アクチュエータおよび画像形成装置
【課題】振動部と磁性体とを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部と磁性体とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータ、および、かかるアクチュエータを有する画像形成装置を提供すること。
【解決手段】アクチュエータ１は、回動可能に支持された可動板２１と、可動板２１に設けられた磁石２１２と、磁石２１２の近傍で、通電により磁界を発生させるコイル２１２とを備えている。磁石２１２は、可動板２１に接合膜５ａを介して接合されており、接合膜５ａは、シロキサン結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、接合膜５ａは、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、接合膜５ａの表面付近に存在する脱離基がＳｉ骨格から脱離し、接合膜５ａの表面の領域に発現した接着性によって、可動板２１と磁石２１２とを接合している。
【解決手段】アクチュエータ１は、回動可能に支持された可動板２１と、可動板２１に設けられた磁石２１２と、磁石２１２の近傍で、通電により磁界を発生させるコイル２１２とを備えている。磁石２１２は、可動板２１に接合膜５ａを介して接合されており、接合膜５ａは、シロキサン結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、接合膜５ａは、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、接合膜５ａの表面付近に存在する脱離基がＳｉ骨格から脱離し、接合膜５ａの表面の領域に発現した接着性によって、可動板２１と磁石２１２とを接合している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクチュエータおよび画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回動軸とその回動軸の外周側に設置された永久磁石とで構成された可動子と、永久磁石を回動軸の周方向に囲むように配置されたコイルとを有する、電磁駆動式のアクチュエータが知られている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に記載のアクチュエータは、コイルに通電した際、そのコイル付近に磁界が発生してコイルと永久磁石との間に斥力または引力が生じ、その力によって、可動子を回動軸回りに回動させるよう構成されている。
【０００３】
ところで、このアクチュエータの可動子では、回動軸と永久磁石とは、これらを接着剤（例えば、感光性接着剤や弾性接着剤）で接着することによって組み立てられている。
しかしながら、回動軸と永久磁石との間に接着剤を供給する際に、接着剤の供給量を厳密に制御することは極めて困難である。このため、供給する接着剤の量を均一にすることができず、回動軸と永久磁石との距離が不均一になる、すなわち、寸法精度が悪くなると言う問題が生じる。また、アクチュエータが設置される（使用される）環境によっては、接着剤に変質・劣化が生じる。このため、接合強度が低下するという問題もある。
一方、部材同士を固体接合法によって接合する方法も知られている。この固体接合は、接着剤等の接着層を介在させることなく、部材同士を直接接合する方法であり、例えば、シリコン直接接合法、陽極接合法等の方法が知られている。
【０００４】
ところが、固体接合には、以下に記載するような、アクチュエータを設計する際における制限（問題）が生じる。
・接合可能な部材の材質が限られる。
・接合プロセスにおいて高温（例えば、７００〜８００℃程度）での熱処理を伴うため、部材の材質によっては、当該部材に変形が生じるおそれがある。
・接合プロセスにおける雰囲気が減圧雰囲気に限られる。
・一部の領域を部分的に接合することができない。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３０４４６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、振動部と磁性体とを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部と磁性体とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータ、および、かかるアクチュエータを有する画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のアクチュエータは、板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記可動板を前記軸回りに回動させる駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、通電により磁界を発生させる導体と、前記導体の近傍に該導体から離間して配置され、前記導体で発生した磁界から力を受ける少なくとも１つの磁性体とを有し、
前記磁性体は、前記振動部に接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記磁性体とを接合していることを特徴とする。
これにより、振動部と磁性体とを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部と磁性体とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータが得られる。
【０００８】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％であることが好ましい。
これにより、接合膜は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜自体がより強固なものとなる。このため、接合膜は、振動部および磁性体に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【０００９】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、振動部と磁性体とをより強固に接合することができるようになる。
本発明のアクチュエータでは、前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下であることが好ましい。
これにより、Ｓｉ骨格は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、Ｓｉ骨格の特性が顕在化し、接合膜の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００１０】
本発明のアクチュエータでは、前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものであることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、接合膜の接着性をより高度なものとすることができる。
【００１１】
本発明のアクチュエータでは、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基は化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を含む接合膜は、耐候性（使用される環境に対して）に優れたものとなる。
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜は緻密で均質なものとなる。そして、振動部と磁性体とを特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で作製された接合膜は、エネルギが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、アクチュエータの製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００１２】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜自体が優れた機械的特性を有するものとなる。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示す接合膜が得られる。したがって、この接合膜により、振動部と磁性体とをより強固に接合することができる。また、非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行える接合膜となる。さらに、接合膜が優れた撥液性を示すため、耐久性に優れた信頼性の高いアクチュエータが得られる。
【００１３】
本発明のアクチュエータでは、前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、接着性に特に優れる接合膜が得られる。
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、振動部と磁性体との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
【００１４】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものであることが好ましい。
これにより、従来に比べて寸法精度が格段に高いアクチュエータが得られる。また、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
本発明のアクチュエータでは、前記振動部の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、振動部と接合膜との間の接合強度をより高めることができ、ひいては、振動部と磁性体との接合強度を高めることができる。
【００１５】
本発明のアクチュエータでは、前記磁性体の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、磁性体と接合膜との間の接合強度をより高めることができ、ひいては、振動部と磁性体との接合強度を高めることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、接合膜を形成するために、振動部または磁性体の表面を特に最適化することができる。
【００１６】
本発明のアクチュエータでは、前記振動部と前記接合膜との間に、中間層を有することが好ましい。
これにより、振動部と接合膜との間の接合強度が高まる。
本発明のアクチュエータでは、前記磁性体と前記接合膜との間に、中間層を有することが好ましい。
これにより、磁性体と接合膜との間の接合強度が高まる。
【００１７】
本発明のアクチュエータでは、前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、振動部と接合膜との間、および、磁性体と接合膜との間において、それぞれ接合強度を高めることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記エネルギの付与は、前記接合膜にエネルギ線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギを付与することができる。
【００１８】
本発明のアクチュエータでは、前記エネルギ線は、波長１５０〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、付与されるエネルギ量が最適化されるので、接合膜中のＳｉ骨格が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格と脱離基との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。
【００１９】
本発明のアクチュエータでは、前記加熱の温度は、２５〜１００℃であることが好ましい。
これにより、振動部または磁性体等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜を確実に活性化させることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、振動部または磁性体に損傷等が生じるのを避けつつ、単に圧縮するのみで、接合膜に十分な接着性を発現させることができる。
【００２０】
本発明のアクチュエータは、板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記可動板を前記軸回りに回動させる駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、通電により磁界を発生させる導体と、前記導体の近傍に該導体から離間して配置され、前記導体で発生した磁界から力を受ける少なくとも１つの磁性体とを有し、
前記磁性体は、前記振動部と接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記磁性体とを接合していることを特徴とする。
これにより、振動部と磁性体とを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部と磁性体とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータが得られる。
【００２１】
本発明のアクチュエータは、板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記可動板を前記軸回りに回動させる駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、通電により磁界を発生させる導体と、前記導体の近傍に該導体から離間して配置され、前記導体で発生した磁界から力を受ける少なくとも１つの磁性体とを有し、
前記磁性体は、前記振動部と接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記磁性体とを接合していることを特徴とする。
これにより、振動部と磁性体とを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部と磁性体とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータが得られる。
【００２２】
本発明のアクチュエータでは、前記振動部は、シリコン材料を主材料として構成されていることが好ましい。
この材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高い振動部が得られる。このため、高精度のアクチュエータが得られる。
本発明のアクチュエータでは、前記磁性体は、永久磁石および軟磁性体材料のうちの少なくとも一方であることが好ましい。
これにより、磁性体は、導体に通電した際に当該導体付近に生じる磁界によって、力を受ける。よって、可動板が確実に回動する。
【００２３】
本発明のアクチュエータでは、前記各連結部は、それぞれ、棒状をなし、その一端部が前記可動板の縁部に連結された軸部材で構成されていることが好ましい。
これにより、可動板が各軸部材の捩れ変形を伴って回動する。
本発明のアクチュエータでは、前記磁性体は、前記可動板の片面に設置されていることが好ましい。
これにより、磁性体を設計する際の設計自由度を確保することができる。
【００２４】
本発明のアクチュエータでは、複数の前記磁性体が、前記可動板の回動軸を介して、対をなすように配置されていることが好ましい。
これにより、各磁性体は、それぞれ、導体に通電した際に当該導体付近に生じる磁界によって、力を受ける。よって、可動板が確実に回動する。
本発明のアクチュエータでは、前記各連結部は、それぞれ、棒状をなし、その一端部が前記可動板の縁部に連結された軸部材と、該軸部材の途中に設けられ、板状をなす駆動板とで構成されていることが好ましい。
これにより、可動板が各軸部材の捩れ変形を伴って回動し、その際の可動板に対する回動制御が容易となる。
【００２５】
本発明のアクチュエータでは、前記磁性体は、前記各駆動板の片面または両面に設置されていることが好ましい。
これにより、磁性体を設計する際の設計自由度を確保することができる。
本発明のアクチュエータでは、前記磁性体は、その前記接合膜に接合される部分が平面状をなしていることが好ましい。
これにより、磁性体の接合膜と接触する接触面積が比較的大きくなり、これに伴って、磁性体と接合膜との接合強度も高まる。
【００２６】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、平面視で前記磁性体を包含する領域に形成されていることが好ましい。
これにより、接合膜に磁性体を接合した際、その接合強度が比較的高くなり、また、接合工程で接合膜に対する磁性体の位置決めが行ない易くなり、よって、その作業性が向上する。
【００２７】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、平面視で前記磁性体の外形形状と同じ形状となるように形成されていることが好ましい。
これにより、可動板が回動する際、接合膜による慣性の影響を抑制することができる。
本発明のアクチュエータでは、前記導体は、平面視で前記磁性体を包囲するリング状をなすものであることが好ましい。
これにより、磁性体は、導体に通電した際に当該導体付近に生じる磁界によって、力を受ける。よって、可動板が確実に回動する。
【００２８】
本発明のアクチュエータでは、前記導体は、コイル状をなすものであることが好ましい。
これにより、磁性体は、導体に通電した際に当該導体付近に生じる磁界によって、力を受ける。よって、可動板が確実に回動する。
本発明のアクチュエータでは、前記可動板に設けられ、光を反射する光反射部をさらに備えることが好ましい。
これにより、アクチュエータを光スキャナ、光アッテネータ、光スイッチ等の光学デバイスに適用することができる。
【００２９】
本発明のアクチュエータでは、前記光反射部で反射した光を走査する光スキャナであることが好ましい。
これにより、アクチュエータを光スキャナとして用いることができる。
本発明の画像形成装置は、本発明のアクチュエータと、
前記アクチュエータの前記可動板に向けて光を照射する光源とを備えることを特徴とする。
これにより、振動部と磁性体とを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部と磁性体とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータを有する画像形成装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明のアクチュエータの第１実施形態を示す斜視図、図２は、図１に示すアクチュエータの平面図、図３は、図２中のＡ−Ａ線断面図、図４は、図１に示すアクチュエータにおける接合膜のエネルギ付与前の状態を示す部分拡大図、図５は、図１に示すアクチュエータにおける接合膜のエネルギ付与後の状態を示す部分拡大図、図６〜図８は、それぞれ、図１に示すアクチュエータの製造方法（製造工程）を説明するための図、図９は、図１に示すアクチュエータにおける接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図１、図３、図６〜図９中（図１０、図１２、図１４も同様）の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００３１】
図１〜図３に示すように、アクチュエータ１は、基体２と、この基体２を下方から支持する支持体３と、基体２に設置された磁性体（本実施形態では、永久磁石（以下単に「磁石」と言う）２１２）と、支持体３に設置され、導電性を有するコイル（導体）４とを有している。以下、各部の構成について説明する。
図１に示すように、基体２は、板状をなす可動板２１と、可動部２１の外周側に配置された支持部２４と、可動板２１と支持部２４とを連結する一対の連結部としての軸部材２２、２３とを有している。
【００３２】
支持部２４は、可動板２１を囲むように枠状に形成されたもの、すなわち、内側に開口部２４３が形成され、当該開口部２４３に可動板２１が配置されたものである。この支持部２４は、平面視で長方形をなしている。
可動板２１は、本実施形態では平面視形状が長方形（四角形）をなし、その中心を通る、短辺と平行な（可動板２１の面と平行な）回動軸２１５回りに回動するものである。また、可動板２１は、図２に示す構成では、その短辺が支持部２４の長辺と平行となるように配されている。
【００３３】
可動板２１の上面には、光を反射する光反射部（ミラー）２１１が設けられている。これにより、アクチュエータ１を、光反射部２１１で反射した光を走査する光スキャナに適用することができる。また、光スキャナの他に光アッテネータ、光スイッチ等の光学デバイスにもアクチュエータ１を適用することができる。なお、本実施形態では、アクチュエータ１を光スキャナに適用した場合について述べる。
【００３４】
図１、図２に示すように、可動板２１は、その縁部が軸部材２２、２３を介して支持部２４の内側縁部に連結、支持されている。軸部材２２と軸部材２３とは、それぞれ棒状をなし、可動板２１を介して互いに対向して、当該可動板２１の回動軸２１５と同軸上に配置されている。すなわち、棒状をなす軸部材２２、２３は、それぞれ、内側の端部（一端部）が可動板２１の長辺の中央部に連結され、外側の端部（他端部）が支持部２４の各短辺側に位置する開口部２４３の縁部の中央部に連結されている。
アクチュエータ１では、可動板２１は、各軸部材２２、２３の捩れ変形を伴って、支持部２４に対して回動可能となっている。このように、アクチュエータ１では、可動板２１と１対の軸部材２２、２３とにより、１自由度の振動系（振動部）２０が構成されていると言うことができる。
【００３５】
なお、基体２を構成する材料としては、特に限定されないが、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンのようなシリコン材料、ステンレス鋼、チタン、アルミニウムのような金属材料が挙げられ、これらの中でも、特にシリコン材料であるのが好ましい。このような材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高い基体２が得られる。このため、高精度のアクチュエータ１が得られる。また、加工性に優れていることから、基体２の母材２’に対して例えばエッチングを施すことができ、よって、可動板２１と１対の軸部材２２、２３と支持部２４とを一体的に形成することができる。
【００３６】
図２、図３に示すように、可動板２１（振動部２０）の下面（片面）には、磁石２１２が接合膜５ａを介して接合されている。なお、接合膜５ａについては、後に詳述する。
磁石２１２は、棒磁石であり、その長手方向の長さが可動部２１の長辺の長さよりも短く、幅方向の長さが可動部２１の短辺の長さよりも短いものである。また、この磁石２１２は、その一端側（図２中上側）がＳ極、他端側（図２中下側）がＮ極となるように、すなわち、回動軸２１５に対して直行する方向に配置されている。
磁石２１２は、前述したように可動板２１の光反射部２１１とは反対側の面（下面）に設けられているため、設計上、光照射部２１１の存在による制限が低減され、よって、磁石２１２の設計の自由度が低下するのが抑制または防止される。
【００３７】
図３に示すように、磁石２１２は、その横断面形状が扁平形状（長方形）をなしている。これにより、磁石２１２の接合膜５ａに接合される部分が平面状をなし、よって、接合膜５ａと接触する接触面積が比較的大きくなり、これに伴って、磁石２１２と接合膜５ａとの接合強度も高まる。
なお、磁石２１２は、強磁性体を主材料として構成されており、この強磁性体材料としては、特に限定されないが、各種硬磁性体材料が好適に用いられる。各種硬磁性体材料は、一般的に金属酸化物系のものが多く、これらは、その表面に水酸基を有している。この水酸基により、接合膜５ａに対する親和性が高まる。このため、接合膜５ａと磁石２１２との接合強度が向上する。
【００３８】
基体２の下面には、接合膜５ｂを介して、支持体３が接合されている。この支持体３は、支持部２４の縁部に沿って枠状をなす枠状体３１と、枠状体３１の下面に接合膜６ａを介して接合された基板３２とで構成された積層構造をなすものである。なお、接合膜５ｂ、６ａについては、前記接合膜５ａとともに後に詳述する。
枠状体３１には、支持部２４の開口部２４３に連通する開口部３１１が形成されている。図２に示すように、開口部３１１は、平面視で、振動系２０を包含するように形成されている。この開口部３１１の内側の空間が、基体２の振動系２０の振動、すなわち可動板２１が回動（振動）する際に、支持体３（基板３２）に接触するのを防止する逃げ部を構成する。このような逃げ部を設けることにより、アクチュエータ１全体の大型化を防止しつつ、可動板２１の振れ角（振幅）をより大きく設定することができる。
また、基板３２は、枠状体３１の形状と対応するように形成されている。この基板３２によって、開口部３１１が下方から封止されている。
枠状体３１および基板３２の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、基体２と同様の材料を用いることができる。
【００３９】
図３に示すように、支持体３の基板３２の上面には、接合膜６ｂを介して、コイル４が接合されている。このようにコイル４が配置されていることにより、当該コイル４は、磁石２１２の近傍に振動系２０および磁石２１２から離間した状態となる。また、コイル４は、交流電圧を印加可能な電源回路（図示せず）に電気的に接続されている。
図２に示すように、コイル４は、平面視で磁石２１２を包囲する、すなわち、長方形をなす可動板２１の４辺に沿ったリング状をなしている。
【００４０】
アクチュエータ１では、前記電源回路によって、コイル４に電圧が印加され、コイル４が通電状態となる。このとき、コイル４付近に磁界が発生する。この磁界によって（磁界の方向にもよるが）、例えば、磁石２１２に、当該磁石２１２のＳ極がコイル４に接近する方向に引き付けられる力（引力）と、Ｎ極がコイル４から離間する方向に押し出される力（斥力）とが作用する。これにより、可動板２１が回動軸２１５回りに回動する。また、前記電源回路は、前述したように交流電圧を印加可能であるため、コイル４を流れる電流の向きが反転した際、磁界の向きも反転する。これにより、前記とは逆の向きの力が磁石２１２に作用し、可動板２１が前記とは反対回りに回動する。このように、アクチュエータ１では、コイル４を流れる電流の方向が交互に切り換わるため、可動板２１は、図１中矢印方向に揺動する（振動する）。また、電圧の大きさを適宜変更することにより、可動板２１の回動角度を調整することができる。
【００４１】
なお、アクチュエータ１では、磁石２１２とコイル４とで、可動板２１を回動軸２１５回りに回動させる駆動手段が構成されていると言うことができる。
また、コイル４の構成材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、金属材料が挙げられ、そのうちの銅が好ましい。銅は、加工性に優れているため、例えば１枚の銅板（銅箔）や１本の銅線を加工して、コイル４を容易に作製することができる。また、銅は、比較的電気抵抗が小さい材料であるため、通電して用いられるコイル４に良好に適用することができ、通電した際にコイル４付近に磁界が確実に生じ、その磁界が磁石２１２にまで確実に及ぶ。
【００４２】
次に、接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂに共通して用いられる接合膜について説明する。なお、接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂの構成（特徴）は、ほぼ同一であるため、以下では、可動板２１と磁石２１２とを接合する接合膜５ａを代表的に説明する。
接合膜５ａのエネルギを付与する前の状態は、図４に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。
【００４３】
そして、この接合膜５ａにエネルギを付与すると、図５に示すように、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が生じる。これにより、接合膜５ａの表面に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜５ａにより、可動板２１と磁石２１２とが接合されている。
このような接合膜５ａは、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このため、可動板２１と磁石２１２との間の距離、すなわち、接合膜５ａの厚さを高い寸法精度で一定に保持することができ、可動板２１が安定して回動することができる。
【００４４】
また、接合膜５ａを用いて可動板２１と磁石２１２とを接合したことにより、従来、接着剤を用いて接合した場合に、接着剤がはみ出すといった問題が生じることが防止される。したがって、はみ出した接着剤を除去する手間も省略できるという利点もある。
さらに、接合膜５ａは、化学的に安定なＳｉ骨格３０１の作用により、耐熱性に優れている。このため、たとえアクチュエータ１が高温下に曝されたとしても、接合膜５ａの変質・劣化を確実に防止することができる。
【００４５】
また、このような接合膜５ａは、流動性を有しない固体状のものとなる。このため、従来の流動性を有する液状または粘液状の接着剤に比べて、接着層（接合膜５ａ）の厚さや形状がほとんど変化しない。このため、接合膜５ａを用いて製造されたアクチュエータ１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合を可能にするものである。
【００４６】
このような接合膜５ａとしては、特に、接合膜５ａを構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜５ａは、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜５ａ自体がより強固なものとなる。また、かかる接合膜５ａは、可動板２１および磁石２１２に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【００４７】
また、接合膜５ａ中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜５ａの安定性が高くなり、可動板２１と磁石２１２とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜５ａ中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜５ａの寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００４８】
また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜５ａに活性手３０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合しているものである必要がある。
【００４９】
かかる観点から、脱離基３０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜５ａの接着性をより高度なものとすることができる。
【００５０】
なお、上記のような各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【００５１】
これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜５ａは、耐候性に（アクチュエータ１が使用される環境に対して）優れたものとなる。
このような特徴を有する接合膜５ａの構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
【００５２】
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜５ａは、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜５ａは、可動板２１と磁石２１２とをより強固に接合することができる。
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。
【００５３】
なお、この撥水性（非接着性）は、主に、ポリオルガノシロキサン中に含まれたアルキル基による作用である。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜５ａは、エネルギを付与された領域に接着性が発現するとともに、エネルギを付与しなかった領域においては、前述したアルキル基による優れた撥液性が得られるという利点も有する。したがって、エネルギを付与する領域を制御することにより、接合膜５ａの可動板２１および磁石２１２に接触しない領域に、優れた撥液性を発現させることができる。その結果、例えば湿度が比較的高い場所でアクチュエータ１が使用された場合でも、当該アクチュエータ１（接合膜５ａ）は、耐久性（耐水性）に優れた信頼性の高いものとなっている。
【００５４】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜５ａは、接着性に特に優れることから、アクチュエータ１に対して特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【００５５】
また、接合膜５ａの平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜５ａの平均厚さを前記範囲内とすることにより、可動板２１と磁石２１２との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜５ａの平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜５ａの平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００５６】
さらに、接合膜５ａの平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜５ａにある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、可動板２１の接合面（接合膜５ａに隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜５ａを被着させることができる。その結果、接合膜５ａは、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、接合膜５ａが形成された可動板２１に磁石２１２を貼り合わせた際に、接合膜５ａの磁石２１２に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜５ａの厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜５ａの厚さをできるだけ厚くすればよい。
【００５７】
このような接合膜５ａは、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製した膜にエネルギを付与することによって作製することができるが、これらの中でも、エネルギ付与前の膜として、プラズマ重合法により作製された膜を用いるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、最終的に、緻密で均質な接合膜５ａを効率よく作製することができる。これにより、プラズマ重合法で作製された接合膜５ａは、可動板２１と磁石２１２とを特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で作製され、エネルギが付与される前の接合膜５ａは、エネルギが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持することができる。このため、アクチュエータ１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００５８】
なお、接合膜５ａは、平面視で磁石２１２を包含する領域に形成されている、すなわち、平面視での面積が磁石２１２の面積よりも大きく形成されているのが好ましい。これにより、接合膜５ａに磁石２１２を接合した際その接合強度が比較的高くなり、また、接合膜５ａに磁石２１２を接合する接合工程で接合膜５ａに対する磁石２１２の位置決めが行ない易くなり、よって、その作業性が向上する。
【００５９】
次に、一例として、基体２となる母材２’上に、プラズマ重合法により、接合膜５ａを作製して、母材２’（可動板２１）と磁石２１２とを接合する方法、およびこの方法を含むアクチュエータ１を作製する方法について説明する。プラズマ重合法は、例えば、強電界中に、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを供給することにより、原料ガス中の分子を重合させ、重合物を母材２’上に堆積させ、膜を得る方法である。
【００６０】
以下、接合膜５ａをプラズマ重合法にて形成する方法について詳述するが、まず、接合膜５ａの形成方法を説明するのに先立って、母材２’上にプラズマ重合法によって接合膜５ａを作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明し、その後、接合膜５ａの形成方法について説明する。
図９に示すプラズマ重合装置９００は、チャンバー９０１と、母材２’（基体２）を支持する第１の電極９３０と、第２の電極９４０と、各電極９３０、９４０間に高周波電圧を印加する電源回路９８０と、チャンバー９０１内にガスを供給するガス供給部９９０と、チャンバー９０１内のガスを排気する排気ポンプ９７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極９３０および第２の電極９４０がチャンバー９０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
チャンバー９０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
【００６１】
図９に示すチャンバー９０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
チャンバー９０１の図９中上方には供給口９０３が、下方には排気口９０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口９０３にはガス供給部９９０が接続され、排気口９０４には排気ポンプ９７０が接続されている。
【００６２】
なお、本実施形態では、チャンバー９０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線９０２を介して電気的に接地されている。
第１の電極９３０は、板状をなしており、母材２’を支持している。
この第１の電極９３０は、チャンバー９０１の側壁の内壁面に、水平方向に沿って設けられている。また、第１の電極９３０は、チャンバー９０１を介して電気的に接地されている。
【００６３】
第１の電極９３０の母材２’を支持する面には、静電チャック（吸着機構）９３９が設けられている。
この静電チャック９３９により、図９に示すように、母材２’を保持することができる。また、母材２’に多少の反りがあっても、静電チャック９３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で母材２’をプラズマ処理に供することができる。
【００６４】
第２の電極９４０は、母材２’を介して、第１の電極９３０と対向して設けられている。なお、第２の電極９４０は、チャンバー９０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極９４０には、配線９８４を介して高周波電源９８２が接続されている。また、配線９８４の途中には、マッチングボックス（整合器）９８３が設けられている。これらの配線９８４、高周波電源９８２およびマッチングボックス９８３により、電源回路９８０が構成されている。
【００６５】
このような電源回路９８０によれば、第１の電極９３０は接地されているので、第１の電極９３０と第２の電極９４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極９３０と第２の電極９４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
ガス供給部９９０は、チャンバー９０１内に所定のガスを供給するものである。
【００６６】
図９に示すガス供給部９９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部９９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置９９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ９９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー９０１の供給口９０３とが、それぞれ配管９９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口９０３からチャンバー９０１内に供給するように構成されている。
【００６７】
貯液部９９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置９００により、重合して母材２’の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置９９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー９０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
【００６８】
ガスボンベ９９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
また、チャンバー９０１内の供給口９０３の近傍には、拡散板９９５が設けられている。
拡散板９９５は、チャンバー９０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー９０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
【００６９】
排気ポンプ９７０は、チャンバー９０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー９０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による母材２’の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー９０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口９０４には、チャンバー９０１内の圧力を調整する圧力制御機構９７１が設けられている。これにより、チャンバー９０１内の圧力が、ガス供給部１６０の動作状況に応じて、適宜設定される。
【００７０】
次に、母材２’上に接合膜５ａを形成する方法について説明する。
［１］
まず、基体２を製作するための母材として、母材２’を用意する。母材２’は、後述する工程において加工を施すことにより、基体２になり得るものである。この母材２’をプラズマ重合装置９００のチャンバー９０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ９７０の作動により、チャンバー９０１内を減圧状態とする。
【００７１】
次に、ガス供給部９９０を作動させ、チャンバー９０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー９０１内に充填される。
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
【００７２】
次いで、電源回路９８０を作動させ、一対の電極９３０、９４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極９３０、９４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が母材２’上に付着・堆積する。これにより、図６（ａ）に示すように、母材２’上にプラズマ重合膜で構成された接合膜５’が形成される。この接合膜５’は、後述する工程において加工を施すことにより、一部が接合膜５ａ、５ｂとなり得るものである。
【００７３】
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜５’は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
【００７４】
プラズマ重合の際、一対の電極９３０、９４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【００７５】
また、成膜時のチャンバー９０１内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【００７６】
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜５’（接合膜５ａ）の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜５’の厚さを容易に調整することができる。このため、従来は、接着剤を用いて可動板２１と磁石２１２とを接着した場合、接着剤の厚さを厳密に制御することができなかったが、接合膜５’によれば、当該接合膜５’の厚さを厳密に制御することができるので、可動板２１と磁石２１２との距離を厳密に制御することができる。
また、母材２’の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のようにして、接合膜５’を得ることができる。
【００７７】
［２］
次に、接合膜５’が形成された母材２’を一旦チャンバー９０１内から取り出す。そして、図６（ｂ）に示すように、この母材２’に開口部２４３を形成する。この開口部２４３が形成されることにより、母材２’は、振動系２０を有する基体２となる。なお、開口部２４３の形成は、ドライエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウエットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７８】
［３］
次に、開口部２４３が形成された母材２’を再度チャンバー９０１内に設置する。そして、接合膜５’に対してエネルギを付与する。
エネルギが付与されると、接合膜５’では、図４に示すように、脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、図５に示すように、接合膜５ａの表面５１および内部に活性手３０４が生じる。これにより、接合膜５’の表面５１に、磁石２１２との接着性が発現する。
【００７９】
ここで、接合膜５’に付与するエネルギは、いかなる方法で付与されてもよく、例えば、（Ｉ）接合膜５’にエネルギ線を照射する方法、（II）接合膜５’を加熱する方法、（III）接合膜５’に圧縮力を付与する（物理的エネルギを付与する）方法が代表的に挙げられ、この他、プラズマに曝す（プラズマエネルギを付与する）方法、オゾンガスに曝す（化学的エネルギを付与する）方法等が挙げられる。
このうち、接合膜５’にエネルギを付与する方法として、特に、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法のうち、少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜５’に対して比較的簡単に効率よくエネルギを付与することができるので、エネルギ付与方法として好適である。
【００８０】
以下、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法について詳述する。
（Ｉ）接合膜５’にエネルギ線を照射する場合、エネルギ線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等、またはこれらのエネルギ線を組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギ線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図６（ｃ）参照）。かかる紫外線によれば、付与されるエネルギ量が最適化されるので、接合膜５’中のＳｉ骨格３０１が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜５’の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜５’に接着性を発現させることができる。
【００８１】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１６０〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜５’の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜５’との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【００８２】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜５’の表面付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜５’の内部の脱離基３０３を多量に脱離させない程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜５’の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
【００８３】
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザ（フェムト秒レーザ）、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が挙げられる。
また、接合膜５’に対するエネルギ線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギ線の照射をより簡単に行うことができる。
このように、エネルギ線を照射する方法によれば、接合膜５’に対して選択的にエネルギを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギの付与による基体２の変質・劣化を防止することができる。
【００８４】
また、エネルギ線を照射する方法によれば、付与するエネルギの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜５’から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜５ａと磁石２１２との間の接合強度を容易に制御することができる。
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜５’の表面および内部に、より多くの活性手が生じるため、接合膜５’に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜５’の表面および内部に生じる活性手を少なくし、接合膜５’に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギの大きさを調整するためには、例えば、エネルギ線の種類、エネルギ線の出力、エネルギ線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギ線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギを付与することができるので、エネルギの付与をより効率よく行うことができる。
【００８５】
（II）接合膜５’を加熱する場合（図示せず）、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、基体２等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜５’を確実に活性化させることができる。
また、加熱時間は、接合膜５’の分子結合を切断し得る程度の時間であればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
【００８６】
また、接合膜５’は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種加熱方法で加熱することができる。
なお、基体２（可動板２１）と磁石２１２との熱膨張率がほぼ等しい場合には、上記のような条件で接合膜５’を加熱すればよいが、基体２と磁石２１２との熱膨張率が互いに異なっている場合には、後に詳述するが、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【００８７】
（III）本実施形態では、可動板２１と磁石２１２とを貼り合わせる前に、接合膜５’に対してエネルギを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギの付与は、可動板２１と磁石２１２とを重ね合わせた後に行われるようにしてもよい。すなわち、母材２’上に接合膜５’を形成して、さらに開口部２４３を形成した後、エネルギを付与する前に、接合膜５’（接合膜５ａ）と磁石２１２とが密着するように、可動板２１と磁石２１２とを重ね合わせて、仮接合体とする。そして、この仮接合体中の接合膜５ａに対してエネルギを付与することにより、接合膜５ａに接着性が発現し、接合膜５ａを介して可動板２１と磁石２１２とが接合（接着）される。
【００８８】
この場合、仮接合体中の接合膜５ａに対するエネルギの付与は、前述した（Ｉ）、（II）の方法でもよいが、接合膜５ａに圧縮力を付与する方法を用いてもよい。
この場合、可動板２１と磁石２１２とが互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、接合膜５ａに対して適度なエネルギを簡単に付与することができ、接合膜５ａに十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、可動板２１（基体２）および磁石２１２の各構成材料によっては、これらの部材に損傷等が生じるおそれがある。
【００８９】
また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
なお、仮接合体の状態では、可動板２１と磁石２１２との間が接合されていないので、これらの相対的な位置を容易に調整する（ずらす）ことができる。したがって、一旦、仮接合体を得た後、可動板２１と磁石２１２との相対位置を微調整することにより、最終的に得られるアクチュエータ１の組み立て精度（寸法精度）を確実に高めることができる。
【００９０】
以上のような（Ｉ）、（II）、（III）の各方法により、接合膜５’にエネルギを付与することができる。
なお、接合膜５’の全面にエネルギを付与するようにしてもよいが、一部の領域のみに付与するようにしてもよい。このようにすれば、接合膜５’の接着性が発現する領域を制御することができ、この領域の面積・形状等を適宜調整することによって、接合界面に発生する応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、基体２と磁石２１２の熱膨張率差が大きい場合でも、これらを確実に接合することができる。
【００９１】
ここで、前述したように、エネルギが付与される前の状態の接合膜５’は、図４に示すように、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３とを有している。かかる接合膜５’にエネルギが付与されると、脱離基３０３（本実施形態では、メチル基）がＳｉ骨格３０１から脱離する。これにより、図５に示すように、接合膜５ａの表面５１に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜５’の表面５１に接着性が発現する。
【００９２】
ここで、接合膜５ａを「活性化させる」とは、接合膜５’の表面５１および内部の脱離基３０３が脱離して、Ｓｉ骨格３０１において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態や、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。
【００９３】
したがって、活性手３０４とは、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４によれば、磁石２１２に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜５ａに対して大気雰囲気中でエネルギ線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成することができる。
【００９４】
［４］
次に、磁石２１２を用意する。そして、図６（ｄ）に示すように、この磁石２１２を前記接着性が発現してなる接合膜５’と密着するように、各部材同士を貼り合わせる。このとき、接合膜５’は、磁石２１２と接合した部分が接合膜５ａとなる。このような接合により、図６（ｄ）に示すように、可動板２１と磁石２１２とが、接合膜５ａを介して接合（接着）される。
【００９５】
ここで、上記のようにして接合される基体２（可動板２１）と磁石２１２の各熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。基体２と磁石２１２の熱膨張率がほぼ等しければ、これらを貼り合せた際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られるアクチュエータ１において、剥離等の不具合が発生するのを確実に防止することができる。
【００９６】
また、基体２および磁石２１２の各熱膨張率が互いに異なる場合でも、基体２と磁石２１２とを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化することにより、基体２と磁石２１２とを高い寸法精度で強固に接合することができる。
すなわち、基体２と磁石２１２の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【００９７】
具体的には、基体２と磁石２１２との熱膨張率差にもよるが、基体２と磁石２１２の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、基体２と磁石２１２とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、基体２と磁石２１２の熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、アクチュエータ１における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。
【００９８】
また、この場合、基体２と磁石２１２との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。なお、接合膜５ａ（接合膜５’）を用いることにより、上述したような低温下でも、可動板２１と磁石２１２とを強固に接合することができる。
また、基体２と磁石２１２は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、基体２と磁石２１２とをより強固に接合することができる。
【００９９】
なお、基体２の接合膜５ａ（接合膜５ｂも同様）を成膜する領域には、予め、接合膜５ａとの密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、基体２と接合膜５ａとの間の接合強度をより高めることができ、最終的には、基体２と磁石２１２との接合強度を高めることができる。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、基体２の接合膜５ａを成膜する領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。
【０１００】
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜５ａを形成するために、基体２の表面を特に最適化することができる。
なお、表面処理を施す基体２が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、基体２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜５ａの接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる基体２の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料を主材料とするものが挙げられる。
【０１０１】
このような材料で構成された基体２は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された基体２を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、基体２と接合膜５ａとを強固に密着させることができる。
【０１０２】
なお、この場合、基体２の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜５ａを成膜する領域の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。
さらに、基体２の接合膜５ａを成膜する領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、基体２と接合膜５ａとの接合強度を十分に高くすることができる。
【０１０３】
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うのが好ましい。
【０１０４】
また、表面処理に代えて、基体２の少なくとも接合膜５ａを成膜する領域には、予め、中間層を形成しておくのが好ましい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜５ａとの密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介して基体２上に接合膜５ａを成膜することにより、基体２と接合膜５ａとの接合強度を高め、信頼性の高い接合体、すなわちアクチュエータ１を得ることができる。
【０１０５】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０６】
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、基体２と接合膜５ａとの間の接合強度を特に高めることができる。
一方、磁石２１２の接合膜５ａと接触する領域にも、予め、接合膜５ａとの密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、磁石２１２と接合膜５ａとの間の接合強度をより高めることができる。
【０１０７】
なお、この表面処理には、基体２に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
また、表面処理に代えて、磁石２１２の接合膜５ａと接触する領域に、予め、接合膜５ａとの密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、磁石２１２と接合膜５ａとの間の接合強度をより高めることができる。
【０１０８】
かかる中間層の構成材料には、前述の基体２に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
ここで、本工程において、接合膜５ａを介して基体２と磁石２１２とが接合されるメカニズムについて説明する。
例えば、磁石２１２の基体２との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜５ａと磁石２１２とが接触するように、基体２と磁石２１２とを貼り合わせたとき、接合膜５ａの表面５１に存在する水酸基と、磁石２１２の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜５ａを介して基体２と磁石２１２とが接合されると推察される。
【０１０９】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜５ａと磁石２１２との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜５ａを介して基体２と磁石２１２とがより強固に接合されると推察される。
なお、前記工程［３］で活性化された接合膜５ａの表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［３］の終了後、できるだけ早く本工程［４］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［３］の終了後、６０分以内に本工程［４］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜５ａの表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜５ａを備える可動板２１と磁石２１２とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
このようにして接合された基体２と磁石２１２との間は、その接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度であれば、接合界面の剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、信頼性の高いアクチュエータ１が得られる。
【０１１０】
［５］
一方、図７（ｅ）に示すように、基板３２を用意し、この基板３２上に接合膜６’を形成する。この接合膜６’は、後述する工程において加工を施すことにより、接合膜６ａ、６ｂとなり得るものである。なお、接合膜６’の形成方法は、前述した接合膜５’の形成方法と同様である。
【０１１１】
［６］
次に、接合膜６’に対してエネルギを付与する。これにより、接合膜６’に、枠状体３１となる母材３１’との接着性が発現する。そして、接着性が発現してなる接合膜６’と母材３１’とが密着するように、母材３１’と基板３２を貼り合わせる。これにより、図７（ｆ）に示すように、母材３１’と基板３２とが、接合膜６’を介して接合（接着）される。なお、接合膜６’に対するエネルギの付与は、前述した接合膜５’に対するエネルギの付与方法と同様の方法で行うことができる。
【０１１２】
［７］
次に、図７（ｇ）に示すように、母材３１’に開口部３１１を形成する。開口部３１１の形成は、ドライエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウエットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
本工程により、母材３１’から枠状体３１が形成される。また、接合膜６’の枠状体３１と接合した部分が接合膜６ａとなる。
【０１１３】
［８］
次に、開口部３１１を介して露出した接合膜６’に対してエネルギを付与する。これにより、接合膜６’に接着性が発現する。なお、このエネルギの付与は、前述した接合膜５’に対するエネルギの付与方法と同様の方法で行うことができる。
そして、図７（ｈ）に示すように、コイル４を用意し、このコイル４を前記接着性が発現してなる接合膜６’と密着するように、各部材同士を貼り合わせる。このとき、接合膜６’は、磁石２１２と接合した部分が接合膜６ｂとなる。このような接合により、図７（ｈ）に示すように、基板３２とコイル４とが、接合膜６ｂを介して接合（接着）される。
【０１１４】
［９］
次に、図８（ｉ）に示すように、前記工程［４］で得られた（図６（ｄ）に示す状態の）基体２（構造体）を反転させ、前記工程［８］で得られた（図７（ｈ）に示す状態）支持体３に対向させる。この状態から、基体２を支持体３に接近させ、これらを接合する。これにより、接合膜６’の枠状体３１と接合した部分が接合膜６ｂとなり、当該接合膜６ｂを介して、基体２と支持体３とが接合する（図８（ｊ）参照）。
以上のような工程を経て、アクチュエータ１が製造される。
このような光スキャナ（アクチュエータ１）は、例えば、レーザプリンタ、イメージング用ディスプレイ、バーコードリーダー、走査型共焦点顕微鏡などの画像形成装置に好適に適用することができる。
【０１１５】
以下、本発明のアクチュエータを備えた画像形成装置の具体例を説明する。
まず、電子写真方式を採用するプリンタに本発明の画像形成装置を適用した例を説明する。
図２１は、本発明の画像形成装置（プリンタ）の一例を示す全体構成の模式的断面図、図２２は、図２１に示す画像形成装置に備えられた露光ユニットの概略構成を示す図である。
【０１１６】
図２１に示す画像形成装置１１０（プリンタ）は、露光・現像・転写・定着を含む一連の画像形成プロセスによって、トナーからなる画像を紙やＯＨＰシートなどの記録媒体Ｐに記録するものである。このような画像形成装置１１０は、図２１に示すように、図示矢印方向に回転する感光体１１１を有し、その回転方向に沿って順次、帯電ユニット１１２、露光ユニット１１３、現像ユニット１１４、転写ユニット１１５、クリーニングユニット１１６が配設されている。また、画像形成装置１１０は、図２１中下部に、紙などの記録媒体Ｐを収容する給紙トレイ１１７が設けられ、上部に、定着装置１１８が設けられている。
【０１１７】
このような画像形成装置１１０では、まず、図示しないホストコンピュータからの指令により、感光体１１１、現像ユニット１１４に設けられた現像ローラ（図示せず）、および中間転写ベルト１５１が回転を開始する。そして、感光体１１１は、回転しながら、帯電ユニット１１２により順次帯電される。
感光体１１１の帯電された領域は、感光体１１１の回転に伴って露光位置に至り、露光ユニット１１３によって、第１色目、例えばイエローＹの画像情報に応じた潜像が前記領域に形成される。
【０１１８】
感光体１１１上に形成された潜像は、感光体１１１の回転に伴って現像位置に至り、イエロー現像のための現像装置１４４によってイエロートナーで現像される。これにより、感光体１１１上にイエロートナー像が形成される。このとき、現像ユニット１１４は、現像装置１４４が選択的に前記現像位置にて感光体１１１と対向している。なお、この選択は、保持体１４５の軸１４６回りの回転により、現像装置１４１、１４２、１４３、１４４の相対位置関係を維持しつつそれぞれの位置を変えることで行う。
【０１１９】
感光体１１１上に形成されたイエロートナー像は、感光体１１１の回転に伴って一次転写位置（すなわち、感光体１１１と一次転写ローラ１５２との対向部）に至り、一次転写ローラ１５２によって、中間転写ベルト１５１に転写（一次転写）される。このとき、一次転写ローラ１５２には、トナーの帯電極性とは逆の極性の一次転写電圧（一次転写バイアス）が印加される。なお、この間、二次転写ローラ１５５は、中間転写ベルト１５１から離間している。
【０１２０】
前述の処理と同様の処理が、第２色目、第３色目および第４色目について繰り返して実行されることにより、各画像信号に対応した各色のトナー像が、中間転写ベルト１５１に重なり合って転写される。これにより、中間転写ベルト１５１上にはフルカラートナー像が形成される。
一方、記録媒体Ｐは、給紙トレイ１１７から、給紙ローラ１７１、レジローラ１７２によって二次転写位置（すなわち、二次転写ローラ１５５と駆動ローラ１５４との対向部）へ搬送される。
【０１２１】
中間転写ベルト１５１上に形成されたフルカラートナー像は、中間転写ベルト１５１の回転に伴って二次転写位置に至り、二次転写ローラ１５５によって記録媒体Ｐに転写（二次転写）される。このとき、二次転写ローラ１５５は中間転写ベルト１５１に押圧されるとともに二次転写電圧（二次転写バイアス）が印加される。また、中間転写ベルト１５１は、駆動ローラ１５４を回転させることで一次転写ローラ１５２および従動ローラ１５３を従動回転させながら回転する。
【０１２２】
記録媒体Ｐに転写されたフルカラートナー像は、定着装置１１８によって加熱および加圧されて記録媒体Ｐに融着される。その後、片面プリントの場合には、記録媒体Ｐは、排紙ローラ対１７３によって画像形成装置１１０の外部へ排出される。
一方、感光体１１１は一次転写位置を経過した後に、クリーニングユニット１１６のクリーニングブレード１６１によって、その表面に付着しているトナーが掻き落とされ、次の潜像を形成するための帯電に備える。掻き落とされたトナーは、クリーニングユニット１１６内の残存トナー回収部に回収される。
【０１２３】
両面プリントの場合には、定着装置１１８によって一方の面に定着処理された記録媒体Ｐを一旦排紙ローラ対１７３により挟持した後に、排紙ローラ対１７３を反転駆動するとともに、搬送ローラ対１７４、１７６を駆動して、当該記録媒体Ｐを搬送路１７５を通じて表裏反転して二次転写位置へ帰還させ、前述と同様の動作により、記録媒体Ｐの他方の面に画像を形成する。
【０１２４】
このような画像形成装置に備えられた露光ユニット１１３は、図示しないパーソナルコンピュータなどのホストコンピュータから画像情報を受けこれに応じて、一様に帯電された感光体１１１上に、レーザを選択的に照射することによって、静電的な潜像を形成する装置である。
より具体的に説明すると、図２２に示すように、露光ユニット１１３は、光スキャナであるアクチュエータ１と、アクチュエータ１の光反射部２１１に向けてレーザ光Ｌを照射するレーザ光源（光源）１３１と、コリメータレンズ１３２と、ｆθレンズ１３３とを有している。
【０１２５】
露光ユニット１１３では、レーザ光源１３１からコリメータレンズ１３２を介してアクチュエータ１（光反射部２１１）にレーザ光Ｌが照射される。そして、光反射部２１１で反射したレーザ光Ｌがｆθレンズ１３３を介して感光体１１１上に照射される。
その際、アクチュエータ１の駆動（可動板２１の回動軸２１５回りの回動）により、光反射部２１１で反射した光（レーザＬ）は、感光体１１１の軸線方向に走査（主走査）される。一方、感光体１１１の回転により、光反射部２１１で反射した光（レーザＬ）は、感光体１１１の周方向に走査（副走査）される。また、レーザ光源１３１から出力されるレーザ光Ｌの強度は、図示しないホストコンピュータから受けた画像情報に応じて変化する。
このようにして露光ユニット１１３は、感光体１１１上を選択的に露光して画像形成（描画）を行う。
【０１２６】
次に、イメージング用ディスプレイ（表示装置）に本発明の画像形成装置を適用した例を説明する。
図２３は、本発明の画像形成装置（イメージングディスプレイ）の一例を示す概略図である。
図２３に示す画像形成装置１１９は、光スキャナであるアクチュエータ１と、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の光を照射する光源１９１、１９２、１９３と、クロスダイクロイックプリズム（Ｘプリズム）１９４と、ガルバノミラー１９５と、固定ミラー１９６と、スクリーン１９７とを備えている。
【０１２７】
このような画像形成装置１１９では、光源１９１、１９２、１９３からクロスダイクロイックプリズム１９４を介してアクチュエータ１（光反射部２１１）に各色の光が照射される。このとき、光源１９１からの赤色の光と、光源１９２からの緑色の光と、光源１９３からの青色の光とが、クロスダイクロイックプリズム１９４にて合成される。
そして、可動部２１の光反射部２１１で反射した光（３色の合成光）は、ガルバノミラー１９５で反射した後に、固定ミラー１９６で反射し、スクリーン１９７上に照射される。
【０１２８】
その際、アクチュエータ１の駆動（可動板２１の回動軸２１５回りの回動）により、光反射部２１１で反射した光は、スクリーン１９７の横方向に走査（主走査）される。一方、ガルバノミラー１９５の回動軸２１５と直交する軸線Ｙ回りの回転により、光反射部２１１で反射した光は、スクリーン１９７の縦方向に走査（副走査）される。また、各光源１９１、１９２、１９３から出力される光の強度は、図示しないホストコンピュータから受けた画像情報に応じて変化する。
このようにして画像形成装置１１９は、スクリーン１９７上に画像形成（描画）を行う。
【０１２９】
＜第２実施形態＞
図１０は、本発明のアクチュエータの第２実施形態を示す横断面図である。
以下、この図を参照して本発明のアクチュエータおよび画像形成装置の第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、接合膜の形成状態（形状）が異なること以外は前記第１実施形態と同様である。
【０１３０】
図１０に示すアクチュエータ１Ａでは、可動板２１と磁石２１２とを接合する接合膜５ａが平面視で磁石２１２の外形形状と同じ形状、すなわち、長方形となるように形成されたものとなっている。この接合膜５ａは、前記第１実施形態の接合膜５ａよりもその大きさや質量等が小さくなるため、可動板２１が回動する際、当該接合膜５ａによる慣性の影響を抑制することができる。
【０１３１】
なお、接合膜５ａの形成方法としては、特に限定されないが、例えば、磁石２１２の平面視での形状に対応する形状の窓部を有するマスクを用い、このマスク上から接合膜５ａを成膜する方法が挙げられる。
また、アクチュエータ１Ａでは、接合膜５ｂ、６ａが平面視で枠状体３１の外形形状と同じ形状（リング状）となるように形成され、接合膜６ｂが平面視でコイル４の外形形状と同じ形状（リング状）となるように形成されている。これらの接合膜５ｂ、６ａ、６ｂについても、接合膜５ａの形成方法と同様に成膜することができる。
【０１３２】
＜第３実施形態＞
図１１は、本発明のアクチュエータの第３実施形態を示す平面図、図１２は、図１１中のＢ−Ｂ線断面図である。
以下、これらの図を参照して本発明のアクチュエータの第３実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、磁性体の構成および設置箇所が異なること以外は前記第１実施形態と同様である。
【０１３３】
図１１、１２に示すアクチュエータ１Ｂでは、可動板２１の下面に２枚（一対）の軟磁性体２１２ａ、２１２ｂが接合膜５ａを介して接合されている。軟磁性体２１２ａと軟磁性体２１２ｂとは、可動板２１の回動軸２１５を介して対向配置されている、すなわち、可動板２１の回動軸２１５に関して対称的に配置されている。また、各軟磁性体２１２ａ、２１２ｂは、それぞれ、可動板２１の長手方向（図１１中上下方向）の端部付近に配置されている。このような各軟磁性体２１２ａ、２１２ｂは、それぞれ、平面視で長方形をなす板部材で構成されている。なお、各軟磁性体２１２ａ、２１２ｂは、それぞれ、軟磁性体材料を主材料として構成されており、その軟磁性体材料としては、特に限定されないが、例えば、Ｆｅ、各種Ｆｅ合金（ケイ素鉄、パーマロイ、アモルファス、センダストなど）、軟磁性フェライトなどが挙げられる。これらの軟磁性体材料は、一般的に表面に水酸基を有している。この水酸基により、接合膜５ａに対する親和性が高まる。このため、接合膜５ａと軟磁性体２１２ａ、２１２ｂとの接合強度が向上する。
【０１３４】
支持体３の基板３２には、コイル４ａ、４ｂが接合膜６ｂを介して接合されている。コイル４ａは、支持体３の基板３２の軟磁性体２１２ａに対応した位置（軟磁性体２１２ａの下方）に配置され、コイル４ｂは、支持体３の基板３２の軟磁性体２１２ｂに対応した位置（軟磁性体２１２ｂの下方）に配置されている（図１２参照）。また、コイル４ａは、平面視で軟磁性体２１２ａを包囲するリング状をなしており、これと同様に、コイル４ｂも、平面視で軟磁性体２１２ｂを包囲するリング状をなしている（図１１参照）。
【０１３５】
また、各コイル４ａ、４ｂには、直流電圧を印加可能な電源回路（図示せず）が接続されている。この電源回路は、スイッチを有し、そのスイッチの切り換えにより、コイル４ａおよび４ｂのうちの一方のコイルに電圧を印加している間は、他方のコイルには電圧を印加しないよう構成されている。
アクチュエータ１Ｂでは、前記電源回路によって、例えばコイル４ａおよび４ｂのうちのコイル４ａに電圧が印加された際、このコイル４ａが通電状態となる。このとき、コイル４ａ付近に磁界が発生する。この磁界は、軟磁性体２１２ａおよび２１２ｂのうち、コイル４ａに対して近位に配置された軟磁性体２１２ａに優先的に作用する。これにより、軟磁性体２１２ａに、コイル４ａに接近する方向に引き付けられる力（引力）が生じ、よって、可動板２１が回動軸２１５回りに回動する、すなわち、コイル４ａ側に傾斜する。また、電源回路のスイッチを切り換えた際、今度は、コイル４ｂに電圧が印加され、このコイル４ｂが通電状態となる。このとき、コイル４ｂ付近に磁界が発生する。これにより、前記とは逆に、軟磁性体２１２ｂに、コイル４ｂに接近する方向に引き付けられる力（引力）が生じる。これにより、可動板２１が前記とは逆方向に回動軸２１５回りに回動する、すなわち、コイル４ｂ側に傾斜する。このように、アクチュエータ１Ｂでは、電源回路のスイッチを切り換えることにより、可動板２１が揺動する（振動する）。また、電圧の大きさを適宜変更することにより、可動板２１の回動角度を調整することができる。
なお、軟磁性体は、一対設置されているのに限定されず、例えば、複数対設置されていてもよい。
【０１３６】
＜第４実施形態＞
図１３は、本発明のアクチュエータの第４実施形態を示す平面図、図１４は、図１３中のＣ−Ｃ線断面図である。
以下、これらの図を参照して本発明のアクチュエータの第４実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、可動板と支持部とを連結する連結部の構成と磁石（磁性体）の設置箇所とが異なること以外は前記第１実施形態と同様である。
【０１３７】
図１３に示すアクチュエータ１Ｃでは、可動板２１と支持部２４とを連結する２つの連結部のうちの一方（図１３中左側）の連結部は、軸部材２２と当該軸部材２２の途中に設けられた駆動板２５ａとで構成されており、他方（図１３中右側）の連結部は、軸部材２３と当該軸部材２２の途中に設けられた駆動板２５ｂとで構成されている。
軸部材２２、２３は、前記第１実施形態で説明した軸部材２２、２３と同様であるため、本実施形態ではその説明を省略する。
【０１３８】
駆動板２５ａ、２５ｂは、それぞれ、平面視で長方形（四角形）の板状をなす部位である。駆動板２５ａは、軸部材２２と一体的に形成されている。この駆動板２５ａの下面（片面）には、磁石２１２が接合膜５ａを介して、接合されている（図１４参照）。また、駆動板２５ｂは、軸部材２３と一体的に形成されている。この駆動板２５ｂの下面には、磁石２１２が接合膜５ａを介して、接合されている（図１４参照）。各磁石２１２は、それぞれ、その一端側（図１３中上側）がＳ極、他端側（図１３中下側）がＮ極となるように、すなわち、回動軸２１５に対して直行する方向に配置されている。
【０１３９】
支持体３の基板３２には、２つのコイル４が接合膜６ｂを介して接合されている。これらのコイル４のうち、一方のコイル４は、支持体３の基板３２の駆動板２５ａ側の磁石２１２に対応した位置（駆動板２５ａ側の磁石２１２の下方）に配置され、他方のコイル４は、支持体３の基板３２の駆動板２５ｂ側の磁石２１２に対応した位置（駆動板２５ｂ側の磁石２１２の下方）に配置されている（図１４参照）。また、各コイル４は、それぞれ、平面視で磁石２１２を包囲するリング状をなしている（図１３参照）。また、各コイル４は、交流電圧を印加可能な電源回路（図示せず）に電気的に接続されている。
【０１４０】
アクチュエータ１Ｃでは、前記電源回路によって、各コイル４に電圧が印加され、各コイル４が通電状態となる。このとき、各コイル４付近に磁界が発生する。この磁界によって（磁界の方向にもよるが）、例えば、各磁石２１２に、当該磁石２１２のＳ極がコイル４に接近する方向に引き付けられる力（引力）と、Ｎ極がコイル４から離間する方向に押し出される力（斥力）とが作用する。これにより、駆動板２５ａ、２５ｂが回動軸２１５回りに回動する。このような各駆動板２５ａ、２５ｂの回動が軸部材２２、２３を介して可動板２１に伝達されて、当該可動板２１が回動軸２１５回りに回動する。また、前記電源回路は、前述したように交流電圧を印加可能であるため、各コイル４を流れる電流の向きが反転した際、磁界の向きも反転する。これにより、前記とは逆の向きの力が各磁石２１２に作用し、可動板２１が前記とは反対回りに回動する。このように、アクチュエータ１Ｃでは、各コイル４を流れる電流の方向が交互に切り換わるため、可動板２１が揺動する（振動する）。
【０１４１】
また、電圧の大きさを適宜変更することにより、可動板２１の回動角度を調整することができる。また、各駆動板２５ａ、２５ｂは、それぞれ、可動板２１よりもその大きさが小さくなっている。これにより、各駆動板２５ａ、２５ｂをそれぞれ容易に回動させることができ、よって、可動板２１を効率的にかつ高精度に回動させることができる。なお、２つのコイル４に通電する際、これらのコイル４の通電方向は、互いに同方向となるように、すなわち、２つの磁石２１２に作用する力が互いに相殺しないように通電される。
また、磁石２１２は、駆動板２５ａ（駆動板２５ｂも同様）の下面に配置されているが、これに限定されず、例えば、駆動板２５ａの上面または両面に配置されていてもよい。
【０１４２】
＜第５実施形態＞
図１５は、本発明のアクチュエータの第５実施形態を示す横断面図である。なお、以下の説明では、図１５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、この図を参照して本発明のアクチュエータの第５実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、磁性体の構成が異なること以外は前記第４実施形態と同様である。
【０１４３】
図１５に示すアクチュエータ１Ｄは、各磁石２１２の周りには、ヨーク２１４がさらに設置された（配置された）構成となっている。各ヨーク２１４は、それぞれ、磁石２１２を囲むリング状をなし、接合膜５ａを介して、駆動板２５ａ（駆動板２５ｂも同様）に接合されている。このような各ヨーク２１４によって、当該ヨーク２１４に対応するコイル４に向かう磁路が形成される。これにより、各駆動板２５ａに対して、力（斥力、引力）が効率良く作用し、よって、可動板２１がより確実に回動する。
【０１４４】
＜第６実施形態＞
図１６は、本発明のアクチュエータ（第６実施形態）における接合膜のエネルギ付与前の状態を示す部分拡大図、図１７は、本発明のアクチュエータ（第６実施形態）における接合膜のエネルギ付与後の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図１６および図１７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１４５】
以下、これらの図を参照して本発明のアクチュエータの第６実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、各接合膜の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかるアクチュエータは、各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂがそれぞれエネルギ付与前の状態で、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである。換言すれば、エネルギ付与前の各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂは、それぞれ、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入した膜であると言うことができる。
【０１４６】
このような各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂは、エネルギが付与されると、脱離基３０３が金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂの少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂの表面に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。
【０１４７】
以下、本実施形態にかかる各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂについて説明するが、これらの構成は共通であるため、接合膜５ａを代表に説明する。
接合膜５ａは、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基３０３が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜５ａ自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られるアクチュエータ１においても、寸法精度が高いものが得られる。
【０１４８】
さらに、接合膜５ａは、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜５ａ）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜５ａを用いて得られたアクチュエータ１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１４９】
また、本発明では、接合膜５ａは、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、アクチュエータ１において、意図しない帯電を抑制または防止することができる。なお、接合膜（接合膜６ｂ）が導電性を有する場合、接合膜６ｂと当該接合膜６ｂに接合されるコイル４とは、これらの間に絶縁膜が介在し、絶縁されている。これにより、コイル４に通電した際に短絡が生じるのを防止することができる。前記絶縁膜は、コイル４を構成する素線の外周に形成されている。また、絶縁膜の構成材料としては、絶縁性を有していれば特に限定されないが、樹脂等が挙げられる。
また、接合膜５ａが導電性を有する場合、接合膜５ａの抵抗率は、構成材料の組成に応じて若干異なるものの、１×１０−３Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０−４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。
【０１５０】
なお、脱離基３０３は、少なくとも接合膜５ａの表面５１付近に存在していればよく、接合膜５ａのほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜５ａの表面５１付近に偏在していてもよい。なお、脱離基３０３が表面５１付近に偏在する構成とすることにより、接合膜５ａに金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜５ａに、接合を担う機能の他に、導電性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。換言すれば、脱離基３０３が、接合膜５ａの導電性や透光性等の特性を阻害してしまうのを確実に防止することができる。
以上のような接合膜５ａとしての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
【０１５１】
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜５ａを、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、接合膜５ａは、優れた導電性を発揮するものとなる。
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
【０１５２】
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
また、接合膜５ａ中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜５ａの安定性が高くなり、可動板２１と磁石２１２とをより強固に接合することができるようになる。
【０１５３】
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜５ａに活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギが付与されないときには、脱離しないよう接合膜５ａに確実に結合しているものが好適に選択される。
【０１５４】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、可動板２１と磁石２１２との接着性をより高度なものとすることができる。
【０１５５】
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜５ａは、耐候性に優れたものとなる。
【０１５６】
以上のことを考慮すると、接合膜５ａとしては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜５ａは、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜５ａは、可動板２１に対して特に強固に接着するとともに、磁石２１２に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、可動板２１と磁石２１２とを強固に接合することができる。
【０１５７】
また、接合膜５ａの平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜５ａの平均厚さを前記範囲内とすることにより、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、可動板２１と磁石２１２とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜５ａの平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜５ａの平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０１５８】
さらに、接合膜５ａの平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜５ａにある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、可動板２１の接合面（接合膜５ａを成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜５ａを被着させることができる。その結果、接合膜５ａは、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、可動板２１と磁石２１２とを貼り合わせた際に、接合膜５ａの磁石２１２に対する密着性を高めることができる。
【０１５９】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜５ａの厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜５ａの厚さをできるだけ厚くすればよい。
また、接合膜５ａは、磁性を有するものであるのが好ましい。これにより、磁石２１２との接合強度が向上する。
【０１６０】
以上説明したような接合膜５ａは、接合膜５ａのほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、脱離基３０３を接合膜５ａの表面５１付近に偏在させる場合には、例えば、Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【０１６１】
以下、ＡおよびＢの方法を用いて、可動板２１（母材２’）上に接合膜５ａ（接合膜５’）を成膜する場合について、詳述する。
＜Ａ＞ Ａの方法では、接合膜５ａは、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を可動板２１に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができる。このため、接合膜５ａのほぼ全体にわたって脱離基３０３を導入することができる。
【０１６２】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜５ａを効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜５ａは、磁石２１２に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜５ａは、エネルギが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、アクチュエータ１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【０１６３】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【０１６４】
以下、ＰＶＤ法により接合膜５ａを成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜５ａを成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜５ａの成膜方法を説明するのに先立って、可動板２１（母材２’）上にイオンビームスパッタリング法により接合膜５ａ（接合膜５’）を成膜する際に用いられる成膜装置８００について説明する。
【０１６５】
図１８は、本実施形態にかかる接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図１９は、図１８に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では、図１８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１８に示す成膜装置８００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜５ａの形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
【０１６６】
具体的には、成膜装置８００は、チャンバー（真空チャンバー）８１１と、このチャンバー８１１内に設置され、可動板２１（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）８１２と、チャンバー８１１内に設置され、チャンバー８１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）８１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）８１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）８１７とを有している。
【０１６７】
また、チャンバー８１１には、チャンバー８１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段８６０と、チャンバー８１１内の排気をして圧力を制御する排気手段８３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー８１２は、チャンバー８１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー８１２は、回動可能となっている。これにより、可動板２１上に接合膜５ａを均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【０１６８】
図１９に示すように、イオン源（イオン銃）８１５は、開口（照射口）８５０が形成されたイオン発生室８５６と、イオン発生室８５６内に設けられたフィラメント８５７と、グリッド８５３、８５４と、イオン発生室８５６の外側に設置された磁石８５５とを有している。
また、図１８に示すように、イオン発生室８５６には、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源８１９が接続されている。
【０１６９】
このイオン源８１５では、イオン発生室８５６内に、ガス供給源８１９からガスを供給した状態で、フィラメント８５７を通電加熱すると、フィラメント８５７から電子が放出され、放出された電子が磁石８５５の磁場によって運動し、イオン発生室８５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４との間の電圧勾配により、イオン発生室８５６内から引き出されるとともに加速され、開口８５０を介してイオンビームＢとしてイオン源８１５から放出（照射）される。
【０１７０】
イオン源８１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット８１６の表面に衝突し、ターゲット８１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット８１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置８００では、イオン源８１５は、その開口８５０がチャンバー８１１内に位置するように、チャンバー８１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源８１５は、チャンバー８１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー８１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置８００の小型化を図ることができる。
【０１７１】
また、イオン源８１５は、その開口８５０が、基板ホルダー８１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー８１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源８１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる。イオン源８１５を複数設置することにより、接合膜５ａの成膜速度をより速くすることができる。
【０１７２】
また、ターゲットホルダー８１７および基板ホルダー８１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター８２０および第２のシャッター８２１が配設されている。
これらシャッター８２０、８２１は、それぞれ、ターゲット８１６、可動板２１および接合膜５ａが、不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０１７３】
また、排気手段８３０は、ポンプ８３２と、ポンプ８３２とチャンバー８１１とを連通する排気ライン８３１と、排気ライン８３１の途中に設けられたバルブ８３３とで構成されており、チャンバー８１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段８６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ８６４と、ガスボンベ８６４からこのガスをチャンバー８１１に導くガス供給ライン８６１と、ガス供給ライン８６１の途中に設けられたポンプ８６２およびバルブ８６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー８１１内に供給し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置８００を用いて、以下のようにして接合膜５ａが形成される。
【０１７４】
ここでは、可動板２１上に接合膜５ａを成膜する方法について説明する。
まず、可動板２１（母材２’）を用意し、この可動板２１を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。
次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【０１７５】
さらに、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【０１７６】
次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１７７】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー８１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー８１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が可動板２１上に堆積することにより、接合膜５ａが形成される。
【０１７８】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜５ａに照射されるのがより確実に防止されて、接合膜５ａの成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、ほぼ全体にわたって脱離基３０３が存在する接合膜５ａを成膜することができる。
【０１７９】
＜Ｂ＞ 一方、Ｂの方法では、接合膜５ａは、上記のように、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜５ａを形成することができる。
【０１８０】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【０１８１】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、可動板２１上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１８２】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニーリング）する方法、Ｂ２：イオン・インプランテーション等が挙げられるが、中でも、特に、Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【０１８３】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理（アニーリング）することにより、接合膜５ａを得る場合を代表に説明する。
なお、Ｂの方法を用いて接合膜５ａの成膜する場合も、Ａの方法を用いて接合膜５ａを成膜する際に用いられる成膜装置８００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【０１８４】
［ｉ］ まず、可動板２１を用意する。そして、この可動板２１を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。
［ii］ 次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内を加熱する。チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１８５】
［iii］ 次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１８６】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、可動板２１上に堆積して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【０１８７】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜５ａに照射されるのがより確実に防止されて、接合膜５ａの成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【０１８８】
［iv］ 次に、第２のシャッター８２１を開いた状態で、第１のシャッター８２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内をさらに加熱する。チャンバー８１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程［v］において、可動板２１および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【０１８９】
［v］ 次に、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー８１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前記工程［iv］でチャンバー８１１内が加熱された状態で、チャンバー８１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜５ａが形成される。
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
【０１９０】
なお、チャンバー８１１内は、前記工程［ii］において、排気手段８３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程［ii］の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー８１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【０１９１】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【０１９２】
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー８１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面５１付近に脱離基３０３が偏在する接合膜５ａを成膜することができる。
以上のような本実施形態にかかるアクチュエータにおいても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【０１９３】
＜第７実施形態＞
次に、本発明のアクチュエータの第７実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、各接合膜の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかるアクチュエータは、各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂがそれぞれエネルギ付与前の状態で、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂは、エネルギが付与されると、脱離基３０３が各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂから脱離し、各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂの少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂの表面に、前記第２実施形態と同様の接着性が発現する。
【０１９４】
以下、本実施形態にかかる各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂについて説明するが、これらの構成は共通であるため、接合膜５ａを代表に説明する。
接合膜５ａは、可動板２１上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜５ａは、エネルギが付与されると、脱離基３０３の結合手が切れて接合膜５ａの少なくとも表面５１付近から脱離し、図１７に示すように、接合膜５ａの少なくとも表面５１付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜５ａの表面５１に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜５ａを備えた可動板２１は、磁石２１２に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。
【０１９５】
また、接合膜５ａは、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜５ａ自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られるアクチュエータ１においても、寸法精度が高いものが得られる。
このような接合膜５ａは、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜５ａ）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜５ａを用いて得られたアクチュエータ１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１９６】
また、本発明では、接合膜５ａは、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、アクチュエータ１において、意図しない帯電を抑制または防止することができる。なお、接合膜（接合膜６ｂ）が導電性を有する場合、接合膜６ｂと当該接合膜６ｂに接合されるコイル４とは、これらの間に絶縁膜が介在し、絶縁されている。これにより、コイル４に通電した際に短絡が生じるのを防止することができる。前記絶縁膜は、コイル４を構成する素線の外周に形成されている。また、絶縁膜の構成材料としては、絶縁性を有していれば特に限定されないが、樹脂等が挙げられる。
以上のような接合膜５ａとしての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
【０１９７】
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【０１９８】
ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜５ａに発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜５ａの導電性をより高めることができる。
【０１９９】
また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜５ａは、優れた導電性を発揮するものとなる。また、接合膜５ａを後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜５ａを成膜することができる。
【０２００】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜５ａから脱離することにより、接合膜５ａに活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギが付与されないときには、脱離しないよう接合膜５ａに確実に結合しているものが好適に選択される。
【０２０１】
具体的には、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜５ａの接着性をより高度なものとすることができる。
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜５ａは、耐候性に優れたものとなる。
【０２０２】
また、かかる構成の接合膜５ａにおいて、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜５ａの安定性が高くなり、可動板２１と磁石２１２とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜５ａを優れた導電性を発揮するものとすることができる。
【０２０３】
また、接合膜５ａの平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜５ａの平均厚さを前記範囲内とすることにより、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、可動板２１と磁石２１２とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜５ａの平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜５ａの平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０２０４】
さらに、接合膜５ａの平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜５ａにある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、可動板２１の接合面（接合膜５ａを成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜５ａを被着させることができる。その結果、接合膜５ａは、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、可動板２１と磁石２１２とを貼り合わせた際に、接合膜５ａの磁石２１２に対する密着性を高めることができる。
【０２０５】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜５ａの厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜５ａの厚さをできるだけ厚くすればよい。
また、接合膜５ａは、磁性を有するものであるのが好ましい。これにより、磁石２１２との接合強度が向上する。
【０２０６】
以上説明したような接合膜５ａは、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、IIａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体または表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜５ａを形成する方法、IIｂ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜５ａを形成する方法（積層させる方法あるいは、単原子層からなる接合層を形成）、IIｃ：金属原子と脱離基３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として適切な溶媒に溶解させスピンコート法などを用いて接合膜を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、IIｂの方法により接合膜５ａを成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜５ａを形成することができる。
【０２０７】
以下、IIｂの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜５ａを形成する方法により、接合膜５ａを得る場合を代表的に説明する。
まず、接合膜５ａの成膜方法を説明するのに先立って、接合膜５ａを成膜する際に用いられる成膜装置４００について説明する。
【０２０８】
図２０は、本実施形態において、接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図２０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図２０に示す成膜装置４００は、可動板２１（母材２’）に対する、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜５ａ（接合膜５’）の形成をチャンバー４１１内で行えるように構成されている。
【０２０９】
具体的には、成膜装置４００は、チャンバー（真空チャンバー）４１１と、このチャンバー４１１内に設置され、可動板２１（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）４１２と、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段４６０と、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段４７０と、チャンバー４１１内の排気をして圧力を制御する排気手段４３０と、基板ホルダー４１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０２１０】
基板ホルダー４１２は、本実施形態では、チャンバー４１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー４１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、可動板２１上に接合膜５ａを均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー４１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター４２１が配設されている。このシャッター４２１は、可動板２１および接合膜５ａが不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０２１１】
有機金属材料供給手段４６０は、チャンバー４１１に接続されている。この有機金属材料供給手段４６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽４６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ４６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４６１と、ガス供給ライン４６１の途中に設けられたポンプ４６４およびバルブ４６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段４６０では、貯留槽４６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ４６３を開放した状態で、ポンプ４６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ４６５から貯留槽４６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン４６１内を通過してチャンバー４１１内に供給されるようになっている。
【０２１２】
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
また、本実施形態では、ガス供給手段４７０がチャンバー４１１に接続されている。ガス供給手段４７０は、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ４７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４７１と、ガス供給ライン４７１の途中に設けられたポンプ４７４およびバルブ４７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段４７０では、バルブ４７３を開放した状態で、ポンプ４７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ４７５から、供給ライン４７１を介して、チャンバー４１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段４７０をかかる構成とすることにより、チャンバー４１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜５ａを成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜５ａが成膜される。
【０２１３】
チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス、一酸化窒素、一酸化二窒素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜５ａに過度の酸素原子が残存することなく、接合膜５ａを成膜することができる。その結果、この接合膜５ａは、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０２１４】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段４３０は、ポンプ４３２と、ポンプ４３２とチャンバー４１１とを連通する排気ライン４３１と、排気ライン４３１の途中に設けられたバルブ４３３とで構成されており、チャンバー４１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置４００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして可動板２１上に接合膜５ａが形成される。
【０２１５】
［ｉ］ まず、可動板２１（母材２’）を用意する。そして、この可動板２１を成膜装置４００のチャンバー４１１内に搬入し、基板ホルダー４１２に装着（セット）する。
［ii］ 次に、排気手段４３０を動作させ、すなわちポンプ４３２を作動させた状態でバルブ４３３を開くことにより、チャンバー４１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【０２１６】
また、ガス供給手段４７０を動作させ、すなわちポンプ４７４を作動させた状態でバルブ４７３を開くことにより、チャンバー４１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段４７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０２１７】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー４１２を加熱する。基板ホルダー４１２の温度は、形成する接合膜５ａの種類、すなわち、接合膜５ａを形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜６００℃程度であるのが好ましく、１００〜４５０℃程度であるのがより好ましく、２００〜３００℃程度であるのがさらに好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜５ａを成膜することができる。
【０２１８】
［iii］ 次に、シャッター４２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽４６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ４６４を動作させるとともに、バルブ４６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
【０２１９】
このように、前記工程［ii］で基板ホルダー４１２が加熱された状態で、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、可動板２１上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、可動板２１上に接合膜５ａを形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜５ａを可動板２１上に形成することができる。
【０２２０】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］等、各種遷移金属元素を含んだアミド系、アセチルアセトネート系、アルコキシ系、シリコンを含むシリル系、カルボキシル基をもつカルボニル系のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜５ａを確実に形成することができる。
【０２２１】
また、本実施形態では、ガス供給手段４７０を動作させることにより、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、可動板２１上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜５ａを形成することができる。
【０２２２】
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜５ａを成膜することができる。
以上のように、接合膜５ａを成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜５ａを成膜することができる。
【０２２３】
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜５ａに残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、接合膜５ａを成膜することができる。
以上のような本実施形態にかかるアクチュエータ１においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【０２２４】
以上、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、アクチュエータおよび画像形成装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
また、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【０２２５】
また、前記第４実施形態のアクチュエータは、前記第３実施形態のように、各駆動板にそれぞれ２つの軟磁性体が接合された構成であってもよい。
また、前記第４実施形態では、可動板にも磁性体が配置されていてもよい。
また、接合膜は、それを成膜する際、可動板および磁性体のうちの可動板に成膜されるが、これに限定されず、例えば、可動板および磁性体の双方に成膜されていてもよいし、コイルに成膜されていてもよい。
【０２２６】
また、アクチュエータは、可動板がその面と平行な１つの回動軸（第１の回動軸）回りに回動するよう構成されているが、これに限定されず、さらに、可動板の面と平行であり、かつ、前記第１の回動軸と直交する第２の回動軸回りにも回動するよう構成されていてもよい。
また、可動板や駆動板の平面視での形状は、長方形であるが、これに限定されず、例えば、正方形、六角形、円形、楕円形、長円形等であってもよい。
【０２２７】
また、前記第３実施形態では、アクチュエータは、可動板に２つの軟磁性体が接合された構成となっているが、これに限定されず、例えば、可動板に２つの磁石が接合された構成となっていてもよい。
また、コイルは、平面的に巻回されたものに限定されず、例えば、立体的に（基体の厚さ方向の軸回りに）巻回されたものであってもよい。
また、通電によって磁界が発生する導体は、円形電流が生じるもの（コイル）に限定されず、直線電流が生じるものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０２２８】
【図１】本発明のアクチュエータの第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示すアクチュエータの平面図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図１に示すアクチュエータにおける接合膜のエネルギ付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図５】図１に示すアクチュエータにおける接合膜のエネルギ付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図６】図１に示すアクチュエータの製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図７】図１に示すアクチュエータの製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図８】図１に示すアクチュエータの製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図９】図１に示すアクチュエータにおける接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す図である。
【図１０】本発明のアクチュエータの第２実施形態を示す横断面図である。
【図１１】本発明のアクチュエータの第３実施形態を示す平面図である。
【図１２】図１１中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１３】本発明のアクチュエータの第４実施形態を示す平面図である。
【図１４】図１３中のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１５】本発明のアクチュエータの第５実施形態を示す横断面図である。
【図１６】本発明のアクチュエータ（第６実施形態）における接合膜のエネルギ付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図１７】本発明のアクチュエータ（第６実施形態）における接合膜のエネルギ付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図１８】接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１９】図１８に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図２０】接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図２１】本発明の画像形成装置（プリンタ）の一例を示す全体構成の模式的断面図である。
【図２２】図２１に示す画像形成装置に備えられた露光ユニットの概略構成を示す図である。
【図２３】本発明の画像形成装置（イメージングディスプレイ）の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【０２２９】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ…アクチュエータ ２…基体 ２’…母材 ２０…振動系（振動部） ２１…可動板 ２１１…光反射部（ミラー） ２１２…永久磁石（磁石） ２１２ａ、２１２ｂ…軟磁性体 ２１３…軟磁性体 ２１４…ヨーク ２１５…回動軸 ２２、２３…軸部材 ２４…支持部 ２４３…開口部 ２５ａ、２５ｂ…駆動板 ３…支持体 ３１…枠状体 ３１’…母材 ３１１…開口部 ３２…基板 ４、４ａ、４ｂ…コイル（導体） ５ａ、５ｂ、５’、６ａ、６ｂ、６’…接合膜 ５１…表面 １１０、１１９…画像形成装置 １１１…感光体 １１２…帯電ユニット １１３…露光ユニット １１４…現像ユニット １１５…転写ユニット １１６…クリーニングユニット １１７…給紙トレイ １１８…定着装置 １３１…レーザ光源 １３２…コリメータレンズ １３３…ｆθレンズ １４１、１４２、１４３、１４４…現像装置 １４５…保持体 １４６…軸 １５１…中間転写ベルト １５２…一次転写ローラ １５３…従動ローラ １５４…駆動ローラ １５５…二次転写ローラ １６１…クリーニングブレード １７１…給紙ローラ １７２…レジローラ １７３…排紙ローラ対 １７４、１７６…搬送ローラ対 １７５…搬送路 １９１、１９２、１９３…光源 １９４…クロスダイクロイックプリズム １９５…ガルバノミラー １９６…固定ミラー １９７…スクリーン ３０１…Ｓｉ骨格 ３０２…シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合 ３０３…脱離基 ３０４…活性手 ４００…成膜装置 ４１１…チャンバー ４１２…基板ホルダー ４２１…シャッター ４３０…排気手段 ４３１…排気ライン ４３２…ポンプ ４３３…バルブ ４６０…有機金属材料供給手段 ４６１…ガス供給ライン ４６２…貯留槽 ４６３…バルブ ４６４…ポンプ ４６５…ガスボンベ ４７０…ガス供給手段 ４７１…ガス供給ライン ４７３…バルブ ４７４…ポンプ ４７５…ガスボンベ ８００…成膜装置 ８１１…チャンバー ８１２…基板ホルダー ８１５…イオン源 ８１６…ターゲット ８１７…ターゲットホルダー ８１９…ガス供給源 ８２０…第１のシャッター ８２１…第２のシャッター ８３０…排気手段 ８３１…排気ライン ８３２…ポンプ ８３３…バルブ ８５０…開口 ８５３、８５４…グリッド ８５５…磁石 ８５６…イオン発生室 ８５７…フィラメント ８６０…ガス供給手段 ８６１…ガス供給ライン ８６２…ポンプ ８６３…バルブ ８６４…ガスボンベ ９００…プラズマ重合装置 ９０１…チャンバー ９０２…接地線 ９０３…供給口 ９０４…排気口 ９３０…第１の電極 ９３９…静電チャック ９４０…第２の電極 ９７０…排気ポンプ ９７１…圧力制御機構 ９８０…電源回路 ９８２…高周波電源 ９８３…マッチングボックス ９８４…配線 ９９０…ガス供給部 ９９１…貯液部 ９９２…気化装置 ９９３…ガスボンベ ９９４…配管 ９９５…拡散板 Ｂ…イオンビーム Ｌ…レーザ光 Ｐ…記録媒体 Ｙ…軸線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクチュエータおよび画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回動軸とその回動軸の外周側に設置された永久磁石とで構成された可動子と、永久磁石を回動軸の周方向に囲むように配置されたコイルとを有する、電磁駆動式のアクチュエータが知られている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に記載のアクチュエータは、コイルに通電した際、そのコイル付近に磁界が発生してコイルと永久磁石との間に斥力または引力が生じ、その力によって、可動子を回動軸回りに回動させるよう構成されている。
【０００３】
ところで、このアクチュエータの可動子では、回動軸と永久磁石とは、これらを接着剤（例えば、感光性接着剤や弾性接着剤）で接着することによって組み立てられている。
しかしながら、回動軸と永久磁石との間に接着剤を供給する際に、接着剤の供給量を厳密に制御することは極めて困難である。このため、供給する接着剤の量を均一にすることができず、回動軸と永久磁石との距離が不均一になる、すなわち、寸法精度が悪くなると言う問題が生じる。また、アクチュエータが設置される（使用される）環境によっては、接着剤に変質・劣化が生じる。このため、接合強度が低下するという問題もある。
一方、部材同士を固体接合法によって接合する方法も知られている。この固体接合は、接着剤等の接着層を介在させることなく、部材同士を直接接合する方法であり、例えば、シリコン直接接合法、陽極接合法等の方法が知られている。
【０００４】
ところが、固体接合には、以下に記載するような、アクチュエータを設計する際における制限（問題）が生じる。
・接合可能な部材の材質が限られる。
・接合プロセスにおいて高温（例えば、７００〜８００℃程度）での熱処理を伴うため、部材の材質によっては、当該部材に変形が生じるおそれがある。
・接合プロセスにおける雰囲気が減圧雰囲気に限られる。
・一部の領域を部分的に接合することができない。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３０４４６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、振動部と磁性体とを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部と磁性体とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータ、および、かかるアクチュエータを有する画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のアクチュエータは、板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記可動板を前記軸回りに回動させる駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、通電により磁界を発生させる導体と、前記導体の近傍に該導体から離間して配置され、前記導体で発生した磁界から力を受ける少なくとも１つの磁性体とを有し、
前記磁性体は、前記振動部に接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記磁性体とを接合していることを特徴とする。
これにより、振動部と磁性体とを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部と磁性体とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータが得られる。
【０００８】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％であることが好ましい。
これにより、接合膜は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜自体がより強固なものとなる。このため、接合膜は、振動部および磁性体に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【０００９】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、振動部と磁性体とをより強固に接合することができるようになる。
本発明のアクチュエータでは、前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下であることが好ましい。
これにより、Ｓｉ骨格は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、Ｓｉ骨格の特性が顕在化し、接合膜の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００１０】
本発明のアクチュエータでは、前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものであることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、接合膜の接着性をより高度なものとすることができる。
【００１１】
本発明のアクチュエータでは、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基は化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を含む接合膜は、耐候性（使用される環境に対して）に優れたものとなる。
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜は緻密で均質なものとなる。そして、振動部と磁性体とを特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で作製された接合膜は、エネルギが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、アクチュエータの製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００１２】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜自体が優れた機械的特性を有するものとなる。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示す接合膜が得られる。したがって、この接合膜により、振動部と磁性体とをより強固に接合することができる。また、非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行える接合膜となる。さらに、接合膜が優れた撥液性を示すため、耐久性に優れた信頼性の高いアクチュエータが得られる。
【００１３】
本発明のアクチュエータでは、前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、接着性に特に優れる接合膜が得られる。
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、振動部と磁性体との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
【００１４】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものであることが好ましい。
これにより、従来に比べて寸法精度が格段に高いアクチュエータが得られる。また、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
本発明のアクチュエータでは、前記振動部の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、振動部と接合膜との間の接合強度をより高めることができ、ひいては、振動部と磁性体との接合強度を高めることができる。
【００１５】
本発明のアクチュエータでは、前記磁性体の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、磁性体と接合膜との間の接合強度をより高めることができ、ひいては、振動部と磁性体との接合強度を高めることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、接合膜を形成するために、振動部または磁性体の表面を特に最適化することができる。
【００１６】
本発明のアクチュエータでは、前記振動部と前記接合膜との間に、中間層を有することが好ましい。
これにより、振動部と接合膜との間の接合強度が高まる。
本発明のアクチュエータでは、前記磁性体と前記接合膜との間に、中間層を有することが好ましい。
これにより、磁性体と接合膜との間の接合強度が高まる。
【００１７】
本発明のアクチュエータでは、前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、振動部と接合膜との間、および、磁性体と接合膜との間において、それぞれ接合強度を高めることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記エネルギの付与は、前記接合膜にエネルギ線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギを付与することができる。
【００１８】
本発明のアクチュエータでは、前記エネルギ線は、波長１５０〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、付与されるエネルギ量が最適化されるので、接合膜中のＳｉ骨格が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格と脱離基との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。
【００１９】
本発明のアクチュエータでは、前記加熱の温度は、２５〜１００℃であることが好ましい。
これにより、振動部または磁性体等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜を確実に活性化させることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、振動部または磁性体に損傷等が生じるのを避けつつ、単に圧縮するのみで、接合膜に十分な接着性を発現させることができる。
【００２０】
本発明のアクチュエータは、板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記可動板を前記軸回りに回動させる駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、通電により磁界を発生させる導体と、前記導体の近傍に該導体から離間して配置され、前記導体で発生した磁界から力を受ける少なくとも１つの磁性体とを有し、
前記磁性体は、前記振動部と接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記磁性体とを接合していることを特徴とする。
これにより、振動部と磁性体とを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部と磁性体とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータが得られる。
【００２１】
本発明のアクチュエータは、板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記可動板を前記軸回りに回動させる駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、通電により磁界を発生させる導体と、前記導体の近傍に該導体から離間して配置され、前記導体で発生した磁界から力を受ける少なくとも１つの磁性体とを有し、
前記磁性体は、前記振動部と接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記磁性体とを接合していることを特徴とする。
これにより、振動部と磁性体とを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部と磁性体とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータが得られる。
【００２２】
本発明のアクチュエータでは、前記振動部は、シリコン材料を主材料として構成されていることが好ましい。
この材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高い振動部が得られる。このため、高精度のアクチュエータが得られる。
本発明のアクチュエータでは、前記磁性体は、永久磁石および軟磁性体材料のうちの少なくとも一方であることが好ましい。
これにより、磁性体は、導体に通電した際に当該導体付近に生じる磁界によって、力を受ける。よって、可動板が確実に回動する。
【００２３】
本発明のアクチュエータでは、前記各連結部は、それぞれ、棒状をなし、その一端部が前記可動板の縁部に連結された軸部材で構成されていることが好ましい。
これにより、可動板が各軸部材の捩れ変形を伴って回動する。
本発明のアクチュエータでは、前記磁性体は、前記可動板の片面に設置されていることが好ましい。
これにより、磁性体を設計する際の設計自由度を確保することができる。
【００２４】
本発明のアクチュエータでは、複数の前記磁性体が、前記可動板の回動軸を介して、対をなすように配置されていることが好ましい。
これにより、各磁性体は、それぞれ、導体に通電した際に当該導体付近に生じる磁界によって、力を受ける。よって、可動板が確実に回動する。
本発明のアクチュエータでは、前記各連結部は、それぞれ、棒状をなし、その一端部が前記可動板の縁部に連結された軸部材と、該軸部材の途中に設けられ、板状をなす駆動板とで構成されていることが好ましい。
これにより、可動板が各軸部材の捩れ変形を伴って回動し、その際の可動板に対する回動制御が容易となる。
【００２５】
本発明のアクチュエータでは、前記磁性体は、前記各駆動板の片面または両面に設置されていることが好ましい。
これにより、磁性体を設計する際の設計自由度を確保することができる。
本発明のアクチュエータでは、前記磁性体は、その前記接合膜に接合される部分が平面状をなしていることが好ましい。
これにより、磁性体の接合膜と接触する接触面積が比較的大きくなり、これに伴って、磁性体と接合膜との接合強度も高まる。
【００２６】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、平面視で前記磁性体を包含する領域に形成されていることが好ましい。
これにより、接合膜に磁性体を接合した際、その接合強度が比較的高くなり、また、接合工程で接合膜に対する磁性体の位置決めが行ない易くなり、よって、その作業性が向上する。
【００２７】
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、平面視で前記磁性体の外形形状と同じ形状となるように形成されていることが好ましい。
これにより、可動板が回動する際、接合膜による慣性の影響を抑制することができる。
本発明のアクチュエータでは、前記導体は、平面視で前記磁性体を包囲するリング状をなすものであることが好ましい。
これにより、磁性体は、導体に通電した際に当該導体付近に生じる磁界によって、力を受ける。よって、可動板が確実に回動する。
【００２８】
本発明のアクチュエータでは、前記導体は、コイル状をなすものであることが好ましい。
これにより、磁性体は、導体に通電した際に当該導体付近に生じる磁界によって、力を受ける。よって、可動板が確実に回動する。
本発明のアクチュエータでは、前記可動板に設けられ、光を反射する光反射部をさらに備えることが好ましい。
これにより、アクチュエータを光スキャナ、光アッテネータ、光スイッチ等の光学デバイスに適用することができる。
【００２９】
本発明のアクチュエータでは、前記光反射部で反射した光を走査する光スキャナであることが好ましい。
これにより、アクチュエータを光スキャナとして用いることができる。
本発明の画像形成装置は、本発明のアクチュエータと、
前記アクチュエータの前記可動板に向けて光を照射する光源とを備えることを特徴とする。
これにより、振動部と磁性体とを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部と磁性体とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータを有する画像形成装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明のアクチュエータの第１実施形態を示す斜視図、図２は、図１に示すアクチュエータの平面図、図３は、図２中のＡ−Ａ線断面図、図４は、図１に示すアクチュエータにおける接合膜のエネルギ付与前の状態を示す部分拡大図、図５は、図１に示すアクチュエータにおける接合膜のエネルギ付与後の状態を示す部分拡大図、図６〜図８は、それぞれ、図１に示すアクチュエータの製造方法（製造工程）を説明するための図、図９は、図１に示すアクチュエータにおける接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図１、図３、図６〜図９中（図１０、図１２、図１４も同様）の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００３１】
図１〜図３に示すように、アクチュエータ１は、基体２と、この基体２を下方から支持する支持体３と、基体２に設置された磁性体（本実施形態では、永久磁石（以下単に「磁石」と言う）２１２）と、支持体３に設置され、導電性を有するコイル（導体）４とを有している。以下、各部の構成について説明する。
図１に示すように、基体２は、板状をなす可動板２１と、可動部２１の外周側に配置された支持部２４と、可動板２１と支持部２４とを連結する一対の連結部としての軸部材２２、２３とを有している。
【００３２】
支持部２４は、可動板２１を囲むように枠状に形成されたもの、すなわち、内側に開口部２４３が形成され、当該開口部２４３に可動板２１が配置されたものである。この支持部２４は、平面視で長方形をなしている。
可動板２１は、本実施形態では平面視形状が長方形（四角形）をなし、その中心を通る、短辺と平行な（可動板２１の面と平行な）回動軸２１５回りに回動するものである。また、可動板２１は、図２に示す構成では、その短辺が支持部２４の長辺と平行となるように配されている。
【００３３】
可動板２１の上面には、光を反射する光反射部（ミラー）２１１が設けられている。これにより、アクチュエータ１を、光反射部２１１で反射した光を走査する光スキャナに適用することができる。また、光スキャナの他に光アッテネータ、光スイッチ等の光学デバイスにもアクチュエータ１を適用することができる。なお、本実施形態では、アクチュエータ１を光スキャナに適用した場合について述べる。
【００３４】
図１、図２に示すように、可動板２１は、その縁部が軸部材２２、２３を介して支持部２４の内側縁部に連結、支持されている。軸部材２２と軸部材２３とは、それぞれ棒状をなし、可動板２１を介して互いに対向して、当該可動板２１の回動軸２１５と同軸上に配置されている。すなわち、棒状をなす軸部材２２、２３は、それぞれ、内側の端部（一端部）が可動板２１の長辺の中央部に連結され、外側の端部（他端部）が支持部２４の各短辺側に位置する開口部２４３の縁部の中央部に連結されている。
アクチュエータ１では、可動板２１は、各軸部材２２、２３の捩れ変形を伴って、支持部２４に対して回動可能となっている。このように、アクチュエータ１では、可動板２１と１対の軸部材２２、２３とにより、１自由度の振動系（振動部）２０が構成されていると言うことができる。
【００３５】
なお、基体２を構成する材料としては、特に限定されないが、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンのようなシリコン材料、ステンレス鋼、チタン、アルミニウムのような金属材料が挙げられ、これらの中でも、特にシリコン材料であるのが好ましい。このような材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高い基体２が得られる。このため、高精度のアクチュエータ１が得られる。また、加工性に優れていることから、基体２の母材２’に対して例えばエッチングを施すことができ、よって、可動板２１と１対の軸部材２２、２３と支持部２４とを一体的に形成することができる。
【００３６】
図２、図３に示すように、可動板２１（振動部２０）の下面（片面）には、磁石２１２が接合膜５ａを介して接合されている。なお、接合膜５ａについては、後に詳述する。
磁石２１２は、棒磁石であり、その長手方向の長さが可動部２１の長辺の長さよりも短く、幅方向の長さが可動部２１の短辺の長さよりも短いものである。また、この磁石２１２は、その一端側（図２中上側）がＳ極、他端側（図２中下側）がＮ極となるように、すなわち、回動軸２１５に対して直行する方向に配置されている。
磁石２１２は、前述したように可動板２１の光反射部２１１とは反対側の面（下面）に設けられているため、設計上、光照射部２１１の存在による制限が低減され、よって、磁石２１２の設計の自由度が低下するのが抑制または防止される。
【００３７】
図３に示すように、磁石２１２は、その横断面形状が扁平形状（長方形）をなしている。これにより、磁石２１２の接合膜５ａに接合される部分が平面状をなし、よって、接合膜５ａと接触する接触面積が比較的大きくなり、これに伴って、磁石２１２と接合膜５ａとの接合強度も高まる。
なお、磁石２１２は、強磁性体を主材料として構成されており、この強磁性体材料としては、特に限定されないが、各種硬磁性体材料が好適に用いられる。各種硬磁性体材料は、一般的に金属酸化物系のものが多く、これらは、その表面に水酸基を有している。この水酸基により、接合膜５ａに対する親和性が高まる。このため、接合膜５ａと磁石２１２との接合強度が向上する。
【００３８】
基体２の下面には、接合膜５ｂを介して、支持体３が接合されている。この支持体３は、支持部２４の縁部に沿って枠状をなす枠状体３１と、枠状体３１の下面に接合膜６ａを介して接合された基板３２とで構成された積層構造をなすものである。なお、接合膜５ｂ、６ａについては、前記接合膜５ａとともに後に詳述する。
枠状体３１には、支持部２４の開口部２４３に連通する開口部３１１が形成されている。図２に示すように、開口部３１１は、平面視で、振動系２０を包含するように形成されている。この開口部３１１の内側の空間が、基体２の振動系２０の振動、すなわち可動板２１が回動（振動）する際に、支持体３（基板３２）に接触するのを防止する逃げ部を構成する。このような逃げ部を設けることにより、アクチュエータ１全体の大型化を防止しつつ、可動板２１の振れ角（振幅）をより大きく設定することができる。
また、基板３２は、枠状体３１の形状と対応するように形成されている。この基板３２によって、開口部３１１が下方から封止されている。
枠状体３１および基板３２の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、基体２と同様の材料を用いることができる。
【００３９】
図３に示すように、支持体３の基板３２の上面には、接合膜６ｂを介して、コイル４が接合されている。このようにコイル４が配置されていることにより、当該コイル４は、磁石２１２の近傍に振動系２０および磁石２１２から離間した状態となる。また、コイル４は、交流電圧を印加可能な電源回路（図示せず）に電気的に接続されている。
図２に示すように、コイル４は、平面視で磁石２１２を包囲する、すなわち、長方形をなす可動板２１の４辺に沿ったリング状をなしている。
【００４０】
アクチュエータ１では、前記電源回路によって、コイル４に電圧が印加され、コイル４が通電状態となる。このとき、コイル４付近に磁界が発生する。この磁界によって（磁界の方向にもよるが）、例えば、磁石２１２に、当該磁石２１２のＳ極がコイル４に接近する方向に引き付けられる力（引力）と、Ｎ極がコイル４から離間する方向に押し出される力（斥力）とが作用する。これにより、可動板２１が回動軸２１５回りに回動する。また、前記電源回路は、前述したように交流電圧を印加可能であるため、コイル４を流れる電流の向きが反転した際、磁界の向きも反転する。これにより、前記とは逆の向きの力が磁石２１２に作用し、可動板２１が前記とは反対回りに回動する。このように、アクチュエータ１では、コイル４を流れる電流の方向が交互に切り換わるため、可動板２１は、図１中矢印方向に揺動する（振動する）。また、電圧の大きさを適宜変更することにより、可動板２１の回動角度を調整することができる。
【００４１】
なお、アクチュエータ１では、磁石２１２とコイル４とで、可動板２１を回動軸２１５回りに回動させる駆動手段が構成されていると言うことができる。
また、コイル４の構成材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、金属材料が挙げられ、そのうちの銅が好ましい。銅は、加工性に優れているため、例えば１枚の銅板（銅箔）や１本の銅線を加工して、コイル４を容易に作製することができる。また、銅は、比較的電気抵抗が小さい材料であるため、通電して用いられるコイル４に良好に適用することができ、通電した際にコイル４付近に磁界が確実に生じ、その磁界が磁石２１２にまで確実に及ぶ。
【００４２】
次に、接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂに共通して用いられる接合膜について説明する。なお、接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂの構成（特徴）は、ほぼ同一であるため、以下では、可動板２１と磁石２１２とを接合する接合膜５ａを代表的に説明する。
接合膜５ａのエネルギを付与する前の状態は、図４に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。
【００４３】
そして、この接合膜５ａにエネルギを付与すると、図５に示すように、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が生じる。これにより、接合膜５ａの表面に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜５ａにより、可動板２１と磁石２１２とが接合されている。
このような接合膜５ａは、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このため、可動板２１と磁石２１２との間の距離、すなわち、接合膜５ａの厚さを高い寸法精度で一定に保持することができ、可動板２１が安定して回動することができる。
【００４４】
また、接合膜５ａを用いて可動板２１と磁石２１２とを接合したことにより、従来、接着剤を用いて接合した場合に、接着剤がはみ出すといった問題が生じることが防止される。したがって、はみ出した接着剤を除去する手間も省略できるという利点もある。
さらに、接合膜５ａは、化学的に安定なＳｉ骨格３０１の作用により、耐熱性に優れている。このため、たとえアクチュエータ１が高温下に曝されたとしても、接合膜５ａの変質・劣化を確実に防止することができる。
【００４５】
また、このような接合膜５ａは、流動性を有しない固体状のものとなる。このため、従来の流動性を有する液状または粘液状の接着剤に比べて、接着層（接合膜５ａ）の厚さや形状がほとんど変化しない。このため、接合膜５ａを用いて製造されたアクチュエータ１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合を可能にするものである。
【００４６】
このような接合膜５ａとしては、特に、接合膜５ａを構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜５ａは、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜５ａ自体がより強固なものとなる。また、かかる接合膜５ａは、可動板２１および磁石２１２に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【００４７】
また、接合膜５ａ中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜５ａの安定性が高くなり、可動板２１と磁石２１２とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜５ａ中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜５ａの寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００４８】
また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜５ａに活性手３０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合しているものである必要がある。
【００４９】
かかる観点から、脱離基３０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜５ａの接着性をより高度なものとすることができる。
【００５０】
なお、上記のような各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【００５１】
これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜５ａは、耐候性に（アクチュエータ１が使用される環境に対して）優れたものとなる。
このような特徴を有する接合膜５ａの構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
【００５２】
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜５ａは、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜５ａは、可動板２１と磁石２１２とをより強固に接合することができる。
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。
【００５３】
なお、この撥水性（非接着性）は、主に、ポリオルガノシロキサン中に含まれたアルキル基による作用である。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜５ａは、エネルギを付与された領域に接着性が発現するとともに、エネルギを付与しなかった領域においては、前述したアルキル基による優れた撥液性が得られるという利点も有する。したがって、エネルギを付与する領域を制御することにより、接合膜５ａの可動板２１および磁石２１２に接触しない領域に、優れた撥液性を発現させることができる。その結果、例えば湿度が比較的高い場所でアクチュエータ１が使用された場合でも、当該アクチュエータ１（接合膜５ａ）は、耐久性（耐水性）に優れた信頼性の高いものとなっている。
【００５４】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜５ａは、接着性に特に優れることから、アクチュエータ１に対して特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【００５５】
また、接合膜５ａの平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜５ａの平均厚さを前記範囲内とすることにより、可動板２１と磁石２１２との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜５ａの平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜５ａの平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００５６】
さらに、接合膜５ａの平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜５ａにある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、可動板２１の接合面（接合膜５ａに隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜５ａを被着させることができる。その結果、接合膜５ａは、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、接合膜５ａが形成された可動板２１に磁石２１２を貼り合わせた際に、接合膜５ａの磁石２１２に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜５ａの厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜５ａの厚さをできるだけ厚くすればよい。
【００５７】
このような接合膜５ａは、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製した膜にエネルギを付与することによって作製することができるが、これらの中でも、エネルギ付与前の膜として、プラズマ重合法により作製された膜を用いるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、最終的に、緻密で均質な接合膜５ａを効率よく作製することができる。これにより、プラズマ重合法で作製された接合膜５ａは、可動板２１と磁石２１２とを特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で作製され、エネルギが付与される前の接合膜５ａは、エネルギが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持することができる。このため、アクチュエータ１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００５８】
なお、接合膜５ａは、平面視で磁石２１２を包含する領域に形成されている、すなわち、平面視での面積が磁石２１２の面積よりも大きく形成されているのが好ましい。これにより、接合膜５ａに磁石２１２を接合した際その接合強度が比較的高くなり、また、接合膜５ａに磁石２１２を接合する接合工程で接合膜５ａに対する磁石２１２の位置決めが行ない易くなり、よって、その作業性が向上する。
【００５９】
次に、一例として、基体２となる母材２’上に、プラズマ重合法により、接合膜５ａを作製して、母材２’（可動板２１）と磁石２１２とを接合する方法、およびこの方法を含むアクチュエータ１を作製する方法について説明する。プラズマ重合法は、例えば、強電界中に、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを供給することにより、原料ガス中の分子を重合させ、重合物を母材２’上に堆積させ、膜を得る方法である。
【００６０】
以下、接合膜５ａをプラズマ重合法にて形成する方法について詳述するが、まず、接合膜５ａの形成方法を説明するのに先立って、母材２’上にプラズマ重合法によって接合膜５ａを作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明し、その後、接合膜５ａの形成方法について説明する。
図９に示すプラズマ重合装置９００は、チャンバー９０１と、母材２’（基体２）を支持する第１の電極９３０と、第２の電極９４０と、各電極９３０、９４０間に高周波電圧を印加する電源回路９８０と、チャンバー９０１内にガスを供給するガス供給部９９０と、チャンバー９０１内のガスを排気する排気ポンプ９７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極９３０および第２の電極９４０がチャンバー９０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
チャンバー９０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
【００６１】
図９に示すチャンバー９０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
チャンバー９０１の図９中上方には供給口９０３が、下方には排気口９０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口９０３にはガス供給部９９０が接続され、排気口９０４には排気ポンプ９７０が接続されている。
【００６２】
なお、本実施形態では、チャンバー９０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線９０２を介して電気的に接地されている。
第１の電極９３０は、板状をなしており、母材２’を支持している。
この第１の電極９３０は、チャンバー９０１の側壁の内壁面に、水平方向に沿って設けられている。また、第１の電極９３０は、チャンバー９０１を介して電気的に接地されている。
【００６３】
第１の電極９３０の母材２’を支持する面には、静電チャック（吸着機構）９３９が設けられている。
この静電チャック９３９により、図９に示すように、母材２’を保持することができる。また、母材２’に多少の反りがあっても、静電チャック９３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で母材２’をプラズマ処理に供することができる。
【００６４】
第２の電極９４０は、母材２’を介して、第１の電極９３０と対向して設けられている。なお、第２の電極９４０は、チャンバー９０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極９４０には、配線９８４を介して高周波電源９８２が接続されている。また、配線９８４の途中には、マッチングボックス（整合器）９８３が設けられている。これらの配線９８４、高周波電源９８２およびマッチングボックス９８３により、電源回路９８０が構成されている。
【００６５】
このような電源回路９８０によれば、第１の電極９３０は接地されているので、第１の電極９３０と第２の電極９４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極９３０と第２の電極９４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
ガス供給部９９０は、チャンバー９０１内に所定のガスを供給するものである。
【００６６】
図９に示すガス供給部９９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部９９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置９９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ９９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー９０１の供給口９０３とが、それぞれ配管９９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口９０３からチャンバー９０１内に供給するように構成されている。
【００６７】
貯液部９９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置９００により、重合して母材２’の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置９９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー９０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
【００６８】
ガスボンベ９９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
また、チャンバー９０１内の供給口９０３の近傍には、拡散板９９５が設けられている。
拡散板９９５は、チャンバー９０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー９０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
【００６９】
排気ポンプ９７０は、チャンバー９０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー９０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による母材２’の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー９０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口９０４には、チャンバー９０１内の圧力を調整する圧力制御機構９７１が設けられている。これにより、チャンバー９０１内の圧力が、ガス供給部１６０の動作状況に応じて、適宜設定される。
【００７０】
次に、母材２’上に接合膜５ａを形成する方法について説明する。
［１］
まず、基体２を製作するための母材として、母材２’を用意する。母材２’は、後述する工程において加工を施すことにより、基体２になり得るものである。この母材２’をプラズマ重合装置９００のチャンバー９０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ９７０の作動により、チャンバー９０１内を減圧状態とする。
【００７１】
次に、ガス供給部９９０を作動させ、チャンバー９０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー９０１内に充填される。
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
【００７２】
次いで、電源回路９８０を作動させ、一対の電極９３０、９４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極９３０、９４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が母材２’上に付着・堆積する。これにより、図６（ａ）に示すように、母材２’上にプラズマ重合膜で構成された接合膜５’が形成される。この接合膜５’は、後述する工程において加工を施すことにより、一部が接合膜５ａ、５ｂとなり得るものである。
【００７３】
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜５’は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
【００７４】
プラズマ重合の際、一対の電極９３０、９４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【００７５】
また、成膜時のチャンバー９０１内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【００７６】
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜５’（接合膜５ａ）の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜５’の厚さを容易に調整することができる。このため、従来は、接着剤を用いて可動板２１と磁石２１２とを接着した場合、接着剤の厚さを厳密に制御することができなかったが、接合膜５’によれば、当該接合膜５’の厚さを厳密に制御することができるので、可動板２１と磁石２１２との距離を厳密に制御することができる。
また、母材２’の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のようにして、接合膜５’を得ることができる。
【００７７】
［２］
次に、接合膜５’が形成された母材２’を一旦チャンバー９０１内から取り出す。そして、図６（ｂ）に示すように、この母材２’に開口部２４３を形成する。この開口部２４３が形成されることにより、母材２’は、振動系２０を有する基体２となる。なお、開口部２４３の形成は、ドライエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウエットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７８】
［３］
次に、開口部２４３が形成された母材２’を再度チャンバー９０１内に設置する。そして、接合膜５’に対してエネルギを付与する。
エネルギが付与されると、接合膜５’では、図４に示すように、脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、図５に示すように、接合膜５ａの表面５１および内部に活性手３０４が生じる。これにより、接合膜５’の表面５１に、磁石２１２との接着性が発現する。
【００７９】
ここで、接合膜５’に付与するエネルギは、いかなる方法で付与されてもよく、例えば、（Ｉ）接合膜５’にエネルギ線を照射する方法、（II）接合膜５’を加熱する方法、（III）接合膜５’に圧縮力を付与する（物理的エネルギを付与する）方法が代表的に挙げられ、この他、プラズマに曝す（プラズマエネルギを付与する）方法、オゾンガスに曝す（化学的エネルギを付与する）方法等が挙げられる。
このうち、接合膜５’にエネルギを付与する方法として、特に、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法のうち、少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜５’に対して比較的簡単に効率よくエネルギを付与することができるので、エネルギ付与方法として好適である。
【００８０】
以下、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法について詳述する。
（Ｉ）接合膜５’にエネルギ線を照射する場合、エネルギ線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等、またはこれらのエネルギ線を組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギ線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図６（ｃ）参照）。かかる紫外線によれば、付与されるエネルギ量が最適化されるので、接合膜５’中のＳｉ骨格３０１が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜５’の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜５’に接着性を発現させることができる。
【００８１】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１６０〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜５’の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜５’との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【００８２】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜５’の表面付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜５’の内部の脱離基３０３を多量に脱離させない程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜５’の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
【００８３】
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザ（フェムト秒レーザ）、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が挙げられる。
また、接合膜５’に対するエネルギ線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギ線の照射をより簡単に行うことができる。
このように、エネルギ線を照射する方法によれば、接合膜５’に対して選択的にエネルギを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギの付与による基体２の変質・劣化を防止することができる。
【００８４】
また、エネルギ線を照射する方法によれば、付与するエネルギの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜５’から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜５ａと磁石２１２との間の接合強度を容易に制御することができる。
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜５’の表面および内部に、より多くの活性手が生じるため、接合膜５’に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜５’の表面および内部に生じる活性手を少なくし、接合膜５’に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギの大きさを調整するためには、例えば、エネルギ線の種類、エネルギ線の出力、エネルギ線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギ線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギを付与することができるので、エネルギの付与をより効率よく行うことができる。
【００８５】
（II）接合膜５’を加熱する場合（図示せず）、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、基体２等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜５’を確実に活性化させることができる。
また、加熱時間は、接合膜５’の分子結合を切断し得る程度の時間であればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
【００８６】
また、接合膜５’は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種加熱方法で加熱することができる。
なお、基体２（可動板２１）と磁石２１２との熱膨張率がほぼ等しい場合には、上記のような条件で接合膜５’を加熱すればよいが、基体２と磁石２１２との熱膨張率が互いに異なっている場合には、後に詳述するが、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【００８７】
（III）本実施形態では、可動板２１と磁石２１２とを貼り合わせる前に、接合膜５’に対してエネルギを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギの付与は、可動板２１と磁石２１２とを重ね合わせた後に行われるようにしてもよい。すなわち、母材２’上に接合膜５’を形成して、さらに開口部２４３を形成した後、エネルギを付与する前に、接合膜５’（接合膜５ａ）と磁石２１２とが密着するように、可動板２１と磁石２１２とを重ね合わせて、仮接合体とする。そして、この仮接合体中の接合膜５ａに対してエネルギを付与することにより、接合膜５ａに接着性が発現し、接合膜５ａを介して可動板２１と磁石２１２とが接合（接着）される。
【００８８】
この場合、仮接合体中の接合膜５ａに対するエネルギの付与は、前述した（Ｉ）、（II）の方法でもよいが、接合膜５ａに圧縮力を付与する方法を用いてもよい。
この場合、可動板２１と磁石２１２とが互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、接合膜５ａに対して適度なエネルギを簡単に付与することができ、接合膜５ａに十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、可動板２１（基体２）および磁石２１２の各構成材料によっては、これらの部材に損傷等が生じるおそれがある。
【００８９】
また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
なお、仮接合体の状態では、可動板２１と磁石２１２との間が接合されていないので、これらの相対的な位置を容易に調整する（ずらす）ことができる。したがって、一旦、仮接合体を得た後、可動板２１と磁石２１２との相対位置を微調整することにより、最終的に得られるアクチュエータ１の組み立て精度（寸法精度）を確実に高めることができる。
【００９０】
以上のような（Ｉ）、（II）、（III）の各方法により、接合膜５’にエネルギを付与することができる。
なお、接合膜５’の全面にエネルギを付与するようにしてもよいが、一部の領域のみに付与するようにしてもよい。このようにすれば、接合膜５’の接着性が発現する領域を制御することができ、この領域の面積・形状等を適宜調整することによって、接合界面に発生する応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、基体２と磁石２１２の熱膨張率差が大きい場合でも、これらを確実に接合することができる。
【００９１】
ここで、前述したように、エネルギが付与される前の状態の接合膜５’は、図４に示すように、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３とを有している。かかる接合膜５’にエネルギが付与されると、脱離基３０３（本実施形態では、メチル基）がＳｉ骨格３０１から脱離する。これにより、図５に示すように、接合膜５ａの表面５１に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜５’の表面５１に接着性が発現する。
【００９２】
ここで、接合膜５ａを「活性化させる」とは、接合膜５’の表面５１および内部の脱離基３０３が脱離して、Ｓｉ骨格３０１において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態や、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。
【００９３】
したがって、活性手３０４とは、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４によれば、磁石２１２に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜５ａに対して大気雰囲気中でエネルギ線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成することができる。
【００９４】
［４］
次に、磁石２１２を用意する。そして、図６（ｄ）に示すように、この磁石２１２を前記接着性が発現してなる接合膜５’と密着するように、各部材同士を貼り合わせる。このとき、接合膜５’は、磁石２１２と接合した部分が接合膜５ａとなる。このような接合により、図６（ｄ）に示すように、可動板２１と磁石２１２とが、接合膜５ａを介して接合（接着）される。
【００９５】
ここで、上記のようにして接合される基体２（可動板２１）と磁石２１２の各熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。基体２と磁石２１２の熱膨張率がほぼ等しければ、これらを貼り合せた際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られるアクチュエータ１において、剥離等の不具合が発生するのを確実に防止することができる。
【００９６】
また、基体２および磁石２１２の各熱膨張率が互いに異なる場合でも、基体２と磁石２１２とを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化することにより、基体２と磁石２１２とを高い寸法精度で強固に接合することができる。
すなわち、基体２と磁石２１２の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【００９７】
具体的には、基体２と磁石２１２との熱膨張率差にもよるが、基体２と磁石２１２の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、基体２と磁石２１２とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、基体２と磁石２１２の熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、アクチュエータ１における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。
【００９８】
また、この場合、基体２と磁石２１２との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。なお、接合膜５ａ（接合膜５’）を用いることにより、上述したような低温下でも、可動板２１と磁石２１２とを強固に接合することができる。
また、基体２と磁石２１２は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、基体２と磁石２１２とをより強固に接合することができる。
【００９９】
なお、基体２の接合膜５ａ（接合膜５ｂも同様）を成膜する領域には、予め、接合膜５ａとの密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、基体２と接合膜５ａとの間の接合強度をより高めることができ、最終的には、基体２と磁石２１２との接合強度を高めることができる。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、基体２の接合膜５ａを成膜する領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。
【０１００】
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜５ａを形成するために、基体２の表面を特に最適化することができる。
なお、表面処理を施す基体２が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、基体２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜５ａの接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる基体２の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料を主材料とするものが挙げられる。
【０１０１】
このような材料で構成された基体２は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された基体２を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、基体２と接合膜５ａとを強固に密着させることができる。
【０１０２】
なお、この場合、基体２の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜５ａを成膜する領域の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。
さらに、基体２の接合膜５ａを成膜する領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、基体２と接合膜５ａとの接合強度を十分に高くすることができる。
【０１０３】
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うのが好ましい。
【０１０４】
また、表面処理に代えて、基体２の少なくとも接合膜５ａを成膜する領域には、予め、中間層を形成しておくのが好ましい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜５ａとの密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介して基体２上に接合膜５ａを成膜することにより、基体２と接合膜５ａとの接合強度を高め、信頼性の高い接合体、すなわちアクチュエータ１を得ることができる。
【０１０５】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０６】
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、基体２と接合膜５ａとの間の接合強度を特に高めることができる。
一方、磁石２１２の接合膜５ａと接触する領域にも、予め、接合膜５ａとの密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、磁石２１２と接合膜５ａとの間の接合強度をより高めることができる。
【０１０７】
なお、この表面処理には、基体２に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
また、表面処理に代えて、磁石２１２の接合膜５ａと接触する領域に、予め、接合膜５ａとの密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、磁石２１２と接合膜５ａとの間の接合強度をより高めることができる。
【０１０８】
かかる中間層の構成材料には、前述の基体２に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
ここで、本工程において、接合膜５ａを介して基体２と磁石２１２とが接合されるメカニズムについて説明する。
例えば、磁石２１２の基体２との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜５ａと磁石２１２とが接触するように、基体２と磁石２１２とを貼り合わせたとき、接合膜５ａの表面５１に存在する水酸基と、磁石２１２の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜５ａを介して基体２と磁石２１２とが接合されると推察される。
【０１０９】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜５ａと磁石２１２との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜５ａを介して基体２と磁石２１２とがより強固に接合されると推察される。
なお、前記工程［３］で活性化された接合膜５ａの表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［３］の終了後、できるだけ早く本工程［４］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［３］の終了後、６０分以内に本工程［４］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜５ａの表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜５ａを備える可動板２１と磁石２１２とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
このようにして接合された基体２と磁石２１２との間は、その接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度であれば、接合界面の剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、信頼性の高いアクチュエータ１が得られる。
【０１１０】
［５］
一方、図７（ｅ）に示すように、基板３２を用意し、この基板３２上に接合膜６’を形成する。この接合膜６’は、後述する工程において加工を施すことにより、接合膜６ａ、６ｂとなり得るものである。なお、接合膜６’の形成方法は、前述した接合膜５’の形成方法と同様である。
【０１１１】
［６］
次に、接合膜６’に対してエネルギを付与する。これにより、接合膜６’に、枠状体３１となる母材３１’との接着性が発現する。そして、接着性が発現してなる接合膜６’と母材３１’とが密着するように、母材３１’と基板３２を貼り合わせる。これにより、図７（ｆ）に示すように、母材３１’と基板３２とが、接合膜６’を介して接合（接着）される。なお、接合膜６’に対するエネルギの付与は、前述した接合膜５’に対するエネルギの付与方法と同様の方法で行うことができる。
【０１１２】
［７］
次に、図７（ｇ）に示すように、母材３１’に開口部３１１を形成する。開口部３１１の形成は、ドライエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウエットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
本工程により、母材３１’から枠状体３１が形成される。また、接合膜６’の枠状体３１と接合した部分が接合膜６ａとなる。
【０１１３】
［８］
次に、開口部３１１を介して露出した接合膜６’に対してエネルギを付与する。これにより、接合膜６’に接着性が発現する。なお、このエネルギの付与は、前述した接合膜５’に対するエネルギの付与方法と同様の方法で行うことができる。
そして、図７（ｈ）に示すように、コイル４を用意し、このコイル４を前記接着性が発現してなる接合膜６’と密着するように、各部材同士を貼り合わせる。このとき、接合膜６’は、磁石２１２と接合した部分が接合膜６ｂとなる。このような接合により、図７（ｈ）に示すように、基板３２とコイル４とが、接合膜６ｂを介して接合（接着）される。
【０１１４】
［９］
次に、図８（ｉ）に示すように、前記工程［４］で得られた（図６（ｄ）に示す状態の）基体２（構造体）を反転させ、前記工程［８］で得られた（図７（ｈ）に示す状態）支持体３に対向させる。この状態から、基体２を支持体３に接近させ、これらを接合する。これにより、接合膜６’の枠状体３１と接合した部分が接合膜６ｂとなり、当該接合膜６ｂを介して、基体２と支持体３とが接合する（図８（ｊ）参照）。
以上のような工程を経て、アクチュエータ１が製造される。
このような光スキャナ（アクチュエータ１）は、例えば、レーザプリンタ、イメージング用ディスプレイ、バーコードリーダー、走査型共焦点顕微鏡などの画像形成装置に好適に適用することができる。
【０１１５】
以下、本発明のアクチュエータを備えた画像形成装置の具体例を説明する。
まず、電子写真方式を採用するプリンタに本発明の画像形成装置を適用した例を説明する。
図２１は、本発明の画像形成装置（プリンタ）の一例を示す全体構成の模式的断面図、図２２は、図２１に示す画像形成装置に備えられた露光ユニットの概略構成を示す図である。
【０１１６】
図２１に示す画像形成装置１１０（プリンタ）は、露光・現像・転写・定着を含む一連の画像形成プロセスによって、トナーからなる画像を紙やＯＨＰシートなどの記録媒体Ｐに記録するものである。このような画像形成装置１１０は、図２１に示すように、図示矢印方向に回転する感光体１１１を有し、その回転方向に沿って順次、帯電ユニット１１２、露光ユニット１１３、現像ユニット１１４、転写ユニット１１５、クリーニングユニット１１６が配設されている。また、画像形成装置１１０は、図２１中下部に、紙などの記録媒体Ｐを収容する給紙トレイ１１７が設けられ、上部に、定着装置１１８が設けられている。
【０１１７】
このような画像形成装置１１０では、まず、図示しないホストコンピュータからの指令により、感光体１１１、現像ユニット１１４に設けられた現像ローラ（図示せず）、および中間転写ベルト１５１が回転を開始する。そして、感光体１１１は、回転しながら、帯電ユニット１１２により順次帯電される。
感光体１１１の帯電された領域は、感光体１１１の回転に伴って露光位置に至り、露光ユニット１１３によって、第１色目、例えばイエローＹの画像情報に応じた潜像が前記領域に形成される。
【０１１８】
感光体１１１上に形成された潜像は、感光体１１１の回転に伴って現像位置に至り、イエロー現像のための現像装置１４４によってイエロートナーで現像される。これにより、感光体１１１上にイエロートナー像が形成される。このとき、現像ユニット１１４は、現像装置１４４が選択的に前記現像位置にて感光体１１１と対向している。なお、この選択は、保持体１４５の軸１４６回りの回転により、現像装置１４１、１４２、１４３、１４４の相対位置関係を維持しつつそれぞれの位置を変えることで行う。
【０１１９】
感光体１１１上に形成されたイエロートナー像は、感光体１１１の回転に伴って一次転写位置（すなわち、感光体１１１と一次転写ローラ１５２との対向部）に至り、一次転写ローラ１５２によって、中間転写ベルト１５１に転写（一次転写）される。このとき、一次転写ローラ１５２には、トナーの帯電極性とは逆の極性の一次転写電圧（一次転写バイアス）が印加される。なお、この間、二次転写ローラ１５５は、中間転写ベルト１５１から離間している。
【０１２０】
前述の処理と同様の処理が、第２色目、第３色目および第４色目について繰り返して実行されることにより、各画像信号に対応した各色のトナー像が、中間転写ベルト１５１に重なり合って転写される。これにより、中間転写ベルト１５１上にはフルカラートナー像が形成される。
一方、記録媒体Ｐは、給紙トレイ１１７から、給紙ローラ１７１、レジローラ１７２によって二次転写位置（すなわち、二次転写ローラ１５５と駆動ローラ１５４との対向部）へ搬送される。
【０１２１】
中間転写ベルト１５１上に形成されたフルカラートナー像は、中間転写ベルト１５１の回転に伴って二次転写位置に至り、二次転写ローラ１５５によって記録媒体Ｐに転写（二次転写）される。このとき、二次転写ローラ１５５は中間転写ベルト１５１に押圧されるとともに二次転写電圧（二次転写バイアス）が印加される。また、中間転写ベルト１５１は、駆動ローラ１５４を回転させることで一次転写ローラ１５２および従動ローラ１５３を従動回転させながら回転する。
【０１２２】
記録媒体Ｐに転写されたフルカラートナー像は、定着装置１１８によって加熱および加圧されて記録媒体Ｐに融着される。その後、片面プリントの場合には、記録媒体Ｐは、排紙ローラ対１７３によって画像形成装置１１０の外部へ排出される。
一方、感光体１１１は一次転写位置を経過した後に、クリーニングユニット１１６のクリーニングブレード１６１によって、その表面に付着しているトナーが掻き落とされ、次の潜像を形成するための帯電に備える。掻き落とされたトナーは、クリーニングユニット１１６内の残存トナー回収部に回収される。
【０１２３】
両面プリントの場合には、定着装置１１８によって一方の面に定着処理された記録媒体Ｐを一旦排紙ローラ対１７３により挟持した後に、排紙ローラ対１７３を反転駆動するとともに、搬送ローラ対１７４、１７６を駆動して、当該記録媒体Ｐを搬送路１７５を通じて表裏反転して二次転写位置へ帰還させ、前述と同様の動作により、記録媒体Ｐの他方の面に画像を形成する。
【０１２４】
このような画像形成装置に備えられた露光ユニット１１３は、図示しないパーソナルコンピュータなどのホストコンピュータから画像情報を受けこれに応じて、一様に帯電された感光体１１１上に、レーザを選択的に照射することによって、静電的な潜像を形成する装置である。
より具体的に説明すると、図２２に示すように、露光ユニット１１３は、光スキャナであるアクチュエータ１と、アクチュエータ１の光反射部２１１に向けてレーザ光Ｌを照射するレーザ光源（光源）１３１と、コリメータレンズ１３２と、ｆθレンズ１３３とを有している。
【０１２５】
露光ユニット１１３では、レーザ光源１３１からコリメータレンズ１３２を介してアクチュエータ１（光反射部２１１）にレーザ光Ｌが照射される。そして、光反射部２１１で反射したレーザ光Ｌがｆθレンズ１３３を介して感光体１１１上に照射される。
その際、アクチュエータ１の駆動（可動板２１の回動軸２１５回りの回動）により、光反射部２１１で反射した光（レーザＬ）は、感光体１１１の軸線方向に走査（主走査）される。一方、感光体１１１の回転により、光反射部２１１で反射した光（レーザＬ）は、感光体１１１の周方向に走査（副走査）される。また、レーザ光源１３１から出力されるレーザ光Ｌの強度は、図示しないホストコンピュータから受けた画像情報に応じて変化する。
このようにして露光ユニット１１３は、感光体１１１上を選択的に露光して画像形成（描画）を行う。
【０１２６】
次に、イメージング用ディスプレイ（表示装置）に本発明の画像形成装置を適用した例を説明する。
図２３は、本発明の画像形成装置（イメージングディスプレイ）の一例を示す概略図である。
図２３に示す画像形成装置１１９は、光スキャナであるアクチュエータ１と、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の光を照射する光源１９１、１９２、１９３と、クロスダイクロイックプリズム（Ｘプリズム）１９４と、ガルバノミラー１９５と、固定ミラー１９６と、スクリーン１９７とを備えている。
【０１２７】
このような画像形成装置１１９では、光源１９１、１９２、１９３からクロスダイクロイックプリズム１９４を介してアクチュエータ１（光反射部２１１）に各色の光が照射される。このとき、光源１９１からの赤色の光と、光源１９２からの緑色の光と、光源１９３からの青色の光とが、クロスダイクロイックプリズム１９４にて合成される。
そして、可動部２１の光反射部２１１で反射した光（３色の合成光）は、ガルバノミラー１９５で反射した後に、固定ミラー１９６で反射し、スクリーン１９７上に照射される。
【０１２８】
その際、アクチュエータ１の駆動（可動板２１の回動軸２１５回りの回動）により、光反射部２１１で反射した光は、スクリーン１９７の横方向に走査（主走査）される。一方、ガルバノミラー１９５の回動軸２１５と直交する軸線Ｙ回りの回転により、光反射部２１１で反射した光は、スクリーン１９７の縦方向に走査（副走査）される。また、各光源１９１、１９２、１９３から出力される光の強度は、図示しないホストコンピュータから受けた画像情報に応じて変化する。
このようにして画像形成装置１１９は、スクリーン１９７上に画像形成（描画）を行う。
【０１２９】
＜第２実施形態＞
図１０は、本発明のアクチュエータの第２実施形態を示す横断面図である。
以下、この図を参照して本発明のアクチュエータおよび画像形成装置の第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、接合膜の形成状態（形状）が異なること以外は前記第１実施形態と同様である。
【０１３０】
図１０に示すアクチュエータ１Ａでは、可動板２１と磁石２１２とを接合する接合膜５ａが平面視で磁石２１２の外形形状と同じ形状、すなわち、長方形となるように形成されたものとなっている。この接合膜５ａは、前記第１実施形態の接合膜５ａよりもその大きさや質量等が小さくなるため、可動板２１が回動する際、当該接合膜５ａによる慣性の影響を抑制することができる。
【０１３１】
なお、接合膜５ａの形成方法としては、特に限定されないが、例えば、磁石２１２の平面視での形状に対応する形状の窓部を有するマスクを用い、このマスク上から接合膜５ａを成膜する方法が挙げられる。
また、アクチュエータ１Ａでは、接合膜５ｂ、６ａが平面視で枠状体３１の外形形状と同じ形状（リング状）となるように形成され、接合膜６ｂが平面視でコイル４の外形形状と同じ形状（リング状）となるように形成されている。これらの接合膜５ｂ、６ａ、６ｂについても、接合膜５ａの形成方法と同様に成膜することができる。
【０１３２】
＜第３実施形態＞
図１１は、本発明のアクチュエータの第３実施形態を示す平面図、図１２は、図１１中のＢ−Ｂ線断面図である。
以下、これらの図を参照して本発明のアクチュエータの第３実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、磁性体の構成および設置箇所が異なること以外は前記第１実施形態と同様である。
【０１３３】
図１１、１２に示すアクチュエータ１Ｂでは、可動板２１の下面に２枚（一対）の軟磁性体２１２ａ、２１２ｂが接合膜５ａを介して接合されている。軟磁性体２１２ａと軟磁性体２１２ｂとは、可動板２１の回動軸２１５を介して対向配置されている、すなわち、可動板２１の回動軸２１５に関して対称的に配置されている。また、各軟磁性体２１２ａ、２１２ｂは、それぞれ、可動板２１の長手方向（図１１中上下方向）の端部付近に配置されている。このような各軟磁性体２１２ａ、２１２ｂは、それぞれ、平面視で長方形をなす板部材で構成されている。なお、各軟磁性体２１２ａ、２１２ｂは、それぞれ、軟磁性体材料を主材料として構成されており、その軟磁性体材料としては、特に限定されないが、例えば、Ｆｅ、各種Ｆｅ合金（ケイ素鉄、パーマロイ、アモルファス、センダストなど）、軟磁性フェライトなどが挙げられる。これらの軟磁性体材料は、一般的に表面に水酸基を有している。この水酸基により、接合膜５ａに対する親和性が高まる。このため、接合膜５ａと軟磁性体２１２ａ、２１２ｂとの接合強度が向上する。
【０１３４】
支持体３の基板３２には、コイル４ａ、４ｂが接合膜６ｂを介して接合されている。コイル４ａは、支持体３の基板３２の軟磁性体２１２ａに対応した位置（軟磁性体２１２ａの下方）に配置され、コイル４ｂは、支持体３の基板３２の軟磁性体２１２ｂに対応した位置（軟磁性体２１２ｂの下方）に配置されている（図１２参照）。また、コイル４ａは、平面視で軟磁性体２１２ａを包囲するリング状をなしており、これと同様に、コイル４ｂも、平面視で軟磁性体２１２ｂを包囲するリング状をなしている（図１１参照）。
【０１３５】
また、各コイル４ａ、４ｂには、直流電圧を印加可能な電源回路（図示せず）が接続されている。この電源回路は、スイッチを有し、そのスイッチの切り換えにより、コイル４ａおよび４ｂのうちの一方のコイルに電圧を印加している間は、他方のコイルには電圧を印加しないよう構成されている。
アクチュエータ１Ｂでは、前記電源回路によって、例えばコイル４ａおよび４ｂのうちのコイル４ａに電圧が印加された際、このコイル４ａが通電状態となる。このとき、コイル４ａ付近に磁界が発生する。この磁界は、軟磁性体２１２ａおよび２１２ｂのうち、コイル４ａに対して近位に配置された軟磁性体２１２ａに優先的に作用する。これにより、軟磁性体２１２ａに、コイル４ａに接近する方向に引き付けられる力（引力）が生じ、よって、可動板２１が回動軸２１５回りに回動する、すなわち、コイル４ａ側に傾斜する。また、電源回路のスイッチを切り換えた際、今度は、コイル４ｂに電圧が印加され、このコイル４ｂが通電状態となる。このとき、コイル４ｂ付近に磁界が発生する。これにより、前記とは逆に、軟磁性体２１２ｂに、コイル４ｂに接近する方向に引き付けられる力（引力）が生じる。これにより、可動板２１が前記とは逆方向に回動軸２１５回りに回動する、すなわち、コイル４ｂ側に傾斜する。このように、アクチュエータ１Ｂでは、電源回路のスイッチを切り換えることにより、可動板２１が揺動する（振動する）。また、電圧の大きさを適宜変更することにより、可動板２１の回動角度を調整することができる。
なお、軟磁性体は、一対設置されているのに限定されず、例えば、複数対設置されていてもよい。
【０１３６】
＜第４実施形態＞
図１３は、本発明のアクチュエータの第４実施形態を示す平面図、図１４は、図１３中のＣ−Ｃ線断面図である。
以下、これらの図を参照して本発明のアクチュエータの第４実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、可動板と支持部とを連結する連結部の構成と磁石（磁性体）の設置箇所とが異なること以外は前記第１実施形態と同様である。
【０１３７】
図１３に示すアクチュエータ１Ｃでは、可動板２１と支持部２４とを連結する２つの連結部のうちの一方（図１３中左側）の連結部は、軸部材２２と当該軸部材２２の途中に設けられた駆動板２５ａとで構成されており、他方（図１３中右側）の連結部は、軸部材２３と当該軸部材２２の途中に設けられた駆動板２５ｂとで構成されている。
軸部材２２、２３は、前記第１実施形態で説明した軸部材２２、２３と同様であるため、本実施形態ではその説明を省略する。
【０１３８】
駆動板２５ａ、２５ｂは、それぞれ、平面視で長方形（四角形）の板状をなす部位である。駆動板２５ａは、軸部材２２と一体的に形成されている。この駆動板２５ａの下面（片面）には、磁石２１２が接合膜５ａを介して、接合されている（図１４参照）。また、駆動板２５ｂは、軸部材２３と一体的に形成されている。この駆動板２５ｂの下面には、磁石２１２が接合膜５ａを介して、接合されている（図１４参照）。各磁石２１２は、それぞれ、その一端側（図１３中上側）がＳ極、他端側（図１３中下側）がＮ極となるように、すなわち、回動軸２１５に対して直行する方向に配置されている。
【０１３９】
支持体３の基板３２には、２つのコイル４が接合膜６ｂを介して接合されている。これらのコイル４のうち、一方のコイル４は、支持体３の基板３２の駆動板２５ａ側の磁石２１２に対応した位置（駆動板２５ａ側の磁石２１２の下方）に配置され、他方のコイル４は、支持体３の基板３２の駆動板２５ｂ側の磁石２１２に対応した位置（駆動板２５ｂ側の磁石２１２の下方）に配置されている（図１４参照）。また、各コイル４は、それぞれ、平面視で磁石２１２を包囲するリング状をなしている（図１３参照）。また、各コイル４は、交流電圧を印加可能な電源回路（図示せず）に電気的に接続されている。
【０１４０】
アクチュエータ１Ｃでは、前記電源回路によって、各コイル４に電圧が印加され、各コイル４が通電状態となる。このとき、各コイル４付近に磁界が発生する。この磁界によって（磁界の方向にもよるが）、例えば、各磁石２１２に、当該磁石２１２のＳ極がコイル４に接近する方向に引き付けられる力（引力）と、Ｎ極がコイル４から離間する方向に押し出される力（斥力）とが作用する。これにより、駆動板２５ａ、２５ｂが回動軸２１５回りに回動する。このような各駆動板２５ａ、２５ｂの回動が軸部材２２、２３を介して可動板２１に伝達されて、当該可動板２１が回動軸２１５回りに回動する。また、前記電源回路は、前述したように交流電圧を印加可能であるため、各コイル４を流れる電流の向きが反転した際、磁界の向きも反転する。これにより、前記とは逆の向きの力が各磁石２１２に作用し、可動板２１が前記とは反対回りに回動する。このように、アクチュエータ１Ｃでは、各コイル４を流れる電流の方向が交互に切り換わるため、可動板２１が揺動する（振動する）。
【０１４１】
また、電圧の大きさを適宜変更することにより、可動板２１の回動角度を調整することができる。また、各駆動板２５ａ、２５ｂは、それぞれ、可動板２１よりもその大きさが小さくなっている。これにより、各駆動板２５ａ、２５ｂをそれぞれ容易に回動させることができ、よって、可動板２１を効率的にかつ高精度に回動させることができる。なお、２つのコイル４に通電する際、これらのコイル４の通電方向は、互いに同方向となるように、すなわち、２つの磁石２１２に作用する力が互いに相殺しないように通電される。
また、磁石２１２は、駆動板２５ａ（駆動板２５ｂも同様）の下面に配置されているが、これに限定されず、例えば、駆動板２５ａの上面または両面に配置されていてもよい。
【０１４２】
＜第５実施形態＞
図１５は、本発明のアクチュエータの第５実施形態を示す横断面図である。なお、以下の説明では、図１５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、この図を参照して本発明のアクチュエータの第５実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、磁性体の構成が異なること以外は前記第４実施形態と同様である。
【０１４３】
図１５に示すアクチュエータ１Ｄは、各磁石２１２の周りには、ヨーク２１４がさらに設置された（配置された）構成となっている。各ヨーク２１４は、それぞれ、磁石２１２を囲むリング状をなし、接合膜５ａを介して、駆動板２５ａ（駆動板２５ｂも同様）に接合されている。このような各ヨーク２１４によって、当該ヨーク２１４に対応するコイル４に向かう磁路が形成される。これにより、各駆動板２５ａに対して、力（斥力、引力）が効率良く作用し、よって、可動板２１がより確実に回動する。
【０１４４】
＜第６実施形態＞
図１６は、本発明のアクチュエータ（第６実施形態）における接合膜のエネルギ付与前の状態を示す部分拡大図、図１７は、本発明のアクチュエータ（第６実施形態）における接合膜のエネルギ付与後の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図１６および図１７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１４５】
以下、これらの図を参照して本発明のアクチュエータの第６実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、各接合膜の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかるアクチュエータは、各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂがそれぞれエネルギ付与前の状態で、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである。換言すれば、エネルギ付与前の各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂは、それぞれ、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入した膜であると言うことができる。
【０１４６】
このような各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂは、エネルギが付与されると、脱離基３０３が金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂの少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂの表面に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。
【０１４７】
以下、本実施形態にかかる各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂについて説明するが、これらの構成は共通であるため、接合膜５ａを代表に説明する。
接合膜５ａは、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基３０３が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜５ａ自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られるアクチュエータ１においても、寸法精度が高いものが得られる。
【０１４８】
さらに、接合膜５ａは、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜５ａ）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜５ａを用いて得られたアクチュエータ１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１４９】
また、本発明では、接合膜５ａは、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、アクチュエータ１において、意図しない帯電を抑制または防止することができる。なお、接合膜（接合膜６ｂ）が導電性を有する場合、接合膜６ｂと当該接合膜６ｂに接合されるコイル４とは、これらの間に絶縁膜が介在し、絶縁されている。これにより、コイル４に通電した際に短絡が生じるのを防止することができる。前記絶縁膜は、コイル４を構成する素線の外周に形成されている。また、絶縁膜の構成材料としては、絶縁性を有していれば特に限定されないが、樹脂等が挙げられる。
また、接合膜５ａが導電性を有する場合、接合膜５ａの抵抗率は、構成材料の組成に応じて若干異なるものの、１×１０−３Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０−４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。
【０１５０】
なお、脱離基３０３は、少なくとも接合膜５ａの表面５１付近に存在していればよく、接合膜５ａのほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜５ａの表面５１付近に偏在していてもよい。なお、脱離基３０３が表面５１付近に偏在する構成とすることにより、接合膜５ａに金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜５ａに、接合を担う機能の他に、導電性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。換言すれば、脱離基３０３が、接合膜５ａの導電性や透光性等の特性を阻害してしまうのを確実に防止することができる。
以上のような接合膜５ａとしての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
【０１５１】
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜５ａを、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、接合膜５ａは、優れた導電性を発揮するものとなる。
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
【０１５２】
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
また、接合膜５ａ中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜５ａの安定性が高くなり、可動板２１と磁石２１２とをより強固に接合することができるようになる。
【０１５３】
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜５ａに活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギが付与されないときには、脱離しないよう接合膜５ａに確実に結合しているものが好適に選択される。
【０１５４】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、可動板２１と磁石２１２との接着性をより高度なものとすることができる。
【０１５５】
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜５ａは、耐候性に優れたものとなる。
【０１５６】
以上のことを考慮すると、接合膜５ａとしては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜５ａは、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜５ａは、可動板２１に対して特に強固に接着するとともに、磁石２１２に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、可動板２１と磁石２１２とを強固に接合することができる。
【０１５７】
また、接合膜５ａの平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜５ａの平均厚さを前記範囲内とすることにより、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、可動板２１と磁石２１２とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜５ａの平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜５ａの平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０１５８】
さらに、接合膜５ａの平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜５ａにある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、可動板２１の接合面（接合膜５ａを成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜５ａを被着させることができる。その結果、接合膜５ａは、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、可動板２１と磁石２１２とを貼り合わせた際に、接合膜５ａの磁石２１２に対する密着性を高めることができる。
【０１５９】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜５ａの厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜５ａの厚さをできるだけ厚くすればよい。
また、接合膜５ａは、磁性を有するものであるのが好ましい。これにより、磁石２１２との接合強度が向上する。
【０１６０】
以上説明したような接合膜５ａは、接合膜５ａのほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、脱離基３０３を接合膜５ａの表面５１付近に偏在させる場合には、例えば、Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【０１６１】
以下、ＡおよびＢの方法を用いて、可動板２１（母材２’）上に接合膜５ａ（接合膜５’）を成膜する場合について、詳述する。
＜Ａ＞ Ａの方法では、接合膜５ａは、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を可動板２１に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができる。このため、接合膜５ａのほぼ全体にわたって脱離基３０３を導入することができる。
【０１６２】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜５ａを効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜５ａは、磁石２１２に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜５ａは、エネルギが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、アクチュエータ１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【０１６３】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【０１６４】
以下、ＰＶＤ法により接合膜５ａを成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜５ａを成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜５ａの成膜方法を説明するのに先立って、可動板２１（母材２’）上にイオンビームスパッタリング法により接合膜５ａ（接合膜５’）を成膜する際に用いられる成膜装置８００について説明する。
【０１６５】
図１８は、本実施形態にかかる接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図１９は、図１８に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では、図１８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１８に示す成膜装置８００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜５ａの形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
【０１６６】
具体的には、成膜装置８００は、チャンバー（真空チャンバー）８１１と、このチャンバー８１１内に設置され、可動板２１（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）８１２と、チャンバー８１１内に設置され、チャンバー８１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）８１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）８１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）８１７とを有している。
【０１６７】
また、チャンバー８１１には、チャンバー８１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段８６０と、チャンバー８１１内の排気をして圧力を制御する排気手段８３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー８１２は、チャンバー８１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー８１２は、回動可能となっている。これにより、可動板２１上に接合膜５ａを均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【０１６８】
図１９に示すように、イオン源（イオン銃）８１５は、開口（照射口）８５０が形成されたイオン発生室８５６と、イオン発生室８５６内に設けられたフィラメント８５７と、グリッド８５３、８５４と、イオン発生室８５６の外側に設置された磁石８５５とを有している。
また、図１８に示すように、イオン発生室８５６には、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源８１９が接続されている。
【０１６９】
このイオン源８１５では、イオン発生室８５６内に、ガス供給源８１９からガスを供給した状態で、フィラメント８５７を通電加熱すると、フィラメント８５７から電子が放出され、放出された電子が磁石８５５の磁場によって運動し、イオン発生室８５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４との間の電圧勾配により、イオン発生室８５６内から引き出されるとともに加速され、開口８５０を介してイオンビームＢとしてイオン源８１５から放出（照射）される。
【０１７０】
イオン源８１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット８１６の表面に衝突し、ターゲット８１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット８１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置８００では、イオン源８１５は、その開口８５０がチャンバー８１１内に位置するように、チャンバー８１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源８１５は、チャンバー８１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー８１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置８００の小型化を図ることができる。
【０１７１】
また、イオン源８１５は、その開口８５０が、基板ホルダー８１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー８１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源８１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる。イオン源８１５を複数設置することにより、接合膜５ａの成膜速度をより速くすることができる。
【０１７２】
また、ターゲットホルダー８１７および基板ホルダー８１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター８２０および第２のシャッター８２１が配設されている。
これらシャッター８２０、８２１は、それぞれ、ターゲット８１６、可動板２１および接合膜５ａが、不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０１７３】
また、排気手段８３０は、ポンプ８３２と、ポンプ８３２とチャンバー８１１とを連通する排気ライン８３１と、排気ライン８３１の途中に設けられたバルブ８３３とで構成されており、チャンバー８１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段８６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ８６４と、ガスボンベ８６４からこのガスをチャンバー８１１に導くガス供給ライン８６１と、ガス供給ライン８６１の途中に設けられたポンプ８６２およびバルブ８６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー８１１内に供給し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置８００を用いて、以下のようにして接合膜５ａが形成される。
【０１７４】
ここでは、可動板２１上に接合膜５ａを成膜する方法について説明する。
まず、可動板２１（母材２’）を用意し、この可動板２１を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。
次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【０１７５】
さらに、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【０１７６】
次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１７７】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー８１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー８１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が可動板２１上に堆積することにより、接合膜５ａが形成される。
【０１７８】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜５ａに照射されるのがより確実に防止されて、接合膜５ａの成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、ほぼ全体にわたって脱離基３０３が存在する接合膜５ａを成膜することができる。
【０１７９】
＜Ｂ＞ 一方、Ｂの方法では、接合膜５ａは、上記のように、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜５ａを形成することができる。
【０１８０】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【０１８１】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、可動板２１上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１８２】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニーリング）する方法、Ｂ２：イオン・インプランテーション等が挙げられるが、中でも、特に、Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【０１８３】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理（アニーリング）することにより、接合膜５ａを得る場合を代表に説明する。
なお、Ｂの方法を用いて接合膜５ａの成膜する場合も、Ａの方法を用いて接合膜５ａを成膜する際に用いられる成膜装置８００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【０１８４】
［ｉ］ まず、可動板２１を用意する。そして、この可動板２１を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。
［ii］ 次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内を加熱する。チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１８５】
［iii］ 次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１８６】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、可動板２１上に堆積して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【０１８７】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜５ａに照射されるのがより確実に防止されて、接合膜５ａの成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【０１８８】
［iv］ 次に、第２のシャッター８２１を開いた状態で、第１のシャッター８２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内をさらに加熱する。チャンバー８１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程［v］において、可動板２１および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【０１８９】
［v］ 次に、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー８１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前記工程［iv］でチャンバー８１１内が加熱された状態で、チャンバー８１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜５ａが形成される。
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
【０１９０】
なお、チャンバー８１１内は、前記工程［ii］において、排気手段８３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程［ii］の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー８１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【０１９１】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【０１９２】
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー８１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面５１付近に脱離基３０３が偏在する接合膜５ａを成膜することができる。
以上のような本実施形態にかかるアクチュエータにおいても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【０１９３】
＜第７実施形態＞
次に、本発明のアクチュエータの第７実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、各接合膜の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかるアクチュエータは、各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂがそれぞれエネルギ付与前の状態で、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂは、エネルギが付与されると、脱離基３０３が各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂから脱離し、各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂの少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂの表面に、前記第２実施形態と同様の接着性が発現する。
【０１９４】
以下、本実施形態にかかる各接合膜５ａ、５ｂ、６ａ、６ｂについて説明するが、これらの構成は共通であるため、接合膜５ａを代表に説明する。
接合膜５ａは、可動板２１上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜５ａは、エネルギが付与されると、脱離基３０３の結合手が切れて接合膜５ａの少なくとも表面５１付近から脱離し、図１７に示すように、接合膜５ａの少なくとも表面５１付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜５ａの表面５１に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜５ａを備えた可動板２１は、磁石２１２に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。
【０１９５】
また、接合膜５ａは、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜５ａ自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られるアクチュエータ１においても、寸法精度が高いものが得られる。
このような接合膜５ａは、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜５ａ）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜５ａを用いて得られたアクチュエータ１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１９６】
また、本発明では、接合膜５ａは、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、アクチュエータ１において、意図しない帯電を抑制または防止することができる。なお、接合膜（接合膜６ｂ）が導電性を有する場合、接合膜６ｂと当該接合膜６ｂに接合されるコイル４とは、これらの間に絶縁膜が介在し、絶縁されている。これにより、コイル４に通電した際に短絡が生じるのを防止することができる。前記絶縁膜は、コイル４を構成する素線の外周に形成されている。また、絶縁膜の構成材料としては、絶縁性を有していれば特に限定されないが、樹脂等が挙げられる。
以上のような接合膜５ａとしての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
【０１９７】
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【０１９８】
ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜５ａに発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜５ａの導電性をより高めることができる。
【０１９９】
また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜５ａは、優れた導電性を発揮するものとなる。また、接合膜５ａを後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜５ａを成膜することができる。
【０２００】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜５ａから脱離することにより、接合膜５ａに活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギが付与されないときには、脱離しないよう接合膜５ａに確実に結合しているものが好適に選択される。
【０２０１】
具体的には、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜５ａの接着性をより高度なものとすることができる。
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜５ａは、耐候性に優れたものとなる。
【０２０２】
また、かかる構成の接合膜５ａにおいて、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜５ａの安定性が高くなり、可動板２１と磁石２１２とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜５ａを優れた導電性を発揮するものとすることができる。
【０２０３】
また、接合膜５ａの平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜５ａの平均厚さを前記範囲内とすることにより、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、可動板２１と磁石２１２とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜５ａの平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜５ａの平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０２０４】
さらに、接合膜５ａの平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜５ａにある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、可動板２１の接合面（接合膜５ａを成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜５ａを被着させることができる。その結果、接合膜５ａは、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、可動板２１と磁石２１２とを貼り合わせた際に、接合膜５ａの磁石２１２に対する密着性を高めることができる。
【０２０５】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜５ａの厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜５ａの厚さをできるだけ厚くすればよい。
また、接合膜５ａは、磁性を有するものであるのが好ましい。これにより、磁石２１２との接合強度が向上する。
【０２０６】
以上説明したような接合膜５ａは、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、IIａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体または表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜５ａを形成する方法、IIｂ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜５ａを形成する方法（積層させる方法あるいは、単原子層からなる接合層を形成）、IIｃ：金属原子と脱離基３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として適切な溶媒に溶解させスピンコート法などを用いて接合膜を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、IIｂの方法により接合膜５ａを成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜５ａを形成することができる。
【０２０７】
以下、IIｂの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜５ａを形成する方法により、接合膜５ａを得る場合を代表的に説明する。
まず、接合膜５ａの成膜方法を説明するのに先立って、接合膜５ａを成膜する際に用いられる成膜装置４００について説明する。
【０２０８】
図２０は、本実施形態において、接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図２０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図２０に示す成膜装置４００は、可動板２１（母材２’）に対する、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜５ａ（接合膜５’）の形成をチャンバー４１１内で行えるように構成されている。
【０２０９】
具体的には、成膜装置４００は、チャンバー（真空チャンバー）４１１と、このチャンバー４１１内に設置され、可動板２１（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）４１２と、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段４６０と、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段４７０と、チャンバー４１１内の排気をして圧力を制御する排気手段４３０と、基板ホルダー４１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０２１０】
基板ホルダー４１２は、本実施形態では、チャンバー４１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー４１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、可動板２１上に接合膜５ａを均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー４１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター４２１が配設されている。このシャッター４２１は、可動板２１および接合膜５ａが不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０２１１】
有機金属材料供給手段４６０は、チャンバー４１１に接続されている。この有機金属材料供給手段４６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽４６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ４６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４６１と、ガス供給ライン４６１の途中に設けられたポンプ４６４およびバルブ４６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段４６０では、貯留槽４６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ４６３を開放した状態で、ポンプ４６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ４６５から貯留槽４６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン４６１内を通過してチャンバー４１１内に供給されるようになっている。
【０２１２】
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
また、本実施形態では、ガス供給手段４７０がチャンバー４１１に接続されている。ガス供給手段４７０は、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ４７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４７１と、ガス供給ライン４７１の途中に設けられたポンプ４７４およびバルブ４７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段４７０では、バルブ４７３を開放した状態で、ポンプ４７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ４７５から、供給ライン４７１を介して、チャンバー４１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段４７０をかかる構成とすることにより、チャンバー４１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜５ａを成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜５ａが成膜される。
【０２１３】
チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス、一酸化窒素、一酸化二窒素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜５ａに過度の酸素原子が残存することなく、接合膜５ａを成膜することができる。その結果、この接合膜５ａは、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０２１４】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段４３０は、ポンプ４３２と、ポンプ４３２とチャンバー４１１とを連通する排気ライン４３１と、排気ライン４３１の途中に設けられたバルブ４３３とで構成されており、チャンバー４１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置４００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして可動板２１上に接合膜５ａが形成される。
【０２１５】
［ｉ］ まず、可動板２１（母材２’）を用意する。そして、この可動板２１を成膜装置４００のチャンバー４１１内に搬入し、基板ホルダー４１２に装着（セット）する。
［ii］ 次に、排気手段４３０を動作させ、すなわちポンプ４３２を作動させた状態でバルブ４３３を開くことにより、チャンバー４１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【０２１６】
また、ガス供給手段４７０を動作させ、すなわちポンプ４７４を作動させた状態でバルブ４７３を開くことにより、チャンバー４１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段４７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０２１７】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー４１２を加熱する。基板ホルダー４１２の温度は、形成する接合膜５ａの種類、すなわち、接合膜５ａを形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜６００℃程度であるのが好ましく、１００〜４５０℃程度であるのがより好ましく、２００〜３００℃程度であるのがさらに好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜５ａを成膜することができる。
【０２１８】
［iii］ 次に、シャッター４２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽４６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ４６４を動作させるとともに、バルブ４６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
【０２１９】
このように、前記工程［ii］で基板ホルダー４１２が加熱された状態で、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、可動板２１上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、可動板２１上に接合膜５ａを形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜５ａを可動板２１上に形成することができる。
【０２２０】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］等、各種遷移金属元素を含んだアミド系、アセチルアセトネート系、アルコキシ系、シリコンを含むシリル系、カルボキシル基をもつカルボニル系のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜５ａを確実に形成することができる。
【０２２１】
また、本実施形態では、ガス供給手段４７０を動作させることにより、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、可動板２１上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜５ａを形成することができる。
【０２２２】
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜５ａを成膜することができる。
以上のように、接合膜５ａを成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜５ａを成膜することができる。
【０２２３】
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜５ａに残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、接合膜５ａを成膜することができる。
以上のような本実施形態にかかるアクチュエータ１においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【０２２４】
以上、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、アクチュエータおよび画像形成装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
また、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【０２２５】
また、前記第４実施形態のアクチュエータは、前記第３実施形態のように、各駆動板にそれぞれ２つの軟磁性体が接合された構成であってもよい。
また、前記第４実施形態では、可動板にも磁性体が配置されていてもよい。
また、接合膜は、それを成膜する際、可動板および磁性体のうちの可動板に成膜されるが、これに限定されず、例えば、可動板および磁性体の双方に成膜されていてもよいし、コイルに成膜されていてもよい。
【０２２６】
また、アクチュエータは、可動板がその面と平行な１つの回動軸（第１の回動軸）回りに回動するよう構成されているが、これに限定されず、さらに、可動板の面と平行であり、かつ、前記第１の回動軸と直交する第２の回動軸回りにも回動するよう構成されていてもよい。
また、可動板や駆動板の平面視での形状は、長方形であるが、これに限定されず、例えば、正方形、六角形、円形、楕円形、長円形等であってもよい。
【０２２７】
また、前記第３実施形態では、アクチュエータは、可動板に２つの軟磁性体が接合された構成となっているが、これに限定されず、例えば、可動板に２つの磁石が接合された構成となっていてもよい。
また、コイルは、平面的に巻回されたものに限定されず、例えば、立体的に（基体の厚さ方向の軸回りに）巻回されたものであってもよい。
また、通電によって磁界が発生する導体は、円形電流が生じるもの（コイル）に限定されず、直線電流が生じるものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０２２８】
【図１】本発明のアクチュエータの第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示すアクチュエータの平面図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図１に示すアクチュエータにおける接合膜のエネルギ付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図５】図１に示すアクチュエータにおける接合膜のエネルギ付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図６】図１に示すアクチュエータの製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図７】図１に示すアクチュエータの製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図８】図１に示すアクチュエータの製造方法（製造工程）を説明するための図である。
【図９】図１に示すアクチュエータにおける接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す図である。
【図１０】本発明のアクチュエータの第２実施形態を示す横断面図である。
【図１１】本発明のアクチュエータの第３実施形態を示す平面図である。
【図１２】図１１中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１３】本発明のアクチュエータの第４実施形態を示す平面図である。
【図１４】図１３中のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１５】本発明のアクチュエータの第５実施形態を示す横断面図である。
【図１６】本発明のアクチュエータ（第６実施形態）における接合膜のエネルギ付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図１７】本発明のアクチュエータ（第６実施形態）における接合膜のエネルギ付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図１８】接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１９】図１８に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図２０】接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図２１】本発明の画像形成装置（プリンタ）の一例を示す全体構成の模式的断面図である。
【図２２】図２１に示す画像形成装置に備えられた露光ユニットの概略構成を示す図である。
【図２３】本発明の画像形成装置（イメージングディスプレイ）の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【０２２９】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ…アクチュエータ ２…基体 ２’…母材 ２０…振動系（振動部） ２１…可動板 ２１１…光反射部（ミラー） ２１２…永久磁石（磁石） ２１２ａ、２１２ｂ…軟磁性体 ２１３…軟磁性体 ２１４…ヨーク ２１５…回動軸 ２２、２３…軸部材 ２４…支持部 ２４３…開口部 ２５ａ、２５ｂ…駆動板 ３…支持体 ３１…枠状体 ３１’…母材 ３１１…開口部 ３２…基板 ４、４ａ、４ｂ…コイル（導体） ５ａ、５ｂ、５’、６ａ、６ｂ、６’…接合膜 ５１…表面 １１０、１１９…画像形成装置 １１１…感光体 １１２…帯電ユニット １１３…露光ユニット １１４…現像ユニット １１５…転写ユニット １１６…クリーニングユニット １１７…給紙トレイ １１８…定着装置 １３１…レーザ光源 １３２…コリメータレンズ １３３…ｆθレンズ １４１、１４２、１４３、１４４…現像装置 １４５…保持体 １４６…軸 １５１…中間転写ベルト １５２…一次転写ローラ １５３…従動ローラ １５４…駆動ローラ １５５…二次転写ローラ １６１…クリーニングブレード １７１…給紙ローラ １７２…レジローラ １７３…排紙ローラ対 １７４、１７６…搬送ローラ対 １７５…搬送路 １９１、１９２、１９３…光源 １９４…クロスダイクロイックプリズム １９５…ガルバノミラー １９６…固定ミラー １９７…スクリーン ３０１…Ｓｉ骨格 ３０２…シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合 ３０３…脱離基 ３０４…活性手 ４００…成膜装置 ４１１…チャンバー ４１２…基板ホルダー ４２１…シャッター ４３０…排気手段 ４３１…排気ライン ４３２…ポンプ ４３３…バルブ ４６０…有機金属材料供給手段 ４６１…ガス供給ライン ４６２…貯留槽 ４６３…バルブ ４６４…ポンプ ４６５…ガスボンベ ４７０…ガス供給手段 ４７１…ガス供給ライン ４７３…バルブ ４７４…ポンプ ４７５…ガスボンベ ８００…成膜装置 ８１１…チャンバー ８１２…基板ホルダー ８１５…イオン源 ８１６…ターゲット ８１７…ターゲットホルダー ８１９…ガス供給源 ８２０…第１のシャッター ８２１…第２のシャッター ８３０…排気手段 ８３１…排気ライン ８３２…ポンプ ８３３…バルブ ８５０…開口 ８５３、８５４…グリッド ８５５…磁石 ８５６…イオン発生室 ８５７…フィラメント ８６０…ガス供給手段 ８６１…ガス供給ライン ８６２…ポンプ ８６３…バルブ ８６４…ガスボンベ ９００…プラズマ重合装置 ９０１…チャンバー ９０２…接地線 ９０３…供給口 ９０４…排気口 ９３０…第１の電極 ９３９…静電チャック ９４０…第２の電極 ９７０…排気ポンプ ９７１…圧力制御機構 ９８０…電源回路 ９８２…高周波電源 ９８３…マッチングボックス ９８４…配線 ９９０…ガス供給部 ９９１…貯液部 ９９２…気化装置 ９９３…ガスボンベ ９９４…配管 ９９５…拡散板 Ｂ…イオンビーム Ｌ…レーザ光 Ｐ…記録媒体 Ｙ…軸線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記可動板を前記軸回りに回動させる駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、通電により磁界を発生させる導体と、前記導体の近傍に該導体から離間して配置され、前記導体で発生した磁界から力を受ける少なくとも１つの磁性体とを有し、
前記磁性体は、前記振動部に接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記磁性体とを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２】
前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％である請求項１に記載のアクチュエータ。
【請求項３】
前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１または２に記載のアクチュエータ。
【請求項４】
前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１ないし３のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項５】
前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項６】
前記脱離基は、アルキル基である請求項５に記載のアクチュエータ。
【請求項７】
前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項８】
前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項７に記載のアクチュエータ。
【請求項９】
前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものである請求項８に記載のアクチュエータ。
【請求項１０】
前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし９のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１１】
前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものである請求項１ないし１０のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１２】
前記振動部の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１１のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１３】
前記磁性体の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１２のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１４】
前記表面処理は、プラズマ処理である請求項１２または１３に記載のアクチュエータ。
【請求項１５】
前記振動部と前記接合膜との間に、中間層を有する請求項１ないし１４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１６】
前記磁性体と前記接合膜との間に、中間層を有する請求項１ないし１５のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１７】
前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されている請求項１５または１６に記載のアクチュエータ。
【請求項１８】
前記エネルギの付与は、前記接合膜にエネルギ線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし１７のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１９】
前記エネルギ線は、波長１５０〜３００ｎｍの紫外線である請求項１８に記載のアクチュエータ。
【請求項２０】
前記加熱の温度は、２５〜１００℃である請求項１８または１９に記載のアクチュエータ。
【請求項２１】
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項１８ないし２０のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２２】
板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記可動板を前記軸回りに回動させる駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、通電により磁界を発生させる導体と、前記導体の近傍に該導体から離間して配置され、前記導体で発生した磁界から力を受ける少なくとも１つの磁性体とを有し、
前記磁性体は、前記振動部と接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記磁性体とを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２３】
板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記可動板を前記軸回りに回動させる駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、通電により磁界を発生させる導体と、前記導体の近傍に該導体から離間して配置され、前記導体で発生した磁界から力を受ける少なくとも１つの磁性体とを有し、
前記磁性体は、前記振動部と接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記磁性体とを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２４】
前記振動部は、シリコン材料を主材料として構成されている請求項１ないし２３のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２５】
前記磁性体は、永久磁石および軟磁性体材料のうちの少なくとも一方である請求項１ないし２４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２６】
前記各連結部は、それぞれ、棒状をなし、その一端部が前記可動板の縁部に連結された軸部材で構成されている請求項１ないし２５のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２７】
前記磁性体は、前記可動板の片面に設置されている請求項２６に記載のアクチュエータ。
【請求項２８】
複数の前記磁性体が、前記可動板の回動軸を介して、対をなすように配置されている請求項２７に記載のアクチュエータ。
【請求項２９】
前記各連結部は、それぞれ、棒状をなし、その一端部が前記可動板の縁部に連結された軸部材と、該軸部材の途中に設けられ、板状をなす駆動板とで構成されている請求項１ないし２８のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３０】
前記磁性体は、前記各駆動板の片面または両面に設置されている請求項２９に記載のアクチュエータ。
【請求項３１】
前記磁性体は、その前記接合膜に接合される部分が平面状をなしている請求項１ないし３０のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３２】
前記接合膜は、平面視で前記磁性体を包含する領域に形成されている請求項１ないし３１のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３３】
前記接合膜は、平面視で前記磁性体の外形形状と同じ形状となるように形成されている請求項１ないし３１のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３４】
前記導体は、平面視で前記磁性体を包囲するリング状をなすものである請求項１ないし３３のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３５】
前記導体は、コイル状をなすものである請求項１ないし３４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３６】
前記可動板に設けられ、光を反射する光反射部をさらに備える請求項１ないし３５のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３７】
前記光反射部で反射した光を走査する光スキャナである請求項３６に記載のアクチュエータ。
【請求項３８】
請求項１ないし３７のいずれかに記載のアクチュエータと、
前記アクチュエータの前記可動板に向けて光を照射する光源とを備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１】
板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記可動板を前記軸回りに回動させる駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、通電により磁界を発生させる導体と、前記導体の近傍に該導体から離間して配置され、前記導体で発生した磁界から力を受ける少なくとも１つの磁性体とを有し、
前記磁性体は、前記振動部に接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記磁性体とを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２】
前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％である請求項１に記載のアクチュエータ。
【請求項３】
前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１または２に記載のアクチュエータ。
【請求項４】
前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１ないし３のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項５】
前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項６】
前記脱離基は、アルキル基である請求項５に記載のアクチュエータ。
【請求項７】
前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項８】
前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項７に記載のアクチュエータ。
【請求項９】
前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものである請求項８に記載のアクチュエータ。
【請求項１０】
前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし９のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１１】
前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものである請求項１ないし１０のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１２】
前記振動部の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１１のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１３】
前記磁性体の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１２のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１４】
前記表面処理は、プラズマ処理である請求項１２または１３に記載のアクチュエータ。
【請求項１５】
前記振動部と前記接合膜との間に、中間層を有する請求項１ないし１４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１６】
前記磁性体と前記接合膜との間に、中間層を有する請求項１ないし１５のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１７】
前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されている請求項１５または１６に記載のアクチュエータ。
【請求項１８】
前記エネルギの付与は、前記接合膜にエネルギ線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし１７のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１９】
前記エネルギ線は、波長１５０〜３００ｎｍの紫外線である請求項１８に記載のアクチュエータ。
【請求項２０】
前記加熱の温度は、２５〜１００℃である請求項１８または１９に記載のアクチュエータ。
【請求項２１】
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項１８ないし２０のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２２】
板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記可動板を前記軸回りに回動させる駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、通電により磁界を発生させる導体と、前記導体の近傍に該導体から離間して配置され、前記導体で発生した磁界から力を受ける少なくとも１つの磁性体とを有し、
前記磁性体は、前記振動部と接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記磁性体とを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２３】
板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記可動板を前記軸回りに回動させる駆動手段とを備え、
前記駆動手段は、通電により磁界を発生させる導体と、前記導体の近傍に該導体から離間して配置され、前記導体で発生した磁界から力を受ける少なくとも１つの磁性体とを有し、
前記磁性体は、前記振動部と接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記磁性体とを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２４】
前記振動部は、シリコン材料を主材料として構成されている請求項１ないし２３のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２５】
前記磁性体は、永久磁石および軟磁性体材料のうちの少なくとも一方である請求項１ないし２４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２６】
前記各連結部は、それぞれ、棒状をなし、その一端部が前記可動板の縁部に連結された軸部材で構成されている請求項１ないし２５のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項２７】
前記磁性体は、前記可動板の片面に設置されている請求項２６に記載のアクチュエータ。
【請求項２８】
複数の前記磁性体が、前記可動板の回動軸を介して、対をなすように配置されている請求項２７に記載のアクチュエータ。
【請求項２９】
前記各連結部は、それぞれ、棒状をなし、その一端部が前記可動板の縁部に連結された軸部材と、該軸部材の途中に設けられ、板状をなす駆動板とで構成されている請求項１ないし２８のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３０】
前記磁性体は、前記各駆動板の片面または両面に設置されている請求項２９に記載のアクチュエータ。
【請求項３１】
前記磁性体は、その前記接合膜に接合される部分が平面状をなしている請求項１ないし３０のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３２】
前記接合膜は、平面視で前記磁性体を包含する領域に形成されている請求項１ないし３１のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３３】
前記接合膜は、平面視で前記磁性体の外形形状と同じ形状となるように形成されている請求項１ないし３１のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３４】
前記導体は、平面視で前記磁性体を包囲するリング状をなすものである請求項１ないし３３のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３５】
前記導体は、コイル状をなすものである請求項１ないし３４のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３６】
前記可動板に設けられ、光を反射する光反射部をさらに備える請求項１ないし３５のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項３７】
前記光反射部で反射した光を走査する光スキャナである請求項３６に記載のアクチュエータ。
【請求項３８】
請求項１ないし３７のいずれかに記載のアクチュエータと、
前記アクチュエータの前記可動板に向けて光を照射する光源とを備えることを特徴とする画像形成装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２００９−１３４１９４（Ｐ２００９−１３４１９４Ａ）
【公開日】平成２１年６月１８日（２００９．６．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３１１７９３（Ｐ２００７−３１１７９３）
【出願日】平成１９年１１月３０日（２００７．１１．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月１８日（２００９．６．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１１月３０日（２００７．１１．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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