半導体装置
【課題】集積回路の高性能化、小型化を妨げることなく、集積回路のＥＳＤ（静電気放電）に対する耐性を向上する。
【解決手段】２つの入出力端子の間に保護回路１０４が挿入されている。ＥＳＤが発生したとき、保護回路によって２つの入出力端子を短絡して、回路１０３に過電圧が印加されることを防ぐ。回路は、接続配線１１０，１２０を介して、入出力端子に電気的に接続されている。回路は、接続配線との複数の電気的な接続部を有しており、各接続部と入出力端子間の配線抵抗が等しくなるように、接続配線を形成する。これにより、ＥＳＤが発生しても、１つの接続部に電圧が集中して印加することが回避されるため、ＥＳＤによって回路が破壊される確率が低減される。
【解決手段】２つの入出力端子の間に保護回路１０４が挿入されている。ＥＳＤが発生したとき、保護回路によって２つの入出力端子を短絡して、回路１０３に過電圧が印加されることを防ぐ。回路は、接続配線１１０，１２０を介して、入出力端子に電気的に接続されている。回路は、接続配線との複数の電気的な接続部を有しており、各接続部と入出力端子間の配線抵抗が等しくなるように、接続配線を形成する。これにより、ＥＳＤが発生しても、１つの接続部に電圧が集中して印加することが回避されるため、ＥＳＤによって回路が破壊される確率が低減される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電気放電などの予期しない高電圧の印加に対して回路の破壊を防ぐ手段を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の不良の大きな原因の１つに、静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ、以下、「ＥＳＤ」と呼ぶ。）による半導体素子、電極などの破壊がある。そこで、ＥＳＤによる集積回路の破壊防止対策として、端子と集積回路との間に保護回路を挿入することが行われている。保護回路は、ＥＳＤなどにより端子に印加された過剰な電圧が集積回路に供給されることを防ぐための回路である。保護回路に用いられる代表的な素子には、抵抗素子、ダイオード、容量素子がある。
【０００３】
例えば、特許文献１（特開２０００−５８７６２号公報）では、接続端子と半導体回路とを電気的に接続する配線に抵抗素子を挿入して、ＥＳＤにより発生したサージ電流を平滑化している。また、特許文献１では、保護回路に抵抗素子と共にダイオードが用いられている。ＥＳＤが発生した際に、ダイオードの整流作用により、サージ電流の放電経路を形成し、サージ電流が集積回路に流入することを防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−５８７６２号公報（図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
集積回路の高性能化のためにトランジスタは微細化が進み、ＥＳＤに対する耐性が低下している。また、集積回路には高速動作、低消費電力化が求められている。ＥＳＤの電圧は数ｋＶ乃至数十ｋＶ程度であるといわれている。このような高電圧の影響を完全に除去できるような高抵抗の抵抗素子を保護回路に用いることは、集積回路の動作の妨げになり、現実的ではない。また、静電気は正、負の両方の極性があるため、保護回路は両方の極性の静電気放電から集積回路を保護できる回路であることが望ましい。さらに、集積回路の小型化の点から、保護回路が占有する面積は小さいことが要求される。
【０００６】
このように、保護回路には様々な制約があり、集積回路の性能と保護回路の性能とを両立させることは、非常に困難である。本発明の一態様は、このような背景をもとに発明された半導体装置であり、本態様における課題の１つは、集積回路の高性能化、小型化などを妨げることなく、集積回路のＥＳＤに対する耐性を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る半導体装置は、複数の半導体素子を含む回路と、１つの端子と、前記端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の接続部と、端子と複数の接続部とを電気的に接続し、端子と複数の接続部間の抵抗がそれぞれ等しくなるように設けられている接続配線と、を有する半導体装置である。
【０００８】
つまり、上記態様では、端子から回路までに複数の電流経路がある場合、これらの複数の電流経路において、それぞれ、配線抵抗を等しくしている。このような構成により、ＥＳＤなどによりサージ電流が端子から半導体装置内に流入しても、１つの電流経路にサージ電流が集中することが回避される。つまり、ＥＳＤに対する回路の耐性を高くすることができる。
【０００９】
なお、本明細書において、複数の配線（または電流経路）の抵抗値が等しいとは、完全に一致している場合のみでなく、ある程度の差異を有する場合も含む。抵抗値の差異を許容するのは、複数の配線抵抗が等しくなるように半導体装置を設計しても、半導体装置の作製過程において、配線抵抗の値が設計値からずれる場合があるからである。このずれが生じる原因は、形成される膜厚のばらつき、エッチングされる膜厚のバラツキ、および、コンタクトホールの大きさのばらつきなどがあり、これらの発生を完全になくすことは困難である。
【００１０】
そこで、本明細書では、製造過程で生じる抵抗値の設計値からのずれを考慮して、複数の抵抗値のばらつきの許容範囲は、それらの中央値±２０％の範囲とする。すなわち、本明細書では、複数の抵抗値が全て中央値±２０％の範囲に分布している場合、それらの抵抗値が等しいとする。
【００１１】
また、上記態様の半導体装置は、端子に電気的に接続されており、過電圧が印加されないように回路を保護する保護回路を有してもよい。この保護回路に、ダイオードを含む保護回路を用いることができる。このダイオードとして、絶縁膜上に設けられ、かつ、絶縁膜の上面に平行な方向に隣接するＮ型不純物領域およびＰ型不純物領域が形成された半導体膜を有するダイオードを適用することができる。
【００１２】
また、上記態様は、平面配置の大きさが１０ｍｍ×１０ｍｍ以下の半導体装置に適用することができる。なお、平面配置の大きさが１０ｍｍ×１０ｍｍ以下であるとは、半導体装置が１０ｍｍ平方の領域に収まることをいう。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様の半導体装置は、集積回路の高性能化、小型化を妨げることなく、集積回路のＥＳＤに対する耐性を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】半導体装置の構成例を説明するブロック図。（実施形態１）
【図２】半導体装置の第１配線および第２配線の構成例を示す平面図。（実施形態１）
【図３】図２の第１配線のレイアウトを説明する平面図。（実施形態１）
【図４】半導体装置の構成例を説明するブロック図。（実施形態１）
【図５】Ａ：保護回路に適用されるＰＩＮ型ダイオードの平面図。Ｂ：同ダイオードを構成する半導体膜の平面図。Ｃ：図５ＡのＡ１−Ａ２切断線による同ダイオードの断面図。（実施形態２）
【図６】Ａ：保護回路に適用されるＰＩＮ型ダイオードの平面図。Ｂ：同ダイオードを構成する半導体膜の平面図。（実施形態２）
【図７】図６ＡのＡ３−Ａ４切断線による断面図。（実施形態２）
【図８】Ａ：保護回路に適用されるＰＩＮ型ダイオードの平面図。Ｂ：同ダイオードを構成する半導体膜の平面図。（実施形態２）
【図９】図８ＡのＡ５−Ａ６切断線による断面図。（実施形態２）
【図１０】Ａ：保護回路に適用される放電回路の構成例を示す平面図。Ｂ：図１０ＡのＡ１１−Ａ１２切断線による断面図。Ｃ：同放電回路の他の構成例を示す平面図。（実施形態３）
【図１１】光検出装置の構成例を説明する回路図。（実施形態４）
【図１２】図１１の光検出装置のレイアウト例を説明する平面図。（実施形態４）
【図１３】図１１の光検出装置の積層構造を説明する断面図。（実施形態４）
【図１４】Ａ−Ｅ：図１２、図１３の光検出装置に含まれるトランジスタおよびダイオードの作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態４）
【図１５】Ａ−Ｄ：図１４Ｅの工程に続くトランジスタおよびダイオードの作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態４）
【図１６】Ａ−Ｃ：図１５Ｄの工程に続く工程の断面図であり、図１２、図１３の光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態４）
【図１７】Ａ、Ｂ：図１６Ｃの工程に続く、光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態４）
【図１８】Ａ、Ｂ：図１７Ｂの工程に続く、光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態４）
【図１９】図１８Ｂの工程に続く、光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態４）
【図２０】Ａ：ダイオードに含まれる半導体膜の平面形状を説明する平面図。Ｂ：増幅回路に含まれる半導体膜の平面形状を説明する平面図。（実施形態４）
【図２１】図１２、図１３の光検出装置に含まれる第１層目の導電膜の平面形状を説明する平面図。（実施形態４）
【図２２】Ａ：図１２、図１３の光検出装置に含まれるダイオードの半導体膜と第２層目の導電膜との接続部を構成する開口のレイアウトを説明する平面図。Ｂ：図２２Ａの部分拡大図。実施形態４）
【図２３】図１２、図１３の光検出装置に含まれる第２層目の導電膜のレイアウトを説明する平面図。（実施形態４）
【図２４】図１２、図１３の光検出装置に含まれる電源端子のレイアウトを説明する平面図。（実施形態４）
【図２５】図１２、図１３の光検出装置の外観の一例を説明する斜視図。（実施形態４）
【図２６】Ａ−Ｃ：光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態５）
【図２７】Ａ、Ｂ：図２６Ｃの工程に続く、光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態５）
【図２８】図２７Ｂの工程に続く、光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態５）
【図２９】Ａ−Ｇ：ＳＯＩ基板の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態６）
【図３０】Ａ、Ｂ：光検出装置を含む携帯電話の外観の一例を説明する斜視図。Ｃ：光検出装置を含むコンピュータの外観の一例を説明する斜視図。Ｄ：光検出装置を含む表示装置の外観の一例を説明する斜視図。Ｅ、Ｆ：光検出装置を含むデジタルカメラの外観の一例を説明する斜視図。（実施形態７）
【図３１】過電圧印加試験の回路シミュレーションが行われた光検出装置の回路図。（実施例１）
【図３２】回路シミュレーションで計算された、過電圧印加直後の増幅回路に含まれるトランジスタのソース−ドレイン間電流値を示すグラフ。Ａ：本発明の一態様に係る光検出装置。Ｂ：比較例に係る光検出装置。（実施例１）
【図３３】過電圧印加試験器による試験を行った本発明の一態様に係る光検出装置の構成を説明する平面図。（実施例１）
【図３４】過電圧印加試験器による試験を行った比較例に係る光検出装置の構成を説明する平面図。（実施例１）
【図３５】本発明の一態様に係る光検出装置、および比較例に係る光検出装置の過電圧印加試験の結果を示すグラフ。（実施例１）
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図面を用いて、本発明の実施形態を説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなく、その形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、異なる図面間で同じ参照番号を付した要素は、同じ要素を示している。そのため、以下の説明において、このような要素について、重複する説明を省略している。
【００１６】
（実施形態１）
まず、図１を参照して、本実施形態に係る半導体装置を説明する。図１は、本実施形態の半導体装置１００の構成例を説明するブロック図である。
【００１７】
図１に示すように、半導体装置１００は、第１端子１０１、第２端子１０２、複数の半導体素子を含む回路１０３、保護回路１０４、第１接続配線１１０、および第２接続配線１２０を有する。第１端子１０１および第２端子１０２は半導体装置１００の出力端子および／または入力端子であり、他の半導体装置との接続部として機能する。第１端子１０１は第１接続配線１１０により回路１０３に電気的に接続され、第２端子１０２は第２接続配線１２０により回路１０３に電気的に接続されている。
【００１８】
回路１０３は、第１接続配線１１０に電気的に接続する複数の接続部１１１−１１５を有し、かつ第２接続配線１２０に電気的に接続している複数の接続部１２１−１２５を有する。接続部１１１−１１５は、それぞれ、回路１０３に含まれる半導体素子１１−１５の第１接続配線１１０との接続部であり、接続部１２１−１２５は、それぞれ、回路１０３に含まれる半導体素子２１−２５の第２接続配線１２０との接続部である。つまり、接続部１１１−１１５を有する半導体素子１１−１５は、それぞれ、第１端子１０１（第１接続配線１１０）に対して、第１段目に配置された半導体素子であり、接続部１２１−１２５を有する半導体素子２１−２５は、それぞれ、第２端子１０２（第２接続配線１２０）に対して、第１段目に配置された半導体素子である。
【００１９】
つまり、本実施形態の半導体装置１００では、第１端子１０１から回路１０３まで、および第２端子１０２から回路１０３までに、それぞれ、５つの電流経路がある場合を想定している。本実施形態の半導体装置１００では、第１端子１０１から回路１０３までの５つの電流経路を構成する配線の配線抵抗を等しくする。同様に、第２端子１０２から回路１０３までの５つの電流経路を構成する配線の配線抵抗を等しくする。
【００２０】
保護回路１０４は、回路１０３に過電圧が印加されないようにするための回路であり、保護回路１０４を設けているのは、過電圧によって回路１０３が破壊されることを防ぐためである。ここでは、保護回路１０４は、第１端子１０１と第２端子１０２との間に挿入されている。半導体装置１００の通常の動作時には、保護回路１０４にほとんど電流が流れないが、第１端子１０１および／または第２端子１０２に予期しない過電圧が印加され、第１端子１０１と第２端子１０２に過大な電位差が生じると、保護回路１０４は第１端子１０１と第２端子１０２を導通する（短絡する）。このことにより、回路１０３に過電圧が印加されることが回避され、回路１０３の破壊を防止することができる。例えば、保護回路１０４には、ＰＮ型接合ダイオード、ＰＩＮ型接合ダイオードなどの整流素子、ダイオード接続されたトランジスタなどで構成することができる。
【００２１】
回路１０３においてＥＳＤなどによって最も破壊されやすい部分は、第１端子１０１、第２端子１０２に対して、第１段目に配置されている各半導体素子１１−１５、２１−２５である。ここでは、半導体素子１１−１５のＥＳＤに対する耐性を向上させるため、第１端子１０１と各接続部１１１−１１５間の配線抵抗が、それぞれ等しくなるように、第１接続配線１１０を設けている。つまり、
Ｒ１０＋Ｒ１１＝Ｒ１０＋Ｒ１２＝Ｒ１０＋Ｒ１３＝Ｒ１０＋Ｒ１４
＝Ｒ１０＋Ｒ１５
となるように、第１接続配線１１０を設けている。なお、Ｒ１０乃至Ｒ１５は、第１接続配線１１０の抵抗値を示している。
【００２２】
このことにより、第１接続配線１１０との電気的な接続部を有する複数の半導体素子１１−１５を含む回路１０３において、第１接続配線１１０に過電圧が過渡的に印加された場合、上記のように、第１端子１０１と各接続部１１１−１１５間の抵抗値がほぼ等しいため、接続部１１１−１１５のいずれか１つに電圧が集中して印加されることが防止できる、またはこれらの１つにサージ電流が集中して流れることが防止できるため、半導体素子１１−１５が破壊される確率を低くすることができる。例えば、第１端子１０１と接続部１１１間の抵抗値が最も低い場合、他の半導体素子１２−１５よりも半導体素子１１に電流が流れやすくなるため、半導体素子１１が破壊されやすくなる。よって、第１端子１０１と各接続部１１１−１１５間の抵抗値を等しくすることにより、過剰な電圧が印加されても、各半導体素子１１−１５に印加される電圧が分散するため、半導体素子１１−１５が破壊される確率を低くすることができる。
【００２３】
また、図１のように、第２接続配線１２０との電気的な接続部を有する複数の半導体素子２１−２５を含む回路１０３の場合、第２端子１０２と各接続部１２１−１２５間の抵抗値が、それぞれ等しくなるように、第２接続配線１２０を設けることが好ましい。つまり、
Ｒ２０＋Ｒ２１＝Ｒ２０＋Ｒ２２＝Ｒ２０＋Ｒ２３＝Ｒ２０＋Ｒ２４
＝Ｒ２０＋Ｒ２５
となるように、第２接続配線１２０を設けている。なお、Ｒ２０乃至Ｒ２５は、第２接続配線１２０の抵抗値を示している。
【００２４】
このことにより、ＥＳＤなどにより第２接続配線１２０に過大な電圧が過渡的に印加された場合、半導体素子２１−２５のいずれか１つに電圧が集中して印加されることが防止できるため、半導体素子２１−２５が破壊される確率を低くすることができる。
【００２５】
従って、図１に示すような第１接続配線１１０、第２接続配線１２０により、回路１０３を第１端子１０１と第２端子１０２に電気的に接続することで、ＥＳＤが発生して保護回路１０４が第１端子１０１と第２端子１０２を短絡するまでのわずかな時間（数百ピコ秒−数ナノ秒程度）に回路１０３に過剰な電圧が印加されても、印加される電圧が分散されるため、ＥＳＤによって回路１０３が破壊される確率を小さくすることができる。
【００２６】
次に、図２を参照して、第１接続配線１１０の構成の一例を説明する。図２は、半導体装置１００の部分的な構成を示す平面図であり、第１端子１０１、第１接続配線１１０および接続部１１１−１１５の平面的な配置を示すレイアウト図である。
【００２７】
導電膜２０１は、第１接続配線１１０および回路１０３の内部配線を構成する導電膜である。導電膜２０２は、第１端子１０１を構成する導電膜である。導電膜２０１を覆って絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に導電膜２０２が形成される。この絶縁膜には開口２０３が形成され、この開口２０３において導電膜２０１と導電膜２０２が電気的に接続されている。
【００２８】
図２の例では、半導体素子１１−１５をトランジスタで構成し、導電膜２０１はトランジスタのドレイン電極を構成することにする。半導体素子１１−１５は、それぞれ、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体領域２０５を有し、さらに、ゲート電極を構成する導電膜２０６、およびソース電極を構成する導電膜２０７を含む。また、導電膜２０６、２０７は、それぞれ、回路１０３の内部配線を構成する。ここでは、半導体素子１１−１５と第１接続配線１１０との接続部１１１−１１５は、それそれ、半導体領域２０５と導電膜２０１との接続部に相当する。なお、半導体領域２０５は、シリコンウエハなどの半導体基板に形成されたウエル領域、もしくは絶縁膜または絶縁基板上に形成された半導体膜（層）などで構成されている。
【００２９】
図２の例では、導電膜２０１において配線幅（導電膜２０１の断面積）を部分的に異ならせることで、第１端子１０１と各接続部１１１−１１５間の抵抗値が等しくなるようにしている。つまり、導電膜２０１の配線幅がｄ１＜ｄ２＜ｄ３＜ｄ４＜ｄ５となるようにすることで、第１端子１０１と各接続部１１１−１１５間の抵抗値が等しくなるように調節している。
【００３０】
また、第１端子１０１と各接続部１１１−１１５間の抵抗値が等しくなるように、例えば、導電膜２０１において、導電膜２０２との接続部（開口２０３が形成されている部分）と、接続部１１１−１１５間の長さを調節してもよい。図３は、このような導電膜の構成例を示す平面図である。図３の導電膜２１１は、図２の導電膜２０１の変形例ということもできる。図３において、導電膜２１１は図２と同様に配線幅が部分的に異なるように設けられており、さらに導電膜２１１に、屈曲部１３１−１３４（一点鎖線で囲んだ部分）を設けて、導電膜２０２との接続部（開口２０３が形成されている部分）から接続部１１１までの長さを最も長くし、接続部１１５までの長さを最も短くなるようにしている。
【００３１】
第２接続配線１２０も、図２、図３に示す導電膜２０１により第１接続配線１１０と同様に設けることができる。
【００３２】
図１の例では、半導体装置１００は１つの回路１０３を有するが、本実施形態に係る半導体装置は、複数の回路を有していてもよい。図４に、２つの回路を有する半導体装置１５０のブロック図を示す。図４に示すように、半導体装置１５０は、回路１０３に電気的に接続される回路１０５、回路１０５に接続される第３端子１０６を有する。さらに、第１端子１０１と第３端子１０６の間に電気的に接続された保護回路１０７、および第２端子１０２と第３端子１０６の間に電気的に接続された保護回路１０８を有する。第３端子１０６は、第１端子１０１、第２端子１０２と同様、半導体装置１５０の出力端子および／または入力端子であり、他の半導体装置との接続部として機能する。
【００３３】
保護回路１０７、１０８は保護回路１０４と同様に構成することができる。半導体装置１５０の通常の動作時には、保護回路１０７にはほとんど電流が流れないが、第１端子１０１および／または第３端子１０６に予期しない過電圧が印加され、第１端子１０１と第３端子１０６に過大な電位差が生じると、保護回路１０７によって第１端子１０１と第３端子１０６が短絡される。このことにより、回路１０３および回路１０５に過電圧が印加されることが回避され、回路１０３および回路１０５の破壊を防止することができる。また、保護回路１０８も、保護回路１０７と同様であり、保護回路１０８により第２端子１０２と第３端子１０６を短絡して、回路１０３および回路１０５に過電圧が印加されることを防ぐ回路である。保護回路１０７、１０８は必ずしも設ける必要はないが、設けることが好ましい。
【００３４】
本実施形態に係る半導体装置は、端子と回路の複数の接続部間との抵抗が均一になるように、端子と内部回路とを電気的に接続するための接続配線を設けている。このことにより、内部回路に高電圧が局部的に印加されることが回避される。このことにより、内部回路の静電気に対する耐性が向上される。つまり、本実施形態により、保護回路と相まって、ＥＳＤなどにより端子に予期せぬ過剰な電圧が印加されても、回路が破壊される確率を抑えることができる。
【００３５】
なお、端子と回路の複数の接続部との間の複数の電流経路の抵抗値が均一になるように半導体装置を設計しても、使用される製造装置の性能のため、配線を構成する膜の厚さや幅、コンタクトホールの大きさなどが設計値からずれることを完全になくすことは困難である。そこで、本実施形態に係る半導体装置では、製造過程で生じる誤差を考慮して、複数の電流経路の抵抗値がそれらの中央値±２０％の範囲に分布している場合、それらの抵抗値が等しいとする。
【００３６】
また、本実施形態に係る半導体装置では、接続配線が保護回路の機能の一部を担うため、保護回路の小型化が容易になるので、本実施形態は、大きさが１０ｍｍ×１０ｍｍ以下の小型の半導体装置に非常に好適である。なお、大きさが１０ｍｍ×１０ｍｍ以下とは、平面配置において、半導体装置が１０ｍｍ平方の領域に収まることをいう。
【００３７】
本実施形態は、他の実施形態と適宜組み合わせることが可能である。
【００３８】
（実施形態２）
本実施形態では、保護回路１０４の具体例を説明する。本実施形態では、ＰＩＮ型ダイオードにより保護回路を構成する。また、本実施形態では、ＰＩＮ型ダイオードを絶縁膜上に形成された半導体膜を用いて形成することにする。また、ここでは、ＰＩＮ型ダイオードを形成するため、Ｎ型半導体領域とＰ型半導体領域を積層するのではなく、ＰＩＮ型ダイオードの半導体膜には、この絶縁膜の上面に平行な方向に隣接して、Ｎ型不純物領域およびＰ型不純物領域を形成する。
【００３９】
図５Ａ−図５Ｃを参照して、ＰＩＮ型ダイオードの第１の形態を説明する。図５ＡはＰＩＮ型ダイオード３０１の平面図であり、図５ＢはＰＩＮ型ダイオード３０１の半導体膜の平面図であり、図５Ｃは図５ＡのＡ１−Ａ２線による断面図である。
【００４０】
図５Ｃに示すように、本実施形態の保護回路１０４が適用される半導体装置は基板３０を有する。基板３０上に回路１０３および保護回路１０４が形成される。本実施形態では、保護回路１０４として、ＰＩＮ型ダイオード３０１（以下、「ダイオード３０１」と呼ぶ。）が形成されている。
【００４１】
基板３０には、半導体基板、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、ステンレス基板、金属基板、樹脂基板、樹脂フィルム、炭素繊維やガラス繊維の織物に樹脂をしみこませたシート（所謂、プリプレグ）などの基板を用いることができる。半導体基板としては、インゴットをスライスしたシリコンウエハ、絶縁膜（層）を介して単結晶半導体膜（層）が基板上に形成されているＳＯＩ基板などを用いることができる。ガラス基板には無アルカリガラス基板が好ましい。無アルカリガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス基板などがある。
【００４２】
基板３０の上面は絶縁膜４１で覆われている。絶縁膜４１上に、保護回路１０４（ダイオード３０１）を構成する半導体膜３１０が形成されている。図５Ｃには図示されていないが、回路１０３を構成する半導体素子の半導体膜も絶縁膜４１上に形成されている。なお、基板３０と絶縁膜４１の間に半導体膜、導電膜などの他の膜が存在してもよい。
【００４３】
半導体膜３１０は単層構造でも積層構造でもよい。半導体膜３１０を構成する膜としては、シリコン膜、ゲルマニウム膜、およびシリコンゲルマニウム膜、炭化シリコン膜などの第１４族元素でなる半導体膜、ＧａＡｓ膜、ＩｎＰ膜、ＧａＮ膜などの化合物半導体膜、酸化亜鉛、酸化スズなどの酸化物半導体などが挙げられる。半導体膜３１０の結晶性は、単結晶でも、非単結晶（多結晶、微結晶、非晶質など）でもよいが、Ｐ型不純物領域３１１およびＮ型不純物領域３１２を低抵抗化するため、非晶質ではなく、多結晶や単結晶のような抵抗値が低い結晶性半導体膜が好ましい。
【００４４】
図５Ｂおよび図５Ｃに示すように、半導体膜３１０には、Ｐ型不純物領域３１１、およびＮ型不純物領域３１２および高抵抗領域３１３が、基板３０の上面に対して横方向に隣接して形成されている。
【００４５】
Ｐ型不純物領域３１１は、ボロンなどのアクセプタとなる不純物元素を半導体膜３１０に添加することで形成される。Ｎ型不純物領域３１２は、間隔Ｗ１を隔ててＰ型不純物領域３１１に隣接して形成されている。Ｎ型不純物領域３１２はリン、ヒ素などのドナーとなる不純物元素を半導体膜３１０に添加することで形成される。Ｐ型不純物領域３１１とＮ型不純物領域３１２の間に高抵抗領域３１３が形成されている。
【００４６】
高抵抗領域３１３はＰ型不純物領域３１１およびＮ型不純物領域３１２よりも抵抗が高い領域であり、例えば、真性半導体（Ｉ型半導体）で構成することができる。ここでは、真性半導体とは、理想的には、フェルミレベルが禁制帯のほぼ中央に位置する半導体であるが、その他、ドナーまたはアクセプタとなる不純物を意図的に添加して、フェルミレベルが禁制帯の中央に位置するようにした半導体も含む。また、高抵抗領域３１３は、Ｎ型またはＰ型の半導体で構成することもでき、例えば、ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素を添加した半導体、またはこれらの不純物元素を意図的に添加していないノンドープ半導体で形成することもできる。高抵抗領域３１３はシート抵抗が１００ｋΩ／□以上とすることが好ましく、Ｐ型不純物領域３１１およびＮ型不純物領域３１２のシート抵抗は数ｋΩ／□以下とすることが好ましい。
【００４７】
図５Ｃに示すように、半導体膜３１０を覆って、絶縁膜４２が形成されている。絶縁膜４２上には、Ｐ型不純物領域３１１に電気的に接続される導電膜３１４と、Ｎ型不純物領域３１２に電気的に接続されている導電膜３１５とが形成されている。導電膜３１４、３１５の一方は、第１端子１０１に接続され、他方は第２端子１０２に接続される。ここでは、導電膜３１４、３１５のそれぞれの端部３１４ａ、３１５ａを他の導電膜との接続部としている（図５Ａ参照）。
【００４８】
Ｐ型不純物領域３１１に導電膜３１４を電気的に接続するため、絶縁膜４２にはＰ型不純物領域３１１に達する複数の開口３１６が形成され、Ｎ型不純物領域３１２に導電膜３１５を電気的に接続するため、絶縁膜４２にはＮ型不純物領域３１２に達する複数の開口３１７が形成されている（図５Ａ参照）。
【００４９】
本実施形態では、導電膜３１４の端部３１４ａ付近のみでなく、Ｐ型不純物領域３１１と導電膜３１４とのコンタクト抵抗が小さくなるように、図５Ａに示すように、複数の開口３１６は、Ｐ型不純物領域３１１の全体分布するように設けている。同様に、Ｎ型不純物領域３１２と導電膜３１５とのコンタクト抵抗が小さくなるように、Ｎ型不純物領域３１２の全体に分布して、複数の開口３１７を設けている。
【００５０】
このように、複数の開口３１６、３１７を形成することは、半導体膜３１０が多結晶半導体膜のような非単結晶膜の場合に非常に有用である。非単結晶半導体膜は単結晶半導体膜と比較して、Ｐ型不純物領域３１１およびＮ型不純物領域３１２の電気抵抗が高くなってしまう。そのため、サージ電流により導電膜３１４と導電膜３１５に大きな電位差が生じても、Ｐ型不純物領域３１１およびＮ型不純物領域３１２が導電膜３１４、３１５と接触していない部分は、ダイオードとして実質的に機能させることができないおそれがある。このような状態では、ダイオード３０１が整流素子として機能しない。つまり、ダイオード３０１は、単なる高抵抗な抵抗素子となって、サージ電流を流すための電流経路として十分に機能しないために、回路１０３にサージ電流が流れ、回路１０３が破壊されてしまうおそれがある。したがって、図５Ａに示すように、多数の開口３１６、３１７を設けて、Ｐ型不純物領域３１１と導電膜３１４、およびＮ型不純物領域３１２と導電膜３１５とのコンタクト抵抗を小さくすることは、半導体膜３１０が多結晶半導体膜のような非単結晶膜の場合に特に有用である。
【００５１】
なお、本実施形態で示す他のＰＩＮ型ダイオードについても、Ｐ型不純物領域およびＮ型不純物領域をそれぞれ導電膜に電気的に接続するための絶縁膜４２に形成されている複数の開口は、ダイオード３０１の開口３１６、３１７と同様に形成されている。
【００５２】
絶縁膜４１、４２は単層構造でも積層構造でもよい。絶縁膜４１、４２を構成する膜には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ゲルマニウム膜、窒化ゲルマニウム膜、酸化窒化ゲルマニウム膜、窒化酸化ゲルマニウム膜などのシリコンおよび／またはゲルマニウムを組成に含む絶縁膜を用いることができる。また、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウムなどの金属酸化物でなる絶縁膜、窒化アルミニウムなどの金属窒化物でなる絶縁膜、酸化窒化アルミニウムなどの金属酸化窒化物でなる絶縁膜、窒化酸化アルミニウムなどの金属窒化酸化物でなる絶縁膜を用いることもできる。さらに、有機化合物でなる絶縁膜を用いることもできる。このような有機化合物膜としては、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンなどがある。
【００５３】
これら絶縁膜の形成方法の代表例は次の方法があり、ＰＥＣＶＤ（プラズマ励起ＣＶＤ）法・熱ＣＶＤ法などのＣＶＤ法（化学気相成長法）、スパッタ法・蒸着法などのＰＶＤ法（物理気相成長法）、ＡＬＤ法（原子層堆積法）、スピンコート法・液滴吐出法・ディップコート法などの液体状またはペースト状の材料から膜を形成する方法、ならびに、プラズマや熱などによる固相酸化処理および固相窒化処理などがある。
【００５４】
なお、本明細書では、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い物質であり、窒化酸化物とは酸素よりも窒素の含有量が多い物質である。例えば、酸化窒化シリコンとしては、組成としてＯ、Ｎ、ＳｉおよびＨを含み、それぞれの濃度が、Ｏは５０−７０原子％、Ｎは０．５−１５原子％、Ｓｉは２５−３５原子％、Ｈは０．１−１０原子％である物質が挙げられる。また、窒化酸化シリコンとしては、組成としてＯ、Ｎ、ＳｉおよびＨを含み、それぞれの濃度が、Ｏは５−３０原子％、Ｎは２０−５５原子％、Ｓｉは２５−３５原子％、Ｈが１０−２５原子％である物質が挙げられる。なお、各元素の濃度は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）、および水素前方散乱法（ＨＦＳ：Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｆｏｒｗａｒｄ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）を用いて測定した値である。もちろん、物質を構成する元素の濃度の合計は１００原子％を越えず、各元素の濃度の合計を１００原子％としたときに、Ｏ、Ｎ、ＳｉおよびＨの濃度は、それぞれ、上記の範囲にある。
【００５５】
また、導電膜３１４、３１５はそれぞれ、単層構造または積層構造でもよい。導電膜３１４、３１５を構成する膜には、例えば、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、クロム、ニオブ、金、銀、銅、プラチナ等から選択された単体金属を主成分とする金属膜、合金膜、および金属化合物膜などがある。例えば、金属膜には、銅膜、Ｓｉなどを添加したアルミニウム膜がある。合金膜には、アルミニウム−銅合金膜、アルミニウム−ネオジム合金膜がある。金属化合物膜には、窒化チタン膜、窒化タングステン膜などの金属窒化物膜、ニッケルシリサイド膜、コバルトシリサイド膜などのシリサイド膜がある。これらの導電膜は、スパッタ法・蒸着法などのＰＶＤ法、印刷法・液滴吐出法・ディップコート法などの液体状またはペースト状の材料から膜を形成する方法、ハンダ法、ならびに、メッキ法などで形成することができる。
【００５６】
以下、図面を参照して、保護回路１０４に適用されるＰＩＮ型ダイオードの他の形態を説明する。以下の説明では、ダイオード３０１と異なる構成を中心に説明し、他の構成は、ダイオード３０１と同様とする。
【００５７】
まず、図６Ａ、図６Ｂおよび図７を参照して、ＰＩＮ型ダイオードの第２の形態を説明する。図６Ａは、ＰＩＮ型ダイオード３０２の平面図であり、図６Ｂは、ＰＩＮ型ダイオード３０２の半導体膜の平面図であり、図７は、図６ＡのＡ３−Ａ４線による断面図である。
【００５８】
ＰＩＮ型ダイオード３０２（以下、「ダイオード３０２」と呼ぶ。）は、ダイオード３０１と同様なＰＩＮ型ダイオードであり、半導体膜３２０を有する。半導体膜３２０には、Ｐ型不純物領域３２１、高抵抗領域３２３およびＮ型不純物領域３２２が横方向に隣接して設けられている。ダイオード３０１とダイオード３０２の異なる点は、ダイオード３０１ではＰ型不純物領域３１１と高抵抗領域３１３との接合部、およびＮ型不純物領域３１２と高抵抗領域３１３との接合部が平面配置では、直線状であるのに対して、ダイオード３０２では、それぞれの接合部が、平面配置で、四角波状に屈曲している点である。このような構成により、Ｐ型不純物領域３２１と高抵抗領域３２３との接合面積、Ｎ型不純物領域３２２と高抵抗領域３２３との接合面積をそれぞれ拡大することができる。
【００５９】
図７に示すように、ダイオード３０２は、絶縁膜４１上に半導体膜３２０を有する。半導体膜３２０上に絶縁膜４２が形成されている。
【００６０】
図６Ｂに示すように、高抵抗領域３２３は、Ｐ型不純物領域３２１とＮ型不純物領域３２２の間に形成されており、その平面形状はメアンダ状となっている。他方、Ｐ型不純物領域３２１およびＮ型不純物領域３２２の平面形状は、複数のＬ字型の領域が連結された櫛状の領域である。また、Ｐ型不純物領域３２１の凹部に嵌合するようにＮ型不純物領域３２２の凸部が設けられて、Ｐ型不純物領域３２１およびＮ型不純物領域３２２は所定の間隔Ｗ２を隔てて隣接して形成されている。
【００６１】
図６Ａに示すように、ダイオード３０１と同様に、絶縁膜４２には、Ｐ型不純物領域３２１およびＮ型不純物領域３２２に対して複数の開口３２６、３２７が形成されている。絶縁膜４２上に導電膜３２４、３２５が形成されている。導電膜３２４は開口３２６においてＰ型不純物領域３２１に電気的に接続され、導電膜３２５は開口３２７においてＮ型不純物領域３２２に電気的に接続されている。導電膜３２４の端部３２４ａ、および導電膜３２５の端部３２５ａの一方が第１端子１０１に電気的に接続され、他方が第２端子１０２に電気的に接続される。
【００６２】
以下、図８Ａ、図８Ｂおよび図９を参照して、ＰＩＮ型ダイオードの第３の形態を説明する。図８ＡはＰＩＮ型ダイオード３０３の平面図であり、図８Ｂは、ＰＩＮ型ダイオード３０３の平面図であり、図９は、図８ＡのＡ５−Ａ６線による断面図である。
【００６３】
図９に示すように、ＰＩＮ型ダイオード３０３（以下、「ダイオード３０３」と呼ぶ。）は、絶縁膜４１上に半導体膜３３０を有する。半導体膜３３０には、Ｐ型不純物領域３３１、Ｎ型不純物領域３３２および高抵抗領域３３３が形成されている。Ｐ型不純物領域３３１とＮ型不純物領域３３２の間に高抵抗領域３３３が形成されており、その平面形状はメアンダ状となっている。
【００６４】
図８Ａに示すように、Ｐ型不純物領域３３１は半導体膜３３０の端部を含み、かつ半導体膜３３０の中央部に設けられている。その平面形状は、複数のＴ字型の領域が連結された双歯の櫛状である。Ｎ型不純物領域３３２は半導体膜３３０の端部を含み、かつＰ型不純物領域３３１を取り囲むように形成されている。Ｐ型不純物領域３３１と隣接する側は、複数のＬ字を連結した櫛歯状（凹凸状）となっている。Ｎ型不純物領域３３２にはＰ型不純物領域３３１の凹部に嵌合するような凸部を有している。Ｐ型不純物領域３３１およびＮ型不純物領域３３２は所定の間隔Ｗ３を隔てて隣接して形成されている。
【００６５】
ダイオード３０３では、Ｐ型不純物領域３３１と高抵抗領域３３３との接合部、ならびにＮ型不純物領域３３２と高抵抗領域３３３との接合部が、平面配置で、矩形波状に屈曲しており、かつＰ型不純物領域３３１を取り囲むようにＮ型不純物領域３３２が設けられていることで、それぞれの領域の接合面積を拡大することができる。なお、Ｐ型不純物領域３３１とＮ型不純物領域３３２の位置を入れ替えることができる。
【００６６】
図９に示すように、絶縁膜４２上に導電膜３３４、３３５が形成されている。また図８Ａに示すように、Ｐ型不純物領域３３１およびＮ型不純物領域３３２に対して複数の開口３３６、３３７が絶縁膜４２に形成されている。導電膜３３４は開口３３６においてＰ型不純物領域３３１に電気的に接続され、導電膜３３５は開口３３７においてＮ型不純物領域３３２に電気的に接続されている。導電膜３３４の端部３３４ａ、および導電膜３３５の端部３３５ａの一方が第１端子１０１に電気的に接続され、他方が第２端子１０２に電気的に接続されている。
【００６７】
本実施形態は、他の実施形態と適宜組み合わせることが可能である。例えば、導電膜３１４、３１５、絶縁膜４１、４２などの膜の種類、膜の形成方法などは、他の実施形態の導電膜、絶縁膜に適用することができる。
【００６８】
（実施形態３）
本実施形態では、保護回路１０４の具体例を説明する。本実施形態では、絶縁膜を介して対向する一対の導電膜（または半導体膜）を含む放電回路により保護回路を構成する。
【００６９】
図１０Ａ、および図１０Ｂを参照して、本実施形態の放電回路３０８を説明する。図１０Ａは、放電回路３０８の平面図であり、図１０Ｂは、放電回路３０８の断面であり、図１０ＡのＡ１１−Ａ１２線による断面図である。
【００７０】
放電回路３０８は、回路１０３と同一の基板３０上に形成される。図１０Ｂに示すように、絶縁膜４１上に半導体膜３８１が形成され、半導体膜３８１上に絶縁膜４３が形成されている。半導体膜３８１は、半導体装置１００の他の半導体膜および導電膜に電気的に接続されていなく、電気的にフローティングの状態である。例えば、半導体膜３８１は、回路１０３を構成するトランジスタの半導体膜と同じ工程で形成することができる。また絶縁膜４３は、このトランジスタのゲート絶縁膜から形成することができる。
【００７１】
絶縁膜４３を介して、半導体膜３８１と重なるように一対の導電膜３８２、導電膜３８３が形成されている。導電膜３８２、３８３を覆って絶縁膜４４が形成されている。導電膜３８２および導電膜３８３の一方が第１端子１０１に電気的に接続され、他方が第２端子１０２に電気的に接続される。導電膜３８２の端部３８２ａおよび導電膜３８３の端部３８３ａは電界が集中しやすいように尖っている。これら端部３８２ａ、３８３ａは、絶縁膜４４を介して近接し、かつ絶縁膜４３を介して半導体膜３８１と重なっている。
【００７２】
例えば、ＥＳＤなどにより、導電膜３８２に過剰な電圧が印加されると、端部３８２ａと端部３８３ａ間の電位差が大きくなり、絶縁膜４３および／または絶縁膜４４のブレークダウンやトンネル効果などが生じて、導電膜３８２の端部３８２ａと導電膜３８３の端部３８３ａ間で電荷が移動できるようになる。つまり、導電膜３８２の端部３８２ａと導電膜３８３の端部３８３ａ間で放電が生じることになる。この放電が生じることで、第１端子１０１と第２端子１０２が導通され、回路１０３に過剰な電圧が印加されることを防ぐことができる。
【００７３】
半導体膜３８１は、導電膜３８２の端部３８２ａと導電膜３８３の端部３８３ａ間で放電を生じさせるためには必ずしも必要ないが、設けることが好ましい。半導体膜３８１が存在することで、存在しない場合よりも小さな電圧で絶縁膜４３にトンネル効果が現れるので、導電膜３８２の端部３８２ａと導電膜３８３の端部３８３ａ間での放電が誘起されやすくなるからである。
【００７４】
なお、導電膜３８２、および導電膜３８３には、先の尖った端部を複数設けることができる。図１０Ｃに、このような複数の端部を有する放電回路３０９の構成例を示す。図１０Ｃに示すように、導電膜３９２には、先の尖った３つの端部３９２ａが設けられ、導電膜３９３には先の尖った３つの端部３９３ａが設けられている。放電回路３０８と同様に、３つの端部３９２ａと３つの端部３９３ａは、絶縁膜４４を介して対向し、かつ絶縁膜４３を介して半導体膜３８１に重なるように形成されている。
【００７５】
（実施形態４）
本実施形態では、半導体装置の具体例として光検出装置について説明する。まず、図１１−図１３を用いて、光検出装置の構成を説明する。図１１は、本実施形態の光検出装置４００の回路図である。図１２は光検出装置のレイアウトを説明する平面図である。図１３は、光検出装置の積層構造を説明する断面図である。
【００７６】
図１１に示すように、本実施形態の光検出装置４００は、高電源電位ＶＤＤが供給される電源端子４０１、低電源電位ＶＳＳが供給される電源端子４０２、増幅回路４０３、フォトダイオード４０４、およびダイオード４０５を有する。増幅回路４０３は、接続配線４１１により電源端子４０１に電気的に接続され、接続配線４１２により電源端子４０２に電気的に接続されている。光検出装置４００では、電源端子４０２に供給される低電源電位ＶＳＳを接地電位ＧＮＤとすることもできる。
【００７７】
フォトダイオード４０４は受光した光を電気信号に変換する光電変換素子である。光電変換素子として、フォトダイオード４０４の代わりに、フォトトランジスタを設けてもよい。増幅回路４０３は、フォトダイオード４０４の出力電流を増幅するための回路であり、ここでは、カレントミラー回路で構成している。このカレントミラー回路は、１つのトランジスタ４０７と、並列に接続された複数のトランジスタ４０８を有する。トランジスタ４０８の数に応じて、トランジスタ４０７を流れる電流の増幅率が調節される。よって、フォトダイオード４０４の出力を１００倍にするには、例えば、１つのトランジスタ４０７に対して、１００個のトランジスタ４０８を並列に接続する。
【００７８】
本実施形態では、増幅回路４０３のトランジスタ４０７およびトランジスタ４０８は共にｎチャネル型トランジスタとする。トランジスタ４０７および複数のトランジスタ４０８の各ドレインは、電源端子４０２に電気的に接続されている。トランジスタ４０７のソースはフォトダイオード４０４のアノードに電気的に接続され、複数のトランジスタ４０８の各ソースは電源端子４０１に電気的に接続されている。なお、トランジスタ４０７、４０８を共にｐチャネル型トランジスタとすることもできる。
【００７９】
また、増幅回路４０３の代わりに、フォトダイオード４０４の出力電流を減衰する減衰回路を設けてもよい。この減衰回路はカレントミラー回路で構成することができる。このようなカレントミラー回路は、トランジスタ４０７の数をトランジスタ４０８よりも多くすればよい。例えば、フォトダイオード４０４の出力を１／１００に減衰するには、１００個の並列接続されたトランジスタ４０７に対して、１つのトランジスタ４０８を設ければよい。
【００８０】
光検出装置４００は、保護回路としてダイオード４０５を有する。ダイオード４０５は、電源端子４０１と電源端子４０２の間に挿入され、ダイオード４０５のカソードが電源端子４０１に電気的に接続され、そのアノードが電源端子４０２に電気的に接続されている。ＥＳＤなどにより、電源端子４０１および／または電源端子４０２に過剰な電圧が印加された場合、ダイオード４０５により電源端子４０１と電源端子４０２が短絡され、増幅回路４０３、およびフォトダイオード４０４に過剰な電圧が印加されることを防いでいる。
【００８１】
次に、図１２を参照して、本実施形態の光検出装置４００の平面配置を説明する。本実施形態では、実施形態１の第１配線１１０および第２配線１２０を、それぞれ、接続配線４１１、４１２に適用し、実施形態２のダイオード３０１（図５Ａ−図５Ｃ参照）をダイオード４０５に適用している。なお、図１２には、増幅回路４０３のトランジスタ４０７、４０８を構成する半導体膜、フォトダイオード４０４を構成する半導体膜、ダイオード４０５を構成する半導体膜、および第１層目−第３層目の導電膜が図示されている。光検出装置４００は、電源端子４０１、４０２を構成する第４層目の導電膜をさらに有する。
【００８２】
導電膜５２０は、第１層目の導電膜である。導電膜５２０は、増幅回路４０３のトランジスタ４０７、およびトランジスタ４０８のゲート配線（ゲート電極）を構成する。導電膜５２０の下方には、絶縁膜を介して、トランジスタ４０７、およびトランジスタ４０８を構成する１つの半導体膜が形成されている。
【００８３】
導電膜５２０上には、絶縁膜を介して第２層目の導電膜が形成されている。ここでは、第２層目の導電膜として、４つの導電膜５３１−５３４が形成されている。導電膜５３１は、トランジスタ４０８のドレイン配線、およびダイオード４０５のカソードを構成する。導電膜５３２は、トランジスタ４０７およびトランジスタ４０８それぞれのソース配線を構成する。導電膜５３３はトランジスタ４０７のドレイン電極を構成し、導電膜５３３によって、トランジスタ４０７のゲート電極はドレイン電極に電気的に接続される。導電膜５３４は、フォトダイオード４０４と増幅回路４０３を電気的に接続するための電極を構成する。また、導電膜５３４は、絶縁膜に形成された複数の開口５３５において、第１層目の導電膜５２０に電気的に接続されており、このことによりトランジスタ４０７、およびトランジスタ４０８の各ゲート電極（ゲート配線）がフォトダイオード４０４のアノードに電気的に接続される。
【００８４】
また、導電膜５３１、５３２の一方の端部の下方には、絶縁膜を介して、ダイオード４０５を構成する半導体膜（図１２に図示せず）が形成されている。
【００８５】
第２層目の導電膜５３４上には光電変換層５４０が形成されている。光電変換層５４０はフォトダイオード４０４を構成する。光電変換層５４０は導電膜５３４に接して形成されている。
【００８６】
第２層目の導電膜５３１−５３４および光電変換層５４０を覆う絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に第３層目の導電膜として、導電膜５５１および導電膜５５２が形成されている。この絶縁膜には、複数の開口５８１−５８５が形成されている。導電膜５５１は、複数の開口５８１において光電変換層５４０に電気的に接続され、複数の開口５８２および開口５８３において導電膜５３１に電気的に接続されている。また、導電膜５５２は、複数の開口５８４および開口５８５により、導電膜５３２に電気的に接続されている。
【００８７】
光検出装置４００は、さらに、４層目の導電膜を有する。図１３に示すように、４層目の導電膜は、電源端子４０１および電源端子４０２を構成する。本実施形態では、電源端子４０１、４０２は４層構造の導電膜で形成されている、電源端子４０１は、導電膜５５１に電気的に接続され、電源端子４０２は導電膜５５２に電気的に接続されている。
【００８８】
なお、図１３は光検出装置４００を構成する膜の積層構造、および異なる層に形成された各導電膜の電気的な接続を説明するための断面図であり、図１２の平面図を特定の切断線で切断した断面図ではないことを断っておく。図１３において、ａ−ｂ間には、第２層目、第３層目の導電膜と電源端子４０２との電気的の接続構造を主として図示している。ｂ−ｃ間には、増幅回路４０３の断面として、代表的にトランジスタ４０８を図示している。ｃ−ｄ間には、第２層目、第３層目の導電膜と電源端子４０１との電気的な接続構造、ならびに、フォトダイオード４０４およびダイオード４０５の断面構造を主として図示している。
【００８９】
本実施形態では、集積回路（増幅回路４０３およびフォトダイオード４０４）が形成される基板にガラス基板５００が用いられる。ガラス基板５００を通過した光４２０がフォトダイオード４０４に入射すると、フォトダイオード４０４は光を電気信号に変換する。この電気信号は増幅回路４０３で増幅されて、電源端子４０１と電源端子４０２間を流れる電流として、光検出装置４００から出力される。本実施形態では、ガラス基板５００の光４２０が入射する側に、所定の波長域の光を選択的に透過させるための着色層（カラーフィルター層）を形成することができる。着色層としては、例えば、顔料を分散させた樹脂層などを用いることができる。
【００９０】
次に、光検出装置４００の作製方法、および光検出装置４００の断面構造を説明する。まず、図１４Ａ−図１５Ｄの断面図、図２０Ａ、図２０Ｂおよび図２１の平面図を用いて、トランジスタ４０７、４０８およびダイオード４０５の作製方法を説明する。
【００９１】
まず、ガラス基板５００を用意する。ガラス基板５００は無アルカリガラス基板が好ましい。無アルカリガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス基板などがある。ガラス基板５００の代わりに、石英基板を用いることができる。
【００９２】
次に、ガラス基板５００上に、厚さ５０−３００ｎｍの下地絶縁膜を形成する。ここでは、図１４Ａに示すように、下地絶縁膜として窒化酸化シリコン膜５０１および酸化窒化シリコン膜５０２でなる２層構造の絶縁膜を形成する。次に、ダイオード４０５、トランジスタ４０７、およびトランジスタ４０８の半導体膜を形成するために、厚さ２０−１００ｎｍの非晶質シリコン膜５０３を下地絶縁膜上に形成する。
【００９３】
下地絶縁膜は、ガラス基板５００に含まれるアルカリ金属（代表的にはＮａ）やアルカリ土類金属が拡散して、トランジスタなどの半導体素子の電気的特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設けられる。下地絶縁膜は、単層構造でも積層構造でもよいが、少なくとも１層アルカリ金属およびアルカリ土類金属の拡散を防止するためのバリア膜を設けることが望ましい。本実施形態では、バリア膜として窒化酸化シリコン膜５０１を設けている。バリア膜としては、窒化酸化シリコン膜などの窒化酸化物膜、および窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜などの窒化物膜が好適である。トランジスタ４０７、４０８を構成する半導体膜と下地絶縁膜との界面準位密度を低減するために、この半導体膜と窒化酸化シリコン膜５０１の間に酸化窒化シリコン膜５０２が形成されている。
【００９４】
本実施形態では、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化シリコン膜５０１、厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜５０２および厚さ５０ｎｍの非晶質シリコン膜５０３を、１台のＰＥＣＶＤ装置で連続して形成する。窒化酸化シリコン膜５０１のソースガスはＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３およびＨ２である。酸化窒化シリコン膜５０２のソースガスはＳｉＨ４およびＮ２Ｏである。非晶質シリコン膜５０３のソースガスはＳｉＨ４およびＨ２である。ソースガスを変えることで、１つのチャンバー内で３つの膜を連続して形成することができる。
【００９５】
本実施形態では、トランジスタ４０７、４０８およびダイオード４０５を結晶性半導体膜で形成する。そのため、非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する。半導体膜の結晶化方法には、ランプアニール装置や炉を用いた固相成長方法、レーザ光を照射して半導体膜を溶融させて結晶化させるレーザ結晶化方法などを用いることができる。
【００９６】
ここでは、下地絶縁膜上に非晶質シリコン膜５０３を形成し、この非晶質シリコン膜５０３を固相成長させて結晶化して、結晶性シリコン膜５０４を形成する（図１４Ａ、図１４Ｂ参照）。ここでは、６００℃以下の加熱温度で、短時間で非晶質シリコン膜５０３を固相成長させるため、非晶質シリコン膜５０３に金属元素を添加している。以下に、非晶質シリコン膜５０３の結晶化方法について具体的に説明する。
【００９７】
まず、非晶質シリコン膜５０３の表面をオゾン水で処理して、極薄い（数ｎｍ程度）の酸化膜を形成し、非晶質シリコン膜５０３表面の濡れ性を向上させる。次で、重量換算で１０ｐｐｍのニッケルを含む酢酸ニッケル溶液を、スピナーで非晶質シリコン膜５０３の表面に塗布する。
【００９８】
次に、炉において、非晶質シリコン膜５０３を加熱して、結晶性シリコン膜５０４を形成する。この非晶質シリコン膜５０３を結晶化させるには、例えば、５００℃、１時間の加熱処理を行い、引き続き５５０℃、４時間の加熱処理を行えばよい。ニッケルの触媒的な作用により、短時間、かつ低温で結晶性シリコン膜５０４を形成することができる。また、ニッケルの触媒的な作用により、結晶粒界に不対結合が少ない結晶性シリコン膜５０４を形成することができる。シリコンの結晶化を助長する金属元素としては、Ｎｉの他、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔなどがある。
【００９９】
これらの金属元素を非晶質シリコン膜５０３に導入する方法には、これらの金属元素の溶液を塗布する方法の他に、金属元素を主成分とする膜を非晶質シリコン膜５０３表面に形成する、プラズマドーピング法などにより金属元素を非晶質シリコン膜５０３に添加する方法などがある。
【０１００】
次に、結晶性シリコン膜５０４の結晶欠陥を修復する、結晶性シリコン膜５０４の結晶化率を向上させるため、結晶性シリコン膜５０４にレーザ光を照射する。レーザ光は波長４００ｎｍ以下のビームが好ましい。このようなレーザ光には、例えば、ＸｅＣｌエキシマレーザ光（ＸｅＣｌ：波長３０８ｎｍ）、ＹＡＧレーザの第２高調波又は第３高調波などがある。レーザ光を照射する前に、結晶性シリコン膜５０４の表面に形成されている酸化膜を希フッ酸などで除去することが好ましい。
【０１０１】
本実施形態では、結晶化のために導入したニッケルを結晶性シリコン膜５０４からゲッタリングするための処理を行う。ゲッタリング処理を行うのは、ニッケルは非晶質シリコン膜５０３の結晶化には有用であるが、ニッケルが結晶性シリコン膜５０４に高濃度に存在していると、トランジスタ４０７、４０８のリーク電流を増加させるなど、トランジスタ４０７、４０８の電気的特性を低下させる要因になるからである。以下、ゲッタリング処理の一例を説明する。
【０１０２】
まず、オゾン水で結晶性シリコン膜５０４の表面を１２０秒程度処理して、結晶性シリコン膜５０４表面に厚さ１−１０ｎｍ程度の酸化膜を形成する。オゾン水による表面処理の代わりに、ＵＶ光を照射してもよい。次に、酸化膜を介して、結晶性シリコン膜５０４表面にＡｒを含む非晶質シリコン膜を厚さ１０−４００ｎｍ程度形成する。この非晶質シリコン膜中のＡｒの濃度は、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下が好ましい。また、Ａｒの代わりに、他の第１８族元素を非晶質シリコン膜に添加してもよい。
【０１０３】
第１８族元素を非晶質シリコン膜に添加する目的は、非晶質シリコン膜に歪みを与えて、非晶質シリコン膜中にゲッタリングサイトを形成することである。第１８族元素の添加により歪みが生じる原因は２種類ある。１つは、第１８族元素の添加により結晶にダングリングボンドが形成されることによるものであり、もう１つは、結晶格子間に第１８族元素が添加されることによるものである。
【０１０４】
例えば、ＰＥＣＶＤ法で、Ａｒを含む非晶質シリコン膜（以下、「Ａｒ：ａ−Ｓｉ膜」と呼ぶ。）を形成するには、ＳｉＨ４、Ｈ２およびＡｒをソースガスに用いればよい。Ａｒに対するＳｉＨ４の流量比（ＳｉＨ４／Ａｒ）が１／９９９以上１／９以下とすることが好ましい。また、プロセス温度は３００−５００℃が好ましい。ソースガスを励起させるためのＲＦパワー密度は、０．００１７Ｗ／ｃｍ２以上０．４８Ｗ／ｃｍ２以下とすることが好ましい。プロセス圧力は、１．３３３Ｐａ以上６６．６５Ｐａ以下が好ましい。
【０１０５】
例えば、スパッタリング法で、Ａｒ：ａ−Ｓｉ膜を形成するには、ターゲットに単結晶シリコンを用い、スパッタ用ガスにＡｒを用いればよい。Ａｒガスをグロー放電させ、Ａｒイオンで単結晶シリコンターゲットをスパッタリングすることで、Ａｒを含んだ非晶質シリコン膜を形成することができる。非晶質シリコン膜中のＡｒの濃度は、グロー放電させるためのパワー、圧力、温度などにより調節することができる。プロセス圧力は、０．１Ｐａ以上５Ｐａ以下とすればよい。圧力は低いほど、非晶質シリコン膜中のＡｒの濃度を高くすることができ、１．５Ｐａ以下が好ましい。Ａｒ：ａ−Ｓｉ膜の成膜中にガラス基板５００を特段加熱する必要はなく、プロセス温度を３００℃以下とすることが好ましい。
【０１０６】
Ａｒ：ａ−Ｓｉ膜を形成した後、ゲッタリングのために、炉において、６５０℃、３分の加熱処理を行う。この加熱処理により、結晶性シリコン膜５０４に含まれているＮｉはＡｒ：ａ−Ｓｉ膜に析出し、捕獲される。この結果、結晶性シリコン膜５０４のＮｉの濃度を低下させることができる。加熱処理の完了後、エッチング処理によりＡｒ：ａ−Ｓｉ膜を除去する。このエッチング処理では、酸化膜がエッチングストッパとして機能する。Ａｒ：ａ−Ｓｉ膜を除去した後、結晶性シリコン膜５０４の表面の酸化膜を希フッ酸などで除去する。以上により、Ｎｉが低減された結晶性シリコン膜５０４が形成される。
【０１０７】
次に、結晶性シリコン膜５０４にアクセプタ元素を添加する。これは、トランジスタ４０７、４０８のしきい値電圧を制御するためである。例えば、アクセプタ元素としてボロンを用い、結晶性シリコン膜５０４に、１×１０１６−５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度でボロンが含まれるよう添加する。
【０１０８】
次いで、結晶性シリコン膜５０４上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用いて、結晶性シリコン膜５０４をエッチングして、図１４Ｃに示すように、トランジスタ４０７、４０８を構成する半導体膜５１１、およびダイオード４０５を構成する半導体膜５１２を形成する。図２０Ａに半導体膜５１２の平面図を示し、図２０Ｂに半導体膜５１１の平面図を示す。
【０１０９】
なお、図２０Ｂに示すように、増幅回路４０３には、半導体膜５１１の他に、複数の半導体膜５１３が形成されている。なお、これらの半導体膜５１３はダミーの半導体膜であり、トランジスタ４０７、４０８を構成しない半導体膜である。半導体膜５１３を形成することで、半導体膜５１１の上方に導電膜の厚さを均一に形成する、この導電膜に対するエッチング処理を均一に行うなどの効果を得ることができる。
【０１１０】
本実施形態では、半導体膜５１１−５１３をシリコン膜で形成したが、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコンなど他の第１４族でなる半導体膜で形成することができる。また、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＧｅなどの化合物半導体膜、酸化亜鉛、酸化スズなどの酸化物半導体膜で形成することもできる。
【０１１１】
次に、図１４Ｃに示すように、半導体膜５１１−５１３上にゲート絶縁膜を形成する。ここでは、ゲート絶縁膜として、厚さ３０ｎｍの酸化窒化シリコン膜５２１を形成する。この酸化窒化シリコン膜５２１は、ＰＥＣＶＤ法で、ソースガスにＳｉＨ４およびＮ２Ｏを用いて形成される。
【０１１２】
さらに、ゲート絶縁膜上に導電膜５２０を構成する導電膜として、厚さ３０ｎｍの窒化タンタル膜５０５と、厚さ１７０ｎｍのタングステン膜５０６でなる２層構造の導電膜を形成する。窒化タンタル膜５０５とタングステン膜５０６はスパッタ法で形成される。窒化タンタル膜５０５とタングステン膜５０６の積層膜の代わりに、例えば、窒化タングステン膜とタングステン膜の積層膜、または窒化モリブデン膜とモリブデン膜の積層膜を形成することができる。本実施形態では、導電膜５２０を用いて、半導体膜５１１に自己整合的にソース領域、ドレイン領域および低濃度不純物領域を形成するため、上面から見た大きさが上層の導電膜の方が下層の導電膜よりも小さくなるようにする。そのため、下層の導電膜に対して上層の導電膜のレジスト５０７とのエッチング選択比が小さいことが望ましい。この点で、窒化タンタル膜５０５とタングステン膜５０６の積層膜は好ましい。
【０１１３】
次に、タングステン膜５０６上に、レジストマスク５０７を形成する。このレジストマスク５０７を用いて、２回のエッチング処理を行う。まず、図１４Ｄに示すように、レジストマスク５０７を用いて窒化タンタル膜５０５およびタングステン膜５０６をエッチングする。この１回目のエッチングで、窒化タンタル膜５０５およびタングステン膜５０６でなる積層膜の断面の形状は、テーパー状に加工される。このエッチング処理は、例えば、エッチング用ガスにＣＦ４、Ｃｌ２およびＯ２の混合ガスを用い、ＩＣＰ（誘導結合型プラズマ）エッチング装置で行うことができる。
【０１１４】
さらに、レジストマスク５０７を用い、図１４Ｅに示すように、上層のタングステン膜５０６を選択的にエッチングする。このエッチング処理は異方性エッチング処理であり、例えば、エッチング用ガスにＣｌ２、ＳＦ６およびＯ２の混合ガスを用い、ＩＣＰエッチング装置で行うことができる。この２回のエッチング処理により、第１層目の導電膜５２０が形成される。導電膜５２０において、タングステン膜５０６の端部は、窒化タンタル膜５０５上面にあり、上面から見た場合、タングステン膜５０６の形状は、窒化タンタル膜５０５よりも小さい。図２１に、導電膜５２０の平面図を示す。なお、図２１には、半導体膜５１１、５１３も図示されている。
【０１１５】
レジストマスク５０７を除去した後、半導体膜５１２の高抵抗領域およびＰ型不純物領域となる領域を覆って、レジストマスク５０８を形成する。次いで、半導体膜５１１、５１２にドナー元素を添加し、Ｎ型の不純物領域を形成する。ここでは、ドナー元素としてリンを添加する。まず、半導体膜５１１にＮ型の低濃度不純物領域を形成するため、低ドーズ量、高加速電圧の条件下で、半導体膜５１１、５１２にリンを添加する。リンのソースガスにはＰＨ３を用いることができる。この条件下では、導電膜５２０の窒化タンタル膜５０５およびタングステン膜５０６が積層している部分のみがマスクとして機能し、導電膜５２０の窒化タンタル膜５０５のみで構成されている部分はリンが通過し、半導体膜５１１に低濃度不純物領域５６０および低濃度不純物領域５６１が形成される。さらに、半導体膜５１２にも低濃度不純物領域５６２が形成される。
【０１１６】
次に、ソース領域およびドレイン領域を形成するため、高ドーズ量、低加速電圧の条件下でリンを添加する。この条件下では、導電膜５２０全体がマスクとして機能し、図１５Ｂに示すように、半導体膜５１１にドレイン領域５６３、およびソース領域５６４が自己整合的に形成される。さらに、半導体膜５１１には、低濃度不純物領域５６５、５６６およびチャネル形成領域５６７も自己整合的に形成される。他方、半導体膜５１２にはＮ型不純物領域５６８が形成される。
【０１１７】
レジストマスク５０８を除去した後、図１５Ｃに示すように、半導体膜５１１全体、ならびに半導体膜５１２の高抵抗領域およびＮ型不純物領域となる領域を覆って、レジストマスク５０９を形成する。次いで、半導体膜５１２にアクセプタ元素を添加し、Ｐ型の不純物領域を形成する。ここでは、アクセプタ元素としてボロンを添加する。ボロンのソースガスにはＢ２Ｈ６を用いることができる。高ドーズ量、低加速電圧の条件下でボロンを添加することで、半導体膜５１２にＰ型不純物領域５６９が形成される。また、図１５Ａ−図１５Ｃの不純物元素の添加工程で、ドナー元素およびアクセプタ元素を添加しなかった領域は、高抵抗領域５７０となる。
【０１１８】
レジストマスク５０９を除去した後、酸化窒化シリコン膜５２１および導電膜５２０を覆ってガラス基板５００上に第１層目の層間絶縁膜を形成する。本実施形態では、この層間絶縁膜を３層構造としている。図１５Ｄに示すように、１層目は、厚さ３０ｎｍの酸化窒化シリコン膜５２２であり、２層目は厚さ１６５ｎｍの窒化酸化シリコン膜５２３であり、３層目は厚さ６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜５２４である。これらの膜５２２−５２４は、ＰＥＣＶＤ装置で形成される。
【０１１９】
まず、ＳｉＨ４およびＮ２Ｏをソースガスに用いて、酸化窒化シリコン膜５２２を形成する。そして、加熱処理を行い、半導体膜５１１、５１２に添加したリンおよびボロンを活性化する。この加熱処理の完了後、ＰＥＣＶＤ装置で窒化酸化シリコン膜５２３、および酸化窒化シリコン膜５２４を形成する。窒化酸化シリコン膜５２３のソースガスには、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３およびＨ２を用い、窒化酸化シリコン膜５２３中の水素濃度が高くなるようにする。酸化窒化シリコン膜５２４のソースガスにはＳｉＨ４およびＮ２Ｏが用いられる。酸化窒化シリコン膜５２４の形成後、加熱処理を行い、窒化酸化シリコン膜５２３の水素を拡散させ、半導体膜５１１、５１２の不対結合手を水素により終端させる。この加熱処理は、３００−５５０℃の温度で行うことができる。
【０１２０】
以降の工程は、図１６Ａ−図１９の断面図、および図２２−図２４の平面図を用いて説明する。なお、図１６Ａ−図１９の図示の方法は、図１３と同様である。
【０１２１】
レジストのマスクを用いて、酸化窒化シリコン膜５２１、酸化窒化シリコン膜５２２、窒化酸化シリコン膜５２３および酸化窒化シリコン膜５２４でなる積層膜をエッチングして、コンタクトホールとなる開口を形成する。開口を形成する部分は、導電膜５３１と半導体膜５１１のドレイン領域５６３との接続部、導電膜５３２と半導体膜５１１のソース領域５６４との接続部、導電膜５３３と導電膜５２０の接続部、導電膜５３４と導電膜５２０との接続部、導電膜５３１と半導体膜５１２のＮ型不純物領域５６８との接続部、導電膜５３２と半導体膜５１２のＰ型不純物領域５６９との接続部である。図２２Ａに、積層膜（５２１−５２４）に形成される開口のうち、半導体膜５１２との接続部を構成する開口のレイアウトを示す。図２２Ｂは図２２Ａの部分拡大図であり、図２２Ａの一点鎖線で囲んだ領域の拡大図である。
【０１２２】
図２２Ａおよび図２２Ｂに示すように、Ｎ型不純物領域５６８を導電膜５３１に電気的に接続するために、複数の開口５３６がＮ型不純物領域５６８全体に形成されている。同様に、Ｐ型不純物領域５６９を導電膜５３２に電気的に接続するために、複数の開口５３７がＰ型不純物領域５６９全体に形成されている。このように、開口５３６、５３７を形成することにより、Ｎ型不純物領域５６８と導電膜５３１との接続抵抗、およびＰ型不純物領域５６９と導電膜５３２との接続抵抗を小さくし、ＥＳＤ発生時に、ダイオード４０５が保護回路として十分に機能するようにしている。
【０１２３】
次に、酸化窒化シリコン膜５２４上に、第２層目の導電膜５３１−５３４を構成する導電膜を形成する。ここでは、スパッタ法で厚さ４００ｎｍのチタン膜を形成する。このチタン膜上にレジストのマスクを形成し、このマスクを用いてチタン膜をエッチングして、導電膜５３１−５３４を形成する（図１６Ａ参照）。図２３に、第２層目の導電膜５３１−５３４の平面図を示す。
【０１２４】
本実施形態では、導電膜５３１、５３２に実施形態１の導電膜２１１を適用している（図３参照）。導電膜５３１は、増幅回路４０３を電源端子４０１に電気的に接続するための接続配線を構成し、導電膜５３２は、増幅回路４０３を電源端子４０２に電気的に接続するための接続配線を構成する。導電膜５３１、５３２は、それぞれ、増幅回路４０３と複数の接続部（膜５２１−５２４に形成された開口に対応）を有する。本実施形態は、導電膜２１１と同様に、増幅回路４０３の電源端子４０１に対する初段の電気的な複数の接続部と、電源端子４０１間の抵抗が等しくなるように導電膜５３１を形成している。また、導電膜５３１と同様に、増幅回路４０３の電源端子４０２に対する初段の電気的な複数の接続部と電源端子４０２間の抵抗が等しくなるように、導電膜５３２を形成している。本実施形態では、増幅回路４０３は、電源端子４０１、および電源端子４０２に対して複数の接続部を有するが、図２３のような形状に導電膜５３１、５３２を形成することで、ＥＳＤによって、電源端子４０１および／または電源端子４０２に過大な電圧が印加されても、増幅回路４０３に印加される電圧が分散されるため、増幅回路４０３がＥＳＤによって破壊される確率を抑えることができる。
【０１２５】
なお、２層目の導電膜５３１−５３４、および３層目の導電膜５５１、５５２は、チタン、チタン合金、チタン化合物、モリブデン、モリブデン合金、またはモリブデン化合物でなる膜が好ましい。これらの導電性材料でなる膜は耐熱性が高いこと、シリコン膜との接触によって電蝕されにくいこと、マイグレーションが起こりにくいことなどの長所があるからである。
【０１２６】
次に、図１６Ａに示すように、酸化窒化シリコン膜５２４上に、フォトダイオード４０４を構成する光電変換層５４０を形成する。ここでは、光電変換層５４０として、ＰＥＣＶＤ装置を用いて非晶質シリコン膜を形成する。また、光電変換層５４０にＰＩＮ接合を設けるために、光電変換層５４０をＰ型の導電性を示す層、Ｉ型の導電性を示す層、およびＮ型の導電性を示す層でなる３層構造とする。なお、光電変換層５４０は、非晶質シリコン膜に限定されるものではなく、例えば、微結晶シリコン膜でもよいし、単結晶シリコン膜でもよい。
【０１２７】
まず、導電膜５３１−５３４を覆って、ＰＥＣＶＤ装置により厚さ６０ｎｍのＰ型非晶質シリコン膜５４１、厚さ４００ｎｍのＩ型非晶質シリコン膜５４２、および厚さ８０ｎｍのＮ型非晶質シリコン膜５４３を連続して形成する。Ｐ型非晶質シリコン膜５４１のソースガスにＳｉＨ４、Ｈ２およびＢ２Ｈ６を用いて、ボロンを添加する。また、Ｉ型非晶質シリコン膜５４２のソースガスにＳｉＨ４およびＨ２を用い、ドナーおよびアクセプタとなる不純物元素を意図的に添加しない非晶質シリコン膜を形成する。Ｎ型非晶質シリコン膜５４３のソースガスにＳｉＨ４、Ｈ２およびＰＨ３を用いて、リンを添加する。次いで、レジストのマスクを用いて、非晶質シリコン膜５４１−５４３でなる積層膜をエッチングして、光電変換層５４０を形成する（図１２、図１６Ａ参照）。
【０１２８】
ここでは、１枚のガラス基板５００上には、複数の光検出装置４００が同時に作製される。１枚のガラス基板５００上に複数の光検出装置４００が完成した後は、光検出装置４００のサイズに合わせてガラス基板５００を切断し、１つずつの光検出装置４００に分割する。ここでは、分割した後の光検出装置４００の側面を良好にパッシベーションするため、図１６Ｂに示すように、光検出装置４００の周囲５４５（点線で示す部分）の酸化窒化シリコン膜５２４を除去する。この工程は、エッチング処理で行うことができる。
【０１２９】
次に、窒化酸化シリコン膜５２３、酸化窒化シリコン膜５２４、導電膜５３１−５３４および光電変換層５４０を覆って、第２層目の層間絶縁膜を形成する。ここでは、図１６Ｃに示すように、厚さ１００ｎｍの窒化酸化シリコン膜５２５および厚さ８００ｎｍの酸化シリコン膜５２６でなる２層の絶縁膜を形成する。
【０１３０】
窒化酸化シリコン膜５２５は、ＰＥＣＶＤ装置でソースガスにＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３およびＨ２を用いて形成する。窒化酸化シリコン膜５２５はパッシベーション膜として機能する。窒化酸化シリコン膜５２５の代わりに窒化シリコン膜を形成してもよい。窒化シリコン膜はＰＥＣＶＤ装置でソースガスにＳｉＨ４、ＮＨ３およびＨ２を用いて形成することができる。また、酸化シリコン膜５２６は、ソースガスに、Ｏ２、およびテトラエトキシシラン（略称ＴＥＯＳ、化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）を用いて、ＰＥＣＶＤ装置で形成する。酸化シリコン膜５２６の代わりに、ＰＥＣＶＤ装置で酸化窒化シリコン膜を形成してもよい。
【０１３１】
次に、レジストのマスクを用いて、窒化酸化シリコン膜５２５および酸化シリコン膜５２６でなる積層膜をエッチングして、コンタクトホールとなる開口５８１−５８５を形成する（図１２参照）。
【０１３２】
次に、酸化シリコン膜５２６上に、第３層目の導電膜５５１、５５２を構成する導電膜を形成する。ここでは、スパッタ法で厚さ２００ｎｍのチタン膜を形成する。このチタン膜上にレジストのマスクを形成し、このマスクを用いてチタン膜をエッチングして、導電膜５５１、５５２を形成する（図１２、図１７Ａ参照）。
【０１３３】
次に、図１７Ｂに示すように、窒化酸化シリコン膜５０１を残して、光検出装置４００の周囲５４６（点線で示す部分）から、絶縁膜（５０２、５２１−５２６）を除去する。この工程は、エッチング処理で行うことができる。このように、光検出装置４００の周囲から絶縁膜を除去するのは、図１６Ｂの工程で、酸化窒化シリコン膜５２４を除去したのと同様に、ガラス基板５００を分割した後の光検出装置４００の側面を良好にパッシベーションするためである。
【０１３４】
次に、図１８Ａに示すように、厚さ１００ｎｍの窒化酸化シリコン膜５２７を形成する。窒化酸化シリコン膜５２７は、ＰＥＣＶＤ装置でソースガスにＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３およびＨ２を用いて形成する。窒化酸化シリコン膜５２７はパッシベーション膜として機能する。窒化酸化シリコン膜５２７によって、３層目の導電膜５５１、５５２、および全ての絶縁膜（５０１、５０３、５２１−５２６）の露出している面が覆われる。したがって、増幅回路４０３、フォトダイオード４０４およびダイオード４０５でなる集積回路部は、ガラス基板５００側はバリア層である窒化酸化シリコン膜５０１でパッシベーションされ、かつ、電源端子４０１、４０２が形成される側は窒化酸化シリコン膜５２７でパッシベーションされている。このような構造により、集積回路部に水分または有機物などの不純物の侵入を防ぐことができる。
【０１３５】
次に、図１８Ｂに示すように、封止膜５２８を形成する。封止膜５２８により、集積回路部の上面および側面が封止される。封止膜５２８の厚さは１μｍ以上が好ましく、１−３０μｍ程度とする。このように厚く形成するため、封止膜５２８は樹脂膜で形成することが好ましい。ここでは、印刷法により、感光性のエポキシ−フェノール系樹脂膜を形成することで、電源端子４０１、４０２との接続部に開口５８６、５８７（図２４に図示）を有する封止膜５２８を形成する。
【０１３６】
次に、レジストのマスクを用いて窒化酸化シリコン膜５２７をエッチングし、導電膜５５１の電源端子４０１との接続部、および導電膜５５２の電源端子４０２との接続部を除去する（図１９参照）。
【０１３７】
次に、封止膜５２８上に電源端子４０１、および電源端子４０２を形成する。図２４に電源端子４０１、４０２の平面図を示す。図２４には、第３層目の導電膜５５１、５５２、ならびに、導電膜５５１、５５２との接続部となる封止膜５２８に形成された開口５８６および開口５８７も図示している。
【０１３８】
本実施形態では、電源端子４０１、４０２を４層構造の導電膜で形成する。まず、図１９に示すように、１層目の導電膜５９１、５９２をスクリーン印刷法などの印刷法で形成する。本実施形態では、ニッケル粒子を含む導電性ペーストを用いて、スクリーン印刷法により導電膜５９１、５９２をそれぞれ厚さ１５μｍ程度に形成する。
【０１３９】
導電性ペーストは、樹脂でなるバインダーに金属粒子、または金属の粉体が分散している材料である。このような導電性ペーストを固化することで、導電性樹脂膜が形成される。よって、導電膜５９１、５９２は導電性樹脂膜で構成されているため、ハンダとの密着性に乏しい。そこで、電源端子４０１、４０２のハンダとの密着性を高めるため、導電膜５９１、５９２の上面にそれぞれ、メタルマスクを用いたスパッタ法で、所定の形状の導電膜を形成する。ここでは、図１３に示すように、導電膜５９１、５９２上に、それぞれ、３層構造の導電膜を形成する。１層目の導電膜は厚さ１５０ｎｍのチタン膜５９３、５９４であり、２層目の導電膜は厚さ７５０ｎｍのニッケル膜５９５、５９６であり、３層目の導電膜は厚さ５０ｎｍのＡｕ膜５９７、５９８である。以上の工程で、４層構造の電源端子４０１、４０２が完成する。
【０１４０】
次に、光検出装置４００の周囲５４６（図１７Ｂの点線で示す部分）で、ガラス基板５００を切断し、１つずつの光検出装置４００に分割する。ガラス基板５００の切断は、ダイシング法、レーザカット法などを用いることができる。ガラス基板５００を切断する前に、ガラス基板５００の裏面を研磨または研削して、ガラス基板５００を薄くすることもできる。この工程は、スパッタ法で導電膜（５９３−５９８）を形成する前に行うことが好ましい。ガラス基板５００を薄くしておくことで、ガラス基板５００を切断するために用いる切削工具の消耗を低減することができる。また、ガラス基板５００を薄くすることで、光検出装置を薄くすることができる。例えば、０．５ｍｍ程度の厚さのガラス基板５００を０．２５ｍｍ程度に薄くすることができる。ガラス基板５００を薄くした場合、ガラス基板５００の裏面および側面を樹脂膜で覆い、ガラス基板５００を保護することが好ましい。
【０１４１】
図２５に、本実施形態の光検出装置４００の外観図を示す。本実施形態では、１つの光検出装置４００の大きさを、Ｌ１×Ｌ２＝１．０ｍｍ×１．２ｍｍ程度とすることができる（図２４参照）。このように、本実施形態は、大きさが１ｍｍ×１ｍｍ程度の小型な半導体装置に適用することが可能である。
【０１４２】
図２５に示すように、本実施形態の光検出装置４００は、外部の回路との接続部は電源端子４０１、４０２であるので、ＥＳＤが発生した場合、電源端子４０１、４０２から高電圧が集積回路に印加されることになる。図１１の回路図に示すように、増幅回路４０３の各トランジスタ４０８は、ドレインに高電源電位ＶＤＤが入力されるため、電源端子４０１に対して初段のトランジスタ４０８は特に高電圧に起因する破壊が懸念される。本実施形態では、導電膜５３１により、電源端子４０１と初段のトランジスタ４０８間の配線抵抗を均一にしているため、ＥＳＤによる過剰な電圧が印加されても、初段のトランジスタ４０８に印加される電圧が分散するため、初段のトランジスタ４０８が破壊される確率を低くすることができる。
【０１４３】
本実施形態は、他の実施形態と適宜組み合わせることが可能である。例えば、ダイオード４０５として、実施形態２のダイオード３０１、または３０３を適用してもよい。また、保護回路として、ダイオード４０５の代わりに実施形態３の放電回路３０９を適用してもよい。
【０１４４】
（実施形態５）
実施形態４では、半導体装置の作製時に使用したガラス基板を、その半導体装置自体の基板としてそのまま用いているが、半導体素子、端子などの作製が完了した後、ガラス基板から回路を分離して、回路を他の基板上に固定することができる。本実施形態では、その方法の一例を説明する。
【０１４５】
まず、図２６Ａに示すように、ガラス基板５００上に、ＰＥＣＶＤ法で、厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜７０１を形成し、酸化窒化シリコン膜７０１上に、厚さ３０ｎｍのタングステン膜７０２をスパッタ法で形成する。タングステン膜７０２は剥離層として機能させる膜である。力を加えることで、集積回路の下地絶縁膜（３１１、３１２）とガラス基板５００との間で剥離を容易に生じさせるために形成される。剥離層は、タングステン膜の他、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、およびイリジウム等からなる金属膜で形成することができる。また、これらの金属元素を主成分とする合金膜で形成することができる。剥離層の厚さは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下にすればよい。
【０１４６】
酸化窒化シリコン膜７０１は、剥離層とガラス基板５００の密着性を向上させるために形成される。酸化窒化シリコン膜の他、スパッタ法またはＰＥＣＶＤ法により、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、金属酸化物膜などを形成することができる。
【０１４７】
次に、他の部分よりも、下地絶縁膜とタングステン膜７０２の間で剥離が優先的に生じるようにするため、タングステン膜７０２の表面を酸化させる。タングステン膜７０２を酸化させる方法には、以下の方法がある。熱酸化処理、酸素またはＮ２Ｏプラズマによる表面処理、オゾン水などの酸化力の強い溶液による表面処理、タングステン膜７０２上にスパッタ法で酸化膜を形成する方法などがある。本実施形態では、スパッタ法で厚さ２００ｎｍの酸化シリコン膜を形成する方法を採用する。また、タングステン膜７０２の表面を酸化する代わりに、プラズマ処理や熱処理によって窒化することでも、下地絶縁膜とタングステン膜７０２の間で剥離を優先的に生じさせることができる。なお、剥離層としてタングステン膜以外の膜を形成した場合も、タングステン膜７０２と同様に、酸化処理または窒化処理を行えばよい。
【０１４８】
次に、酸化シリコン膜７０３上に、図１４Ａと同様に、下地絶縁膜となる窒化酸化シリコン膜５０１および酸化窒化シリコン膜５０２、ならびに非晶質シリコン膜５０３を連続的に形成する（図２６Ｂ参照）。
【０１４９】
以降の工程を、実施形態４の作製方法と同様に行い、集積回路および電源端子４０１、４０２を完成させる。図２６Ｃにおいて、参照符号７１０を付した部分は、酸化窒化シリコン膜５０２上に形成された増幅回路４０３、フォトダイオード４０４のカソード、ダイオード４０５および電源端子４０１、４０２を示している。以下、この部分を集積回路部７１０と呼ぶこととする。
【０１５０】
次いで、図２６Ｃに示すように、集積回路部７１０の上部に支持基板７１１を固定する。支持基板７１１には、ガラス基板、石英基板、金属基板、セラミックス基板、プラスチック基板などを用いることができる。支持基板７１１は、集積回路部７１０を別の基板に固定した後に除去される。そのため、集積回路部７１０から容易に分離できるように、支持基板７１１を固定する。本実施形態では、両面粘着シート７１３を用いて、集積回路部７１０に支持基板７１１を固定している。両面粘着シート７１３としては、シートの両面が剥離型粘着材で覆われているシートを用いる。剥離型粘着材とは、熱や光などにより粘着力が弱まる粘着材である。ここでは、熱剥離型粘着材を用いた両面粘着シート７１３を用いることにする。また、本実施形態では、支持基板７１１の固定を容易にするため、集積回路部７１０の上部に水溶性樹脂層７１２を形成して、集積回路部７１０の上面を平坦化している。
【０１５１】
次に、図２７Ａに示すように、タングステン膜７０２と酸化シリコン膜７０３の間で剥離を生じさせて、集積回路部７１０をガラス基板５００から分離する。本実施形態では、物理的な力を加える方法によって、集積回路部７１０とガラス基板５００を分離することができる。力を加える手段としては、例えば、くさびなどの鋭利な先端を有する部材、人の手、ノズルから吹き付けられるガスの風圧などがある。これらの手段を用いることにより、集積回路部７１０をガラス基板５００から剥離することができる。
【０１５２】
次いで、ガラス基板５００を分離することで露出された酸化シリコン膜７０３に、接着材７１５により、可撓性基板７１６を接着する（図２７Ｂ参照）。接着材７１５には、反応硬化型接着材、熱硬化型接着材、紫外線硬化型接着材などの光硬化型接着材、嫌気硬化型接着材などの各種硬化型接着材を用いることができる。本実施形態では、接着材７１５としてエポキシ樹脂を用いる。また、可撓性基板７１６としては、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレートなどでなる樹脂フィルムを用いることができる。
【０１５３】
次に、集積回路部７１０から支持基板７１１を除去する。加熱することで、両面粘着シート７１３の粘着力を低下させて、両面粘着シート７１３共に、支持基板７１１を集積回路部７１０から除去する。次いで、純水で集積回路部７１０を洗浄することで、水溶性樹脂層７１２を溶解して、集積回路部７１０から除去する。次に、実施形態６と同様に、可撓性基板７１６を切断し、光検出装置ごとに集積回路部７１０を分割することで、光検出装置７００が完成する。集積回路部７１０の製造に使用したガラス基板５００を除去し、フィルムなどの可撓性基板７１６を用いることで、光検出装置の軽量化、薄型化が実現できる。以上の工程を経ることで、図２８に示すように、集積回路部７１０が可撓性基板７１６に固定される。なお、図２８の光検出装置７００の断面構造の表し方は図１３と同じである。
【０１５４】
本実施形態は、他の実施形態と適宜組み合わせることが可能である。また、本実施形態は、光検出装置に限定されるものではなく、各種の半導体装置の作製方法に適用することができる。つまり、本実施形態により、撓めることができる様々な半導体装置を作製することができる。
【０１５５】
（実施形態６）
実施形態４では、非晶質半導体膜を結晶化して形成した結晶性半導体膜を用いて集積回路を作製した。ガラス基板に単結晶半導体膜を形成し、この単結晶半導体膜を用いて集積回路を作製することができる。本実施形態では、ガラス基板上に単結晶半導体膜を形成する方法を説明する。
【０１５６】
図２９Ａに示すように、ガラス基板８００を用意する。ガラス基板８００は、単結晶半導体基板から分割された単結晶半導体層を支持する支持基板である。ガラス基板８００には、熱膨張係数が２５×１０−７／℃以上５０×１０−７／℃以下（好ましくは、３０×１０−７／℃以上４０×１０−７／℃以下）であり、歪み点が５８０℃以上６８０℃以下（好ましくは、６００℃以上６８０℃以下）である基板を用いることが好ましい。また、半導体装置の汚染を抑えるため、ガラス基板は無アルカリガラス基板が好ましい。無アルカリガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス基板などがある。
【０１５７】
また、ガラス基板８００の代わりに、セラミック基板、石英基板やサファイア基板などの絶縁体でなる絶縁性基板、金属やステンレスなどの導電体でなる導電性基板、シリコンやガリウムヒ素など半導体でなる半導体基板などを用いることができる。
【０１５８】
図２９Ｂに示すように、単結晶半導体基板８０１を用意する。単結晶半導体基板８０１から分離された半導体層をガラス基板８００に貼り合わせることで、ＳＯＩ基板が作製される。単結晶半導体基板８０１には、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコンなどの第１４族元素でなる単結晶半導体基板を用いることができる。また、本実施形態では、ガラス基板８００には、単結晶半導体基板８０１よりも大きいサイズの基板が用いられている。
【０１５９】
図２９Ｃに示すように、単結晶半導体基板８０１上に絶縁膜８０２を形成する。絶縁膜８０２は単層構造、積層構造とすることができる。その厚さは５ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。絶縁膜８０２を構成する膜には、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、窒化ゲルマニウム、酸化窒化ゲルマニウム、窒化酸化ゲルマニウムなどのシリコンまたはゲルマニウムを組成に含む絶縁材料でなる膜を用いることができる。また、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウムなどの金属酸化物でなる絶縁膜、窒化アルミニウムなどの金属窒化物でなる絶縁膜、酸化窒化アルミニウムなどの金属の酸化窒化物でなる絶縁膜、窒化酸化アルミニウムなどの金属の窒化酸化物でなる絶縁膜を用いることもできる。絶縁膜８０２を構成する絶縁膜は、ＣＶＤ法、スパッタ法、単結晶半導体基板８０１を酸化するまたは窒化するなどの方法により形成することができる。
【０１６０】
また、絶縁膜８０２には、不純物がガラス基板８００から、単結晶半導体膜に拡散することを防止できるような膜を少なくとも１層設けることが好ましい。このような膜には、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、および窒化酸化アルミニウム膜などがある。このような膜を含ませることで、絶縁膜８０２をバリア層として機能させることができる。
【０１６１】
例えば、絶縁膜８０２を単層構造のバリア層として形成する場合、厚さ５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、または窒化酸化アルミニウム膜で、絶縁膜８０２を形成することができる。
【０１６２】
絶縁膜８０２を、バリア層として機能する２層構造の膜とする場合は、上層を、バリア機能の高い絶縁膜で構成する。このような膜は、厚さ５ｎｍ乃至２００ｎｍの窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、または窒化酸化アルミニウム膜などで形成することができる。これらの膜は、不純物の拡散を防止するブロッキング効果が高いが、内部応力が高い。そのため、単結晶半導体基板８０１と接する下層の絶縁膜には、上層の絶縁膜の応力を緩和する効果のある膜を選択することが好ましい。このような絶縁膜には、酸化シリコン膜および酸化窒化シリコン膜、および単結晶半導体基板８０１を熱酸化して形成した熱酸化膜などがある。これらの絶縁膜の厚さは５ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることができる。
【０１６３】
本実施形態では、絶縁膜８０２を絶縁膜８０２ａと絶縁膜８０２ｂでなる２層構造とする。絶縁膜８０２ａとして、ソースガスにＳｉＨ４およびＮ２Ｏを用いてＰＥＣＶＤ法により厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成し、絶縁膜８０２ｂとして、ソースガスにＳｉＨ４、Ｎ２ＯおよびＮＨ３を用いてＰＥＣＶＤ法により厚さ５０ｎｍの窒化酸化シリコン膜を形成する。
【０１６４】
次に、図２９Ｄに示すように、絶縁膜８０２を介して、電界で加速されたイオンでなるイオンビーム８０５を単結晶半導体基板８０１に照射して、単結晶半導体基板８０１の表面から所定の深さの領域に、脆化層８０３を形成する。このイオン照射工程は、加速されたイオン種でなるイオンビーム８０５を単結晶半導体基板８０１に照射することで、イオン種を構成する元素を単結晶半導体基板８０１に添加する工程である。イオンビーム８０５を単結晶半導体基板８０１に照射すると、加速されたイオン種の衝撃により、単結晶半導体基板８０１の所定の深さに結晶構造が脆くなっている層が形成される。この層が脆化層８０３である。脆化層８０３が形成される領域の深さは、イオンビーム８０５の加速エネルギーとイオンビーム８０５の侵入角度によって調節することができる。加速エネルギーは加速電圧、ドーズ量などにより調節できる。イオンの平均侵入深さとほぼ同じ深さの領域に脆化層８０３が形成される。つまり、イオンが侵入する深さで、単結晶半導体基板８０１から分離される半導体層の厚さが決定される。脆化層８０３が形成される深さは５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。
【０１６５】
イオンビーム８０５を単結晶半導体基板８０１に照射するには、質量分離を伴うイオン注入法だけでなく、質量分離を伴わないイオンドーピング法で行うことができる。
【０１６６】
ソースガスに水素（Ｈ２）を用いる場合、水素ガスを励起してＨ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋を生成することができる。ソースガスから生成されるイオン種の割合は、プラズマの励起方法、プラズマを発生させる雰囲気の圧力、ソースガスの供給量などを調節することで、変化させることができる。イオンドーピング法で脆化層８０３の形成を行う場合、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋の総量に対してＨ３＋が、７０％以上イオンビーム８０５に含まれるようにすることが好ましく、Ｈ３＋の割合は８０％以上がより好ましい。それは脆化層８０３を浅い領域に形成するためには、イオンの加速電圧を低くする必要があるが、また、水素ガスを励起することで生成されたプラズマ中のＨ３＋イオンの割合を高くすることで、原子状水素を効率よく、単結晶半導体基板８０１に添加することができるからである。
【０１６７】
水素ガスを用いて、イオンドーピング法でイオン照射を行う場合、加速電圧１０ｋＶ以上２００ｋＶ以下、ドーズ量１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上６×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下とすることができる。この条件で水素イオンを照射することで、イオンビーム８０５に含まれるイオン種、およびその割合にもよるが、脆化層８０３を単結晶半導体基板８０１の深さ５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の領域に形成することができる。
【０１６８】
例えば、単結晶半導体基板８０１が単結晶シリコン基板であり、絶縁膜８０２ａが厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜であり、絶縁膜８０２ｂが厚さ５０ｎｍの窒化酸化シリコン膜の場合、ソースガスが水素であり、加速電圧４０ｋＶ、ドーズ量２×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２の条件では、単結晶半導体基板８０１から厚さ１２０ｎｍ程度の半導体層を分離することができる。また、絶縁膜８０２ａを厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜とし、他は同じ条件で水素イオンを照射することで、単結晶半導体基板８０１から厚さ７０ｎｍ程度の半導体層を分離することができる。
【０１６９】
イオン照射工程のソースガスには、水素の他に、ヘリウム（Ｈｅ）や、塩素ガス（Ｃｌ２ガス）およびフッ素ガス（Ｆ２ガス）などのハロゲンガスを用いることもできる。
【０１７０】
脆化層８０３を形成した後、絶縁膜８０２の上面に、図２９Ｅに示すように、絶縁膜８０４を形成する。絶縁膜８０４を形成する工程では、単結晶半導体基板８０１の加熱温度は、脆化層８０３に添加した元素または分子が析出しない温度とし、その加熱温度は３５０℃以下が好ましい。言い換えると、この加熱処理は脆化層８０３からガスが抜けない温度で行う。なお、絶縁膜８０４は、イオン照射工程を行う前に形成することもできる。この場合は、絶縁膜８０４を形成するときのプロセス温度は３５０℃以上にすることができる。
【０１７１】
絶縁膜８０４は、平滑で親水性の接合面を単結晶半導体基板８０１の表面に形成するための膜である。絶縁膜８０４の厚さ５ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下がより好ましい。絶縁膜８０４として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜を形成することができる。ここでは、ソースガスにＴＥＯＳおよびＯ２を用いて、ＰＥＣＶＤ法で厚さ５０ｎｍの酸化シリコン膜を形成する。
【０１７２】
なお、絶縁膜８０２または絶縁膜８０４の一方を形成しなくてもよい。また、ガラス基板８００に単層構造または積層構造の絶縁膜を形成してもよい。この絶縁膜は絶縁膜８０２と同様に形成することができ、積層構造とする場合は、バリア層となる絶縁膜は、ガラス基板８００に接して形成することが好ましい。また、ガラス基板８００に絶縁膜を形成した場合、絶縁膜８０２、および絶縁膜８０４は形成しなくてもよい。
【０１７３】
図２９Ｆは接合工程を説明する断面図であり、ガラス基板８００と単結晶半導体基板８０１とを貼り合わせた状態を示している。接合工程を行うには、まず、ガラス基板８００、ならびに、絶縁膜８０４、８０２が形成された単結晶半導体基板８０１を超音波洗浄する。超音波洗浄はメガヘルツ超音波洗浄（メガソニック洗浄）が好ましい。メガヘルツ超音波洗浄の後、ガラス基板８００および単結晶半導体基板８０１の双方、または一方をオゾン水で洗浄することもできる。オゾン水で洗浄することで、有機物の除去と、表面の親水性を向上させることができる。
【０１７４】
洗浄工程の後、絶縁膜８０４を介して、ガラス基板８００と単結晶半導体基板８０１を貼り合わせる。ガラス基板８００の表面と絶縁膜８０４の表面とを密着させると、ガラス基板８００と絶縁膜８０４との界面に化学結合が形成され、ガラス基板８００と絶縁膜８０４が接合する。接合工程は加熱処理を伴わずに常温で行うことができるため、単結晶半導体基板８０１を貼り付ける基板にガラス基板８００のような耐熱性の低い基板を用いることが可能である。
【０１７５】
ガラス基板８００と単結晶半導体基板８０１を密着させた後、ガラス基板８００と絶縁膜８０４との界面での結合力を増加させるための加熱処理を行うことが好ましい。この処理温度は、脆化層８０３に亀裂を生じさせない温度であり、例えば、７０℃以上３００℃以下とすることができる。
【０１７６】
次いで、４００℃以上の加熱処理を行い、脆化層８０３において単結晶半導体基板８０１を分割し、単結晶半導体基板８０１から単結晶半導体膜８０６を分離する。図２９Ｇは、単結晶半導体基板８０１から単結晶半導体膜８０６を分離する分離工程を説明する図である。図２９Ｇに示すように、分離工程により、ガラス基板８００上に単結晶半導体膜８０６が形成される。８０１Ａを付した要素は、単結晶半導体膜８０６が分離された後の単結晶半導体基板８０１を示している。
【０１７７】
４００℃以上の加熱処理を行うことで、ガラス基板８００と絶縁膜８０４との接合界面に形成された水素結合から共有結合に変化するため、結合力が増加する。また、温度上昇によって、脆化層８０３に形成されている微小な孔には、イオン照射工程で添加した元素が析出し、内部の圧力が上昇する。圧力の上昇により、脆化層８０３の微小な孔に体積変化が起こり、脆化層８０３に亀裂が生じるので、脆化層８０３に沿って単結晶半導体基板８０１が分割される。絶縁膜８０４はガラス基板８００に接合しているので、ガラス基板８００上には単結晶半導体基板８０１から分離された単結晶半導体膜８０６が固定されることになる。単結晶半導体膜８０６を単結晶半導体基板８０１から分離するための加熱処理の温度は、ガラス基板８００の歪み点を越えない温度とし、４００℃以上７００℃以下で行うことができる。
【０１７８】
図２９Ｇに示す分離工程を完了することで、ガラス基板８００に単結晶半導体膜８０６が貼り合わされたＳＯＩ基板８１０が作製される。ＳＯＩ基板８１０は、ガラス基板８００上に絶縁膜８０２、絶縁膜８０４、単結晶半導体膜８０６の順に層が積層された多層構造を有し、絶縁膜８０２と絶縁膜８０４が接合している基板である。絶縁膜８０２を形成しない場合は、ＳＯＩ基板８１０は絶縁膜８０４と単結晶半導体膜８０６が接合されている基板となる。
【０１７９】
なお、単結晶半導体基板８０１から単結晶半導体膜８０６を分離するための加熱処理は、結合力を強化するための加熱処理と同じ装置で連続して行うことができる。また、２つの加熱処理を異なる装置で行うこともできる。例えば、同じ炉で行う場合は、まず、処理温度２００℃、処理時間２時間の加熱処理を行い。次いで、加熱温度を６００℃に上昇させ、６００℃、２時間の加熱処理を行う。そして、４００℃以下から室温程度の温度に冷却して、炉から、単結晶半導体基板８０１ＡおよびＳＯＩ基板８１０を取り出す。
【０１８０】
異なる装置で加熱処理を行う場合は、例えば、炉において、処理温度２００℃、処理時間２時間の加熱処理を行った後、貼り合わされたガラス基板８００と単結晶半導体基板８０１を炉から搬出する。次いで、ランプアニール装置で処理温度６００℃以上７００℃以下、処理時間１分以上３０分以下の加熱処理を行い、単結晶半導体基板８０１を脆化層８０３で分割する。
【０１８１】
ＳＯＩ基板８１０の単結晶半導体膜８０６は、脆化層８０３の形成、分離工程などによって、結晶欠陥が形成され、また、その表面は平坦性が損なわれている。そこで、結晶欠陥の低減、平坦化のために、単結晶半導体膜８０６にレーザ光を照射して、溶融させることで再結晶化させることが好ましい。あるいは、単結晶半導体膜８０６の表面の損傷を除去し、その表面を平坦にするため、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置などで、単結晶半導体膜８０６の表面を研磨する工程を行うことが好ましい。
【０１８２】
本実施形態のＳＯＩ基板８１０を用いて、実施形態４に示すような各種の半導体装置を作製することができる。
【０１８３】
（実施形態７）
実施形態４により得られた光検出装置を電子機器に取り付けることで、光検出装置の検出信号に基づいて、電子機器の動作を制御することができる。例えば、表示パネルを備えた電子機器に光検出装置を内蔵することで、表示パネルの輝度調節を光検出装置の検出信号をもとに行うことが可能になる。本実施形態では、図３０Ａ−図３０Ｆを用いて、このような電子機器のいくつかの例を説明する。
【０１８４】
図３０Ａ、および図３０Ｂは、携帯電話の外観図である。図３０Ａ、および図３０Ｂの携帯電話は、それぞれ、本体１１０１、表示パネル１１０２、操作キー１１０３、音声出力部１１０４および音声入力部１１０５を有する。さらに、本体１１０１には光検出装置１１０６が設けられている。図３０Ａ、および図３０Ｂの携帯電話は、光検出装置１１０６が検出した電気信号をもとに表示パネル１１０２の輝度を調節する機能を有する。さらに、図３０Ｂの携帯電話は、表示パネル１１０２のバックライトの輝度を検出する光検出装置１１０７が本体１１０１に内蔵されている。
【０１８５】
図３０Ｃはコンピュータの外観図である。コンピュータは、本体１１１１、表示パネル１１１２、キーボード１１１３、外部接続ポート１１１４、ポインティングデバイス１１１５などを有する。さらに、表示パネル１１１２のバックライトの輝度を検出する光検出装置（図示せず）が本体１１１１に内蔵されている。
【０１８６】
図３０Ｄは表示装置の外観図である。テレビ受像器、コンピュータのモニタなどが表示装置に該当する。本表示装置は、筐体１１２１、支持台１１２２、表示パネル１１２３などによって構成されている。筐体１１２１には、表示パネル１１２３のバックライトの輝度を検出する光検出装置（図示せず）が内蔵されている。
【０１８７】
図３０Ｅは正面方向から見たデジタルカメラの外観図であり、図３０Ｆは背面方向から見たデジタルカメラの外観図である。デジタルカメラは、リリースボタン１１３１、メインスイッチ１１３２、ファインダ窓１１３３、フラッシュライト１１３４、レンズ１１３５、鏡胴１１３６、筺体１１３７、ファインダ接眼窓１１３８、表示パネル１１３９、および操作ボタン１１４０などを有する。光検出装置をデジタルカメラに組み込むことにより、光検出装置によって撮影環境の輝度を感知することができる。そこで、光検出装置で検出された電気信号をもとに、露出調整、シャッタースピード調節などを行うことができる。
【実施例１】
【０１８８】
本実施例では、１つの電源端子から１つの回路までの複数の電流経路について、配線抵抗を等しくすることが、ＥＳＤから回路を保護することに寄与することを説明する。本実施例では、このことを、過電圧印加試験（静電破壊試験、静電気試験などとも呼ばれる。）の回路シミュレーションおよび実験により説明する。本実施例の静電破壊試験の対象となる半導体装置は、実施形態４の光検出装置である。
【０１８９】
図３１は、シミュレーションで設定した光検出装置９００の回路図である。光検出装置９００は、図１１の光検出装置４００と同じ要素を有する。図３１に示すように、光検出装置９００は、高電源電位ＶＤＤが供給される電源端子９０１、低電源電位ＶＳＳが供給される電源端子９０２、増幅回路９０３、フォトダイオード９０４、および保護回路を構成するダイオード９０５を有する。
【０１９０】
増幅回路９０３は、光検出装置４００と同様に、カレントミラー回路であり、フォトダイオード９０４の出力電流を増幅するために９つのトランジスタＭ２−Ｍ１０を有する。トランジスタＭ１が図１１のトランジスタ４０７に対応し、トランジスタＭ２−Ｍ１０が図１１のトランジスタ４０８に対応する。
【０１９１】
配線抵抗（Ｒ２ｓ−Ｒ１０ｓ）が等しく、かつ配線抵抗（Ｒ２ｄ−Ｒ１０ｄ）が等しい光検出装置９００（以下、「装置９００Ａ」と呼ぶ。）と、配線抵抗（Ｒ２ｓ−Ｒ１０ｓ）が互いに異なり、かつ配線抵抗（Ｒ２ｄ−Ｒ１０ｄ）が互いに異なる光検出装置９００（以下、「装置９００ｘ」と呼ぶ。）について、過電圧印加試験の回路シミュレーションを行った。ここでは、装置９００Ａは、実施形態１の第１接続配線１１０および第２接続配線１２０が適用された半導体装置であり、装置９００ｘは、比較例の半導体装置である。
【０１９２】
過電圧印加試験の方式には、Ｈｕｍａｎ Ｂｏｄｙ Ｍｏｄｅｌを採用した。図３１に示すように、容量値ＣＨＢＭ＝１００ｐＦ、抵抗値ＲＨＢＭ＝１．５ｋΩ、インダクタンスＬＨＢＭ＝７５０ｎＨとした。電源端子９０１のノードＡに、電圧ＶＥＳＤ＝１ｋＶを印加した。電源端子９０２の電位は接地電位とした。
【０１９３】
また、装置９００Ａおよび装置９００ｘの配線抵抗（Ｒ２ｄ−Ｒ１０ｄ、Ｒ２ｓ−Ｒ１０ｓ）の値は、表１、表２のように設定した。また、装置９００Ａおよび装置９００ｘ共に、配線抵抗値Ｒ０＝１５０Ωとし、トランジスタＭ１−Ｍ１０は同じ電気的特性を有するｎチャネル型トランジスタとした。
【０１９４】
【表１】
【０１９５】
【表２】
【０１９６】
上記の条件で、過電圧印加直後の装置９００Ａおよび装置９００ｘの動作を検証するための回路シミュレーションを行った。具体的には、電源端子９０１に１ｋＶが印加された後から３００ナノ秒間の増幅回路９０３に含まれるトランジスタＭ２−Ｍ１０のソース−ドレイン間電流（以下、「電流ＩＤ」と呼ぶ。）の値を計算した。回路シミュレータには、ＳｍａｒｔＳｐｉｃｅが用いられた。
【０１９７】
図３２Ａに装置９００Ａの回路シミュレーション結果を示し、図３２Ｂに装置９００ｘの回路シミュレーション結果を示す。図３２Ａおよび図３２Ｂは、電圧ＶＥＳＤを印加してからの経過時間に対する３つのトランジスタ（Ｍ２、Ｍ６、Ｍ１０）の電流ＩＤの変化を示すグラフである。時間＝０ナノ秒が電源端子９０１にＶＥＳＤ＝１ｋＶが印加された時である。
【０１９８】
図３２Ａに示すように、装置９００Ａでは、３つのトランジスタ（Ｍ２、Ｍ６、Ｍ１０）のソース−ドレイン間電流値ＩＤはほぼ等しい。また、図３２Ａには示されていないが、残りのトランジスタ（Ｍ３−Ｍ５、Ｍ７−Ｍ９）の電流ＩＤのグラフは、これらトランジスタ（Ｍ２、Ｍ６、Ｍ１０）とほぼ一致する。つまり、装置９００Ａの回路シミュレーションの結果は、電源端子９０１にＶＥＳＤを印加した直後に、各トランジスタ（Ｍ２−Ｍ１０）のソース−ドレイン間に流れる電流値ＩＤがほぼ等しくなることを示している。別言すると、この回路シミュレーションの結果は、１つの電源端子と１つの回路間に複数の電流経路が存在する場合、それらの配線抵抗を等しくすることで、電源端子に過電圧が印加されても、ある特定の半導体素子に集中して電流が流れることが回避できることを示している。
【０１９９】
他方、比較例の装置９００ｘでは、図３２Ｂに示すように、３つのトランジスタ（Ｍ２、Ｍ６、Ｍ１０）の電圧ＶＥＳＤ印加直後の電流ＩＤは異なっている。装置９００ｘではＲ２ｄ＜Ｒ６ｄ＜Ｒ１０ｄ、Ｒ２ｓ＜Ｒ６ｓ＜Ｒ１０ｓであり、この抵抗値の不等式に対応して、電流ＩＤはトランジスタＭ２＞トランジスタＭ６＞トランジスタＭ１０となっている。また、図３２Ｂには図示されていないが、残りのトランジスタ（Ｍ３−Ｍ５、Ｍ７−Ｍ９）の電流ＩＤの値は、トランジスタ（Ｍ２、Ｍ６、Ｍ１０）と同様に、配線抵抗が大きいほど小さくなった。つまり、装置９００ｘの回路シミュレーション結果は、１つの電源端子と１つの回路間に複数の電流経路がある場合、それらの配線抵抗が異なっていると、配線抵抗が低い電流経路に過電圧によるストレスが集中するため、配線抵抗が低い電流経路に接続されている半導体素子が破壊されやすいことを示している。
【０２００】
また、回路シミュレータにより、電流ＩＤと同様に、電源端子９０１に電圧ＶＥＳＤを印加した直後のトランジスタ（Ｍ２−Ｍ１０）のゲート−ソース間電圧（以下、「電圧ＶＧＳ」と呼ぶ。）、およびドレイン−ソース間電圧（以下、「電圧ＶＤＳ」と呼ぶ。）も計算した。装置９００Ａでは、トランジスタ（Ｍ２−Ｍ１０）の電圧ＶＧＳおよび電圧ＶＤＳはほぼ等しかった。他方、装置９００ｘでは、電圧ＶＧＳおよび電圧ＶＤＳはトランジスタ（Ｍ２−Ｍ１０）ごとに異なっており、電流ＩＤと同様に、これらの値はトランジスタＭ２が最も大きく、トランジスタＭ１０が最も小さかった。
【０２０１】
以上述べたように、装置９００Ａおよび装置９００ｘの過電圧印加試験の回路シミュレーションにより、１つの電源端子と１つの回路間に複数の電流経路が存在する場合、過電圧による破壊を防ぐには、これら電流経路の配線抵抗を等しくすることが有効であることが示された。
【０２０２】
さらに、装置９００Ａおよび装置９００ｘに対応する光検出装置を実際に作製し、各光検出装置の過電圧印加試験を行った。ここでは、前者の光検出装置を「装置９１０Ａ」と呼び、後者の光検出装置を「装置９１０ｘ」と呼ぶことにする。
【０２０３】
装置９１０Ａおよび装置９１０ｘは、光検出装置４００の平面構造および積層構造（図１２および図１３参照）と同様の構造を有し、実施形態４の作製方法により作製された。図３３に装置９１０Ａの平面図を示し、図３４に装置９１０ｘの平面図を示す。装置９１０Ａ、装置９１０ｘの構成の理解を容易にするため、図３３および図３４に示される一部の構成要素に、図１２と同じ参照符号が付されている。
【０２０４】
図３３に示すように、装置９１０Ａが光検出装置４００に異なる点は、ダイオード９０５に図５のダイオード３０１と同様の構成のダイオードが適用されている点である。なお、装置９１０Ａの第２層目の導電膜９３１および導電膜９３２は、それぞれ光検出装置の第２層目の導電膜５３１、５３２（図２３参照）に対応する導電膜である。導電膜５３１と同様に、電源端子９０１と増幅回路９０３間の複数の電流経路の配線抵抗値が等しくなるように、導電膜９３１が形成されている。また、導電膜５３２と同様に、電源端子９０２と増幅回路９０３間の複数の電流経路の配線抵抗値が等しくなるように、導電膜９３２が形成されている。
【０２０５】
また、図３３において、半導体膜９３０はダイオード９０５を構成する半導体膜であり、開口９３３は、第２層目の導電膜９３１を第３層目の導電膜５５１に電気的に接続するために、これらの間の絶縁膜に形成されている開口であり、開口９３４は、第２層目の導電膜９３２を第３層目の導電膜５５２に電気的に接続するために、これらの間の絶縁膜に形成されている開口である。
【０２０６】
次に、装置９１０ｘの構成を説明する。装置９１０ｘは比較例の半導体装置である。図３４に示すように、装置９１０Ａとは、第２層目の導電膜９４１、９４２の構造が異なる。装置９１０ｘでは、電源端子９０１と増幅回路９０３間の複数の電流経路の配線抵抗が異なるように導電膜９４１が形成され、電源端子９０２と増幅回路９０３間の複数の電流経路の配線抵抗が異なるように導電膜９４２が形成されている。また、開口９４３は、第２層目の導電膜９４１を第３層目の導電膜５５１に電気的に接続するためにこれらの間の絶縁膜に形成されている開口であり、開口９４４は、第２層目の導電膜９４２を第３層目の導電膜５５２に電気的に接続するためにこれらの間の絶縁膜に形成されている開口である。
【０２０７】
装置９１０Ａおよび、装置９１０ｘの過電圧印加試験には、株式会社ノイズ研究所製の半導体静電気試験器（ＥＳＳ−６０６Ａ）が使用された。試験方式には、Ｈｕｍａｎ Ｂｏｄｙ Ｍｏｄｅｌが採用された。なお、装置９１０Ａおよび装置９１０ｘ共に、電源端子９０１、９０２を構成する第４層目の導電膜が形成されていない。そこで、上記試験器により、導電膜５５１と導電膜５５２間に電圧ＶＥＳＤが印加された。
【０２０８】
本実施例の過電圧印加試験は次のように行われた。まず、試験器により、導電膜５５１と導電膜５５２間に＋０．５ｋＶの電圧ＶＥＳＤを１度印加し、次いで、−０．５ｋＶの電圧ＶＥＳＤを１度印加した。そして、光検出装置が破壊されているか否かを判定した。光検出装置が破壊されていない場合は印加する電圧ＶＥＳＤを０．５ｋＶ高くし、再度、試験器で正および負の電圧ＶＥＳＤを１度ずつ光検出装置に印加した。これらを光検出装置が破壊されるまで繰り返した。
【０２０９】
なお、この過電圧印加試験において、正の電圧ＶＥＳＤは保護回路のダイオード９０５に対して順バイアス電圧であり、負の電圧ＶＥＳＤは逆バイアス電圧である。
【０２１０】
光検出装置の破壊の判定は、光検出装置が試験前の性能を維持しているかどうかで判定した。具体的には、電圧ＶＥＳＤが印加された後の光検出装置の出力電流値が、試験前の初期値から±２０％以上変化した場合、その光検出装置は破壊されたと判定した。なお、光検出装置の出力電流の測定は蛍光灯下で行われた。
【０２１１】
図３５に、７つの装置９１０Ａおよび４つの装置９１０ｘの過電圧印加試験結果を示す。図３５のグラフの縦軸は光検出装置が破壊されなかった電圧ＶＥＳＤの最大値を示す。例えば、装置９１０Ａの１番目の棒グラフは、その装置９１０Ａが、電圧ＶＥＳＤ＝±５．５ｋＶを印加する試験までは破壊されず、電圧ＶＥＳＤ＝±６．０ｋＶを印加する試験で破壊されたことを示している。
【０２１２】
図３５は、１つの電源端子と１つの回路間に複数の電流経路が存在する半導体装置において、複数の電流経路の配線抵抗を等しくすることで、半導体装置のＥＳＤに対する耐性を向上させることが可能なことを示している。つまり、装置９１０Ａおよび装置９１０ｘの過電圧印加試験により、このような半導体装置の過電圧による破壊を防ぐには、１つの電源端子と１つの回路間に存在する複数の電流経路の配線抵抗を等しくすることが有効であることが確認された。なお、この試験を行った装置９１０Ａは、電源端子９０１と増幅回路９０３間の複数の電流経路の配線抵抗値が等しくなるように、また電源端子９０２と増幅回路９０３間の複数の電流経路の配線抵抗値が等しくなるように設計されているが、実際のこれらの配線抵抗値は完全に一致するものではなく、製造過程で発生した設計値からのずれ含んでいることを付記する。
【符号の説明】
【０２１３】
１１−１５、２１−２５ 半導体素子
３０ 基板
４１−４４ 絶縁膜
１００ 半導体装置
１０１ 第１端子
１０２ 第２端子
１０３、１０５ 回路
１０４、１０７、１０８ 保護回路
１０６ 第３端子
１１０ 第１接続配線
１１１−１１５ 接続部
１２０ 第２接続配線
１２１−１２５ 接続部
１３１−１３４ 屈曲部
１５０ 半導体装置
２０１、２０２、２０６、２０７、２１１ 導電膜
２０３ 開口
２０５ 半導体領域
４００ 光検出装置
４０１、４０２ 電源端子
４０３ 増幅回路
４０４ フォトダイオード
４０５ ダイオード
４０７、４０８ トランジスタ
４１１、４１２ 接続配線
５００ ガラス基板
５１１−５１３ 半導体膜
５２０ 導電膜
５３１−５３４ 導電膜
５３５−５３７ 開口
５４０ 光電変換層
５５１、５５２ 導電膜
５８１−５８７ 開口
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電気放電などの予期しない高電圧の印加に対して回路の破壊を防ぐ手段を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の不良の大きな原因の１つに、静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ、以下、「ＥＳＤ」と呼ぶ。）による半導体素子、電極などの破壊がある。そこで、ＥＳＤによる集積回路の破壊防止対策として、端子と集積回路との間に保護回路を挿入することが行われている。保護回路は、ＥＳＤなどにより端子に印加された過剰な電圧が集積回路に供給されることを防ぐための回路である。保護回路に用いられる代表的な素子には、抵抗素子、ダイオード、容量素子がある。
【０００３】
例えば、特許文献１（特開２０００−５８７６２号公報）では、接続端子と半導体回路とを電気的に接続する配線に抵抗素子を挿入して、ＥＳＤにより発生したサージ電流を平滑化している。また、特許文献１では、保護回路に抵抗素子と共にダイオードが用いられている。ＥＳＤが発生した際に、ダイオードの整流作用により、サージ電流の放電経路を形成し、サージ電流が集積回路に流入することを防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−５８７６２号公報（図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
集積回路の高性能化のためにトランジスタは微細化が進み、ＥＳＤに対する耐性が低下している。また、集積回路には高速動作、低消費電力化が求められている。ＥＳＤの電圧は数ｋＶ乃至数十ｋＶ程度であるといわれている。このような高電圧の影響を完全に除去できるような高抵抗の抵抗素子を保護回路に用いることは、集積回路の動作の妨げになり、現実的ではない。また、静電気は正、負の両方の極性があるため、保護回路は両方の極性の静電気放電から集積回路を保護できる回路であることが望ましい。さらに、集積回路の小型化の点から、保護回路が占有する面積は小さいことが要求される。
【０００６】
このように、保護回路には様々な制約があり、集積回路の性能と保護回路の性能とを両立させることは、非常に困難である。本発明の一態様は、このような背景をもとに発明された半導体装置であり、本態様における課題の１つは、集積回路の高性能化、小型化などを妨げることなく、集積回路のＥＳＤに対する耐性を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る半導体装置は、複数の半導体素子を含む回路と、１つの端子と、前記端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の接続部と、端子と複数の接続部とを電気的に接続し、端子と複数の接続部間の抵抗がそれぞれ等しくなるように設けられている接続配線と、を有する半導体装置である。
【０００８】
つまり、上記態様では、端子から回路までに複数の電流経路がある場合、これらの複数の電流経路において、それぞれ、配線抵抗を等しくしている。このような構成により、ＥＳＤなどによりサージ電流が端子から半導体装置内に流入しても、１つの電流経路にサージ電流が集中することが回避される。つまり、ＥＳＤに対する回路の耐性を高くすることができる。
【０００９】
なお、本明細書において、複数の配線（または電流経路）の抵抗値が等しいとは、完全に一致している場合のみでなく、ある程度の差異を有する場合も含む。抵抗値の差異を許容するのは、複数の配線抵抗が等しくなるように半導体装置を設計しても、半導体装置の作製過程において、配線抵抗の値が設計値からずれる場合があるからである。このずれが生じる原因は、形成される膜厚のばらつき、エッチングされる膜厚のバラツキ、および、コンタクトホールの大きさのばらつきなどがあり、これらの発生を完全になくすことは困難である。
【００１０】
そこで、本明細書では、製造過程で生じる抵抗値の設計値からのずれを考慮して、複数の抵抗値のばらつきの許容範囲は、それらの中央値±２０％の範囲とする。すなわち、本明細書では、複数の抵抗値が全て中央値±２０％の範囲に分布している場合、それらの抵抗値が等しいとする。
【００１１】
また、上記態様の半導体装置は、端子に電気的に接続されており、過電圧が印加されないように回路を保護する保護回路を有してもよい。この保護回路に、ダイオードを含む保護回路を用いることができる。このダイオードとして、絶縁膜上に設けられ、かつ、絶縁膜の上面に平行な方向に隣接するＮ型不純物領域およびＰ型不純物領域が形成された半導体膜を有するダイオードを適用することができる。
【００１２】
また、上記態様は、平面配置の大きさが１０ｍｍ×１０ｍｍ以下の半導体装置に適用することができる。なお、平面配置の大きさが１０ｍｍ×１０ｍｍ以下であるとは、半導体装置が１０ｍｍ平方の領域に収まることをいう。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様の半導体装置は、集積回路の高性能化、小型化を妨げることなく、集積回路のＥＳＤに対する耐性を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】半導体装置の構成例を説明するブロック図。（実施形態１）
【図２】半導体装置の第１配線および第２配線の構成例を示す平面図。（実施形態１）
【図３】図２の第１配線のレイアウトを説明する平面図。（実施形態１）
【図４】半導体装置の構成例を説明するブロック図。（実施形態１）
【図５】Ａ：保護回路に適用されるＰＩＮ型ダイオードの平面図。Ｂ：同ダイオードを構成する半導体膜の平面図。Ｃ：図５ＡのＡ１−Ａ２切断線による同ダイオードの断面図。（実施形態２）
【図６】Ａ：保護回路に適用されるＰＩＮ型ダイオードの平面図。Ｂ：同ダイオードを構成する半導体膜の平面図。（実施形態２）
【図７】図６ＡのＡ３−Ａ４切断線による断面図。（実施形態２）
【図８】Ａ：保護回路に適用されるＰＩＮ型ダイオードの平面図。Ｂ：同ダイオードを構成する半導体膜の平面図。（実施形態２）
【図９】図８ＡのＡ５−Ａ６切断線による断面図。（実施形態２）
【図１０】Ａ：保護回路に適用される放電回路の構成例を示す平面図。Ｂ：図１０ＡのＡ１１−Ａ１２切断線による断面図。Ｃ：同放電回路の他の構成例を示す平面図。（実施形態３）
【図１１】光検出装置の構成例を説明する回路図。（実施形態４）
【図１２】図１１の光検出装置のレイアウト例を説明する平面図。（実施形態４）
【図１３】図１１の光検出装置の積層構造を説明する断面図。（実施形態４）
【図１４】Ａ−Ｅ：図１２、図１３の光検出装置に含まれるトランジスタおよびダイオードの作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態４）
【図１５】Ａ−Ｄ：図１４Ｅの工程に続くトランジスタおよびダイオードの作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態４）
【図１６】Ａ−Ｃ：図１５Ｄの工程に続く工程の断面図であり、図１２、図１３の光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態４）
【図１７】Ａ、Ｂ：図１６Ｃの工程に続く、光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態４）
【図１８】Ａ、Ｂ：図１７Ｂの工程に続く、光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態４）
【図１９】図１８Ｂの工程に続く、光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態４）
【図２０】Ａ：ダイオードに含まれる半導体膜の平面形状を説明する平面図。Ｂ：増幅回路に含まれる半導体膜の平面形状を説明する平面図。（実施形態４）
【図２１】図１２、図１３の光検出装置に含まれる第１層目の導電膜の平面形状を説明する平面図。（実施形態４）
【図２２】Ａ：図１２、図１３の光検出装置に含まれるダイオードの半導体膜と第２層目の導電膜との接続部を構成する開口のレイアウトを説明する平面図。Ｂ：図２２Ａの部分拡大図。実施形態４）
【図２３】図１２、図１３の光検出装置に含まれる第２層目の導電膜のレイアウトを説明する平面図。（実施形態４）
【図２４】図１２、図１３の光検出装置に含まれる電源端子のレイアウトを説明する平面図。（実施形態４）
【図２５】図１２、図１３の光検出装置の外観の一例を説明する斜視図。（実施形態４）
【図２６】Ａ−Ｃ：光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態５）
【図２７】Ａ、Ｂ：図２６Ｃの工程に続く、光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態５）
【図２８】図２７Ｂの工程に続く、光検出装置の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態５）
【図２９】Ａ−Ｇ：ＳＯＩ基板の作製方法の一態様を説明する断面図。（実施形態６）
【図３０】Ａ、Ｂ：光検出装置を含む携帯電話の外観の一例を説明する斜視図。Ｃ：光検出装置を含むコンピュータの外観の一例を説明する斜視図。Ｄ：光検出装置を含む表示装置の外観の一例を説明する斜視図。Ｅ、Ｆ：光検出装置を含むデジタルカメラの外観の一例を説明する斜視図。（実施形態７）
【図３１】過電圧印加試験の回路シミュレーションが行われた光検出装置の回路図。（実施例１）
【図３２】回路シミュレーションで計算された、過電圧印加直後の増幅回路に含まれるトランジスタのソース−ドレイン間電流値を示すグラフ。Ａ：本発明の一態様に係る光検出装置。Ｂ：比較例に係る光検出装置。（実施例１）
【図３３】過電圧印加試験器による試験を行った本発明の一態様に係る光検出装置の構成を説明する平面図。（実施例１）
【図３４】過電圧印加試験器による試験を行った比較例に係る光検出装置の構成を説明する平面図。（実施例１）
【図３５】本発明の一態様に係る光検出装置、および比較例に係る光検出装置の過電圧印加試験の結果を示すグラフ。（実施例１）
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図面を用いて、本発明の実施形態を説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなく、その形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、異なる図面間で同じ参照番号を付した要素は、同じ要素を示している。そのため、以下の説明において、このような要素について、重複する説明を省略している。
【００１６】
（実施形態１）
まず、図１を参照して、本実施形態に係る半導体装置を説明する。図１は、本実施形態の半導体装置１００の構成例を説明するブロック図である。
【００１７】
図１に示すように、半導体装置１００は、第１端子１０１、第２端子１０２、複数の半導体素子を含む回路１０３、保護回路１０４、第１接続配線１１０、および第２接続配線１２０を有する。第１端子１０１および第２端子１０２は半導体装置１００の出力端子および／または入力端子であり、他の半導体装置との接続部として機能する。第１端子１０１は第１接続配線１１０により回路１０３に電気的に接続され、第２端子１０２は第２接続配線１２０により回路１０３に電気的に接続されている。
【００１８】
回路１０３は、第１接続配線１１０に電気的に接続する複数の接続部１１１−１１５を有し、かつ第２接続配線１２０に電気的に接続している複数の接続部１２１−１２５を有する。接続部１１１−１１５は、それぞれ、回路１０３に含まれる半導体素子１１−１５の第１接続配線１１０との接続部であり、接続部１２１−１２５は、それぞれ、回路１０３に含まれる半導体素子２１−２５の第２接続配線１２０との接続部である。つまり、接続部１１１−１１５を有する半導体素子１１−１５は、それぞれ、第１端子１０１（第１接続配線１１０）に対して、第１段目に配置された半導体素子であり、接続部１２１−１２５を有する半導体素子２１−２５は、それぞれ、第２端子１０２（第２接続配線１２０）に対して、第１段目に配置された半導体素子である。
【００１９】
つまり、本実施形態の半導体装置１００では、第１端子１０１から回路１０３まで、および第２端子１０２から回路１０３までに、それぞれ、５つの電流経路がある場合を想定している。本実施形態の半導体装置１００では、第１端子１０１から回路１０３までの５つの電流経路を構成する配線の配線抵抗を等しくする。同様に、第２端子１０２から回路１０３までの５つの電流経路を構成する配線の配線抵抗を等しくする。
【００２０】
保護回路１０４は、回路１０３に過電圧が印加されないようにするための回路であり、保護回路１０４を設けているのは、過電圧によって回路１０３が破壊されることを防ぐためである。ここでは、保護回路１０４は、第１端子１０１と第２端子１０２との間に挿入されている。半導体装置１００の通常の動作時には、保護回路１０４にほとんど電流が流れないが、第１端子１０１および／または第２端子１０２に予期しない過電圧が印加され、第１端子１０１と第２端子１０２に過大な電位差が生じると、保護回路１０４は第１端子１０１と第２端子１０２を導通する（短絡する）。このことにより、回路１０３に過電圧が印加されることが回避され、回路１０３の破壊を防止することができる。例えば、保護回路１０４には、ＰＮ型接合ダイオード、ＰＩＮ型接合ダイオードなどの整流素子、ダイオード接続されたトランジスタなどで構成することができる。
【００２１】
回路１０３においてＥＳＤなどによって最も破壊されやすい部分は、第１端子１０１、第２端子１０２に対して、第１段目に配置されている各半導体素子１１−１５、２１−２５である。ここでは、半導体素子１１−１５のＥＳＤに対する耐性を向上させるため、第１端子１０１と各接続部１１１−１１５間の配線抵抗が、それぞれ等しくなるように、第１接続配線１１０を設けている。つまり、
Ｒ１０＋Ｒ１１＝Ｒ１０＋Ｒ１２＝Ｒ１０＋Ｒ１３＝Ｒ１０＋Ｒ１４
＝Ｒ１０＋Ｒ１５
となるように、第１接続配線１１０を設けている。なお、Ｒ１０乃至Ｒ１５は、第１接続配線１１０の抵抗値を示している。
【００２２】
このことにより、第１接続配線１１０との電気的な接続部を有する複数の半導体素子１１−１５を含む回路１０３において、第１接続配線１１０に過電圧が過渡的に印加された場合、上記のように、第１端子１０１と各接続部１１１−１１５間の抵抗値がほぼ等しいため、接続部１１１−１１５のいずれか１つに電圧が集中して印加されることが防止できる、またはこれらの１つにサージ電流が集中して流れることが防止できるため、半導体素子１１−１５が破壊される確率を低くすることができる。例えば、第１端子１０１と接続部１１１間の抵抗値が最も低い場合、他の半導体素子１２−１５よりも半導体素子１１に電流が流れやすくなるため、半導体素子１１が破壊されやすくなる。よって、第１端子１０１と各接続部１１１−１１５間の抵抗値を等しくすることにより、過剰な電圧が印加されても、各半導体素子１１−１５に印加される電圧が分散するため、半導体素子１１−１５が破壊される確率を低くすることができる。
【００２３】
また、図１のように、第２接続配線１２０との電気的な接続部を有する複数の半導体素子２１−２５を含む回路１０３の場合、第２端子１０２と各接続部１２１−１２５間の抵抗値が、それぞれ等しくなるように、第２接続配線１２０を設けることが好ましい。つまり、
Ｒ２０＋Ｒ２１＝Ｒ２０＋Ｒ２２＝Ｒ２０＋Ｒ２３＝Ｒ２０＋Ｒ２４
＝Ｒ２０＋Ｒ２５
となるように、第２接続配線１２０を設けている。なお、Ｒ２０乃至Ｒ２５は、第２接続配線１２０の抵抗値を示している。
【００２４】
このことにより、ＥＳＤなどにより第２接続配線１２０に過大な電圧が過渡的に印加された場合、半導体素子２１−２５のいずれか１つに電圧が集中して印加されることが防止できるため、半導体素子２１−２５が破壊される確率を低くすることができる。
【００２５】
従って、図１に示すような第１接続配線１１０、第２接続配線１２０により、回路１０３を第１端子１０１と第２端子１０２に電気的に接続することで、ＥＳＤが発生して保護回路１０４が第１端子１０１と第２端子１０２を短絡するまでのわずかな時間（数百ピコ秒−数ナノ秒程度）に回路１０３に過剰な電圧が印加されても、印加される電圧が分散されるため、ＥＳＤによって回路１０３が破壊される確率を小さくすることができる。
【００２６】
次に、図２を参照して、第１接続配線１１０の構成の一例を説明する。図２は、半導体装置１００の部分的な構成を示す平面図であり、第１端子１０１、第１接続配線１１０および接続部１１１−１１５の平面的な配置を示すレイアウト図である。
【００２７】
導電膜２０１は、第１接続配線１１０および回路１０３の内部配線を構成する導電膜である。導電膜２０２は、第１端子１０１を構成する導電膜である。導電膜２０１を覆って絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に導電膜２０２が形成される。この絶縁膜には開口２０３が形成され、この開口２０３において導電膜２０１と導電膜２０２が電気的に接続されている。
【００２８】
図２の例では、半導体素子１１−１５をトランジスタで構成し、導電膜２０１はトランジスタのドレイン電極を構成することにする。半導体素子１１−１５は、それぞれ、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体領域２０５を有し、さらに、ゲート電極を構成する導電膜２０６、およびソース電極を構成する導電膜２０７を含む。また、導電膜２０６、２０７は、それぞれ、回路１０３の内部配線を構成する。ここでは、半導体素子１１−１５と第１接続配線１１０との接続部１１１−１１５は、それそれ、半導体領域２０５と導電膜２０１との接続部に相当する。なお、半導体領域２０５は、シリコンウエハなどの半導体基板に形成されたウエル領域、もしくは絶縁膜または絶縁基板上に形成された半導体膜（層）などで構成されている。
【００２９】
図２の例では、導電膜２０１において配線幅（導電膜２０１の断面積）を部分的に異ならせることで、第１端子１０１と各接続部１１１−１１５間の抵抗値が等しくなるようにしている。つまり、導電膜２０１の配線幅がｄ１＜ｄ２＜ｄ３＜ｄ４＜ｄ５となるようにすることで、第１端子１０１と各接続部１１１−１１５間の抵抗値が等しくなるように調節している。
【００３０】
また、第１端子１０１と各接続部１１１−１１５間の抵抗値が等しくなるように、例えば、導電膜２０１において、導電膜２０２との接続部（開口２０３が形成されている部分）と、接続部１１１−１１５間の長さを調節してもよい。図３は、このような導電膜の構成例を示す平面図である。図３の導電膜２１１は、図２の導電膜２０１の変形例ということもできる。図３において、導電膜２１１は図２と同様に配線幅が部分的に異なるように設けられており、さらに導電膜２１１に、屈曲部１３１−１３４（一点鎖線で囲んだ部分）を設けて、導電膜２０２との接続部（開口２０３が形成されている部分）から接続部１１１までの長さを最も長くし、接続部１１５までの長さを最も短くなるようにしている。
【００３１】
第２接続配線１２０も、図２、図３に示す導電膜２０１により第１接続配線１１０と同様に設けることができる。
【００３２】
図１の例では、半導体装置１００は１つの回路１０３を有するが、本実施形態に係る半導体装置は、複数の回路を有していてもよい。図４に、２つの回路を有する半導体装置１５０のブロック図を示す。図４に示すように、半導体装置１５０は、回路１０３に電気的に接続される回路１０５、回路１０５に接続される第３端子１０６を有する。さらに、第１端子１０１と第３端子１０６の間に電気的に接続された保護回路１０７、および第２端子１０２と第３端子１０６の間に電気的に接続された保護回路１０８を有する。第３端子１０６は、第１端子１０１、第２端子１０２と同様、半導体装置１５０の出力端子および／または入力端子であり、他の半導体装置との接続部として機能する。
【００３３】
保護回路１０７、１０８は保護回路１０４と同様に構成することができる。半導体装置１５０の通常の動作時には、保護回路１０７にはほとんど電流が流れないが、第１端子１０１および／または第３端子１０６に予期しない過電圧が印加され、第１端子１０１と第３端子１０６に過大な電位差が生じると、保護回路１０７によって第１端子１０１と第３端子１０６が短絡される。このことにより、回路１０３および回路１０５に過電圧が印加されることが回避され、回路１０３および回路１０５の破壊を防止することができる。また、保護回路１０８も、保護回路１０７と同様であり、保護回路１０８により第２端子１０２と第３端子１０６を短絡して、回路１０３および回路１０５に過電圧が印加されることを防ぐ回路である。保護回路１０７、１０８は必ずしも設ける必要はないが、設けることが好ましい。
【００３４】
本実施形態に係る半導体装置は、端子と回路の複数の接続部間との抵抗が均一になるように、端子と内部回路とを電気的に接続するための接続配線を設けている。このことにより、内部回路に高電圧が局部的に印加されることが回避される。このことにより、内部回路の静電気に対する耐性が向上される。つまり、本実施形態により、保護回路と相まって、ＥＳＤなどにより端子に予期せぬ過剰な電圧が印加されても、回路が破壊される確率を抑えることができる。
【００３５】
なお、端子と回路の複数の接続部との間の複数の電流経路の抵抗値が均一になるように半導体装置を設計しても、使用される製造装置の性能のため、配線を構成する膜の厚さや幅、コンタクトホールの大きさなどが設計値からずれることを完全になくすことは困難である。そこで、本実施形態に係る半導体装置では、製造過程で生じる誤差を考慮して、複数の電流経路の抵抗値がそれらの中央値±２０％の範囲に分布している場合、それらの抵抗値が等しいとする。
【００３６】
また、本実施形態に係る半導体装置では、接続配線が保護回路の機能の一部を担うため、保護回路の小型化が容易になるので、本実施形態は、大きさが１０ｍｍ×１０ｍｍ以下の小型の半導体装置に非常に好適である。なお、大きさが１０ｍｍ×１０ｍｍ以下とは、平面配置において、半導体装置が１０ｍｍ平方の領域に収まることをいう。
【００３７】
本実施形態は、他の実施形態と適宜組み合わせることが可能である。
【００３８】
（実施形態２）
本実施形態では、保護回路１０４の具体例を説明する。本実施形態では、ＰＩＮ型ダイオードにより保護回路を構成する。また、本実施形態では、ＰＩＮ型ダイオードを絶縁膜上に形成された半導体膜を用いて形成することにする。また、ここでは、ＰＩＮ型ダイオードを形成するため、Ｎ型半導体領域とＰ型半導体領域を積層するのではなく、ＰＩＮ型ダイオードの半導体膜には、この絶縁膜の上面に平行な方向に隣接して、Ｎ型不純物領域およびＰ型不純物領域を形成する。
【００３９】
図５Ａ−図５Ｃを参照して、ＰＩＮ型ダイオードの第１の形態を説明する。図５ＡはＰＩＮ型ダイオード３０１の平面図であり、図５ＢはＰＩＮ型ダイオード３０１の半導体膜の平面図であり、図５Ｃは図５ＡのＡ１−Ａ２線による断面図である。
【００４０】
図５Ｃに示すように、本実施形態の保護回路１０４が適用される半導体装置は基板３０を有する。基板３０上に回路１０３および保護回路１０４が形成される。本実施形態では、保護回路１０４として、ＰＩＮ型ダイオード３０１（以下、「ダイオード３０１」と呼ぶ。）が形成されている。
【００４１】
基板３０には、半導体基板、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、ステンレス基板、金属基板、樹脂基板、樹脂フィルム、炭素繊維やガラス繊維の織物に樹脂をしみこませたシート（所謂、プリプレグ）などの基板を用いることができる。半導体基板としては、インゴットをスライスしたシリコンウエハ、絶縁膜（層）を介して単結晶半導体膜（層）が基板上に形成されているＳＯＩ基板などを用いることができる。ガラス基板には無アルカリガラス基板が好ましい。無アルカリガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス基板などがある。
【００４２】
基板３０の上面は絶縁膜４１で覆われている。絶縁膜４１上に、保護回路１０４（ダイオード３０１）を構成する半導体膜３１０が形成されている。図５Ｃには図示されていないが、回路１０３を構成する半導体素子の半導体膜も絶縁膜４１上に形成されている。なお、基板３０と絶縁膜４１の間に半導体膜、導電膜などの他の膜が存在してもよい。
【００４３】
半導体膜３１０は単層構造でも積層構造でもよい。半導体膜３１０を構成する膜としては、シリコン膜、ゲルマニウム膜、およびシリコンゲルマニウム膜、炭化シリコン膜などの第１４族元素でなる半導体膜、ＧａＡｓ膜、ＩｎＰ膜、ＧａＮ膜などの化合物半導体膜、酸化亜鉛、酸化スズなどの酸化物半導体などが挙げられる。半導体膜３１０の結晶性は、単結晶でも、非単結晶（多結晶、微結晶、非晶質など）でもよいが、Ｐ型不純物領域３１１およびＮ型不純物領域３１２を低抵抗化するため、非晶質ではなく、多結晶や単結晶のような抵抗値が低い結晶性半導体膜が好ましい。
【００４４】
図５Ｂおよび図５Ｃに示すように、半導体膜３１０には、Ｐ型不純物領域３１１、およびＮ型不純物領域３１２および高抵抗領域３１３が、基板３０の上面に対して横方向に隣接して形成されている。
【００４５】
Ｐ型不純物領域３１１は、ボロンなどのアクセプタとなる不純物元素を半導体膜３１０に添加することで形成される。Ｎ型不純物領域３１２は、間隔Ｗ１を隔ててＰ型不純物領域３１１に隣接して形成されている。Ｎ型不純物領域３１２はリン、ヒ素などのドナーとなる不純物元素を半導体膜３１０に添加することで形成される。Ｐ型不純物領域３１１とＮ型不純物領域３１２の間に高抵抗領域３１３が形成されている。
【００４６】
高抵抗領域３１３はＰ型不純物領域３１１およびＮ型不純物領域３１２よりも抵抗が高い領域であり、例えば、真性半導体（Ｉ型半導体）で構成することができる。ここでは、真性半導体とは、理想的には、フェルミレベルが禁制帯のほぼ中央に位置する半導体であるが、その他、ドナーまたはアクセプタとなる不純物を意図的に添加して、フェルミレベルが禁制帯の中央に位置するようにした半導体も含む。また、高抵抗領域３１３は、Ｎ型またはＰ型の半導体で構成することもでき、例えば、ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素を添加した半導体、またはこれらの不純物元素を意図的に添加していないノンドープ半導体で形成することもできる。高抵抗領域３１３はシート抵抗が１００ｋΩ／□以上とすることが好ましく、Ｐ型不純物領域３１１およびＮ型不純物領域３１２のシート抵抗は数ｋΩ／□以下とすることが好ましい。
【００４７】
図５Ｃに示すように、半導体膜３１０を覆って、絶縁膜４２が形成されている。絶縁膜４２上には、Ｐ型不純物領域３１１に電気的に接続される導電膜３１４と、Ｎ型不純物領域３１２に電気的に接続されている導電膜３１５とが形成されている。導電膜３１４、３１５の一方は、第１端子１０１に接続され、他方は第２端子１０２に接続される。ここでは、導電膜３１４、３１５のそれぞれの端部３１４ａ、３１５ａを他の導電膜との接続部としている（図５Ａ参照）。
【００４８】
Ｐ型不純物領域３１１に導電膜３１４を電気的に接続するため、絶縁膜４２にはＰ型不純物領域３１１に達する複数の開口３１６が形成され、Ｎ型不純物領域３１２に導電膜３１５を電気的に接続するため、絶縁膜４２にはＮ型不純物領域３１２に達する複数の開口３１７が形成されている（図５Ａ参照）。
【００４９】
本実施形態では、導電膜３１４の端部３１４ａ付近のみでなく、Ｐ型不純物領域３１１と導電膜３１４とのコンタクト抵抗が小さくなるように、図５Ａに示すように、複数の開口３１６は、Ｐ型不純物領域３１１の全体分布するように設けている。同様に、Ｎ型不純物領域３１２と導電膜３１５とのコンタクト抵抗が小さくなるように、Ｎ型不純物領域３１２の全体に分布して、複数の開口３１７を設けている。
【００５０】
このように、複数の開口３１６、３１７を形成することは、半導体膜３１０が多結晶半導体膜のような非単結晶膜の場合に非常に有用である。非単結晶半導体膜は単結晶半導体膜と比較して、Ｐ型不純物領域３１１およびＮ型不純物領域３１２の電気抵抗が高くなってしまう。そのため、サージ電流により導電膜３１４と導電膜３１５に大きな電位差が生じても、Ｐ型不純物領域３１１およびＮ型不純物領域３１２が導電膜３１４、３１５と接触していない部分は、ダイオードとして実質的に機能させることができないおそれがある。このような状態では、ダイオード３０１が整流素子として機能しない。つまり、ダイオード３０１は、単なる高抵抗な抵抗素子となって、サージ電流を流すための電流経路として十分に機能しないために、回路１０３にサージ電流が流れ、回路１０３が破壊されてしまうおそれがある。したがって、図５Ａに示すように、多数の開口３１６、３１７を設けて、Ｐ型不純物領域３１１と導電膜３１４、およびＮ型不純物領域３１２と導電膜３１５とのコンタクト抵抗を小さくすることは、半導体膜３１０が多結晶半導体膜のような非単結晶膜の場合に特に有用である。
【００５１】
なお、本実施形態で示す他のＰＩＮ型ダイオードについても、Ｐ型不純物領域およびＮ型不純物領域をそれぞれ導電膜に電気的に接続するための絶縁膜４２に形成されている複数の開口は、ダイオード３０１の開口３１６、３１７と同様に形成されている。
【００５２】
絶縁膜４１、４２は単層構造でも積層構造でもよい。絶縁膜４１、４２を構成する膜には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ゲルマニウム膜、窒化ゲルマニウム膜、酸化窒化ゲルマニウム膜、窒化酸化ゲルマニウム膜などのシリコンおよび／またはゲルマニウムを組成に含む絶縁膜を用いることができる。また、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウムなどの金属酸化物でなる絶縁膜、窒化アルミニウムなどの金属窒化物でなる絶縁膜、酸化窒化アルミニウムなどの金属酸化窒化物でなる絶縁膜、窒化酸化アルミニウムなどの金属窒化酸化物でなる絶縁膜を用いることもできる。さらに、有機化合物でなる絶縁膜を用いることもできる。このような有機化合物膜としては、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンなどがある。
【００５３】
これら絶縁膜の形成方法の代表例は次の方法があり、ＰＥＣＶＤ（プラズマ励起ＣＶＤ）法・熱ＣＶＤ法などのＣＶＤ法（化学気相成長法）、スパッタ法・蒸着法などのＰＶＤ法（物理気相成長法）、ＡＬＤ法（原子層堆積法）、スピンコート法・液滴吐出法・ディップコート法などの液体状またはペースト状の材料から膜を形成する方法、ならびに、プラズマや熱などによる固相酸化処理および固相窒化処理などがある。
【００５４】
なお、本明細書では、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い物質であり、窒化酸化物とは酸素よりも窒素の含有量が多い物質である。例えば、酸化窒化シリコンとしては、組成としてＯ、Ｎ、ＳｉおよびＨを含み、それぞれの濃度が、Ｏは５０−７０原子％、Ｎは０．５−１５原子％、Ｓｉは２５−３５原子％、Ｈは０．１−１０原子％である物質が挙げられる。また、窒化酸化シリコンとしては、組成としてＯ、Ｎ、ＳｉおよびＨを含み、それぞれの濃度が、Ｏは５−３０原子％、Ｎは２０−５５原子％、Ｓｉは２５−３５原子％、Ｈが１０−２５原子％である物質が挙げられる。なお、各元素の濃度は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）、および水素前方散乱法（ＨＦＳ：Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｆｏｒｗａｒｄ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）を用いて測定した値である。もちろん、物質を構成する元素の濃度の合計は１００原子％を越えず、各元素の濃度の合計を１００原子％としたときに、Ｏ、Ｎ、ＳｉおよびＨの濃度は、それぞれ、上記の範囲にある。
【００５５】
また、導電膜３１４、３１５はそれぞれ、単層構造または積層構造でもよい。導電膜３１４、３１５を構成する膜には、例えば、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、クロム、ニオブ、金、銀、銅、プラチナ等から選択された単体金属を主成分とする金属膜、合金膜、および金属化合物膜などがある。例えば、金属膜には、銅膜、Ｓｉなどを添加したアルミニウム膜がある。合金膜には、アルミニウム−銅合金膜、アルミニウム−ネオジム合金膜がある。金属化合物膜には、窒化チタン膜、窒化タングステン膜などの金属窒化物膜、ニッケルシリサイド膜、コバルトシリサイド膜などのシリサイド膜がある。これらの導電膜は、スパッタ法・蒸着法などのＰＶＤ法、印刷法・液滴吐出法・ディップコート法などの液体状またはペースト状の材料から膜を形成する方法、ハンダ法、ならびに、メッキ法などで形成することができる。
【００５６】
以下、図面を参照して、保護回路１０４に適用されるＰＩＮ型ダイオードの他の形態を説明する。以下の説明では、ダイオード３０１と異なる構成を中心に説明し、他の構成は、ダイオード３０１と同様とする。
【００５７】
まず、図６Ａ、図６Ｂおよび図７を参照して、ＰＩＮ型ダイオードの第２の形態を説明する。図６Ａは、ＰＩＮ型ダイオード３０２の平面図であり、図６Ｂは、ＰＩＮ型ダイオード３０２の半導体膜の平面図であり、図７は、図６ＡのＡ３−Ａ４線による断面図である。
【００５８】
ＰＩＮ型ダイオード３０２（以下、「ダイオード３０２」と呼ぶ。）は、ダイオード３０１と同様なＰＩＮ型ダイオードであり、半導体膜３２０を有する。半導体膜３２０には、Ｐ型不純物領域３２１、高抵抗領域３２３およびＮ型不純物領域３２２が横方向に隣接して設けられている。ダイオード３０１とダイオード３０２の異なる点は、ダイオード３０１ではＰ型不純物領域３１１と高抵抗領域３１３との接合部、およびＮ型不純物領域３１２と高抵抗領域３１３との接合部が平面配置では、直線状であるのに対して、ダイオード３０２では、それぞれの接合部が、平面配置で、四角波状に屈曲している点である。このような構成により、Ｐ型不純物領域３２１と高抵抗領域３２３との接合面積、Ｎ型不純物領域３２２と高抵抗領域３２３との接合面積をそれぞれ拡大することができる。
【００５９】
図７に示すように、ダイオード３０２は、絶縁膜４１上に半導体膜３２０を有する。半導体膜３２０上に絶縁膜４２が形成されている。
【００６０】
図６Ｂに示すように、高抵抗領域３２３は、Ｐ型不純物領域３２１とＮ型不純物領域３２２の間に形成されており、その平面形状はメアンダ状となっている。他方、Ｐ型不純物領域３２１およびＮ型不純物領域３２２の平面形状は、複数のＬ字型の領域が連結された櫛状の領域である。また、Ｐ型不純物領域３２１の凹部に嵌合するようにＮ型不純物領域３２２の凸部が設けられて、Ｐ型不純物領域３２１およびＮ型不純物領域３２２は所定の間隔Ｗ２を隔てて隣接して形成されている。
【００６１】
図６Ａに示すように、ダイオード３０１と同様に、絶縁膜４２には、Ｐ型不純物領域３２１およびＮ型不純物領域３２２に対して複数の開口３２６、３２７が形成されている。絶縁膜４２上に導電膜３２４、３２５が形成されている。導電膜３２４は開口３２６においてＰ型不純物領域３２１に電気的に接続され、導電膜３２５は開口３２７においてＮ型不純物領域３２２に電気的に接続されている。導電膜３２４の端部３２４ａ、および導電膜３２５の端部３２５ａの一方が第１端子１０１に電気的に接続され、他方が第２端子１０２に電気的に接続される。
【００６２】
以下、図８Ａ、図８Ｂおよび図９を参照して、ＰＩＮ型ダイオードの第３の形態を説明する。図８ＡはＰＩＮ型ダイオード３０３の平面図であり、図８Ｂは、ＰＩＮ型ダイオード３０３の平面図であり、図９は、図８ＡのＡ５−Ａ６線による断面図である。
【００６３】
図９に示すように、ＰＩＮ型ダイオード３０３（以下、「ダイオード３０３」と呼ぶ。）は、絶縁膜４１上に半導体膜３３０を有する。半導体膜３３０には、Ｐ型不純物領域３３１、Ｎ型不純物領域３３２および高抵抗領域３３３が形成されている。Ｐ型不純物領域３３１とＮ型不純物領域３３２の間に高抵抗領域３３３が形成されており、その平面形状はメアンダ状となっている。
【００６４】
図８Ａに示すように、Ｐ型不純物領域３３１は半導体膜３３０の端部を含み、かつ半導体膜３３０の中央部に設けられている。その平面形状は、複数のＴ字型の領域が連結された双歯の櫛状である。Ｎ型不純物領域３３２は半導体膜３３０の端部を含み、かつＰ型不純物領域３３１を取り囲むように形成されている。Ｐ型不純物領域３３１と隣接する側は、複数のＬ字を連結した櫛歯状（凹凸状）となっている。Ｎ型不純物領域３３２にはＰ型不純物領域３３１の凹部に嵌合するような凸部を有している。Ｐ型不純物領域３３１およびＮ型不純物領域３３２は所定の間隔Ｗ３を隔てて隣接して形成されている。
【００６５】
ダイオード３０３では、Ｐ型不純物領域３３１と高抵抗領域３３３との接合部、ならびにＮ型不純物領域３３２と高抵抗領域３３３との接合部が、平面配置で、矩形波状に屈曲しており、かつＰ型不純物領域３３１を取り囲むようにＮ型不純物領域３３２が設けられていることで、それぞれの領域の接合面積を拡大することができる。なお、Ｐ型不純物領域３３１とＮ型不純物領域３３２の位置を入れ替えることができる。
【００６６】
図９に示すように、絶縁膜４２上に導電膜３３４、３３５が形成されている。また図８Ａに示すように、Ｐ型不純物領域３３１およびＮ型不純物領域３３２に対して複数の開口３３６、３３７が絶縁膜４２に形成されている。導電膜３３４は開口３３６においてＰ型不純物領域３３１に電気的に接続され、導電膜３３５は開口３３７においてＮ型不純物領域３３２に電気的に接続されている。導電膜３３４の端部３３４ａ、および導電膜３３５の端部３３５ａの一方が第１端子１０１に電気的に接続され、他方が第２端子１０２に電気的に接続されている。
【００６７】
本実施形態は、他の実施形態と適宜組み合わせることが可能である。例えば、導電膜３１４、３１５、絶縁膜４１、４２などの膜の種類、膜の形成方法などは、他の実施形態の導電膜、絶縁膜に適用することができる。
【００６８】
（実施形態３）
本実施形態では、保護回路１０４の具体例を説明する。本実施形態では、絶縁膜を介して対向する一対の導電膜（または半導体膜）を含む放電回路により保護回路を構成する。
【００６９】
図１０Ａ、および図１０Ｂを参照して、本実施形態の放電回路３０８を説明する。図１０Ａは、放電回路３０８の平面図であり、図１０Ｂは、放電回路３０８の断面であり、図１０ＡのＡ１１−Ａ１２線による断面図である。
【００７０】
放電回路３０８は、回路１０３と同一の基板３０上に形成される。図１０Ｂに示すように、絶縁膜４１上に半導体膜３８１が形成され、半導体膜３８１上に絶縁膜４３が形成されている。半導体膜３８１は、半導体装置１００の他の半導体膜および導電膜に電気的に接続されていなく、電気的にフローティングの状態である。例えば、半導体膜３８１は、回路１０３を構成するトランジスタの半導体膜と同じ工程で形成することができる。また絶縁膜４３は、このトランジスタのゲート絶縁膜から形成することができる。
【００７１】
絶縁膜４３を介して、半導体膜３８１と重なるように一対の導電膜３８２、導電膜３８３が形成されている。導電膜３８２、３８３を覆って絶縁膜４４が形成されている。導電膜３８２および導電膜３８３の一方が第１端子１０１に電気的に接続され、他方が第２端子１０２に電気的に接続される。導電膜３８２の端部３８２ａおよび導電膜３８３の端部３８３ａは電界が集中しやすいように尖っている。これら端部３８２ａ、３８３ａは、絶縁膜４４を介して近接し、かつ絶縁膜４３を介して半導体膜３８１と重なっている。
【００７２】
例えば、ＥＳＤなどにより、導電膜３８２に過剰な電圧が印加されると、端部３８２ａと端部３８３ａ間の電位差が大きくなり、絶縁膜４３および／または絶縁膜４４のブレークダウンやトンネル効果などが生じて、導電膜３８２の端部３８２ａと導電膜３８３の端部３８３ａ間で電荷が移動できるようになる。つまり、導電膜３８２の端部３８２ａと導電膜３８３の端部３８３ａ間で放電が生じることになる。この放電が生じることで、第１端子１０１と第２端子１０２が導通され、回路１０３に過剰な電圧が印加されることを防ぐことができる。
【００７３】
半導体膜３８１は、導電膜３８２の端部３８２ａと導電膜３８３の端部３８３ａ間で放電を生じさせるためには必ずしも必要ないが、設けることが好ましい。半導体膜３８１が存在することで、存在しない場合よりも小さな電圧で絶縁膜４３にトンネル効果が現れるので、導電膜３８２の端部３８２ａと導電膜３８３の端部３８３ａ間での放電が誘起されやすくなるからである。
【００７４】
なお、導電膜３８２、および導電膜３８３には、先の尖った端部を複数設けることができる。図１０Ｃに、このような複数の端部を有する放電回路３０９の構成例を示す。図１０Ｃに示すように、導電膜３９２には、先の尖った３つの端部３９２ａが設けられ、導電膜３９３には先の尖った３つの端部３９３ａが設けられている。放電回路３０８と同様に、３つの端部３９２ａと３つの端部３９３ａは、絶縁膜４４を介して対向し、かつ絶縁膜４３を介して半導体膜３８１に重なるように形成されている。
【００７５】
（実施形態４）
本実施形態では、半導体装置の具体例として光検出装置について説明する。まず、図１１−図１３を用いて、光検出装置の構成を説明する。図１１は、本実施形態の光検出装置４００の回路図である。図１２は光検出装置のレイアウトを説明する平面図である。図１３は、光検出装置の積層構造を説明する断面図である。
【００７６】
図１１に示すように、本実施形態の光検出装置４００は、高電源電位ＶＤＤが供給される電源端子４０１、低電源電位ＶＳＳが供給される電源端子４０２、増幅回路４０３、フォトダイオード４０４、およびダイオード４０５を有する。増幅回路４０３は、接続配線４１１により電源端子４０１に電気的に接続され、接続配線４１２により電源端子４０２に電気的に接続されている。光検出装置４００では、電源端子４０２に供給される低電源電位ＶＳＳを接地電位ＧＮＤとすることもできる。
【００７７】
フォトダイオード４０４は受光した光を電気信号に変換する光電変換素子である。光電変換素子として、フォトダイオード４０４の代わりに、フォトトランジスタを設けてもよい。増幅回路４０３は、フォトダイオード４０４の出力電流を増幅するための回路であり、ここでは、カレントミラー回路で構成している。このカレントミラー回路は、１つのトランジスタ４０７と、並列に接続された複数のトランジスタ４０８を有する。トランジスタ４０８の数に応じて、トランジスタ４０７を流れる電流の増幅率が調節される。よって、フォトダイオード４０４の出力を１００倍にするには、例えば、１つのトランジスタ４０７に対して、１００個のトランジスタ４０８を並列に接続する。
【００７８】
本実施形態では、増幅回路４０３のトランジスタ４０７およびトランジスタ４０８は共にｎチャネル型トランジスタとする。トランジスタ４０７および複数のトランジスタ４０８の各ドレインは、電源端子４０２に電気的に接続されている。トランジスタ４０７のソースはフォトダイオード４０４のアノードに電気的に接続され、複数のトランジスタ４０８の各ソースは電源端子４０１に電気的に接続されている。なお、トランジスタ４０７、４０８を共にｐチャネル型トランジスタとすることもできる。
【００７９】
また、増幅回路４０３の代わりに、フォトダイオード４０４の出力電流を減衰する減衰回路を設けてもよい。この減衰回路はカレントミラー回路で構成することができる。このようなカレントミラー回路は、トランジスタ４０７の数をトランジスタ４０８よりも多くすればよい。例えば、フォトダイオード４０４の出力を１／１００に減衰するには、１００個の並列接続されたトランジスタ４０７に対して、１つのトランジスタ４０８を設ければよい。
【００８０】
光検出装置４００は、保護回路としてダイオード４０５を有する。ダイオード４０５は、電源端子４０１と電源端子４０２の間に挿入され、ダイオード４０５のカソードが電源端子４０１に電気的に接続され、そのアノードが電源端子４０２に電気的に接続されている。ＥＳＤなどにより、電源端子４０１および／または電源端子４０２に過剰な電圧が印加された場合、ダイオード４０５により電源端子４０１と電源端子４０２が短絡され、増幅回路４０３、およびフォトダイオード４０４に過剰な電圧が印加されることを防いでいる。
【００８１】
次に、図１２を参照して、本実施形態の光検出装置４００の平面配置を説明する。本実施形態では、実施形態１の第１配線１１０および第２配線１２０を、それぞれ、接続配線４１１、４１２に適用し、実施形態２のダイオード３０１（図５Ａ−図５Ｃ参照）をダイオード４０５に適用している。なお、図１２には、増幅回路４０３のトランジスタ４０７、４０８を構成する半導体膜、フォトダイオード４０４を構成する半導体膜、ダイオード４０５を構成する半導体膜、および第１層目−第３層目の導電膜が図示されている。光検出装置４００は、電源端子４０１、４０２を構成する第４層目の導電膜をさらに有する。
【００８２】
導電膜５２０は、第１層目の導電膜である。導電膜５２０は、増幅回路４０３のトランジスタ４０７、およびトランジスタ４０８のゲート配線（ゲート電極）を構成する。導電膜５２０の下方には、絶縁膜を介して、トランジスタ４０７、およびトランジスタ４０８を構成する１つの半導体膜が形成されている。
【００８３】
導電膜５２０上には、絶縁膜を介して第２層目の導電膜が形成されている。ここでは、第２層目の導電膜として、４つの導電膜５３１−５３４が形成されている。導電膜５３１は、トランジスタ４０８のドレイン配線、およびダイオード４０５のカソードを構成する。導電膜５３２は、トランジスタ４０７およびトランジスタ４０８それぞれのソース配線を構成する。導電膜５３３はトランジスタ４０７のドレイン電極を構成し、導電膜５３３によって、トランジスタ４０７のゲート電極はドレイン電極に電気的に接続される。導電膜５３４は、フォトダイオード４０４と増幅回路４０３を電気的に接続するための電極を構成する。また、導電膜５３４は、絶縁膜に形成された複数の開口５３５において、第１層目の導電膜５２０に電気的に接続されており、このことによりトランジスタ４０７、およびトランジスタ４０８の各ゲート電極（ゲート配線）がフォトダイオード４０４のアノードに電気的に接続される。
【００８４】
また、導電膜５３１、５３２の一方の端部の下方には、絶縁膜を介して、ダイオード４０５を構成する半導体膜（図１２に図示せず）が形成されている。
【００８５】
第２層目の導電膜５３４上には光電変換層５４０が形成されている。光電変換層５４０はフォトダイオード４０４を構成する。光電変換層５４０は導電膜５３４に接して形成されている。
【００８６】
第２層目の導電膜５３１−５３４および光電変換層５４０を覆う絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に第３層目の導電膜として、導電膜５５１および導電膜５５２が形成されている。この絶縁膜には、複数の開口５８１−５８５が形成されている。導電膜５５１は、複数の開口５８１において光電変換層５４０に電気的に接続され、複数の開口５８２および開口５８３において導電膜５３１に電気的に接続されている。また、導電膜５５２は、複数の開口５８４および開口５８５により、導電膜５３２に電気的に接続されている。
【００８７】
光検出装置４００は、さらに、４層目の導電膜を有する。図１３に示すように、４層目の導電膜は、電源端子４０１および電源端子４０２を構成する。本実施形態では、電源端子４０１、４０２は４層構造の導電膜で形成されている、電源端子４０１は、導電膜５５１に電気的に接続され、電源端子４０２は導電膜５５２に電気的に接続されている。
【００８８】
なお、図１３は光検出装置４００を構成する膜の積層構造、および異なる層に形成された各導電膜の電気的な接続を説明するための断面図であり、図１２の平面図を特定の切断線で切断した断面図ではないことを断っておく。図１３において、ａ−ｂ間には、第２層目、第３層目の導電膜と電源端子４０２との電気的の接続構造を主として図示している。ｂ−ｃ間には、増幅回路４０３の断面として、代表的にトランジスタ４０８を図示している。ｃ−ｄ間には、第２層目、第３層目の導電膜と電源端子４０１との電気的な接続構造、ならびに、フォトダイオード４０４およびダイオード４０５の断面構造を主として図示している。
【００８９】
本実施形態では、集積回路（増幅回路４０３およびフォトダイオード４０４）が形成される基板にガラス基板５００が用いられる。ガラス基板５００を通過した光４２０がフォトダイオード４０４に入射すると、フォトダイオード４０４は光を電気信号に変換する。この電気信号は増幅回路４０３で増幅されて、電源端子４０１と電源端子４０２間を流れる電流として、光検出装置４００から出力される。本実施形態では、ガラス基板５００の光４２０が入射する側に、所定の波長域の光を選択的に透過させるための着色層（カラーフィルター層）を形成することができる。着色層としては、例えば、顔料を分散させた樹脂層などを用いることができる。
【００９０】
次に、光検出装置４００の作製方法、および光検出装置４００の断面構造を説明する。まず、図１４Ａ−図１５Ｄの断面図、図２０Ａ、図２０Ｂおよび図２１の平面図を用いて、トランジスタ４０７、４０８およびダイオード４０５の作製方法を説明する。
【００９１】
まず、ガラス基板５００を用意する。ガラス基板５００は無アルカリガラス基板が好ましい。無アルカリガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス基板などがある。ガラス基板５００の代わりに、石英基板を用いることができる。
【００９２】
次に、ガラス基板５００上に、厚さ５０−３００ｎｍの下地絶縁膜を形成する。ここでは、図１４Ａに示すように、下地絶縁膜として窒化酸化シリコン膜５０１および酸化窒化シリコン膜５０２でなる２層構造の絶縁膜を形成する。次に、ダイオード４０５、トランジスタ４０７、およびトランジスタ４０８の半導体膜を形成するために、厚さ２０−１００ｎｍの非晶質シリコン膜５０３を下地絶縁膜上に形成する。
【００９３】
下地絶縁膜は、ガラス基板５００に含まれるアルカリ金属（代表的にはＮａ）やアルカリ土類金属が拡散して、トランジスタなどの半導体素子の電気的特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設けられる。下地絶縁膜は、単層構造でも積層構造でもよいが、少なくとも１層アルカリ金属およびアルカリ土類金属の拡散を防止するためのバリア膜を設けることが望ましい。本実施形態では、バリア膜として窒化酸化シリコン膜５０１を設けている。バリア膜としては、窒化酸化シリコン膜などの窒化酸化物膜、および窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜などの窒化物膜が好適である。トランジスタ４０７、４０８を構成する半導体膜と下地絶縁膜との界面準位密度を低減するために、この半導体膜と窒化酸化シリコン膜５０１の間に酸化窒化シリコン膜５０２が形成されている。
【００９４】
本実施形態では、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化シリコン膜５０１、厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜５０２および厚さ５０ｎｍの非晶質シリコン膜５０３を、１台のＰＥＣＶＤ装置で連続して形成する。窒化酸化シリコン膜５０１のソースガスはＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３およびＨ２である。酸化窒化シリコン膜５０２のソースガスはＳｉＨ４およびＮ２Ｏである。非晶質シリコン膜５０３のソースガスはＳｉＨ４およびＨ２である。ソースガスを変えることで、１つのチャンバー内で３つの膜を連続して形成することができる。
【００９５】
本実施形態では、トランジスタ４０７、４０８およびダイオード４０５を結晶性半導体膜で形成する。そのため、非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する。半導体膜の結晶化方法には、ランプアニール装置や炉を用いた固相成長方法、レーザ光を照射して半導体膜を溶融させて結晶化させるレーザ結晶化方法などを用いることができる。
【００９６】
ここでは、下地絶縁膜上に非晶質シリコン膜５０３を形成し、この非晶質シリコン膜５０３を固相成長させて結晶化して、結晶性シリコン膜５０４を形成する（図１４Ａ、図１４Ｂ参照）。ここでは、６００℃以下の加熱温度で、短時間で非晶質シリコン膜５０３を固相成長させるため、非晶質シリコン膜５０３に金属元素を添加している。以下に、非晶質シリコン膜５０３の結晶化方法について具体的に説明する。
【００９７】
まず、非晶質シリコン膜５０３の表面をオゾン水で処理して、極薄い（数ｎｍ程度）の酸化膜を形成し、非晶質シリコン膜５０３表面の濡れ性を向上させる。次で、重量換算で１０ｐｐｍのニッケルを含む酢酸ニッケル溶液を、スピナーで非晶質シリコン膜５０３の表面に塗布する。
【００９８】
次に、炉において、非晶質シリコン膜５０３を加熱して、結晶性シリコン膜５０４を形成する。この非晶質シリコン膜５０３を結晶化させるには、例えば、５００℃、１時間の加熱処理を行い、引き続き５５０℃、４時間の加熱処理を行えばよい。ニッケルの触媒的な作用により、短時間、かつ低温で結晶性シリコン膜５０４を形成することができる。また、ニッケルの触媒的な作用により、結晶粒界に不対結合が少ない結晶性シリコン膜５０４を形成することができる。シリコンの結晶化を助長する金属元素としては、Ｎｉの他、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔなどがある。
【００９９】
これらの金属元素を非晶質シリコン膜５０３に導入する方法には、これらの金属元素の溶液を塗布する方法の他に、金属元素を主成分とする膜を非晶質シリコン膜５０３表面に形成する、プラズマドーピング法などにより金属元素を非晶質シリコン膜５０３に添加する方法などがある。
【０１００】
次に、結晶性シリコン膜５０４の結晶欠陥を修復する、結晶性シリコン膜５０４の結晶化率を向上させるため、結晶性シリコン膜５０４にレーザ光を照射する。レーザ光は波長４００ｎｍ以下のビームが好ましい。このようなレーザ光には、例えば、ＸｅＣｌエキシマレーザ光（ＸｅＣｌ：波長３０８ｎｍ）、ＹＡＧレーザの第２高調波又は第３高調波などがある。レーザ光を照射する前に、結晶性シリコン膜５０４の表面に形成されている酸化膜を希フッ酸などで除去することが好ましい。
【０１０１】
本実施形態では、結晶化のために導入したニッケルを結晶性シリコン膜５０４からゲッタリングするための処理を行う。ゲッタリング処理を行うのは、ニッケルは非晶質シリコン膜５０３の結晶化には有用であるが、ニッケルが結晶性シリコン膜５０４に高濃度に存在していると、トランジスタ４０７、４０８のリーク電流を増加させるなど、トランジスタ４０７、４０８の電気的特性を低下させる要因になるからである。以下、ゲッタリング処理の一例を説明する。
【０１０２】
まず、オゾン水で結晶性シリコン膜５０４の表面を１２０秒程度処理して、結晶性シリコン膜５０４表面に厚さ１−１０ｎｍ程度の酸化膜を形成する。オゾン水による表面処理の代わりに、ＵＶ光を照射してもよい。次に、酸化膜を介して、結晶性シリコン膜５０４表面にＡｒを含む非晶質シリコン膜を厚さ１０−４００ｎｍ程度形成する。この非晶質シリコン膜中のＡｒの濃度は、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下が好ましい。また、Ａｒの代わりに、他の第１８族元素を非晶質シリコン膜に添加してもよい。
【０１０３】
第１８族元素を非晶質シリコン膜に添加する目的は、非晶質シリコン膜に歪みを与えて、非晶質シリコン膜中にゲッタリングサイトを形成することである。第１８族元素の添加により歪みが生じる原因は２種類ある。１つは、第１８族元素の添加により結晶にダングリングボンドが形成されることによるものであり、もう１つは、結晶格子間に第１８族元素が添加されることによるものである。
【０１０４】
例えば、ＰＥＣＶＤ法で、Ａｒを含む非晶質シリコン膜（以下、「Ａｒ：ａ−Ｓｉ膜」と呼ぶ。）を形成するには、ＳｉＨ４、Ｈ２およびＡｒをソースガスに用いればよい。Ａｒに対するＳｉＨ４の流量比（ＳｉＨ４／Ａｒ）が１／９９９以上１／９以下とすることが好ましい。また、プロセス温度は３００−５００℃が好ましい。ソースガスを励起させるためのＲＦパワー密度は、０．００１７Ｗ／ｃｍ２以上０．４８Ｗ／ｃｍ２以下とすることが好ましい。プロセス圧力は、１．３３３Ｐａ以上６６．６５Ｐａ以下が好ましい。
【０１０５】
例えば、スパッタリング法で、Ａｒ：ａ−Ｓｉ膜を形成するには、ターゲットに単結晶シリコンを用い、スパッタ用ガスにＡｒを用いればよい。Ａｒガスをグロー放電させ、Ａｒイオンで単結晶シリコンターゲットをスパッタリングすることで、Ａｒを含んだ非晶質シリコン膜を形成することができる。非晶質シリコン膜中のＡｒの濃度は、グロー放電させるためのパワー、圧力、温度などにより調節することができる。プロセス圧力は、０．１Ｐａ以上５Ｐａ以下とすればよい。圧力は低いほど、非晶質シリコン膜中のＡｒの濃度を高くすることができ、１．５Ｐａ以下が好ましい。Ａｒ：ａ−Ｓｉ膜の成膜中にガラス基板５００を特段加熱する必要はなく、プロセス温度を３００℃以下とすることが好ましい。
【０１０６】
Ａｒ：ａ−Ｓｉ膜を形成した後、ゲッタリングのために、炉において、６５０℃、３分の加熱処理を行う。この加熱処理により、結晶性シリコン膜５０４に含まれているＮｉはＡｒ：ａ−Ｓｉ膜に析出し、捕獲される。この結果、結晶性シリコン膜５０４のＮｉの濃度を低下させることができる。加熱処理の完了後、エッチング処理によりＡｒ：ａ−Ｓｉ膜を除去する。このエッチング処理では、酸化膜がエッチングストッパとして機能する。Ａｒ：ａ−Ｓｉ膜を除去した後、結晶性シリコン膜５０４の表面の酸化膜を希フッ酸などで除去する。以上により、Ｎｉが低減された結晶性シリコン膜５０４が形成される。
【０１０７】
次に、結晶性シリコン膜５０４にアクセプタ元素を添加する。これは、トランジスタ４０７、４０８のしきい値電圧を制御するためである。例えば、アクセプタ元素としてボロンを用い、結晶性シリコン膜５０４に、１×１０１６−５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度でボロンが含まれるよう添加する。
【０１０８】
次いで、結晶性シリコン膜５０４上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用いて、結晶性シリコン膜５０４をエッチングして、図１４Ｃに示すように、トランジスタ４０７、４０８を構成する半導体膜５１１、およびダイオード４０５を構成する半導体膜５１２を形成する。図２０Ａに半導体膜５１２の平面図を示し、図２０Ｂに半導体膜５１１の平面図を示す。
【０１０９】
なお、図２０Ｂに示すように、増幅回路４０３には、半導体膜５１１の他に、複数の半導体膜５１３が形成されている。なお、これらの半導体膜５１３はダミーの半導体膜であり、トランジスタ４０７、４０８を構成しない半導体膜である。半導体膜５１３を形成することで、半導体膜５１１の上方に導電膜の厚さを均一に形成する、この導電膜に対するエッチング処理を均一に行うなどの効果を得ることができる。
【０１１０】
本実施形態では、半導体膜５１１−５１３をシリコン膜で形成したが、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコンなど他の第１４族でなる半導体膜で形成することができる。また、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＧｅなどの化合物半導体膜、酸化亜鉛、酸化スズなどの酸化物半導体膜で形成することもできる。
【０１１１】
次に、図１４Ｃに示すように、半導体膜５１１−５１３上にゲート絶縁膜を形成する。ここでは、ゲート絶縁膜として、厚さ３０ｎｍの酸化窒化シリコン膜５２１を形成する。この酸化窒化シリコン膜５２１は、ＰＥＣＶＤ法で、ソースガスにＳｉＨ４およびＮ２Ｏを用いて形成される。
【０１１２】
さらに、ゲート絶縁膜上に導電膜５２０を構成する導電膜として、厚さ３０ｎｍの窒化タンタル膜５０５と、厚さ１７０ｎｍのタングステン膜５０６でなる２層構造の導電膜を形成する。窒化タンタル膜５０５とタングステン膜５０６はスパッタ法で形成される。窒化タンタル膜５０５とタングステン膜５０６の積層膜の代わりに、例えば、窒化タングステン膜とタングステン膜の積層膜、または窒化モリブデン膜とモリブデン膜の積層膜を形成することができる。本実施形態では、導電膜５２０を用いて、半導体膜５１１に自己整合的にソース領域、ドレイン領域および低濃度不純物領域を形成するため、上面から見た大きさが上層の導電膜の方が下層の導電膜よりも小さくなるようにする。そのため、下層の導電膜に対して上層の導電膜のレジスト５０７とのエッチング選択比が小さいことが望ましい。この点で、窒化タンタル膜５０５とタングステン膜５０６の積層膜は好ましい。
【０１１３】
次に、タングステン膜５０６上に、レジストマスク５０７を形成する。このレジストマスク５０７を用いて、２回のエッチング処理を行う。まず、図１４Ｄに示すように、レジストマスク５０７を用いて窒化タンタル膜５０５およびタングステン膜５０６をエッチングする。この１回目のエッチングで、窒化タンタル膜５０５およびタングステン膜５０６でなる積層膜の断面の形状は、テーパー状に加工される。このエッチング処理は、例えば、エッチング用ガスにＣＦ４、Ｃｌ２およびＯ２の混合ガスを用い、ＩＣＰ（誘導結合型プラズマ）エッチング装置で行うことができる。
【０１１４】
さらに、レジストマスク５０７を用い、図１４Ｅに示すように、上層のタングステン膜５０６を選択的にエッチングする。このエッチング処理は異方性エッチング処理であり、例えば、エッチング用ガスにＣｌ２、ＳＦ６およびＯ２の混合ガスを用い、ＩＣＰエッチング装置で行うことができる。この２回のエッチング処理により、第１層目の導電膜５２０が形成される。導電膜５２０において、タングステン膜５０６の端部は、窒化タンタル膜５０５上面にあり、上面から見た場合、タングステン膜５０６の形状は、窒化タンタル膜５０５よりも小さい。図２１に、導電膜５２０の平面図を示す。なお、図２１には、半導体膜５１１、５１３も図示されている。
【０１１５】
レジストマスク５０７を除去した後、半導体膜５１２の高抵抗領域およびＰ型不純物領域となる領域を覆って、レジストマスク５０８を形成する。次いで、半導体膜５１１、５１２にドナー元素を添加し、Ｎ型の不純物領域を形成する。ここでは、ドナー元素としてリンを添加する。まず、半導体膜５１１にＮ型の低濃度不純物領域を形成するため、低ドーズ量、高加速電圧の条件下で、半導体膜５１１、５１２にリンを添加する。リンのソースガスにはＰＨ３を用いることができる。この条件下では、導電膜５２０の窒化タンタル膜５０５およびタングステン膜５０６が積層している部分のみがマスクとして機能し、導電膜５２０の窒化タンタル膜５０５のみで構成されている部分はリンが通過し、半導体膜５１１に低濃度不純物領域５６０および低濃度不純物領域５６１が形成される。さらに、半導体膜５１２にも低濃度不純物領域５６２が形成される。
【０１１６】
次に、ソース領域およびドレイン領域を形成するため、高ドーズ量、低加速電圧の条件下でリンを添加する。この条件下では、導電膜５２０全体がマスクとして機能し、図１５Ｂに示すように、半導体膜５１１にドレイン領域５６３、およびソース領域５６４が自己整合的に形成される。さらに、半導体膜５１１には、低濃度不純物領域５６５、５６６およびチャネル形成領域５６７も自己整合的に形成される。他方、半導体膜５１２にはＮ型不純物領域５６８が形成される。
【０１１７】
レジストマスク５０８を除去した後、図１５Ｃに示すように、半導体膜５１１全体、ならびに半導体膜５１２の高抵抗領域およびＮ型不純物領域となる領域を覆って、レジストマスク５０９を形成する。次いで、半導体膜５１２にアクセプタ元素を添加し、Ｐ型の不純物領域を形成する。ここでは、アクセプタ元素としてボロンを添加する。ボロンのソースガスにはＢ２Ｈ６を用いることができる。高ドーズ量、低加速電圧の条件下でボロンを添加することで、半導体膜５１２にＰ型不純物領域５６９が形成される。また、図１５Ａ−図１５Ｃの不純物元素の添加工程で、ドナー元素およびアクセプタ元素を添加しなかった領域は、高抵抗領域５７０となる。
【０１１８】
レジストマスク５０９を除去した後、酸化窒化シリコン膜５２１および導電膜５２０を覆ってガラス基板５００上に第１層目の層間絶縁膜を形成する。本実施形態では、この層間絶縁膜を３層構造としている。図１５Ｄに示すように、１層目は、厚さ３０ｎｍの酸化窒化シリコン膜５２２であり、２層目は厚さ１６５ｎｍの窒化酸化シリコン膜５２３であり、３層目は厚さ６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜５２４である。これらの膜５２２−５２４は、ＰＥＣＶＤ装置で形成される。
【０１１９】
まず、ＳｉＨ４およびＮ２Ｏをソースガスに用いて、酸化窒化シリコン膜５２２を形成する。そして、加熱処理を行い、半導体膜５１１、５１２に添加したリンおよびボロンを活性化する。この加熱処理の完了後、ＰＥＣＶＤ装置で窒化酸化シリコン膜５２３、および酸化窒化シリコン膜５２４を形成する。窒化酸化シリコン膜５２３のソースガスには、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３およびＨ２を用い、窒化酸化シリコン膜５２３中の水素濃度が高くなるようにする。酸化窒化シリコン膜５２４のソースガスにはＳｉＨ４およびＮ２Ｏが用いられる。酸化窒化シリコン膜５２４の形成後、加熱処理を行い、窒化酸化シリコン膜５２３の水素を拡散させ、半導体膜５１１、５１２の不対結合手を水素により終端させる。この加熱処理は、３００−５５０℃の温度で行うことができる。
【０１２０】
以降の工程は、図１６Ａ−図１９の断面図、および図２２−図２４の平面図を用いて説明する。なお、図１６Ａ−図１９の図示の方法は、図１３と同様である。
【０１２１】
レジストのマスクを用いて、酸化窒化シリコン膜５２１、酸化窒化シリコン膜５２２、窒化酸化シリコン膜５２３および酸化窒化シリコン膜５２４でなる積層膜をエッチングして、コンタクトホールとなる開口を形成する。開口を形成する部分は、導電膜５３１と半導体膜５１１のドレイン領域５６３との接続部、導電膜５３２と半導体膜５１１のソース領域５６４との接続部、導電膜５３３と導電膜５２０の接続部、導電膜５３４と導電膜５２０との接続部、導電膜５３１と半導体膜５１２のＮ型不純物領域５６８との接続部、導電膜５３２と半導体膜５１２のＰ型不純物領域５６９との接続部である。図２２Ａに、積層膜（５２１−５２４）に形成される開口のうち、半導体膜５１２との接続部を構成する開口のレイアウトを示す。図２２Ｂは図２２Ａの部分拡大図であり、図２２Ａの一点鎖線で囲んだ領域の拡大図である。
【０１２２】
図２２Ａおよび図２２Ｂに示すように、Ｎ型不純物領域５６８を導電膜５３１に電気的に接続するために、複数の開口５３６がＮ型不純物領域５６８全体に形成されている。同様に、Ｐ型不純物領域５６９を導電膜５３２に電気的に接続するために、複数の開口５３７がＰ型不純物領域５６９全体に形成されている。このように、開口５３６、５３７を形成することにより、Ｎ型不純物領域５６８と導電膜５３１との接続抵抗、およびＰ型不純物領域５６９と導電膜５３２との接続抵抗を小さくし、ＥＳＤ発生時に、ダイオード４０５が保護回路として十分に機能するようにしている。
【０１２３】
次に、酸化窒化シリコン膜５２４上に、第２層目の導電膜５３１−５３４を構成する導電膜を形成する。ここでは、スパッタ法で厚さ４００ｎｍのチタン膜を形成する。このチタン膜上にレジストのマスクを形成し、このマスクを用いてチタン膜をエッチングして、導電膜５３１−５３４を形成する（図１６Ａ参照）。図２３に、第２層目の導電膜５３１−５３４の平面図を示す。
【０１２４】
本実施形態では、導電膜５３１、５３２に実施形態１の導電膜２１１を適用している（図３参照）。導電膜５３１は、増幅回路４０３を電源端子４０１に電気的に接続するための接続配線を構成し、導電膜５３２は、増幅回路４０３を電源端子４０２に電気的に接続するための接続配線を構成する。導電膜５３１、５３２は、それぞれ、増幅回路４０３と複数の接続部（膜５２１−５２４に形成された開口に対応）を有する。本実施形態は、導電膜２１１と同様に、増幅回路４０３の電源端子４０１に対する初段の電気的な複数の接続部と、電源端子４０１間の抵抗が等しくなるように導電膜５３１を形成している。また、導電膜５３１と同様に、増幅回路４０３の電源端子４０２に対する初段の電気的な複数の接続部と電源端子４０２間の抵抗が等しくなるように、導電膜５３２を形成している。本実施形態では、増幅回路４０３は、電源端子４０１、および電源端子４０２に対して複数の接続部を有するが、図２３のような形状に導電膜５３１、５３２を形成することで、ＥＳＤによって、電源端子４０１および／または電源端子４０２に過大な電圧が印加されても、増幅回路４０３に印加される電圧が分散されるため、増幅回路４０３がＥＳＤによって破壊される確率を抑えることができる。
【０１２５】
なお、２層目の導電膜５３１−５３４、および３層目の導電膜５５１、５５２は、チタン、チタン合金、チタン化合物、モリブデン、モリブデン合金、またはモリブデン化合物でなる膜が好ましい。これらの導電性材料でなる膜は耐熱性が高いこと、シリコン膜との接触によって電蝕されにくいこと、マイグレーションが起こりにくいことなどの長所があるからである。
【０１２６】
次に、図１６Ａに示すように、酸化窒化シリコン膜５２４上に、フォトダイオード４０４を構成する光電変換層５４０を形成する。ここでは、光電変換層５４０として、ＰＥＣＶＤ装置を用いて非晶質シリコン膜を形成する。また、光電変換層５４０にＰＩＮ接合を設けるために、光電変換層５４０をＰ型の導電性を示す層、Ｉ型の導電性を示す層、およびＮ型の導電性を示す層でなる３層構造とする。なお、光電変換層５４０は、非晶質シリコン膜に限定されるものではなく、例えば、微結晶シリコン膜でもよいし、単結晶シリコン膜でもよい。
【０１２７】
まず、導電膜５３１−５３４を覆って、ＰＥＣＶＤ装置により厚さ６０ｎｍのＰ型非晶質シリコン膜５４１、厚さ４００ｎｍのＩ型非晶質シリコン膜５４２、および厚さ８０ｎｍのＮ型非晶質シリコン膜５４３を連続して形成する。Ｐ型非晶質シリコン膜５４１のソースガスにＳｉＨ４、Ｈ２およびＢ２Ｈ６を用いて、ボロンを添加する。また、Ｉ型非晶質シリコン膜５４２のソースガスにＳｉＨ４およびＨ２を用い、ドナーおよびアクセプタとなる不純物元素を意図的に添加しない非晶質シリコン膜を形成する。Ｎ型非晶質シリコン膜５４３のソースガスにＳｉＨ４、Ｈ２およびＰＨ３を用いて、リンを添加する。次いで、レジストのマスクを用いて、非晶質シリコン膜５４１−５４３でなる積層膜をエッチングして、光電変換層５４０を形成する（図１２、図１６Ａ参照）。
【０１２８】
ここでは、１枚のガラス基板５００上には、複数の光検出装置４００が同時に作製される。１枚のガラス基板５００上に複数の光検出装置４００が完成した後は、光検出装置４００のサイズに合わせてガラス基板５００を切断し、１つずつの光検出装置４００に分割する。ここでは、分割した後の光検出装置４００の側面を良好にパッシベーションするため、図１６Ｂに示すように、光検出装置４００の周囲５４５（点線で示す部分）の酸化窒化シリコン膜５２４を除去する。この工程は、エッチング処理で行うことができる。
【０１２９】
次に、窒化酸化シリコン膜５２３、酸化窒化シリコン膜５２４、導電膜５３１−５３４および光電変換層５４０を覆って、第２層目の層間絶縁膜を形成する。ここでは、図１６Ｃに示すように、厚さ１００ｎｍの窒化酸化シリコン膜５２５および厚さ８００ｎｍの酸化シリコン膜５２６でなる２層の絶縁膜を形成する。
【０１３０】
窒化酸化シリコン膜５２５は、ＰＥＣＶＤ装置でソースガスにＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３およびＨ２を用いて形成する。窒化酸化シリコン膜５２５はパッシベーション膜として機能する。窒化酸化シリコン膜５２５の代わりに窒化シリコン膜を形成してもよい。窒化シリコン膜はＰＥＣＶＤ装置でソースガスにＳｉＨ４、ＮＨ３およびＨ２を用いて形成することができる。また、酸化シリコン膜５２６は、ソースガスに、Ｏ２、およびテトラエトキシシラン（略称ＴＥＯＳ、化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）を用いて、ＰＥＣＶＤ装置で形成する。酸化シリコン膜５２６の代わりに、ＰＥＣＶＤ装置で酸化窒化シリコン膜を形成してもよい。
【０１３１】
次に、レジストのマスクを用いて、窒化酸化シリコン膜５２５および酸化シリコン膜５２６でなる積層膜をエッチングして、コンタクトホールとなる開口５８１−５８５を形成する（図１２参照）。
【０１３２】
次に、酸化シリコン膜５２６上に、第３層目の導電膜５５１、５５２を構成する導電膜を形成する。ここでは、スパッタ法で厚さ２００ｎｍのチタン膜を形成する。このチタン膜上にレジストのマスクを形成し、このマスクを用いてチタン膜をエッチングして、導電膜５５１、５５２を形成する（図１２、図１７Ａ参照）。
【０１３３】
次に、図１７Ｂに示すように、窒化酸化シリコン膜５０１を残して、光検出装置４００の周囲５４６（点線で示す部分）から、絶縁膜（５０２、５２１−５２６）を除去する。この工程は、エッチング処理で行うことができる。このように、光検出装置４００の周囲から絶縁膜を除去するのは、図１６Ｂの工程で、酸化窒化シリコン膜５２４を除去したのと同様に、ガラス基板５００を分割した後の光検出装置４００の側面を良好にパッシベーションするためである。
【０１３４】
次に、図１８Ａに示すように、厚さ１００ｎｍの窒化酸化シリコン膜５２７を形成する。窒化酸化シリコン膜５２７は、ＰＥＣＶＤ装置でソースガスにＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３およびＨ２を用いて形成する。窒化酸化シリコン膜５２７はパッシベーション膜として機能する。窒化酸化シリコン膜５２７によって、３層目の導電膜５５１、５５２、および全ての絶縁膜（５０１、５０３、５２１−５２６）の露出している面が覆われる。したがって、増幅回路４０３、フォトダイオード４０４およびダイオード４０５でなる集積回路部は、ガラス基板５００側はバリア層である窒化酸化シリコン膜５０１でパッシベーションされ、かつ、電源端子４０１、４０２が形成される側は窒化酸化シリコン膜５２７でパッシベーションされている。このような構造により、集積回路部に水分または有機物などの不純物の侵入を防ぐことができる。
【０１３５】
次に、図１８Ｂに示すように、封止膜５２８を形成する。封止膜５２８により、集積回路部の上面および側面が封止される。封止膜５２８の厚さは１μｍ以上が好ましく、１−３０μｍ程度とする。このように厚く形成するため、封止膜５２８は樹脂膜で形成することが好ましい。ここでは、印刷法により、感光性のエポキシ−フェノール系樹脂膜を形成することで、電源端子４０１、４０２との接続部に開口５８６、５８７（図２４に図示）を有する封止膜５２８を形成する。
【０１３６】
次に、レジストのマスクを用いて窒化酸化シリコン膜５２７をエッチングし、導電膜５５１の電源端子４０１との接続部、および導電膜５５２の電源端子４０２との接続部を除去する（図１９参照）。
【０１３７】
次に、封止膜５２８上に電源端子４０１、および電源端子４０２を形成する。図２４に電源端子４０１、４０２の平面図を示す。図２４には、第３層目の導電膜５５１、５５２、ならびに、導電膜５５１、５５２との接続部となる封止膜５２８に形成された開口５８６および開口５８７も図示している。
【０１３８】
本実施形態では、電源端子４０１、４０２を４層構造の導電膜で形成する。まず、図１９に示すように、１層目の導電膜５９１、５９２をスクリーン印刷法などの印刷法で形成する。本実施形態では、ニッケル粒子を含む導電性ペーストを用いて、スクリーン印刷法により導電膜５９１、５９２をそれぞれ厚さ１５μｍ程度に形成する。
【０１３９】
導電性ペーストは、樹脂でなるバインダーに金属粒子、または金属の粉体が分散している材料である。このような導電性ペーストを固化することで、導電性樹脂膜が形成される。よって、導電膜５９１、５９２は導電性樹脂膜で構成されているため、ハンダとの密着性に乏しい。そこで、電源端子４０１、４０２のハンダとの密着性を高めるため、導電膜５９１、５９２の上面にそれぞれ、メタルマスクを用いたスパッタ法で、所定の形状の導電膜を形成する。ここでは、図１３に示すように、導電膜５９１、５９２上に、それぞれ、３層構造の導電膜を形成する。１層目の導電膜は厚さ１５０ｎｍのチタン膜５９３、５９４であり、２層目の導電膜は厚さ７５０ｎｍのニッケル膜５９５、５９６であり、３層目の導電膜は厚さ５０ｎｍのＡｕ膜５９７、５９８である。以上の工程で、４層構造の電源端子４０１、４０２が完成する。
【０１４０】
次に、光検出装置４００の周囲５４６（図１７Ｂの点線で示す部分）で、ガラス基板５００を切断し、１つずつの光検出装置４００に分割する。ガラス基板５００の切断は、ダイシング法、レーザカット法などを用いることができる。ガラス基板５００を切断する前に、ガラス基板５００の裏面を研磨または研削して、ガラス基板５００を薄くすることもできる。この工程は、スパッタ法で導電膜（５９３−５９８）を形成する前に行うことが好ましい。ガラス基板５００を薄くしておくことで、ガラス基板５００を切断するために用いる切削工具の消耗を低減することができる。また、ガラス基板５００を薄くすることで、光検出装置を薄くすることができる。例えば、０．５ｍｍ程度の厚さのガラス基板５００を０．２５ｍｍ程度に薄くすることができる。ガラス基板５００を薄くした場合、ガラス基板５００の裏面および側面を樹脂膜で覆い、ガラス基板５００を保護することが好ましい。
【０１４１】
図２５に、本実施形態の光検出装置４００の外観図を示す。本実施形態では、１つの光検出装置４００の大きさを、Ｌ１×Ｌ２＝１．０ｍｍ×１．２ｍｍ程度とすることができる（図２４参照）。このように、本実施形態は、大きさが１ｍｍ×１ｍｍ程度の小型な半導体装置に適用することが可能である。
【０１４２】
図２５に示すように、本実施形態の光検出装置４００は、外部の回路との接続部は電源端子４０１、４０２であるので、ＥＳＤが発生した場合、電源端子４０１、４０２から高電圧が集積回路に印加されることになる。図１１の回路図に示すように、増幅回路４０３の各トランジスタ４０８は、ドレインに高電源電位ＶＤＤが入力されるため、電源端子４０１に対して初段のトランジスタ４０８は特に高電圧に起因する破壊が懸念される。本実施形態では、導電膜５３１により、電源端子４０１と初段のトランジスタ４０８間の配線抵抗を均一にしているため、ＥＳＤによる過剰な電圧が印加されても、初段のトランジスタ４０８に印加される電圧が分散するため、初段のトランジスタ４０８が破壊される確率を低くすることができる。
【０１４３】
本実施形態は、他の実施形態と適宜組み合わせることが可能である。例えば、ダイオード４０５として、実施形態２のダイオード３０１、または３０３を適用してもよい。また、保護回路として、ダイオード４０５の代わりに実施形態３の放電回路３０９を適用してもよい。
【０１４４】
（実施形態５）
実施形態４では、半導体装置の作製時に使用したガラス基板を、その半導体装置自体の基板としてそのまま用いているが、半導体素子、端子などの作製が完了した後、ガラス基板から回路を分離して、回路を他の基板上に固定することができる。本実施形態では、その方法の一例を説明する。
【０１４５】
まず、図２６Ａに示すように、ガラス基板５００上に、ＰＥＣＶＤ法で、厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜７０１を形成し、酸化窒化シリコン膜７０１上に、厚さ３０ｎｍのタングステン膜７０２をスパッタ法で形成する。タングステン膜７０２は剥離層として機能させる膜である。力を加えることで、集積回路の下地絶縁膜（３１１、３１２）とガラス基板５００との間で剥離を容易に生じさせるために形成される。剥離層は、タングステン膜の他、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、およびイリジウム等からなる金属膜で形成することができる。また、これらの金属元素を主成分とする合金膜で形成することができる。剥離層の厚さは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下にすればよい。
【０１４６】
酸化窒化シリコン膜７０１は、剥離層とガラス基板５００の密着性を向上させるために形成される。酸化窒化シリコン膜の他、スパッタ法またはＰＥＣＶＤ法により、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、金属酸化物膜などを形成することができる。
【０１４７】
次に、他の部分よりも、下地絶縁膜とタングステン膜７０２の間で剥離が優先的に生じるようにするため、タングステン膜７０２の表面を酸化させる。タングステン膜７０２を酸化させる方法には、以下の方法がある。熱酸化処理、酸素またはＮ２Ｏプラズマによる表面処理、オゾン水などの酸化力の強い溶液による表面処理、タングステン膜７０２上にスパッタ法で酸化膜を形成する方法などがある。本実施形態では、スパッタ法で厚さ２００ｎｍの酸化シリコン膜を形成する方法を採用する。また、タングステン膜７０２の表面を酸化する代わりに、プラズマ処理や熱処理によって窒化することでも、下地絶縁膜とタングステン膜７０２の間で剥離を優先的に生じさせることができる。なお、剥離層としてタングステン膜以外の膜を形成した場合も、タングステン膜７０２と同様に、酸化処理または窒化処理を行えばよい。
【０１４８】
次に、酸化シリコン膜７０３上に、図１４Ａと同様に、下地絶縁膜となる窒化酸化シリコン膜５０１および酸化窒化シリコン膜５０２、ならびに非晶質シリコン膜５０３を連続的に形成する（図２６Ｂ参照）。
【０１４９】
以降の工程を、実施形態４の作製方法と同様に行い、集積回路および電源端子４０１、４０２を完成させる。図２６Ｃにおいて、参照符号７１０を付した部分は、酸化窒化シリコン膜５０２上に形成された増幅回路４０３、フォトダイオード４０４のカソード、ダイオード４０５および電源端子４０１、４０２を示している。以下、この部分を集積回路部７１０と呼ぶこととする。
【０１５０】
次いで、図２６Ｃに示すように、集積回路部７１０の上部に支持基板７１１を固定する。支持基板７１１には、ガラス基板、石英基板、金属基板、セラミックス基板、プラスチック基板などを用いることができる。支持基板７１１は、集積回路部７１０を別の基板に固定した後に除去される。そのため、集積回路部７１０から容易に分離できるように、支持基板７１１を固定する。本実施形態では、両面粘着シート７１３を用いて、集積回路部７１０に支持基板７１１を固定している。両面粘着シート７１３としては、シートの両面が剥離型粘着材で覆われているシートを用いる。剥離型粘着材とは、熱や光などにより粘着力が弱まる粘着材である。ここでは、熱剥離型粘着材を用いた両面粘着シート７１３を用いることにする。また、本実施形態では、支持基板７１１の固定を容易にするため、集積回路部７１０の上部に水溶性樹脂層７１２を形成して、集積回路部７１０の上面を平坦化している。
【０１５１】
次に、図２７Ａに示すように、タングステン膜７０２と酸化シリコン膜７０３の間で剥離を生じさせて、集積回路部７１０をガラス基板５００から分離する。本実施形態では、物理的な力を加える方法によって、集積回路部７１０とガラス基板５００を分離することができる。力を加える手段としては、例えば、くさびなどの鋭利な先端を有する部材、人の手、ノズルから吹き付けられるガスの風圧などがある。これらの手段を用いることにより、集積回路部７１０をガラス基板５００から剥離することができる。
【０１５２】
次いで、ガラス基板５００を分離することで露出された酸化シリコン膜７０３に、接着材７１５により、可撓性基板７１６を接着する（図２７Ｂ参照）。接着材７１５には、反応硬化型接着材、熱硬化型接着材、紫外線硬化型接着材などの光硬化型接着材、嫌気硬化型接着材などの各種硬化型接着材を用いることができる。本実施形態では、接着材７１５としてエポキシ樹脂を用いる。また、可撓性基板７１６としては、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレートなどでなる樹脂フィルムを用いることができる。
【０１５３】
次に、集積回路部７１０から支持基板７１１を除去する。加熱することで、両面粘着シート７１３の粘着力を低下させて、両面粘着シート７１３共に、支持基板７１１を集積回路部７１０から除去する。次いで、純水で集積回路部７１０を洗浄することで、水溶性樹脂層７１２を溶解して、集積回路部７１０から除去する。次に、実施形態６と同様に、可撓性基板７１６を切断し、光検出装置ごとに集積回路部７１０を分割することで、光検出装置７００が完成する。集積回路部７１０の製造に使用したガラス基板５００を除去し、フィルムなどの可撓性基板７１６を用いることで、光検出装置の軽量化、薄型化が実現できる。以上の工程を経ることで、図２８に示すように、集積回路部７１０が可撓性基板７１６に固定される。なお、図２８の光検出装置７００の断面構造の表し方は図１３と同じである。
【０１５４】
本実施形態は、他の実施形態と適宜組み合わせることが可能である。また、本実施形態は、光検出装置に限定されるものではなく、各種の半導体装置の作製方法に適用することができる。つまり、本実施形態により、撓めることができる様々な半導体装置を作製することができる。
【０１５５】
（実施形態６）
実施形態４では、非晶質半導体膜を結晶化して形成した結晶性半導体膜を用いて集積回路を作製した。ガラス基板に単結晶半導体膜を形成し、この単結晶半導体膜を用いて集積回路を作製することができる。本実施形態では、ガラス基板上に単結晶半導体膜を形成する方法を説明する。
【０１５６】
図２９Ａに示すように、ガラス基板８００を用意する。ガラス基板８００は、単結晶半導体基板から分割された単結晶半導体層を支持する支持基板である。ガラス基板８００には、熱膨張係数が２５×１０−７／℃以上５０×１０−７／℃以下（好ましくは、３０×１０−７／℃以上４０×１０−７／℃以下）であり、歪み点が５８０℃以上６８０℃以下（好ましくは、６００℃以上６８０℃以下）である基板を用いることが好ましい。また、半導体装置の汚染を抑えるため、ガラス基板は無アルカリガラス基板が好ましい。無アルカリガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス基板などがある。
【０１５７】
また、ガラス基板８００の代わりに、セラミック基板、石英基板やサファイア基板などの絶縁体でなる絶縁性基板、金属やステンレスなどの導電体でなる導電性基板、シリコンやガリウムヒ素など半導体でなる半導体基板などを用いることができる。
【０１５８】
図２９Ｂに示すように、単結晶半導体基板８０１を用意する。単結晶半導体基板８０１から分離された半導体層をガラス基板８００に貼り合わせることで、ＳＯＩ基板が作製される。単結晶半導体基板８０１には、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコンなどの第１４族元素でなる単結晶半導体基板を用いることができる。また、本実施形態では、ガラス基板８００には、単結晶半導体基板８０１よりも大きいサイズの基板が用いられている。
【０１５９】
図２９Ｃに示すように、単結晶半導体基板８０１上に絶縁膜８０２を形成する。絶縁膜８０２は単層構造、積層構造とすることができる。その厚さは５ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。絶縁膜８０２を構成する膜には、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、窒化ゲルマニウム、酸化窒化ゲルマニウム、窒化酸化ゲルマニウムなどのシリコンまたはゲルマニウムを組成に含む絶縁材料でなる膜を用いることができる。また、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウムなどの金属酸化物でなる絶縁膜、窒化アルミニウムなどの金属窒化物でなる絶縁膜、酸化窒化アルミニウムなどの金属の酸化窒化物でなる絶縁膜、窒化酸化アルミニウムなどの金属の窒化酸化物でなる絶縁膜を用いることもできる。絶縁膜８０２を構成する絶縁膜は、ＣＶＤ法、スパッタ法、単結晶半導体基板８０１を酸化するまたは窒化するなどの方法により形成することができる。
【０１６０】
また、絶縁膜８０２には、不純物がガラス基板８００から、単結晶半導体膜に拡散することを防止できるような膜を少なくとも１層設けることが好ましい。このような膜には、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、および窒化酸化アルミニウム膜などがある。このような膜を含ませることで、絶縁膜８０２をバリア層として機能させることができる。
【０１６１】
例えば、絶縁膜８０２を単層構造のバリア層として形成する場合、厚さ５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、または窒化酸化アルミニウム膜で、絶縁膜８０２を形成することができる。
【０１６２】
絶縁膜８０２を、バリア層として機能する２層構造の膜とする場合は、上層を、バリア機能の高い絶縁膜で構成する。このような膜は、厚さ５ｎｍ乃至２００ｎｍの窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、または窒化酸化アルミニウム膜などで形成することができる。これらの膜は、不純物の拡散を防止するブロッキング効果が高いが、内部応力が高い。そのため、単結晶半導体基板８０１と接する下層の絶縁膜には、上層の絶縁膜の応力を緩和する効果のある膜を選択することが好ましい。このような絶縁膜には、酸化シリコン膜および酸化窒化シリコン膜、および単結晶半導体基板８０１を熱酸化して形成した熱酸化膜などがある。これらの絶縁膜の厚さは５ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることができる。
【０１６３】
本実施形態では、絶縁膜８０２を絶縁膜８０２ａと絶縁膜８０２ｂでなる２層構造とする。絶縁膜８０２ａとして、ソースガスにＳｉＨ４およびＮ２Ｏを用いてＰＥＣＶＤ法により厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成し、絶縁膜８０２ｂとして、ソースガスにＳｉＨ４、Ｎ２ＯおよびＮＨ３を用いてＰＥＣＶＤ法により厚さ５０ｎｍの窒化酸化シリコン膜を形成する。
【０１６４】
次に、図２９Ｄに示すように、絶縁膜８０２を介して、電界で加速されたイオンでなるイオンビーム８０５を単結晶半導体基板８０１に照射して、単結晶半導体基板８０１の表面から所定の深さの領域に、脆化層８０３を形成する。このイオン照射工程は、加速されたイオン種でなるイオンビーム８０５を単結晶半導体基板８０１に照射することで、イオン種を構成する元素を単結晶半導体基板８０１に添加する工程である。イオンビーム８０５を単結晶半導体基板８０１に照射すると、加速されたイオン種の衝撃により、単結晶半導体基板８０１の所定の深さに結晶構造が脆くなっている層が形成される。この層が脆化層８０３である。脆化層８０３が形成される領域の深さは、イオンビーム８０５の加速エネルギーとイオンビーム８０５の侵入角度によって調節することができる。加速エネルギーは加速電圧、ドーズ量などにより調節できる。イオンの平均侵入深さとほぼ同じ深さの領域に脆化層８０３が形成される。つまり、イオンが侵入する深さで、単結晶半導体基板８０１から分離される半導体層の厚さが決定される。脆化層８０３が形成される深さは５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。
【０１６５】
イオンビーム８０５を単結晶半導体基板８０１に照射するには、質量分離を伴うイオン注入法だけでなく、質量分離を伴わないイオンドーピング法で行うことができる。
【０１６６】
ソースガスに水素（Ｈ２）を用いる場合、水素ガスを励起してＨ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋を生成することができる。ソースガスから生成されるイオン種の割合は、プラズマの励起方法、プラズマを発生させる雰囲気の圧力、ソースガスの供給量などを調節することで、変化させることができる。イオンドーピング法で脆化層８０３の形成を行う場合、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋の総量に対してＨ３＋が、７０％以上イオンビーム８０５に含まれるようにすることが好ましく、Ｈ３＋の割合は８０％以上がより好ましい。それは脆化層８０３を浅い領域に形成するためには、イオンの加速電圧を低くする必要があるが、また、水素ガスを励起することで生成されたプラズマ中のＨ３＋イオンの割合を高くすることで、原子状水素を効率よく、単結晶半導体基板８０１に添加することができるからである。
【０１６７】
水素ガスを用いて、イオンドーピング法でイオン照射を行う場合、加速電圧１０ｋＶ以上２００ｋＶ以下、ドーズ量１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上６×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下とすることができる。この条件で水素イオンを照射することで、イオンビーム８０５に含まれるイオン種、およびその割合にもよるが、脆化層８０３を単結晶半導体基板８０１の深さ５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の領域に形成することができる。
【０１６８】
例えば、単結晶半導体基板８０１が単結晶シリコン基板であり、絶縁膜８０２ａが厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜であり、絶縁膜８０２ｂが厚さ５０ｎｍの窒化酸化シリコン膜の場合、ソースガスが水素であり、加速電圧４０ｋＶ、ドーズ量２×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２の条件では、単結晶半導体基板８０１から厚さ１２０ｎｍ程度の半導体層を分離することができる。また、絶縁膜８０２ａを厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜とし、他は同じ条件で水素イオンを照射することで、単結晶半導体基板８０１から厚さ７０ｎｍ程度の半導体層を分離することができる。
【０１６９】
イオン照射工程のソースガスには、水素の他に、ヘリウム（Ｈｅ）や、塩素ガス（Ｃｌ２ガス）およびフッ素ガス（Ｆ２ガス）などのハロゲンガスを用いることもできる。
【０１７０】
脆化層８０３を形成した後、絶縁膜８０２の上面に、図２９Ｅに示すように、絶縁膜８０４を形成する。絶縁膜８０４を形成する工程では、単結晶半導体基板８０１の加熱温度は、脆化層８０３に添加した元素または分子が析出しない温度とし、その加熱温度は３５０℃以下が好ましい。言い換えると、この加熱処理は脆化層８０３からガスが抜けない温度で行う。なお、絶縁膜８０４は、イオン照射工程を行う前に形成することもできる。この場合は、絶縁膜８０４を形成するときのプロセス温度は３５０℃以上にすることができる。
【０１７１】
絶縁膜８０４は、平滑で親水性の接合面を単結晶半導体基板８０１の表面に形成するための膜である。絶縁膜８０４の厚さ５ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下がより好ましい。絶縁膜８０４として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜を形成することができる。ここでは、ソースガスにＴＥＯＳおよびＯ２を用いて、ＰＥＣＶＤ法で厚さ５０ｎｍの酸化シリコン膜を形成する。
【０１７２】
なお、絶縁膜８０２または絶縁膜８０４の一方を形成しなくてもよい。また、ガラス基板８００に単層構造または積層構造の絶縁膜を形成してもよい。この絶縁膜は絶縁膜８０２と同様に形成することができ、積層構造とする場合は、バリア層となる絶縁膜は、ガラス基板８００に接して形成することが好ましい。また、ガラス基板８００に絶縁膜を形成した場合、絶縁膜８０２、および絶縁膜８０４は形成しなくてもよい。
【０１７３】
図２９Ｆは接合工程を説明する断面図であり、ガラス基板８００と単結晶半導体基板８０１とを貼り合わせた状態を示している。接合工程を行うには、まず、ガラス基板８００、ならびに、絶縁膜８０４、８０２が形成された単結晶半導体基板８０１を超音波洗浄する。超音波洗浄はメガヘルツ超音波洗浄（メガソニック洗浄）が好ましい。メガヘルツ超音波洗浄の後、ガラス基板８００および単結晶半導体基板８０１の双方、または一方をオゾン水で洗浄することもできる。オゾン水で洗浄することで、有機物の除去と、表面の親水性を向上させることができる。
【０１７４】
洗浄工程の後、絶縁膜８０４を介して、ガラス基板８００と単結晶半導体基板８０１を貼り合わせる。ガラス基板８００の表面と絶縁膜８０４の表面とを密着させると、ガラス基板８００と絶縁膜８０４との界面に化学結合が形成され、ガラス基板８００と絶縁膜８０４が接合する。接合工程は加熱処理を伴わずに常温で行うことができるため、単結晶半導体基板８０１を貼り付ける基板にガラス基板８００のような耐熱性の低い基板を用いることが可能である。
【０１７５】
ガラス基板８００と単結晶半導体基板８０１を密着させた後、ガラス基板８００と絶縁膜８０４との界面での結合力を増加させるための加熱処理を行うことが好ましい。この処理温度は、脆化層８０３に亀裂を生じさせない温度であり、例えば、７０℃以上３００℃以下とすることができる。
【０１７６】
次いで、４００℃以上の加熱処理を行い、脆化層８０３において単結晶半導体基板８０１を分割し、単結晶半導体基板８０１から単結晶半導体膜８０６を分離する。図２９Ｇは、単結晶半導体基板８０１から単結晶半導体膜８０６を分離する分離工程を説明する図である。図２９Ｇに示すように、分離工程により、ガラス基板８００上に単結晶半導体膜８０６が形成される。８０１Ａを付した要素は、単結晶半導体膜８０６が分離された後の単結晶半導体基板８０１を示している。
【０１７７】
４００℃以上の加熱処理を行うことで、ガラス基板８００と絶縁膜８０４との接合界面に形成された水素結合から共有結合に変化するため、結合力が増加する。また、温度上昇によって、脆化層８０３に形成されている微小な孔には、イオン照射工程で添加した元素が析出し、内部の圧力が上昇する。圧力の上昇により、脆化層８０３の微小な孔に体積変化が起こり、脆化層８０３に亀裂が生じるので、脆化層８０３に沿って単結晶半導体基板８０１が分割される。絶縁膜８０４はガラス基板８００に接合しているので、ガラス基板８００上には単結晶半導体基板８０１から分離された単結晶半導体膜８０６が固定されることになる。単結晶半導体膜８０６を単結晶半導体基板８０１から分離するための加熱処理の温度は、ガラス基板８００の歪み点を越えない温度とし、４００℃以上７００℃以下で行うことができる。
【０１７８】
図２９Ｇに示す分離工程を完了することで、ガラス基板８００に単結晶半導体膜８０６が貼り合わされたＳＯＩ基板８１０が作製される。ＳＯＩ基板８１０は、ガラス基板８００上に絶縁膜８０２、絶縁膜８０４、単結晶半導体膜８０６の順に層が積層された多層構造を有し、絶縁膜８０２と絶縁膜８０４が接合している基板である。絶縁膜８０２を形成しない場合は、ＳＯＩ基板８１０は絶縁膜８０４と単結晶半導体膜８０６が接合されている基板となる。
【０１７９】
なお、単結晶半導体基板８０１から単結晶半導体膜８０６を分離するための加熱処理は、結合力を強化するための加熱処理と同じ装置で連続して行うことができる。また、２つの加熱処理を異なる装置で行うこともできる。例えば、同じ炉で行う場合は、まず、処理温度２００℃、処理時間２時間の加熱処理を行い。次いで、加熱温度を６００℃に上昇させ、６００℃、２時間の加熱処理を行う。そして、４００℃以下から室温程度の温度に冷却して、炉から、単結晶半導体基板８０１ＡおよびＳＯＩ基板８１０を取り出す。
【０１８０】
異なる装置で加熱処理を行う場合は、例えば、炉において、処理温度２００℃、処理時間２時間の加熱処理を行った後、貼り合わされたガラス基板８００と単結晶半導体基板８０１を炉から搬出する。次いで、ランプアニール装置で処理温度６００℃以上７００℃以下、処理時間１分以上３０分以下の加熱処理を行い、単結晶半導体基板８０１を脆化層８０３で分割する。
【０１８１】
ＳＯＩ基板８１０の単結晶半導体膜８０６は、脆化層８０３の形成、分離工程などによって、結晶欠陥が形成され、また、その表面は平坦性が損なわれている。そこで、結晶欠陥の低減、平坦化のために、単結晶半導体膜８０６にレーザ光を照射して、溶融させることで再結晶化させることが好ましい。あるいは、単結晶半導体膜８０６の表面の損傷を除去し、その表面を平坦にするため、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置などで、単結晶半導体膜８０６の表面を研磨する工程を行うことが好ましい。
【０１８２】
本実施形態のＳＯＩ基板８１０を用いて、実施形態４に示すような各種の半導体装置を作製することができる。
【０１８３】
（実施形態７）
実施形態４により得られた光検出装置を電子機器に取り付けることで、光検出装置の検出信号に基づいて、電子機器の動作を制御することができる。例えば、表示パネルを備えた電子機器に光検出装置を内蔵することで、表示パネルの輝度調節を光検出装置の検出信号をもとに行うことが可能になる。本実施形態では、図３０Ａ−図３０Ｆを用いて、このような電子機器のいくつかの例を説明する。
【０１８４】
図３０Ａ、および図３０Ｂは、携帯電話の外観図である。図３０Ａ、および図３０Ｂの携帯電話は、それぞれ、本体１１０１、表示パネル１１０２、操作キー１１０３、音声出力部１１０４および音声入力部１１０５を有する。さらに、本体１１０１には光検出装置１１０６が設けられている。図３０Ａ、および図３０Ｂの携帯電話は、光検出装置１１０６が検出した電気信号をもとに表示パネル１１０２の輝度を調節する機能を有する。さらに、図３０Ｂの携帯電話は、表示パネル１１０２のバックライトの輝度を検出する光検出装置１１０７が本体１１０１に内蔵されている。
【０１８５】
図３０Ｃはコンピュータの外観図である。コンピュータは、本体１１１１、表示パネル１１１２、キーボード１１１３、外部接続ポート１１１４、ポインティングデバイス１１１５などを有する。さらに、表示パネル１１１２のバックライトの輝度を検出する光検出装置（図示せず）が本体１１１１に内蔵されている。
【０１８６】
図３０Ｄは表示装置の外観図である。テレビ受像器、コンピュータのモニタなどが表示装置に該当する。本表示装置は、筐体１１２１、支持台１１２２、表示パネル１１２３などによって構成されている。筐体１１２１には、表示パネル１１２３のバックライトの輝度を検出する光検出装置（図示せず）が内蔵されている。
【０１８７】
図３０Ｅは正面方向から見たデジタルカメラの外観図であり、図３０Ｆは背面方向から見たデジタルカメラの外観図である。デジタルカメラは、リリースボタン１１３１、メインスイッチ１１３２、ファインダ窓１１３３、フラッシュライト１１３４、レンズ１１３５、鏡胴１１３６、筺体１１３７、ファインダ接眼窓１１３８、表示パネル１１３９、および操作ボタン１１４０などを有する。光検出装置をデジタルカメラに組み込むことにより、光検出装置によって撮影環境の輝度を感知することができる。そこで、光検出装置で検出された電気信号をもとに、露出調整、シャッタースピード調節などを行うことができる。
【実施例１】
【０１８８】
本実施例では、１つの電源端子から１つの回路までの複数の電流経路について、配線抵抗を等しくすることが、ＥＳＤから回路を保護することに寄与することを説明する。本実施例では、このことを、過電圧印加試験（静電破壊試験、静電気試験などとも呼ばれる。）の回路シミュレーションおよび実験により説明する。本実施例の静電破壊試験の対象となる半導体装置は、実施形態４の光検出装置である。
【０１８９】
図３１は、シミュレーションで設定した光検出装置９００の回路図である。光検出装置９００は、図１１の光検出装置４００と同じ要素を有する。図３１に示すように、光検出装置９００は、高電源電位ＶＤＤが供給される電源端子９０１、低電源電位ＶＳＳが供給される電源端子９０２、増幅回路９０３、フォトダイオード９０４、および保護回路を構成するダイオード９０５を有する。
【０１９０】
増幅回路９０３は、光検出装置４００と同様に、カレントミラー回路であり、フォトダイオード９０４の出力電流を増幅するために９つのトランジスタＭ２−Ｍ１０を有する。トランジスタＭ１が図１１のトランジスタ４０７に対応し、トランジスタＭ２−Ｍ１０が図１１のトランジスタ４０８に対応する。
【０１９１】
配線抵抗（Ｒ２ｓ−Ｒ１０ｓ）が等しく、かつ配線抵抗（Ｒ２ｄ−Ｒ１０ｄ）が等しい光検出装置９００（以下、「装置９００Ａ」と呼ぶ。）と、配線抵抗（Ｒ２ｓ−Ｒ１０ｓ）が互いに異なり、かつ配線抵抗（Ｒ２ｄ−Ｒ１０ｄ）が互いに異なる光検出装置９００（以下、「装置９００ｘ」と呼ぶ。）について、過電圧印加試験の回路シミュレーションを行った。ここでは、装置９００Ａは、実施形態１の第１接続配線１１０および第２接続配線１２０が適用された半導体装置であり、装置９００ｘは、比較例の半導体装置である。
【０１９２】
過電圧印加試験の方式には、Ｈｕｍａｎ Ｂｏｄｙ Ｍｏｄｅｌを採用した。図３１に示すように、容量値ＣＨＢＭ＝１００ｐＦ、抵抗値ＲＨＢＭ＝１．５ｋΩ、インダクタンスＬＨＢＭ＝７５０ｎＨとした。電源端子９０１のノードＡに、電圧ＶＥＳＤ＝１ｋＶを印加した。電源端子９０２の電位は接地電位とした。
【０１９３】
また、装置９００Ａおよび装置９００ｘの配線抵抗（Ｒ２ｄ−Ｒ１０ｄ、Ｒ２ｓ−Ｒ１０ｓ）の値は、表１、表２のように設定した。また、装置９００Ａおよび装置９００ｘ共に、配線抵抗値Ｒ０＝１５０Ωとし、トランジスタＭ１−Ｍ１０は同じ電気的特性を有するｎチャネル型トランジスタとした。
【０１９４】
【表１】
【０１９５】
【表２】
【０１９６】
上記の条件で、過電圧印加直後の装置９００Ａおよび装置９００ｘの動作を検証するための回路シミュレーションを行った。具体的には、電源端子９０１に１ｋＶが印加された後から３００ナノ秒間の増幅回路９０３に含まれるトランジスタＭ２−Ｍ１０のソース−ドレイン間電流（以下、「電流ＩＤ」と呼ぶ。）の値を計算した。回路シミュレータには、ＳｍａｒｔＳｐｉｃｅが用いられた。
【０１９７】
図３２Ａに装置９００Ａの回路シミュレーション結果を示し、図３２Ｂに装置９００ｘの回路シミュレーション結果を示す。図３２Ａおよび図３２Ｂは、電圧ＶＥＳＤを印加してからの経過時間に対する３つのトランジスタ（Ｍ２、Ｍ６、Ｍ１０）の電流ＩＤの変化を示すグラフである。時間＝０ナノ秒が電源端子９０１にＶＥＳＤ＝１ｋＶが印加された時である。
【０１９８】
図３２Ａに示すように、装置９００Ａでは、３つのトランジスタ（Ｍ２、Ｍ６、Ｍ１０）のソース−ドレイン間電流値ＩＤはほぼ等しい。また、図３２Ａには示されていないが、残りのトランジスタ（Ｍ３−Ｍ５、Ｍ７−Ｍ９）の電流ＩＤのグラフは、これらトランジスタ（Ｍ２、Ｍ６、Ｍ１０）とほぼ一致する。つまり、装置９００Ａの回路シミュレーションの結果は、電源端子９０１にＶＥＳＤを印加した直後に、各トランジスタ（Ｍ２−Ｍ１０）のソース−ドレイン間に流れる電流値ＩＤがほぼ等しくなることを示している。別言すると、この回路シミュレーションの結果は、１つの電源端子と１つの回路間に複数の電流経路が存在する場合、それらの配線抵抗を等しくすることで、電源端子に過電圧が印加されても、ある特定の半導体素子に集中して電流が流れることが回避できることを示している。
【０１９９】
他方、比較例の装置９００ｘでは、図３２Ｂに示すように、３つのトランジスタ（Ｍ２、Ｍ６、Ｍ１０）の電圧ＶＥＳＤ印加直後の電流ＩＤは異なっている。装置９００ｘではＲ２ｄ＜Ｒ６ｄ＜Ｒ１０ｄ、Ｒ２ｓ＜Ｒ６ｓ＜Ｒ１０ｓであり、この抵抗値の不等式に対応して、電流ＩＤはトランジスタＭ２＞トランジスタＭ６＞トランジスタＭ１０となっている。また、図３２Ｂには図示されていないが、残りのトランジスタ（Ｍ３−Ｍ５、Ｍ７−Ｍ９）の電流ＩＤの値は、トランジスタ（Ｍ２、Ｍ６、Ｍ１０）と同様に、配線抵抗が大きいほど小さくなった。つまり、装置９００ｘの回路シミュレーション結果は、１つの電源端子と１つの回路間に複数の電流経路がある場合、それらの配線抵抗が異なっていると、配線抵抗が低い電流経路に過電圧によるストレスが集中するため、配線抵抗が低い電流経路に接続されている半導体素子が破壊されやすいことを示している。
【０２００】
また、回路シミュレータにより、電流ＩＤと同様に、電源端子９０１に電圧ＶＥＳＤを印加した直後のトランジスタ（Ｍ２−Ｍ１０）のゲート−ソース間電圧（以下、「電圧ＶＧＳ」と呼ぶ。）、およびドレイン−ソース間電圧（以下、「電圧ＶＤＳ」と呼ぶ。）も計算した。装置９００Ａでは、トランジスタ（Ｍ２−Ｍ１０）の電圧ＶＧＳおよび電圧ＶＤＳはほぼ等しかった。他方、装置９００ｘでは、電圧ＶＧＳおよび電圧ＶＤＳはトランジスタ（Ｍ２−Ｍ１０）ごとに異なっており、電流ＩＤと同様に、これらの値はトランジスタＭ２が最も大きく、トランジスタＭ１０が最も小さかった。
【０２０１】
以上述べたように、装置９００Ａおよび装置９００ｘの過電圧印加試験の回路シミュレーションにより、１つの電源端子と１つの回路間に複数の電流経路が存在する場合、過電圧による破壊を防ぐには、これら電流経路の配線抵抗を等しくすることが有効であることが示された。
【０２０２】
さらに、装置９００Ａおよび装置９００ｘに対応する光検出装置を実際に作製し、各光検出装置の過電圧印加試験を行った。ここでは、前者の光検出装置を「装置９１０Ａ」と呼び、後者の光検出装置を「装置９１０ｘ」と呼ぶことにする。
【０２０３】
装置９１０Ａおよび装置９１０ｘは、光検出装置４００の平面構造および積層構造（図１２および図１３参照）と同様の構造を有し、実施形態４の作製方法により作製された。図３３に装置９１０Ａの平面図を示し、図３４に装置９１０ｘの平面図を示す。装置９１０Ａ、装置９１０ｘの構成の理解を容易にするため、図３３および図３４に示される一部の構成要素に、図１２と同じ参照符号が付されている。
【０２０４】
図３３に示すように、装置９１０Ａが光検出装置４００に異なる点は、ダイオード９０５に図５のダイオード３０１と同様の構成のダイオードが適用されている点である。なお、装置９１０Ａの第２層目の導電膜９３１および導電膜９３２は、それぞれ光検出装置の第２層目の導電膜５３１、５３２（図２３参照）に対応する導電膜である。導電膜５３１と同様に、電源端子９０１と増幅回路９０３間の複数の電流経路の配線抵抗値が等しくなるように、導電膜９３１が形成されている。また、導電膜５３２と同様に、電源端子９０２と増幅回路９０３間の複数の電流経路の配線抵抗値が等しくなるように、導電膜９３２が形成されている。
【０２０５】
また、図３３において、半導体膜９３０はダイオード９０５を構成する半導体膜であり、開口９３３は、第２層目の導電膜９３１を第３層目の導電膜５５１に電気的に接続するために、これらの間の絶縁膜に形成されている開口であり、開口９３４は、第２層目の導電膜９３２を第３層目の導電膜５５２に電気的に接続するために、これらの間の絶縁膜に形成されている開口である。
【０２０６】
次に、装置９１０ｘの構成を説明する。装置９１０ｘは比較例の半導体装置である。図３４に示すように、装置９１０Ａとは、第２層目の導電膜９４１、９４２の構造が異なる。装置９１０ｘでは、電源端子９０１と増幅回路９０３間の複数の電流経路の配線抵抗が異なるように導電膜９４１が形成され、電源端子９０２と増幅回路９０３間の複数の電流経路の配線抵抗が異なるように導電膜９４２が形成されている。また、開口９４３は、第２層目の導電膜９４１を第３層目の導電膜５５１に電気的に接続するためにこれらの間の絶縁膜に形成されている開口であり、開口９４４は、第２層目の導電膜９４２を第３層目の導電膜５５２に電気的に接続するためにこれらの間の絶縁膜に形成されている開口である。
【０２０７】
装置９１０Ａおよび、装置９１０ｘの過電圧印加試験には、株式会社ノイズ研究所製の半導体静電気試験器（ＥＳＳ−６０６Ａ）が使用された。試験方式には、Ｈｕｍａｎ Ｂｏｄｙ Ｍｏｄｅｌが採用された。なお、装置９１０Ａおよび装置９１０ｘ共に、電源端子９０１、９０２を構成する第４層目の導電膜が形成されていない。そこで、上記試験器により、導電膜５５１と導電膜５５２間に電圧ＶＥＳＤが印加された。
【０２０８】
本実施例の過電圧印加試験は次のように行われた。まず、試験器により、導電膜５５１と導電膜５５２間に＋０．５ｋＶの電圧ＶＥＳＤを１度印加し、次いで、−０．５ｋＶの電圧ＶＥＳＤを１度印加した。そして、光検出装置が破壊されているか否かを判定した。光検出装置が破壊されていない場合は印加する電圧ＶＥＳＤを０．５ｋＶ高くし、再度、試験器で正および負の電圧ＶＥＳＤを１度ずつ光検出装置に印加した。これらを光検出装置が破壊されるまで繰り返した。
【０２０９】
なお、この過電圧印加試験において、正の電圧ＶＥＳＤは保護回路のダイオード９０５に対して順バイアス電圧であり、負の電圧ＶＥＳＤは逆バイアス電圧である。
【０２１０】
光検出装置の破壊の判定は、光検出装置が試験前の性能を維持しているかどうかで判定した。具体的には、電圧ＶＥＳＤが印加された後の光検出装置の出力電流値が、試験前の初期値から±２０％以上変化した場合、その光検出装置は破壊されたと判定した。なお、光検出装置の出力電流の測定は蛍光灯下で行われた。
【０２１１】
図３５に、７つの装置９１０Ａおよび４つの装置９１０ｘの過電圧印加試験結果を示す。図３５のグラフの縦軸は光検出装置が破壊されなかった電圧ＶＥＳＤの最大値を示す。例えば、装置９１０Ａの１番目の棒グラフは、その装置９１０Ａが、電圧ＶＥＳＤ＝±５．５ｋＶを印加する試験までは破壊されず、電圧ＶＥＳＤ＝±６．０ｋＶを印加する試験で破壊されたことを示している。
【０２１２】
図３５は、１つの電源端子と１つの回路間に複数の電流経路が存在する半導体装置において、複数の電流経路の配線抵抗を等しくすることで、半導体装置のＥＳＤに対する耐性を向上させることが可能なことを示している。つまり、装置９１０Ａおよび装置９１０ｘの過電圧印加試験により、このような半導体装置の過電圧による破壊を防ぐには、１つの電源端子と１つの回路間に存在する複数の電流経路の配線抵抗を等しくすることが有効であることが確認された。なお、この試験を行った装置９１０Ａは、電源端子９０１と増幅回路９０３間の複数の電流経路の配線抵抗値が等しくなるように、また電源端子９０２と増幅回路９０３間の複数の電流経路の配線抵抗値が等しくなるように設計されているが、実際のこれらの配線抵抗値は完全に一致するものではなく、製造過程で発生した設計値からのずれ含んでいることを付記する。
【符号の説明】
【０２１３】
１１−１５、２１−２５ 半導体素子
３０ 基板
４１−４４ 絶縁膜
１００ 半導体装置
１０１ 第１端子
１０２ 第２端子
１０３、１０５ 回路
１０４、１０７、１０８ 保護回路
１０６ 第３端子
１１０ 第１接続配線
１１１−１１５ 接続部
１２０ 第２接続配線
１２１−１２５ 接続部
１３１−１３４ 屈曲部
１５０ 半導体装置
２０１、２０２、２０６、２０７、２１１ 導電膜
２０３ 開口
２０５ 半導体領域
４００ 光検出装置
４０１、４０２ 電源端子
４０３ 増幅回路
４０４ フォトダイオード
４０５ ダイオード
４０７、４０８ トランジスタ
４１１、４１２ 接続配線
５００ ガラス基板
５１１−５１３ 半導体膜
５２０ 導電膜
５３１−５３４ 導電膜
５３５−５３７ 開口
５４０ 光電変換層
５５１、５５２ 導電膜
５８１−５８７ 開口
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子を含む回路と、
１つの端子と、
前記端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の接続部と、
前記複数の接続部を前記端子に電気的に接続し、前記端子と前記複数の接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように設けられている接続配線と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の半導体素子を含む回路と、
１つの端子と、
前記端子に電気的に接続されており、過電圧が印加されないように前記回路を保護する保護回路と、
前記端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の接続部と、
前記複数の接続部を前記端子に電気的に接続し、前記端子と前記複数の接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように設けられている接続配線と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
複数の半導体素子を含む回路と、
第１端子および第２端子と、
前記第１端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第１接続部と、
前記第２端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第２接続部と、
前記複数の第１接続部を前記第１端子に電気的に接続し、前記第１端子と前記複数の第１接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように設けられている第１接続配線と、
前記複数の第２接続部を前記第２端子に電気的に接続し、前記第２端子と前記複数の第２接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように設けられている第２接続配線と、
前記第１端子と前記第２端子間に挿入され、前記第１端子と前記第２端子とを短絡することで、過電圧に対して前記回路を保護する保護回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記保護回路は、前記第１端子と前記第２端子間に挿入されたダイオードを有し、
前記ダイオードは、絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜の上面に平行な方向に隣接するＮ型不純物領域およびＰ型不純物領域が形成されている半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記回路は、
前記第１端子と前記第２端子間に挿入されたフォトダイオードと、
前記複数の第１接続部および前記複数の第２接続部を有し、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３において、
前記保護回路は、前記第１端子と前記第２端子間に挿入されたダイオードを有し、
前記ダイオードは、絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜の上面に平行な方向に隣接するＮ型不純物領域およびＰ型不純物領域が形成されている半導体膜を有し、
前記回路は、
前記第１端子と前記第２端子間に挿入されたフォトダイオードと、
前記複数の第１接続部、前記複数の第２接続部および複数のトランジスタを含み、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路と、
を有し、
前記複数のトランジスタは、それぞれ、前記絶縁膜上に形成され、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成されている半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
１つの端子と、
前記端子に電気的に接続されている回路と、
前記回路において前記端子に対して第１段目に配置され、半導体膜を備えた複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを前記端子に電気的に接続する接続配線と、
前記接続配線に含まれており、前記複数のトランジスタの半導体膜とそれぞれ接し、前記接続配線が接している前記複数のソース領域または前記複数のトランジスタのドレイン領域と前記端子の間の抵抗が等しくなるように形成されている導電膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１端子および第２端子と、
複数の半導体素子を構成する１つの半導体膜を含み、前記第１端子および前記第２端子に電気的に接続されている回路と、
前記回路を前記第１端子に電気的に接続する第１接続配線と、
前記回路を前記第２端子に電気的に接続する第２接続配線と、
前記半導体膜と前記第１接続配線との電気的な接続部であり、かつ前記第１端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第１接続部と、
前記半導体膜と前記第２接続配線との電気的な接続部であり、かつ前記第２端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第２接続部と、
前記第１接続配線に含まれ、前記第１端子と前記複数の第１接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように、かつ前記半導体膜に接して設けられている第１導電膜と、
前記第２接続配線に含まれ、前記第２端子と前記複数の第２接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように、かつ前記半導体膜に接して設けられている第２導電膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１端子および第２端子と、
複数の半導体素子を構成する第１半導体膜を含み、前記第１端子および前記第２端子に電気的に接続されている回路と、
前記回路を前記第１端子に電気的に接続する第１接続配線と、
前記回路を前記第２端子に電気的に接続する第２接続配線と、
前記半導体膜と前記第１接続配線との電気的な接続部であり、かつ前記第１端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第１接続部と、
前記半導体膜と前記第２接続配線との電気的な接続部であり、かつ前記第２端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第２接続部と、
前記第１接続配線に含まれ、前記第１端子と前記複数の第１接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように、かつ前記第１半導体膜に接して設けられている第１導電膜と、
前記第２接続配線に含まれ、前記第２端子と前記複数の第２接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように、かつ前記第１半導体膜に接して設けられている第２導電膜と、
前記第１導電膜および前記第２導電膜に接する第２半導体膜を有し、前記第１端子と前記第２端子とを短絡することで、過電圧に対して前記回路を保護するダイオードと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項において、
前記半導体装置の大きさは、平面配置において１０ｍｍ×１０ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１】
複数の半導体素子を含む回路と、
１つの端子と、
前記端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の接続部と、
前記複数の接続部を前記端子に電気的に接続し、前記端子と前記複数の接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように設けられている接続配線と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の半導体素子を含む回路と、
１つの端子と、
前記端子に電気的に接続されており、過電圧が印加されないように前記回路を保護する保護回路と、
前記端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の接続部と、
前記複数の接続部を前記端子に電気的に接続し、前記端子と前記複数の接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように設けられている接続配線と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
複数の半導体素子を含む回路と、
第１端子および第２端子と、
前記第１端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第１接続部と、
前記第２端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第２接続部と、
前記複数の第１接続部を前記第１端子に電気的に接続し、前記第１端子と前記複数の第１接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように設けられている第１接続配線と、
前記複数の第２接続部を前記第２端子に電気的に接続し、前記第２端子と前記複数の第２接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように設けられている第２接続配線と、
前記第１端子と前記第２端子間に挿入され、前記第１端子と前記第２端子とを短絡することで、過電圧に対して前記回路を保護する保護回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記保護回路は、前記第１端子と前記第２端子間に挿入されたダイオードを有し、
前記ダイオードは、絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜の上面に平行な方向に隣接するＮ型不純物領域およびＰ型不純物領域が形成されている半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記回路は、
前記第１端子と前記第２端子間に挿入されたフォトダイオードと、
前記複数の第１接続部および前記複数の第２接続部を有し、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３において、
前記保護回路は、前記第１端子と前記第２端子間に挿入されたダイオードを有し、
前記ダイオードは、絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜の上面に平行な方向に隣接するＮ型不純物領域およびＰ型不純物領域が形成されている半導体膜を有し、
前記回路は、
前記第１端子と前記第２端子間に挿入されたフォトダイオードと、
前記複数の第１接続部、前記複数の第２接続部および複数のトランジスタを含み、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路と、
を有し、
前記複数のトランジスタは、それぞれ、前記絶縁膜上に形成され、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成されている半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
１つの端子と、
前記端子に電気的に接続されている回路と、
前記回路において前記端子に対して第１段目に配置され、半導体膜を備えた複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを前記端子に電気的に接続する接続配線と、
前記接続配線に含まれており、前記複数のトランジスタの半導体膜とそれぞれ接し、前記接続配線が接している前記複数のソース領域または前記複数のトランジスタのドレイン領域と前記端子の間の抵抗が等しくなるように形成されている導電膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１端子および第２端子と、
複数の半導体素子を構成する１つの半導体膜を含み、前記第１端子および前記第２端子に電気的に接続されている回路と、
前記回路を前記第１端子に電気的に接続する第１接続配線と、
前記回路を前記第２端子に電気的に接続する第２接続配線と、
前記半導体膜と前記第１接続配線との電気的な接続部であり、かつ前記第１端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第１接続部と、
前記半導体膜と前記第２接続配線との電気的な接続部であり、かつ前記第２端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第２接続部と、
前記第１接続配線に含まれ、前記第１端子と前記複数の第１接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように、かつ前記半導体膜に接して設けられている第１導電膜と、
前記第２接続配線に含まれ、前記第２端子と前記複数の第２接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように、かつ前記半導体膜に接して設けられている第２導電膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１端子および第２端子と、
複数の半導体素子を構成する第１半導体膜を含み、前記第１端子および前記第２端子に電気的に接続されている回路と、
前記回路を前記第１端子に電気的に接続する第１接続配線と、
前記回路を前記第２端子に電気的に接続する第２接続配線と、
前記半導体膜と前記第１接続配線との電気的な接続部であり、かつ前記第１端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第１接続部と、
前記半導体膜と前記第２接続配線との電気的な接続部であり、かつ前記第２端子に対して前記回路の第１段目の電気的な接続部である複数の第２接続部と、
前記第１接続配線に含まれ、前記第１端子と前記複数の第１接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように、かつ前記第１半導体膜に接して設けられている第１導電膜と、
前記第２接続配線に含まれ、前記第２端子と前記複数の第２接続部間の抵抗が、それぞれ、等しくなるように、かつ前記第１半導体膜に接して設けられている第２導電膜と、
前記第１導電膜および前記第２導電膜に接する第２半導体膜を有し、前記第１端子と前記第２端子とを短絡することで、過電圧に対して前記回路を保護するダイオードと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項において、
前記半導体装置の大きさは、平面配置において１０ｍｍ×１０ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【公開番号】特開２０１０−２８１０９（Ｐ２０１０−２８１０９Ａ）
【公開日】平成２２年２月４日（２０１０．２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１４２５０９（Ｐ２００９−１４２５０９）
【出願日】平成２１年６月１５日（２００９．６．１５）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年２月４日（２０１０．２．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月１５日（２００９．６．１５）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]