説明

印刷はんだ検査方法、及び印刷はんだ検査装置

【課題】レジスト面の変位を正反射光と乱反射光のそれぞれで測定し、その両者の相関関係を基にレジスト下のパッド面の位置を推定し、その位置からのはんだ高さを求めるプリント板検査装置を提供する。
【解決手段】第1のセンシング手段(OS1,D1,D2)がレジスト面を透過して基板の表面で反射する光を含む散乱光を受けて第1の変位を測定し、第2のセンシング手段(OS2,D3)が正反射した反射光を測定して第2の変位を測定し、それらの差とレジストの厚さとの関係を表す補正値を補正メモリ5に予め記憶する。そして、基板のレジスト面において第1及び第2のセンシング手段により第1の変位と第2の変位を求める。次にそれらの差を基に補正メモリを参照して補正値を求め、第2の変位から補正値を減算して、パッド面位置を求める。第1又は第2のセンシング手段により求めた変位から印刷はんだ箇所の表面の変位をパッド面からの変位として求める構成とした。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品等を表面実装するためのプリント板上にクリーム状はんだが印刷されたときのはんだの形成状態を測定し、検査する印刷はんだ検査方法及びその装置に関する。特に、プリント板には、はんだが印刷される予定の箇所(以下、「はんだ箇所」と言う。)であって回路パターン(パッド)が顕わにされ、部品が取り付け可能なパッド部と、回路パターンの上に半透明なレジストが塗布されたレジスト部(はんだが印刷されない部分)があるが、この発明は、実際に印刷されたはんだの高さをパッド面(回路パターン面)からの高さとして測定できる技術に係る。
【背景技術】
【0002】
従来、印刷はんだ検査装置としては、プリント板(以下、はんだが印刷されたプリント板を単に「基板」と言い、はんだが印刷されていないプリント板を「未印刷基板」と言う。)の表面をレーザ光等で照射し、基板の表面からの反射光を受光するセンサを有し、そのセンサにより測定(三角測量)した結果として得られた測定値、例えば、基板上の印刷されたはんだ箇所の変位(高さを含む)或いは輝度(基板から反射した光の量、受光量(光の強さ)を含む。)の測定値を基に、判定の基準となる基準データとを比較して判定している(特許文献1、2)。
【0003】
特許文献1では、例えば図8に示すようなはんだ箇所の周辺の部分の平均高さを求めて、そのレジスト1a部分の平均高さを基準としてはんだ高さを測定している。特許文献1の技術では、はんだ箇所の周辺のレジスト1a部分の平均高さを求めるにあたっては、レジスト1a部分とはんだ箇所との間に隙間があるので、その部分を除いたレジスト1a部分の平均高さを求めて、これを基準としている。
【0004】
ところで、最近は、はんだを印刷している分野からは、印刷されたはんだ量を正確に知りたい、そのために、はんだを印刷する箇所であるパッド1cの面からその上に実際に印刷されたはんだ高さを測定したいという要望が、多くなってきた。そうすると、特許文献1の技術では、そのまま適用できない。
【0005】
そこで、特許文献2に示すように、予め未印刷基板で測定された各部の高さと、実際にはんだ1bが印刷された基板を測定して得られた各部の高さとから、パッド1cの面からのはんだ高さを測定する技術を提供されている。
そして特許文献2では、レジスト1a面を仲介して、次のようにして求める。
はんだ高さ=(レジスト1a面からのはんだ高さ)+(パッド1c面からのレジスト1a面高さ)=パッド1c面からのはんだ高さ
したがって、この場合、レジスト1a面の高さが測定されて利用されているが、計算上、最終的にうち消すのでレジスト1a面の絶対高さの影響を抑えて測定可能である。
【0006】
【特許文献1】特開2002−228597号公報
【特許文献2】特願2006−159702号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ところで、レジスト1a面は塗布の仕方により、例えば、図9(A)のようにそのはんだ箇所との境の端部では、一様に塗布されない傾向がある。図9(A)は紙面の右から左へかけてレジスト1aが塗布された場合であり、右側のレジスト1a端部が薄く、左側のレジスト1a端部が厚く盛り上がっている。図9(C)は、理想的な塗布が行われた場合である。図9(B)では、レジスト1aの端部周辺の厚さ(高さ)の平均値(図9(B)の点線)が、はんだ箇所を挟んだレジスト1a面端部の右側と左側とで、異なる値を示すことが分かる。
【0008】
各基板におけるレジスト1aの塗布の状態が一定して図9(C)のような形状を形成でき、かつ維持できれば良いが、基板によってこれが変動しやすいと、特許文献2でも誤差になりやすい。それは、特許文献2の場合は、未印刷基板で、予め上記式の「パッド1c面からのレジスト1a高さ」を測定し記憶しておいて、各はんだ箇所毎の測定の都度その記憶した値を求めるため、「パッド1c面からのレジスト1a高さ」は各基板において一定でなければならない。つまり、図9(B)のように安定しない場合は、レジスト1aの端部の高さが基板毎に変動すると誤差要因になりかねない。
【0009】
一方で、発明者は、半透明なレジスト1aの厚さを求められないかを調査・検討してみた。先ず、図7(A)のようにレジスト1aの面に斜めに光を入射させ、その正反射光を取り込んで、ある基準位置に対する(はんだが印刷された状態でも基準となるような位置が好ましい)変位L2を測定する。次に図7(B)に示すように垂直方向からレジスト1a面に光を入射させ、その入射光軸に対して対称に散乱する散乱反射光を取り込んで、ある基準位置に対する変位L1を測定する。このとき、散乱反射光には、レジスト1aを透過してレジスト1aの下部の銅箔等の回路パターン面(パッド面)で散乱反射する光と、レジスト1a表面で散乱反射する光の双方が含まれている可能性がある。これらの測定値、及びそれらの差δL=L2−L1をプロットすると図7(C)のようになる。なお、以下の説明において「位置」「基準位置」とは基板の上の高さ方向の位置を言う。
【0010】
したがって、差δL等とレジスト1aの厚さとの相関が、変位L2,変位L1が変動しても安定に得られれば、差δLに対応してレジスト1aの厚さが求められることが分かった。実際、変位L2が連続した滑らかな形状であれば、差δL等とレジスト1aの厚さとの相関のあるデータが得られた。それを模式的に示したのが図6である。上記のように相関が取れれば、差δLとレジスト1a厚さとの関係からパッド面の位置を求めるための補正値Ls(レジスト1aの厚さ相当)を経験的に求められる。それを表したのが図6(A)である。図6(B)は、測定して得られたδLを基に図6(A)を参照して得た補正値Lsを用いてパッド面1c(回路パターン面)の推定位置=L2―Lsを求めることを示す図である。したがって、レジスト1aの下にあるパッド面の位置が推定できるので、パッド面からのはんだの高さを測定できる。
【0011】
本発明の目的は、パッドの回路パターンがレジスト面下にある場合のレジスト面の変位を正反射光と乱反射光のそれぞれで測定し、その両者の相関関係を基にレジスト下のパッド面の位置を推定し、その位置からのはんだ高さ(変位)を求める印刷はんだ検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0012】
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、プリント板の表面の測定点に垂直に光を照射し、該測定点からの散乱光を受けて第1の変位を測定するための第1のセンシング手段(OS1,D1,D2)と、前記同じ測定点を前記垂直に対し所定角度斜めの角度で照射し該測定点で正反射した反射光を測定して第2の変位を測定するための第2のセンシング手段(OS2,D3)とを含む変位センサ(2)を準備する段階と、前記変位センサで前記測定点を前記プリント板のレジスト面として前記第2の変位と第1の変位を測定し、それらの差と該レジストの厚さとの関係を表す関数値をメモリに記憶しておく初期段階と、表面のパッド面にはんだが印刷された被測定プリント板を受けて、該被測定プリント板のレジスト面及び該パッド面上のはんだ面を前記測定点として前記変位センサにより前記第1の変位と前記第2の変位を求める測定段階と、該測定段階で前記レジスト面で求められた該第1の変位と該第2の変位との差を基に前記メモリを参照して対応する関数値を求め、該第2の変位から前記関数値を減算して、前記パッド面の位置を求める基準位置算出段階と、前記測定段階で測定された前記はんだ面における第1の変位又は第2の変位によりはんだ面の変位を該パッド面の位置からの変位として求める変位算出段階とを備えた。
【0013】
請求項2に記載の発明は、表面にはんだが印刷されたパッド面とレジスト面を有する被測定プリント板の該表面の測定点に垂直に光を照射し、該測定点からの散乱光を受ける第1のセンシング手段(OS1,D1,D2)と、前記同じ測定点を前記垂直に対し所定角度斜めの角度で照射し該測定点で正反射した反射光を受ける第2のセンシング手段(OS2,D3)とを含む変位センサ(2)と、前記第1のセンシング手段の出力から散乱光に基づく第1の変位、及び前記第2のセンシング手段の出力から正反射光に基づく第2の変位を算出するデータ処理部(3)と、該第1の変位又は該第2の変位により、該はんだ面の変位を求める測定部(7)とを備えたプリント板検査装置であって、予め、前記レジスト面における第2の変位と第1の変位との差と、前記レジストの厚さとの関係を表す関数値を記憶するメモリ(5)と、検査時に、前記被測定プリント板のレジスト面を前記測定点として前記変位センサにより前記第1の変位と前記第2の変位を求める基礎測定部(6)と、前記レジスト面で求められた該第1の変位と該第2の変位との差を基に前記メモリを参照して対応する関数値を求め、該第2の変位から前記関数値を減算して、前記パッド面の位置を求める基準位置算出部(6a)と、を備え、前記測定部は、前記レジスト面の位置からのはんだ面の変位を前記関数値で補正することにより、該はんだ面の変位を該パッド面の位置からの変位として求める構成とした。
【0014】
請求項3に記載の発明は、プリント板の表面の測定点に垂直に光を照射し、該測定点からの散乱光を受ける第1のセンシング手段(OS1,D1,D2)と、前記同じ測定点を前記垂直に対し所定角度斜めの角度で照射し該測定点で正反射した反射光を受ける第2のセンシング手段(OS2,D3)とを含む変位センサ(2)と、前記第1のセンシング手段の出力から散乱光に基づく第1の変位、及び前記第2のセンシング手段の出力から正反射光に基づく第2の変位を算出するデータ処理部(3)と、予め、第2の変位と第1の変位との差と前記レジストの厚さとの関係を表す関数値を記憶するメモリ(5)と、表面のパッド面にはんだが印刷された被測定プリント板を受けて、該被測定プリント板のレジスト面を前記測定点として前記変位センサにより前記第1の変位と前記第2の変位を求める基礎測定部(6)と、該レジスト面で求められた該第1の変位と該第2の変位との差を基に前記メモリを参照して対応する関数値を求め、該第2の変位から前記関数値を減算して、前記パッド面の位置を求める基準位置算出部(6a)と、前記被測定プリント板の前記はんだ面を前記測定点として前記変位センサにより前記第1の変位又は前記第2の変位を求め、該はんだ面の変位を該パッド面の位置からの変位として求める測定部(7)と、を備えた。
【0015】
請求項4に記載の発明は、請求項2又は3に記載の発明において、前記第1のセンシング手段は、前記プリント板の測定点を垂直方向から照射する第1の光源(OS1)と、該第1の光源の第1の光軸に対して第1の角度θ1で形成される第1の散乱光路上に配置された第1の受光手段(D1)と、該第1の光軸に対して該第1の散乱光路と反対側に第2の角度θ2で形成される第2の散乱光路上に配置された第2の受光手段(D2)とを備え、前記第1の変位は、前記第1の受光手段の出力と前記第2の受光手段の出力との和を基に求められ、また、前記第2のセンシング手段は、該第1の光軸に対して斜めの角度θ3で前記測定点を照射する第2の光源(OS2)と、該測定点にて該第2の光源の第2の光軸に対して第3の角度2θ3で形成される正反射光路上に配置された第3の受光手段(D3)とを備え、前記第2の変位は、該第3の受光手段の出力から求められる構成とした。
【0016】
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記変位センサにおいて、前記第1の受光手段、前記第2の受光手段及び前記第3の受光手段のそれぞれは、所定長さの受光面を有し、該所定長さ方向における受光位置に応じて光変位情報を検出する位置検出器であって、前記第1の光軸、前記第2の光源の光軸、前記第1の散乱光路、前記第2の散乱光路及び正反射光路を含む平面内で、前記所定長さ方向を該平面に沿うように配置され、さらに前記第1の角度θ1、前記第2の角度θ2と前記第3の角度2θ3は同一になるよう構成され、かつ前記第1の受光手段が前記第1の散乱光路となす角度(α1)、第2の受光手段が前記第2の散乱光路となす角度(α2)及び第3の受光手段が前記正反射光路となす角度(α3)が同一になるように構成される。
【発明の効果】
【0017】
請求項1、2又は3に記載の発明は、レジスト面で三角測量における正反射光による変位測定と、レジスト面で垂直から照射したときの互いに相反する方向への散乱反射光による変位測定とを行って、それらの測定値から、パッド面の位置を求め、はんだ面の高さ(変位)を正反射光もしくは散乱反射光を用いて測定し、はんだが印刷されたパッド面からのはんだ面の高さを求めることができる。
請求項5記載の発明は、正反射光、2つの散乱反射光の各受光感度を同じくして測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0018】
本発明に係る印刷はんだ検査装置の第1の実施形態を図を用いて説明する。図1は第1の実施形態の内、変位センサ及び測定部の機能構成を示す図であって、変位センサと被測定物間を相対的に走査して検査する形態の図である。図2は実施形態の内、検査部の機能構成を示す図である。図3は、図1の変位センサを構成する機能要素の配置を示す図である。図4は、各受光手段の位置関係を示し、各受光手段の感度を説明するための図である。図5は、第2の実施形態であって、変位センサ内で光源により光学的走査を行うタイプの実施形態を示す図である。
【0019】
[第1の実施形態の構成]
図1を用いて、変位センサ2を用いた変位測定を行う変位測定部100の機能構成について説明する。
【0020】
図1及び図3で変位センサ2は、一枚の板状の基板あるいは平板上の基台(以下、「基台」と言う。不図示)に、第1の光源OS1と、第1の受光手段D1と、第2の受光手段D2と、第2の光源OS2と、第3の受光手段D3と、を互いの位置関係を固定して、一体的に1筐体を成すように形成されている。第1の光源OS1は基板1の表面の測定点(対象位置)を垂直方向から第1光軸に沿って光(以下、光のビームであるが「光」と称する。)を照射する位置にある。第1の受光手段D1は測定点にて該第1の光軸に対して第1の角度θ1で形成される第1の散乱光路上に配置されている。第2の受光手段D2は、第1の光軸に対して第1の散乱光路と反対側に第2の角度θ2で形成される第2の散乱光路上に配置されている(以上が「第1のセンシング手段」)。光源OS2は、第1の光軸に対して斜めの角度θ3を成す第2の光軸の光で測定点を照射する。そして第3の受光手段D3は、測定点にて第2の光源の第2の光軸に対して第3の角度2θ3で形成される正反射光路上に配置されている(以上が、「第2のセンシング手段」)。
【0021】
また、第1の受光手段D1、第2の受光手段D2及び第3の受光手段D3のそれぞれは、所定長さの受光面を有し、該所定長さ方向における受光位置に応じて光変位情報を検出する位置検出器(PSD:Position Sensitive Detector)が用いられている。PSDは、長さ方向に光検出素子が配置され、その長さ方向の両端からの位置を示す情報としてそれらの各端部からその位置に応じた電気量である出力A、出力Bが出力されるとその変位情報は(A−B)/(A+B)で示される。また、変位情報の出力に併せて、第1の受光手段D1、第2の受光手段D2、及び第3の受光手段D3は、測定点からの反射光量を測定して光量情報を出力する。PSDは、測定点の変位により受光位置が変わり、その受光位置に応じた電気量を出力する素子、つまり変位を電気量に表して出力する素子である。PSDの代わりに、フォトダイオード・アレイやCCD等で直接、受光位置を変位位置として出力する構成としても良い。
【0022】
図1に示す位置の変位センサ2は、図1の各光学素子の配列方向に直交する方向(紙面の奥行方向)に要素間の位置関係を保持したまま、基板1に対してセンサ全体を移動して走査することにより、基板1の広い範囲に亘ってその表面の変位を測定できる構造にされている。
【0023】
図1で、走査機構4は、モータ等の駆動源及びベルト等の駆動機構を有し、基板1、もしくは変位センサ2、或いはそれらの双方を相対的に移動させることにより、走査させる。図1において変位センサ2を、第1の受光手段D1等の各要素が配列された配列方向と直交する方向(図1の紙面に直交する奥行き方向)へ主走査させながら変位測定をさせ、1主走査を終了すると、次に配列方向(図1の紙面に平行な方向)に移動(副走査)して、位置を変えて主走査して変位測定を行う。この動作を繰り返すことにより、基板1の、所望範囲についての変位測定を行わせる。なお、走査方向は一例であり、他の方向であっても良い。
【0024】
補正用メモリ5は、多くの基板1を検査する前に、予めレジスト1aの厚さを求めるための補正値を記憶する。この補正値は、上記変位センサ2を用いて上記「解決しようとする課題」で開示したように、操作者は、検査しようとする基板1の代表的なものについて、レジスト1a面を第1のセンシング手段で散乱反射変位測定を行い、また、第2のセンシング手段でレジスト1a表面の変位を正反射変位測定で行って、それらの測定値の差δLと実際のレジスト1aの厚さとの関係を示す関数値Lsを求める。関数値Lsは、補正に利用されるので、以下、補正値Lsとして説明する。この取得した補正値Lsを取得して、差δLからそれに該当する補正値Lsが読み出せるように補正用メモリ5に記憶させる。これは、後記する基礎測定部6を使って、本実施形態でもできるし、外部でδLと補正値Lsを取得して、補正用メモリ5に記憶させても良い。ただし、前者の方が、この補正値Lsの取得と、検査のための測定と同じ変位センサ2を使用して行えるので信頼度が良い。
【0025】
制御部12は、パネル等(不図示)からの指示により例えば、はんだが印刷されたプリント基板の所望測定範囲の指示を受け、その所望範囲についての走査指示を走査機構4へ送って上記のように走査させる。走査にあたっては、第1の光源OS1と第2の光源OS2が同一波長の光源を利用した場合は、基板(被測定物)1上の同一の走査位置(測定点)で第1の光源OS1と第2の光源OS2を交互に切り替える構成とする。異なる波長の光源を利用した場合は、必ずしも切り替える必要はなく、同時に出力させる構成としても良い。
【0026】
また制御部12は、基礎測定部6に基礎測定を行わせてレジスト1aの厚さを求めさせて、パッド1cの位置を推定させる。また、測定部7に対してパッド1c位置からはんだ1b表面の高さを測定させる。詳細は後記する。
【0027】
データ処理部3は、加算器3a、加算器3b、及び演算部3cを有し、各受光手段からの出力を基に測定点における変位(データ)を算出している。加算器3aは、第1の受光手段D1の出力A1と第2の受光手段D2の出力A2を受けてそれらを加算し、その結果Ax=A1+A2を出力する。加算器3bは、第1の受光手段D1の出力B1と第2の受光手段D2の出力B2を受けてそれらを加算し、その結果Bx=B1+B2を出力する。演算部3cは、それらを基に乱反射による変位情報である出力L1=(Ax−Bx)/(Ax+Bx)を求める。または/及び、演算部3cは、第3の受光手段D3からの出力を受けて正反射による変位情報である出力L2=(A3−B3)/(A3+B3)を求める。
【0028】
このとき、演算部3cの出力L1及びL2は、次に説明するように基礎測定部6や測定部7からの指示により、利用される態様が異なる。
【0029】
制御部12は、レジスト1aの厚さを測定するとき、つまり、パッド1c面の位置を推定するときは基礎測定を基礎測定部6に対して行わせ、はんだ1bの高さを測定するときは測定部7に行わせる。詳しくは下記(1)及び(2)で説明する。なお、はんだ1b面における測定か、レジスト1a面における測定かは、レジスト1a面とはんだ1b面で反射光量が異なるので、各受光手段からの光量情報に基づいて、反射量が大のときはレジスト1a面、少ないときははんだ1b面と判定して測定を切り替えられる。又、予め、設計に基づいて変位センサ位置を走査させるので、その設計情報に基づく位置情報からどちらの測定を行うかを判定することもできる。判定に応じてスイッチS1を基礎測定部6側、又は測定部7側に切り替える。
【0030】
(1)基礎測定
基礎測定部6は、測定点がレジスト1aであるときの、演算部3cから、正反射に基づく測定値である上記の出力L2と、散乱反射光による測定値である上記の出力L1(以下、レジスト1a面における上記L1、L2をL1R、L2で示す。)とを受けて、それらの差δLを求めるそして、補正用メモリ5にアクセスして、図6(A)に示すようなデータからδLに該当する補正値Lsを求める。つまりレジスト1aの厚さ相当の値を求める。そして、この補正値Lsを測定部7へ送る。
【0031】
(2)測定
測定部7は、レジスト1a面からはんだ1b面までの変位(高さ)L1、L2(以下、はんだ1b面における上記L1、L2をL1、L2で示す。)を測定する。そのとき、第1の受光手段D1、第2の受光手段D2及び第3の受光手段D3それぞれから光量情報を受けており、演算部3cからは出力L1と出力L2の内、散乱反射変位測定系(OS1―D1,D2系統)による光量と正反射変位測定系(OS2―D3系統)による光量の大きさを比較し、光量の大きい方の変位測定系で測定した変位情報(出力L1,出力L2のいずれか)を選択的に受領する。そして、測定部7は、受領した変位情報に基礎測定部6から受けた補正値Lsで補正して、パッド1c面からのはんだ1b面の高さ(変位)情報Lとして、L=L1+Ls、もしくはL=L2+Lsを図2の画像処理部8へ出力する。
上記の(1)基礎測定(2)測定は、同一位置(高さ)を基準として測定しているが、(2)の測定を(1)の基礎測定で求めた補正値Ls分だけ、下位の位置を基準として測定することにより、直接に高さ(変位)情報Lを得ることができる。
【0032】
なお、散乱反射変位測定系による光量と正反射変位測定系による光量のうち大きい方の出力L1又は出力L2を選択しているのは、例えば、基板1上の凸状のはんだ1bの形状があった場合に、第2の光源OS2の斜めの第2の光軸では該凸の側壁うちその光軸が当たる側の側壁は測定できるかもしれないが、その反対側の側壁からは正反射光を受光できない恐れがある。そのときは、第1及び第2の受光手段D1,D2の出力を基にした変位情報が使える。つまり、より光量の高い方の変位情報を利用して、より確かな変位情報を得るためである。なお、基板1上の形状が滑らかな平面であるときは、正反射変位測定系による測定で十分である。
【0033】
さらに、上記のように(1)基礎測定、(2)測定なる順序で説明したが、測定の順序は必ずしもこれに限らない。例えば、レジスト1a面及びはんだ1b面の区別無く走査して、その走査位置毎に出力L1,L2を求めて記憶しておき、次に上記(1)示した演算処理をして補正値Lsだけを求める。次に上記(2)に示した演算処理により補正して、パッド1c面からのはんだ高さを求めるようにしても良い。
【0034】
図2は、主に検査部200の機能構成を示す。その図2で画像処理部8は、制御部12から基板1のレイアウト情報(配置図)と走査して測定しているときの位置情報とを受け、測定部7からその位置情報における高さ(変位)Lを受けて、レイアウト上に変位に応じてはんだ1bの量的な形状を表す立体画像を形成することにより、画像として再現出力する。
【0035】
例えば、画像処理部8は、測定部7の出力Lと、制御部12からの基板1の測定点(測定点の座標)とから測定したエリア(測定点の集合領域:例えば、プリント基板上に印刷されたクリームはんだ1b面)における面積(例えば、はんだ印刷された面積)や体積(例えば、はんだ量)を表す画像データを生成する。比較部9は、制御部12からそのエリアにおける、設計値等をレファレンス(面積や体積)として受けて、画像データとレファレンスとの差を演算し出力する。なお、画像データに変換することなく、その測定点において測定した変位(高さ:例えば、はんだ1bの高さ)とレファレンス(この場合は、例えば、測定点における設計上の高さ)との差を出力しても良い。上記では、はんだの面積や体積の例で説明したが、はんだの位置ズレ等の判定も可能である。
【0036】
判定部10は、レファレンスに対応する許容値を制御部12から受けて、比較部9からの出力と比較し、比較部9の出力が、許容値内であれば合格とし、許容値外であれば不良(否)と判定する。
【0037】
表示部11は、判定部10の判定結果を表示する。また、制御部12からレイアウト情報(例えば、プリント基板のはんだ箇所の配置図)を受けて表示し、レイアウトのどの位置におけるはんだ1bが不良(否)であり、合格であるかを識別可能に表示してもよい。また、それらと別に或いは併せて、画像処理部8で生成した画像データに基づく画像を表示させて、どの箇所のはんだ状態が不良であり、合格であるかを識別可能に表示させることもできる。
【0038】
上記の変位センサ2を用いて被測定物の表面形状を検査すると、単に頂点やフラット部分のならず傾斜部分の形状も含めて良否判定の検査ができる。
【0039】
[変位センサの他の実施形態]
次に他の変位センサの実施形態について説明する。
【0040】
図3で、第1の光源OS1は、例えば、レーザであって、基板1の面に対して垂直方向に光を照射する。つまり第1の光軸は被測定物1の面に垂直である。第2の光源OS2は、例えば、レーザであって、第1の光軸に対して図1の右方向から(左からでも良い)角度θ3で交叉するように光を照射する。この交叉する位置が測定しようとする基板1の測定点である。第1の光源OS1から測定点までの第1の照射光路、及び第2の光源OS2から測定点までの第2の照射光路のそれぞれには、図示しないが、各光源からの光を集光して平行光に変換するコリメータレンズ、更にその平行光を測定点へ集光させる集光レンズを備えても良い(つまり、この場合、測定点は、第1の光源OS1及び後記の第2の光源OS2のそれぞれからの光が集光される位置でもある。)。また、第1の光源OS1と第2の光源OS2とは、同一波長の場合は、同一光源から分岐して取り出した光であっても良い。
【0041】
図3で、第1の光源OS1,第1の受光手段D1及び第2の受光手段D2を用いた乱反射による変位測定系は、基板1の面が傾斜を有するときに有効であり、第2の光源OS2,及び第3の受光手段D3を用いた正反射による変位測定系は、基板1の面が平坦であるときに有効である。図3では、角度θ3は角度θ1或いは角度θ2より小さいが、角度θ1或いは角度θ2より大きくても良い。
【0042】
正反射光と散乱反射光の相互干渉を避けるため、第1の光源OS1,第1の受光手段D1及び第2の受光手段D2を用いた乱反射変位測定系の変位測定動作と、第2の光源OS2,及び第3の受光手段D3を用いた正反射変位測定系による変位測定動作とは、別々の波長で同時に行うか、或いは同一波長で交互にタイムシェアリングで行う。別々な波長で行う場合は、第1の受光手段D1及び第2の受光手段D2と、第3の受光手段D3とにそれぞれが受光する波長を通過させ、他の波長を遮る光学フィルターを挿入する必要がある。
【0043】
図3では、さらに、第1の受光手段D1と測定点との間の第1の乱反射光路、第2の受光手段D2と測定点との間の第2の乱反射光路、及び第3の受光手段D3と測定点との間の正反射光路のそれぞれには、測定点から各反射光を集光して平行光に変換するコリメータレンズと、更にその平行光を測定点へ集光して結像させる集光レンズとを備えた集光機能素子K1,K2、K3を備えている。ここでは「集光機能素子」と言う表現を用いているが、基本的には各反射光(ビーム)を集光して各受光手段へ結像させる機能であり、これと同一機能を単一のレンズ或いは複数のレンズで達成できることから、それら全体を表すための表現である。そして、図3のように、各集光機能素子K1,K2,K3のそれぞれが配置された光軸を中心として反射光を平行光に変換する位置までの距離をL1n、L2n、L3nとし、各受光手段へ集光させるまでの距離をL1m、L2m及びL3mとする。集光機能素子K1,K2、K3が平行光として維持している距離(集光機能素子の長さ)は、各受光素子の測定点に対する位置を決めるのに用いられる。
【0044】
また、第1の受光手段D1、第2の受光手段D2及び第3の受光手段D3のそれぞれは、上記したように所定長さの受光面を有し、該所定長さ方向における受光位置に応じて光変位情報を検出する位置検出器(PSD)が用いられている。そこで、第1の受光手段D1が第1の散乱光路となす角度α1、第2の受光手段が第2の散乱光路となす角度α2及び第3の受光手段が前記正反射光路となす角度α3とに設定される。これらの角度は、感度調整のために設定される。
【0045】
本実施形態では、上記第1の受光手段D1が第1の散乱光路となす角度α1がtan―1(L1n/L1m×tanθ1)、第2の受光手段D2が第2の散乱光路となす角度α2がtan―1(L2n/L2m×tanθ2)、及び第3の受光手段D3が正反射光路となす角度α3がtan―1(L3n/L3m×tan2θ3)になる配置にしていることにより、各受光手段は、その長さ方向における光をセンシングする感度がほぼ同じ感度、つまり受光手段の長さ方向(センシングする素子が配列されている方向)の感度の差を軽減して測定することができる。
【0046】
これらの基になる原理は、シャインプルークの原理(Scheimpflug Principle)と呼ばれ、ある像をレンズで被写体面へ写すとき、像の面とレンズの面と被写体の面の3つの面のそれぞれの延長線が同一点で交われば、像の面全体でピントが合うとされているものである。本実施形態では、図2に示すようにこの条件を利用して、3つの受光手段における感度を適切に合わせている。図4において、範囲Rが、被測定物1の測定可能な変位範囲を示し、受光手段D(各受光手段D1,D2,D3を代表する。)の長さ方向の面を示す。範囲Rの延長線(この場合は、光源からの光軸と同じ)と、集光機能素子K(各集光機能素子K1,K2,K3を代表する。)の面の延長線と、受光手段Dの面の延長線とが一点で交わるように、配置構成することにより、ピントの合った、つまり、受光手段の長さ方向において(いわば範囲R全体において)、適切な感度で変位測定ができる。
【0047】
そして、上記式で、さらに、距離の比L1n/L1m、L2n/L2m及びL3n/L3mが同一値で、第1の角度θ1、第2の角度θ2及び第3の角度2θ3が同一値(θ)であることにより、範囲Rに対して角度α1、角度α2及び角度α3も同じ値(α)になり、受光手段間の感度の差も少なくして測定することができる。
【0048】
なお、上記式で、距離の比L1n/L1m、L2n/L2m及びL3n/L3mが同一値であるか無いかに関わらず、第1の角度θ1、第2の角度θ2及び第3の角度2θ3を同一値(θ)とし、角度α1、角度α2及び角度α3も同一値(α)として配置することにより、受光手段内部ではピントの合うところと合わないところが出るが、受光手段間の感度のバラツキは抑えることができる。なお、本発明における距離や角度は、測定範囲におけるほぼセンターの値で説明している。
【0049】
以上のように、変位センサ2は、対称な2つの方向の乱反射を利用した乱反射変位測定系を用いていること、その乱反射変位測定系と正反射変位測定系とで分かれており、互いの干渉の無い状態で測定できること、さらに、第1の角度θ1、第2の角度θ2及び第3の角度2θ3が同一値(θ)であるため、各変位計測を同じ感度にすることができるので、被測定物1の反射率に関係無く感度補正無しで、正反射の陰の部分も測定でき、乱反射変位測定系と正反射変位測定系とでの変位測定の差を軽減して、精度の高い測定ができる。
【0050】
[第2の実施形態]
第2の実施形態における変位センサ2aを図5に示す。図5(a)は変位センサ2aを上面から見た図で、図5(b)は側面から見た図で、いずれも各素子間の光路を示す図である。図5(c)は、図5(b)の矢視A及び矢視Bから見た光路でを示す図である。
【0051】
第2の実施形態において、図1の第1の実施形態との構成上の主な違いは、第1の実施形態では、変位センサ2の全体を機構的に移動させて主走査を行っていたが、第2の実施形態における変位センサ2aでは、ポリゴンミラーPMの回転を利用して主走査を行う点である。副走査は、第1実施形態と同様、変位センサ2a又は基板1の何れか或いは双方を機構的に移動させることで行う。主走査、副走査の走査方向は第1の実施形態と同じである(異なっても良い)。したがって、図1の走査機構4は、第2の実施形態では副走査だけ担当する。同様に、図1の制御部12は、主走査については、直接に、変位センサ2aのポリゴンミラーPMを制御して主走査を行わせる。その他の構成は、次の説明にある以外、図1と同じである。
【0052】
図5を基に変位センサ2aの光学的構成について説明する。第1の受光手段D1、第2の受光手段D2、及び第3の受光手段D3は、第1の実施形態で説明したものと同じ構成で、同じ機能・動作をするが、主走査方向に対して主走査の距離だけ幅(図5(a)で紙面の上下方向、図5(b)では、紙面の奥行き方向)を持ってセンシングできる構成にされている。受光レンズK1aと結像レンズK1bの組み合わせ、受光レンズK2aと結像レンズK2bとの組み合わせ、及び、受光レンズK3aと結像レンズK3bの組み合わせは、それぞれ、第1の実施形態における集光機能素子K1、K2、K3を構成するものであり、機能動作も同じである。つまり受光レンズK1a、K2a、K3aで集光した光(反射光)を平行光にし、その平行光を受けた結像レンズK1b、K2b、K3bが各受光手段D1,D2、D3へ結像させる。これらも、各受光手段D1、D2、D3と同様に主走査方向に対して主走査の距離だけ幅(図5(a)で紙面の上下方向、図5(b)では、紙面の奥行き方向)を持って、受光、結像可能な構成にされている。
【0053】
図5(a)(b)において、レーザOSC1a、ハーフミラーOSC1b、ミラーOSC1c、ミラーOSC1d、ポリゴンミラーPM、ミラーOSC1e、fθレンズOSC1f、及びミラーOSC1gの全体が、第1実施形態の第1の光源OSC1に相当する。但し、主走査をポリゴンミラーPMで行う点で異なる。また、レーザOSC1a、ハーフミラーOSC1b、ミラーOSC2a、ミラーOSC1c、PM、ミラーOSC2b、及びfθレンズOSC2cの全体は、第1実施形態の第2の光源OSC2に相当する。図5(c)は、図5(b)の矢視A、Bから見た図で、光路方向が変換される様子を示す図である。
【0054】
次に主として、光路及び主走査について説明する。レーザOSC1aから出力された光は、ハーフミラーOSC1bで一部が分岐されてミラーOSC1c及びミラーOSC1dで反射されてポリゴンミラーPMへ入力される。ポリゴンミラーPMへ入力された光は、ポリゴンミラーPMの回転(図5で右回転)により、ミラーOSC1eへ回転に応じた角度で出射される。ミラーOSC1eは受けた光を受けたときの角度に対して正反射した光路で折返し、fθレンズOSC1fへ送る。fθレンズOSC1fは、ポリゴンミラーPMの回転に応じた角度で入射される光を図5(c)に示すように、回転に応じて広がる角度の光路を一定の間隔で走査方向へ並列に並ぶ光路に変換して、その光路を通してミラーOSC1gへ送る。ミラーOSC1gは、受けた光を垂直方向から測定点へ照射させる。このとき、図5(b)では、ポリゴンミラーPMの回転に応じて、測定点は、紙面の手前から奥行き方向へ主走査されることになる。第1の受光手段D1及び第2の受光手段D2は、ミラーOSC1gからの照射に対する測定点からの散乱光を受けて変位を測定する。
【0055】
一方、レーザOSC1aから出力された光の内、ハーフミラーOSC1bで分岐された残りの光は、ミラーOSC2aで反射されてポリゴンミラーPMへ入力される。ポリゴンミラーPMへ入力された光は、ポリゴンミラーPMの回転により、fθレンズOSC2cへ回転に応じた角度で出射される。fθレンズOSC2cは、fθレンズOSC1fと同様に、ポリゴンミラーPMの回転に応じた角度で入射される光を図5(c)に示すように、走査方向へ並列に一定の間隔で並ぶ光路を通して、かつ垂直に対して一定角度θ3を成す斜め上から測定点へ照射させる。このとき、図5(b)では、ポリゴンミラーPMの回転に応じて、測定点は、紙面の奥行きから手前へ主走査されることになる(ミラーOSC1gからの垂直な光による走査とは逆方向)。第3の受光手段D3は、fθレンズOSC2cからの照射に対する測定点からの正反射光を受けて変位測定する。
【0056】
上記のように、ミラーOSC1gからの出力光は上記の散乱反射測定系(第1のセンシング手段)の光源の役割を担い、fθレンズOSC2cからの出力光は上記の正反射測定系(第2のセンシング手段)の光源の役割を担う。しかし、両者の光は、照射する測定点は同じであるが、同一ポリゴンミラーPMを使用しているため走査方向が逆になる。言い換えれば、散乱反射測定系と正反射測定系とでは、同一の主走査において、同一測定点で走査時間と方向が異なることになる。しかし、これは測定の順序が異なるだけであり、同一測定点を双方で測定する点においては変わりはない。また、走査するときの時間差は短時間であり影響は少ない。また、走査方向が異なることによる照射位置誤差は許容範囲内に抑えることが可能である。
【0057】
第2の実施形態では、散乱反射測定系と正反射測定系とを同時に実施すると、同一波長のレーザOSC1aを用いているためクロストークが生じ、誤差が生じる可能性がある。この場合は、例えば、図5(a)でポリゴンミラーPMの8角形の一辺をその軸中心から臨む角度をγとすると、ポリゴンミラーPMの0〜γ/2の回転の間に正反射測定系で測定し、ポリゴンミラーPMの残りのγ/2〜γの回転で、正散乱反射系で測定するように構成することにより、各辺毎に交互測定が行え、クロストークを防止することができる。そのためには、ポリゴンミラーPMへの入射角度、位置等を考慮して調整すれば実施できる(不図示)。
【0058】
第2実施形態の変位センサ2aを用いた印刷はんだ検査の仕方は、上記第1の実施形態と同様にして行える。また、上記[変位センサの他の実施形態]における形態は、第2の実施形態でも適用可能である。
【0059】
以上のように、本発明においては、散乱反射変位測定系の光学系と正反射変位測定系の光学系を備えて、レジスト膜の厚さを推定できるので、レジスト下部のパッド面からのはんだ高さを求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【0060】
【図1】実施形態の内、変位センサ及び測定部の機能構成を示す図であって、変位センサと被測定物間を相対的に走査して検査する形態の図である。
【図2】実施形態の内、検査部の機能構成を示す図である。
【図3】図1の変位センサを構成する機能要素の配置を示す図である。
【図4】各受光手段の位置関係を示し、各受光手段の感度を説明するための図である。
【図5】第2の実施形態であって、変位センサ内で光源により光学的走査を行うタイプの実施形態を示す図である。
【図6】図7とともに、レジスト厚さを推定する技術を開示、説明するための図である。
【図7】図6とともに、レジスト厚さを推定する技術を開示、説明するための図である。
【図8】レジスト厚さのバラツキとその影響を説明するための図である。
【図9】理想的なレジスト面を説明するための図である。
【符号の説明】
【0061】
1 基板(プリント板)、 2,2a 変位センサ、 3 データ処理部、
3a,3b 加算器、 3c 演算部、 4 走査機構、 5 補正用メモリ、
6 基礎測定部、7 測定部、 8 画像処理部、 9 比較部、 10 判定部、
11 表示部、12 制御部、 100 変位測定部、200 検査部
D1 第1の受光手段、D2 第2の受光手段、D3 第3の受光手段、
K1,K2,K3 集光機能素子、
K1a,K2a,K3a 受光レンズ
K1b,K2b,K3b 結像レンズ
L1 演算部の出力(散乱反射による変位情報)
L2 演算部の出力(正反射による変位情報)
OSC1 第1の光源、 OSC2 第2の光源、
OS1a レーザ、 OSC1b ハーフミラー、
OSC1c,OSC1d,OSC1e、OSC1g ミラー
OSC2a,OSC2b ミラー
OSC1f,OSC2c fθレンズ
PM ポリゴンミラー
R 範囲

【特許請求の範囲】
【請求項1】
プリント板の表面の測定点に垂直に光を照射し、該測定点からの散乱光を受けて第1の変位を測定するための第1のセンシング手段(OS1,D1,D2)と、前記同じ測定点を前記垂直に対し所定角度斜めの角度で照射し該測定点で正反射した反射光を測定して第2の変位を測定するための第2のセンシング手段(OS2,D3)とを含む変位センサ(2)を準備する段階と、
前記変位センサで前記測定点を前記プリント板のレジスト面として前記第2の変位と第1の変位を測定し、それらの差と該レジストの厚さとの関係を表す関数値をメモリに記憶しておく初期段階と、
表面のパッド面にはんだが印刷された被測定プリント板を受けて、該被測定プリント板のレジスト面及び該パッド面上のはんだ面を前記測定点として前記変位センサにより前記第1の変位と前記第2の変位を求める測定段階と、
該測定段階で前記レジスト面で求められた該第1の変位と該第2の変位との差を基に前記メモリを参照して対応する関数値を求め、該第2の変位から前記関数値を減算して、前記パッド面の位置を求める基準位置算出段階と、
前記測定段階で測定された前記はんだ面における第1の変位又は第2の変位によりはんだ面の変位を該パッド面の位置からの変位として求める変位算出段階と、を備えたことを特徴とする印刷はんだ検査方法。
【請求項2】
表面にはんだが印刷されたパッド面とレジスト面を有する被測定プリント板の該表面の測定点に垂直に光を照射し、該測定点からの散乱光を受ける第1のセンシング手段(OS1,D1,D2)と、前記同じ測定点を前記垂直に対し所定角度斜めの角度で照射し該測定点で正反射した反射光を受ける第2のセンシング手段(OS2,D3)とを含む変位センサ(2)と、前記第1のセンシング手段の出力から散乱光に基づく第1の変位、及び前記第2のセンシング手段の出力から正反射光に基づく第2の変位を算出するデータ処理部(3)と、該第1の変位又は該第2の変位により、該はんだ面の変位を求める測定部(7)とを備えた印刷はんだ検査装置であって、
予め、前記レジスト面における第2の変位と第1の変位との差と、前記レジストの厚さとの関係を表す関数値を記憶するメモリ(5)と、
検査時に、前記被測定プリント板のレジスト面を前記測定点として前記変位センサにより前記第1の変位と前記第2の変位を求める基礎測定部(6)と、
前記レジスト面で求められた該第1の変位と該第2の変位との差を基に前記メモリを参照して対応する関数値を求め、該第2の変位から前記関数値を減算して、前記パッド面の位置を求める基準位置算出部(6a)と、を備え
前記測定部は、前記レジスト面の位置からのはんだ面の変位を前記関数値で補正することにより、該はんだ面の変位を該パッド面の位置からの変位として求めることを特徴とする印刷はんだ検査装置。
【請求項3】
プリント板の表面の測定点に垂直に光を照射し、該測定点からの散乱光を受ける第1のセンシング手段(OS1,D1,D2)と、前記同じ測定点を前記垂直に対し所定角度斜めの角度で照射し該測定点で正反射した反射光を受ける第2のセンシング手段(OS2,D3)とを含む変位センサ(2)と、
前記第1のセンシング手段の出力から散乱光に基づく第1の変位、及び前記第2のセンシング手段の出力から正反射光に基づく第2の変位を算出するデータ処理部(3)と、
予め、第2の変位と第1の変位との差と前記レジストの厚さとの関係を表す関数値を記憶するメモリ(5)と、
表面のパッド面にはんだが印刷された被測定プリント板を受けて、該被測定プリント板のレジスト面を前記測定点として前記変位センサにより前記第1の変位と前記第2の変位を求める基礎測定部(6)と、
該レジスト面で求められた該第1の変位と該第2の変位との差を基に前記メモリを参照して対応する関数値を求め、該第2の変位から前記関数値を減算して、前記パッド面の位置を求める基準位置算出部(6a)と、
前記被測定プリント板の前記はんだ面を前記測定点として前記変位センサにより前記第1の変位又は前記第2の変位を求め、該はんだ面の変位を該パッド面の位置からの変位として求める測定部(7)と、を備えたことを特徴とする印刷はんだ検査装置。
【請求項4】
前記第1のセンシング手段は、前記プリント板の測定点を垂直方向から照射する第1の光源(OS1)と、該第1の光源の第1の光軸に対して第1の角度θ1で形成される第1の散乱光路上に配置された第1の受光手段(D1)と、該第1の光軸に対して該第1の散乱光路と反対側に第2の角度θ2で形成される第2の散乱光路上に配置された第2の受光手段(D2)とを備え、前記第1の変位は、前記第1の受光手段の出力と前記第2の受光手段の出力との和を基に求められ、また、
前記第2のセンシング手段は、該第1の光軸に対して斜めの角度θ3で前記測定点を照射する第2の光源(OS2)と、該測定点にて該第2の光源の第2の光軸に対して第3の角度2θ3で形成される正反射光路上に配置された第3の受光手段(D3)とを備え、前記第2の変位は、該第3の受光手段の出力から求められることを特徴とする請求項2又は3の印刷はんだ検査装置。
【請求項5】
前記変位センサにおいて、前記第1の受光手段、前記第2の受光手段及び前記第3の受光手段のそれぞれは、所定長さの受光面を有し、該所定長さ方向における受光位置に応じて光変位情報を検出する位置検出器であって、前記第1の光軸、前記第2の光源の光軸、前記第1の散乱光路、前記第2の散乱光路及び正反射光路を含む平面内で、前記所定長さ方向を該平面に沿うように配置され、
さらに前記第1の角度θ1、前記第2の角度θ2と前記第3の角度2θ3は同一になるよう構成され、かつ前記第1の受光手段が前記第1の散乱光路となす角度(α1)、第2の受光手段が前記第2の散乱光路となす角度(α2)及び第3の受光手段が前記正反射光路となす角度(α3)が同一になるように構成されることを特徴とする請求項4記載の印刷はんだ検査装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【公開番号】特開2009−109450(P2009−109450A)
【公開日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−284768(P2007−284768)
【出願日】平成19年11月1日(2007.11.1)
【出願人】(000000572)アンリツ株式会社 (838)
【Fターム(参考)】