半導体装置の製造方法及び半導体装置
【課題】導電層が基板の内部深くにまで達することを回避して、浅いソース・ドレイン領域を形成することを可能とし、微細化に適した半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】シリコン基板1の上面内にエクステンション5を形成した後、シリコン酸化膜30を全面に堆積し、シリコン酸化膜30上にシリコン窒化膜31を、シリコン窒化膜31上にシリコン酸化膜32をそれぞれ堆積し、シリコン酸化膜32、シリコン窒化膜31及びシリコン酸化膜30をこの順にエッチングしてサイドウォール36を形成する。不純物領域13を形成し、シリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下でシリコン成長を行うことにより、シリコン成長層15,16,37を形成する。コバルト17を全面に堆積した後、熱処理を行うことにより、コバルトシリサイドを形成する。その後、未反応のコバルト17を除去する。
【解決手段】シリコン基板1の上面内にエクステンション5を形成した後、シリコン酸化膜30を全面に堆積し、シリコン酸化膜30上にシリコン窒化膜31を、シリコン窒化膜31上にシリコン酸化膜32をそれぞれ堆積し、シリコン酸化膜32、シリコン窒化膜31及びシリコン酸化膜30をこの順にエッチングしてサイドウォール36を形成する。不純物領域13を形成し、シリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下でシリコン成長を行うことにより、シリコン成長層15,16,37を形成する。コバルト17を全面に堆積した後、熱処理を行うことにより、コバルトシリサイドを形成する。その後、未反応のコバルト17を除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、サリサイド構造を有するMOSFETの構造及びその製造方法に関する。また、この発明は、一つのウェハ内に用途の異なる複数種類の半導体素子が形成された半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来技術1.
図46〜図52は、従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。特に、サリサイド構造を有するMOSFETの製造工程を順に示すものである。まず、シリコン基板101の素子分離領域にシリコン酸化膜から成る素子分離絶縁膜102を形成した後、ウェルやチャネル(図示しない)等を形成するためのイオン注入を行い、その後、シリコン基板101の上面上に、シリコン酸化膜から成るゲート酸化膜103及びポリシリコンから成るゲート電極104を選択的に形成する。その後、イオン注入を行い、シリコン基板101の上面内に不純物領域(以下「エクステンション」と表記する)105を形成する(図46)。
【0003】
次に、例えばCVD法により、シリコン酸化膜106を全面に堆積した後、シリコン酸化膜106上にシリコン窒化膜107を堆積する(図47)。次に、シリコン基板101の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン窒化膜107及びシリコン酸化膜106をこの順にエッチングし、シリコン基板101の上面を露出する。これにより、ゲート電極104の側壁部に、シリコン酸化膜108及びシリコン窒化膜109から成るサイドウォール110を形成する(図48)。
【0004】
次に、ゲート電極104及びサイドウォール110をマスクとしてイオン注入を行い、露出しているシリコン基板101の上面内に不純物領域111を形成する。その結果、シリコン基板101の上面内には、エクステンション105及び不純物領域111から成るソース・ドレイン領域112が形成される(図49)。
【0005】
次に、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜に対して選択性を有する条件下でシリコンの成長を行い(これは、シリコン酸化膜上及びシリコン窒化膜上にはシリコンが成長せず、その他の領域上にはシリコンが成長する条件下での結晶成長を意味する。)、ゲート電極104の上面上にシリコン成長層113を形成するとともに、不純物領域111が形成されている部分のシリコン基板101の上面上にシリコン成長層114を形成する(図50)。
【0006】
次に、例えばCVD法によりコバルト115を全面に堆積した後(図51)、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う。これによりコバルト115とシリコン成長層113,114とが反応し、コバルトシリサイド116,117が形成される。その後、未反応のコバルト115を除去する(図52)。以上の工程により、サリサイド構造を有するMOSFETが作製される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0007】
従来技術2.
図53〜図57は、従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。特に、一つのウェハ内に用途の異なる複数種類の半導体素子が形成された半導体装置の製造工程を順に示すものである。まず、シリコン基板101の素子分離領域にシリコン酸化膜から成る素子分離絶縁膜102を形成した後、ウェルやチャネル(図示しない)等を形成するためのイオン注入を行い、その後、シリコン基板101の上面上に、シリコン酸化膜から成るゲート酸化膜103及びポリシリコンから成るゲート電極104を選択的に形成する。その後、イオン注入を行い、シリコン基板101の上面内にエクステンション105を形成する(図53)。
【0008】
次に、例えばCVD法により、シリコン酸化膜106を全面に堆積する(図54)。その後、例えばCVD法により、シリコン酸化膜106上にシリコン窒化膜107を堆積する(図55)。次に、シリコン基板101の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン窒化膜107及びシリコン酸化膜106をこの順にエッチングし、シリコン基板101の上面を露出する。これにより、シリコン基板101のDRAM部においては、シリコン酸化膜108及びシリコン窒化膜109から成るサイドウォール110aがゲート電極104の側壁部に形成され、一方、シリコン基板101のロジック部においては、シリコン酸化膜108及びシリコン窒化膜109から成るサイドウォール110bがゲート電極104の側壁部に形成される(図56)。
【0009】
次に、ゲート電極104及びサイドウォール110a,110bをマスクとしてイオン注入を行い、露出しているシリコン基板101の上面内に不純物領域111を形成する。その結果、シリコン基板101の上面内には、エクステンション105及び不純物領域111から成るソース・ドレイン領域112が形成される(図57)。以上の工程により、シリコン基板101のDRAM部にはDRAM用MOSFETが、ロジック部にはロジック用MOSFETがそれぞれ作製される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
従来技術1に関する問題点.
MOSFETの動作の高速化や高周波特性の向上を図るためには、ゲート抵抗やソース・ドレイン抵抗を低減することも重要である。図52に示したMOSFETのように、ゲート電極104上にコバルトシリサイド116等の導電層を形成することによってゲート抵抗は低減されるが、コバルトシリサイド116の幅を広げることができれば、ゲート抵抗をさらに低減することが可能となる。
【0011】
しかし、図52に示したように、従来のMOSFETにおいてはコバルトシリサイド116の幅はゲート長にほぼ等しいため、コバルトシリサイド116の幅を広げるためにはゲート長を広げる必要がある。ところが、ゲート長を広げるためにゲート電極104の幅を大きくすると、これに伴ってソース−ドレイン間の距離も大きくなる。その結果、チャネル抵抗が増大してMOSFETの駆動電流が減少し、却って、MOSFETの動作速度や高周波特性が低下するばかりでなく、デバイスの微細化の要求にも反することになるという問題点があった。
【0012】
また、図58,59は、それぞれ図50のA部分及びB部分を拡大して示す断面図である。上述したように、シリコン成長層114は、シリコン基板101の上面上にシリコンを成長させることによって形成される。このとき、特定の面方位が成長速度に影響を及ぼすため、シリコン成長層114の端部にはファセットが現れる。図58には、シリコン成長層114のサイドウォール110側の端部に現れるファセット120aを、図59には、シリコン成長層114の素子分離絶縁膜102側の端部に現れるファセット120bをそれぞれ示した。なお、図59にはシリコン酸化膜106aが示されているが、これは、サイドウォール110を形成する際の異方性ドライエッチングの際に、素子分離絶縁膜102上に堆積されたシリコン酸化膜106が素子分離絶縁膜102の側壁部に残ったものである。
【0013】
このファセット120a,120bの存在により、シリコン成長層114の端部の膜厚は、中央部の膜厚よりも薄くなる。シリコン成長層114をシリサイド化してコバルトシリサイド117を形成する場合、シリサイド化は、シリコン成長層114とコバルト115との界面、即ちシリコン成長層114の上面から深さ方向に次第に進行する。従って、シリコン成長層114の膜厚が薄い端部においては、膜厚が厚い中央部と比較すると、コバルトシリサイド117はシリコン基板101の内部深くにまで形成されることになる。そのため、シリコン基板101の内部深くに形成されたコバルトシリサイド117がソース・ドレイン領域112を突き抜けないようにするためには、ソース・ドレイン領域112を予め深く形成しておく必要がある。このような事情により、従来のMOSFETの製造方法においては、ソース・ドレイン領域112をあまり浅く形成することができず、デバイスの微細化が困難であるという問題点もあった。
【0014】
従来技術2に関する問題点.
図57に示したように、シリコン基板101には、DRAM用MOSFETとロジック用MOSFETとが混載して形成されている。ところで、DRAM用MOSFETには安定した電気的特性が要求されるため、ソース領域及びドレイン領域を確実に形成するためには、プロセスのばらつきを考慮して不純物領域111同士の間の距離はある程度離れていることが望ましい。一方、ロジック用MOSFETには高駆動能力が要求されるため、ソース及びドレインの各抵抗値を下げるためには、不純物領域111同士の間の距離はできるだけ短い方が望ましい。このように、MOSFETに要求される性能がDRAM用とロジック用とでは異なることに起因して、不純物領域111同士の間の距離を各MOSFETに関して個別に設定することができれば望ましい。
【0015】
しかし、図57に示したように、従来の半導体装置の製造方法では、DRAM部のサイドウォール110aの幅と、ロジック部のサイドウォール110bの幅とは互いに等しい。このため、その後のイオン注入により形成されるソース部の不純物領域111とドレイン部の不純物領域111との間の距離は、DRAM部及びロジック部において同一となり、この要求に応えられないという問題点があった。
【0016】
本発明はこれらの問題点を解決するために成されたものであり、第1に、サリサイド構造を有するMOSFETに関して、ゲート長を広げることなく、ゲート電極上に形成された導電層の幅を広げることにより、ゲート抵抗をさらに低減し得る半導体装置及びその製造方法を得ること、及び、基板のソース・ドレイン領域に形成される導電層が基板の内部深くにまで達することを回避することにより、浅いソース・ドレイン領域を形成することを可能とし、微細化に適した半導体装置及びその製造方法を得ることを目的とする。また、第2に、一つのウェハ内に用途の異なる複数種類の半導体素子が形成される半導体装置に関して、要求される性能に応じてソース部の不純物領域とドレイン部の不純物領域との間の距離を個別に設定し得る半導体装置及びその製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0017】
本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板の上面上にゲート絶縁膜とゲート電極との積層構造を形成する工程と、前記積層構造を形成後、前記シリコン基板の上面と前記積層構造とを覆うようにシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜を形成する工程の後、シリコンを前記シリコン基板の上面上と前記シリコン窒化膜の露出した表面上に成長させ、前記シリコン窒化膜の露出した表面上に成長した前記シリコンと前記シリコン基板の上面上に成長した前記シリコンとが接触するようにシリコン成長層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0018】
また本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板の上面上にゲート絶縁膜とゲート電極との積層構造を形成する工程と、前記積層構造を形成後、前記シリコン基板の上面と前記積層構造とを覆うように第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記第1のシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜上に第2のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記第2のシリコン酸化膜を形成後、前記第1のシリコン酸化膜、前記シリコン窒化膜および前記第2のシリコン窒化膜をエッチングして、前記シリコン基板の上面付近で前記シリコン窒化膜が露出するようにサイドウォールを形成する工程と、前記サイドウォールを形成する工程の後、シリコンを前記シリコン基板の上面上と前記シリコン窒化膜の露出した表面上とに成長させ、前記シリコン窒化膜の露出した表面上に成長した前記シリコンと前記シリコン基板の上面上に成長した前記シリコンとが接触するようにシリコン成長層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0019】
本発明の半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板の上面上に配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、前記ゲート電極の側面および前記シリコン基板の上面に沿って配置されたシリコン窒化膜と、前記シリコン基板の上面上および前記シリコン窒化膜の側面上に配置され、前記シリコン基板の上面上の部分と前記シリコン窒化膜の側面上の部分とが接触しているシリコン成長層とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【0020】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、シリコン基板の上面上にゲート絶縁膜とゲート電極との積層構造が形成される。積層構造の形成後、シリコン基板の上面と積層構造とを覆うようにシリコン窒化膜が形成される。シリコン窒化膜の形成後、シリコンがシリコン基板の上面上とシリコン窒化膜の露出した表面上に成長され、シリコン窒化膜の露出した表面上に成長したシリコンとシリコン基板の上面上に成長したシリコンとが接触するようにシリコン成長層が形成される。これによって、ファセットの発生を回避することができる。
【0021】
また本発明の半導体装置の製造方法によれば、シリコン基板の上面上にゲート絶縁膜とゲート電極との積層構造が形成される。積層構造の形成後、シリコン基板の上面と積層構造とを覆うように第1のシリコン酸化膜が形成され、第1のシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜が形成され、シリコン窒化膜上に第2のシリコン酸化膜が形成される。第2のシリコン酸化膜の形成後、第1のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜および第2のシリコン窒化膜がエッチングされて、シリコン基板の上面付近でシリコン窒化膜が露出するようにサイドウォールが形成される。サイドウォールの形成後、シリコンがシリコン基板の上面上とシリコン窒化膜の露出した表面上とに成長され、シリコン窒化膜の露出した表面上に成長したシリコンとシリコン基板の上面上に成長したシリコンとが接触するようにシリコン成長層が形成される。これによって、ファセットの発生を回避することができる。
【0022】
本発明の半導体装置によれば、半導体装置は、シリコン基板と、シリコン基板の上面上に配置されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、ゲート電極の側面およびシリコン基板の上面に沿って配置されたシリコン窒化膜と、シリコン基板の上面上およびシリコン窒化膜の側面上に配置され、シリコン基板の上面上の部分とシリコン窒化膜の側面上の部分とが接触しているシリコン成長層とを有する。これによって、ファセットの発生を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図2】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図3】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図4】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図5】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図6】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図7】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図8】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図9】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図10】図7のA部分を拡大して示す断面図である。
【図11】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図12】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図13】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図14】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図15】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図16】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図17】図7のB部分を拡大して示す断面図である。
【図18】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図19】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図20】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図21】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図22】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図23】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図24】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図25】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図26】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図27】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図28】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図29】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図30】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図31】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図32】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図33】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図34】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図35】本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図36】本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図37】本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図38】本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図39】本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図40】本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図41】本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図42】本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図43】本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図44】本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図45】本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図46】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図47】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図48】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図49】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図50】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図51】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図52】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図53】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図54】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図55】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図56】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図57】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図58】図50のA部分を拡大して示す断面図である。
【図59】図50のB部分を拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
実施の形態1.
図1〜図9は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。まず、シリコン基板1の素子分離領域にシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜から成る素子分離絶縁膜2を形成した後、ウェルやチャネル(図示しない)等を形成するためのイオン注入を行い、その後、シリコン基板1の上面上に、ゲート酸化膜3及びゲート電極4がこの順に積層された積層構造を選択的に形成する。ここで、ゲート酸化膜3は例えばシリコン酸化膜から成り、ゲート電極4は例えばポリシリコンから成る。また、ゲート電極4の幅(ゲート長にほぼ等しい)は、0.1μm程度とする。その後、ゲート電極4をマスクとしてイオン注入を行い、シリコン基板1の上面内にエクステンション5を形成する(図1)。
【0025】
次に、例えばCVD法によりシリコン酸化膜6を全面に堆積した後、シリコン酸化膜6上にシリコン窒化膜7を堆積する(図2)。シリコン酸化膜6は、シリコン窒化膜7とシリコン基板1とが接触することを防止するための下地酸化膜であり、0.01μm程度の膜厚を有していればよい。但し、後述するシリコン成長層15,16を0.1μm程度の膜厚に形成する場合は、シリコン酸化膜6は最大0.05μm程度の膜厚に形成することができる。また、シリコン窒化膜7は、0.05μm程度の膜厚に堆積すればよい。
【0026】
次に、シリコン基板1の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン窒化膜7及びシリコン酸化膜6をこの順にエッチングし、シリコン基板1の上面を露出する。このとき、ゲート電極4の側壁部には、シリコン窒化膜9及びシリコン酸化膜8が残る(図3)。
【0027】
次に、例えばCVD法により、0.05μm程度の膜厚を有するシリコン酸化膜10を全面に堆積する(図4)。次に、シリコン基板1の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン酸化膜10をエッチングし、シリコン基板1の上面を露出する。これにより、ゲート電極4の側壁部には、シリコン酸化膜8,11及びシリコン窒化膜9から成るサイドウォール12が形成される(図5)。
【0028】
次に、ゲート電極4及びサイドウォール12をマスクとしてイオン注入を行い、露出しているシリコン基板1の上面内に不純物領域13を形成する。その結果、シリコン基板1の上面内には、エクステンション5及び不純物領域13から成るソース・ドレイン領域14が形成される(図6)。
【0029】
次に、シリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下で、シリコンの成長を行う。これは、シリコン酸化膜上にはシリコンが成長せず、その他の領域上にはシリコンが成長する条件下でのシリコン成長を意味する。この条件としては、例えば、ジシランガスを用いて、流量0.1〜2sccm、温度550〜700℃、圧力1×10-5〜1×10-4Torr等の条件が考えられる。ここで、従来技術ではシリコン窒化膜に対しても選択性を有する条件下でシリコン成長を行ったが、シリコン窒化膜に対して選択性を持たせるためには塩素ガス等を使用する必要がある。従って、シリコン窒化膜に対しては選択性を持たせない本実施の形態1に係るプロセスの方が従来技術よりも簡便である。
【0030】
これにより、シリコン窒化膜9の上面上、ゲート電極4の上面上、及び不純物領域13が形成されている部分のシリコン基板1の上面上に、それぞれシリコンが成長する(図7)。ところで、図7に示すように、シリコン窒化膜9の上面とゲート電極4の上面との間には、シリコン酸化膜8の上面が存在する。しかし、シリコンは、ゲート電極4の上面の法線方向のみならず、ゲート長方向(図7において、紙面の左右方向に相当する)にも成長する。このため、このゲート長方向へのシリコン成長によって、シリコン窒化膜9の上面上に成長したシリコンと、ゲート電極4の上面上に成長したシリコンとが互いに接触する。その結果、シリコン窒化膜9の上面からゲート電極4の上面に延在するシリコン成長層15を形成することができる。また、不純物領域13が形成されている部分のシリコン基板1の上面上には、シリコン成長層16が形成される。シリコン成長層15,16の膜厚は、0.1μm程度あれば十分である。なお、シリコン窒化膜9のゲート電極4と反対側の側面はシリコン酸化膜11によって覆われているため、この部分にシリコンが成長することはない。即ち、シリコン酸化膜11は、シリコン成長層15とシリコン成長層16とが互いに接触するのを回避する機能を有する。
【0031】
次に、例えばCVD法によりコバルト17を全面に堆積した後(図8)、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う。これによりコバルト17とシリコン成長層15,16とが反応し、コバルトシリサイド18,19が形成される。その後、コバルト17とシリコン成長層15,16とが接触していない部分の未反応のコバルト17を除去する(図9)。以上の工程により、サリサイド構造を有するMOSFETが作製される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0032】
このように本実施の形態1に係る半導体装置の製造方法によれば、ゲート電極4の上部に、ゲート電極4の幅W1よりも広い幅W2を有するコバルトシリサイド18を形成することができる(図9)。ここで、コバルトシリサイド18の抵抗値は、ゲート電極4の材質たるポリシリコンの抵抗値よりも十分小さいため、ゲート抵抗は、ほぼコバルトシリサイド18の幅及び膜厚によって決定される。例えば、ゲート長W1が0.1μm、サイドウォール12の幅が0.05μm、シリコン酸化膜11の幅が0.005μm(シリコン酸化膜11の上記機能上、この程度の膜厚で十分である)である場合、コバルトシリサイド18の幅W2は約1.90μmとなり、W1よりも約0.09μmだけ長くなる。これにより、ゲート抵抗をほぼ半分に低減することができる。このように本実施の形態1に係る半導体装置の製造方法によれば、ゲート長を広げることなくゲート抵抗を低減することが可能となる。
【0033】
なお、サイドウォール12の構造に関して、サイドウォール12の上面においてシリコン窒化膜9の上面が露出する部分と、ゲート電極4の上面との間に、シリコン酸化膜8の上面が露出する部分が必ずしも存在する必要はない。従って、サイドウォール12の構造としては、その上面において、少なくとも、シリコン窒化膜9が露出する部分と、この部分よりも外側においてシリコン酸化膜11が露出する部分とが存在すればよい。
【0034】
以下、本実施の形態1に係る半導体装置及びその製造方法の変形例について説明する。特に断らない限り、下記変形例は、後述する各実施の形態についても適用可能である。
【0035】
一般的にシリコン成長を行う場合、ポリシリコン上に成長させた場合はポリシリコンから成るシリコン成長層が形成され、単結晶シリコン上に成長させた場合は単結晶から成るシリコン成長層が形成される。従って、以上の説明によると、シリコン成長層15はポリシリコンによって構成され、シリコン成長層16は単結晶シリコンによって構成されることになる。しかし、シリコンであればその形態は問わず、単結晶シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコンのいずれであってもよい。さらに、以上の説明ではシリコン成長層15,16をシリサイド化することにより導電層としたが、シリコン成長層15,16を形成した後の工程において、シリコン成長層15,16に不純物をドーピングすることによって導電層を形成してもよい。
【0036】
また、コバルトシリサイド18,19の代わりに、チタンシリサイド、ニッケルシリサイド、タングステンシリサイド等の他のシリサイドを形成してもよい。さらに、シリコン成長層15,16を形成してからこれをシリサイド化するという一連の工程の代わりに、モリブデンやタングステン等の金属を、シリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下で成長させてもよい。この場合は、シリサイド化する工程を省略することができる。
【0037】
また、シリコン成長層15,16は、ゲルマニウム、あるいはシリコンとゲルマニウムとの化合物であってもよい。
【0038】
また、例えば図9に示したように、シリコン窒化膜9のゲート電極4と反対側の側面は、絶縁膜であるシリコン酸化膜11によって覆われている。従って、シリコン窒化膜9の代わりに、シリコン窒化酸化膜等の他の絶縁膜、あるいは、ポリシリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウムの半導体や、上記各種シリサイド、金属等を形成した場合であっても、ゲートとソース・ドレインとのショートは起こらない。但し、後述する実施の形態2に関しては、シリコン窒化膜9の代わりにサリサイドや金属等の導電体を形成することはできない。
【0039】
また、サイドウォール12の上面構造に関して、シリコン窒化膜9の露出部分の上面と、シリコン酸化膜8,11の各露出部分の上面とが必ずしも一致している必要はない。シリコン窒化膜9の露出部分の上面を上記各露出部分の上面よりも沈ませておくことにより、後に形成されるコバルトシリサイド18の実効的な幅を広げることができ、ゲート抵抗をさらに低減することができる。
【0040】
実施の形態2.
図10は、図7のA部分を拡大して示す断面図である。シリコン成長層16のゲート電極4側の端部に、ファセット20aが現れている。本実施の形態2では、このファセット20aの発生を回避し得る半導体装置の製造方法を提案する。
【0041】
図11〜図16は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。まず、上記実施の形態1と同様の方法により図1に示す構造と同様の構造を得た後、例えばCVD法によりシリコン酸化膜30を全面に堆積する。その後、例えばCVD法により、シリコン酸化膜30上にシリコン窒化膜31を、シリコン窒化膜31上にシリコン酸化膜32をそれぞれ堆積する(図11)。
【0042】
次に、シリコン基板1の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン酸化膜32、シリコン窒化膜31、及びシリコン酸化膜30をこの順にエッチングし、シリコン基板1の上面を露出する。これにより、ゲート電極4の側壁部には、シリコン酸化膜33,35及びシリコン窒化膜34から成るサイドウォール36が形成される(図12)。図12に示すように、サイドウォール36のゲート電極4と反対側の側面には、シリコン基板1の上面付近に、シリコン窒化膜34の側面が露出する部分が存在する。また、サイドウォール36の上面には、シリコン窒化膜34の上面が露出する部分と、この部分よりもゲート電極4と反対側の領域においてシリコン酸化膜35が露出する部分とが存在する。
【0043】
次に、ゲート電極4及びサイドウォール36をマスクとしてイオン注入を行い、露出しているシリコン基板1の上面内に不純物領域13を形成する。その結果、シリコン基板1の上面内には、エクステンション5及び不純物領域13から成るソース・ドレイン領域14が形成される(図13)。
【0044】
次に、上記実施の形態1と同様にシリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下でシリコン成長を行う。これにより、シリコン窒化膜34の上面上、ゲート電極4の上面上、不純物領域13が形成されている部分のシリコン基板1の上面上、及びサイドウォール36の側面において露出するシリコン窒化膜34の側面上に、それぞれシリコンが成長する(図14)。ところで、図14に示すように、シリコン窒化膜34の上面とゲート電極4の上面との間には、シリコン酸化膜33の上面が存在する。しかし、ゲート長方向へのシリコン成長によって、シリコン窒化膜34の上面上に成長したシリコンと、ゲート電極4の上面上に成長したシリコンとが互いに接触し、その結果、シリコン窒化膜34の上面からゲート電極4の上面に延在するシリコン成長層15を形成することができる。また、不純物領域13が形成されている部分のシリコン基板1の上面上にはシリコン成長層16が形成され、シリコン窒化膜34の側面上にはシリコン成長層37が形成される。そして、これらのシリコン成長層16,37は互いに接触している。なお、シリコン窒化膜34のゲート電極4と反対側の側面はシリコン酸化膜35によって覆われているため、この部分にシリコンが成長することはない。即ち、シリコン酸化膜35は、シリコン成長層15とシリコン成長層16,37とが互いに接触するのを回避する機能を有する。
【0045】
次に、例えばCVD法によりコバルト17を全面に堆積した後(図15)、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う。これによりコバルト17とシリコン成長層15,16,37とが反応し、コバルトシリサイド18,38が形成される。その後、コバルト17とシリコン成長層15,16,37とが接触していない部分の未反応のコバルト17を除去する(図16)。以上の工程により、サリサイド構造を有するMOSFETが作製される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0046】
このように本実施の形態2に係る半導体装置の製造方法によれば、サイドウォール36の側面に、シリコン窒化膜34の側面が露出する部分が存在するため、シリコンを成長させることにより、この部分にもシリコン成長層37が形成される。そして、このシリコン窒化膜34の側面が露出する部分は、シリコン基板1の上面付近に形成されているため、シリコン成長層37は、シリコン基板1上に成長したシリコン成長層16に接触する。従って、図10に示したファセット20aの発生を回避することができる。
【0047】
実施の形態3.
図17は、図7のB部分を拡大して示す断面図である。シリコン成長層16のゲート電極4と反対側の端部に、ファセット20bが現れている。なお、素子分離絶縁膜2の側壁部に形成されているシリコン酸化膜6aは、図3に示したシリコン酸化膜8及びシリコン窒化膜9を形成する際の異方性ドライエッチングの際に、素子分離絶縁膜2上に堆積されたシリコン酸化膜6が素子分離絶縁膜2の側壁部に残ったものである。本実施の形態3では、このファセット20bの発生を回避し得る半導体装置の製造方法を提案する。
【0048】
図18〜図25は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。特に、上記実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を基礎としており、以下、これとの相違点を中心に説明する。まず、上記実施の形態1と同様の方法により図1に示す構造と同様の構造を得た後、熱酸化法により、シリコン基板1の上面上と、ゲート電極4の側面及び上面上とに、熱酸化膜40を形成する。その後、例えばCVD法により、熱酸化膜40上にシリコン窒化膜31を堆積し、さらに、シリコン窒化膜31上にシリコン酸化膜32を堆積する(図18)。
【0049】
次に、シリコン基板1の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン酸化膜32、シリコン窒化膜31、及び熱酸化膜40をこの順にエッチングし、シリコン基板1の上面を露出する。これにより、ゲート電極4の側壁部には、シリコン酸化膜33,35及びシリコン窒化膜34から成るサイドウォール36が形成される(図19)。図20は、図19のC部分を拡大して示す断面図である。素子分離絶縁膜2の一部はシリコン基板1の上面よりも突出している。このため、素子分離絶縁膜2の側壁部には、シリコン酸化膜33,35及びシリコン窒化膜34を形成する際の異方性ドライエッチングの際に素子分離絶縁膜2の側壁部に残った、熱酸化膜33a及びシリコン窒化膜34aが存在する。
【0050】
次に、ゲート電極4及びサイドウォール36をマスクとしてイオン注入を行い、露出しているシリコン基板1の上面内に不純物領域13を形成する。その結果、シリコン基板1の上面内には、エクステンション5及び不純物領域13から成るソース・ドレイン領域14が形成される(図21)。
【0051】
次に、上記実施の形態1と同様にシリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下でシリコン成長を行う。これにより、シリコン窒化膜34の上面上、ゲート電極4の上面上、不純物領域13が形成されている部分のシリコン基板1の上面上、サイドウォール36の側面において露出するシリコン窒化膜34の側面上、及び、素子分離絶縁膜2の側壁部に残ったシリコン窒化膜34aの表面上に、それぞれシリコンが成長する(図22)。図23は、図22のD部分を拡大して示す断面図である。図23に示すように、シリコン窒化膜34aの表面上に形成されたシリコン成長層41は、シリコン基板1上に形成されたシリコン成長層16に接触している。
【0052】
次に、例えばCVD法によりコバルト17を全面に堆積した後(図24)、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う。これによりコバルト17とシリコン成長層15,16,37,41とが反応し、コバルトシリサイド18,42が形成される。その後、コバルト17とシリコン成長層15,16,37,41とが接触していない部分の未反応のコバルト17を除去する(図25)。以上の工程により、サリサイド構造を有するMOSFETが作製される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0053】
なお、以上の説明では上記実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を基礎として述べたが、上記実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を基礎として、本実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を実行することもできる。
【0054】
このように本実施の形態3に係る半導体装置の製造方法によれば、素子分離絶縁膜2の側壁部にシリコン窒化膜34aが存在するため、シリコンを成長させることにより、この部分にもシリコン成長層41が形成される。そして、図24に示したように、このシリコン成長層41は、シリコン基板1上に成長したシリコン成長層16に接触する。従って、図17に示したファセット20bの発生を回避することができる。
【0055】
その結果、シリコン成長層16,37,41の各上面と、シリコン基板1の上面との間の距離が長くなり、コバルトシリサイド42はシリコン基板1の内部深くにまで達しないため、ソース・ドレイン領域14を浅く形成することができ、半導体装置の微細化を図ることができる。
【0056】
実施の形態4.
本実施の形態4は、一つのウェハ内に用途の異なる複数種類の半導体素子が形成された半導体装置の製造方法に関するものである。特に、シリコン基板のDRAM部にDRAM用MOSFETを、ロジック部にロジック用MOSFETをそれぞれ形成する場合を例にとり説明する。
【0057】
図26〜図34は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。まず、シリコン基板1の素子分離領域にシリコン酸化膜から成る素子分離絶縁膜2を形成した後、ウェルやチャネル(図示しない)等を形成するためのイオン注入をシリコン基板1の全面に関して行う。その後、DRAM部におけるシリコン基板1の上面上に、ゲート酸化膜3及びゲート電極4aがこの順に積層された積層構造を選択的に形成するとともに、ロジック部におけるシリコン基板1の上面上に、ゲート酸化膜3及びゲート電極4bがこの順に積層された積層構造を選択的に形成する。ここで、ゲート酸化膜3は例えばシリコン酸化膜から成り、ゲート電極4a,4bは例えばポリシリコンから成る。また、ゲート電極4a,4bの幅(ゲート長にほぼ等しい)は、0.1μm程度とする。その後、ゲート電極4a,4bをマスクとして、シリコン基板1の全面に関してイオン注入を行い、シリコン基板1の上面内にエクステンション5を形成する(図26)。
【0058】
次に、例えばCVD法によりシリコン酸化膜6を全面に堆積した後(図27)、シリコン酸化膜6上にシリコン窒化膜7を堆積する(図28)。シリコン酸化膜6は、シリコン窒化膜7とシリコン基板1とが接触することを防止するための下地酸化膜であり、0.01μm程度の膜厚を有していればよい。また、シリコン窒化膜7は、0.05μm程度の膜厚に堆積すればよい。
【0059】
次に、シリコン基板1の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン窒化膜7及びシリコン酸化膜6をこの順にエッチングし、シリコン基板1の上面を露出する。このとき、ゲート電極4a,4bの各側壁部には、シリコン窒化膜9及びシリコン酸化膜8が残る(図29)。
【0060】
次に、例えばCVD法により、0.05μm程度の膜厚を有するシリコン酸化膜10を全面に堆積する(図30)。次に、シリコン基板1の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン窒化膜10をエッチングし、シリコン基板1の上面を露出する(図31)。このとき、図31に示すように、シリコン窒化膜9のゲート電極4a,4bと反対側の側壁部には、シリコン酸化膜11が残る。
【0061】
次に、写真製版法により、シリコン基板1のDRAM部にレジスト50を形成する(図32)。次に、レジスト50によって覆われていないロジック部のシリコン酸化膜11を、例えばフッ酸等によって除去する。その後、レジスト50を除去する(図33)。図33に示すように、シリコン基板1のDRAM部におけるゲート電極4aの側壁部には、シリコン酸化膜8,11及びシリコン窒化膜9から成るサイドウォール12aが形成されており、一方、ロジック部におけるゲート電極4bの側壁部には、シリコン酸化膜8及びシリコン窒化膜9から成るサイドウォール12bが形成されている。
【0062】
次に、ゲート電極4a,4b、シリコン酸化膜8,11、及びシリコン窒化膜9をマスクとしてイオン注入を行い、露出しているシリコン基板1の上面内に不純物領域13を形成する。その結果、DRAM部及びロジック部におけるシリコン基板1の上面内には、エクステンション5及び不純物領域13から成るソース・ドレイン領域14がそれぞれ形成される(図34)。以上の工程により、シリコン基板1のDRAM部にはDRAM用MOSFETが、ロジック部にはロジック用MOSFETがそれぞれ作製される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0063】
このように本実施の形態4に係る半導体装置の製造方法によれば、DRAM用MOSFETのサイドウォール12aの幅は、シリコン酸化膜8,11の幅とシリコン窒化膜9の幅との合計となり、一方、ロジック用MOSFETのサイドウォール12bの幅は、シリコン酸化膜8の幅とシリコン窒化膜9の幅との合計となる。即ち、DRAM用MOSFETとロジック用MOSFETとで、サイドウォールの幅を異なる値に設定することができる。その結果、ソース部における不純物領域13と、ドレイン部における不純物領域13との間の距離を、DRAM用MOSFETとロジック用MOSFETとで異ならせることができる。従って、DRAM用MOSFETではこの距離を大きくすることで安定した電気的特性を得ることができ、一方、ロジック用MOSFETではこの距離を小さくすることで高駆動能力を得ることができる。
【0064】
実施の形態5.
本実施の形態5は、上記実施の形態4に係る半導体装置の製造方法と、上記実施の形態1に係る半導体装置の製造方法との組み合わせに係るものである。
【0065】
図35〜図39は、本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。まず、上記実施の形態4と同様の方法により、図31に示す構造と同様の構造を得る。その後、上記実施の形態1と同様にシリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下でシリコン成長を行うことにより、シリコン成長層15,16を形成する(図35)。
【0066】
次に、写真製版法により、シリコン基板1のDRAM部にレジスト50aを形成する(図36)。次に、レジスト50aによって覆われていないロジック部のシリコン酸化膜11を、例えばフッ酸等によって除去する(図37)。図37に示すように、シリコン基板1のDRAM部におけるゲート電極4aの側壁部には、シリコン酸化膜8,11及びシリコン窒化膜9から成るサイドウォール12aが形成されており、一方、ロジック部におけるゲート電極4bの側壁部には、シリコン酸化膜8及びシリコン窒化膜9から成るサイドウォール12bが形成されている。
【0067】
次に、レジスト50aを除去した後、イオン注入を行い、シリコン基板1の上面内に不純物領域13を形成する。その結果、DRAM部及びロジック部におけるシリコン基板1の上面内には、エクステンション5及び不純物領域13から成るソース・ドレイン領域14がそれぞれ形成される(図38)。
【0068】
次に、例えばCVD法によりコバルト(図示しない)を全面に堆積した後、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行い、コバルトシリサイド18,19を形成する。その後、未反応のコバルトを除去する(図39)。以上の工程により、サリサイド構造を有するDRAM用MOSFET及びロジック用MOSFETが、それぞれシリコン基板1のDRAM部及びロジック部に形成される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0069】
このように本実施の形態5に係る半導体装置の製造方法によれば、ゲート電極4a,4b上にコバルトシリサイド18をそれぞれ形成することにより、DRAM用MOSFET及びロジック用MOSFETの各ゲート抵抗をそれぞれ低減でき、しかも、DRAM用MOSFETのサイドウォール12aの幅と、ロジック用MOSFETのサイドウォール12bの幅とを個別に設定することが可能となる。
【0070】
実施の形態6.
本実施の形態6は、上記実施の形態4に係る半導体装置の製造方法と、上記実施の形態1に係る半導体装置の製造方法との組み合わせに係るものであり、特に、1つのシリコン基板1に形成されるDRAM用MOSFET及びロジック用MOSFETのうち、DRAM用MOSFETのみに上記実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を適用するものである。
【0071】
図40〜図45は、本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。まず、上記実施の形態4と同様の方法により、図34に示す構造と同様の構造を得た後、例えばCVD法により、シリコン酸化膜51を全面に堆積する(図40)。
【0072】
次に、写真製版法により、シリコン基板1のロジック部にレジスト52を形成する(図41)。次に、レジスト52によって覆われていないDRAM部のシリコン酸化膜51を、例えばフッ酸等によって除去する(図42)。次に、レジスト52を除去した後、上記実施の形態1と同様にシリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下でシリコン成長を行うことにより、シリコン基板1のDRAM部において、シリコン成長層15,16を形成する(図43)。
【0073】
次に、例えばCVD法により、コバルト17を全面に堆積する(図44)。次に、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行い、コバルトシリサイド18,19を形成する。その後、未反応のコバルト17を除去する。また、シリコン酸化膜51を例えばフッ酸等によって除去する(図45)。以上の工程により、サリサイド構造を有するDRAM用MOSFET、及びロジック用MOSFETが、それぞれシリコン基板1のDRAM部及びロジック部に形成される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0074】
このように本実施の形態6に係る半導体装置の製造方法によれば、ゲート電極4a上にコバルトシリサイド18を形成することにより、DRAM用MOSFETのゲート抵抗を低減でき、しかも、DRAM用MOSFETのサイドウォール12aの幅と、ロジック用MOSFETのサイドウォール12bの幅とを個別に設定することが可能となる。
【符号の説明】
【0075】
1 シリコン基板、2 素子分離絶縁膜、3 ゲート酸化膜、4,4a,4b ゲート電極、8,11,33,35,51 シリコン酸化膜、9,34,34a シリコン窒化膜、12,12a,12b,36 サイドウォール、13 不純物領域、14 ソース・ドレイン領域、15,16,37,41 シリコン成長層、17 コバルト、18,19,38,42 コバルトシリサイド、20a,20b ファセット、40 熱酸化膜。
【技術分野】
【0001】
この発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、サリサイド構造を有するMOSFETの構造及びその製造方法に関する。また、この発明は、一つのウェハ内に用途の異なる複数種類の半導体素子が形成された半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来技術1.
図46〜図52は、従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。特に、サリサイド構造を有するMOSFETの製造工程を順に示すものである。まず、シリコン基板101の素子分離領域にシリコン酸化膜から成る素子分離絶縁膜102を形成した後、ウェルやチャネル(図示しない)等を形成するためのイオン注入を行い、その後、シリコン基板101の上面上に、シリコン酸化膜から成るゲート酸化膜103及びポリシリコンから成るゲート電極104を選択的に形成する。その後、イオン注入を行い、シリコン基板101の上面内に不純物領域(以下「エクステンション」と表記する)105を形成する(図46)。
【0003】
次に、例えばCVD法により、シリコン酸化膜106を全面に堆積した後、シリコン酸化膜106上にシリコン窒化膜107を堆積する(図47)。次に、シリコン基板101の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン窒化膜107及びシリコン酸化膜106をこの順にエッチングし、シリコン基板101の上面を露出する。これにより、ゲート電極104の側壁部に、シリコン酸化膜108及びシリコン窒化膜109から成るサイドウォール110を形成する(図48)。
【0004】
次に、ゲート電極104及びサイドウォール110をマスクとしてイオン注入を行い、露出しているシリコン基板101の上面内に不純物領域111を形成する。その結果、シリコン基板101の上面内には、エクステンション105及び不純物領域111から成るソース・ドレイン領域112が形成される(図49)。
【0005】
次に、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜に対して選択性を有する条件下でシリコンの成長を行い(これは、シリコン酸化膜上及びシリコン窒化膜上にはシリコンが成長せず、その他の領域上にはシリコンが成長する条件下での結晶成長を意味する。)、ゲート電極104の上面上にシリコン成長層113を形成するとともに、不純物領域111が形成されている部分のシリコン基板101の上面上にシリコン成長層114を形成する(図50)。
【0006】
次に、例えばCVD法によりコバルト115を全面に堆積した後(図51)、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う。これによりコバルト115とシリコン成長層113,114とが反応し、コバルトシリサイド116,117が形成される。その後、未反応のコバルト115を除去する(図52)。以上の工程により、サリサイド構造を有するMOSFETが作製される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0007】
従来技術2.
図53〜図57は、従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。特に、一つのウェハ内に用途の異なる複数種類の半導体素子が形成された半導体装置の製造工程を順に示すものである。まず、シリコン基板101の素子分離領域にシリコン酸化膜から成る素子分離絶縁膜102を形成した後、ウェルやチャネル(図示しない)等を形成するためのイオン注入を行い、その後、シリコン基板101の上面上に、シリコン酸化膜から成るゲート酸化膜103及びポリシリコンから成るゲート電極104を選択的に形成する。その後、イオン注入を行い、シリコン基板101の上面内にエクステンション105を形成する(図53)。
【0008】
次に、例えばCVD法により、シリコン酸化膜106を全面に堆積する(図54)。その後、例えばCVD法により、シリコン酸化膜106上にシリコン窒化膜107を堆積する(図55)。次に、シリコン基板101の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン窒化膜107及びシリコン酸化膜106をこの順にエッチングし、シリコン基板101の上面を露出する。これにより、シリコン基板101のDRAM部においては、シリコン酸化膜108及びシリコン窒化膜109から成るサイドウォール110aがゲート電極104の側壁部に形成され、一方、シリコン基板101のロジック部においては、シリコン酸化膜108及びシリコン窒化膜109から成るサイドウォール110bがゲート電極104の側壁部に形成される(図56)。
【0009】
次に、ゲート電極104及びサイドウォール110a,110bをマスクとしてイオン注入を行い、露出しているシリコン基板101の上面内に不純物領域111を形成する。その結果、シリコン基板101の上面内には、エクステンション105及び不純物領域111から成るソース・ドレイン領域112が形成される(図57)。以上の工程により、シリコン基板101のDRAM部にはDRAM用MOSFETが、ロジック部にはロジック用MOSFETがそれぞれ作製される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
従来技術1に関する問題点.
MOSFETの動作の高速化や高周波特性の向上を図るためには、ゲート抵抗やソース・ドレイン抵抗を低減することも重要である。図52に示したMOSFETのように、ゲート電極104上にコバルトシリサイド116等の導電層を形成することによってゲート抵抗は低減されるが、コバルトシリサイド116の幅を広げることができれば、ゲート抵抗をさらに低減することが可能となる。
【0011】
しかし、図52に示したように、従来のMOSFETにおいてはコバルトシリサイド116の幅はゲート長にほぼ等しいため、コバルトシリサイド116の幅を広げるためにはゲート長を広げる必要がある。ところが、ゲート長を広げるためにゲート電極104の幅を大きくすると、これに伴ってソース−ドレイン間の距離も大きくなる。その結果、チャネル抵抗が増大してMOSFETの駆動電流が減少し、却って、MOSFETの動作速度や高周波特性が低下するばかりでなく、デバイスの微細化の要求にも反することになるという問題点があった。
【0012】
また、図58,59は、それぞれ図50のA部分及びB部分を拡大して示す断面図である。上述したように、シリコン成長層114は、シリコン基板101の上面上にシリコンを成長させることによって形成される。このとき、特定の面方位が成長速度に影響を及ぼすため、シリコン成長層114の端部にはファセットが現れる。図58には、シリコン成長層114のサイドウォール110側の端部に現れるファセット120aを、図59には、シリコン成長層114の素子分離絶縁膜102側の端部に現れるファセット120bをそれぞれ示した。なお、図59にはシリコン酸化膜106aが示されているが、これは、サイドウォール110を形成する際の異方性ドライエッチングの際に、素子分離絶縁膜102上に堆積されたシリコン酸化膜106が素子分離絶縁膜102の側壁部に残ったものである。
【0013】
このファセット120a,120bの存在により、シリコン成長層114の端部の膜厚は、中央部の膜厚よりも薄くなる。シリコン成長層114をシリサイド化してコバルトシリサイド117を形成する場合、シリサイド化は、シリコン成長層114とコバルト115との界面、即ちシリコン成長層114の上面から深さ方向に次第に進行する。従って、シリコン成長層114の膜厚が薄い端部においては、膜厚が厚い中央部と比較すると、コバルトシリサイド117はシリコン基板101の内部深くにまで形成されることになる。そのため、シリコン基板101の内部深くに形成されたコバルトシリサイド117がソース・ドレイン領域112を突き抜けないようにするためには、ソース・ドレイン領域112を予め深く形成しておく必要がある。このような事情により、従来のMOSFETの製造方法においては、ソース・ドレイン領域112をあまり浅く形成することができず、デバイスの微細化が困難であるという問題点もあった。
【0014】
従来技術2に関する問題点.
図57に示したように、シリコン基板101には、DRAM用MOSFETとロジック用MOSFETとが混載して形成されている。ところで、DRAM用MOSFETには安定した電気的特性が要求されるため、ソース領域及びドレイン領域を確実に形成するためには、プロセスのばらつきを考慮して不純物領域111同士の間の距離はある程度離れていることが望ましい。一方、ロジック用MOSFETには高駆動能力が要求されるため、ソース及びドレインの各抵抗値を下げるためには、不純物領域111同士の間の距離はできるだけ短い方が望ましい。このように、MOSFETに要求される性能がDRAM用とロジック用とでは異なることに起因して、不純物領域111同士の間の距離を各MOSFETに関して個別に設定することができれば望ましい。
【0015】
しかし、図57に示したように、従来の半導体装置の製造方法では、DRAM部のサイドウォール110aの幅と、ロジック部のサイドウォール110bの幅とは互いに等しい。このため、その後のイオン注入により形成されるソース部の不純物領域111とドレイン部の不純物領域111との間の距離は、DRAM部及びロジック部において同一となり、この要求に応えられないという問題点があった。
【0016】
本発明はこれらの問題点を解決するために成されたものであり、第1に、サリサイド構造を有するMOSFETに関して、ゲート長を広げることなく、ゲート電極上に形成された導電層の幅を広げることにより、ゲート抵抗をさらに低減し得る半導体装置及びその製造方法を得ること、及び、基板のソース・ドレイン領域に形成される導電層が基板の内部深くにまで達することを回避することにより、浅いソース・ドレイン領域を形成することを可能とし、微細化に適した半導体装置及びその製造方法を得ることを目的とする。また、第2に、一つのウェハ内に用途の異なる複数種類の半導体素子が形成される半導体装置に関して、要求される性能に応じてソース部の不純物領域とドレイン部の不純物領域との間の距離を個別に設定し得る半導体装置及びその製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0017】
本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板の上面上にゲート絶縁膜とゲート電極との積層構造を形成する工程と、前記積層構造を形成後、前記シリコン基板の上面と前記積層構造とを覆うようにシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜を形成する工程の後、シリコンを前記シリコン基板の上面上と前記シリコン窒化膜の露出した表面上に成長させ、前記シリコン窒化膜の露出した表面上に成長した前記シリコンと前記シリコン基板の上面上に成長した前記シリコンとが接触するようにシリコン成長層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0018】
また本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板の上面上にゲート絶縁膜とゲート電極との積層構造を形成する工程と、前記積層構造を形成後、前記シリコン基板の上面と前記積層構造とを覆うように第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記第1のシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜上に第2のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記第2のシリコン酸化膜を形成後、前記第1のシリコン酸化膜、前記シリコン窒化膜および前記第2のシリコン窒化膜をエッチングして、前記シリコン基板の上面付近で前記シリコン窒化膜が露出するようにサイドウォールを形成する工程と、前記サイドウォールを形成する工程の後、シリコンを前記シリコン基板の上面上と前記シリコン窒化膜の露出した表面上とに成長させ、前記シリコン窒化膜の露出した表面上に成長した前記シリコンと前記シリコン基板の上面上に成長した前記シリコンとが接触するようにシリコン成長層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0019】
本発明の半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板の上面上に配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、前記ゲート電極の側面および前記シリコン基板の上面に沿って配置されたシリコン窒化膜と、前記シリコン基板の上面上および前記シリコン窒化膜の側面上に配置され、前記シリコン基板の上面上の部分と前記シリコン窒化膜の側面上の部分とが接触しているシリコン成長層とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【0020】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、シリコン基板の上面上にゲート絶縁膜とゲート電極との積層構造が形成される。積層構造の形成後、シリコン基板の上面と積層構造とを覆うようにシリコン窒化膜が形成される。シリコン窒化膜の形成後、シリコンがシリコン基板の上面上とシリコン窒化膜の露出した表面上に成長され、シリコン窒化膜の露出した表面上に成長したシリコンとシリコン基板の上面上に成長したシリコンとが接触するようにシリコン成長層が形成される。これによって、ファセットの発生を回避することができる。
【0021】
また本発明の半導体装置の製造方法によれば、シリコン基板の上面上にゲート絶縁膜とゲート電極との積層構造が形成される。積層構造の形成後、シリコン基板の上面と積層構造とを覆うように第1のシリコン酸化膜が形成され、第1のシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜が形成され、シリコン窒化膜上に第2のシリコン酸化膜が形成される。第2のシリコン酸化膜の形成後、第1のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜および第2のシリコン窒化膜がエッチングされて、シリコン基板の上面付近でシリコン窒化膜が露出するようにサイドウォールが形成される。サイドウォールの形成後、シリコンがシリコン基板の上面上とシリコン窒化膜の露出した表面上とに成長され、シリコン窒化膜の露出した表面上に成長したシリコンとシリコン基板の上面上に成長したシリコンとが接触するようにシリコン成長層が形成される。これによって、ファセットの発生を回避することができる。
【0022】
本発明の半導体装置によれば、半導体装置は、シリコン基板と、シリコン基板の上面上に配置されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、ゲート電極の側面およびシリコン基板の上面に沿って配置されたシリコン窒化膜と、シリコン基板の上面上およびシリコン窒化膜の側面上に配置され、シリコン基板の上面上の部分とシリコン窒化膜の側面上の部分とが接触しているシリコン成長層とを有する。これによって、ファセットの発生を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図2】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図3】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図4】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図5】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図6】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図7】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図8】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図9】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図10】図7のA部分を拡大して示す断面図である。
【図11】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図12】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図13】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図14】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図15】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図16】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図17】図7のB部分を拡大して示す断面図である。
【図18】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図19】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図20】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図21】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図22】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図23】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図24】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図25】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図26】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図27】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図28】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図29】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図30】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図31】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図32】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図33】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図34】本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図35】本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図36】本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図37】本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図38】本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図39】本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図40】本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図41】本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図42】本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図43】本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図44】本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図45】本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図46】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図47】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図48】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図49】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図50】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図51】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図52】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図53】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図54】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図55】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図56】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図57】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図58】図50のA部分を拡大して示す断面図である。
【図59】図50のB部分を拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
実施の形態1.
図1〜図9は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。まず、シリコン基板1の素子分離領域にシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜から成る素子分離絶縁膜2を形成した後、ウェルやチャネル(図示しない)等を形成するためのイオン注入を行い、その後、シリコン基板1の上面上に、ゲート酸化膜3及びゲート電極4がこの順に積層された積層構造を選択的に形成する。ここで、ゲート酸化膜3は例えばシリコン酸化膜から成り、ゲート電極4は例えばポリシリコンから成る。また、ゲート電極4の幅(ゲート長にほぼ等しい)は、0.1μm程度とする。その後、ゲート電極4をマスクとしてイオン注入を行い、シリコン基板1の上面内にエクステンション5を形成する(図1)。
【0025】
次に、例えばCVD法によりシリコン酸化膜6を全面に堆積した後、シリコン酸化膜6上にシリコン窒化膜7を堆積する(図2)。シリコン酸化膜6は、シリコン窒化膜7とシリコン基板1とが接触することを防止するための下地酸化膜であり、0.01μm程度の膜厚を有していればよい。但し、後述するシリコン成長層15,16を0.1μm程度の膜厚に形成する場合は、シリコン酸化膜6は最大0.05μm程度の膜厚に形成することができる。また、シリコン窒化膜7は、0.05μm程度の膜厚に堆積すればよい。
【0026】
次に、シリコン基板1の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン窒化膜7及びシリコン酸化膜6をこの順にエッチングし、シリコン基板1の上面を露出する。このとき、ゲート電極4の側壁部には、シリコン窒化膜9及びシリコン酸化膜8が残る(図3)。
【0027】
次に、例えばCVD法により、0.05μm程度の膜厚を有するシリコン酸化膜10を全面に堆積する(図4)。次に、シリコン基板1の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン酸化膜10をエッチングし、シリコン基板1の上面を露出する。これにより、ゲート電極4の側壁部には、シリコン酸化膜8,11及びシリコン窒化膜9から成るサイドウォール12が形成される(図5)。
【0028】
次に、ゲート電極4及びサイドウォール12をマスクとしてイオン注入を行い、露出しているシリコン基板1の上面内に不純物領域13を形成する。その結果、シリコン基板1の上面内には、エクステンション5及び不純物領域13から成るソース・ドレイン領域14が形成される(図6)。
【0029】
次に、シリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下で、シリコンの成長を行う。これは、シリコン酸化膜上にはシリコンが成長せず、その他の領域上にはシリコンが成長する条件下でのシリコン成長を意味する。この条件としては、例えば、ジシランガスを用いて、流量0.1〜2sccm、温度550〜700℃、圧力1×10-5〜1×10-4Torr等の条件が考えられる。ここで、従来技術ではシリコン窒化膜に対しても選択性を有する条件下でシリコン成長を行ったが、シリコン窒化膜に対して選択性を持たせるためには塩素ガス等を使用する必要がある。従って、シリコン窒化膜に対しては選択性を持たせない本実施の形態1に係るプロセスの方が従来技術よりも簡便である。
【0030】
これにより、シリコン窒化膜9の上面上、ゲート電極4の上面上、及び不純物領域13が形成されている部分のシリコン基板1の上面上に、それぞれシリコンが成長する(図7)。ところで、図7に示すように、シリコン窒化膜9の上面とゲート電極4の上面との間には、シリコン酸化膜8の上面が存在する。しかし、シリコンは、ゲート電極4の上面の法線方向のみならず、ゲート長方向(図7において、紙面の左右方向に相当する)にも成長する。このため、このゲート長方向へのシリコン成長によって、シリコン窒化膜9の上面上に成長したシリコンと、ゲート電極4の上面上に成長したシリコンとが互いに接触する。その結果、シリコン窒化膜9の上面からゲート電極4の上面に延在するシリコン成長層15を形成することができる。また、不純物領域13が形成されている部分のシリコン基板1の上面上には、シリコン成長層16が形成される。シリコン成長層15,16の膜厚は、0.1μm程度あれば十分である。なお、シリコン窒化膜9のゲート電極4と反対側の側面はシリコン酸化膜11によって覆われているため、この部分にシリコンが成長することはない。即ち、シリコン酸化膜11は、シリコン成長層15とシリコン成長層16とが互いに接触するのを回避する機能を有する。
【0031】
次に、例えばCVD法によりコバルト17を全面に堆積した後(図8)、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う。これによりコバルト17とシリコン成長層15,16とが反応し、コバルトシリサイド18,19が形成される。その後、コバルト17とシリコン成長層15,16とが接触していない部分の未反応のコバルト17を除去する(図9)。以上の工程により、サリサイド構造を有するMOSFETが作製される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0032】
このように本実施の形態1に係る半導体装置の製造方法によれば、ゲート電極4の上部に、ゲート電極4の幅W1よりも広い幅W2を有するコバルトシリサイド18を形成することができる(図9)。ここで、コバルトシリサイド18の抵抗値は、ゲート電極4の材質たるポリシリコンの抵抗値よりも十分小さいため、ゲート抵抗は、ほぼコバルトシリサイド18の幅及び膜厚によって決定される。例えば、ゲート長W1が0.1μm、サイドウォール12の幅が0.05μm、シリコン酸化膜11の幅が0.005μm(シリコン酸化膜11の上記機能上、この程度の膜厚で十分である)である場合、コバルトシリサイド18の幅W2は約1.90μmとなり、W1よりも約0.09μmだけ長くなる。これにより、ゲート抵抗をほぼ半分に低減することができる。このように本実施の形態1に係る半導体装置の製造方法によれば、ゲート長を広げることなくゲート抵抗を低減することが可能となる。
【0033】
なお、サイドウォール12の構造に関して、サイドウォール12の上面においてシリコン窒化膜9の上面が露出する部分と、ゲート電極4の上面との間に、シリコン酸化膜8の上面が露出する部分が必ずしも存在する必要はない。従って、サイドウォール12の構造としては、その上面において、少なくとも、シリコン窒化膜9が露出する部分と、この部分よりも外側においてシリコン酸化膜11が露出する部分とが存在すればよい。
【0034】
以下、本実施の形態1に係る半導体装置及びその製造方法の変形例について説明する。特に断らない限り、下記変形例は、後述する各実施の形態についても適用可能である。
【0035】
一般的にシリコン成長を行う場合、ポリシリコン上に成長させた場合はポリシリコンから成るシリコン成長層が形成され、単結晶シリコン上に成長させた場合は単結晶から成るシリコン成長層が形成される。従って、以上の説明によると、シリコン成長層15はポリシリコンによって構成され、シリコン成長層16は単結晶シリコンによって構成されることになる。しかし、シリコンであればその形態は問わず、単結晶シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコンのいずれであってもよい。さらに、以上の説明ではシリコン成長層15,16をシリサイド化することにより導電層としたが、シリコン成長層15,16を形成した後の工程において、シリコン成長層15,16に不純物をドーピングすることによって導電層を形成してもよい。
【0036】
また、コバルトシリサイド18,19の代わりに、チタンシリサイド、ニッケルシリサイド、タングステンシリサイド等の他のシリサイドを形成してもよい。さらに、シリコン成長層15,16を形成してからこれをシリサイド化するという一連の工程の代わりに、モリブデンやタングステン等の金属を、シリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下で成長させてもよい。この場合は、シリサイド化する工程を省略することができる。
【0037】
また、シリコン成長層15,16は、ゲルマニウム、あるいはシリコンとゲルマニウムとの化合物であってもよい。
【0038】
また、例えば図9に示したように、シリコン窒化膜9のゲート電極4と反対側の側面は、絶縁膜であるシリコン酸化膜11によって覆われている。従って、シリコン窒化膜9の代わりに、シリコン窒化酸化膜等の他の絶縁膜、あるいは、ポリシリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウムの半導体や、上記各種シリサイド、金属等を形成した場合であっても、ゲートとソース・ドレインとのショートは起こらない。但し、後述する実施の形態2に関しては、シリコン窒化膜9の代わりにサリサイドや金属等の導電体を形成することはできない。
【0039】
また、サイドウォール12の上面構造に関して、シリコン窒化膜9の露出部分の上面と、シリコン酸化膜8,11の各露出部分の上面とが必ずしも一致している必要はない。シリコン窒化膜9の露出部分の上面を上記各露出部分の上面よりも沈ませておくことにより、後に形成されるコバルトシリサイド18の実効的な幅を広げることができ、ゲート抵抗をさらに低減することができる。
【0040】
実施の形態2.
図10は、図7のA部分を拡大して示す断面図である。シリコン成長層16のゲート電極4側の端部に、ファセット20aが現れている。本実施の形態2では、このファセット20aの発生を回避し得る半導体装置の製造方法を提案する。
【0041】
図11〜図16は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。まず、上記実施の形態1と同様の方法により図1に示す構造と同様の構造を得た後、例えばCVD法によりシリコン酸化膜30を全面に堆積する。その後、例えばCVD法により、シリコン酸化膜30上にシリコン窒化膜31を、シリコン窒化膜31上にシリコン酸化膜32をそれぞれ堆積する(図11)。
【0042】
次に、シリコン基板1の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン酸化膜32、シリコン窒化膜31、及びシリコン酸化膜30をこの順にエッチングし、シリコン基板1の上面を露出する。これにより、ゲート電極4の側壁部には、シリコン酸化膜33,35及びシリコン窒化膜34から成るサイドウォール36が形成される(図12)。図12に示すように、サイドウォール36のゲート電極4と反対側の側面には、シリコン基板1の上面付近に、シリコン窒化膜34の側面が露出する部分が存在する。また、サイドウォール36の上面には、シリコン窒化膜34の上面が露出する部分と、この部分よりもゲート電極4と反対側の領域においてシリコン酸化膜35が露出する部分とが存在する。
【0043】
次に、ゲート電極4及びサイドウォール36をマスクとしてイオン注入を行い、露出しているシリコン基板1の上面内に不純物領域13を形成する。その結果、シリコン基板1の上面内には、エクステンション5及び不純物領域13から成るソース・ドレイン領域14が形成される(図13)。
【0044】
次に、上記実施の形態1と同様にシリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下でシリコン成長を行う。これにより、シリコン窒化膜34の上面上、ゲート電極4の上面上、不純物領域13が形成されている部分のシリコン基板1の上面上、及びサイドウォール36の側面において露出するシリコン窒化膜34の側面上に、それぞれシリコンが成長する(図14)。ところで、図14に示すように、シリコン窒化膜34の上面とゲート電極4の上面との間には、シリコン酸化膜33の上面が存在する。しかし、ゲート長方向へのシリコン成長によって、シリコン窒化膜34の上面上に成長したシリコンと、ゲート電極4の上面上に成長したシリコンとが互いに接触し、その結果、シリコン窒化膜34の上面からゲート電極4の上面に延在するシリコン成長層15を形成することができる。また、不純物領域13が形成されている部分のシリコン基板1の上面上にはシリコン成長層16が形成され、シリコン窒化膜34の側面上にはシリコン成長層37が形成される。そして、これらのシリコン成長層16,37は互いに接触している。なお、シリコン窒化膜34のゲート電極4と反対側の側面はシリコン酸化膜35によって覆われているため、この部分にシリコンが成長することはない。即ち、シリコン酸化膜35は、シリコン成長層15とシリコン成長層16,37とが互いに接触するのを回避する機能を有する。
【0045】
次に、例えばCVD法によりコバルト17を全面に堆積した後(図15)、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う。これによりコバルト17とシリコン成長層15,16,37とが反応し、コバルトシリサイド18,38が形成される。その後、コバルト17とシリコン成長層15,16,37とが接触していない部分の未反応のコバルト17を除去する(図16)。以上の工程により、サリサイド構造を有するMOSFETが作製される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0046】
このように本実施の形態2に係る半導体装置の製造方法によれば、サイドウォール36の側面に、シリコン窒化膜34の側面が露出する部分が存在するため、シリコンを成長させることにより、この部分にもシリコン成長層37が形成される。そして、このシリコン窒化膜34の側面が露出する部分は、シリコン基板1の上面付近に形成されているため、シリコン成長層37は、シリコン基板1上に成長したシリコン成長層16に接触する。従って、図10に示したファセット20aの発生を回避することができる。
【0047】
実施の形態3.
図17は、図7のB部分を拡大して示す断面図である。シリコン成長層16のゲート電極4と反対側の端部に、ファセット20bが現れている。なお、素子分離絶縁膜2の側壁部に形成されているシリコン酸化膜6aは、図3に示したシリコン酸化膜8及びシリコン窒化膜9を形成する際の異方性ドライエッチングの際に、素子分離絶縁膜2上に堆積されたシリコン酸化膜6が素子分離絶縁膜2の側壁部に残ったものである。本実施の形態3では、このファセット20bの発生を回避し得る半導体装置の製造方法を提案する。
【0048】
図18〜図25は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。特に、上記実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を基礎としており、以下、これとの相違点を中心に説明する。まず、上記実施の形態1と同様の方法により図1に示す構造と同様の構造を得た後、熱酸化法により、シリコン基板1の上面上と、ゲート電極4の側面及び上面上とに、熱酸化膜40を形成する。その後、例えばCVD法により、熱酸化膜40上にシリコン窒化膜31を堆積し、さらに、シリコン窒化膜31上にシリコン酸化膜32を堆積する(図18)。
【0049】
次に、シリコン基板1の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン酸化膜32、シリコン窒化膜31、及び熱酸化膜40をこの順にエッチングし、シリコン基板1の上面を露出する。これにより、ゲート電極4の側壁部には、シリコン酸化膜33,35及びシリコン窒化膜34から成るサイドウォール36が形成される(図19)。図20は、図19のC部分を拡大して示す断面図である。素子分離絶縁膜2の一部はシリコン基板1の上面よりも突出している。このため、素子分離絶縁膜2の側壁部には、シリコン酸化膜33,35及びシリコン窒化膜34を形成する際の異方性ドライエッチングの際に素子分離絶縁膜2の側壁部に残った、熱酸化膜33a及びシリコン窒化膜34aが存在する。
【0050】
次に、ゲート電極4及びサイドウォール36をマスクとしてイオン注入を行い、露出しているシリコン基板1の上面内に不純物領域13を形成する。その結果、シリコン基板1の上面内には、エクステンション5及び不純物領域13から成るソース・ドレイン領域14が形成される(図21)。
【0051】
次に、上記実施の形態1と同様にシリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下でシリコン成長を行う。これにより、シリコン窒化膜34の上面上、ゲート電極4の上面上、不純物領域13が形成されている部分のシリコン基板1の上面上、サイドウォール36の側面において露出するシリコン窒化膜34の側面上、及び、素子分離絶縁膜2の側壁部に残ったシリコン窒化膜34aの表面上に、それぞれシリコンが成長する(図22)。図23は、図22のD部分を拡大して示す断面図である。図23に示すように、シリコン窒化膜34aの表面上に形成されたシリコン成長層41は、シリコン基板1上に形成されたシリコン成長層16に接触している。
【0052】
次に、例えばCVD法によりコバルト17を全面に堆積した後(図24)、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う。これによりコバルト17とシリコン成長層15,16,37,41とが反応し、コバルトシリサイド18,42が形成される。その後、コバルト17とシリコン成長層15,16,37,41とが接触していない部分の未反応のコバルト17を除去する(図25)。以上の工程により、サリサイド構造を有するMOSFETが作製される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0053】
なお、以上の説明では上記実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を基礎として述べたが、上記実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を基礎として、本実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を実行することもできる。
【0054】
このように本実施の形態3に係る半導体装置の製造方法によれば、素子分離絶縁膜2の側壁部にシリコン窒化膜34aが存在するため、シリコンを成長させることにより、この部分にもシリコン成長層41が形成される。そして、図24に示したように、このシリコン成長層41は、シリコン基板1上に成長したシリコン成長層16に接触する。従って、図17に示したファセット20bの発生を回避することができる。
【0055】
その結果、シリコン成長層16,37,41の各上面と、シリコン基板1の上面との間の距離が長くなり、コバルトシリサイド42はシリコン基板1の内部深くにまで達しないため、ソース・ドレイン領域14を浅く形成することができ、半導体装置の微細化を図ることができる。
【0056】
実施の形態4.
本実施の形態4は、一つのウェハ内に用途の異なる複数種類の半導体素子が形成された半導体装置の製造方法に関するものである。特に、シリコン基板のDRAM部にDRAM用MOSFETを、ロジック部にロジック用MOSFETをそれぞれ形成する場合を例にとり説明する。
【0057】
図26〜図34は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。まず、シリコン基板1の素子分離領域にシリコン酸化膜から成る素子分離絶縁膜2を形成した後、ウェルやチャネル(図示しない)等を形成するためのイオン注入をシリコン基板1の全面に関して行う。その後、DRAM部におけるシリコン基板1の上面上に、ゲート酸化膜3及びゲート電極4aがこの順に積層された積層構造を選択的に形成するとともに、ロジック部におけるシリコン基板1の上面上に、ゲート酸化膜3及びゲート電極4bがこの順に積層された積層構造を選択的に形成する。ここで、ゲート酸化膜3は例えばシリコン酸化膜から成り、ゲート電極4a,4bは例えばポリシリコンから成る。また、ゲート電極4a,4bの幅(ゲート長にほぼ等しい)は、0.1μm程度とする。その後、ゲート電極4a,4bをマスクとして、シリコン基板1の全面に関してイオン注入を行い、シリコン基板1の上面内にエクステンション5を形成する(図26)。
【0058】
次に、例えばCVD法によりシリコン酸化膜6を全面に堆積した後(図27)、シリコン酸化膜6上にシリコン窒化膜7を堆積する(図28)。シリコン酸化膜6は、シリコン窒化膜7とシリコン基板1とが接触することを防止するための下地酸化膜であり、0.01μm程度の膜厚を有していればよい。また、シリコン窒化膜7は、0.05μm程度の膜厚に堆積すればよい。
【0059】
次に、シリコン基板1の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン窒化膜7及びシリコン酸化膜6をこの順にエッチングし、シリコン基板1の上面を露出する。このとき、ゲート電極4a,4bの各側壁部には、シリコン窒化膜9及びシリコン酸化膜8が残る(図29)。
【0060】
次に、例えばCVD法により、0.05μm程度の膜厚を有するシリコン酸化膜10を全面に堆積する(図30)。次に、シリコン基板1の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法により、シリコン窒化膜10をエッチングし、シリコン基板1の上面を露出する(図31)。このとき、図31に示すように、シリコン窒化膜9のゲート電極4a,4bと反対側の側壁部には、シリコン酸化膜11が残る。
【0061】
次に、写真製版法により、シリコン基板1のDRAM部にレジスト50を形成する(図32)。次に、レジスト50によって覆われていないロジック部のシリコン酸化膜11を、例えばフッ酸等によって除去する。その後、レジスト50を除去する(図33)。図33に示すように、シリコン基板1のDRAM部におけるゲート電極4aの側壁部には、シリコン酸化膜8,11及びシリコン窒化膜9から成るサイドウォール12aが形成されており、一方、ロジック部におけるゲート電極4bの側壁部には、シリコン酸化膜8及びシリコン窒化膜9から成るサイドウォール12bが形成されている。
【0062】
次に、ゲート電極4a,4b、シリコン酸化膜8,11、及びシリコン窒化膜9をマスクとしてイオン注入を行い、露出しているシリコン基板1の上面内に不純物領域13を形成する。その結果、DRAM部及びロジック部におけるシリコン基板1の上面内には、エクステンション5及び不純物領域13から成るソース・ドレイン領域14がそれぞれ形成される(図34)。以上の工程により、シリコン基板1のDRAM部にはDRAM用MOSFETが、ロジック部にはロジック用MOSFETがそれぞれ作製される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0063】
このように本実施の形態4に係る半導体装置の製造方法によれば、DRAM用MOSFETのサイドウォール12aの幅は、シリコン酸化膜8,11の幅とシリコン窒化膜9の幅との合計となり、一方、ロジック用MOSFETのサイドウォール12bの幅は、シリコン酸化膜8の幅とシリコン窒化膜9の幅との合計となる。即ち、DRAM用MOSFETとロジック用MOSFETとで、サイドウォールの幅を異なる値に設定することができる。その結果、ソース部における不純物領域13と、ドレイン部における不純物領域13との間の距離を、DRAM用MOSFETとロジック用MOSFETとで異ならせることができる。従って、DRAM用MOSFETではこの距離を大きくすることで安定した電気的特性を得ることができ、一方、ロジック用MOSFETではこの距離を小さくすることで高駆動能力を得ることができる。
【0064】
実施の形態5.
本実施の形態5は、上記実施の形態4に係る半導体装置の製造方法と、上記実施の形態1に係る半導体装置の製造方法との組み合わせに係るものである。
【0065】
図35〜図39は、本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。まず、上記実施の形態4と同様の方法により、図31に示す構造と同様の構造を得る。その後、上記実施の形態1と同様にシリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下でシリコン成長を行うことにより、シリコン成長層15,16を形成する(図35)。
【0066】
次に、写真製版法により、シリコン基板1のDRAM部にレジスト50aを形成する(図36)。次に、レジスト50aによって覆われていないロジック部のシリコン酸化膜11を、例えばフッ酸等によって除去する(図37)。図37に示すように、シリコン基板1のDRAM部におけるゲート電極4aの側壁部には、シリコン酸化膜8,11及びシリコン窒化膜9から成るサイドウォール12aが形成されており、一方、ロジック部におけるゲート電極4bの側壁部には、シリコン酸化膜8及びシリコン窒化膜9から成るサイドウォール12bが形成されている。
【0067】
次に、レジスト50aを除去した後、イオン注入を行い、シリコン基板1の上面内に不純物領域13を形成する。その結果、DRAM部及びロジック部におけるシリコン基板1の上面内には、エクステンション5及び不純物領域13から成るソース・ドレイン領域14がそれぞれ形成される(図38)。
【0068】
次に、例えばCVD法によりコバルト(図示しない)を全面に堆積した後、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行い、コバルトシリサイド18,19を形成する。その後、未反応のコバルトを除去する(図39)。以上の工程により、サリサイド構造を有するDRAM用MOSFET及びロジック用MOSFETが、それぞれシリコン基板1のDRAM部及びロジック部に形成される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0069】
このように本実施の形態5に係る半導体装置の製造方法によれば、ゲート電極4a,4b上にコバルトシリサイド18をそれぞれ形成することにより、DRAM用MOSFET及びロジック用MOSFETの各ゲート抵抗をそれぞれ低減でき、しかも、DRAM用MOSFETのサイドウォール12aの幅と、ロジック用MOSFETのサイドウォール12bの幅とを個別に設定することが可能となる。
【0070】
実施の形態6.
本実施の形態6は、上記実施の形態4に係る半導体装置の製造方法と、上記実施の形態1に係る半導体装置の製造方法との組み合わせに係るものであり、特に、1つのシリコン基板1に形成されるDRAM用MOSFET及びロジック用MOSFETのうち、DRAM用MOSFETのみに上記実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を適用するものである。
【0071】
図40〜図45は、本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。まず、上記実施の形態4と同様の方法により、図34に示す構造と同様の構造を得た後、例えばCVD法により、シリコン酸化膜51を全面に堆積する(図40)。
【0072】
次に、写真製版法により、シリコン基板1のロジック部にレジスト52を形成する(図41)。次に、レジスト52によって覆われていないDRAM部のシリコン酸化膜51を、例えばフッ酸等によって除去する(図42)。次に、レジスト52を除去した後、上記実施の形態1と同様にシリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下でシリコン成長を行うことにより、シリコン基板1のDRAM部において、シリコン成長層15,16を形成する(図43)。
【0073】
次に、例えばCVD法により、コバルト17を全面に堆積する(図44)。次に、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行い、コバルトシリサイド18,19を形成する。その後、未反応のコバルト17を除去する。また、シリコン酸化膜51を例えばフッ酸等によって除去する(図45)。以上の工程により、サリサイド構造を有するDRAM用MOSFET、及びロジック用MOSFETが、それぞれシリコン基板1のDRAM部及びロジック部に形成される。その後、層間絶縁膜の形成工程や配線工程等のプロセスを経て、デバイスが完成する。
【0074】
このように本実施の形態6に係る半導体装置の製造方法によれば、ゲート電極4a上にコバルトシリサイド18を形成することにより、DRAM用MOSFETのゲート抵抗を低減でき、しかも、DRAM用MOSFETのサイドウォール12aの幅と、ロジック用MOSFETのサイドウォール12bの幅とを個別に設定することが可能となる。
【符号の説明】
【0075】
1 シリコン基板、2 素子分離絶縁膜、3 ゲート酸化膜、4,4a,4b ゲート電極、8,11,33,35,51 シリコン酸化膜、9,34,34a シリコン窒化膜、12,12a,12b,36 サイドウォール、13 不純物領域、14 ソース・ドレイン領域、15,16,37,41 シリコン成長層、17 コバルト、18,19,38,42 コバルトシリサイド、20a,20b ファセット、40 熱酸化膜。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
シリコン基板の上面上にゲート絶縁膜とゲート電極との積層構造を形成する工程と、
前記積層構造を形成後、前記シリコン基板の上面と前記積層構造とを覆うようにシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜を形成する工程の後、シリコンを前記シリコン基板の上面上と前記シリコン窒化膜の露出した表面上に成長させ、前記シリコン窒化膜の露出した表面上に成長した前記シリコンと前記シリコン基板の上面上に成長した前記シリコンとが接触するようにシリコン成長層を形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項2】
シリコン基板の上面上にゲート絶縁膜とゲート電極との積層構造を形成する工程と、
前記積層構造を形成後、前記シリコン基板の上面と前記積層構造とを覆うように第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第1のシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜上に第2のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第2のシリコン酸化膜を形成後、前記第1のシリコン酸化膜、前記シリコン窒化膜および前記第2のシリコン窒化膜をエッチングして、前記シリコン基板の上面付近で前記シリコン窒化膜が露出するようにサイドウォールを形成する工程と、
前記サイドウォールを形成する工程の後、シリコンを前記シリコン基板の上面上と前記シリコン窒化膜の露出した表面上とに成長させ、前記シリコン窒化膜の露出した表面上に成長した前記シリコンと前記シリコン基板の上面上に成長した前記シリコンとが接触するようにシリコン成長層を形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記シリコン窒化膜は、前記ゲート電極の側面および前記シリコン基板の上面に沿って形成され、
前記シリコン窒化膜の前記シリコン基板の上面付近で露出する部分は、前記サイドウォールを形成する工程で前記シリコン窒化膜をエッチングするときに露出される、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記シリコンの成長は、前記シリコン酸化膜上にはシリコンが成長しない条件下で行われる、請求項1乃至請求項3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記サイドウォールを形成する工程は、前記ゲート電極の上面を露出させる工程と前記シリコン窒化膜の上面を露出させる工程とを含み、
前記シリコン成長層を形成する工程は、前記ゲート電極の上面上と前記前記シリコン窒化膜の上面上とに前記シリコンをそれぞれ成長させて、前記ゲート電極の上面上に成長した前記シリコンと前記シリコン窒化膜の上面上に成長した前記シリコンとが接触するようにシリコン成長層を形成する工程を含む、請求項1乃至請求項4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
シリコン基板と、
前記シリコン基板の上面上に配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、
前記ゲート電極の側面および前記シリコン基板の上面に沿って配置されたシリコン窒化膜と、
前記シリコン基板の上面上および前記シリコン窒化膜の側面上に配置され、前記シリコン基板の上面上の部分と前記シリコン窒化膜の側面上の部分とが接触しているシリコン成長層とを有する、半導体装置。
【請求項7】
前記シリコン窒化膜と前記シリコン基板の上面との間にシリコン酸化膜を有し、
前記シリコン成長層の膜厚は、前記シリコン酸化膜の膜厚よりも大きい、請求項6に記載の半導体装置。
【請求項1】
シリコン基板の上面上にゲート絶縁膜とゲート電極との積層構造を形成する工程と、
前記積層構造を形成後、前記シリコン基板の上面と前記積層構造とを覆うようにシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜を形成する工程の後、シリコンを前記シリコン基板の上面上と前記シリコン窒化膜の露出した表面上に成長させ、前記シリコン窒化膜の露出した表面上に成長した前記シリコンと前記シリコン基板の上面上に成長した前記シリコンとが接触するようにシリコン成長層を形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項2】
シリコン基板の上面上にゲート絶縁膜とゲート電極との積層構造を形成する工程と、
前記積層構造を形成後、前記シリコン基板の上面と前記積層構造とを覆うように第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第1のシリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜上に第2のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第2のシリコン酸化膜を形成後、前記第1のシリコン酸化膜、前記シリコン窒化膜および前記第2のシリコン窒化膜をエッチングして、前記シリコン基板の上面付近で前記シリコン窒化膜が露出するようにサイドウォールを形成する工程と、
前記サイドウォールを形成する工程の後、シリコンを前記シリコン基板の上面上と前記シリコン窒化膜の露出した表面上とに成長させ、前記シリコン窒化膜の露出した表面上に成長した前記シリコンと前記シリコン基板の上面上に成長した前記シリコンとが接触するようにシリコン成長層を形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記シリコン窒化膜は、前記ゲート電極の側面および前記シリコン基板の上面に沿って形成され、
前記シリコン窒化膜の前記シリコン基板の上面付近で露出する部分は、前記サイドウォールを形成する工程で前記シリコン窒化膜をエッチングするときに露出される、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記シリコンの成長は、前記シリコン酸化膜上にはシリコンが成長しない条件下で行われる、請求項1乃至請求項3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記サイドウォールを形成する工程は、前記ゲート電極の上面を露出させる工程と前記シリコン窒化膜の上面を露出させる工程とを含み、
前記シリコン成長層を形成する工程は、前記ゲート電極の上面上と前記前記シリコン窒化膜の上面上とに前記シリコンをそれぞれ成長させて、前記ゲート電極の上面上に成長した前記シリコンと前記シリコン窒化膜の上面上に成長した前記シリコンとが接触するようにシリコン成長層を形成する工程を含む、請求項1乃至請求項4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
シリコン基板と、
前記シリコン基板の上面上に配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、
前記ゲート電極の側面および前記シリコン基板の上面に沿って配置されたシリコン窒化膜と、
前記シリコン基板の上面上および前記シリコン窒化膜の側面上に配置され、前記シリコン基板の上面上の部分と前記シリコン窒化膜の側面上の部分とが接触しているシリコン成長層とを有する、半導体装置。
【請求項7】
前記シリコン窒化膜と前記シリコン基板の上面との間にシリコン酸化膜を有し、
前記シリコン成長層の膜厚は、前記シリコン酸化膜の膜厚よりも大きい、請求項6に記載の半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【公開番号】特開2010−123981(P2010−123981A)
【公開日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−298232(P2009−298232)
【出願日】平成21年12月28日(2009.12.28)
【分割の表示】特願平10−369091の分割
【原出願日】平成10年12月25日(1998.12.25)
【出願人】(503121103)株式会社ルネサステクノロジ (4,790)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年12月28日(2009.12.28)
【分割の表示】特願平10−369091の分割
【原出願日】平成10年12月25日(1998.12.25)
【出願人】(503121103)株式会社ルネサステクノロジ (4,790)
【Fターム(参考)】
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