量が短時間で大きく変動しない性質を考慮して、５１０Ａおよび５１０Ｃの信号に時間的な平均化処理をかけるとさらに安定したＡＦずれ量算出が可能になる。また、１０２Ｂが傾きを持たずに配置されていた場合には、ＡＦずれが発生した場合においても画像のずれは発生しない。そこで、図５より５１０Ｂおよび５０４Ｂを省いても良い。
【００６９】
この高さずれ分の補正が行われた差画像５０５Ａ〜５０５Ｃは統合判定部５０６に送られて、統合されて３次元ベクトル画像を生成する。この統合判定部５０６で生成された画像はしきい値判定部５０７に送られて、各欠陥候補について画像特徴量が抽出され、図７で説明したような三次元空間にプロットされた欠陥候補の特徴量のうち欠陥候補が密集している特徴量領域から予め設定したしきい値以上離れている孤立した欠陥候補が抽出され、この抽出された欠陥信号５０８は全体制御部３０１へ出力される。
【００７０】
このように、本実施例によれば、異なる方向から撮像して得た画像に対してＡＦ高さずれ分の補正を行ってから合成処理することが可能になり、より高感度に欠陥を検出することができると共に、検出した欠陥の分類精度を向上させることが可能になる。
【実施例２】
【００７１】
実施例１においては、検出器１１５に２段センサ１０３を採用した例を示したが、本実施例においては、２段センサ１０３の換わりに３段のＴＤＩセンサ１６０４を用いた例を説明する。本実施例における欠陥検査装置の構成は、基本的には図２及び３に示した構成と同じであり、検出器１１５Ａ乃至１１５Ｃの構成、及び画像処理部１１４、全体制御部３０１の一部が実施例１で説明した構成股が動作と異なっている。
【００７２】
図１６は実施例２の原理を説明する図である。試料１５０上には図示していない光源から発射された照明光１１６がレンズ１０１で一方向(図１６の場合はＸ方向)に絞られてそれと直角な方向には平行光となるように成形されて斜め方向から照射される。このとき試料１５０はＸステージ３０４によりＸ方向に一定の速度で移動している。照明光１１６が照射された試料１５０からの反射・散乱光のうち検出光学系１０２の方向に向かった光は検出光学系１０２で集光されて検出器１６１５のＴＤＩセンサ１６１０の受光面に配置された画素列１６０１，１６０２，１６０３上に結像される。画素列１６０１，１６０２，１６０３で検出された信号は下流側のリードアウトレジスタ１６０４又は１６０５から出力されて切替スイッチ１６１１でＡ/Ｄ変換器１６１２に入力される。
【００７３】
Ａ/Ｄ変換器１６１２でアナログ信号からデジタル信号に変換されたＴＤＩセンサ１６１０からの出力信号は画像処理部１６１４に入力して処理され試料１５０上の欠陥が検出される。
【００７４】
ＴＤＩセンサ１６１０からは、各画素列１６０１，１６０２，１６０３で検出した信号が順次積算されてリードアウトレジスタ１６０４又は１６０５から出力されるため、出力信号はＡＦずれの影響を等しく受けているので、実施例１における検出器１１５の高さずれ情報算出部１１２に相当する回路を必要としない。
【００７５】
図１７Ａには、線状に成形した照明光１１６の線幅方向の断面のプロファイル１１０１と、この照明光１１６で照明された試料１５０からの反射・散乱光をＡＦずれが無い状態でＴＤＩセンサ１６１０で検出したときの各画素列１６０１，１６０２，１６０３ごとにＰＳＦを算出した結果を波形１７０１，１７０２，１７０３として照明光の断面のプロファイル１１０１と重ねて表示したものである。なお、ＴＤＩセンサ１６１０の各画素列１６０１，１６０２，１６０３の走査Ｘステージ走査方向の画素サイズを０．８３３μｍとて計算した。
【００７６】
ＴＤＩセンサ１６１０の段数を３段とすることにより、画素列１６０１と画素列１６０２とで検出した画像のシフト量と、画素列１６０２と画素列１６０３とで検出した画像のシフト量とを同じ量に設定することにより、ＴＤＩセンサ１６１０からの出力を連続的に処理することができる。また、３段のＴＤＩセンサーを用いた場合のｓ、すなわち、検出系の１ライン分の画像取得と同期したステージの移動量の１／２は、（数６）のαをステージ移動方向の画素サイズｐとおくことによって計算することができる。この場合においても、ｓは画素サイズの１／２よりも小さな値になる。実施例１の場合と同様、この状態において、一般のＴＤＩセンサーを利用する場合と同様に、１ライン分の画像取得と同期したステージの移動量を試料上でのステージ移動方向の画素サイズと等しくすると画像の解像度が劣化してしまう。
【００７７】
本実施低では、ＴＤＩセンサ１６１０の画素列の段数を３段の場合について説明したが、 画素列を４段以上にすると、隣接する画素列間の画像シフト量が中央部分と周辺部分とで異なってしまうために、ＴＤＩセンサ１６１０からの出力を連続的に処理することができなくなってしまう。従って、ＴＤＩセンサ１６１０の段数は、２段又は３段が適している。
【００７８】
図１７Ｂは、ＴＤＩセンサ１６１０の各画素列１６０１，１６０２，１６０３ごとのＰＳＦ波形を、（数５）に基づいて求めたシフト量だけずらして加算した結果のシステムとしてのＰＳＦ１７０４を、照明光のビームプロファイル１１０１とかさねて表したグラフを示す。この結果から、検出系のＰＳＦが照明光のプロファイルと比べて改善されていることがわかる。
【００７９】
図１８には、３段のＴＤＩセンサ１６１０を用いて図１１Ａに示したものと同様な光学系を組んでテストパターンを細線照明したときに、ＡＦずれが発生した場合と発生しない場合とのＴＤＩセンサ１６１０の出力をシミュレーションにより求めた結果を示す。ＡＦずれが無い場合のセンサ出力１８０２と、−０．５μｍのＡＦずれが発生した場合のセンサ出力１８０１、及び＋０．５μｍのＡＦずれが発生した場合のセンサ出力１８０３を、シミュレーションにより求めた結果を示す。ＡＦずれが発生することにより、検出信号が大きくばらつくことがわかる。この信号のばらつき幅δは、本実施例のようにＴＤＩセンサの画像のシフト量を（数５）を用いて算出した値に設定した場合（照明の線幅：１．５μｍ、画素サイズ：１．２５μｍ）、ばらつく幅δを±０．２１μｍにまで低減できる。この値は、実施例１に場合と比べるとやや大きいが、照明の線幅が広い従来の方式と比較すると大幅に改善されている。
【００８０】
実施例２における欠陥検査装置の画像処理部１６１４の構成を図１９に示す。図５で説明した実施例１における構成と類似しているが、図５で説明した高さずれ情報算出部１１２からの出力信号５１０Ａ〜５１０Ｃに相当する信号の入力がない。
【００８１】
図１９に示した構成において、第１の検出器１６１５Ａからの出力１６１３Ａから分岐された一方の信号はバッファメモリ５０１Ａに入力し、第1の位置あわせ処理部５１１Ａにて図５にて説明したように位置あわせが行われる。分岐した他方の信号は差分器５０２Ａに入力し、バッファメモリ５０１Ａに先に入力していた試料１５０上の同一の形状のパターンを検出した信号または試料１５０上の隣接するダイの同じ領域のパターンを検出した信号を参照信号として、この参照信号との差分が算出され(セル比較又はダイ比較)、算出された差画像１９０１Ａは仮欠陥判定部１９０２Ａにおいて予め設定された第１のしきい値信号レベルと比較されて差画像１９０１Ａの中から擬似欠陥が除去される。この擬似欠陥信号が除去された信号１９０３ＡはＡＦずれ算出部１９０４に入力される。
第２の検出器１６１５Ｂからの出力１６１３Ｂ及び第３の検出器１６１５Ｃからの出力１６１３Ｃも同様に処理されて、仮欠陥判定部１９０２Ｂ及び１９０２Ｃにおいて予め設定された第１のしきい値信号レベルと比較されて擬似欠陥信号が除去された信号１９０３Ｂ及び１９０３ＣはＡＦずれ算出部１９０４に入力される。
【００８２】
ＡＦずれ算出部１９０４においてＡＦずれ量を求める方法について、図２０を用いて説明する。図２０において、２００１と２００６とは第１の検出器１６１５Ａで検出された欠陥候補の位置を表し、２００２と２００４とは第２の検出器１６１５Ｂで検出された欠陥候補の位置を表し、２００３と２００７とは第３の検出器１６１５Ｃで検出された欠陥候補の位置を表わす。比較的近距離に有る欠陥候補は同一のＡＦずれ量であると仮定して対応関係が最もよく取れる欠陥候補(図２０の場合には、２００１と２００２及び２００３)の座標情報からＡＦずれ量を推定し、この推定したＡＦずれ量の情報を用いて擬似欠陥信号が除去された信号１９０３Ａ乃至１９０３Ｃの高さずれを補正する。ＡＦずれ算出部１９０４において高さずれが補正された信号１９０５Ａ乃至１９０５Ｃは、統合判定部１９０６に入力されて、３次元のベクトル差分画像に統合され、しきい値判定部１９０８で予め設定したしきい値と比較して欠陥が抽出され、この抽出された欠陥の情報１９０９は全体制御部３０１へ出力される。
【００８３】
本実施例によれば、異なる方向から撮像して得た画像に対してＡＦ高さずれ分の補正を行ってから合成処理することが可能になり、より高感度に欠陥を検出することができると共に、検出した欠陥の分類精度を向上させることが可能になる。
【実施例３】
【００８４】
本実施例においては、検出するパターンに基づきＡＦずれを判定する方式を図２１と本実施例における欠陥検査装置の構成は、基本的には実施例１において図２及び３に示した構成と同じであり、検出器１１５Ａ乃至１１５Ｃの構成の一部のみが実施例１で説明した構成及び動作と異なっている。実施例１においては、検出器１１５に２段センサ１０３を採用し、ＡＦずれによる検出位置のずれを高さずれ情報算出部１１２で算出していた。高さずれ情報算出部１１２は、図１５に示すように、Ａ/Ｄ変換器１０９から出力された信号とＡ/Ｄ変換器１１０から出力された信号から算出される明度の比率をＬＵＴ１５０６で評価して高さを算出していた。
【００８５】
これに対して、本実施例では図２１に示すように、高さずれ情報算出部１１２の代替として高さずれ情報算出部２１０１を用いてＡＦずれを算出する。図２１に示した構成で、２段センサ１０３は実施例１に老いて図１を用いて説明したものと同じである。また、スイッチ２１０８及び２１０９は、試料１５０の移動方向に応じて２段センサ１０３のリードアウトレジスタ１０６と１０７とからの出力を切り替える。高さずれ情報算出部２１０１には、Ａ/Ｄ変換器２１０９から出力された信号２１０２およびＡ/Ｄ変換器２１１０でから出力された信号２１０３さらに、加算記２１１３で加算して合成された信号２１０４を入力する。
【００８６】
高さずれ情報算出部２１０１の処理を図２２で説明する。２２０１はローパスフィルタであり、加算記２１１３で加算して合成された信号２１０４の信号に対して、図２１の矢印で示したステージ走査方向の高空間周波数を抑制し信号２２０４を出力する。２２０３は加算器であり、Ａ/Ｄ変換器２１０９から出力された信号２１０２とＡ/Ｄ変換器２１１０でから出力された信号２１０３とを加算し、信号２２０５を出力する。この信号２２０５は加算記２１１３で加算して合成された信号２１０４に対してステージ走査方向に解像度が悪くなっている画像であるため、信号２２０４と信号２２０５は極めて類似した画像になる。そこで、パターンマッチング部２２０２で信号２２０４と信号２２０５をパターンマッチングにより、ずれ量を算出する。信号２２０５はＡＦずれにより、ほとんどパターンの位置が変化しないのに対し、信号２２０４はＡＦずれによって、パターンの位置が変化する。そこで、信号２２０５を基準として信号２２０４のずれ量を求めることにより、ＡＦずれを算出することが可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１００・・・検査光学系 １０１・・・レンズ １０２、１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｄ・・・検出光学系 １０３・・・２段センサ １１２・・・高さずれ情報算出部 １１３・・・加算器 １１４・・・画像処理部 １１５，１１５Ａ，１１５Ｂ，１１５Ｃ・・・検出器 ２０１・・・光源部 ２０２・・・集光レンズ ２０３・・・集光レンズ ２０４・・・光検出器 ２０５・・・高さ検出部 ３０１・・・全体制御部 ３０２・・・ステージ制御手段 ３０３・・・Ｚステージ ３０４・・・Ｘステージ ３０５・・・Ｙステージ ５０１Ａ，５０１Ｂ，５０１Ｃ・・・バッファメモリ ５０２Ａ，５０２Ｂ，５０２Ｃ・・・差分器 ５０４Ａ，５０４Ｂ，５０４Ｃ・・・位置合せ回路部 ５０６・・・統合判定部 ５０７・・・しきい値判定部 １６１０・・・ＴＤＩセンサ １６１４・・・画像処理部 １６１５・・・検出器 １９０２Ａ，１９０２Ｂ，１９０２Ｃ・・・仮欠陥判定部 １９０４・・・ＡＦずれ算出部 １９０６・・・統合判定部 １９０８・・・しきい値判定部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を載置して少なくとも一方向に移動可能なステージ手段と、
該ステージ手段に載置した前記試料に前記ステージの前記試料を載置する面の法線方向に対して傾斜した方向から線状に成形した光を照射する光照射手段と、
該光照射手段により前記線状に成形した光が照射された前記試料から第１の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第１の集光検出手段と、
前記光照射手段により前記線状に成形した光が照射された前記試料から第２の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第２の集光検出手段と、
前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の光検出手段から出力された検出信号とを処理して前記試料状の欠陥を検出する処理手段と、
前記ステージ手段と前記光照射手段と前記第１の光検出手段と前記第２の光検出手段と前記処理手段とを制御する制御手段と
を備えた検査装置であって、
前記第１の集光検出手段と前記第２の集光検出手段とはそれぞれ複数列の光センサアレイを備えた光電変換器を有し、
前記処理手段は前記第１の集光検出手段の前記複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第１の集光検出手段の焦点位置のずれを求めると共に前記第２の集光検出手段の前記複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第２の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、該求めた前記第１の集光検出手段の焦点位置のずれ及び前記第２の集光検出手段の焦点位置のずれに応じて前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の集光検出手段から出力された検出信号とを補正し、該補正した前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の集光検出手段から出力された検出信号とを統合して前記試料上の欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項２】
試料を載置して少なくとも一方向に移動可能なステージ手段と、
該ステージ手段に載置した前記試料に前記ステージの前記試料を載置する面の法線方向に対して傾斜した方向から線状に成形した光を照射する光照射手段と、
該光照射手段により前記線状に成形した光が照射された前記試料から第１の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第１の集光検出手段と、
前記光照射手段により前記線状に成形した光が照射された前記試料から第２の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第２の集光検出手段と、
前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の光検出手段から出力された検出信号とを処理して前記試料状の欠陥を検出する処理手段と、
前記ステージ手段と前記光照射手段と前記第１の光検出手段と前記第２の光検出手段と前記処理手段とを制御する制御手段と
を備えた検査装置であって、
前記第１の集光検出手段と前記第２の集光検出手段とはそれぞれ複数列の光センサアレイを備えた光電変換器を有し、
前記制御手段は前記ステージ手段を制御して該ステージ手段を前記一方向に連続的に移動させると共に前記第１の集光検出手段の光電変換器と前記第２の集光検出手段の光電変換器とを制御して前記光照射手段により線状に成形した光が照射された前記試料からの反射散乱光を前記ステージ手段の移動と同期させて検出し、
前記制御手段は更に前記処理手段を制御して前記第１の集光検出手段の光電変換器と前記第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号を前記ステージ手段の移動との前記動機とは異なるタイミングで処理し、該同期とは異なるタイミングで処理した前記前記第１の集光検出手段の光電変換器と前記第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号を統合して前記試料状の欠陥を検出する
ことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項３】
前記集光照射手段により前記線状に成形した光が照射された前記試料から第３の方向に反射・散乱した光を集光して検出する複数列の光センサアレイを備えた光電変換器を有する第３の集光検出手段を更に備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の欠陥検査装置。
【請求項４】
前記第１の集光検出手段と前記第２の集光検出手段とは、それぞれ２列の光センサアレイを有するデュアルラインセンサを光検出器として備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の欠陥検査装置。
【請求項５】
前記第１の集光検出手段と前記第２の集光検出手段とはそれぞれ前記試料上に形成された繰り返しパターンにより発生する回折光パターンを遮光する空間フィルタを備え、該空間フィルタを透過した光を検出することを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の欠陥検査装置。
【請求項６】
前記試料表面の高さを光学的に検出する高さ検出手段をされに備えることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の欠陥検査装置。
【請求項７】
試料を載置したステージを一方向に移動させながら前記試料の表面の法線方向に対して傾斜した方向から前記ステージが移動する前記一方向に直角な方向に長い線状に成形した光を前記試料の表面に照射し、
該線状に成形した光が照射された前記試料の表面から第１の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを備えた第１の集光検出手段で検出し、
前記線状に成形した光が照射された前記試料の表面から第２の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを備えた第２の集光検出手段で検出し、
前記第１の集光検出手段から出力された前記複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第１の集光検出手段の焦点位置のずれを求めると共に前記第２の集光検出手段から出力された前記複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第２の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、
該求めた前記第１の集光検出手段の焦点位置のずれ及び前記第２の集光検出手段の焦点位置のずれに応じて前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の集光検出手段から出力された検出信号とを補正し、
該補正した前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の集光検出手段から出力された検出信号とを統合して前記試料上の欠陥を検出する
ことを特徴とする欠陥検査方法。
【請求項８】
前記線状に成形した光が照射された前記試料の表面から第３の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを備えた第３の集光検出手段で検出し、
前記第３の集光検出手段から出力された前記複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第３の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、該求めた前記第３の集光検出手段の焦点位置のずれに応じて前記第３の集光検出手段から出力された検出信号を補正し、該補正した前記第３の集光検出手段から出力された検出信号と前記補正した前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の集光検出手段から出力された検出信号とを統合して前記試料状の欠陥を検出することを特徴とする請求項７記載の欠陥検査方法。
【請求項９】
前記第１の集光検出手段で集光した前記試料の表面から第１の方向に反射・散乱した光を前記第１の集光検出手段の２列の光センサアレイで検出し、該２列の光センサアレイの各列からの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第１の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、前記第２の集光検出手段で集光した前記試料の表面から第２の方向に反射・散乱した光を前記第２の集光検出手段の２列の光センサアレイで検出し、該２列の光センサアレイの各列からの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第２の集光検出手段の焦点位置のずれを求めることを特徴とする請求項６記載の欠陥検査方法。
【請求項１０】
試料を載置したステージを一方向に移動させながら前記試料の表面の法線方向に対して傾斜した方向から前記ステージが移動する前記一方向に直角な方向に長い線状に成形した光を前記試料の表面に照射し、
該線状に成形した光が照射された前記試料の表面から第１の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを有する光電変換器を備えた第１の集光検出手段で前記ステージの前記一方向への移動と同期して検出し、
前記線状に成形した光が照射された前記試料の表面から第２の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを有する光電変換器を備えた第２の集光検出手段で前記ステージの前記一方向への移動と同期して検出し、
前記第１の集光検出手段の光電変換器と前記第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号を前記ステージの移動との前記同期とは異なるタイミングで処理し、該同期とは異なるタイミングで処理した前記前記第１の集光検出手段の光電変換器と前記第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号を統合して前記試料上の欠陥を検出する
ことを特徴とする欠陥検査方法。
【請求項１１】
前記第１の集光検出手段と前記第２の集光検出手段とは、それぞれ前記試料上に形成された繰り返しパターンにより発生する回折光パターンを遮光した光を検出することを特徴とする請求項７乃至１０の何れかに記載の欠陥検査方法。
【請求項１２】
前記試料を載置したステージを一方向に移動させながら前記線状に成形した光を前記試料の表面に照射しているときに、前記試料表面の高さを光学的に検出し、該検出した高さ情報に基づいて前記ステージを上下させて前記試料表面の高さを制御することを特徴とする請求項７乃至１１の何れかに記載の欠陥検査方法。
【請求項１３】
試料を載置して少なくとも一方向に移動可能なステージ手段と、
該ステージ手段に載置した前記試料に前記ステージの前記試料を載置する面の法線方向に対して傾斜した方向から線状に成形した光を照射する光照射手段と、
該光照射手段により前記線状に成形した光が照射された前記試料から反射・散乱した光を集光して検出する集光検出手段と、
前記集光検出手段から出力された検出信号を処理して前記試料状の欠陥を検出する処理手段と、
前記ステージ手段と前記光照射手段と前記光検出手段と前記処理手段とを制御する制御手段を備えた検査装置であって、
前記集光検出手段は、前記ステージの移動方向の前記試料面上での共役な大きさが前記光照射手段が前記試料上に線上に照明する照明光の線幅に対して小さい光電変換面を有する複数列の光センサアレイを備えた光電変換器を有し、
前記複数列の光センサアレイで検出した、一定の時間差をもって検出した電気信号を加算する信号加算手段を有し、
前記制御手段は前記ステージ手段が前記一定の時間差の区間に移動量が前記光電変換面の前記試料上での対応する大きさ以下になるように制御することを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項１４】
試料を載置したステージを一方向に移動させながら前記試料の表面の法線方向に対して傾斜した方向から前記ステージが移動する前記一方向に直角な方向に長い線状に成形した光を前記試料の表面に照射し、
該線状に成形した光が照射された前記試料の表面から反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを有する光電変換器を備えた集光検出手段で前記ステージの前記一方向への移動と同期して検出し、
前記複数列の光センサアレイの電気信号を、異なる時間で検出した電気信号をもって加算する欠陥検出方法であって、
前記ステージの移動量は前記試料上における前記光電変換器の光電変換面のステージ移動方向の大きさに以下になるように制御することを特徴とする欠陥検査方法。
【請求項１】
試料を載置して少なくとも一方向に移動可能なステージ手段と、
該ステージ手段に載置した前記試料に前記ステージの前記試料を載置する面の法線方向に対して傾斜した方向から線状に成形した光を照射する光照射手段と、
該光照射手段により前記線状に成形した光が照射された前記試料から第１の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第１の集光検出手段と、
前記光照射手段により前記線状に成形した光が照射された前記試料から第２の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第２の集光検出手段と、
前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の光検出手段から出力された検出信号とを処理して前記試料状の欠陥を検出する処理手段と、
前記ステージ手段と前記光照射手段と前記第１の光検出手段と前記第２の光検出手段と前記処理手段とを制御する制御手段と
を備えた検査装置であって、
前記第１の集光検出手段と前記第２の集光検出手段とはそれぞれ複数列の光センサアレイを備えた光電変換器を有し、
前記処理手段は前記第１の集光検出手段の前記複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第１の集光検出手段の焦点位置のずれを求めると共に前記第２の集光検出手段の前記複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第２の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、該求めた前記第１の集光検出手段の焦点位置のずれ及び前記第２の集光検出手段の焦点位置のずれに応じて前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の集光検出手段から出力された検出信号とを補正し、該補正した前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の集光検出手段から出力された検出信号とを統合して前記試料上の欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項２】
試料を載置して少なくとも一方向に移動可能なステージ手段と、
該ステージ手段に載置した前記試料に前記ステージの前記試料を載置する面の法線方向に対して傾斜した方向から線状に成形した光を照射する光照射手段と、
該光照射手段により前記線状に成形した光が照射された前記試料から第１の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第１の集光検出手段と、
前記光照射手段により前記線状に成形した光が照射された前記試料から第２の方向に反射・散乱した光を集光して検出する第２の集光検出手段と、
前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の光検出手段から出力された検出信号とを処理して前記試料状の欠陥を検出する処理手段と、
前記ステージ手段と前記光照射手段と前記第１の光検出手段と前記第２の光検出手段と前記処理手段とを制御する制御手段と
を備えた検査装置であって、
前記第１の集光検出手段と前記第２の集光検出手段とはそれぞれ複数列の光センサアレイを備えた光電変換器を有し、
前記制御手段は前記ステージ手段を制御して該ステージ手段を前記一方向に連続的に移動させると共に前記第１の集光検出手段の光電変換器と前記第２の集光検出手段の光電変換器とを制御して前記光照射手段により線状に成形した光が照射された前記試料からの反射散乱光を前記ステージ手段の移動と同期させて検出し、
前記制御手段は更に前記処理手段を制御して前記第１の集光検出手段の光電変換器と前記第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号を前記ステージ手段の移動との前記動機とは異なるタイミングで処理し、該同期とは異なるタイミングで処理した前記前記第１の集光検出手段の光電変換器と前記第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号を統合して前記試料状の欠陥を検出する
ことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項３】
前記集光照射手段により前記線状に成形した光が照射された前記試料から第３の方向に反射・散乱した光を集光して検出する複数列の光センサアレイを備えた光電変換器を有する第３の集光検出手段を更に備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の欠陥検査装置。
【請求項４】
前記第１の集光検出手段と前記第２の集光検出手段とは、それぞれ２列の光センサアレイを有するデュアルラインセンサを光検出器として備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の欠陥検査装置。
【請求項５】
前記第１の集光検出手段と前記第２の集光検出手段とはそれぞれ前記試料上に形成された繰り返しパターンにより発生する回折光パターンを遮光する空間フィルタを備え、該空間フィルタを透過した光を検出することを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の欠陥検査装置。
【請求項６】
前記試料表面の高さを光学的に検出する高さ検出手段をされに備えることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の欠陥検査装置。
【請求項７】
試料を載置したステージを一方向に移動させながら前記試料の表面の法線方向に対して傾斜した方向から前記ステージが移動する前記一方向に直角な方向に長い線状に成形した光を前記試料の表面に照射し、
該線状に成形した光が照射された前記試料の表面から第１の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを備えた第１の集光検出手段で検出し、
前記線状に成形した光が照射された前記試料の表面から第２の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを備えた第２の集光検出手段で検出し、
前記第１の集光検出手段から出力された前記複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第１の集光検出手段の焦点位置のずれを求めると共に前記第２の集光検出手段から出力された前記複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第２の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、
該求めた前記第１の集光検出手段の焦点位置のずれ及び前記第２の集光検出手段の焦点位置のずれに応じて前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の集光検出手段から出力された検出信号とを補正し、
該補正した前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の集光検出手段から出力された検出信号とを統合して前記試料上の欠陥を検出する
ことを特徴とする欠陥検査方法。
【請求項８】
前記線状に成形した光が照射された前記試料の表面から第３の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを備えた第３の集光検出手段で検出し、
前記第３の集光検出手段から出力された前記複数列の光センサアレイからの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第３の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、該求めた前記第３の集光検出手段の焦点位置のずれに応じて前記第３の集光検出手段から出力された検出信号を補正し、該補正した前記第３の集光検出手段から出力された検出信号と前記補正した前記第１の集光検出手段から出力された検出信号と前記第２の集光検出手段から出力された検出信号とを統合して前記試料状の欠陥を検出することを特徴とする請求項７記載の欠陥検査方法。
【請求項９】
前記第１の集光検出手段で集光した前記試料の表面から第１の方向に反射・散乱した光を前記第１の集光検出手段の２列の光センサアレイで検出し、該２列の光センサアレイの各列からの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第１の集光検出手段の焦点位置のずれを求め、前記第２の集光検出手段で集光した前記試料の表面から第２の方向に反射・散乱した光を前記第２の集光検出手段の２列の光センサアレイで検出し、該２列の光センサアレイの各列からの検出信号を用いて前記試料の表面に対する前記第２の集光検出手段の焦点位置のずれを求めることを特徴とする請求項６記載の欠陥検査方法。
【請求項１０】
試料を載置したステージを一方向に移動させながら前記試料の表面の法線方向に対して傾斜した方向から前記ステージが移動する前記一方向に直角な方向に長い線状に成形した光を前記試料の表面に照射し、
該線状に成形した光が照射された前記試料の表面から第１の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを有する光電変換器を備えた第１の集光検出手段で前記ステージの前記一方向への移動と同期して検出し、
前記線状に成形した光が照射された前記試料の表面から第２の方向に反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを有する光電変換器を備えた第２の集光検出手段で前記ステージの前記一方向への移動と同期して検出し、
前記第１の集光検出手段の光電変換器と前記第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号を前記ステージの移動との前記同期とは異なるタイミングで処理し、該同期とは異なるタイミングで処理した前記前記第１の集光検出手段の光電変換器と前記第２の集光検出手段の光電変換器とから出力された検出信号を統合して前記試料上の欠陥を検出する
ことを特徴とする欠陥検査方法。
【請求項１１】
前記第１の集光検出手段と前記第２の集光検出手段とは、それぞれ前記試料上に形成された繰り返しパターンにより発生する回折光パターンを遮光した光を検出することを特徴とする請求項７乃至１０の何れかに記載の欠陥検査方法。
【請求項１２】
前記試料を載置したステージを一方向に移動させながら前記線状に成形した光を前記試料の表面に照射しているときに、前記試料表面の高さを光学的に検出し、該検出した高さ情報に基づいて前記ステージを上下させて前記試料表面の高さを制御することを特徴とする請求項７乃至１１の何れかに記載の欠陥検査方法。
【請求項１３】
試料を載置して少なくとも一方向に移動可能なステージ手段と、
該ステージ手段に載置した前記試料に前記ステージの前記試料を載置する面の法線方向に対して傾斜した方向から線状に成形した光を照射する光照射手段と、
該光照射手段により前記線状に成形した光が照射された前記試料から反射・散乱した光を集光して検出する集光検出手段と、
前記集光検出手段から出力された検出信号を処理して前記試料状の欠陥を検出する処理手段と、
前記ステージ手段と前記光照射手段と前記光検出手段と前記処理手段とを制御する制御手段を備えた検査装置であって、
前記集光検出手段は、前記ステージの移動方向の前記試料面上での共役な大きさが前記光照射手段が前記試料上に線上に照明する照明光の線幅に対して小さい光電変換面を有する複数列の光センサアレイを備えた光電変換器を有し、
前記複数列の光センサアレイで検出した、一定の時間差をもって検出した電気信号を加算する信号加算手段を有し、
前記制御手段は前記ステージ手段が前記一定の時間差の区間に移動量が前記光電変換面の前記試料上での対応する大きさ以下になるように制御することを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項１４】
試料を載置したステージを一方向に移動させながら前記試料の表面の法線方向に対して傾斜した方向から前記ステージが移動する前記一方向に直角な方向に長い線状に成形した光を前記試料の表面に照射し、
該線状に成形した光が照射された前記試料の表面から反射・散乱した光を集光して複数列の光センサアレイを有する光電変換器を備えた集光検出手段で前記ステージの前記一方向への移動と同期して検出し、
前記複数列の光センサアレイの電気信号を、異なる時間で検出した電気信号をもって加算する欠陥検出方法であって、
前記ステージの移動量は前記試料上における前記光電変換器の光電変換面のステージ移動方向の大きさに以下になるように制御することを特徴とする欠陥検査方法。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１２】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５】
【図１６】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１２】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５】
【図１６】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１２−１２７６８２（Ｐ２０１２−１２７６８２Ａ）
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２７６９１４（Ｐ２０１０−２７６９１４）
【出願日】平成２２年１２月１３日（２０１０．１２．１３）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月１３日（２０１０．１２．１３）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
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