半導体装置およびその作製方法

【課題】開口率の高い半導体装置を提供することを課題とする。または、開示する発明の一態様は、消費電力の低い半導体装置を提供することを課題とする。または、開示する発明の一態様は、配線抵抗の低い半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁面を有する基板と、基板上に設けられた透光性を有する第１の電極と、基板上に設けられた透光性を有する第２の電極と、第１の電極および第２の電極と電気的に接続するように設けられた透光性を有する半導体層と、第１の電極と電気的に接続された第１の配線と、少なくとも半導体層を覆うように設けられた絶縁層と、半導体層と重なる領域の絶縁層上に設けられた透光性を有する第３の電極と、第３の電極と電気的に接続された第２の配線と、を有する。

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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁面を有する基板と、
前記基板上に設けられた透光性を有する第１の電極と、
前記基板上に設けられた透光性を有する第２の電極と、
前記第１の電極および前記第２の電極と電気的に接続するように設けられた透光性を有する半導体層と、
前記第１の電極と電気的に接続された第１の配線と、
少なくとも前記半導体層を覆うように設けられた絶縁層と、
前記半導体層と重なる領域の前記絶縁層上に設けられた透光性を有する第３の電極と、
前記第３の電極と電気的に接続された第２の配線と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の電極と電気的に接続された透光性を有する第４の電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記絶縁層を介して前記第２の電極の一部と重なる領域に設けられ、かつ前記第３の電極と同一層でなる第５の電極と、
前記第５の電極と電気的に接続され、かつ前記第２の配線と同一層でなる第３の配線と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記半導体層は、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む酸化物半導体からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の電極、前記第２の電極、および前記第３の電極は、インジウム錫酸化物、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、窒化チタン、酸化亜鉛を含むインジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛にガリウムを添加した材料、酸化スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、のいずれかからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の配線および前記第２の配線は、遮光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の配線と前記第２の配線との交差部分に、前記半導体層と同一層でなる層を設けることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
絶縁面を有する基板上に、透光性を有する第１の導電層と、第２の導電層とを積層して形成し、
前記第２の導電層上に第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて前記第１の導電層をエッチングして第１の電極および第２の電極を形成すると共に、第２の導電層をエッチングして第３の導電層を形成し、
前記第１のマスクを後退させて、第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを用いて前記第３の導電層をエッチングして第１の配線を形成し、
前記第１の電極および前記第２の電極と電気的に接続する透光性を有する半導体層を形成し、
前記半導体層を覆うように絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、透光性を有する第４の導電層と、第５の導電層とを積層して形成し、
前記第５の導電層上に第３のマスクを形成し、
前記第３のマスクを用いて前記第４の導電層をエッチングして第３の電極を形成すると共に、第５の導電層をエッチングして第６の導電層を形成し、
前記第３のマスクを後退させて、第４のマスクを形成し、
前記第４のマスクを用いて前記第６の導電層をエッチングして第２の配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

【図１】