半導体装置

【課題】導電プラグの酸化を抑止し、コンタクト抵抗の安定化された信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】下部電極１０１と上部電極１０３とで強誘電体膜１０２を挟持してなる強誘電体キャパシタ構造１００と、導電プラグ１１０（プラグを構成する導電物は例えばタングステン（Ｗ））との間に、シリサイド膜１１１を形成する。ここでは、導電プラグ１１０の下地膜をシリサイド膜１１１とする場合を例示する。

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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された導電構造と、
前記導電構造と電気的に接続される導電プラグと、
シリサイド材料からなり、前記導電プラグの側面から底面にかけて覆い、前記底面の部分で前記導電構造と前記導電プラグとに挟持される導電性を有する下地膜と
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記シリサイド材料は、Ｔｉシリサイド、Ｃｏシリサイド、Ｍｏシリサイド、Ｎｂシリサイド、Ｔａシリサイド、Ｗシリサイド、Ｖシリサイドから選ばれた少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記下地膜上又は前記下地膜下に、水素の透過を抑制する導電性保護膜を更に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された導電構造と、
前記導電構造と電気的に接続される導電プラグと、
前記導電構造と前記導電プラグとの間に形成された、酸化しても導電性を有する導電性材料を含む導電層と
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記導電材料は、Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓから選ばれた少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成されており、上層部に貴金属層を有する導電構造と、
前記導電構造と電気的に接続される導電プラグと
を含み、
前記貴金属層は、当該貴金属の触媒作用を抑制する触媒被毒物質を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記触媒被毒物質は、ＣＯ，塩素化合物，硫黄化合物，リン化合物，珪素化合物から選ばれた少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記導電構造は、下部電極と上部電極との間に誘電体膜を挟持してなるキャパシタ構造であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
下部電極と上部電極との間に誘電体膜を挟持してなるキャパシタ構造を更に含み、
前記導電構造は、配線であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記誘電体膜は、強誘電特性を有する強誘電材料からなることを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体装置。

【図１】