半導体装置の製造方法及び半導体装置
【課題】素子分離膜が埋め込まれる溝の側壁に形成される熱酸化膜を厚くすることなく、半導体素子のハンプを抑制する。
【解決手段】 基板1上にシリコン層3を形成し、その上に下地膜4及び窒化シリコン膜5を形成する。窒化シリコン膜5及び下地膜4に開口部5aを形成し、開口部5a内に位置するシリコン層3の表面に第1の熱酸化膜6を形成する。第1の熱酸化膜6を、例えばウェットエッチングにより除去する。窒化シリコン膜5をマスクとしてシリコン層3をエッチングすることにより、開口部5a内に位置するシリコン層3に、溝を形成する。溝の表面に第2の熱酸化膜を形成し、その後、溝に、素子分離膜を埋め込む。
【解決手段】 基板1上にシリコン層3を形成し、その上に下地膜4及び窒化シリコン膜5を形成する。窒化シリコン膜5及び下地膜4に開口部5aを形成し、開口部5a内に位置するシリコン層3の表面に第1の熱酸化膜6を形成する。第1の熱酸化膜6を、例えばウェットエッチングにより除去する。窒化シリコン膜5をマスクとしてシリコン層3をエッチングすることにより、開口部5a内に位置するシリコン層3に、溝を形成する。溝の表面に第2の熱酸化膜を形成し、その後、溝に、素子分離膜を埋め込む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、STI構造を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。特に本発明は、半導体素子のハンプを抑制することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
図11の各図は、従来の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。ここで説明する半導体装置は、SOI(Silicon On Insulator)基板に形成される。
まず、図11(A)に示すように、SOI基板を準備する。このSOI基板は、支持基板であるシリコン基板101上に、酸化シリコンからなるBOX層102と、単結晶シリコンからなるSOI層103を積層した構造である。次いで、SOI層103上に、下地膜となる酸化窒化シリコン膜104を形成し、さらに、その上に窒化シリコン膜105を形成する。
【0003】
次いで、窒化シリコン膜105及び酸化窒化シリコン膜104に開口パターン105aを形成し、さらに、開口パターン105a内に位置するSOI層103をエッチングすることにより、溝103bを形成する。その後、SOI層103を熱酸化(ラウンド酸化)することにより、溝103bの側壁に熱酸化膜103cを形成する。熱酸化膜103cの厚さは、例えば50nmである。これにより、SOI層103のうち溝103bに隣接している上縁部103aは丸くなる。また、熱酸化膜103cの下部103eは、SOI層103とBOX層102の界面に沿って内側に入り込み、バーズビークを形成する。
【0004】
次いで、図11(B)に示すように、溝103bに、酸化シリコンからなる素子分離膜107を埋め込み、その後、窒化シリコン膜105及び酸化窒化シリコン膜104を除去する。このようにして、素子領域は、STI(Shallow Trench Isolation)構造を有する素子分離膜107によって相互に分離される。
【0005】
次いで、図11(C)に示すように、素子領域に、ゲート酸化膜113、及びゲート酸化膜113上に位置するゲート電極114を形成する。次いで、SOI層103に低濃度不純物領域116a,116bを形成し、その後、ゲート電極114の側壁にサイドウォール115を形成する。次いで、SOI層103に、ソース及びドレインとなる不純物領域117a,117bを形成する。
このようにして、SOI層103にはMOSトランジスタが形成される。
【0006】
図12は、トランジスタのゲート電圧(Vg)と、ソース−ドレイン間電流(Is)の相関を示すグラフである。図12の実線で示すように、ゲート電圧が規定値を超えると、ソース−ドレイン間電流はゲート電圧が上がるにつれて増大する(サブスレショールド領域)。そして、さらにゲート電圧が上がると略一定値になり、完全なON状態になる。
【0007】
ここで、SOI層103の上縁部103aが尖ったままであると、ゲート電極がオーバーラップした場合に電界集中により寄生チャネルが生じ、図12の点線で示すように、ゲート電圧がわずかに上がってもソース−ドレイン間電流が増大してしまう領域(ハンプ)ができる。ハンプが生じると、MOSトランジスタの閾値が設計値より低くなる。従って、上述したように、SOI層103の上縁部103aを丸くするのが好ましい(例えば特許文献1参照)。また、バンプを効果的に抑制するには、上縁部103aの曲率半径が増すのがよい。
【特許文献1】特開2002−76109号公報(図6及び図7)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
STI構造において、素子分離膜が埋め込まれる溝に接するシリコン膜の上端部を丸くするには、この溝の側壁を熱酸化すればよい。そして、上端部の曲率半径を大きくするには熱酸化量を増やすことが有効である。
【0009】
しかし、SOI基板の溝の側壁に形成される熱酸化膜は、下端部が酸化窒化シリコン膜とシリコン膜の界面に沿って内側に入り込み、バーズビークを形成する。このバーズビークが大きくなると、トランジスタのソース、ドレイン及びチャネルに加わる応力が増大する。この場合、ソース、ドレインそれぞれにリークが生じ、チャネルにおけるキャリアの移動度が変化する。特にN型トランジスタの場合、キャリアの移動度が低下し、トランジスタの特性が劣化してしまう。
【0010】
このため、SOI基板において、溝の側壁に形成される熱酸化膜を厚くすることはできなかった。従って、溝に接するシリコン膜の上端部の曲率半径を大きくすることには限界があった。
また、半導体基板(例えばシリコン基板)においても、素子領域を有効に活用するためには、溝の側壁の熱酸化量を増やすことなく、半導体素子のハンプを抑制することが望まれる。
【0011】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、素子分離膜が埋め込まれる溝の側壁の熱酸化量を増やすことなく、半導体素子のハンプを抑制することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0012】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板を準備する工程と、
前記単結晶シリコン層上に、下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層の表面に、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の表面に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0013】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板の表面に、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0014】
これらの半導体装置の製造方法によれば、第1の熱酸化膜の端部は、形成時に、下地膜と単結晶シリコン層の界面、または下地膜と半導体基板の界面に沿って内側に伸びる。このため、第1の熱酸化膜を形成し、その後除去することにより、半導体基板の上端部は丸くなる。従って、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、半導体基板の上端部の曲率半径を大きくすることができる。
このため、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、素子分離膜の相互間に形成される半導体素子(例えばトランジスタ)のハンプを抑制することができる。
【0015】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
シリコン層上に、開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記シリコン層の上面が前記マスクに覆われた状態で、該シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層の表面に、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記マスクを用いて前記シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記シリコン層の上面が前記マスクに覆われた状態で、該シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0016】
この半導体装置の製造方法によれば、第1の熱酸化膜の端部は、形成時に、マスクとシリコン層(例えばシリコン基板又は単結晶シリコン層)の界面に沿って内側に伸びる。このため、第1の熱酸化膜を形成し、その後除去することにより、半導体基板の上端部は丸くなる。従って、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、半導体基板の上端部の曲率半径を大きくすることができる。
これにより、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、素子分離膜の相互間に形成される半導体素子(例えばトランジスタ)のハンプを抑制することができる。
【0017】
第1の熱酸化膜を除去する工程は、ウェットエッチングにより熱酸化膜を除去する工程であってもよいし、等方性のドライエッチングにより熱酸化膜を除去する工程であってもよい。溝を形成する工程は、異方性のエッチングを用いて該溝を形成する工程であってもよい。
第2の熱酸化膜を形成する工程において、該第2の熱酸化膜の厚さを5nm以上20nm以下にするのが好ましい。
【0018】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板を準備する工程と、
前記単結晶シリコン層上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層に溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層をエッチングすることにより、前記溝を深くする工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0019】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部内に位置する前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記溝を深くする工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0020】
これらの半導体装置の製造方法によれば、第1の熱酸化膜の上端部は、形成時に、下地膜と単結晶シリコン層の海面、又は下地膜と半導体基板の界面に沿って内側に伸びる。このため、第1の熱酸化膜を形成し、その後除去することにより、半導体基板の上端部は丸くなる。従って、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、半導体基板の上端部の曲率半径を大きくすることができる。
これにより、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、素子分離膜の相互間に形成される半導体素子(例えばトランジスタ)のハンプを抑制することができる。
【0021】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
シリコン層上に、開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記開口部内に位置する前記シリコン層に溝を形成する工程と、
上面が前記マスクに覆われた状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
上面が前記マスクに覆われた状態で前記シリコン層をエッチングすることにより、前記溝を深くする工程と、
上面が前記マスクに覆われた状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0022】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板を準備する工程と、
前記単結晶シリコン層上に、下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記下地膜をエッチングすることにより、前記開口部に露出している前記下地膜を後退させる工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層の表面、及び前記下地膜が後退したことにより露出した前記単結晶シリコン層の表面それぞれに、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0023】
この半導体装置の製造方法によれば、第1の熱酸化膜の端部は、形成時に、下地膜とシリコン層の界面に沿って内側に伸びる。特に、下地膜を後退させているため、第1の熱酸化膜の端部は内側に伸びやすい。このため、第1の熱酸化膜を形成し、その後除去することにより、シリコン層の上端部は丸くなる。従って、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、シリコン層の上端部の曲率半径を大きくすることができる。
このため、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、素子分離膜の相互間に形成される半導体素子(例えばトランジスタ)のハンプを抑制することができる。
【0024】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に、下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記下地膜をエッチングすることにより、前記開口部に露出している前記下地膜を後退させる工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板の表面、及び前記下地膜が後退したことにより露出した前記半導体基板の表面それぞれに、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0025】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
シリコン層上に、下地膜を有するマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記マスク膜に覆われている状態で前記下地膜をエッチングすることにより、前記開口部に面している前記下地膜を後退させる工程と、
前記マスク膜及び前記下地膜に覆われている状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層の表面、及び前記下地膜が後退したことにより露出した前記シリコン層の表面それぞれに、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記マスク膜及び前記下地膜に覆われている状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0026】
溝に素子分離膜を埋め込む工程の後に、素子分離膜の相互間に、N型MOSトランジスタを形成する工程を更に具備してもよい。
【0027】
本発明に係る半導体装置は、
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板と、
前記単結晶シリコン層に形成された溝と、
前記溝の側壁に形成された熱酸化膜と、
前記溝に埋め込まれた素子分離膜と
を具備し、
前記溝は、前記単結晶シリコン層の表面に形成されたLOCOS酸化膜を除去した後、該LOCOS酸化膜の周縁部以外が位置していた部分の下方をエッチングすることにより形成されている。
【0028】
本発明に係る他の半導体装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された溝と、
前記溝の表面に形成された熱酸化膜と、
前記溝に埋め込まれた素子分離膜と
を具備し、
前記溝は、前記半導体基板の表面に形成されたLOCOS酸化膜を除去した後、該LOCOS酸化膜の周縁部以外が位置していた部分の下方をエッチングすることにより形成されている。
【発明を実施するための形態】
【0029】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1、図2及び図3の各図は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法である。本実施形態で製造される半導体装置は、SOI(Silicon On Insulator)基板に形成され、STI(Shallow Trench Isolation)構造により素子間が分離される。
【0030】
まず、図1(A)に示すように、SOI基板を準備する。SOI基板は、支持基板であるシリコン基板1上に、酸化シリコンからなるBOX層2と、単結晶シリコン層であるSOI層3をこの順に積層した構造である。BOX層2の厚さは例えば400nmであり、SOI層3の厚さは例えば150nmである。次いで、SOI層3上に、下地膜となる酸化窒化シリコン(SiON)膜4を形成し、さらにその上に、窒化シリコン(SiN4)膜5を形成する。酸化窒化シリコン膜4の厚さは例えば10nmであり、窒化シリコン膜5の厚さは例えば150nmである。
【0031】
次いで、図1(B)に示すように、窒化シリコン膜5上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、窒化シリコン膜5上にはレジストパターン50が形成される。次いで、レジストパターン50をマスクとして窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4をエッチングする。これにより、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4には、素子分離膜を埋め込むべき領域上に位置する開口パターン5aが形成される。
【0032】
その後、図1(C)に示すように、レジストパターン50を除去する。次いで、SOI層3を熱酸化する。これにより、開口パターン5a内に位置するSOI層3の表面には、LOCOS法による第1の熱酸化膜6(LOCOS酸化膜)が形成される。第1の熱酸化膜6は、周端部6aがSOI層3と酸化窒化シリコン膜4の界面にそって内側に入り込み、バーズビークを形成している。
【0033】
次いで、図1(D)に示すように、第1の熱酸化膜6を、周端部6aも含めてウェットエッチング又は等方性のドライエッチングにより除去する。なお、ここでのウェットエッチングには、例えばフッ酸が用いられ、また、等方性のドライエッチングには、例えばC4F8、CO、O2及びN2の混合ガスが用いられる。
第1の熱酸化膜6が除去されることにより、SOI層3のうち、開口パターン5a端部の下に位置する上縁部3aは、丸くなる。
【0034】
次いで、図2(A)に示すように、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4をマスクとしてSOI層3をエッチングする。ここでは異方性のドライエッチングが用いられる。これにより、SOI層3には、素子分離膜を埋め込むための溝3bが形成される。上記したように、溝3bの側壁の上縁部3aは丸くなっている。なお、溝3bはSOI層3を貫通しており、その底面には、BOX層2が露出している。
【0035】
次いで、図2(B)に示すように、SOI層3を熱酸化する。これにより、溝3bの側壁には第2の熱酸化膜3cが形成される。第2の熱酸化膜3cが形成されることにより、SOI層3のうち酸化されていない部分の上縁部3dの曲率半径は、上縁部3aの曲率半径と比べて大きくなる。なお、第2の熱酸化膜3cの厚さは、例えば5nm以上20nm以下であり、従来と比べて薄い。しかし、第2の熱酸化膜3cを形成する前に、溝3bの上縁部3aは丸くなっているため、第2の熱酸化膜3cが薄くても、SOI層3の上縁部3dは十分に曲率半径が大きくなる。また、第2の熱酸化膜3cが薄いため、第2の熱酸化膜3cの下端部3eが、BOX層2とSOI層3の界面に沿って内側に入り込むことを抑制できる。
【0036】
次いで、図2(C)に示すように、溝3bの中及び窒化シリコン膜5上を含む全面上に、酸化シリコン膜を、高密度プラズマCVD法により形成する。
次いで、図3(A)に示すように、窒化シリコン膜5上に位置する酸化シリコン膜をCMP法により研磨除去し、さらに、窒化シリコン膜5をCMP法により研磨除去する。このとき、窒化シリコン膜5を少し(例えば厚さ75nmほど)残す。次いで、残留している窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4を、ウェットエッチングにより除去する。このようにして、溝3bには酸化シリコンからなる素子分離膜7が埋め込まれる。なお、素子分離膜7は、表面がSOI層3の表面より凸になっている。
【0037】
次いで、図3(B)に示すように、SOI層3を熱酸化する。これにより、素子分離膜7の相互間にはゲート酸化膜13が形成される。次いで、ゲート酸化膜13上を含む全面上にポリシリコン膜を形成する。次いで、ポリシリコン膜上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、ポリシリコン膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜をエッチングする。これにより、ポリシリコン膜はパターニングされ、ゲート電極14が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【0038】
次いで、ゲート電極14及び素子分離膜7をマスクとして、SOI層3にN型不純物イオンを注入する。これにより、SOI層3には低濃度不純物領域16a,16bが形成される。次いで、ゲート電極14上を含む全面上に酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜をエッチバックする。これにより、ゲート電極14の側壁にはサイドウォール15が形成される。次いで、ゲート電極14、サイドウォール15及び素子分離膜7をマスクとして、SOI層3にN型不純物イオンを注入する。これにより、SOI層3には、ソース及びドレインとなる不純物領域17a,17bが形成される。
このようにして、SOI基板にはN型MOSトランジスタが形成される。
【0039】
以上、本実施形態によれば、溝3bを形成する前に、SOI層3のうち溝3bを形成すべき部分の表面に、LOCOS法による第1の熱酸化膜6を形成し、その後、第1の熱酸化膜6を除去しているため、溝3bの側壁の上縁部3aは丸くなっている。このため、第2の熱酸化膜3cが薄くても、SOI層3の上縁部3dは十分に曲率半径が大きくなる。従って、N型MOSトランジスタのゲート電圧とソース−ドレイン間電流の相関において、ハンプはできにくくなる。
【0040】
また、第2の熱酸化膜3cが従来と比べて薄いため、第2の熱酸化膜3cの下端部3eが、BOX層2とSOI層3の界面に沿って内側に入り込むことを抑制できる。従って、平面配置において第2の熱酸化膜3cが占有する面積を小さくすることができるため、素子領域を有効利用し、半導体装置の微細化を進めることができる。また、ソース及びドレインとなる不純物領域17a,17bに加わる応力を抑制することができるため、N型MOSトランジスタのキャリアの移動度が低下することを抑制できる。
【0041】
図4の各図は、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態は、SOI基板ではなくシリコン基板にN型MOSトランジスタが形成される点が、第1の実施形態と異なる。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【0042】
まず、図4(A)に示すように、シリコン基板1上に酸化窒化シリコン膜4及び窒化シリコン膜5をこの順に形成し、さらに、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4に、開口パターン5aを形成する。次いで、開口パターン5aの下に位置するシリコン基板1の表面に、第1の熱酸化膜6を形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
【0043】
次いで、図4(B)に示すように、第1の熱酸化膜6を除去する。第1の熱酸化膜6の除去方法は第1の実施形態と同一である。これにより、シリコン基板1のうち、開口パターン5a端部の下に位置する上縁部1aは、丸くなる。
次いで、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4をマスクとしてシリコン基板1をエッチングする。ここでは異方性のドライエッチングが用いられる。これにより、シリコン基板1には、素子分離膜を埋め込むための溝1bが形成される。上記したように、溝1bの側壁の上縁部1aは丸くなっている。
【0044】
次いで、図4(C)に示すように、シリコン基板1を熱酸化することにより、溝1bの側壁に第2の熱酸化膜1cを形成する。このとき、シリコン基板1のうち酸化されていない部分の上縁部1dは、曲率半径が大きくなる。なお、このとき溝1bの底面も熱酸化される。
次いで、溝1bに素子分離膜7を埋め込む。素子分離膜7を埋め込む方法は、第1の実施形態において溝3bに素子分離膜7を埋め込む方法と同一である。なお、素子分離膜7を埋め込んだ後に、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4は除去される。
【0045】
次いで、図4(D)に示すように、ゲート酸化膜13、ゲート電極14、サイドウォール15、低濃度不純物領域16a,16b、ならびにソース及びドレインとなる不純物領域17a,17bを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。このようにして、シリコン基板1にはN型MOSトランジスタが形成される。
【0046】
この第2の実施形態においても、第1の実施形態と同様の作用により、N型MOSトランジスタのゲート電圧とソース−ドレイン間電流の相関において、ハンプができにくくなる。
【0047】
図5及び図6の各図は、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態は、溝3bを形成する工程が第1の実施形態と異なる。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【0048】
まず、図5(A)に示すように、SOI基板を準備し、SOI基板のSOI層3上に、酸化窒化シリコン膜4及び窒化シリコン膜5をこの順に積層する。次いで、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4に開口パターン5aを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
次いで、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4をマスクとして、SOI層3をエッチングする。これにより、SOI層3には溝3bが浅く形成される。
【0049】
次いで、図5(B)に示すように、SOI層3を熱酸化する。これにより、溝3bの側壁及び底面には第1の熱酸化膜8が形成される。第1の熱酸化膜8の上縁部8aは、SOI層3と酸化窒化シリコン膜4の界面に沿って内側に伸びており、バーズビークを形成している。
【0050】
次いで、図5(C)に示すように、第1の熱酸化膜8を、上縁部8aを含めて除去する。第1の熱酸化膜8の除去方法は、第1の実施形態における第1の熱酸化膜6を除去する方法と同一である。これにより、溝3bの側壁の上縁部3aは丸くなるが、その曲率半径は、予め溝3bを浅く形成しているため、第1の実施形態より大きくなる。
【0051】
次いで、図6(A)に示すように、再び窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4をマスクとして、SOI層3をエッチングする。これにより、溝3bは深くなり、SOI層3を貫通する。
【0052】
次いで、図6(B)に示すように、溝3bの側壁に第2の熱酸化膜3cを形成し、さらに溝3bに素子分離膜7を埋め込む。第2の熱酸化膜3cの形成方法、及び素子分離膜7の埋め込み方法は第1の実施形態と同一である。なお、第2の熱酸化膜3cを形成することにより、SOI層3の上縁部3dの曲率半径は、熱酸化前の上縁部3aの曲率半径と比べて大きくなる。また、素子分離膜7を埋め込んだ後に、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4は除去される。
【0053】
次いで、図6(C)に示すように、素子分離膜7の相互間に位置する領域に、ゲート酸化膜13、ゲート電極14、サイドウォール15、低濃度不純物領域16a,16b、及び不純物領域17a,17bを有するN型MOSトランジスタを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
【0054】
この第3の実施形態によっても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、第2の熱酸化膜3cを形成する前のSOI層3の上縁部3aは、第1の実施形態より曲率半径が大きいため、第2の熱酸化膜3cを形成した後の上縁部3dも、第1の実施形態より曲率半径が大きく大きくなる。従って、第1の実施形態より第2の熱酸化膜3cを薄くしても、N型MOSトランジスタのゲート電圧とソース−ドレイン間電流の関係において、ハンプは生じにくい。
【0055】
図7の各図は、第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法である。本実施形態は、SOI基板ではなくシリコン基板1上にN型MOSトランジスタを形成する点を除けば、第3の実施形態と同一である。以下、第3の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【0056】
まず、図7(A)に示すように、シリコン基板1上に酸化窒化シリコン膜4及び窒化シリコン膜5をこの順に形成し、さらに、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4に開口パターン5aを形成する。これらの形成方法は、第3の実施形態と同一である。次いで、開口パターン5aの下に位置するシリコン基板1に溝1bを浅く形成し、さらに、シリコン基板1を熱酸化することにより、溝1bの表面に、第1の熱酸化膜8を形成する。溝1bの形成方法は、第3の実施形態において溝3bを浅く形成する方法と同一である。
【0057】
次いで、図7(B)に示すように、第1の熱酸化膜8を除去する。第1の熱酸化膜8の除去方法は第3の実施形態と同一である。これにより、シリコン基板1のうち、開口パターン5a端部の下に位置する上縁部1aは、丸くなる。
次いで、溝1bを深くする。この方法も第3の実施形態と同一である。
【0058】
次いで、図7(C)に示すように、シリコン基板1を再び熱酸化することにより、溝1bの側壁に第2の熱酸化膜1cを形成し、さらに溝1bに素子分離膜7を埋め込む。素子分離膜7の埋め込み方法は、第3の実施形態と同一である。なお、第2の熱酸化膜1cを形成することにより、シリコン基板1の上縁部1dの曲率半径は、上縁部1aの曲率半径と比べて大きくなる。また、素子分離膜7を埋め込むときに、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4は除去される。
【0059】
次いで、図7(D)に示すように、素子分離膜7の相互間に位置する領域に、ゲート酸化膜13、ゲート電極14、サイドウォール15、低濃度不純物領域16a,16b、及び不純物領域17a,17bを有するN型MOSトランジスタを形成する。これらの形成方法は第3の実施形態と同一である。
【0060】
この第4の実施形態によっても、第3の実施形態と同様の作用により、第2の実施形態より第2の熱酸化膜1cを薄くしても、N型MOSトランジスタのゲート電圧とソース−ドレイン間電流の関係において、ハンプができにくくなる。
【0061】
図8及び図9の各図は、第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態は、溝3bを形成する工程が第1の実施形態と異なる。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【0062】
まず、図8(A)に示すように、SOI基板を準備する。次いで、SOI基板のSOI層3上に、酸化窒化シリコン膜4及び窒化シリコン膜5をこの順に積層する。次いで、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4に開口パターン5aを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
【0063】
次いで、図8(B)に示すように、ウェットエッチングにより、酸化窒化シリコン膜4を開口パターン5aから後退させる。これにより、SOI層3上には、開口パターン5aに繋がる凹部4aが形成される。ここでのウェットエッチングには、HF含有液が用いられる。
【0064】
次いで、図8(C)に示すように、SOI層3を熱酸化する。これにより、シリコン基板1のうち開口パターン5a及び凹部4a内で露出している部分の表面には、第1の熱酸化膜9が形成される。第1の熱酸化膜9の周端部9aは、SOI層3と酸化窒化シリコン膜4の界面に沿って内側に伸びており、バーズビークを形成している。
【0065】
次いで、図9(A)に示すように、第1の熱酸化膜9を除去する。第1の熱酸化膜9の除去方法は、第1の実施形態における第1の熱酸化膜6を除去する方法と同一である。これにより、SOI層3の上縁部3aは丸くなるが、予め凹部4aを形成しているため、その曲率半径は第1の実施形態より大きくなる。
【0066】
次いで、図9(B)に示すように、溝3bの側壁に第2の熱酸化膜3cを形成し、さらに溝3bに素子分離膜7を埋め込む。第2の熱酸化膜3cの形成方法、及び素子分離膜7の埋め込み方法は第1の実施形態と同一である。なお、第2の熱酸化膜3cを形成することにより、SOI層3の上縁部3dの曲率半径は、熱酸化前の上縁部3aの曲率半径と比べて大きくなる。また、素子分離膜7を埋め込んだ後、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4は除去される。
【0067】
次いで、素子分離膜7の相互間に位置する領域に、ゲート酸化膜13、ゲート電極14、サイドウォール15、低濃度不純物領域16a,16b、及び不純物領域17a,17bを有するN型MOSトランジスタを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
【0068】
この第5の実施形態によっても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、第2の熱酸化膜3cを形成する前の上縁部3aの曲率半径は第1の実施形態より大きいため、第2の熱酸化膜3cを形成した後の上縁部3dの曲率半径も第1の実施形態より大きくなる。従って、第1の実施形態より第2の熱酸化膜3cを薄くしても、N型MOSトランジスタのゲート電圧とソース−ドレイン間電流の関係において、ハンプができにくくなる。
【0069】
図10の各図は、第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態は、SOI基板ではなくシリコン基板1上にN型MOSトランジスタを形成する点を除けば、第5の実施形態と同一である。以下、第5の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【0070】
まず、図10(A)に示すように、シリコン基板1上に酸化窒化シリコン膜4及び窒化シリコン膜5をこの順に形成し、さらに、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4に開口パターン5aを形成する。次いで、酸化窒化シリコン膜4を開口パターン5aから後退させ、凹部4aを形成する。次いで、シリコン基板1の表面のうち、開口パターン5a及び凹部4a内で露出している部分に、第1の熱酸化膜9を形成する。これらの形成方法は第5の実施形態と同一である。
【0071】
次いで、図10(B)に示すように、第1の熱酸化膜9を除去し、さらに、シリコン基板1に溝1bを形成する。第1の熱酸化膜9の除去方法は、第5の実施形態と同一である。また、溝1bの形成方法は、第2の実施形態と同一である。これにより、シリコン基板1の上縁部1aは丸くなる
【0072】
次いで、図10(C)に示すように、シリコン基板1を熱酸化することにより、溝1bの側壁に第2の熱酸化膜1cを形成し、さらに溝1bに素子分離膜7を埋め込む。素子分離膜7の埋め込み方法は、第5の実施形態と同一である。なお、第2の熱酸化膜1cを形成することにより、シリコン基板1の上縁部1dの曲率半径は、熱酸化前の上縁部1aの曲率半径と比べて大きくなる。また、素子分離膜7を埋め込むときに、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4は除去される。
【0073】
次いで、素子分離膜7の相互間に位置する領域に、ゲート酸化膜13、ゲート電極14、サイドウォール15、低濃度不純物領域16a,16b、及び不純物領域17a,17bを有するN型MOSトランジスタを形成する。これらの形成方法は第5の実施形態と同一である。
【0074】
この第6の実施形態によっても、第5の実施形態と同様の作用により、第2の実施形態より第2の熱酸化膜1cを薄くしても、N型MOSトランジスタのゲート電圧とソース−ドレイン間電流の関係において、ハンプができにくくなる。
【0075】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、上記した各実施形態において、SOI層3又はシリコン基板1に注入する不純物イオンをP型不純物イオンに変更することにより、N型MOSトランジスタの代わりにP型MOSトランジスタを形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【0076】
【図1】(A)は第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図、(D)は(C)の次の工程を説明するための断面図。
【図2】(A)は図1(D)の次の工程を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図。
【図3】(A)は図2(C)の次の工程を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図。
【図4】(A)は第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図、(D)は(C)の次の工程を説明するための断面図。
【図5】(A)は第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図。
【図6】(A)は図5(C)の次の工程を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図。
【図7】(A)は第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図、(D)は(C)の次の工程を説明するための断面図。
【図8】(A)は第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図。
【図9】(A)は図8(C)の次の工程を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図。
【図10】(A)は第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図。
【図11】(A)は従来の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図。
【図12】トランジスタのゲート電圧(Vg)と、ソース−ドレイン間電流(Is)の相関を示すグラフ。
【符号の説明】
【0077】
1,101…シリコン基板、1a,1d,3a,3d,8a,103a…上縁部、1b,3b,103b…溝、1c,3c…第2の熱酸化膜、2,102…BOX層、3,103…SOI層、3e…下端部、4,104…酸化窒化シリコン膜、4a…凹部、5,105…窒化シリコン膜、5a,105a…開口パターン、6,8,9…第1の熱酸化膜、6a,9a…周端部、7,107…素子分離膜、13,113…ゲート酸化膜、14,114…ゲート電極、15,115…サイドウォール、16a,16b,116a,116b…低濃度不純物領域、17a,17b,117a,117b…不純物領域、50…レジストパターン、103c…熱酸化膜、103e…下部
【技術分野】
【0001】
本発明は、STI構造を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。特に本発明は、半導体素子のハンプを抑制することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
図11の各図は、従来の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。ここで説明する半導体装置は、SOI(Silicon On Insulator)基板に形成される。
まず、図11(A)に示すように、SOI基板を準備する。このSOI基板は、支持基板であるシリコン基板101上に、酸化シリコンからなるBOX層102と、単結晶シリコンからなるSOI層103を積層した構造である。次いで、SOI層103上に、下地膜となる酸化窒化シリコン膜104を形成し、さらに、その上に窒化シリコン膜105を形成する。
【0003】
次いで、窒化シリコン膜105及び酸化窒化シリコン膜104に開口パターン105aを形成し、さらに、開口パターン105a内に位置するSOI層103をエッチングすることにより、溝103bを形成する。その後、SOI層103を熱酸化(ラウンド酸化)することにより、溝103bの側壁に熱酸化膜103cを形成する。熱酸化膜103cの厚さは、例えば50nmである。これにより、SOI層103のうち溝103bに隣接している上縁部103aは丸くなる。また、熱酸化膜103cの下部103eは、SOI層103とBOX層102の界面に沿って内側に入り込み、バーズビークを形成する。
【0004】
次いで、図11(B)に示すように、溝103bに、酸化シリコンからなる素子分離膜107を埋め込み、その後、窒化シリコン膜105及び酸化窒化シリコン膜104を除去する。このようにして、素子領域は、STI(Shallow Trench Isolation)構造を有する素子分離膜107によって相互に分離される。
【0005】
次いで、図11(C)に示すように、素子領域に、ゲート酸化膜113、及びゲート酸化膜113上に位置するゲート電極114を形成する。次いで、SOI層103に低濃度不純物領域116a,116bを形成し、その後、ゲート電極114の側壁にサイドウォール115を形成する。次いで、SOI層103に、ソース及びドレインとなる不純物領域117a,117bを形成する。
このようにして、SOI層103にはMOSトランジスタが形成される。
【0006】
図12は、トランジスタのゲート電圧(Vg)と、ソース−ドレイン間電流(Is)の相関を示すグラフである。図12の実線で示すように、ゲート電圧が規定値を超えると、ソース−ドレイン間電流はゲート電圧が上がるにつれて増大する(サブスレショールド領域)。そして、さらにゲート電圧が上がると略一定値になり、完全なON状態になる。
【0007】
ここで、SOI層103の上縁部103aが尖ったままであると、ゲート電極がオーバーラップした場合に電界集中により寄生チャネルが生じ、図12の点線で示すように、ゲート電圧がわずかに上がってもソース−ドレイン間電流が増大してしまう領域(ハンプ)ができる。ハンプが生じると、MOSトランジスタの閾値が設計値より低くなる。従って、上述したように、SOI層103の上縁部103aを丸くするのが好ましい(例えば特許文献1参照)。また、バンプを効果的に抑制するには、上縁部103aの曲率半径が増すのがよい。
【特許文献1】特開2002−76109号公報(図6及び図7)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
STI構造において、素子分離膜が埋め込まれる溝に接するシリコン膜の上端部を丸くするには、この溝の側壁を熱酸化すればよい。そして、上端部の曲率半径を大きくするには熱酸化量を増やすことが有効である。
【0009】
しかし、SOI基板の溝の側壁に形成される熱酸化膜は、下端部が酸化窒化シリコン膜とシリコン膜の界面に沿って内側に入り込み、バーズビークを形成する。このバーズビークが大きくなると、トランジスタのソース、ドレイン及びチャネルに加わる応力が増大する。この場合、ソース、ドレインそれぞれにリークが生じ、チャネルにおけるキャリアの移動度が変化する。特にN型トランジスタの場合、キャリアの移動度が低下し、トランジスタの特性が劣化してしまう。
【0010】
このため、SOI基板において、溝の側壁に形成される熱酸化膜を厚くすることはできなかった。従って、溝に接するシリコン膜の上端部の曲率半径を大きくすることには限界があった。
また、半導体基板(例えばシリコン基板)においても、素子領域を有効に活用するためには、溝の側壁の熱酸化量を増やすことなく、半導体素子のハンプを抑制することが望まれる。
【0011】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、素子分離膜が埋め込まれる溝の側壁の熱酸化量を増やすことなく、半導体素子のハンプを抑制することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0012】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板を準備する工程と、
前記単結晶シリコン層上に、下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層の表面に、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の表面に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0013】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板の表面に、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0014】
これらの半導体装置の製造方法によれば、第1の熱酸化膜の端部は、形成時に、下地膜と単結晶シリコン層の界面、または下地膜と半導体基板の界面に沿って内側に伸びる。このため、第1の熱酸化膜を形成し、その後除去することにより、半導体基板の上端部は丸くなる。従って、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、半導体基板の上端部の曲率半径を大きくすることができる。
このため、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、素子分離膜の相互間に形成される半導体素子(例えばトランジスタ)のハンプを抑制することができる。
【0015】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
シリコン層上に、開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記シリコン層の上面が前記マスクに覆われた状態で、該シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層の表面に、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記マスクを用いて前記シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記シリコン層の上面が前記マスクに覆われた状態で、該シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0016】
この半導体装置の製造方法によれば、第1の熱酸化膜の端部は、形成時に、マスクとシリコン層(例えばシリコン基板又は単結晶シリコン層)の界面に沿って内側に伸びる。このため、第1の熱酸化膜を形成し、その後除去することにより、半導体基板の上端部は丸くなる。従って、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、半導体基板の上端部の曲率半径を大きくすることができる。
これにより、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、素子分離膜の相互間に形成される半導体素子(例えばトランジスタ)のハンプを抑制することができる。
【0017】
第1の熱酸化膜を除去する工程は、ウェットエッチングにより熱酸化膜を除去する工程であってもよいし、等方性のドライエッチングにより熱酸化膜を除去する工程であってもよい。溝を形成する工程は、異方性のエッチングを用いて該溝を形成する工程であってもよい。
第2の熱酸化膜を形成する工程において、該第2の熱酸化膜の厚さを5nm以上20nm以下にするのが好ましい。
【0018】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板を準備する工程と、
前記単結晶シリコン層上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層に溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層をエッチングすることにより、前記溝を深くする工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0019】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部内に位置する前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記溝を深くする工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0020】
これらの半導体装置の製造方法によれば、第1の熱酸化膜の上端部は、形成時に、下地膜と単結晶シリコン層の海面、又は下地膜と半導体基板の界面に沿って内側に伸びる。このため、第1の熱酸化膜を形成し、その後除去することにより、半導体基板の上端部は丸くなる。従って、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、半導体基板の上端部の曲率半径を大きくすることができる。
これにより、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、素子分離膜の相互間に形成される半導体素子(例えばトランジスタ)のハンプを抑制することができる。
【0021】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
シリコン層上に、開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記開口部内に位置する前記シリコン層に溝を形成する工程と、
上面が前記マスクに覆われた状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
上面が前記マスクに覆われた状態で前記シリコン層をエッチングすることにより、前記溝を深くする工程と、
上面が前記マスクに覆われた状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0022】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板を準備する工程と、
前記単結晶シリコン層上に、下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記下地膜をエッチングすることにより、前記開口部に露出している前記下地膜を後退させる工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層の表面、及び前記下地膜が後退したことにより露出した前記単結晶シリコン層の表面それぞれに、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0023】
この半導体装置の製造方法によれば、第1の熱酸化膜の端部は、形成時に、下地膜とシリコン層の界面に沿って内側に伸びる。特に、下地膜を後退させているため、第1の熱酸化膜の端部は内側に伸びやすい。このため、第1の熱酸化膜を形成し、その後除去することにより、シリコン層の上端部は丸くなる。従って、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、シリコン層の上端部の曲率半径を大きくすることができる。
このため、第2の熱酸化膜を形成するときの熱酸化量を増やさなくても、素子分離膜の相互間に形成される半導体素子(例えばトランジスタ)のハンプを抑制することができる。
【0024】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に、下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記下地膜をエッチングすることにより、前記開口部に露出している前記下地膜を後退させる工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板の表面、及び前記下地膜が後退したことにより露出した前記半導体基板の表面それぞれに、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0025】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
シリコン層上に、下地膜を有するマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記マスク膜に覆われている状態で前記下地膜をエッチングすることにより、前記開口部に面している前記下地膜を後退させる工程と、
前記マスク膜及び前記下地膜に覆われている状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層の表面、及び前記下地膜が後退したことにより露出した前記シリコン層の表面それぞれに、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記マスク膜及び前記下地膜に覆われている状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する。
【0026】
溝に素子分離膜を埋め込む工程の後に、素子分離膜の相互間に、N型MOSトランジスタを形成する工程を更に具備してもよい。
【0027】
本発明に係る半導体装置は、
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板と、
前記単結晶シリコン層に形成された溝と、
前記溝の側壁に形成された熱酸化膜と、
前記溝に埋め込まれた素子分離膜と
を具備し、
前記溝は、前記単結晶シリコン層の表面に形成されたLOCOS酸化膜を除去した後、該LOCOS酸化膜の周縁部以外が位置していた部分の下方をエッチングすることにより形成されている。
【0028】
本発明に係る他の半導体装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された溝と、
前記溝の表面に形成された熱酸化膜と、
前記溝に埋め込まれた素子分離膜と
を具備し、
前記溝は、前記半導体基板の表面に形成されたLOCOS酸化膜を除去した後、該LOCOS酸化膜の周縁部以外が位置していた部分の下方をエッチングすることにより形成されている。
【発明を実施するための形態】
【0029】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1、図2及び図3の各図は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法である。本実施形態で製造される半導体装置は、SOI(Silicon On Insulator)基板に形成され、STI(Shallow Trench Isolation)構造により素子間が分離される。
【0030】
まず、図1(A)に示すように、SOI基板を準備する。SOI基板は、支持基板であるシリコン基板1上に、酸化シリコンからなるBOX層2と、単結晶シリコン層であるSOI層3をこの順に積層した構造である。BOX層2の厚さは例えば400nmであり、SOI層3の厚さは例えば150nmである。次いで、SOI層3上に、下地膜となる酸化窒化シリコン(SiON)膜4を形成し、さらにその上に、窒化シリコン(SiN4)膜5を形成する。酸化窒化シリコン膜4の厚さは例えば10nmであり、窒化シリコン膜5の厚さは例えば150nmである。
【0031】
次いで、図1(B)に示すように、窒化シリコン膜5上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、窒化シリコン膜5上にはレジストパターン50が形成される。次いで、レジストパターン50をマスクとして窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4をエッチングする。これにより、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4には、素子分離膜を埋め込むべき領域上に位置する開口パターン5aが形成される。
【0032】
その後、図1(C)に示すように、レジストパターン50を除去する。次いで、SOI層3を熱酸化する。これにより、開口パターン5a内に位置するSOI層3の表面には、LOCOS法による第1の熱酸化膜6(LOCOS酸化膜)が形成される。第1の熱酸化膜6は、周端部6aがSOI層3と酸化窒化シリコン膜4の界面にそって内側に入り込み、バーズビークを形成している。
【0033】
次いで、図1(D)に示すように、第1の熱酸化膜6を、周端部6aも含めてウェットエッチング又は等方性のドライエッチングにより除去する。なお、ここでのウェットエッチングには、例えばフッ酸が用いられ、また、等方性のドライエッチングには、例えばC4F8、CO、O2及びN2の混合ガスが用いられる。
第1の熱酸化膜6が除去されることにより、SOI層3のうち、開口パターン5a端部の下に位置する上縁部3aは、丸くなる。
【0034】
次いで、図2(A)に示すように、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4をマスクとしてSOI層3をエッチングする。ここでは異方性のドライエッチングが用いられる。これにより、SOI層3には、素子分離膜を埋め込むための溝3bが形成される。上記したように、溝3bの側壁の上縁部3aは丸くなっている。なお、溝3bはSOI層3を貫通しており、その底面には、BOX層2が露出している。
【0035】
次いで、図2(B)に示すように、SOI層3を熱酸化する。これにより、溝3bの側壁には第2の熱酸化膜3cが形成される。第2の熱酸化膜3cが形成されることにより、SOI層3のうち酸化されていない部分の上縁部3dの曲率半径は、上縁部3aの曲率半径と比べて大きくなる。なお、第2の熱酸化膜3cの厚さは、例えば5nm以上20nm以下であり、従来と比べて薄い。しかし、第2の熱酸化膜3cを形成する前に、溝3bの上縁部3aは丸くなっているため、第2の熱酸化膜3cが薄くても、SOI層3の上縁部3dは十分に曲率半径が大きくなる。また、第2の熱酸化膜3cが薄いため、第2の熱酸化膜3cの下端部3eが、BOX層2とSOI層3の界面に沿って内側に入り込むことを抑制できる。
【0036】
次いで、図2(C)に示すように、溝3bの中及び窒化シリコン膜5上を含む全面上に、酸化シリコン膜を、高密度プラズマCVD法により形成する。
次いで、図3(A)に示すように、窒化シリコン膜5上に位置する酸化シリコン膜をCMP法により研磨除去し、さらに、窒化シリコン膜5をCMP法により研磨除去する。このとき、窒化シリコン膜5を少し(例えば厚さ75nmほど)残す。次いで、残留している窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4を、ウェットエッチングにより除去する。このようにして、溝3bには酸化シリコンからなる素子分離膜7が埋め込まれる。なお、素子分離膜7は、表面がSOI層3の表面より凸になっている。
【0037】
次いで、図3(B)に示すように、SOI層3を熱酸化する。これにより、素子分離膜7の相互間にはゲート酸化膜13が形成される。次いで、ゲート酸化膜13上を含む全面上にポリシリコン膜を形成する。次いで、ポリシリコン膜上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、ポリシリコン膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜をエッチングする。これにより、ポリシリコン膜はパターニングされ、ゲート電極14が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【0038】
次いで、ゲート電極14及び素子分離膜7をマスクとして、SOI層3にN型不純物イオンを注入する。これにより、SOI層3には低濃度不純物領域16a,16bが形成される。次いで、ゲート電極14上を含む全面上に酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜をエッチバックする。これにより、ゲート電極14の側壁にはサイドウォール15が形成される。次いで、ゲート電極14、サイドウォール15及び素子分離膜7をマスクとして、SOI層3にN型不純物イオンを注入する。これにより、SOI層3には、ソース及びドレインとなる不純物領域17a,17bが形成される。
このようにして、SOI基板にはN型MOSトランジスタが形成される。
【0039】
以上、本実施形態によれば、溝3bを形成する前に、SOI層3のうち溝3bを形成すべき部分の表面に、LOCOS法による第1の熱酸化膜6を形成し、その後、第1の熱酸化膜6を除去しているため、溝3bの側壁の上縁部3aは丸くなっている。このため、第2の熱酸化膜3cが薄くても、SOI層3の上縁部3dは十分に曲率半径が大きくなる。従って、N型MOSトランジスタのゲート電圧とソース−ドレイン間電流の相関において、ハンプはできにくくなる。
【0040】
また、第2の熱酸化膜3cが従来と比べて薄いため、第2の熱酸化膜3cの下端部3eが、BOX層2とSOI層3の界面に沿って内側に入り込むことを抑制できる。従って、平面配置において第2の熱酸化膜3cが占有する面積を小さくすることができるため、素子領域を有効利用し、半導体装置の微細化を進めることができる。また、ソース及びドレインとなる不純物領域17a,17bに加わる応力を抑制することができるため、N型MOSトランジスタのキャリアの移動度が低下することを抑制できる。
【0041】
図4の各図は、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態は、SOI基板ではなくシリコン基板にN型MOSトランジスタが形成される点が、第1の実施形態と異なる。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【0042】
まず、図4(A)に示すように、シリコン基板1上に酸化窒化シリコン膜4及び窒化シリコン膜5をこの順に形成し、さらに、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4に、開口パターン5aを形成する。次いで、開口パターン5aの下に位置するシリコン基板1の表面に、第1の熱酸化膜6を形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
【0043】
次いで、図4(B)に示すように、第1の熱酸化膜6を除去する。第1の熱酸化膜6の除去方法は第1の実施形態と同一である。これにより、シリコン基板1のうち、開口パターン5a端部の下に位置する上縁部1aは、丸くなる。
次いで、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4をマスクとしてシリコン基板1をエッチングする。ここでは異方性のドライエッチングが用いられる。これにより、シリコン基板1には、素子分離膜を埋め込むための溝1bが形成される。上記したように、溝1bの側壁の上縁部1aは丸くなっている。
【0044】
次いで、図4(C)に示すように、シリコン基板1を熱酸化することにより、溝1bの側壁に第2の熱酸化膜1cを形成する。このとき、シリコン基板1のうち酸化されていない部分の上縁部1dは、曲率半径が大きくなる。なお、このとき溝1bの底面も熱酸化される。
次いで、溝1bに素子分離膜7を埋め込む。素子分離膜7を埋め込む方法は、第1の実施形態において溝3bに素子分離膜7を埋め込む方法と同一である。なお、素子分離膜7を埋め込んだ後に、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4は除去される。
【0045】
次いで、図4(D)に示すように、ゲート酸化膜13、ゲート電極14、サイドウォール15、低濃度不純物領域16a,16b、ならびにソース及びドレインとなる不純物領域17a,17bを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。このようにして、シリコン基板1にはN型MOSトランジスタが形成される。
【0046】
この第2の実施形態においても、第1の実施形態と同様の作用により、N型MOSトランジスタのゲート電圧とソース−ドレイン間電流の相関において、ハンプができにくくなる。
【0047】
図5及び図6の各図は、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態は、溝3bを形成する工程が第1の実施形態と異なる。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【0048】
まず、図5(A)に示すように、SOI基板を準備し、SOI基板のSOI層3上に、酸化窒化シリコン膜4及び窒化シリコン膜5をこの順に積層する。次いで、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4に開口パターン5aを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
次いで、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4をマスクとして、SOI層3をエッチングする。これにより、SOI層3には溝3bが浅く形成される。
【0049】
次いで、図5(B)に示すように、SOI層3を熱酸化する。これにより、溝3bの側壁及び底面には第1の熱酸化膜8が形成される。第1の熱酸化膜8の上縁部8aは、SOI層3と酸化窒化シリコン膜4の界面に沿って内側に伸びており、バーズビークを形成している。
【0050】
次いで、図5(C)に示すように、第1の熱酸化膜8を、上縁部8aを含めて除去する。第1の熱酸化膜8の除去方法は、第1の実施形態における第1の熱酸化膜6を除去する方法と同一である。これにより、溝3bの側壁の上縁部3aは丸くなるが、その曲率半径は、予め溝3bを浅く形成しているため、第1の実施形態より大きくなる。
【0051】
次いで、図6(A)に示すように、再び窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4をマスクとして、SOI層3をエッチングする。これにより、溝3bは深くなり、SOI層3を貫通する。
【0052】
次いで、図6(B)に示すように、溝3bの側壁に第2の熱酸化膜3cを形成し、さらに溝3bに素子分離膜7を埋め込む。第2の熱酸化膜3cの形成方法、及び素子分離膜7の埋め込み方法は第1の実施形態と同一である。なお、第2の熱酸化膜3cを形成することにより、SOI層3の上縁部3dの曲率半径は、熱酸化前の上縁部3aの曲率半径と比べて大きくなる。また、素子分離膜7を埋め込んだ後に、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4は除去される。
【0053】
次いで、図6(C)に示すように、素子分離膜7の相互間に位置する領域に、ゲート酸化膜13、ゲート電極14、サイドウォール15、低濃度不純物領域16a,16b、及び不純物領域17a,17bを有するN型MOSトランジスタを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
【0054】
この第3の実施形態によっても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、第2の熱酸化膜3cを形成する前のSOI層3の上縁部3aは、第1の実施形態より曲率半径が大きいため、第2の熱酸化膜3cを形成した後の上縁部3dも、第1の実施形態より曲率半径が大きく大きくなる。従って、第1の実施形態より第2の熱酸化膜3cを薄くしても、N型MOSトランジスタのゲート電圧とソース−ドレイン間電流の関係において、ハンプは生じにくい。
【0055】
図7の各図は、第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法である。本実施形態は、SOI基板ではなくシリコン基板1上にN型MOSトランジスタを形成する点を除けば、第3の実施形態と同一である。以下、第3の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【0056】
まず、図7(A)に示すように、シリコン基板1上に酸化窒化シリコン膜4及び窒化シリコン膜5をこの順に形成し、さらに、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4に開口パターン5aを形成する。これらの形成方法は、第3の実施形態と同一である。次いで、開口パターン5aの下に位置するシリコン基板1に溝1bを浅く形成し、さらに、シリコン基板1を熱酸化することにより、溝1bの表面に、第1の熱酸化膜8を形成する。溝1bの形成方法は、第3の実施形態において溝3bを浅く形成する方法と同一である。
【0057】
次いで、図7(B)に示すように、第1の熱酸化膜8を除去する。第1の熱酸化膜8の除去方法は第3の実施形態と同一である。これにより、シリコン基板1のうち、開口パターン5a端部の下に位置する上縁部1aは、丸くなる。
次いで、溝1bを深くする。この方法も第3の実施形態と同一である。
【0058】
次いで、図7(C)に示すように、シリコン基板1を再び熱酸化することにより、溝1bの側壁に第2の熱酸化膜1cを形成し、さらに溝1bに素子分離膜7を埋め込む。素子分離膜7の埋め込み方法は、第3の実施形態と同一である。なお、第2の熱酸化膜1cを形成することにより、シリコン基板1の上縁部1dの曲率半径は、上縁部1aの曲率半径と比べて大きくなる。また、素子分離膜7を埋め込むときに、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4は除去される。
【0059】
次いで、図7(D)に示すように、素子分離膜7の相互間に位置する領域に、ゲート酸化膜13、ゲート電極14、サイドウォール15、低濃度不純物領域16a,16b、及び不純物領域17a,17bを有するN型MOSトランジスタを形成する。これらの形成方法は第3の実施形態と同一である。
【0060】
この第4の実施形態によっても、第3の実施形態と同様の作用により、第2の実施形態より第2の熱酸化膜1cを薄くしても、N型MOSトランジスタのゲート電圧とソース−ドレイン間電流の関係において、ハンプができにくくなる。
【0061】
図8及び図9の各図は、第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態は、溝3bを形成する工程が第1の実施形態と異なる。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【0062】
まず、図8(A)に示すように、SOI基板を準備する。次いで、SOI基板のSOI層3上に、酸化窒化シリコン膜4及び窒化シリコン膜5をこの順に積層する。次いで、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4に開口パターン5aを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
【0063】
次いで、図8(B)に示すように、ウェットエッチングにより、酸化窒化シリコン膜4を開口パターン5aから後退させる。これにより、SOI層3上には、開口パターン5aに繋がる凹部4aが形成される。ここでのウェットエッチングには、HF含有液が用いられる。
【0064】
次いで、図8(C)に示すように、SOI層3を熱酸化する。これにより、シリコン基板1のうち開口パターン5a及び凹部4a内で露出している部分の表面には、第1の熱酸化膜9が形成される。第1の熱酸化膜9の周端部9aは、SOI層3と酸化窒化シリコン膜4の界面に沿って内側に伸びており、バーズビークを形成している。
【0065】
次いで、図9(A)に示すように、第1の熱酸化膜9を除去する。第1の熱酸化膜9の除去方法は、第1の実施形態における第1の熱酸化膜6を除去する方法と同一である。これにより、SOI層3の上縁部3aは丸くなるが、予め凹部4aを形成しているため、その曲率半径は第1の実施形態より大きくなる。
【0066】
次いで、図9(B)に示すように、溝3bの側壁に第2の熱酸化膜3cを形成し、さらに溝3bに素子分離膜7を埋め込む。第2の熱酸化膜3cの形成方法、及び素子分離膜7の埋め込み方法は第1の実施形態と同一である。なお、第2の熱酸化膜3cを形成することにより、SOI層3の上縁部3dの曲率半径は、熱酸化前の上縁部3aの曲率半径と比べて大きくなる。また、素子分離膜7を埋め込んだ後、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4は除去される。
【0067】
次いで、素子分離膜7の相互間に位置する領域に、ゲート酸化膜13、ゲート電極14、サイドウォール15、低濃度不純物領域16a,16b、及び不純物領域17a,17bを有するN型MOSトランジスタを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
【0068】
この第5の実施形態によっても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、第2の熱酸化膜3cを形成する前の上縁部3aの曲率半径は第1の実施形態より大きいため、第2の熱酸化膜3cを形成した後の上縁部3dの曲率半径も第1の実施形態より大きくなる。従って、第1の実施形態より第2の熱酸化膜3cを薄くしても、N型MOSトランジスタのゲート電圧とソース−ドレイン間電流の関係において、ハンプができにくくなる。
【0069】
図10の各図は、第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態は、SOI基板ではなくシリコン基板1上にN型MOSトランジスタを形成する点を除けば、第5の実施形態と同一である。以下、第5の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【0070】
まず、図10(A)に示すように、シリコン基板1上に酸化窒化シリコン膜4及び窒化シリコン膜5をこの順に形成し、さらに、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4に開口パターン5aを形成する。次いで、酸化窒化シリコン膜4を開口パターン5aから後退させ、凹部4aを形成する。次いで、シリコン基板1の表面のうち、開口パターン5a及び凹部4a内で露出している部分に、第1の熱酸化膜9を形成する。これらの形成方法は第5の実施形態と同一である。
【0071】
次いで、図10(B)に示すように、第1の熱酸化膜9を除去し、さらに、シリコン基板1に溝1bを形成する。第1の熱酸化膜9の除去方法は、第5の実施形態と同一である。また、溝1bの形成方法は、第2の実施形態と同一である。これにより、シリコン基板1の上縁部1aは丸くなる
【0072】
次いで、図10(C)に示すように、シリコン基板1を熱酸化することにより、溝1bの側壁に第2の熱酸化膜1cを形成し、さらに溝1bに素子分離膜7を埋め込む。素子分離膜7の埋め込み方法は、第5の実施形態と同一である。なお、第2の熱酸化膜1cを形成することにより、シリコン基板1の上縁部1dの曲率半径は、熱酸化前の上縁部1aの曲率半径と比べて大きくなる。また、素子分離膜7を埋め込むときに、窒化シリコン膜5及び酸化窒化シリコン膜4は除去される。
【0073】
次いで、素子分離膜7の相互間に位置する領域に、ゲート酸化膜13、ゲート電極14、サイドウォール15、低濃度不純物領域16a,16b、及び不純物領域17a,17bを有するN型MOSトランジスタを形成する。これらの形成方法は第5の実施形態と同一である。
【0074】
この第6の実施形態によっても、第5の実施形態と同様の作用により、第2の実施形態より第2の熱酸化膜1cを薄くしても、N型MOSトランジスタのゲート電圧とソース−ドレイン間電流の関係において、ハンプができにくくなる。
【0075】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、上記した各実施形態において、SOI層3又はシリコン基板1に注入する不純物イオンをP型不純物イオンに変更することにより、N型MOSトランジスタの代わりにP型MOSトランジスタを形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【0076】
【図1】(A)は第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図、(D)は(C)の次の工程を説明するための断面図。
【図2】(A)は図1(D)の次の工程を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図。
【図3】(A)は図2(C)の次の工程を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図。
【図4】(A)は第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図、(D)は(C)の次の工程を説明するための断面図。
【図5】(A)は第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図。
【図6】(A)は図5(C)の次の工程を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図。
【図7】(A)は第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図、(D)は(C)の次の工程を説明するための断面図。
【図8】(A)は第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図。
【図9】(A)は図8(C)の次の工程を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図。
【図10】(A)は第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図。
【図11】(A)は従来の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図、(B)は(A)の次の工程を説明するための断面図、(C)は(B)の次の工程を説明するための断面図。
【図12】トランジスタのゲート電圧(Vg)と、ソース−ドレイン間電流(Is)の相関を示すグラフ。
【符号の説明】
【0077】
1,101…シリコン基板、1a,1d,3a,3d,8a,103a…上縁部、1b,3b,103b…溝、1c,3c…第2の熱酸化膜、2,102…BOX層、3,103…SOI層、3e…下端部、4,104…酸化窒化シリコン膜、4a…凹部、5,105…窒化シリコン膜、5a,105a…開口パターン、6,8,9…第1の熱酸化膜、6a,9a…周端部、7,107…素子分離膜、13,113…ゲート酸化膜、14,114…ゲート電極、15,115…サイドウォール、16a,16b,116a,116b…低濃度不純物領域、17a,17b,117a,117b…不純物領域、50…レジストパターン、103c…熱酸化膜、103e…下部
【特許請求の範囲】
【請求項1】
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板を準備する工程と、
前記単結晶シリコン層上に、下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層の表面に、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の表面に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項2】
半導体基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板の表面に、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項3】
シリコン層上に、開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記シリコン層の上面が前記マスクに覆われた状態で、該シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層の表面に、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記マスクを用いて前記シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記シリコン層の上面が前記マスクに覆われた状態で、該シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記第1の熱酸化膜を除去する工程は、ウェットエッチングにより前記第1の熱酸化膜を除去する工程である請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記第1の熱酸化膜を除去する工程は、等方性のドライエッチングにより前記第1の熱酸化膜を除去する工程である請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記溝を形成する工程は、異方性のエッチングを用いて該溝を形成する工程である請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
前記第2の熱酸化膜を形成する工程において、該第2の熱酸化膜の厚さを5nm以上20nm以下にする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板を準備する工程と、
前記単結晶シリコン層上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層に溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層をエッチングすることにより、前記溝を深くする工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項9】
半導体基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部内に位置する前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記溝を深くする工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項10】
シリコン層上に、開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記開口部内に位置する前記シリコン層に溝を形成する工程と、
上面が前記マスクに覆われた状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
上面が前記マスクに覆われた状態で前記シリコン層をエッチングすることにより、前記溝を深くする工程と、
上面が前記マスクに覆われた状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項11】
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板を準備する工程と、
前記単結晶シリコン層上に、下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記下地膜をエッチングすることにより、前記開口部に露出している前記下地膜を後退させる工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層の表面、及び前記下地膜が後退したことにより露出した前記単結晶シリコン層の表面それぞれに、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項12】
半導体基板上に、下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記下地膜をエッチングすることにより、前記開口部に露出している前記下地膜を後退させる工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板の表面、及び前記下地膜が後退したことにより露出した前記半導体基板の表面それぞれに、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項13】
シリコン層上に、下地膜を有するマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記マスク膜に覆われている状態で前記下地膜をエッチングすることにより、前記開口部に面している前記下地膜を後退させる工程と、
前記マスク膜及び前記下地膜に覆われている状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層の表面、及び前記下地膜が後退したことにより露出した前記シリコン層の表面それぞれに、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記マスク膜及び前記下地膜に覆われている状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項14】
前記溝に前記素子分離膜を埋め込む工程の後に、
前記素子分離膜の相互間に、N型MOSトランジスタを形成する工程を更に具備する請求項1,8,11のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項15】
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板と、
前記単結晶シリコン層に形成された溝と、
前記溝の側壁に形成された熱酸化膜と、
前記溝に埋め込まれた素子分離膜と
を具備し、
前記溝は、前記単結晶シリコン層の表面に形成されたLOCOS酸化膜を除去した後、該LOCOS酸化膜の周縁部以外が位置していた部分の下方をエッチングすることにより形成されている半導体装置。
【請求項16】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された溝と、
前記溝の表面に形成された熱酸化膜と、
前記溝に埋め込まれた素子分離膜と
を具備し、
前記溝は、前記半導体基板の表面に形成されたLOCOS酸化膜を除去した後、該LOCOS酸化膜の周縁部以外が位置していた部分の下方をエッチングすることにより形成されている半導体装置。
【請求項1】
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板を準備する工程と、
前記単結晶シリコン層上に、下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層の表面に、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の表面に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項2】
半導体基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板の表面に、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項3】
シリコン層上に、開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記シリコン層の上面が前記マスクに覆われた状態で、該シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層の表面に、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記マスクを用いて前記シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記シリコン層の上面が前記マスクに覆われた状態で、該シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記第1の熱酸化膜を除去する工程は、ウェットエッチングにより前記第1の熱酸化膜を除去する工程である請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記第1の熱酸化膜を除去する工程は、等方性のドライエッチングにより前記第1の熱酸化膜を除去する工程である請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記溝を形成する工程は、異方性のエッチングを用いて該溝を形成する工程である請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
前記第2の熱酸化膜を形成する工程において、該第2の熱酸化膜の厚さを5nm以上20nm以下にする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板を準備する工程と、
前記単結晶シリコン層上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層に溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層をエッチングすることにより、前記溝を深くする工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項9】
半導体基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部内に位置する前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記溝を深くする工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項10】
シリコン層上に、開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記開口部内に位置する前記シリコン層に溝を形成する工程と、
上面が前記マスクに覆われた状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
上面が前記マスクに覆われた状態で前記シリコン層をエッチングすることにより、前記溝を深くする工程と、
上面が前記マスクに覆われた状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項11】
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板を準備する工程と、
前記単結晶シリコン層上に、下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記下地膜をエッチングすることにより、前記開口部に露出している前記下地膜を後退させる工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層の表面、及び前記下地膜が後退したことにより露出した前記単結晶シリコン層の表面それぞれに、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記単結晶シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記単結晶シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記単結晶シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項12】
半導体基板上に、下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記下地膜をエッチングすることにより、前記開口部に露出している前記下地膜を後退させる工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板の表面、及び前記下地膜が後退したことにより露出した前記半導体基板の表面それぞれに、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記半導体基板に、溝を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜及び前記下地膜をマスクとして前記半導体基板を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項13】
シリコン層上に、下地膜を有するマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜及び前記下地膜に開口部を形成する工程と、
前記マスク膜に覆われている状態で前記下地膜をエッチングすることにより、前記開口部に面している前記下地膜を後退させる工程と、
前記マスク膜及び前記下地膜に覆われている状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層の表面、及び前記下地膜が後退したことにより露出した前記シリコン層の表面それぞれに、第1の熱酸化膜を形成する工程と、
前記第1の熱酸化膜を除去する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記シリコン層をエッチングすることにより、前記開口部内に位置する前記シリコン層に、溝を形成する工程と、
前記マスク膜及び前記下地膜に覆われている状態で前記シリコン層を熱酸化することにより、前記溝の側壁に第2の熱酸化膜を形成する工程と、
前記溝に、素子分離膜を埋め込む工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項14】
前記溝に前記素子分離膜を埋め込む工程の後に、
前記素子分離膜の相互間に、N型MOSトランジスタを形成する工程を更に具備する請求項1,8,11のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項15】
支持基板、絶縁層及び単結晶シリコン層がこの順に積層されたSOI基板と、
前記単結晶シリコン層に形成された溝と、
前記溝の側壁に形成された熱酸化膜と、
前記溝に埋め込まれた素子分離膜と
を具備し、
前記溝は、前記単結晶シリコン層の表面に形成されたLOCOS酸化膜を除去した後、該LOCOS酸化膜の周縁部以外が位置していた部分の下方をエッチングすることにより形成されている半導体装置。
【請求項16】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された溝と、
前記溝の表面に形成された熱酸化膜と、
前記溝に埋め込まれた素子分離膜と
を具備し、
前記溝は、前記半導体基板の表面に形成されたLOCOS酸化膜を除去した後、該LOCOS酸化膜の周縁部以外が位置していた部分の下方をエッチングすることにより形成されている半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【公開番号】特開2006−41330(P2006−41330A)
【公開日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−221412(P2004−221412)
【出願日】平成16年7月29日(2004.7.29)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【国際特許分類】
【出願日】平成16年7月29日(2004.7.29)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
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