セルフバイアス電極を有するラテラルパワーデバイス
第1導電タイプのドリフト領域及び当該ドリフト領域内の第2導電タイプのウェル領域を含み、当該ウェル領域及び当該ドリフト領域の間でpn接合を形成する半導体パワートランジスタである。第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域が当該ウェル領域にありかつ第2ハイドープシリコン領域が当該ドリフト領域にある。当該第2ハイドープシリコン領域が当該ウェル領域から横方向に離間されており、導電状態において当該と連ジスたがバイアスするときに電流が当該ドリフト領域を介して第1と第2ハイドープシリコン領域の間を横方向に流れる。当該ドリフト領域内に当該電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチの各々が当該トレンチ側壁の少なくとも一部及び導電性電極の少なくとも1つをライニングする誘電層を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、米国仮出願番号第60/774,900号(出願日2006年2月16日)の利点を主張したものであり、当該出願の開示内容は全体として本明細書に含まれている。
【0002】
米国特許出願番号第10/269,126号(出願日2002年10月3日)及び米国特許出願番号10/951259号も全体として本明細書に含まれている。
【背景技術】
【0003】
本発明は半導体パワーデバイスに関し、特に集積されたセルフバイアス電極を有するラテラルパワーデバイスに関する。図1は従来のラテラルMOSFET100の断面図を示している。ライトドープされたNタイプドリフト領域104がハイドープされたNタイプ領域102上に伸長する。横方向に伸長しているNタイプのライトドープドレイン(LDD)によって互いに分けられているPタイプボディ領域106及びハイドープNタイプドレイン領域114は全てドリフト領域104内に形成される。ハイドープされたNタイプソース領域がボディ領域106に形成され、ヘビーボディ領域108がボディ領域106内に形成される。ゲート118がボディ領域106の表面上に伸長しかつソース領域110及びLDD領域112と重なる。ゲート118はその下の領域からゲート絶縁体116によって絶縁されている。ボディ領域のゲート118の真下の部分がMOSFETチャンネル領域120を形成する。
【0004】
動作中にオン状態においてMOSFET100がバイアスされたとき、電流はチャネル領域120及びLDD領域112を介してソース領域110からドレイン領域114に横方向に流れる。最も標準的なMOSFETと同様に、ラテラルMOSFET100の性能改善は高いブロッキング能力及び低いオン抵抗(Rdson)を達成する競争の終着点が限界である。LDD領域112が改善されたRdsonを生じる一方、この改善はトランジスタのブロッキング能力によって制限される。例えば、LDD領域112のドーピング濃度及びLDD領域112が伸長できる深さはトランジスタブレークダウン電圧によって厳しく制限される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
性能改善に対するこれらの障害は、ラテラルIGBT、ラテラルpnダイオード、ラテラルショットキーダイオードのようなその他のタイプのラテラルパワーデバイスにおいても存在する。従って、様々なタイプのラテラルパワーデバイスのブロック能力、オン抵抗及びその他の性能パラメータが改善されるような技術が必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の実施例によれば、半導体パワートランジスタが第1導電タイプのドリフト領域及び当該ドリフト領域内に第2導電タイプのウェル領域を有し、当該ウェル領域及びドリフト領域がそれらの間にpn接合を形成する。第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域が当該ウェル領域内にありかつ第2ハイドープシリコン領域が当該ドリフト領域内にある。当該第2ハイドープシリコン領域は当該ウェル領域から横方向に離間して存在し、導電状態においてトランジスタをバイアスするとき、電流は当該ドリフト領域を介して第1と第2ハイドープシリコン領域の間を横方向に流れる。当該ドリフト領域に当該電流方向と垂直に伸長するそれぞれの複数のトレンチは、当該トレンチの側壁の少なくとも一部及び少なくとも1つの導電性電極をライニングする誘電層を含む。
【0007】
本発明の他の実施例によれば、半導体ダイオードは第1導電タイプのドリフト領域及び当該ドリフト領域内の第2導電タイプのアノード領域を有し、当該アノード領域及び当該ドリフト領域がそれらの間でpn接合を形成する。第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域がドリフト領域内にありかつ当該アノード領域から横方向に離間されているので、導電状態において半導体パワーダイオードをバイアスするとき、電流はドリフト領域を介して当該アノード領域と当該第1ハイドープシリコン領域の間を横方向に流れる。当該ドリフト領域内に当該電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチの各々は、当該トレンチの側壁の少なくとも一部及び少なくとも1つの導電性電極をライニングする誘電層を含む。
【0008】
本発明の他の実施例によれば、ショットキーダイオードは第1導電タイプのドリフト領域及び当該ドリフト領域内に当該第1導電タイプのライトドープシリコン領域を有する。導電体層が当該ライトドープシリコン領域上に伸長しかつ接触してそれらの間にショットキー接合を形成する。前記ドリフト領域内の前記第1導電タイプのハイドープシリコン領域は当該ライトドープシリコン領域から横方向に離間されていて、導電状態において当該ショットキーダイオードをバイアスするとき、電流は当該ドリフト領域を介して当該ライトドープシリコン領域と当該ハイドープシリコン領域との間を横方向に流れる。当該ドリフト領域内に当該電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチの各々が、当該トレンチの側壁の少なくとも一部及び少なくとも1つの導電性電極をライニングする誘電層を含む。
【0009】
本発明のさらに他の実施例によれば、半導体トランジスタは以下のように製造される。ウェル領域がドリフト領域内に形成されてドリフト領域との間にpn接合が形成される。当該ドリフト領域は第1導電タイプでありかつ当該ウェル領域は第2導電タイプである。第2ハイドープシリコン領域が当該ドリフト領域内に形成される。当該第2ハイドープ領域は当該ウェル領域から横方向に離間されていて、導電状態において当該半導体トランジスタをバイアスするとき、電流は当該ドリフト領域を介して第1と第2のハイドープシリコン領域の間を横方向に流れる。当該ドリフト領域内に当該電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチが形成される。当該トレンチの側壁の少なくとも一部をライニングする誘電層が形成される。少なくとも1つの導電性電極が各々のトレンチ内に形成される。
【0010】
本発明の他の実施例によれば、半導体ダイオードは以下のように製造される。アノード領域がドリフト領域内に形成され、それらの間にpn接合が形成される。当該ドリフト領域は第1導電タイプでありかつ当該アノード領域は第2導電タイプである。当該第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域が当該ドリフト領域内に形成される。当該第1ハイドープシリコン領域は当該アノード領域から横方向に離間されていて、導電状態において当該半導体パワーダイオードをバイアスするとき、電流は当該ドリフト領域を介して当該アノード領域と当該第1ハイドープシリコン領域との間を横方向に流れる。
【0011】
本発明の他の実施例によれば、ショットキーダイオードは以下のように製造される。第1導電タイプのライトドープシリコン領域が当該第1導電タイプのドリフト領域内に形成される。当該ライトドープシリコン領域上に伸長しかつ接触する導電層が形成され、それらの間にショットキー接合を形成する。当該第1導電タイプのハイドープシリコン領域が当該ドリフト領域に形成される。当該ハイドープシリコン領域は当該ライトドープシリコン領域から横方向に離間されていて、導電状態において当該ショットキーダイオードをバイアスするとき、電流は当該ドリフト領域を介して当該ライトドープシリコン領域とハイドープシリコン領域の間を横方向に流れる。当該ドリフト領域内に当該電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチが形成される。当該トレンチの側壁の少なくとも一部をライニングする誘電層が形成される。少なくとも1つの導電性電極が各々のトレンチ内に形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
本発明によれば、セルフバイアス電極が様々なラテラルパワーデバイス内に集積されて、これらのデバイスのブロッキング層内の電界分布が変化することによって同じドーピング濃度のブロック層のデバイスブロッキング能力を改善する。代替的にセルフバイアス電極は同じブロッキング能力をもつブロッキング層においてさらに高いドーピング濃度を用いることを可能とし、デバイスのオン抵抗及び電力消費が改善される。
【0013】
図2は、本発明の実施例に従ったセルフバイアス電極を用いたプレーナゲートラテラルMOSFET200の簡略化された断面図である。ライトドープされたNタイプドリフト領域204がハイドープされたNタイプ半導体領域202上に伸長する。1つの実施例において、ドリフト領域204及びその下にあるハイドープされた半導体領域202はどちらもエピタキシャル層である。他の実施例において、ドリフト領域204はエピタキシャル層でありかつハイドープされた半導体領域202はN+基盤である。さらに他の実施例において、ドリフト領域はドーパントをハイドープ領域202内に注入しかつ拡散させて形成され、ハイドープ領域202はエピタキシャル層または基板であり得る。
【0014】
Pタイプボディ領域206及びハイドープNタイプドレイン領域214はドリフト領域の上部に位置しておりかつヘビーボディコンタクト領域208はソース領域210に隣接するボディ領域206内に位置している。ゲート218はボディ領域206の表面に伸長しかつソース領域210及びドリフト領域204と重なる。ゲート218はゲート絶縁体216によってその下にある領域から絶縁されている。ゲート218の真下にあるボディ領域206の一部がMOSFETチャネル領域220を形成する。ソース導電体(図示せず)がソース領域210及びヘビーボディ領域208と電気的に接続されておりかつドレイン導電体(図示せず)がコンタクトドレイン領域214と電気的に接続されている。当該ソース及びドレイン導電体は金属であってもよい。
【0015】
トレンチ群222はドリフト領域204の予め定められた深さまで伸長している。絶縁層226がトレンチ底部及びトレンチ側壁を側壁上部228を除いてライニングする。図のように、T型の導電性電極224が各々のトレンチ222に充填されてトレンチ側壁上部228に沿ったドリフト領域と電気的に接触する。1つの実施例において、導電性電極224はドリフト領域204と反対の導電タイプをもつので、導電性電極224がPタイプの導電タイプならば、ドリフト領域204の導電性はNタイプである。他の実施例において、導電性電極224はハイドープされたPタイプポリシリコン、ドーピングされたシリコン及び金属の1つからなる。
【0016】
誘電層226の存在が電極224のドーピングの注意深いコントロールの必要を有利に取り除く。もし、そうでなければ注入バランスの保障が必要となる。電極224がドーピングされたシリコンからなる実施例においても、誘電層226はドーピングされたシリコン内のドーパントが拡散することを防ぐ。
【0017】
本発明の実施例に従ったMOSFET200の製造方法は以下の様になる。ゲート誘電体216及びゲート電極218が従来技術を用いてドリフト領域204上に形成される。ボディ領域206、ソース領域210、ドレイン領域214及びヘビーボディ領域208が従来のマスキング及び注入/ドライブイン技術を用いてドリフト領域204内に形成される。ソース領域210及びボディ領域208がゲート電極218の端部にセルフアラインメントされることに留意する。様々な金属層(例えばソース及びドレイン金属層)及び図示されていない誘電層が公知の技術を用いて形成される。トレンチ群222が従来のマスキング及びシリコンエッチング技術を用いてドリフト領域204内に形成される。誘電層226が形成されトレンチ側壁及び底部をライニングする。1つの実施例において、誘電層226の厚さは100−500Åである。誘電層226の厚さを決定する1つの要素はドリフト領域のドーピング濃度である。より高ドーピング濃度のドリフト領域に対してはより薄い導電層226が用いられる。
【0018】
ポリシリコン層が蒸着されてエッチバックされ、トレンチ群222がポリシリコンによって充填されて隣接するメサ表面と同一平面上に上面をもつ。各々のトレンチ内のポリシリコンがわずかに陥没せしめられ、トレンチ側壁上部に沿った誘電層226の一部が露出させられる。層226の露出した部分は除去された部分であるので、トレンチ側壁上部に沿ったドリフト領域204が露出する。第2のポリシリコン蒸着及びエッチバックが行われ各々のトレンチの上部が充填され、各々のトレンチ内のポリシリコン電極とドリフト領域が電気的に短絡する。
【0019】
セルフバイアス電極形成のプロセスステップが製造技術、様々な層に使用される材料並びにその他のプロセス及び設計制約に応じて様々なステージで行われる。例えば、電極224がポリシリコンからなるとき、ポリシリコンが高温に耐えられる故にトレンチ電極形成ステップはプロセスにおいてさらに早く行われても良い。しかし、電極224が金属からなるとき、高温プロセスが行われた後の製造プロセスにおいて行うことが必要である。
【0020】
図3は、本発明の他の実施例に従ったMOSFET300に集積されるセルフバイアス電極構造/技術の代替例を示している。図3において、トレンチ群322内の電極324は、MOSFET200においてのトレンチ上部に沿った電気的接触よりむしろトレンチ322の下部領域328に沿ったドリフト領域304との電気的接触を形成する。MOSFET300を製造する製造プロセスは、後述するトレンチ電極構造の形成に関するプロセスステップを除いて上述したMOSFET200の製造プロセスと同様である。
【0021】
トレンチ322が従来のマスキング及びシリコンエッチング技術を用いてドリフト領域304内に形成される。トレンチ322がさらに伸長してハイドープ領域302内で終端しても良いが、トレンチ322がドリフト領域304内で終端することは、ドリフト領域304のさらに低いドーピングが電極324のセルフバイアスを容易にする故にさらに有利である。このことはこの後更に詳しく記述する。トレンチの側壁及び底部をライニングする誘電層326が従来技術を用いて形成される。次に、誘電層326の指向性エッチングが誘電層326の横方向に伸長する部分だけを除去する。従って、ドリフト領域304はトレンチ322の底部328に沿って露出せしめられる。in−situドーピング(Pタイプ)されたポリシリコンのような導電性電極が形成されてトレンチ322内に陥没せしめられる。他の誘電層がその後電極324上に形成されてトレンチ322を封じ込める。電極328がトレンチ底部領域328に沿ったドリフト領域304に電気的に接触している。
【0022】
MOSFET200におけるPタイプ電極群224とNタイプドリフト領域204との間の電気的接触及びMOSFET300におけるPタイプ電極324とNタイプドリフト領域304との間の電気的接触によって、電極224及び324は0以上の電圧にセルフバイアスする。1つの実施例において、MOSFET200及び300内のすべての領域のドーピング極性が反転されてPチャネルMOSFETを形成する。この実施例において、Pタイプドリフト領域とNタイプトレンチ電極との電気的接触によって電極は0以下の電圧にセルフバイアスする。
【0023】
セルフバイアス電極は、図4及び5のシミュレーション結果に示されているようにドリフト領域の電界を変化させる役割を果たす。図4は、図1の従来MOSFET100のドリフト領域104内の電界分布を示している。見て分かるように、電界はボディ領域の曲線の近傍でピークに達しており、ドレイン領域に向かって徐々に減少して電界曲線の下に三角領域を形成する。図5は、図3のMOSFET300のドリフト領域304内の電界分布を示している。見て分かるように、ボディ領域306の曲線部におけるピークの他に、2つのセルフバイアス電極324によって2つの追加的なピークが生じている。その結果、電界曲線の下の領域が増加してトランジスタのブレークダウン電圧が上昇する。図4及び図5に示されているように、ドリフト領域の同じドーピング濃度5×1015/cm3に対するブレークダウン電圧が従来技術MOSFET100の75VからMOSFET300の125Vまで向上した。これはブレークダウン電圧において66%の改善である。
【0024】
図6は、本発明の実施例に従った様々な層をピールバックして下にある層を露出させるMOSFET600の簡略化された断面図である。MOSFET600は、後述でさらに説明するいくらかの特徴を除いてはMOSFET300に類似している。図6の斜投影図はドリフト領域604内でのセルフバイアス電極の可能な配置パターンのうちの1つを示している。見て分かるように、セルフバイアス電極は非整列な(staggered)形態に配置されているが、その他の多くの配置も当業者によって想定可能である。1つの実施例において、電極の配置及び数はドリフト領域604のドーピング濃度にある程度依存している。ドリフト領域604のドーピング濃度が高くなるほど、当該ドリフト領域に多くの電極が配置できるので高いブレークダウン電圧が得られる。電極の数はデバイスに必要な電流密度によっても制限され得る。
【0025】
代替実施例において、従来のMOSFET100のLDD領域に類似したLDD領域がMOSFET600に組み込まれる。このようなLDD領域が、それらが形成されるドリフト領域よりも高いドーピング濃度であるならば、必要に応じてさらに多くのセルフバイアス電極をドリフト領域内に含むことが可能である。増加したセルフバイアス電極をもつLDD領域はデバイスのオン抵抗を著しく低減しかつブレークダウン電圧を著しく上昇させる。
【0026】
図6は、ソース領域610及びヘビーボディ領域608と電気的に接触しているソース導電体632(例えば金属からなるもの)及びドレイン領域614と電気的に接触しているドレイン導電体634(例えば金属からなるもの)をソース導電体632、ゲート618及びドレイン導電体634を互いに絶縁している誘電層630とともに示している。図示したように、トレンチ電極624はドリフト領域の上面で終端しているので誘電層630は電極624を完全に覆っている。他の実施例において、電極624はMOSFET300内の電極324のように対応するトレンチに埋め込まれる。
【0027】
MOSFET600は多くの点でMOSFET300と異なる。図3において、ドリフト領域604はドリフト領域304よりもハイドープされていて、MOSFET300内のようにハイドープされたシリコン領域よりむしろ低くドープされているシリコン領域602上に伸長している。ドリフト領域のドーピングを強くするとドリフト領域を介した導電抵抗が低くなり、オン抵抗が低くなる。さらに高いドーピング濃度はセルフバイアス電極によるブロッキング能力の向上によって可能となる。
【0028】
MOSFET600と300の他の差異は、MOSFET600内においてトレンチ電極624がドリフト領域604を明確に貫通して伸長してロードープシリコン領域602内で終端していることである。結果として電極624はドリフト領域604の代わりにロードープシリコン領域602に侵入して接触する。このことはロードープ領域602(ハイドープドリフト領域604と対照的な領域)と接触することによって、電極624がハイドープシリコン領域と接触した場合のように、シリコン領域のポテンシャルに達するのではなくもむしろセルフバイアスすることができるという点において有利である。
【0029】
図7は、本発明の実施例に従ったセルフバイアス電極を集積したラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)700の簡略化された斜投影図である。Nタイプドリフト領域704がライトドープされたNタイプ領域702上に伸長している。1つの実施例において、ドリフト領域及びライトドープ領域702の両方がエピタキシャル層である。他の実施例においては、ドリフト領域704がエピタキシャル層でありかつライトドープ領域702がN−基盤である。さらに他の実施例においては、エピタキシャル層または基板であり得るライトドープ領域702内への注入及びドライブによってドリフト領域が形成される。
【0030】
Pタイプボディ領域706及びハイドープPタイプコレクタ領域714がドリフト領域704の上部に配置される。ボディ領域706及びコレクタ領域714は図示されている如く横方向に互いに離間している。ハイドープNタイプエミッタ領域710がボディ領域706内に形成され、ヘビーボディコンタクト領域708がボディ領域706内に形成される。ゲート718(例えばポリシリコンからなるもの)がボディ領域706上に伸長しかつエミッタ領域710及びドリフト領域704と重なる。ゲート718はゲート絶縁体716によって下にある層から絶縁されている。ゲート718の直下にあるボディ領域706の一部がIGBTチャネル領域720を形成する。エミッタ導電体732(例えば金属からなるもの)がエミッタ領域710及びヘビーボディ領域708と電気的に接触しかつコレクタ導電体734がコレクタ714と電気的に接触している。誘電層730がエミッタ導電体732、ゲート718及びドレイン導電体734を互いに絶縁している。
【0031】
トレンチ群722がドリフト領域704を貫通しかつシリコン領域702で終端している。絶縁層726が当該トレンチの側壁をライニングするがトレンチ底部はライニングしない。導電性電極724が各々のトレンチを充填してトレンチ底部領域728に沿ってシリコン領域702と電気的に接触している。1つの実施例において、導電性電極724はシリコン領域702と逆の導電タイプであり、従ってシリコン領域702がNタイプならば当該導電性電極がPタイプとなる。他の実施例において、導電電極724はハイドープされたPタイプポリシリコンもしくはドーピングされたシリコンまたは金属からなる。
【0032】
ドリフト領域のドーピング濃度に対する電極の配置及び頻度のような前述の実施例に関連して言及された多くの検討事項は、考慮すべき動作の違い(例えば、ホール電流及び電子電流の両方がIGBTの電流伝導に貢献していること。)はあるがIGBT700にも応用することができる。
【0033】
図8は集積化されたセルフバイアス電極を有するラテラルダイオード800の簡略化された斜投影図であり、本発明の他の実施例に従っている。Nタイプドリフト領域804がライトドープされたNタイプ領域802上に伸長している。前述の実施例のように、シリコン領域802はエピタキシャル層または基板でもよく、ドリフト領域804はエピタキシャル層またはシリコン領域内へのドーパント注入及びドライブによって形成されてもよい。
【0034】
Pタイプアノード領域806及びハイドープNタイプ(N+)領域814がドリフト領域804に形成される。図示されているように、アノード領域806及びN+領域814は互いに横方向に離間されている。アノード導電体層832(例えば金属からなるもの)が電気的にアノード領域と接触していて、カソード導電体層834(例えば金属からなるもの)がN+領域814と電気的に接続している。誘電層830がアノード導電体層832とカソード導電体層834を互いに絶縁している。トレンチ電極824は図6、図7のトレンチ電極と同様の構造を有するので説明はしない。前述の実施例の様に、セルフバイアス電極824は、ドリフト領域のドーピング濃度が同じであるダイオード800のブロッキング能力の向上に役立つ。
【0035】
図9は、集積化されたセルフバイアス電極を有するラテラルショットキーダイオード900の簡略化された斜投影図であり、本発明の他の実施例に従っている。ラテラルショットキーダイオード900は、ほとんどの部分がダイオード800と同様である。しかし、Pタイプアノード領域806の代わりに軽くドープされた浅いNタイプ領域906がドリフト領域904内に形成される。アノード導電体932(例えばショットキーバリア金属からなるもの)が浅いNタイプ領域906とのショットキー接合を形成する。1つの変更例において、浅いPタイプ領域がNタイプ領域906の代わりに形成され、それによってアノード導電体932がPタイプ領域とのショットキー接合を形成する。前述した実施例の様に、セルフバイアス電極924は同濃度のドリフト領域ドーピング濃度におけるショットキーダイオード900のブロッキング能力の向上に役立つ。
【0036】
図10は、ラテラルMOSFET600の変更例の簡略化された斜投影図を示していて、ドレインプラグ1034(例えば金属からなるもの)がドリフト領域1004内に深く伸長している。1つの実施例において、ドレインプラグ1034は電極トレンチ1022の深さとほぼ同じ深さまで伸長している。この実施例は、ドレインプラグ1034がドリフト領域1004を介して電流を拡散させて、MOSFETのオン抵抗をさらに減少させる役目をする点において効果的である。このようなセルフバイアス電極の併用はトランジスタのオン抵抗及び電力消費を大いに減少させる。
【0037】
図11は、ラテラルMOSFETの変更例の簡略化された斜投影図であって、ドレインプラグ1134に加えてドレインプラグ1134を囲むハイドープされたNタイプドレイン領域1114が当該構造に組み込まれている。ドレイン領域1114は、トランジスタの電流経路の抵抗をさらに減少させかつドレインプラグのコンタクト抵抗も減少させる。ドレイン領域1114は、トレンチを形成して、当該トレンチをドレインプラグ(例えば金属)で充填する前にNタイプ不純物のツーパス角度注入(two−pass angled implant)をすることによって形成され得る。
【0038】
図12は、本発明他の実施例に従ったIGBT1200のコレクタ終端における高導電性プラグ1234(例えば金属)及び付随するハイドープPタイプコレクタ領域の実施例を示していて、この他の構造では図7のIGBT700と類似している。図13は、本発明のさらに他の実施例に従ったラテラルダイオード1300のカソード終端部における高導電性プラグ1334(例えば金属)及びハイドープNタイプ領域1214の実施例を示していて、この他の構造では図8のラテラルダイオード800に類似している。上述した実施例においてと同様に、プラグ1334及びN+領域1314は当該ダイオードのオン抵抗を向上させるのに役立つ。高導電性プラグは図1300に示されているのと同様にショットキーダイオード900において実施してもよい。
【0039】
図6から図13は比較的ロードープされたnタイプ層(例えば図6の層602)上を覆う比較的ハイドープのnタイプ層(例えば図6の層604)を示している。これらの構造の1つの変更例において、これら2つの層の各々はハイドープされた基板上にエピタキシャルに形成される。他の変更例において、比較的ハイドープのnタイプ層がエピタキシャル層であって、下にある比較的ロードープのnタイプ層が基板でもよい。さらに他の実施例において、比較的ハイドープのnタイプ層が、基板上に伸長するエピタキシャル層または基板であり得るライトドープされたnタイプ層内へのnタイプドーパントの注入及びドライブによって形成される。
【0040】
図14は、シリコンオンインシュレーター(SOI)技術または埋没誘電体技術を用いたMOSFET1400におけるセルフバイアス電極の実施例を示している。図示したように、MOSFET1400は誘電層1440(例えば酸化物からなるもの)上に構造が形成されていることを除けば図6のMOSFETと類似している。1つの実施例において、シリコン領域1402及び1404は誘電層1440上に順番に形成されるエピタキシャル層である。他の実施例において、ドリフト領域1404はエピタキシャルに形成されたシリコン領域1402内へのドーパント注入及びドライブによって形成される。誘電層1440が埋没誘電体である場合、従来の半導体基板(図示せず)は誘電層1440の下にある。本明細書で開示されているSOIまたは埋め込み誘電体を用いた他のラテラルパワーデバイス(ラテラルIGBT、ラテラルダイオード及びラテラルショットキーダイオードを含む)の実施は本開示を知悉した当業者にとっては自明である。
【0041】
図15は図14のMOSFETの変更例を示していて、MOSFET1400内のライトドープされたシリコン領域1402が除去されており、電極1424がドリフト領域1504内で終端しかつドリフト領域1504と電気的に接触している。図16はさらに他の変更例を示していて、MOSFET1600がシリコン1604の単層内に形成されている。図15及び図16に示した実施例と同様の集積化したセルフバイアス電極を有するその他のラテラルデバイスの実施例は本開示を知悉した当業者にとっては自明である。
【0042】
図17Aから図17Cは、セルフバイス電極の3つの例示的な配置の上面レイアウトを示したものである。図17において、各々の電極1724Aが誘電層1726Aによってドリフト領域1704Aから絶縁されている。図17Aにおいて、電極は図6から図16も示されているように非整列な形態に配されている。図17において、電極1724Bの多くは誘電性ウェル1726B内に列に沿って配されている。図17Cも列に沿って並べられた電極1724Cを示しているが、各々の電極は誘電層1726Cによってドリフト領域1704Cから局所的に絶縁されている。図17Aから図17Cの電極は四角形状であるが、円形、六角形及び楕円形のようなその他多くの形状を取り得る。
【0043】
LDD領域は本明細書で開示された様々な実施例の1つまたは複数と図6に関連して上述されているように組み合わされてもよい。図6から図16がドリフト領域の上面で終端しているトレンチ電極を図示している一方で、図6から図16のラテラルデバイスの他の実施例において、トレンチ電極はMOSFET300内の電極324と同様に対応するトレンチに埋め込まれてもよい。
【0044】
本明細書内で図示及び記述された様々なラテラルパワーMOSFET及びIGBTの実施例はプレーナゲート構造を有するが、本発明に全体として含まれている米国特許出願番号第10/269,126号(出願日2002年10月3日)に開示されているようなトレンチゲート構造を有するラテラルMOSFET及びIGBTにおけるセルフバイアス電極の実施は本開示を知悉した当業者にとっては自明であるだろう。同様に、全体として本明細書に含まれている米国特許出願番号第10/951,259号(出願日2004年9月26日)に開示されているようなシールドゲート構造を有するラテラルMOSFET及びIGBTにおけるセルフバイアス電極の実施は本開示を知悉した当業者にとって自明であるだろう。
【0045】
前述において本発明の様々な実施例の詳細な説明をしたが、多くの代替例、変更例、組み合わせ及びこれらの実施例の置換が可能である。例えば、図6から図16の例示的なラテラルパワーデバイスの実施例は、隣接するシリコン領域と電極の底部に沿って接触するセルフバイアス電極を組み込んでいるが、当該電極が隣接するシリコン領域と当該電極上面に沿って接触できるようなこれらのパワーデバイスの変更実施例または自明な変形(図2に示されているものと類似のもの)は本開示を知悉した当業者にとって自明である。様々な特徴、ドーピング濃度及び異なる半導電性層及び絶縁層を説明するために本明細書で提供した全ての材料タイプも説明の目的のみであって制限することを意図したものではない。例えば、本明細書で示された実施例における様々なシリコン領域及びセルフバイアス電極のドーピング極性は反対にされて、特別な実施例の逆の極性のデバイスを得てもよい。従って、これらの及び他の理由のために、上述で説明したことは特許請求の範囲によって定義される発明の範囲を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【0046】
【図1】図1は従来のラテラルMOSFET100の簡略化された断面図である。
【図2】図2は2つの異なったセルフバイアス電極構造が組み込まれたラテラルMOSFETの簡略化された断面図であって、本発明の実施例に従っている。
【図3】図3は2つの異なったセルフバイアス電極構造が組み込まれたラテラルMOSFETの簡略化された断面図であって、本発明の実施例に従っている。
【図4】図4は図1の従来MOSFET及び図3に示されたMOSFET実施例のドリフト領域内の電界分布を各々示すシミュレーション結果である。
【図5】図5は図1の従来MOSFET及び図3に示されたMOSFET実施例のドリフト領域内の電界分布を各々示すシミュレーション結果である。
【図6】図6はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図7】図7はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図8】図8はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図9】図9はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図10】図10はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図11】図11はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図12】図12はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図13】図13はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図14】図14はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図15】図15はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図16】図16はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図17A】図17Aはセルフバイアス電極の3つの例示配置の上面図であって、本発明の実施例に従っている。
【図17B】図17Bはセルフバイアス電極の3つの例示配置の上面図であって、本発明の実施例に従っている。
【図17C】図17Cはセルフバイアス電極の3つの例示配置の上面図であって、本発明の実施例に従っている。
【技術分野】
【0001】
本願は、米国仮出願番号第60/774,900号(出願日2006年2月16日)の利点を主張したものであり、当該出願の開示内容は全体として本明細書に含まれている。
【0002】
米国特許出願番号第10/269,126号(出願日2002年10月3日)及び米国特許出願番号10/951259号も全体として本明細書に含まれている。
【背景技術】
【0003】
本発明は半導体パワーデバイスに関し、特に集積されたセルフバイアス電極を有するラテラルパワーデバイスに関する。図1は従来のラテラルMOSFET100の断面図を示している。ライトドープされたNタイプドリフト領域104がハイドープされたNタイプ領域102上に伸長する。横方向に伸長しているNタイプのライトドープドレイン(LDD)によって互いに分けられているPタイプボディ領域106及びハイドープNタイプドレイン領域114は全てドリフト領域104内に形成される。ハイドープされたNタイプソース領域がボディ領域106に形成され、ヘビーボディ領域108がボディ領域106内に形成される。ゲート118がボディ領域106の表面上に伸長しかつソース領域110及びLDD領域112と重なる。ゲート118はその下の領域からゲート絶縁体116によって絶縁されている。ボディ領域のゲート118の真下の部分がMOSFETチャンネル領域120を形成する。
【0004】
動作中にオン状態においてMOSFET100がバイアスされたとき、電流はチャネル領域120及びLDD領域112を介してソース領域110からドレイン領域114に横方向に流れる。最も標準的なMOSFETと同様に、ラテラルMOSFET100の性能改善は高いブロッキング能力及び低いオン抵抗(Rdson)を達成する競争の終着点が限界である。LDD領域112が改善されたRdsonを生じる一方、この改善はトランジスタのブロッキング能力によって制限される。例えば、LDD領域112のドーピング濃度及びLDD領域112が伸長できる深さはトランジスタブレークダウン電圧によって厳しく制限される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
性能改善に対するこれらの障害は、ラテラルIGBT、ラテラルpnダイオード、ラテラルショットキーダイオードのようなその他のタイプのラテラルパワーデバイスにおいても存在する。従って、様々なタイプのラテラルパワーデバイスのブロック能力、オン抵抗及びその他の性能パラメータが改善されるような技術が必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の実施例によれば、半導体パワートランジスタが第1導電タイプのドリフト領域及び当該ドリフト領域内に第2導電タイプのウェル領域を有し、当該ウェル領域及びドリフト領域がそれらの間にpn接合を形成する。第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域が当該ウェル領域内にありかつ第2ハイドープシリコン領域が当該ドリフト領域内にある。当該第2ハイドープシリコン領域は当該ウェル領域から横方向に離間して存在し、導電状態においてトランジスタをバイアスするとき、電流は当該ドリフト領域を介して第1と第2ハイドープシリコン領域の間を横方向に流れる。当該ドリフト領域に当該電流方向と垂直に伸長するそれぞれの複数のトレンチは、当該トレンチの側壁の少なくとも一部及び少なくとも1つの導電性電極をライニングする誘電層を含む。
【0007】
本発明の他の実施例によれば、半導体ダイオードは第1導電タイプのドリフト領域及び当該ドリフト領域内の第2導電タイプのアノード領域を有し、当該アノード領域及び当該ドリフト領域がそれらの間でpn接合を形成する。第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域がドリフト領域内にありかつ当該アノード領域から横方向に離間されているので、導電状態において半導体パワーダイオードをバイアスするとき、電流はドリフト領域を介して当該アノード領域と当該第1ハイドープシリコン領域の間を横方向に流れる。当該ドリフト領域内に当該電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチの各々は、当該トレンチの側壁の少なくとも一部及び少なくとも1つの導電性電極をライニングする誘電層を含む。
【0008】
本発明の他の実施例によれば、ショットキーダイオードは第1導電タイプのドリフト領域及び当該ドリフト領域内に当該第1導電タイプのライトドープシリコン領域を有する。導電体層が当該ライトドープシリコン領域上に伸長しかつ接触してそれらの間にショットキー接合を形成する。前記ドリフト領域内の前記第1導電タイプのハイドープシリコン領域は当該ライトドープシリコン領域から横方向に離間されていて、導電状態において当該ショットキーダイオードをバイアスするとき、電流は当該ドリフト領域を介して当該ライトドープシリコン領域と当該ハイドープシリコン領域との間を横方向に流れる。当該ドリフト領域内に当該電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチの各々が、当該トレンチの側壁の少なくとも一部及び少なくとも1つの導電性電極をライニングする誘電層を含む。
【0009】
本発明のさらに他の実施例によれば、半導体トランジスタは以下のように製造される。ウェル領域がドリフト領域内に形成されてドリフト領域との間にpn接合が形成される。当該ドリフト領域は第1導電タイプでありかつ当該ウェル領域は第2導電タイプである。第2ハイドープシリコン領域が当該ドリフト領域内に形成される。当該第2ハイドープ領域は当該ウェル領域から横方向に離間されていて、導電状態において当該半導体トランジスタをバイアスするとき、電流は当該ドリフト領域を介して第1と第2のハイドープシリコン領域の間を横方向に流れる。当該ドリフト領域内に当該電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチが形成される。当該トレンチの側壁の少なくとも一部をライニングする誘電層が形成される。少なくとも1つの導電性電極が各々のトレンチ内に形成される。
【0010】
本発明の他の実施例によれば、半導体ダイオードは以下のように製造される。アノード領域がドリフト領域内に形成され、それらの間にpn接合が形成される。当該ドリフト領域は第1導電タイプでありかつ当該アノード領域は第2導電タイプである。当該第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域が当該ドリフト領域内に形成される。当該第1ハイドープシリコン領域は当該アノード領域から横方向に離間されていて、導電状態において当該半導体パワーダイオードをバイアスするとき、電流は当該ドリフト領域を介して当該アノード領域と当該第1ハイドープシリコン領域との間を横方向に流れる。
【0011】
本発明の他の実施例によれば、ショットキーダイオードは以下のように製造される。第1導電タイプのライトドープシリコン領域が当該第1導電タイプのドリフト領域内に形成される。当該ライトドープシリコン領域上に伸長しかつ接触する導電層が形成され、それらの間にショットキー接合を形成する。当該第1導電タイプのハイドープシリコン領域が当該ドリフト領域に形成される。当該ハイドープシリコン領域は当該ライトドープシリコン領域から横方向に離間されていて、導電状態において当該ショットキーダイオードをバイアスするとき、電流は当該ドリフト領域を介して当該ライトドープシリコン領域とハイドープシリコン領域の間を横方向に流れる。当該ドリフト領域内に当該電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチが形成される。当該トレンチの側壁の少なくとも一部をライニングする誘電層が形成される。少なくとも1つの導電性電極が各々のトレンチ内に形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
本発明によれば、セルフバイアス電極が様々なラテラルパワーデバイス内に集積されて、これらのデバイスのブロッキング層内の電界分布が変化することによって同じドーピング濃度のブロック層のデバイスブロッキング能力を改善する。代替的にセルフバイアス電極は同じブロッキング能力をもつブロッキング層においてさらに高いドーピング濃度を用いることを可能とし、デバイスのオン抵抗及び電力消費が改善される。
【0013】
図2は、本発明の実施例に従ったセルフバイアス電極を用いたプレーナゲートラテラルMOSFET200の簡略化された断面図である。ライトドープされたNタイプドリフト領域204がハイドープされたNタイプ半導体領域202上に伸長する。1つの実施例において、ドリフト領域204及びその下にあるハイドープされた半導体領域202はどちらもエピタキシャル層である。他の実施例において、ドリフト領域204はエピタキシャル層でありかつハイドープされた半導体領域202はN+基盤である。さらに他の実施例において、ドリフト領域はドーパントをハイドープ領域202内に注入しかつ拡散させて形成され、ハイドープ領域202はエピタキシャル層または基板であり得る。
【0014】
Pタイプボディ領域206及びハイドープNタイプドレイン領域214はドリフト領域の上部に位置しておりかつヘビーボディコンタクト領域208はソース領域210に隣接するボディ領域206内に位置している。ゲート218はボディ領域206の表面に伸長しかつソース領域210及びドリフト領域204と重なる。ゲート218はゲート絶縁体216によってその下にある領域から絶縁されている。ゲート218の真下にあるボディ領域206の一部がMOSFETチャネル領域220を形成する。ソース導電体(図示せず)がソース領域210及びヘビーボディ領域208と電気的に接続されておりかつドレイン導電体(図示せず)がコンタクトドレイン領域214と電気的に接続されている。当該ソース及びドレイン導電体は金属であってもよい。
【0015】
トレンチ群222はドリフト領域204の予め定められた深さまで伸長している。絶縁層226がトレンチ底部及びトレンチ側壁を側壁上部228を除いてライニングする。図のように、T型の導電性電極224が各々のトレンチ222に充填されてトレンチ側壁上部228に沿ったドリフト領域と電気的に接触する。1つの実施例において、導電性電極224はドリフト領域204と反対の導電タイプをもつので、導電性電極224がPタイプの導電タイプならば、ドリフト領域204の導電性はNタイプである。他の実施例において、導電性電極224はハイドープされたPタイプポリシリコン、ドーピングされたシリコン及び金属の1つからなる。
【0016】
誘電層226の存在が電極224のドーピングの注意深いコントロールの必要を有利に取り除く。もし、そうでなければ注入バランスの保障が必要となる。電極224がドーピングされたシリコンからなる実施例においても、誘電層226はドーピングされたシリコン内のドーパントが拡散することを防ぐ。
【0017】
本発明の実施例に従ったMOSFET200の製造方法は以下の様になる。ゲート誘電体216及びゲート電極218が従来技術を用いてドリフト領域204上に形成される。ボディ領域206、ソース領域210、ドレイン領域214及びヘビーボディ領域208が従来のマスキング及び注入/ドライブイン技術を用いてドリフト領域204内に形成される。ソース領域210及びボディ領域208がゲート電極218の端部にセルフアラインメントされることに留意する。様々な金属層(例えばソース及びドレイン金属層)及び図示されていない誘電層が公知の技術を用いて形成される。トレンチ群222が従来のマスキング及びシリコンエッチング技術を用いてドリフト領域204内に形成される。誘電層226が形成されトレンチ側壁及び底部をライニングする。1つの実施例において、誘電層226の厚さは100−500Åである。誘電層226の厚さを決定する1つの要素はドリフト領域のドーピング濃度である。より高ドーピング濃度のドリフト領域に対してはより薄い導電層226が用いられる。
【0018】
ポリシリコン層が蒸着されてエッチバックされ、トレンチ群222がポリシリコンによって充填されて隣接するメサ表面と同一平面上に上面をもつ。各々のトレンチ内のポリシリコンがわずかに陥没せしめられ、トレンチ側壁上部に沿った誘電層226の一部が露出させられる。層226の露出した部分は除去された部分であるので、トレンチ側壁上部に沿ったドリフト領域204が露出する。第2のポリシリコン蒸着及びエッチバックが行われ各々のトレンチの上部が充填され、各々のトレンチ内のポリシリコン電極とドリフト領域が電気的に短絡する。
【0019】
セルフバイアス電極形成のプロセスステップが製造技術、様々な層に使用される材料並びにその他のプロセス及び設計制約に応じて様々なステージで行われる。例えば、電極224がポリシリコンからなるとき、ポリシリコンが高温に耐えられる故にトレンチ電極形成ステップはプロセスにおいてさらに早く行われても良い。しかし、電極224が金属からなるとき、高温プロセスが行われた後の製造プロセスにおいて行うことが必要である。
【0020】
図3は、本発明の他の実施例に従ったMOSFET300に集積されるセルフバイアス電極構造/技術の代替例を示している。図3において、トレンチ群322内の電極324は、MOSFET200においてのトレンチ上部に沿った電気的接触よりむしろトレンチ322の下部領域328に沿ったドリフト領域304との電気的接触を形成する。MOSFET300を製造する製造プロセスは、後述するトレンチ電極構造の形成に関するプロセスステップを除いて上述したMOSFET200の製造プロセスと同様である。
【0021】
トレンチ322が従来のマスキング及びシリコンエッチング技術を用いてドリフト領域304内に形成される。トレンチ322がさらに伸長してハイドープ領域302内で終端しても良いが、トレンチ322がドリフト領域304内で終端することは、ドリフト領域304のさらに低いドーピングが電極324のセルフバイアスを容易にする故にさらに有利である。このことはこの後更に詳しく記述する。トレンチの側壁及び底部をライニングする誘電層326が従来技術を用いて形成される。次に、誘電層326の指向性エッチングが誘電層326の横方向に伸長する部分だけを除去する。従って、ドリフト領域304はトレンチ322の底部328に沿って露出せしめられる。in−situドーピング(Pタイプ)されたポリシリコンのような導電性電極が形成されてトレンチ322内に陥没せしめられる。他の誘電層がその後電極324上に形成されてトレンチ322を封じ込める。電極328がトレンチ底部領域328に沿ったドリフト領域304に電気的に接触している。
【0022】
MOSFET200におけるPタイプ電極群224とNタイプドリフト領域204との間の電気的接触及びMOSFET300におけるPタイプ電極324とNタイプドリフト領域304との間の電気的接触によって、電極224及び324は0以上の電圧にセルフバイアスする。1つの実施例において、MOSFET200及び300内のすべての領域のドーピング極性が反転されてPチャネルMOSFETを形成する。この実施例において、Pタイプドリフト領域とNタイプトレンチ電極との電気的接触によって電極は0以下の電圧にセルフバイアスする。
【0023】
セルフバイアス電極は、図4及び5のシミュレーション結果に示されているようにドリフト領域の電界を変化させる役割を果たす。図4は、図1の従来MOSFET100のドリフト領域104内の電界分布を示している。見て分かるように、電界はボディ領域の曲線の近傍でピークに達しており、ドレイン領域に向かって徐々に減少して電界曲線の下に三角領域を形成する。図5は、図3のMOSFET300のドリフト領域304内の電界分布を示している。見て分かるように、ボディ領域306の曲線部におけるピークの他に、2つのセルフバイアス電極324によって2つの追加的なピークが生じている。その結果、電界曲線の下の領域が増加してトランジスタのブレークダウン電圧が上昇する。図4及び図5に示されているように、ドリフト領域の同じドーピング濃度5×1015/cm3に対するブレークダウン電圧が従来技術MOSFET100の75VからMOSFET300の125Vまで向上した。これはブレークダウン電圧において66%の改善である。
【0024】
図6は、本発明の実施例に従った様々な層をピールバックして下にある層を露出させるMOSFET600の簡略化された断面図である。MOSFET600は、後述でさらに説明するいくらかの特徴を除いてはMOSFET300に類似している。図6の斜投影図はドリフト領域604内でのセルフバイアス電極の可能な配置パターンのうちの1つを示している。見て分かるように、セルフバイアス電極は非整列な(staggered)形態に配置されているが、その他の多くの配置も当業者によって想定可能である。1つの実施例において、電極の配置及び数はドリフト領域604のドーピング濃度にある程度依存している。ドリフト領域604のドーピング濃度が高くなるほど、当該ドリフト領域に多くの電極が配置できるので高いブレークダウン電圧が得られる。電極の数はデバイスに必要な電流密度によっても制限され得る。
【0025】
代替実施例において、従来のMOSFET100のLDD領域に類似したLDD領域がMOSFET600に組み込まれる。このようなLDD領域が、それらが形成されるドリフト領域よりも高いドーピング濃度であるならば、必要に応じてさらに多くのセルフバイアス電極をドリフト領域内に含むことが可能である。増加したセルフバイアス電極をもつLDD領域はデバイスのオン抵抗を著しく低減しかつブレークダウン電圧を著しく上昇させる。
【0026】
図6は、ソース領域610及びヘビーボディ領域608と電気的に接触しているソース導電体632(例えば金属からなるもの)及びドレイン領域614と電気的に接触しているドレイン導電体634(例えば金属からなるもの)をソース導電体632、ゲート618及びドレイン導電体634を互いに絶縁している誘電層630とともに示している。図示したように、トレンチ電極624はドリフト領域の上面で終端しているので誘電層630は電極624を完全に覆っている。他の実施例において、電極624はMOSFET300内の電極324のように対応するトレンチに埋め込まれる。
【0027】
MOSFET600は多くの点でMOSFET300と異なる。図3において、ドリフト領域604はドリフト領域304よりもハイドープされていて、MOSFET300内のようにハイドープされたシリコン領域よりむしろ低くドープされているシリコン領域602上に伸長している。ドリフト領域のドーピングを強くするとドリフト領域を介した導電抵抗が低くなり、オン抵抗が低くなる。さらに高いドーピング濃度はセルフバイアス電極によるブロッキング能力の向上によって可能となる。
【0028】
MOSFET600と300の他の差異は、MOSFET600内においてトレンチ電極624がドリフト領域604を明確に貫通して伸長してロードープシリコン領域602内で終端していることである。結果として電極624はドリフト領域604の代わりにロードープシリコン領域602に侵入して接触する。このことはロードープ領域602(ハイドープドリフト領域604と対照的な領域)と接触することによって、電極624がハイドープシリコン領域と接触した場合のように、シリコン領域のポテンシャルに達するのではなくもむしろセルフバイアスすることができるという点において有利である。
【0029】
図7は、本発明の実施例に従ったセルフバイアス電極を集積したラテラル絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)700の簡略化された斜投影図である。Nタイプドリフト領域704がライトドープされたNタイプ領域702上に伸長している。1つの実施例において、ドリフト領域及びライトドープ領域702の両方がエピタキシャル層である。他の実施例においては、ドリフト領域704がエピタキシャル層でありかつライトドープ領域702がN−基盤である。さらに他の実施例においては、エピタキシャル層または基板であり得るライトドープ領域702内への注入及びドライブによってドリフト領域が形成される。
【0030】
Pタイプボディ領域706及びハイドープPタイプコレクタ領域714がドリフト領域704の上部に配置される。ボディ領域706及びコレクタ領域714は図示されている如く横方向に互いに離間している。ハイドープNタイプエミッタ領域710がボディ領域706内に形成され、ヘビーボディコンタクト領域708がボディ領域706内に形成される。ゲート718(例えばポリシリコンからなるもの)がボディ領域706上に伸長しかつエミッタ領域710及びドリフト領域704と重なる。ゲート718はゲート絶縁体716によって下にある層から絶縁されている。ゲート718の直下にあるボディ領域706の一部がIGBTチャネル領域720を形成する。エミッタ導電体732(例えば金属からなるもの)がエミッタ領域710及びヘビーボディ領域708と電気的に接触しかつコレクタ導電体734がコレクタ714と電気的に接触している。誘電層730がエミッタ導電体732、ゲート718及びドレイン導電体734を互いに絶縁している。
【0031】
トレンチ群722がドリフト領域704を貫通しかつシリコン領域702で終端している。絶縁層726が当該トレンチの側壁をライニングするがトレンチ底部はライニングしない。導電性電極724が各々のトレンチを充填してトレンチ底部領域728に沿ってシリコン領域702と電気的に接触している。1つの実施例において、導電性電極724はシリコン領域702と逆の導電タイプであり、従ってシリコン領域702がNタイプならば当該導電性電極がPタイプとなる。他の実施例において、導電電極724はハイドープされたPタイプポリシリコンもしくはドーピングされたシリコンまたは金属からなる。
【0032】
ドリフト領域のドーピング濃度に対する電極の配置及び頻度のような前述の実施例に関連して言及された多くの検討事項は、考慮すべき動作の違い(例えば、ホール電流及び電子電流の両方がIGBTの電流伝導に貢献していること。)はあるがIGBT700にも応用することができる。
【0033】
図8は集積化されたセルフバイアス電極を有するラテラルダイオード800の簡略化された斜投影図であり、本発明の他の実施例に従っている。Nタイプドリフト領域804がライトドープされたNタイプ領域802上に伸長している。前述の実施例のように、シリコン領域802はエピタキシャル層または基板でもよく、ドリフト領域804はエピタキシャル層またはシリコン領域内へのドーパント注入及びドライブによって形成されてもよい。
【0034】
Pタイプアノード領域806及びハイドープNタイプ(N+)領域814がドリフト領域804に形成される。図示されているように、アノード領域806及びN+領域814は互いに横方向に離間されている。アノード導電体層832(例えば金属からなるもの)が電気的にアノード領域と接触していて、カソード導電体層834(例えば金属からなるもの)がN+領域814と電気的に接続している。誘電層830がアノード導電体層832とカソード導電体層834を互いに絶縁している。トレンチ電極824は図6、図7のトレンチ電極と同様の構造を有するので説明はしない。前述の実施例の様に、セルフバイアス電極824は、ドリフト領域のドーピング濃度が同じであるダイオード800のブロッキング能力の向上に役立つ。
【0035】
図9は、集積化されたセルフバイアス電極を有するラテラルショットキーダイオード900の簡略化された斜投影図であり、本発明の他の実施例に従っている。ラテラルショットキーダイオード900は、ほとんどの部分がダイオード800と同様である。しかし、Pタイプアノード領域806の代わりに軽くドープされた浅いNタイプ領域906がドリフト領域904内に形成される。アノード導電体932(例えばショットキーバリア金属からなるもの)が浅いNタイプ領域906とのショットキー接合を形成する。1つの変更例において、浅いPタイプ領域がNタイプ領域906の代わりに形成され、それによってアノード導電体932がPタイプ領域とのショットキー接合を形成する。前述した実施例の様に、セルフバイアス電極924は同濃度のドリフト領域ドーピング濃度におけるショットキーダイオード900のブロッキング能力の向上に役立つ。
【0036】
図10は、ラテラルMOSFET600の変更例の簡略化された斜投影図を示していて、ドレインプラグ1034(例えば金属からなるもの)がドリフト領域1004内に深く伸長している。1つの実施例において、ドレインプラグ1034は電極トレンチ1022の深さとほぼ同じ深さまで伸長している。この実施例は、ドレインプラグ1034がドリフト領域1004を介して電流を拡散させて、MOSFETのオン抵抗をさらに減少させる役目をする点において効果的である。このようなセルフバイアス電極の併用はトランジスタのオン抵抗及び電力消費を大いに減少させる。
【0037】
図11は、ラテラルMOSFETの変更例の簡略化された斜投影図であって、ドレインプラグ1134に加えてドレインプラグ1134を囲むハイドープされたNタイプドレイン領域1114が当該構造に組み込まれている。ドレイン領域1114は、トランジスタの電流経路の抵抗をさらに減少させかつドレインプラグのコンタクト抵抗も減少させる。ドレイン領域1114は、トレンチを形成して、当該トレンチをドレインプラグ(例えば金属)で充填する前にNタイプ不純物のツーパス角度注入(two−pass angled implant)をすることによって形成され得る。
【0038】
図12は、本発明他の実施例に従ったIGBT1200のコレクタ終端における高導電性プラグ1234(例えば金属)及び付随するハイドープPタイプコレクタ領域の実施例を示していて、この他の構造では図7のIGBT700と類似している。図13は、本発明のさらに他の実施例に従ったラテラルダイオード1300のカソード終端部における高導電性プラグ1334(例えば金属)及びハイドープNタイプ領域1214の実施例を示していて、この他の構造では図8のラテラルダイオード800に類似している。上述した実施例においてと同様に、プラグ1334及びN+領域1314は当該ダイオードのオン抵抗を向上させるのに役立つ。高導電性プラグは図1300に示されているのと同様にショットキーダイオード900において実施してもよい。
【0039】
図6から図13は比較的ロードープされたnタイプ層(例えば図6の層602)上を覆う比較的ハイドープのnタイプ層(例えば図6の層604)を示している。これらの構造の1つの変更例において、これら2つの層の各々はハイドープされた基板上にエピタキシャルに形成される。他の変更例において、比較的ハイドープのnタイプ層がエピタキシャル層であって、下にある比較的ロードープのnタイプ層が基板でもよい。さらに他の実施例において、比較的ハイドープのnタイプ層が、基板上に伸長するエピタキシャル層または基板であり得るライトドープされたnタイプ層内へのnタイプドーパントの注入及びドライブによって形成される。
【0040】
図14は、シリコンオンインシュレーター(SOI)技術または埋没誘電体技術を用いたMOSFET1400におけるセルフバイアス電極の実施例を示している。図示したように、MOSFET1400は誘電層1440(例えば酸化物からなるもの)上に構造が形成されていることを除けば図6のMOSFETと類似している。1つの実施例において、シリコン領域1402及び1404は誘電層1440上に順番に形成されるエピタキシャル層である。他の実施例において、ドリフト領域1404はエピタキシャルに形成されたシリコン領域1402内へのドーパント注入及びドライブによって形成される。誘電層1440が埋没誘電体である場合、従来の半導体基板(図示せず)は誘電層1440の下にある。本明細書で開示されているSOIまたは埋め込み誘電体を用いた他のラテラルパワーデバイス(ラテラルIGBT、ラテラルダイオード及びラテラルショットキーダイオードを含む)の実施は本開示を知悉した当業者にとっては自明である。
【0041】
図15は図14のMOSFETの変更例を示していて、MOSFET1400内のライトドープされたシリコン領域1402が除去されており、電極1424がドリフト領域1504内で終端しかつドリフト領域1504と電気的に接触している。図16はさらに他の変更例を示していて、MOSFET1600がシリコン1604の単層内に形成されている。図15及び図16に示した実施例と同様の集積化したセルフバイアス電極を有するその他のラテラルデバイスの実施例は本開示を知悉した当業者にとっては自明である。
【0042】
図17Aから図17Cは、セルフバイス電極の3つの例示的な配置の上面レイアウトを示したものである。図17において、各々の電極1724Aが誘電層1726Aによってドリフト領域1704Aから絶縁されている。図17Aにおいて、電極は図6から図16も示されているように非整列な形態に配されている。図17において、電極1724Bの多くは誘電性ウェル1726B内に列に沿って配されている。図17Cも列に沿って並べられた電極1724Cを示しているが、各々の電極は誘電層1726Cによってドリフト領域1704Cから局所的に絶縁されている。図17Aから図17Cの電極は四角形状であるが、円形、六角形及び楕円形のようなその他多くの形状を取り得る。
【0043】
LDD領域は本明細書で開示された様々な実施例の1つまたは複数と図6に関連して上述されているように組み合わされてもよい。図6から図16がドリフト領域の上面で終端しているトレンチ電極を図示している一方で、図6から図16のラテラルデバイスの他の実施例において、トレンチ電極はMOSFET300内の電極324と同様に対応するトレンチに埋め込まれてもよい。
【0044】
本明細書内で図示及び記述された様々なラテラルパワーMOSFET及びIGBTの実施例はプレーナゲート構造を有するが、本発明に全体として含まれている米国特許出願番号第10/269,126号(出願日2002年10月3日)に開示されているようなトレンチゲート構造を有するラテラルMOSFET及びIGBTにおけるセルフバイアス電極の実施は本開示を知悉した当業者にとっては自明であるだろう。同様に、全体として本明細書に含まれている米国特許出願番号第10/951,259号(出願日2004年9月26日)に開示されているようなシールドゲート構造を有するラテラルMOSFET及びIGBTにおけるセルフバイアス電極の実施は本開示を知悉した当業者にとって自明であるだろう。
【0045】
前述において本発明の様々な実施例の詳細な説明をしたが、多くの代替例、変更例、組み合わせ及びこれらの実施例の置換が可能である。例えば、図6から図16の例示的なラテラルパワーデバイスの実施例は、隣接するシリコン領域と電極の底部に沿って接触するセルフバイアス電極を組み込んでいるが、当該電極が隣接するシリコン領域と当該電極上面に沿って接触できるようなこれらのパワーデバイスの変更実施例または自明な変形(図2に示されているものと類似のもの)は本開示を知悉した当業者にとって自明である。様々な特徴、ドーピング濃度及び異なる半導電性層及び絶縁層を説明するために本明細書で提供した全ての材料タイプも説明の目的のみであって制限することを意図したものではない。例えば、本明細書で示された実施例における様々なシリコン領域及びセルフバイアス電極のドーピング極性は反対にされて、特別な実施例の逆の極性のデバイスを得てもよい。従って、これらの及び他の理由のために、上述で説明したことは特許請求の範囲によって定義される発明の範囲を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【0046】
【図1】図1は従来のラテラルMOSFET100の簡略化された断面図である。
【図2】図2は2つの異なったセルフバイアス電極構造が組み込まれたラテラルMOSFETの簡略化された断面図であって、本発明の実施例に従っている。
【図3】図3は2つの異なったセルフバイアス電極構造が組み込まれたラテラルMOSFETの簡略化された断面図であって、本発明の実施例に従っている。
【図4】図4は図1の従来MOSFET及び図3に示されたMOSFET実施例のドリフト領域内の電界分布を各々示すシミュレーション結果である。
【図5】図5は図1の従来MOSFET及び図3に示されたMOSFET実施例のドリフト領域内の電界分布を各々示すシミュレーション結果である。
【図6】図6はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図7】図7はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図8】図8はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図9】図9はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図10】図10はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図11】図11はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図12】図12はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図13】図13はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図14】図14はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図15】図15はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図16】図16はセルフバイアス電極構造が組み込まれた様々なラテラルパワーデバイス構造の斜投影図であって、本発明の他の実施例に従っている。
【図17A】図17Aはセルフバイアス電極の3つの例示配置の上面図であって、本発明の実施例に従っている。
【図17B】図17Bはセルフバイアス電極の3つの例示配置の上面図であって、本発明の実施例に従っている。
【図17C】図17Cはセルフバイアス電極の3つの例示配置の上面図であって、本発明の実施例に従っている。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体トランジスタであって、
第1導電タイプのドリフト領域と、
前記ドリフト領域内に設けられ、前記ドリフト領域との間でpn接合を形成する第2導電タイプのウェル領域と、
前記ウェル領域内の第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域と、
前記ドリフト領域内に設けられ、前記ウェル領域から横方向に離間している第2ハイドープシリコン領域と、
前記ドリフト領域内に設けられ、各々のトレンチがトレンチ側壁の少なくとも一部及び少なくとも1つの導電性電極をライニングする誘電層を含む複数のトレンチと、を含み、
導電状態において前記半導体トランジスタをバイアスすると、電流がドリフト領域を介して第1と第2のハイドープシリコン領域間を横方向に流れ、前記複数のトレンチが前記電流の流れに対して垂直方向に伸長することを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項2】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、各々の導電性電極が各々のトレンチの上部側壁に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触していることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項3】
請求項2記載の半導体トランジスタであって、前記ドリフト領域が前記第1導電タイプの第3シリコン領域上に伸長し、前記第3シリコン領域が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項4】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、各々の導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触していることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項5】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、前記ドリフト領域が第3シリコン領域上に伸長し、前記第3シリコン領域が前記ドリフト領域のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度であり、前記複数のトレンチが前記ドリフト領域を貫通しかつ前記第3シリコン領域内で終端し、各々のトレンチ内の前記導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って前記第3シリコン領域と電気的に接触していることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項6】
請求項5記載の半導体トランジスタであって、前記第3シリコン領域が誘電層上に伸長することを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項7】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、前記ドリフト領域が誘電層上に伸長することを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項8】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、各々の導電性電極が第2導電タイプであることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項9】
請求項5記載の半導体トランジスタであって、前記ウェル領域と前記第2ハイドープシリコン領域との間の前記ドリフト領域の上部内に伸長する前記第1導電タイプのLDD領域をさらに有し、前記LDD領域が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項10】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、前記複数の電極が前記ウェル領域と前記第2ハイドープシリコン領域の間に非整列な形態に配されていることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項11】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、前記半導体トランジスタがMOSFETであり、前記第1ハイドープシリコン領域がソース領域を形成し、前記第2ハイドープシリコン領域が第1導電タイプであり、ドレイン領域を形成し、
前記デバイスが、前記ウェル領域の一部上に伸長して前記ソース領域及び前記ドリフト領域と重なるプレーナゲートをさらに含むことを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項12】
請求項11記載の半導体トランジスタであって、前記第2ハイドープシリコン領域内に伸長する高導電性ドレインプラグをさらに含むことを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項13】
請求項12記載の半導体トランジスタであって、前記高導電ドレインプラグ及び前記複数のトレンチが実質的に同じ深さまで伸長することを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項14】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、前記半導体トランジスタがIGBTであり、前記第2ハイドープシリコン領域が前記第2導電タイプであり、コレクタ領域を形成し、
前記デバイスが、前記ウェル領域の一部上に伸長して前記第1ハイドープシリコン領域及び前記ドリフト領域に重なるプレーナゲートを含むことを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項15】
請求項14記載の半導体トランジスタであって、前記コレクタ領域内に伸長している高導電性コレクタプラグをさらに含むことを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項16】
請求項15記載の半導体トランジスタであって、前記高導電性コレクタプラグ及び前記複数のトレンチが実質的に同じ深さまで伸長していることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項17】
半導体ダイオードであって、
第1導電タイプのドリフト領域と、
ドリフト領域内に設けられ、前記ドリフト領域との間でpn接合を形成する第2導電タイプのアノード領域と、
前記ドリフト領域内に設けられ、前記アノード領域と横方向に離間している前記第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域と、
前記ドリフト領域内に設けられ、各々のトレンチが前記トレンチ側壁の少なくとも一部及び少なくとも1つの導電性電極をライニングする誘電層を含む複数のトレンチと、を含み、
導電状態において前記半導体パワーダイオードをバイアスするときに、電流が前記ドリフト領域を介して前記アノード領域と前記第1ハイドープシリコン領域の間を横方向に流れ、前記複数のトレンチが前記電流の流れに対して垂直方向に伸長することを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項18】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、各々の導電性電極が各々のトレンチの上部側壁に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触していることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項19】
請求項18記載の半導体ダイオードであって、前記ドリフト領域が第1導電タイプの第2シリコン領域上に伸長し、前記第2シリコン領域が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項20】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、各々の導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触していることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項21】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、前記ドリフト領域が第2シリコン領域上に伸長し、前記第2シリコン領域が前記ドリフト領域のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度であって、前記複数のトレンチが前記ドリフト領域を貫通しかつ前記第2シリコン領域内で終端し、前記各々のトレンチ内の導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って前記第2シリコン領域と電気的に接触していることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項22】
請求項21記載の半導体ダイオードであって、前記第2シリコン領域が誘電層上に伸長することを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項23】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、前記ドリフト領域が誘電層上に伸長することを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項24】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、各々の導電性電極が第2導電タイプであることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項25】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、前記複数の電極が前記アノード領域と前記第1ハイドープシリコン領域の間に非整列な形態に配されていることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項26】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、前記第1ハイドープシリコン領域内に伸長している高導電性プラグをさらに含むことを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項27】
請求項26記載の半導体ダイオードであって、前記高導電性プラグ及び前記複数のトレンチが実質的に同じ深さまで伸長していることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項28】
ショットキーダイオードであって、
第1導電タイプのドリフト領域と、
前記ドリフト領域内の第1導電タイプのライトドープシリコン領域と、
前記ライトドープシリコン領域を覆いかつ前記ライトドープシリコン領域と電気的に接触するように設けられ、前記ライトドープシリコン領域とショットキー接合を形成する導電体層と、
前記ドリフト領域内に設けられ、前記ライトドープシリコン領域と横方向に離間されている前記第1導電タイプのハイドープシリコン領域と、
前記ドリフト領域内に設けられ、各々のトレンチが前記トレンチ側壁の少なくとも一部及び少なくとも1つの導電性電極をライニングする誘電層を含む複数のトレンチと、を含み、
導電状態において前記ショットキーダイオードをバイアスするときに前記ドリフト領域を介して前記ライトドープシリコン領域と前記ハイドープシリコン領域の間に横方向に電流が流れ、前記複数のトレンチが前記電流の流れに対して垂直方向に伸長することを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項29】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、各々の導電性電極が各々のトレンチの上部側壁に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触していることを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項30】
請求項29記載のショットキーダイオードであって、前記ドリフト領域が前記第1導電タイプのシリコン領域上に伸長し、前記シリコン領域が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であることを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項31】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、各々の導電性電極が各々のトレンチの底部に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触することを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項32】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、前記ドリフト領域がシリコン領域上に伸長し、前記シリコン領域が前記ドリフト領域のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度であって、前記複数のトレンチが前記ドリフト領域を貫通しかつ前記シリコン領域内で終端し、前記各々のトレンチ内の導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って前記シリコン領域と電気的に接触していることを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項33】
請求項32記載のショットキーダイオードであって、前記シリコン領域が誘電層上に伸長することを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項34】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、前記ドリフト領域が誘電層上に伸長することを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項35】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、各々の導電性電極が第2導電タイプであることを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項36】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、前記複数の電極が前記ライトドープシリコン領域と前記ハイドープシリコン領域の間に非整列な形態に配されていることを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項37】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、前記ハイドープシリコン領域内に伸長する高導電性プラグをさらに含むことを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項38】
請求項37記載のショットキーダイオードであって、前記高導電性プラグ及び前記複数のトレンチが実質的に同じ深さまで伸長していることを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項39】
半導体トランジスタの製造方法であって、
第1導電タイプのドリフト領域内にウェル領域を形成するステップであって、前記ウェル領域が第2導電タイプであり、前記ドリフト領域及び前記ウェル領域の間でpn接合が形成されるステップと、
前記ウェル領域内に前記第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域を形成するステップと、
前記ドリフト領域内に第2ハイドープシリコン領域を形成するステップであって、前記第2ハイドープシリコン領域が前記ウェル領域から横方向に離間されていて、導電状態において前記半導体トランジスタをバイアスするときに電流が前記ドリフト領域を介して第1と第2ハイドープシリコン領域の間を横方向に流れるステップと、
前記ドリフト領域内に前記電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチを形成するステップと、
前記トレンチ側壁の少なくとも一部をライニングする誘電層を形成するステップと、
各々のトレンチ内に少なくとも1つの導電性電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項40】
請求項39記載の方法であって、前記誘電層が形成され各々の導電性電極が各々のトレンチの上部側壁に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触することを特徴とする方法。
【請求項41】
請求項40記載の方法であって、前記第1導電タイプの基板上にエピタキシャル層を形成するステップであって、前記エピタキシャル層が前記ドリフト領域を形成し、前記基板が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であるステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項42】
請求項39記載の方法であって、前記誘電層が形成されて各々の導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触することを特徴とする方法。
【請求項43】
請求項39記載の方法であって、前記少なくとも1つの導電性電極を形成するステップが、前記複数のトレンチを充填するポリシリコン層を形成するステップであって、前記ポリシリコン層がin−situドーピングされて第2導電タイプをもつステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項44】
請求項39記載の方法であって、前記ドリフト領域の予め定められた表面領域上に伸長するプレーナゲートを形成するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項45】
半導体ダイオードの製造方法であって、
第1導電タイプのドリフト領域内にアノード領域を形成するステップであって、前記アノード領域が第2導電タイプであり前記アノード領域と前記ドリフト領域の間でpn接合が形成されるステップと、
前記ドリフト領域内に前記第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域を形成するステップであって、前記第1ハイドープシリコン領域が前記アノード領域から横方向に離間されていて、導電状態において前記半導体パワーダイオードをバイアスするときに電流が前記ドリフト領域を介して前記アノード領域と前記第1ハイドープシリコン領域の間を横方向に流れるステップと、
前記ドリフト領域内に前記電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチを形成するステップと、
各々のトレンチ側壁の少なくとも一部をライニングする誘電層を形成するステップと、
各々のトレンチ内に少なくとも1つの導電性電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項46】
請求項45記載の方法であって、前記誘電層が形成されて各々の導電性電極が各々のトレンチ上部側壁に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触することを特徴とする方法。
【請求項47】
請求項46記載の方法であって、前記第1導電タイプの基板上にエピタキシャル層を形成するステップであって、前記エピタキシャル層が前記ドリフト領域を形成し、前記基板が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であるステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項48】
請求項45記載の方法であって、前記誘電層が形成されて各々の導電性電極が各々のトレンチの底部に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触することを特徴とする方法。
【請求項49】
請求項45に記載の方法であって、前記少なくとも1つの導電性電極を形成するステップが、前記複数のトレンチを充填するポリシリコン層を形成するステップであって、前記ポリシリコンの層がin−situドーピングされて第2導電タイプをもつステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項50】
ショットキーダイオードを製造する方法であって、
前記第1導電タイプのドリフト領域内に第1導電タイプのライトドープシリコン領域を形成するステップと、
前記ライトドープシリコン領域上に形成されかつ前記ライトドープシリコンと電気的に接触する導電体層を形成するステップであって、前記導電体層が前記ライトドープシリコン領域とショットキー接合を形成するステップと、
前記ドリフト領域内に前記第1導電タイプのハイドープシリコン領域を形成するステップであって、前記ハイドープシリコン領域が前記ライトドープシリコン領域から横方向に離間されていて、導電状態において前記ショットキーダイオードをバイアスするときに電流が前記ドリフト領域を介して前記ライトドープシリコン領域と前記ハイドープシリコン領域の間を横方向に流れるステップと、
前記ドリフト領域内に前記電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチを形成するステップと、
各々のトレンチ側壁の少なくとも一部をライニングする誘電層を形成するステップと、
各々のトレンチ内に少なくとも1つの導電性電極を形成するステップ、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項51】
請求項50記載の方法であって、前記誘電層が形成されて各々の導電性電極が各々のトレンチの側壁上部に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触していることを特徴とする方法。
【請求項52】
請求項51記載の方法であって、前記第1導電タイプの基板上にエピタキシャル層を形成するステップであって、前記エピタキシャル層が前記ドリフト層を形成し、前記基板が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であるステップをさらに含む方法。
【請求項53】
請求項50記載の方法であって、前記誘電層が形成されて各々の導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って電気的に接触することを特徴とする方法。
【請求項54】
請求項50記載の方法であって、前記少なくとも1つの導電性電極を形成するステップが、ポリシリコン層を形成して前記複数のトレンチを充填するステップであって、前記ポリシリコン層がin−situドーピングされて第2導電タイプをもつステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項1】
半導体トランジスタであって、
第1導電タイプのドリフト領域と、
前記ドリフト領域内に設けられ、前記ドリフト領域との間でpn接合を形成する第2導電タイプのウェル領域と、
前記ウェル領域内の第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域と、
前記ドリフト領域内に設けられ、前記ウェル領域から横方向に離間している第2ハイドープシリコン領域と、
前記ドリフト領域内に設けられ、各々のトレンチがトレンチ側壁の少なくとも一部及び少なくとも1つの導電性電極をライニングする誘電層を含む複数のトレンチと、を含み、
導電状態において前記半導体トランジスタをバイアスすると、電流がドリフト領域を介して第1と第2のハイドープシリコン領域間を横方向に流れ、前記複数のトレンチが前記電流の流れに対して垂直方向に伸長することを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項2】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、各々の導電性電極が各々のトレンチの上部側壁に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触していることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項3】
請求項2記載の半導体トランジスタであって、前記ドリフト領域が前記第1導電タイプの第3シリコン領域上に伸長し、前記第3シリコン領域が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項4】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、各々の導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触していることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項5】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、前記ドリフト領域が第3シリコン領域上に伸長し、前記第3シリコン領域が前記ドリフト領域のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度であり、前記複数のトレンチが前記ドリフト領域を貫通しかつ前記第3シリコン領域内で終端し、各々のトレンチ内の前記導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って前記第3シリコン領域と電気的に接触していることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項6】
請求項5記載の半導体トランジスタであって、前記第3シリコン領域が誘電層上に伸長することを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項7】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、前記ドリフト領域が誘電層上に伸長することを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項8】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、各々の導電性電極が第2導電タイプであることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項9】
請求項5記載の半導体トランジスタであって、前記ウェル領域と前記第2ハイドープシリコン領域との間の前記ドリフト領域の上部内に伸長する前記第1導電タイプのLDD領域をさらに有し、前記LDD領域が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項10】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、前記複数の電極が前記ウェル領域と前記第2ハイドープシリコン領域の間に非整列な形態に配されていることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項11】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、前記半導体トランジスタがMOSFETであり、前記第1ハイドープシリコン領域がソース領域を形成し、前記第2ハイドープシリコン領域が第1導電タイプであり、ドレイン領域を形成し、
前記デバイスが、前記ウェル領域の一部上に伸長して前記ソース領域及び前記ドリフト領域と重なるプレーナゲートをさらに含むことを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項12】
請求項11記載の半導体トランジスタであって、前記第2ハイドープシリコン領域内に伸長する高導電性ドレインプラグをさらに含むことを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項13】
請求項12記載の半導体トランジスタであって、前記高導電ドレインプラグ及び前記複数のトレンチが実質的に同じ深さまで伸長することを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項14】
請求項1記載の半導体トランジスタであって、前記半導体トランジスタがIGBTであり、前記第2ハイドープシリコン領域が前記第2導電タイプであり、コレクタ領域を形成し、
前記デバイスが、前記ウェル領域の一部上に伸長して前記第1ハイドープシリコン領域及び前記ドリフト領域に重なるプレーナゲートを含むことを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項15】
請求項14記載の半導体トランジスタであって、前記コレクタ領域内に伸長している高導電性コレクタプラグをさらに含むことを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項16】
請求項15記載の半導体トランジスタであって、前記高導電性コレクタプラグ及び前記複数のトレンチが実質的に同じ深さまで伸長していることを特徴とする半導体トランジスタ。
【請求項17】
半導体ダイオードであって、
第1導電タイプのドリフト領域と、
ドリフト領域内に設けられ、前記ドリフト領域との間でpn接合を形成する第2導電タイプのアノード領域と、
前記ドリフト領域内に設けられ、前記アノード領域と横方向に離間している前記第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域と、
前記ドリフト領域内に設けられ、各々のトレンチが前記トレンチ側壁の少なくとも一部及び少なくとも1つの導電性電極をライニングする誘電層を含む複数のトレンチと、を含み、
導電状態において前記半導体パワーダイオードをバイアスするときに、電流が前記ドリフト領域を介して前記アノード領域と前記第1ハイドープシリコン領域の間を横方向に流れ、前記複数のトレンチが前記電流の流れに対して垂直方向に伸長することを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項18】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、各々の導電性電極が各々のトレンチの上部側壁に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触していることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項19】
請求項18記載の半導体ダイオードであって、前記ドリフト領域が第1導電タイプの第2シリコン領域上に伸長し、前記第2シリコン領域が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項20】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、各々の導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触していることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項21】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、前記ドリフト領域が第2シリコン領域上に伸長し、前記第2シリコン領域が前記ドリフト領域のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度であって、前記複数のトレンチが前記ドリフト領域を貫通しかつ前記第2シリコン領域内で終端し、前記各々のトレンチ内の導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って前記第2シリコン領域と電気的に接触していることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項22】
請求項21記載の半導体ダイオードであって、前記第2シリコン領域が誘電層上に伸長することを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項23】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、前記ドリフト領域が誘電層上に伸長することを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項24】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、各々の導電性電極が第2導電タイプであることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項25】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、前記複数の電極が前記アノード領域と前記第1ハイドープシリコン領域の間に非整列な形態に配されていることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項26】
請求項17記載の半導体ダイオードであって、前記第1ハイドープシリコン領域内に伸長している高導電性プラグをさらに含むことを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項27】
請求項26記載の半導体ダイオードであって、前記高導電性プラグ及び前記複数のトレンチが実質的に同じ深さまで伸長していることを特徴とする半導体ダイオード。
【請求項28】
ショットキーダイオードであって、
第1導電タイプのドリフト領域と、
前記ドリフト領域内の第1導電タイプのライトドープシリコン領域と、
前記ライトドープシリコン領域を覆いかつ前記ライトドープシリコン領域と電気的に接触するように設けられ、前記ライトドープシリコン領域とショットキー接合を形成する導電体層と、
前記ドリフト領域内に設けられ、前記ライトドープシリコン領域と横方向に離間されている前記第1導電タイプのハイドープシリコン領域と、
前記ドリフト領域内に設けられ、各々のトレンチが前記トレンチ側壁の少なくとも一部及び少なくとも1つの導電性電極をライニングする誘電層を含む複数のトレンチと、を含み、
導電状態において前記ショットキーダイオードをバイアスするときに前記ドリフト領域を介して前記ライトドープシリコン領域と前記ハイドープシリコン領域の間に横方向に電流が流れ、前記複数のトレンチが前記電流の流れに対して垂直方向に伸長することを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項29】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、各々の導電性電極が各々のトレンチの上部側壁に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触していることを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項30】
請求項29記載のショットキーダイオードであって、前記ドリフト領域が前記第1導電タイプのシリコン領域上に伸長し、前記シリコン領域が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であることを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項31】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、各々の導電性電極が各々のトレンチの底部に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触することを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項32】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、前記ドリフト領域がシリコン領域上に伸長し、前記シリコン領域が前記ドリフト領域のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度であって、前記複数のトレンチが前記ドリフト領域を貫通しかつ前記シリコン領域内で終端し、前記各々のトレンチ内の導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って前記シリコン領域と電気的に接触していることを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項33】
請求項32記載のショットキーダイオードであって、前記シリコン領域が誘電層上に伸長することを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項34】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、前記ドリフト領域が誘電層上に伸長することを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項35】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、各々の導電性電極が第2導電タイプであることを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項36】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、前記複数の電極が前記ライトドープシリコン領域と前記ハイドープシリコン領域の間に非整列な形態に配されていることを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項37】
請求項28記載のショットキーダイオードであって、前記ハイドープシリコン領域内に伸長する高導電性プラグをさらに含むことを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項38】
請求項37記載のショットキーダイオードであって、前記高導電性プラグ及び前記複数のトレンチが実質的に同じ深さまで伸長していることを特徴とするショットキーダイオード。
【請求項39】
半導体トランジスタの製造方法であって、
第1導電タイプのドリフト領域内にウェル領域を形成するステップであって、前記ウェル領域が第2導電タイプであり、前記ドリフト領域及び前記ウェル領域の間でpn接合が形成されるステップと、
前記ウェル領域内に前記第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域を形成するステップと、
前記ドリフト領域内に第2ハイドープシリコン領域を形成するステップであって、前記第2ハイドープシリコン領域が前記ウェル領域から横方向に離間されていて、導電状態において前記半導体トランジスタをバイアスするときに電流が前記ドリフト領域を介して第1と第2ハイドープシリコン領域の間を横方向に流れるステップと、
前記ドリフト領域内に前記電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチを形成するステップと、
前記トレンチ側壁の少なくとも一部をライニングする誘電層を形成するステップと、
各々のトレンチ内に少なくとも1つの導電性電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項40】
請求項39記載の方法であって、前記誘電層が形成され各々の導電性電極が各々のトレンチの上部側壁に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触することを特徴とする方法。
【請求項41】
請求項40記載の方法であって、前記第1導電タイプの基板上にエピタキシャル層を形成するステップであって、前記エピタキシャル層が前記ドリフト領域を形成し、前記基板が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であるステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項42】
請求項39記載の方法であって、前記誘電層が形成されて各々の導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触することを特徴とする方法。
【請求項43】
請求項39記載の方法であって、前記少なくとも1つの導電性電極を形成するステップが、前記複数のトレンチを充填するポリシリコン層を形成するステップであって、前記ポリシリコン層がin−situドーピングされて第2導電タイプをもつステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項44】
請求項39記載の方法であって、前記ドリフト領域の予め定められた表面領域上に伸長するプレーナゲートを形成するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項45】
半導体ダイオードの製造方法であって、
第1導電タイプのドリフト領域内にアノード領域を形成するステップであって、前記アノード領域が第2導電タイプであり前記アノード領域と前記ドリフト領域の間でpn接合が形成されるステップと、
前記ドリフト領域内に前記第1導電タイプの第1ハイドープシリコン領域を形成するステップであって、前記第1ハイドープシリコン領域が前記アノード領域から横方向に離間されていて、導電状態において前記半導体パワーダイオードをバイアスするときに電流が前記ドリフト領域を介して前記アノード領域と前記第1ハイドープシリコン領域の間を横方向に流れるステップと、
前記ドリフト領域内に前記電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチを形成するステップと、
各々のトレンチ側壁の少なくとも一部をライニングする誘電層を形成するステップと、
各々のトレンチ内に少なくとも1つの導電性電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項46】
請求項45記載の方法であって、前記誘電層が形成されて各々の導電性電極が各々のトレンチ上部側壁に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触することを特徴とする方法。
【請求項47】
請求項46記載の方法であって、前記第1導電タイプの基板上にエピタキシャル層を形成するステップであって、前記エピタキシャル層が前記ドリフト領域を形成し、前記基板が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であるステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項48】
請求項45記載の方法であって、前記誘電層が形成されて各々の導電性電極が各々のトレンチの底部に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触することを特徴とする方法。
【請求項49】
請求項45に記載の方法であって、前記少なくとも1つの導電性電極を形成するステップが、前記複数のトレンチを充填するポリシリコン層を形成するステップであって、前記ポリシリコンの層がin−situドーピングされて第2導電タイプをもつステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項50】
ショットキーダイオードを製造する方法であって、
前記第1導電タイプのドリフト領域内に第1導電タイプのライトドープシリコン領域を形成するステップと、
前記ライトドープシリコン領域上に形成されかつ前記ライトドープシリコンと電気的に接触する導電体層を形成するステップであって、前記導電体層が前記ライトドープシリコン領域とショットキー接合を形成するステップと、
前記ドリフト領域内に前記第1導電タイプのハイドープシリコン領域を形成するステップであって、前記ハイドープシリコン領域が前記ライトドープシリコン領域から横方向に離間されていて、導電状態において前記ショットキーダイオードをバイアスするときに電流が前記ドリフト領域を介して前記ライトドープシリコン領域と前記ハイドープシリコン領域の間を横方向に流れるステップと、
前記ドリフト領域内に前記電流の流れに対して垂直方向に伸長する複数のトレンチを形成するステップと、
各々のトレンチ側壁の少なくとも一部をライニングする誘電層を形成するステップと、
各々のトレンチ内に少なくとも1つの導電性電極を形成するステップ、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項51】
請求項50記載の方法であって、前記誘電層が形成されて各々の導電性電極が各々のトレンチの側壁上部に沿って前記ドリフト領域と電気的に接触していることを特徴とする方法。
【請求項52】
請求項51記載の方法であって、前記第1導電タイプの基板上にエピタキシャル層を形成するステップであって、前記エピタキシャル層が前記ドリフト層を形成し、前記基板が前記ドリフト領域よりも高いドーピング濃度であるステップをさらに含む方法。
【請求項53】
請求項50記載の方法であって、前記誘電層が形成されて各々の導電性電極が各々のトレンチ底部に沿って電気的に接触することを特徴とする方法。
【請求項54】
請求項50記載の方法であって、前記少なくとも1つの導電性電極を形成するステップが、ポリシリコン層を形成して前記複数のトレンチを充填するステップであって、前記ポリシリコン層がin−situドーピングされて第2導電タイプをもつステップを含むことを特徴とする方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17A】
【図17B】
【図17C】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17A】
【図17B】
【図17C】
【公表番号】特表2009−527901(P2009−527901A)
【公表日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−555436(P2008−555436)
【出願日】平成19年2月6日(2007.2.6)
【国際出願番号】PCT/US2007/061718
【国際公開番号】WO2007/098317
【国際公開日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【出願人】(599011355)フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション (62)
【Fターム(参考)】
【公表日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【国際特許分類】
【出願日】平成19年2月6日(2007.2.6)
【国際出願番号】PCT/US2007/061718
【国際公開番号】WO2007/098317
【国際公開日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【出願人】(599011355)フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション (62)
【Fターム(参考)】
[ Back to top ]