半導体装置
【課題】キャパシタを形成する領域の占有面積を縮小する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、半導体基板１０内に設けられた半導体領域ＡＡＣと、半導体領域ＡＡＣ内に設けられる複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎを含むキャパシタ群と、を具備し、キャパシタＣｍ，Ｃｎのそれぞれは、半導体領域ＡＡＣ上のキャパシタ絶縁膜４２Ａと、キャパシタ絶縁膜４２Ａ上のキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｍと、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｍに隣接する拡散層３２Ａとを有し、を有し、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎに接続される配線２９ｍ，２９ｎのそれぞれは、キャパシタＣｍ，Ｃｎ毎に電気的に分離され、キャパシタ電極Ｃｍ，Ｃｎのそれぞれに異なる電位Ｖｍ，Ｖｎが印加されている。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、半導体基板１０内に設けられた半導体領域ＡＡＣと、半導体領域ＡＡＣ内に設けられる複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎを含むキャパシタ群と、を具備し、キャパシタＣｍ，Ｃｎのそれぞれは、半導体領域ＡＡＣ上のキャパシタ絶縁膜４２Ａと、キャパシタ絶縁膜４２Ａ上のキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｍと、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｍに隣接する拡散層３２Ａとを有し、を有し、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎに接続される配線２９ｍ，２９ｎのそれぞれは、キャパシタＣｍ，Ｃｎ毎に電気的に分離され、キャパシタ電極Ｃｍ，Ｃｎのそれぞれに異なる電位Ｖｍ，Ｖｎが印加されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置としての不揮発性半導体メモリ、例えば、フラッシュメモリは、様々な電子機器に搭載されている。
【０００３】
フラッシュメモリにおけるデータの書き込み時、１０Ｖ〜２０Ｖ程度の電圧がメモリセルトランジスタのゲート電極に印加される。フラッシュメモリは、１０Ｖ以上の高電圧を生成するために、いわゆるチャージポンプ回路が周辺回路内に配置されている。
【０００４】
チャージポンプ回路は、例えば、ドレインとゲートとが接続された複数のＭＯＳトランジスタと複数のキャパシタとによって、形成される。チャージポンプ回路のキャパシタには、例えば、ＭＯＳキャパシタが用いられている。各ＭＯＳキャパシタは、素子分離領域に囲まれた１つの半導体領域（素子領域）内に、それぞれ設けられている。
【０００５】
チャージポンプ回路は、電源電圧（３Ｖ程度）を２０Ｖ程度まで昇圧するために複数段のＭＯＳトランジスタ及びＭＯＳキャパシタが必要である。そのため、チャージポンプ回路の占有面積は大きくなる傾向がある。
【０００６】
この結果として、フラッシュメモリのチップにおいて、チャージポンプ回路の占有面積が、メモリセルアレイや他の周辺回路の占有面積を圧迫する。このため、フラッシュメモリの記憶容量の増大、チップサイズの縮小、ビットコストの低減などが、困難になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２１７３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、キャパシタが形成される領域の面積を縮小する技術を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本実施形態の半導体装置は、半導体基板内に設けられた少なくとも１つの半導体領域と、前記１つの半導体領域内に設けられる複数のキャパシタを含むキャパシタ群と、を具備し、前記キャパシタのそれぞれは、前記半導体領域上のキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上のキャパシタ電極と、前記キャパシタ電極に隣接する拡散層とを有し、前記キャパシタ電極に接続される配線のそれぞれは、前記キャパシタ毎に電気的に分離され、前記キャパシタ電極のそれぞれに異なる電位が印加されている。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】フラッシュメモリの構成を示すブロック図。
【図２】フラッシュメモリの断面構造を模式的に示す図。
【図３】メモリセルアレイの断面構造を示す断面図。
【図４】第１の実施形態の半導体装置の構造を説明するための平面図。
【図５】第１の実施形態の半導体装置の構造を説明するための断面図。
【図６】第１の実施形態の半導体装置の構造を説明するための断面図。
【図７】チャージポンプ回路の構成例を示す等価回路図。
【図８】チャージポンプ回路の制御信号を示す波形図。
【図９】チャージポンプ回路のキャパシタのレイアウトを示す平面図。
【図１０】チャージポンプ回路のキャパシタの構造を説明するための図。
【図１１】チャージポンプ回路のキャパシタの構造及び動作を説明するための図。
【図１２】チャージポンプ回路のキャパシタの構造及び動作を説明するための図。
【図１３】第２の実施形態の半導体装置の構造を説明するための断面図。
【図１４】第３の実施形態におけるチャージポンプ回路の構成例を示す等価回路図。
【図１５】チャージポンプ回路の制御信号を示す波形図。
【図１６】チャージポンプ回路のキャパシタのレイアウトを示す平面図。
【図１７】チャージポンプ回路のキャパシタの構造を説明するための図。
【図１８】第４の実施形態におけるチャージポンプ回路の構成例を示す等価回路図。
【図１９】チャージポンプ回路の制御信号を示す波形図。
【図２０】チャージポンプ回路のキャパシタのレイアウトを示す平面図。
【図２１】第１乃至第４の半導体装置の変形例を説明するための平面図。
【図２２】第１乃至第４の半導体装置の変形例を説明するための断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら、実施形態について詳細に説明する。以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付し、重複する説明は必要に応じて行う。
【００１２】
［実施形態］
（１） 第１の実施形態
図１乃至図１２を参照して、第１の実施形態の半導体装置について説明する。本実施形態において、半導体装置として、フラッシュメモリが例示される。
【００１３】
（ａ） フラッシュメモリの構成
図１は、第１の実施形態の半導体装置としてのフラッシュメモリの構成を示している。
【００１４】
図１に示されるように、フラッシュメモリ１は、メモリセルアレイ２、ロウデコーダ３、電圧発生回路４、及び制御回路５を有している。
【００１５】
メモリセルアレイ２は、各々がデータ保持可能な複数のメモリセルトランジスタＭＴを含んでいる。メモリセルトランジスタＭＴの各々は、電荷を保持可能な電荷蓄積層と、電荷蓄積層上に形成された制御ゲートとを含む積層ゲートを有している。各々のメモリセルトランジスタＭＴの制御ゲートはワード線ＷＬに接続されている。メモリセルトランジスタＭＴのドレインはビット線ＢＬに電気的に接続され、メモリセルトランジスタＭＴのソースはソース線ＳＬに電気的に接続されている。
【００１６】
データの書き込み時、アドレスに対応するワード線ＷＬが選択され、選択されたワード線にプログラム電圧ＶＰＧＭ（例えば、２０Ｖ）が印加される。非選択のワード線に中間電圧ＶＰＡＳＳ等が印加される。データの読み出し時、アドレスに対応するワード線ＷＬが選択され、選択されたワード線に読み出し電圧ＶＣＧＲが印加される。非選択のワード線に電圧ＶＲＥＡＤが印加される。電圧ＶＰＡＳＳ、ＶＲＥＡＤは、共にメモリセルトランジスタＭＴをオン状態とする電圧である。データの消去時には、全ワード線ＷＬに０Ｖが印加され、メモリセルアレイ２が形成されているウェル領域に高電圧（例えば２０Ｖ）が印加される。
【００１７】
メモリセルアレイ２の内部構成の詳細について説明する。本実施形態のフラッシュメモリは、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである。それゆえ、図１に示されるように、メモリセルアレイ２は、複数のＮＡＮＤセルＮＣを含んでいる。
【００１８】
ＮＡＮＤセルＮＣの各々は、３２個のメモリセルトランジスタＭＴ０〜ＭＴ３１と、２つの選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２とを含んでいる。なお、メモリセルトランジスタＭＴの個数は３２個に限られず、８個や１６個、６４個、１２８個、２５６個等であってもよく、その数は限定されるものではない。以下では、説明の簡潔化のために、メモリセルトランジスタＭＴ０〜ＭＴ３１を単にメモリセルトランジスタＭＴとよぶことがある。
【００１９】
メモリセルトランジスタＭＴは、半導体基板上にゲート絶縁膜を介在して形成された電荷蓄積層と、電荷蓄積層上にゲート間絶縁膜を介在して形成された制御ゲート電極とを有する積層ゲート構造を有している。メモリセルトランジスタＭＴは、隣接するもの同士でソース、ドレインを共有している。そして、選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２間に、その電流経路が直列接続されるようにして配置されている。直列接続されたメモリセルトランジスタＭＴの一端のドレイン領域は選択トランジスタＳＴ１のソース領域に接続され、他端のソース領域は選択トランジスタＳＴ２のドレイン領域に接続されている。
【００２０】
同一のロウに配列されたメモリセルトランジスタＭＴの制御ゲート電極は、ワード線ＷＬ０〜ＷＬ３１のいずれかに共通接続される。同一のロウに配列された選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２のゲートは、それぞれセレクトゲート線ＳＧＤ，ＳＧＳに共通接続されている。また、メモリセルアレイにおいて同一のカラムに配列された選択トランジスタＳＴ１のドレインは、ビット線ＢＬ０〜ＢＬｎ（ｎは自然数）のいずれかに共通接続される。なお説明の簡単化のため、以下では、ワード線ＷＬ０〜ＷＬ３１及びビット線ＢＬ０〜ＢＬｎを、それぞれ単にワード線ＷＬ及びビット線ＢＬとよぶことがある。選択トランジスタＳＴ２のソースはソース線ＳＬに共通接続される。
【００２１】
図１では、１つのＮＡＮＤセルのみ図示されているが、メモリセルアレイ２内には複数のＮＡＮＤセルがアレイ状に配置される。同一のカラムに配列されたＮＡＮＤセルは、同一のビット線ＢＬに接続される。また、同一のワード線ＷＬに接続されたメモリセルトランジスタＭＴは、一括してデータが書き込まれ、この単位は１ページとよばれる。更に複数のＮＡＮＤセルは、一括してデータが消去され、この単位はブロックとよばれる。
【００２２】
ロウデコーダ３は、外部から入力されたアドレスに応じて、メモリセルアレイ２のロウ方向を選択する。
【００２３】
電圧発生回路４は、ロウデコーダ３に対して、電圧を供給する。電圧発生回路４は、複数のチャージポンプ回路６を含んでいる。チャージポンプ回路６は、例えば、ワード線ＷＬ及びセレクトゲート線ＳＧＤ，ＳＧＳのそれぞれに対して、１つずつ設けられている。電圧発生回路４は、チャージポンプ回路６で生成された電圧を、上記の電圧ＶＰＧＭや電圧ＶＰＡＳＳとして、ロウデコーダ３へ供給する。チャージポンプ回路６は、複数のキャパシタＣを有する。
【００２４】
制御回路５は、外部からアドレス及びコマンドを受け取る。そして、受け取ったコマンドやアドレスに応じて、フラッシュメモリ１内の回路の動作を制御する。制御回路５は、例えば、電圧制御回路４を制御し、電圧制御回路４に対して必要な電圧を発生するよう命令する。
【００２５】
本実施形態において、ロウデコーダ３、電圧生成回路４及び制御回路５のように、フラッシュメモリ１に含まれるメモリセルアレイ２以外の回路のことを、周辺回路とよぶ。
【００２６】
メモリセルアレイ２と周辺回路の断面関係について、図２を用いて説明する。図２は、
フラッシュメモリ１の断面図であり、特に、メモリセルアレイ２の一部の領域と周辺回路の一部の領域とを抽出している。図２において、ＭＯＳトランジスタのゲート長方向に沿った断面が示されている。しかし、必ずしも全ての素子が、図２の断面を得られるように、配置される必要は無い。
【００２７】
図２に示すように、メモリセルアレイ２内において、半導体基板（例えば、ｐ型シリコン基板）１０の表面領域内に、ｐ型ウェル領域１２が形成されている。ｐ型ウェル領域１２内には、例えば、ボロンがドープされ、ウェル領域１２の不純物濃度は、例えば１０１４ｃｍ−３〜１０１９ｃｍ−３の間に設定される。ウェル領域１２の側面に、ウェル領域１２に接するようにしてｎ型ウェル領域５０が形成される。ウェル領域１２の下部には、ウェル領域１２，５０に接するようにしてｎ型ウェル領域１１が形成されている。これにより、ｐ型ウェル領域１２の周囲はｎ型ウェル領域１１，５０によって囲まれることになり、ウェル領域１２は、半導体基板１０から電気的に分離される。ウェル領域１２が半導体基板１０から電気的に分離されることによって、ウェル領域１２の電位を、メモリセルアレイ２の動作に応じて、半導体基板１０から独立して制御できる。このような二重ウェル構造を用いることで、チャージポンプ回路６の負荷を低減し、消費電力を削減できる。
【００２８】
メモリセルトランジスタＭＴは、ｐ型ウェル領域１２上に形成される。これらのメモリセルトランジスタＭＴは、ワード線に沿った方向において、素子分離領域ＳＴＩによって分離される。素子分離領域ＳＴＩの深さは、例えば０．１μｍ〜０．５μｍ程度である。素子分離領域ＳＴＩは、半導体基板１０内のトレンチに、例えば、シリコン酸化膜等を埋め込むことによって、形成される。
【００２９】
ウェル領域１２の電位は、複数のメモリセルトランジスタＭＴにおいて均一な消去を実現するために、ウェル領域１２内に均一に印加される必要がある。このため、ウェル領域１２の深さ、つまり、ウェル領域１２とウェル領域１１との境界は、素子分離領域ＳＴＩの底面よりも十分に深い位置に設定される。ウェル領域１２の深さは、例えば、半導体基板１０表面から０．４μｍ以上且つ０．９μｍ以下である。
【００３０】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、電荷蓄積層１４に対する電荷の注入、又は、電荷蓄積層１４からの電荷の放出に、トンネル絶縁膜１３を介したトンネル電流を利用する。
【００３１】
データの消去は、例えば、単位時間当たりに消去されるメモリセルの数を増やすために、複数のメモリセルトランジスタで同時に行われる。つまり、複数のメモリセルトランジスタは、データを一括して消去することを可能とする。このために、消去の際に、ウェル領域１２に半導体基板１０に対して１５Ｖ以上の正の電圧を印加する。これにより、電荷蓄積層１４中の電荷が、電荷蓄積層１４からウェル領域１２に引き抜かれる。
【００３２】
一方、データの読み出し及び書き込みにおいては、ウェル領域１２の電圧を０Ｖに保ち、拡散層１７に印加する電圧を低下させる。これにより、ウェル領域１２を充放電するための電力を削減し、動作速度を高速化することができる。さらに、本実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、ウェル領域１２または制御ゲート１６（ワード線ＷＬ）に、チャージポンプ回路６の出力ノードを選択的に接続することで、データの消去及び書き込みが行われる。
【００３３】
図３を用いて、ＮＡＮＤセルの断面構造について、詳細に説明する。図３は、ＮＡＮＤセルのビット線方向に沿った断面図である。
【００３４】
図３に示されるように、ｐ型半導体基板１０の表面領域内にはｎ型ウェル領域１１が形成され、ウェル領域１１の表面領域内にはｐ型ウェル領域１２が形成されている。ウェル領域１２上には、ゲート絶縁膜１３が形成されている。ゲート絶縁膜１３は、４ｎｍから１２ｎｍの範囲の膜厚を有するシリコン酸化膜、または、シリコン酸窒化膜を用いて形成される。ゲート絶縁膜１３は、メモリセルトランジスタに対してトンネル絶縁膜として機能する。
【００３５】
ゲート絶縁膜１３上に、メモリセルトランジスタＭＴ及び選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２のゲート電極が形成されている。
【００３６】
メモリセルトランジスタＭＴ及び選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２のゲート電極は、ゲート絶縁膜１３上に形成された電荷蓄積層１４、電荷蓄積層１４上に形成されたゲート間絶縁膜１５、ゲート間絶縁膜１５上に形成された導電層１６を有している。
【００３７】
電荷蓄積層１４は、例えば、導電性のポリシリコン層、又は、シリコン窒化層である。
【００３８】
ゲート間絶縁膜１５は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、またはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層構造であるＯＮ膜、ＮＯ膜、またはＯＮＯ膜、またはそれらを含む積層構造、またはＡｌ２Ｏ３、ＨｆＳｉｘ、ＡｌＳｉｘ、ＨｆＯｘ、ＴｉＯｘ単層膜、またはＡｌ２Ｏ３、ＨｆＳｉｘ、ＡｌＳｉｘ、ＨｆＯｘ、ＴｉＯｘの少なくともいずれかとシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜との積層膜で形成される。
【００３９】
導電層１６は、導電性のシリコン層や、シリサイド層、シリコン層とシリサイド層の積層体を用いて形成される。シリサイド層として、ＷＳｉ、ＮｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、及びＣｏＳｉが用いられる。導電層１６は、ビット線ＢＬに直交する方向において、隣接するメモリセルトランジスタ同士で共通接続されており、ワード線ＷＬとして機能する。
【００４０】
選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２において、ゲート間絶縁膜１５内に、貫通孔が形成されている。導電層１６の底面は、電荷蓄積層１４の上面に接触する。選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２において、導電層１６はワード線の延在方向で隣接するもの同士で共通接続されている。そして、導電層１６は、セレクトゲート線ＳＧＳ，ＳＧＤとして機能する。
【００４１】
互いに隣接するゲート電極間に位置する半導体基板１０表面内には、ｎ型不純物拡散層１７が形成されている。不純物拡散層１７は隣接するトランジスタ同士で共用されている。不純物拡散層１７は、トランジスタのソース（Ｓ）またはドレイン（Ｄ）として用いられる。ソース又はドレインとしての拡散層１７のことを、ソース／ドレイン拡散層１７とよぶ。ソース／ドレイン拡散層１７は、例えばリン、砒素、又はアンチモンを含み、その表面濃度は１０１７ｃｍ−３〜１０２０ｃｍ−３である。また、隣接するソースとドレインとの間の領域は、電子の移動領域となるチャネル領域として機能する。
【００４２】
半導体基板１０上には、メモリセルトランジスタＭＴ及び選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２を覆うように、層間絶縁膜１９が形成されている。層間絶縁膜１９は、例えば、シリコン酸化膜である。
【００４３】
層間絶縁膜１９内には、コンタクトプラグＣＰ１が形成される。コンタクトプラグＣＰ１は、ソース側の選択トランジスタＳＴ２の不純物拡散層（ソースＳ）１７に達する。層間絶縁膜１９の表面内には、金属配線層２０が形成されている。金属配線層２０は、コンタクトプラグＣＰ１に接続される。金属配線層２０はソース線ＳＬとして機能する。
【００４４】
層間絶縁膜１９内には、コンタクトプラグＣＰ２が形成されている。コンタクトプラグＣＰ２は、ドレイン側の選択トランジスタＳＴ１の不純物拡散層（ドレインＤ）１７に達する。そして、層間絶縁膜１９の表面内に、金属配線層２１が形成されている。金属配線層２１は、コンタクトプラグＣＰ２に接続される。
【００４５】
層間絶縁膜１９上には、金属配線層２１を覆うに、層間絶縁膜２２が形成されている。層間絶縁膜２２内に、金属配線層２１に達するコンタクトプラグＣＰ３が形成されている。層間絶縁膜２２上には、コンタクトプラグＣＰ３に接続された金属配線層２３が形成されている。金属配線層２３は、ビット線ＢＬとして機能する。
【００４６】
図２に示されるように、例えば、周辺回路の構成素子が、メモリセルアレイ２に隣接して、メモリセルと同じ半導体基板上に形成されている。
【００４７】
メモリセルトランジスタＭＴよりも高い耐圧（高いしきい値）のＭＯＳトランジスタＱ１が、メモリセルアレイ２に隣接して、半導体基板１上に配置されている。
【００４８】
ＭＯＳトランジスタＱ１は、例えば、ロウデコーダ３や電圧発生回路４などに含まれる。ＭＯＳトランジスタＱ１のゲート絶縁膜４２は、メモリセルトランジスタＭＴのゲート絶縁膜（トンネル絶縁膜）１３よりも厚い。
【００４９】
ＭＯＳトランジスタＱ１は、メモリセルトランジスタと実質的に同じ積層構造のゲート電極３４を、ゲート絶縁膜４２上に有する。ＭＯＳトランジスタＱ１のゲート電極３４は、ゲート絶縁膜４２上に形成された第１導電層４３と、導電層４３上に形成されたゲート間絶縁膜４４と、ゲート間絶縁膜４４上に形成された第２導電層４５とを有している。ソース／ドレイン拡散層３２は、ウェル領域５１内に形成されている。ゲート間絶縁膜４４内には、貫通孔が形成され、第２導電層４５の底部は、第１導電層４３の上部に接触する。ＭＯＳトランジスタＱ１は、メモリセルアレイＭＴと共有の製造工程を用いて、実質的に同時に形成される。
【００５０】
フラッシュメモリ１は、低電圧から高電圧を発生する電圧発生回路４が必要である。電圧発生回路４は、例えば、半導体基板１０に対して、例えば、１０Ｖから１５Ｖ以上の電位差を発生する。このため、電圧発生回路４は、昇圧回路（例えば、チャージポンプ回路６）を有する。
【００５１】
チャージポンプ回路６は、電荷を蓄積する複数のキャパシタＣと電荷の蓄積を制御する複数のトランジスタを含む。図２において、チャージポンプ回路６内のトランジスタの例として、ＭＯＳトランジスタＱ３が示されている。ＭＯＳトランジスタＱ３は、ＭＯＳトランジスタＱ１と同様に、メモリセルトランジスタＭＴと実質的に同じ製造工程で形成される。
【００５２】
ＭＯＳトランジスタＱ３は、高耐圧用トランジスタである。高耐圧用トランジスタは、例えば、半導体基板１０の電位に対して、１５Ｖ以上の電位差に耐えられるように、メモリセルトランジスタＭＴのゲート絶縁膜よりも厚いゲート絶縁膜４２を有する。
【００５３】
ＭＯＳトランジスタＱ３のゲート電極３４は、ゲート絶縁膜４２上に形成された第１導電層４３と、導電層４３上に形成されたゲート間絶縁膜４４と、ゲート間絶縁膜４４上に形成された第２導電層４５とを有している。ソース／ドレイン拡散層３２は、ウェル領域５１内に形成されている。
【００５４】
ゲート間絶縁膜４４内には、貫通孔が形成され、第２導電層４５の底部は、第１導電層４３の上部に接触する。
【００５５】
尚、高耐圧ＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ３以外に、ＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ３よりも耐圧の小さいＭＯＳトランジスタ（低耐圧ＭＯＳトランジスタとよぶ）が、メモリセルトランジスタＭＴと同じ基板１０上に、設けられている。低耐圧ＭＯＳトランジスタは、高耐圧トランジスタＱ１と実質的に同じ構成の積層構造のゲート電極を有する。低耐圧ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚は、ＭＯＳトランジスタＭＴのゲート絶縁膜１３の膜厚以上で、高耐圧ＭＯＳトランジスタＱ１のゲート絶縁膜４２の膜厚より小さい。
【００５６】
キャパシタＣは、半導体基板１０中に設けられた素子領域ＡＡ上に形成される。キャパシタＣは、ゲート絶縁膜４２とほぼ同じ膜厚を有する絶縁膜４２Ａ、ゲート電極３４とほぼ同じ構成を有する電極３４Ａ及び不純物拡散層３２Ａを有している。キャパシタＣの電極３４Ａは、絶縁膜３４Ａを挟んで、例えば、半導体基板１０（素子領域ＡＡ）の表面内に形成されたウェル領域５１上に形成される。なお、図２に示される例では、キャパシタＣは、ｐ型ウェル領域５１内に設けられているが、ウェル領域が形成されていないｐ型半導体基板１０内に、設けられてもよい。
【００５７】
メモリセルアレイ２、ＭＯＳトランジスタＱ１、ＭＯＳトランジスタＱ３、及びキャパシタＣがそれぞれ形成される領域の境界部分には、素子分離領域ＳＴＩが形成されている。そして、素子分離領域ＳＴＩの直下には、チャネルストッパとして、半導体基板１０と同じ伝導型（ここでは、ｐ型）のウェル領域３６が形成されている。さらに、素子分離領域ＳＴＩ底部におけるパンチスルーリーク電流を防止するために、ｐ型領域３７が形成される。なお、チャネルストッパとしてのウェル領域３６及びｐ型領域３７は、形成されない場合もある。
【００５８】
ｎ型ウェル領域（図示せず）は、半導体基板１０の表面に達するように形成される。これは、ｎチャネルＭＯＳトランジスタの形成領域として使用される。
【００５９】
図４乃至図６を用いて、本実施形態の半導体装置（例えば、フラッシュメモリ）に含まれるキャパシタの構造の基本構成について、説明する。
【００６０】
図４は、本実施形態の半導体装置に含まれるキャパシタＣｍ，Ｃｎの平面図を示している。図５は図４のＶ−Ｖ線に沿うキャパシタＣｍ，Ｃｎの断面構造を示し、図６は図４のＶＩ−ＶＩ線に沿うキャパシタＣｍ，Ｃｎの断面構造を示している。なお、図５において、図中奥行き方向又は手前方向の部材に関しては、破線で示している。
【００６１】
図４乃至図６に示されるように、半導体基板１０内に、素子分離領域ＳＴＩが設けられている。素子分離領域ＳＴＩ内に、素子分離絶縁膜が埋め込まれている。素子分離領域ＳＴＩによって、１つの半導体領域（アクティブ領域）ＡＡＣが、半導体基板１０内に定義される。
【００６２】
半導体領域ＡＡＣは、所定の不純物濃度に設定されたｐ型又はｎ型のウェル領域、或いは、ウェル領域が設けられていない半導体基板（例えば、ｐ型シリコン基板）である。
【００６３】
本実施形態の半導体装置において、１つの半導体領域ＡＡＣ内に、２以上のキャパシタＣｍ，Ｃｎが設けられている。共通の半導体領域ＡＡＣ内の複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎは、１つのキャパシタ群ＧＡを形成している。以下では、キャパシタ群ＧＡが設けられる半導体領域のことを、キャパシタ形成領域ともよぶこともある。
【００６４】
キャパシタＣｍ，Ｃｎは、ＭＯＳキャパシタである。各キャパシタＣｍ，Ｃｎは、半導体領域ＡＡＣ表面上のゲート絶縁膜４２Ａ、絶縁膜４２Ａ上のゲート電極３４Ａｎ，３４Ａｍを有する。以下では、キャパシタＣｍ，Ｃｎの構成部材としてのゲート絶縁膜４２Ａのことを、キャパシタ絶縁膜４２Ａとよぶ。また、キャパシタＣｍ，Ｃｎの構成要素としてのゲート電極３４Ａｍ，３４Ａｎのことを、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎとよぶ。ＭＯＳキャパシタＣｍ，Ｃｎがｐ型ウェル領域又はｐ型半導体基板上に形成される場合、ＭＯＳキャパシタの駆動時（キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎに正の電圧が印加された時）に、キャパシタ電極３４Ａｎ，３４Ａｍの下方に、チャネルが形成される。
【００６５】
キャパシタＣのキャパシタ絶縁膜４２Ａは、例えば、半導体領域ＡＡＣの電位に対して１５Ｖ以上の電位差に耐えられるように、メモリセルトランジスタＭＴよりも大きい膜厚を有する。キャパシタ絶縁膜４２Ａは、例えば、ＭＯＳトランジスタＱ３のゲート絶縁膜４２と同時に形成される。この場合、キャパシタ絶縁膜４２Ａは、ＭＯＳトランジスタＱ３のゲート絶縁膜４２の膜厚と同じ厚さを有する。また、キャパシタ絶縁膜４２Ａの材料は、例えば、ＭＯＳトランジスタＱ３のゲート絶縁膜４２の材料と同じである。但し、キャパシタ絶縁膜４２Ａは、ゲート絶縁膜４２と異なる工程で形成されてもよい。それゆえ、キャパシタ絶縁膜４２Ａの膜厚又は材料は、トランジスタのゲート絶縁膜４２Ａの膜厚材料と異なってもよい。また、キャパシタ絶縁膜４２Ａは、積層構造を有していてもよい。
【００６６】
キャパシタＣｍ，Ｃｎのキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎは、例えば、メモリセルトランジスタＭＴの積層構造のゲート電極と実質的に同時に形成される。それゆえ、各キャパシタＣｍ，Ｃｎの電極３４Ａｍ，３４Ａｎは、第１導電層４３Ａ、第２導電層４５Ａ、及び、２つの導電層４３Ａ，４５Ａに挟まれたゲート間絶縁膜４４Ａを有している。そして、ＭＯＳトランジスタＱ３と同様に、ゲート間絶縁膜４４Ａは、例えば、貫通孔を有し、第２導電層４５Ａの底部は、その貫通孔を経由して第１導電層４３Ａの上部に接触している。
【００６７】
キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎは、１つの半導体領域（キャパシタ形成領域）ＡＡＣ内で、互いに隣接している。
【００６８】
各キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎ上に、コンタクトプラグＣＰＥｎ，ＣＰＥｍが設けられる。１つのキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎに接続されるコンタクトプラグＣＰＥｍ，ＣＰＥｎの個数は、１つ以上であればよい。
【００６９】
コンタクトプラグＣＰＥｍ，ＣＰＥｎを介して、金属配線層２９ｍ，２９ｎがキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎに接続される。金属配線層２９ｍ，２９ｎは、キャパシタＣｍ，Ｃｎ毎に電気的に分離して設けられている。それゆえ、各キャパシタＣｍ，Ｃｎのキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎの電位は、それぞれ個別に制御される。例えば、キャパシタ群ＧＡを含む回路が動作している間において、異なる大きさの電位Ｖｍ，Ｖｎが、各金属配線層２９ｍ，２９ｎから各キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎに、それぞれ印加される。
【００７０】
半導体領域ＡＡＣの表層に、拡散層３２Ａが設けられる。拡散層３２Ａは、例えば、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎの周囲を取り囲むように、半導体領域（キャパシタ形成領域）ＡＡＣ内に設けられている。拡散層３２Ａは、キャパシタ形成領域ＡＡＣ内で連続している。拡散層３２Ａは、共通の半導体領域ＡＡＣ内の複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎによって、共有されている。拡散層３２Ａは、例えば、トランジスタＭＴ，Ｑ１，Ｑ３のソース／ドレイン拡散層３２と同時に形成される。この場合、キャパシタ形成領域ＡＡＣ内の拡散層３２Ａの不純物濃度は、例えば、ソース／ドレイン拡散層３２の不純物濃度と同じである。
【００７１】
キャパシタ形成領域ＡＡＣ内の拡散層３２上に、少なくとも１つのコンタクトプラグＣＰＡが設けられる。コンタクトプラグＣＰＡを介して、拡散層３２Ａに電位Ｖａａが印加される。
【００７２】
本実施形態において、１つの半導体領域ＡＡＣ内に設けられた複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎにおいて、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎの一端（基板又はウェル）の電位レベルは、拡散層３２Ａに印加された電位Ｖａａによって、共通に制御される。すなわち、ＭＯＳキャパシタの駆動時に、キャパシタ電極３４ｍ，３４ｎの下方に、チャネルが形成されるため、このチャネルを介して、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎの一端の電位レベルが共通に制御される。また、半導体領域ＡＡＣ内に設けられた複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎにおいて、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎの他端（キャパシタ電極）の電位レベルは、互いに分離されている金属配線層２９Ａ，２９Ｂに印加された電位Ｖｍ，Ｖｎによって、それぞれ独立して制御される。なお、半導体領域ＡＡＣには、動作の安定化のため、例えば、グランド電位（０Ｖ）が印加される。
【００７３】
例えば、キャパシタＣｍ，Ｃｎは、メモリセルトランジスタ及びＭＯＳトランジスタと共通の製造工程で、実質的に同時に形成される。これによって、製造工程を増加させることなく、キャパシタＣｍ，Ｃｎを形成できる。
【００７４】
図３乃至図５に示されるキャパシタＣｍ，Ｃｎは、例えば、チャージポンプ回路６に用いられる。
【００７５】
以上のように、本実施形態の半導体装置において、共通の半導体領域ＡＡＣ内に、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎが設けられている。本実施形態において、共通の半導体領域ＡＡＣ内に設けられる複数のキャパシタＣｎ，Ｃｍは、キャパシタの一端としての拡散層３２Ａの電位が共通に制御される。
【００７６】
キャパシタの一端としての拡散層３２Ａの電位レベルが、キャパシタ群ＧＡ毎に異なる電位で制御される場合、動作の安定化のため、各キャパシタ群ＧＡがそれぞれ電気的に分離される必要がある。そのため、素子分離絶縁膜に囲まれた１つの半導体領域内に、１つのキャパシタ群ＧＡが設けられる。
【００７７】
さらに、あるキャパシタ（ＭＯＳキャパシタ）の駆動時に、キャパシタ電極の下方に形成されるチャネルが、素子分離絶縁膜の底部を経由して、隣接するキャパシタの半導体領域に延在する場合がある。このチャネルの広がりは、隣接するキャパシタの駆動状態に応じて、隣接するキャパシタの動作不良を引き起こす可能性がある。これを抑制するために、互いに隣接するキャパシタの形成領域において、半導体基板表面に対して平行方向における素子分離領域の寸法が大きくされる。さらに、素子分離領域内の素子分離絶縁膜の底部に、チャネルストッパ（ウェル領域３６，３７）が形成される。このチャネルストッパを形成するためのマージンを確保するために、素子分離絶縁領域（素子分離絶縁膜）の寸法がさらに大きくなってしまう。
【００７８】
本実施形態の半導体装置は、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎが、共通の半導体領域ＡＡＣ内に設けられている。共通の半導体領域ＡＡＣに設けられた複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎは、拡散層３２Ａに電位が印加されることによって、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎの一端の電位レベルが共通に制御される。
【００７９】
１つの半導体領域ＡＡＣに設けられた複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎにおいて、各キャパシタＣｍ，Ｃｎの駆動時、すなわち、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎ下方にチャネル（反転層）が形成されている時、キャパシタＣｍ，Ｃｎの一端としての拡散層３２Ａは、チャネルによって共通の電位レベルで制御されることになる。半導体領域ＡＡＣにおいて、チャネルはキャパシタ絶縁膜４２Ａの直下に形成され、このチャネルの下方に空乏層が形成される。しかし、空乏層の容量は、キャパシタ絶縁膜４２の容量（キャパシタ電極３４Ａ、キャパシタ絶縁膜４２Ａ及びチャネルによって形成されるキャパシタの容量）に比較して、無視できるほど小さい。その結果として、１つの半導体領域ＡＡＣ内に複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎが設けられたとしても、１つの半導体領域ＡＡＣ内で互いに隣接するキャパシタＣｍ，Ｃｎに対する空乏層の悪影響は、ほとんど生じない。
【００８０】
このように、本実施形態の半導体装置のように、一端の電位レベルが共通に制御される複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎが、共通の半導体領域ＡＡＣ内に設けられたとしても、キャパシタＣｍ，Ｃｎ及びそれらのキャパシタを含むキャパシタ群ＧＡの動作特性の劣化は、実質的に生じない。
【００８１】
一方、１つの半導体領域ＡＡＣ内に形成されたキャパシタＣｍ，Ｃｎのキャパシタ電極３４ｍ，３４ｎの電位は、それぞれ個別に制御される。すなわち、キャパシタＣｍ，Ｃｎ毎に、キャパシタ電極３４ｍ，３４ｎを電気的に分離して設ける必要がある。しかし、各キャパシタＣｍ，Ｃｎの駆動時において、それぞれのキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎに、異なる電位が印加されているものの、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎ間の電位差（最大で５Ｖ程度にすることが可能）は、キャパシタＣｍ，Ｃｎの配列によって比較的小さくできる。つまり、それぞれのキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎの距離（０．２〜１．０μｍ程度）は、２つの半導体領域ＡＡＣ間を分離する素子分離領域の幅（２〜５μｍ程度）よりもかなり小さくできる。
【００８２】
それゆえ、一端（半導体領域）の電位レベルの制御が共通なキャパシタＣｍ，Ｃｎであれば、動作特性の劣化なしに、かつ、素子分離領域による電気的な分離なしに、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎを共通の半導体領域ＡＡＣ内に設けることができる。
したがって、キャパシタを電気的に分離するための素子分離領域の占有面積を削減できる。
【００８３】
以上のように、第１の実施形態の半導体装置によれば、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【００８４】
（ｂ） 電圧発生回路内のチャージポンプ回路の構成
図７乃至図１２を用いて、１つの半導体領域ＡＡＣ内に設けられる複数のキャパシタが電圧発生回路４のチャージポンプ回路６に適用された例について説明する。
【００８５】
＜回路構成＞
図７を用いて、電圧発生回路４のチャージポンプ回路６の回路構成について説明する。図７は、チャージポンプ回路６の一例を示す等価回路図である。
【００８６】
図７に示されるように、チャージポンプ回路６は、９個のｎチャネルＭＯＳトランジスタＴＲ１〜ＴＲ９と、８個のキャパシタＣ１〜Ｃ８を有している。なお、ＭＯＳトランジスタ及びキャパシタの個数は本例に限定されるものでは無く、キャパシタが３個以上あればよい。また以下では、ＭＯＳトランジスタＴＲ１〜ＴＲ９及びキャパシタＣ１〜Ｃ８を区別しない場合には、単にＭＯＳトランジスタＴＲ及びキャパシタＣとよぶことがある。
【００８７】
ＭＯＳトランジスタＴＲ１は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され、さらに電源電位Ｖｄｄに接続されている。
【００８８】
ＭＯＳトランジスタＴＲ２は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードをノードＮ１とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ１のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００８９】
ＭＯＳトランジスタＴＲ３は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードをノードＮ２とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ２のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９０】
ＭＯＳトランジスタＴＲ４は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードをノードＮ４とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ３のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９１】
ＭＯＳトランジスタＴＲ５は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードをノードＮ５とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ４のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９２】
ＭＯＳトランジスタＴＲ６は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードをノードＮ６とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ５のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９３】
ＭＯＳトランジスタＴＲ７は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードをノードＮ７とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ６のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９４】
ＭＯＳトランジスタＴＲ８は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、接続ノードをノードＮ８とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ７のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９５】
ＭＯＳトランジスタＴＲ９は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードを以下ノードＮ８とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ８のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９６】
そして、ＭＯＳトランジスタＴＲ９のソース及びドレインのいずれか他方のノード（以下では、この接続ノードをノードＮ９とよぶ）が、出力電圧Ｖｏｕｔの出力ノードとなる。
【００９７】
以上のように、ＭＯＳトランジスタＴＲは、ソース及びドレインのいずれか一方がアノードとして機能し、いずれか他方がカソードとして機能する整流素子として動作する。即ち、チャージポンプ回路６内のＭＯＳトランジスタＴＲは、ダイオード接続されたＭＯＳトランジスタである。
【００９８】
キャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の一方の電極（半導体領域）は制御信号（クロック）φ２の信号線に共通に接続される。キャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の他方の電極（キャパシタ電極）はノードＮ１，Ｎ３，Ｎ５，Ｎ７にそれぞれ接続される。キャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の一方の電極（半導体領域）は制御信号（クロック）／φ２の信号線に接続される。キャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の他方の電極（キャパシタ電極）はノードＮ２，Ｎ４，Ｎ６，Ｎ８にそれぞれ接続される。図８に示されるように、クロック／φ２は、クロックφ２の反転信号である。
【００９９】
チャージポンプ回路６は、直列接続された複数の整流素子を含み、偶数段の整流素子（ＭＯＳトランジスタＴＲ２、ＴＲ４、ＴＲ６、…）の入力ノードには、キャパシタＣｊ（ｊ＝１、３、５、…）を介してクロックφ２が入力される。他方、３段目以降の奇数段の整流素子（ＭＯＳトランジスタＴＲ３、ＴＲ５、…）の入力ノードには、キャパシタＣ（ｊ＋１）を介してクロック／φ２が入力される。
【０１００】
図８に示されるように、クロックφ２とクロック／φ２とは、共に電圧ＶｃｃとＧＮＤを取り得るクロック信号である。そして、制御信号としてのクロックφ２，／φ２は、互いに発生タイミングが重ならないように電圧Ｖｃｃが発生される２相クロックである。これは、直列接続されたＭＯＳトランジスタＴＲ１〜ＴＲ９において、隣接するＭＯＳトランジスタＴＲ間の導通状態を遮断する時間を設けるためである。これにより、ノードＮ９からノードＮ１へ向かって電荷が逆流することを防止できる。
【０１０１】
電圧Ｖｃｃとして３Ｖ〜１０Ｖの電圧を使用することにより、出力電圧Ｖｏｕｔとして１０Ｖ以上の高電圧が得られる。この出力電圧Ｖｏｕｔが、例えば、電圧ＶＰＧＭや電圧ＶＰＡＳＳとして用いられる。なお、以下において、Ｖｔｈ１、Ｖｔｈ２、…Ｖｔｈｉ（ｉは１〜９の整数）は、それぞれＭＯＳトランジスタＴＲｉのしきい値電圧である。また電源電圧Ｖｄｄは、例えば、１Ｖ〜５Ｖである。電源インピーダンスを低減し、出力電圧の変動を抑制するため、チャージポンプ回路の電源電圧Ｖｄｄは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１における電源電圧と一致させることが望ましい。
【０１０２】
図７に示されるチャージポンプ回路６において、クロックφ２が入力される複数のキャパシタＣｊ（ｊ＝１、３、５、…）のことを、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄとよび、クロック／φ２が入力されるキャパシタＣ（ｊ＋１）のことを、偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎとよぶ。
【０１０３】
図９乃至図１１を用いて、図７に示されるチャージポンプ回路６内のキャパシタＣの構造について説明する。図９は、キャパシタ形成領域の平面レイアウトを示している。図１０は、図９のＸ−Ｘ線に沿う断面を模式的に示している。図１１は、図９のＸＩＡ−ＸＩＡ線及び図９のＸＩＢ−ＸＩＢ線に沿う断面を模式的に示している。尚、図１０及び図１１において、層間絶縁膜の図示は省略する。また、図１１において、コンタクトプラグ及び配線層の詳細な図示は、省略している。
【０１０４】
図９乃至図１１に示されるように、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄと偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎは、例えば、半導体基板（例えば、ｐ型シリコン基板）１０内の半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内に設けられる。半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内に、例えば、ｐ型ウェル領域５１ｐ−ｅ，５１ｐ−ｏが設けられている。なお、ｐ型ウェル領域５１ｐ−ｅ，５１ｐ−ｏは、図５及び図６に示されるように、省略されてもよい。
【０１０５】
拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂは、各キャパシタ群Ｇｏｄｄ，Ｇｅｖｅｎの複数のキャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８をそれぞれ取り囲むように、半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内に設けられている。各半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内の拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂは、各キャパシタ群Ｇｏｄｄ，ＧｅｖｅｎのキャパシタＣ１〜Ｃ８によって、それぞれ共有される。拡散層３２Ａ−Ａは、半導体領域ＡＡＣ−ｏ内で連続している。拡散層３２Ａ−Ｂは、半導体領域ＡＡＣ−ｅ内で連続している。
【０１０６】
クロックφ２，／φ２は、それぞれ半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内に設けられたコンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅを経由して、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄ及び偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎの拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂにそれぞれ印加される。
【０１０７】
クロックφ２，／φ２は、図８に示されるような電圧Ｖｃｃの発生タイミングが互いに異なる制御信号である。つまり、２つのウェル領域５１ｐ−ｅ，５１ｐ−ｏの電位レベルは、それぞれ異なったタイミングで制御される。それゆえ、２つの拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂは、素子分離領域ＳＴＩによって互いに電気的に分離されている。
【０１０８】
奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄ（Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７）は、拡散層３２Ａ−Ａにクロックφ２が印加されるｐ型ウェル領域５１ｐ−ｏ内に、配置されている。偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎ（Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８）は、拡散層３２Ａ−Ｂにクロック／φ２が印加されるｐ型ウェル領域５１ｐ−ｅ内に、配置されている。このように、各キャパシタ群Ｇｏｄｄ，Ｇｅｖｅｎは、互いに電気的に分離された半導体領域（ウェル領域）ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内に、それぞれ設けられている。
【０１０９】
奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄは、キャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の駆動時に、それぞれのキャパシタ電極３４Ａ１，３４Ａ３，３４Ａ５，３４Ａ７の下方にチャネルが形成される。また、偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎは、キャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の駆動時に、それぞれのキャパシタ電極３４Ａ２，３４Ａ４，３４Ａ６，３４Ａ８の下方にチャネルが形成される。
【０１１０】
図９に示される平面図において、それぞれのキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の拡散層３２Ａ−Ａは、キャパシタ電極３４Ａ１，３４Ａ３，３４Ａ５，３４Ａ７の周囲に連続して形成されているため、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄの駆動時以外においても、拡散層３２Ａ−Ａは電気的に共通に接続されている。これと同様に、キャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の拡散層３２Ａ−Ｂは、キャパシタ電極３４Ａ２，３４Ａ４，３４Ａ６，３４Ａ８の周囲に連続して形成されているため、偶数段目のキャパシタ群の駆動時以外においても、拡散層３２Ａ−Ｂは電気的に共通に接続されている。しかし、それぞれのキャパシタＣ１〜Ｃ８の拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂは、半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内において連続せずに、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８によって、分離されていてもよい。これは、奇数段目のキャパシタ群ＧｏｄｄのキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の駆動時において、分離された（連続していない）拡散層３２Ａ−Ａが、チャネルによって電気的に接続されるからである。これと同様に、偶数段目のキャパシタ群ＧｅｖｅｎのキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８において、分離された複数の拡散層３２Ａ−Ｂは、形成されたチャネルによって、共通接続される。
【０１１１】
コンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅは、ｐ型ウェル領域５１ｐ−ｏ，５１ｐ−ｅ内の拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂに、それぞれ電気的に接続されている。これによって、コンタクトプラグＣＰＡ−ｏを経由して、キャパシタ群Ｇｏｄｄ内の複数のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の一端に、クロックφ２が共通に印加される。また、コンタクトプラグＣＰＡ−ｅを経由して、キャパシタ群Ｇｅｖｅｎ内の複数のキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の一端に、クロック／φ２が共通に印加される。
【０１１２】
図９において、２つのコンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅが、１つの半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内にそれぞれ設けられている。そして、コンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅは、１つのキャパシタ群のキャパシタが隣接する方向の一端及び他端に、１つずつ配置されている。しかし、半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅに対するコンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅの個数及びレイアウトは、これに限定されない。
【０１１３】
キャパシタＣ１のキャパシタ電極３４Ａ１上に、コンタクトプラグＣＰＥ１が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ１は、上層の金属配線層２９１に接続される。キャパシタ電極３４Ａ１は、配線層２９１を経由して、トランジスタＴＲ２のノードＮ１に接続される。
【０１１４】
キャパシタＣ２のキャパシタ電極３４Ａ２上に、コンタクトプラグＣＰＥ２が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ２は、上層の配線層２９２に接続される。キャパシタ電極３４Ａ２は、配線層２９２を経由して、トランジスタＴＲ２のノードＮ２に接続される。
【０１１５】
キャパシタＣ３のキャパシタ電極３４Ａ３上に、コンタクトプラグＣＰＥ３が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ３は、上層の配線層２９３に接続される。キャパシタ電極３４Ａ３は、配線層２９３を経由して、トランジスタＴＲ３のノードＮ３に接続される。
【０１１６】
キャパシタＣ４のキャパシタ電極３４Ａ４上に、コンタクトプラグＣＰＥ４が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ４は、上層の配線層２９４に接続される。キャパシタ電極３４Ａ４は、配線層２９４を経由して、トランジスタＴＲ４のノードＮ４に接続される。
【０１１７】
キャパシタＣ５のキャパシタ電極３４Ａ５上に、コンタクトプラグＣＰＥ５が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ５は、上層の配線層２９５に接続される。キャパシタ電極３４Ａ５は、配線層２９５を経由して、トランジスタＴＲ５のノードＮ５に接続される。
【０１１８】
キャパシタＣ６のキャパシタ電極３４Ａ６上に、コンタクトプラグＣＰＥ６が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ６は、上層の配線層２９６に接続される。キャパシタ電極３４Ａ６は、配線層２９６を経由して、トランジスタＴＲ６のノードＮ６に接続される。
【０１１９】
キャパシタＣ７のキャパシタ電極３４Ａ７上に、コンタクトプラグＣＰＥ７が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ７は、上層の配線層２９７に接続される。キャパシタ電極３４Ａ７は、配線層２９７を経由して、トランジスタＴＲ７のノードＮ７に接続される。
【０１２０】
キャパシタＣ８のキャパシタ電極３４Ａ８上に、コンタクトプラグＣＰＥ８が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ８は、上層の配線層２９８に接続される。キャパシタ電極３４Ａ８は、配線層２９８を経由して、トランジスタＴＲ８のノードＮ８に接続される。
【０１２１】
このように、各キャパシタＣ１〜Ｃ８の他端は、トランジスタＴＲ１〜ＴＲ８のノードＮ１〜Ｎ８に、それぞれ接続される。
【０１２２】
キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８に接続された金属配線層２９１〜２９７のそれぞれは、互いに電気的に分離されている。そして、各キャパシタＣ１〜Ｃ８のキャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８は、異なるトランジスタＴＲ２〜ＴＲ９のノードＮ１〜Ｎ８にそれぞれ接続される。
【０１２３】
後述のように、ノードＮ１〜Ｎ８の電位レベルは、あるトランジスタより１つ前段のトランジスタ及びキャパシタによって昇圧された大きさを有する。すなわち、各ノードＮ１〜Ｎ９の電位レベルは、前段と後段とでそれぞれ異なる値を示し、出力側（トランジスタＴＲ９側）になるほど大きな電圧（電位）になる。それゆえ、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８には、互いに電気的に分離されている配線２９１〜２９７を経由して、異なる大きさの電位Ｖ１〜Ｖ８が印加される。キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８に印加される電位Ｖ１〜Ｖ８も、出力側になるにしたがって、大きくなる。
【０１２４】
ノードＮ１〜Ｎ８にそれぞれ接続されたキャパシタＣ１〜Ｃ８において、ノードＮ１〜Ｎ８に電位Ｖ１〜Ｖ８が印加されている間、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８の下方のウェル領域５１ｐ−ｏ，５１ｐ−ｅ内に、チャネル９０がそれぞれ形成される。
【０１２５】
キャパシタ群Ｇｏｄｄ，Ｇｅｖｅｎのそれぞれにおいて、互いに隣接するキャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８間の間隔は、素子分離領域ＳＴＩの幅方向の寸法よりも小さい。
【０１２６】
素子分離絶縁膜ＳＴＩの底部には、チャネルストッパ３７，３６が設けられている。これによって、チャネルが、素子分離絶縁膜ＳＴＩの底部を経由して、クロックφ２が印加される半導体領域ＡＡＣ−ｏとクロック／φ２が印加される半導体領域ＡＡＣ−ｅとの間にまたがって形成されることが、防止される。
【０１２７】
＜動作＞
図７乃至図１２を参照して、チャージポンプ回路６の動作について、説明する。図１１及び図１２は、図７のチャージポンプ回路６の動作時におけるキャパシタＣ１〜Ｃ８の状態を模式的に示す断面図である。
【０１２８】
まず、クロックφ２の電位がＧＮＤ（例えば、０Ｖ）で、ＭＯＳトランジスタＴＲ２が非導通状態の場合を考える。この状態は、図１１に示される。この時、ＭＯＳトランジスタＴＲ１が導通状態とすることにより、ノードＮ１は、電源電圧ＶｄｄからＭＯＳトランジスタＴＲ１のしきい値電圧Ｖｔｈ１の低下分、すなわち、（Ｖｄｄ−Ｖｔｈ１）まで充電される。この際、ノードＮ１に接続されたキャパシタＣ１において、そのキャパシタ電極３４Ａ１に、ノードＮ１の電位（Ｖｄｄ−Ｖｔｈ１）（＝Ｖ１）が印加され、拡散層３２Ａ−Ａに、０Ｖが印加されている。図１１に示されるように、第１段目（奇数段目）のキャパシタＣ１のキャパシタ電極３４Ａ１の下方に、チャネル９０が形成される。
【０１２９】
クロックφ２がＧＮＤからＶｃｃ（例えば、４Ｖ）まで上昇する、即ち、ウェル領域５９ｐ−ｏの電位レベルが０Ｖから４Ｖになる。クロックφ２は、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄ内のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の一端の電位レベルを制御する信号である。本実施形態のチャージポンプ回路６のキャパシタＣ１〜Ｃ８において、奇数段目の複数のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７は、共通の拡散層３２Ａ−Ａを有している。そのため、複数のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の一端に、４Ｖの電位が共通に印加される。
【０１３０】
Ｖｃｃの印加に起因するキャパシタＣ１の容量結合によって、ノードＮ１の電位Ｖ１はαＶｃｃ（〜４Ｖ程度）だけ上昇する。その結果、ノードＮ１の電位Ｖ１は最大で（Ｖｄｄ−Ｖｔｈ１＋αＶｃｃ）（＝Ｖ１）まで上昇する。例えば、ノードＮ１における電圧の振幅は、キャパシタＣ１とＭＯＳトランジスタＴＲ１，ＴＲ２との容量分配によって、αＶｃｃに低下する。なお、αはブートストラップ比に相当する値であり、例えば、０．７〜１の値である。
【０１３１】
この期間においても、奇数段目のキャパシタ群ＧｏｄｄのキャパシタＣ１のキャパシタ電極３４Ａ１の下方に、チャネル９０が形成される。チャネル９０の形成に伴って、キャパシタＣ１のキャパシタ電極３４Ａ１の下方（チャネル９０の直下の領域）において、ウェル領域（半導体領域）５１ｐ−ｏ内に空乏層が形成される。そのため、空乏層容量と酸化膜容量との直列容量が、キャパシタＣ１の特性（例えば、静電容量）を劣化させることはない。
【０１３２】
また、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄ及び偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎは素子分離領域ＳＴＩによって電気的に分離されているため、キャパシタＣ１の空乏層が、偶数段目のキャパシタ群ＧｅｖｅｎのキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８に悪影響を及ぼすこともない。
【０１３３】
なお、クロックφ２がＧＮＤからＶｃｃまで上昇する間、クロック／φ２は、ＶｃｃからＧＮＤへ降下する。偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎが設けられたウェル領域５９ｐ−ｏの電位レベルが、４Ｖから０Ｖになる。ノードＮ１の電位Ｖ１が上昇している間、偶数段目の複数のキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の一端のそれぞれに、０Ｖが印加されている。
【０１３４】
チャージポンプ回路の駆動時において、キャパシタＣ１の空乏層容量が、偶数段目のキャパシタ群ＧｅｖｅｎのキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の動作（ウェル領域５１ｐ−ｅの電位）に、悪影響を及ぼす可能性がある。また、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄの拡散層３２Ａ−Ａと偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎの拡散層３２Ａ−Ｂとが、素子分離絶縁膜を用いずに、不純物領域（例えば、高濃度のｐ型不純物層）によって電気的に分離された場合を想定する。この場合、動作の安定化のため、高濃度の不純物層にグランド電位が印加されるので、拡散層３２Ａ−Ａと不純物層との電位差、又は、拡散層３２Ａ−Ｂと不純物層との電位差によって、パンチスルーによるリーク電流が発生してしまう。さらに、高濃度のｐ型不純物層の影響によって、ＭＯＳキャパシタにチャネルが形成されにくくなる。これらの結果として、チャージポンプ回路６が、所定の動作を実行できないおそれがある。
そのため、例えば、高濃度のｐ型不純物層の形成などの不純物領域による電気的な分離ではなく、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄと偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎとがそれぞれ設けられたウェル領域（拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂ）は、素子分離領域ＳＴＩによって電気的に分離される必要がある。
【０１３５】
次に、クロックφ２がＶｃｃである期間内に、ＭＯＳトランジスタＴＲ２が導通状態となる。クロック／φ２はＧＮＤであるため、キャパシタＣ１の次段（偶数段目）のキャパシタＣ２の一端に、０Ｖが印加されている。この場合、奇数段目のキャパシタＣ１が高電位側、偶数段目のキャパシタＣ２が低電位側になる。これによって、導通状態のＭＯＳトランジスタＴＲ２を経由して、電荷の移動が、２つのキャパシタＣ１，Ｃ２間で生じる。その結果として、ノードＮ２の電位Ｖ２が｛（ノードＮ１の電位Ｖ１）−Ｖｔｈ２｝に上昇するまで、ノードＮ１の電位Ｖ１がノードＮ２へ転送される。そして、ノードＮ２の電位Ｖ２は、ほぼ｛（Ｖｄｄ−Ｖｔｈ１＋αＶｃｃ）−Ｖｔｈ２｝まで上昇する。ノードＮ２に接続されたキャパシタＣ２において、そのキャパシタ電極３４Ａ２に、｛（Ｖｄｄ−Ｖｔｈ１＋αＶｃｃ）−Ｖｔｈ２｝が印加される。図１１に示されるように、ノードＮ２の電位Ｖ２によって、キャパシタ電極３４Ａ２の下方に、チャネル９０が形成される。
【０１３６】
次に、図１２に示されるように、φ２がＧＮＤとなり、ＭＯＳトランジスタＴＲ２が非導通状態となる。さらに、／φ２がＧＮＤ（０Ｖ）からＶｃｃ（４Ｖ）に上昇する。この際、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄの拡散層３２Ａ−Ａの電位レベルは０Ｖになり、偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎの拡散層３２Ａ−Ｂの電位レベルは、０Ｖから４Ｖになる。
【０１３７】
ノードＮ１の場合と同様に、キャパシタＣ２の容量結合によって、ノードＮ２の電位Ｖ２がαＶｃｃだけ上昇する。その結果、ノードＮ２の電位Ｖ２は、ほぼ｛（Ｖｄｄ−Ｖｔｈ１＋αＶｃｃ）−Ｖｔｈ２｝＋αＶｃｃまで上昇する。
【０１３８】
なお、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄ及び偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎは素子分離領域ＳＴＩによって電気的に分離されているため、キャパシタＣ２の空乏層が、奇数段目のキャパシタ群ＧｏｄｄのキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７に悪影響を及ぼすことはない。
【０１３９】
引き続き、クロック／φ２が４Ｖである期間内に、ＭＯＳトランジスタＴＲ３が導通状態となる。クロック／φ２が４Ｖである期間において、クロックφ２は０Ｖである。それゆえ、奇数段目の複数のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の一端（ウェル領域５１ｐ−ｏ）に、０Ｖが印加されている。トランジスタＴＲ３を経由したキャパシタＣ２とキャパシタＣ３との間の電荷の移動によって、ノードＮ３の電位Ｖ３が｛（ノードＮ２の電位）−Ｖｔｈ３｝に上昇するまで、ノードＮ２の電圧Ｖ２がノードＮ３へ転送される。ノードＮ３に接続されたキャパシタＣ３において、そのキャパシタ電極３４Ａ３に、ノードＮ３の電位Ｖ３が印加される。ノードＮ３の電位Ｖ３の大きさに応じて、キャパシタＣ３のキャパシタ電極３４Ａ３下に、チャネル９０が形成される。
【０１４０】
以上の電荷転送が交互に繰り返されることにより、ノードＮ９まで昇圧が行われる。
【０１４１】
すなわち、クロック/φ２がＶｃｃである期間において、奇数段目のＭＯＳトランジスタＴＲ１，ＴＲ３，ＴＲ５，ＴＲ７，ＴＲ９が導通状態となり、偶数段目のＭＯＳトランジスタＴＲ２，ＴＲ４，ＴＲ６，ＴＲ８が非導通状態となる。
【０１４２】
これによって、電源電位ＶｄｄのノードからノードＮ１へ、ノードＮ２からノードＮ３へ、ノードＮ４からノードＮ５へ、ノードＮ６からノードＮ７へ、ノードＮ８からノードＮ９へ、それぞれ電流が流れ、電荷が転送される。
【０１４３】
また、クロックφ２がＶｃｃである期間において、ＭＯＳトランジスタＴＲ２，ＴＲ４，ＴＲ６，ＴＲ８が導通状態となり、ＭＯＳトランジスタＴＲ１，ＴＲ３，ＴＲ５，ＴＲ７，ＴＲ９が非導通状態となる。これにより、ノードＮ１からノードＮ２へ、ノードＮ３からノードＮ４へ、ノードＮ５からノードＮ６へ、ノードＮ７からノードＮ８へ、それぞれ電流が流れ、電荷が転送される。
【０１４４】
なお、ノードＮ９に、例えば、ワード線等の容量性負荷が電気的に接続されている場合には、その容量によって、出力電圧Ｖｏｕｔが平滑化される。
【０１４５】
チャージポンプ回路６が動作している間、各ノードＮ１〜Ｎ８の電位レベルは、前段のノードの電位より大きい電位になっている。それゆえ、各ノードＮ１〜Ｎ８に接続されたキャパシタのキャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８には、互いに電気的に分離された配線層２９１〜２９８を経由して、それぞれ異なる大きさの電位が印加されている。
【０１４６】
図７に示したチャージポンプ回路６は、ある供給電圧（例えば、Ｖｄｄ）をメモリセルアレイの駆動電圧（例えば、２０Ｖ以上）までに昇圧するために、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８が必要になる。
本実施形態の半導体装置は、半導体領域（ウェル領域）５１ｐ−ｏ，５１ｐ−ｅの電位レベルが共通に制御される複数のキャパシタ（ＭＯＳキャパシタ）が、素子分離領域によって電気的に分離されることなしに、共通の半導体領域（ウェル領域）内に設けられる。このように、素子分離領域の占有面積が削減されることによって、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８及びそれらのキャパシタを用いた回路６の占有面積を小さくできる。また、１つの半導体領域５１ｐ−ｏ，５１ｐ−ｅ内に、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８が設けられたとしても、それらの共通な一端としての半導体領域５１ｐ−ｏ，５１ｐ−ｅの電位レベルが共通に制御される１つのキャパシタ群Ｇｏｄｄ，Ｇｅｖｅｎであれば、それらのキャパシタの動作特性は、ほとんど劣化しない。
【０１４７】
ここで、チャージポンプ回路において、初段のノードＮ１から最終段のノードＮ８になるにしたがって、印加される電圧が大きくなっている。但し、近接するノードであれば、ノード間の電圧差は比較的小さい。それゆえ、共通の半導体領域内に配置される複数のキャパシＣ１〜Ｃ８において、キャパシタ電極間の電位差が小さいキャパシタが隣接されることによって、電極間の間隔を大きくしなくとも、２つのキャパシタ電極間に埋め込まれた層間絶縁膜の絶縁破壊や相互干渉を抑制できる。その結果として、キャパシタが形成される領域の占有面積を小さくできる。
【０１４８】
例えば、図９に示されるように、キャパシタＣ１とキャパシタＣ３とが隣接するように配置されることによって、キャパシタ電極３４Ａ１とキャパシタ電極３４Ａ３とが隣接している。キャパシタ電極３４Ａ１とキャパシタ電極３４３との電位差は比較的小さいため、キャパシタ電極３４Ａ１とキャパシタ電極３４３との間隔を、小さくできる。
【０１４９】
また、素子分離絶縁膜を挟んだキャパシタも近接するノードに接続されるキャパシタを配置することが好ましい。その結果として、キャパシタ電極に接続される配線間の電位差が小さくなり、配線間のリークを減らすことができる。
【０１５０】
以上のように、第１の実施形態の半導体装置によれば、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【０１５１】
（２） 第２の実施形態
図１３を用いて、第２の実施形態の半導体装置（例えば、フラッシュメモリ）について、説明する。
【０１５２】
第１の実施形態において、複数のキャパシタが設けられる半導体領域が、ｐ型ウェル領域又はｐ型半導体基板である場合について、説明した。
【０１５３】
図１３に示すように、第２の実施形態において、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８は、ｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｎ−ｅ内に、それぞれ設けられてもよい。
【０１５４】
１つのｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ内の複数のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の一端（拡散層３２Ａ−Ａ）の電位が、共通の電位レベル（制御信号）φ２で制御される。
【０１５５】
これと同様に、１つのｎ型ウェル領域５１ｎ−ｅ内の複数のキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の一端（拡散層３２Ａ−Ｂ）の電位が、共通の電位レベル（制御信号）／φ２で制御される。
【０１５６】
一端が共通の電位レベルでそれぞれ制御されるキャパシタＣ１〜Ｃ８が、ｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｎ−ｅ内にそれぞれ設けられた場合においても、第１の実施形態と同様に、チップ内におけるキャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【０１５７】
キャパシタＣ１〜Ｃ８がｐ型ウェル領域又はｐ型半導体基板上に設けられた場合、上述のように、キャパシタ電極３４下におけるチャネル（反転層）の形成に伴って、空乏層容量が生じる。
【０１５８】
本実施形態のように、ｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ内に形成される奇数段目のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７は、ｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏの電位レベルが共通に制御されていれば、キャパシタの駆動時に、キャパシタ電極３４Ａ１，３４Ａ３，３４Ａ５，３４Ａ７下方にチャネルが形成されなくともよい。ｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ内に形成される偶数段目のキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８も、これと同様である。また、キャパシタＣ１〜Ｃ８は、ｎ型ウェル５１ｎ、キャパシタ電極３４Ａ及びキャパシタ絶縁膜４２Ａとから形成されるともいうことができる。
【０１５９】
それゆえ、第２の実施形態のように、キャパシタＣ１〜Ｃ８がｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｎ−ｅ内に形成されることによって、空乏層容量に起因するチャージポンプ回路の動作特性の劣化を回避できる。
【０１６０】
なお、キャパシタＣ１〜Ｃ８がｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｐ−ｅ上に形成される場合、キャパシタ電極Ｃ１〜Ｃ８下にチャネルが形成されなくともよいので、拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂは、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８のそれぞれ取り囲むようにウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｐ−ｅ内に設けられなくともよい。但し、コンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅとｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｎ−ｅとの接触抵抗を低減するために、拡散層がコンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅとウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｎ−ｅとの接合部において設けられていることが好ましい。
【０１６１】
図１３において、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄと偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎの両方が、ｎ型ウェル領域内に設けられている。但し、いずれか一方のキャパシタ群がｎ型ウェル領域内に設けられ、他方のキャパシタ群がｐ型ウェル領域内に設けられてもよい。
【０１６２】
以上のように、第２の実施形態の半導体装置によれば、第１の実施形態と同様に、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。加えて、第２の実施形態の半導体装置によれば、複数のキャパシタ及びそれらを用いた回路の動作特性を向上できる。
【０１６３】
（３） 第３の実施形態
図１４乃至図１７を参照して、第３の実施形態に係る半導体装置について、説明する。本実施形態において、チャージポンプ回路のキャパシタに入力されるクロックが、３相クロックが使用される。以下では、第１及び第２の実施形態と異なる点について、主に説明する。
【０１６４】
図１４は、第３の実施形態のチャージポンプ回路６の等価回路図である。
図１４に示されるように、本実施形態のチャージポンプ回路６は、ノードＮｊ（ｊ＝１、４、７）に接続されたキャパシタＣｊの一端（半導体領域）に、クロックφ３−１が入力される。また、ノードＮ（ｊ＋１）に接続されたキャパシタＣ（ｊ＋１）の一端（半導体領域）に、クロックφ３−２が入力される。さらに、ノードＮ（ｊ＋２）に接続されたキャパシタＣ（ｊ＋２）の一端（半導体領域）に、クロックφ３−３が入力される。
【０１６５】
図１５は、チャージポンプ回路６に用いられる制御信号（クロック）の波形図を示している。図１５に示されるように、クロックφ３−１〜φ３−３は、互いに位相がずれた波形を有しており、例えば、１２０度ずつ位相がずれている。また、クロックφ３−１〜φ３−３は、立ち上がりエッジにおける傾き（スルーレート）が、立ち下がりエッジにおける傾きよりも小さくされている。つまり、クロックφ３−１〜φ３−３の立ち上がりは立ち下がりよりも遅くされている。
【０１６６】
図１６及び図１７を用いて、第３の実施形態のチャージポンプ回路６内の複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８の構造について、説明する。図１６は、チャージポンプ回路６内の複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８のレイアウトを示す平面図である。図１７は、図１６の各キャパシタ形成領域ＡＡＣ−１，ＡＡＣ−２，ＡＡＣ−３の断面構造を示している。
【０１６７】
図１６に示されるように、互いに位相のずれた３つのクロックφ３−１〜φ３−３に対応するように、３つの半導体領域ＡＡＣ−１，ＡＡＣ−２，ＡＡＣ−３が、半導体基板１０内に設けられている。半導体領域ＡＡＣ−１，ＡＡＣ−２，ＡＡＣ−３は、素子分離領域ＳＴＩによってそれぞれ取り囲まれ、素子分離絶縁膜ＳＴＩによって、互いに電気的に分離されている。半導体領域ＡＡＣ−１内には、キャパシタ群Ｇ１が設けられる。半導体領域ＡＡＣ−２内には、キャパシタ群Ｇ２が設けられる。半導体領域ＡＡＣ−３内には、キャパシタ群Ｇ３が設けられている。
【０１６８】
図１６及び図１７に示されるように、クロックφ３−１は、コンタクトプラグＣＰＡ−１を経由して、半導体領域ＡＡＣ−１内の拡散層３２Ａ−Ａに印加される。クロックφ３−２は、コンタクトプラグＣＰＡ−２を経由して、半導体領域ＡＡＣ−２内の拡散層３２Ａ−Ｂに印加される。これらと同様に、クロックφ３−３は、コンタクトプラグＣＰＡ−３を経由して、半導体領域ＡＡＣ−３内の拡散層３２Ａ−Ｃに印加される。これによって、各キャパシタ群Ｇ１〜Ｇ３のキャパシタＣ１〜Ｃ８の一端に、クロック（電位）φ３−１〜φ３−３がそれぞれ印加される。
【０１６９】
図１６及び図１７に示されるように、クロックφ３−１が入力されるキャパシタ群Ｇ１は、３つキャパシタＣ１，Ｃ４，Ｃ７を含む。キャパシタ群Ｇ１内の３つキャパシタＣ１，Ｃ４，Ｃ７は、１つの半導体領域ＡＡＣ−１内に、設けられる。これによって、３つのキャパシタＣ１，Ｃ４，Ｃ７の一端（拡散層３２Ａ−Ａ）に、クロックφ３−１が供給される。
【０１７０】
クロックφ３−２が入力されるキャパシタ群Ｇ２は、３つキャパシタＣ２，Ｃ５，Ｃ８を含む。キャパシタ群Ｇ２内の３つキャパシタＣ２，Ｃ５，Ｃ８は、１つの半導体領域ＡＡＣ−２内に、設けられる。これによって、３つのキャパシタＣ２，Ｃ５，Ｃ８の一端（拡散層３２Ａ−Ｂ）に、クロックφ３−２が供給される。
【０１７１】
クロックφ３−３が入力されるキャパシタ群Ｇ３は、２つキャパシタＣ３，Ｃ６を含む。キャパシタ群Ｇ３内の３つキャパシタＣ３，Ｃ６は、１つの半導体領域ＡＡＣ−３内に、設けられる。これによって、２つのキャパシタＣ３，Ｃ６の一端（拡散層３２Ａ−Ｃ）に、クロックφ３−３が供給される。
【０１７２】
このように、本実施形態においても、半導体領域に印加されるクロック（制御信号）が共通なキャパシタ毎に、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８が、共通の半導体領域ＡＡＣ−１〜ＡＡＣ−３内にそれぞれ設けられている。
【０１７３】
なお、３つの半導体領域ＡＡＣ−１，ＡＡＣ−２，ＡＡＣ−３のレイアウトは、図１６のレイアウトに限定されない。また、図１６及び図１７において、各キャパシタ群Ｇ１〜Ｇ３が設けられるウェル領域５１−１，５１−２，５１−３は、ｐ型のウェル領域でもよいし、ｎ型のウェル領域でもよい。各キャパシタ群Ｇ１〜Ｇ３は、ウェル領域が形成されない半導体領域（例えば、ｐ型半導体基板）内に設けられてもよい。
【０１７４】
上述の２相クロックで駆動するチャージポンプ回路と実質的に同様の動作原理によって、３相クロックのチャージポンプ回路において、３相クロックφ３−１〜φ３−３の電位レベルが変動するのに伴って、キャパシタＣ１〜Ｃ８の容量結合により、前段のノードＮ１〜Ｎ８の電位が昇圧され、昇圧された電圧が、導通状態のトランジスタＴＲ１〜ＴＲ９を経由して、後段のノードＮ２〜Ｎ９へ順次転送される。
【０１７５】
また、図１６に示される３相クロックを使用することで、リバース電流の大きいＭＯＳトランジスタを整流素子として用いた場合であっても、電荷を効率的に転送できる。なぜなら、図１６に示されるように、例えば、クロックφ３−２がＧＮＤからＶｃｃに上昇するタイミングｔ１では、クロックφ３−１はＶｃｃまで上昇しているため、接合の逆方向に電流が流れにくくなっている。さらに、タイミングｔ１において、クロックφ３−３は速やかにＧＮＤに立ち下がるため、例えば、キャパシタＣ２からキャパシタＣ３への方向に選択的に電流が流れやすいためである。
【０１７６】
逆バイアス状態からの回復時間（逆方向回復時間とよぶ）を、電圧が上昇する側のスルーレートが遅いランプ部分で確保することができる。したがって、昇圧された高電位側から低電位側への電流の逆流がより小さいチャージポンプ回路が実現できる。
【０１７７】
以上のように、本実施形態のように、３相クロックを用いたチャージポンプ回路６に対しても、第１の実施形態を適用することができ、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
したがって、第３の実施形態の半導体装置においても、第１及び第２の実施形態と同様に、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【０１７８】
（４） 第４の実施形態
図１８乃至図２０を用いて、第４の実施形態に係る半導体装置（例えば、フラッシュメモリ）について説明する。
【０１７９】
チャージポンプ回路のキャパシタに入力されるクロックが、４相クロックが使用される。以下では、第１乃至第３の実施形態と異なる点について、主に説明する。
【０１８０】
図１８は、本実施形態のチャージポンプ回路６の等価回路図である。
【０１８１】
図１８に示されるチャージポンプ回路６は、以下の点で、図７及び図１４に示されるチャージポンプ回路の構成と異なる。
【０１８２】
ノードＮｊ（ｊ＝１、５）に接続されたキャパシタＣｊの他方の電極（半導体領域）にはクロックφ４−１が入力される。ノードＮ（ｊ＋１）に接続されたキャパシタＣ（ｊ＋１）の他方の電極（半導体領域）にはクロックφ４−２が入力される。ノードＮ（ｊ＋２）に接続されたキャパシタＣ（ｊ＋２）の他方の電極（半導体領域）には、クロックφ４−３が入力される。ノードＮ（ｊ＋３）に接続されたキャパシタＣ（ｊ＋３）の他方の電極（半導体領域）には、クロックφ４−４が入力される。
【０１８３】
図１９は、チャージポンプ回路６に用いられる制御信号（クロック）の波形図を示している。図１９に示されるように、クロックφ４−１〜φ４−４は、互いに位相がずれた波形を有しており、例えば、９０度ずつ位相がずれている。なお、第３の実施形態と異なり、４相クロックφ４−１〜φ４−４は、立ち上がりエッジにおける傾きと立ち下がりエッジにおける傾きとは、同じ大きさにされている。
【０１８４】
図２０は、４相クロックを用いたチャージポンプ回路６に用いられる複数のキャパシタのレイアウトを示している。なお、本実施形態において、１つの半導体領域内に設けられるキャパシタの個数が異なるのみで、キャパシタの断面構造は上述の実施形態と同じであるため、キャパシタの断面構造の説明及び図示は省略する。
【０１８５】
図２０に示されるように、４つのクロックφ４−１〜φ４−４のそれぞれに対応するように、４つの半導体領域ＡＡＣ−１〜ＡＡＣ−４が、半導体基板１０内に設けられる。
【０１８６】
４つの半導体領域ＡＡＣ−１〜ＡＡＣ−４は、それぞれ素子分離領域ＳＴＩに取り囲まれ、互いに電気的に分離されている。半導体領域ＡＡＣ−１〜ＡＡＣ−４は、ｐ型又はｎ型のウェル領域であってもよいし、ウェル領域が設けられていないｐ型又はｎ型半導体基板であってもよい。
【０１８７】
キャパシタＣ１〜Ｃ８に入力されるクロックφ４−１〜φ４−４に応じて、各キャパシタＣ１〜Ｃ８は、４つの半導体領域ＡＡＣ−１〜ＡＡＣ−４のうち所定の半導体領域内に、それぞれ設けられている。
【０１８８】
クロックφ４−１は、コンタクトプラグＣＰＡ−１を介して、半導体領域ＡＡＣ−１内の拡散層３２Ａ−Ａに供給される。半導体領域ＡＡＣ−１内には、クロックφ４−１が入力される２つのキャパシタＣ１，Ｃ５が、設けられる。
【０１８９】
クロックφ４−２は、コンタクトプラグＣＰＡ−２を介して、半導体領域ＡＡＣ−２内の拡散層３２Ａ−Ｂに供給される。半導体領域ＡＡＣ−２内には、クロックφ４−２が入力される２つのキャパシタＣ２，Ｃ６が、設けられる。
【０１９０】
クロックφ４−３は、コンタクトプラグＣＰＡ−３を介して、半導体領域ＡＡＣ−３内の拡散層３２Ａ−Ｃに供給される。半導体領域ＡＡＣ−３内には、クロックφ４−３が入力される２つのキャパシタＣ３，Ｃ７が、設けられる。
【０１９１】
クロックφ４−４は、コンタクトプラグＣＰＡ−４を介して、半導体領域ＡＡＣ−４内の拡散層３２Ａ−Ｄに供給される。半導体領域ＡＡＣ−４内には、クロックφ４−４が入力される２つのキャパシタＣ４，Ｃ８が、設けられる。
【０１９２】
４相クロックを使用することによって、図１８のチャージポンプ回路６は、第３の実施形態と同様に、電荷を効率的に転送できる。なぜなら、図１９に示されるように、例えば、クロックφ４−２がＧＮＤからＶｃｃに上昇するタイミングｔ２では、クロックφ４−１はＶｃｃまで上昇しているため、接合の逆方向に電流が流れにくくなっている。さらに、タイミングｔ２においてクロックφ４−３はＧＮＤとなっているため、例えば、キャパシタＣ２からキャパシタＣ３への方向に選択的に電流が流れやすいためである。さらに、第３の実施形態と同様に、逆方向回復時間をクロックの立ち上がりのランプ部分で確保することができる。したがって、昇圧電位側から低電位側への逆流がより小さいチャージポンプ回路が実現できる。
【０１９３】
また、本実施形態のように、４相クロックを用いたチャージポンプ回路６においても、共通のクロックφ４−１〜φ４−２で駆動する２以上のキャパシタＣ１〜Ｃ８は、共通の半導体領域ＡＡＣ−１〜ＡＡＣ−４内にそれぞれ設けられる。これによって、第１の実施形態のフラッシュメモリと同様の効果が得られる。
【０１９４】
したがって、第４の実施形態の半導体装置においても、第１乃至第３の実施形態と同様に、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【０１９５】
（５） 変形例
図２１及び図２２を用いて、第１乃至第４の実施形態の半導体装置の変形例について、説明する。図２１は、本変形例におけるキャパシタのレイアウトを示している。図２２は、図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う断面構造を示している。
【０１９６】
半導体装置において、配線レベルのそれぞれにおいて所定の面積に対する素子／配線パターンの占有面積（以下、被覆率とよぶ）が、設定されている。すなわち、１つの半導体領域（素子領域）内のキャパシタ電極（或いは、ゲート電極）の占有面積に関して、所定の被覆率が設定されている。
【０１９７】
第１乃至第４の実施形態において、キャパシタのキャパシタ電極は、半導体領域上にのみ形成された例が示されている。ただし、所定の被覆率を満たす範囲内であれば、半導体領域に対するキャパシタ電極のレイアウトは、上述の例に限定されない。
【０１９８】
例えば、図２１及び図２２に示されるように、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８は、半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ上から素子分離領域（素子分離絶縁膜）ＳＴＩ上まで、延在してもよい。
【０１９９】
半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内の拡散層３２Ｂは、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８をマスクとして、自己整合的に形成される。それゆえ、図２１に示されるレイアウトにおいて、１つキャパシタ電極３４１〜３４Ａ８が、２つの拡散層３２Ａ１〜３２Ａ５に挟まれたレイアウトになる。つまり、本変形例において、キャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の拡散層３２Ａ１〜３２Ａ５は、半導体領域ＡＡＣ−ｏで連続せずに、互いに分断されている。図２１に示される例では、５つの拡散層３２Ａ１，３２Ａ２，３２Ａ３，３２Ａ４，３２Ａ５が、１つの半導体領域ＡＡＣ−ｏ内に形成される。
【０２００】
このように、拡散層３２Ａ１〜３２Ａ５が１つの半導体領域ＡＡＣ−ｏ内で連続していなくても、キャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の駆動時に、キャパシタ電極３４Ａ１，３４Ａ３，３４Ａ５，３４Ａ７の下方にチャネルが形成されるので、印加された電位（クロック）φ２，／φ２は、形成されたチャネルを経由して、隣接するキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７に転送される。
【０２０１】
すなわち、コンタクトプラグＣＰＡは、キャパシタ形成領域ＡＡＣ内の複数の拡散層３２Ａ１，３２Ａ２，３２Ａ３，３２Ａ４，３２Ａ５のうち１つの拡散層上に、少なくとも１つ形成されていればよい。その結果として、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【０２０２】
また、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８に接続されるコンタクトＣＰＥ１〜ＣＰＥ８は、素子分離絶縁膜ＳＴＩ上方に配置されてもよい。
【０２０３】
図２１及び図２２に示される変形例においても、第１乃至第４の実施形態と同様に、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【０２０４】
［その他］
第１乃至第４の実施形態の半導体装置として、フラッシュメモリが例示されている。しかし、本実施形態の不揮発性半導体メモリは、フラッシュメモリに限定されず、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）、ＲｅＲＡＭ（Resistive Random Access Memory）又はＰＣＲＡＭ（Phase Change Random Access Memory）でもよい。これらのメモリに対して、上述の１つの半導体領域内に設けられた複数のキャパシタ、及びその複数のキャパシタを用いた回路（例えば、チャージポンプ回路）が適用されてもよい。さらには、本実施形態の半導体装置は、半導体メモリに限定されず、混載メモリやロジックＬＳＩでもよい。
【０２０５】
第１乃至第４の実施形態において、１つの半導体領域内に設けられた複数のキャパシタは、チャージポンプ回路に用いられている。しかし、これに限定されず、複数のキャパシタの一端（ウェル領域又は基板）が共通の電位レベル（共通の制御信号）で制御される回路であれば、１つの半導体領域内に設けられた複数のキャパシタを用いてチャージポンプ回路以外の回路が形成されてもよい。
【０２０６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０２０７】
１：半導体装置、６：チャージポンプ回路、Ｃｎ，Ｃｍ，Ｃ１〜Ｃ８：キャパシタ、ＡＡＣ，ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ：半導体領域（キャパシタ形成領域）、ＳＴＩ：素子分離領域、３４Ａｍ、３４Ａｎ，３４Ａ１〜３４Ａ８：キャパシタ電極、２９ｍ、２９ｎ，２９Ａ１〜２９Ａ８：金属配線層、４２Ａ：キャパシタ絶縁膜、５１ｐ−ｏ，５１ｐ−ｅ，５１ｎ：ウェル領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置としての不揮発性半導体メモリ、例えば、フラッシュメモリは、様々な電子機器に搭載されている。
【０００３】
フラッシュメモリにおけるデータの書き込み時、１０Ｖ〜２０Ｖ程度の電圧がメモリセルトランジスタのゲート電極に印加される。フラッシュメモリは、１０Ｖ以上の高電圧を生成するために、いわゆるチャージポンプ回路が周辺回路内に配置されている。
【０００４】
チャージポンプ回路は、例えば、ドレインとゲートとが接続された複数のＭＯＳトランジスタと複数のキャパシタとによって、形成される。チャージポンプ回路のキャパシタには、例えば、ＭＯＳキャパシタが用いられている。各ＭＯＳキャパシタは、素子分離領域に囲まれた１つの半導体領域（素子領域）内に、それぞれ設けられている。
【０００５】
チャージポンプ回路は、電源電圧（３Ｖ程度）を２０Ｖ程度まで昇圧するために複数段のＭＯＳトランジスタ及びＭＯＳキャパシタが必要である。そのため、チャージポンプ回路の占有面積は大きくなる傾向がある。
【０００６】
この結果として、フラッシュメモリのチップにおいて、チャージポンプ回路の占有面積が、メモリセルアレイや他の周辺回路の占有面積を圧迫する。このため、フラッシュメモリの記憶容量の増大、チップサイズの縮小、ビットコストの低減などが、困難になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２１７３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、キャパシタが形成される領域の面積を縮小する技術を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本実施形態の半導体装置は、半導体基板内に設けられた少なくとも１つの半導体領域と、前記１つの半導体領域内に設けられる複数のキャパシタを含むキャパシタ群と、を具備し、前記キャパシタのそれぞれは、前記半導体領域上のキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上のキャパシタ電極と、前記キャパシタ電極に隣接する拡散層とを有し、前記キャパシタ電極に接続される配線のそれぞれは、前記キャパシタ毎に電気的に分離され、前記キャパシタ電極のそれぞれに異なる電位が印加されている。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】フラッシュメモリの構成を示すブロック図。
【図２】フラッシュメモリの断面構造を模式的に示す図。
【図３】メモリセルアレイの断面構造を示す断面図。
【図４】第１の実施形態の半導体装置の構造を説明するための平面図。
【図５】第１の実施形態の半導体装置の構造を説明するための断面図。
【図６】第１の実施形態の半導体装置の構造を説明するための断面図。
【図７】チャージポンプ回路の構成例を示す等価回路図。
【図８】チャージポンプ回路の制御信号を示す波形図。
【図９】チャージポンプ回路のキャパシタのレイアウトを示す平面図。
【図１０】チャージポンプ回路のキャパシタの構造を説明するための図。
【図１１】チャージポンプ回路のキャパシタの構造及び動作を説明するための図。
【図１２】チャージポンプ回路のキャパシタの構造及び動作を説明するための図。
【図１３】第２の実施形態の半導体装置の構造を説明するための断面図。
【図１４】第３の実施形態におけるチャージポンプ回路の構成例を示す等価回路図。
【図１５】チャージポンプ回路の制御信号を示す波形図。
【図１６】チャージポンプ回路のキャパシタのレイアウトを示す平面図。
【図１７】チャージポンプ回路のキャパシタの構造を説明するための図。
【図１８】第４の実施形態におけるチャージポンプ回路の構成例を示す等価回路図。
【図１９】チャージポンプ回路の制御信号を示す波形図。
【図２０】チャージポンプ回路のキャパシタのレイアウトを示す平面図。
【図２１】第１乃至第４の半導体装置の変形例を説明するための平面図。
【図２２】第１乃至第４の半導体装置の変形例を説明するための断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら、実施形態について詳細に説明する。以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付し、重複する説明は必要に応じて行う。
【００１２】
［実施形態］
（１） 第１の実施形態
図１乃至図１２を参照して、第１の実施形態の半導体装置について説明する。本実施形態において、半導体装置として、フラッシュメモリが例示される。
【００１３】
（ａ） フラッシュメモリの構成
図１は、第１の実施形態の半導体装置としてのフラッシュメモリの構成を示している。
【００１４】
図１に示されるように、フラッシュメモリ１は、メモリセルアレイ２、ロウデコーダ３、電圧発生回路４、及び制御回路５を有している。
【００１５】
メモリセルアレイ２は、各々がデータ保持可能な複数のメモリセルトランジスタＭＴを含んでいる。メモリセルトランジスタＭＴの各々は、電荷を保持可能な電荷蓄積層と、電荷蓄積層上に形成された制御ゲートとを含む積層ゲートを有している。各々のメモリセルトランジスタＭＴの制御ゲートはワード線ＷＬに接続されている。メモリセルトランジスタＭＴのドレインはビット線ＢＬに電気的に接続され、メモリセルトランジスタＭＴのソースはソース線ＳＬに電気的に接続されている。
【００１６】
データの書き込み時、アドレスに対応するワード線ＷＬが選択され、選択されたワード線にプログラム電圧ＶＰＧＭ（例えば、２０Ｖ）が印加される。非選択のワード線に中間電圧ＶＰＡＳＳ等が印加される。データの読み出し時、アドレスに対応するワード線ＷＬが選択され、選択されたワード線に読み出し電圧ＶＣＧＲが印加される。非選択のワード線に電圧ＶＲＥＡＤが印加される。電圧ＶＰＡＳＳ、ＶＲＥＡＤは、共にメモリセルトランジスタＭＴをオン状態とする電圧である。データの消去時には、全ワード線ＷＬに０Ｖが印加され、メモリセルアレイ２が形成されているウェル領域に高電圧（例えば２０Ｖ）が印加される。
【００１７】
メモリセルアレイ２の内部構成の詳細について説明する。本実施形態のフラッシュメモリは、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである。それゆえ、図１に示されるように、メモリセルアレイ２は、複数のＮＡＮＤセルＮＣを含んでいる。
【００１８】
ＮＡＮＤセルＮＣの各々は、３２個のメモリセルトランジスタＭＴ０〜ＭＴ３１と、２つの選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２とを含んでいる。なお、メモリセルトランジスタＭＴの個数は３２個に限られず、８個や１６個、６４個、１２８個、２５６個等であってもよく、その数は限定されるものではない。以下では、説明の簡潔化のために、メモリセルトランジスタＭＴ０〜ＭＴ３１を単にメモリセルトランジスタＭＴとよぶことがある。
【００１９】
メモリセルトランジスタＭＴは、半導体基板上にゲート絶縁膜を介在して形成された電荷蓄積層と、電荷蓄積層上にゲート間絶縁膜を介在して形成された制御ゲート電極とを有する積層ゲート構造を有している。メモリセルトランジスタＭＴは、隣接するもの同士でソース、ドレインを共有している。そして、選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２間に、その電流経路が直列接続されるようにして配置されている。直列接続されたメモリセルトランジスタＭＴの一端のドレイン領域は選択トランジスタＳＴ１のソース領域に接続され、他端のソース領域は選択トランジスタＳＴ２のドレイン領域に接続されている。
【００２０】
同一のロウに配列されたメモリセルトランジスタＭＴの制御ゲート電極は、ワード線ＷＬ０〜ＷＬ３１のいずれかに共通接続される。同一のロウに配列された選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２のゲートは、それぞれセレクトゲート線ＳＧＤ，ＳＧＳに共通接続されている。また、メモリセルアレイにおいて同一のカラムに配列された選択トランジスタＳＴ１のドレインは、ビット線ＢＬ０〜ＢＬｎ（ｎは自然数）のいずれかに共通接続される。なお説明の簡単化のため、以下では、ワード線ＷＬ０〜ＷＬ３１及びビット線ＢＬ０〜ＢＬｎを、それぞれ単にワード線ＷＬ及びビット線ＢＬとよぶことがある。選択トランジスタＳＴ２のソースはソース線ＳＬに共通接続される。
【００２１】
図１では、１つのＮＡＮＤセルのみ図示されているが、メモリセルアレイ２内には複数のＮＡＮＤセルがアレイ状に配置される。同一のカラムに配列されたＮＡＮＤセルは、同一のビット線ＢＬに接続される。また、同一のワード線ＷＬに接続されたメモリセルトランジスタＭＴは、一括してデータが書き込まれ、この単位は１ページとよばれる。更に複数のＮＡＮＤセルは、一括してデータが消去され、この単位はブロックとよばれる。
【００２２】
ロウデコーダ３は、外部から入力されたアドレスに応じて、メモリセルアレイ２のロウ方向を選択する。
【００２３】
電圧発生回路４は、ロウデコーダ３に対して、電圧を供給する。電圧発生回路４は、複数のチャージポンプ回路６を含んでいる。チャージポンプ回路６は、例えば、ワード線ＷＬ及びセレクトゲート線ＳＧＤ，ＳＧＳのそれぞれに対して、１つずつ設けられている。電圧発生回路４は、チャージポンプ回路６で生成された電圧を、上記の電圧ＶＰＧＭや電圧ＶＰＡＳＳとして、ロウデコーダ３へ供給する。チャージポンプ回路６は、複数のキャパシタＣを有する。
【００２４】
制御回路５は、外部からアドレス及びコマンドを受け取る。そして、受け取ったコマンドやアドレスに応じて、フラッシュメモリ１内の回路の動作を制御する。制御回路５は、例えば、電圧制御回路４を制御し、電圧制御回路４に対して必要な電圧を発生するよう命令する。
【００２５】
本実施形態において、ロウデコーダ３、電圧生成回路４及び制御回路５のように、フラッシュメモリ１に含まれるメモリセルアレイ２以外の回路のことを、周辺回路とよぶ。
【００２６】
メモリセルアレイ２と周辺回路の断面関係について、図２を用いて説明する。図２は、
フラッシュメモリ１の断面図であり、特に、メモリセルアレイ２の一部の領域と周辺回路の一部の領域とを抽出している。図２において、ＭＯＳトランジスタのゲート長方向に沿った断面が示されている。しかし、必ずしも全ての素子が、図２の断面を得られるように、配置される必要は無い。
【００２７】
図２に示すように、メモリセルアレイ２内において、半導体基板（例えば、ｐ型シリコン基板）１０の表面領域内に、ｐ型ウェル領域１２が形成されている。ｐ型ウェル領域１２内には、例えば、ボロンがドープされ、ウェル領域１２の不純物濃度は、例えば１０１４ｃｍ−３〜１０１９ｃｍ−３の間に設定される。ウェル領域１２の側面に、ウェル領域１２に接するようにしてｎ型ウェル領域５０が形成される。ウェル領域１２の下部には、ウェル領域１２，５０に接するようにしてｎ型ウェル領域１１が形成されている。これにより、ｐ型ウェル領域１２の周囲はｎ型ウェル領域１１，５０によって囲まれることになり、ウェル領域１２は、半導体基板１０から電気的に分離される。ウェル領域１２が半導体基板１０から電気的に分離されることによって、ウェル領域１２の電位を、メモリセルアレイ２の動作に応じて、半導体基板１０から独立して制御できる。このような二重ウェル構造を用いることで、チャージポンプ回路６の負荷を低減し、消費電力を削減できる。
【００２８】
メモリセルトランジスタＭＴは、ｐ型ウェル領域１２上に形成される。これらのメモリセルトランジスタＭＴは、ワード線に沿った方向において、素子分離領域ＳＴＩによって分離される。素子分離領域ＳＴＩの深さは、例えば０．１μｍ〜０．５μｍ程度である。素子分離領域ＳＴＩは、半導体基板１０内のトレンチに、例えば、シリコン酸化膜等を埋め込むことによって、形成される。
【００２９】
ウェル領域１２の電位は、複数のメモリセルトランジスタＭＴにおいて均一な消去を実現するために、ウェル領域１２内に均一に印加される必要がある。このため、ウェル領域１２の深さ、つまり、ウェル領域１２とウェル領域１１との境界は、素子分離領域ＳＴＩの底面よりも十分に深い位置に設定される。ウェル領域１２の深さは、例えば、半導体基板１０表面から０．４μｍ以上且つ０．９μｍ以下である。
【００３０】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、電荷蓄積層１４に対する電荷の注入、又は、電荷蓄積層１４からの電荷の放出に、トンネル絶縁膜１３を介したトンネル電流を利用する。
【００３１】
データの消去は、例えば、単位時間当たりに消去されるメモリセルの数を増やすために、複数のメモリセルトランジスタで同時に行われる。つまり、複数のメモリセルトランジスタは、データを一括して消去することを可能とする。このために、消去の際に、ウェル領域１２に半導体基板１０に対して１５Ｖ以上の正の電圧を印加する。これにより、電荷蓄積層１４中の電荷が、電荷蓄積層１４からウェル領域１２に引き抜かれる。
【００３２】
一方、データの読み出し及び書き込みにおいては、ウェル領域１２の電圧を０Ｖに保ち、拡散層１７に印加する電圧を低下させる。これにより、ウェル領域１２を充放電するための電力を削減し、動作速度を高速化することができる。さらに、本実施形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、ウェル領域１２または制御ゲート１６（ワード線ＷＬ）に、チャージポンプ回路６の出力ノードを選択的に接続することで、データの消去及び書き込みが行われる。
【００３３】
図３を用いて、ＮＡＮＤセルの断面構造について、詳細に説明する。図３は、ＮＡＮＤセルのビット線方向に沿った断面図である。
【００３４】
図３に示されるように、ｐ型半導体基板１０の表面領域内にはｎ型ウェル領域１１が形成され、ウェル領域１１の表面領域内にはｐ型ウェル領域１２が形成されている。ウェル領域１２上には、ゲート絶縁膜１３が形成されている。ゲート絶縁膜１３は、４ｎｍから１２ｎｍの範囲の膜厚を有するシリコン酸化膜、または、シリコン酸窒化膜を用いて形成される。ゲート絶縁膜１３は、メモリセルトランジスタに対してトンネル絶縁膜として機能する。
【００３５】
ゲート絶縁膜１３上に、メモリセルトランジスタＭＴ及び選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２のゲート電極が形成されている。
【００３６】
メモリセルトランジスタＭＴ及び選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２のゲート電極は、ゲート絶縁膜１３上に形成された電荷蓄積層１４、電荷蓄積層１４上に形成されたゲート間絶縁膜１５、ゲート間絶縁膜１５上に形成された導電層１６を有している。
【００３７】
電荷蓄積層１４は、例えば、導電性のポリシリコン層、又は、シリコン窒化層である。
【００３８】
ゲート間絶縁膜１５は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、またはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層構造であるＯＮ膜、ＮＯ膜、またはＯＮＯ膜、またはそれらを含む積層構造、またはＡｌ２Ｏ３、ＨｆＳｉｘ、ＡｌＳｉｘ、ＨｆＯｘ、ＴｉＯｘ単層膜、またはＡｌ２Ｏ３、ＨｆＳｉｘ、ＡｌＳｉｘ、ＨｆＯｘ、ＴｉＯｘの少なくともいずれかとシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜との積層膜で形成される。
【００３９】
導電層１６は、導電性のシリコン層や、シリサイド層、シリコン層とシリサイド層の積層体を用いて形成される。シリサイド層として、ＷＳｉ、ＮｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、及びＣｏＳｉが用いられる。導電層１６は、ビット線ＢＬに直交する方向において、隣接するメモリセルトランジスタ同士で共通接続されており、ワード線ＷＬとして機能する。
【００４０】
選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２において、ゲート間絶縁膜１５内に、貫通孔が形成されている。導電層１６の底面は、電荷蓄積層１４の上面に接触する。選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２において、導電層１６はワード線の延在方向で隣接するもの同士で共通接続されている。そして、導電層１６は、セレクトゲート線ＳＧＳ，ＳＧＤとして機能する。
【００４１】
互いに隣接するゲート電極間に位置する半導体基板１０表面内には、ｎ型不純物拡散層１７が形成されている。不純物拡散層１７は隣接するトランジスタ同士で共用されている。不純物拡散層１７は、トランジスタのソース（Ｓ）またはドレイン（Ｄ）として用いられる。ソース又はドレインとしての拡散層１７のことを、ソース／ドレイン拡散層１７とよぶ。ソース／ドレイン拡散層１７は、例えばリン、砒素、又はアンチモンを含み、その表面濃度は１０１７ｃｍ−３〜１０２０ｃｍ−３である。また、隣接するソースとドレインとの間の領域は、電子の移動領域となるチャネル領域として機能する。
【００４２】
半導体基板１０上には、メモリセルトランジスタＭＴ及び選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２を覆うように、層間絶縁膜１９が形成されている。層間絶縁膜１９は、例えば、シリコン酸化膜である。
【００４３】
層間絶縁膜１９内には、コンタクトプラグＣＰ１が形成される。コンタクトプラグＣＰ１は、ソース側の選択トランジスタＳＴ２の不純物拡散層（ソースＳ）１７に達する。層間絶縁膜１９の表面内には、金属配線層２０が形成されている。金属配線層２０は、コンタクトプラグＣＰ１に接続される。金属配線層２０はソース線ＳＬとして機能する。
【００４４】
層間絶縁膜１９内には、コンタクトプラグＣＰ２が形成されている。コンタクトプラグＣＰ２は、ドレイン側の選択トランジスタＳＴ１の不純物拡散層（ドレインＤ）１７に達する。そして、層間絶縁膜１９の表面内に、金属配線層２１が形成されている。金属配線層２１は、コンタクトプラグＣＰ２に接続される。
【００４５】
層間絶縁膜１９上には、金属配線層２１を覆うに、層間絶縁膜２２が形成されている。層間絶縁膜２２内に、金属配線層２１に達するコンタクトプラグＣＰ３が形成されている。層間絶縁膜２２上には、コンタクトプラグＣＰ３に接続された金属配線層２３が形成されている。金属配線層２３は、ビット線ＢＬとして機能する。
【００４６】
図２に示されるように、例えば、周辺回路の構成素子が、メモリセルアレイ２に隣接して、メモリセルと同じ半導体基板上に形成されている。
【００４７】
メモリセルトランジスタＭＴよりも高い耐圧（高いしきい値）のＭＯＳトランジスタＱ１が、メモリセルアレイ２に隣接して、半導体基板１上に配置されている。
【００４８】
ＭＯＳトランジスタＱ１は、例えば、ロウデコーダ３や電圧発生回路４などに含まれる。ＭＯＳトランジスタＱ１のゲート絶縁膜４２は、メモリセルトランジスタＭＴのゲート絶縁膜（トンネル絶縁膜）１３よりも厚い。
【００４９】
ＭＯＳトランジスタＱ１は、メモリセルトランジスタと実質的に同じ積層構造のゲート電極３４を、ゲート絶縁膜４２上に有する。ＭＯＳトランジスタＱ１のゲート電極３４は、ゲート絶縁膜４２上に形成された第１導電層４３と、導電層４３上に形成されたゲート間絶縁膜４４と、ゲート間絶縁膜４４上に形成された第２導電層４５とを有している。ソース／ドレイン拡散層３２は、ウェル領域５１内に形成されている。ゲート間絶縁膜４４内には、貫通孔が形成され、第２導電層４５の底部は、第１導電層４３の上部に接触する。ＭＯＳトランジスタＱ１は、メモリセルアレイＭＴと共有の製造工程を用いて、実質的に同時に形成される。
【００５０】
フラッシュメモリ１は、低電圧から高電圧を発生する電圧発生回路４が必要である。電圧発生回路４は、例えば、半導体基板１０に対して、例えば、１０Ｖから１５Ｖ以上の電位差を発生する。このため、電圧発生回路４は、昇圧回路（例えば、チャージポンプ回路６）を有する。
【００５１】
チャージポンプ回路６は、電荷を蓄積する複数のキャパシタＣと電荷の蓄積を制御する複数のトランジスタを含む。図２において、チャージポンプ回路６内のトランジスタの例として、ＭＯＳトランジスタＱ３が示されている。ＭＯＳトランジスタＱ３は、ＭＯＳトランジスタＱ１と同様に、メモリセルトランジスタＭＴと実質的に同じ製造工程で形成される。
【００５２】
ＭＯＳトランジスタＱ３は、高耐圧用トランジスタである。高耐圧用トランジスタは、例えば、半導体基板１０の電位に対して、１５Ｖ以上の電位差に耐えられるように、メモリセルトランジスタＭＴのゲート絶縁膜よりも厚いゲート絶縁膜４２を有する。
【００５３】
ＭＯＳトランジスタＱ３のゲート電極３４は、ゲート絶縁膜４２上に形成された第１導電層４３と、導電層４３上に形成されたゲート間絶縁膜４４と、ゲート間絶縁膜４４上に形成された第２導電層４５とを有している。ソース／ドレイン拡散層３２は、ウェル領域５１内に形成されている。
【００５４】
ゲート間絶縁膜４４内には、貫通孔が形成され、第２導電層４５の底部は、第１導電層４３の上部に接触する。
【００５５】
尚、高耐圧ＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ３以外に、ＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ３よりも耐圧の小さいＭＯＳトランジスタ（低耐圧ＭＯＳトランジスタとよぶ）が、メモリセルトランジスタＭＴと同じ基板１０上に、設けられている。低耐圧ＭＯＳトランジスタは、高耐圧トランジスタＱ１と実質的に同じ構成の積層構造のゲート電極を有する。低耐圧ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚は、ＭＯＳトランジスタＭＴのゲート絶縁膜１３の膜厚以上で、高耐圧ＭＯＳトランジスタＱ１のゲート絶縁膜４２の膜厚より小さい。
【００５６】
キャパシタＣは、半導体基板１０中に設けられた素子領域ＡＡ上に形成される。キャパシタＣは、ゲート絶縁膜４２とほぼ同じ膜厚を有する絶縁膜４２Ａ、ゲート電極３４とほぼ同じ構成を有する電極３４Ａ及び不純物拡散層３２Ａを有している。キャパシタＣの電極３４Ａは、絶縁膜３４Ａを挟んで、例えば、半導体基板１０（素子領域ＡＡ）の表面内に形成されたウェル領域５１上に形成される。なお、図２に示される例では、キャパシタＣは、ｐ型ウェル領域５１内に設けられているが、ウェル領域が形成されていないｐ型半導体基板１０内に、設けられてもよい。
【００５７】
メモリセルアレイ２、ＭＯＳトランジスタＱ１、ＭＯＳトランジスタＱ３、及びキャパシタＣがそれぞれ形成される領域の境界部分には、素子分離領域ＳＴＩが形成されている。そして、素子分離領域ＳＴＩの直下には、チャネルストッパとして、半導体基板１０と同じ伝導型（ここでは、ｐ型）のウェル領域３６が形成されている。さらに、素子分離領域ＳＴＩ底部におけるパンチスルーリーク電流を防止するために、ｐ型領域３７が形成される。なお、チャネルストッパとしてのウェル領域３６及びｐ型領域３７は、形成されない場合もある。
【００５８】
ｎ型ウェル領域（図示せず）は、半導体基板１０の表面に達するように形成される。これは、ｎチャネルＭＯＳトランジスタの形成領域として使用される。
【００５９】
図４乃至図６を用いて、本実施形態の半導体装置（例えば、フラッシュメモリ）に含まれるキャパシタの構造の基本構成について、説明する。
【００６０】
図４は、本実施形態の半導体装置に含まれるキャパシタＣｍ，Ｃｎの平面図を示している。図５は図４のＶ−Ｖ線に沿うキャパシタＣｍ，Ｃｎの断面構造を示し、図６は図４のＶＩ−ＶＩ線に沿うキャパシタＣｍ，Ｃｎの断面構造を示している。なお、図５において、図中奥行き方向又は手前方向の部材に関しては、破線で示している。
【００６１】
図４乃至図６に示されるように、半導体基板１０内に、素子分離領域ＳＴＩが設けられている。素子分離領域ＳＴＩ内に、素子分離絶縁膜が埋め込まれている。素子分離領域ＳＴＩによって、１つの半導体領域（アクティブ領域）ＡＡＣが、半導体基板１０内に定義される。
【００６２】
半導体領域ＡＡＣは、所定の不純物濃度に設定されたｐ型又はｎ型のウェル領域、或いは、ウェル領域が設けられていない半導体基板（例えば、ｐ型シリコン基板）である。
【００６３】
本実施形態の半導体装置において、１つの半導体領域ＡＡＣ内に、２以上のキャパシタＣｍ，Ｃｎが設けられている。共通の半導体領域ＡＡＣ内の複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎは、１つのキャパシタ群ＧＡを形成している。以下では、キャパシタ群ＧＡが設けられる半導体領域のことを、キャパシタ形成領域ともよぶこともある。
【００６４】
キャパシタＣｍ，Ｃｎは、ＭＯＳキャパシタである。各キャパシタＣｍ，Ｃｎは、半導体領域ＡＡＣ表面上のゲート絶縁膜４２Ａ、絶縁膜４２Ａ上のゲート電極３４Ａｎ，３４Ａｍを有する。以下では、キャパシタＣｍ，Ｃｎの構成部材としてのゲート絶縁膜４２Ａのことを、キャパシタ絶縁膜４２Ａとよぶ。また、キャパシタＣｍ，Ｃｎの構成要素としてのゲート電極３４Ａｍ，３４Ａｎのことを、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎとよぶ。ＭＯＳキャパシタＣｍ，Ｃｎがｐ型ウェル領域又はｐ型半導体基板上に形成される場合、ＭＯＳキャパシタの駆動時（キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎに正の電圧が印加された時）に、キャパシタ電極３４Ａｎ，３４Ａｍの下方に、チャネルが形成される。
【００６５】
キャパシタＣのキャパシタ絶縁膜４２Ａは、例えば、半導体領域ＡＡＣの電位に対して１５Ｖ以上の電位差に耐えられるように、メモリセルトランジスタＭＴよりも大きい膜厚を有する。キャパシタ絶縁膜４２Ａは、例えば、ＭＯＳトランジスタＱ３のゲート絶縁膜４２と同時に形成される。この場合、キャパシタ絶縁膜４２Ａは、ＭＯＳトランジスタＱ３のゲート絶縁膜４２の膜厚と同じ厚さを有する。また、キャパシタ絶縁膜４２Ａの材料は、例えば、ＭＯＳトランジスタＱ３のゲート絶縁膜４２の材料と同じである。但し、キャパシタ絶縁膜４２Ａは、ゲート絶縁膜４２と異なる工程で形成されてもよい。それゆえ、キャパシタ絶縁膜４２Ａの膜厚又は材料は、トランジスタのゲート絶縁膜４２Ａの膜厚材料と異なってもよい。また、キャパシタ絶縁膜４２Ａは、積層構造を有していてもよい。
【００６６】
キャパシタＣｍ，Ｃｎのキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎは、例えば、メモリセルトランジスタＭＴの積層構造のゲート電極と実質的に同時に形成される。それゆえ、各キャパシタＣｍ，Ｃｎの電極３４Ａｍ，３４Ａｎは、第１導電層４３Ａ、第２導電層４５Ａ、及び、２つの導電層４３Ａ，４５Ａに挟まれたゲート間絶縁膜４４Ａを有している。そして、ＭＯＳトランジスタＱ３と同様に、ゲート間絶縁膜４４Ａは、例えば、貫通孔を有し、第２導電層４５Ａの底部は、その貫通孔を経由して第１導電層４３Ａの上部に接触している。
【００６７】
キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎは、１つの半導体領域（キャパシタ形成領域）ＡＡＣ内で、互いに隣接している。
【００６８】
各キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎ上に、コンタクトプラグＣＰＥｎ，ＣＰＥｍが設けられる。１つのキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎに接続されるコンタクトプラグＣＰＥｍ，ＣＰＥｎの個数は、１つ以上であればよい。
【００６９】
コンタクトプラグＣＰＥｍ，ＣＰＥｎを介して、金属配線層２９ｍ，２９ｎがキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎに接続される。金属配線層２９ｍ，２９ｎは、キャパシタＣｍ，Ｃｎ毎に電気的に分離して設けられている。それゆえ、各キャパシタＣｍ，Ｃｎのキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎの電位は、それぞれ個別に制御される。例えば、キャパシタ群ＧＡを含む回路が動作している間において、異なる大きさの電位Ｖｍ，Ｖｎが、各金属配線層２９ｍ，２９ｎから各キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎに、それぞれ印加される。
【００７０】
半導体領域ＡＡＣの表層に、拡散層３２Ａが設けられる。拡散層３２Ａは、例えば、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎの周囲を取り囲むように、半導体領域（キャパシタ形成領域）ＡＡＣ内に設けられている。拡散層３２Ａは、キャパシタ形成領域ＡＡＣ内で連続している。拡散層３２Ａは、共通の半導体領域ＡＡＣ内の複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎによって、共有されている。拡散層３２Ａは、例えば、トランジスタＭＴ，Ｑ１，Ｑ３のソース／ドレイン拡散層３２と同時に形成される。この場合、キャパシタ形成領域ＡＡＣ内の拡散層３２Ａの不純物濃度は、例えば、ソース／ドレイン拡散層３２の不純物濃度と同じである。
【００７１】
キャパシタ形成領域ＡＡＣ内の拡散層３２上に、少なくとも１つのコンタクトプラグＣＰＡが設けられる。コンタクトプラグＣＰＡを介して、拡散層３２Ａに電位Ｖａａが印加される。
【００７２】
本実施形態において、１つの半導体領域ＡＡＣ内に設けられた複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎにおいて、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎの一端（基板又はウェル）の電位レベルは、拡散層３２Ａに印加された電位Ｖａａによって、共通に制御される。すなわち、ＭＯＳキャパシタの駆動時に、キャパシタ電極３４ｍ，３４ｎの下方に、チャネルが形成されるため、このチャネルを介して、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎの一端の電位レベルが共通に制御される。また、半導体領域ＡＡＣ内に設けられた複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎにおいて、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎの他端（キャパシタ電極）の電位レベルは、互いに分離されている金属配線層２９Ａ，２９Ｂに印加された電位Ｖｍ，Ｖｎによって、それぞれ独立して制御される。なお、半導体領域ＡＡＣには、動作の安定化のため、例えば、グランド電位（０Ｖ）が印加される。
【００７３】
例えば、キャパシタＣｍ，Ｃｎは、メモリセルトランジスタ及びＭＯＳトランジスタと共通の製造工程で、実質的に同時に形成される。これによって、製造工程を増加させることなく、キャパシタＣｍ，Ｃｎを形成できる。
【００７４】
図３乃至図５に示されるキャパシタＣｍ，Ｃｎは、例えば、チャージポンプ回路６に用いられる。
【００７５】
以上のように、本実施形態の半導体装置において、共通の半導体領域ＡＡＣ内に、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎが設けられている。本実施形態において、共通の半導体領域ＡＡＣ内に設けられる複数のキャパシタＣｎ，Ｃｍは、キャパシタの一端としての拡散層３２Ａの電位が共通に制御される。
【００７６】
キャパシタの一端としての拡散層３２Ａの電位レベルが、キャパシタ群ＧＡ毎に異なる電位で制御される場合、動作の安定化のため、各キャパシタ群ＧＡがそれぞれ電気的に分離される必要がある。そのため、素子分離絶縁膜に囲まれた１つの半導体領域内に、１つのキャパシタ群ＧＡが設けられる。
【００７７】
さらに、あるキャパシタ（ＭＯＳキャパシタ）の駆動時に、キャパシタ電極の下方に形成されるチャネルが、素子分離絶縁膜の底部を経由して、隣接するキャパシタの半導体領域に延在する場合がある。このチャネルの広がりは、隣接するキャパシタの駆動状態に応じて、隣接するキャパシタの動作不良を引き起こす可能性がある。これを抑制するために、互いに隣接するキャパシタの形成領域において、半導体基板表面に対して平行方向における素子分離領域の寸法が大きくされる。さらに、素子分離領域内の素子分離絶縁膜の底部に、チャネルストッパ（ウェル領域３６，３７）が形成される。このチャネルストッパを形成するためのマージンを確保するために、素子分離絶縁領域（素子分離絶縁膜）の寸法がさらに大きくなってしまう。
【００７８】
本実施形態の半導体装置は、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎが、共通の半導体領域ＡＡＣ内に設けられている。共通の半導体領域ＡＡＣに設けられた複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎは、拡散層３２Ａに電位が印加されることによって、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎの一端の電位レベルが共通に制御される。
【００７９】
１つの半導体領域ＡＡＣに設けられた複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎにおいて、各キャパシタＣｍ，Ｃｎの駆動時、すなわち、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎ下方にチャネル（反転層）が形成されている時、キャパシタＣｍ，Ｃｎの一端としての拡散層３２Ａは、チャネルによって共通の電位レベルで制御されることになる。半導体領域ＡＡＣにおいて、チャネルはキャパシタ絶縁膜４２Ａの直下に形成され、このチャネルの下方に空乏層が形成される。しかし、空乏層の容量は、キャパシタ絶縁膜４２の容量（キャパシタ電極３４Ａ、キャパシタ絶縁膜４２Ａ及びチャネルによって形成されるキャパシタの容量）に比較して、無視できるほど小さい。その結果として、１つの半導体領域ＡＡＣ内に複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎが設けられたとしても、１つの半導体領域ＡＡＣ内で互いに隣接するキャパシタＣｍ，Ｃｎに対する空乏層の悪影響は、ほとんど生じない。
【００８０】
このように、本実施形態の半導体装置のように、一端の電位レベルが共通に制御される複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎが、共通の半導体領域ＡＡＣ内に設けられたとしても、キャパシタＣｍ，Ｃｎ及びそれらのキャパシタを含むキャパシタ群ＧＡの動作特性の劣化は、実質的に生じない。
【００８１】
一方、１つの半導体領域ＡＡＣ内に形成されたキャパシタＣｍ，Ｃｎのキャパシタ電極３４ｍ，３４ｎの電位は、それぞれ個別に制御される。すなわち、キャパシタＣｍ，Ｃｎ毎に、キャパシタ電極３４ｍ，３４ｎを電気的に分離して設ける必要がある。しかし、各キャパシタＣｍ，Ｃｎの駆動時において、それぞれのキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎに、異なる電位が印加されているものの、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎ間の電位差（最大で５Ｖ程度にすることが可能）は、キャパシタＣｍ，Ｃｎの配列によって比較的小さくできる。つまり、それぞれのキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎの距離（０．２〜１．０μｍ程度）は、２つの半導体領域ＡＡＣ間を分離する素子分離領域の幅（２〜５μｍ程度）よりもかなり小さくできる。
【００８２】
それゆえ、一端（半導体領域）の電位レベルの制御が共通なキャパシタＣｍ，Ｃｎであれば、動作特性の劣化なしに、かつ、素子分離領域による電気的な分離なしに、複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎを共通の半導体領域ＡＡＣ内に設けることができる。
したがって、キャパシタを電気的に分離するための素子分離領域の占有面積を削減できる。
【００８３】
以上のように、第１の実施形態の半導体装置によれば、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【００８４】
（ｂ） 電圧発生回路内のチャージポンプ回路の構成
図７乃至図１２を用いて、１つの半導体領域ＡＡＣ内に設けられる複数のキャパシタが電圧発生回路４のチャージポンプ回路６に適用された例について説明する。
【００８５】
＜回路構成＞
図７を用いて、電圧発生回路４のチャージポンプ回路６の回路構成について説明する。図７は、チャージポンプ回路６の一例を示す等価回路図である。
【００８６】
図７に示されるように、チャージポンプ回路６は、９個のｎチャネルＭＯＳトランジスタＴＲ１〜ＴＲ９と、８個のキャパシタＣ１〜Ｃ８を有している。なお、ＭＯＳトランジスタ及びキャパシタの個数は本例に限定されるものでは無く、キャパシタが３個以上あればよい。また以下では、ＭＯＳトランジスタＴＲ１〜ＴＲ９及びキャパシタＣ１〜Ｃ８を区別しない場合には、単にＭＯＳトランジスタＴＲ及びキャパシタＣとよぶことがある。
【００８７】
ＭＯＳトランジスタＴＲ１は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され、さらに電源電位Ｖｄｄに接続されている。
【００８８】
ＭＯＳトランジスタＴＲ２は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードをノードＮ１とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ１のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００８９】
ＭＯＳトランジスタＴＲ３は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードをノードＮ２とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ２のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９０】
ＭＯＳトランジスタＴＲ４は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードをノードＮ４とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ３のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９１】
ＭＯＳトランジスタＴＲ５は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードをノードＮ５とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ４のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９２】
ＭＯＳトランジスタＴＲ６は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードをノードＮ６とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ５のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９３】
ＭＯＳトランジスタＴＲ７は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードをノードＮ７とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ６のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９４】
ＭＯＳトランジスタＴＲ８は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、接続ノードをノードＮ８とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ７のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９５】
ＭＯＳトランジスタＴＲ９は、ソース及びドレインのいずれか一方がゲートに接続され（以下では、この接続ノードを以下ノードＮ８とよぶ）、さらにＭＯＳトランジスタＴＲ８のソース及びドレインのいずれか他方に接続されている。
【００９６】
そして、ＭＯＳトランジスタＴＲ９のソース及びドレインのいずれか他方のノード（以下では、この接続ノードをノードＮ９とよぶ）が、出力電圧Ｖｏｕｔの出力ノードとなる。
【００９７】
以上のように、ＭＯＳトランジスタＴＲは、ソース及びドレインのいずれか一方がアノードとして機能し、いずれか他方がカソードとして機能する整流素子として動作する。即ち、チャージポンプ回路６内のＭＯＳトランジスタＴＲは、ダイオード接続されたＭＯＳトランジスタである。
【００９８】
キャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の一方の電極（半導体領域）は制御信号（クロック）φ２の信号線に共通に接続される。キャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の他方の電極（キャパシタ電極）はノードＮ１，Ｎ３，Ｎ５，Ｎ７にそれぞれ接続される。キャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の一方の電極（半導体領域）は制御信号（クロック）／φ２の信号線に接続される。キャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の他方の電極（キャパシタ電極）はノードＮ２，Ｎ４，Ｎ６，Ｎ８にそれぞれ接続される。図８に示されるように、クロック／φ２は、クロックφ２の反転信号である。
【００９９】
チャージポンプ回路６は、直列接続された複数の整流素子を含み、偶数段の整流素子（ＭＯＳトランジスタＴＲ２、ＴＲ４、ＴＲ６、…）の入力ノードには、キャパシタＣｊ（ｊ＝１、３、５、…）を介してクロックφ２が入力される。他方、３段目以降の奇数段の整流素子（ＭＯＳトランジスタＴＲ３、ＴＲ５、…）の入力ノードには、キャパシタＣ（ｊ＋１）を介してクロック／φ２が入力される。
【０１００】
図８に示されるように、クロックφ２とクロック／φ２とは、共に電圧ＶｃｃとＧＮＤを取り得るクロック信号である。そして、制御信号としてのクロックφ２，／φ２は、互いに発生タイミングが重ならないように電圧Ｖｃｃが発生される２相クロックである。これは、直列接続されたＭＯＳトランジスタＴＲ１〜ＴＲ９において、隣接するＭＯＳトランジスタＴＲ間の導通状態を遮断する時間を設けるためである。これにより、ノードＮ９からノードＮ１へ向かって電荷が逆流することを防止できる。
【０１０１】
電圧Ｖｃｃとして３Ｖ〜１０Ｖの電圧を使用することにより、出力電圧Ｖｏｕｔとして１０Ｖ以上の高電圧が得られる。この出力電圧Ｖｏｕｔが、例えば、電圧ＶＰＧＭや電圧ＶＰＡＳＳとして用いられる。なお、以下において、Ｖｔｈ１、Ｖｔｈ２、…Ｖｔｈｉ（ｉは１〜９の整数）は、それぞれＭＯＳトランジスタＴＲｉのしきい値電圧である。また電源電圧Ｖｄｄは、例えば、１Ｖ〜５Ｖである。電源インピーダンスを低減し、出力電圧の変動を抑制するため、チャージポンプ回路の電源電圧Ｖｄｄは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１における電源電圧と一致させることが望ましい。
【０１０２】
図７に示されるチャージポンプ回路６において、クロックφ２が入力される複数のキャパシタＣｊ（ｊ＝１、３、５、…）のことを、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄとよび、クロック／φ２が入力されるキャパシタＣ（ｊ＋１）のことを、偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎとよぶ。
【０１０３】
図９乃至図１１を用いて、図７に示されるチャージポンプ回路６内のキャパシタＣの構造について説明する。図９は、キャパシタ形成領域の平面レイアウトを示している。図１０は、図９のＸ−Ｘ線に沿う断面を模式的に示している。図１１は、図９のＸＩＡ−ＸＩＡ線及び図９のＸＩＢ−ＸＩＢ線に沿う断面を模式的に示している。尚、図１０及び図１１において、層間絶縁膜の図示は省略する。また、図１１において、コンタクトプラグ及び配線層の詳細な図示は、省略している。
【０１０４】
図９乃至図１１に示されるように、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄと偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎは、例えば、半導体基板（例えば、ｐ型シリコン基板）１０内の半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内に設けられる。半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内に、例えば、ｐ型ウェル領域５１ｐ−ｅ，５１ｐ−ｏが設けられている。なお、ｐ型ウェル領域５１ｐ−ｅ，５１ｐ−ｏは、図５及び図６に示されるように、省略されてもよい。
【０１０５】
拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂは、各キャパシタ群Ｇｏｄｄ，Ｇｅｖｅｎの複数のキャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８をそれぞれ取り囲むように、半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内に設けられている。各半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内の拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂは、各キャパシタ群Ｇｏｄｄ，ＧｅｖｅｎのキャパシタＣ１〜Ｃ８によって、それぞれ共有される。拡散層３２Ａ−Ａは、半導体領域ＡＡＣ−ｏ内で連続している。拡散層３２Ａ−Ｂは、半導体領域ＡＡＣ−ｅ内で連続している。
【０１０６】
クロックφ２，／φ２は、それぞれ半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内に設けられたコンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅを経由して、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄ及び偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎの拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂにそれぞれ印加される。
【０１０７】
クロックφ２，／φ２は、図８に示されるような電圧Ｖｃｃの発生タイミングが互いに異なる制御信号である。つまり、２つのウェル領域５１ｐ−ｅ，５１ｐ−ｏの電位レベルは、それぞれ異なったタイミングで制御される。それゆえ、２つの拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂは、素子分離領域ＳＴＩによって互いに電気的に分離されている。
【０１０８】
奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄ（Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７）は、拡散層３２Ａ−Ａにクロックφ２が印加されるｐ型ウェル領域５１ｐ−ｏ内に、配置されている。偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎ（Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８）は、拡散層３２Ａ−Ｂにクロック／φ２が印加されるｐ型ウェル領域５１ｐ−ｅ内に、配置されている。このように、各キャパシタ群Ｇｏｄｄ，Ｇｅｖｅｎは、互いに電気的に分離された半導体領域（ウェル領域）ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内に、それぞれ設けられている。
【０１０９】
奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄは、キャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の駆動時に、それぞれのキャパシタ電極３４Ａ１，３４Ａ３，３４Ａ５，３４Ａ７の下方にチャネルが形成される。また、偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎは、キャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の駆動時に、それぞれのキャパシタ電極３４Ａ２，３４Ａ４，３４Ａ６，３４Ａ８の下方にチャネルが形成される。
【０１１０】
図９に示される平面図において、それぞれのキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の拡散層３２Ａ−Ａは、キャパシタ電極３４Ａ１，３４Ａ３，３４Ａ５，３４Ａ７の周囲に連続して形成されているため、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄの駆動時以外においても、拡散層３２Ａ−Ａは電気的に共通に接続されている。これと同様に、キャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の拡散層３２Ａ−Ｂは、キャパシタ電極３４Ａ２，３４Ａ４，３４Ａ６，３４Ａ８の周囲に連続して形成されているため、偶数段目のキャパシタ群の駆動時以外においても、拡散層３２Ａ−Ｂは電気的に共通に接続されている。しかし、それぞれのキャパシタＣ１〜Ｃ８の拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂは、半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内において連続せずに、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８によって、分離されていてもよい。これは、奇数段目のキャパシタ群ＧｏｄｄのキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の駆動時において、分離された（連続していない）拡散層３２Ａ−Ａが、チャネルによって電気的に接続されるからである。これと同様に、偶数段目のキャパシタ群ＧｅｖｅｎのキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８において、分離された複数の拡散層３２Ａ−Ｂは、形成されたチャネルによって、共通接続される。
【０１１１】
コンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅは、ｐ型ウェル領域５１ｐ−ｏ，５１ｐ−ｅ内の拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂに、それぞれ電気的に接続されている。これによって、コンタクトプラグＣＰＡ−ｏを経由して、キャパシタ群Ｇｏｄｄ内の複数のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の一端に、クロックφ２が共通に印加される。また、コンタクトプラグＣＰＡ−ｅを経由して、キャパシタ群Ｇｅｖｅｎ内の複数のキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の一端に、クロック／φ２が共通に印加される。
【０１１２】
図９において、２つのコンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅが、１つの半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内にそれぞれ設けられている。そして、コンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅは、１つのキャパシタ群のキャパシタが隣接する方向の一端及び他端に、１つずつ配置されている。しかし、半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅに対するコンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅの個数及びレイアウトは、これに限定されない。
【０１１３】
キャパシタＣ１のキャパシタ電極３４Ａ１上に、コンタクトプラグＣＰＥ１が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ１は、上層の金属配線層２９１に接続される。キャパシタ電極３４Ａ１は、配線層２９１を経由して、トランジスタＴＲ２のノードＮ１に接続される。
【０１１４】
キャパシタＣ２のキャパシタ電極３４Ａ２上に、コンタクトプラグＣＰＥ２が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ２は、上層の配線層２９２に接続される。キャパシタ電極３４Ａ２は、配線層２９２を経由して、トランジスタＴＲ２のノードＮ２に接続される。
【０１１５】
キャパシタＣ３のキャパシタ電極３４Ａ３上に、コンタクトプラグＣＰＥ３が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ３は、上層の配線層２９３に接続される。キャパシタ電極３４Ａ３は、配線層２９３を経由して、トランジスタＴＲ３のノードＮ３に接続される。
【０１１６】
キャパシタＣ４のキャパシタ電極３４Ａ４上に、コンタクトプラグＣＰＥ４が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ４は、上層の配線層２９４に接続される。キャパシタ電極３４Ａ４は、配線層２９４を経由して、トランジスタＴＲ４のノードＮ４に接続される。
【０１１７】
キャパシタＣ５のキャパシタ電極３４Ａ５上に、コンタクトプラグＣＰＥ５が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ５は、上層の配線層２９５に接続される。キャパシタ電極３４Ａ５は、配線層２９５を経由して、トランジスタＴＲ５のノードＮ５に接続される。
【０１１８】
キャパシタＣ６のキャパシタ電極３４Ａ６上に、コンタクトプラグＣＰＥ６が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ６は、上層の配線層２９６に接続される。キャパシタ電極３４Ａ６は、配線層２９６を経由して、トランジスタＴＲ６のノードＮ６に接続される。
【０１１９】
キャパシタＣ７のキャパシタ電極３４Ａ７上に、コンタクトプラグＣＰＥ７が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ７は、上層の配線層２９７に接続される。キャパシタ電極３４Ａ７は、配線層２９７を経由して、トランジスタＴＲ７のノードＮ７に接続される。
【０１２０】
キャパシタＣ８のキャパシタ電極３４Ａ８上に、コンタクトプラグＣＰＥ８が設けられる。コンタクトプラグＣＰＥ８は、上層の配線層２９８に接続される。キャパシタ電極３４Ａ８は、配線層２９８を経由して、トランジスタＴＲ８のノードＮ８に接続される。
【０１２１】
このように、各キャパシタＣ１〜Ｃ８の他端は、トランジスタＴＲ１〜ＴＲ８のノードＮ１〜Ｎ８に、それぞれ接続される。
【０１２２】
キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８に接続された金属配線層２９１〜２９７のそれぞれは、互いに電気的に分離されている。そして、各キャパシタＣ１〜Ｃ８のキャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８は、異なるトランジスタＴＲ２〜ＴＲ９のノードＮ１〜Ｎ８にそれぞれ接続される。
【０１２３】
後述のように、ノードＮ１〜Ｎ８の電位レベルは、あるトランジスタより１つ前段のトランジスタ及びキャパシタによって昇圧された大きさを有する。すなわち、各ノードＮ１〜Ｎ９の電位レベルは、前段と後段とでそれぞれ異なる値を示し、出力側（トランジスタＴＲ９側）になるほど大きな電圧（電位）になる。それゆえ、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８には、互いに電気的に分離されている配線２９１〜２９７を経由して、異なる大きさの電位Ｖ１〜Ｖ８が印加される。キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８に印加される電位Ｖ１〜Ｖ８も、出力側になるにしたがって、大きくなる。
【０１２４】
ノードＮ１〜Ｎ８にそれぞれ接続されたキャパシタＣ１〜Ｃ８において、ノードＮ１〜Ｎ８に電位Ｖ１〜Ｖ８が印加されている間、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８の下方のウェル領域５１ｐ−ｏ，５１ｐ−ｅ内に、チャネル９０がそれぞれ形成される。
【０１２５】
キャパシタ群Ｇｏｄｄ，Ｇｅｖｅｎのそれぞれにおいて、互いに隣接するキャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８間の間隔は、素子分離領域ＳＴＩの幅方向の寸法よりも小さい。
【０１２６】
素子分離絶縁膜ＳＴＩの底部には、チャネルストッパ３７，３６が設けられている。これによって、チャネルが、素子分離絶縁膜ＳＴＩの底部を経由して、クロックφ２が印加される半導体領域ＡＡＣ−ｏとクロック／φ２が印加される半導体領域ＡＡＣ−ｅとの間にまたがって形成されることが、防止される。
【０１２７】
＜動作＞
図７乃至図１２を参照して、チャージポンプ回路６の動作について、説明する。図１１及び図１２は、図７のチャージポンプ回路６の動作時におけるキャパシタＣ１〜Ｃ８の状態を模式的に示す断面図である。
【０１２８】
まず、クロックφ２の電位がＧＮＤ（例えば、０Ｖ）で、ＭＯＳトランジスタＴＲ２が非導通状態の場合を考える。この状態は、図１１に示される。この時、ＭＯＳトランジスタＴＲ１が導通状態とすることにより、ノードＮ１は、電源電圧ＶｄｄからＭＯＳトランジスタＴＲ１のしきい値電圧Ｖｔｈ１の低下分、すなわち、（Ｖｄｄ−Ｖｔｈ１）まで充電される。この際、ノードＮ１に接続されたキャパシタＣ１において、そのキャパシタ電極３４Ａ１に、ノードＮ１の電位（Ｖｄｄ−Ｖｔｈ１）（＝Ｖ１）が印加され、拡散層３２Ａ−Ａに、０Ｖが印加されている。図１１に示されるように、第１段目（奇数段目）のキャパシタＣ１のキャパシタ電極３４Ａ１の下方に、チャネル９０が形成される。
【０１２９】
クロックφ２がＧＮＤからＶｃｃ（例えば、４Ｖ）まで上昇する、即ち、ウェル領域５９ｐ−ｏの電位レベルが０Ｖから４Ｖになる。クロックφ２は、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄ内のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の一端の電位レベルを制御する信号である。本実施形態のチャージポンプ回路６のキャパシタＣ１〜Ｃ８において、奇数段目の複数のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７は、共通の拡散層３２Ａ−Ａを有している。そのため、複数のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の一端に、４Ｖの電位が共通に印加される。
【０１３０】
Ｖｃｃの印加に起因するキャパシタＣ１の容量結合によって、ノードＮ１の電位Ｖ１はαＶｃｃ（〜４Ｖ程度）だけ上昇する。その結果、ノードＮ１の電位Ｖ１は最大で（Ｖｄｄ−Ｖｔｈ１＋αＶｃｃ）（＝Ｖ１）まで上昇する。例えば、ノードＮ１における電圧の振幅は、キャパシタＣ１とＭＯＳトランジスタＴＲ１，ＴＲ２との容量分配によって、αＶｃｃに低下する。なお、αはブートストラップ比に相当する値であり、例えば、０．７〜１の値である。
【０１３１】
この期間においても、奇数段目のキャパシタ群ＧｏｄｄのキャパシタＣ１のキャパシタ電極３４Ａ１の下方に、チャネル９０が形成される。チャネル９０の形成に伴って、キャパシタＣ１のキャパシタ電極３４Ａ１の下方（チャネル９０の直下の領域）において、ウェル領域（半導体領域）５１ｐ−ｏ内に空乏層が形成される。そのため、空乏層容量と酸化膜容量との直列容量が、キャパシタＣ１の特性（例えば、静電容量）を劣化させることはない。
【０１３２】
また、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄ及び偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎは素子分離領域ＳＴＩによって電気的に分離されているため、キャパシタＣ１の空乏層が、偶数段目のキャパシタ群ＧｅｖｅｎのキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８に悪影響を及ぼすこともない。
【０１３３】
なお、クロックφ２がＧＮＤからＶｃｃまで上昇する間、クロック／φ２は、ＶｃｃからＧＮＤへ降下する。偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎが設けられたウェル領域５９ｐ−ｏの電位レベルが、４Ｖから０Ｖになる。ノードＮ１の電位Ｖ１が上昇している間、偶数段目の複数のキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の一端のそれぞれに、０Ｖが印加されている。
【０１３４】
チャージポンプ回路の駆動時において、キャパシタＣ１の空乏層容量が、偶数段目のキャパシタ群ＧｅｖｅｎのキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の動作（ウェル領域５１ｐ−ｅの電位）に、悪影響を及ぼす可能性がある。また、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄの拡散層３２Ａ−Ａと偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎの拡散層３２Ａ−Ｂとが、素子分離絶縁膜を用いずに、不純物領域（例えば、高濃度のｐ型不純物層）によって電気的に分離された場合を想定する。この場合、動作の安定化のため、高濃度の不純物層にグランド電位が印加されるので、拡散層３２Ａ−Ａと不純物層との電位差、又は、拡散層３２Ａ−Ｂと不純物層との電位差によって、パンチスルーによるリーク電流が発生してしまう。さらに、高濃度のｐ型不純物層の影響によって、ＭＯＳキャパシタにチャネルが形成されにくくなる。これらの結果として、チャージポンプ回路６が、所定の動作を実行できないおそれがある。
そのため、例えば、高濃度のｐ型不純物層の形成などの不純物領域による電気的な分離ではなく、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄと偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎとがそれぞれ設けられたウェル領域（拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂ）は、素子分離領域ＳＴＩによって電気的に分離される必要がある。
【０１３５】
次に、クロックφ２がＶｃｃである期間内に、ＭＯＳトランジスタＴＲ２が導通状態となる。クロック／φ２はＧＮＤであるため、キャパシタＣ１の次段（偶数段目）のキャパシタＣ２の一端に、０Ｖが印加されている。この場合、奇数段目のキャパシタＣ１が高電位側、偶数段目のキャパシタＣ２が低電位側になる。これによって、導通状態のＭＯＳトランジスタＴＲ２を経由して、電荷の移動が、２つのキャパシタＣ１，Ｃ２間で生じる。その結果として、ノードＮ２の電位Ｖ２が｛（ノードＮ１の電位Ｖ１）−Ｖｔｈ２｝に上昇するまで、ノードＮ１の電位Ｖ１がノードＮ２へ転送される。そして、ノードＮ２の電位Ｖ２は、ほぼ｛（Ｖｄｄ−Ｖｔｈ１＋αＶｃｃ）−Ｖｔｈ２｝まで上昇する。ノードＮ２に接続されたキャパシタＣ２において、そのキャパシタ電極３４Ａ２に、｛（Ｖｄｄ−Ｖｔｈ１＋αＶｃｃ）−Ｖｔｈ２｝が印加される。図１１に示されるように、ノードＮ２の電位Ｖ２によって、キャパシタ電極３４Ａ２の下方に、チャネル９０が形成される。
【０１３６】
次に、図１２に示されるように、φ２がＧＮＤとなり、ＭＯＳトランジスタＴＲ２が非導通状態となる。さらに、／φ２がＧＮＤ（０Ｖ）からＶｃｃ（４Ｖ）に上昇する。この際、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄの拡散層３２Ａ−Ａの電位レベルは０Ｖになり、偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎの拡散層３２Ａ−Ｂの電位レベルは、０Ｖから４Ｖになる。
【０１３７】
ノードＮ１の場合と同様に、キャパシタＣ２の容量結合によって、ノードＮ２の電位Ｖ２がαＶｃｃだけ上昇する。その結果、ノードＮ２の電位Ｖ２は、ほぼ｛（Ｖｄｄ−Ｖｔｈ１＋αＶｃｃ）−Ｖｔｈ２｝＋αＶｃｃまで上昇する。
【０１３８】
なお、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄ及び偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎは素子分離領域ＳＴＩによって電気的に分離されているため、キャパシタＣ２の空乏層が、奇数段目のキャパシタ群ＧｏｄｄのキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７に悪影響を及ぼすことはない。
【０１３９】
引き続き、クロック／φ２が４Ｖである期間内に、ＭＯＳトランジスタＴＲ３が導通状態となる。クロック／φ２が４Ｖである期間において、クロックφ２は０Ｖである。それゆえ、奇数段目の複数のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の一端（ウェル領域５１ｐ−ｏ）に、０Ｖが印加されている。トランジスタＴＲ３を経由したキャパシタＣ２とキャパシタＣ３との間の電荷の移動によって、ノードＮ３の電位Ｖ３が｛（ノードＮ２の電位）−Ｖｔｈ３｝に上昇するまで、ノードＮ２の電圧Ｖ２がノードＮ３へ転送される。ノードＮ３に接続されたキャパシタＣ３において、そのキャパシタ電極３４Ａ３に、ノードＮ３の電位Ｖ３が印加される。ノードＮ３の電位Ｖ３の大きさに応じて、キャパシタＣ３のキャパシタ電極３４Ａ３下に、チャネル９０が形成される。
【０１４０】
以上の電荷転送が交互に繰り返されることにより、ノードＮ９まで昇圧が行われる。
【０１４１】
すなわち、クロック/φ２がＶｃｃである期間において、奇数段目のＭＯＳトランジスタＴＲ１，ＴＲ３，ＴＲ５，ＴＲ７，ＴＲ９が導通状態となり、偶数段目のＭＯＳトランジスタＴＲ２，ＴＲ４，ＴＲ６，ＴＲ８が非導通状態となる。
【０１４２】
これによって、電源電位ＶｄｄのノードからノードＮ１へ、ノードＮ２からノードＮ３へ、ノードＮ４からノードＮ５へ、ノードＮ６からノードＮ７へ、ノードＮ８からノードＮ９へ、それぞれ電流が流れ、電荷が転送される。
【０１４３】
また、クロックφ２がＶｃｃである期間において、ＭＯＳトランジスタＴＲ２，ＴＲ４，ＴＲ６，ＴＲ８が導通状態となり、ＭＯＳトランジスタＴＲ１，ＴＲ３，ＴＲ５，ＴＲ７，ＴＲ９が非導通状態となる。これにより、ノードＮ１からノードＮ２へ、ノードＮ３からノードＮ４へ、ノードＮ５からノードＮ６へ、ノードＮ７からノードＮ８へ、それぞれ電流が流れ、電荷が転送される。
【０１４４】
なお、ノードＮ９に、例えば、ワード線等の容量性負荷が電気的に接続されている場合には、その容量によって、出力電圧Ｖｏｕｔが平滑化される。
【０１４５】
チャージポンプ回路６が動作している間、各ノードＮ１〜Ｎ８の電位レベルは、前段のノードの電位より大きい電位になっている。それゆえ、各ノードＮ１〜Ｎ８に接続されたキャパシタのキャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８には、互いに電気的に分離された配線層２９１〜２９８を経由して、それぞれ異なる大きさの電位が印加されている。
【０１４６】
図７に示したチャージポンプ回路６は、ある供給電圧（例えば、Ｖｄｄ）をメモリセルアレイの駆動電圧（例えば、２０Ｖ以上）までに昇圧するために、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８が必要になる。
本実施形態の半導体装置は、半導体領域（ウェル領域）５１ｐ−ｏ，５１ｐ−ｅの電位レベルが共通に制御される複数のキャパシタ（ＭＯＳキャパシタ）が、素子分離領域によって電気的に分離されることなしに、共通の半導体領域（ウェル領域）内に設けられる。このように、素子分離領域の占有面積が削減されることによって、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８及びそれらのキャパシタを用いた回路６の占有面積を小さくできる。また、１つの半導体領域５１ｐ−ｏ，５１ｐ−ｅ内に、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８が設けられたとしても、それらの共通な一端としての半導体領域５１ｐ−ｏ，５１ｐ−ｅの電位レベルが共通に制御される１つのキャパシタ群Ｇｏｄｄ，Ｇｅｖｅｎであれば、それらのキャパシタの動作特性は、ほとんど劣化しない。
【０１４７】
ここで、チャージポンプ回路において、初段のノードＮ１から最終段のノードＮ８になるにしたがって、印加される電圧が大きくなっている。但し、近接するノードであれば、ノード間の電圧差は比較的小さい。それゆえ、共通の半導体領域内に配置される複数のキャパシＣ１〜Ｃ８において、キャパシタ電極間の電位差が小さいキャパシタが隣接されることによって、電極間の間隔を大きくしなくとも、２つのキャパシタ電極間に埋め込まれた層間絶縁膜の絶縁破壊や相互干渉を抑制できる。その結果として、キャパシタが形成される領域の占有面積を小さくできる。
【０１４８】
例えば、図９に示されるように、キャパシタＣ１とキャパシタＣ３とが隣接するように配置されることによって、キャパシタ電極３４Ａ１とキャパシタ電極３４Ａ３とが隣接している。キャパシタ電極３４Ａ１とキャパシタ電極３４３との電位差は比較的小さいため、キャパシタ電極３４Ａ１とキャパシタ電極３４３との間隔を、小さくできる。
【０１４９】
また、素子分離絶縁膜を挟んだキャパシタも近接するノードに接続されるキャパシタを配置することが好ましい。その結果として、キャパシタ電極に接続される配線間の電位差が小さくなり、配線間のリークを減らすことができる。
【０１５０】
以上のように、第１の実施形態の半導体装置によれば、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【０１５１】
（２） 第２の実施形態
図１３を用いて、第２の実施形態の半導体装置（例えば、フラッシュメモリ）について、説明する。
【０１５２】
第１の実施形態において、複数のキャパシタが設けられる半導体領域が、ｐ型ウェル領域又はｐ型半導体基板である場合について、説明した。
【０１５３】
図１３に示すように、第２の実施形態において、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８は、ｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｎ−ｅ内に、それぞれ設けられてもよい。
【０１５４】
１つのｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ内の複数のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の一端（拡散層３２Ａ−Ａ）の電位が、共通の電位レベル（制御信号）φ２で制御される。
【０１５５】
これと同様に、１つのｎ型ウェル領域５１ｎ−ｅ内の複数のキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８の一端（拡散層３２Ａ−Ｂ）の電位が、共通の電位レベル（制御信号）／φ２で制御される。
【０１５６】
一端が共通の電位レベルでそれぞれ制御されるキャパシタＣ１〜Ｃ８が、ｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｎ−ｅ内にそれぞれ設けられた場合においても、第１の実施形態と同様に、チップ内におけるキャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【０１５７】
キャパシタＣ１〜Ｃ８がｐ型ウェル領域又はｐ型半導体基板上に設けられた場合、上述のように、キャパシタ電極３４下におけるチャネル（反転層）の形成に伴って、空乏層容量が生じる。
【０１５８】
本実施形態のように、ｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ内に形成される奇数段目のキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７は、ｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏの電位レベルが共通に制御されていれば、キャパシタの駆動時に、キャパシタ電極３４Ａ１，３４Ａ３，３４Ａ５，３４Ａ７下方にチャネルが形成されなくともよい。ｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ内に形成される偶数段目のキャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８も、これと同様である。また、キャパシタＣ１〜Ｃ８は、ｎ型ウェル５１ｎ、キャパシタ電極３４Ａ及びキャパシタ絶縁膜４２Ａとから形成されるともいうことができる。
【０１５９】
それゆえ、第２の実施形態のように、キャパシタＣ１〜Ｃ８がｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｎ−ｅ内に形成されることによって、空乏層容量に起因するチャージポンプ回路の動作特性の劣化を回避できる。
【０１６０】
なお、キャパシタＣ１〜Ｃ８がｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｐ−ｅ上に形成される場合、キャパシタ電極Ｃ１〜Ｃ８下にチャネルが形成されなくともよいので、拡散層３２Ａ−Ａ，３２Ａ−Ｂは、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８のそれぞれ取り囲むようにウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｐ−ｅ内に設けられなくともよい。但し、コンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅとｎ型ウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｎ−ｅとの接触抵抗を低減するために、拡散層がコンタクトプラグＣＰＡ−ｏ，ＣＰＡ−ｅとウェル領域５１ｎ−ｏ，５１ｎ−ｅとの接合部において設けられていることが好ましい。
【０１６１】
図１３において、奇数段目のキャパシタ群Ｇｏｄｄと偶数段目のキャパシタ群Ｇｅｖｅｎの両方が、ｎ型ウェル領域内に設けられている。但し、いずれか一方のキャパシタ群がｎ型ウェル領域内に設けられ、他方のキャパシタ群がｐ型ウェル領域内に設けられてもよい。
【０１６２】
以上のように、第２の実施形態の半導体装置によれば、第１の実施形態と同様に、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。加えて、第２の実施形態の半導体装置によれば、複数のキャパシタ及びそれらを用いた回路の動作特性を向上できる。
【０１６３】
（３） 第３の実施形態
図１４乃至図１７を参照して、第３の実施形態に係る半導体装置について、説明する。本実施形態において、チャージポンプ回路のキャパシタに入力されるクロックが、３相クロックが使用される。以下では、第１及び第２の実施形態と異なる点について、主に説明する。
【０１６４】
図１４は、第３の実施形態のチャージポンプ回路６の等価回路図である。
図１４に示されるように、本実施形態のチャージポンプ回路６は、ノードＮｊ（ｊ＝１、４、７）に接続されたキャパシタＣｊの一端（半導体領域）に、クロックφ３−１が入力される。また、ノードＮ（ｊ＋１）に接続されたキャパシタＣ（ｊ＋１）の一端（半導体領域）に、クロックφ３−２が入力される。さらに、ノードＮ（ｊ＋２）に接続されたキャパシタＣ（ｊ＋２）の一端（半導体領域）に、クロックφ３−３が入力される。
【０１６５】
図１５は、チャージポンプ回路６に用いられる制御信号（クロック）の波形図を示している。図１５に示されるように、クロックφ３−１〜φ３−３は、互いに位相がずれた波形を有しており、例えば、１２０度ずつ位相がずれている。また、クロックφ３−１〜φ３−３は、立ち上がりエッジにおける傾き（スルーレート）が、立ち下がりエッジにおける傾きよりも小さくされている。つまり、クロックφ３−１〜φ３−３の立ち上がりは立ち下がりよりも遅くされている。
【０１６６】
図１６及び図１７を用いて、第３の実施形態のチャージポンプ回路６内の複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８の構造について、説明する。図１６は、チャージポンプ回路６内の複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８のレイアウトを示す平面図である。図１７は、図１６の各キャパシタ形成領域ＡＡＣ−１，ＡＡＣ−２，ＡＡＣ−３の断面構造を示している。
【０１６７】
図１６に示されるように、互いに位相のずれた３つのクロックφ３−１〜φ３−３に対応するように、３つの半導体領域ＡＡＣ−１，ＡＡＣ−２，ＡＡＣ−３が、半導体基板１０内に設けられている。半導体領域ＡＡＣ−１，ＡＡＣ−２，ＡＡＣ−３は、素子分離領域ＳＴＩによってそれぞれ取り囲まれ、素子分離絶縁膜ＳＴＩによって、互いに電気的に分離されている。半導体領域ＡＡＣ−１内には、キャパシタ群Ｇ１が設けられる。半導体領域ＡＡＣ−２内には、キャパシタ群Ｇ２が設けられる。半導体領域ＡＡＣ−３内には、キャパシタ群Ｇ３が設けられている。
【０１６８】
図１６及び図１７に示されるように、クロックφ３−１は、コンタクトプラグＣＰＡ−１を経由して、半導体領域ＡＡＣ−１内の拡散層３２Ａ−Ａに印加される。クロックφ３−２は、コンタクトプラグＣＰＡ−２を経由して、半導体領域ＡＡＣ−２内の拡散層３２Ａ−Ｂに印加される。これらと同様に、クロックφ３−３は、コンタクトプラグＣＰＡ−３を経由して、半導体領域ＡＡＣ−３内の拡散層３２Ａ−Ｃに印加される。これによって、各キャパシタ群Ｇ１〜Ｇ３のキャパシタＣ１〜Ｃ８の一端に、クロック（電位）φ３−１〜φ３−３がそれぞれ印加される。
【０１６９】
図１６及び図１７に示されるように、クロックφ３−１が入力されるキャパシタ群Ｇ１は、３つキャパシタＣ１，Ｃ４，Ｃ７を含む。キャパシタ群Ｇ１内の３つキャパシタＣ１，Ｃ４，Ｃ７は、１つの半導体領域ＡＡＣ−１内に、設けられる。これによって、３つのキャパシタＣ１，Ｃ４，Ｃ７の一端（拡散層３２Ａ−Ａ）に、クロックφ３−１が供給される。
【０１７０】
クロックφ３−２が入力されるキャパシタ群Ｇ２は、３つキャパシタＣ２，Ｃ５，Ｃ８を含む。キャパシタ群Ｇ２内の３つキャパシタＣ２，Ｃ５，Ｃ８は、１つの半導体領域ＡＡＣ−２内に、設けられる。これによって、３つのキャパシタＣ２，Ｃ５，Ｃ８の一端（拡散層３２Ａ−Ｂ）に、クロックφ３−２が供給される。
【０１７１】
クロックφ３−３が入力されるキャパシタ群Ｇ３は、２つキャパシタＣ３，Ｃ６を含む。キャパシタ群Ｇ３内の３つキャパシタＣ３，Ｃ６は、１つの半導体領域ＡＡＣ−３内に、設けられる。これによって、２つのキャパシタＣ３，Ｃ６の一端（拡散層３２Ａ−Ｃ）に、クロックφ３−３が供給される。
【０１７２】
このように、本実施形態においても、半導体領域に印加されるクロック（制御信号）が共通なキャパシタ毎に、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ８が、共通の半導体領域ＡＡＣ−１〜ＡＡＣ−３内にそれぞれ設けられている。
【０１７３】
なお、３つの半導体領域ＡＡＣ−１，ＡＡＣ−２，ＡＡＣ−３のレイアウトは、図１６のレイアウトに限定されない。また、図１６及び図１７において、各キャパシタ群Ｇ１〜Ｇ３が設けられるウェル領域５１−１，５１−２，５１−３は、ｐ型のウェル領域でもよいし、ｎ型のウェル領域でもよい。各キャパシタ群Ｇ１〜Ｇ３は、ウェル領域が形成されない半導体領域（例えば、ｐ型半導体基板）内に設けられてもよい。
【０１７４】
上述の２相クロックで駆動するチャージポンプ回路と実質的に同様の動作原理によって、３相クロックのチャージポンプ回路において、３相クロックφ３−１〜φ３−３の電位レベルが変動するのに伴って、キャパシタＣ１〜Ｃ８の容量結合により、前段のノードＮ１〜Ｎ８の電位が昇圧され、昇圧された電圧が、導通状態のトランジスタＴＲ１〜ＴＲ９を経由して、後段のノードＮ２〜Ｎ９へ順次転送される。
【０１７５】
また、図１６に示される３相クロックを使用することで、リバース電流の大きいＭＯＳトランジスタを整流素子として用いた場合であっても、電荷を効率的に転送できる。なぜなら、図１６に示されるように、例えば、クロックφ３−２がＧＮＤからＶｃｃに上昇するタイミングｔ１では、クロックφ３−１はＶｃｃまで上昇しているため、接合の逆方向に電流が流れにくくなっている。さらに、タイミングｔ１において、クロックφ３−３は速やかにＧＮＤに立ち下がるため、例えば、キャパシタＣ２からキャパシタＣ３への方向に選択的に電流が流れやすいためである。
【０１７６】
逆バイアス状態からの回復時間（逆方向回復時間とよぶ）を、電圧が上昇する側のスルーレートが遅いランプ部分で確保することができる。したがって、昇圧された高電位側から低電位側への電流の逆流がより小さいチャージポンプ回路が実現できる。
【０１７７】
以上のように、本実施形態のように、３相クロックを用いたチャージポンプ回路６に対しても、第１の実施形態を適用することができ、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
したがって、第３の実施形態の半導体装置においても、第１及び第２の実施形態と同様に、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【０１７８】
（４） 第４の実施形態
図１８乃至図２０を用いて、第４の実施形態に係る半導体装置（例えば、フラッシュメモリ）について説明する。
【０１７９】
チャージポンプ回路のキャパシタに入力されるクロックが、４相クロックが使用される。以下では、第１乃至第３の実施形態と異なる点について、主に説明する。
【０１８０】
図１８は、本実施形態のチャージポンプ回路６の等価回路図である。
【０１８１】
図１８に示されるチャージポンプ回路６は、以下の点で、図７及び図１４に示されるチャージポンプ回路の構成と異なる。
【０１８２】
ノードＮｊ（ｊ＝１、５）に接続されたキャパシタＣｊの他方の電極（半導体領域）にはクロックφ４−１が入力される。ノードＮ（ｊ＋１）に接続されたキャパシタＣ（ｊ＋１）の他方の電極（半導体領域）にはクロックφ４−２が入力される。ノードＮ（ｊ＋２）に接続されたキャパシタＣ（ｊ＋２）の他方の電極（半導体領域）には、クロックφ４−３が入力される。ノードＮ（ｊ＋３）に接続されたキャパシタＣ（ｊ＋３）の他方の電極（半導体領域）には、クロックφ４−４が入力される。
【０１８３】
図１９は、チャージポンプ回路６に用いられる制御信号（クロック）の波形図を示している。図１９に示されるように、クロックφ４−１〜φ４−４は、互いに位相がずれた波形を有しており、例えば、９０度ずつ位相がずれている。なお、第３の実施形態と異なり、４相クロックφ４−１〜φ４−４は、立ち上がりエッジにおける傾きと立ち下がりエッジにおける傾きとは、同じ大きさにされている。
【０１８４】
図２０は、４相クロックを用いたチャージポンプ回路６に用いられる複数のキャパシタのレイアウトを示している。なお、本実施形態において、１つの半導体領域内に設けられるキャパシタの個数が異なるのみで、キャパシタの断面構造は上述の実施形態と同じであるため、キャパシタの断面構造の説明及び図示は省略する。
【０１８５】
図２０に示されるように、４つのクロックφ４−１〜φ４−４のそれぞれに対応するように、４つの半導体領域ＡＡＣ−１〜ＡＡＣ−４が、半導体基板１０内に設けられる。
【０１８６】
４つの半導体領域ＡＡＣ−１〜ＡＡＣ−４は、それぞれ素子分離領域ＳＴＩに取り囲まれ、互いに電気的に分離されている。半導体領域ＡＡＣ−１〜ＡＡＣ−４は、ｐ型又はｎ型のウェル領域であってもよいし、ウェル領域が設けられていないｐ型又はｎ型半導体基板であってもよい。
【０１８７】
キャパシタＣ１〜Ｃ８に入力されるクロックφ４−１〜φ４−４に応じて、各キャパシタＣ１〜Ｃ８は、４つの半導体領域ＡＡＣ−１〜ＡＡＣ−４のうち所定の半導体領域内に、それぞれ設けられている。
【０１８８】
クロックφ４−１は、コンタクトプラグＣＰＡ−１を介して、半導体領域ＡＡＣ−１内の拡散層３２Ａ−Ａに供給される。半導体領域ＡＡＣ−１内には、クロックφ４−１が入力される２つのキャパシタＣ１，Ｃ５が、設けられる。
【０１８９】
クロックφ４−２は、コンタクトプラグＣＰＡ−２を介して、半導体領域ＡＡＣ−２内の拡散層３２Ａ−Ｂに供給される。半導体領域ＡＡＣ−２内には、クロックφ４−２が入力される２つのキャパシタＣ２，Ｃ６が、設けられる。
【０１９０】
クロックφ４−３は、コンタクトプラグＣＰＡ−３を介して、半導体領域ＡＡＣ−３内の拡散層３２Ａ−Ｃに供給される。半導体領域ＡＡＣ−３内には、クロックφ４−３が入力される２つのキャパシタＣ３，Ｃ７が、設けられる。
【０１９１】
クロックφ４−４は、コンタクトプラグＣＰＡ−４を介して、半導体領域ＡＡＣ−４内の拡散層３２Ａ−Ｄに供給される。半導体領域ＡＡＣ−４内には、クロックφ４−４が入力される２つのキャパシタＣ４，Ｃ８が、設けられる。
【０１９２】
４相クロックを使用することによって、図１８のチャージポンプ回路６は、第３の実施形態と同様に、電荷を効率的に転送できる。なぜなら、図１９に示されるように、例えば、クロックφ４−２がＧＮＤからＶｃｃに上昇するタイミングｔ２では、クロックφ４−１はＶｃｃまで上昇しているため、接合の逆方向に電流が流れにくくなっている。さらに、タイミングｔ２においてクロックφ４−３はＧＮＤとなっているため、例えば、キャパシタＣ２からキャパシタＣ３への方向に選択的に電流が流れやすいためである。さらに、第３の実施形態と同様に、逆方向回復時間をクロックの立ち上がりのランプ部分で確保することができる。したがって、昇圧電位側から低電位側への逆流がより小さいチャージポンプ回路が実現できる。
【０１９３】
また、本実施形態のように、４相クロックを用いたチャージポンプ回路６においても、共通のクロックφ４−１〜φ４−２で駆動する２以上のキャパシタＣ１〜Ｃ８は、共通の半導体領域ＡＡＣ−１〜ＡＡＣ−４内にそれぞれ設けられる。これによって、第１の実施形態のフラッシュメモリと同様の効果が得られる。
【０１９４】
したがって、第４の実施形態の半導体装置においても、第１乃至第３の実施形態と同様に、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【０１９５】
（５） 変形例
図２１及び図２２を用いて、第１乃至第４の実施形態の半導体装置の変形例について、説明する。図２１は、本変形例におけるキャパシタのレイアウトを示している。図２２は、図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う断面構造を示している。
【０１９６】
半導体装置において、配線レベルのそれぞれにおいて所定の面積に対する素子／配線パターンの占有面積（以下、被覆率とよぶ）が、設定されている。すなわち、１つの半導体領域（素子領域）内のキャパシタ電極（或いは、ゲート電極）の占有面積に関して、所定の被覆率が設定されている。
【０１９７】
第１乃至第４の実施形態において、キャパシタのキャパシタ電極は、半導体領域上にのみ形成された例が示されている。ただし、所定の被覆率を満たす範囲内であれば、半導体領域に対するキャパシタ電極のレイアウトは、上述の例に限定されない。
【０１９８】
例えば、図２１及び図２２に示されるように、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８は、半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ上から素子分離領域（素子分離絶縁膜）ＳＴＩ上まで、延在してもよい。
【０１９９】
半導体領域ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ内の拡散層３２Ｂは、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８をマスクとして、自己整合的に形成される。それゆえ、図２１に示されるレイアウトにおいて、１つキャパシタ電極３４１〜３４Ａ８が、２つの拡散層３２Ａ１〜３２Ａ５に挟まれたレイアウトになる。つまり、本変形例において、キャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の拡散層３２Ａ１〜３２Ａ５は、半導体領域ＡＡＣ−ｏで連続せずに、互いに分断されている。図２１に示される例では、５つの拡散層３２Ａ１，３２Ａ２，３２Ａ３，３２Ａ４，３２Ａ５が、１つの半導体領域ＡＡＣ−ｏ内に形成される。
【０２００】
このように、拡散層３２Ａ１〜３２Ａ５が１つの半導体領域ＡＡＣ−ｏ内で連続していなくても、キャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７の駆動時に、キャパシタ電極３４Ａ１，３４Ａ３，３４Ａ５，３４Ａ７の下方にチャネルが形成されるので、印加された電位（クロック）φ２，／φ２は、形成されたチャネルを経由して、隣接するキャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７に転送される。
【０２０１】
すなわち、コンタクトプラグＣＰＡは、キャパシタ形成領域ＡＡＣ内の複数の拡散層３２Ａ１，３２Ａ２，３２Ａ３，３２Ａ４，３２Ａ５のうち１つの拡散層上に、少なくとも１つ形成されていればよい。その結果として、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【０２０２】
また、キャパシタ電極３４Ａ１〜３４Ａ８に接続されるコンタクトＣＰＥ１〜ＣＰＥ８は、素子分離絶縁膜ＳＴＩ上方に配置されてもよい。
【０２０３】
図２１及び図２２に示される変形例においても、第１乃至第４の実施形態と同様に、キャパシタが形成される領域の占有面積を縮小できる。
【０２０４】
［その他］
第１乃至第４の実施形態の半導体装置として、フラッシュメモリが例示されている。しかし、本実施形態の不揮発性半導体メモリは、フラッシュメモリに限定されず、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）、ＲｅＲＡＭ（Resistive Random Access Memory）又はＰＣＲＡＭ（Phase Change Random Access Memory）でもよい。これらのメモリに対して、上述の１つの半導体領域内に設けられた複数のキャパシタ、及びその複数のキャパシタを用いた回路（例えば、チャージポンプ回路）が適用されてもよい。さらには、本実施形態の半導体装置は、半導体メモリに限定されず、混載メモリやロジックＬＳＩでもよい。
【０２０５】
第１乃至第４の実施形態において、１つの半導体領域内に設けられた複数のキャパシタは、チャージポンプ回路に用いられている。しかし、これに限定されず、複数のキャパシタの一端（ウェル領域又は基板）が共通の電位レベル（共通の制御信号）で制御される回路であれば、１つの半導体領域内に設けられた複数のキャパシタを用いてチャージポンプ回路以外の回路が形成されてもよい。
【０２０６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０２０７】
１：半導体装置、６：チャージポンプ回路、Ｃｎ，Ｃｍ，Ｃ１〜Ｃ８：キャパシタ、ＡＡＣ，ＡＡＣ−ｏ，ＡＡＣ−ｅ：半導体領域（キャパシタ形成領域）、ＳＴＩ：素子分離領域、３４Ａｍ、３４Ａｎ，３４Ａ１〜３４Ａ８：キャパシタ電極、２９ｍ、２９ｎ，２９Ａ１〜２９Ａ８：金属配線層、４２Ａ：キャパシタ絶縁膜、５１ｐ−ｏ，５１ｐ−ｅ，５１ｎ：ウェル領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板内に設けられた少なくとも１つの半導体領域と、
前記１つの半導体領域内に設けられる複数のキャパシタを含むキャパシタ群と、
を具備し、
前記キャパシタのそれぞれは、前記半導体領域上のキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上のキャパシタ電極と、前記キャパシタ電極に隣接する拡散層とを有し、
前記キャパシタ電極に接続される配線のそれぞれは、前記キャパシタ毎に電気的に分離され、前記キャパシタ電極のそれぞれに異なる電位が印加されている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記拡散層は、少なくとも２つの前記キャパシタに共有されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
素子分離領域によって互いに分離された２以上の半導体領域が設けられ、
前記２つの半導体領域間の間隔は、互いに隣接する前記キャパシタ電極間の間隔より広いことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記キャパシタ群は、チャージポンプ回路の構成要素であり、
前記チャージポンプ回路が駆動している間、１つの前記キャパシタ群の前記拡散層に印加されている電位は、他の前記キャパシタ群の前記拡散層に印加されている電位と異なっていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体領域は、ｎ型の伝導型であることを特徴等する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１】
半導体基板内に設けられた少なくとも１つの半導体領域と、
前記１つの半導体領域内に設けられる複数のキャパシタを含むキャパシタ群と、
を具備し、
前記キャパシタのそれぞれは、前記半導体領域上のキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上のキャパシタ電極と、前記キャパシタ電極に隣接する拡散層とを有し、
前記キャパシタ電極に接続される配線のそれぞれは、前記キャパシタ毎に電気的に分離され、前記キャパシタ電極のそれぞれに異なる電位が印加されている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記拡散層は、少なくとも２つの前記キャパシタに共有されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
素子分離領域によって互いに分離された２以上の半導体領域が設けられ、
前記２つの半導体領域間の間隔は、互いに隣接する前記キャパシタ電極間の間隔より広いことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記キャパシタ群は、チャージポンプ回路の構成要素であり、
前記チャージポンプ回路が駆動している間、１つの前記キャパシタ群の前記拡散層に印加されている電位は、他の前記キャパシタ群の前記拡散層に印加されている電位と異なっていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体領域は、ｎ型の伝導型であることを特徴等する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１２−３８８１８（Ｐ２０１２−３８８１８Ａ）
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７５６９３（Ｐ２０１０−１７５６９３）
【出願日】平成２２年８月４日（２０１０．８．４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月４日（２０１０．８．４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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