半導体装置およびその製造方法
【課題】メモリセル領域のトランジスタにおけるソース/ドレイン電極上の半導体層同士の接触による短絡を防止しつつ、周辺回路領域のトランジスタにおけるせり上げソース/ドレイン領域を含むソース/ドレイン電極の高濃度不純物層の接合深さの均一性を図り、短チャネル効果を抑制する。
【解決手段】メモリセル領域における隣接するトランジスタ間で半導体層同士が接触しない膜厚にエピタキシャル成長させ、その際、周辺回路領域の素子分離2のみを後退させて露出した基板面からもエピタキシャル成長半導体層10を成長させることで、周辺回路領域の半導体層のファセットFが活性領域外に形成されるようにし、その後、周辺回路領域に高濃度不純物層11用のイオン注入を行う。
【解決手段】メモリセル領域における隣接するトランジスタ間で半導体層同士が接触しない膜厚にエピタキシャル成長させ、その際、周辺回路領域の素子分離2のみを後退させて露出した基板面からもエピタキシャル成長半導体層10を成長させることで、周辺回路領域の半導体層のファセットFが活性領域外に形成されるようにし、その後、周辺回路領域に高濃度不純物層11用のイオン注入を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、詳しくは、せり上げソース/ドレイン(Elevated Source Drain:ESD、積上げソース/ドレインとも呼ばれる)構造を備えたトランジスタを少なくとも周辺回路領域に有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(Dynamic Random Access Memory:DRAM)等の半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置においては、特性の異なるトランジスタを1つの基板上に混載することが良く行われている。
【0003】
例えば、DRAM等の半導体装置では、半導体基板上に、キャパシタ等の記憶素子に接続されるセルトランジスタと、メモリセルを制御するためのアレイ回路(X及びYデコーダー)のトランジスタ、さらには、データの入出力や、アレイ回路を制御するための周辺回路のトランジスタが形成されている。一般的に、メモリセル領域では規定の領域にできるだけ多くのセルを設けるという観点から、アレイ回路及び周辺回路のトランジスタよりもトランジスタを密に形成する。
【0004】
従来、高速動作が要求されるアレイ回路及び周辺回路のトランジスタ(以下、アレイ回路及び周辺回路のトランジスタをあわせて、「周辺回路トランジスタ」、また、「周辺回路トランジスタ」の形成される領域を「周辺回路領域」という)は、高濃度不純物層を形成してソース/ドレインを低抵抗化するのが一般的である。高濃度不純物層を形成する場合、不純物のチャネル側への拡散による短チャネル効果が問題となっている。これを防止するため、LDD構造やエクステンション領域を設けることが提案されている。さらに、半導体装置開発の世代が進むにしたがい、ソース/ドレイン領域をこれまで以上に基板表面から浅く形成する必要が生じてきている。
【0005】
このため、ソース/ドレイン領域の上にエピタキシャル成長シリコン層を形成することによって、ソース/ドレイン領域を元の基板表面よりせり上げ、基板表面からの接合深さを浅くすると同時に、実質的なソース/ドレイン領域の接合深さを確保する構造が提案されている。このような構造は、せり上げソース/ドレイン構造(ESD構造)と呼ばれている(特許文献1参照)。
【0006】
一方、メモリセル領域のトランジスタでは、記憶容量増大の観点から周辺回路領域のトランジスタよりもさらに微細且つ高密度に形成するため、ゲート長はさらに短くなり、ゲート間隔も狭くなることから、短チャネル効果の抑制と低リーク電流の確保のために浅い接合とする必要がある。
【0007】
セルサイズが縮小するほど、コンタクトの大きさと接合深さが減少する傾向にあり、それに伴い、素子の電気的特性の確保、特にコンタクト抵抗を低く確保することが困難になりつつある。この問題を解決する方法として、特許文献2では、半導体基板面にエピタキシャル成長による単結晶シリコン層を形成し、その上にポリシリコンプラグを形成するランディングプラグ構造が提案されている。このエピタキシャル成長シリコン層は、ランディングパッドとも呼ばれている。ランディングパッドを形成することにより、基板表面の自然酸化膜によるコンタクト抵抗増大が抑制される。
【0008】
そして、特許文献3には、メモリセル領域のMOSトランジスタのソース/ドレイン上に第1のエピタキシャル半導体層を、周辺回路領域のMOSトランジスタのソース/ドレイン上に第2のエピタキシャル半導体層を形成したDRAM等の半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特開平03−049259号公報
【特許文献2】特開2003−338542号公報
【特許文献3】特開2008−130756号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
ところで、工程簡略化の観点から、DRAMの製造においては、セルトランジスタと周辺回路トランジスタとの製造工程を共通化することは、一般的に行われている。メモリセル領域と周辺回路領域におけるトランジスタ形成の工程共通化を図る場合、特許文献3に記載されるように、周辺回路領域に高濃度不純物層を形成する前、すなわち、半導体基板上の層間絶縁膜形成前に、周辺回路領域ではせり上げソース/ドレイン領域となり、メモリセル部ではランディングパッドとなる半導体層の形成を行うことになる。
【0011】
ここで、周辺回路領域に形成されるESD構造について、図8〜10を参照して説明する。なお、これらの図は、課題を説明するために発明者が独自に作成したもので、従来技術そのものではない。
【0012】
図8に示すように、半導体基板1に素子分離(STI)2を形成し、活性領域を確定する。活性領域にゲート絶縁膜3を介して、導電体4及びキャップ層5を形成し、パターニングしてゲート電極6を形成する。次に、ゲート電極側壁に絶縁体からなるサイドウォール・スペーサ8を形成した後、サイドウォール・スペーサ8をマスクに半導体基板1と逆導電型の不純物イオン、例えば、半導体基板1がp型シリコンの場合、低濃度のn型不純物を導入し、LDD層(低濃度不純物層)7を形成する。選択エピタキシャル成長法にて、LDD層7の上部に半導体層10を形成する。
【0013】
選択エピタキシャル成長法では、形成した半導体層の外周部(端部)は、酸化シリコン膜からなる素子分離2で囲まれているため、エピタキシャル成長シリコン層の横方向への成長が阻害されて、ファセットと称するテーパー形状になることが知られている。
【0014】
図8のAで示した部分の拡大図を図9に示す。図9において、Fはファセットを示す。イオン注入法にて、半導体層10を貫通するように不純物を半導体基板1に導入し、高濃度の不純物層11を形成する。不純物の注入された半導体層10は、せり上げソース/ドレイン領域10’となる。この際にファセットFの影響で、活性領域の外周部(素子分離2の近傍)では、高濃度不純物層11の半導体基板1の表面からの深さが、他の場所よりも深い領域11dが形成されてしまう。図10に、高濃度不純物層11形成後の全体図を示す。
【0015】
図11は、トランジスタの平面図であり、素子分離2で区画された活性領域をKで示す。活性領域Kの外周端部に沿って高濃度不純物層11の深い領域11dが形成される。このため、ゲート電極6に隣接する領域Bでは、ソース/ドレイン電極は深い領域11dによって構成されるため、短チャネル効果が起き易く、所定の電気特性を得ることが困難であった。
【0016】
一方、ファセットによる影響を少なくするためにエピタキシャル成長シリコン層の膜厚を厚くして半導体基板への注入深さを浅くすることが考えられる。また、ファセットはエピタキシャル成長シリコン層の成長を阻害する酸化シリコン膜との接触面で起こることから、素子分離表面をエピタキシャル成長シリコン層の成長を阻害しない窒化シリコン膜としてファセットを形成させないという提案もある。しかしながら、セルトランジスタのソース/ドレイン電極上にも同工程でエピタキシャル成長シリコン層を形成しようとすると、隣接するセルトランジスタ同士を分離している素子分離の幅は周辺回路領域よりも狭いため、エピタキシャル成長シリコン層同士が接触して短絡してしまう場合がある。これは、エピタキシャル成長が横方向にも成長するためである。たとえば、エピタキシャル成長シリコン層が厚くなるほど、横方向への張り出し量も多くなり、また、ファセットの少ない窒化シリコン膜が素子分離表面に形成されている場合は、エピタキシャル成長の膜厚と同程度に横方向にも成長してしまうためである。
【課題を解決するための手段】
【0017】
本発明者は、メモリセル領域と周辺回路領域とを併設した半導体装置において、周辺回路領域の素子分離表面のみを半導体基板面から後退させて、露出した基板側面からもせり上げソース/ドレインとなる半導体層を成長させることにより、メモリセル領域における同工程で形成される半導体層同士の接触による短絡を防止しつつ、周辺回路領域のトランジスタにおける高濃度不純物層の接合深さの均一性が図れ、短チャネル効果の抑制が可能となることを見出した。
【0018】
すなわち、本発明の一実施形態によれば、
記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されるセルトランジスタと、を有するメモリセル領域と、
周辺回路トランジスタの形成された周辺回路領域と、
を備えた半導体装置であって、
前記セルトランジスタは、半導体基板を素子分離で区画した活性領域に、ゲート電極と、ゲート電極の両側の活性領域に形成されたソース/ドレイン領域と、該ソース/ドレイン領域上に形成された選択エピタキシャル成長半導体層とを含み、
前記周辺回路トランジスタは、半導体基板を素子分離で区画した活性領域に、ゲート電極と、ゲート電極の両側の活性領域に形成されたLDD構造のソース/ドレイン領域と、該ソース/ドレイン領域上に形成された選択エピタキシャル成長半導体層で構成されるせり上げソース/ドレイン領域とを含み、
前記セルトランジスタ及び周辺回路トランジスタの選択エピタキシャル成長半導体層は、隣接する前記セルトランジスタ間で選択エピタキシャル成長半導体層同士が接触しない膜厚に同時に形成されたものであり、
前記周辺回路領域の素子分離表面のみが前記半導体基板表面より後退しており、前記せり上げソース/ドレイン領域は前記素子分離表面が後退して露出した半導体基板側面からもエピタキシャル成長した半導体層であって、該半導体層のファセット面が活性領域の外側に形成されており、
前記周辺回路トランジスタにおける前記LDD構造の高濃度不純物層の底面位置が、活性領域中央部と周辺部とにおいて略同等である半導体装置が提供される。
【0019】
また、本発明の別の実施形態によれば、
記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されるセルトランジスタと、を有するメモリセル領域と、
周辺回路トランジスタの形成された周辺回路領域と、
を備えた半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の半導体基板に素子分離を形成し、前記セルトランジスタと周辺回路トランジスタを形成するための活性領域を区画する工程、
前記セルトランジスタと周辺回路トランジスタそれぞれのゲート電極を形成する工程、
各ゲート電極側壁にサイドウォール・スペーサを形成する工程、
前記各ゲート電極両側の活性領域に第2導電型の低濃度不純物を注入する工程、
前記周辺回路領域の素子分離のみを選択的に半導体基板表面より後退させる工程、
メモリセル領域及び周辺回路領域の露出する基板面に選択エピタキシャル成長により半導体層を形成する工程、
周辺回路領域の活性領域に前記半導体層を介して第2導電型の高濃度不純物を注入する工程、
とを備え、
選択エピタキシャル成長による半導体層は、前記メモリセル領域において隣接するセルトランジスタの半導体層同士が接触しない膜厚に形成され、
周辺回路領域の素子分離を半導体基板表面より後退させる工程は、周辺回路領域において形成される選択エピタキシャル成長による半導体層のファセットが、前記素子分離表面が後退して露出した半導体基板側面からもエピタキシャル成長した半導体層によって周辺回路トランジスタの形成される活性領域外に形成されるに必要十分な後退量が得られるまで実施する、
半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【0020】
周辺回路領域の素子分離のみを後退させて、露出した基板面からもエピタキシャル成長半導体層を成長させることによって、メモリセル領域において、隣接するメモリセル間での半導体層を介した短絡を抑制しつつ、周辺回路領域においてはトランジスタのソース/ドレイン電極を形成する不純物層が活性領域の端部領域において、深く形成されてしまうのを防止できる。これにより、周辺回路領域に配置するトランジスタの短チャネル効果の発生を抑制し、所定の特性を有する半導体装置を容易に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタの製造例を示す工程断面図である。
【図2】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタの製造例を示す工程断面図である。
【図3】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタの製造例を示す工程断面図である。
【図4】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタの製造例を示す工程断面図である。
【図5】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタにおける半導体層10の状態を示す拡大断面図である。
【図6】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタの製造例を示す工程断面図である。
【図7】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタの製造例を示す工程断面図である。
【図8】従来技術の半導体装置における課題を説明する断面図である。
【図9】従来技術の半導体装置における課題部分を説明する拡大断面図である。
【図10】従来技術の半導体装置における課題を説明する断面図である。
【図11】従来技術の半導体装置における課題を説明する平面図である。
【図12】本発明に係る半導体装置の、メモリセル領域の概略を示す平面図である。
【図13】図12のA−A’線における概略断面図である。
【図14】図12のB−B’線における概略断面図である。
【図15】本発明に係る半導体装置において、メモリセル領域と周辺回路領域とを並設する工程を説明する工程断面図である。
【図16】本発明に係る半導体装置において、メモリセル領域と周辺回路領域とを並設する工程を説明する工程断面図である。
【図17】本発明に係る半導体装置において、メモリセル領域と周辺回路領域とを並設する工程を説明する工程断面図である。
【図18】本発明に係る半導体装置において、メモリセル領域と周辺回路領域とを並設する工程を説明する工程断面図である。
【図19】本発明に係る半導体装置において、メモリセル領域と周辺回路領域とを並設する工程を説明する工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
周辺回路領域に形成するESD構造の周辺回路トランジスタとして、Nチャネル型MOSトランジスタを形成する場合を例として図面を参照して説明する。
【0023】
(図1)
P型のシリコンからなる半導体基板1に、酸化シリコン膜を埋め込んだ素子分離2をSTI法等で形成し、活性領域を区画する。半導体基板1の上面にゲート絶縁膜3を形成し、ゲート導電体4およびキャップ膜5の積層体をパターニングしてゲート電極を形成する。ゲート導電体4としては、不純物を含有した多結晶シリコン上にタングステン等の金属膜を積層したものを例示できる。キャップ膜5としては、窒化シリコン膜(Si3N4)を例示できる。
【0024】
(図2)
窒化シリコン膜等の絶縁膜を用いて、サイドウォール・スペーサ8を形成する。次に、イオン注入にて、リン等のN型不純物を、たとえば、1×1013〜1×1014 atoms/cm2の濃度で導入し、LDD層7を形成する。なお、LDD層7はサイドウォール・スペーサ8を形成する前に、ゲート電極6をマスクにイオン注入しても良く、また、薄い第1のサイドウォール・スペーサを形成してLDD層7を形成し、第1のサイドウォール・スペーサ上に第2のサイドウォール・スペーサを形成しても良い。なお、サイドウォールスペーサ8の表面が酸化シリコンで構成されると、後工程で形成する選択エピタキシャル成長シリコン層の成長が酸化シリコンとの接触面で阻害されて、ゲート電極側壁側にもファセットが形成される(たとえば、特開2000−49348号公報参照)。従って、サイドウォールスペーサ8の表面は、選択エピタキシャル成長を阻害しない絶縁膜、特に、窒化シリコンや酸窒化シリコン等の窒素を含む絶縁材料が好ましい。
【0025】
(図3)
酸化シリコンのエッチングを行い、素子分離2の上面の高さが、半導体基板1の上面よりも低くなるようにする。半導体基板の上面からの後退量は、後工程で形成する半導体層10ファセットFが活性領域外に形成されるに必要十分となるように適宜調整される。後退量としては、半導体基板表面から10nm以上低くなるようにすることが好ましく、上限は素子分離としての機能を損なわない範囲であればよいが、30nm程度までで十分である。酸化シリコンのエッチングには、ドライエッチング、湿式エッチングのいずれも適用できる。なお、図示する例では、サイドウォール・スペーサ8の下にゲート絶縁膜3の側面が露出する構成を示しており、このような形状に対して湿式エッチングを行う際には、ゲート電極の下方に位置するゲート絶縁膜3がサイドエッチングされ過ぎないように、時間を制御する。ゲート絶縁膜3の側面が窒化シリコン膜等のサイドウォール・スペーサ8で覆われている場合は時間制御を厳密に行う必要はない。また、素子分離2に窒化シリコン等で薄いライナー膜を形成し、その上に酸化シリコンを埋め込んでいるような場合、周辺回路領域の活性領域に接する側のライナー膜は、酸化シリコン膜を埋め込む前に引き下げておくことが好ましい。
【0026】
(図4)
選択エピタキシャル成長法によって、半導体基板1上に半導体層10としてシリコン層を形成する。半導体層10の膜厚はメモリセル領域において半導体層10同士が接触しない膜厚であって、せり上げソース/ドレイン領域を形成するのに十分な膜厚であれば、特に限定されないが、たとえば、20〜40nmの範囲の膜厚に形成することができる。
【0027】
半導体層10形成後の活性領域の端部Aの拡大図を図5に示す。本発明では、半導体層10の形成前の時点で、活性領域の端部において、半導体基板1の素子分離2と接触していた側壁部(シリコン面)が一部露出している。このため半導体層10は、上方に成長すると共に側壁部から横方向にも成長が進行する。その結果、図5に示したようにファセットFの位置が、従来よりも横方向にずれ、活性領域Kの外側、すなわち、素子分離2上に形成される。
【0028】
この状態でソース/ドレイン電極形成のためのイオン注入を行うと、LDD構造の高濃度不純物層11の底部は、活性領域内において半導体基板1の上面と概略平行となるように形成される。すなわち、従来のように不純物層の深い領域(11d)が形成されない。この時、半導体層10は、不純物が注入されることでせり上げソース/ドレイン領域10’となる。
【0029】
(図6)
高濃度不純物層11の形成後の断面図を示す。高濃度不純物層11の形成には、イオン注入で、ヒ素等のN型不純物を、たとえば、5×1014〜5×1015atoms/cm2の濃度で導入する。
【0030】
(図7)
酸化シリコン膜等で第1層間絶縁膜20を形成する。ソース/ドレイン電極に接続する第1コンタクトプラグ21および第1配線層22を形成する。図示していない位置で、ゲート電極用の導電膜4に接続するコンタクトプラグおよび配線層も同様に形成する。
【0031】
次に、メモリセル領域について説明する。本実施形態においてメモリセル領域は、図12に示す平面構造のように、細長い短冊状の活性領域Kが複数、個々に所定間隔をあけて右斜め下向きに整列形成されている。各活性領域Kの両端部と中央部に個々に不純物拡散層(LDD層)が配置され、この形態では各活性領域Kの中央部にソース、両端部にドレインが形成される。それらの真上に配置される形で基板コンタクト部205c、205a、205bが規定されている。本実施形態では、1つの活性領域Kに2ビットのセルトランジスタが配置されるセル構造に本発明を適用した場合の一例を示している。
【0032】
なお、この図のような平面形状の活性領域Kが規定されているのは、本実施形態に特有の形状であるが、活性領域Kの形状や方向は特に規定されるべきものではない。図12に示す活性領域Kの形状はその他一般的なトランジスタに適用される活性領域の形状で良いのは勿論であり、本実施形態の形状に限定されるものではない。
【0033】
図12の紙面横方向(X方向)に折れ線状にビット配線106が延設され、このビット配線106が紙面縦方向(Y方向)に所定の間隔で複数配置されている。また、Y方向に直線状のワード配線107が延設され、これらのワード配線107がX方向に所定の間隔で複数配置される。ワード配線107は各活性領域Kと交差する部分においてゲート電極となり、セルトランジスタを構成する。
【0034】
図13は、図12のA−A’線での断面図であり、半導体基板1において素子分離2に区画された活性領域Kにソース及びドレイン電極となるLDD層7が離間して形成され、ソースとドレインとの間に、ゲート絶縁膜3を介してゲート導電体4とキャップ膜5の積層体であるゲート電極6が形成されている。ゲート導電体4及びキャップ膜5は、周辺回路領域のMOSトランジスタと同様に形成される。なお、セルトランジスタは、周辺回路トランジスタよりも一般的にゲート長の短いトランジスタが適用される。また、メモリセル領域のセルトランジスタは、このようなプレーナー型のトランジスタに限定されるものではなく、より微細化に適したリセスゲート型のトランジスタとしても良い。それによりゲート電極幅に対する実効ゲート長を大きくすることができる。
【0035】
また、ゲート電極6の側壁には窒化シリコン膜からなるサイドウォール・スペーサ8が形成されている。LDD層7上には選択エピタキシャル成長した半導体層10が形成されている。
【0036】
酸化シリコン膜等で第1層間絶縁膜20を形成する。ソース/ドレイン電極に接続する基板コンタクトプラグ(205a〜205c)をSAC法により形成する。基板コンタクトプラグ(205a〜205c)はポリシリコンなどの導電体で形成し、その際、LDD層7と同じ導電型の不純物を導入してもよい。それにより基板コンタクトプラグの接続抵抗を低減することができる。また、基板コンタクトプラグにLDD層7と同じ導電型の不純物を導入した場合、シリコン層10にこの不純物が固相拡散することにより、メモリセル領域のトランジスタも、せり上げソース/ドレイン構造となる。
【0037】
ソース電極に接続された基板コンタクトプラグ205aには、ビット配線106が接続され、ビット配線を覆う第2の層間絶縁膜24に、ドレイン電極に接続された基板コンタクトプラグ205b及び205c上に容量コンタクトプラグとして第2コンタクトプラグ25が形成される。
【0038】
第2コンタクトプラグ25上には記憶素子として、ペデスタル型の下部電極26a、容量絶縁膜26b、上部電極26cから構成されるキャパシタ26が形成され、キャパシタ26上には第3層間絶縁膜27を形成し、キャパシタ上部電極26cと接続されるコンタクト及び配線(不図示)を形成する。
【0039】
なお、この例では、ペデスタル型の下部電極を有するキャパシタを例示しているが、これに限定されず、シリンダ型の下部電極の内壁あるいは内壁及び外壁の両方を容量として用いたキャパシタなどの、公知の構造を適用できる。また、記憶素子としてはキャパシタ等の容量素子以外の記憶素子を適用しても良い。
【0040】
図14は、図12のB−B’線での断面図である。メモリセル領域の素子分離2は、周辺回路領域の素子分離2と異なり、エッチングされることなく半導体基板1の表面高さとほぼ同等のままとされる。なお、素子分離2の形成方法によっては、素子分離2の表面高さが基板面から多少上下する場合があるが、数nmの範囲であれば許容される。その結果、メモリセル領域の半導体層10は、図14に示すように活性領域内にファセットFを有し、一部素子分離2上に張り出した形状に形成される。この時、素子分離2表面は半導体層10の成長を阻害する酸化シリコン膜であることが好ましい。エピタキシャル成長した半導体層10の成長を阻害しない窒化シリコン膜等の膜が存在すると、ファセットが形成されないか形成されたとしてもわずかであることで、膜厚と同程度に素子分離2上に伸びてしまう。本発明では、メモリセル領域の半導体層10がファセットを有して形成されることで、横方向への張り出し量が抑制されるという効果もある。
【0041】
メモリセル領域の素子分離2の幅は、周辺回路領域の素子分離2の幅よりはるかに狭く、そのため、素子分離2上に伸びた半導体層10同士が接触してしまうと、短絡して正常なデータ保存ができなくなる。従って、半導体層10は、隣接する半導体層10同士が接触しない膜厚にメモリセル領域の素子分離2の幅に応じて適宜調整する必要がある。この時、周辺回路領域では、同厚みに半導体層10が形成されることになる。半導体層10の膜厚が薄くなるほど、従来構造ではファセットが活性領域内側に形成されて、高濃度不純物層11の深い領域11dの幅も大きくなる傾向にある。本発明では、半導体層10が周辺回路領域の後退させた素子分離2の側面に露出するシリコン面からも成長するため、半導体層10が薄くなっていったとしても、ファセットFを安定して活性領域外に形成させることができる。その結果、その後の高濃度不純物層形成において、活性領域外周部で接合が深くなる現象を防止できる。
【0042】
次に、メモリセル領域と周辺回路領域とを共通の工程で並設する実施形態について説明する。
図15〜19は、メモリセル領域(紙面左側)と周辺回路領域(紙面右側)とを並設する製造工程を示す模式的工程断面図である。なお、これらの図においては、メモリセル領域のトランジスタは1つのセル単位を簡略化して記載している。また、メモリセル領域の構成物には符号として数字の後にaを、周辺回路領域の構成物には符号として数字の後にbを付し、共通する工程ではこれらを省略する。
【0043】
(図15)
素子分離2の形成された半導体基板1上のメモリセル領域と周辺回路領域にMOSトランジスタとなるゲート電極6(ゲート導電体4,キャップ層5)をゲート絶縁膜3を介して形成し,ゲート電極6側壁のサイドウォール・スペーサ8を形成した後、LDD層7を形成する。
【0044】
(図16)
メモリセル領域をフォトレジスト膜(不図示)を用いてマスクし、酸化シリコンのエッチングを行う。これにより、周辺回路領域の素子分離2のみ、表面高さが低下する。
【0045】
(図17)
選択エピタキシャル成長を行い、メモリセル領域及び周辺回路領域の露出している半導体基板1上(LDD層7a、7b)に半導体層10a、10bを20〜40nmの膜厚に形成する。
メモリセル領域では、素子分離2の表面高さを低下させていないので、ソース/ドレイン電極(LDD層7a)の側面にシリコン面が露出しておらず、周辺回路領域に比べて横方向への半導体層10aの成長が抑制される。
【0046】
(図18)
イオン注入にて周辺回路領域にのみ、高濃度の不純物を導入し、高濃度不純物層11b(ソース/ドレイン電極)を形成する。この時、周辺回路領域の半導体層10bにも高濃度の不純物が導入されて、せり上げソース/ドレイン領域10’bとなる。
なお、メモリセル領域には、この高濃度の不純物層の導入は行わないので、たとえばフォトレジスト膜(不図示)でメモリセル領域をマスクしてイオン注入を行う。
【0047】
第1層間絶縁膜20、第1コンタクトプラグ21a、21bを形成する。タングステン(W)を用いて配線22a、22bを形成する。メモリセル領域の配線22aはビット配線として機能する。周辺回路領域の配線22bは周辺回路トランジスタの電極引き出し配線として機能する。なお図示していないが、ゲート電極に接続するコンタクトプラグと配線も同様に形成する。
メモリセル領域の第1コンタクトプラグ21aを形成する際に、メモリセル領域に設けたコンタクトホールには、LDD層7aと同じ導電型の不純物を導入してもよい。これにより、第1コンタクトプラグ21aの接続抵抗を低減することができる。
【0048】
(図19)
第2層間絶縁膜24、第2コンタクトプラグ25aを形成する。第2コンタクトプラグ25aに接続する記憶素子としてキャパシタ26を形成する。
第3層間絶縁膜27、第3コンタクトプラグ28a、28bを形成し、アルミニウム(Al)、銅(Cu)等を用いて、第2配線29a、29bを形成する。
以上により、図19に示すようなメモリセル領域と周辺回路領域を有するDRAM装置が形成される。
【0049】
本発明は、上記実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜公知技術を適用することができる。たとえば、半導体層10上にシリサイド層を形成して接触抵抗の低減を図ることは、特に高速動作の要求される周辺回路領域のトランジスタには有効である。同様に、半導体層10に接続される第1コンタクトプラグを金属プラグとすることも有効である。
【符号の説明】
【0050】
1 半導体基板
2 素子分離
3 ゲート絶縁膜
4 ゲート導電体
5 キャップ膜
6 ゲート電極
7 LDD層
8 サイドウォール・スペーサ
10 半導体層(シリコン層)
10’ せり上げソース/ドレイン領域
11 高濃度不純物領域
20 第1層間絶縁膜
21 第1コンタクトプラグ
22 第1配線
24 第2層間絶縁膜
25 第2コンタクトプラグ
26 キャパシタ
27 第3層間絶縁膜
28 第3コンタクトプラグ
29 第2配線
106 ビット線
107 ワード線
205a〜c 基板コンタクトプラグ
K 活性領域
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、詳しくは、せり上げソース/ドレイン(Elevated Source Drain:ESD、積上げソース/ドレインとも呼ばれる)構造を備えたトランジスタを少なくとも周辺回路領域に有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(Dynamic Random Access Memory:DRAM)等の半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置においては、特性の異なるトランジスタを1つの基板上に混載することが良く行われている。
【0003】
例えば、DRAM等の半導体装置では、半導体基板上に、キャパシタ等の記憶素子に接続されるセルトランジスタと、メモリセルを制御するためのアレイ回路(X及びYデコーダー)のトランジスタ、さらには、データの入出力や、アレイ回路を制御するための周辺回路のトランジスタが形成されている。一般的に、メモリセル領域では規定の領域にできるだけ多くのセルを設けるという観点から、アレイ回路及び周辺回路のトランジスタよりもトランジスタを密に形成する。
【0004】
従来、高速動作が要求されるアレイ回路及び周辺回路のトランジスタ(以下、アレイ回路及び周辺回路のトランジスタをあわせて、「周辺回路トランジスタ」、また、「周辺回路トランジスタ」の形成される領域を「周辺回路領域」という)は、高濃度不純物層を形成してソース/ドレインを低抵抗化するのが一般的である。高濃度不純物層を形成する場合、不純物のチャネル側への拡散による短チャネル効果が問題となっている。これを防止するため、LDD構造やエクステンション領域を設けることが提案されている。さらに、半導体装置開発の世代が進むにしたがい、ソース/ドレイン領域をこれまで以上に基板表面から浅く形成する必要が生じてきている。
【0005】
このため、ソース/ドレイン領域の上にエピタキシャル成長シリコン層を形成することによって、ソース/ドレイン領域を元の基板表面よりせり上げ、基板表面からの接合深さを浅くすると同時に、実質的なソース/ドレイン領域の接合深さを確保する構造が提案されている。このような構造は、せり上げソース/ドレイン構造(ESD構造)と呼ばれている(特許文献1参照)。
【0006】
一方、メモリセル領域のトランジスタでは、記憶容量増大の観点から周辺回路領域のトランジスタよりもさらに微細且つ高密度に形成するため、ゲート長はさらに短くなり、ゲート間隔も狭くなることから、短チャネル効果の抑制と低リーク電流の確保のために浅い接合とする必要がある。
【0007】
セルサイズが縮小するほど、コンタクトの大きさと接合深さが減少する傾向にあり、それに伴い、素子の電気的特性の確保、特にコンタクト抵抗を低く確保することが困難になりつつある。この問題を解決する方法として、特許文献2では、半導体基板面にエピタキシャル成長による単結晶シリコン層を形成し、その上にポリシリコンプラグを形成するランディングプラグ構造が提案されている。このエピタキシャル成長シリコン層は、ランディングパッドとも呼ばれている。ランディングパッドを形成することにより、基板表面の自然酸化膜によるコンタクト抵抗増大が抑制される。
【0008】
そして、特許文献3には、メモリセル領域のMOSトランジスタのソース/ドレイン上に第1のエピタキシャル半導体層を、周辺回路領域のMOSトランジスタのソース/ドレイン上に第2のエピタキシャル半導体層を形成したDRAM等の半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特開平03−049259号公報
【特許文献2】特開2003−338542号公報
【特許文献3】特開2008−130756号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
ところで、工程簡略化の観点から、DRAMの製造においては、セルトランジスタと周辺回路トランジスタとの製造工程を共通化することは、一般的に行われている。メモリセル領域と周辺回路領域におけるトランジスタ形成の工程共通化を図る場合、特許文献3に記載されるように、周辺回路領域に高濃度不純物層を形成する前、すなわち、半導体基板上の層間絶縁膜形成前に、周辺回路領域ではせり上げソース/ドレイン領域となり、メモリセル部ではランディングパッドとなる半導体層の形成を行うことになる。
【0011】
ここで、周辺回路領域に形成されるESD構造について、図8〜10を参照して説明する。なお、これらの図は、課題を説明するために発明者が独自に作成したもので、従来技術そのものではない。
【0012】
図8に示すように、半導体基板1に素子分離(STI)2を形成し、活性領域を確定する。活性領域にゲート絶縁膜3を介して、導電体4及びキャップ層5を形成し、パターニングしてゲート電極6を形成する。次に、ゲート電極側壁に絶縁体からなるサイドウォール・スペーサ8を形成した後、サイドウォール・スペーサ8をマスクに半導体基板1と逆導電型の不純物イオン、例えば、半導体基板1がp型シリコンの場合、低濃度のn型不純物を導入し、LDD層(低濃度不純物層)7を形成する。選択エピタキシャル成長法にて、LDD層7の上部に半導体層10を形成する。
【0013】
選択エピタキシャル成長法では、形成した半導体層の外周部(端部)は、酸化シリコン膜からなる素子分離2で囲まれているため、エピタキシャル成長シリコン層の横方向への成長が阻害されて、ファセットと称するテーパー形状になることが知られている。
【0014】
図8のAで示した部分の拡大図を図9に示す。図9において、Fはファセットを示す。イオン注入法にて、半導体層10を貫通するように不純物を半導体基板1に導入し、高濃度の不純物層11を形成する。不純物の注入された半導体層10は、せり上げソース/ドレイン領域10’となる。この際にファセットFの影響で、活性領域の外周部(素子分離2の近傍)では、高濃度不純物層11の半導体基板1の表面からの深さが、他の場所よりも深い領域11dが形成されてしまう。図10に、高濃度不純物層11形成後の全体図を示す。
【0015】
図11は、トランジスタの平面図であり、素子分離2で区画された活性領域をKで示す。活性領域Kの外周端部に沿って高濃度不純物層11の深い領域11dが形成される。このため、ゲート電極6に隣接する領域Bでは、ソース/ドレイン電極は深い領域11dによって構成されるため、短チャネル効果が起き易く、所定の電気特性を得ることが困難であった。
【0016】
一方、ファセットによる影響を少なくするためにエピタキシャル成長シリコン層の膜厚を厚くして半導体基板への注入深さを浅くすることが考えられる。また、ファセットはエピタキシャル成長シリコン層の成長を阻害する酸化シリコン膜との接触面で起こることから、素子分離表面をエピタキシャル成長シリコン層の成長を阻害しない窒化シリコン膜としてファセットを形成させないという提案もある。しかしながら、セルトランジスタのソース/ドレイン電極上にも同工程でエピタキシャル成長シリコン層を形成しようとすると、隣接するセルトランジスタ同士を分離している素子分離の幅は周辺回路領域よりも狭いため、エピタキシャル成長シリコン層同士が接触して短絡してしまう場合がある。これは、エピタキシャル成長が横方向にも成長するためである。たとえば、エピタキシャル成長シリコン層が厚くなるほど、横方向への張り出し量も多くなり、また、ファセットの少ない窒化シリコン膜が素子分離表面に形成されている場合は、エピタキシャル成長の膜厚と同程度に横方向にも成長してしまうためである。
【課題を解決するための手段】
【0017】
本発明者は、メモリセル領域と周辺回路領域とを併設した半導体装置において、周辺回路領域の素子分離表面のみを半導体基板面から後退させて、露出した基板側面からもせり上げソース/ドレインとなる半導体層を成長させることにより、メモリセル領域における同工程で形成される半導体層同士の接触による短絡を防止しつつ、周辺回路領域のトランジスタにおける高濃度不純物層の接合深さの均一性が図れ、短チャネル効果の抑制が可能となることを見出した。
【0018】
すなわち、本発明の一実施形態によれば、
記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されるセルトランジスタと、を有するメモリセル領域と、
周辺回路トランジスタの形成された周辺回路領域と、
を備えた半導体装置であって、
前記セルトランジスタは、半導体基板を素子分離で区画した活性領域に、ゲート電極と、ゲート電極の両側の活性領域に形成されたソース/ドレイン領域と、該ソース/ドレイン領域上に形成された選択エピタキシャル成長半導体層とを含み、
前記周辺回路トランジスタは、半導体基板を素子分離で区画した活性領域に、ゲート電極と、ゲート電極の両側の活性領域に形成されたLDD構造のソース/ドレイン領域と、該ソース/ドレイン領域上に形成された選択エピタキシャル成長半導体層で構成されるせり上げソース/ドレイン領域とを含み、
前記セルトランジスタ及び周辺回路トランジスタの選択エピタキシャル成長半導体層は、隣接する前記セルトランジスタ間で選択エピタキシャル成長半導体層同士が接触しない膜厚に同時に形成されたものであり、
前記周辺回路領域の素子分離表面のみが前記半導体基板表面より後退しており、前記せり上げソース/ドレイン領域は前記素子分離表面が後退して露出した半導体基板側面からもエピタキシャル成長した半導体層であって、該半導体層のファセット面が活性領域の外側に形成されており、
前記周辺回路トランジスタにおける前記LDD構造の高濃度不純物層の底面位置が、活性領域中央部と周辺部とにおいて略同等である半導体装置が提供される。
【0019】
また、本発明の別の実施形態によれば、
記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されるセルトランジスタと、を有するメモリセル領域と、
周辺回路トランジスタの形成された周辺回路領域と、
を備えた半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の半導体基板に素子分離を形成し、前記セルトランジスタと周辺回路トランジスタを形成するための活性領域を区画する工程、
前記セルトランジスタと周辺回路トランジスタそれぞれのゲート電極を形成する工程、
各ゲート電極側壁にサイドウォール・スペーサを形成する工程、
前記各ゲート電極両側の活性領域に第2導電型の低濃度不純物を注入する工程、
前記周辺回路領域の素子分離のみを選択的に半導体基板表面より後退させる工程、
メモリセル領域及び周辺回路領域の露出する基板面に選択エピタキシャル成長により半導体層を形成する工程、
周辺回路領域の活性領域に前記半導体層を介して第2導電型の高濃度不純物を注入する工程、
とを備え、
選択エピタキシャル成長による半導体層は、前記メモリセル領域において隣接するセルトランジスタの半導体層同士が接触しない膜厚に形成され、
周辺回路領域の素子分離を半導体基板表面より後退させる工程は、周辺回路領域において形成される選択エピタキシャル成長による半導体層のファセットが、前記素子分離表面が後退して露出した半導体基板側面からもエピタキシャル成長した半導体層によって周辺回路トランジスタの形成される活性領域外に形成されるに必要十分な後退量が得られるまで実施する、
半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【0020】
周辺回路領域の素子分離のみを後退させて、露出した基板面からもエピタキシャル成長半導体層を成長させることによって、メモリセル領域において、隣接するメモリセル間での半導体層を介した短絡を抑制しつつ、周辺回路領域においてはトランジスタのソース/ドレイン電極を形成する不純物層が活性領域の端部領域において、深く形成されてしまうのを防止できる。これにより、周辺回路領域に配置するトランジスタの短チャネル効果の発生を抑制し、所定の特性を有する半導体装置を容易に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタの製造例を示す工程断面図である。
【図2】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタの製造例を示す工程断面図である。
【図3】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタの製造例を示す工程断面図である。
【図4】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタの製造例を示す工程断面図である。
【図5】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタにおける半導体層10の状態を示す拡大断面図である。
【図6】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタの製造例を示す工程断面図である。
【図7】本発明に係る半導体装置の、周辺回路領域のトランジスタの製造例を示す工程断面図である。
【図8】従来技術の半導体装置における課題を説明する断面図である。
【図9】従来技術の半導体装置における課題部分を説明する拡大断面図である。
【図10】従来技術の半導体装置における課題を説明する断面図である。
【図11】従来技術の半導体装置における課題を説明する平面図である。
【図12】本発明に係る半導体装置の、メモリセル領域の概略を示す平面図である。
【図13】図12のA−A’線における概略断面図である。
【図14】図12のB−B’線における概略断面図である。
【図15】本発明に係る半導体装置において、メモリセル領域と周辺回路領域とを並設する工程を説明する工程断面図である。
【図16】本発明に係る半導体装置において、メモリセル領域と周辺回路領域とを並設する工程を説明する工程断面図である。
【図17】本発明に係る半導体装置において、メモリセル領域と周辺回路領域とを並設する工程を説明する工程断面図である。
【図18】本発明に係る半導体装置において、メモリセル領域と周辺回路領域とを並設する工程を説明する工程断面図である。
【図19】本発明に係る半導体装置において、メモリセル領域と周辺回路領域とを並設する工程を説明する工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
周辺回路領域に形成するESD構造の周辺回路トランジスタとして、Nチャネル型MOSトランジスタを形成する場合を例として図面を参照して説明する。
【0023】
(図1)
P型のシリコンからなる半導体基板1に、酸化シリコン膜を埋め込んだ素子分離2をSTI法等で形成し、活性領域を区画する。半導体基板1の上面にゲート絶縁膜3を形成し、ゲート導電体4およびキャップ膜5の積層体をパターニングしてゲート電極を形成する。ゲート導電体4としては、不純物を含有した多結晶シリコン上にタングステン等の金属膜を積層したものを例示できる。キャップ膜5としては、窒化シリコン膜(Si3N4)を例示できる。
【0024】
(図2)
窒化シリコン膜等の絶縁膜を用いて、サイドウォール・スペーサ8を形成する。次に、イオン注入にて、リン等のN型不純物を、たとえば、1×1013〜1×1014 atoms/cm2の濃度で導入し、LDD層7を形成する。なお、LDD層7はサイドウォール・スペーサ8を形成する前に、ゲート電極6をマスクにイオン注入しても良く、また、薄い第1のサイドウォール・スペーサを形成してLDD層7を形成し、第1のサイドウォール・スペーサ上に第2のサイドウォール・スペーサを形成しても良い。なお、サイドウォールスペーサ8の表面が酸化シリコンで構成されると、後工程で形成する選択エピタキシャル成長シリコン層の成長が酸化シリコンとの接触面で阻害されて、ゲート電極側壁側にもファセットが形成される(たとえば、特開2000−49348号公報参照)。従って、サイドウォールスペーサ8の表面は、選択エピタキシャル成長を阻害しない絶縁膜、特に、窒化シリコンや酸窒化シリコン等の窒素を含む絶縁材料が好ましい。
【0025】
(図3)
酸化シリコンのエッチングを行い、素子分離2の上面の高さが、半導体基板1の上面よりも低くなるようにする。半導体基板の上面からの後退量は、後工程で形成する半導体層10ファセットFが活性領域外に形成されるに必要十分となるように適宜調整される。後退量としては、半導体基板表面から10nm以上低くなるようにすることが好ましく、上限は素子分離としての機能を損なわない範囲であればよいが、30nm程度までで十分である。酸化シリコンのエッチングには、ドライエッチング、湿式エッチングのいずれも適用できる。なお、図示する例では、サイドウォール・スペーサ8の下にゲート絶縁膜3の側面が露出する構成を示しており、このような形状に対して湿式エッチングを行う際には、ゲート電極の下方に位置するゲート絶縁膜3がサイドエッチングされ過ぎないように、時間を制御する。ゲート絶縁膜3の側面が窒化シリコン膜等のサイドウォール・スペーサ8で覆われている場合は時間制御を厳密に行う必要はない。また、素子分離2に窒化シリコン等で薄いライナー膜を形成し、その上に酸化シリコンを埋め込んでいるような場合、周辺回路領域の活性領域に接する側のライナー膜は、酸化シリコン膜を埋め込む前に引き下げておくことが好ましい。
【0026】
(図4)
選択エピタキシャル成長法によって、半導体基板1上に半導体層10としてシリコン層を形成する。半導体層10の膜厚はメモリセル領域において半導体層10同士が接触しない膜厚であって、せり上げソース/ドレイン領域を形成するのに十分な膜厚であれば、特に限定されないが、たとえば、20〜40nmの範囲の膜厚に形成することができる。
【0027】
半導体層10形成後の活性領域の端部Aの拡大図を図5に示す。本発明では、半導体層10の形成前の時点で、活性領域の端部において、半導体基板1の素子分離2と接触していた側壁部(シリコン面)が一部露出している。このため半導体層10は、上方に成長すると共に側壁部から横方向にも成長が進行する。その結果、図5に示したようにファセットFの位置が、従来よりも横方向にずれ、活性領域Kの外側、すなわち、素子分離2上に形成される。
【0028】
この状態でソース/ドレイン電極形成のためのイオン注入を行うと、LDD構造の高濃度不純物層11の底部は、活性領域内において半導体基板1の上面と概略平行となるように形成される。すなわち、従来のように不純物層の深い領域(11d)が形成されない。この時、半導体層10は、不純物が注入されることでせり上げソース/ドレイン領域10’となる。
【0029】
(図6)
高濃度不純物層11の形成後の断面図を示す。高濃度不純物層11の形成には、イオン注入で、ヒ素等のN型不純物を、たとえば、5×1014〜5×1015atoms/cm2の濃度で導入する。
【0030】
(図7)
酸化シリコン膜等で第1層間絶縁膜20を形成する。ソース/ドレイン電極に接続する第1コンタクトプラグ21および第1配線層22を形成する。図示していない位置で、ゲート電極用の導電膜4に接続するコンタクトプラグおよび配線層も同様に形成する。
【0031】
次に、メモリセル領域について説明する。本実施形態においてメモリセル領域は、図12に示す平面構造のように、細長い短冊状の活性領域Kが複数、個々に所定間隔をあけて右斜め下向きに整列形成されている。各活性領域Kの両端部と中央部に個々に不純物拡散層(LDD層)が配置され、この形態では各活性領域Kの中央部にソース、両端部にドレインが形成される。それらの真上に配置される形で基板コンタクト部205c、205a、205bが規定されている。本実施形態では、1つの活性領域Kに2ビットのセルトランジスタが配置されるセル構造に本発明を適用した場合の一例を示している。
【0032】
なお、この図のような平面形状の活性領域Kが規定されているのは、本実施形態に特有の形状であるが、活性領域Kの形状や方向は特に規定されるべきものではない。図12に示す活性領域Kの形状はその他一般的なトランジスタに適用される活性領域の形状で良いのは勿論であり、本実施形態の形状に限定されるものではない。
【0033】
図12の紙面横方向(X方向)に折れ線状にビット配線106が延設され、このビット配線106が紙面縦方向(Y方向)に所定の間隔で複数配置されている。また、Y方向に直線状のワード配線107が延設され、これらのワード配線107がX方向に所定の間隔で複数配置される。ワード配線107は各活性領域Kと交差する部分においてゲート電極となり、セルトランジスタを構成する。
【0034】
図13は、図12のA−A’線での断面図であり、半導体基板1において素子分離2に区画された活性領域Kにソース及びドレイン電極となるLDD層7が離間して形成され、ソースとドレインとの間に、ゲート絶縁膜3を介してゲート導電体4とキャップ膜5の積層体であるゲート電極6が形成されている。ゲート導電体4及びキャップ膜5は、周辺回路領域のMOSトランジスタと同様に形成される。なお、セルトランジスタは、周辺回路トランジスタよりも一般的にゲート長の短いトランジスタが適用される。また、メモリセル領域のセルトランジスタは、このようなプレーナー型のトランジスタに限定されるものではなく、より微細化に適したリセスゲート型のトランジスタとしても良い。それによりゲート電極幅に対する実効ゲート長を大きくすることができる。
【0035】
また、ゲート電極6の側壁には窒化シリコン膜からなるサイドウォール・スペーサ8が形成されている。LDD層7上には選択エピタキシャル成長した半導体層10が形成されている。
【0036】
酸化シリコン膜等で第1層間絶縁膜20を形成する。ソース/ドレイン電極に接続する基板コンタクトプラグ(205a〜205c)をSAC法により形成する。基板コンタクトプラグ(205a〜205c)はポリシリコンなどの導電体で形成し、その際、LDD層7と同じ導電型の不純物を導入してもよい。それにより基板コンタクトプラグの接続抵抗を低減することができる。また、基板コンタクトプラグにLDD層7と同じ導電型の不純物を導入した場合、シリコン層10にこの不純物が固相拡散することにより、メモリセル領域のトランジスタも、せり上げソース/ドレイン構造となる。
【0037】
ソース電極に接続された基板コンタクトプラグ205aには、ビット配線106が接続され、ビット配線を覆う第2の層間絶縁膜24に、ドレイン電極に接続された基板コンタクトプラグ205b及び205c上に容量コンタクトプラグとして第2コンタクトプラグ25が形成される。
【0038】
第2コンタクトプラグ25上には記憶素子として、ペデスタル型の下部電極26a、容量絶縁膜26b、上部電極26cから構成されるキャパシタ26が形成され、キャパシタ26上には第3層間絶縁膜27を形成し、キャパシタ上部電極26cと接続されるコンタクト及び配線(不図示)を形成する。
【0039】
なお、この例では、ペデスタル型の下部電極を有するキャパシタを例示しているが、これに限定されず、シリンダ型の下部電極の内壁あるいは内壁及び外壁の両方を容量として用いたキャパシタなどの、公知の構造を適用できる。また、記憶素子としてはキャパシタ等の容量素子以外の記憶素子を適用しても良い。
【0040】
図14は、図12のB−B’線での断面図である。メモリセル領域の素子分離2は、周辺回路領域の素子分離2と異なり、エッチングされることなく半導体基板1の表面高さとほぼ同等のままとされる。なお、素子分離2の形成方法によっては、素子分離2の表面高さが基板面から多少上下する場合があるが、数nmの範囲であれば許容される。その結果、メモリセル領域の半導体層10は、図14に示すように活性領域内にファセットFを有し、一部素子分離2上に張り出した形状に形成される。この時、素子分離2表面は半導体層10の成長を阻害する酸化シリコン膜であることが好ましい。エピタキシャル成長した半導体層10の成長を阻害しない窒化シリコン膜等の膜が存在すると、ファセットが形成されないか形成されたとしてもわずかであることで、膜厚と同程度に素子分離2上に伸びてしまう。本発明では、メモリセル領域の半導体層10がファセットを有して形成されることで、横方向への張り出し量が抑制されるという効果もある。
【0041】
メモリセル領域の素子分離2の幅は、周辺回路領域の素子分離2の幅よりはるかに狭く、そのため、素子分離2上に伸びた半導体層10同士が接触してしまうと、短絡して正常なデータ保存ができなくなる。従って、半導体層10は、隣接する半導体層10同士が接触しない膜厚にメモリセル領域の素子分離2の幅に応じて適宜調整する必要がある。この時、周辺回路領域では、同厚みに半導体層10が形成されることになる。半導体層10の膜厚が薄くなるほど、従来構造ではファセットが活性領域内側に形成されて、高濃度不純物層11の深い領域11dの幅も大きくなる傾向にある。本発明では、半導体層10が周辺回路領域の後退させた素子分離2の側面に露出するシリコン面からも成長するため、半導体層10が薄くなっていったとしても、ファセットFを安定して活性領域外に形成させることができる。その結果、その後の高濃度不純物層形成において、活性領域外周部で接合が深くなる現象を防止できる。
【0042】
次に、メモリセル領域と周辺回路領域とを共通の工程で並設する実施形態について説明する。
図15〜19は、メモリセル領域(紙面左側)と周辺回路領域(紙面右側)とを並設する製造工程を示す模式的工程断面図である。なお、これらの図においては、メモリセル領域のトランジスタは1つのセル単位を簡略化して記載している。また、メモリセル領域の構成物には符号として数字の後にaを、周辺回路領域の構成物には符号として数字の後にbを付し、共通する工程ではこれらを省略する。
【0043】
(図15)
素子分離2の形成された半導体基板1上のメモリセル領域と周辺回路領域にMOSトランジスタとなるゲート電極6(ゲート導電体4,キャップ層5)をゲート絶縁膜3を介して形成し,ゲート電極6側壁のサイドウォール・スペーサ8を形成した後、LDD層7を形成する。
【0044】
(図16)
メモリセル領域をフォトレジスト膜(不図示)を用いてマスクし、酸化シリコンのエッチングを行う。これにより、周辺回路領域の素子分離2のみ、表面高さが低下する。
【0045】
(図17)
選択エピタキシャル成長を行い、メモリセル領域及び周辺回路領域の露出している半導体基板1上(LDD層7a、7b)に半導体層10a、10bを20〜40nmの膜厚に形成する。
メモリセル領域では、素子分離2の表面高さを低下させていないので、ソース/ドレイン電極(LDD層7a)の側面にシリコン面が露出しておらず、周辺回路領域に比べて横方向への半導体層10aの成長が抑制される。
【0046】
(図18)
イオン注入にて周辺回路領域にのみ、高濃度の不純物を導入し、高濃度不純物層11b(ソース/ドレイン電極)を形成する。この時、周辺回路領域の半導体層10bにも高濃度の不純物が導入されて、せり上げソース/ドレイン領域10’bとなる。
なお、メモリセル領域には、この高濃度の不純物層の導入は行わないので、たとえばフォトレジスト膜(不図示)でメモリセル領域をマスクしてイオン注入を行う。
【0047】
第1層間絶縁膜20、第1コンタクトプラグ21a、21bを形成する。タングステン(W)を用いて配線22a、22bを形成する。メモリセル領域の配線22aはビット配線として機能する。周辺回路領域の配線22bは周辺回路トランジスタの電極引き出し配線として機能する。なお図示していないが、ゲート電極に接続するコンタクトプラグと配線も同様に形成する。
メモリセル領域の第1コンタクトプラグ21aを形成する際に、メモリセル領域に設けたコンタクトホールには、LDD層7aと同じ導電型の不純物を導入してもよい。これにより、第1コンタクトプラグ21aの接続抵抗を低減することができる。
【0048】
(図19)
第2層間絶縁膜24、第2コンタクトプラグ25aを形成する。第2コンタクトプラグ25aに接続する記憶素子としてキャパシタ26を形成する。
第3層間絶縁膜27、第3コンタクトプラグ28a、28bを形成し、アルミニウム(Al)、銅(Cu)等を用いて、第2配線29a、29bを形成する。
以上により、図19に示すようなメモリセル領域と周辺回路領域を有するDRAM装置が形成される。
【0049】
本発明は、上記実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜公知技術を適用することができる。たとえば、半導体層10上にシリサイド層を形成して接触抵抗の低減を図ることは、特に高速動作の要求される周辺回路領域のトランジスタには有効である。同様に、半導体層10に接続される第1コンタクトプラグを金属プラグとすることも有効である。
【符号の説明】
【0050】
1 半導体基板
2 素子分離
3 ゲート絶縁膜
4 ゲート導電体
5 キャップ膜
6 ゲート電極
7 LDD層
8 サイドウォール・スペーサ
10 半導体層(シリコン層)
10’ せり上げソース/ドレイン領域
11 高濃度不純物領域
20 第1層間絶縁膜
21 第1コンタクトプラグ
22 第1配線
24 第2層間絶縁膜
25 第2コンタクトプラグ
26 キャパシタ
27 第3層間絶縁膜
28 第3コンタクトプラグ
29 第2配線
106 ビット線
107 ワード線
205a〜c 基板コンタクトプラグ
K 活性領域
【特許請求の範囲】
【請求項1】
記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されるセルトランジスタと、を有するメモリセル領域と、
周辺回路トランジスタの形成された周辺回路領域と、
を備えた半導体装置であって、
前記セルトランジスタは、半導体基板を素子分離で区画した活性領域に、ゲート電極と、ゲート電極の両側の活性領域に形成されたソース/ドレイン領域と、該ソース/ドレイン領域上に形成された選択エピタキシャル成長半導体層とを含み、
前記周辺回路トランジスタは、半導体基板を素子分離で区画した活性領域に、ゲート電極と、ゲート電極の両側の活性領域に形成されたLDD構造のソース/ドレイン領域と、該ソース/ドレイン領域上に形成された選択エピタキシャル成長半導体層で構成されるせり上げソース/ドレイン領域とを含み、
前記セルトランジスタ及び周辺回路トランジスタの選択エピタキシャル成長半導体層は、隣接する前記セルトランジスタ間で選択エピタキシャル成長半導体層同士が接触しない膜厚に同時に形成されたものであり、
前記周辺回路領域の素子分離表面のみが前記半導体基板表面より後退しており、前記せり上げソース/ドレイン領域は前記素子分離表面が後退して露出した半導体基板側面からもエピタキシャル成長した半導体層であって、該半導体層のファセット面が活性領域の外側に形成されており、
前記周辺回路トランジスタにおける前記LDD構造の高濃度不純物層の底面位置が、活性領域中央部と周辺部とにおいて略同等である半導体装置。
【請求項2】
周辺回路領域の素子分離表面の後退量は、半導体基板表面から10nm以上である請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記半導体基板はシリコン基板であって、前記エピタキシャル成長半導体層はシリコン層である請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記素子分離表面は酸化シリコンである請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項5】
前記ゲート電極は、窒化シリコン膜からなるサイドウォールスペーサを有し、前記選択エピタキシャル成長半導体層が該サイドウォールスペーサに接触して形成されている請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項6】
記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されるセルトランジスタと、を有するメモリセル領域と、
周辺回路トランジスタの形成された周辺回路領域と、
を備えた半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の半導体基板に素子分離を形成し、前記セルトランジスタと周辺回路トランジスタを形成するための活性領域を区画する工程、
前記セルトランジスタと周辺回路トランジスタそれぞれのゲート電極を形成する工程、
各ゲート電極側壁にサイドウォール・スペーサを形成する工程、
前記各ゲート電極両側の活性領域に第2導電型の低濃度不純物を注入する工程、
前記周辺回路領域の素子分離のみを選択的に半導体基板表面より後退させる工程、
メモリセル領域及び周辺回路領域の露出する基板面に選択エピタキシャル成長により半導体層を形成する工程、
周辺回路領域の活性領域に前記半導体層を介して第2導電型の高濃度不純物を注入する工程、
とを備え、
選択エピタキシャル成長による半導体層は、前記メモリセル領域において隣接するセルトランジスタの半導体層同士が接触しない膜厚に形成され、
周辺回路領域の素子分離を半導体基板表面より後退させる工程は、周辺回路領域において形成される選択エピタキシャル成長による半導体層のファセットが、前記素子分離表面が後退して露出した半導体基板側面からもエピタキシャル成長した半導体層によって周辺回路トランジスタの形成される活性領域外に形成されるに必要十分な後退量が得られるまで実施する、
半導体装置の製造方法。
【請求項7】
周辺回路領域の素子分離を半導体基板表面より後退させる工程は、10nm以上の後退量が得られるまで実施される請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
前記半導体基板はシリコン基板であって、前記エピタキシャル成長半導体層はシリコン層である請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項9】
前記素子分離は酸化シリコンを埋め込んで形成される請求項6乃至8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項10】
前記サイドウォールスペーサは、窒化シリコン膜からなる請求項6乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項1】
記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されるセルトランジスタと、を有するメモリセル領域と、
周辺回路トランジスタの形成された周辺回路領域と、
を備えた半導体装置であって、
前記セルトランジスタは、半導体基板を素子分離で区画した活性領域に、ゲート電極と、ゲート電極の両側の活性領域に形成されたソース/ドレイン領域と、該ソース/ドレイン領域上に形成された選択エピタキシャル成長半導体層とを含み、
前記周辺回路トランジスタは、半導体基板を素子分離で区画した活性領域に、ゲート電極と、ゲート電極の両側の活性領域に形成されたLDD構造のソース/ドレイン領域と、該ソース/ドレイン領域上に形成された選択エピタキシャル成長半導体層で構成されるせり上げソース/ドレイン領域とを含み、
前記セルトランジスタ及び周辺回路トランジスタの選択エピタキシャル成長半導体層は、隣接する前記セルトランジスタ間で選択エピタキシャル成長半導体層同士が接触しない膜厚に同時に形成されたものであり、
前記周辺回路領域の素子分離表面のみが前記半導体基板表面より後退しており、前記せり上げソース/ドレイン領域は前記素子分離表面が後退して露出した半導体基板側面からもエピタキシャル成長した半導体層であって、該半導体層のファセット面が活性領域の外側に形成されており、
前記周辺回路トランジスタにおける前記LDD構造の高濃度不純物層の底面位置が、活性領域中央部と周辺部とにおいて略同等である半導体装置。
【請求項2】
周辺回路領域の素子分離表面の後退量は、半導体基板表面から10nm以上である請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記半導体基板はシリコン基板であって、前記エピタキシャル成長半導体層はシリコン層である請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記素子分離表面は酸化シリコンである請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項5】
前記ゲート電極は、窒化シリコン膜からなるサイドウォールスペーサを有し、前記選択エピタキシャル成長半導体層が該サイドウォールスペーサに接触して形成されている請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項6】
記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されるセルトランジスタと、を有するメモリセル領域と、
周辺回路トランジスタの形成された周辺回路領域と、
を備えた半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の半導体基板に素子分離を形成し、前記セルトランジスタと周辺回路トランジスタを形成するための活性領域を区画する工程、
前記セルトランジスタと周辺回路トランジスタそれぞれのゲート電極を形成する工程、
各ゲート電極側壁にサイドウォール・スペーサを形成する工程、
前記各ゲート電極両側の活性領域に第2導電型の低濃度不純物を注入する工程、
前記周辺回路領域の素子分離のみを選択的に半導体基板表面より後退させる工程、
メモリセル領域及び周辺回路領域の露出する基板面に選択エピタキシャル成長により半導体層を形成する工程、
周辺回路領域の活性領域に前記半導体層を介して第2導電型の高濃度不純物を注入する工程、
とを備え、
選択エピタキシャル成長による半導体層は、前記メモリセル領域において隣接するセルトランジスタの半導体層同士が接触しない膜厚に形成され、
周辺回路領域の素子分離を半導体基板表面より後退させる工程は、周辺回路領域において形成される選択エピタキシャル成長による半導体層のファセットが、前記素子分離表面が後退して露出した半導体基板側面からもエピタキシャル成長した半導体層によって周辺回路トランジスタの形成される活性領域外に形成されるに必要十分な後退量が得られるまで実施する、
半導体装置の製造方法。
【請求項7】
周辺回路領域の素子分離を半導体基板表面より後退させる工程は、10nm以上の後退量が得られるまで実施される請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
前記半導体基板はシリコン基板であって、前記エピタキシャル成長半導体層はシリコン層である請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項9】
前記素子分離は酸化シリコンを埋め込んで形成される請求項6乃至8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項10】
前記サイドウォールスペーサは、窒化シリコン膜からなる請求項6乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【公開番号】特開2011−253857(P2011−253857A)
【公開日】平成23年12月15日(2011.12.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−125111(P2010−125111)
【出願日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【出願人】(500174247)エルピーダメモリ株式会社 (2,599)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年12月15日(2011.12.15)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【出願人】(500174247)エルピーダメモリ株式会社 (2,599)
【Fターム(参考)】
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