埋め込み型トラッピング層によるトランジスタの閾値電圧の調整方法
方法は、電子サブアセンブリの形成について、調整可能な閾値電圧を有する少なくとも１つの第１のトランジスタ（１１０）を担持する半導体層（１０３）が絶縁層（１０２、１０５）に接合される組み立てステップと、半導体層および第１のトラッピングゾーンが容量結合されるように、第１のトラッピングゾーン（２２０）が所定の第１の深さで絶縁層に形成される形成ステップであって、前記第１のトラッピングゾーンが、前記第１のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延び、かつ前記第１のトラッピングゾーンの外側のトラップの密度より高い密度のトラップを有する形成ステップとを含み、前記第１のトランジスタからの有用な情報はこのトランジスタ内の電荷移動である。具体的な実施形態において、第２のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延びる第２のトラッピングゾーンが、第１のトラッピングゾーンに使用されるのとは異なるエネルギーおよび／または用量および／または原子の第２の注入によって形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子サブシステムおよびこの形成方法に関する。本発明は、特に、埋め込み型トラッピング層によるＭＯＳ（金属酸化膜半導体）トランジスタの閾値電圧の調整に適用する。
【背景技術】
【０００２】
閾値電圧は、ＭＯＳトランジスタの重要なパラメータである。電子回路において、トランジスタはすべてが同一の機能を有しているわけではなく、また異なる性能を提供すべきであるため、異なる閾値電圧のトランジスタが概して必要とされる。例えば、ある回路において高閾値電圧、したがって低「ブロック化」状態電流のトランジスタ（低消費電力トランジスタ）もあるが、低閾値電圧、したがって高「パッシング」状態電流のトランジスタ（高性能トランジスタ）もある。したがって、異なる種類のトランジスタが回路設計に使用される。これらのトランジスタは、Ｊｅｒｅｍｙ Ｐｒｅｔｅｔらによる論文「Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｎｏｔｈｉｎｇ ＭＯＳＦＥＴｓ：Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，Ｓｈｏｒｔ−Ｃｈａｎｎｅｌ Ｅｆｆｅｃｔｓ，ａｎｄ Ｂａｃｋｇａｔｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ」，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ， Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．２，Ｆｅｂｒｕａｒｙ ２００４に記載されているような、バルクシリコン（Ｓｉ）、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）またはシリコンオンナッシング（ＳＯＮ）に形成される。
【０００３】
閾値電圧は概して、トランジスタのチャネルのドーピングに左右されるため、様々に注入されたトランジスタチャネルが概して使用される。完全空乏化（ＦＤ）技術として知られている別の技術が、アンドープ膜上にトランジスタを形成するために使用される。この技術は、Ｋｙｕｎｇ−Ｋｙｕ ＬＩＭらによる論文「Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ Ｖｏｌｔａｇｅ ｏｆ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩ） ＭＯＳＦＥＴｓ」．，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ．ＥＤ−３０，Ｎｏ，１０，Ｏｃｔｏｂｅｒ １９８３に記載されているように、ＳＯＩに使用されてもよい。この技術は、ＦＤＳＯＩ（完全空乏化ＳＯＩ）またはＳＯＮ技術と称される。この技術は、より良好な静電コントロール、変動の低減およびモビリティの増加をもたらす。この場合、閾値電圧は基本的に、トランジスタのゲートの出力ワーク（ｏｕｔｐｕｔ ｗｏｒｋ）に依存する（またドーピングにはほとんど依存しない）。
【０００４】
したがって、このアーキテクチャで異なる閾値電圧を取得するための１つの解決策は、異なる出力ワークのゲートを共挿入することである。このアプローチは多数の欠点を有する。ゲートの出力ワークの調整および共挿入（ｃｏ−ｉｎｔｅｇｒａｔｅ）は、実際的な技術的および物理的課題がある。ＦＤデバイスにおける閾値電圧の調整はまた、概して、さらなる発展を阻む大きな課題である。
【０００５】
調整可能な閾値電圧のＭＯＳトランジスタは欧州特許第０４０９６９７号明細書で知られている。この文献において、浮遊ゲートトランジスタは、トラッピングによって連続的に調整される閾値電圧を有する。一般的な浮遊ゲート構造と比較すると、上記の文献におけるトンネル酸化物は、プログラミングを容易にするために、ドレイン上で薄くされる。しかしながら、この場合、ゲートスタックは、メモリ用途および論理用途と同時に両立しなければならないため、達成が困難である。論理用途においては、（ゲート酸化物の厚さを低減することによって）ゲート／チャネル結合を増大させるという利点があるが、メモリ用途においては、良好な保持を保証するために、最小サイズのトンネル酸化物が維持されなければならない。したがって酸化物は必然的に厚くなり、これは論理トランジスタにとって最適とは言えない。
【０００６】
また、Ｈ．ＳｉｌｖａおよびＳ．Ｔｉｗａｒｉによる「Ａ Ｎａｎｏｓｃａｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ ａｎｄ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｕｓｉｎｇ Ｂａｃｋｓｉｄｅ Ｔｒａｐｐｉｎｇ」，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．３ Ｎｏ．１２ Ｊｕｎｅ ２００４という文献が知られている。この文献において、トランジスタの閾値電圧は、埋め込み型絶縁体におけるトラッピングおよび容量結合によって変調される。閾値電圧は常に同一（バイナリ）条件下で変調される。上記の文献における曲線は、耐久性および保持時間に関してメモリ用途に典型的である。
【０００７】
対応する米国特許第７，０５７，２３４号明細書は、シリコンナノ結晶が可能なトラッピング部位と称される構造に関する。上記の文献は、論理モードのトランジスタまたはメモリポイントのいずれかにこの構造を使用することを示しており、このモードは異なるバイアス設定によって区別される。上記の文献は、メモリポイントのみにトラッピング機構を使用することを目的としている。
【０００８】
したがって上記の文献は、調整可能な閾値電圧のトランジスタ、特に、閾値電圧がトランジスタの論理またはアナログターゲット用途に応じて意図的に調整されるトランジスタ（低閾値電圧トランジスタ、標準閾値電圧トランジスタまたは高閾値電圧トランジスタ）の形成には全く関係ない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】欧州特許第０４０９６９７号明細書
【特許文献２】米国特許第７，０５７，２３４号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００７０１０５３１０号明細書
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｊｅｒｅｍｙ Ｐｒｅｔｅｔらによる「Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｎｏｔｈｉｎｇ ＭＯＳＦＥＴｓ：Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ， Ｓｈｏｒｔ−Ｃｈａｎｎｅｌ Ｅｆｆｅｃｔｓ，ａｎｄ Ｂａｃｋｇａｔｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ」，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ， Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．２，Ｆｅｂｒｕａｒｙ ２００４
【非特許文献２】Ｋｙｕｎｇ−Ｋｙｕ ＬＩＭらによる「Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ Ｖｏｌｔａｇｅ ｏｆ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩ） ＭＯＳＦＥＴｓ」．，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ．ＥＤ−３０，Ｎｏ，１０，Ｏｃｔｏｂｅｒ １９８３
【非特許文献３】Ｈ．ＳｉｌｖａおよびＳ．Ｔｉｗａｒｉによる「Ａ Ｎａｎｏｓｃａｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ ａｎｄ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｕｓｉｎｇ Ｂａｃｋｓｉｄｅ Ｔｒａｐｐｉｎｇ」，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．３ Ｎｏ．１２ Ｊｕｎｅ ２００４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特に静電的な観点では（より具体的には短チャネルに対しては）最適化され、同時に、トランジスタの意図的な論理またはアナログ用途に応じて調整可能な閾値電圧を有するＦＤトランジスタを形成することを可能にする技術的な解決策は目下のところない。
【００１２】
本発明はこれらの欠点の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このために、本発明の第１の態様は、以下を特徴とする電子サブシステムを提供する：
調整可能な閾値電圧の少なくとも１つの第１のトランジスタを担持する半導体層と、
所定の第１の深さに、前記第１のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延び、かつ第１のトラッピングエリアの外部のトラップの密度より高い密度のトラップを含む前記第１のトラッピングエリアを含む絶縁層とを含み、
半導体層および第１のトラッピングエリアが容量結合され、前記第１のトランジスタの有用な情報はトランジスタの電荷の移動である。
【００１４】
トラップとゲートの結合のために、本発明は標準的なトランジスタ用途を提供し、これは情報を構成する電荷（つまり、電流）の移動であり、電圧は、例えば、電荷キャリアのモビリティと同じ条件で、デバイスの電流／電圧特性のうちの１つのパラメータである。同様に、この用途において、この構造の電荷状態は主要な情報ではない。したがって、本発明の「トランジスタ」ターゲット用途において、情報は、トランジスタの機能にしたがって変化する。アナログまたは無線周波数（ＲＦ）用途において、トランジスタの電流／電圧特性の一部の全体が使用され、情報を構成する。基本的なデバイスは必ずしもマトリクス形態ではないが、特定の機能を提供するブロックに分割される。
【００１５】
本発明の利点のうち以下の点もまた引用されてもよい：
閾値電圧は関連トランジスタの下の基板のエリアのバイアスによって調整可能であり（これは「Ｆｏｗｌｅｒ Ｎｏｒｄｈｅｉｍ」書き込みとして知られている）、
閾値電圧は、基板バイアスおよびドレインバイアスを合成することによってトランジスタごとに調整可能である（これはホットキャリア書き込みとして知られている）。この場合、基板端子は、閾値電圧の値に対してトランジスタに特定の機能を割り当てることなく、複数のトランジスタについて共有／プール可能であり、この調整は、閾値電圧が調整されるトランジスタの端子における電圧Ｖｄｓをコントロールしたり、トランジスタが内蔵されている回路のアクセス可能な端子を介してトランジスタの電圧Ｖｄｓを間接的にコントロールするための少なくとも１つの端子を必要とし、
閾値電圧は、より多数または少数の埋め込み型トラップをほぼ連続的に書き込むことによって調整可能であるが、複数のゲート出力ワークまたは複数のチャネルドーピングを使用する場合には、離散数（ｄｉｓｃｒｅｔｅ ｎｕｍｂｅｒ）の閾値電圧状態のみが許容され、
トランジスタの閾値電圧は、トランジスタの製造後に（ドレインおよび基板の）バイアスによって再構成可能である。従来技術において、トランジスタの閾値電圧は、トランジスタの製造中は（チャネルドーピングおよびゲートの出力ワークによって）概して固定されており、後の再構成は不可能であり、特に温度または照射に応じて制御不可能である。
【００１６】
上記の引用された最後の２つの利点は以下の用途の想定を可能にする：
回路ブロックの消費／スピードパラメータの動的割り当て、
技術的変動によってもたらされる閾値電圧変動の補償、
外部温度の変化によってもたらされる閾値電圧ドリフトの補償（および消費のコントロール）、
照射環境での使用によってもたらされる閾値電圧ドリフトの補償（およびシステムサービス寿命の増大）、
再構成可能な回路、および
可変的閾値電圧のＭＯＳトランジスタの形成。
【００１７】
各トランジスタの有用な情報は好ましくは、従来技術のように、トランジスタの電荷状態ではなく、トランジスタ内の電荷の移動である点に留意されたい。したがって、閾値電圧は、トランジスタの論理またはアナログ用途に応じてトランジスタの動作を最適化するように適合される。
【００１８】
具体的な特徴によると、第１のトラッピングエリアは前記第１のトランジスタのチャネルの下にのみ延びる。
【００１９】
具体的な特徴によると、本発明の電子サブシステムは、上記に簡潔に定義されているように、少なくとも１つの第１のトランジスタを担持する半導体層の反対側に絶縁層に対して配置されている導電性エリアをさらに含む。
【００２０】
この導電性エリアは、これが面する各トランジスタの閾値電圧のコントロールを可能にし、この閾値電圧は、トランジスタと導電性エリア間の中間位置のトラップの存在によって変調される。
【００２１】
具体的な特徴によると、導電性エリアは導電性基板である。
【００２２】
具体的な特徴によると、前記導電性エリアは、絶縁層の下の、ドーパント、例えば注入ドーパントを含む基板のエリアである。
【００２３】
具体的な特徴によると、本発明の電子サブシステムは、上記に簡潔に定義されているように、少なくとも１つの第２のトラッピングエリアを含む。
【００２４】
具体的な特徴によると、第２のトラッピングエリアは、第１の深さとは異なる第２の深さにある。
【００２５】
具体的な特徴によると、第２のトラッピングエリアは、第１のトラッピングエリアとは異なるトラップ密度分布を有する。
【００２６】
具体的な特徴によると、前記第２のトラッピングエリアは、第２のトランジスタのチャネルの下に少なくとも部分的にある。
【００２７】
具体的な特徴によると、前記トラップはナノ結晶からなる。
【００２８】
具体的な特徴によると、前記ナノ結晶は、Ｓｉ、Ｇｅ、金属または半導体／金属合金の原子を絶縁層に含む。
【００２９】
具体的な特徴によると、前記トラップは、ＮまたはＦ原子の注入および熱処置によって形成される。
【００３０】
具体的な特徴によると、絶縁層は、２つの酸化物層のスタックで形成され、連続トラッピング層は２つの酸化物層の界面に形成される。
【００３１】
具体的な特徴によると、絶縁層は、酸化物層、連続窒化または多結晶シリコントラッピング層および酸化物層からなるスタックで形成される。
【００３２】
この場合、上部酸化物層は、トンネル効果による電荷をトラッピング層に注入するために使用され、トラッピング層は、トラップに電荷を蓄積するために使用され、下部酸化物層は、トラッピング層と基板または導電層間の結合を提供するために使用される。
【００３３】
本発明の第２の態様は、以下を特徴とする電子サブシステム形成方法を提供する：
調整可能な閾値電圧の少なくとも１つの第１のトランジスタを担持する半導体層と、絶縁層とを組み立てるステップと、
所定の第1の深さに、前記第１のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延び、かつ第１のトラッピングエリアの外側のトラップの密度より高い密度のトラップを含む前記第１のトラッピングエリアを絶縁層に形成することによって、半導体層および第１のトラッピングエリアが容量結合されるステップとを含み、
前記第１のトランジスタの有用な情報はトランジスタの電荷の移動である。
【００３４】
具体的な特徴によると、第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、Ｇｅ、Ｓｉ、金属または半導体／金属合金の原子の絶縁層への第１の注入が実行される。
【００３５】
具体的な特徴によると、第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、ナノ結晶を形成するためのアニーリングが実行される。
【００３６】
具体的な特徴によると、本発明の方法は、上記に簡潔に定義されているように、第１の注入で使用されるのとは異なるエネルギーおよび／または用量および／または原子による第２の注入によって、第２のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延びる第２のトラッピングエリアを形成するステップを含む。
【００３７】
具体的な特徴によると、第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、第１のトラッピングエリアを位置決めするためのマスキングが実行される。
【００３８】
具体的な特徴によると、第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、ゲートスタックを介する直接ゲートアライメントが実行され、トランジスタゲートは、トラップをトランジスタのチャネルとアライメントさせるためのマスクとして使用される。
【００３９】
具体的な特徴によると、第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、トランジスタのゲートの最終アライメントは、少なくとも１つのトランジスタのゲートの最終キャビティを空にし、キャビティへの注入を実行し、次いで各キャビティを新たなゲートスタックで充填することによって実行される。
【００４０】
具体的な特徴によると、本発明の方法は、上記に簡潔に定義されているように、電子サブシステムのトランジスタをＦＮ書き込みするステップを含む。
【００４１】
具体的な特徴によると、本発明の方法は、上記に簡潔に定義されているように、電子サブシステムのトランジスタをホットキャリア書き込みするステップを含む。
【００４２】
薄いか、酸化物や酸化物スタックのトラップを帯電するために適用される基板のバイアスを低下させるための高誘電定数を有する埋め込み型酸化物（または埋め込み型酸化物スタック）の使用は好都合である点に留意されたい。１０ボルト付近の空乏／書き込みを可能にするスタックは、５ｎｍのトンネル酸化物／７０ｎｍの窒化物／７０ｎｍの酸化物という埋め込み型スタックに対して、本発明者らによって形成された。
【００４３】
具体的な特徴によると、本発明の方法は、上記に簡潔に定義されているように、半導体層、絶縁層および導電層を関連付けるために複数の層スタックを接合するステップを含む。
【００４４】
本方法の具体的な利点、目的および特徴は、上記に簡潔に定義されているように、本発明の電子サブシステムのものと類似しており、ここでは繰り返されない。
【００４５】
本発明の他の利点、目的および特徴は、添付の図面を参照した非限定的説明によってなされた以下の記述から明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１は、本発明の第１の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを表している。
【図２】図２は、本発明の第１の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを表している。
【図３】図３は、本発明の第１の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを表している。
【図４】図４は、本発明の第１の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを表している。
【図５】図５は、本発明の第１の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを表している。
【図６】図６は、図５に示されている電子サブシステムの形成における別のステップを図示している。
【図７】図７は、本発明の第２の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを図示している。
【図８】図８は、本発明の第２の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを図示している。
【図９】図９は、本発明の第２の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを図示している。
【図１０】図１０は、本発明の第３の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１１】図１１は、本発明の第３の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１２】図１２は、本発明の第３の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１３】図１３は、本発明の第４の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１４】図１４は、本発明の第４の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１５】図１５は、本発明の第４の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１６】図１６は、本発明の第５の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１７】図１７は、本発明の第５の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１８】図１８は、本発明の電子サブシステムを書き込む２つのモードを可能にする構成を、上から分かるように表している。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
図１から分かるように、本発明の第１の実施形態の電子サブシステムを製造するための開始ポイントは：
基板１０１と、
「トラッピング層」と称され、電界の効果によって電荷をトラッピング可能な埋め込み型絶縁層１０２と、
エッチング済みまたはされていない上部半導体１０３とを含む層の組み立て体である。
【００４８】
トラッピング層１０２および上部半導体層１０３は、ＦＤ（完全空乏化）トランジスタの半導体層における形成を可能にするために容量結合される。
【００４９】
次いで、図２に示されているように、連続または非連続導電層１０４が、例えば、マスクを使用して基板１０１にドーパントを注入することによって、埋め込み型絶縁層１０２の下に形成される。この導電層１０４は、ＰＤＳＯＩ（部分的空乏化ＳＯＩ）トランジスタの場合にボックス端子または基板端子と同様に形成可能であることが分かる。この導電層１０４は、後述されるように、基板１０１自体がこの機能を提供するのに十分な導電性があれば、省略可能である。
【００５０】
次いで、図３に示されるように、上部半導体１０３のアクティブエリアがエッチングされる。
【００５１】
図４に示されるように、ＭＯＳトランジスタ１１０が次いで、それ自体が知られている方法で半導体層１０３の表面に形成される。ＭＯＳトランジスタを製造するプロセス時に、マスクを使用して埋め込み型絶縁層１０２をエッチングするステップが実行される。このステップは、有利には、トランジスタのソース／ドレインおよびゲートのシリサイド化の前に実行される。
【００５２】
最後に、図５に示されるように、絶縁層１１２がトランジスタ１１０に堆積され、この後に、導電エリア１０４上に少なくとも１つのコンタクト１１１を含むコンタクト（図示せず）がゲートおよびアクティブエリアに形成される。
【００５３】
導電層１０４の形成に関する図２に示されたステップは、連続導電層１１４の場合は、図６に見られるように２つのスタックを接合するステップと置き換えられてもよい。第１のスタックは、例えば、金属またはドープ半導体から形成された導電層１１４と関連した基板１０１を含む。第２のスタックは、少なくとも絶縁つまりトラッピング層１０２および半導体層１０３を含む。あるいは、接合は、一方で基板１０１に、他方で半導体層１０３、トラッピング絶縁層１０２および導電層１１４に関する。あるいは、トラッピング絶縁層１０２自体が、例えば、２つの酸化物層間に配置された窒化または多結晶シリコントラッピング層の場合のように、複数の層１２１、１２２および１２３（図１６および図１７参照）のスタックによって形成される場合、接合はこれらの層のうちの２つの間で実行され得る。いずれの場合も、接合がこの層のレベルで生じても生じなくても、基板１０１と導電層１１４間に、例えばＳｉＯ２の絶縁層を提供することも可能である。
【００５４】
あるいは、絶縁層は２つの酸化物層のスタックから形成され、連続トラッピング層は、２つの酸化物層の界面に形成される。したがって、第１のトラッピングエリアを形成するために、２つの絶縁層を分子接合することが可能であり、トラッピングエリアは接合界面に現れる。
【００５５】
導電層を形成するステップが図２に示されているように実行されても、図６に示されているように実行されても、トラッピング絶縁層１０２は、メモリ用途技術で知られているタイプのスタックであってもよい。例えば、図１６および図１７に示されているように、トラッピング絶縁層１０２は、酸化物層１２１、トラッピング１２２および酸化物層１２３を備えるスタックであってもよい。この場合、上部酸化物層１２１は、トンネル酸化物層と称される。上部酸化物層１２１は、トンネル効果によってトラッピング層１２２に電荷を注入するために使用される。トンネル酸化物層１２１の厚さは、数ナノメートル程度、通常は１０ｎｍである。トンネル酸化物層１２１は通常、ＳｉＯ２および／またはＨｆＯ２やＡｌ２Ｏ３などの高誘電材料で形成される。高誘電材料の使用は、過度な保持を強いる（ｐｅｎａｌｉｚｉｎｇ）ことなく、トンネル酸化物層１２１の厚さおよびプログラミング電圧を低減することができる。
【００５６】
トラッピング層１２２はトラップに電荷を蓄積する。この厚さは、数ナノメートルから数十ナノメートル程度である。これは、米国特許出願公開第２００７０１０５３１０号明細書の文献に開示されているように、堆積およびアニーリングによってまたは注入によって形成される、Ｓｉ、Ｇｅ、金属または半導体／金属合金のナノ結晶の多結晶シリコン、窒化物、Ａｌ２Ｏ３、半化学量論的ＳｉＯ２にあってもよい。局所化されたトラッピングの窒化物、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２を使用する最後の３つの選択肢は、多結晶シリコンに対するトンネル酸化物層１２１の厚さを低減することができる。
【００５７】
あるいは、トラッピング部位の形成はＮ（窒素）またはＦ（フッ素）原子の注入を含むが、これはナノ結晶を作成しないが、トラップを作成または加熱することができる。
【００５８】
したがって、離散トラッピング部位は概して、例えば、上述されたようにＮまたはＦ原子の注入および加熱処置および／またはナノ結晶の形成の後に形成される。
【００５９】
酸化物層１２３は、「コントロール酸化物」または「インターポリ（ｉｎｔｅｒｐｏｌｙ）」層と称される。酸化物層１２３は、トラッピング層と、存在する場合には、基板１０１または導電層１０４からなるコントロール「ゲート」との結合を提供する。基板１０１が十分に導電性である場合導電層１０４がなくてもよい点に留意されたい。この場合、トランジスタは、（「ホットキャリア」コントロールとして知られている）ドレインを介するコントロールが使用されなければ、個別にコントロール不可能である。コントロール酸化物層１２３はＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４またはＡｌ２Ｏ３からなってもよく、後者の材料は、同等の酸化物厚さ（ＥＯＴ）対漏洩のトレードオフ、またはＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３もしくは高誘電材料／ＳｉＯ２スタックに関しては良好であり、これは、より良好なＥＯＴ対漏洩のトレードオフという利点を有する。
【００６０】
絶縁層１０２は連続的であっても非連続的であってもよい。図１６および図１７を参照して説明された第５の実施形態のように、スタックからなる場合には、部分的に不連続であってもよい。
【００６１】
図７に示された本発明の第２の具体的な実施形態の電子サブシステムを形成するための開始ポイントは：
基板１０１と、
好ましくはＳｉＯ２における埋め込み型絶縁層１０５と、
エッチング済みまたはされていない上部半導体１０３とを含むＳＯＩまたはＳＯＮ構造である。
【００６２】
次いで、図８に示されているように、Ｓｉ、Ｇｅ、金属または金属／半導体合金の原子は絶縁層１０５に注入され、（「トラップ」または「トラップセンター」としても知られている）ナノ結晶２２０を形成するためのアニーリングが続く。この場合、絶縁層１０５は、上記の層１２１および１２３と同じ機能を有し、トラッピングセンター２２０は層１２２の役割を想定している。したがって、層１２１および１２３は、絶縁層１０５の注入なしの領域によって画定されてもよく、また層１２２は、注入されたトラッピングセンター２２０の領域によって画定されてもよい。注入の深さは注入エネルギーによってコントロールされることが分かる。トラッピングセンター密度は注入用量によってコントロールされる。トラッピングセンターの分布はマスキングによって形成される。
【００６３】
図９に示されているように、ＭＯＳトランジスタ１１０は次いで、それ自体が知られている方法で半導体層１０３の表面に形成され、絶縁層１１２はトランジスタ１１０上に堆積され、コンタクトは、ゲートおよび／またはアクティブエリア（図示せず）上に形成され、コンタクト１１１は導電性エリア１０４上に形成される。
【００６４】
第２の実施形態は以下の点で有利である：
標準ＳＯＩまたはＳＯＮ基板以外の基板を必要とせず、
異なる（注入エネルギーによってコントロールされた深さの）位置または（注入用量でコントロールされた）トラップ密度で、また異なる深さおよび／または用量および／または元素による複数の注入を連続的または同時に実行することによって複数のトラッピング領域を絶縁層１０５に作成可能にする。これは特に、同じ書き込み条件で生じ得る閾値電圧の修正を可能にする。したがって、より感応性が高いまたは低い書き込み領域を画定することができる。例えば、閾値電圧が（トラップ２２０の高密度および表面により近いトラップ２２０のために）極めて大きく変化し得る領域が提供されることもあり、閾値電圧の変調が所与のバイアス条件（トラップ２２０’のより低い密度、またはより深く注入されたトラップ２２０’）では弱い領域もあり、
局所的アプローチを可能にし、マスキングは、絶縁層１０５においてトラッピングエリア２２０を局所化するために使用されてもよい。特に、トラッピングエリア２２０は、閾値電圧が変更されなければならないトランジスタ１１０の下に配置されてもよい。より正確には、チャネルの下でのみ（ソースおよびドレインの下ではなく）この注入を局所化することができ、このことは、トラップ放電電流および浮遊キャパシタンスを低下させることができる。
【００６５】
図１０から図１２を参照して説明され、かつ第２の実施形態の変形例を構成する第３の実施形態において、注入はゲートスタックを介して実行される（これは「直接ゲート注入」として知られている）。図１１に示されているように、トラッピングセンター２２０は、トランジスタ１１０のチャネル上のトラッピングセンター２２０のセルフアライメントを取得するために、トランジスタ１１０のゲートをマスクとして使用して注入される。注入は構造全体で実行される。ゲートにおけるスタックのさらなる厚さを考慮すると、ゲートでの注入は、構造の他の部分ほど深くない。したがって、チャネルの外部に注入された種はより深く注入されている。図１１および図１２に示されているように、種は、導電性エリア１０４に返されてもよい。図１２は最終構造を示している。
【００６６】
図１３から図１５を参照して説明され、かつ第２の実施形態の変形例を構成する第４の実施形態において、トランジスタ１１０のゲートの最後の統合が実行され、注入は、直接ゲート（ゲートの最初の）統合において、キャビティにおいて、またはゲートを介して実行される。
【００６７】
図１３は、図４および図５を参照して説明された構造を再度示している。図１４に示されているように、いくつかのトランジスタ（ここでは図１４の右側のトランジスタ１３２および１３３）に関して、ゲートの最後のキャビティ１５１が、マスクを使用して、後のゲートエリアにおいて空にされる。マスク１４１は、例えば、トランジスタ１３１のレベルにおけるこの作業を回避することができる。これはまた後続の注入をマスキングする。これは、有利には、注入された原子が位置決めされるチャネルの下のトランジスタ１５１のゲートにアライメントされる。
【００６８】
ナノ結晶２２０を形成するための注入が続く。構造は開口１５１でより微細になるため、このエリアでの注入は、構造の他の部分より深い。トランジスタ１３２について示されているように、有利には、トランジスタ１３２のチャネルのレベルにのみ注入をコントロールするために、マスク１４２を介する注入を提供することができる。
【００６９】
図１５に示されているように、キャビティは後に、例えば、多結晶シリコンに基づいたゲートのスタックで充填される。コンタクト端子が次いで形成され、図１５に示されている最終構造を形成する（すべてのコンタクトが示されているわけではなく、特にソース、ドレイン、ゲートコンタクトである）。
【００７０】
第３および第４の実施形態は、浮遊電流やキャパシタンスを形成しないことで有利である。ソース／ドレインによるシールドのために帯電され、同じ理由から、閾値電圧を制御するのは、原則としてチャネルの下の領域である。ソースおよびドレインの下に配置されたトラップ領域はソース／ドレインとトラッピングエリア間に浮遊キャパシタンスを誘導し、浮遊電流は、特に連続多結晶シリコン層のトラップの放電、より低い度合いの不連続トラッピングエリアにつながり得ることがある。
【００７１】
第３および第４の実施形態はまた、第２の実施形態のように、トランジスタ（またはトランジスタ群）に応じて異なる種および／または用量および／またはエネルギーで局所的に注入することによって、同一の書き込みまたは空乏バイアスの異なるトランジスタ（またはトランジスタ群）を調整することができ、トランジスタ（またはトランジスタ群）に応じてより多量または少量の用量のトラップより深いまたはそれほど深くないトラップを取得することができる点が有利である。
【００７２】
図１６および図１７を参照して説明された本発明の第５の具体的な実施形態の電子サブシステムにおいて、上記の層１２１、１２２、１２３のスタックが、特に層１２２が連続多結晶シリコンまたは窒化トラッピング層である場合に、使用される。本実施形態では、トランジスタ１１０の絶縁エリアにおいて少なくとも層１２１および１２２と、適用可能ならば層１２３をエッチングし、この絶縁層を形成する場合に、いくつかのトランジスタ１１０の下でのみ局所化層１２２を画定することが好ましい。したがって、書き込み時に、トランジスタ１１０のうちのいくつかのみが、この絶縁性のために、コントロールされた閾値電圧を有することがある。
【００７３】
図１６に示されているように、絶縁層１０２を形成するために、層１２１、１２２および１２３のスタックの図２に示されている構造から開始することによって、層１２２はエッチングされて、横方向に絶縁し、このことは、連続トラッピング層の場合に特に有利である。
【００７４】
本発明の電子サブシステムを形成する各方法の最後に、最終ステップは、第１の実施形態を参照して説明されたようなトランジスタおよびコンタクト端子の形成に対応する。
【００７５】
したがって、図１７は、第５の具体的な実施形態の最終構造を表している。
【００７６】
トランジスタの閾値電圧を修正するという一般原理に関する説明が続く。
【００７７】
ＳＯＩまたはＳＯＮ ＦＤトランジスタについて、埋め込み型絶縁層によって固定された電荷のトラッピングは、容量結合によるトランジスタの閾値電圧のオフセットを誘導する。一定のバイアスの印加は、必要な場合には、絶縁層１０２または１０５、より正確には層１２２への電荷の注入による書き込みを可能にする。
【００７８】
この書き込みが実行されると、電荷は、構造の保持時間に応じた期間（不揮発性メモリで使用されているスタックの場合は１０年以上）この層に留まる。電荷を維持するためにバイアスは必要ない。書き込みバイアスは一度に、すべてに対して印加されてもよい。あるいは、いつでも削除でき（このことは蓄積された電荷の低減または消滅を伴う）、または必要ならば（電荷の量を修正したりメモリをリフレッシュしたりするために）いつでも書き換えることができる。
【００７９】
図１８に上方から示されているように、基板端子３０１と、基板端子３０１の影響下のトランジスタまたは論理ブロックのセット３０２と、基板端子３０１の影響下にないトランジスタまたは論理ブロックのセット３０３が、電子サブシステムの上面に配置されている。この構成によって、回路の全部または一部が埋め込み型電極のバイアスによって（または、埋め込み型電極がなく、かつ基板が十分に導電性である場合には基板の直接バイアスによって）コントロールされるＦＮ書き込みモードが可能になる。したがって、トランジスタのＶｂｓ、つまり基板またはバルクと、トランジスタのソース間の電位差がコントロールされる。
【００８０】
「ホットキャリア」の第２の書き込みモードにおいて、高Ｖｄｓ、つまりドレインとソース間の高電位差、および基板とトランジスタのソース間の高電位差によって選択されたトランジスタのみが閾値電圧を調整する。この書き込みモードによって、より少数の基板端子で済むトランジスタ単位のコントロールが可能になる。導電性エリアの導電率が完全である場合、電子サブシステムは１つの基板端子で済み、場合によっては、基板が十分導電性であり、バイアスが基板自体によって実行されれば、端子は必要ない。
【００８１】
本発明の利点のうち以下を引用することができる：
閾値電圧は、関連するトランジスタの下の基板のエリアのバイアスによって調整可能であり（これはＦｏｗｌｅｒ Ｎｏｒｄｈｅｉｍ書き込みとして知られている）、
閾値電圧は、基板バイアスおよびドレインバイアスを合成することによってトランジスタ単位で調整可能である（これは「ホットキャリア書き込み」として知られている）。この場合、基板端子は、閾値電圧の値に関してトランジスタに一定の機能を割り当てることなく、複数のトランジスタについて共有／プール化されてもよい。この調整は、調整される閾値電圧であるトランジスタ端子の電圧Ｖｄｓをコントロールし、または、トランジスタが含まれる回路のアクセス可能な端子を介してトランジスタの電圧Ｖｄｓを間接的にコントロールするための少なくとも１つの端子を必要とし、
閾値電圧は、ほぼ連続的により多数または少数の埋め込み型トラップを書き込むことによって調整可能であるのに対して、離散数の閾値電圧状態のみが、複数のゲート出力ワークまたは複数のチャネルドーピングを使用する場合に許容され、
トランジスタの閾値電圧は、トランジスタの製造後に（ドレインおよび基板の）バイアスによって再構成可能である。従来技術において、トランジスタの閾値電圧は、トランジスタの製造時には（チャネルドーピングおよびゲート出力ワークによって）概して固定されており、後に再構成不可能であり、また特に温度または照射に応じて制御不可能である。
【００８２】
上記に引用された最後の２つの利点は、次の用途の想定を可能にする：
回路パラメータのブロックの消費／スピードの動的割り当て、
技術的変動による閾値電圧の変動の補償、
外部温度の変化（および消費のコントロール）によってもたらされる閾値電圧のドリフトの補償、
照射媒体での使用（およびシステムサービス寿命の増大）によってもたらされる閾値電圧のドリフトの補償、
再構成可能な回路、および
可変的な閾値電圧のＭＯＳトランジスタの形成。
【００８３】
各トランジスタの有用な情報が、従来技術のように、トランジスタの電荷状態ではなく、トランジスタ内の電荷の移動からなることが分かる。したがって、閾値電圧は、トランジスタの論理またはアナログ用途に応じて、トランジスタの動作を最適化するように適合される。
【００８４】
トラップのゲートとの結合のために、本発明は、情報を構成する電荷（つまり、電流）の移動という標準的トランジスタ用途を可能にし、電圧は、例えば、電荷キャリアのモビリティと同じ条件ではデバイスの電流／電圧特性のうちの１つのパラメータである。同様に、この用途において、構造の電荷状態は主要な情報ではない。したがって、本発明によってターゲットとされる「トランジスタ」用途において、情報は、トランジスタの機能にしたがって変化する。アナログまたは無線周波数（ＲＦ）用途において、トランジスタの電流／電圧特性の一部の全体が使用されて、情報を構成する。
【００８５】
薄いか、この酸化物または酸化物スタックのトラップを帯電するために適用される基板バイアスを低下させるための高誘電定数を有する埋め込み型酸化物（または埋め込み型酸化物スタック）を使用することが好都合であることが分かる。本発明者らは、およそ１０ボルトでの空乏化／書き込みを可能にするスタックを形成した。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子サブシステムおよびこの形成方法に関する。本発明は、特に、埋め込み型トラッピング層によるＭＯＳ（金属酸化膜半導体）トランジスタの閾値電圧の調整に適用する。
【背景技術】
【０００２】
閾値電圧は、ＭＯＳトランジスタの重要なパラメータである。電子回路において、トランジスタはすべてが同一の機能を有しているわけではなく、また異なる性能を提供すべきであるため、異なる閾値電圧のトランジスタが概して必要とされる。例えば、ある回路において高閾値電圧、したがって低「ブロック化」状態電流のトランジスタ（低消費電力トランジスタ）もあるが、低閾値電圧、したがって高「パッシング」状態電流のトランジスタ（高性能トランジスタ）もある。したがって、異なる種類のトランジスタが回路設計に使用される。これらのトランジスタは、Ｊｅｒｅｍｙ Ｐｒｅｔｅｔらによる論文「Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｎｏｔｈｉｎｇ ＭＯＳＦＥＴｓ：Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，Ｓｈｏｒｔ−Ｃｈａｎｎｅｌ Ｅｆｆｅｃｔｓ，ａｎｄ Ｂａｃｋｇａｔｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ」，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ， Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．２，Ｆｅｂｒｕａｒｙ ２００４に記載されているような、バルクシリコン（Ｓｉ）、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）またはシリコンオンナッシング（ＳＯＮ）に形成される。
【０００３】
閾値電圧は概して、トランジスタのチャネルのドーピングに左右されるため、様々に注入されたトランジスタチャネルが概して使用される。完全空乏化（ＦＤ）技術として知られている別の技術が、アンドープ膜上にトランジスタを形成するために使用される。この技術は、Ｋｙｕｎｇ−Ｋｙｕ ＬＩＭらによる論文「Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ Ｖｏｌｔａｇｅ ｏｆ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩ） ＭＯＳＦＥＴｓ」．，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ．ＥＤ−３０，Ｎｏ，１０，Ｏｃｔｏｂｅｒ １９８３に記載されているように、ＳＯＩに使用されてもよい。この技術は、ＦＤＳＯＩ（完全空乏化ＳＯＩ）またはＳＯＮ技術と称される。この技術は、より良好な静電コントロール、変動の低減およびモビリティの増加をもたらす。この場合、閾値電圧は基本的に、トランジスタのゲートの出力ワーク（ｏｕｔｐｕｔ ｗｏｒｋ）に依存する（またドーピングにはほとんど依存しない）。
【０００４】
したがって、このアーキテクチャで異なる閾値電圧を取得するための１つの解決策は、異なる出力ワークのゲートを共挿入することである。このアプローチは多数の欠点を有する。ゲートの出力ワークの調整および共挿入（ｃｏ−ｉｎｔｅｇｒａｔｅ）は、実際的な技術的および物理的課題がある。ＦＤデバイスにおける閾値電圧の調整はまた、概して、さらなる発展を阻む大きな課題である。
【０００５】
調整可能な閾値電圧のＭＯＳトランジスタは欧州特許第０４０９６９７号明細書で知られている。この文献において、浮遊ゲートトランジスタは、トラッピングによって連続的に調整される閾値電圧を有する。一般的な浮遊ゲート構造と比較すると、上記の文献におけるトンネル酸化物は、プログラミングを容易にするために、ドレイン上で薄くされる。しかしながら、この場合、ゲートスタックは、メモリ用途および論理用途と同時に両立しなければならないため、達成が困難である。論理用途においては、（ゲート酸化物の厚さを低減することによって）ゲート／チャネル結合を増大させるという利点があるが、メモリ用途においては、良好な保持を保証するために、最小サイズのトンネル酸化物が維持されなければならない。したがって酸化物は必然的に厚くなり、これは論理トランジスタにとって最適とは言えない。
【０００６】
また、Ｈ．ＳｉｌｖａおよびＳ．Ｔｉｗａｒｉによる「Ａ Ｎａｎｏｓｃａｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ ａｎｄ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｕｓｉｎｇ Ｂａｃｋｓｉｄｅ Ｔｒａｐｐｉｎｇ」，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．３ Ｎｏ．１２ Ｊｕｎｅ ２００４という文献が知られている。この文献において、トランジスタの閾値電圧は、埋め込み型絶縁体におけるトラッピングおよび容量結合によって変調される。閾値電圧は常に同一（バイナリ）条件下で変調される。上記の文献における曲線は、耐久性および保持時間に関してメモリ用途に典型的である。
【０００７】
対応する米国特許第７，０５７，２３４号明細書は、シリコンナノ結晶が可能なトラッピング部位と称される構造に関する。上記の文献は、論理モードのトランジスタまたはメモリポイントのいずれかにこの構造を使用することを示しており、このモードは異なるバイアス設定によって区別される。上記の文献は、メモリポイントのみにトラッピング機構を使用することを目的としている。
【０００８】
したがって上記の文献は、調整可能な閾値電圧のトランジスタ、特に、閾値電圧がトランジスタの論理またはアナログターゲット用途に応じて意図的に調整されるトランジスタ（低閾値電圧トランジスタ、標準閾値電圧トランジスタまたは高閾値電圧トランジスタ）の形成には全く関係ない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】欧州特許第０４０９６９７号明細書
【特許文献２】米国特許第７，０５７，２３４号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００７０１０５３１０号明細書
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｊｅｒｅｍｙ Ｐｒｅｔｅｔらによる「Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｎｏｔｈｉｎｇ ＭＯＳＦＥＴｓ：Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ， Ｓｈｏｒｔ−Ｃｈａｎｎｅｌ Ｅｆｆｅｃｔｓ，ａｎｄ Ｂａｃｋｇａｔｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ」，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ， Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．２，Ｆｅｂｒｕａｒｙ ２００４
【非特許文献２】Ｋｙｕｎｇ−Ｋｙｕ ＬＩＭらによる「Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ Ｖｏｌｔａｇｅ ｏｆ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩ） ＭＯＳＦＥＴｓ」．，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ．ＥＤ−３０，Ｎｏ，１０，Ｏｃｔｏｂｅｒ １９８３
【非特許文献３】Ｈ．ＳｉｌｖａおよびＳ．Ｔｉｗａｒｉによる「Ａ Ｎａｎｏｓｃａｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ ａｎｄ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｕｓｉｎｇ Ｂａｃｋｓｉｄｅ Ｔｒａｐｐｉｎｇ」，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．３ Ｎｏ．１２ Ｊｕｎｅ ２００４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特に静電的な観点では（より具体的には短チャネルに対しては）最適化され、同時に、トランジスタの意図的な論理またはアナログ用途に応じて調整可能な閾値電圧を有するＦＤトランジスタを形成することを可能にする技術的な解決策は目下のところない。
【００１２】
本発明はこれらの欠点の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このために、本発明の第１の態様は、以下を特徴とする電子サブシステムを提供する：
調整可能な閾値電圧の少なくとも１つの第１のトランジスタを担持する半導体層と、
所定の第１の深さに、前記第１のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延び、かつ第１のトラッピングエリアの外部のトラップの密度より高い密度のトラップを含む前記第１のトラッピングエリアを含む絶縁層とを含み、
半導体層および第１のトラッピングエリアが容量結合され、前記第１のトランジスタの有用な情報はトランジスタの電荷の移動である。
【００１４】
トラップとゲートの結合のために、本発明は標準的なトランジスタ用途を提供し、これは情報を構成する電荷（つまり、電流）の移動であり、電圧は、例えば、電荷キャリアのモビリティと同じ条件で、デバイスの電流／電圧特性のうちの１つのパラメータである。同様に、この用途において、この構造の電荷状態は主要な情報ではない。したがって、本発明の「トランジスタ」ターゲット用途において、情報は、トランジスタの機能にしたがって変化する。アナログまたは無線周波数（ＲＦ）用途において、トランジスタの電流／電圧特性の一部の全体が使用され、情報を構成する。基本的なデバイスは必ずしもマトリクス形態ではないが、特定の機能を提供するブロックに分割される。
【００１５】
本発明の利点のうち以下の点もまた引用されてもよい：
閾値電圧は関連トランジスタの下の基板のエリアのバイアスによって調整可能であり（これは「Ｆｏｗｌｅｒ Ｎｏｒｄｈｅｉｍ」書き込みとして知られている）、
閾値電圧は、基板バイアスおよびドレインバイアスを合成することによってトランジスタごとに調整可能である（これはホットキャリア書き込みとして知られている）。この場合、基板端子は、閾値電圧の値に対してトランジスタに特定の機能を割り当てることなく、複数のトランジスタについて共有／プール可能であり、この調整は、閾値電圧が調整されるトランジスタの端子における電圧Ｖｄｓをコントロールしたり、トランジスタが内蔵されている回路のアクセス可能な端子を介してトランジスタの電圧Ｖｄｓを間接的にコントロールするための少なくとも１つの端子を必要とし、
閾値電圧は、より多数または少数の埋め込み型トラップをほぼ連続的に書き込むことによって調整可能であるが、複数のゲート出力ワークまたは複数のチャネルドーピングを使用する場合には、離散数（ｄｉｓｃｒｅｔｅ ｎｕｍｂｅｒ）の閾値電圧状態のみが許容され、
トランジスタの閾値電圧は、トランジスタの製造後に（ドレインおよび基板の）バイアスによって再構成可能である。従来技術において、トランジスタの閾値電圧は、トランジスタの製造中は（チャネルドーピングおよびゲートの出力ワークによって）概して固定されており、後の再構成は不可能であり、特に温度または照射に応じて制御不可能である。
【００１６】
上記の引用された最後の２つの利点は以下の用途の想定を可能にする：
回路ブロックの消費／スピードパラメータの動的割り当て、
技術的変動によってもたらされる閾値電圧変動の補償、
外部温度の変化によってもたらされる閾値電圧ドリフトの補償（および消費のコントロール）、
照射環境での使用によってもたらされる閾値電圧ドリフトの補償（およびシステムサービス寿命の増大）、
再構成可能な回路、および
可変的閾値電圧のＭＯＳトランジスタの形成。
【００１７】
各トランジスタの有用な情報は好ましくは、従来技術のように、トランジスタの電荷状態ではなく、トランジスタ内の電荷の移動である点に留意されたい。したがって、閾値電圧は、トランジスタの論理またはアナログ用途に応じてトランジスタの動作を最適化するように適合される。
【００１８】
具体的な特徴によると、第１のトラッピングエリアは前記第１のトランジスタのチャネルの下にのみ延びる。
【００１９】
具体的な特徴によると、本発明の電子サブシステムは、上記に簡潔に定義されているように、少なくとも１つの第１のトランジスタを担持する半導体層の反対側に絶縁層に対して配置されている導電性エリアをさらに含む。
【００２０】
この導電性エリアは、これが面する各トランジスタの閾値電圧のコントロールを可能にし、この閾値電圧は、トランジスタと導電性エリア間の中間位置のトラップの存在によって変調される。
【００２１】
具体的な特徴によると、導電性エリアは導電性基板である。
【００２２】
具体的な特徴によると、前記導電性エリアは、絶縁層の下の、ドーパント、例えば注入ドーパントを含む基板のエリアである。
【００２３】
具体的な特徴によると、本発明の電子サブシステムは、上記に簡潔に定義されているように、少なくとも１つの第２のトラッピングエリアを含む。
【００２４】
具体的な特徴によると、第２のトラッピングエリアは、第１の深さとは異なる第２の深さにある。
【００２５】
具体的な特徴によると、第２のトラッピングエリアは、第１のトラッピングエリアとは異なるトラップ密度分布を有する。
【００２６】
具体的な特徴によると、前記第２のトラッピングエリアは、第２のトランジスタのチャネルの下に少なくとも部分的にある。
【００２７】
具体的な特徴によると、前記トラップはナノ結晶からなる。
【００２８】
具体的な特徴によると、前記ナノ結晶は、Ｓｉ、Ｇｅ、金属または半導体／金属合金の原子を絶縁層に含む。
【００２９】
具体的な特徴によると、前記トラップは、ＮまたはＦ原子の注入および熱処置によって形成される。
【００３０】
具体的な特徴によると、絶縁層は、２つの酸化物層のスタックで形成され、連続トラッピング層は２つの酸化物層の界面に形成される。
【００３１】
具体的な特徴によると、絶縁層は、酸化物層、連続窒化または多結晶シリコントラッピング層および酸化物層からなるスタックで形成される。
【００３２】
この場合、上部酸化物層は、トンネル効果による電荷をトラッピング層に注入するために使用され、トラッピング層は、トラップに電荷を蓄積するために使用され、下部酸化物層は、トラッピング層と基板または導電層間の結合を提供するために使用される。
【００３３】
本発明の第２の態様は、以下を特徴とする電子サブシステム形成方法を提供する：
調整可能な閾値電圧の少なくとも１つの第１のトランジスタを担持する半導体層と、絶縁層とを組み立てるステップと、
所定の第1の深さに、前記第１のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延び、かつ第１のトラッピングエリアの外側のトラップの密度より高い密度のトラップを含む前記第１のトラッピングエリアを絶縁層に形成することによって、半導体層および第１のトラッピングエリアが容量結合されるステップとを含み、
前記第１のトランジスタの有用な情報はトランジスタの電荷の移動である。
【００３４】
具体的な特徴によると、第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、Ｇｅ、Ｓｉ、金属または半導体／金属合金の原子の絶縁層への第１の注入が実行される。
【００３５】
具体的な特徴によると、第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、ナノ結晶を形成するためのアニーリングが実行される。
【００３６】
具体的な特徴によると、本発明の方法は、上記に簡潔に定義されているように、第１の注入で使用されるのとは異なるエネルギーおよび／または用量および／または原子による第２の注入によって、第２のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延びる第２のトラッピングエリアを形成するステップを含む。
【００３７】
具体的な特徴によると、第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、第１のトラッピングエリアを位置決めするためのマスキングが実行される。
【００３８】
具体的な特徴によると、第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、ゲートスタックを介する直接ゲートアライメントが実行され、トランジスタゲートは、トラップをトランジスタのチャネルとアライメントさせるためのマスクとして使用される。
【００３９】
具体的な特徴によると、第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、トランジスタのゲートの最終アライメントは、少なくとも１つのトランジスタのゲートの最終キャビティを空にし、キャビティへの注入を実行し、次いで各キャビティを新たなゲートスタックで充填することによって実行される。
【００４０】
具体的な特徴によると、本発明の方法は、上記に簡潔に定義されているように、電子サブシステムのトランジスタをＦＮ書き込みするステップを含む。
【００４１】
具体的な特徴によると、本発明の方法は、上記に簡潔に定義されているように、電子サブシステムのトランジスタをホットキャリア書き込みするステップを含む。
【００４２】
薄いか、酸化物や酸化物スタックのトラップを帯電するために適用される基板のバイアスを低下させるための高誘電定数を有する埋め込み型酸化物（または埋め込み型酸化物スタック）の使用は好都合である点に留意されたい。１０ボルト付近の空乏／書き込みを可能にするスタックは、５ｎｍのトンネル酸化物／７０ｎｍの窒化物／７０ｎｍの酸化物という埋め込み型スタックに対して、本発明者らによって形成された。
【００４３】
具体的な特徴によると、本発明の方法は、上記に簡潔に定義されているように、半導体層、絶縁層および導電層を関連付けるために複数の層スタックを接合するステップを含む。
【００４４】
本方法の具体的な利点、目的および特徴は、上記に簡潔に定義されているように、本発明の電子サブシステムのものと類似しており、ここでは繰り返されない。
【００４５】
本発明の他の利点、目的および特徴は、添付の図面を参照した非限定的説明によってなされた以下の記述から明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１は、本発明の第１の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを表している。
【図２】図２は、本発明の第１の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを表している。
【図３】図３は、本発明の第１の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを表している。
【図４】図４は、本発明の第１の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを表している。
【図５】図５は、本発明の第１の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを表している。
【図６】図６は、図５に示されている電子サブシステムの形成における別のステップを図示している。
【図７】図７は、本発明の第２の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを図示している。
【図８】図８は、本発明の第２の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを図示している。
【図９】図９は、本発明の第２の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成におけるステップを図示している。
【図１０】図１０は、本発明の第３の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１１】図１１は、本発明の第３の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１２】図１２は、本発明の第３の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１３】図１３は、本発明の第４の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１４】図１４は、本発明の第４の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１５】図１５は、本発明の第４の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１６】図１６は、本発明の第５の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１７】図１７は、本発明の第５の具体的な実施形態の電子サブシステムの形成のステップを図示している。
【図１８】図１８は、本発明の電子サブシステムを書き込む２つのモードを可能にする構成を、上から分かるように表している。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
図１から分かるように、本発明の第１の実施形態の電子サブシステムを製造するための開始ポイントは：
基板１０１と、
「トラッピング層」と称され、電界の効果によって電荷をトラッピング可能な埋め込み型絶縁層１０２と、
エッチング済みまたはされていない上部半導体１０３とを含む層の組み立て体である。
【００４８】
トラッピング層１０２および上部半導体層１０３は、ＦＤ（完全空乏化）トランジスタの半導体層における形成を可能にするために容量結合される。
【００４９】
次いで、図２に示されているように、連続または非連続導電層１０４が、例えば、マスクを使用して基板１０１にドーパントを注入することによって、埋め込み型絶縁層１０２の下に形成される。この導電層１０４は、ＰＤＳＯＩ（部分的空乏化ＳＯＩ）トランジスタの場合にボックス端子または基板端子と同様に形成可能であることが分かる。この導電層１０４は、後述されるように、基板１０１自体がこの機能を提供するのに十分な導電性があれば、省略可能である。
【００５０】
次いで、図３に示されるように、上部半導体１０３のアクティブエリアがエッチングされる。
【００５１】
図４に示されるように、ＭＯＳトランジスタ１１０が次いで、それ自体が知られている方法で半導体層１０３の表面に形成される。ＭＯＳトランジスタを製造するプロセス時に、マスクを使用して埋め込み型絶縁層１０２をエッチングするステップが実行される。このステップは、有利には、トランジスタのソース／ドレインおよびゲートのシリサイド化の前に実行される。
【００５２】
最後に、図５に示されるように、絶縁層１１２がトランジスタ１１０に堆積され、この後に、導電エリア１０４上に少なくとも１つのコンタクト１１１を含むコンタクト（図示せず）がゲートおよびアクティブエリアに形成される。
【００５３】
導電層１０４の形成に関する図２に示されたステップは、連続導電層１１４の場合は、図６に見られるように２つのスタックを接合するステップと置き換えられてもよい。第１のスタックは、例えば、金属またはドープ半導体から形成された導電層１１４と関連した基板１０１を含む。第２のスタックは、少なくとも絶縁つまりトラッピング層１０２および半導体層１０３を含む。あるいは、接合は、一方で基板１０１に、他方で半導体層１０３、トラッピング絶縁層１０２および導電層１１４に関する。あるいは、トラッピング絶縁層１０２自体が、例えば、２つの酸化物層間に配置された窒化または多結晶シリコントラッピング層の場合のように、複数の層１２１、１２２および１２３（図１６および図１７参照）のスタックによって形成される場合、接合はこれらの層のうちの２つの間で実行され得る。いずれの場合も、接合がこの層のレベルで生じても生じなくても、基板１０１と導電層１１４間に、例えばＳｉＯ２の絶縁層を提供することも可能である。
【００５４】
あるいは、絶縁層は２つの酸化物層のスタックから形成され、連続トラッピング層は、２つの酸化物層の界面に形成される。したがって、第１のトラッピングエリアを形成するために、２つの絶縁層を分子接合することが可能であり、トラッピングエリアは接合界面に現れる。
【００５５】
導電層を形成するステップが図２に示されているように実行されても、図６に示されているように実行されても、トラッピング絶縁層１０２は、メモリ用途技術で知られているタイプのスタックであってもよい。例えば、図１６および図１７に示されているように、トラッピング絶縁層１０２は、酸化物層１２１、トラッピング１２２および酸化物層１２３を備えるスタックであってもよい。この場合、上部酸化物層１２１は、トンネル酸化物層と称される。上部酸化物層１２１は、トンネル効果によってトラッピング層１２２に電荷を注入するために使用される。トンネル酸化物層１２１の厚さは、数ナノメートル程度、通常は１０ｎｍである。トンネル酸化物層１２１は通常、ＳｉＯ２および／またはＨｆＯ２やＡｌ２Ｏ３などの高誘電材料で形成される。高誘電材料の使用は、過度な保持を強いる（ｐｅｎａｌｉｚｉｎｇ）ことなく、トンネル酸化物層１２１の厚さおよびプログラミング電圧を低減することができる。
【００５６】
トラッピング層１２２はトラップに電荷を蓄積する。この厚さは、数ナノメートルから数十ナノメートル程度である。これは、米国特許出願公開第２００７０１０５３１０号明細書の文献に開示されているように、堆積およびアニーリングによってまたは注入によって形成される、Ｓｉ、Ｇｅ、金属または半導体／金属合金のナノ結晶の多結晶シリコン、窒化物、Ａｌ２Ｏ３、半化学量論的ＳｉＯ２にあってもよい。局所化されたトラッピングの窒化物、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２を使用する最後の３つの選択肢は、多結晶シリコンに対するトンネル酸化物層１２１の厚さを低減することができる。
【００５７】
あるいは、トラッピング部位の形成はＮ（窒素）またはＦ（フッ素）原子の注入を含むが、これはナノ結晶を作成しないが、トラップを作成または加熱することができる。
【００５８】
したがって、離散トラッピング部位は概して、例えば、上述されたようにＮまたはＦ原子の注入および加熱処置および／またはナノ結晶の形成の後に形成される。
【００５９】
酸化物層１２３は、「コントロール酸化物」または「インターポリ（ｉｎｔｅｒｐｏｌｙ）」層と称される。酸化物層１２３は、トラッピング層と、存在する場合には、基板１０１または導電層１０４からなるコントロール「ゲート」との結合を提供する。基板１０１が十分に導電性である場合導電層１０４がなくてもよい点に留意されたい。この場合、トランジスタは、（「ホットキャリア」コントロールとして知られている）ドレインを介するコントロールが使用されなければ、個別にコントロール不可能である。コントロール酸化物層１２３はＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４またはＡｌ２Ｏ３からなってもよく、後者の材料は、同等の酸化物厚さ（ＥＯＴ）対漏洩のトレードオフ、またはＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３もしくは高誘電材料／ＳｉＯ２スタックに関しては良好であり、これは、より良好なＥＯＴ対漏洩のトレードオフという利点を有する。
【００６０】
絶縁層１０２は連続的であっても非連続的であってもよい。図１６および図１７を参照して説明された第５の実施形態のように、スタックからなる場合には、部分的に不連続であってもよい。
【００６１】
図７に示された本発明の第２の具体的な実施形態の電子サブシステムを形成するための開始ポイントは：
基板１０１と、
好ましくはＳｉＯ２における埋め込み型絶縁層１０５と、
エッチング済みまたはされていない上部半導体１０３とを含むＳＯＩまたはＳＯＮ構造である。
【００６２】
次いで、図８に示されているように、Ｓｉ、Ｇｅ、金属または金属／半導体合金の原子は絶縁層１０５に注入され、（「トラップ」または「トラップセンター」としても知られている）ナノ結晶２２０を形成するためのアニーリングが続く。この場合、絶縁層１０５は、上記の層１２１および１２３と同じ機能を有し、トラッピングセンター２２０は層１２２の役割を想定している。したがって、層１２１および１２３は、絶縁層１０５の注入なしの領域によって画定されてもよく、また層１２２は、注入されたトラッピングセンター２２０の領域によって画定されてもよい。注入の深さは注入エネルギーによってコントロールされることが分かる。トラッピングセンター密度は注入用量によってコントロールされる。トラッピングセンターの分布はマスキングによって形成される。
【００６３】
図９に示されているように、ＭＯＳトランジスタ１１０は次いで、それ自体が知られている方法で半導体層１０３の表面に形成され、絶縁層１１２はトランジスタ１１０上に堆積され、コンタクトは、ゲートおよび／またはアクティブエリア（図示せず）上に形成され、コンタクト１１１は導電性エリア１０４上に形成される。
【００６４】
第２の実施形態は以下の点で有利である：
標準ＳＯＩまたはＳＯＮ基板以外の基板を必要とせず、
異なる（注入エネルギーによってコントロールされた深さの）位置または（注入用量でコントロールされた）トラップ密度で、また異なる深さおよび／または用量および／または元素による複数の注入を連続的または同時に実行することによって複数のトラッピング領域を絶縁層１０５に作成可能にする。これは特に、同じ書き込み条件で生じ得る閾値電圧の修正を可能にする。したがって、より感応性が高いまたは低い書き込み領域を画定することができる。例えば、閾値電圧が（トラップ２２０の高密度および表面により近いトラップ２２０のために）極めて大きく変化し得る領域が提供されることもあり、閾値電圧の変調が所与のバイアス条件（トラップ２２０’のより低い密度、またはより深く注入されたトラップ２２０’）では弱い領域もあり、
局所的アプローチを可能にし、マスキングは、絶縁層１０５においてトラッピングエリア２２０を局所化するために使用されてもよい。特に、トラッピングエリア２２０は、閾値電圧が変更されなければならないトランジスタ１１０の下に配置されてもよい。より正確には、チャネルの下でのみ（ソースおよびドレインの下ではなく）この注入を局所化することができ、このことは、トラップ放電電流および浮遊キャパシタンスを低下させることができる。
【００６５】
図１０から図１２を参照して説明され、かつ第２の実施形態の変形例を構成する第３の実施形態において、注入はゲートスタックを介して実行される（これは「直接ゲート注入」として知られている）。図１１に示されているように、トラッピングセンター２２０は、トランジスタ１１０のチャネル上のトラッピングセンター２２０のセルフアライメントを取得するために、トランジスタ１１０のゲートをマスクとして使用して注入される。注入は構造全体で実行される。ゲートにおけるスタックのさらなる厚さを考慮すると、ゲートでの注入は、構造の他の部分ほど深くない。したがって、チャネルの外部に注入された種はより深く注入されている。図１１および図１２に示されているように、種は、導電性エリア１０４に返されてもよい。図１２は最終構造を示している。
【００６６】
図１３から図１５を参照して説明され、かつ第２の実施形態の変形例を構成する第４の実施形態において、トランジスタ１１０のゲートの最後の統合が実行され、注入は、直接ゲート（ゲートの最初の）統合において、キャビティにおいて、またはゲートを介して実行される。
【００６７】
図１３は、図４および図５を参照して説明された構造を再度示している。図１４に示されているように、いくつかのトランジスタ（ここでは図１４の右側のトランジスタ１３２および１３３）に関して、ゲートの最後のキャビティ１５１が、マスクを使用して、後のゲートエリアにおいて空にされる。マスク１４１は、例えば、トランジスタ１３１のレベルにおけるこの作業を回避することができる。これはまた後続の注入をマスキングする。これは、有利には、注入された原子が位置決めされるチャネルの下のトランジスタ１５１のゲートにアライメントされる。
【００６８】
ナノ結晶２２０を形成するための注入が続く。構造は開口１５１でより微細になるため、このエリアでの注入は、構造の他の部分より深い。トランジスタ１３２について示されているように、有利には、トランジスタ１３２のチャネルのレベルにのみ注入をコントロールするために、マスク１４２を介する注入を提供することができる。
【００６９】
図１５に示されているように、キャビティは後に、例えば、多結晶シリコンに基づいたゲートのスタックで充填される。コンタクト端子が次いで形成され、図１５に示されている最終構造を形成する（すべてのコンタクトが示されているわけではなく、特にソース、ドレイン、ゲートコンタクトである）。
【００７０】
第３および第４の実施形態は、浮遊電流やキャパシタンスを形成しないことで有利である。ソース／ドレインによるシールドのために帯電され、同じ理由から、閾値電圧を制御するのは、原則としてチャネルの下の領域である。ソースおよびドレインの下に配置されたトラップ領域はソース／ドレインとトラッピングエリア間に浮遊キャパシタンスを誘導し、浮遊電流は、特に連続多結晶シリコン層のトラップの放電、より低い度合いの不連続トラッピングエリアにつながり得ることがある。
【００７１】
第３および第４の実施形態はまた、第２の実施形態のように、トランジスタ（またはトランジスタ群）に応じて異なる種および／または用量および／またはエネルギーで局所的に注入することによって、同一の書き込みまたは空乏バイアスの異なるトランジスタ（またはトランジスタ群）を調整することができ、トランジスタ（またはトランジスタ群）に応じてより多量または少量の用量のトラップより深いまたはそれほど深くないトラップを取得することができる点が有利である。
【００７２】
図１６および図１７を参照して説明された本発明の第５の具体的な実施形態の電子サブシステムにおいて、上記の層１２１、１２２、１２３のスタックが、特に層１２２が連続多結晶シリコンまたは窒化トラッピング層である場合に、使用される。本実施形態では、トランジスタ１１０の絶縁エリアにおいて少なくとも層１２１および１２２と、適用可能ならば層１２３をエッチングし、この絶縁層を形成する場合に、いくつかのトランジスタ１１０の下でのみ局所化層１２２を画定することが好ましい。したがって、書き込み時に、トランジスタ１１０のうちのいくつかのみが、この絶縁性のために、コントロールされた閾値電圧を有することがある。
【００７３】
図１６に示されているように、絶縁層１０２を形成するために、層１２１、１２２および１２３のスタックの図２に示されている構造から開始することによって、層１２２はエッチングされて、横方向に絶縁し、このことは、連続トラッピング層の場合に特に有利である。
【００７４】
本発明の電子サブシステムを形成する各方法の最後に、最終ステップは、第１の実施形態を参照して説明されたようなトランジスタおよびコンタクト端子の形成に対応する。
【００７５】
したがって、図１７は、第５の具体的な実施形態の最終構造を表している。
【００７６】
トランジスタの閾値電圧を修正するという一般原理に関する説明が続く。
【００７７】
ＳＯＩまたはＳＯＮ ＦＤトランジスタについて、埋め込み型絶縁層によって固定された電荷のトラッピングは、容量結合によるトランジスタの閾値電圧のオフセットを誘導する。一定のバイアスの印加は、必要な場合には、絶縁層１０２または１０５、より正確には層１２２への電荷の注入による書き込みを可能にする。
【００７８】
この書き込みが実行されると、電荷は、構造の保持時間に応じた期間（不揮発性メモリで使用されているスタックの場合は１０年以上）この層に留まる。電荷を維持するためにバイアスは必要ない。書き込みバイアスは一度に、すべてに対して印加されてもよい。あるいは、いつでも削除でき（このことは蓄積された電荷の低減または消滅を伴う）、または必要ならば（電荷の量を修正したりメモリをリフレッシュしたりするために）いつでも書き換えることができる。
【００７９】
図１８に上方から示されているように、基板端子３０１と、基板端子３０１の影響下のトランジスタまたは論理ブロックのセット３０２と、基板端子３０１の影響下にないトランジスタまたは論理ブロックのセット３０３が、電子サブシステムの上面に配置されている。この構成によって、回路の全部または一部が埋め込み型電極のバイアスによって（または、埋め込み型電極がなく、かつ基板が十分に導電性である場合には基板の直接バイアスによって）コントロールされるＦＮ書き込みモードが可能になる。したがって、トランジスタのＶｂｓ、つまり基板またはバルクと、トランジスタのソース間の電位差がコントロールされる。
【００８０】
「ホットキャリア」の第２の書き込みモードにおいて、高Ｖｄｓ、つまりドレインとソース間の高電位差、および基板とトランジスタのソース間の高電位差によって選択されたトランジスタのみが閾値電圧を調整する。この書き込みモードによって、より少数の基板端子で済むトランジスタ単位のコントロールが可能になる。導電性エリアの導電率が完全である場合、電子サブシステムは１つの基板端子で済み、場合によっては、基板が十分導電性であり、バイアスが基板自体によって実行されれば、端子は必要ない。
【００８１】
本発明の利点のうち以下を引用することができる：
閾値電圧は、関連するトランジスタの下の基板のエリアのバイアスによって調整可能であり（これはＦｏｗｌｅｒ Ｎｏｒｄｈｅｉｍ書き込みとして知られている）、
閾値電圧は、基板バイアスおよびドレインバイアスを合成することによってトランジスタ単位で調整可能である（これは「ホットキャリア書き込み」として知られている）。この場合、基板端子は、閾値電圧の値に関してトランジスタに一定の機能を割り当てることなく、複数のトランジスタについて共有／プール化されてもよい。この調整は、調整される閾値電圧であるトランジスタ端子の電圧Ｖｄｓをコントロールし、または、トランジスタが含まれる回路のアクセス可能な端子を介してトランジスタの電圧Ｖｄｓを間接的にコントロールするための少なくとも１つの端子を必要とし、
閾値電圧は、ほぼ連続的により多数または少数の埋め込み型トラップを書き込むことによって調整可能であるのに対して、離散数の閾値電圧状態のみが、複数のゲート出力ワークまたは複数のチャネルドーピングを使用する場合に許容され、
トランジスタの閾値電圧は、トランジスタの製造後に（ドレインおよび基板の）バイアスによって再構成可能である。従来技術において、トランジスタの閾値電圧は、トランジスタの製造時には（チャネルドーピングおよびゲート出力ワークによって）概して固定されており、後に再構成不可能であり、また特に温度または照射に応じて制御不可能である。
【００８２】
上記に引用された最後の２つの利点は、次の用途の想定を可能にする：
回路パラメータのブロックの消費／スピードの動的割り当て、
技術的変動による閾値電圧の変動の補償、
外部温度の変化（および消費のコントロール）によってもたらされる閾値電圧のドリフトの補償、
照射媒体での使用（およびシステムサービス寿命の増大）によってもたらされる閾値電圧のドリフトの補償、
再構成可能な回路、および
可変的な閾値電圧のＭＯＳトランジスタの形成。
【００８３】
各トランジスタの有用な情報が、従来技術のように、トランジスタの電荷状態ではなく、トランジスタ内の電荷の移動からなることが分かる。したがって、閾値電圧は、トランジスタの論理またはアナログ用途に応じて、トランジスタの動作を最適化するように適合される。
【００８４】
トラップのゲートとの結合のために、本発明は、情報を構成する電荷（つまり、電流）の移動という標準的トランジスタ用途を可能にし、電圧は、例えば、電荷キャリアのモビリティと同じ条件ではデバイスの電流／電圧特性のうちの１つのパラメータである。同様に、この用途において、構造の電荷状態は主要な情報ではない。したがって、本発明によってターゲットとされる「トランジスタ」用途において、情報は、トランジスタの機能にしたがって変化する。アナログまたは無線周波数（ＲＦ）用途において、トランジスタの電流／電圧特性の一部の全体が使用されて、情報を構成する。
【００８５】
薄いか、この酸化物または酸化物スタックのトラップを帯電するために適用される基板バイアスを低下させるための高誘電定数を有する埋め込み型酸化物（または埋め込み型酸化物スタック）を使用することが好都合であることが分かる。本発明者らは、およそ１０ボルトでの空乏化／書き込みを可能にするスタックを形成した。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
調整可能な閾値電圧の少なくとも１つの第１のトランジスタを担持する半導体層（１０３）と、
所定の第１の深さに、前記第１のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延び、かつ第１のトラッピングエリアの外側のトラップの密度より高い密度のトラップを含む前記第１のトラッピングエリア（２２０）を含む絶縁層（１０２、１０５）とを含み、
半導体層および第１のトラッピングエリアが容量結合され、前記第１のトランジスタの有用な情報がトランジスタにおける電荷の移動であることを特徴とする、電子サブシステム。
【請求項２】
第１のトラッピングエリアが、前記第１のトランジスタのチャネルの下にのみ延びることを特徴とする、請求項１に記載の電子サブシステム。
【請求項３】
少なくとも１つの第１のトランジスタを担持する半導体層の反対側に絶縁層に対して配置された導電性エリアをさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の電子サブシステム。
【請求項４】
導電性エリアが導電性基板であることを特徴とする、請求項３に記載の電子サブシステム。
【請求項５】
前記導電性エリアが、絶縁層の下にあり、かつドーパント、例えば注入ドーパントを含む基板のエリアであることを特徴とする、請求項３に記載の電子サブシステム。
【請求項６】
少なくとも１つの第２のトラッピングエリアを含むことを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の電子サブシステム。
【請求項７】
第２のトラッピングエリアが、第１の深さとは異なる第２の深さにあることを特徴とする、請求項６に記載の電子サブシステム。
【請求項８】
第２のトラッピングエリアが、第１のトラッピングエリアとは異なるトラップ密度分布を有することを特徴とする、請求項６または７に記載の電子サブシステム。
【請求項９】
前記第２のトラッピングエリアが、第２のトランジスタのチャネルの下に少なくとも部分的にあることを特徴とする、請求項６から８のいずれか一項に記載の電子サブシステム。
【請求項１０】
前記トラップがナノ結晶からなることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の電子サブシステム。
【請求項１１】
前記ナノ結晶が、Ｓｉ、Ｇｅ、金属または半導体／金属合金の原子を絶縁層に含むことを特徴とする、請求項１０に記載の電子サブシステム。
【請求項１２】
前記トラップが、ＮまたはＦの原子の注入および熱処置によって形成されることを特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載の電子サブシステム。
【請求項１３】
絶縁層が、酸化物層、連続窒化または多結晶シリコントラッピング層および酸化物層を備えるスタックで形成されることを特徴とする、請求項１から１２のいずれか一項に記載の電子サブシステム。
【請求項１４】
調整可能な閾値電圧の少なくとも１つの第１のトランジスタ（１１０）を担持する半導体層（１０３）と、絶縁層（１０２、１０５）とを組み立てるステップと、
所定の第１の深さに、前記第１のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延び、かつ第１のトラッピングエリアの外側のトラップの密度より高い密度のトラップを含む前記第１のトラッピングエリア（２２０）を絶縁層に形成することによって、半導体層および第１のトラッピングエリアが容量結合されるステップとを含み、
前記第１のトランジスタの有用な情報が、トランジスタにおける電荷の移動であることを特徴とする、電子サブシステム形成方法。
【請求項１５】
第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、２つの絶縁層が分子接合され、トラッピングエリアが接合界面に現れることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、Ｇｅ、Ｓｉ、金属または半導体／金属合金の原子の絶縁層への第１の注入が実行されることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、ナノ結晶を形成するためのアニーリングが実行されることを特徴とする、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
第１の注入で使用されるのとは異なるエネルギーおよび／または用量および／または原子の第２の注入によって第２のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延びる第２のトラッピングエリアを形成するステップを含むことを特徴とする、請求項１５から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
第１のトラッピングリアを形成するステップ時に、第１のトラッピングエリアを位置決めするためのマスキングが実行されることを特徴とする、請求項１４から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、ゲートスタックを介する直接ゲートアライメントが実行され、トランジスタゲートが、トラップをトランジスタのチャネルとアライメントさせるためのマスクとして使用されることを特徴とする、請求項１４から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、トランジスタのゲートの最後のアライメントが、少なくとも１つのトランジスタのゲートの最後のキャビティを空にして、キャビティに注入を実行して、次いで各キャビティを新たなゲートスタックで充填することによって実行されることを特徴とする、請求項１４から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
電子サブシステムのトランジスタをＦＮ書き込みするステップを含むことを特徴とする、請求項１４から２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
電子サブシステムのトランジスタをホットキャリア書き込みするステップを含むことを特徴とする、請求項１４から２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
半導体層、絶縁層および導電層を関連付けるために層のスタックを接合するステップを含むことを特徴とする、請求項１４から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１】
調整可能な閾値電圧の少なくとも１つの第１のトランジスタを担持する半導体層（１０３）と、
所定の第１の深さに、前記第１のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延び、かつ第１のトラッピングエリアの外側のトラップの密度より高い密度のトラップを含む前記第１のトラッピングエリア（２２０）を含む絶縁層（１０２、１０５）とを含み、
半導体層および第１のトラッピングエリアが容量結合され、前記第１のトランジスタの有用な情報がトランジスタにおける電荷の移動であることを特徴とする、電子サブシステム。
【請求項２】
第１のトラッピングエリアが、前記第１のトランジスタのチャネルの下にのみ延びることを特徴とする、請求項１に記載の電子サブシステム。
【請求項３】
少なくとも１つの第１のトランジスタを担持する半導体層の反対側に絶縁層に対して配置された導電性エリアをさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の電子サブシステム。
【請求項４】
導電性エリアが導電性基板であることを特徴とする、請求項３に記載の電子サブシステム。
【請求項５】
前記導電性エリアが、絶縁層の下にあり、かつドーパント、例えば注入ドーパントを含む基板のエリアであることを特徴とする、請求項３に記載の電子サブシステム。
【請求項６】
少なくとも１つの第２のトラッピングエリアを含むことを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の電子サブシステム。
【請求項７】
第２のトラッピングエリアが、第１の深さとは異なる第２の深さにあることを特徴とする、請求項６に記載の電子サブシステム。
【請求項８】
第２のトラッピングエリアが、第１のトラッピングエリアとは異なるトラップ密度分布を有することを特徴とする、請求項６または７に記載の電子サブシステム。
【請求項９】
前記第２のトラッピングエリアが、第２のトランジスタのチャネルの下に少なくとも部分的にあることを特徴とする、請求項６から８のいずれか一項に記載の電子サブシステム。
【請求項１０】
前記トラップがナノ結晶からなることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の電子サブシステム。
【請求項１１】
前記ナノ結晶が、Ｓｉ、Ｇｅ、金属または半導体／金属合金の原子を絶縁層に含むことを特徴とする、請求項１０に記載の電子サブシステム。
【請求項１２】
前記トラップが、ＮまたはＦの原子の注入および熱処置によって形成されることを特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載の電子サブシステム。
【請求項１３】
絶縁層が、酸化物層、連続窒化または多結晶シリコントラッピング層および酸化物層を備えるスタックで形成されることを特徴とする、請求項１から１２のいずれか一項に記載の電子サブシステム。
【請求項１４】
調整可能な閾値電圧の少なくとも１つの第１のトランジスタ（１１０）を担持する半導体層（１０３）と、絶縁層（１０２、１０５）とを組み立てるステップと、
所定の第１の深さに、前記第１のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延び、かつ第１のトラッピングエリアの外側のトラップの密度より高い密度のトラップを含む前記第１のトラッピングエリア（２２０）を絶縁層に形成することによって、半導体層および第１のトラッピングエリアが容量結合されるステップとを含み、
前記第１のトランジスタの有用な情報が、トランジスタにおける電荷の移動であることを特徴とする、電子サブシステム形成方法。
【請求項１５】
第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、２つの絶縁層が分子接合され、トラッピングエリアが接合界面に現れることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、Ｇｅ、Ｓｉ、金属または半導体／金属合金の原子の絶縁層への第１の注入が実行されることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、ナノ結晶を形成するためのアニーリングが実行されることを特徴とする、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
第１の注入で使用されるのとは異なるエネルギーおよび／または用量および／または原子の第２の注入によって第２のトランジスタのチャネルの少なくとも下に延びる第２のトラッピングエリアを形成するステップを含むことを特徴とする、請求項１５から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
第１のトラッピングリアを形成するステップ時に、第１のトラッピングエリアを位置決めするためのマスキングが実行されることを特徴とする、請求項１４から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、ゲートスタックを介する直接ゲートアライメントが実行され、トランジスタゲートが、トラップをトランジスタのチャネルとアライメントさせるためのマスクとして使用されることを特徴とする、請求項１４から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
第１のトラッピングエリアを形成するステップ時に、トランジスタのゲートの最後のアライメントが、少なくとも１つのトランジスタのゲートの最後のキャビティを空にして、キャビティに注入を実行して、次いで各キャビティを新たなゲートスタックで充填することによって実行されることを特徴とする、請求項１４から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
電子サブシステムのトランジスタをＦＮ書き込みするステップを含むことを特徴とする、請求項１４から２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
電子サブシステムのトランジスタをホットキャリア書き込みするステップを含むことを特徴とする、請求項１４から２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
半導体層、絶縁層および導電層を関連付けるために層のスタックを接合するステップを含むことを特徴とする、請求項１４から２３のいずれか一項に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公表番号】特表２０１１−５１５０２０（Ｐ２０１１−５１５０２０Ａ）
【公表日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５４７２２７（Ｐ２０１０−５４７２２７）
【出願日】平成２１年２月１１日（２００９．２．１１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＦＲ２００９／０５０２１２
【国際公開番号】ＷＯ２００９／１０３９２１
【国際公開日】平成２１年８月２７日（２００９．８．２７）
【出願人】（５１００９９９１４）
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月１１日（２００９．２．１１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＦＲ２００９／０５０２１２
【国際公開番号】ＷＯ２００９／１０３９２１
【国際公開日】平成２１年８月２７日（２００９．８．２７）
【出願人】（５１００９９９１４）
【Ｆターム（参考）】
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